JPH02147923A - Light detection circuit - Google Patents

Light detection circuit

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Publication number
JPH02147923A
JPH02147923A JP63300566A JP30056688A JPH02147923A JP H02147923 A JPH02147923 A JP H02147923A JP 63300566 A JP63300566 A JP 63300566A JP 30056688 A JP30056688 A JP 30056688A JP H02147923 A JPH02147923 A JP H02147923A
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JP
Japan
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photodiode
light
radiation
scintillator
current
Prior art date
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Pending
Application number
JP63300566A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Kamimura
博 上村
Takahiro Kanamori
金森 隆裕
Shoji Kamata
蒲田 省司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP63300566A priority Critical patent/JPH02147923A/en
Publication of JPH02147923A publication Critical patent/JPH02147923A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/10Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void
    • G01J1/16Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void using electric radiation detectors
    • G01J1/1626Arrangements with two photodetectors, the signals of which are compared

Abstract

PURPOSE:To correct increase in a dark current generated by a radiation by setting a photodiode provided with a light shielding means near a photodiode for detection for detecting a scintillation light while a subtraction means is provided to output a difference between outputs of the two photodiodes. CONSTITUTION:A photodiode 1 detects a scintillation light generated with the incidence of a radiation into a scintillator 2. A photodiode 3 is shielded by a light shielding means 4 to keep the scintillation light of the scintillator 2 from being incident. Outputs of the photodiodes 1 and 2 are inputted into a subtraction means 5, an output of which 5 is made incident into a current- voltage conversion means 6. An output current of the photodiode 1 by the scintillation light can be measured as voltage value between output terminals 9 and 10.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光検出器に係り、特に、放射g環境下でシンチ
レーション光を検出するのに好適な光検出回路に関する
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a photodetector, and particularly to a photodetection circuit suitable for detecting scintillation light in a radiation g environment.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

原子力発電プラントの廃棄物ドラム缶や宇宙ロケットの
燃料タンク等の内部を非破壊で検査するため、T線源や
加速器を用いたCT装置の開発が進んでいる。c−r装
置では、検査する物体を通過した放射線をシンチレータ
で光に変換し、フ第1・ダイオードで検出することが考
えられている。
CT equipment using T-ray sources and accelerators is being developed in order to non-destructively inspect the insides of waste drums of nuclear power plants, fuel tanks of space rockets, etc. In the CR apparatus, it is considered that radiation passing through the object to be inspected is converted into light by a scintillator, and detected by a first diode.

フォトダイオードにはシンチレータから検出すべき光の
他に、放射線も入射する。従って、検査体がドラム缶や
燃料タンク等の大きな物体となる産業用CT装置におい
ては、−回の検査光たりにフォトダイオードに照射され
る放射線量は非常に多く、放射線によるフォトダイオー
ドの特性劣化が測定の精度を悪化させる恐れがある。
In addition to the light to be detected from the scintillator, radiation also enters the photodiode. Therefore, in industrial CT systems where the object to be inspected is a large object such as a drum can or fuel tank, the amount of radiation irradiated to the photodiode per - times of inspection light is extremely large, and the characteristics of the photodiode may deteriorate due to radiation. There is a risk of deteriorating measurement accuracy.

フォトダイオードの放射線による特性の劣化はアイ・イ
ー・イー・イー、トランザクション オン ニュークリ
ア サイエンス、エヌエス32.6、(19135年)
第4453頁から4460頁(IEEETransac
tions on Nuclear 5aience、
Vol、N5−32゜No、6. (1985)pp4
453−4460)等において論じられている。放射線
の照射によりフォトダイオードの特性パラメータは変化
する。主要なパラメータとして、感度特性、静電容量、
暗電流が挙げられる。
Deterioration of photodiode characteristics due to radiation is described by IE, Transactions on Nuclear Science, NS 32.6, (19135).
Pages 4453 to 4460 (IEEE Transac
tions on Nuclear 5aience,
Vol, N5-32°No, 6. (1985) pp4
453-4460) and others. The characteristic parameters of the photodiode change due to radiation irradiation. The main parameters are sensitivity characteristics, capacitance,
One example is dark current.

感度特性と静電容量は集積線量10’radまで特性は
殆ど変化しないが、暗電流は二指も増加する。
Although the sensitivity characteristics and capacitance hardly change up to an integrated dose of 10'rad, the dark current increases by two fingers.

シンチレータの発光波長400〜600nmに感度をも
つ5i−PINフォトダイオ−1くの場合、照射前、数
十ピコアンペアの暗電流が108rad照射後には、数
ナノアンペアに増加する。CT′!A[ではフォトダイ
オードを電流出力で使用するため、暗電流の増加は測定
誤差につながる。
In the case of a 5i-PIN photodiode sensitive to the scintillator's emission wavelength of 400 to 600 nm, a dark current of several tens of picoamperes before irradiation increases to several nanoamperes after irradiation of 108 rad. CT'! In A[, since the photodiode is used for current output, an increase in dark current leads to measurement errors.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

このようなフォトダイオードの特性劣化は、医療用のC
T装置では、検査体が人間であり放射線量も少ないため
問題にならなかった。しかし、太線量の放射線を用いる
産業用CT装置では使用時のフォトダイオードの集積線
量が107〜10’radに達するため、暗電流の増加
による測定誤差は大きな問題である。
This kind of photodiode characteristic deterioration is caused by medical C
With the T device, this was not a problem because the subject being tested was a human and the radiation dose was low. However, in an industrial CT apparatus that uses a large dose of radiation, the integrated dose of a photodiode during use reaches 107 to 10'rad, so measurement errors due to an increase in dark current are a big problem.

本発明の目的は、放射線によりフォトダイオードの暗電
流が増加しても、測定精度を悪化させることなく、シン
チレーション光によるフォトダイオードの出力電流を測
定できる光検出回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a photodetection circuit that can measure the output current of a photodiode due to scintillation light without deteriorating measurement accuracy even if the dark current of the photodiode increases due to radiation.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記目的は、シンチレーション光を検出する検出用フォ
トダイオードの近傍に、フォトダイオードと特性が等し
く、かつ、遮光手段を設けたフォトダイオードを設置し
、二つのフォトダイオードの出力の差を出力する引き算
手段を設けることにより達成される。
The above purpose is to install a photodiode having the same characteristics as the photodiode and provided with a light shielding means in the vicinity of a detection photodiode that detects scintillation light, and to provide a subtraction means for outputting the difference between the outputs of the two photodiodes. This is achieved by providing

〔作用〕[Effect]

シンチレーション光を検出する検出用フォトダイオード
の出力電流はシンチレーション光による光電流と暗電流
の和であるが、遮光手段をもつフォトダイオードはシン
チレーション光が入射しないため、その出力電流は暗電
流に等しい。二つのフォトダイオードの放射線による特
性の劣化度合い、即ち、暗電流の増加量は等しく、引き
算手段で二つのフォトダイオードの出力電流の差をとる
ことにより、正確なシンチレーション光による光電流値
を求めることが出来る。
The output current of a detection photodiode that detects scintillation light is the sum of the photocurrent due to scintillation light and dark current, but since scintillation light does not enter a photodiode with a light shielding means, its output current is equal to the dark current. The degree of deterioration of the characteristics of the two photodiodes due to radiation, that is, the amount of increase in dark current, is the same, and by subtracting the difference between the output currents of the two photodiodes, an accurate photocurrent value due to scintillation light can be determined. I can do it.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。フォ
トダイオード1はシンチレータ2に放射線が入射して発
生するシンチレーション光を検出する。もちろん、シン
チレータ2とフォトダイオード1には周囲の光が入射し
ないような手段を設けである。(省略)フォトダイオー
ド3はシンチレータ2のシンチレーション光が入射しな
いように遮光手段4で遮蔽しである。フォトダイオード
1と2の出力は引き算手段5に入力され、引き算手段5
の出力は電流・電圧変換手段6に入力される。シンチレ
ーション光によるフォトダイオード1の出力電流は出力
端子9と10の間の電圧値として計測出来る。電流・電
圧変換手段6は○Pアンプ7と抵抗8で構成される。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. Photodiode 1 detects scintillation light generated when radiation is incident on scintillator 2 . Of course, means is provided to prevent ambient light from entering the scintillator 2 and photodiode 1. (Omitted) The photodiode 3 is shielded by a light shielding means 4 to prevent the scintillation light from the scintillator 2 from entering. The outputs of the photodiodes 1 and 2 are input to the subtraction means 5;
The output is input to the current/voltage conversion means 6. The output current of the photodiode 1 due to scintillation light can be measured as a voltage value between output terminals 9 and 10. The current/voltage conversion means 6 is composed of a P amplifier 7 and a resistor 8.

次に、本発明の詳細な説明する。フォトダイオード]は
シンチレータ2から出力されるシンチレーション光を受
光すると電流11を出力する。電流11にはシンチレー
ション光を受光したことにより発生した光電流ioとフ
ォトダイオード1の暗電流iniを含んでいる1 即ち、 i l= i o+ i l)1          
  −(1)フ第1・ダイオード3は遮光手段4で遮光
されているから、シンチレーション光を受光することは
ない。従って、その出力電流17はフォトダイオード3
の暗電流iozに等しい。
Next, the present invention will be explained in detail. When the photodiode] receives scintillation light output from the scintillator 2, it outputs a current 11. The current 11 includes a photocurrent io generated by receiving scintillation light and a dark current ini of the photodiode 1 (i l = i o + i l) 1
-(1) Since the first diode 3 is shielded from light by the light shielding means 4, it does not receive scintillation light. Therefore, the output current 17 is the photodiode 3
is equal to the dark current ioz.

□z=lDZ               ・・・(
2)フォトダイオード1とフォトダイオード3は近接さ
せて設置しであるから、環境から浴びる放射線の量は等
しい。フォトダイオードの暗電流の増加量はフォトダイ
オードの浴びた放射線の量に依存する。従って、放射線
環境下で本実施例を使用していると、暗電流ioxとi
Dzは次第に増加する。
□z=LDZ...(
2) Since photodiode 1 and photodiode 3 are installed close to each other, the amount of radiation they receive from the environment is equal. The amount of increase in the dark current of the photodiode depends on the amount of radiation to which the photodiode is exposed. Therefore, when this embodiment is used in a radiation environment, the dark current iox and i
Dz gradually increases.

フォトダイオード】−とフォトダイオード3は特性の同
じものを使用する。本実施例では同一メーカ、同一型式
でかつ製造ロット番号の同じフォトダイオードを使用す
る。製造ロットが異なると特性に違いが生じやすいので
、注意を要する。
Photodiode]- and photodiode 3 are used with the same characteristics. In this embodiment, photodiodes of the same manufacturer, model, and production lot number are used. Care must be taken as characteristics tend to vary between different manufacturing lots.

フォトダイオード1とフォトダイオード3の放射線によ
る劣化特性が等しいため、暗電流i旧とlDzはフォト
ダイオードの浴びた放射線量にかかわらず等しい。
Since the photodiode 1 and the photodiode 3 have the same deterioration characteristics due to radiation, the dark currents i old and lDz are equal regardless of the radiation dose to which the photodiode is exposed.

l ot= l oz               
−(3)フォトダイオード1とフォトダイオード3の出
力は引き算手段5に入力される。本実施例では引き算手
段5は、単なる結線である。フォトダイオード1の出力
電流11とフォトダイオード3の出力電流12は、引き
算手段5から見て、逆方向に流れる。従って、引き算手
段5の出力電流13は、lit”11 1□     
       ・・・(4)従って、(1)、(2)、
(3)式を(4)式に代入すると、13=io    
            ・・・(5)となり、引き算
手段5の出力i3は、常に、シンチレータ2のシンチレ
ーション光をフォトダイオ−1−1が検出した光電流i
oに等しい。
lot= l oz
(3) The outputs of photodiode 1 and photodiode 3 are input to subtraction means 5. In this embodiment, the subtraction means 5 is simply a wire connection. The output current 11 of the photodiode 1 and the output current 12 of the photodiode 3 flow in opposite directions when viewed from the subtraction means 5. Therefore, the output current 13 of the subtraction means 5 is lit"11 1□
...(4) Therefore, (1), (2),
Substituting equation (3) into equation (4), 13=io
...(5), and the output i3 of the subtraction means 5 is always the photocurrent i when the photodiode 1-1 detects the scintillation light from the scintillator 2.
Equal to o.

引き算手段5の出力電流i3は電流・電圧変換手段6に
入力される6電流・電圧変換手段6は良く使用されるO
Pアンプを用いた。電源は本図では省縮した。抵抗8の
値をR1とすると、電流・電圧変換手段6の出力端子9
と10間に出力される出力電圧Vは。
The output current i3 of the subtraction means 5 is input to the current/voltage conversion means 6.The current/voltage conversion means 6 is often used.
A P amplifier was used. The power supply is omitted in this diagram. If the value of the resistor 8 is R1, the output terminal 9 of the current/voltage conversion means 6
The output voltage V output between and 10 is.

V =  i a X Rt −i oX R1・=(6) となり、光電流ioを電圧に変換し増幅した電圧が得ら
れる。OPアンプ7はバイアス電流を出来るだけ小さく
するため、FET入力のものを使用する。
V=iaXRt-ioXR1.=(6) The photocurrent io is converted into a voltage and an amplified voltage is obtained. For the OP amplifier 7, an FET input type is used in order to reduce the bias current as much as possible.

なお、フォトダイオード1とフォトダイオード3は応答
特性を向上するため、逆バイアスが掛けられている。引
き算手段5の出力、即ち、OPアンプ7のマイナス入力
と、OPアンプ7のプラス入力はイマジナリショートの
状態にあるから、マイナス入力の電位はアース電位であ
る。このため、フォトダイオード1.フォトダイオード
3ともに、逆バイアス電圧Vがかかることになる。逆バ
イアス電圧をかける場合、本実施例のようにフォトダイ
オード1とフォトダイオード3に同電圧をかける事が重
要である。電圧が異なるとフォトダイオードの放射線に
よる特性劣化度合いが異なり、バイアスの電流にちがい
が生じる。高速応答の必要がない場合には、V=O1即
ち、バイアス電圧をかけずに使用した方が、暗電流が小
さくなる。
Note that photodiode 1 and photodiode 3 are reverse biased in order to improve response characteristics. Since the output of the subtraction means 5, that is, the negative input of the OP amplifier 7 and the positive input of the OP amplifier 7 are in an imaginary short-circuit state, the potential of the negative input is the ground potential. For this reason, photodiode 1. A reverse bias voltage V is applied to both photodiodes 3. When applying a reverse bias voltage, it is important to apply the same voltage to photodiode 1 and photodiode 3 as in this embodiment. If the voltage is different, the degree of deterioration of the characteristics of the photodiode due to radiation will be different, resulting in a difference in the bias current. If high-speed response is not required, the dark current will be smaller if V=O1, that is, use without applying a bias voltage.

本実施例では、放射線による暗電流の増加を補正出来る
だけでなく、フォトダイオードの周囲温度の違いによる
暗電流の変化も補正できる。フォトダイオード1とフォ
トダイオード3は特性が揃ったものを使用しているため
、周囲温度の変化による暗電流の変化量も等しい。従っ
て、前述と同様の動作原理により、補正が可能である。
In this embodiment, it is possible to correct not only an increase in dark current due to radiation, but also a change in dark current due to a difference in the ambient temperature of the photodiode. Since the photodiodes 1 and 3 have the same characteristics, the amount of change in dark current due to changes in ambient temperature is also the same. Therefore, correction is possible using the same operating principle as described above.

なお、電流・電圧変換手段6は放射線の影響を避けるた
め遮蔽するか、放射線の影響を受けない位置に設置する
のは言うまでもない。引き算手段5は本実施例では半導
体素子を持たないため、フオドダイオード1.フォトダ
イオード3の近くでよい。引き算手段5と電流・電圧変
換手段6の間の信号は電流信号のため、ケーブルに同軸
ケーブル等を使用することにより信号が減衰する恐れは
ない。
It goes without saying that the current/voltage conversion means 6 should be shielded to avoid the effects of radiation or be installed at a location where it will not be affected by radiation. Since the subtraction means 5 does not have a semiconductor element in this embodiment, the subtraction means 5 has no semiconductor element. It may be placed near the photodiode 3. Since the signal between the subtraction means 5 and the current/voltage conversion means 6 is a current signal, there is no fear that the signal will be attenuated by using a coaxial cable or the like as the cable.

第2図に第1図の実施例のシンチレータとフォトダイオ
ードの部分の構造を示す6シンチレータ2の直後にフォ
トダイオード1を設置し、フォトダイオード1に出来る
限り近づけてフォトダイオード3を設置する。フォトダ
イオード3は遮光手段4で覆われ、前面の遮光はフォト
ダイオード1の筐体が兼ねている。
FIG. 2 shows the structure of the scintillator and photodiode portion of the embodiment shown in FIG. 1. 6 A photodiode 1 is installed immediately after the scintillator 2, and a photodiode 3 is installed as close to the photodiode 1 as possible. The photodiode 3 is covered with a light shielding means 4, and the casing of the photodiode 1 also serves as a front light shield.

本実施例によれば、放射線により生じるフォトダイオー
ドの暗電流の増加を補正でき、さらに。
According to this embodiment, it is possible to correct an increase in the dark current of the photodiode caused by radiation, and further.

温度変化によるフォトダイオードの暗電流の変化も補正
でき、正確な光電流の測定が可能となる。
Changes in the dark current of the photodiode due to temperature changes can also be corrected, making it possible to accurately measure photocurrent.

第3図はフォトダイオードの二個を一つのパッケージに
予め格納した実施例である。フォトダイオード1とフォ
トダイオード3は、予め、パッケージ】1に組み込まれ
ている。パッケージにはガラス窓12が設置してありフ
ォトダイオード1はガラス窓12を通して光を検出でき
る。放射線を検出するためには、ガラス窓]2の前面の
シンチレータを取りつける。本図に示す一体化されたフ
ォトダイオードを第1図の実施例に適用してもよい。
FIG. 3 shows an embodiment in which two photodiodes are stored in one package in advance. Photodiode 1 and photodiode 3 are assembled in package 1 in advance. A glass window 12 is installed in the package, and the photodiode 1 can detect light through the glass window 12. In order to detect radiation, a scintillator is attached to the front of the glass window]2. The integrated photodiode shown in this figure may be applied to the embodiment of FIG.

第4図に第二の実施例を示す。本実施例ではフォトダイ
オード1の出力電流ilと遮光手段4で遮光されたフォ
トダイオード3の出力電流12を。
FIG. 4 shows a second embodiment. In this embodiment, the output current il of the photodiode 1 and the output current 12 of the photodiode 3 shielded from light by the light shielding means 4.

先ず、電流・電圧変換手段6で電圧にそれぞれ変換した
後、引き算手段5で暗電流分を引き算して、真の光電流
を求める。
First, the current/voltage conversion means 6 converts each into a voltage, and then the subtraction means 5 subtracts the dark current to obtain the true photocurrent.

電流・電圧変換手段6はOPアンプ13,14゜抵抗1
6.17からなる。抵抗16と17とは同じ値をとる。
The current/voltage conversion means 6 is an OP amplifier 13, 14° resistor 1
Consists of 6.17. Resistors 16 and 17 have the same value.

引き算手段5はOPアンプ15と抵抗18.18,20
.21とからなる。本実施例では引き算手段5にゲイン
を持たせてないため、抵抗18,19,20.21はす
べて同一の抵抗値である。
The subtraction means 5 includes an OP amplifier 15 and resistors 18, 18, 20.
.. It consists of 21. In this embodiment, since the subtraction means 5 does not have a gain, the resistors 18, 19, 20.21 all have the same resistance value.

抵抗1.6.17の値をRとすると、OPアンプ13の
出力V+は、 V工=   1tXR・・・(7) 0Pアンプ14の出力■2は、 Vz=−1zX R・=(8) 11.17はそれぞれ(1)、 (2)式が成り立つか
ら、出力端子22.23間の出力電圧Vは、V=Vz−
Vt : i o X R・・・(9) となり、光電流ioに対応した出力電圧が得られる。従
って、放射線により生じるフォトダイオードの暗電流の
増加を補正でき、さらに、温度変化によるフォトダイオ
ードの暗電流の変化も補正でき、正確な光電流の測定が
可能となる。
If the value of the resistor 1.6.17 is R, the output V+ of the OP amplifier 13 is V = 1t Since equations (1) and (2) hold true for 11.17, the output voltage V between the output terminals 22 and 23 is V=Vz-
Vt: i o X R (9), and an output voltage corresponding to the photocurrent io is obtained. Therefore, an increase in the dark current of the photodiode caused by radiation can be corrected, and a change in the dark current of the photodiode due to a temperature change can also be corrected, making it possible to accurately measure the photocurrent.

第5図は本発明の第三の実施例である。本実施例はフォ
トダイオードを一個だけ使用する例である。シンチレー
タ31とフォトダイオード34の間に可動遮光体32を
設け、可動遮光体32を駆動部33で動かす。可動遮光
体32がシンチレータ31とフォトダイオード34の間
に挿入されている場合(状態1、本図実線)、フォトダ
イオード34はシンチレータ31に放射線が入射して発
生するシンチレーション光を受光することはできないた
め、フォトダイオード34の出力電流は暗電流のみであ
る。可動遮光体32がシンチレータ31とフォトダイオ
ード34の間に無い場合(状態21本図の破線)、フォ
トダイオード34はシンチレーション光を受光できる。
FIG. 5 shows a third embodiment of the present invention. This embodiment is an example in which only one photodiode is used. A movable light shield 32 is provided between the scintillator 31 and the photodiode 34, and the movable light shield 32 is moved by a drive unit 33. When the movable light shielding body 32 is inserted between the scintillator 31 and the photodiode 34 (state 1, solid line in this figure), the photodiode 34 cannot receive scintillation light generated by radiation incident on the scintillator 31. Therefore, the output current of the photodiode 34 is only a dark current. When the movable light shielding body 32 is not located between the scintillator 31 and the photodiode 34 (state 21 shown by the broken line in the figure), the photodiode 34 can receive scintillation light.

この場合のフォトダイオード34の出力は光電流と暗電
流の和である。
The output of the photodiode 34 in this case is the sum of the photocurrent and the dark current.

フォトダイオード34の出力電流は電流・電圧変換手段
35で電圧出力に変換され、状態1の時の電流・電圧変
換手段35の出力はアナログメモリ36に記憶される。
The output current of the photodiode 34 is converted into a voltage output by the current/voltage conversion means 35, and the output of the current/voltage conversion means 35 in state 1 is stored in the analog memory 36.

制御回路37は駆動部33とアナログメモリ36を同期
させて動作させる回路である。状態2、即ち、シンチレ
ーション光を測定する場合には、電流・電圧変換手段3
5の出力から状態2で記憶されたアナログメモリ36の
出力を引き算手段38で差し引く事により、出力端子3
9には光電流に対応した電圧が出力される。
The control circuit 37 is a circuit that operates the drive unit 33 and analog memory 36 in synchronization. In state 2, that is, when measuring scintillation light, the current/voltage conversion means 3
By subtracting the output of the analog memory 36 stored in the state 2 from the output of the output terminal 3 by the subtraction means 38,
At 9, a voltage corresponding to the photocurrent is output.

従って、シンチレーション光の測定の直前に、制御回路
37により、状態]、の動作を行わせ、フォトダイオー
ド34の特性劣化により増加した暗電流量をアナログメ
モリ36に記憶させておくことにより、フォトダイオー
ド34が放射線により特性の劣化をおこして暗電流が変
化しても、補正量を追従して変更することができる。
Therefore, just before measuring the scintillation light, the control circuit 37 causes the control circuit 37 to perform the operation of state], and stores the amount of dark current that has increased due to the deterioration of the characteristics of the photodiode 34 in the analog memory 36. Even if the dark current changes due to deterioration of the characteristics of 34 due to radiation, the correction amount can be changed accordingly.

従って1本実施例によっても放射線により生じるフォト
ダイオードの暗電流の増加を補正でき、正確な光電流の
測定が可能となる。
Therefore, according to this embodiment as well, it is possible to correct the increase in the dark current of the photodiode caused by radiation, and it is possible to accurately measure the photocurrent.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、シンチレーション光によるフォトダイ
オードの光出力電流を正確に測定することができる。
According to the present invention, it is possible to accurately measure the optical output current of a photodiode due to scintillation light.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図はシンチレ
ータとフォトダイオード部分の断面図、第3図はフォト
ダイオード部分の第二の実施例の断面図、第4図は本発
明の他の実施例の回路図、第5図は本発明の第三の実施
例の回路図である。 1.3・・・フォトダイオード、2,31・・・シンチ
レータ、4・・・遮光手段、5,38・・・引き算手段
、6・・・電流・電圧変換手段、7,13,14.15
・・・opアンプ、8,16〜21・・・抵抗、9,1
0・・・出力端子、11・・・パッケージ、12・・・
ガラス窓。 32・・・可動遮光体。 第 1 因 第3図 第4図 V 第2図 とt   Lz
Fig. 1 is a circuit diagram of one embodiment of the present invention, Fig. 2 is a cross-sectional view of the scintillator and photodiode portion, Fig. 3 is a cross-sectional view of the second embodiment of the photodiode portion, and Fig. 4 is the present invention. FIG. 5 is a circuit diagram of a third embodiment of the present invention. 1.3... Photodiode, 2, 31... Scintillator, 4... Light shielding means, 5, 38... Subtraction means, 6... Current/voltage conversion means, 7, 13, 14.15
...op amp, 8,16-21...resistance, 9,1
0...Output terminal, 11...Package, 12...
glass window. 32...Movable light shielding body. 1st factor Figure 3 Figure 4 V Figure 2 and t Lz

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、放射線環境下に設置する光検出回路において、光を
検出する第一のフォトダイオードと、前記第一のフォト
ダイオードの近くに設け特性が等しく、かつ、遮光手段
をもつ第二のフォトダイオードと、前記第一のフォトダ
イオードの出力信号と前記第二のフォトダイオードの出
力信号の差を出力する引き算手段とを設けたことを特徴
とする光検出回路。 2、放射線環境下に設置する光検出回路において、光を
検出するフォトダイオードと、受光面の可動遮光体を設
け、前記可動遮光体が前記フォトダイオードの受光面を
遮光しているときの出力信号を記憶する信号記憶手段と
、前記可動遮光体が前記フォトダイオードの受光面を遮
光していない時の前記フォトダイオードの出力信号から
前記信号記憶手段の出力信号を差し引いて、その演算結
果を出力する引き算手段とを設けたことを特徴とする光
検出回路。 3、特許請求項第1項において、 前記第一のフォトダイオードの受光面の前面のシンチレ
ータを設置し、放射線により前記シンチレータ内で発生
するシンチレーシヨン光を前記第一のフォトダイオード
で検出するようにした放射線検出装置。 4、特許請求項第2項において、 前記第一のフォトダイオードの受光面の前面で、前記可
動遮光体の前面にシンチレータを設置し、放射線により
前記シンチレータ内で発生するシンチレーシヨン光を前
記第一のフォトダイオードで検出するようにした放射線
検出装置。 5、二個のフォトダイオードを一つのパッケージ内に格
納し、前記パッケージは前記二個のフォトダイオードの
何れか一個のみが外部の光を受光できる透明部を設けた
ことを特徴とする光検出器。
[Claims] 1. In a photodetection circuit installed in a radiation environment, a first photodiode for detecting light is provided near the first photodiode and has the same characteristics and has a light shielding means. A photodetection circuit comprising: a second photodiode; and subtraction means for outputting a difference between an output signal of the first photodiode and an output signal of the second photodiode. 2. In a photodetection circuit installed in a radiation environment, a photodiode for detecting light and a movable light-shielding body for a light-receiving surface are provided, and an output signal is generated when the movable light-shielding body blocks light from the light-receiving surface of the photodiode. and subtracting the output signal of the signal storage means from the output signal of the photodiode when the movable light shielding body does not shield the light-receiving surface of the photodiode, and outputting the calculation result. A photodetection circuit characterized in that it is provided with subtraction means. 3. In claim 1, a scintillator is installed in front of the light-receiving surface of the first photodiode, and the first photodiode detects scintillation light generated within the scintillator by radiation. radiation detection device. 4. In claim 2, a scintillator is installed in front of the movable light shield in front of the light-receiving surface of the first photodiode, and scintillation light generated within the scintillator by radiation is transmitted to the first photodiode. A radiation detection device that uses a photodiode to detect radiation. 5. A photodetector characterized in that two photodiodes are housed in one package, and the package is provided with a transparent portion that allows only one of the two photodiodes to receive external light. .
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