JPH0215364Y2 - - Google Patents
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- JPH0215364Y2 JPH0215364Y2 JP15772384U JP15772384U JPH0215364Y2 JP H0215364 Y2 JPH0215364 Y2 JP H0215364Y2 JP 15772384 U JP15772384 U JP 15772384U JP 15772384 U JP15772384 U JP 15772384U JP H0215364 Y2 JPH0215364 Y2 JP H0215364Y2
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- short
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- conductor
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Description
【考案の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本考案はマイクロ波回路の方向性結合器を構成
する位相反転形ハイブリツドリングに関する。[Detailed Description of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a phase-inversion type hybrid ring constituting a directional coupler for a microwave circuit.
(従来技術)
従来の位相反転形ハイブリツドリングは第2図
に示す如く、結合線路を用いて逆相変成器を構成
させた部分を含む対応裏面のアース板の部分A
(斜線にて示した部分)を剥離させて広帯域化を
図つたものがある。(Prior Art) As shown in Fig. 2, a conventional phase-inversion type hybrid ring has a part A of the ground plate on the corresponding back side, which includes a part in which a reverse-phase transformer is constructed using coupled lines.
Some devices have been designed to widen the band by peeling off the shaded portion.
第2図は基板の部品面のマイクロストリツプラ
インのパターンを示しており、黒丸部分は両面短
絡導体を示している。 FIG. 2 shows the microstrip line pattern on the component side of the board, and the black circles indicate double-sided shorting conductors.
一般に、位相反転形ハイブリツドリングは、挿
入損、アイソレーシヨン、分配特性を広帯域にす
るために方向性結合器のZeven/Zodd値を大き
くする必要がある。ここでZeven,Zoddは偶、
奇直交モードのインピーダンスである。このた
め、第2図に示す従来例ではさらに広帯域化する
ためには、マイクロストリツプラインの結合線路
構成分部a,b間の間隙を狭くすること、裏面の
アース面の剥離部分幅を大きくすることが必要に
なる。しかし前者は製作精度上限界があり、後者
は他の特性インピーダンスをみだすことになり限
界がある問題があつた。 Generally, in a phase-inversion type hybrid ring, it is necessary to increase the Zeven/Zodd value of the directional coupler in order to widen the insertion loss, isolation, and distribution characteristics. Here Zeven and Zodd are even,
This is the impedance of the odd orthogonal mode. Therefore, in the conventional example shown in Fig. 2, in order to further widen the band, it is necessary to narrow the gap between the coupled line components a and b of the microstrip line, and to increase the width of the peeled part of the ground plane on the back side. It becomes necessary to do so. However, the former has a limit in terms of manufacturing accuracy, and the latter has a problem in that it causes other characteristic impedances to be exposed.
(考案の目的)
本考案は上記にかんがみなされたもので、簡単
な構成で上記の問題を解消した位相反転形ハイブ
リツドリングを提供することを目的とする。(Purpose of the invention) The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a phase-inversion type hybrid ring that solves the above problems with a simple configuration.
(考案の実施例) 以下、本考案を実施例により説明する。(Example of idea) The present invention will be explained below with reference to examples.
第1図aおよびbは本考案の一実施例を示す平
面図および断面図である。 Figures 1a and 1b are a plan view and a sectional view showing an embodiment of the present invention.
第1図において1は高誘電率の基板であり、第
1図aにおいてはその表示は省略してある。基板
1の一方の面にアースを形成する銅箔2が固着し
てある。基板1の他方の面上には銅箔2と協働し
て位相反転形ハイブリツドリングを構成するマイ
クロストリツプライン3が固着してある。マイク
ロストリツプライン3は一方の短辺と該一方の短
辺に対する長辺との間の導体箔を剥離して、スタ
ブ3Aを形成し、スタブ3Aの前記長辺側先端部
は両面短絡導体4Aで銅箔2と短絡して、第1の
シヨートスタブを形成している。第1のシヨート
スタブは逆相変圧器を構成する一方の結合線路で
ある。 In FIG. 1, 1 is a high dielectric constant substrate, and its representation is omitted in FIG. 1a. A copper foil 2 forming a ground is fixed to one surface of the substrate 1. On the other side of the substrate 1, a microstrip line 3 is fixed, which cooperates with the copper foil 2 to form a phase-inverted hybrid ring. The microstrip line 3 is formed by peeling off the conductor foil between one short side and the long side corresponding to the one short side to form a stub 3A, and the tip of the long side of the stub 3A is a double-sided short-circuited conductor 4A. It is short-circuited with the copper foil 2 to form a first short stub. The first short stub is one coupling line that constitutes a reverse phase transformer.
一方、銅箔2の第1図aに示すほぼコの字の斜
線部2Bを剥離して、スタブ3Aに対応するスタ
ブ2Aを形成し、スタブ2Aはマイクロストリツ
プライン3の前記長辺と両面短絡導体4Bによつ
て短絡して、第2のシヨートスタブを形成してい
る。第2のシヨートスタブは逆相変圧器を構成す
る他方の結合線路であり、第1および第2のシヨ
ートスタブにより逆相変圧器を構成している。 On the other hand, the approximately U-shaped oblique line part 2B shown in FIG. A second short-circuited stub is formed by short-circuiting with a short-circuiting conductor 4B. The second short stub is the other coupled line constituting the reverse phase transformer, and the first and second short stubs constitute the reverse phase transformer.
上記の如く構成された本考案の一実施例におい
て、スタブ3Aと両面短絡導体4Aとからなる第
1のシヨートスタブと、スタブ2Aと両面短絡導
体4Bとからなる第2のシヨートスタブとは、基
板1をはさんで結合され、逆相変圧器が形成され
ることになる。 In one embodiment of the present invention configured as described above, the first short stub consisting of the stub 3A and the double-sided short-circuited conductor 4A, and the second short-circuited stub consisting of the stub 2A and the double-sided shorted conductor 4B, They will be joined together to form an anti-phase transformer.
この結果、基板1が方向性結合器を構成する結
合線路間の間隙となり、その間隙を広げることも
でき、その厚さを十分管理することもできる。 As a result, the substrate 1 becomes a gap between the coupling lines constituting the directional coupler, and the gap can be widened and its thickness can be sufficiently controlled.
(考案の効果)
以上説明した如く本考案によれば基板の厚さを
設定することによつて、挿入損、アイソレーシヨ
ン、分配特性を広帯域にすることができ、
Zeven/Zoddを高くすることができる。(Effects of the invention) As explained above, according to the invention, by setting the thickness of the substrate, insertion loss, isolation, and distribution characteristics can be made broadband.
You can increase Zeven/Zodd.
第1図aおよびbは本考案の一実施例を示す平
面図および−断面図、第2図は従来の位相反
転形ハイブリツドリングを示す平面図。
1……基板、2……銅箔、3……マイクロスト
リツプライン、2Aおよび3A……スタブ。
1A and 1B are a plan view and a sectional view showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing a conventional phase-inverting hybrid ring. 1... Board, 2... Copper foil, 3... Microstrip line, 2A and 3A... Stub.
Claims (1)
表面側に固着されたハイブリツドリングの一方の
短辺と該一方の短辺に対する長辺との間の導体箔
を剥離して第1のスタブを形成し、かつ第1のス
タブの前記長辺側先端部と前記基板の裏面側に固
着されてアースを形成する導体箔とを基板を貫通
する第1の両面短絡導体で短絡して構成した第1
シヨートスタブと、前記アースを形成する導体箔
をほぼコの字状に剥離して第1のスタブに対応す
る第2のスタブを前記アースを形成する導体箔に
形成し、かつ第2のスタブの前記アースを形成す
る導体箔に直接接続されていない側先端部と前記
長辺を形成する導体箔とを基板を貫通する第2の
両面短絡導体で短絡して構成した第2シヨートス
タブとを備えたことを特徴とする位相反転形ハイ
ブリツドリング。 forming a first stub by peeling off the conductive foil between one short side of the hybrid ring formed by a microstrip line and fixed to the front side of the substrate and the long side with respect to the one short side; and a first stub configured by short-circuiting the tip of the long side of the first stub and a conductor foil fixed to the back side of the substrate to form a ground with a first double-sided shorting conductor penetrating the substrate.
A short stub and a conductive foil forming the ground are peeled off in a substantially U-shape to form a second stub corresponding to the first stub on the conductive foil forming the ground; A second short stub configured by short-circuiting the end portion of the side not directly connected to the conductor foil forming the ground and the conductor foil forming the long side with a second double-sided shorting conductor penetrating the substrate. A phase reversal hybrid ring featuring:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15772384U JPH0215364Y2 (en) | 1984-10-20 | 1984-10-20 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15772384U JPH0215364Y2 (en) | 1984-10-20 | 1984-10-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6175605U JPS6175605U (en) | 1986-05-21 |
JPH0215364Y2 true JPH0215364Y2 (en) | 1990-04-25 |
Family
ID=30715708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15772384U Expired JPH0215364Y2 (en) | 1984-10-20 | 1984-10-20 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0215364Y2 (en) |
-
1984
- 1984-10-20 JP JP15772384U patent/JPH0215364Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6175605U (en) | 1986-05-21 |
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