JPH019155Y2 - - Google Patents
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- JPH019155Y2 JPH019155Y2 JP16900481U JP16900481U JPH019155Y2 JP H019155 Y2 JPH019155 Y2 JP H019155Y2 JP 16900481 U JP16900481 U JP 16900481U JP 16900481 U JP16900481 U JP 16900481U JP H019155 Y2 JPH019155 Y2 JP H019155Y2
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- ring
- cathode electrode
- semiconductor device
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Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、圧接形構造として構成した半導体
装置における素子のゲート引き出し構造に関する
もので、その目的は、ゲート線部の信頼性向上、
特性の向上及び構造の簡素化と小形化並びにコス
トダウンが可能な構成に改良した半導体装置にお
ける素子のゲート引き出し構造を提供することに
ある。[Detailed description of the invention] This invention relates to a gate lead-out structure for an element in a semiconductor device configured as a press-contact type structure, and its purpose is to improve the reliability of the gate line portion,
It is an object of the present invention to provide a gate lead-out structure for an element in a semiconductor device, which is improved in structure and has improved characteristics, simplification and miniaturization of structure, and cost reduction.
従来、半導体装置における素子のゲート引き出
し構造は、第1図に示すとおりであつた。図中1
はカソード電極、2はセラミツクケース、3はゲ
ート引き出しパイプ、4は中継端子固定治具、5
はゲート圧着端子、6はアルミニウム製のゲート
線、7は半導体素子、8はアノード電極であり、
ゲート線6の圧着構造及びゲート線引き出しの超
音波溶接を特徴としている。 Conventionally, a gate lead-out structure of an element in a semiconductor device has been as shown in FIG. 1 in the diagram
is a cathode electrode, 2 is a ceramic case, 3 is a gate extraction pipe, 4 is a relay terminal fixing jig, 5
is a gate crimp terminal, 6 is an aluminum gate line, 7 is a semiconductor element, 8 is an anode electrode,
It is characterized by the crimping structure of the gate wire 6 and the ultrasonic welding of the gate wire lead-out.
即ち、半導体素子7からのゲート引き出しは、
ゲート線6の超音波溶接によりゲート端子を引き
出し、これをゲート圧着端子5と接続し、ゲート
引き出しパイプ3と接続している。 That is, the gate extraction from the semiconductor element 7 is
A gate terminal is drawn out by ultrasonic welding of the gate wire 6, connected to a gate crimp terminal 5, and then connected to a gate draw-out pipe 3.
しかるに、ゲート線6の超音波溶接に全幅の信
頼性がなく問題になつている。 However, the ultrasonic welding of the gate line 6 is not completely reliable, which is a problem.
また、ゲート線6から大きな電流を引き出した
り、ゲート部全体から均一に電流を引き出したり
するときは、ゲート線を太くしたり、ゲート線6
の本数を多くしなければならず、一方、ゲート線
6とゲート圧着端子5との接続はゲート線6の本
数が多くなるにつれてその圧着方法、圧着構造が
複雑となり、信頼性が問題となる。ハンダ付部の
フラツクス残存の問題もある。 In addition, when drawing a large current from the gate line 6 or drawing a current uniformly from the entire gate part, it is necessary to make the gate line thicker or
On the other hand, as the number of gate lines 6 increases, the crimping method and structure of the connection between the gate wires 6 and the gate crimp terminals 5 becomes more complicated, and reliability becomes a problem. There is also the problem of residual flux in the soldered parts.
この考案は、従来技術の上述した欠点、問題点
を解決するべくなされたものである。 This invention was made to solve the above-mentioned drawbacks and problems of the prior art.
次に、この考案を第2図に示す実施例により説
明する。その構成の大部分は、第1図の従来例と
共通し、共通の符号を付けて示している。即ち、
半導体素子7をカソード電極1とアノード電極8
とで挾圧保持してなる半導体装置であり、図中5
はカソード電極1の段部1aに当接するように嵌
合し取り付けた弾性なOリング、4は前記Oリン
グ5と内隅上方角部を当接せしめてカソード電極
1と十分に離隔絶縁せしめ、かつ、半導体素子7
のゲート部全体と均一に当接し接続した中継リン
グである。この中継リング4は、セラミツクケー
ス2内に嵌合されている。セラミツクケース2を
放射方向に貫通させたゲート引き出しパイプ3…
は、銅線又は銀線等のゲート線6によつて中継リ
ングと接続している。カソード電極1とアノード
電極8とは、アノード電極8外周のフランジ9に
セラミツクケース2を固着し、同セラミツクケー
ス2上部に突出せしめたフランジ10と、カソー
ド電極1外周に設けたフランジ11とを結合する
ことにより、適度の圧力で圧接した状態に組立て
られている。 Next, this invention will be explained with reference to an embodiment shown in FIG. Most of its configuration is the same as that of the conventional example shown in FIG. 1, and is indicated by the same reference numerals. That is,
A semiconductor element 7 is connected to a cathode electrode 1 and an anode electrode 8.
This is a semiconductor device which is held under clamping pressure by 5 in the figure.
4 is an elastic O-ring fitted and attached so as to abut on the stepped portion 1a of the cathode electrode 1; 4 is an elastic O-ring that is brought into contact with the O-ring 5 at the upper corner of the inner corner to be sufficiently isolated and insulated from the cathode electrode 1; And the semiconductor element 7
This is a relay ring that uniformly contacts and connects the entire gate section of the gate. This relay ring 4 is fitted inside the ceramic case 2. A gate extraction pipe 3 penetrates the ceramic case 2 in the radial direction...
is connected to the relay ring by a gate wire 6 such as a copper wire or a silver wire. The cathode electrode 1 and the anode electrode 8 are constructed by fixing a ceramic case 2 to a flange 9 on the outer periphery of the anode electrode 8, and combining a flange 10 that projects above the ceramic case 2 with a flange 11 provided on the outer periphery of the cathode electrode 1. By doing this, they are assembled in a pressed state with appropriate pressure.
次に、上記構成の半導体装置の作用について説
明するに、Oリング5に当接する中継リング4を
設けてそのOリング5によりカソード電極1と半
導体素子7との絶縁をとり、かつ、中継リング4
の位置決めを行なつている。そして、カソード電
極1とアノード電極8とを加圧した際の圧力の多
くはOリング5の弾性によつて吸収し、半導体素
子7に直接大きな力が加わらないものとなし、そ
の一方、ゲート線6…の圧接をも行ない、圧接構
造の特徴をもたらすものとしている。従つて、超
音波溶接又はハンダ付けは不要である。しかも中
継リング4を設けたので、半導体素子7のゲート
全体から均一で大きな電流を引き出すことができ
る。ゲート線6として、銅線又は銀線を使用する
ので、ゲート引き出しパイプ3をつぶす際、従来
のアルミニウム線の如く断線するおそれもないの
である。 Next, to explain the operation of the semiconductor device having the above configuration, a relay ring 4 is provided which contacts the O-ring 5, and the cathode electrode 1 and the semiconductor element 7 are insulated by the O-ring 5.
positioning. Most of the pressure when pressurizing the cathode electrode 1 and the anode electrode 8 is absorbed by the elasticity of the O-ring 5, so that no large force is directly applied to the semiconductor element 7. On the other hand, the gate line 6... is also performed to bring about the characteristics of the pressure welding structure. Therefore, no ultrasonic welding or soldering is necessary. Furthermore, since the relay ring 4 is provided, a large and uniform current can be drawn from the entire gate of the semiconductor element 7. Since a copper wire or a silver wire is used as the gate wire 6, when the gate lead-out pipe 3 is crushed, there is no risk of the wire breaking unlike the conventional aluminum wire.
次に、この考案が奏する効果を説する。 Next, the effects of this idea will be explained.
この考案の半導体装置における素子のゲート引
き出し構造は、上記の構成としたから、ゲート線
の圧着構造ゲート線引き出しの超音波溶接が一切
無用であり、即ち圧接構造であるからゲート線部
の信頼性が向上する。また、半導体素子のゲート
部全体から均一に、かつ、大きな電流を引き出す
ことができ特性の著るしい向上が果せる。さらに
Oリングを用いて中継リングの圧接、ゲートとカ
ソード電極の絶縁、中継リングの位置決めを行な
う構成としたから、構造の簡素化とコストダウン
及び絶縁ケース(セラミツクケース)の小型化を
達成することができる。しかもカソード電極とア
ノード電極とを加圧する際のゲート線の断線を防
ぐことができるなどの効果を奏するものである。 Since the gate lead-out structure of the element in the semiconductor device of this invention has the above configuration, there is no need for any ultrasonic welding for gate line lead-out, which is a crimping structure for gate lines. will improve. Further, a large current can be drawn out uniformly from the entire gate portion of the semiconductor device, resulting in a significant improvement in characteristics. Furthermore, since the O-ring is used to press the relay ring, insulate the gate and cathode electrodes, and position the relay ring, it is possible to simplify the structure, reduce costs, and downsize the insulating case (ceramic case). Can be done. Furthermore, it is possible to prevent disconnection of the gate line when pressurizing the cathode electrode and the anode electrode.
第1図は従来のゲート引き出し構造を適用した
半導体装置の断面図、第2図はこの考案のゲート
引き出し構造を実施した半導体装置の断面図であ
る。
7……半導体素子、1……カソード電極、8…
…アノード電極、5……Oリング、4……中継リ
ング、2……セラミツクケース(絶縁ケース)、
3……ゲート引き出しパイプ、6……ゲート線。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device to which a conventional gate lead-out structure is applied, and FIG. 2 is a cross-sectional view of a semiconductor device to which the gate lead-out structure of this invention is implemented. 7... Semiconductor element, 1... Cathode electrode, 8...
...Anode electrode, 5...O ring, 4...Relay ring, 2...Ceramic case (insulation case),
3...Gate extraction pipe, 6...Gate line.
Claims (1)
挾圧保持してなる半導体装置において、 (イ) カソード電極に弾性なOリングを取り付け、 (ロ) 半導体素子のゲート部全体に当接する中継リ
ングを設け、 (ハ) Oリングと中継リングとを当接せしめてカソ
ード電極と中継リングとを離隔させ、 (ニ) 絶縁ケースを貫通するゲート引き出しパイプ
と中継リングとをゲート線で接続した、 構成を特徴とする半導体装置における素子のゲ
ート引き出し構造。[Scope of Claim for Utility Model Registration] In a semiconductor device in which a semiconductor element is held between a cathode electrode and an anode electrode, (a) an elastic O-ring is attached to the cathode electrode, and (b) the entire gate portion of the semiconductor element is attached. (c) the O-ring and the relay ring are brought into contact with each other to separate the cathode electrode and the relay ring, and (d) the gate lead-out pipe passing through the insulating case and the relay ring are connected to the gate line. A gate lead-out structure of an element in a semiconductor device characterized by the following configuration:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16900481U JPS5874351U (en) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | Gate extraction structure for elements in semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16900481U JPS5874351U (en) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | Gate extraction structure for elements in semiconductor devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5874351U JPS5874351U (en) | 1983-05-19 |
JPH019155Y2 true JPH019155Y2 (en) | 1989-03-13 |
Family
ID=29961010
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16900481U Granted JPS5874351U (en) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | Gate extraction structure for elements in semiconductor devices |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5874351U (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5040234B2 (en) * | 2006-09-26 | 2012-10-03 | 三菱電機株式会社 | Pressure contact type semiconductor device |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP16900481U patent/JPS5874351U/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5874351U (en) | 1983-05-19 |
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