JPH02181907A - X-ray transmitting film holding frame, x-ray mask blank and x-ray mask structure - Google Patents

X-ray transmitting film holding frame, x-ray mask blank and x-ray mask structure

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JPH02181907A
JPH02181907A JP1001223A JP122389A JPH02181907A JP H02181907 A JPH02181907 A JP H02181907A JP 1001223 A JP1001223 A JP 1001223A JP 122389 A JP122389 A JP 122389A JP H02181907 A JPH02181907 A JP H02181907A
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JP
Japan
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ray
holding frame
main body
ray mask
mask structure
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JP1001223A
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Japanese (ja)
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Goji Miyaji
剛司 宮地
Yoshiaki Fukuda
福田 恵明
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PURPOSE:To easily machine a complicated shape and to enhance a mechanical characteristic and a thermal characteristic by a method wherein a holding frame used to hold an X-ray transmitting film id formed of the following: a holding-frame main body composed of a material whose coefficient of linear expansion is at a specific value or lower; an outer periphery member composed of a material which can be machined easily. CONSTITUTION:As a material for a reinforcement-body main body 4, a ceramic whose coefficient of linear expansion is 1X10<-5>K<-1> or lower is used in order to prevent a strain by heat generated when it is irradiated with X-rays. For example, alumina, Al2O3TiC or the like can be enumerated. As a ceramic sintered substance which can be cut, an AlN-BN-based substance, a silicon carbide-based substance or the like can be enumerated. As an easily machined material which is used to form an outer periphery member 5, a metal or a synthetic resin which can be machined easily with a general lathe or the like is preferable. For example, an iron and steel material, the synthetic resin such as polycarbonate or the like can be enumerated. The main body 4 and the outer periphery member 5 are bonded by an arbitrary method by using an adhesive 3', a screw, a force fit or the like. A side groove 6 for movement use and for hand-fitting use of a mask structure are formed at the outer periphery member 5.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は半導体製造装置、特にX線による露光を行う為
の露光装置で使用するX線透過膜保持枠、X線マスクブ
ランクス及びX線マスク構造体に関する。
Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) The present invention relates to an X-ray transmitting film holding frame, an X-ray mask blank, and an X-ray mask used in semiconductor manufacturing equipment, particularly an exposure apparatus for performing X-ray exposure. Concerning structures.

(従来の技術) 近年、半導体集積回路の高密度化及び高速化に伴い、集
積回路のパターン線幅が約3年間で70%に縮小される
傾向にある。
(Prior Art) In recent years, with the increasing density and speed of semiconductor integrated circuits, the pattern line width of integrated circuits has tended to be reduced by 70% in about three years.

大容量メモリ素子(例えば4MDRAM)の更なる集積
化により、16Mbit容量のもの等では0. 5μm
ルールのデバイス設計が行わわる様になってきた。この
為焼付装置も一層の高性能化が要求され、転写可能な最
小線幅が0.5μm以下という高性能が要求され始めて
来ている。その為露光光源波長としてX線領域(7乃至
14人)の光を利用したステッパが開発されつつある。
With further integration of large-capacity memory devices (for example, 4M DRAM), devices with a capacity of 16 Mbit, etc. 5μm
Device design based on rules has begun to take place. For this reason, printing devices are required to have even higher performance, and high performance such that the minimum line width that can be transferred is 0.5 μm or less is beginning to be required. For this reason, steppers using light in the X-ray range (7 to 14) as the exposure light source wavelength are being developed.

こわらX線露光装置に用いられるマスク構造体は、第1
図a、bに示す様に、X線透過材で出来たX線透過膜2
とそれを緊張保持する保持枠4とからなっており、該X
線透過膜21:にはアライメントマーク等所望の幾何学
的配置をもって配列されたX線吸収体lが形成されてい
る。
The mask structure used in the Kowara X-ray exposure apparatus is
As shown in Figures a and b, an X-ray transparent membrane 2 made of an X-ray transparent material
and a holding frame 4 that holds it under tension.
X-ray absorbers l arranged in a desired geometrical arrangement such as alignment marks are formed on the radiation-transmitting film 21.

X線透過膜2の形成方法はその使用材質が有機薄膜か無
機薄膜かによって大別される。前者はX線の透過率が高
く可視光に対しても透明である杆な材質か選ばれ、その
ヤング率、熱膨張係数、表面粗さ等から、ポリイミド、
ポリアミド、マイラー等のフィルムが好んで用いられる
。これらのX線透過11Q2は保持枠4に接着剤3によ
って緊張保持させられ、これらのX線透過膜2が十分な
平面度を有する形で固定される。
The method of forming the X-ray transparent film 2 is roughly classified depending on whether the material used is an organic thin film or an inorganic thin film. The former is selected from a rigid material that has high transmittance for X-rays and is transparent to visible light.Due to its Young's modulus, coefficient of thermal expansion, surface roughness, etc.
Films such as polyamide and mylar are preferably used. These X-ray transparent membranes 11Q2 are held under tension by the adhesive 3 on the holding frame 4, and these X-ray transparent membranes 2 are fixed with sufficient flatness.

一方、X線透過膜2として無機材質を用いる場合は、第
3図a、bに示す様に、シリコンウェハ4′上に化学気
相堆積法等により2μm程度の硅素化合物、特に窒化硅
素や炭化硅素等の膜2が僅かに引っ張り応力をもつ様に
形成される。次にIIQ2を堆積したシリコンウェハ4
′を、裏面から必要な領域(X1i1を透過せしめる為
の領域)のみエツチングにより除去すると、無機薄11
Q2がシリコンウェハ4′上に緊張保持された状態のマ
スクブランクスが得られる。しかしながらこのままの状
態ではシリコンウェハ4′が薄い為、強度が小さく取扱
いにも実用にも不便である為、補強体4を接着剤3によ
り接着して用いるのが普通であ前記いずれの場合におい
ても保持枠4(第1図)若しくは補強体4(第3図)は
、十分に強度が大きく熱的に安定で且つ軽いものが望ま
しい。
On the other hand, when an inorganic material is used as the X-ray transparent membrane 2, as shown in FIGS. A film 2 made of silicon or the like is formed to have a slight tensile stress. Next, silicon wafer 4 on which IIQ2 was deposited
' is removed by etching only the necessary area (area for transmitting X1i1) from the back side, the inorganic thin 11
A mask blank in which Q2 is held under tension on the silicon wafer 4' is obtained. However, in this state, the silicon wafer 4' is thin and has low strength, making it inconvenient to handle and put into practice. It is desirable that the holding frame 4 (FIG. 1) or the reinforcing body 4 (FIG. 3) be sufficiently strong, thermally stable, and lightweight.

従来はこれらの形成材料として石英ガラス、硼硅酸ガラ
ス(パイレックス)、ステンレス鋼等が用いられていた
が、最近ではセラミックス焼結体が上記条件をよく満た
す為に使用される様になった。
Conventionally, quartz glass, borosilicate glass (Pyrex), stainless steel, etc. have been used as materials for forming these materials, but recently ceramic sintered bodies have come to be used because they satisfies the above conditions.

(発明が解決しようとしている問題点)ところが、上記
の如き石英ガラス、硼硅酸ガラス、ステンレス鋼鉄或い
はセラミックス材料等は強度、熱的安定性等に優れた材
料であるが、切削、研磨等の加工性に劣り、特にマスク
構造体の保持枠や補強体の周辺に各種の複雑形状の加工
、例えば、第1図示の様にX線露光装置内での移動用ハ
ンド掛は用の側溝6やマスク構造体の位置決め用切り欠
け7を形成することが非常に困難であるという問題があ
る。
(Problem to be solved by the invention) However, although the above-mentioned quartz glass, borosilicate glass, stainless steel, ceramic materials, etc. are materials with excellent strength and thermal stability, they cannot be easily cut, polished, etc. Processability is poor, especially when machining various complicated shapes around the holding frame and reinforcing body of the mask structure. There is a problem in that it is very difficult to form the positioning notches 7 of the mask structure.

従って本発明の目的は上記従来技術の問題点を解決し、
複雑な形状の加工が容易で珪つ機械的、熱的特性に優れ
たX線透過膜保持枠、X線マスクブランクス及びX線マ
スク構造体を提供することである。
Therefore, an object of the present invention is to solve the problems of the prior art described above,
An object of the present invention is to provide an X-ray transmitting membrane holding frame, an X-ray mask blank, and an X-ray mask structure that can be easily processed into complex shapes and have excellent mechanical and thermal properties.

(問題点を解決するス)の手段) 上記[1的は以下の本発明によって達成される。(Means for resolving the problem) The above [1] is achieved by the following present invention.

即ち、本発明は、X線透過膜を保持する為の保持枠、X
線透過膜を保持している保持枠からなるX線マスクブラ
ンクス又は所望パターンのX線吸収体と該吸収体を保持
するX線透過膜とこれらを保持する保持枠とからなるX
線マスク構造体において、上記保持枠が線膨張係数がI
 X 10−5K一1以下の材料からなる保持枠本体と
機械加工容易な材料からなる外周部材とからなることを
特徴とするX線透過膜保持枠、X線マスクブランクス及
びX線マスク構造体である。
That is, the present invention provides a holding frame for holding an X-ray transparent membrane,
An X-ray mask blank consisting of a holding frame holding a radiation-transmitting film, or an X-ray mask blank consisting of an X-ray absorber with a desired pattern, an
In the line mask structure, the holding frame has a linear expansion coefficient of I
X-ray transparent membrane holding frame, X-ray mask blank, and be.

(作  用) 本発明によれば、保持枠又は補強体を線膨張係数か1 
x 10−5にK−1以下の材料からなる保持枠本体と
機械加工容易な材料からなる外周部材とから形成するこ
とによって、複雑な形状の加工が容易で且つ機械的、熱
的特性に優れたX線透過膜保持枠、X線マスクブランク
ス及びX線マスク構造体を提供することが出来る。
(Function) According to the present invention, the holding frame or the reinforcing body has a linear expansion coefficient of 1
By forming the holding frame main body made of a material of x10-5 or below K-1 and the outer peripheral member made of a material that is easy to machine, it can be easily machined into complex shapes and has excellent mechanical and thermal properties. An X-ray transparent membrane holding frame, an X-ray mask blank, and an X-ray mask structure can be provided.

(好ましい実施態様) 次に好ましい実施態様を挙げて本発明を更に詳しく説明
する。
(Preferred Embodiments) Next, the present invention will be described in more detail by citing preferred embodiments.

本発明のX線マスク構造体の構成において使用するX線
透過膜2は、ベリリウム(Be)、チタン(Ti)、硅
素(Si)、硼素(B)等の単体又はそれらの化合物等
の無機物、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、パ
リレン等の有機物或いはこれらの複合膜の如く、従来X
!!il透過膜として使用されているものはいずれも本
発明で使用することが出来、これらのX線透過膜はX線
透過量を可能な限り大きくする為に、無機物フィルムの
場合には0.5乃至5μm、有機物の場合には!乃至2
0μmの厚みであるのが好ましい。
The X-ray transparent film 2 used in the configuration of the X-ray mask structure of the present invention is made of inorganic materials such as beryllium (Be), titanium (Ti), silicon (Si), boron (B), etc., or their compounds, etc. Conventional X
! ! Any film used as an il-transmissive membrane can be used in the present invention, and in the case of an inorganic film, the From 5μm to 5μm, in the case of organic matter! to 2
Preferably, the thickness is 0 μm.

これらのX線透過膜の形成方法自体はいずれも従来公知
の方法でよく、例えば、X線透過rfA2がポリイミド
の様な有機物である場合には有機フィルムを、例えば、
金属、セラミックス、ガラスの様な適当な保持枠4に接
着剤3を用いて緊張固定する方法で形成しく第1図参照
)、又、X線透過1漠2が無機物である場合にはメンブ
レン2の強度が不足するので、例えば、シリコンウェハ
(保持枠)4′上にX線透過膜2を成11qシ、次いで
その裏面にエツチング保護膜(図示無し)(ポリイミド
や窒化ケイ素膜等)を設け、30%苛性カリ水溶液でエ
ツチングすることにより、ウェハ4′Fに支持された無
機メンブレン2を形成することが出来る。この場合には
シリコンウェハ4′の強度が不足するので金属、セラミ
ックス、ガラス等の補強体4を付設するのが一般的であ
る(第3図参照)。
The method of forming these X-ray transparent films may be any conventionally known method. For example, if the X-ray transparent rfA2 is an organic material such as polyimide, an organic film may be formed, for example,
It is formed by tensioning and fixing it to a suitable holding frame 4 such as metal, ceramics, or glass using an adhesive 3 (see Figure 1). For example, an X-ray transparent film 2 is formed on the silicon wafer (holding frame) 4', and then an etching protection film (not shown) (polyimide, silicon nitride film, etc.) is provided on the back surface. By etching with a 30% caustic potassium aqueous solution, the inorganic membrane 2 supported on the wafer 4'F can be formed. In this case, since the strength of the silicon wafer 4' is insufficient, it is common to add a reinforcing body 4 made of metal, ceramics, glass, etc. (see FIG. 3).

ト記X線透過膜2J:に形成するX線吸収体lとしては
、一般に密度の高い物質、例えば、金、白金、タングス
テン、タンタル、銅、ニッケル及びそれらを含む化合物
の薄膜(例えば、0.5乃至1um程度の厚み)の如く
、従来のX線マスク構造体に使用されているX線吸収体
はいずれも本発明において使用出来、特に限定されない
The X-ray absorber l formed on the X-ray transmitting film 2J is generally a thin film of a material with high density, such as gold, platinum, tungsten, tantalum, copper, nickel, or a compound containing them (for example, Any X-ray absorber used in conventional X-ray mask structures can be used in the present invention, and is not particularly limited.

この様なX線吸収体1は、例えば、上記X線透過膜2上
にメツキ電極層を設け、その上に単層又は多層のレジス
トをエレクトロンビーム描画によりバターニングし、例
えば、金をメツキしてX線吸収体である金パターンを形
成する。又、X線透過膜上にWやTa等を成膜し、単層
又は多層のレジストをエレクトロンビーム描画により形
成し、次いでWやTa層をプラズマエツチングしてX線
吸収体を形成することが出来る。又、X線吸収体はシリ
コンウェハのバックエツチング前に形成してもよい。
Such an X-ray absorber 1 is made by, for example, providing a plating electrode layer on the X-ray transparent film 2, patterning a single layer or multilayer resist on the electrode layer by electron beam drawing, and plating with gold, for example. A gold pattern, which is an X-ray absorber, is formed. It is also possible to form a film of W, Ta, etc. on an X-ray transparent film, form a single layer or multilayer resist by electron beam writing, and then plasma-etch the W or Ta layer to form an X-ray absorber. I can do it. Alternatively, the X-ray absorber may be formed before back-etching the silicon wafer.

X線透過膜と保持枠との接着又はシリコンウェハと補強
体との接着は、硬化時に収縮の少ない接着剤、例えば、
エポキシ系、ゴム系、アクリル系、ポリイミド系等の熱
硬化型、光硬化型、溶剤型等の接着剤の使用が好ましい
For adhesion between the X-ray transparent membrane and the holding frame or between the silicon wafer and the reinforcing body, an adhesive that shrinks little when cured, such as
It is preferable to use thermosetting adhesives such as epoxy, rubber, acrylic, and polyimide adhesives, photocuring adhesives, and solvent adhesives.

本発明は、上記の如きX線マスク構造体の構成において
、保持枠又は補強体が線膨張係数が1×10−5K一’
以下の材料からなる保持枠(又は補強体)本体4と機械
加工容易な材料からなる外周部材5とからなることを特
徴としている。
The present invention provides the structure of the X-ray mask structure as described above, in which the holding frame or the reinforcing body has a linear expansion coefficient of 1 x 10-5K-1'.
It is characterized by consisting of a holding frame (or reinforcing body) main body 4 made of the following materials and an outer peripheral member 5 made of a material that is easy to machine.

本発明の保持枠本体又は補強体本体4、マスクブランク
ス又はX線マスク構造体の保持枠本体又は補強体本体と
して使用する材料としては、線膨張係数が1×10−’
に一1以下の材料であり、好適な例としては、例えば、
アルミナ(Al2O2)、ジルコニア(ZrO,) 、
 コージエライト(21g04A120+”5SiO2
)、サイアロン(Si・A1・0・N)、炭化珪素(S
iC) 、窒化アルミニウム(^IN> 、窒化珪素(
SI3N4) 、その他5iC−ZrB2、^1,03
−TiC等が挙げられる。又、切削加工が可能なセラミ
ックス焼結体として、^IN−BN系、5i3N4−B
N系、炭化珪素系(SiC)等が挙げられる。
The material used for the holding frame main body or reinforcing body main body 4 of the present invention, the holding frame main body or the reinforcing body main body of the mask blank or X-ray mask structure has a linear expansion coefficient of 1 x 10-'
11 or less, and suitable examples include, for example,
Alumina (Al2O2), zirconia (ZrO,),
Cordierite (21g04A120+”5SiO2
), sialon (Si・A1・0・N), silicon carbide (S
iC), aluminum nitride (^IN>), silicon nitride (
SI3N4), other 5iC-ZrB2, ^1,03
-TiC and the like. In addition, as ceramic sintered bodies that can be cut, ^IN-BN series, 5i3N4-B
Examples include N-based, silicon carbide (SiC), and the like.

以上のセラミックスの中で、とりわけ本発明に好ましい
ものはそのヤング率が50GPa以上のセラミックスで
ある。更に好ましくはX線照射によって発生する熱によ
る歪を防ぐ為に、線膨張係数が1×10”5K一1以下
のセラミックスを用いる。これらのセラミックスは非磁
性であるのでX線露光時のX線ビームの軌跡を変えない
点でも好ましい。
Among the above ceramics, ceramics having a Young's modulus of 50 GPa or more are particularly preferred for the present invention. More preferably, in order to prevent distortion due to heat generated by X-ray irradiation, ceramics with a linear expansion coefficient of 1 x 10"5K-1 or less are used. Since these ceramics are non-magnetic, This is also preferable in that it does not change the trajectory of the beam.

本発明においては好ましいセラミックスの材料のヤング
率及び線膨張係数の値を下記に例示する。
In the present invention, the Young's modulus and linear expansion coefficient values of preferable ceramic materials are illustrated below.

Pa バイレックス              62アルミ
ナ(Al2O2)        370ジルコニア(
ZrO□)        150コージユライト(2
M、qO・2A1203・5SiO2)+10 サイアロン(Si・^1・0・N)   270炭化珪
素(SiC)   400 窒化アルミニウム(AIN)    280窒化珪素(
SiJ4)170〜300 Si[ニーZr1h           360^1
20:+−Tie          390 〜41
0AI20+−TiOz         220AI
N−BN             +60に−1 2,8Xl0−’ 7、OX 10−’ 10、OxlO−’ Xl0−’ Xl0−’ Xl0−’ 1O−6 1O−6 x to−’  1O−6 x to−’ l0−6 Si、N4−[IN       130〜1605.
8〜8.8  Xl0−’ 本発明は上記例示のセラミックスに限定されず、同様な
物性を有する材料はいずれも本発明で使用することが出
来る。
Pa Vilex 62 Alumina (Al2O2) 370 Zirconia (
ZrO□) 150 cordillite (2
M, qO・2A1203・5SiO2)+10 Sialon (Si・^1・0・N) 270 Silicon carbide (SiC) 400 Aluminum nitride (AIN) 280 Silicon nitride (
SiJ4) 170~300 Si[knee Zr1h 360^1
20:+-Tie 390 ~ 41
0AI20+-TiOz 220AI
N-BN +60 to -1 2,8Xl0-' 7, OX 10-' 10, OxlO-'Xl0-'Xl0-'Xl0-' 1O-6 1O-6 x to-' 1O-6 x to-' l0 -6 Si, N4-[IN 130-1605.
8 to 8.8 Xl0-' The present invention is not limited to the above-mentioned ceramics, and any material having similar physical properties can be used in the present invention.

以ヒのセラミックスは常法に従って所定の形状に成形及
び焼結し、所望の形状とすることが出来る。又、切削加
工が可能なセラミックス焼結体(例えば、八lN4N、
 5i3N4−BN%5fG)によれば、常法に従って
所定の形状に成形及び焼成し、引き続き切削加工等によ
って所望の寸法精度とすることが出来る。
The ceramics described below can be formed into a desired shape by molding and sintering into a predetermined shape according to a conventional method. In addition, ceramic sintered bodies that can be cut (for example, 81N4N,
5i3N4-BN%5fG), it is possible to mold and bake it into a predetermined shape according to a conventional method, and then perform cutting or the like to obtain the desired dimensional accuracy.

又、本発明で保持枠又は補強体の外周部材5の形成に使
用する機械加工が容易な材料としては、−数的な旋盤等
で容易に加工できる金属や合成樹脂が好ましく、これら
の中でも特に好ましい材料の具体例としては、例えば、
鉄鋼材、銅合金材、アルミニウム合金材、チタン合金材
等の金属材、硬質塩化ビニル樹脂、ABS樹脂、スチレ
ン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート等の合成樹脂
等が挙げられる。
In addition, in the present invention, materials that can be easily machined to be used for forming the outer circumferential member 5 of the holding frame or reinforcing body are preferably metals and synthetic resins that can be easily machined using a numerical lathe, etc. Among these, particularly Specific examples of preferable materials include, for example:
Examples include metal materials such as steel materials, copper alloy materials, aluminum alloy materials, and titanium alloy materials, and synthetic resins such as hard vinyl chloride resin, ABS resin, styrene resin, acrylic resin, and polycarbonate.

本発明では、上記2種の材料から保持枠(補強体)本体
4と外周部材5を形成するが、両者の結合方法は、前記
の様な接着剤3′やネジ止め、圧入等の任意の方法で接
合し、外周部材5K例えば第1図示の様なXil露光装
置内での移動用ハンド掛は用の側溝6やマスク構造体の
位置ぎめ用切り欠け7を形成する。この様な複雑な形状
は本体4に接合する前でも後でも形成することが出来る
In the present invention, the holding frame (reinforcing body) main body 4 and the outer circumferential member 5 are formed from the above-mentioned two types of materials, but the two can be joined by any method such as adhesive 3', screwing, press-fitting, etc. The outer circumferential member 5K is joined by a method to form side grooves 6 for use as hand hooks for movement within the XIL exposure apparatus, such as the one shown in the first drawing, and notches 7 for positioning the mask structure. Such a complex shape can be formed either before or after joining to the main body 4.

尚、本発明で使用する本体4と外周部材5とからなる保
持枠及び補強体の形状はリング状の如く、従来公知の形
状と同様でよく、又5磁力チヤツキング性を与える為に
、マスク保持枠又は補強体の表面又は内部に磁性材を固
定することも出来る。
The shape of the holding frame and reinforcing body consisting of the main body 4 and the outer circumferential member 5 used in the present invention may be the same as a conventionally known shape, such as a ring shape. It is also possible to fix magnetic material on or inside the frame or reinforcement.

(実施例) 次に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。(Example) Next, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples.

実施例1 第1図は本実施例のマスク構造体の断面(a)及び底面
(b)を図解的に示す図である。
Example 1 FIG. 1 is a diagram schematically showing a cross section (a) and a bottom surface (b) of a mask structure of this example.

図中の4はアルミナ(Al2O3)系セラミックスから
成形後、常圧焼結法により作製したリング状のマスク保
持枠本体であり、内径が50mm、外径が60mm、内
側の厚みが6mm、外側の厚みが5mmの形状を存し、
その外側には環状の外周部材5が接着剤3′により接合
されている。この環状部材は5US304製であり、内
径が60.5mm、外径が100mm、内側の厚みが5
mm、外側の厚みが4mmの形状であり、周囲の側溝6
と切り欠け7が切削加工により形成されている。
4 in the figure is a ring-shaped mask holding frame body manufactured by pressureless sintering after molding from alumina (Al2O3) ceramics, with an inner diameter of 50 mm, an outer diameter of 60 mm, an inner thickness of 6 mm, and an outer It has a shape with a thickness of 5 mm,
An annular outer circumferential member 5 is bonded to the outside thereof with an adhesive 3'. This annular member is made of 5US304 and has an inner diameter of 60.5 mm, an outer diameter of 100 mm, and an inner thickness of 5 mm.
mm, the outside thickness is 4 mm, and the surrounding gutter 6
and notches 7 are formed by cutting.

この外周部材5と首記保持枠本体4とはエポキシ茶接着
剤3′により接合されている。
The outer circumferential member 5 and the main holding frame body 4 are bonded together using an epoxy brown adhesive 3'.

図中の2は厚み約7.5μmの等方延伸したポリイミド
膜であり、ゴム系又はエポキシ系等の接着剤3で保持枠
本体4の傾斜面に固定されている。
Reference numeral 2 in the figure is an isotropically stretched polyimide film having a thickness of approximately 7.5 μm, and is fixed to the inclined surface of the holding frame main body 4 with an adhesive 3 such as rubber-based or epoxy-based adhesive.

図中の1はX線の吸収体である金であり、厚み約0.7
μmの金1はレジストを電子線により描画した後、電鋳
法にて堆h1シてマスクパターン(吸収体)としたもの
である。
1 in the figure is gold, which is an X-ray absorber, and has a thickness of approximately 0.7
The μm gold 1 was formed by drawing a resist with an electron beam and then depositing it by electroforming to form a mask pattern (absorber).

実施例2 実施例1の保持枠本体4の材料のアルミナ(AI20+
)を炭化珪素(SjG)としホットプレス焼結法を用い
て成形し、且つ外周部材5としてアルミニウム合金を用
いた以外は実施例1と同様の方法で同様の形状のマスク
構造体を作製した。
Example 2 Alumina (AI20+
) was made of silicon carbide (SjG) and molded using a hot press sintering method, and a mask structure having the same shape as in Example 1 was produced in the same manner as in Example 1, except that an aluminum alloy was used as the outer peripheral member 5.

実施例3 第2図は他の実施例のマスク構造体の断面を図解的に示
す図であり、使用した材料及び形状は第1図の実施例と
同一であるが、保持枠本体4とその外周部分5との接合
は図示の様に段差を設は接着面積を大にして接合の強化
を図った例である。
Embodiment 3 FIG. 2 is a diagram schematically showing a cross section of a mask structure of another embodiment. The materials and shape used are the same as those of the embodiment of FIG. 1, but the holding frame main body 4 and its As shown in the figure, the bonding with the outer circumferential portion 5 is an example in which a step is provided to increase the bonding area to strengthen the bonding.

実施例4 第3図は本発明の他の実施例のマスク構造体の断面(a
)及び底面(b)を図解的に示す図である。
Embodiment 4 FIG. 3 shows a cross section (a) of a mask structure according to another embodiment of the present invention.
) and the bottom surface (b) schematically.

図中の4は機械加工可能な^IN−BN系セラミックス
(例えば、徳山曹達■、シェイパルM)から成形焼結後
機械加工して作製したリング状の補強体本体であり、内
径が60mm、外径が85mmであり、その外側には環
状の外周部材5が接着剤3′により接合されている。こ
の外周部材は硬質塩化ビニル樹脂製であり、内径が85
.5mm、外径が100mmで、厚みは4mmで、周囲
には側溝6と切り欠け7が切削加工により形成されてい
る。この外周部材5と面記補強体本体4とはポリイミド
系接着剤3′により接合されている。
4 in the figure is a ring-shaped reinforcing body made from machinable IN-BN ceramics (e.g., Tokuyama Soda, Shapal M) after forming and sintering, and has an inner diameter of 60 mm and an outer diameter of 60 mm. It has a diameter of 85 mm, and an annular outer peripheral member 5 is bonded to the outside thereof with an adhesive 3'. This outer peripheral member is made of hard vinyl chloride resin and has an inner diameter of 85 mm.
.. The outer diameter is 100 mm, the thickness is 4 mm, and side grooves 6 and notches 7 are formed around the circumference by cutting. The outer peripheral member 5 and the surface reinforcing body body 4 are bonded together using a polyimide adhesive 3'.

図中の2はシリコーンシリコンウェハ4′上に形成され
た厚み約2μmの窒化珪素膜であり、シリコンシリコン
ウェハ4′を介してエポキシ系等の接着剤3により補強
体本体4に固定されている。
2 in the figure is a silicon nitride film with a thickness of approximately 2 μm formed on a silicone silicon wafer 4', and is fixed to the reinforcing body main body 4 with an adhesive 3 such as an epoxy type via the silicone silicon wafer 4'. .

図中の1はX線吸収体である金であり、厚み約0.7μ
mの金1はレジストを電子線により描画した後、電鋳法
にて堆積してマスクパターンとしたものである。
1 in the figure is gold, which is an X-ray absorber, and has a thickness of approximately 0.7μ.
The gold 1 of m is formed by drawing a resist using an electron beam and then depositing it by electroforming to form a mask pattern.

実施例5 実施例4の補強体本体4の材料として5i3N4BN系
セラミツクス(例えば、川崎製鉄製、リバーセラムSN
B )を使用し、且つ外周部材5としてアクリル樹脂を
用いた以外は実施例4と同様の方法で同様の形状のマス
ク構造体を作製した。
Example 5 The reinforcing body body 4 of Example 4 was made of 5i3N4BN ceramics (for example, Kawasaki Steel, River Ceram SN).
A mask structure having a similar shape was produced in the same manner as in Example 4 except that acrylic resin was used as the outer circumferential member 5.

以上で得られた本発明のマスク構造体はいずれも優れた
粒度と加工特性を有していた。
All of the mask structures of the present invention obtained above had excellent grain size and processing characteristics.

(効  果) 以上の様に本発明によれば、保持枠又は補強体を線膨張
係数が1×10−’に一1以下の材料からなる保持枠(
又は補強体)本体と機械加工容易な材料からなる外周部
材とから形成することによって、複雑な形状の加工が容
易で且つ機械的、熱的特性に優れたX線透過廐保持粋、
Xaマスクブランクス及びX線マスク構造体を提供する
ことが出来る。
(Effects) As described above, according to the present invention, the holding frame or the reinforcing body is made of a material having a coefficient of linear expansion of 1×10−′ or less (
(or reinforcing body) An X-ray transmitting body that can be easily machined into complex shapes and has excellent mechanical and thermal properties by being formed from a main body and a peripheral member made of a material that is easy to machine.
Xa mask blanks and X-ray mask structures can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図乃至第3図は本発明のマスク構造体を図解的に示
す図である。 1:X線吸収体 2:X線透過膜 3:接着剤 3′:接着剤 4:保持枠(補強体)(本体) 4′:シリコンウェハ 5:外周部材 6:側溝 7:切り欠は 特許出願人   キャノン株式会社 代理人  弁理士 青 1)勝 広 第1図 第3図 (bJ
1 to 3 are diagrams schematically showing the mask structure of the present invention. 1: X-ray absorber 2: X-ray transparent membrane 3: Adhesive 3': Adhesive 4: Holding frame (reinforcing body) (main body) 4': Silicon wafer 5: Peripheral member 6: Side groove 7: Notch is patented Applicant Canon Co., Ltd. Agent Patent Attorney Blue 1) Katsuhiro Figure 1 Figure 3 (bJ

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)X線透過膜を保持する為の保持枠において、該保
持枠が線膨張係数が1×10^−^5にK^−^1以下
の材料からなる保持枠本体と機械加工容易な材料からな
る外周部材とからなることを特徴とするX線透過膜保持
枠。
(1) In a holding frame for holding an X-ray transparent membrane, the holding frame has a holding frame main body made of a material with a linear expansion coefficient of 1 x 10^-^5 to K^-^1 or less, and is easy to machine. An X-ray transmitting membrane holding frame characterized by comprising a peripheral member made of a material.
(2)X線透過膜を保持している保持枠からなるX線マ
スクブランクスにおいて、該保持枠が線膨張係数が1×
10^−^5K^−^1以下の材料からなる保持枠本体
と機械加工容易な材料からなる外周部材とからなること
を特徴とするX線マスクブランクス。
(2) In an X-ray mask blank consisting of a holding frame holding an X-ray transparent membrane, the holding frame has a linear expansion coefficient of 1×
An X-ray mask blank comprising a holding frame body made of a material of 10^-^5K^-^1 or less and an outer peripheral member made of a material that is easy to machine.
(3)所望パターンのX線吸収体と該吸収体を保持する
X線透過膜とこれらを保持する保持枠とからなるX線マ
スク構造体において、該保持枠が線膨張係数が1×10
^−^5K^−^1以下の材料からなる保持枠本体と機
械加工容易な材料からなる外周部材とからなることを特
徴とするX線マスク構造体。
(3) In an X-ray mask structure consisting of an X-ray absorber with a desired pattern, an X-ray transparent film that holds the absorber, and a holding frame that holds these, the holding frame has a linear expansion coefficient of 1×10
An X-ray mask structure comprising a holding frame body made of a material of ^-^5K^-^1 or less and a peripheral member made of a material that is easy to machine.
(4)保持枠本体が50GPa以上のヤング率を有する
請求項1乃至3に記載のX線透過膜保持枠、X線マスク
ブランクス又はX線マスク構造体。
(4) The X-ray transparent membrane holding frame, X-ray mask blank, or X-ray mask structure according to any one of claims 1 to 3, wherein the holding frame main body has a Young's modulus of 50 GPa or more.
(5)保持枠本体が非磁性材料である請求項1乃至3に
記載のX線透過膜保持枠、X線マスクブランクス又はX
線マスク構造体。
(5) The X-ray transparent membrane holding frame, X-ray mask blank, or
Line mask structure.
(6)保持枠が補強体も含む請求項1乃至3に記載のX
線透過膜保持枠、X線マスクブランクス又はX線マスク
構造体。
(6) X according to claims 1 to 3, wherein the holding frame also includes a reinforcing body.
A radiation transmitting membrane holding frame, an X-ray mask blank, or an X-ray mask structure.
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