JPH02192304A - Microwave oscillation circuit - Google Patents
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば衛星通信システムなどのマイクロ波帯
の送信装置および受信装置に用いられるマイクロ波発振
回路に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a microwave oscillation circuit used in a microwave band transmitting device and receiving device, such as a satellite communication system.
上述したようなマイクロ波発振回路においては、装置の
小型化や低コスト化が要望されている。このため、マイ
クロ波発振回路の部品点数の削減および組み立て工数の
削減が望まれている。In the microwave oscillation circuit as described above, there is a demand for miniaturization and cost reduction of the device. For this reason, it is desired to reduce the number of parts and the number of assembly steps in the microwave oscillation circuit.
第5図(a)に従来の局部発振器部分のマイクロ波発振
回路の構成を示す。また、第5図(a)に示したマイク
ロ波発振回路のAA’方向の断面図を第5図(b)に示
す。FIG. 5(a) shows the configuration of a conventional microwave oscillation circuit in the local oscillator section. Further, FIG. 5(b) shows a cross-sectional view of the microwave oscillation circuit shown in FIG. 5(a) in the AA' direction.
電界効果トランジスタ(FET)を用いて構成された能
動回路61は半導体基板に集積されており、金属基板7
1.フレーム72.蓋73からなるパッケージ内に収め
られている。An active circuit 61 configured using a field effect transistor (FET) is integrated on a semiconductor substrate, and a metal substrate 7
1. Frame 72. It is housed in a package consisting of a lid 73.
能動回路61のバイアス入力端子Bはパッケージのバイ
アス供給用のリード75に接続されており、出力端子0
は発振出力用のり一ド76に接続されている。金属基板
71は接地用のり−ド74に接続されており、接地用リ
ード74は接地されている。The bias input terminal B of the active circuit 61 is connected to the bias supply lead 75 of the package, and the output terminal 0
is connected to the oscillation output glue 76. The metal substrate 71 is connected to a grounding lead 74, and the grounding lead 74 is grounded.
また、FETのゲート側に接続された共振器結合用端子
Tは結合用のり一ド78に接続されており、この結合用
のり−ド78はマイクロ波回路基板65上に形成された
マイクロストリップ線路66の一端に接続されている。Further, the resonator coupling terminal T connected to the gate side of the FET is connected to a coupling glue 78, and this coupling glue 78 is a microstrip line formed on the microwave circuit board 65. 66.
このマイクロストリップ線路66の他端には、マイクロ
波回路基板65上に集積されたダミー終端回路62が接
続されている。A dummy termination circuit 62 integrated on the microwave circuit board 65 is connected to the other end of the microstrip line 66.
上述したマイクロストリップ線路66に電磁的に結合す
るように、所定の周波数に共振する誘電体共振器64が
配置されている。A dielectric resonator 64 that resonates at a predetermined frequency is arranged so as to be electromagnetically coupled to the microstrip line 66 described above.
ここで、上述したバイアス供給用のり一ド75にバイア
ス電圧として直流電圧を供給すると、結合用のリード7
8からFET側を見た場合における反射係数の絶対値が
1以上となる。Here, when a DC voltage is supplied as a bias voltage to the bias supply lead 75 described above, the coupling lead 75
The absolute value of the reflection coefficient when looking at the FET side from 8 is 1 or more.
結合用のり−ド78は、誘電体共振器64に電磁的に結
合されたマイクロストリップ線路66に接続されている
ので、能動回路61は誘電体共振器64の共振周波数で
発振動作を行なう(S、 Horiet、 al、
rGaAs Monolithic MIC’s fo
r DirectBroadcast 5atelli
te RecieversllEEE Trans。Since the coupling node 78 is connected to the microstrip line 66 which is electromagnetically coupled to the dielectric resonator 64, the active circuit 61 performs an oscillation operation at the resonant frequency of the dielectric resonator 64 (S , Horiet, al.
rGaAs Monolithic MIC's fo
r DirectBroadcast 5atelli
te RecieversllEEE Trans.
Microwave Theory Tech、、
vol、MTT−31+ no、12+1089−1
095 Dec、 1983.参照)。Microwave Theory Tech.
vol, MTT-31+ no, 12+1089-1
095 Dec, 1983. reference).
一方、誘電体共振器64の共振周波数以外では、誘電体
共振器64とマイクロストリップ線路66との結合は疎
結合となり、ダミー終端回路62だけが能動回路61に
接続されたことになるので、能動回路61による発振動
作は行なわれない。On the other hand, at frequencies other than the resonant frequency of the dielectric resonator 64, the coupling between the dielectric resonator 64 and the microstrip line 66 is loose, and only the dummy termination circuit 62 is connected to the active circuit 61. No oscillation operation is performed by the circuit 61.
上述したように、ダミー終端回路62を備えてマイクロ
披見“振回路を構成することにより、能動回路61の不
要発振を防止することができる。As described above, unnecessary oscillation of the active circuit 61 can be prevented by providing the dummy termination circuit 62 and configuring the micro-oscillation circuit.
ところで、上述した従来方式にあっては、パッケージ化
された能動回路61とダミー終端回路62とが組み合わ
せて構成されている。更に、この2つの部品を接続し、
誘電体共振器64と結合するための伝送線路を設けるた
めにマイクロ波回路基板65が必要となり、部品点数が
多いという問題点があった。By the way, in the conventional system described above, the packaged active circuit 61 and the dummy termination circuit 62 are combined to form a structure. Furthermore, connect these two parts,
In order to provide a transmission line for coupling with the dielectric resonator 64, the microwave circuit board 65 is required, resulting in a problem that the number of parts is large.
また、上述した構成のマイクロ波発振回路においては、
能動回路61とマイクロ波回路基板65と誘電体共振器
64とがそれぞれ所定の位置に正確に配置されている必
要がある。このため、国体などへの取り付けの際に、こ
れらの3つの部品の位置を調整する必要があり、組み立
て工数がかかるという問題点があった。Furthermore, in the microwave oscillation circuit configured as described above,
It is necessary that the active circuit 61, the microwave circuit board 65, and the dielectric resonator 64 are respectively placed accurately at predetermined positions. For this reason, there was a problem in that it was necessary to adjust the positions of these three parts when installing it on the National Athletic Meet, etc., which required a lot of assembly man-hours.
本発明は、このような点にかんがみて創作されたもので
あり、少ない部品点数で構成され、部品の組み立ての際
に位置決めを容易にして低コストのマイクロ波発振回路
を提供することを目的としている。The present invention was created in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a low-cost microwave oscillation circuit that is configured with a small number of parts and facilitates positioning when assembling the parts. There is.
上述した目的を達成するために、本発明にあっては、所
定の周波数における反射係数の絶対値が1以上である信
号端子を有して所定周波数のマイクロ波発振動作を行な
う能動回路と、共振器と結合するための伝送線路と、こ
の伝送線路を終端する終端回路とを有するマイクロ波発
振回路において、伝送線路を介して能動回路の信号端子
と終端回路とを接続するとともに、能動回路と終端回路
と伝送線路とを一体成形するように構成されている。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention includes an active circuit that has a signal terminal whose absolute value of reflection coefficient at a predetermined frequency is 1 or more and performs microwave oscillation operation at a predetermined frequency; In a microwave oscillation circuit that has a transmission line for coupling to a device and a termination circuit for terminating this transmission line, the signal terminal of the active circuit and the termination circuit are connected via the transmission line, and the active circuit and the termination circuit are connected to each other via the transmission line. It is configured such that the circuit and the transmission line are integrally molded.
本発明にあっては、能動回路の信号端子と終端回路とが
伝送線路によって接続されており、これらが一体成形さ
れた1つの部品(モジュール)となっている。In the present invention, the signal terminal of the active circuit and the termination circuit are connected by a transmission line, and these are integrally molded into one component (module).
このモジュールに近接して、例えば所定の周波数で共振
する誘電体共振器を配置することにより、誘電体共振器
と上述した伝送線路とは電磁的に結合され、能動回路は
この誘電体共振器の共振周波数で発振動作を行なう。For example, by arranging a dielectric resonator that resonates at a predetermined frequency in the vicinity of this module, the dielectric resonator and the above-mentioned transmission line are electromagnetically coupled, and the active circuit is connected to the dielectric resonator. Performs oscillation operation at the resonant frequency.
また、能動回路と伝送線路とが一体成形されているので
、能動回路と伝送線路との位置決めを行なう必要はな(
、マイクロ波発振回路を容易に組み立てることが可能と
なる。Additionally, since the active circuit and transmission line are integrally molded, there is no need to position the active circuit and transmission line.
, it becomes possible to easily assemble a microwave oscillation circuit.
以下、図面に基づいて本発明の実施例について詳細に説
明する。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail based on the drawings.
第1図は、本発明の一実施例におけるマイクロ波発振回
路の構成を示す。FIG. 1 shows the configuration of a microwave oscillation circuit in one embodiment of the present invention.
■、 1 の および
第1図(a)は、第1実施例によるマイクロ波発振回路
の構成図である。2, 1 and FIG. 1(a) are configuration diagrams of the microwave oscillation circuit according to the first embodiment.
また、第1図(a)に示したマイクロ波発振回路のAA
’方向の断面図を第1図(b)に示し、BB’方向の断
面図を第1図(C)に示す。Furthermore, the AA of the microwave oscillation circuit shown in FIG.
A cross-sectional view in the ' direction is shown in FIG. 1(b), and a cross-sectional view in the BB' direction is shown in FIG. 1(C).
第1図(a)において、半導体基板22に能動回路11
とダミー終端回路21とが集積されており、この半導体
基板22は、金属基板31.フレーム32、蓋33から
なるパッケージ内に収められている。ここで、フレーム
32は、絶縁体で形成されているものとする。In FIG. 1(a), an active circuit 11 is mounted on a semiconductor substrate 22.
and a dummy termination circuit 21 are integrated, and this semiconductor substrate 22 is integrated with a metal substrate 31 . It is housed in a package consisting of a frame 32 and a lid 33. Here, it is assumed that the frame 32 is made of an insulator.
能動回路11としては、例えば電界効果トランジスタ(
FET)を用いた増幅回路を用いればよい。As the active circuit 11, for example, a field effect transistor (
An amplifier circuit using FET) may be used.
能動回路110FET12のドレイン側は、並列接続さ
れたインダクタ13aとコンデンサ14aとを介して接
地用端子Gに接続されている。また、ソース側はインダ
クタ13bとコンデンサ14bとの接続点に接続されて
おり、コンデンサ14bの他端は出力端子Oに接続され
ている。また、インダクタ13bの他端はバイアス入力
端子Bに接続されている。The drain side of the active circuit 110FET12 is connected to the ground terminal G via an inductor 13a and a capacitor 14a connected in parallel. Further, the source side is connected to the connection point between the inductor 13b and the capacitor 14b, and the other end of the capacitor 14b is connected to the output terminal O. Further, the other end of the inductor 13b is connected to the bias input terminal B.
このバイアス入力端子Bは、例えば導線などを介してパ
ッケージのバイアス供給用のり一ド35の一端に接続さ
れており、出力端子0は同様に発振出力用のり−ド36
の一端に接続されている。This bias input terminal B is connected to one end of the bias supply glue 35 of the package via, for example, a conductive wire, and the output terminal 0 is connected to the oscillation output glue 36.
connected to one end of the
また、上述した接地用端子Gは金属基板31に接続され
ており、金属基板31は接地用のり一ド34の一端に接
続されている。これらのり一ド34゜35.36の他端
は、外部回路との接続用電極としてパッケージの外側に
突き出すようにフレーム32に固定されている。更に、
リード34は例えば国体(図示せず)を介して接地され
ている。Further, the above-mentioned grounding terminal G is connected to the metal substrate 31, and the metal substrate 31 is connected to one end of the grounding glue 34. The other ends of these wires 34, 35, and 36 are fixed to the frame 32 so as to protrude outside the package as electrodes for connection to an external circuit. Furthermore,
The lead 34 is grounded via, for example, a national polka dot (not shown).
また、FET12のゲート側はインダクタ13Cを介し
て共振器結合用端子Tに接続されている。Further, the gate side of the FET 12 is connected to the resonator coupling terminal T via an inductor 13C.
共振器と能動回路11とを結合するためのり一ド37は
、例えばU字形に形成されており、第1図(a)に示す
ように、両端がフレーム32に挿入され、能動回路11
およびダミー終端回路21との接続用電極として、フレ
ーム32の内側に突き出すように固定されている。この
結合用のり−ド37の一端は、この共振器結合用端子T
に接続されており、リード37の他端は上述したダミー
終端回路21に接続されている。一方、リード37の中
央部は第1図Φ)に示すようにフレーム32の外側に突
き出すように空中で保持されており、これにより、リー
ド37は国体の底面を接地電極とするマイクロストリッ
プ線路となっている。The glue 37 for coupling the resonator and the active circuit 11 is formed, for example, in a U-shape, and as shown in FIG.
and is fixed so as to protrude inside the frame 32 as an electrode for connection with the dummy termination circuit 21. One end of this coupling glue 37 is connected to this resonator coupling terminal T.
The other end of the lead 37 is connected to the dummy termination circuit 21 described above. On the other hand, the center part of the lead 37 is held in the air so as to protrude outside the frame 32 as shown in FIG. It has become.
また、ダミー終端回路21は、例えばこのリード37の
インピーダンスと整合するようなインピーダンスを持っ
た抵抗で、この一端を金属基板31に接続することによ
りリード37を終端している。The dummy termination circuit 21 is, for example, a resistor having an impedance that matches the impedance of the lead 37, and one end of the dummy termination circuit 21 is connected to the metal substrate 31 to terminate the lead 37.
このようなパッケージの近傍に、所定の周波数で共振す
る誘電体共振器41配置して、それぞれ国体に固定する
ことにより、上述したマイクロストリップ線路(リード
37)と誘電体共振器41とが電磁的に結合される。By arranging a dielectric resonator 41 that resonates at a predetermined frequency near such a package and fixing it to the national structure, the microstrip line (lead 37) and the dielectric resonator 41 are electromagnetically connected. is combined with
ところで、上述したバイアス供給用のり一ド35にバイ
アス電圧として所定の直流電圧を供給すると、共振器結
合用端子TからFET12側を見た場合における反射係
数の絶対値が1以上となる。By the way, when a predetermined DC voltage is supplied as a bias voltage to the above-mentioned bias supply glue 35, the absolute value of the reflection coefficient when looking at the FET 12 side from the resonator coupling terminal T becomes 1 or more.
従って、リード35に直流電圧を供給すると、リード3
7と誘電体共振器41との電磁的な結合によって、能動
回路11は誘電体共振器41の共振周波数で発振動作を
行なう。Therefore, when a DC voltage is supplied to lead 35, lead 3
7 and the dielectric resonator 41, the active circuit 11 performs an oscillation operation at the resonant frequency of the dielectric resonator 41.
このように、能動回路11とダミー終端回路21および
能動回路11とダミー終端回路21とを接続する伝送線
路(リード37)とをひとつのモジュールとして一体成
形し、このモジュールと誘電体共振器41とを組み合わ
せることにより、マイクロ波発振回路を構成することが
できる。In this way, the active circuit 11, the dummy termination circuit 21, and the transmission line (lead 37) connecting the active circuit 11 and the dummy termination circuit 21 are integrally molded as one module, and this module and the dielectric resonator 41 are integrated. By combining these, a microwave oscillation circuit can be constructed.
f側I桝
第2実施例として、フレーム32およびリード34.3
5,36.37の別構成例を説明する。As a second embodiment of the f-side I box, the frame 32 and the lead 34.3
5, 36, and 37 will be explained.
第2図(a)は、第2実施例によるマイクロ波発振回路
の構成図である。FIG. 2(a) is a configuration diagram of a microwave oscillation circuit according to a second embodiment.
また、第2図(a)に示したマイクロ波発振回路のAA
’方向の断面図を第2図ら)に示し、BB“方向の断面
図を第2図(C)に示す。Furthermore, the AA of the microwave oscillation circuit shown in FIG. 2(a)
A cross-sectional view in the 'direction is shown in FIG. 2(C), and a cross-sectional view in the BB'' direction is shown in FIG.
第2図に示すように、フレーム32は、外側に段差部を
持った形状となるように形成されている。As shown in FIG. 2, the frame 32 is formed to have a stepped portion on the outside.
リード34,35,36.37は、上述と同様にそれぞ
れ接続されており、フレーム32の段差部の上面に固定
されている(第2図(b)、 (Cり参照)。The leads 34, 35, 36, and 37 are connected to each other in the same manner as described above, and are fixed to the upper surface of the stepped portion of the frame 32 (see FIGS. 2(b) and (C)).
これにより、リード37は、フレーム32を絶縁体とし
、金属基板31を接地電極とするマイクロストリップ線
路となる。Thereby, the lead 37 becomes a microstrip line in which the frame 32 is an insulator and the metal substrate 31 is a ground electrode.
上述したように、これらのリード34.35゜36.3
7はフレーム32によって支持されることになり、機械
的な振動に対する耐震性が向上する。特に、マイクロス
トリップ線路となっているリード37の耐震性が向上す
る。As mentioned above, these leads 34.35°36.3
7 is supported by the frame 32, which improves earthquake resistance against mechanical vibrations. In particular, the earthquake resistance of the lead 37, which is a microstrip line, is improved.
このようなフレーム32を用いて構成されたパッケージ
と誘電体共振器41とを組み合わせることにより、耐震
性能のよいマイクロ波発振回路を構成することが可能と
なる。By combining a package configured using such a frame 32 and a dielectric resonator 41, it is possible to configure a microwave oscillation circuit with good seismic performance.
l−第1実施貫
第3実施例として、フレーム32とリード37の別構成
例を説明する。l-First Example As a third example, another example of the structure of the frame 32 and the leads 37 will be described.
第3図(a)は、第3実施例によるマイクロ波発振回路
の構成図である。FIG. 3(a) is a configuration diagram of a microwave oscillation circuit according to a third embodiment.
また、第3図(a)に示したマイクロ波発振回路のAA
”方向の断面図を第3図℃)に示し、BB”方向の断面
図を第3図(C)に示す。Furthermore, the AA of the microwave oscillation circuit shown in FIG. 3(a)
A cross-sectional view in the ``direction'' is shown in FIG. 3(C), and a cross-sectional view in the BB direction is shown in FIG. 3(C).
第3図に示すように、リード37は、中央部がフレーム
32の内部に埋め込まれており、両端がフレーム32の
内側に突き出すように固定されている(第3図(b)参
照)。As shown in FIG. 3, the lead 37 has a central portion embedded inside the frame 32, and both ends are fixed so as to protrude inside the frame 32 (see FIG. 3(b)).
これにより、例えばパッケージの蓋33が絶縁体で形成
されている場合は、リード37は、フレーム32を絶縁
体とし、金属基板31を接地電極とするマイクロストリ
ップ線路となる。一方、蓋33が金属などの導体で形成
されている場合は、リード37は、フレーム32を絶縁
体とし、金属基板31と蓋33とを接地電極とするトリ
プレートストリップ線路となる。As a result, if the lid 33 of the package is made of an insulator, for example, the lead 37 becomes a microstrip line in which the frame 32 is an insulator and the metal substrate 31 is a ground electrode. On the other hand, when the lid 33 is formed of a conductor such as metal, the lead 37 becomes a triplate strip line with the frame 32 as an insulator and the metal substrate 31 and the lid 33 as ground electrodes.
このようなフレーム32を用いて構成されたパッケージ
と誘電体共振器41とを組み合わせることにより、耐震
性能のよいマイクロ波発振回路を構成することが可能と
なる。By combining a package configured using such a frame 32 and a dielectric resonator 41, it is possible to configure a microwave oscillation circuit with good seismic performance.
m1桝
第4実施例として、上述した第3実施例によるマイクロ
波発振回路を用いた周波数変換回路の例を示す。As a fourth embodiment, an example of a frequency conversion circuit using the microwave oscillation circuit according to the third embodiment described above will be shown.
第4図(a)は、周波数変換回路の構成図である。FIG. 4(a) is a block diagram of the frequency conversion circuit.
また、第4図(a)に示した周波数変換回路のAA’方
向の断面図を第4図℃)に示し、BB’方向の断面図を
第4図(C)に示す。Further, a cross-sectional view in the AA' direction of the frequency conversion circuit shown in FIG. 4(a) is shown in FIG. 4 (°C), and a cross-sectional view in the BB' direction is shown in FIG. 4(C).
第4図(a)に示すように、能動回路11とダミー終端
回路21とを集積した半導体基板22とともに、周波数
変換用のミクサ回路23をパッケージ内に収めて構成す
る。As shown in FIG. 4(a), a mixer circuit 23 for frequency conversion is housed in a package together with a semiconductor substrate 22 on which an active circuit 11 and a dummy termination circuit 21 are integrated.
この場合は、能動回路11.ダミー終端回路21、伝送
線路(リード37)および誘電体共振器41とで構成さ
れるマイクロ波発振回路は、局部発振回路として動作す
る。In this case, active circuit 11. The microwave oscillation circuit composed of the dummy termination circuit 21, the transmission line (lead 37), and the dielectric resonator 41 operates as a local oscillation circuit.
ここで、能動回路11の出力端子0は、ミクサ回路23
の局部発振(LO)入力端子ILOに接続されており、
能動回路11の発振出力は局部発振(LO)信号として
ミクサ回路23に供給されている。Here, the output terminal 0 of the active circuit 11 is connected to the mixer circuit 23.
is connected to the local oscillator (LO) input terminal ILO of
The oscillation output of the active circuit 11 is supplied to the mixer circuit 23 as a local oscillation (LO) signal.
また、ミクサ回路23の無線周波数(RF)入力端子I
□は、RF信号入力用のり−ド38の一端に接続されて
いる。また、ミクサ回路23の出力端子0は、中間周波
数(IF)出力用のり−ド39の一端に接続されている
。これらのリード38.39の他端は、外部との接続用
電極としてパッケージの外側に突き出すようにフレーム
32に固定されている。Also, the radio frequency (RF) input terminal I of the mixer circuit 23
□ is connected to one end of the RF signal input board 38. Further, the output terminal 0 of the mixer circuit 23 is connected to one end of an intermediate frequency (IF) output node 39. The other ends of these leads 38 and 39 are fixed to the frame 32 so as to protrude outside the package as electrodes for connection with the outside.
従って、リード38に供給されたRF信号は、ミクサ回
路23において能動回路11から供給されるLO信号と
混合される。これにより、導入されたRF信号は周波数
変換されて、IF比出力してリード39から出力される
。Therefore, the RF signal supplied to lead 38 is mixed in mixer circuit 23 with the LO signal supplied from active circuit 11. As a result, the introduced RF signal is frequency-converted and outputted from the lead 39 as an IF ratio output.
■ 日の・ノ
なお、上述した本発明の実施例にあっては、能動回路1
1とダミー終端回路21とを半導体基板22上に集積す
る場合を考えたが、これに限らず、能動回路11とダミ
ー終端回路21とこれらを接続する伝送線路(リード3
7)とが一体成形されて、1つの部品(モジュール)と
して扱えるようにしたものであれば適用できる。また、
共振器との結合のためのり−ド37の形状はU字形に限
定されない。■ Note that in the embodiment of the present invention described above, the active circuit 1
1 and the dummy termination circuit 21 are integrated on the semiconductor substrate 22, but the present invention is not limited to this.
7) can be applied as long as they are integrally molded and can be handled as one component (module). Also,
The shape of the bridge 37 for coupling with the resonator is not limited to the U-shape.
更に、本発明には各種の変形態様がある。ことは当業者
であれば容易に推考できるであろう。Furthermore, there are various variations of the present invention. This can be easily deduced by those skilled in the art.
上述したように、本発明によれば、能動回路と終端回路
と共振器との結合用の伝送線路とを一体成形することに
より、マイクロ波発振回路を構成する部品点数を削減す
ることができ、回路規模を小型化することができる。As described above, according to the present invention, the number of parts constituting the microwave oscillation circuit can be reduced by integrally molding the active circuit, the termination circuit, and the transmission line for coupling to the resonator. The circuit scale can be reduced.
また、本発明を用いたマイクロ波発振回路においては、
伝送線路と能動回路とが一体化されているため、組み立
ての際にこれらの位置の調整を行なう必要がない、従っ
て、組み立て工数が削減され、低コストのマイクロ波発
振回路を提供することができる。Furthermore, in the microwave oscillation circuit using the present invention,
Since the transmission line and active circuit are integrated, there is no need to adjust their positions during assembly.Therefore, assembly man-hours are reduced and a low-cost microwave oscillation circuit can be provided. .
第1図は本発明の第1実施例によるマイクロ波発振回路
の構成図、
第2図は第2実施例によるマイクロ波発振回路の構成図
、
第3図は第3実施例によるマイクロ波発振回路の構成図
、
第4図は周波数変換回路の構成図、
第5図は従来のマイクロ波発振回路の構成図である。
図において、
11.61は能動回路、
12は電界効果トランジスタ(FET)、13はインダ
クタ、
14はコンデンサ、
21.62はダミー終端回路、
22は半導体基板、
23はミクサ回路、
31.71は金属基板、
32.72はフレーム、
33.73は蓋、
34.35,36,37,38.39はリード、41.
64は誘電体共振器、
65はマイクロ波回路基板、
66はマイクロストリ2ツブ線路である。FIG. 1 is a configuration diagram of a microwave oscillation circuit according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a configuration diagram of a microwave oscillation circuit according to a second embodiment, and FIG. 3 is a configuration diagram of a microwave oscillation circuit according to a third embodiment. 4 is a block diagram of a frequency conversion circuit, and FIG. 5 is a block diagram of a conventional microwave oscillation circuit. In the figure, 11.61 is an active circuit, 12 is a field effect transistor (FET), 13 is an inductor, 14 is a capacitor, 21.62 is a dummy termination circuit, 22 is a semiconductor substrate, 23 is a mixer circuit, 31.71 is a metal Board, 32.72 is frame, 33.73 is lid, 34.35, 36, 37, 38.39 is lead, 41.
64 is a dielectric resonator, 65 is a microwave circuit board, and 66 is a microstrip two-tube line.
Claims (1)
である信号端子を有して所定周波数のマイクロ波発振動
作を行なう能動回路と、共振器と結合するための伝送線
路と、この伝送線路を終端する終端回路とを有するマイ
クロ波発振回路において、前記伝送線路を介して前記能
動回路の信号端子と前記終端回路とを接続するとともに
、前記能動回路と前記終端回路と前記伝送線路とを一体
成形することを特徴とするマイクロ波発振回路。(1) An active circuit that has a signal terminal whose reflection coefficient has an absolute value of 1 or more at a predetermined frequency and performs microwave oscillation at a predetermined frequency, a transmission line for coupling with a resonator, and this transmission line. In the microwave oscillator circuit, the signal terminal of the active circuit and the termination circuit are connected via the transmission line, and the active circuit, the termination circuit, and the transmission line are integrated. A microwave oscillation circuit characterized by being molded.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1228389A JPH02192304A (en) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | Microwave oscillation circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1228389A JPH02192304A (en) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | Microwave oscillation circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02192304A true JPH02192304A (en) | 1990-07-30 |
Family
ID=11801034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1228389A Pending JPH02192304A (en) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | Microwave oscillation circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02192304A (en) |
-
1989
- 1989-01-20 JP JP1228389A patent/JPH02192304A/en active Pending
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