JPH02174243A - Pattern inspection device and optimization of filter used - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[概要]
本発明はウェーハ上のICチップについてそのパターン
を検査する装置と使用するフィルタについて最適化する
方法に関し、
光学遮断フィルタを使用しても連続処理が可能となり、
短時間でパターン検査を行う装置とそれに使用するフィ
ルタの最適化方法を提供することを目的とし、
ウェーハ上のICチップをチップ周辺部とチップ中心部
とに分割し各別に検査するチップ周辺部検査系と、チッ
プ中心部検査系とを具備し、曲者はパターン像について
ディジタル画像処理を行って検査をし、後者はパターン
の像を光学的に結像させてフィルタリング処理を行って
検査するつ工−ハパターン検査装置において、前記チッ
プ中心部検査系には、光学的にフィルタリング処理フィ
ルタをフーリエ像結像光学系の検知信号により描画する
手段を具備して構成することと、該装置に使用するフィ
ルタについて最適化するため、描画手段を繰り返し使用
することで構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention relates to a method for optimizing an apparatus for inspecting patterns of IC chips on a wafer and a filter to be used, which enables continuous processing even when an optical cutoff filter is used.
The purpose of this project is to provide a device that performs pattern inspection in a short time and a method for optimizing the filters used in it. Chip periphery inspection involves dividing an IC chip on a wafer into the periphery of the chip and the center of the chip and inspecting each separately. The latter is equipped with a chip center inspection system and a chip center inspection system, the former performs digital image processing on the pattern image for inspection, and the latter optically forms the pattern image and performs filtering processing for inspection. In the chip center inspection system, the chip center inspection system is configured to include means for optically drawing a filtering filter using a detection signal of a Fourier image forming optical system, and In order to optimize the filter to be used, the drawing means is repeatedly used.
[産業上の利用分野]
本発明はウェーハ上のICチップについてそのパターン
を検査する装置と使用するフィルタについて最適化する
方法に関する。[Industrial Application Field] The present invention relates to an apparatus for inspecting patterns of IC chips on a wafer and a method for optimizing a filter to be used.
従来、ウェーハ上のICチップを製造工程中、できるだ
け多数回チエツクを繰り返すことが望ましいが、光学的
空間処理タイプと、ディジタル画像処理タイプの自動検
査装置を使用しても、高度の細密化のため長時間を要す
るることが多かった。Conventionally, it is desirable to repeat checks as many times as possible during the manufacturing process for IC chips on a wafer, but even with the use of optical spatial processing type and digital image processing type automatic inspection equipment, due to the high degree of miniaturization, It often took a long time.
そのためウェーへの全域について高速・高分解能な処理
を短時間で行うための技術を開発することが要望された
。Therefore, there was a need to develop a technology that could perform high-speed, high-resolution processing over the entire wafer area in a short period of time.
(従来の技術]
LSIは大規模メモリ装置に使用するため、例えばMO
Sデバイスでは1Mビットから4Mビットを生産するよ
うになって来た。そのためウェーハ上のパターンは益々
微細化してサブミクロンの線幅で処理することが、必要
となった。またつ工−ハ自体は大型化し、6インチサイ
ズのものが主流となって来た。LSIの検査は電気的な
手法による機能試験と、自動外観検査装置による検査が
必要となる。それは、前者の機能試験では、パターンの
断線、ショートなどは検査出来るものの、切れかかり、
ショートしかかり等の欠陥の発見は不可能であって、外
観検査装置による検査も必要となるからである。LSI
パターンの自動外観検査装置には光学的空間処理タイプ
とディジタル画像処理タイプがある。前者は検知信号を
光学的にフィルタリング処理して検査するものであり、
後者はカメラ等により広い領域を一括して検出し、検査
論理を施行し自動検査するものである。本発明の特許出
願人は両者を併用することによりLSIパターンに対す
る汎用的な検査を可能とすることを、既に提案した。(Prior art) Since LSI is used for large-scale memory devices, for example, MO
S devices have started to produce 4M bits from 1M bits. Therefore, it has become necessary to make patterns on wafers increasingly finer and process them with submicron line widths. The size of the machine itself has become larger, and 6-inch sizes have become mainstream. Inspection of LSI requires functional testing using electrical methods and inspection using automatic visual inspection equipment. In the former function test, although it is possible to check for breakage and short circuits in the pattern,
This is because it is impossible to discover defects such as short circuits, and inspection using a visual inspection device is also required. LSI
There are two types of automatic pattern visual inspection equipment: optical spatial processing type and digital image processing type. The former is an inspection method in which the detection signal is optically filtered and inspected.
The latter detects a wide area all at once using a camera or the like, applies inspection logic, and performs automatic inspection. The applicant for the patent of the present invention has already proposed that by using both in combination, it is possible to perform general-purpose inspection on LSI patterns.
その発明はウェーハ上のICチップについてパターンの
大小、規則性の有無により周辺部Aと中心部Bとに分け
て検査することである。第6図において、ウェーハ10
の一部を拡大したとき、周辺部A (マクロエリア)と
中心部B (ミクロエリア)とに分けて考える。The invention is to inspect IC chips on a wafer by dividing them into a peripheral part A and a central part B, depending on the size of the pattern and the presence or absence of regularity. In FIG. 6, the wafer 10
When a part of the area is enlarged, it is divided into a peripheral area A (macro area) and a central area B (micro area).
そして先ず、前者の周辺部Aに対する[空間フィルタリ
ング法による検査」について説明する。First, the former [inspection using the spatial filtering method] for the peripheral area A will be explained.
この検査は、レーザビーム光が微細繰り返しパターンよ
り反射すると光学的にフーリエ変換を起こすことを利用
したものである。規則的な繰り返し性を有するパターン
に、平面波ビームを入射し、反射光をレンズを通して投
影すると、或いはパターンが光透過性のときは透過光に
ついてレンズを通して投影すると、前記繰り返し部分は
フーリエ変換像を形成し、離散的な位置に輝点となって
分布する。ところが、パターンに欠陥があるとその部分
はパターン繰り返し性からはずれ、得られる光分布は広
く拡散した形状となる。したがって、正常な輝点分布を
マスキングすれば、欠陥(非繰り返し成分)48号のみ
を抽出できることになる。This inspection utilizes the fact that optical Fourier transformation occurs when a laser beam is reflected from a fine repeating pattern. When a plane wave beam is incident on a regularly repeating pattern and the reflected light is projected through a lens, or when the pattern is light transmissive, the transmitted light is projected through a lens, the repeating portions form a Fourier transform image. However, they are distributed as bright spots at discrete locations. However, if there is a defect in the pattern, the pattern repeatability will deviate from that part, and the resulting light distribution will have a widely diffused shape. Therefore, by masking the normal bright spot distribution, only defect No. 48 (non-repetitive component) can be extracted.
第7図は光遮断フィルタ光学系の構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing the configuration of the light cutoff filter optical system.
第7図において、■はレーザ光源、2〜4は通常のレン
ズ、5〜7は対象パターンを置く面または結像面を示す
。今、面5に検査対象パターン5aを置き、該パターン
5aが規則性のある微細パターンであると、結像面6に
はフーリエ回折像6aが現れる。これをレンズ4により
面7に再結像させると、その像は7a即ち逆フーリエ変
換されて最初の対象パターン5aに戻る。そのため対象
パターン5aに欠陥部d、、d2があると、面6でのこ
の欠陥部の像は欠陥回折像5bの如くなる。対象パター
ン6aが微細繰り返しパターンと欠陥部の両方であると
、面6での像はフーリエ回折像6aと欠陥回折像6bと
の和になり、多数の輝点の他に全体的に薄く光っている
ように見える。In FIG. 7, ■ indicates a laser light source, 2 to 4 are ordinary lenses, and 5 to 7 indicate a surface on which a target pattern is placed or an imaging surface. Now, if a pattern 5a to be inspected is placed on the surface 5 and the pattern 5a is a regular fine pattern, a Fourier diffraction image 6a appears on the imaging surface 6. When this image is re-imaged on the surface 7 by the lens 4, the image 7a, ie, undergoes inverse Fourier transformation, returns to the original target pattern 5a. Therefore, if there is a defective portion d, d2 in the target pattern 5a, the image of this defective portion on the surface 6 will look like the defective diffraction image 5b. If the target pattern 6a is both a fine repeating pattern and a defect, the image on the surface 6 will be the sum of the Fourier diffraction image 6a and the defect diffraction image 6b, and in addition to a large number of bright spots, there will be a faint glow overall. It looks like there is.
このフーリエ変換面6に光遮断フィルタ6Cを設置する
場合を考える。図ではフィルタ6Cの黒点を光遮断部、
その周囲の白色部分を光透過部としている。この場合、
正常パターンによる回折像6aを遮蔽すると、欠陥によ
る回折像のみがフィルタ6Cを通過し、これがレンズ4
により再度結像され(即ち、逆フーリエ変換され)面7
には欠陥像7bが現れる。こうして欠陥d、、d、を検
出することが出来る。若しチップパターンについて検査
するとき、前述の対象パターン面5としてチップパター
ンを撮像したフィルムを置くか、光反射法を採用する。Consider the case where a light blocking filter 6C is installed on this Fourier transform surface 6. In the figure, the black dot of filter 6C is the light blocking part,
The white part around it is the light transmitting part. in this case,
When the diffraction image 6a due to the normal pattern is blocked, only the diffraction image due to the defect passes through the filter 6C.
The surface 7 is re-imaged (i.e., inversely Fourier transformed) by
A defect image 7b appears. In this way, defects d,,d, can be detected. When inspecting a chip pattern, a film on which the chip pattern is imaged is placed as the target pattern surface 5, or a light reflection method is used.
そして、面6にフィルタ6Cを置けば、面7には該チッ
プパターンに欠陥があるとき欠陥像7bが得られて、そ
の検査は瞬間的に終了する。チップパターンのミクロエ
リアBを検査することに好適であり、なおこの検査は後
述のようにパターン比較や論理演算を行うことがないた
め、その処理に長時間を要しない。If the filter 6C is placed on the surface 6, a defect image 7b is obtained on the surface 7 when there is a defect in the chip pattern, and the inspection ends instantaneously. It is suitable for inspecting the micro area B of the chip pattern, and since this inspection does not involve pattern comparison or logical operations as described later, the processing does not require a long time.
次にチップパターンのマクロエリアAを検査する場合に
適するような、ディジタル画像処理について説明する。Next, digital image processing suitable for inspecting macro area A of a chip pattern will be described.
第8図に示すように、ウェーハ10上の2つのチップを
検査対象とし、その周辺部(マクロエリア)Aの一部2
0a、20bを取り出すとその画像は21a、21bの
ようになるが、これら画像パターンについて不一致度の
検出をステップ22において行う。このとき画像21a
は欠陥dが有り、画像21bは正常としている。これら
の画像パターンを上下左右などにn (≧1)画素ずつ
ずらしながら、複数回(例えば9回)にわたり不一致度
を求めると、完全に合った状態では正常パターン同士で
は不一致度は0となる。実際にはノイズや製造上のずれ
に基づくマツチング誤差があって、0に近(なるが、本
例のように欠陥dがあるとと゛のように位置合わせをし
ても不一致度はOとならない。そのため不一致度が最小
の場合をステップ23において求める。矢印が不一致度
最小のケースを示している。不一致度最小のケースにお
いて、画像21aと21bの差分をステップ24におい
て求める。As shown in FIG. 8, two chips on a wafer 10 are to be inspected, and part 2 of their peripheral area (macro area) A is
When 0a and 20b are extracted, the images become 21a and 21b, and the degree of mismatch is detected for these image patterns in step 22. At this time, image 21a
has defect d, and image 21b is normal. If the degree of mismatch is determined multiple times (for example, nine times) while shifting these image patterns by n (≧1) pixels vertically, horizontally, etc., the degree of mismatch will be 0 between normal patterns when they are completely matched. In reality, there is a matching error due to noise and manufacturing misalignment, which is close to 0. However, if there is a defect d as in this example, the degree of mismatch will not be 0 even if the positioning is performed as shown in . Therefore, the case where the degree of mismatch is the minimum is determined in step 23.The arrow indicates the case where the degree of mismatch is the minimum.In the case where the degree of mismatch is the minimum, the difference between images 21a and 21b is determined in step 24.
次にステップ25においてフィルタリングを行い、ステ
ップ26において欠陥画像を残す。そしてチップ周辺部
(マクロエリア)Aについての検査を全て行うためには
、小領域20a、20bを全周に亘り移動させて行う。Next, filtering is performed in step 25, and the defect image is left in step 26. In order to inspect all of the chip peripheral area (macro area) A, the small areas 20a and 20b are moved around the entire circumference.
以上の説明のように、第7図ではチップの中心部Bにつ
いて検査し、周辺部Aは検査対象外とするため周辺部A
をマスキングする。また第8図ではチップ周辺部Aにつ
いて検査し、チップ中心部Bは検査対象外とするため、
中心部Bをマスキングする。(なお後者の場合の中心部
Bをマスキングすることは解像度の関係で実際は必要が
ない。)そのように検査すべき部分と検査対象外とする
部分とは、領域分割機構というような手段によって分割
する。その手段の例は実際のチップに対し光学系の絞り
を変えてフーリエ回折像が鮮明に見えるとき、絞り内範
囲をチップ中心部B、その外側をチップ周辺部Aとする
ことである。As explained above, in FIG. 7, the center part B of the chip is inspected, and the peripheral part A is excluded from the inspection target.
Masking. In addition, in FIG. 8, the chip peripheral area A is inspected, and the chip center area B is not subject to inspection.
Mask the center part B. (In the latter case, masking the center B is actually not necessary due to resolution issues.) The areas to be inspected and the areas to be excluded from inspection are divided by a means such as an area division mechanism. do. An example of this means is to change the aperture of the optical system for an actual chip so that when the Fourier diffraction image is clearly visible, the range within the aperture is defined as the center part B of the chip, and the outside thereof is defined as the peripheral part A of the chip.
このようにしてウェーハ上の前面にわたりチップの全数
を検査することが可能となった。In this way, it was possible to inspect the entire number of chips across the front surface of the wafer.
[発明が解決しようとする課題]
第7図・第8図に示す構成では、光学的な遮断フィルタ
として、従来の写真乾板やフィルムを使用していた。そ
のため、これらのフィルタは一度の描画作成で使用され
るが、実際に検査するパターンの細かい変化に対して最
適化できず、検出画像のS/Nは低かった。更にこれら
の作成時に、薬品を使用するウェット処理を必要とする
ため、装置の簡易化と短時間の処理が難しかった。また
パターンを別のものと変化したときには、その都度、フ
ィルタを書替えなければならず、インラインでの検査は
不可能であった。[Problems to be Solved by the Invention] In the configurations shown in FIGS. 7 and 8, conventional photographic plates and films are used as optical cutoff filters. Therefore, although these filters are used to create a drawing once, they cannot be optimized for fine changes in the pattern actually inspected, and the S/N of the detected image is low. Furthermore, when producing these, wet processing using chemicals is required, making it difficult to simplify the equipment and shorten the processing time. Furthermore, when the pattern is changed to another one, the filter must be rewritten each time, making inline inspection impossible.
本発明の目的は前述の欠点を改善し、光学遮断フィルタ
を使用しても連続処理が可能となり、短時間でチップ全
数のパターン検査を行うことの出来る装置を提供するこ
とにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to improve the above-mentioned drawbacks, to provide an apparatus that enables continuous processing even when an optical cutoff filter is used, and allows pattern inspection of all chips in a short time.
[課題を解決するための手段]
第1図は本発明の原理構成を示す図である。第1図にお
いて、31はチップ周辺部検査系、32はチップ中心部
検査系、33はフーリエ像結像光学系、34はフィルタ
描画手段を示す。[Means for Solving the Problems] FIG. 1 is a diagram showing the basic configuration of the present invention. In FIG. 1, 31 is a chip peripheral inspection system, 32 is a chip center inspection system, 33 is a Fourier image forming optical system, and 34 is a filter drawing means.
ウェーハ上の■Cチップをチップ周辺部とチップ中心部
とに分割して各別に検査するチップ周辺部検査系31と
、チップ中心部検査系32とを具備し、前者はパターン
像についてディジタル画像処理を行って検査し、後者は
パターンの像を光学的に結像させてフィルタリング処理
を行って検査するウェーハパターン検査装置において、
本発明は下記の構成としている。即ち、
前記チップ中心部検査系32には、光学的フィルタリン
グ処理フィルタをフーリエ像結像光学系33の検知信号
により描画する手段34を具備することで構成する。It is equipped with a chip peripheral inspection system 31 that divides the ■C chip on the wafer into the chip periphery and the chip center and inspects each separately, and a chip center inspection system 32, and the former performs digital image processing on the pattern image. In wafer pattern inspection equipment, the latter is performed by optically forming an image of the pattern and performing filtering processing.
The present invention has the following configuration. That is, the chip center inspection system 32 is equipped with a means 34 for drawing an optical filter using a detection signal from the Fourier image forming optical system 33.
[作用]
フーリエ結像光学系33を使用してフィルタ位置の光分
布を検知し、チップ中心部のパターンのフーリエ像を検
知する。その検知信号に対し演算処理により遮断フィル
タとして適した特性を計算する。次にフィルタ材をセン
トする。計算結果に基づきフィルタ描画手段34により
フィルタを作成する。新フィルタによりチップ中心部の
パターン像を検知すれば、最適な状態でパターン検出を
極めて短時間に行うことができる。[Operation] Using the Fourier imaging optical system 33, the light distribution at the filter position is detected, and the Fourier image of the pattern at the center of the chip is detected. The detection signal is subjected to arithmetic processing to calculate characteristics suitable for a cutoff filter. Next, add the filter material. A filter is created by the filter drawing means 34 based on the calculation result. By detecting the pattern image at the center of the chip using the new filter, pattern detection can be performed in an extremely short time under optimal conditions.
[実施例]
第2図・第3図は本発明の実施例として、チップ中心部
検査系についてICチップパターンを検査する装置の構
成概略図で、第2図はフーリエ像結像光学系を使用する
フィルタ特性の演算時を示す図、第3図は本発明による
フィルタ描画時を示す図である。第2図において、■は
レーザ光源、11はウェーハサンプル、12は試料台、
13は光線エクスパンダ、14はチップの周辺部・中心
部の分割シャッタ、15はビームスプリンタ、16はフ
ーリエ変換レンズ、17は逆フーリエ変換レンズ、18
はフィルタ、19は結像レンズ、33はフーリエ像結像
光学系を全体的に示す。ウェーハサンプル11に対しレ
ーザ光源1からの光をビームスプリッタ15で一度反射
させ、分割シャッタ14を介して照射する。反射光を再
びビームスプリンタ15を介してフーリエ変換レンズ1
6に入射させる。フーリエ変換レンズ16を使用するこ
とによりフィルタ18の位置がフーリエ変換面となるの
で、そこに光遮断フィルタを置けばウェーハ11の正常
パターンによる回折像は遮蔽される。それに対し欠陥に
よる回折像は広範囲に拡散されてフィルタにより完全に
遮蔽されることはない。透過光を逆フーリエ変換レンズ
I7により逆変換し、結像レンズ19により結像させる
と欠陥像のみが得られて、欠陥の位置が検出できる。[Example] Figures 2 and 3 are schematic diagrams of the configuration of an apparatus for inspecting IC chip patterns using a chip center inspection system as an embodiment of the present invention, and Figure 2 uses a Fourier image forming optical system. FIG. 3 is a diagram showing the time of filter drawing according to the present invention. In Fig. 2, ■ is a laser light source, 11 is a wafer sample, 12 is a sample stage,
13 is a light beam expander, 14 is a dividing shutter for the peripheral and central parts of the chip, 15 is a beam splinter, 16 is a Fourier transform lens, 17 is an inverse Fourier transform lens, 18
19 is a filter, 19 is an imaging lens, and 33 is a Fourier image imaging optical system. The light from the laser light source 1 is reflected once by the beam splitter 15 and irradiated onto the wafer sample 11 through the split shutter 14 . The reflected light is passed through the beam splinter 15 again to the Fourier transform lens 1
6. By using the Fourier transform lens 16, the position of the filter 18 becomes the Fourier transform plane, so if a light blocking filter is placed there, the diffraction image of the normal pattern of the wafer 11 will be blocked. On the other hand, the diffraction image due to the defect is diffused over a wide range and is not completely blocked by the filter. When the transmitted light is inversely transformed by the inverse Fourier transform lens I7 and imaged by the imaging lens 19, only a defect image is obtained, and the position of the defect can be detected.
本発明では、その以前にフィルタ18が示すフーリエ面
の光分布を可動エリアセンサ41により検出して、第3
図に示す中央処理装置CPU42によりフィルタパター
ンを計算して格納する。第3図ハフィルタwi画手段3
4などについて示す図で、第2図のフーリエ像結像光学
系33の位置には、新フィルタによるウェーハ検査用光
学系35が入れ換わっている。第3図において19は新
フィルタを示し、破線の位置で後述するようにフィルタ
描画を行い、次いでハンチングを施した実線位置でウェ
ーハパターンの検査を行う。42は中央処理装置CPU
、43は第2レーザ光源、44はシャッタ、45は回転
ミラーを示す。フィルタ19はホトクロミンクガラスで
構成することが好適である。ここでホトクロミックガラ
スとは、光エネルギーと化学エネルギーとの間で光可逆
変色現象を起こすガラスであって、下記の一般式に示す
特性を存する。In the present invention, before that, the light distribution on the Fourier plane indicated by the filter 18 is detected by the movable area sensor 41, and the third
A filter pattern is calculated and stored by the central processing unit CPU42 shown in the figure. Fig. 3 H filter wi image means 3
4, the position of the Fourier image forming optical system 33 in FIG. 2 has been replaced with a wafer inspection optical system 35 using a new filter. In FIG. 3, reference numeral 19 indicates a new filter, and the filter is drawn as described later at the position of the broken line, and then the wafer pattern is inspected at the position of the solid line where hunting is performed. 42 is the central processing unit CPU
, 43 is a second laser light source, 44 is a shutter, and 45 is a rotating mirror. Preferably, the filter 19 is made of photochromic glass. Here, photochromic glass is a glass that causes a photoreversible color change phenomenon between light energy and chemical energy, and has the characteristics shown in the following general formula.
ここで、λは波長を示し、λ1〈λ2である。この時、
左辺では短波長部分が吸収され、右辺では長波−長部分
が吸収される。−触に左辺部分は紫外光領域の吸収とな
り、右辺部分は可視光領域の吸収となる。左から右への
変化は、光化学反応と言われ着色過程であり、その反応
は速い。逆に右から左への変化は退色過程であり、一般
に反応が遅い。Here, λ indicates the wavelength, and λ1<λ2. At this time,
The short wavelength portion is absorbed on the left side, and the long wavelength portion is absorbed on the right side. - The left side part absorbs ultraviolet light, and the right side part absorbs visible light. The change from left to right is a coloring process called a photochemical reaction, and the reaction is fast. Conversely, the change from right to left is a fading process and is generally a slow reaction.
退色は随時進むが、成る波長の光を照射するまで着色が
安定な場合もある。そのため、この性質を有するガラス
を使用して遮断フィルタを作成すれば、ウェーハのIC
チップパターンを検査している間は、同一特性の遮断フ
ィルタ特性を維持することができる。そして他種のチ・
ノブパターンに対し適用するために、特性を変更するこ
とも容易にできる。Discoloration progresses over time, but in some cases the coloring remains stable until irradiation with light of a certain wavelength. Therefore, if a cutoff filter is made using glass with this property, ICs on the wafer can be
The same blocking filter characteristics can be maintained while inspecting the chip pattern. and other species of chi.
Characteristics can also be easily modified to apply to knob patterns.
前記の処理により中央処理装置42に格納されたデータ
を使用してシャッタ44の動きを制御すれば、第2レー
ザ光源43からの光は回転ミラー45を介してフィルタ
19において所定の特性が得られるように描画がなされ
る。By controlling the movement of the shutter 44 using the data stored in the central processing unit 42 through the processing described above, the light from the second laser light source 43 passes through the rotating mirror 45 to the filter 19 to obtain predetermined characteristics. The drawing is done as follows.
第4図は第2図・第3図の以上の動作についてのフロー
チャートである。第4図においては、−旦描画したフィ
ルタを用いてパターン検知を行って、得られた信号を演
算処理によりフーリエ変換し、再度フィルタを作成する
ことで、フィルタを最適化処理を行い、この動作を繰り
返すことにより、より実際のパターンに適合したフィル
タが得られることを示している。またフィルタ描画系を
セントするステップの横に示す図は光強度と作成するフ
ィルタパターンとの関係を示している。FIG. 4 is a flowchart for the above operations shown in FIGS. 2 and 3. In Figure 4, pattern detection is performed using the previously drawn filter, the obtained signal is Fourier-transformed through arithmetic processing, and the filter is optimized by creating the filter again. It is shown that by repeating , a filter that is more suitable for the actual pattern can be obtained. Furthermore, the diagram shown next to the step of centering the filter drawing system shows the relationship between the light intensity and the filter pattern to be created.
更に第5図はICチップの周辺部検査系を含めた装置の
斜視図である。第5図において、第1図乃至第3図と同
一符号は同様のものを示す。4647は周辺部検査用カ
メラを示し、それらは同じカメラを2個並列させ異なる
チップについて撮像するものである。48はカメラコン
トローラを示し、ウェーハ11上のチップについて周辺
部・中心部を撮像するカメラと分割シャッタ14との動
きを制御する。Furthermore, FIG. 5 is a perspective view of the apparatus including an IC chip peripheral inspection system. In FIG. 5, the same reference numerals as in FIGS. 1 to 3 indicate the same parts. Reference numeral 4647 indicates a peripheral inspection camera, in which two identical cameras are arranged in parallel to take images of different chips. Reference numeral 48 denotes a camera controller, which controls the movement of the camera that images the peripheral and central parts of the chips on the wafer 11 and the divided shutter 14 .
[発明の効果]
このようにして本発明によると、ICチップのパターン
を中心部と周辺部とに分けて検出する装置において、中
心部検査を特性最適化できる光遮断フィルタを使用して
行うから、ウェーハ上の全チップパターンを短時間で全
数検査することが容易にできる。そして特性が良好のた
め検査結果が高分解能である。また光遮断フィルタとし
て、光可逆変色現象を起こす材質を使用すると、種類の
異なるチップパターンについて検査をすることが容易に
出来る。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, in an apparatus that detects the pattern of an IC chip by dividing it into the center and the periphery, the center inspection is performed using a light blocking filter whose characteristics can be optimized. , all chip patterns on a wafer can be easily inspected in a short time. Since the characteristics are good, the inspection results have high resolution. Furthermore, if a material that causes a photoreversible color change phenomenon is used as the light blocking filter, it is possible to easily inspect different types of chip patterns.
第1図は本発明の原理構成を示す図、
第2図・第3図は本発明の実施例として装置の構成を示
す概略図、
第4図は第2図・第3図の動作フローチャート、第5図
はicチノンプの中心部・周辺部の検査装置の斜視図、
第6図はウェーハとチップについての説明図、第7図は
光遮断フィルタ光学系の構成を示す図、第8図はディジ
タル画像処理を説明するための図である。
1・−レーザ光源
11−ウェーハサンプル
19−・−フィルタ
31−チップ周辺部検査系
32−チップ中心部検査系
33−フーリエ像結像光学系
34−フィルタ描画手段FIG. 1 is a diagram showing the principle configuration of the present invention, FIGS. 2 and 3 are schematic diagrams showing the configuration of an apparatus as an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is an operation flowchart of FIGS. 2 and 3. Figure 5 is a perspective view of the inspection device for the center and peripheral parts of the IC chinon pump, Figure 6 is an explanatory diagram of the wafer and chip, Figure 7 is a diagram showing the configuration of the light blocking filter optical system, and Figure 8 is FIG. 3 is a diagram for explaining digital image processing. 1.-Laser light source 11-Wafer sample 19--Filter 31-Chip peripheral inspection system 32-Chip center inspection system 33-Fourier image forming optical system 34-Filter drawing means
Claims (1)
心部とに分割して各別に検査するチップ周辺部検査系(
31)と、チップ中心部検査系(32)とを具備し、前
者はパターン像についてディジタル画像処理を行って検
査し、後者はパターンの像を光学的に結像させてフィル
タリング処理を行って検査するウェーハパターン検査装
置において、 前記チップ中心部検査系(32)には、光学的フィルタ
リング処理フィルタをフーリエ像結像光学系(33)の
検知信号により描画する手段(34)を具備すること を特徴とするパターン検査装置。 II、ウェーハ上のICチップをチップ周辺部とチップ
中心部とに分割して各別に検査するチップ周辺部検査系
(31)と、チップ中心部検査系(32)とを具備し、
前者はパターン像についてディジタル画像処理を行って
検査し、後者はパターンの像を光学的に結像させてフィ
ルタリング処理を行って検査するウェーハパターン検査
装置に使用するフィルタにおいて、 前記チップ中心部検査系(32)に具備した光学的フィ
ルタリング処理フィルタを、フーリエ像結像光学系(3
3)の検知信号により描画する手段(34)により描画
し、次いでウェーハ検査用光学系のパターン検知信号を
前記描画手段(34)によりフィルタに再度描画してフ
ィルタパターンの最適化を行うこと を特徴とするパターン検査装置に使用するフィルタの最
適化方法。[Claims] I. A chip peripheral inspection system that divides an IC chip on a wafer into a chip peripheral area and a chip central area and inspects each separately (
31) and a chip center inspection system (32), the former performs digital image processing on the pattern image for inspection, and the latter optically forms the pattern image and performs filtering processing for inspection. In the wafer pattern inspection apparatus, the chip center inspection system (32) is equipped with means (34) for drawing an optical filtering filter using a detection signal from a Fourier image forming optical system (33). Pattern inspection equipment. II. A chip peripheral part inspection system (31) and a chip center part inspection system (32) for dividing an IC chip on a wafer into a chip peripheral part and a chip central part and inspecting each part separately;
In the filter used in a wafer pattern inspection apparatus, the former performs digital image processing on a pattern image for inspection, and the latter performs an inspection by optically forming a pattern image and performs filtering processing. The optical filtering filter provided in (32) is connected to the Fourier image forming optical system (32).
The filter pattern is optimized by drawing by the drawing means (34) using the detection signal of 3), and then drawing the pattern detection signal of the wafer inspection optical system on the filter again by the drawing means (34). Optimization method for filters used in pattern inspection equipment.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32985688A JPH02174243A (en) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | Pattern inspection device and optimization of filter used |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32985688A JPH02174243A (en) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | Pattern inspection device and optimization of filter used |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02174243A true JPH02174243A (en) | 1990-07-05 |
Family
ID=18226000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32985688A Pending JPH02174243A (en) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | Pattern inspection device and optimization of filter used |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02174243A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012043058A1 (en) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Inspection device, inspection method, and program |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP32985688A patent/JPH02174243A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012043058A1 (en) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Inspection device, inspection method, and program |
JP2012073097A (en) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Hitachi High-Technologies Corp | Inspection device, inspection method, and program |
US8629979B2 (en) | 2010-09-28 | 2014-01-14 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspection system, inspection method, and program |
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