JPH01321725A - Switch driver - Google Patents

Switch driver

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JPH01321725A
JPH01321725A JP15594688A JP15594688A JPH01321725A JP H01321725 A JPH01321725 A JP H01321725A JP 15594688 A JP15594688 A JP 15594688A JP 15594688 A JP15594688 A JP 15594688A JP H01321725 A JPH01321725 A JP H01321725A
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voltage
control
terminal
resistor
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Fuminori Sakai
文則 酒井
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Fujitsu Ltd
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Abstract

PURPOSE:To switch a drive voltage to negative and positive with a control signal having a single polarity by connecting an input terminal to a first control terminal and a second resistance through a first resistance and connecting the input terminal to a Zener diode and a second control terminal through a third resistance. CONSTITUTION:A diode switch circuit 21 consists of capacitors C1 and C2, choke coils L1 and L2, and a diode D1. When the voltage between terminals 16 and 17 is positive, the circuit is driven to be turned on because the diode D1 is forward biased. When the voltage between terminals 16 and 17 is negative, the circuit is turned off because the diode D1 is backward biased. Thus, the drive voltage applied to the first and second control terminals of a semiconductor switching element is switched to positive and negative by the control signal having a single polarity.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ダイオードなどの半導体スイッチング素子をドライブし
てスイッチング制御するスイッチドライバに関し、 ドライブ電圧の正負の切換えをψ−極性の&IJtll
信号で行なうことを目的とし、 !!II信号入力端子と半導体スイッチング素子の第1
の制御端子との間に接続された第1の抵抗と、該第1の
抵抗及び前記第1の制tI端子の接続点と接地間に接続
された第2の抵抗と、制rlJ信号入力端子と前記半導
体スイッチング素子の第2の&IJtXI端子間に接続
された第3の抵抗と、該第2のi/Itll端子及び第
3の抵抗の接続点と接地間に接続されたツェナーダイオ
ードとよりなり、前記入力端子に入力される単一極性の
制御信号により前記半導体スイッチング素子の第1及び
第2の制t[lG丁子間電圧を変化させて該半導体スイ
ッチング素子をドライブするよう構成する。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a switch driver that controls switching by driving a semiconductor switching element such as a diode, positive/negative switching of the drive voltage is performed using ψ-polarity &IJtll.
Intended to be done with signals,! ! II signal input terminal and the first semiconductor switching element
a first resistor connected between the first resistor and the first control terminal, and a second resistor connected between the connection point of the first resistor and the first control terminal and ground; and a control rlJ signal input terminal. and a third resistor connected between the second &IJtXI terminal of the semiconductor switching element, and a Zener diode connected between the connection point of the second i/Itll terminal and the third resistor and ground. , the semiconductor switching element is driven by changing the first and second control voltages of the semiconductor switching element using a single-polarity control signal input to the input terminal.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明はスイッチドライバに係り、特にダイオードなど
の半導体スイッチング素子をドライブしてスイッチング
制御aするスイッチドライバに関する。
The present invention relates to a switch driver, and particularly to a switch driver that controls switching by driving a semiconductor switching element such as a diode.

半導体スイッチング素子としてダイオードは各種の回路
に用いられている。例えば、第5図(A)、(B)に示
すようなマイクロ波帯の移相器にも用いられている。第
5図(A)はマイクロストリップ線路1をダイオード2
を介して直線状のマイクロストリップ線路3の一端に接
続する一方、ダイオード4を介してU字状のマイクロス
トリップ線路5の一端に接続し、またマイクロストリッ
プ線路3.5の他端をダイオード6.7を介してマイク
ロストリップ線路8に共通接続する構成の移相器を示し
ており、これはローデツド型移相器と呼ばれている。
Diodes are used as semiconductor switching elements in various circuits. For example, it is also used in microwave band phase shifters as shown in FIGS. 5(A) and 5(B). Figure 5 (A) shows the microstrip line 1 connected to the diode 2.
is connected to one end of a straight microstrip line 3 through a diode 4, and connected to one end of a U-shaped microstrip line 5 through a diode 4, and the other end of the microstrip line 3.5 is connected to a diode 6. 7 shows a phase shifter configured to be commonly connected to a microstrip line 8 through a microstrip line 8, which is called a loaded phase shifter.

このローデツド型移相器ではマイクロストリップ線路3
.5の各良さを異ならせることにより、異なる遅延時間
を得、かつ、マイクロストリップ線路3,5に交互に入
力マイクロ波信号を供給すると共に、マイクロストリッ
プ線路3,5を伝搬したマイクロ波信号を交互にマイク
ロストリップ線路8へ供給する。
In this loaded phase shifter, the microstrip line 3
.. 5, different delay times can be obtained, and the input microwave signals are alternately supplied to the microstrip lines 3 and 5, and the microwave signals propagated through the microstrip lines 3 and 5 are alternately supplied. is supplied to the microstrip line 8.

また、第5図(B)は上記マイクロストリップ線路3及
び5の代りに、ローパスフィルタ9及びバイパスフィル
タ10を用いたもので、バイパスローパス型移相器と呼
ばれている。このバイパスローパス型移相器では、バイ
パスフィルタ9及びローパスフィルタ10により互いに
異なる遅延時間を得る構成であり、これらに交互にマイ
クロ波信号を供給する点は前記ローデツド型移相器と同
様である。
Moreover, FIG. 5(B) uses a low-pass filter 9 and a bypass filter 10 instead of the microstrip lines 3 and 5, and is called a bypass low-pass type phase shifter. This bypass low-pass type phase shifter is configured to obtain different delay times from the bypass filter 9 and the low-pass filter 10, and is similar to the loaded phase shifter in that microwave signals are alternately supplied to these filters.

上記の各移相器ではダイオード2.4.6及び7はスイ
ッチング用に用いられており、ダイオード2,6がオン
のときダイオード4.7はオフとされ、ダイオード2.
6がオフのときダイオード4.7はオンとされる。
In each of the above phase shifters, diodes 2, 4, 6 and 7 are used for switching; when diodes 2, 6 are on, diode 4, 7 is off, and diodes 2, 4, 6 and 7 are off.
When 6 is off, diode 4.7 is on.

このような移相器その他に用いられるスイッチング用ダ
イオードなどをスイッチング制御するために、スイッチ
ドライバが必要とされる。
A switch driver is required to control the switching of switching diodes used in such phase shifters and other devices.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第6図(A)は従来のスイッチドライバの一例の回路図
を示す。同図中、入力端子11は抵抗Ra、チョークコ
イルLaを直列に介してダイオードDoの7ノードとコ
ンデン+lCaの共通接続点に接続されている。また、
入力端子12はチョークコイルLbを介してダイオード
Doのカソードとコンデンサcbの共通接続点に接続さ
れている。 入力端子12には固定の基準電圧が入力さ
れ、入力端子11にはスイッチング用i、1Jtil信
号が入力される。この制御信号は第6図(B)に示す如
きパルス波形をしており、基準電圧より高レベルの期間
はダイオードDoを順方向にバイアスしてオンとし、他
方、基準電圧より低レベルの期間はダイオードDoを逆
方向にバイアスしてこれをオフとする。
FIG. 6(A) shows a circuit diagram of an example of a conventional switch driver. In the figure, the input terminal 11 is connected to a common connection point between the 7 nodes of the diode Do and the capacitor +lCa via a resistor Ra and a choke coil La in series. Also,
Input terminal 12 is connected to a common connection point between the cathode of diode Do and capacitor cb via choke coil Lb. A fixed reference voltage is input to the input terminal 12, and switching i, 1Jtil signals are input to the input terminal 11. This control signal has a pulse waveform as shown in FIG. 6(B), and during the period when the level is higher than the reference voltage, the diode Do is forward biased and turned on. On the other hand, during the period when the level is lower than the reference voltage, the diode Do is turned on. Diode Do is reverse biased to turn it off.

ダイオードDoがオンの期間はコンデンサCaを介して
入力される入力信号がダイオードDoを通過し、更にコ
ンデンサcbを介して出力される。
While the diode Do is on, the input signal input via the capacitor Ca passes through the diode Do and is further output via the capacitor cb.

一方、ダイオードDoがオフの期間はコンデンサCaを
介してダイオードDoに入力された人力信号はダイオー
ドDoの通過を阻止される。
On the other hand, while the diode Do is off, the human input signal input to the diode Do via the capacitor Ca is blocked from passing through the diode Do.

このように、この従来のスイッチドライバでは、制御信
号が基準信号と同一の極性で、常に正及び負のいずれか
一方の極性(すなわち単一極性)であり、制御信号が基
準電圧より高レベルか低レベルかによりダイオードをス
イッチング制御している。
In this way, in this conventional switch driver, the control signal has the same polarity as the reference signal and always has either positive or negative polarity (i.e., single polarity), and the control signal is at a higher level than the reference voltage. Diode switching is controlled by low level.

また、他の従来のスイッチドライバとして第7図(A>
に示す如き構成のものが知られている。
In addition, as another conventional switch driver, Fig. 7 (A>
A configuration as shown in is known.

同図(A)中、第6図(A)と同一構成部分には同一符
号を付し、その説明を省略する。この従来のスイッチド
ライバは、チョークコイルLbの−端が接地されており
、基準電圧が入力されず、また、制御信号入力端子13
に第7図(B)に示す如き正、負両極性の制御信号が入
力される点に特徴を有する。
In FIG. 6A, the same components as those in FIG. In this conventional switch driver, the negative end of the choke coil Lb is grounded, no reference voltage is input, and the control signal input terminal 13
It is characterized in that control signals of both positive and negative polarities are input as shown in FIG. 7(B).

すなわち、&IJtll信号が正極性のときはダイオー
ドDoがオンとされ、負極性のときはダイオードDoが
オフとされる。
That is, when the &IJtll signal has positive polarity, diode Do is turned on, and when it has negative polarity, diode Do is turned off.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかるに第6図(A)に示した従来のスイッチドライバ
は、ダイオードDoのスイッチングのためにt、IJ御
大入カライン基準電圧入カラインの2ラインが必要で、
かつ、基準電圧発生源が別途必要であった。
However, the conventional switch driver shown in FIG. 6(A) requires two lines, t and IJ, a large input line and a reference voltage input line, for switching the diode Do.
In addition, a separate reference voltage generation source was required.

また、第7図(A>に示した従来のスイッチドライバは
、基準電圧源が不要であるが、その反面、ドライブ電圧
であるvtrn信号として第7図(B)に示したように
正極性と負極性の両方が必要であるため、この制御信号
を生成する回路が若干複雑となり、またシステム電源が
単一極性の場合には制御信号を出力すること自体ができ
なかった。
Furthermore, the conventional switch driver shown in Fig. 7 (A) does not require a reference voltage source, but on the other hand, as shown in Fig. 7 (B), the positive polarity is Since both negative polarities are required, the circuit for generating this control signal is somewhat complicated, and if the system power supply has a single polarity, it is not possible to output the control signal itself.

本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、ドライブ電
圧の正負の17JFIAえを単一極の制御信号で行なう
ことができるスイッチドライバを提供することを目的と
する。
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a switch driver that can change the positive and negative 17JFIA of the drive voltage using a single-pole control signal.

〔vR題を解決するための手段〕[Means for solving the vR problem]

第1図は本発明の原即回路図を示す。15は制御信号入
力端子、16及び17は半導体スイッチング素子の第1
の制御端子及び第2の制御端子である。R+ 、R2及
びR3は夫々用1.第2及び第3の抵抗、Dzはツェナ
ーダイオードである。
FIG. 1 shows an original circuit diagram of the present invention. 15 is a control signal input terminal, 16 and 17 are the first semiconductor switching elements.
and a second control terminal. R+, R2 and R3 are respectively 1. The second and third resistors, Dz, are Zener diodes.

入力端子15は第1の抵抗R1を介して第1の制御端子
16及び第2の抵抗R2に夫々接続され、また第3の抵
抗R3を介してツェナーダイオードDz及び第2の制御
端子17に夫々接続されている。
The input terminal 15 is connected to a first control terminal 16 and a second resistor R2, respectively, via a first resistor R1, and to a Zener diode Dz and a second control terminal 17, respectively, via a third resistor R3. It is connected.

入力端子15には単一極性の制御信号が入力され、第1
及び第2の制御端子16.17間の電圧が変化され、こ
れにより半導体スイッチング制御素子をドライブする。
A single polarity control signal is input to the input terminal 15, and the first
and the second control terminal 16,17 is varied, thereby driving the semiconductor switching control element.

〔作用〕[Effect]

入力端子15の制御信号の電圧値をVc、ツェナーダイ
オードDzのツェナー電圧をVz、制御端子16.17
間の電圧をVoとし、また抵抗R1〜)で3の抵抗値も
同じ<R+〜R3と記すらのとすると、電圧Vcとツェ
ナー電圧Vzとの大小関係に応じて次式が成立する。
The voltage value of the control signal of the input terminal 15 is Vc, the Zener voltage of the Zener diode Dz is Vz, and the control terminal 16.17
Assuming that the voltage between them is Vo, and the resistance values of the resistors R1 to 3 are also written as <R+ to R3, the following equation holds true depending on the magnitude relationship between the voltage Vc and the Zener voltage Vz.

■Vc >Vzの場合 Vo = (R2/ (R1+Rz ) ) ・Vc 
−Vzココテ、tIII罪信号Vcを抵抗分圧り、 T
 (9たffi’l wJJ子16における電圧VAは
(R2/(R曹十R2))・Vcとなり、これは制御I
端子17における電圧Ve  (すなわちツェナー電圧
Vz)よりも大に選定されている。このため、このとき
の電圧Voは正となる。
■If Vc > Vz, Vo = (R2/ (R1+Rz)) ・Vc
-Vz here, tIII sin signal Vc is divided by resistance, T
(9Tffi'l wJJ The voltage VA at the child 16 is (R2/(R2R2))・Vc, which is the control I
It is selected to be larger than the voltage Ve at the terminal 17 (ie, the Zener voltage Vz). Therefore, the voltage Vo at this time becomes positive.

■Vc<Vzの場合 この場合の制御端子17における電圧V[Jは、制御信
号Vcがツェナー電圧Vzよりも小であるから、Vcと
なる。従って、 VD=((R2/(R1+R2))−1)・Vc■ となる。0式中、R2/ (R1+R2)は1より小で
あるから、0式のVDは負となる。
(2) When Vc<Vz In this case, the voltage V[J at the control terminal 17 becomes Vc since the control signal Vc is smaller than the Zener voltage Vz. Therefore, VD=((R2/(R1+R2))-1)·Vc■. In Equation 0, R2/(R1+R2) is smaller than 1, so VD of Equation 0 is negative.

ここで、−例としてR+ =Rz =R3−5000゜
Vz=6Vとする七、電圧V^、Va及びVcは第2図
(A>に示す如くになる。従って、電圧Vo (=V^
−Ve ) は第2図(B)に示す如く、VA<Vaの
ときに負となり、VA−Ve −6V(このときVc−
12V)以上の電圧で正となる。
Here, as an example, let R+ = Rz = R3 - 5000°Vz = 6V, and the voltages V^, Va and Vc will be as shown in Fig. 2 (A>). Therefore, the voltage Vo (=V^
-Ve ) becomes negative when VA<Va, as shown in FIG. 2(B), and VA-Ve -6V (at this time Vc-
It becomes positive at a voltage of 12V) or higher.

このように、iqmt信号の値Vcは単一極性(ここで
は正極性)であるにも拘らず、その値Vcを変化させる
ことにより、半導体スイッチング素子の第1及び第2の
制御端子16.17間の電圧Voを正と負の両極性で変
化させることができる。
In this way, although the value Vc of the iqmt signal has a single polarity (here, positive polarity), by changing the value Vc, the first and second control terminals 16, 17 of the semiconductor switching element The voltage Vo between them can be changed between positive and negative polarities.

従って、半導体スイッチング素子として第1図に18で
示す如くダイオードを使用した場合は、その順方向電流
1dは第2図(C)に示す如(、電圧VDが正のときに
流れ、負のときには流れないから、ダイオード18をス
イッチング制御できる。
Therefore, when a diode is used as a semiconductor switching element as shown at 18 in FIG. 1, its forward current 1d flows as shown in FIG. Since no current flows, switching of the diode 18 can be controlled.

なお、順方向電流1dは抵抗R1によって定まり、Vc
が6Vのとぎダイオード18に3Vの逆電圧が印加され
、Vcが18vのとき6mAの順方向電流が流れる。
Note that the forward current 1d is determined by the resistor R1, and is Vc
A reverse voltage of 3V is applied to the bridging diode 18 whose voltage is 6V, and when Vc is 18V, a forward current of 6mA flows.

〔実施例〕〔Example〕

第3図は本発明の第1実施例の回路図を示す。 FIG. 3 shows a circuit diagram of a first embodiment of the invention.

同図中、第1図と同一構成部分には同一符号を付し、そ
の説明を省略する。第3図において、20は本発明のス
イッチドライバ、21はダイオードスイッチ回路である
。ダイオードスイッチ回路21はコンデンサC+ 、0
2 *チョークコイルL+ 、12及びダイオードD+
よりなる。
In the figure, the same components as in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and their explanations will be omitted. In FIG. 3, 20 is a switch driver of the present invention, and 21 is a diode switch circuit. The diode switch circuit 21 has a capacitor C+, 0
2 *Choke coil L+, 12 and diode D+
It becomes more.

前記したように、制御信号の値Vcにより、端子16.
17間の電圧が正又は負に制御される。
As mentioned above, depending on the value Vc of the control signal, the terminal 16.
17 is controlled to be positive or negative.

ここで端子16.17間の電圧が正のとぎはダイオード
D1が順方向にバイアスされるため、オンとなるように
ドライブされる。一方、端子16゜17間の電圧が負の
ときはダイオードD+が逆方向にバイアスされるので、
オフとなる。
Here, when the voltage between the terminals 16 and 17 is positive, the diode D1 is biased in the forward direction and is therefore driven to be turned on. On the other hand, when the voltage between terminals 16 and 17 is negative, diode D+ is biased in the reverse direction, so
It turns off.

第4図は本発明の第2実施例の回路図を示す。FIG. 4 shows a circuit diagram of a second embodiment of the invention.

同図中、第1図及び第3図と同一構成部分には同一符号
を付し、その説明を省略する。第4図において、22は
電界効果トランジスタ(FET)スイッチ回路で、半導
体スイッチング素子であるFETQ+ と、そのドレイ
ン、ソースに各々接続されたコンデンサC3、C4と、
Qlのゲート、ソースと端子16.17との間に接続さ
れたコイルL3.L4とよりなる。QlがNチャンネル
FETであるものとすると、制御信号Vcにより前記電
圧Voを正に変化させてFETスイッチ回路22をドラ
イブしたときは、Qlがオンとなる。また、前記電圧V
oを負に変化させてFETスイッチ回路22をドライブ
したときはQlがオフとなる。
In the figure, the same components as in FIGS. 1 and 3 are designated by the same reference numerals, and their explanations will be omitted. In FIG. 4, 22 is a field effect transistor (FET) switch circuit, which includes a semiconductor switching element FETQ+, capacitors C3 and C4 connected to its drain and source, respectively.
A coil L3.Q1 connected between the gate and source of Ql and terminal 16.17. It consists of L4. Assuming that Ql is an N-channel FET, when the voltage Vo is changed positively by the control signal Vc to drive the FET switch circuit 22, Ql is turned on. Further, the voltage V
When o is changed to a negative value to drive the FET switch circuit 22, Ql is turned off.

前記したように、電圧Voを正及び負のどちらの極性に
するとぎも、上記制御l信号の値Vcは例えば常に正極
性で、そのレベルが異なるだけである。従って、単一極
の制御信号VcによりFETQlをスイッチング制御す
ることができる。
As described above, regardless of whether the voltage Vo is set to either positive or negative polarity, the value Vc of the control l signal is always positive, for example, and the only difference is the level. Therefore, switching of FET Ql can be controlled by a single-pole control signal Vc.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上述の如く、本発明によれば、単一極性の制御信号によ
り半導体スイッチング素子の第1及び第2の制御端子に
印加されるドライブ電圧を正負に切換えることができ、
よって単一極性の電源しか有さないシステムにも適用す
ることができ、また基準電圧源を設ける必要がなく、基
準電圧源が必要な従来の回路に比べ安価に構成すること
ができる等の特長を有するものである。
As described above, according to the present invention, the drive voltage applied to the first and second control terminals of the semiconductor switching element can be switched between positive and negative by a single polarity control signal,
Therefore, it can be applied to systems that only have a single-polarity power supply, and it also has features such as no need to provide a reference voltage source and can be constructed at a lower cost than conventional circuits that require a reference voltage source. It has the following.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の原耶回路図、 第2図は第1図の各部の電圧、電流特性図、第3図は本
発明の第1実施例の回路図、第4図は本発明の第2実施
例の回路図、第5図は移相器の各個を示す図、 第6図及び第7図は夫々従来の各個の回路図と波形図を
示す図である。 図において、 15は1IIIIlD信号入力端子、 16は第1の1110端子、 17は第2のυ+m端子、 18、D+はダイオード、 R1は第1の抵抗、 R2は第2の抵抗、 R3は第3の抵抗、 Dzはツェナーダイオード、 Qlは電界効果トランジスタ(FET)を示す。 111図 中等シ9の苓1亨論レーり田到引4 第3図 俸1目f)8#の電圧、電皮糎凹 第2図 114図 @5図 第6!!I 第7!!I
Fig. 1 is the original circuit diagram of the present invention, Fig. 2 is a voltage and current characteristic diagram of each part of Fig. 1, Fig. 3 is a circuit diagram of the first embodiment of the present invention, and Fig. 4 is the circuit diagram of the present invention. The circuit diagram of the second embodiment, FIG. 5 is a diagram showing each phase shifter, and FIGS. 6 and 7 are diagrams showing a conventional circuit diagram and waveform diagram, respectively. In the figure, 15 is the 1III1D signal input terminal, 16 is the first 1110 terminal, 17 is the second υ+m terminal, 18, D+ is the diode, R1 is the first resistor, R2 is the second resistor, R3 is the third resistor , Dz is a Zener diode, and Ql is a field effect transistor (FET). 111 Figure 1, 2, 9, 1, 2, 1, 2, 4, 3, 1, f) 8# voltage, electric skin recess, Figure 2, 114 @ 5, Figure 6! ! I 7th! ! I

Claims (1)

【特許請求の範囲】 制御信号入力端子(15)と半導体スイッチング素子の
第1の制御端子(16)との間に接続された第1の抵抗
(R_1)と、 該第1の抵抗(R_1)及び前記第1の制御端子(16
)の接続点と接地間に接続された第2の抵抗(R_2)
と、 制御信号入力端子(15)と前記半導体スイッチング素
子の第2の制御端子(17)間に接続された第3の抵抗
(R_3)と、 該第2の制御端子(17)及び第3の抵抗 (R_3)の接続点と接地間に接続されたツェナーダイ
オード(Dz)とよりなり、 前記入力端子(15)に入力される単一極性の制御信号
により前記半導体スイッチング素子の第1及び第2の制
御端子(16、17)間の電圧を変化させて該半導体ス
イッチング素子をドライブすることを特徴とするスイッ
チドライバ。
[Claims] A first resistor (R_1) connected between a control signal input terminal (15) and a first control terminal (16) of a semiconductor switching element; and the first resistor (R_1). and the first control terminal (16
) and the second resistor (R_2) connected between the connection point of
and a third resistor (R_3) connected between the control signal input terminal (15) and the second control terminal (17) of the semiconductor switching element; It consists of a Zener diode (Dz) connected between the connection point of the resistor (R_3) and the ground, and the first and second semiconductor switching elements are controlled by a single polarity control signal input to the input terminal (15). A switch driver characterized in that the semiconductor switching element is driven by changing the voltage between the control terminals (16, 17) of the switch driver.
JP63155946A 1988-06-23 1988-06-23 Switch driver Expired - Lifetime JP2549707B2 (en)

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