JPH0133112B2 - - Google Patents

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JPH0133112B2
JPH0133112B2 JP20157481A JP20157481A JPH0133112B2 JP H0133112 B2 JPH0133112 B2 JP H0133112B2 JP 20157481 A JP20157481 A JP 20157481A JP 20157481 A JP20157481 A JP 20157481A JP H0133112 B2 JPH0133112 B2 JP H0133112B2
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JP
Japan
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nickel
tetra
parts
metal complex
butylammonium
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JP20157481A
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Japanese (ja)
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JPS58105996A (en
Inventor
Katsuyoshi Sasagawa
Masao Imai
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Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Publication date
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Priority to NL8204805A priority patent/NL192790C/en
Priority to GB08235417A priority patent/GB2116543B/en
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Publication of JPH0133112B2 publication Critical patent/JPH0133112B2/ja
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【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は、新規なハロゲン置換ベンゼンジチオ
ール金属錯体およびそれを近赤外線吸収剤として
含有するプラスチツク組成物に関する。 すなわち、本発明の第1の発明は一般式(1) (式中、Xは塩素または臭素原子を、YおよびZ
はXが塩素原子のとき、水素または塩素原子を、
Xが臭素原子のとき、水素または臭素原子を、M
はニツケル、パラジウム、白金原子を、Aは第4
級アンモニウム基を示す)で表わされるハロゲン
置換ベンゼンジチオール金属錯体である。具体的
にはビス(1,2,4−トリクロロ−5,6−ジ
チオフエノレート)ニツケル−テトラ−n−ブチ
ルアンモニウム、ビス(1,4−ジクロロ−5,
6−ジチオフエノレート)ニツケル−テトラ−n
−ブチルアンモニウム、ビス(1−クロロ−5,
6−ジチオフエノレート)ニツケル−テトラ−n
−メチルアンモニウム、およびこれらの金属錯体
のニツケル原子をパラジウムまたは白金にかえた
錯体類ならびに第4級アンモニウム基のテトラ−
n−ブチルアンモニウム基をテトラ−n−プロピ
ルアンモニウム基やトリオクチルメチルアンモニ
ウム基にかえた錯体類、またビス(1,2,4−
トリブロモ−5,6−ジチオフエノレート)ニツ
ケル−テトラ−n−ブチルアンモニウム、ビス
(1,4−ジブロモ−5,6−ジチオフエノレー
ト)ニツケル−テトラ−n−ブチルアンモニウ
ム、ビス(1−ブロモ−5,6−ジチオフエノレ
ート)ニツケル−テトラ−n−ブチルアンモニウ
ムおよびこれらの金属錯体のニツケル原子をパラ
ジウムまたは白金にかえた錯体類、ならびに第4
級アンモニウム基のテトラ−n−ブチルアンモニ
ウム基をテトラ−n−プロピルアンモニウム基や
トリオクチルメチルアンモニウム基にかえた錯体
類である。 本発明の新規なハロゲン置換オルソベンゼンジ
チオール金属錯体は、従来知られているテトラク
ロロベンゼンジチオール金属錯体にくらべ、各種
の樹脂に対して相溶性に優れ、添加割合を増して
も長期間の使用において樹脂からの結晶化を起さ
ない。 既に公知の、例えばビス(1,2−ジチオフエ
ノレート)ニツケル−テトラ−n−ブチルアンモ
ニウム、ビス(1−メチル−3,4−ジオチフエ
ノレート)ニツケル−テトラ−n−ブチルアンモ
ニウム、ビス(1,2,3,4−テトラメチル−
5,6−ジチオフエノレート)ニツケル−テトラ
−n−ブチルアンモニウムおよびビス(1,2,
3,4−テトラクロロ−5,6−ジチオフエノレ
ート)ニツケル−テトラ−n−ブチルアンモニウ
ムなどのオルソーベンゼンジチオール金属錯体類
は、近赤外領域に特異な吸収スペクトルを示すこ
とが知られており(「Toluene−3,4−dithiol
und verwandte 1,2−Dithiolene als
Chelatbildner fiir Metalla」、モナチエフト・フ
イア・ヘミー102巻、308〜320頁、1971年および
「Charactarization and Electronic Structures
of Metal Complexes Contain−ing Benzene−
1,2−dithiolate and Related Liga−nds、ジ
ヤーナル・オブ・ジ・アメリカン・ソサイエテイ
88巻、4870〜4875頁、1966年)、これらの金属錯
体類は、熱安定性および耐候性に優れること(特
開昭56−135551)から重要な近赤外線吸収剤であ
る。すなわち、これらを近赤外線吸収剤としてプ
ラスチツクフイルムやプレートに練り込むか、ま
たはこれらを含有させたポリマー液を基体に塗布
して、太陽光の選択的利用を行うための農業用フ
イルムやまぶしさや眼球の疲労を防止する目的で
サングラス、溶接用眼鏡、航空機の窓またはテレ
ビジヨンのフイルターに用いることが研究されて
いる。さらに、近年、フオトダイオードや発光ダ
イオードなどの光学変換素子の波長高度特性の補
償用の光学的フイルターに用いる研究が行われた
り、またこれらの近赤外線吸収域が半導体レーザ
の発振波長と合致するため、半導体レーザ光の記
録、すなわちレーザヒードモード記録用のレーザ
光の吸収蓄熱剤としても重要である。 しかしながら、従来知られているベンゼンジチ
オール類の金属錯体類は、1,2,3,4−テト
ラクロロベンゼン−5,6−ジチオール(特開昭
56−135463)から誘導される金属錯体を除き、複
雑な数段階の合成反応を経て得られるものである
ため、極めて高価なものであり、その利用には自
ずと制限がある。またテトラクロロベンゼンジチ
オール金属錯体は、その近赤外線吸収能、熱安定
性、耐候性が優れていることと、その配位子であ
るテトラクロロベンゼンジチオールの製造法が経
済的に有利なことから実用に供されているが、近
赤外線吸収剤としてプラスチツクとともにコーテ
イングするかプラスチツクに練込んでフイルムや
プレートとして使用する場合、テトラクロロベン
ゼンジチオール金属錯体の添加量を増すと、長時
間の使用でテトラクロロベンゼンジチオール金属
錯体がプラスチツクから結晶化する現象を起す。
たとえば、コーテイング法による薄膜で高度の近
赤外線吸収能を賦与する場合に適かない。 これに対して本発明のハロゲン置換ベンゼンジ
チオール金属錯体は樹脂等との相溶性が高く、添
加割合を高めても長時間の使用で樹脂からの結晶
化を起さない。かつ、本発明のハロゲン置換ベン
ゼンジチオールは後述する製造法で、工業的に製
造することができるので、経済的に有利に近赤外
線吸収剤として種々の目的に使用することができ
る。 すなわち、本発明のハロゲン置換ベンゼンジチ
オール金属錯体は、樹脂との相溶性が極めて優れ
る近赤外線吸収剤として極めて有用なものであ
る。 本発明の新規なハロゲン置換ベンゼンジチオー
ル金属錯体は、本発明者らによつてはじめて合成
が可能となつた新規なハロゲン置換ベンゼンジチ
オール、すなわち、ポリハロゲン化ベンゼンと水
硫化ナトリウムまたは水硫化カリウムとを硫黄お
よび極性有機溶媒の存在下で、鉄粉または鉄塩類
を加えて加熱反応させることにより得られる新規
なハロゲン置換ベンゼンジチオール、具体的には
1,2,4−トリクロロベンゼン−5,6−ジチ
オール、1,4−ジクロロベンゼン−5,6−ジ
チオール、1−クロロベンゼン−5,6−ジチオ
ール、1,2,4−トリプロモベンゼン−5,6
−ジチオール、1,4−ジブロモベンゼン−5,
6−ジチオール、1−ブロモベンゼン−5,6−
ジチオール等を原料として合成することができ
る。 すなわち、一般式() (式中、X塩素または臭素原子を、YおよびZは
Xが塩素原子のとき、水素または塩素原子を、X
が臭素原子のとき、水素または臭素原子を示す)
で表わされるハロゲン置換ベンゼンジチオールを
適当な溶媒に溶解または分散させ、この液に塩
化ニツケル、塩化パラジウム、塩化第2白金酸カ
リウムなどのニツケル、パラジウまたは白金イオ
ンを供給しうる金属塩類を所定量加えてハロゲン
置換ベンゼンジチオールの金属錯体を生成させた
のち、所望の第4級アンモニウムハロゲナイド
を所定量加えるか、または所望の第4級アンモニ
ウムハロゲナイドとアルカリとを反応させて得る
第4級アンモニウムヒドロキサイドを所定量加え
て反応させ、所望の新規なハロゲン置換ベンゼン
ジチオール金属錯体を得ることができる。 この製造法でハロゲン置換ベンゼンジチオール
と金属イオンを反応させる際に溶媒が必要である
が、好ましくはハロゲン置換ベンゼンジチオール
を溶解し易いテトラヒドロフラン、無水エタノー
ルを用いるが、メタノール、エタノール、イソプ
ロパノールなどのアルコール類にハロゲン置換ベ
ンゼンジチオールを用い分散させた状態で反応を
行つてもよい。 また、この製造法に用いるニツケル、パラジウ
ムまたは白金の金属イオンおよび第4級アンモニ
ウムイオンはハロゲン置換ベンゼンジチオール1
モル当量に対し、理論的には各々0.5モル当量を
必要とする。 本発明の新規なハロゲン置換ベンゼンジチオー
ル金属錯体は、従来知られているテトラクロロベ
ンゼンジチオール金属錯体と同様に優れた近赤外
線吸収能、熱安定性、耐候性を有し、その上、テ
トラクロロベンゼンジチオール金属錯体では期待
できないプラスチツクに対する高度の相溶性を有
することが見出された。このため、本発明の新規
なハロゲン置換ベンゼンジチオール金属錯体は、
近赤外線吸収剤としてブラスチツク類に高濃度に
含有させることが可能であり、長時間使用しても
プラスチツクから結晶化を起さないことが判つ
た。 すなわち、本発明の第2の発明は一般式()
で表わされる新規なハロゲン置換ベンゼンチオー
ル金属錯体(以下、単に金属錯体という)を近赤
外線吸収剤として用い、これを含有することを特
徴とする近赤外線吸収線を吸収するプラスチツク
組成物をも提供するものである。 この発明おいて、一般式()で表わされる金
属錯体を保持するプラスチツク組成物材料として
は透明性および機械的性質の優れたすべてのプラ
スチツクが使用可能である。たとえば、ポリエチ
レンテレフタレートで代表されるポリエステル
類、ニトロセルロース、セルローストリアセテー
トなどのセルロースエステル類、ポリエチレン、
ポリプロピレンなどのポリオレフイン類、ポリア
クリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチルなどの
ポリアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビ
ニリデン、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポ
リスチレンなどのポリビニル類、ポリカーボネー
トなどがあり、近赤外線吸収能を賦与する目的に
合致したプラスチツクを選ぶことができる。 また、この発明における一般式()で表わさ
れる金属錯体類のプラスチツクに対する配合割合
は、所望されるプラスチツクの種類、プラスチツ
クの厚さ、吸光性の強度により異るが、長時間の
使用の際に金属錯体類がプラスチツクから結晶化
するのを防ぐためおよびプラスチツクの機械物性
を維持するためには約30重量%以下の添加が望ま
しい。 また、こ発明における近赤外線を吸収するプラ
スチツク組成物を用いて成形する方法、すなわち
一般式()で表わされる金属錯体をプラスチツ
クに添加、保持させる方法としては、(1)プラスチ
ツク成形物の作成時にプラスチツク中に配合する
方法、すなわち金属錯体をプラスチツク粉末また
はペレツトに混合し、溶融して圧縮や押出成型し
て所望の形状のプラスチツク成形物を得る方法、
また(2)近赤外線吸収能を賦与さるべき基材の表面
に一般式()で表わされる金属錯体を含むポリ
マー溶液または分散液を塗布することによつて近
赤外線吸収層を形成する方法がある。これらの方
法において、必要に応じて安定剤、可ソ剤、酸化
防止剤、紫外線吸収剤等を配合してもよい。 かくして、本発明の組成物により近赤外線吸収
剤として一般式()で表わされる金属錯体をプ
ラスチツクに高濃度に含有させることが可能とな
り、得られる近赤外線を吸収する組成物は、太陽
光の選択利用を目的とした農業用フイルムに、ま
ぶしさや眼球の疲労を防止する目的にサングラ
ス、溶接用眼鏡、航空機の窓またはテレビジヨン
のフイルターにフオトダイオードや発光ダイオー
ドなどの光電変換素の波長感度特性の補償用の光
学フイルターに、さらに近赤外線領域に発振波長
を有する半導体レーザ光のヒートモード記録用媒
体として用いることが可能である。 次に、一般式()で表わされる金属錯体の代
表例について、融点、吸光特性を表−1に示す。 本発明の金属錯体はこれらのみに限定されるも
のではない。
The present invention relates to a novel halogen-substituted benzenedithiol metal complex and a plastic composition containing the same as a near-infrared absorber. That is, the first invention of the present invention has general formula (1) (In the formula, X is a chlorine or bromine atom, Y and Z
When X is a chlorine atom, hydrogen or chlorine atom,
When X is a bromine atom, hydrogen or a bromine atom is
are nickel, palladium, and platinum atoms, and A is the fourth
It is a halogen-substituted benzenedithiol metal complex represented by a halogen-substituted benzenedithiol metal complex (indicating an ammonium group). Specifically, bis(1,2,4-trichloro-5,6-dithiophenolate)nickel-tetra-n-butylammonium, bis(1,4-dichloro-5,
6-dithiophenolate) nickel-tetra-n
-butylammonium, bis(1-chloro-5,
6-dithiophenolate) nickel-tetra-n
- Methyl ammonium, complexes in which the nickel atom of these metal complexes is replaced with palladium or platinum, and tetra- of quaternary ammonium groups
Complexes in which n-butylammonium group is replaced with tetra-n-propylammonium group or trioctylmethylammonium group, and bis(1,2,4-
Tribromo-5,6-dithiophenolate) nickel-tetra-n-butylammonium, bis(1,4-dibromo-5,6-dithiophenolate)nickel-tetra-n-butylammonium, bis(1-bromo- (5,6-dithiophenolate) nickel-tetra-n-butylammonium and complexes in which the nickel atom of these metal complexes is replaced with palladium or platinum, and
These are complexes in which the tetra-n-butylammonium group of the class ammonium group is changed to a tetra-n-propylammonium group or a trioctylmethylammonium group. The novel halogen-substituted orthobenzenedithiol metal complex of the present invention has excellent compatibility with various resins compared to the conventionally known tetrachlorobenzenedithiol metal complex, and even if the addition ratio is increased, the resin will remain stable even after long-term use. No crystallization occurs. Already known, for example, bis(1,2-dithiophenolate)nickel-tetra-n-butylammonium, bis(1-methyl-3,4-diothiphenolate)nickel-tetra-n-butylammonium, bis( 1,2,3,4-tetramethyl-
(5,6-dithiophenolate) nickel-tetra-n-butylammonium and bis(1,2,
Orthobenzenedithiol metal complexes such as nickel-tetra-n-butylammonium (3,4-tetrachloro-5,6-dithiophenolate) are known to exhibit a unique absorption spectrum in the near-infrared region. (“Toluene-3,4-dithiol
und verwandte 1,2−Dithiolene als
"Chelatbildner fiir Metalla", Monachieft Fuia Hemy vol. 102, pp. 308-320, 1971 and "Charactarization and Electronic Structures
of Metal Complexes Contain−ing Benzene−
1,2-dithiolate and Related Liga-nds, Journal of the American Society
88, pp. 4870-4875, 1966), and these metal complexes are important near-infrared absorbers because of their excellent thermal stability and weather resistance (JP-A-135551-1983). In other words, these can be kneaded into plastic films or plates as near-infrared absorbers, or a polymer solution containing them can be applied to a substrate to produce agricultural films for selective use of sunlight, glare, and eyeballs. Research is being conducted on its use in sunglasses, welding glasses, aircraft window and television filters to prevent fatigue. Furthermore, in recent years, research has been conducted on the use of optical filters to compensate for the wavelength height characteristics of optical conversion elements such as photodiodes and light-emitting diodes, and because the near-infrared absorption range of these devices matches the oscillation wavelength of semiconductor lasers, It is also important as a laser light absorbing heat storage agent for semiconductor laser light recording, ie, laser heat mode recording. However, the conventionally known metal complexes of benzenedithiols are 1,2,3,4-tetrachlorobenzene-5,6-dithiol (Japanese Patent Application Laid-open No.
Except for the metal complexes derived from 56-135463), they are extremely expensive and their use is naturally limited because they are obtained through a complex several-step synthesis reaction. In addition, tetrachlorobenzenedithiol metal complexes have been put into practical use because of their excellent near-infrared absorption ability, thermal stability, and weather resistance, and because the manufacturing method of tetrachlorobenzenedithiol, which is its ligand, is economically advantageous. However, when coating with plastic or kneading it into plastic as a near-infrared absorber and using it as a film or plate, if the amount of tetrachlorobenzenedithiol metal complex added is increased, the tetrachlorobenzenedithiol metal complex will deteriorate over a long period of use. causes the phenomenon of crystallization from plastic.
For example, it is not suitable for imparting a high degree of near-infrared absorbing ability with a thin film formed by a coating method. On the other hand, the halogen-substituted benzenedithiol metal complex of the present invention has high compatibility with resins, etc., and does not crystallize from the resin even when used for a long time even if the addition ratio is increased. In addition, the halogen-substituted benzenedithiol of the present invention can be produced industrially by the production method described below, and therefore can be economically advantageously used as a near-infrared absorber for various purposes. That is, the halogen-substituted benzenedithiol metal complex of the present invention is extremely useful as a near-infrared absorber having extremely excellent compatibility with resins. The novel halogen-substituted benzenedithiol metal complex of the present invention is a novel halogen-substituted benzenedithiol that was first made possible to synthesize by the present inventors, that is, a polyhalogenated benzene and sodium or potassium hydrosulfide. A novel halogen-substituted benzenedithiol, specifically 1,2,4-trichlorobenzene-5,6-dithiol, obtained by heating and reacting iron powder or iron salts in the presence of sulfur and a polar organic solvent. , 1,4-dichlorobenzene-5,6-dithiol, 1-chlorobenzene-5,6-dithiol, 1,2,4-tripromobenzene-5,6
-dithiol, 1,4-dibromobenzene-5,
6-dithiol, 1-bromobenzene-5,6-
It can be synthesized using dithiol or the like as a raw material. That is, the general formula () (In the formula, X is a chlorine or bromine atom, Y and Z are hydrogen or a chlorine atom when X is a chlorine atom,
When is a bromine atom, indicates hydrogen or a bromine atom)
A halogen-substituted benzenedithiol represented by is dissolved or dispersed in a suitable solvent, and a predetermined amount of metal salts capable of supplying nickel, palladium, or platinum ions, such as nickel chloride, palladium chloride, and potassium chloroplatinate, is added to this solution. After producing a metal complex of halogen-substituted benzenedithiol, a predetermined amount of a desired quaternary ammonium halide is added, or a quaternary compound obtained by reacting a desired quaternary ammonium halide with an alkali. A desired novel halogen-substituted benzenedithiol metal complex can be obtained by adding a predetermined amount of ammonium hydroxide and causing a reaction. In this production method, a solvent is required when reacting halogen-substituted benzenedithiol with metal ions, and preferably tetrahydrofuran or absolute ethanol, which easily dissolves halogen-substituted benzenedithiol, is used, but alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, etc. The reaction may be carried out in a dispersed state using halogen-substituted benzenedithiol. In addition, the metal ions of nickel, palladium, or platinum and quaternary ammonium ions used in this production method are halogen-substituted benzenedithiol 1
Theoretically, 0.5 molar equivalents are required for each molar equivalent. The novel halogen-substituted benzenedithiol metal complex of the present invention has the same excellent near-infrared absorption ability, thermal stability, and weather resistance as the conventionally known tetrachlorobenzenedithiol metal complex, and also has excellent near-infrared absorption ability, thermal stability, and weather resistance. It was found that it has a high degree of compatibility with plastics, which is not expected with complexes. Therefore, the novel halogen-substituted benzenedithiol metal complex of the present invention is
It has been found that it is possible to incorporate it into plastics at high concentrations as a near-infrared absorber, and that it does not crystallize from plastics even after long-term use. That is, the second invention of the present invention has the general formula ()
A novel halogen-substituted benzenethiol metal complex represented by (hereinafter simply referred to as metal complex) is used as a near-infrared absorber, and a plastic composition that absorbs near-infrared absorption lines is also provided. It is something. In this invention, all plastics with excellent transparency and mechanical properties can be used as the plastic composition material holding the metal complex represented by the general formula (). For example, polyesters such as polyethylene terephthalate, cellulose esters such as nitrocellulose and cellulose triacetate, polyethylene,
These include polyolefins such as polypropylene, polyacrylic resins such as polymethyl acrylate and polymethyl methacrylate, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, vinyl chloride/vinyl acetate copolymers, polyvinyls such as polystyrene, and polycarbonate. Plastics can be selected to suit the purpose of imparting infrared absorption capabilities. In addition, the blending ratio of the metal complex represented by the general formula () to the plastic in this invention varies depending on the type of plastic desired, the thickness of the plastic, and the intensity of light absorption. Additions of up to about 30% by weight are desirable to prevent metal complexes from crystallizing from the plastic and to maintain the mechanical properties of the plastic. In addition, the method of molding using a plastic composition that absorbs near-infrared rays in the present invention, that is, the method of adding and retaining a metal complex represented by the general formula () to plastic, includes (1) when creating a plastic molded article; A method of blending the metal complex into plastic, that is, a method of mixing the metal complex with plastic powder or pellets, melting it, and compressing or extruding it to obtain a plastic molded article of the desired shape;
In addition, (2) there is a method of forming a near-infrared absorbing layer by applying a polymer solution or dispersion containing a metal complex represented by the general formula () to the surface of a base material to which near-infrared absorbing ability is to be imparted. . In these methods, stabilizers, solubilizers, antioxidants, ultraviolet absorbers, etc. may be added as necessary. Thus, the composition of the present invention makes it possible to incorporate the metal complex represented by the general formula () as a near-infrared absorber into plastic at a high concentration. The wavelength sensitivity characteristics of photoelectric conversion elements such as photodiodes and light emitting diodes can be applied to agricultural films for use in sunglasses, welding glasses, aircraft window or television filters to prevent glare and eye fatigue. It can be used as a compensation optical filter and as a heat mode recording medium for semiconductor laser light having an oscillation wavelength in the near-infrared region. Next, Table 1 shows the melting point and light absorption characteristics of representative examples of metal complexes represented by the general formula (). The metal complex of the present invention is not limited to these.

【表】【table】

【表】 以下、実施例を示す。なお、実施例中の部は重
量部を示す。 実施例 1 1,2,4−トリクロロベンゼン−5,6−ジ
チオール9.0部をテトラヒドロフラン500部に溶解
しかきまぜながら、塩化ニツケル6水塩4.2部を
エタノール50部に溶解した液を加えると暗緑色に
変化する。次いでテトラ−n−ブチルアンモニウ
ムブロマイド6.0部を加え、2時間かきまぜを続
けたのち反応液を減圧蒸留して約1/3まで濃縮し
た。次いでジクロルメタンとメタノールの重量比
1:3の混合液から再結を行ない、ビス(1,
2,4−トリクロロ−5,6−ジチオフエノレー
ト)ニツケル−テトラ−n−ブチルアンモニウム
11.5部を得た(収率80モル%)。 融点 138〜140℃ 元素分析値 C(%) H(%) N(%) Cl(%) 計算値 42.66 4.86 1.78 26.99 (C28H38NCl6S4Niとして) 分析値 42.59 4.92 1.72 27.52 S(%) 計算値 16.27 分析値 16.77 実施例 2 1,4−ジクロロベンゼン−5,6−ジチオー
ル22部をメタノール800部に懸濁させてかきまぜ
ながら、塩化ニツケル6水塩12.4部をメタノール
100部に溶解した液を加えると暗緑色に変化する。 次いでテトラ−n−ブチルアンモニウムブロマ
イド18.3部を加えて、2時間かきまぜを続けたの
ち反応液を減圧蒸留して約1/5に濃縮した。次い
で過を行い緑色の固体31部を得た。次いでジク
ロルメタンとメタノールの重量比1:1の混合液
から再結を行ない、ビス(1,4−ジクロロ−
5,6−ジチオフエノレート)ニツケル−テトラ
−n−ブチルアンモニウム26部を得た(収率70モ
ル%)。 融点 204〜205℃ 元素分析値 C(%) H(%) N(%) Cl(%) 計算値 46.75 5.60 1.95 19.71 (C28H40NCl4S4Niとして) 分析値 46.25 5.73 1.89 19.88 S(%) 計算値 17.83 分折値 18.01 実施例 3 実施例2の1,4−ジクロロベンゼン−5,6
−ジチオール22部の代りに1−クロロベンゼン−
5,6−ジチオール18.5部を用いる以外は実施例
2と同様に行つて、ビス(1−ジクロロ−5,6
−ジチオフレート)ニツケル−テトラ−n−ブチ
ルアンモニウム26部を得た(収率77モル%)。 融点 125〜127℃ 元素分析値 C(%) H(%) N(%) Cl(%) 計算値 51.70 6.51 2.15 10.90 (C28H42NCl2Niとして) 分析値 51.55 6.67 2.13 11.02 S(%) 計算値 19.72 分析値 20.10 実施例 4 実施例1の塩化ニツケル6水塩4.2部の代わり
に塩化第2白金酸カリウム7.3部を用いる以外は
実施例1と同様に行つてビス(1,2,4−トリ
クロロ−5,6−ジチオフエノレート)白金−テ
トラ−n−ブチルアンモニウム13部を得た(収率
80モル%)。 融点 146〜147℃ 元素分析値 C(%) H(%) N(%) Cl(%) 計算値 36.37 4.14 1.51 23.01 (C28H38NCl6S4Ptとして) 分析値 36.40 4.18 1.49 22.98 S(%) 計算値 13.87 分析値 13.96 実施例 5 実施例1の1,2,4−トリクロロベンゼン−
5,6−ジチオール9.0部の代りに、1,2,4
−トリブロモベンゼン13.3部を用いる以外、実施
例1と同様に行つてビス(1,2,4−トリブロ
モ−5,6−ジチオフエノレート)ニツケル−テ
トラ−n−ブチルアンモニウム14部を得た(収率
73モル%)。 融点 193〜196℃ 元素分析値 C(%) H(%) N(%) Br(%) 計算値 31.88 3.63 1.33 45.44 (C28H38NBr6S4Niとして) 分析値 31.75 3.69 1.29 44.38 S(%) 計算値 12.16 分析値 12.22 応用例 1 アセトン45部、トルエン45部の混合溶剤にポリ
メチルアクリレート10部を加え、これに実施例1
〜5で得た新規なハロゲン置換ベンゼンジチオー
ル金属錯体の1種または比較のため既知のビス
(1,2,3,4−テトラクロロ−5,6−ジチ
オフエノレート)ニツケル−テトラ−n−ブチル
アンモニウムを3部加えて溶解させた。厚さ0.2
mmのポリ塩化ビニルフイルムの表面に、前記の溶
液を小型のグラビアコート機を用いて乾燥膜厚7
ミクロンとなるように塗布したのち、70℃の熱風
で乾燥した。このフイルムを60℃の恒温槽に7日
間放置したのち、顕微鏡で観察した結果、ビス
(1,2,3,4−テトラクロロ−5,6−ジチ
オフエノレート)ニツケル−テトラ−n−ブチル
アンモニウムを含むフイルムには微小な針状の結
晶が散在するのを観察できたのに対し、実施例1
〜5で得た新規なハロゲン置換ベンゼンジチオー
ルを含むフイルムには結晶は全く観察できなかつ
た。 応用例 2 実施例1〜5で得た新規なハロゲン置換ベンゼ
ンジチオールおよび比較のため既知のビス(1,
2,3,4−テトラクロロ−5,6−ジチオフエ
ノレート)ニツケル−テトラ−n−ブチルアンモ
ニウムの1種を3部およびニトロセルロース5部
をメタルエチルケトン50部に溶解させた組成物を
スピンナーを用いてポリエチレンテレフタレート
フイルム上に塗布し、所定の条件で乾燥して約
1μmの塗膜面を形成させた。得られたフイルム
を60℃の恒温槽に7日間放置したのち、試験片を
光学顕微鏡で観察したところ、ビス(1,2,
3,4−テトラクロロ−5,6−ジチオフエノレ
ート)ニツケル−テトラ−n−ブチルアンモニウ
ムを含む試験片には微小な針状結晶が散在するの
を観察できたのに対し、実施例1〜5で得た新規
なハロゲン置換ベンゼンジチオールを含む試験片
には結晶は全く観察できなかつた。 参考例 1(赤外線遮断効果) 実施例6で得たフイルムのうちビス(1,2,
3,4−トリクロロ−5,6−ジチオフエノレー
ト)ニツケル−テトラ−n−ブチルアンモニウム
を用いたフイルム(以下フイルムAと称す)を用
いて縦90cm、横120cm、高さ90cmの木枠の側面お
よび上面にフイルムを張り、内部に照度計(東
芝、5号照度計)、ゴルチンスキー日照計および
積算照度計(東洋理化工業、PH−11型)を設置
した。照度(単位lux)、日照量(単位cal)およ
び紫外.可視および赤外部の輻射量(単位mW.
min/cm2)を求め、被覆しない場合(野外)の値
を100とする相対値に換算した。 得られた結晶は表2に示すとおりで、本発明の
フイルムAは可視部の光は22%減少させるだけで
あるが、日照量を約1/2に減らす効果があつた。
[Table] Examples are shown below. Note that parts in the examples indicate parts by weight. Example 1 9.0 parts of 1,2,4-trichlorobenzene-5,6-dithiol was dissolved in 500 parts of tetrahydrofuran, and while stirring, a solution of 4.2 parts of nickel chloride hexahydrate dissolved in 50 parts of ethanol was added, resulting in a dark green color. Change. Next, 6.0 parts of tetra-n-butylammonium bromide was added, stirring was continued for 2 hours, and the reaction solution was concentrated to about 1/3 by distillation under reduced pressure. Next, reconsolidation was performed from a mixture of dichloromethane and methanol in a weight ratio of 1:3, and bis(1,
(2,4-trichloro-5,6-dithiophenolate) nickel-tetra-n-butylammonium
11.5 parts were obtained (yield 80 mol%). Melting point 138-140℃ Elemental analysis value C (%) H (%) N (%) Cl (%) Calculated value 42.66 4.86 1.78 26.99 (as C 28 H 38 NCl 6 S 4 Ni) Analysis value 42.59 4.92 1.72 27.52 S( %) Calculated value 16.27 Analytical value 16.77 Example 2 22 parts of 1,4-dichlorobenzene-5,6-dithiol was suspended in 800 parts of methanol and while stirring, 12.4 parts of nickel chloride hexahydrate was added to methanol.
When 100 parts of the solution is added, the color changes to dark green. Next, 18.3 parts of tetra-n-butylammonium bromide was added and stirring was continued for 2 hours, after which the reaction solution was concentrated to about 1/5 by distillation under reduced pressure. The mixture was then filtered to obtain 31 parts of a green solid. Next, recrystallization is performed from a mixture of dichloromethane and methanol in a weight ratio of 1:1 to form bis(1,4-dichloro-
26 parts of nickel-tetra-n-butylammonium (5,6-dithiophenolate) were obtained (yield: 70 mol%). Melting point 204-205℃ Elemental analysis value C (%) H (%) N (%) Cl (%) Calculated value 46.75 5.60 1.95 19.71 (as C 28 H 40 NCl 4 S 4 Ni) Analysis value 46.25 5.73 1.89 19.88 S( %) Calculated value 17.83 Fractional value 18.01 Example 3 1,4-dichlorobenzene-5,6 of Example 2
-1-chlorobenzene instead of 22 parts of dithiol-
In the same manner as in Example 2 except that 18.5 parts of 5,6-dithiol was used, bis(1-dichloro-5,6
-dithiofrate) 26 parts of nickel-tetra-n-butylammonium were obtained (yield 77 mol%). Melting point 125-127℃ Elemental analysis value C(%) H(%) N(%) Cl(%) Calculated value 51.70 6.51 2.15 10.90 (as C 28 H 42 NCl 2 Ni) Analysis value 51.55 6.67 2.13 11.02 S(%) Calculated value: 19.72 Analytical value: 20.10 Example 4 Bis(1,2,4 13 parts of platinum-tetra-n-butylammonium (trichloro-5,6-dithiophenolate) were obtained (yield
80 mol%). Melting point 146-147℃ Elemental analysis value C (%) H (%) N (%) Cl (%) Calculated value 36.37 4.14 1.51 23.01 (as C 28 H 38 NCl 6 S 4 Pt) Analysis value 36.40 4.18 1.49 22.98 S( %) Calculated value 13.87 Analyzed value 13.96 Example 5 1,2,4-trichlorobenzene of Example 1
1,2,4 instead of 9.0 parts of 5,6-dithiol
14 parts of bis(1,2,4-tribromo-5,6-dithiophenolate)nickel-tetra-n-butylammonium were obtained in the same manner as in Example 1 except for using 13.3 parts of -tribromobenzene ( yield
73 mol%). Melting point 193-196℃ Elemental analysis value C (%) H (%) N (%) Br (%) Calculated value 31.88 3.63 1.33 45.44 (as C 28 H 38 NBr 6 S 4 Ni) Analysis value 31.75 3.69 1.29 44.38 S( %) Calculated value 12.16 Analysis value 12.22 Application example 1 Add 10 parts of polymethyl acrylate to a mixed solvent of 45 parts of acetone and 45 parts of toluene, and add Example 1 to this.
- One of the novel halogen-substituted benzenedithiol metal complexes obtained in 5 or the known bis(1,2,3,4-tetrachloro-5,6-dithiophenolate)nickel-tetra-n-butyl for comparison Three parts of ammonium was added and dissolved. Thickness 0.2
The above solution was coated on the surface of a polyvinyl chloride film with a dry film thickness of 7 mm using a small gravure coating machine.
After applying it to a micron thickness, it was dried with hot air at 70°C. After leaving this film in a constant temperature bath at 60°C for 7 days, it was observed under a microscope and found that bis(1,2,3,4-tetrachloro-5,6-dithiophenolate)nickel-tetra-n-butylammonium It was observed that fine needle-like crystals were scattered in the film containing Example 1.
No crystals were observed at all in the film containing the novel halogen-substituted benzenedithiol obtained in steps 5 to 5. Application Example 2 The novel halogen-substituted benzenedithiol obtained in Examples 1 to 5 and the known bis(1,
A composition prepared by dissolving 3 parts of one type of nickel-tetra-n-butylammonium (2,3,4-tetrachloro-5,6-dithiophenolate) and 5 parts of nitrocellulose in 50 parts of metal ethyl ketone was prepared using a spinner. It is coated on polyethylene terephthalate film using
A coating surface of 1 μm was formed. After the obtained film was left in a constant temperature bath at 60℃ for 7 days, the test piece was observed with an optical microscope, and it was found that screws (1, 2,
3,4-Tetrachloro-5,6-dithiophenolate) nickel-tetra-n-butylammonium was observed to have scattered fine needle-like crystals, whereas Examples 1 to No crystals were observed in the test piece containing the novel halogen-substituted benzenedithiol obtained in step 5. Reference Example 1 (Infrared blocking effect) Among the films obtained in Example 6, bis(1, 2,
The side of a wooden frame with a length of 90 cm, a width of 120 cm, and a height of 90 cm was prepared using a film using nickel-tetra-n-butylammonium (3,4-trichloro-5,6-dithiophenolate) (hereinafter referred to as film A). A film was placed on the top surface, and an illumination meter (Toshiba, No. 5 illuminance meter), Gorchinski sunshine meter, and integrated illuminance meter (Toyo Rika Kogyo, model PH-11) were installed inside. Illuminance (unit: lux), amount of sunlight (unit: cal), and ultraviolet light. Visible and infrared radiation (unit: mW.
min/cm 2 ) was calculated and converted into a relative value with the value when not covered (in the field) as 100. The obtained crystals are as shown in Table 2. Film A of the present invention reduced visible light by only 22%, but was effective in reducing the amount of sunlight to about 1/2.

【表】 の方法で調製したもの
参考例 2 実施例7で得たフイルムのうちビス(1,4−
ジクロロ−5,6−ジチオフエノレート)ニツケ
ル−テトラ−n−ブチルアンモニウムを用いたフ
イルム(以下フイルムBと称す)の塗布面へ集束
した半導体レーザ光(GaAlAs系レーザ、830n
m、光出力5mW)を直線状に掃引照射した。レ
ーザ照射部を電子顕微鏡で観察した結果、レーザ
光の軌跡は極めて鮮明であり、光学顕微鏡による
観察では未照射部が緑色を呈しているのに対し
て、照射部は黄色に変化していることが判り、フ
イルムBでレーザ光の記録が可能なことが判つ
た。 応用例 3 ビス(1−クロロ−5,6−ジチオフエノレー
ト)、ニツケル−テトラ−n−ブチルアンモニウ
ム0.15部およびポリメタクリル酸メチル樹脂100
部の混合物をプレス温度150℃、プレス圧力280
Kg/cm2で圧縮成型して1.0mm厚の試験片を得た。
得られた試験片は緑色を呈し、350〜1100nmの
波長領域のうち、可視部の最大透過率は70%以上
であり、400nm以下および800〜950nmの透過率
は10%以下であり、視感度に近い分光特性を有す
る光学フイルターが得られた。
Reference Example 2 Film prepared by the method in [Table] Among the films obtained in Example 7, bis(1,4-
Semiconductor laser light (GaAlAs-based laser, 830n
m, optical output 5 mW) was swept in a straight line. As a result of observing the laser irradiated area with an electron microscope, the trajectory of the laser beam was extremely clear, and when observed with an optical microscope, the unirradiated area was green, while the irradiated area turned yellow. It was found that recording with laser light was possible with film B. Application example 3 Bis(1-chloro-5,6-dithiophenolate), 0.15 part of nickel-tetra-n-butylammonium and polymethyl methacrylate resin 100
Press the mixture at a temperature of 150℃ and a pressure of 280℃.
A test piece with a thickness of 1.0 mm was obtained by compression molding at Kg/cm 2 .
The obtained test piece exhibits a green color, and the maximum transmittance in the visible region in the wavelength range of 350 to 1100 nm is 70% or more, and the transmittance in the wavelength range of 400 nm or less and 800 to 950 nm is 10% or less, and the visibility is low. An optical filter with spectral characteristics close to that of the above was obtained.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 (1) 一般式(1) (式中、X塩素または臭素原子を、YおよびZは
Xが塩素原子のとき、水素または塩素原子を、X
が臭素原子のとき、水素または臭素原子を、Mは
ニツケル、パラジウムまたは白金原子を、Aは第
4級アンモニウム基を示す)で表されるハロゲン
置換ベンゼンジチオール金属錯体。
[Claims] 1 (1) General formula (1) (In the formula, X is a chlorine or bromine atom, Y and Z are hydrogen or a chlorine atom when X is a chlorine atom,
is a bromine atom, M is a nickel, palladium or platinum atom, and A is a quaternary ammonium group), a halogen-substituted benzenedithiol metal complex.
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