JPH02104101A - Phase shifting structure - Google Patents

Phase shifting structure

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Publication number
JPH02104101A
JPH02104101A JP20660389A JP20660389A JPH02104101A JP H02104101 A JPH02104101 A JP H02104101A JP 20660389 A JP20660389 A JP 20660389A JP 20660389 A JP20660389 A JP 20660389A JP H02104101 A JPH02104101 A JP H02104101A
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JP
Japan
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waveguide
phase shift
phase
conductive
patch
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Pending
Application number
JP20660389A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kathleen Lowe
カスリーン・ロウ
Jr David D Lynch
デイビット・デイー・リンチ・ジュニア
Steve Panaretos
ステイーブ・パネアトス
Arthur Seaton
アーサー・シートン
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Raytheon Co
Original Assignee
Hughes Aircraft Co
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Publication date
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Publication of JPH02104101A publication Critical patent/JPH02104101A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/18Phase-shifters
    • H01P1/185Phase-shifters using a diode or a gas filled discharge tube

Abstract

PURPOSE: To obtain compact antenna structure with comparatively light weight by integrating a waveguide phase shifter circuit to each slot so as not to provide the effect on the operation of a waveguide having a size in the lengthwise direction and propagating electromagnetic energy. CONSTITUTION: The electromagnetic energy emitted by a plurality of parallel rectangular waveguides 11 arranged in row and column directions is emitted from an aperture end of an aperture 13 of an antenna. A waveguide antenna array 10 includes a plurality of lengthwise direction slot 15 extended along the center of each column of the waveguide 11, each slot receives a phase shifter strip 17 and each strip is controlled so as to change a phase of a radiant ray supplied by the columns of the waveguides. Then a phase shifter circuit 20 is integrated to each slot 15 of the waveguide 11 so as not to provide effects on the operation of the waveguide 11. Thus, the structure of the compact antenna with comparatively light weight is attained.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、概して、電子的に制御されたフェーズドアレ
イアンテナに関し、特に、導波管によって伝搬された電
磁エネルギを制御可能にフェーズシフトするフェーズシ
フト構造に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION OBJECTS OF THE INVENTION (INDUSTRIAL APPLICATION) The present invention relates generally to electronically controlled phased array antennas, and more particularly to electronically controlled phased array antennas capable of controlling electromagnetic energy propagated by a waveguide. Concerning a phase shift structure that shifts the phase to .

/ (従来の利用技術) フェーズドアレイアンテナは、例えば、個々の放射性素
子によって放射されたエネルギの相対位相によって制御
される方向を有する電磁放射パターンを発生する個々の
放射性素子を具備する方向性アンテナである。
/ (Conventional Application) A phased array antenna is, for example, a directional antenna comprising individual radiating elements that generates an electromagnetic radiation pattern with a direction controlled by the relative phase of the energy radiated by the individual radiating elements. be.

すなわち、フェーズドアレイの放射線は、個々の放射性
素子の相対位相を適当に変えることによって制御される
。そのような変化は、各素子によって放射された放射線
の位相を適当に変えることによって提供される。そのよ
うな制御は、ビームステアリングまたはスキャニングと
呼ばれる。
That is, the radiation of the phased array is controlled by appropriately varying the relative phase of the individual radioactive elements. Such variation is provided by suitably changing the phase of the radiation emitted by each element. Such control is called beam steering or scanning.

フェーズドアレイアンテナは、本質的に、放射性素子が
機械的に移動する機械走査式アンテナとは対照的に、放
射性素子を機械的に移動することなしにスキャニング(
すなわち、ビーム方向の変化)を提供する。フェーズド
アレイアンテナの例として、−群の平行かつ開口導波管
があり、各導波管は放射性素子である。
Phased array antennas inherently perform scanning (
i.e., a change in beam direction). An example of a phased array antenna is a group of parallel, apertured waveguides, each waveguide being a radiating element.

フェーズドアレイアンテナは、電子的スキャニングを提
供すべく、受信された電磁エネルギをフェーズシフトす
る受信アンテナを含むことが、当業者の間に知られてい
る。
It is known in the art that phased array antennas include receiving antennas that phase shift received electromagnetic energy to provide electronic scanning.

フェーズドアレイアンテナに関する前層知識は、レーダ
システムへの紹介 (Introduction  to  RadarS
ystem)、5kolnik、McGraw−Hi 
11  Company、1980.1962、Cha
pter  8に記されテイル。
Previous layer knowledge about phased array antennas can be found in Introduction to Radar Systems.
system), 5kolnik, McGraw-Hi
11 Company, 1980.1962, Cha
Tail written on pter 8.

従来のフェーズシフタは、ダイオードによってインピー
ダンスを変える構造を含む。
Conventional phase shifters include structures that change impedance with diodes.

例として、前記の5kolnikのテキストブックの2
89ページに記載された周期的ロープドラインフェーズ
シフタがあり、これは、スイッチ素子としてダイオード
を使用する。このロープドラインフェーズシフタの重要
な特徴は、サスペンスパッチ間に、ダイオードの位置を
制限する4分の1波長の間隔を要することと、多くのタ
イオードが付加的に使用されることである。さらに、ロ
ープドラインフェーズシフタは、導波管とともに使用さ
れるときはパッケージが大になることである。ダイオー
ドを使用するローデドラインフエ−ズシフタの他の例は
、RADANTシステムであり、これは、”RADAN
T : NewMethod  of  Electr
onicScann ing” 5M1c rowav
eJournal、February  1981、p
p、45−53に記載されている。
As an example, 2 of the 5kolnik textbook mentioned above.
There is a periodic roped line phase shifter described on page 89, which uses diodes as switching elements. An important feature of this roped line phase shifter is that it requires a quarter wavelength spacing between the suspension patches, which limits the position of the diodes, and that a number of additional diodes are used. Additionally, roped line phase shifters have a large package when used with waveguides. Another example of a loaded line phase shifter that uses diodes is the RADANT system, also known as the “RADANT” system.
T: New Method of Electr
onic Scanning” 5M1c rowav
eJournal, February 1981, p.
p. 45-53.

RADANTシステムの重要な特徴は、ホーンなどの給
電アンテナを必要とし、かつダイオードグリッドまたは
スクリーンが導波管の外部に位置することである。
An important feature of the RADANT system is that it requires a powered antenna, such as a horn, and that the diode grid or screen is located outside the waveguide.

導波管用ダイオードフェーズシフタは、Diode  
Phase  5hifterand  Model 
 in Waveguide”、Lester  etal、1
987 1EEE  MTT−8Digest、 pa
ges 599−602の記事に開示及びモデル化され
ている。しかしながら、このフェーズシフタは、横方向
に傾斜した構造を有する単一のダイオード回路であって
、導波管とともに使用されるときは複雑化する。
Diode phase shifter for waveguide is Diode
Phase 5hifterand Model
in Waveguide”, Lester etal, 1
987 1EEE MTT-8Digest, pa
ges 599-602. However, this phase shifter is a single diode circuit with a laterally sloped structure, which complicates it when used with waveguides.

従来のフェーズシフタは、さらに、回路素子が機械的に
移動する電気機械的フェーズシフタを含む。電気機械的
フェーズシフタの重要な特徴は、スイッチング速度が遅
く、大型重量であり、電気機械的駆動回路が複雑である
ことである。
Conventional phase shifters further include electromechanical phase shifters in which circuit elements are mechanically moved. The important characteristics of electromechanical phase shifters are slow switching speed, large weight, and complexity of the electromechanical drive circuit.

従来の他のタイプのフェーズシフタは、例えば、同軸ケ
ーブルなどの主エネルギ伝搬媒体から分離された、例え
ば、マイクロストリップなどのフェーズシフト装置を要
する。そのような分離型フェーズシフタ装置の重要な特
徴は、トランジッション、ミスマツチング、パワーロス
を含む。
Other types of conventional phase shifters require a phase shifting device, eg, a microstrip, that is separate from the main energy propagation medium, eg, a coaxial cable. Important features of such separate phase shifter devices include transitions, mismatching, and power loss.

(発明が解決しようとする課題) 前記のように、従来のフェーズドアレイアンテナは、導
波管とともに使用されるときは、いずれも複雑で、スイ
ッチング速度が遅いなどの欠点を有する。
(Problems to be Solved by the Invention) As described above, conventional phased array antennas have drawbacks such as complexity and slow switching speed when used with waveguides.

そこで、本発明は、コンパクトで高速なスイッチングを
提供するフェーズシフト構造を提供するIことを第1の
目的とする。
Therefore, a first object of the present invention is to provide a phase shift structure that is compact and provides high-speed switching.

さらに、本発明は、容易に導波管に組み込み可能で、か
つ電子的に制御されたフェーズシフト構造を提供するこ
とを第2の目的とする。
Furthermore, a second object of the present invention is to provide an electronically controlled phase shift structure that can be easily incorporated into a waveguide.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) 前記目的を達成するために、本発明は、長平方向の大き
さを有し、電磁エネルギを伝搬する導波管と、前記導波
管の内部に配設され、かつ容量的に結合されて前記導波
管によって伝搬された前記電磁エネルギの位相を変える
フェーズシフト手段とを具備する。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a waveguide having a longitudinal dimension and propagating electromagnetic energy, and a waveguide of the waveguide. phase shifting means disposed therein and capacitively coupled to change the phase of the electromagnetic energy propagated by the waveguide.

(作用) 本発明においては、フェーズシフタ回路を、導波管の動
作に影響を与えないように、導波管の個々のスロットに
組み込んでいるので、比較的軽量でコンパクトなアンテ
ナ構造を提供する。
(Operation) In the present invention, the phase shifter circuit is incorporated into each slot of the waveguide so as not to affect the operation of the waveguide, thereby providing a relatively lightweight and compact antenna structure. .

(実施例) 以下、図面を参照して、本発明のフェーズシフト構造の
一実施例を説明する。次の詳細な説明及び図面において
、同様の要素には同様の参照番号が使用される。
(Example) Hereinafter, an example of the phase shift structure of the present invention will be described with reference to the drawings. Like reference numerals are used for like elements in the following detailed description and drawings.

第1図は、行と列方向に配列された複数の平行な矩形導
波管11を有する導波管アンテナアレイ10を示す部分
切り取り斜視略図である。導波管11によって放射され
た電磁エネルギは、アンテナの開口部13からなる開口
端部から放射される。
FIG. 1 is a partially cutaway perspective schematic diagram showing a waveguide antenna array 10 having a plurality of parallel rectangular waveguides 11 arranged in rows and columns. The electromagnetic energy radiated by the waveguide 11 is radiated from the open end formed by the aperture 13 of the antenna.

導波管アンテナアレイ10は、導波管11のそれぞれの
列の中心に沿って延長する複数の長手方向スロット15
を含む。各スロットは、フェーズシフタストリップ17
を受け、各ストリップは導波管の列によって供給された
放射線の位相を変えるべく制御可能である。
Waveguide antenna array 10 includes a plurality of longitudinal slots 15 extending along the center of each row of waveguides 11.
including. Each slot has a phase shifter strip 17
each strip is controllable to change the phase of the radiation provided by the array of waveguides.

第2及び第3図において、それぞれのフェーズ、7り、
トリップ17は、例えば1つ!シャオーツからなる誘電
性平面基板19を含む。複数のシフタ回路20は、基板
19の各側面にカラム方向に固定され、基板17の一側
面のシフタ回路は他面のシフタ回路と対称でありミラー
構成となっている。さらに、シフタ回路20の構成は基
板19の中心垂線の回りに対称である。
In FIGS. 2 and 3, each phase,
Trip 17 is one example! It includes a dielectric planar substrate 19 made of a shirt. The plurality of shifter circuits 20 are fixed to each side of the substrate 19 in the column direction, and the shifter circuits on one side of the substrate 17 are symmetrical with the shifter circuits on the other side, forming a mirror configuration. Furthermore, the configuration of shifter circuit 20 is symmetrical about the center perpendicular to substrate 19.

各シフタ回路20の端部は、基板19の各側面に配設さ
れた頭部及び底部駆動パッド21及び23に接続されて
いる。頭部駆動パッド21は伝導性をもたせて共に接続
されており、かつ底部駆動パッド23も伝導性をもたせ
て共に接続されている。制御電圧が頭部及び底部駆動パ
ッド21及び23の両端に印加される。
The ends of each shifter circuit 20 are connected to top and bottom drive pads 21 and 23 located on each side of the substrate 19. Head drive pads 21 are conductively connected together, and bottom drive pads 23 are also conductively connected together. A control voltage is applied across the top and bottom drive pads 21 and 23.

各フェーズシフタロ路20は、直列に接続されたダイオ
ード/パッチ回路30を含み、各回路は、第2図に示さ
れるように、所定の導波管に関連する。各ダイオード/
パッチ回路30は、それぞれが短小で高インピーダンス
の伝導体29を介して、例えばPINダイオード等のマ
イクロ波ダイオード27のアノード及びカソードに接続
された第1及び第2の伝導性パッチ25a及び25bを
含む。
Each phase shifter path 20 includes series connected diode/patch circuits 30, each circuit associated with a given waveguide, as shown in FIG. Each diode/
Patch circuit 30 includes first and second conductive patches 25a and 25b, each connected via a short, high impedance conductor 29 to the anode and cathode of a microwave diode 27, such as a PIN diode. .

各ダイオード/パッチ回路30は、マイクロ波ダイオー
ド27のそれぞれの導通方向が同じになるように、高イ
ンピーダンスの伝導体31を介して、他のダイオード/
パッチ回路のサセプタンスパッチまたは駆動パッドに適
当に接続される。すなわち、所定のダイオード/パッチ
回路30のアノード側パッチ25aは、隣接するダイオ
ード/パッチ回路30のカソード側パッチ25bに接続
されている。図から明らかなように、各サセプタンスパ
ッチ25a及び25bは、相応の高さと幅を有し、高さ
は垂直方向であり、幅は横または水平方向である。
Each diode/patch circuit 30 is connected to another diode/patch circuit 30 via a high impedance conductor 31 so that the conduction direction of each microwave diode 27 is the same.
Suitably connected to the susceptance patch or drive pad of the patch circuit. That is, the anode patch 25a of a given diode/patch circuit 30 is connected to the cathode patch 25b of the adjacent diode/patch circuit 30. As can be seen, each susceptance patch 25a and 25b has a corresponding height and width, the height being vertical and the width being lateral or horizontal.

導波管11間の接続を少なくするために、隣接するダイ
オード/パッチ回路30の伝導性パッチ25a及び25
bを連結する高インダクタンスの伝導体31は、パッチ
に接続されたRFチョークインダクタ(図に示さず)を
端部に有する。
To reduce connections between waveguides 11, conductive patches 25a and 25 of adjacent diode/patch circuits 30
The high inductance conductor 31 connecting b has at its end an RF choke inductor (not shown) connected to the patch.

第2図に示すように、頭部のダイオード/パッチ回路3
0のアノード側伝導性パッチ25aは、高インダクタン
スの伝導体33を介して頭部駆動パッド21に接続され
ている。底部のダイオード/パッチ回路30のカソード
側サセプタンスパッチ25bは、高インダクタンスの伝
導体を介して底部駆動パッド23に接続されている。
As shown in Figure 2, the diode/patch circuit 3 in the head
The anode side conductive patch 25a of 0 is connected to the head drive pad 21 via a high inductance conductor 33. The cathode susceptance patch 25b of the bottom diode/patch circuit 30 is connected to the bottom drive pad 23 via a high inductance conductor.

第2図は、マイクロ波ダイオード27が関連するパッチ
25a、25bの間に配設されていることを示している
が、このダイオードは関連する伝導パッチの端部にも固
定可能である。
Although FIG. 2 shows that a microwave diode 27 is arranged between the associated patches 25a, 25b, this diode can also be fixed at the ends of the associated conductive patch.

フェーズシフタストリップ17によって導波管に存在す
るサセプタンスは、マイクロ波ダイオード27の順方向
バイアス及び逆方向バイアス状態によって決定される。
The susceptance present in the waveguide by phase shifter strip 17 is determined by the forward and reverse bias conditions of microwave diode 27.

マイクロ波ダイオード27が順方向にバイアスされた時
、各ダイオード/パッチ回路30の第1及び第2伝導性
バツチは伝導性をもって接続され、高サセプタンスが存
在する。
When microwave diode 27 is forward biased, the first and second conductive batches of each diode/patch circuit 30 are conductively connected and high susceptance exists.

そのような高サセプタンスはダイオード27が逆方向に
バイアスされた時の放射エネルギとは異なる位相を持つ
放射エネルギとなる。つまり、各フェーズシフタストリ
ップ17は、順方向バイアスと逆方向バイアスの2つの
状態を有し、2つの状態によって位相が異なる。フェー
ズシフタストリップに対する差分フェーズシフト量は、
伝導性パッチの寸法と、接続された伝導性パッチの実効
寸法によって制御される。差分フェーズシフトは、(1
)シフタが逆バイアスされた時に放射されるエネルギと
、(2)シフタが順バイアスされた時に放射されるエネ
ルギとの間の位相のずれを表す。
Such high susceptance results in radiated energy having a different phase than the radiated energy when diode 27 is reverse biased. That is, each phase shifter strip 17 has two states, forward bias and reverse bias, and the phase differs depending on the two states. The differential phase shift amount for the phase shifter strip is
It is controlled by the dimensions of the conductive patch and the effective dimensions of the connected conductive patch. The differential phase shift is (1
) represents the phase shift between the energy emitted when the shifter is reverse biased and (2) the energy emitted when the shifter is forward biased.

インピーダンス整合は、所定のフェーズシフタストリッ
プに各ダイオード/パッチ回路を選択的に位置合わせす
ることによって達成される。導波管のある列に対するフ
ェーズシフタストリップ間の長手方向の間隔は、フェー
ズシフタストリップ間の干渉を防ぐために十分に大きく
する必要がある。
Impedance matching is achieved by selectively aligning each diode/patch circuit to a given phase shifter strip. The longitudinal spacing between phase shifter strips for a given row of waveguides must be large enough to prevent interference between phase shifter strips.

所定のフェーズシフタストリップ17のダイオード27
は、頭部及び底部駆動パッド21及び23両端に十分な
電圧を選択的に加えることによって順バイアスされ、頭
部駆動パッド21は底部駆動パッドに対して正である。
Diode 27 of a given phase shifter strip 17
is forward biased by selectively applying sufficient voltage across the top and bottom drive pads 21 and 23, with the top drive pad 21 being positive with respect to the bottom drive pad.

この場合の電圧は、フェーズシフタのダイオード27の
順方向バイアス電圧降下の和よりも大でなければならな
い。すなわち、5つのダイオード/パッチ回路30が各
フェーズシフタ20内で直列に接続されており、かつ各
ダイオード27が1.2ボルトの順方向電圧降下がある
なら、頭部及び底部駆動端子両端の2順方向バイアス電
圧は少なくとも6ボルトでなければならない。
The voltage in this case must be greater than the sum of the forward bias voltage drops of the diodes 27 of the phase shifter. That is, if five diode/patch circuits 30 are connected in series within each phase shifter 20, and each diode 27 has a forward voltage drop of 1.2 volts, then the two across the top and bottom drive terminals The forward bias voltage must be at least 6 volts.

ダイオードが導波管伝搬エネルギ、例えば各ダイオード
に対して−5乃至−100ボルトのエネルギによって順
方向にバイアスされるのを防ぐために、十分な負の電圧
を頭部駆動パッドに印加することによって逆バイアスが
供給される。
To prevent the diodes from becoming forward biased by waveguide propagating energy, e.g., -5 to -100 volts for each diode, reverse biasing by applying a sufficient negative voltage to the head drive pad. Bias is supplied.

第3図は、導波管11の1つの断面図であり、その断面
がH字形でかつ中心に配設された平行リッジ33が長手
方向スロットの両側に対称に配設されている。対称性を
もたせるため、頭部と底部リッジ33とはミラーイメー
ジを有する。
FIG. 3 is a cross-sectional view of one of the waveguides 11, the cross-section of which is H-shaped, with centrally disposed parallel ridges 33 disposed symmetrically on either side of the longitudinal slot. For symmetry, the head and bottom ridges 33 have mirror images.

第3図に示しているように、所定の導波管11に対する
ダイオード/パッチ回路30の頭部の伝導性パッチは頭
部リッジ33に隣接しており、ダイオード/パッチ回路
の底部の伝導性パッチは底部リッジ33に隣接している
。リッジ33に対する伝導性パッチの隣接性は導波管に
対して伝導性パッチの容量性結合を提供する。
As shown in FIG. 3, the conductive patch at the top of the diode/patch circuit 30 for a given waveguide 11 is adjacent to the head ridge 33, and the conductive patch at the bottom of the diode/patch circuit is adjacent to bottom ridge 33. The adjacency of the conductive patch to the ridge 33 provides capacitive coupling of the conductive patch to the waveguide.

例として、フェーズシフタストリップ17は、個別の位
相ずれ供給されるデジタル的にスイッチングされたフェ
ーズシフタからなり、導波管の所定の列に対する各フェ
ーズシフタストリップ17は所定の差分位相ずれを提供
する。
By way of example, the phase shifter strips 17 consist of digitally switched phase shifters that are provided with individual phase shifts, with each phase shifter strip 17 for a given column of waveguides providing a predetermined differential phase shift.

各フェーズシフタストリップ17によって制御可能に引
き起こされる位相ずれの量は所望の位相ずれ増加によっ
て決定される。すなわち、11.5度の位相ずれ増加の
場合、5つのフェーズシフタが使用され、それぞれが1
1.5度を始めとする連続的に増加する位相ずれを提供
する。
The amount of phase shift controllably induced by each phase shifter strip 17 is determined by the desired phase shift increase. That is, for a phase shift increase of 11.5 degrees, 5 phase shifters are used, each with 1
Provides a continuously increasing phase shift starting at 1.5 degrees.

各フェーズシフタは次に低いフェーズシフタストリップ
の位相ずれの2倍の位相ずれを提供する。
Each phase shifter provides twice the phase shift of the next lower phase shifter strip.

この例では、フェーズシフタストリップは順番に11.
25.22.5.45.90そして180度の位相ずれ
を提供する。そのようなフェーズシフタストリップによ
って、NX11.25の位相ずれを提供する(Nは0か
ら31までの整数である)。
In this example, the phase shifter strips are sequentially 11.
25.22.5.45.90 and provides a 180 degree phase shift. Such a phase shifter strip provides a phase shift of N×11.25 (N being an integer from 0 to 31).

このような構成において、各フェーズシフタストリップ
は“ビット”と呼ばれ、適当なビットをオンすることに
よって所望の位相ずれが供給される。すなわち、例えば
、33.75度の位相ずれが11.25度のビットと2
2.5度のビ・ソトをオンすることによって供給される
In such a configuration, each phase shifter strip is called a "bit" and the desired phase shift is provided by turning on the appropriate bit. That is, for example, a bit with a phase shift of 33.75 degrees and a bit of 11.25 degrees
Provided by turning on the 2.5 degree bi-soto.

より大きい位相ずれを要する場合は、付加ビ・ソトが使
用される。例えば、5.625度のビット、!−2,8
125度のビットを使用した場合、7ビツト方式となる
が、この場合は、’2.1825度の増加が得られる。
If a larger phase shift is required, additional bi-soto is used. For example, a bit of 5.625 degrees,! -2,8
If 125 degree bits are used, a 7-bit method is used, and in this case, an increase of '2.1825 degrees is obtained.

前記のフェーズシフタストリップ17は、基本的ニ、逆
バイアスと順バイアスの2つの状aを有する。結果とし
て、いくつかのフェーズシフタストリップが、異なる位
相ずれを供給するために使用される。また、フェーズシ
フタストリップ17の各フェーズシフタ回路20が個々
に逆バイアス又は順バイアスされるように制御される。
The phase shifter strip 17 has two basic states: reverse bias and forward bias. As a result, several phase shifter strips are used to provide different phase shifts. Further, each phase shifter circuit 20 of the phase shifter strip 17 is controlled to be individually reverse biased or forward biased.

これは、例えば第4図に示しているように、各フェーズ
シフタ回路20に対して個々の頭部駆動パ・ソド21a
を供給することによって達成される。対称性を考慮した
場合、基板19の両側に、関連するミラーイメージフェ
ーズシフタ回路20のための駆動パッド21aを伝導性
をもたせて接続する方が良い。フェーズシフタストリッ
プ17の全てのフェーズシフタ回路20は、例えばアー
ス等の共通基準電圧に接続された底部駆動パッド23に
共に接続されており、個々の頭部駆動パッド21aは個
々に選択的に順バイアス電圧および逆バイアス電圧に接
続される。例えば、基板の各側面に3つのフェーズシフ
タ回路20を有するフェーズシフタストリップの場合、
8つの異なる組み合わせのサセプタンスが供給される。
For example, as shown in FIG.
This is achieved by supplying Considering symmetry, it is better to conductively connect the drive pads 21a for the associated mirror image phase shifter circuit 20 to both sides of the substrate 19. All phase shifter circuits 20 of the phase shifter strip 17 are connected together to a bottom drive pad 23 connected to a common reference voltage, e.g. ground, and the individual head drive pads 21a are individually selectively forward biased. Connected to voltage and reverse bias voltage. For example, for a phase shifter strip with three phase shifter circuits 20 on each side of the board:
Eight different combinations of susceptance are provided.

多数の順バイアス状態を有するフェーズシフタストリッ
プ17を使用した場合は、導波管の所定の列に必要なフ
ェーズシフタストリップ17の数はわずか1つでよい。
If phase shifter strips 17 with multiple forward bias states are used, only one phase shifter strip 17 is required for a given column of waveguides.

第3図において、例示された導波管11はリツ、 ジ3
3、頭部と底部とを有する矩形導波管を含むが、中央に
配設され、長手方向に延長するチャネルが容量性結合を
増大するために使用され、導電性パッチはチャネルに適
度に密接に配設されている。他方、リッジまたはチャネ
ルのない矩形導波管もまた使用され、この場合、導電パ
ッチは上方および下方導波管壁に密接に配設される。な
お、リッジまたはチャネルがない場合、調整に対する許
容度がより小さい。
In FIG. 3, the illustrated waveguide 11 is
3. Contains a rectangular waveguide with a head and a bottom, but with a centrally located, longitudinally extending channel used to increase capacitive coupling, and a conductive patch reasonably close to the channel. It is located in On the other hand, rectangular waveguides without ridges or channels are also used, in which case the conductive patches are closely arranged on the upper and lower waveguide walls. Note that the absence of ridges or channels provides less tolerance for adjustment.

フェーズシフタストリップは円形導波管とともに使用さ
れ、かつリッジまたはチャネルを強化する容量性結合と
ともにあるいはそれなしで使用される。
Phase shifter strips are used with circular waveguides and with or without capacitive coupling to strengthen the ridges or channels.

前記のフェイズドアレイアンテナは、概して放射電磁エ
ネルギの点から議論されたが、受信された電磁エネルギ
の位相をずらすためにも使用される。導波管は受信した
エネルギかまたは放射用エネルギを伝搬する。
Although phased array antennas have been discussed generally in terms of radiated electromagnetic energy, they may also be used to shift the phase of received electromagnetic energy. The waveguide propagates either received energy or radiated energy.

この場合、ダイオードパッチの特定された数及びパッチ
の寸法は、所望の位相ずれ、導波管の特性、所望のVS
WR(電圧定常波比率)を含む因数によって異なり、既
知の設計手順が特定のフェーズシフタストリップを設計
するのに適用可能である。例えば、異なる個々のダイオ
ード/パッチ回路の特性が、例えば、2ポート散乱パラ
メータを測定することによって、使用すべき導波管構造
に関して決定される。この散乱パラメータから関連する
伝送パラメータが決定され、フェーズシフタストリップ
の上に複数のダイオード/パッチ回路を設計すべく使用
される。
In this case, the specified number of diode patches and patch dimensions are determined by the desired phase shift, waveguide characteristics, desired VS
Depending on factors including WR (Voltage Standing Wave Ratio), known design procedures are applicable to design a particular phase shifter strip. For example, the characteristics of different individual diode/patch circuits are determined for the waveguide structure to be used, for example by measuring two-port scattering parameters. From this scattering parameter, relevant transmission parameters are determined and used to design multiple diode/patch circuits on top of the phase shifter strip.

そのような設計は、DPSYN15.FORTという最
適化プログラム等の最適化コンピュータプログラムの補
助によって達成されるが、このプログラムはこの説明の
終りに、LAGRANと呼ばれる3次うグランシュ関数
補間ルーチンと、サンプルインプットデータセット D
PSYN15゜DATAと、前記サンプルインプットデ
ータセットに基づいたアウトプットデータセットDPO
UT15.DATA、及びサンプルベーシックデータセ
ット KTPARM、HO40F。
Such a design is DPSYN15. This is accomplished with the aid of an optimization computer program, such as the optimization program called FORT, which will be shown at the end of this description using a cubic Grandsch function interpolation routine called LAGRAN and a sample input data set D.
PSYN15°DATA and an output data set DPO based on the sample input data set
UT15. DATA, and sample basic data set KTPARM, HO40F.

DATA、KTPARM、HO40R,DATA。DATA, KTPARM, HO40R, DATA.

KTPARM、HO5F、DATA。KTPARM, HO5F, DATA.

KTPARM、HO50R,DATA。KTPARM, HO50R, DATA.

KTPARM、HO65F、DATA。KTPARM, HO65F, DATA.

KTPARM、HO65R0DATAのリストと・とも
に記載されている。
It is listed along with the list of KTPARM and HO65R0DATA.

最適化プログラム DPSYN15.FORTは、IM
SLS Inc、(テキサス州ヒユーストン)から入手
したIMSLライブラリと呼ばれる特殊関数FORTR
ANライブラリの中にある最適化ルーチンZXSSQを
使用する。エラーレジデュアル計算サブルーチン(er
rorresidual  calculatings
ubrout 1ne)が、最適化ルーチンZXSSQ
とともに使用されなければならず、そのため、最適化プ
ログラム DPSYN15゜FORTはサブルーチンS
UBを含む。
Optimization program DPSYN15. FORT is IM
A special function FORTR called the IMSL library obtained from SLS Inc., Hyeuston, Texas.
The optimization routine ZXSSQ in the AN library is used. Error residual calculation subroutine (er
role-residual calculations
ubrout 1ne) is the optimization routine ZXSSQ
Therefore, the optimization program DPSYN15°FORT must be used with the subroutine S
Including UB.

概して、最適化プログラム DPSYN15゜FORT
によって、所定の差分位相ずれをもつフェーズシフタス
トリップに対する伝導性パッチの寸法及び間隔の初期最
適化が可能である。ベーシックデータセットに記載され
た測定されたTパラメータに基づいて、プログラムはオ
ン状態の全てのダイオードおよびオフ状態の全てのダイ
オードの電圧定常波比率(VSWR)応答と、寸法及び
間隔の最適化に対する関連する位相ずれ応答とを計算す
る。実際の全応答と所望の全応答との違いが計算され、
その違いを減少すべく最適化が調整される。違いが所定
の量以下になるまで、または反復される特定の最大数に
なるまで前記のプロセスが反復される。
In general, the optimization program DPSYN15°FORT
allows an initial optimization of the conductive patch dimensions and spacing for a phase shifter strip with a predetermined differential phase shift. Based on the measured T-parameters listed in the basic data set, the program calculates the voltage standing wave ratio (VSWR) response of all diodes in the on state and all diodes in the off state and the associated dimensions and spacing optimization. Calculate the phase shift response. The difference between the actual and desired total responses is calculated,
Optimizations are adjusted to reduce the difference. The above process is repeated until the difference is less than or equal to a predetermined amount, or until a certain maximum number of repetitions is reached.

サンプルインプットデータセット DPSYN15、D
ATAにおいて、20行は所望の差分位相ずれを示して
いる。30行は、エラーレジデュアルサブルーチン S
UBに対する最大コール数及び最適化ルーチン ZXS
SQによって使用される2つのパラメータを示している
。40行は、最適化ルーチンによって使用されるパラメ
ータを示している。
Sample input data set DPSYN15,D
In ATA, line 20 shows the desired differential phase shift. Line 30 is the error residual subroutine S
Maximum number of calls to UB and optimization routine ZXS
Two parameters used by SQ are shown. Line 40 shows the parameters used by the optimization routine.

50行は、パッチ数よりも大なる数と、所望の周波数の
数を示している。60行は、パッチ間の最小間隔及びパ
ッチの最大幅が示されている。
Line 50 shows a number greater than the number of patches and the number of desired frequencies. Line 60 shows the minimum spacing between patches and the maximum width of the patches.

70乃至130行は、最適化プログラムによって使用さ
れる初期近似を示している。
Lines 70-130 show the initial approximation used by the optimizer.

140乃至340行において、第1列は定められないが
ベーシックデータセットに示されたTパラメータに関連
する周波数に対応する所定の周波数の識別を示している
。第2列は所望のVSWRを示しているし、第3列は所
望の負の位相を示している。第4列は所望のVSWRウ
エートを示しているし、第5列は位相ずれウエートを示
している。VSWR及び位相ずれウエートは、臨界周波
数の特定化を可能にする。第6列は誘電性をもたせてロ
ードされた導波管の伝搬定数を示しているし、17列は
ロードされない伝搬定数を示している。そのような伝搬
定数は第1列によって暗に識別された周波数である。最
適化プログラムDPSYN15.FORTはまた、個々
のミラーイメージベアのダイオード/パッチ回路30に
対してTパラメータを要し、各ベアは基板の一面に第1
ダイオード/パッチ回路(2パツチと1ダイオード)と
、基板の他面に第2ダイオード/パツ千回路(2バツチ
と1ダイオード)の形のミラーイメージを具備する。そ
のようなTパラメータはベーシックデータセットに示さ
れ、その数は含まれるパッチ高さの数によって決まる。
In lines 140-340, the first column shows the identification of a predetermined frequency that is not defined but corresponds to a frequency associated with the T parameter shown in the basic data set. The second column shows the desired VSWR and the third column shows the desired negative phase. The fourth column shows the desired VSWR weights, and the fifth column shows the phase shift weights. VSWR and phase shift weights allow identification of critical frequencies. Column 6 shows the propagation constants for the dielectrically loaded waveguide, and column 17 shows the propagation constants for the unloaded waveguide. Such propagation constant is the frequency implicitly identified by the first column. Optimization program DPSYN15. FORT also requires a T parameter for each mirror image bear's diode/patch circuit 30, with each bear having a
It has a diode/patch circuit (2 patches and 1 diode) and a mirror image in the form of a second diode/patch circuit (2 patches and 1 diode) on the other side of the substrate. Such T-parameters are shown in the basic data set, the number of which depends on the number of patch heights involved.

各パッチ高さに対して、2つのベーシックデータセット
が必要となり、そのうち1つは順方向バイアス状態であ
り、他は逆方向バイアス状態である。各高さに対する2
つのベーシックデータセットは、いくつかの幅(例えば
6つの幅)に対するデータを含む。
For each patch height, two basic data sets are required, one with forward bias and the other with reverse bias. 2 for each height
One basic data set contains data for several widths (eg, six widths).

ベーシックデータセット名より下の第1行(例えば、K
TPARM、HO50F、DATAの20行)はバツチ
高さ、パッチ幅の数、周波数の数を示している。次の行
は第1パッチ幅であり、これに、3行のN群が続< (
Nは周波数の数である)。
The first line below the basic dataset name (for example, K
TPARM, HO50F, and 20 lines of DATA) indicate the patch height, the number of patch widths, and the number of frequencies. The next row is the first patch width, followed by N groups of 3 rows < (
N is the number of frequencies).

3行の各群における第1行の一番左の項目周波数識別子
(オール0の分数を有する実数、例えば、4.0000
0000)である。周波数識別子はTパラメータに関連
した実周波数を表す。各周波数識別子に続く8つの数は
4つのTパラメータの大きさ及び位相項である。
The leftmost item frequency identifier in the first row of each group of three rows (a real number with a fraction of all zeros, e.g. 4.0000
0000). The frequency identifier represents the actual frequency associated with the T parameter. The eight numbers following each frequency identifier are the magnitude and phase terms of the four T parameters.

基本的データセットの他のパッチ幅のそれぞれに対する
Tパラメータは、パッチ幅を特定する単一項目を含む行
の後に同様に示されている。すなわち、この基本的デー
タセットには21の周波数があるので、KTPARM、
HO50,DA、TA、の670行は、第2のパッチ幅
を示しているし、3行の21の群がこれに続く。
The T parameters for each of the other patch widths of the basic data set are similarly shown after the row containing the single entry specifying the patch width. That is, since there are 21 frequencies in this basic data set, KTPARM,
Line 670 of HO50, DA, TA shows the second patch width, followed by 21 groups of three lines.

基本的データセットは、ある高さに対して、1470乃
至1560行、2分の1の高さに対しては1570乃至
1660行、3分の1の高さに対しては1670乃至1
760行の最適化プログラムによって読み取られる。各
高さに対して、まず、順方向にバイアスされたデータが
読み取られ、次に逆方向にバイアスされたデータが読み
取られる。
The basic dataset has 1470 to 1560 rows for a certain height, 1570 to 1660 rows for a half height, and 1670 to 1 rows for a third height.
Read by the 760 line optimization program. For each height, first the forward biased data is read, then the reverse biased data is read.

寸法がn1定されたデータの範囲にあれば、最適化プロ
グラムは、いかなる寸法のパッチのTパラメータを測定
するためにも基本的データセットを使用する。
The optimization program uses the basic data set to measure the T-parameters of patches of any size, provided the dimensions are within the n1 defined data range.

近似されたパッチ寸法と間隔のTパラメータは、測定さ
れたTパラメータの基本的データセットに対して2つの
補間を行うことによって、計算される。
The approximated patch size and spacing T-parameters are calculated by performing two interpolations on the basic data set of measured T-parameters.

第1の補間は、各Tパラメータの各高さに対するパッチ
幅に対する補間である。この寸法の補間は、3次のラグ
ランシュ補間であり、前記のLAGRANサブルーチン
を使用する。
The first interpolation is an interpolation for the patch width for each height of each T parameter. The interpolation of this dimension is a cubic Lagranche interpolation and uses the LAGRAN subroutine described above.

第2の補間は、バツチ高さに対する各パッチ幅のキュー
ビック(cubic)補間であり、サブルーチンGNT
ERPによって供給される。
The second interpolation is a cubic interpolation of each patch width to the patch height, subroutine GNT
Powered by ERP.

(Hubic補間の場合、4つのパッチ高さが各所定の
パッチ幅に対して必要となり、その1つは高さが零であ
る。
(For Hubic interpolation, four patch heights are required for each given patch width, one of which has zero height.

出力データセット DPOUT15.DATAは、20
乃至550行の人力データセットの複写を示している。
Output data set DPOUT15. DATA is 20
550 rows of a human data set are shown.

620行は、最適化サブルーチンSUBに対するコール
の数を表し、680行は、最終的パッチ寸法と間隔の近
似とともに応答に対するエラーレジデュアルSSQの2
乗の和を示している。710行は、最適化ルーチンの基
準が満足されたかどうかを示している。
Line 620 represents the number of calls to the optimization subroutine SUB, and line 680 represents the number of calls to the optimization subroutine SUB, and line 680 represents the number of calls to the optimization subroutine SUB, and the error residual SSQ 2 for the response along with the final patch size and spacing approximation.
It shows the sum of the powers. Line 710 indicates whether the optimization routine's criteria were satisfied.

740乃至880行は、最適化プログラムによって得ら
れた最終的パッチ寸法及び間隔の近似を示している。
Lines 740-880 show the final patch size and spacing approximations obtained by the optimization program.

900乃至1150行は、順方向バイアス状態の最終的
パッチ近似の応答を示している。第1列は、周波数を示
し、第2列は電圧定常波比を示し、第3列は、フェーズ
シフタ部の伝送位相を示し、第4列は、伝送係数の大き
さを示し、第5列は、デシベルで表された挿入ロスを表
す。
Lines 900-1150 show the response of the final patch approximation for forward bias conditions. The first column shows the frequency, the second column shows the voltage standing wave ratio, the third column shows the transmission phase of the phase shifter section, the fourth column shows the magnitude of the transmission coefficient, and the fifth column shows the voltage standing wave ratio. , represents the insertion loss in decibels.

1170乃至1410行は、逆バイアス状態またはオフ
状態の最終的パッチ近似の応答を示している。列は、9
00乃至150行の順方向バイアス応答と同様に配列さ
れる。
Lines 1170-1410 show the response of the final patch approximation in the reverse bias or off state. Column is 9
They are arranged similarly to the forward bias responses in rows 00 to 150.

1430乃至1640行は、最終的パッチ近似の差動位
相ずれ応答を示している。第1列は、周波数を示し、第
2列は、差動位相ずれを示している。第2列の入力は、
各周波数に対して、オフ状態伝送位相からオン状態伝送
位相を減算することによって計算される。
Lines 1430-1640 show the differential phase shift response of the final patch approximation. The first column shows the frequency and the second column shows the differential phase shift. The input for the second column is
For each frequency, it is calculated by subtracting the on-state transmission phase from the off-state transmission phase.

前述したことは、発明の特定された説明及び例示であり
、発明の範囲及び精神から逸脱せずに、他に多くの変更
及び変化が、当業者によって成し得る。
What has been described above is a specific description and illustration of the invention, and many other changes and changes may be made by those skilled in the art without departing from the scope and spirit of the invention.

[発明の効果コ 以上のべたように、本発明にかかるフェーズシフト構造
は、導波管の動作に影響を与えないように、導波管位相
シフタ回路を個々のスロットに組み込むので、比較的軽
量でコンパクトなアンテナ構造を提供する。また、メデ
ィアト′ランジツションが不要であり、優れたインピー
ダンス整合を提供する。さらに、構造が複雑でなく、自
動化された製造工程に適合する。
[Effects of the Invention] As described above, the phase shift structure according to the present invention is relatively lightweight because the waveguide phase shifter circuit is incorporated into each slot so as not to affect the operation of the waveguide. provides a compact antenna structure. It also requires no media transitions and provides excellent impedance matching. Furthermore, the structure is uncomplicated and compatible with automated manufacturing processes.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明のフェーズシフト構造を組み込む導波
管フェーズドアンテナアレイの部分的に切り取られた斜
視図、第2図は、本発明の)ニーズシフト構造を例示し
ている図、第3図は、第1図の導波管の1つの断面図、
第4図は、本発明のフェーズシフト構造の他の実施例を
示している図である。 10・・・アンテナアレイ、11・・・導波管、15・
・・スロット、17・・・フェーズシフタストリップ、
19・・・基板、20・・・シフタ回路、21・・・頭
部駆動パッド、23・・・底部駆動パッド、25a・・
・第1伝導性パツチ、25b・・・第2伝導性バツチ、
27・・・マイクロ波ダイオード、30・・・ダイオー
ド/パッチ回路。 出願人代理人  弁理士 鈴江武彦
1 is a partially cutaway perspective view of a waveguide phased antenna array incorporating the phase-shifting structure of the present invention; FIG. 2 is a diagram illustrating the needs-shifting structure of the present invention; FIG. The figure is a cross-sectional view of one of the waveguides of FIG.
FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the phase shift structure of the present invention. 10... Antenna array, 11... Waveguide, 15.
...Slot, 17...Phase shifter strip,
19... Board, 20... Shifter circuit, 21... Head drive pad, 23... Bottom drive pad, 25a...
- First conductive patch, 25b... second conductive patch,
27...Microwave diode, 30...Diode/patch circuit. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)長手方向の大きさを有し、電磁エネルギを伝搬す
る導波管と、前記導波管の内部に配設され、かつ容量的
に結合されて前記導波管によって伝搬された前記電磁エ
ネルギの位相を変えるフェーズシフト手段とを具備する
ことを特徴とするフェーズシフト構造。
(1) A waveguide having a longitudinal size and propagating electromagnetic energy, and the electromagnetic energy disposed inside the waveguide and capacitively coupled and propagated by the waveguide. A phase shift structure characterized by comprising: phase shift means for changing the phase of energy.
(2)前記フェーズシフト手段が、前記導波管の内部に
配設され、かつ容量的に結合された第1及び第2の伝導
性領域と、前記第1と第2の伝導性領域を制御可能にか
つ伝導性をもたせて結合するスイッチ手段とを具備する
ことを特徴とする特許請求の範囲(1)記載のフェーズ
シフト構造。
(2) The phase shift means controls first and second conductive regions disposed inside the waveguide and capacitively coupled, and the first and second conductive regions. 2. A phase shift structure according to claim 1, further comprising switch means for enabling and conductive coupling.
(3)前記第1及び第2の伝導性領域が、基板に固定さ
れた第1及び第2の伝導性パッチを含み、前記スイッチ
手段が、前記第1と第2の伝導性パッチの間に結合され
たダイオードを具備することを特徴とする特許請求の範
囲(2)記載のフェーズシフト構造。
(3) the first and second conductive regions include first and second conductive patches secured to a substrate, and the switch means is between the first and second conductive patches; A phase shift structure according to claim 2, characterized in that it comprises coupled diodes.
(4)前記導波管が、前記フェーズシフト手段を前記導
波管に容量的に結合する手段を含むことを特徴とする特
許請求の範囲(1)記載のフェーズシフト構造。
(4) The phase shift structure according to claim (1), wherein the waveguide includes means for capacitively coupling the phase shift means to the waveguide.
(5)容量的に結合する前記手段が、長手方向に延長す
る容量性カップリングエッジを具備することを特徴とす
る特許請求の範囲(4)記載のフェーズシフト構造。
5. A phase shift structure according to claim 4, wherein said means for capacitively coupling comprises a longitudinally extending capacitive coupling edge.
(6)長手方向の大きさを有し、電磁エネルギを伝搬す
る導波管と、平面基板と、前記平面基板に配設された第
1及び第2の伝導性領域と、前記第1及び第2の伝導性
領域を制御可能にかつ伝導性をもたせて結合するスイッ
チ手段と、前記第1及び第2の伝導性領域を前記導波管
の内部に配設するために、前記導波管の中央部に沿って
長手方向に延長して前記平面基板を受けるスロットと、
前記第1及び第2の伝導性領域が前記スイッチ手段によ
って制御されるとき、前記導波管によって伝搬された前
記電磁エネルギの位相が前記第1及び第2の伝導性領域
の結合及び非結合状態によって制御されるように、前記
第1及び第2の伝導性領域を前記導波管に容量的に結合
する手段とを具備することを特徴とするフェーズシフト
構造。
(6) a waveguide having a size in a longitudinal direction and propagating electromagnetic energy; a planar substrate; first and second conductive regions disposed on the planar substrate; switch means for controllably and conductively coupling two conductive regions; and a switch means for disposing said first and second conductive regions within said waveguide. a slot extending longitudinally along a central portion to receive the planar substrate;
When the first and second conductive regions are controlled by the switch means, the phase of the electromagnetic energy propagated by the waveguide changes between the coupled and uncoupled states of the first and second conductive regions. means for capacitively coupling the first and second conductive regions to the waveguide so as to be controlled by the waveguide.
(7)前記第1及び第2の伝導性領域が、前記基板の上
に伝導性パッチを具備し、前記スイッチ手段がダイオー
ドを具備することを特徴とする特許請求の範囲(6)記
載のフェーズシフト構造。
7. The phase of claim 6, wherein the first and second conductive regions comprise conductive patches on the substrate and the switching means comprises a diode. shift structure.
(8)容量性をもたせて結合する前記手段が、前記導波
管の壁を具備することを特徴とする特許請求の範囲(6
)記載のフェーズシフト構造。
(8) The means for capacitively coupling comprises a wall of the waveguide.
) Phase shift structure described.
(9)容量性をもたせて結合する前記手段が、長手方向
に延長するリッジを具備する特許請求の範囲(6)記載
のフェーズシフト構造。
(9) A phase shift structure according to claim (6), wherein said means for capacitively coupling comprises a longitudinally extending ridge.
(10)長手方向の大きさを有し、電磁エネルギを伝搬
する導波管と、平面基板と、前記平面基板に配設された
第1及び第2の伝導性パッチと、前記第1及び第2の伝
導性パッチを制御可能にかつ伝導性をもたせて結合する
スイッチ手段と、前記第1及び第2の伝導性パッチを前
記導波管の内部に配設するために、前記導波管の中央部
に沿って長手方向に延長して前記平面基板を受けるスロ
ットと、前記第1及び第2の伝導性パッチが前記スイッ
チ手段によって制御されるとき、前記導波管によって伝
搬された前記電磁エネルギの位相が、前記第1及び第2
の伝導性パッチの結合及び非結合状態によって制御され
るように、長手方向に延長して前記第1及び第2の伝導
性パッチを前記導波管に容量的に結合する手段とを具備
することを特徴とするフェーズシフト構造。
(10) a waveguide having a length in a longitudinal direction and propagating electromagnetic energy; a planar substrate; first and second conductive patches disposed on the planar substrate; a switch means for controllably and conductively coupling two conductive patches; and a switch means for disposing said first and second conductive patches within said waveguide. a slot extending longitudinally along a central portion to receive the planar substrate; and when the first and second conductive patches are controlled by the switch means, the electromagnetic energy propagated by the waveguide. The phase of the first and second
longitudinally extending means for capacitively coupling the first and second conductive patches to the waveguide as controlled by the coupled and uncoupled states of the conductive patches. Phase shift structure characterized by.
JP20660389A 1988-08-11 1989-08-09 Phase shifting structure Pending JPH02104101A (en)

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US23110388A 1988-08-11 1988-08-11
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