JPH02181975A - Film solar cell - Google Patents

Film solar cell

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JPH02181975A
JPH02181975A JP1001560A JP156089A JPH02181975A JP H02181975 A JPH02181975 A JP H02181975A JP 1001560 A JP1001560 A JP 1001560A JP 156089 A JP156089 A JP 156089A JP H02181975 A JPH02181975 A JP H02181975A
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JP
Japan
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film
substrate
polyimide
solar cell
polyimide film
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JP1001560A
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Japanese (ja)
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Toshio Nakajima
中島 登志雄
Chiaki Harada
千秋 原田
Naoharu Morita
尚治 森田
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Publication date
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    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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    • Y02E10/548Amorphous silicon PV cells

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Abstract

PURPOSE:To improve a photoelectric converting efficiency and to decrease optical deterioration of an a-Si layer in comparison with conventional film solar cells by providing a photoelectric converting element on one face of an achromatic and transparent polyimide film substrate, that has been treated with plasma. CONSTITUTION:A polyimide film 1 used as a substrate should be an achromatic and trasparent one for the purpose of improving conversion efficiency of a photoelectric converting element and a thickness thereof is adjusted in a range from 10 to 100mum. Among achromatic and transparent polyimide films, preferably used is a film which presents a total transmittance of 80% or more and a yellowness index of 25 or less when it has a thickness of 50mum. Such achromatic and transparent polyimide film may be principally composed of polyimide having a repeated unit represented by the general formula (1). Such polyimide can be obtained typically from a reaction between aromatic tetracarbonic acid dianhydride and aromatic diamine.

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は基板として無色透明なポリイミドフィルムを用
い、該基板側から光を照射することによって非晶質シリ
コンの光劣化を抑制し光電変換効率を向上させると共に
、該基板と透明電極との接着力向上によって信頼性を高
めたフィルム丸陽電池に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] <Industrial Application Field> The present invention uses a colorless and transparent polyimide film as a substrate, and irradiates light from the substrate side to suppress photodeterioration of amorphous silicon and improve photoelectric conversion efficiency. The present invention relates to a film solar cell that has improved reliability by improving adhesive strength between the substrate and the transparent electrode.

〈従来の技術〉 太陽電池としての非晶質シリコン(以下、a −8tと
いう)太陽電池は、電卓や腕時計などの電子製品におけ
る内蔵電源、テレビヤラジオなどの外部電源、蓄電池の
放電防止用バッテリーチャージャなどの補助電源として
汎用されているが、近年薄型電卓や携帯用外部電源とし
ての利用から、a−8f太陽電池の薄型、軽量化が要望
されている。
<Prior art> Amorphous silicon (hereinafter referred to as A-8T) solar cells are used as built-in power supplies in electronic products such as calculators and watches, external power supplies in TVs and radios, and batteries for preventing discharge of storage batteries. Although it is commonly used as an auxiliary power source for chargers and the like, in recent years there has been a demand for A-8F solar cells to be thinner and lighter due to their use as thin calculators and portable external power sources.

このような背景をもとに、a −8t太陽電池の基板と
して従来のガラス板に代えてアルミ板ヤステンレス板な
どが検討されているが、より薄型化、軽量化およびフレ
キシブル化を付与することができることから高分子フィ
ルム基板が有望視されている。このような核高分子フィ
ルム基板としては耐熱性が要求されるので、通常、カプ
トンに代表されるポリイミドフィルムが使用されている
Based on this background, aluminum plates, stainless steel plates, etc. are being considered in place of conventional glass plates as substrates for A-8T solar cells, but it is important to make them thinner, lighter, and more flexible. Polymer film substrates are seen as promising because of their ability to Since heat resistance is required for such a core polymer film substrate, a polyimide film typified by Kapton is usually used.

ところが上記のようなポリイミドフィルムは光透過性に
欠けるため、ポリイミドフィルムをa−3i太陽電池の
基板として用いる場合には第1図のような構成とする必
要がある。つまり、ポリイミド基板l上に金属電極2を
形成し、その上にp型a−8i(p層)3、真性a−8
i(i層)4、n型a−8i(n層)5を順次積層し、
その上に透明電極6を形成し、さらに表面保護のために
透明樹脂層7を設けるという構成となる。そして、光は
透明樹脂層側から入り、a−8i中をn層→i層→p層
の項で光が通っていくことになる。この光の通過順序は
従来のガラス板基板の場合と反対になり、光電変換効率
の点で好ましくなく、またa −8tの光劣化が犬きく
なり信頼性に欠けることが知られている。一方、第1図
においてa −8t層の形成順序を逆にして、光の入る
順序をp層→i層→n層とする試みもなされているが、
この場合にはa−8tの膜′Jtを低下させ満足する特
性が得られないのである。
However, since the polyimide film described above lacks light transmittance, when the polyimide film is used as a substrate for an a-3i solar cell, it is necessary to have a structure as shown in FIG. 1. That is, a metal electrode 2 is formed on a polyimide substrate l, and on top of that a p-type a-8i (p layer) 3, an intrinsic a-8
i (i layer) 4 and n-type a-8i (n layer) 5 are laminated in sequence,
A transparent electrode 6 is formed thereon, and a transparent resin layer 7 is further provided for surface protection. Then, light enters from the transparent resin layer side and passes through the a-8i in the order of n layer → i layer → p layer. This order of passage of light is opposite to that of conventional glass plate substrates, which is unfavorable in terms of photoelectric conversion efficiency, and it is known that the photodegradation of a-8t becomes severe and reliability is lacking. On the other hand, attempts have also been made to reverse the formation order of the a-8t layers in FIG. 1 and change the order in which light enters from the p layer to the i layer to the n layer.
In this case, the a-8t film 'Jt is lowered and satisfactory characteristics cannot be obtained.

従って、通常のポリイミド基板を用いる場合には、該基
板が光透過性に乏しいために、基板側から光を入れるこ
とはできず反対側から入れている。
Therefore, when a normal polyimide substrate is used, since the substrate has poor light transmittance, light cannot enter from the substrate side, but instead enters from the opposite side.

このような光の入れ方をするために、上述したよ、うに
光電変換効率および光劣化に関して満足する特性が得ら
れていないのが現状である。
Due to this method of introducing light, as mentioned above, the current situation is that satisfactory characteristics regarding photoelectric conversion efficiency and photodegradation cannot be obtained.

そこで無色透明なポリイミドフィルムf a −Si太
陽電池の基板として用い、第2図に示すような構成が考
えられる。つまり、無色透明ポリイミド基板8上に透明
電極6を形成し、その上にp層、i層、n層を順次積層
し、その上に金属電極2を形成し、さらに保護樹脂層9
を設けるという構成となる。光は透明ポリイミド基板側
から入り、a−Si層ではp層→i層→n層の屓で光が
通っていくことになる。この光の通過順序は従来のガラ
ス板基板の場合と全く同じであり、これによって第1図
の構成のa−8t太陽電池において問題であった光電変
換効率の低下やa−3tの光劣化がなくなり、ガラス基
板に匹敵する性能を持ったフレキシブルなフィルム太陽
電池金得ることが可能となるのである。
Therefore, it is conceivable to use a colorless and transparent polyimide film as a substrate of an fa-Si solar cell, and to have a configuration as shown in FIG. 2. That is, a transparent electrode 6 is formed on a colorless transparent polyimide substrate 8, a p layer, an i layer, and an n layer are sequentially laminated thereon, a metal electrode 2 is formed thereon, and a protective resin layer 9 is formed.
The configuration is to provide a. Light enters from the transparent polyimide substrate side, and in the a-Si layer, the light passes through the layers from the p layer to the i layer to the n layer. The order in which this light passes is exactly the same as in the case of conventional glass plate substrates, and this prevents the reduction in photoelectric conversion efficiency and the photodeterioration of A-3T, which were problems in the A-8T solar cell with the configuration shown in Figure 1. This makes it possible to obtain flexible film solar cells with performance comparable to that of glass substrates.

〈発明が解決しようとする課題〉 しかし、上記のような無色透明なポリイミドフィルムを
基板として用いた太陽電池ではポリイミド基板と透明電
極との接着力が充分でない場合があシ、製造工程や使用
中に界面での剥離?起こす可能性を有する。このような
接着力不足を補なう方法として基板表面をマット処理し
たり、基板に無定形無機質フィラーを含有させて基板表
面に突起を形成し、アンカー効果を期待する方法が提案
されている。
<Problem to be solved by the invention> However, in solar cells using a colorless and transparent polyimide film as a substrate as described above, the adhesion between the polyimide substrate and the transparent electrode may not be sufficient, and problems may occur during the manufacturing process or during use. Peeling at the interface? It has the potential to cause As a method to compensate for such a lack of adhesive strength, methods have been proposed in which the surface of the substrate is subjected to matte treatment, or the substrate contains an amorphous inorganic filler to form protrusions on the surface of the substrate in hopes of creating an anchor effect.

ところが、このような方法では充分なアンカー効果が期
待できなかったり、基板表面に鋭利な突起が形成される
ため、透明電極やa −8t層に損傷を与え、シ曹−ト
による機能消失に陥いることがある。
However, with this method, a sufficient anchoring effect cannot be expected, and sharp protrusions are formed on the substrate surface, which can damage the transparent electrode and the A-8T layer, leading to loss of functionality due to the sheet carbon. Sometimes there are.

く課題を解決するための手段〉 そこで本発明者らは、無色透明なポリイミドフィルムを
基板として用いたa−8t太陽電池における基板と透明
基板との間の接着力を向上すべく検討を重ね、特定の処
理を施こすことによって太陽電池としての機能を損なわ
ず接着力が向上することを見い出し、本発明を完成する
に至った。
Means for Solving the Problems> Therefore, the present inventors conducted repeated studies to improve the adhesive force between the substrate and the transparent substrate in an A-8T solar cell using a colorless transparent polyimide film as the substrate. It was discovered that by applying a specific treatment, the adhesive strength could be improved without impairing the function as a solar cell, and the present invention was completed.

部ち、本発明は片面にプラズマ処理を施こした無色透明
なポリイミドフィルム基板の処理面に、光電変換素子を
設けてなるフィルム太陽電池、および片面に微小球状突
起を多数形成した□無色透明なポリイミドフィルム基板
の突起形成面に、光電変換素子を設けてなるフィルム太
陽電池を提供するものである。
Particularly, the present invention provides a film solar cell in which a photoelectric conversion element is provided on the treated surface of a colorless and transparent polyimide film substrate that has been subjected to plasma treatment on one side, and a colorless and transparent polyimide film substrate in which a large number of microspherical protrusions are formed on one side. A film solar cell is provided in which a photoelectric conversion element is provided on a protrusion-formed surface of a polyimide film substrate.

本発明のフィルム太陽電池の基板として用いるポリイミ
ドフィルムは、光電変換素子の変換効率向上の点から無
色透明のものを採用する。フィルムの厚みは光線透過率
、変換効率に影響を及ぼすため、好ましくは10〜10
0μmの範囲に調製する。10μmに満たないと機械的
強度が不充分であると共に、フィルム炸裂時にピンホー
ルが生じやすくなるなど、信頼性の点で好ましくなく、
また100μmt−超える厚みでは光線透過率が低下し
て変換効率を悪化させたり、フィルムが柔軟性に乏しく
なり好ましくない。
The polyimide film used as the substrate of the film solar cell of the present invention is colorless and transparent from the viewpoint of improving the conversion efficiency of the photoelectric conversion element. The thickness of the film affects light transmittance and conversion efficiency, so it is preferably 10 to 10
Adjust to a range of 0 μm. If the thickness is less than 10 μm, the mechanical strength is insufficient, and pinholes are likely to occur when the film explodes, which is unfavorable in terms of reliability.
On the other hand, if the thickness exceeds 100 μm, the light transmittance decreases, resulting in poor conversion efficiency, and the film becomes less flexible, which is not preferable.

上記ポリイミドフィルムは無色透明であるが、本発明で
は厚さ50μmのときの全光線透過率が80チ以上、イ
エローネスインデックスが25以下のものが光電変換効
率の点から好適に用いられる。
The above-mentioned polyimide film is colorless and transparent, but in the present invention, one having a total light transmittance of 80 inches or more and a yellowness index of 25 or less when the thickness is 50 μm is preferably used from the viewpoint of photoelectric conversion efficiency.

このような無色透明なポリイミドフィルムは、下記一般
式、 F3 している芳香核がメタ置換である1〜4核体成分、また
はパープルオロ基を含むメタ置換およびバラ置換である
2〜4核体成分である。) で示される繰り返し単位を有するポリイミドを主成分と
するものが採用され、このようなポリイミドは代表的に
は芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンと
の反応によって得ることができる。
Such a colorless and transparent polyimide film has the following general formula: F3 A mono- to tetra-nuclear component whose aromatic nucleus is meta-substituted, or a di- to tetra-nuclear component whose aromatic nucleus is meta-substituted and rose-substituted containing a purple oro group. It is an ingredient. ) A polyimide having the repeating unit shown as the main component is used, and such a polyimide can typically be obtained by a reaction between an aromatic tetracarboxylic dianhydride and an aromatic diamine.

上記芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、3、3
’、  4.4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、2. 3.3’、 4’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物、3.3’、  4.4’−ジフェニルス
ルホンテトラカルボン酸二無水物、2.2−ビス(3,
4−ジカルボキシフェニル)へキサフルオロプロパンニ
無水物が挙げられ、これらは単独でまたは適宜組み合せ
て用いる。
The aromatic tetracarboxylic dianhydride is 3,3
', 4.4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2. 3.3', 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3.3', 4.4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride, 2.2-bis(3,
Examples include 4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane dianhydride, which may be used alone or in appropriate combinations.

また、上記芳香族ジアミンとして芳香族1核体ジアミ/
としては、m−フェニレンジアミン、m−トリレンジア
ミン、4,6−!/メチルーm−7エ二レンジアミン、
2,4−ジアミノメシチレン、4−クロロ−m−フェニ
レンジアミン、 3. 5−ジアミノ安息香酸、5−ニ
トロ−m−フェニレンジアミンなどが挙げられる。芳香
族2核体ジアミンとしては、3.3’−ジアミノジフェ
ニルエーテルs  3 * 3’ −dアミノジフェニ
ルスルホン、3゜3′−ジアミノジフェニルスルホキシ
)’、  3.3’−ジアミノジフェニルスルフィド、
3.3’−ジアミノジフェニルメタン、3.3’−ジア
ミノベンゾフェノン、3.3’−ジアミノビフェニル、
2.2−ビス(3−アミノフェノキシ)へキサフルオロ
プロパン、2,2−ビス(4−アミノフェノキシ)へキ
サフルオロプロパンなどが挙げられる。芳香族3核体ジ
アミンとしては、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ
)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベ
ンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェニル)ベンゼン
、1.3−ビス(3−アミノフェニル)ベンゼンなどが
挙げられる。芳香族4核体ジアミンとしては、ビス〔4
−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス
(4−(3−アミノフェノキシ)フエニルジエーテル、
4.4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、
2.2−ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル
〕プロパン、2.2−ビス(4−(3−アミノフェノキ
シ)フェニル〕へキサフルオロプロパン、2,2−ビス
(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕へキサフル
オロプロパンなどが挙げられる。これらは単独でまたは
適宜組み合せて用いることができる。
Further, as the aromatic diamine, aromatic mononuclear diamine/
Examples include m-phenylenediamine, m-tolylenediamine, 4,6-! /methyl-m-7 ethylenediamine,
2,4-diaminomesitylene, 4-chloro-m-phenylenediamine, 3. Examples include 5-diaminobenzoic acid and 5-nitro-m-phenylenediamine. Examples of aromatic dinuclear diamines include 3.3'-diaminodiphenyl ether s3*3'-d aminodiphenyl sulfone, 3<3'-diaminodiphenylsulfoxy)', 3.3'-diaminodiphenylsulfide,
3.3'-diaminodiphenylmethane, 3.3'-diaminobenzophenone, 3.3'-diaminobiphenyl,
Examples include 2,2-bis(3-aminophenoxy)hexafluoropropane and 2,2-bis(4-aminophenoxy)hexafluoropropane. Examples of aromatic trinuclear diamines include 1,4-bis(3-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, 1,4-bis(3-aminophenyl)benzene, 1. Examples include 3-bis(3-aminophenyl)benzene. As the aromatic tetranuclear diamine, bis[4
-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis(4-(3-aminophenoxy)phenyl diether),
4.4'-bis(3-aminophenoxy)biphenyl,
2.2-bis(4-(3-aminophenoxy)phenyl]propane, 2.2-bis(4-(3-aminophenoxy)phenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(4-(4- Examples include aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane.These can be used alone or in appropriate combinations.

上記成分から得られるポリイミドは前記全光線透過率お
よびイエローネスインデックスを有する無色透明なもの
であり、フィルム形成用組成物中東なくとも80モルチ
以上、好ましくは95モルチ以上含有することが好まし
い。従って、本発明では全光線透過率やイエローネスイ
ンデックスの値において光電変換効率を著しく低下させ
ない範囲で他の芳香族テトラカルボン酸二無水物および
芳香族ジアミンからなるポリイミドを混合することがで
きる。
The polyimide obtained from the above-mentioned components is colorless and transparent and has the above-mentioned total light transmittance and yellowness index, and preferably contains at least 80 molti, preferably 95 molti or more in the film-forming composition. Therefore, in the present invention, other polyimides made of aromatic tetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine can be mixed within a range that does not significantly reduce the photoelectric conversion efficiency in terms of total light transmittance and yellowness index values.

このような芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、
ピロメリット酸二無水物、3.3’−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、4.4’−オキシシフタル酸
二無水物、4.4’−ビス(3゜4−ジカルボキシフェ
ノキシ)ジフェニルスルホンニ無水物、2.3,6.7
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5.
6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5
.8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物などが挙げ
られ、これらは単独でまたは併せて用いることができる
。また、他の芳香族ジアミンとしては、p−フユニレン
ジアミン、2.5−トリレンジアミン、ベンジジン、a
、3’−シメチルベ/シシン、4.4′−ジアミノジフ
ェニルエーテル、3.4’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、4.4’−ジアミノジフェニルスルホン、4.4’
−ジアミノジフェニルスルホキシド、4.4’−ジアミ
ノジフェニルスルフィド、4.4’−ジアミノジフェニ
ルメタン、4.4′−ジアミノベンゾフェノン、2,2
−ビス(4アミノフエニル)フロパン、3.3’−ジメ
トキシ−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、3゜3
7−シメチルー4,4′−ジアミノジフェニルメタン、
1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4.
4’−ジアミノターフェニル、ビス〔4−(3−7ミノ
フヱノキシ)フェニル〕スルホン、ビス−(4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、4.4’−ビ
ス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、2,2−ビス
(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパンな
どが挙げられ、これらは単独でまたは併せて用いること
ができる。
As such aromatic tetracarboxylic dianhydride,
Pyromellitic dianhydride, 3.3'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 4.4'-oxycyphthalic dianhydride, 4.4'-bis(3゜4-dicarboxyphenoxy)diphenylsulfone dianhydride things, 2.3, 6.7
-Naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5.
6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5
.. Examples include 8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, which can be used alone or in combination. In addition, other aromatic diamines include p-fuynylene diamine, 2,5-tolylene diamine, benzidine, a
, 3'-dimethylbe/shicine, 4.4'-diaminodiphenyl ether, 3.4'-diaminodiphenyl ether, 4.4'-diaminodiphenylsulfone, 4.4'
-Diamino diphenyl sulfoxide, 4.4'-diaminodiphenylsulfide, 4.4'-diaminodiphenylmethane, 4.4'-diaminobenzophenone, 2,2
-bis(4aminophenyl)furopane, 3.3'-dimethoxy-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3°3
7-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane,
1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 4.
4'-diaminoterphenyl, bis[4-(3-7minophenoxy)phenyl]sulfone, bis-(4-(4-
Examples include aminophenoxy)phenyl]ether, 4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 2,2-bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)propane, and these may be used alone or in combination. Can be used.

本発明のフィルム太陽電池の基板となるポリイミドフィ
ルムは、例えば以下の方法によって製造する。
The polyimide film serving as the substrate of the film solar cell of the present invention is produced, for example, by the following method.

上記の芳香族テトラカルボン酸二無水物および芳香族ジ
アミンを有機溶媒中にて、80°C以下の温度で反応さ
せることによりポリアミド酸を合成し、このポリアミド
酸溶液を用いて所望の形状の賦型体を形成し、空気中、
不活性ガス中または真空中にて、50〜350”Cの温
度条件下で有機溶媒全除去すると同時にポリアミド酸を
脱水閉環してポリイミドを合成する。また、上記ポリア
ミド酸を無水酢酸/ピリジン混合fi液中に浸漬して脱
溶媒とイミド化全同時に行う化学イミド化法や、ポリア
ミド酸を貧溶媒中に再沈して単離し、その後加熱あるい
は化学的なイミド化により脱水閉環してポリイミドとす
ることも可能である。さらに、ポリアミド酸溶液をその
まま100°C以上に加熱してイミド化することもでき
る。得られるポリイミドが反応溶媒に対して溶解性がな
い場合には沈澱物として単離してくるが、溶解性がある
場合にはそのまま溶液状であるため、ポリアミド酸の場
合のように貧溶媒中に再沈して単離するか、またはポリ
イミド溶液を所望の形状の賦型体を形成し、空気中、不
活性ガス中または真空中で、50〜200″Cの温度条
件下で有機溶媒を除去することにより得ることもできる
。再沈して単離する場合にFi濾過洗浄が必要である。
A polyamic acid is synthesized by reacting the above-mentioned aromatic tetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine in an organic solvent at a temperature of 80°C or less, and this polyamic acid solution is used to form a desired shape. form a mold, in the air,
In an inert gas or vacuum, the organic solvent is completely removed under a temperature condition of 50 to 350"C, and at the same time, the polyamic acid is dehydrated and ring-closed to synthesize a polyimide. Also, the polyamic acid is synthesized by acetic anhydride/pyridine mixed fi A chemical imidization method involves immersing it in a solution to simultaneously remove the solvent and imidize it, or a method in which polyamic acid is isolated by reprecipitation in a poor solvent, and then dehydrated and ring-closed by heating or chemical imidization to form polyimide. It is also possible to imidize the polyamic acid solution by heating it as it is to 100°C or higher.If the polyimide obtained is not soluble in the reaction solvent, it can be isolated as a precipitate. However, if it is soluble, it remains in solution form, so it can be isolated by reprecipitation in a poor solvent, as in the case of polyamic acid, or it can be isolated by forming a polyimide solution into a desired shape. However, it can also be obtained by removing the organic solvent in air, in an inert gas, or in vacuum at a temperature of 50 to 200''C. Fi filtration and washing is necessary when isolating by reprecipitation.

上記の有機溶媒としてはN、N−′ジメチルホルムアミ
ド、N、N−ジメチルアセトアミド、ジグライム、トリ
グライム、クレゾール、ハロゲン化フェノール、メチル
セロソルブアセテート、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ンなどが好適であるが、特にN、N−ジメチルアセトア
ミドが好ましい。
Suitable organic solvents include N,N-' dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, diglyme, triglyme, cresol, halogenated phenol, methyl cellosolve acetate, dioxane, and tetrahydrofuran, but especially N,N- Dimethylacetamide is preferred.

これらの有機溶媒は単独で用いてもよいし、または2種
以上を混合して用いてもよい。これらの有機溶媒は比較
的沸点が低いため、加熱によるイミド化の際に分解して
その分解物がポリイミド中に残留して着色の原因になる
といった問題が起こらないのである。ポリイミドの重合
溶媒としてよく用いられている溶媒にN−メチル−2−
ピロリドンがあるが、この溶媒は高温に加熱されると分
解し、その分解物がポリイミド中に残存して着色の原因
となることが知られているため好ましくない。
These organic solvents may be used alone or in combination of two or more. Since these organic solvents have relatively low boiling points, there is no problem that they decompose during imidization by heating and the decomposed products remain in the polyimide and cause coloring. N-methyl-2- is a commonly used solvent for polyimide polymerization.
Although pyrrolidone is available, this solvent is not preferred because it is known that it decomposes when heated to high temperatures, and its decomposed products remain in polyimide, causing coloration.

なお、上記に例示した好適な有機溶媒を使用する際に、
エタノール、トルエン、ベンゼン、キシレン、ニトロベ
ンゼンなどの溶媒を、ポリイミドフィルムの無色透明性
を損なわない程度に一種または二種以上適宜混合して用
いてもよい。
Note that when using the suitable organic solvents exemplified above,
Solvents such as ethanol, toluene, benzene, xylene, and nitrobenzene may be used alone or in a mixture of two or more to the extent that the colorless transparency of the polyimide film is not impaired.

上記のように、無色透明なポリイミドフィルムラ製造す
る際には、ポリアミド酸の対数粘度(N。
As mentioned above, when producing a colorless and transparent polyimide film, the logarithmic viscosity (N) of polyamic acid is

N−ジメチルアセトアミド中0.5f/dlの濃度にて
30゛Cで測定)が、0.5〜5.0の範囲になるよう
に調整するのが好ましい。特に好適なのは0.7〜3.
0である。この対数粘度が低すぎると得られるポリイミ
ドフィルムの機械的強度が低下するため好ましくない。
(measured at 30°C at a concentration of 0.5 f/dl in N-dimethylacetamide) is preferably adjusted to be in the range of 0.5 to 5.0. Particularly suitable is 0.7 to 3.
It is 0. If the logarithmic viscosity is too low, the mechanical strength of the resulting polyimide film will decrease, which is undesirable.

また逆に対数粘度が高すぎるとポリアミド酸溶液を適当
な形状に賦形する際に流延させにくくなる。ポリアミド
酸溶液の濃度も、作業性の観点から5〜40重量%、好
ましくは15〜30重量%に設定することが望ましい。
On the other hand, if the logarithmic viscosity is too high, it becomes difficult to cast the polyamic acid solution when shaping it into an appropriate shape. From the viewpoint of workability, the concentration of the polyamic acid solution is also desirably set to 5 to 40% by weight, preferably 15 to 30% by weight.

なお、上記対数粘度は次式で計算されるものであり、式
中の時間は毛細管粘度計により測定されるものである。
The above logarithmic viscosity is calculated using the following formula, and the time in the formula is measured using a capillary viscometer.

to:溶媒の落下時間(秒) tl:溶液の落下時間(秒) C:濃度Cf/di) このようにしてポリアミド酸をイミド化してポリイミド
とする場合において、生成ポリイミドは特性の点から対
数粘度(97%硫酸中0.597dlの濃度で30°C
で測定)を0.5〜5.0の範囲内に設定するのが好ま
しい。最も好ましいのは0.7〜3.0である。
to: Falling time of solvent (seconds) tl: Falling time of solution (seconds) C: Concentration Cf/di) When polyamic acid is imidized to form polyimide in this way, the resulting polyimide has a logarithmic viscosity from the viewpoint of properties. (at a concentration of 0.597 dl in 97% sulfuric acid at 30 °C)
(measured by ) is preferably set within the range of 0.5 to 5.0. The most preferred range is 0.7 to 3.0.

このようにして得られたポリアミド酸溶液を鏡面に仕上
げられた支持体上に一定の厚みになるように流延し、5
0〜350°Cの温度で徐々に加熱して脱溶媒と脱水閉
環を促進し、ポリアミド酸をイミド化してポリイミドフ
ィルムが得られる。ポリアミド酸溶液からポリイミドフ
ィルム形成における有機溶媒の除去およびイミド化のた
めの加熱工程は真空下(減圧下)または不活性ガス雰囲
気下で行なってもよく、また短時間であれば400′C
前後までさらに加熱することにより得られるポリイミド
フィルムの特性を向上させることも可能である。
The polyamic acid solution thus obtained was cast onto a mirror-finished support to a constant thickness.
The polyamic acid is imidized by gradually heating at a temperature of 0 to 350° C. to promote desolvation and dehydration and ring closure, thereby obtaining a polyimide film. The heating step for removing the organic solvent and imidizing the polyimide film from the polyamic acid solution may be carried out under vacuum (reduced pressure) or an inert gas atmosphere, or at 400'C for a short time.
It is also possible to improve the properties of the polyimide film obtained by further heating the film.

また、ポリイミド溶液を用いる場合も前記と同様に支持
体上にポリイミド溶液を一定の厚みになるように流延し
、50〜200”Cの温度で加熱して溶媒を除去するこ
とにより得ることができる。
Also, when using a polyimide solution, it can be obtained by casting the polyimide solution onto a support to a certain thickness in the same manner as above, and heating it at a temperature of 50 to 200"C to remove the solvent. can.

このような脱溶媒のための加熱工程は真空下(減圧下)
″または不活性ガス雰囲気下で行なってもよい0 以上のようにして得られる無色透明なポリイミドフィル
ムを基板として使用するが、本発明においてridフィ
ルムの片面にプラズマ処理による微細な凹凸、もしくは
球状フィラー等金用いてなる微小球状突起を形成して透
明電極との接着力の向上を図る。
The heating process for such desolvation is performed under vacuum (under reduced pressure).
The colorless and transparent polyimide film obtained as described above is used as a substrate, but in the present invention, fine irregularities or spherical fillers are formed on one side of the lid film by plasma treatment. A micro spherical protrusion made of metal is formed to improve the adhesion with the transparent electrode.

基板とするポリイミドフィルムへのプラズマ処理は、プ
ラズマ照射装置を用いて窒素ガスやアルゴンガスの如き
不活性雰囲気、または酸素/フレオン混合ガスの如き活
性雰囲気下にて行なう。−殻内には活性雰囲気下の方が
短時間で効果が得られる。照射量は100〜sooow
の出力で1〜1000分の範囲とする。照射量が少ない
と充分にプラズマ処理が行なわれず、また多すぎると効
果が飽和してしまい経済性に劣る。
Plasma treatment of a polyimide film as a substrate is performed using a plasma irradiation device under an inert atmosphere such as nitrogen gas or argon gas, or an active atmosphere such as an oxygen/freon mixed gas. -The effect can be obtained in a shorter time if the inside of the shell is under an active atmosphere. Irradiation dose is 100~sooow
The output should be in the range of 1 to 1000 minutes. If the irradiation amount is too small, the plasma treatment will not be performed sufficiently, and if the irradiation amount is too large, the effect will be saturated, resulting in poor economic efficiency.

一方、微小球状突起を多数形成する方法としては、前記
ポ゛リアミド酸合成時に予め球状フィラーを有機溶媒中
に分散させて合成反応を行なう方法、合成されたポリア
ミド酸の溶液に球状フィラーをそのまま、もしくは少量
の有機溶媒に分散させて添加する方法などがあり、超音
波照射によってより均一な分散状態とすることができる
。このようにθ珈状フィラーを分散したポリアミド酸溶
液を、前記のようにイミド化し、フィルム化することに
よってフィルム表面に微小球状突起が形成される。
On the other hand, methods for forming a large number of microspherical protrusions include a method in which the spherical filler is dispersed in an organic solvent in advance during the synthesis of the polyamic acid and the synthesis reaction is carried out, and a method in which the spherical filler is directly added to the solution of the synthesized polyamic acid. Alternatively, there is a method in which it is added after being dispersed in a small amount of an organic solvent, and a more uniform dispersion state can be achieved by ultrasonic irradiation. By imidizing the polyamic acid solution in which the θ-shaped filler is dispersed and forming it into a film as described above, microspherical protrusions are formed on the surface of the film.

形成される突起は接着力向上の点から突起数をフィルム
基板1mm2当り10〜10万個の範囲、また高さを0
.01〜1μmの範囲とすることが好ましい0 上記突起形成用の球状フィラーとしては、ポリイミドフ
ィルム作製時に250〜350℃程度の温度がかかるた
め、熱による変質や寸法変化を生じない耐熱性の無機あ
るいは有機のフィラーが用いられる。また、光線透過性
を阻害しないように実質的に無色もしくは白色のフィラ
ーが好ましい。
The number of protrusions formed should be in the range of 100,000 to 100,000 per 1 mm2 of the film substrate, and the height should be 0 to improve adhesive strength.
.. The spherical filler for forming the protrusions is preferably a heat-resistant inorganic filler that does not undergo heat-induced deterioration or dimensional change, since temperatures of about 250 to 350°C are applied when producing the polyimide film. Organic fillers are used. Further, a substantially colorless or white filler is preferable so as not to impede light transmittance.

コノヨうなフィラーの材質としては、例えばシリカ、ガ
ラス、ジルコニア、シリコーン樹脂、べ/ゾグアナミ/
樹脂、ポリイミド樹脂が挙げられる。
Examples of materials for fillers include silica, glass, zirconia, silicone resin,
Examples include resin and polyimide resin.

上記球状フィラーの粒子径はポリイミドフィルム基板の
厚さとの兼合いで決めることができ、粒子径が大きすぎ
る場合にはフィルム特性が得られなくなることがあり、
また粒子径が小さすぎる場合には突起形成が少なくなる
。通常、球状フィラーの粒子径はポリイミドフィルム基
板の厚さの1150〜115の範囲内に入っていること
が望ましい。また、粒子径の分布については、必ずしも
粒子径が揃っている必要はないが、最大粒子の径がポリ
イミドフィルム基板の厚さの1/2を超えるとフィルム
としての特性が得られにくくなる。
The particle size of the spherical filler can be determined in consideration of the thickness of the polyimide film substrate, and if the particle size is too large, the film properties may not be obtained.
Furthermore, if the particle size is too small, the formation of protrusions will be reduced. Generally, it is desirable that the particle diameter of the spherical filler falls within the range of 1150 to 115 times the thickness of the polyimide film substrate. Regarding the particle size distribution, although the particle sizes do not necessarily have to be uniform, if the maximum particle size exceeds 1/2 of the thickness of the polyimide film substrate, it becomes difficult to obtain the characteristics as a film.

以上のように片面に処理を施こした無色透明なポリイミ
ドフィルムを基板に用いて本発明のフィルム太陽電池を
得るには、例えば以下の工程に従かう。
To obtain the film solar cell of the present invention using a colorless and transparent polyimide film treated on one side as a substrate as described above, the following steps are followed, for example.

まず第1の工程として無色透明なポリイミドフィルム基
板上に透明電極を形成する。これにはインジウム−スズ
酸化膜(通称ITO膜と云う)が好適に用いられるが、
蒸着法またはスパッタリング法により形成することがで
きる。該透明電極の厚みとしては0.01〜1.0μm
とするのが好ましく、0.01μm未満では所望の導電
性が得られず、逆に1.0μmを超えると透明電極の透
明性が損なわれるために好ましくない。
First, as a first step, transparent electrodes are formed on a colorless and transparent polyimide film substrate. An indium-tin oxide film (commonly called an ITO film) is preferably used for this purpose, but
It can be formed by a vapor deposition method or a sputtering method. The thickness of the transparent electrode is 0.01 to 1.0 μm.
If it is less than 0.01 μm, the desired conductivity cannot be obtained, and if it exceeds 1.0 μm, the transparency of the transparent electrode will be impaired, which is not preferable.

第2の工程として上記透明電極上に光電変換素子となる
a−8i層を形成する。a−8i層としてはp形→i形
→n形の順序で堆積してなるa −81薄膜の他に、p
形a −SiC(非晶質炭化珪素)→i形a−4Si−
4n形a−8tの順序で堆積してなるa−8t薄膜など
各種のものを用いることができる。これらのa−8tの
堆積方法としては、スパッタリング法、グロー放電法、
光CVD法、イオンブレーティング法などの各種の方法
がある。
As a second step, an a-8i layer which becomes a photoelectric conversion element is formed on the transparent electrode. In addition to the a-81 thin film deposited in the order of p-type → i-type → n-type as the a-8i layer, p
Form a -SiC (amorphous silicon carbide) → Form i a-4Si-
Various materials can be used, such as an a-8t thin film deposited in the 4n type a-8t order. These a-8t deposition methods include sputtering method, glow discharge method,
There are various methods such as photo-CVD method and ion blating method.

例えば、グロー放電の場合は温度200〜300°Cに
加熱された基板ホルダーに、透明電極を形成した無色透
明なポリイミドフィルム基板?保持させ、該基板ホルダ
ーを一方の電極とし、これに対する対極との間に13.
56 MHzの高周波電力を供給する。例えばp形a−
8t薄膜を形成するにはシランにジボラン(Bz Ha
 )を導入し、n形a−8i薄膜を形成するにはシラン
にホスフィン(PH3)を導入すればよい。なお、上記
a−8t薄膜とは、水素化a−3tとフッ素化a−8t
を云う。
For example, in the case of glow discharge, a colorless and transparent polyimide film substrate with transparent electrodes formed on a substrate holder heated to a temperature of 200 to 300°C? 13. The substrate holder is used as one electrode, and the opposite electrode is placed between the substrate holder and the opposite electrode.
Supplies high frequency power of 56 MHz. For example, p-type a-
To form an 8t thin film, diborane (Bz Ha
) to form an n-type a-8i thin film, phosphine (PH3) may be introduced into the silane. Note that the above a-8t thin film refers to hydrogenated a-3t and fluorinated a-8t.
says.

第3の工程として上記のようにして得られたa−8i薄
膜上に金属電極を形成する。この金属電極としてはアル
ミニウム、ニッケル、チタン、クロム、鉄、ステンレス
、ニッケルクロム合金fk トカ挙げられ、蒸着法ある
いはスパッタリング法などの適宜の方法で形成すること
ができる。
As a third step, a metal electrode is formed on the a-8i thin film obtained as described above. Examples of the metal electrode include aluminum, nickel, titanium, chromium, iron, stainless steel, and nickel-chromium alloy FK, and can be formed by an appropriate method such as vapor deposition or sputtering.

第4の工程としてa−8i層および金属電極の保護を目
的として樹脂による裏打ちを行う。この目的に用いる樹
脂としては、耐湿性や柔軟性を有していれば特に制限は
なく、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポ
リイミド樹脂などを好適に用いることができる。
As a fourth step, lining with resin is performed for the purpose of protecting the a-8i layer and the metal electrode. The resin used for this purpose is not particularly limited as long as it has moisture resistance and flexibility, and epoxy resins, urethane resins, acrylic resins, polyimide resins, and the like can be suitably used.

〈発明の効果〉 以上のように本発明のフィルム太陽電池は、基板に無色
透明なポリイミドフィルムを用いているので、基板側か
ら光線?入れることができ、光電変換効率が高まり、ま
たa−8i層の光劣化も従来のフィルム太陽電池より少
ない。
<Effects of the Invention> As described above, since the film solar cell of the present invention uses a colorless and transparent polyimide film for the substrate, light rays do not come from the substrate side. The photoelectric conversion efficiency is increased, and the photodegradation of the A-8I layer is also less than that of conventional film solar cells.

さらに、基板に特定の処理を施こしているので、透明電
極(あるいは一部a−8t層)との界面での接着力が向
上し、太陽電池製造中や使用中での界面剥離による機能
停止がなくなり、安定して製造や使用を行なえる。
Furthermore, since the substrate is subjected to specific processing, the adhesive strength at the interface with the transparent electrode (or some A-8T layers) is improved, preventing functional failure due to interfacial peeling during solar cell manufacturing or use. This eliminates this problem, allowing stable production and use.

また、球状フィラーによる微小球状突起を基板上に設け
た場合、光線透過率はわずかに低下するものの、表面凹
凸化によりヘイズ率(僑り度)が大幅に上昇し、光閉じ
込め効果が生じて光電変換効率が向上する。
In addition, when microspherical protrusions made of spherical filler are provided on a substrate, although the light transmittance slightly decreases, the haze rate increases significantly due to the unevenness of the surface, causing a light confinement effect and photoelectric conversion. Conversion efficiency is improved.

〈実施例〉 以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する
<Examples> Examples will be shown below to further specifically explain the present invention.

なお、以下の表中に記載の略号は次の化合物を意味する
In addition, the abbreviations described in the table below mean the following compounds.

s−B PDA : 3.3’、  4.4’−ビスz
ニルテトラカルボン酸二無水物 6F−DA:2,2−ビス(3,4−ジカルボキンフェ
ニル)へキサフルオロプ ロパンニ無水物 3.3’−BAPS:ビス(4−(3−アミノフェノキ
シ)フエニルジスルホン 3、3’−DD S : (ビス(3−アミノフェニル
)スルホン X−10:日本触媒化学工業■製 シリカ球状粉末 N
SシリカX −’−10i平均粒子径1μm MS:日本触媒化学工業■製 ベンゾグアナミン樹脂球
状粉末 エポスターMS;平均粒子径2μm Tl2O:東芝シリコーン■製 シリコーン樹脂球状粉
末 トスパールエ20; 平均粒子径2μm 実施例1〜6 溶媒としてN、N−ジメチルアセトアミドを用いて、第
1表に示した芳香族ジアミンと芳香族ナト2カルボン酸
二無水物を0.2モル、30チ濃度の条件で室温下30
時間反応させてポリアミド酸溶液を得た。このポリアミ
ド酸の対数粘度を0.5f/dt、30”Cで測定した
結果を第1表に示した。
s-B PDA: 3.3', 4.4'-bisz
Nyltetracarboxylic dianhydride 6F-DA: 2,2-bis(3,4-dicarboxymphenyl)hexafluoropropanide anhydride 3.3'-BAPS: Bis(4-(3-aminophenoxy)phenyl) Enyldisulfone 3,3'-DDS: (bis(3-aminophenyl)sulfone X-10: Nippon Shokubai Chemical Co., Ltd. silica spherical powder N
S silica ~6 Using N,N-dimethylacetamide as a solvent, the aromatic diamine and aromatic dicarboxylic dianhydride shown in Table 1 were mixed at a concentration of 0.2 mol and 30% at room temperature.
A polyamic acid solution was obtained by reacting for a period of time. Table 1 shows the results of measuring the logarithmic viscosity of this polyamic acid at 0.5 f/dt and 30''C.

このポリアミド酸溶液を支持体上に流延して液膜を形成
し、熱風循環乾燥機中で100°Cで乾燥し、残存溶媒
量が30%を下まわったところで昇温を開始し、最終的
に300“Cまで加熱してイミド化反応を完全に行ない
、膜厚30μmの無色透明なポリイミドフィルム金得た
This polyamic acid solution was cast onto a support to form a liquid film, dried at 100°C in a hot air circulation dryer, and when the amount of residual solvent fell below 30%, heating was started and the final The imidization reaction was completed by heating to 300"C to obtain a colorless and transparent polyimide film having a thickness of 30 .mu.m.

次いで第1表に示すプラズマ照射雰囲気下で、300W
にて60分間プラズマ処理を施こした。
Then, under the plasma irradiation atmosphere shown in Table 1, 300W
Plasma treatment was performed for 60 minutes at .

このようにしてプラズマ処理したポリイミドフィルムの
全光線透過率およびイエローネスインデックスを第1表
に併記した。
The total light transmittance and yellowness index of the polyimide film treated with plasma in this manner are also listed in Table 1.

このポリイミドフィルム基板上に蒸着法によシ厚み50
0xのITO導電性薄膜を設けた後、内部電極型の高周
波(13,s 6 MHz )グロー放電装置内のビー
タ−付ホルダーに保持し、250°C前後に保ちながら
水素で10モルチに希釈したシランと水素で5000p
pmに希釈したジボラン(B2H8)を混合し、グロー
放電装置内に導入した。1そして、真空度0−2 T 
o r rの雰囲気下で10Wの高周波電力を印加して
該基板上にほう素をドープした厚み150λのp形a−
8t層−を設けた。続いて上記の水素希釈シランのみを
導入して同様の反応を行ない、ノンドープの厚み5oo
oAのi形a−8iJfjk堆積した。さらに水素希釈
シランと水素で5000ppmに希釈したホスフィン(
PH3)を混合し、グロー放電装置内に導入してリンを
ドープした500Xのn形a−8t層を設けた。このよ
うにして無色透明なポリイミドフィルム基板上に、IT
O膜を介してp形、i形、n形のa−8t薄膜からなる
光電変換素子を形成した。
A thickness of 50 mm was deposited on this polyimide film substrate by vapor deposition.
After providing a 0x ITO conductive thin film, it was held in a holder with a beater in an internal electrode type high frequency (13, s 6 MHz) glow discharge device, and diluted with hydrogen to 10 ml while keeping it at around 250 °C. 5000p with silane and hydrogen
Diborane (B2H8) diluted to pm was mixed and introduced into a glow discharge device. 1 and vacuum degree 0-2 T
A 150λ thick p-type a-
A 8t layer was provided. Subsequently, the same reaction was carried out by introducing only the above hydrogen-diluted silane, and a non-doped thickness of 50 mm was obtained.
oA i-form a-8iJfjk was deposited. Furthermore, phosphine (
PH3) was mixed and introduced into a glow discharge device to provide a 500X n-type a-8t layer doped with phosphorus. In this way, IT
A photoelectric conversion element consisting of p-type, i-type, and n-type a-8t thin films was formed via an O film.

続いて、これを真空蒸着装置内に保持し、常法の蒸着法
により厚み0.1μmのアルミニウム導電性薄膜を堆積
した。
Subsequently, this was held in a vacuum evaporation apparatus, and an aluminum conductive thin film having a thickness of 0.1 μm was deposited by a conventional evaporation method.

次に装置から取り出した後、裏打ち材としてエポキシ樹
脂を用いてアルミ電極上に厚み50μmでコーティング
して保護した。
Next, after taking it out from the apparatus, the aluminum electrode was coated with an epoxy resin as a backing material to a thickness of 50 μm to protect it.

最後に支持体よ・り太陽電池を離をし、得られたa−8
tフイルム太陽電池の光電変換効率をAMI。
Finally, the solar cell was separated from the support, and the obtained a-8
AMI is the photoelectric conversion efficiency of T-film solar cells.

100 mW/dのソーラーシミュレーターで無色透明
なポリイミドフィルム基板側から光を照射して測定し、
結果を第1表に示した。また、121゛C12気圧の雰
囲気に1週間放置した後に剥離試験を行って密着性kW
価し、結果を第1表に示した0 比較例1〜3 実施例1〜3においてプラズマ処理を施こさなかった以
外は各実施例と同様にしてポリイミドフィルムおよび太
陽電池を作製した。
Measurement was performed by irradiating light from the colorless and transparent polyimide film substrate side with a 100 mW/d solar simulator.
The results are shown in Table 1. In addition, after being left in an atmosphere of 121°C and 12 atm for one week, a peel test was performed and the adhesion was kW.
The results are shown in Table 1. Comparative Examples 1 to 3 Polyimide films and solar cells were produced in the same manner as in Examples 1 to 3, except that no plasma treatment was performed.

結果は第1表に併記した。The results are also listed in Table 1.

実施例7〜12 第2表に示した芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香
族ジアミンを用い、同表中に記載のフィラー0.5重量
%(対生成ポリイミド重量)1−溶媒としてのN、N−
ジメチルアセトアミド中に超音波発振機を用いて均一分
散させた以外は前記実施例と同様にして無色透明なポリ
イミドフィルムを得た。全光線透過率およびヘイズ率を
測定し、第2表に併記した。
Examples 7 to 12 Using the aromatic tetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine shown in Table 2, 0.5% by weight of the filler listed in the same table (based on the weight of the produced polyimide) 1 - N as a solvent , N-
A colorless and transparent polyimide film was obtained in the same manner as in the previous example, except that it was uniformly dispersed in dimethylacetamide using an ultrasonic oscillator. The total light transmittance and haze rate were measured and are also listed in Table 2.

このポリイミドフィルムを基板として前記実施例と同様
の方法で光電変換素子を形成して太陽電池を作製した。
Using this polyimide film as a substrate, a photoelectric conversion element was formed in the same manner as in the above example to produce a solar cell.

光電変換効率および密着性を測定し、結果を第2表に示
した。
The photoelectric conversion efficiency and adhesion were measured and the results are shown in Table 2.

比較例4〜6 フィラーを配合しなかった以外は実施例7〜9と同様に
してポリイミドフィルムおよび太陽電池を作製した。
Comparative Examples 4 to 6 Polyimide films and solar cells were produced in the same manner as Examples 7 to 9 except that no filler was blended.

評価結果は@2表に併記した。The evaluation results are also listed in @2 table.

第1表および第2表から明らかなように、本発明品は比
較別品と比べて基板と透明電他との間の密着性が良好で
ある。
As is clear from Tables 1 and 2, the products of the present invention have better adhesion between the substrate and the transparent electrode, compared to the comparative products.

また第2表から明らかなようにフィラーを配合したポリ
イミドフィルムはヘイズ率が高く、表面凹凸による光閉
じ込め効果が見られ、光電変換効率が向上するものであ
る。
Furthermore, as is clear from Table 2, the polyimide film containing filler has a high haze rate, exhibits a light trapping effect due to surface irregularities, and improves photoelectric conversion efficiency.

第3図には実施例12にて得た無色透明ポリイミドフィ
ルムの表面の三次元表面粗さの測定結果を示した。測定
面積は0.5−であり、突起のzm(高さ)方向の最大
値は約0゜4μmであった。また、1−あたりに換算す
ると0.01〜1μmの突起は数百個存在することがわ
かる。さらに突起は全体によく分散しており、フィラー
の凝集による粗大突起は認められない。
FIG. 3 shows the measurement results of the three-dimensional surface roughness of the colorless transparent polyimide film obtained in Example 12. The measured area was 0.5-, and the maximum value of the protrusion in the zm (height) direction was about 0°4 μm. Moreover, it can be seen that there are several hundred protrusions with a diameter of 0.01 to 1 μm when converted to 1 −. Furthermore, the protrusions are well dispersed throughout, and no coarse protrusions due to filler aggregation are observed.

第4図には実施例12にて得たポリイミドフィルムの走
査型電子顕微鏡写真を示した。これより、突起は球状で
あり、またフィラーが直接フィルム表面に出ているので
はなくポリイミド皮漢を押し上げている様子が良くわか
る。
FIG. 4 shows a scanning electron micrograph of the polyimide film obtained in Example 12. This clearly shows that the protrusions are spherical and that the filler does not directly appear on the film surface, but rather pushes up the polyimide skin.

第 図 手vEネ甫正書 (自発) 平成 1年 8月No. figure Hand vE Nefu Seisho (spontaneous) Heisei 1 year August

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)片面にプラズマ処理を施こした無色透明なポリイ
ミドフィルム基板の処理面に、光電変換素子を設けてな
るフィルム太陽電池。
(1) A film solar cell in which a photoelectric conversion element is provided on the treated side of a colorless and transparent polyimide film substrate that has been subjected to plasma treatment on one side.
(2)片面に微小球状突起を多数形成した無色透明なポ
リイミドフィルム基板の突起形成面は、光電変換素子を
設けてなるフィルム太陽電池。
(2) A film solar cell in which a photoelectric conversion element is provided on the protrusion-forming surface of a colorless and transparent polyimide film substrate with a large number of microspherical protrusions formed on one side.
(3)微小球状突起が基板1mm^2当り10〜10万
個形成されてなる請求項(2)記載のフィルム太陽電池
(3) The film solar cell according to claim (2), wherein 100,000 to 100,000 microspherical protrusions are formed per 1 mm^2 of the substrate.
(4)微小球状突起の高さが0.01〜1μmである請
求項(2)または(3)記載のフィルム太陽電池。
(4) The film solar cell according to claim (2) or (3), wherein the microspherical protrusions have a height of 0.01 to 1 μm.
(5)ポリイミドフィルムが厚み50μmのときに全光
線透過率80%以上、イエローネスインデックス25以
下である請求項(1)または(2)記載のフィルム太陽
電池。
(5) The film solar cell according to claim (1) or (2), wherein the polyimide film has a total light transmittance of 80% or more and a yellowness index of 25 or less when the thickness is 50 μm.
(6)ポリイミドフィルムが一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、R_1は▲数式、化学式、表等があります▼、
▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ または▲数式、化学式、表等があります▼であり、R_
2は窒素原子に結合している芳香核がメタ置換である1
〜4核体成分、またはパーフルオロ基を含むメタ置換お
よびパラ置換である2〜4核体成分である。) で示される繰り返し単位を有するポリイミドを生成分と
するフィルムである請求項(1)または(2)記載のフ
ィルム太陽電池。
(6) Polyimide film has a general formula, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ (However, R_1 has ▲Mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼,
▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼ or ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, and R_
2 is 1 in which the aromatic nucleus bonded to the nitrogen atom is meta-substituted
˜4-tetranuclear components, or meta- and para-substituted di- to tetranuclear components containing perfluoro groups. The film solar cell according to claim 1 or 2, which is a film containing a polyimide having a repeating unit represented by the formula (1) or (2).
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