JPH01302731A - Connection of electric circuit component and electric circuit device - Google Patents

Connection of electric circuit component and electric circuit device

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JPH01302731A
JPH01302731A JP63133133A JP13313388A JPH01302731A JP H01302731 A JPH01302731 A JP H01302731A JP 63133133 A JP63133133 A JP 63133133A JP 13313388 A JP13313388 A JP 13313388A JP H01302731 A JPH01302731 A JP H01302731A
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Tetsuo Yoshizawa
吉沢 徹夫
Hiroshi Kondo
浩史 近藤
Takashi Sakaki
隆 榊
Masaaki Imaizumi
昌明 今泉
Hideyuki Nishida
秀之 西田
Yasuteru Ichida
市田 安照
Masaki Konishi
小西 正暉
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Abstract

PURPOSE:To strongly and stably establish the connections between electric circuit components at a time by connecting electric circuit components and other electric circuit component using electrical connecting members. CONSTITUTION:A semiconductor element 101 and a circuit board are provided opposed to each other and an electric connecting member 125 consisting of an electric conductor member 107 and a holding member 111 is disposed between both members. Aluminum of connecting part 102 of semiconductor element 101 and gold of connecting part 108 of electrical connecting member 125 are connected, and gold of connecting part 105 of circuit board 104 and gold of connecting part 109 of connecting member 125 are both connected through metallization and/or formation of alloy by the high frequency induction heating or microwave heating method. Next, the electric circuit components 101 and 104 thus connected are molded with a sealing material 170, completing a semiconductor device.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、電気回路部品の接続方法及び電気回路装置に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for connecting electrical circuit components and an electrical circuit device.

[従来技術] 従来、電気回路部品同士を電気的に接続して構成される
電気回路部材を封止した電気回路装置に関する技術とし
ては以下に述べる技術が知られている。
[Prior Art] Conventionally, the following technology is known as a technology related to an electric circuit device in which an electric circuit member configured by electrically connecting electric circuit components to each other is sealed.

■ワイヤボンディング方法 第13図及び第14図はワイヤボンディング方法によフ
て接続され、封止された半導体装置の代表例を示してお
り、以下、第13図及び第14図に基づきワイヤボンデ
ィング方法を説明する。
■Wire bonding method FIGS. 13 and 14 show typical examples of semiconductor devices that are connected and sealed by the wire bonding method. Hereinafter, the wire bonding method will be explained based on FIGS. Explain.

この方法は、Agペースト3等を用いて半導体素子4を
素子搭載部2に固定支持し、次いで、半導体素子4の接
続部5と、リードフレーム1の所望の接続部6とを金等
の極細金属線7を用いて電気的に接続する方法である。
In this method, the semiconductor element 4 is fixedly supported on the element mounting part 2 using Ag paste 3 or the like, and then the connection part 5 of the semiconductor element 4 and the desired connection part 6 of the lead frame 1 are connected with ultrafine material such as gold. This is a method of electrically connecting using metal wires 7.

接続後に、トランスファーモールド法等の方法でエポキ
シ樹脂等、熱硬化性樹脂である樹脂8を用いて半導体素
子4とリードフレーム1を封止し、その後、樹脂封止部
品から外に伸びたリードフレーム1の不要部分を切断し
、所望の形に曲げ半導体装置9を作る。
After the connection, the semiconductor element 4 and the lead frame 1 are sealed using a thermosetting resin 8 such as an epoxy resin by a method such as a transfer molding method, and then the lead frame extends outward from the resin-sealed component. A semiconductor device 9 is made by cutting off unnecessary portions of the semiconductor device 1 and bending it into a desired shape.

■T A B (Tape Automated Bo
ndjng )法(例えば、特開昭59−139636
号公報)第15図はTAB法により接続され封止された
半導体装置の代表例を示す。
■T A B (Tape Automated Bo
ndjng ) method (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-139636
15 shows a typical example of a semiconductor device connected and sealed by the TAB method.

この方法は、テープキャリア方式による自動ボンディン
グ法である。この方法を第15図に基づいて説明する。
This method is an automatic bonding method using a tape carrier method. This method will be explained based on FIG. 15.

キャリアフィルム基板16と半導体素子4とを位置決め
した後、キャリアフィルム基板16のインナーリード部
17と半導体素子4の接続部5とを熱圧着することによ
り接続する方法である。接続後に、エポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂である樹脂20あるいは樹脂21で封止し半
導体装置9とする。
In this method, after positioning the carrier film substrate 16 and the semiconductor element 4, the inner lead part 17 of the carrier film substrate 16 and the connecting part 5 of the semiconductor element 4 are connected by thermocompression bonding. After the connection, the semiconductor device 9 is sealed with resin 20 or resin 21 which is a thermosetting resin such as epoxy resin.

■CCB  (Controlled  Co11ap
se  Bonding  )  ン去(例えば、特公
昭42−2096号公報、特開昭60−57944号公
報) 第16図はCCB法によフて接続され封止された半導体
装置の代表例を示す。この方法を第16図に基づき説明
する。なお、本方法はフリップチップボンディング法と
も呼ばれている。
■CCB (Controlled Co11ap
Figure 16 shows a typical example of a semiconductor device bonded and sealed by the CCB method. This method will be explained based on FIG. 16. Note that this method is also called a flip chip bonding method.

半導体素子4の接続部5に予め半田バンブ31を設け、
半田バンブ31が設けられた半導体素子4を回路基板3
2上に位置決めして搭載する。その後、半田を加熱溶解
することにより回路基板32と半導体素子4とを接続さ
せ、フラックス洗浄後封止して半導体装置9を作る。
A solder bump 31 is provided in advance on the connection portion 5 of the semiconductor element 4,
The semiconductor element 4 provided with the solder bumps 31 is mounted on the circuit board 3.
Position and mount it on 2. Thereafter, the circuit board 32 and the semiconductor element 4 are connected by heating and melting the solder, and after cleaning with flux, the semiconductor device 9 is sealed.

■第17図及び第18図に示す方法 第1の半導体素子4の接続部5以外の部分にポリイミド
等よりなる絶縁膜71を形成せしめ、接続部5にはAu
等よりなる金属材70を設け、次いで、金属材70及び
絶縁膜71の露出面73゜72を平らにする。一方、第
2の半導体素子4゜の接続部5°以外の部分にポリイミ
ド等よりなる絶縁膜71゛を形成し、接続部5′にはA
u等よりなる金属材70″を設け、次いで、金属材70
’及び絶縁膜71′の露出面73’ 、72″を平坦に
する。
■The method shown in FIGS. 17 and 18. An insulating film 71 made of polyimide or the like is formed on a portion of the first semiconductor element 4 other than the connecting portion 5, and the connecting portion 5 is made of Au.
Then, the exposed surfaces 73° and 72 of the metal material 70 and the insulating film 71 are flattened. On the other hand, an insulating film 71' made of polyimide or the like is formed on a portion other than the connecting portion 5° of the second semiconductor element 4°, and an insulating film 71'' is formed on the connecting portion 5'.
A metal material 70'' made of u etc. is provided, and then the metal material 70
The exposed surfaces 73' and 72'' of the insulating film 71' are flattened.

その後、第18図に示すように第1の半導体素子4と第
2の半導体素子4°とを位置決めし、位置決め後熱圧着
することにより、第1の半導体素子4の接続部5と第2
の半導体素子4°の接続部5″を、金属材70.70’
 を介して接続する。
Thereafter, as shown in FIG. 18, the first semiconductor element 4 and the second semiconductor element 4 degrees are positioned, and after positioning, they are bonded by thermocompression, thereby connecting the connecting part 5 of the first semiconductor element 4 and the second semiconductor element 4.
Connecting part 5'' of semiconductor element 4° with metal material 70.70'
Connect via.

■第19図に示す方法 第1の回路基板75と第2の回路基板75゛の間に、絶
縁物質77中に導電粒子79を分散させた異方性導電膜
78を介在させ、第1の回路基板75と第2の回路基板
75°を位置決めした後、加圧、もしくは加圧・加熱し
、第1の回路基板75の接続部76と第2の回路基板7
5゛の接続部76°を接続する方法である。
■The method shown in FIG. 19 An anisotropic conductive film 78 in which conductive particles 79 are dispersed in an insulating material 77 is interposed between the first circuit board 75 and the second circuit board 75'. After positioning the circuit board 75 and the second circuit board 75°, pressure is applied or pressure and heat is applied to connect the connection portion 76 of the first circuit board 75 and the second circuit board 7.
This is a method of connecting a 76° connecting portion of 5°.

■第20図に示す方法 第1の回路基板75と第2の回路基板75°の間に、F
e、Cu等よりなる金属線82が一定方向に向けて配さ
れいる絶縁物質81からなるエラスチックコネクタ83
を介在させ、第1の回路基板75と第2の回路基板75
°を位置決めした後加圧し、第1の回路基板75の接続
部76と第2の回路基板75゛の接続部76゛を接続す
る方法である。
■Method shown in Fig. 20 Between the first circuit board 75 and the second circuit board 75°,
An elastic connector 83 made of an insulating material 81 in which metal wires 82 made of e.g., Cu, etc. are arranged in a certain direction.
between the first circuit board 75 and the second circuit board 75
This is a method in which the connecting portion 76 of the first circuit board 75 and the connecting portion 76' of the second circuit board 75' are connected by applying pressure after positioning the circuit board 75'.

E発明が解決しようとする問題点コ しかしながら、従来のボンディング法には以下のような
問題点がある。
E Problems to be Solved by the Invention However, the conventional bonding method has the following problems.

■ワイヤボンディング法 ■半導体素子4の接続部5を半導体素子4の内部にくる
ように設計すると、極細金属線7は、その線径が極めて
小さいために、半導体素子4の外周縁部10あるいはワ
ードフレーム1の素子塔載部2の外周縁部11に接触し
易くなる。極細金属線7がこれら外周縁部10あるいは
11に接触すると短絡する。さらに、極細金属線7の長
さを長くせざるを得す、長さを長くすると、トランスフ
ァーモールド成形時に極細金属線7が変形しやすくなる
■Wire bonding method■ When designing the connecting part 5 of the semiconductor element 4 to be placed inside the semiconductor element 4, the ultra-fine metal wire 7 has an extremely small wire diameter, and therefore the outer peripheral edge 10 of the semiconductor element 4 or the word This makes it easier to contact the outer peripheral edge 11 of the element mounting portion 2 of the frame 1. When the ultrafine metal wire 7 comes into contact with these outer peripheral edges 10 or 11, a short circuit occurs. Furthermore, the length of the ultra-fine metal wire 7 has to be increased, and if the length is increased, the ultra-fine metal wire 7 becomes easily deformed during transfer molding.

従って、半導体素子4の接続部5は半導体素子4上の周
辺に配貨する必要が生じ、回路設計上の制限を受けざる
を得なくなる。
Therefore, the connecting portions 5 of the semiconductor element 4 need to be distributed around the semiconductor element 4, which imposes restrictions on circuit design.

■ワイヤボンディング法においては、隣接する極細金属
線7同士の接触等を避けるためには半導体素子4上の接
続部5のピッチ寸法(隣接する接続部の中心間の距M)
としである程度の間隔をとらざるを得ない。従って、半
導体素子4の大きさが決まれば必然的に接続部5の最大
数が決まる。
■In the wire bonding method, in order to avoid contact between adjacent ultrafine metal wires 7, the pitch dimension of the connecting portions 5 on the semiconductor element 4 (the distance M between the centers of adjacent connecting portions)
We have no choice but to maintain a certain amount of distance between each other. Therefore, once the size of the semiconductor element 4 is determined, the maximum number of connection portions 5 is necessarily determined.

しかるに、ワイヤボンディング法では、このピッチ寸法
が通常0.2mm程度と大きいので、接続部5の数は少
なくせざるを得なくなる。
However, in the wire bonding method, the pitch dimension is usually as large as about 0.2 mm, so the number of connecting parts 5 must be reduced.

■半導体素子4上の接続部5から測った極細金属線7の
高ざhは通常0.2〜0.4mmであるが、0.2mm
以下にし薄型化することは比較的困難であるので薄型化
を図れない。
■The height h of the ultrafine metal wire 7 measured from the connection part 5 on the semiconductor element 4 is usually 0.2 to 0.4 mm, but it is 0.2 mm.
Since it is relatively difficult to make the device thinner than below, the device cannot be made thinner.

■ワイヤボンディング作業に時間がかかる。特に接続点
数が多くなるとボンディング時間が長くなり生産効率が
悪くなる。
■Wire bonding takes time. In particular, when the number of connection points increases, bonding time becomes longer and production efficiency deteriorates.

■何らかの要因でトランスファーモールド条件範囲を越
すと、極細金属線7が変形したり最悪の場合には切断し
たりする。
- If the transfer molding condition range is exceeded for some reason, the ultrafine metal wire 7 may be deformed or, in the worst case, may be cut.

また、半導体素子4上の接続部5においては、極細金属
線7と合金化されないAJZが露出しているためA℃腐
食が生じ易くなり、信頼性の低下が生じる。
Further, in the connection portion 5 on the semiconductor element 4, since the AJZ that is not alloyed with the ultrafine metal wire 7 is exposed, A° C. corrosion is likely to occur, resulting in a decrease in reliability.

■高圧で樹脂8を注入すると、極細金属線7の変形、切
断が生じるため、高圧で注入する必要がある熱可塑性樹
脂は使用できなく、樹脂に制約を受ける。
(2) If the resin 8 is injected at high pressure, the ultrafine metal wire 7 will be deformed or cut, so thermoplastic resins that need to be injected at high pressure cannot be used, and there are restrictions on the resin.

■熱圧着ボンディングを行う場合、半導体素子4の近傍
に耐熱性の劣る材料が存在すると、設計上又は製作上の
制約を受ける。
(2) When performing thermocompression bonding, if there is a material with poor heat resistance in the vicinity of the semiconductor element 4, there will be design or manufacturing restrictions.

■TAB法 ■半導体素子4の接続部5を半導体素子4の内側にくる
ように設計すると、キャリアフィルム基板16のインナ
ーリード部17の長さぁか長くなるため、インナーリー
ド部17が変形し易くなり、インナーリード部を所望の
接続部5に接続できなかったり、インナーリード部17
が半導体素子4の接続部5以外の部分に接触したりする
。これを避けるためには半導体素子4の接続部5を半導
体素子4上の周辺に持ってくる必要が生じ、設計上の制
限を受ける。
■TAB method■ If the connecting part 5 of the semiconductor element 4 is designed to be placed inside the semiconductor element 4, the length of the inner lead part 17 of the carrier film substrate 16 becomes long, and the inner lead part 17 becomes easily deformed. , the inner lead part cannot be connected to the desired connection part 5, or the inner lead part 17
may come into contact with a portion of the semiconductor element 4 other than the connection portion 5 . In order to avoid this, it is necessary to bring the connecting portion 5 of the semiconductor element 4 to the periphery above the semiconductor element 4, which is subject to design limitations.

■TAB法においても、半導体素子4上の接続部のピッ
チ寸法は0゜09〜0.15mm程度にとる必要があり
、従って、ワイヤボンディング法の問題点■で述べたと
同様に、接続部数を増加させることはむずかしくなる。
■ Even in the TAB method, the pitch dimension of the connecting parts on the semiconductor element 4 must be set to about 0°09 to 0.15 mm. Therefore, as mentioned in the problem (■) of the wire bonding method, the number of connected parts must be increased. It becomes difficult to do so.

■キャリアフィルム基板16のインナーリード部17が
半導体素子4の接続部5以外の部分に接触しないように
するためには、そのためのインナーリード部17の接続
形状が要求されるためコスト高となる。
(2) In order to prevent the inner lead portions 17 of the carrier film substrate 16 from coming into contact with portions other than the connection portions 5 of the semiconductor element 4, a connection shape of the inner lead portions 17 is required for this purpose, which increases costs.

■半導体素子4の接続部5とインナーリード部17とを
接続するためには、半導体素子4の接続部5またはイン
ナーリード部17の接続部に金バンプを付けなければな
らずコスト高になる。
(2) In order to connect the connecting portion 5 of the semiconductor element 4 and the inner lead portion 17, gold bumps must be attached to the connecting portion 5 of the semiconductor element 4 or the connecting portion of the inner lead portion 17, which increases the cost.

■半導体素子4の熱膨張係数が、樹脂20乃至樹脂21
の熱膨張係数と異なるため、半導体装置9に熱が加わっ
た場合、熱応力が発生し、半導体素子4の特性劣化を生
じる。さらには、半導体素子4または樹脂20あるいは
樹脂21に割れが生じ、装置の信頼性が低下する。この
ような現象は半導体素子4の大ぎさが大きい場合顕著と
なる。
■The thermal expansion coefficient of the semiconductor element 4 is between resin 20 and resin 21.
Since the coefficient of thermal expansion is different from that of , when heat is applied to the semiconductor device 9 , thermal stress is generated and the characteristics of the semiconductor element 4 are deteriorated. Furthermore, cracks occur in the semiconductor element 4, the resin 20, or the resin 21, reducing the reliability of the device. Such a phenomenon becomes remarkable when the size of the semiconductor element 4 is large.

■CCB法 ■半導体素子4の接続部5に半田バンプ31を形成させ
なければならないためコスト高になる。
■ CCB method ■ Solder bumps 31 must be formed on the connection portions 5 of the semiconductor element 4, which increases costs.

■バンブの半田量が多いと、隣接する半田ペップ間にブ
リッジ(隣接する半田バンブ同士が接触する現象)が生
じ、逆にバンブの半田量が少ないと、半導体素子4の接
続部5と回路基板32の接続部33が接続しなくなり、
電気的導通がとれなくなる。すなわち、接続の信頼性が
低くなる。さらに、半田量、接続の半田形状が接続の信
頼性に影響する(”Geometric Optimi
zationof Controlled (:oll
apse Interconnections”。
■ If there is a large amount of solder on the bumps, a bridge (a phenomenon in which adjacent solder bumps come into contact with each other) will occur between adjacent solder pep, and conversely, if there is a small amount of solder on the bumps, the connection part 5 of the semiconductor element 4 and the circuit board will be formed. 32 connection part 33 no longer connects,
Electrical continuity is lost. In other words, the reliability of the connection becomes low. Furthermore, the amount of solder and the solder shape of the connection affect the reliability of the connection ("Geometric Optimi").
zationof Controlled (:oll
apse Interconnections”.

L、 S、 Goldman、 IBM J、 RES
、 DEVELOP、 1969゜MAY、 pp、2
51−265. ”Re1iability of C
ontrolledCollapse  Interc
onnections”、  K、  C,Norri
s。
L, S, Goldman, IBM J, RES
, DEVELOP, 1969°MAY, pp, 2
51-265. ”Re1ability of C
ontrolledCollapse Interc
K, C, Norri
s.

^、lL Landzberg、  IBM  J、R
ES、DEVELOP、  1969゜MAY、 pp
、266−271.ろう接技術研究会技術資料、No、
017−’84、ろう接技術研究会発行)という問題が
ある。
^,lL Landzberg, IBM J,R
ES, DEVELOP, 1969°MAY, pp
, 266-271. Brazing Technology Research Group Technical Data, No.
017-'84, published by the Brazing Technology Study Group).

このように、半田バンブの量の多少が接続の信頼性に影
響するため半田バンプ31の量のコントロールが必要と
されている。
As described above, since the amount of solder bumps 31 affects the reliability of the connection, it is necessary to control the amount of solder bumps 31.

■半田バンブ31が半導体素子4の内側に存在すると接
続が良好に行われたか否かの目視検査が難しくなる。
(2) If the solder bumps 31 are present inside the semiconductor element 4, it becomes difficult to visually inspect whether or not the connection has been made well.

■半導体素子の放熱性が悪い(参考資料;Electr
onic Packagin3 Technology
 1987.1゜(Vol、3. No、l) P、5
6〜71. NTKKEI MICRODEVICES
1986.5月 P、97〜108)ため、放熱特性を
良好たらlノめるために多大な工夫が必要とされる。
■Poor heat dissipation of semiconductor elements (reference material: Electr
onic Packagin3 Technology
1987.1゜(Vol, 3. No, l) P, 5
6-71. NTKKEI MICRO DEVICES
(May 1986, P. 97-108), therefore, great efforts are required to improve the heat dissipation characteristics.

■半田を加熱溶融する際、耐熱性の劣る材料が存在する
と設計上又は製作上の制約を受ける。
■When heating and melting solder, if there is a material with poor heat resistance, there will be design or manufacturing restrictions.

■第17図及び第18図に示す技術 ■絶縁膜71の露出面72、金属材70の露出面73あ
るいは絶縁11iJ71’の露出面72゛と金属材70
′の露出面73゛とを平らにしなければならず、そのた
めの工程が増し、コスト高になる。
■Techniques shown in FIGS. 17 and 18■Exposed surface 72 of the insulating film 71, exposed surface 73 of the metal material 70, or exposed surface 72' of the insulation 11iJ71' and the metal material 70
It is necessary to flatten the exposed surface 73' of ', which increases the number of steps and increases costs.

■絶縁膜71の露出面72と金属材70の露出面73あ
るいは絶縁膜71′の露出面72′と金属材70°の露
出面73′に凹凸があると金属材70と金属材70°と
が接続しなくなり、信頼性が低下する。
■If there are irregularities on the exposed surface 72 of the insulating film 71 and the exposed surface 73 of the metal material 70 or on the exposed surface 72' of the insulating film 71' and the exposed surface 73' of the metal material 70°, the metal material 70 and the metal material 70° will no longer connect, reducing reliability.

■第19図に示す技術 ■位置決め後、接続部76と接続部76°とを加圧して
接続する際に、圧力が一定にはかかりにくいため接続状
態にバラツキが生じ、その結果、接続部における接触抵
抗値のバラツキが大きくなる。そのため、接続の信頼性
が乏しくなる。また、多量の電流を流すと、発熱等の現
象が生じるので、多量の電流を流したい場合には不向き
である。
■Technology shown in Fig. 19■ After positioning, when applying pressure to connect the connecting portion 76 and the connecting portion 76°, it is difficult to apply constant pressure, resulting in variations in the connection state. The variation in contact resistance value increases. Therefore, the reliability of the connection becomes poor. In addition, when a large amount of current is passed, phenomena such as heat generation occur, so it is not suitable when a large amount of current is desired to be passed.

■圧力が一定にかけられたとしても、異方性導電膜78
の導電粒子79の配列により抵抗値のバラツキが大きく
なる。そのため、接続の信頼性に乏しくなる。また、多
量の電流を流したい場合には不向きである。
■Even if a constant pressure is applied, the anisotropic conductive film 78
Due to the arrangement of the conductive particles 79, variations in the resistance value become large. Therefore, the reliability of the connection becomes poor. Furthermore, it is not suitable for cases where a large amount of current needs to flow.

■隣接する接続部のピッチ(接続部に隣接する接続部中
心間の距離)を狭くすると、隣接する接続部の間の抵抗
値が小さくなることから高密度な接続には不向きである
(2) If the pitch between adjacent connecting parts (the distance between the centers of adjacent connecting parts) is narrowed, the resistance value between adjacent connecting parts will decrease, which is not suitable for high-density connections.

■回路基板75.75″の接続部76.76’の出っ張
りffi h +のバラツキにより抵抗値が変化するた
め、h、バラツキ量を正確に押さえることが必要である
(2) Since the resistance value changes due to variations in the protrusion ffi h + of the connecting portion 76.76' of the circuit board 75.75", it is necessary to accurately control the amount of variation in h.

■さらに、異方性導電膜を、半導体素子と回路基板の接
続、又は第1の半導体素子と第2の半導体素子との接続
に使用した場合、上記■〜■の欠点の他、半導体素子の
接続部にバンブを設けなければならなくなり、コスト高
になる。
■Furthermore, when an anisotropic conductive film is used to connect a semiconductor element and a circuit board, or to connect a first semiconductor element and a second semiconductor element, in addition to the drawbacks of It is necessary to provide a bump at the connection part, which increases the cost.

■第20図に示す技術 ■加圧が必要であり、加圧治具が必要となる。■Technology shown in Figure 20 ■Pressure is required, and a pressure jig is required.

■エラスチックコネクタ83の金属線82と第1の回路
基板75の接続部76、又は第2の回路基板75′の接
続部76′との接触抵抗は加圧力及び表面状層により変
化するため、接続の信頼性に乏しい。
■The contact resistance between the metal wire 82 of the elastic connector 83 and the connection part 76 of the first circuit board 75 or the connection part 76' of the second circuit board 75' changes depending on the pressing force and surface layer, so the connection lack of reliability.

■エラスチックコネクタ83の金属線82は剛体である
ため、加圧力が犬であるとエラスチックコネクタ83、
第1の回路基板75、第2の回路基板75′の表面が破
損する可能性が大きい。また、加圧力が小であると、接
続の信頼性が乏しくなる。
■Since the metal wire 82 of the elastic connector 83 is a rigid body, if the pressing force is large, the elastic connector 83
There is a high possibility that the surfaces of the first circuit board 75 and the second circuit board 75' will be damaged. Moreover, if the pressing force is small, the reliability of the connection will be poor.

■さらに、回路基板75.75°の接続部76.76°
の出っ張り:ft h 2又はエラスチックコネクタ8
3の金属線82のの出っ張りrM h 3とそのバラツ
キが抵抗値変化及び破損に影響を及ぼすので、バラツキ
を少なくする工夫が必要とされる。
■Furthermore, the connection part of the circuit board 75.75° is 76.76°.
Protrusion: ft h 2 or elastic connector 8
Since the protrusion rM h 3 of the metal wire 82 of No. 3 and its dispersion affect resistance value change and damage, it is necessary to take measures to reduce the dispersion.

■さらに、エラスチックコネクタを半導体素子と回路基
板の接続、又は第1の半導体素子と第2の半導体素子と
の接続に使用した場合、■〜■と同様な欠点を生ずる。
(2) Furthermore, when an elastic connector is used to connect a semiconductor element and a circuit board, or to connect a first semiconductor element and a second semiconductor element, the same drawbacks as described in (1) to (4) occur.

本発明は、以上のような問題点を悉く解決し、高W;度
、高信頼性であり、しかも、低コストの新電気回路装置
を11案するものであり、従来の接続力式及び封止ブj
式を置き変え得ることはもちろん、高密度多点接続が得
られ、熱特性その他の計時性を向上させ得るものである
The present invention solves all of the above-mentioned problems, and proposes 11 new electrical circuit devices that are high in power, highly reliable, and low in cost. stop button
Not only can the formula be replaced, but also high-density multi-point connections can be obtained, and thermal characteristics and other timekeeping performance can be improved.

(以下余白) [問題点を解決するための手段コ 本発明の第1の要旨は、電気的絶縁材料よりなる保持体
と、該保持体中に埋設された複数の電気的導電部材とを
有し、該電気的導電部材の一端が該保持体の一方の面に
おいて露出しており、また、該電気的導電部材の他端が
該保持体の他方の面において露出している電気的接続部
材と;少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部にお
いて、該保持体の一方の面において露出している該電気
的導電部材のうちの少なくとも1つの一端が接続されて
いる少なくとも1以上の電気回路部品と: 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の他方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの他端が接続されている少
なくとも1以上の他の電気回路部品と; を少なくとも有している電気回路装置の該電気回路部品
の接続方法において、 該保持体の一方の面において露出している少なくとも一
以上の電気的導電部材と少なくとも一以上の電気回路部
品との接続、又は、保持体の他方の面において露出して
いる少なくとも一以上の電気的導電部材と少なくとも一
以上の電気回路部品との接続の、一方又は両方を主に高
周波誘電加熱法又はマイクロ波加熱法による内部加熱法
を用いて、直接又は間接的に電気的接続部材の電気的導
電部材と電気回路部品の接続部を加熱せしめることによ
り金属化及び/又は合金化することにより接続したこと
を特徴とする電気回路部品の接続方法にある。
(Left below) [Means for Solving the Problems] The first gist of the present invention is to provide a device comprising a holder made of an electrically insulating material and a plurality of electrically conductive members embedded in the holder. and an electrical connection member in which one end of the electrically conductive member is exposed on one surface of the holder, and the other end of the electrically conductive member is exposed on the other surface of the holder. and; at least one or more connecting portions, to which one end of at least one of the electrically conductive members exposed on one surface of the holder is connected. Electric circuit component: has at least one or more connection parts, and in the connection part,
and at least one or more other electrical circuit components to which the other end of at least one of the electrically conductive members exposed on the other surface of the holder is connected. The method for connecting electrical circuit components includes: connecting at least one electrically conductive member exposed on one surface of the holder to at least one electrical circuit component; or connecting at least one electrically conductive member exposed on one surface of the holder; The connection between at least one or more electrically conductive members and at least one or more electrical circuit components exposed in the Alternatively, there is provided a method for connecting electrical circuit components, characterized in that the electrically conductive member of the electrical connection member and the electrical circuit component are connected by metallization and/or alloying by heating the connection portion of the electrical circuit component. .

本発明の第2の要旨は、電気的絶縁材料よりなる保持体
と、該保持体中に埋設された複数の電気的導電部材とを
有し、該電気的導電部材の一端が該保持体の一方の面に
おいて露出しており、また、該電気的導電部材の他端が
該保持体の他方の面において露出している電気的接続部
材と;少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部にお
いて、該保持体の一方の面において露出している該電気
的導電部材のうちの少なくとも1つの一端が接続さねて
いる少なくとも1以上の電気回路部品と。
A second aspect of the present invention is to have a holder made of an electrically insulating material and a plurality of electrically conductive members embedded in the holder, and one end of the electrically conductive member is connected to the holder. an electrical connection member that is exposed on one surface and the other end of the electrically conductive member is exposed on the other surface of the holder; and at least one or more electric circuit components connected to one end of at least one of the electrically conductive members exposed on one surface of the holder.

少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の他方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの他端か接続されており、
該接続は主に高周波銹電加熱法又はマイクロ波加熱法に
よる内部加熱法を用いて直接又は間接的に該接続部と該
他端とを加熱せしめることにより該接続部と該他端とを
金属化及び/又は合金化することにより接続されている
少なくとも1以上の他の電気回路部品と;該保持体の一
方の面において該電気的接続部材に接続されている該電
気回路部品および該保持体の他方の面において該電気的
接続部材に接続されている該他の電気回路部品のいずれ
か一方又は両方の少なくとも一部分を埋め込んで封止し
ている封止材と; を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
にある。
It has at least one or more connecting parts, and in the connecting parts,
the other end of at least one of the electrically conductive members exposed on the other surface of the holder is connected;
The connection is mainly made by heating the connection part and the other end directly or indirectly using an internal heating method using high-frequency electrical heating or microwave heating, thereby making the connection part and the other end metal. at least one other electrical circuit component connected to the electrical circuit component by alloying and/or alloying; the electrical circuit component connected to the electrical connection member on one side of the holder and the holder; a sealing material that embeds and seals at least a portion of either or both of the other electrical circuit components connected to the electrical connection member on the other surface of the electrical connection member; An electric circuit device characterized by:

本発明の第3の要旨は、電気的絶縁材料よりなる保持体
と、該保持体中に埋設された複数の電気的導電部材とを
有し、該電気的導電部材の一端が該保持体の一方の面に
おいて露出しており、また、該電気的導電部材の他端が
該保持体の他方の面において露出している電気的接続部
材と;少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部にお
いて、該保持体の一方の面において露出している該電気
的導電部材のうちの少なくとも1つの一端が接続されて
おり、該接続は主に高周波誘電加熱法又はマイクロ波加
熱法による内部加熱法を用いて直接又は間接的に該接続
部と該一端とを加熱せしめることにより該接続部と該一
端とを金属化及び/又は合金化することにより接続され
ている少なくとも1以上の電気回路部品と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の他方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの他端が接続されており、
該接続は主に高周波誘電加熱法又はマイクロ波加熱法に
よる内部加熱法を用いて直接又は間接的に該接続部と該
他端とを加熱せしめることにより該接続部と該他端とを
金属化及び/又は合金化することにより接続されている
少なくとも1以上の他の電気回路部品と;該保持体の一
方の面において該電気的接続部材に接続されている該電
気回路部品および該保持体の他方の面において該電気的
接続部材に接続されている該他の電気回路部品のいずれ
か一方又は両方の少なくとも一部分を埋め込んで封止し
ている封止材と; を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
にある。
A third aspect of the present invention is to have a holder made of an electrically insulating material and a plurality of electrically conductive members embedded in the holder, and one end of the electrically conductive member is connected to the holder. an electrical connection member that is exposed on one surface and the other end of the electrically conductive member is exposed on the other surface of the holder; At least one end of the electrically conductive member exposed on one side of the holder is connected, and the connection is mainly performed by internal heating using a high frequency dielectric heating method or a microwave heating method. at least one electrical circuit component connected by metallizing and/or alloying the connecting portion and the one end by heating the connecting portion and the one end directly or indirectly using a method; and; having at least one or more connecting portions, in which the connecting portions include:
the other end of at least one of the electrically conductive members exposed on the other surface of the holder is connected;
The connection is mainly made by heating the connection part and the other end directly or indirectly using an internal heating method using a high-frequency dielectric heating method or a microwave heating method, thereby metallizing the connection part and the other end. and/or with at least one other electrical circuit component connected by alloying; the electrical circuit component connected to the electrical connection member on one side of the holder and the holder; and a sealing material that embeds and seals at least a portion of either or both of the other electrical circuit components connected to the electrical connection member on the other surface; The electrical circuit device is characterized by:

本発明の第4の要旨は、電気的絶縁材料よりなる保持体
と、該保持体中に埋設された複数の電気的導電部材とを
有し、該電気的導電部材の一端が該保持体の一方の面に
おいて露出しており、また、該電気的導電部材の他端が
該保持体の他方の而において露出している電気的接続部
材と;少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部にお
いて、該保持体の一方の面において露出している該電気
的導電部材のうちの少なくとも1つの一端が接続されて
いる少なくとも1以上の電気回路部品と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の他方の面において露出している該電気的導電
部材のう、ちの少なくとも1つの他端が接続されており
、該接続は主に高周波誘電加熱法又はマイクロ波加熱法
による内部加熱法を用いて直接又は間接的に該接続部と
該他端とを加熱せしめることにより、該接続部と該他端
とを金属化及び/又は合金化することにより接続されて
いる少なくとも1以上の他の電気回路部品と;該保持体
の一方の面において該電気的接続部材に接続されている
該電気回路部品および該保持体の他方の面において該電
気的接続部材に接続されている該他の電気回路部品の少
なくとも1つがキャップ封止されている少なくとも1ケ
のキャップと。
A fourth aspect of the present invention is to have a holder made of an electrically insulating material and a plurality of electrically conductive members embedded in the holder, and one end of the electrically conductive member is connected to the holder. an electrical connection member that is exposed on one side and the other end of the electrically conductive member is exposed on the other side of the holder; at least one electrical circuit component to which one end of at least one of the electrically conductive members exposed on one surface of the holder is connected; , in the connection part,
The other end of at least one of the electrically conductive members exposed on the other surface of the holder is connected, and the connection is mainly performed by an internal heating method using a high frequency dielectric heating method or a microwave heating method. At least one or more other parts connected by metallizing and/or alloying the connecting part and the other end by heating the connecting part and the other end directly or indirectly using an electrical circuit component connected to the electrical connection member on one surface of the holder and another electrical circuit component connected to the electrical connection member on the other surface of the holder; at least one cap in which at least one of the electrical circuit components is cap-sealed;

を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
にある。
An electric circuit device comprising at least the following.

本発明の第5の要旨は、電気的絶縁材料よりなる保持体
と、該保持体中に埋設された複数の電気的導電部材とを
有し、該電気的導電部材の一端が該保持体の一方の面に
おいて露出しており、また、該電気的導電部材の他端が
該保持体の他方の面において露出している電気的接続部
材と;少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部にオ
イテ、該保持体の一方の面において露出している該電気
的導電部材のうちの少なくとも1つの一端が接続されて
おり、該接続は主に高周波誘電加熱法又はマイクロ波加
熱法による内部加熱法を用いて直接又は間接的に該接続
部と該一端とを加熱せしめることにより、該接続部と該
一端とを金属化及び、・″又は合金化することにより接
続されている少なくとも1以上の電気回路部品と:少な
くとも1以上の接続部を有1−1該接続部において、該
保持体の他方の面において露出している該電気的導電部
材のうちの少なくとも1つの他端が接続されており、該
接続は主に高周波誘電加熱法又はマイクロ波加熱法によ
る内部加熱法を用いて直接又は間接的に該接続部と該他
端とを加熱せしめることにより、該接続部と該他端とを
金属化及び/又は合金化することにより接続されでいる
少なくとも1以上の他の電気回路部品と。
A fifth aspect of the present invention is to have a holder made of an electrically insulating material and a plurality of electrically conductive members embedded in the holder, and one end of the electrically conductive member is connected to the holder. an electrical connection member that is exposed on one surface and the other end of the electrically conductive member is exposed on the other surface of the holder; One end of at least one of the electrically conductive members exposed on one side of the holder is connected to the part, and the connection is mainly performed by internal heating using high-frequency dielectric heating or microwave heating. At least one or more parts connected by metallizing and/or alloying the connecting part and the one end by directly or indirectly heating the connecting part and the one end using a heating method. with an electric circuit component: having at least one or more connection portion 1-1 At the connection portion, at least one other end of the electrically conductive member exposed on the other surface of the holder is connected. The connection is made by directly or indirectly heating the connection part and the other end using an internal heating method using high-frequency dielectric heating or microwave heating. and at least one other electrical circuit component connected by metallization and/or alloying.

該保持体の一方の面において該電気的接続部材に接続さ
れている該電気回路部品、および、該保持体の他方の面
において該電気的接続部材に”接続されている該他の電
気回路部品の少なくとも1−)がキャップ封止されてい
る少なくとも1ケのキャップと; を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
にある。
The electrical circuit component connected to the electrical connection member on one surface of the holder, and the other electrical circuit component connected to the electrical connection member on the other surface of the holder. An electric circuit device characterized in that it has at least one cap in which at least 1-) is sealed with a cap;

以下に本発明の構成要件を個別的に説明する。The constituent elements of the present invention will be individually explained below.

(電気回路部品) 本発明における電気回路部品としては、例えば、樹脂回
路基板、セラミック基板、金属基板、シリコン基板等の
回路基板(以下単に回路基板ということがある)や、半
導体素子、リードフレーム等があげられる。
(Electrical circuit components) Examples of the electrical circuit components in the present invention include circuit boards (hereinafter simply referred to as circuit boards) such as resin circuit boards, ceramic boards, metal boards, and silicon boards, semiconductor elements, lead frames, etc. can be given.

なお、電気的接続部材に接続される電気回路部品は、保
持体の1つの面に1つだけ存在してもよいし、複数個存
在してもよい。
Note that only one electric circuit component connected to the electrical connection member may be present on one surface of the holder, or a plurality of electric circuit components may be present on one surface of the holder.

電気回路部品として接続部を有する部品が本発明の対象
となる。接続部の数は問わないが、接続部の数が多けれ
ば多いほど本発明の効果が顕著となる。
The object of the present invention is a component having a connection part as an electric circuit component. Although the number of connection parts does not matter, the greater the number of connection parts, the more remarkable the effects of the present invention will be.

また、接続部の存在位置も問わないが、電気回路部品の
内部に存在するほど本発明の効果は顕著となる。
Further, although the location of the connection portion does not matter, the effect of the present invention becomes more pronounced as the connection portion is located inside the electric circuit component.

なお、接続部は電気的導電材料である。Note that the connecting portion is an electrically conductive material.

(電気的接続部材) 本発明に係る電気的接続部材は、電気絶縁材料からなる
保持体に複数の電気的導電部材が埋設されている。埋設
されている導電部材同士は電気的に絶縁されている。
(Electrical Connection Member) The electrical connection member according to the present invention includes a plurality of electrically conductive members embedded in a holder made of an electrically insulating material. The buried conductive members are electrically insulated from each other.

この電気的導電部材の一端は保持体の一方の面において
露出しており、他端は保持体の他方の面においてに露出
している。
One end of the electrically conductive member is exposed on one side of the holder, and the other end is exposed on the other side of the holder.

さらに電気的接続部材は、1層あるいは2層以上の多層
からなるものでもよい。
Furthermore, the electrical connection member may be composed of one layer or multiple layers of two or more layers.

(電気的導電部材) 電気的導電部材は電気的に導電性を示すものならば何で
もよい。金属材料が一般的であるが、金属材料以外にも
超電導性を示す材料等でもよい。
(Electrically conductive member) The electrically conductive member may be anything as long as it exhibits electrical conductivity. Although metal materials are generally used, materials other than metal materials such as those exhibiting superconductivity may also be used.

金属部材の材料としては、金が好ましいが、全以外の任
意の金属あるいは合金を使用することもできる。例えば
、Ag、Be、Ca、Mg。
Gold is preferred as the material for the metal member, but any metal or alloy other than gold may also be used. For example, Ag, Be, Ca, Mg.

Mo、Ni、W、Fe、Ti、In、Ta。Mo, Ni, W, Fe, Ti, In, Ta.

Zn、Cu、Afl、Sn、Pb−5n等の金属あるい
は合金があげられる。
Examples include metals or alloys such as Zn, Cu, Afl, Sn, and Pb-5n.

また、金属部材及び合金部材は、同一の電気的接続部材
において同種の金属が存在していてもよいし、異種の金
属が存在していてもよい。さらに、電気的接続部材の金
属部材及び合金部材の1個が同種の金属ないし合金でで
きていてもよいし、異種の金属ないし合金でできていて
もよい。
In addition, the metal member and the alloy member may include the same type of metal or different types of metal in the same electrical connection member. Furthermore, one of the metal members and alloy members of the electrical connection member may be made of the same metal or alloy, or may be made of different metals or alloys.

さらに、金属、合金以外であっても導電性を示すならば
、金属材料に有機材料または無機材料の一方または両方
を包含せしめた材料でもよい。また、導電性を示すなら
ば無機材料と有機材料との組合せでもよい。
Furthermore, materials other than metals and alloys may be used, as long as they exhibit conductivity, and may include a metal material containing one or both of an organic material and an inorganic material. Further, a combination of an inorganic material and an organic material may be used as long as it exhibits conductivity.

さらに、電気的導電部材の断面は円形、四角形その他任
憇の形状とするができる。
Furthermore, the cross section of the electrically conductive member can be circular, square, or any other shape.

また、電気的導電部材の太さは特に限定されない。電気
回路部材の接続部のピッチを考慮して、例えば20μm
φ以上あるいは20μmφ以下にしてもよい。
Further, the thickness of the electrically conductive member is not particularly limited. Considering the pitch of the connection part of the electric circuit member, for example, 20 μm
It may be greater than or equal to φ or less than 20 μmφ.

なお、電気的導電部材の露出部は保持体と同一面として
もよいし、また、保持体の面から突出させてもよい。こ
の突出は片面のみでもよいし両面でもよい。さらに突出
させた場合はバンブ状にしてもよい。
Note that the exposed portion of the electrically conductive member may be on the same surface as the holder, or may protrude from the surface of the holder. This protrusion may be on one side only or on both sides. If it is made to protrude further, it may be made into a bump shape.

また、電気的導電部材の間隔は、電気回路部品の接続部
同士の間隔と同一間隔としてもよいし、それより狭い間
隔としてもよい。狭い間隔とした場合には電気回路部品
と電気的接続部材との位置決めを要することなく、電気
回路部品と電気的接続部材とを接続することが可能とな
る。
Further, the intervals between the electrically conductive members may be the same as the intervals between the connecting parts of the electric circuit components, or may be narrower than the intervals between the connecting parts of the electric circuit components. When the interval is narrow, it becomes possible to connect the electric circuit component and the electrical connection member without requiring positioning of the electric circuit component and the electrical connection member.

また、電気的導電部材は保持体中に垂直に配する必要は
なく、保持体の一方の面側から保持体の他方の面側に向
って斜行していてもよい。
Further, the electrically conductive member does not need to be arranged vertically in the holder, but may be obliquely arranged from one surface of the holder to the other surface of the holder.

(保持体) 保持体は、電気的絶縁材料からなる。(Holding body) The holder is made of electrically insulating material.

電気的絶縁材料ならばいかなるものでもよい。Any electrically insulating material may be used.

電気的絶縁材料とし、ては有機材料、無機材料があげら
れる。また、電気的導電部材同士が電気的に絶縁される
ように処理を施した金属又は合金材料でもよい。さらに
、有機材料中に、粉体、繊維、板状体、棒状体、球状体
等所望の形状をした、無機材料、金属材料、合金材料の
一種か又は複数種を分散させて保有せしめてもよい。さ
らに、無機材料中に、粉体、繊維、板状体、棒状体、球
状体等所望の形状をした、有機材料、金属材料、合金材
料の一種か又は複数種を分散させて保有せしめてもよい
。また、金属材料中に、粉体、繊維、板状体、棒状体、
球状体等所望の形状をした、無機材料、有機材料の一種
か又は複数種を分散させて保有せしめてもよい。なお、
保持体が金属材料よりなる場合は、例えば、電気的導電
部材と保持体との間に樹脂等の電気的絶縁材料を配設す
ればよい。
Examples of electrically insulating materials include organic materials and inorganic materials. Alternatively, it may be a metal or alloy material that has been treated so that the electrically conductive members are electrically insulated from each other. Furthermore, one or more types of inorganic materials, metal materials, and alloy materials having a desired shape such as powder, fibers, plate-like bodies, rod-like bodies, and spherical bodies may be dispersed in the organic material. good. Furthermore, one or more of organic materials, metal materials, and alloy materials having a desired shape such as powder, fibers, plate-like bodies, rod-like bodies, and spherical bodies may be dispersed in the inorganic material. good. In addition, metal materials include powder, fibers, plate-shaped bodies, rod-shaped bodies,
One or more types of inorganic and organic materials may be dispersed and held in a desired shape such as a spherical body. In addition,
When the holder is made of a metal material, for example, an electrically insulating material such as resin may be provided between the electrically conductive member and the holder.

ここで、有機材料としては、例えば、絶縁性の樹脂を用
いればよく、樹脂としては、熱硬化性樹脂、紫外線硬化
樹脂、熱可塑性樹脂のいずれでもよい。例えば、ポリイ
ミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエー
テルサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリウ
レタン樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
ジフェニールエーテル樹脂、ポリベンジルイミダゾール
樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポ
リ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、メタクリル酸メ
チル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、フェノール
樹脂、メラニン樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メタク
リル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、アルキッド樹脂、シリ
コーン樹脂その他の樹脂を使用することができる。
Here, as the organic material, for example, an insulating resin may be used, and the resin may be a thermosetting resin, an ultraviolet curing resin, or a thermoplastic resin. For example, polyimide resin, polyphenylene sulfide resin, polyethersulfone resin, polyetherimide resin, polyurethane resin, fluororesin, polycarbonate resin, polydiphenyl ether resin, polybenzylimidazole resin, polyamideimide resin, polypropylene resin, polyvinyl chloride resin , polystyrene resin, methyl methacrylate resin, polyphenylene oxide resin, phenol resin, melanin resin, epoxy resin, urea resin, methacrylic resin, vinylidene chloride resin, alkyd resin, silicone resin and other resins can be used.

好ましくは比誘電率と誘電体力率の積が比較的大の樹脂
を用いればよい。その場合、塩化ビニル樹脂、メラミン
樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂
、エポキシ樹脂、メタクリル樹脂、ポリイミド樹脂、塩
化ビニリデン樹脂、スチレン樹脂、その他樹脂を使用す
ることができる。
Preferably, a resin having a relatively large product of dielectric constant and dielectric power factor may be used. In that case, vinyl chloride resin, melamine resin, urea resin, phenol resin, polyurethane resin, epoxy resin, methacrylic resin, polyimide resin, vinylidene chloride resin, styrene resin, and other resins can be used.

またさらに、無機材料としては、例えば、強話電体材料
が挙げられる。例えば、BaTi0゜系、PbZrO3
系、P b T i Os系、L f N b Os系
、S r T i Os系、Mg0−TiO2系、Ba
0−Tie、系、La2 o、−Tto2系、Ca T
 i O3系、CaSnO3系、BaSnO3系、Ba
ZrO3系、MgTiOs系、B i 2(S n O
3)3系、N15nO,系、B i 2(T i 02
)3系、(Ba−Sr)T i O3系、(Ba−Ca
)T i 03系、(Ba−Pb)T i O,系、B
 a(T i−Z r) 03系、Ba(Ti−Sn)
Os系、P b Z r 03−P b T i O3
系、N a N b Os系、KNbO3系、L i 
N b O3系、B i、W O、系、ソーダ石英ガラ
ス、その他の無機材料が挙げられる。
Furthermore, examples of the inorganic material include strong telephone material. For example, BaTi0° system, PbZrO3
system, P b TiOs system, L f N b Os system, S r TiOs system, Mg0-TiO2 system, Ba
0-Tie, system, La2 o, -Tto2 system, Ca T
i O3 series, CaSnO3 series, BaSnO3 series, Ba
ZrO3-based, MgTiOs-based, B i 2 (S n O
3) 3 system, N15nO, system, B i 2 (T i 02
)3 system, (Ba-Sr)TiO3 system, (Ba-Ca
) T i 03 system, (Ba-Pb) T i O, system, B
a(Ti-Zr) 03 series, Ba(Ti-Sn)
Os series, P b Z r 03-P b T i O3
system, N a N b Os system, KNbO3 system, Li
Examples include N b O3-based, B i , W 2 O-based, soda quartz glass, and other inorganic materials.

なお、これらの樹脂の中から、熱伝導性のよい樹脂を使
用すれば、半導体素子が熱を持ってもその〃1を樹脂を
介して放熱することができるのでより好ましい。さらに
、樹脂として、回路基板と同じかあるいは同程度の熱膨
張率を有するものを選択し、また、有機材料中に少なく
とも1ケの穴あるいは複数の気泡を存在せしめれば、熱
膨張・熱収縮に基づく、装置の信頼性の低下を一層防止
することが可能となる。
Among these resins, it is more preferable to use a resin with good thermal conductivity because even if the semiconductor element has heat, the heat can be radiated through the resin. Furthermore, if the resin is selected to have the same or similar coefficient of thermal expansion as the circuit board, and if at least one hole or multiple bubbles are present in the organic material, thermal expansion and thermal contraction can be achieved. It becomes possible to further prevent a decrease in reliability of the device due to

また、金属材料や合金材料として具体的には、例えば、
Ag、Cu、Au、Aj2.Be、Ca。
In addition, specific examples of metal materials and alloy materials include, for example,
Ag, Cu, Au, Aj2. Be, Ca.

Mg、Mo、Fe、Ni、St、Co、Mn。Mg, Mo, Fe, Ni, St, Co, Mn.

W、Cr、Nb、Zr、Ti、Ta、Zn。W, Cr, Nb, Zr, Ti, Ta, Zn.

Sn、Pb−5n等の金属又は合金があげられる。Examples include metals or alloys such as Sn and Pb-5n.

無機材料としては、例えば、5i02゜B203 、A
、ff20s 、Na2o、ic2 o。
Examples of inorganic materials include 5i02°B203, A
, ff20s, Na2o, ic2o.

Cab、ZnO,Bad、PbO,5b20* 。Cab, ZnO, Bad, PbO, 5b20*.

As、03.La20.、ZrO2,Bad。As, 03. La20. , ZrO2, Bad.

P20s 、TiO2,MgO,SiC,Bed。P20s, TiO2, MgO, SiC, Bed.

BP、BN、AuN、B4 C,TaC。BP, BN, AuN, B4C, TaC.

TiB2  、  CrB2  、  TiN、  S
i:+  N4  。
TiB2, CrB2, TiN, S
i:+N4.

Ta205等のセラミック、ダイヤモンド、ガラス、カ
ーボン、ボロンその他の無機材料があげられる。
Examples include ceramics such as Ta205, diamond, glass, carbon, boron, and other inorganic materials.

(接続;金属化及び/又は合金化による接続)電気的接
続部材の端と電気回路部品の接続との接続としては下記
の2つの構成が考えられる。
(Connection; Connection by metallization and/or alloying) The following two configurations can be considered for the connection between the end of the electrical connection member and the connection of the electrical circuit component.

なお、1個の電気的接続部材に、2個以上の電気回路部
品が接続されていてもよいが、その接続された電気回路
部品のうちの少なくとも1個が下記の構成による接続が
なされていればよい。
Note that two or more electric circuit components may be connected to one electrical connection member, but at least one of the connected electric circuit components must be connected according to the following configuration. Bye.

■保持体の一方の面において露出している複数の電気的
導電部材の一端と、一方の電気回路部品の複数の接続部
の少なくとも1つとを、主に高周波8電加熱法又はマイ
クロ波加熱法を用いて金属化及び/又は合金化すること
により接続され、−方、保持体の他方の面において露出
している複数の電気的導電部材の他端と、他方の電気回
路部品の複数の接続部とが上記金属化及び/又は合金化
以外の方法で接続されている構成。
■ One end of the plurality of electrically conductive members exposed on one side of the holder and at least one of the plurality of connections of one electric circuit component are mainly heated using high frequency 8 electric heating method or microwave heating method. a plurality of connections between the other ends of the plurality of electrically conductive members exposed on the other side of the holder and the other electrical circuit component; A configuration in which the parts are connected by a method other than the above-mentioned metallization and/or alloying.

■保持体の一方の面において露出している複数の電気的
導電部材の一端と、一方の電気回路部品の複数の接続部
の少なくとも1つとを、主に高周波銹電加熱法又はマイ
クロ波加熱法を用いて金属化及び/又は合金化すること
により接続され、−方、保持体の他方の面において露出
している複数の電気的導電部材の他端と、他方の電気回
路部品の複数の接続部の少なくとも1つとを主に高周波
誘電加熱法又はマイクロ波加熱法を用いて金属化及び/
又は合金化することにより接続されている構成。
■One end of the plurality of electrically conductive members exposed on one side of the holder and at least one of the plurality of connections of one electric circuit component are mainly heated using high frequency electric heating method or microwave heating method. a plurality of connections between the other ends of the plurality of electrically conductive members exposed on the other side of the holder and the other electrical circuit component; At least one of the parts is metallized and/or
or configurations connected by alloying.

本発明は、主に高周波誘電加熱法又はマイクロ波加熱法
による内部加熱法を用いて、直接又は間接的に接続部を
加熱せしめることにより、接続部を金属及び/又は合金
化することにより接続するものである。
The present invention mainly uses an internal heating method using a high-frequency dielectric heating method or a microwave heating method to directly or indirectly heat the connecting portion, thereby connecting the connecting portion by metallizing and/or alloying the connecting portion. It is something.

ここで、高周波話電加熱法とは、電気的接続部材の電気
的絶縁材料である保持体又は電気回路部品の少なくとも
一部等に存在する誘電体を構成する分子等の多くは、そ
の両端に正負等量の電荷を持った電気的な双極子を形成
しており、誘電体はこのようなたくさんの双極子の集合
体と考えられている。1個1個の双極子は、それぞれ自
由勝手な方向を向いているが、電極に電圧が加えられ誘
電体に電極界が加えれると、双極子の持つ正負の電荷は
異符号の電極電荷との間に引力を生じ、その向きを回転
する結果、各双極子は電磁界の方向に整列し始める。と
ころが高周波電圧は周期的り極性が変るので、電極の電
圧極性が反転すると、それにつれ双極子の向きも反転す
る。
Here, the high-frequency telephone heating method means that many of the molecules constituting the dielectric material present in the holder, which is an electrically insulating material of an electrical connection member, or at least a part of an electrical circuit component, etc. It forms electrical dipoles with equal amounts of positive and negative charges, and a dielectric material is considered to be an aggregate of many such dipoles. Each dipole points in its own direction, but when a voltage is applied to the electrode and an electrode field is applied to the dielectric, the positive and negative charges of the dipole change to electrode charges of opposite signs. As a result of creating an attractive force between them and rotating their orientation, each dipole begins to align in the direction of the electromagnetic field. However, since the polarity of high-frequency voltage changes periodically, when the voltage polarity of the electrode is reversed, the direction of the dipole is also reversed.

このようにして、誘電体の分子は高周波電圧の周波数に
従って反転を繰り返す際、互いに衝突、摩擦し合って発
熱する。
In this way, when the dielectric molecules repeatedly invert according to the frequency of the high-frequency voltage, they collide and rub against each other, generating heat.

高周波8電加熱により、物質に発生する熱エネルギーは
次式で示される。
The thermal energy generated in a substance by high frequency 8 electric heating is expressed by the following equation.

P工ε・tanδ・f ε;物質の比誘電率 tanδ;物質の誘電体力率 f;周波数 このように電気的接続部材又は電気回路部品の少なくと
も−・部で発生した熱が電気的接続部材の電気回路部品
や電気回路部品の接続部へ伝導し、接続部が加熱され、
金属化及び/又は合金化し接続する。
P engineering ε・tan δ・f ε; Relative dielectric constant tan δ of the material; Dielectric power factor f of the material conducts to electrical circuit components and connections of electrical circuit components, heating the connections,
Metalized and/or alloyed and connected.

金属化及び/又は合金化は、お互いの金属を拡散せしめ
、同種であれば同種の結晶構造が得られ、異種金属であ
れば固溶体、金属間化合物等のものを作る。
Metallization and/or alloying causes metals to diffuse into each other, and if the metals are of the same type, the same type of crystal structure is obtained, and if the metals are of different types, solid solutions, intermetallic compounds, etc. are created.

マイクロ被加熱法加熱による発熱の原理は高周波誘電加
熱のそれと同じであるが、周波数が高いために高周波誘
電加熱とは異った特徴を有する。
The principle of heat generation by micro-heated heating is the same as that of high-frequency dielectric heating, but because the frequency is high, it has different characteristics from high-frequency dielectric heating.

マイクロ被加熱法加熱が、高周波誘電加熱と異なる点は
、 ■加熱のための電極がない。
Micro-heated heating differs from high-frequency dielectric heating in the following points: ■There are no electrodes for heating.

■誘電体の形状が不定形でかつ複雑でも発熱が可能であ
る。
■It is possible to generate heat even if the shape of the dielectric is irregular and complex.

■電解質成分が含有されて導電性を有する時でも発熱が
可能である。
■ Heat generation is possible even when it contains electrolyte components and has conductivity.

■マイクロ波加熱法は誘電体損失係数(εとtanδの
積)が大きい程、浸透深さが浅くなるため、表面と内部
とでは温度差が生ずる可能性がある。
(2) In the microwave heating method, the larger the dielectric loss coefficient (the product of ε and tan δ), the shallower the penetration depth, so there is a possibility that a temperature difference will occur between the surface and the inside.

いずれにせよ、高周波誘電加熱法を用いるか、マイクロ
波加熱法を用いるか、いずれの周波数を選ぶが等は条件
にあわせ決定する。
In any case, whether to use the high frequency dielectric heating method or the microwave heating method, which frequency to choose, etc. is determined depending on the conditions.

また、本発明は高周波誘電加熱法又はマイクロ波加熱法
を用いて接続するものであるが、加熱を助長させる意味
で両方の加熱法を併用させてもよいし、他の内部加熱法
、外部加熱法をあわせてもよい。
Further, although the present invention connects using a high frequency dielectric heating method or a microwave heating method, both heating methods may be used together to promote heating, or other internal heating methods or external heating methods may be used. Laws may be combined.

次に上記高周波誘電加熱法又はマイクロ波加熱法による
金属化及び/又は合金化による接続について述べる。
Next, connection by metallization and/or alloying by the high frequency dielectric heating method or microwave heating method will be described.

接続しようとする電気的導電部材と接続部とが同種の純
金属よりなる場合には、金属化により形成される接続層
は電気的導電部材あるいは接続部と同種の結晶構造とな
る。
When the electrically conductive member to be connected and the connecting portion are made of the same type of pure metal, the connection layer formed by metallization has the same type of crystal structure as the electrically conductive member or the connecting portion.

接続しようとする電気的導電部材と接続部が異種の純金
属よりなる場合には、形成される接続層は両金属の合金
よりなる。
When the electrically conductive member to be connected and the connecting portion are made of different types of pure metals, the connecting layer to be formed is made of an alloy of both metals.

接続しようとする電気的導電部材と接続部の一方が純金
属よりなり他方が合金よりなる場合、あるいは両者が同
種あるいは異種の合金よりなる場合には、接続界面は合
金よりなる。
When one of the electrically conductive member and the connecting portion to be connected is made of a pure metal and the other is made of an alloy, or when both are made of the same or different alloys, the connecting interface is made of an alloy.

1個の電気的接続部材中における複数の電気的導電部材
同士についてみると、それぞれの電気的導電部材が同種
の金属あるいは合金よりなる場合、それぞれが異種の金
属あるいは合金からなる場合、その他の場合があり、ま
た、1ケの電気的導電部材についても、同種の金属ある
いは合金よりなる場合、異種の金属あるいは合金よりな
る場合、その他の場合があるが、そのいずれの場合であ
っても上記の金属化あるいは合金化が行なわれる。一方
接続部についても同様である。
Regarding multiple electrically conductive members in one electrical connection member, if each electrically conductive member is made of the same kind of metal or alloy, if each is made of different kinds of metal or alloy, or in other cases. In addition, a single electrically conductive member may be made of the same type of metal or alloy, or may be made of different metals or alloys, or in other cases, but in any case, the above-mentioned requirements apply. Metallization or alloying takes place. The same applies to the connection portion.

なお、電気的導電部材あるいは接続部は、両者の接触部
において、金属あるいは合金であればよく、その他の部
分は例えば金属にガラス等の無機材料が配合された状態
や、金属に樹脂等の有機材料が配合された状態であって
もよい。
Note that the electrically conductive member or the connecting part may be made of metal or an alloy at the contact part between the two, and the other parts may be, for example, metal mixed with an inorganic material such as glass, or metal mixed with an organic material such as resin. The material may be in a mixed state.

また、接続される部分の表面に合金化しやすい金属ある
いは合金よりなるめっき層を設けておいてもよい。
Furthermore, a plating layer made of a metal or alloy that is easily alloyed may be provided on the surface of the portion to be connected.

上記の金属化あるいは合金化以外の接続を行なうには、
例えば電気回路部品と電気的接続部材の電気的導電部材
とを押圧して接続すればよい。
To make connections other than metallization or alloying as described above,
For example, the connection may be made by pressing the electrical circuit component and the electrically conductive member of the electrical connection member.

(封止材) 本発明では封止材により電気回路部品を埋め込んで封止
する。
(Sealing material) In the present invention, electrical circuit components are embedded and sealed using a sealing material.

封止は、1つの電気回路部品にのみ行ってもよいし、複
数の電気回路部品に行ってもよい。
Sealing may be performed on only one electrical circuit component or on multiple electrical circuit components.

(封止材の材料) 本発明では、封止材の材料としては熱可塑性樹脂を用い
ることができる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリ
イミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエ
ーテルサルフオン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリ
サルフオン樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、
ポリジフェニールエーテル樹脂、ポリベンジルイミダゾ
ール樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリプロピレン樹脂
、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、メタクリル
酸メチル樹脂その他の樹脂靴使用することができる。
(Material of Encapsulant) In the present invention, thermoplastic resin can be used as the material of the encapsulant. Examples of thermoplastic resins include polyimide resins, polyphenylene sulfide resins, polyethersulfone resins, polyetherimide resins, polysulfone resins, fluororesins, polycarbonate resins,
Polydiphenyl ether resin, polybenzylimidazole resin, polyamideimide resin, polypropylene resin, polyvinyl chloride resin, polystyrene resin, methyl methacrylate resin and other resins can be used for shoe making.

また、封止材は上記の樹脂でもよいし、上記熱可塑性樹
脂に粉体、繊維、板状体、棒状体、球状体筒任意の形状
の金属、合金、無機材料の1種又は複数種を分散し7た
ものでもよい1分散の仕方は3樹脂中に粉体、繊維、板
状体、棒状体、球状体等を添加し1、樹脂を攪拌す)1
ばよい。もちろん、かかる方法によることなく、他の任
意の方法で樹脂中に粉体、繊維、板状体、棒状体、球状
体等を分散せしめてもよい。
The sealing material may be the above-mentioned resin, or one or more of powder, fiber, plate-like body, rod-like body, spherical cylinder, metal, alloy, and inorganic material in any shape can be added to the above-mentioned thermoplastic resin. (1) The method of dispersion is (3) adding powder, fibers, plate-shaped bodies, rod-shaped bodies, spherical bodies, etc. to the resin (1) and stirring the resin (1).
Bye. Of course, the powder, fibers, plate-shaped bodies, rod-shaped bodies, spherical bodies, etc. may be dispersed in the resin by any other method other than this method.

上記金属又は合金としては、例えば、Ag。Examples of the metal or alloy include Ag.

Cu、Au、Afl、Be、Ca、Mg、Mo。Cu, Au, Afl, Be, Ca, Mg, Mo.

Fe、Nt、Si、Co、Mn、W等の金属又は合金が
あげられる。
Examples include metals or alloys such as Fe, Nt, Si, Co, Mn, and W.

無機材料としては、例えば、SiO□。Examples of inorganic materials include SiO□.

B203.AJ2203 、Na2O,に20゜Ca、
O,ZnO,B&d、PbO,5b20s 。
B203. AJ2203, Na2O, 20°Ca,
O, ZnO, B&d, PbO, 5b20s.

ASz o、、La2 o、、Zr()2.Bad。ASz o,,La2 o,,Zr()2. Bad.

P205 、  T  i  02  、  M gd
、  S  i  C,Bed。
P205, T i 02, M gd
, S i C, Bed.

BP、   BN、  AI  N 、   B4  
C,TaC。
BP, BN, AI N, B4
C, TaC.

TiB 2 、  CrB、  、  TtN、  S
i  3 N 4 。
TiB2, CrB, , TtN, S
i3N4.

Ta、05等のセラミック、ダイヤモンド、ガラス、カ
ーボン、fロンその他の無機材料があげられる。
Examples include ceramics such as Ta and 05, diamond, glass, carbon, fron, and other inorganic materials.

分散せしめる粉体および繊維の大きさ、形状、また絶縁
体中における分散位置、数量は、粉体または繊維のため
に絶縁体中に埋設されている金属部材同士が接触・短絡
したりしない範囲内ならば任意である。ただし、粉体、
繊維、板状体、棒状体、球状体等の大きさとしては隣接
する金属部材間の距離よりも小さいことが好ましい。す
なわち、電気的導電部材同士が粉体1、繊維、板状体、
棒状体、球状体等を介して接触しない状態が好ましい。
The size and shape of the powder and fibers to be dispersed, as well as the position and quantity of the dispersed particles in the insulator, must be within a range that does not cause contact or short circuit between the metal parts embedded in the insulator due to the powder or fibers. If so, it is optional. However, powder,
The size of the fibers, plate-shaped bodies, rod-shaped bodies, spherical bodies, etc. is preferably smaller than the distance between adjacent metal members. That is, the electrically conductive members are powder 1, fibers, plate-like materials,
It is preferable that there is no contact via a rod-shaped body, a spherical body, or the like.

また粉体、繊維は絶縁体の外部に露出していてもよいし
、露出していなくてもよい。また、粉体、繊維、繊維、
板状体、棒状体、球状体等は互いに接触していてもよい
し、接触していなくてもよい。さらい樹脂中に粉体、繊
維、板状体、棒状体、球状体筒任意の形状のものを分散
させて封止してもよい、 (封止方法) なお、封止材を封止する方法としては、型のキャビティ
ー内に電気回路部材(電気的接続部材とそれに接続され
た電気回路部品からなる部材)を入れ、インジェクショ
ンモールドでキャビティーに封止材を挿入オ乙ことによ
り封止すわばよいいまた、かかるインジェクションモー
ルド、押出成形法、中型法、中空成形法その他いかなる
方法で電気回路部材を封+hしてもよい。
Further, the powder and fibers may or may not be exposed to the outside of the insulator. In addition, powder, fiber, fiber,
The plate-shaped bodies, rod-shaped bodies, spherical bodies, etc. may or may not be in contact with each other. Powder, fiber, plate-shaped body, rod-shaped body, spherical cylinder, or any other shape may be dispersed in the wiped resin for sealing. In this method, an electrical circuit member (a member consisting of an electrical connection member and the electrical circuit components connected to it) is placed in the cavity of the mold, and the sealing material is inserted into the cavity using an injection mold. Alternatively, the electric circuit member may be sealed by any method such as injection molding, extrusion molding, medium molding, blow molding, or any other method.

さらにト記封止材と板(板は封止材と異なる材質)をイ
耳用してもよい。かかる耐重形態としては、封止材の表
面の少くとも一部に板が接合されている場合、封止材に
より電気回路部品と電気的接続部材に接続されている他
の電気回路部品との少くとも1つの少くとも一部に電気
的接続部材と反対側の面で接合さねている板の少くとも
一部が埋め込まれている場合、及び、封止材により電気
回路部品と電気的接続部材に接続されている電気回路部
品のいずれか1つ又は複数の側面近傍に配設された板の
少くとも一部が埋め込まれている場合がある。
Furthermore, the above-mentioned sealing material and a plate (the plate is made of a different material from the sealing material) may be used. Such a load-bearing form includes a case where a plate is bonded to at least a part of the surface of the encapsulant, and the electrical circuit component and other electrical circuit components connected to the electrical connection member by the encapsulant. If at least a part of a plate that is joined on the opposite side to the electrical connection member is embedded in at least one part of the electrical circuit component and the electrical connection member by a sealing material, At least a portion of a plate disposed near one or more sides of an electric circuit component connected to the electric circuit component may be embedded.

(板) 板の材質は、封止材の材質と異なっていればいかなるも
のでもよい。
(Plate) The material of the plate may be any material as long as it is different from the material of the sealing material.

板厚としては、例えばステンレス板の場合、0.05〜
0.5mmが好ましい。
For example, in the case of a stainless steel plate, the plate thickness is 0.05~
0.5 mm is preferred.

板を接合する場合、板の接合方法は特に限定されない。When joining plates, the method for joining the plates is not particularly limited.

たとえば、接着剤等を用いて貼り付ければよいし、その
他の方法であっても、板が電気回路装置を保持するよう
な構造ならいかなる方法でもよい。
For example, it may be attached using an adhesive or the like, or any other method may be used as long as the board is structured to hold the electric circuit device.

(キャップ) 本発明では、電気回路部品をキャップ封止しいてもよい
(Cap) In the present invention, the electric circuit component may be sealed with a cap.

ここでキャップ封止どは、電気回路部品を包み込み、内
部に中空部が存在するように電気回路部品を封止するこ
とである。
Here, the term "cap sealing" refers to wrapping an electric circuit component and sealing the electric circuit component so that a hollow portion exists inside.

キャップは、1つの電気回路部品にのみ設けてもよいし
、複数の電気回路部品に設けてもよい。
The cap may be provided on only one electrical circuit component, or may be provided on multiple electrical circuit components.

なお、キャップ封止する場合、電気回路部品が電気的接
続部材にしっかり保持されるように封止することが好ま
しい。たとえば、キャップの内部の面を、電気回路部品
の外側の表面形状に対応する形状とし、その面が電気回
路部品の外側の表面に当接するようにキャップ封止すれ
ばよい。
In addition, when sealing with a cap, it is preferable to seal so that the electric circuit component is firmly held on the electrical connection member. For example, the inner surface of the cap may be shaped to correspond to the outer surface shape of the electric circuit component, and the cap may be sealed such that the inner surface of the cap comes into contact with the outer surface of the electric circuit component.

なお、キャップは、接着剤による貼り付は方法、機械的
方法、溶着による方法その他の任意の方法により、電気
回路部品あるいは他のキャップ(保持体の一方の面にあ
る電気回路部品と他方の面にある電気回路部品の両方が
キャップ封止されている場合)に接合すればよい。
Note that the cap can be attached to electrical circuit components or other caps (electric circuit components on one side of the holder and the other side) by adhesive, mechanical, welding, or any other method. If both electrical circuit components are capped), it is sufficient to join them.

(キャップ封止の材質) キャップの材質は有機材料、無機材料、金属材料、又は
これらの複合材料でもよい。
(Material of Cap Sealing) The material of the cap may be an organic material, an inorganic material, a metal material, or a composite material thereof.

封止形態は電気回路部品1ケ又は複数を同一キャップで
封止してもよい。また、キャップが電気回路部品をおう
あつするように封止してもよいし、保持するように封止
してもよい。
As for the sealing form, one or more electric circuit components may be sealed with the same cap. Further, the cap may be sealed so as to protect or hold the electric circuit component.

さらに電気回路部品とキャップの間に部材を介在させて
封止してもよい。この場合、複数の電気回路部品を同一
キャップで封止した方が効果が顕著となる。
Furthermore, a member may be interposed between the electric circuit component and the cap for sealing. In this case, the effect will be more pronounced if a plurality of electrical circuit components are sealed with the same cap.

キャップと電気回路部品その他との接合はいかなる方法
でもよい。
Any method may be used to join the cap to the electric circuit components and the like.

(調整用部材) 本発明ではキャップと電子回路部品との間に調整用部材
を介在せしめてもよい。
(Adjustment member) In the present invention, an adjustment member may be interposed between the cap and the electronic circuit component.

調整用部材の材料は、金属材料、無機材料、有機材料の
うちどれでもよいが、弾力性のある材料であることが好
ましい。。
The material for the adjustment member may be any metal, inorganic, or organic material, but is preferably an elastic material. .

また、形状は、電気回路部品の高さ方向の寸法が調整で
きれば、どのような形状でもよい。
Further, the shape may be any shape as long as the dimension in the height direction of the electric circuit component can be adjusted.

[作用] 本発明では、上記した電気的接続部材を使用して電気回
路部品と他の電気回路部品とを接続しているので、電気
回路部品の接続部を外周縁部はもとより内部に配置する
ことも可能となり、接続部の数を増加させることかでき
、ひいては高密度化が可能となる。
[Function] In the present invention, since the electrical connection member described above is used to connect an electrical circuit component to another electrical circuit component, the connecting portion of the electrical circuit component is arranged not only on the outer periphery but also inside. This also makes it possible to increase the number of connection parts, which in turn makes it possible to increase the density.

また、電気的接続部材を薄くすることが可能であり、こ
の面からも電気回路部材の薄型化が可能となる。
Further, it is possible to make the electrical connection member thinner, and from this point of view as well, it is possible to make the electrical circuit member thinner.

さらに、電気的接続部材に使用する金属部材の量は少な
いため、例え、高価である金を金属部材として使用した
としてもコスト低減が可能となる。
Furthermore, since the amount of metal members used for the electrical connection member is small, costs can be reduced even if expensive gold is used as the metal member.

本発明では、電気回路部品の接続部と保持体の面に露出
している電気的導電部材との接続の一方又は両方を主に
高周波誘電加熱法又はマイクロ波加熱法による内部加熱
の熱により接続するので、電気回路部材の少なくとも一
部もしくは電気回路部材近傍に耐熱性が劣る材料が存在
していても、選択加熱が容易なため、加熱による材料の
劣化、変質等を防げることができ、良好な接続が可能と
なる。
In the present invention, one or both of the connections between the connection portion of the electric circuit component and the electrically conductive member exposed on the surface of the holder are connected mainly by heat generated by internal heating using high-frequency dielectric heating or microwave heating. Therefore, even if there is a material with poor heat resistance in at least a part of the electric circuit member or in the vicinity of the electric circuit member, selective heating is easy, and deterioration or alteration of the material due to heating can be prevented, resulting in a good result. connection is possible.

なお、電気回路部材近傍に、耐熱性が劣る材料が存在し
ている場合、高周波電磁界エネルギーにさらされないよ
うに遮蔽すればよい。
Note that if a material with poor heat resistance is present near the electric circuit member, it may be shielded from exposure to high frequency electromagnetic field energy.

また、加熱による熱膨張、熱収縮の電気回路部材の少な
くとも一部もしくは電気回路部材近傍の材料への影響を
少なくすることができる。
Further, the influence of thermal expansion and contraction caused by heating on at least a portion of the electric circuit member or materials in the vicinity of the electric circuit member can be reduced.

さらに均一な高周波電磁界を加えることができるので均
一な加熱が可能となる。さらに、非接触加熱ができるた
めに非接触加熱部の治具、装置、が簡単になる。
Furthermore, since a uniform high-frequency electromagnetic field can be applied, uniform heating becomes possible. Furthermore, since non-contact heating can be performed, the jig and equipment for the non-contact heating section can be simplified.

本発明で封止材を用いて封止する場合、電気的接続部材
は、電気的導電部材が保持体中に埋め込まれて構成され
ているため、封止材を注入したときの封止圧力、封止速
度等に影響されることが少ないので、いかなる封止方法
でも用いることができる。つまり、従来できなかった熱
可塑性樹脂のような非常に高圧な注入が要求されるもの
による封止も可能となった。
When sealing is performed using a sealing material in the present invention, since the electrical connection member is configured with an electrically conductive member embedded in a holder, the sealing pressure when the sealing material is injected, Any sealing method can be used since it is not affected by sealing speed or the like. In other words, it has become possible to seal with materials that require extremely high-pressure injection, such as thermoplastic resins, which were previously impossible.

また、本発明において、封止材の表面の少くとも一部に
板が接合されている場合、封止材により電気回路部品と
電気的接続部材に接続されている電気回路部品の少くと
も1つの少くとも一部に電気的接続部材と反対側の面で
接合されている板の少くとも一部が埋め込まれ′Cいる
場合、又は、封止材により電気回路部品と電気的接続部
材に接続されている電気回路部品のいずれか1つ又は複
数の側面近傍に配設された板の少くとも一部が埋め込ま
れている場合には、装置に内部応力が発生したり外部か
ら力が加わったりしても応力集中を緩和でき、応力集中
から生ずることのある割ね等を防止することができる。
Further, in the present invention, when a plate is bonded to at least a part of the surface of the sealing material, at least one of the electrical circuit components connected to the electrical circuit component and the electrical connection member by the sealing material is If at least a part of the plate that is joined on the side opposite to the electrical connection member is embedded, or if the electrical circuit component and the electrical connection member are connected by a sealing material. If at least a portion of the plate disposed near one or more sides of the electrical circuit components is embedded, internal stress may occur in the device or external force may be applied to the device. However, stress concentration can be alleviated even when stress concentration occurs, and cracking, etc. that may occur due to stress concentration can be prevented.

また、この板は外界から電気回路部品に至るまでの経路
を長くする作用もあり、・そのため外部からの水等は電
気回路部品に浸入しにくくなる。従って装置の信頼性を
高めることができる。
This board also has the effect of lengthening the path from the outside world to the electrical circuit components, making it difficult for water from the outside to enter the electrical circuit components. Therefore, the reliability of the device can be improved.

なお、板の材質がステンレス等の金属、熱伝導性の良い
セラミック、カーボン、ダイヤモンド等である場合には
、電気回路部品から発生した熱を速やかに外界へ放熱す
ることができるため、放熱特性の優れた電気回路装置が
得られる。さらに、板の材質が金属である場合には、外
界からのノイズを遮断でき、ノイズの影響を受けにくく
、さらに、内部から発生する電磁気ノイズを遮断できる
のでノイズの発生し、にくい、良好な特性の電気回路装
置が得られる。
In addition, if the material of the plate is metal such as stainless steel, ceramic with good thermal conductivity, carbon, diamond, etc., the heat generated from the electric circuit components can be quickly radiated to the outside world, so the heat radiation characteristics An excellent electric circuit device can be obtained. Furthermore, if the material of the plate is metal, it can block out noise from the outside world and is less susceptible to noise.Furthermore, it can block out electromagnetic noise generated from inside, so it is less likely to generate noise and has good characteristics. An electrical circuit device is obtained.

また、本発明においてキャップ封止する場合、電気回路
装置が中空になっているので熱が加わっても熱応力の発
生が少く、信頼性の高い電気回路装置が得られる。また
、キャップと電気回路部品を当接し、キャップに熱伝導
性の良い材料を用いた場合、電気回路部品から発生した
熱がキャップを介して迅速に外部に伝導するので、より
放熱特性が優れた電気回路装置を得られる。さらに、キ
ャップがノイズ遮蔽性の良い材料、特に鉄系等の金属よ
りなる場合には、よりシールド効果が優れた電気回路装
置を得られる。また、キャップと電気回路部品の間に調
整用部材を介在させた場合、電気回路部品の高さのバラ
ツキが生じる場合でも効率よく組み立てを行うことが可
能となる。
Further, when sealing with a cap in the present invention, since the electric circuit device is hollow, there is little thermal stress generated even when heat is applied, and a highly reliable electric circuit device can be obtained. In addition, if the cap and electrical circuit components are in contact and the cap is made of a material with good thermal conductivity, the heat generated from the electrical circuit components will be quickly conducted to the outside through the cap, resulting in better heat dissipation characteristics. You can get electrical circuit equipment. Furthermore, if the cap is made of a material with good noise shielding properties, particularly metal such as iron, an electric circuit device with even better shielding effect can be obtained. Further, when an adjustment member is interposed between the cap and the electric circuit component, it is possible to assemble the electric circuit component efficiently even when the height of the electric circuit component varies.

なお、本発明において、電気的導電部材の絶縁体に熱伝
導性のよい材料を用いた場合、封止材に熱伝導性のよい
粉体、繊維、板状体、棒状体、球状体等が分散されてい
る場合、電気回路部品から発熱される熱がより早く外界
へ逃げ、熱放散性の良い電気回路装置が得られる。また
、電気的導電部材の絶縁体が電気回路部品の熱膨張係数
に近い材料を用いた場合、封止材に電気回路部品の熱膨
張係数が近い粉体、繊維、板状体、棒状体、球状体等の
一方ないし両方が分散されている場合、熱膨張係数が電
気回路部品の熱膨張係数に近づき、熱が加わった場合に
生ずることのある、封止材、電気回路部品の割れ、ある
いは電気回路部品の特性変化という、電気回路装置の信
頼性を損なう現象を防止でき、信頼性の高い電気回路装
置が得られる。
In addition, in the present invention, when a material with good thermal conductivity is used for the insulator of the electrically conductive member, powder, fiber, plate-shaped body, rod-shaped body, spherical body, etc. with good thermal conductivity is used as the sealing material. When the heat is dispersed, the heat generated from the electric circuit components escapes to the outside world more quickly, and an electric circuit device with good heat dissipation properties can be obtained. In addition, when the insulator of the electrically conductive member is made of a material with a thermal expansion coefficient close to that of the electric circuit component, the sealing material may be a powder, fiber, plate-shaped body, rod-shaped body, etc. whose thermal expansion coefficient is close to that of the electric circuit component. If one or both of the spherical bodies etc. are dispersed, the coefficient of thermal expansion approaches that of the electrical circuit components, which may cause cracks in the encapsulant or electrical circuit components, which may occur when heat is applied. A phenomenon that impairs the reliability of an electric circuit device, such as a change in characteristics of electric circuit components, can be prevented, and a highly reliable electric circuit device can be obtained.

本発明において、電気回路部品の両方が、電気接続部材
を介して、金属化及び/又は合金化により形成された接
続体により接続されていると、電気回路部品同志が強固
(強度的に強く)かつ確実に接続されるので、接続抵抗
値は小さく、そのバラツキも小さく、さらに機械的に強
く、不良率の極めて低い電気回路装置を得ることができ
る。
In the present invention, when both electrical circuit components are connected by a connecting body formed by metallization and/or alloying via an electrical connection member, the electrical circuit components are strong (strong in terms of strength). In addition, since the connection is reliable, it is possible to obtain an electrical circuit device that has a low connection resistance value, small variation thereof, is mechanically strong, and has an extremely low defective rate.

また、電気回路部品を、電気的接続部材を介して金属化
及び/又は合金化により形成された接続体により接続さ
れていると、電気回路装置の作成工程中及び作成後にお
いて、治具等を使用して電気回路部品を保持する必要が
なく、電気回路装置の作成及び作成後の管理が容易であ
る。
In addition, if electrical circuit components are connected by a connecting body formed by metallization and/or alloying through an electrical connection member, jigs, etc. may be used during and after the production process of the electrical circuit device. There is no need to use and hold the electric circuit components, and it is easy to create and manage the electric circuit device after it is created.

さらに、電気回路部品が、電気的接続部材を介して金属
化及び/又は合金化により形成された接続体により接続
されていると、電気回路部品相互の接触抵抗が、1つの
電気回路部品のみを接続した場合に比べてより小さくな
る。
Furthermore, if electrical circuit components are connected by a connecting body formed by metallization and/or alloying through an electrical connection member, the contact resistance between the electrical circuit components will increase when only one electrical circuit component It is smaller than when connected.

一方、電気回路部品乃至他の電気回路部品を金属化及び
/又は合金化による接続以外の接続により行なうと、金
属化及び/又は合金化時に生じる電気回路部品の熱によ
る劣化を防止することができる。また、用途によっては
電気回路部品を着脱自在にしておきたい場合があり、か
かる場合にその電気回路部品を金属化及び/又は合金化
による接続以外の接続部なえば、かかる要望に応じるこ
とが可能となる。
On the other hand, if electrical circuit components or other electrical circuit components are connected by a connection other than metallization and/or alloying, deterioration of the electrical circuit components due to heat that occurs during metallization and/or alloying can be prevented. . Additionally, depending on the application, there may be cases where it is desired to make electrical circuit components removable, and in such cases, such requests can be met if the electrical circuit components have connections other than connections made by metallization and/or alloying. becomes.

さらに絶縁体としてシールド効果が大きい材料を選択す
ることにより、電気回路部品から外界に出る電磁気ノイ
ズを減少させることができ、また、外界から電気回路部
品へ入るノイズを減少させることもできる。
Furthermore, by selecting a material with a high shielding effect as an insulator, it is possible to reduce electromagnetic noise that exits from the electric circuit components to the outside world, and it is also possible to reduce noise that enters the electric circuit components from the outside world.

(以下余白) [実施例] (実施例1−DI) 本発明の実施例1−Dlを第1図(a)、第1図(b)
、第1図(c)−1及び第2図に基づいて説明する。
(The following is a blank space) [Example] (Example 1-DI) Example 1-DI of the present invention is shown in Fig. 1(a) and Fig. 1(b).
, will be explained based on FIG. 1(c)-1 and FIG.

本実施例では、粉体を配合させた有機材料よりなる保持
体111と、保持体111中に埋設された複数の電気的
導電部材である金属部材107とを有し、金属部材10
7の一端が保持体111の一方の面において露出してお
り、また、金属部材107の他端が保持体111の他方
の面において露出している電気的接続部材125と;接
続部102を有し、接続部102において、保持体11
1の一方の面において露出している金属部材107の一
端とを高周波誘電加熱又はマイクロ波加熱を用いて金属
化及び/又は合金化されて接続されている1つの半導体
素子101と;接続部105を有し、接続部105にお
いて、保持体111の他方の面において露出している金
属部材107の他端とを高周波誘電加熱又はマイクロ波
加熱を用いて金属化及び/又は合金化されて接続されて
いる1つの回路基板104と:を少なくとも有し、半導
体素子101および回路基板104の両方が封止材17
0により封止されている。
This embodiment includes a holder 111 made of an organic material mixed with powder, and a plurality of metal members 107 that are electrically conductive members embedded in the holder 111.
7 is exposed on one surface of the holder 111, and the other end of the metal member 107 is exposed on the other surface of the holder 111; At the connecting portion 102, the holding body 11
one semiconductor element 101 connected to one end of the metal member 107 exposed on one surface of the semiconductor element 101 by metallization and/or alloying using high frequency dielectric heating or microwave heating; connection portion 105; At the connecting portion 105, the other end of the metal member 107 exposed on the other surface of the holder 111 is metallized and/or alloyed and connected using high frequency dielectric heating or microwave heating. The semiconductor element 101 and the circuit board 104 are both coated with the sealing material 17.
It is sealed by 0.

以下に本実施例をより詳細に説明する。This example will be explained in more detail below.

まず、電気的接続部材125の一製造例を説明しつつ電
気的接続部材125を説明する。
First, the electrical connection member 125 will be explained while explaining one manufacturing example of the electrical connection member 125.

第2図に一製造例を示す。FIG. 2 shows one manufacturing example.

まず、第2図(a)に示すように、20μmφのAu等
の金属あるいは合金よりなる金属線121を、ピッチ4
0μmとして棒122に巻き付け、巻き付は後、ポリイ
ミド等の樹脂123中に上記金属線121を埋め込む。
First, as shown in FIG. 2(a), metal wires 121 made of a metal such as Au or an alloy with a diameter of 20 μm are wired at a pitch of 4.
The metal wire 121 is wound around a rod 122 with a thickness of 0 μm, and after wrapping, the metal wire 121 is embedded in a resin 123 such as polyimide.

埋め込む前に樹脂中にチタン酸バリウムよりなる粉末を
配合して樹脂中に粉体を分散させる。埋め込み後上記樹
脂123を硬化させる。硬化した樹脂123は絶縁体と
なる。その後、点線124の位置でスライス切断し、電
気的接続部材125を作成する。このようにして作成さ
れた電気的接続部材125を第2図(b)、(C)に示
す。なお、粉体は図示していない。なお、本例では樹脂
を攪拌して粉体を分散させたが、他の方法により粉体を
分散させてもよい。また、本例では、チタン酸バリウム
よりなる粉体を分散させたが、他の強話電偉材料よりな
る粉体又は繊維、又は任意の形状のものを埋め込んでも
よい。
Before embedding, powder made of barium titanate is mixed into the resin and the powder is dispersed in the resin. After embedding, the resin 123 is cured. The cured resin 123 becomes an insulator. Thereafter, it is sliced at the dotted line 124 to create an electrical connection member 125. The electrical connection member 125 created in this way is shown in FIGS. 2(b) and 2(C). Note that the powder is not shown. In this example, the powder was dispersed by stirring the resin, but the powder may be dispersed by other methods. Further, in this example, powder made of barium titanate is dispersed, but powder or fiber made of other strong wire materials, or particles of any shape may be embedded.

このように作成された電気的接続部材125において、
金属線121が金属部材107を構成し、樹脂123が
保持体(絶縁体)111を構成する。
In the electrical connection member 125 created in this way,
The metal wire 121 constitutes the metal member 107, and the resin 123 constitutes the holder (insulator) 111.

この電気的接続部材125においては金属部材となる金
属線121同士は樹脂123により電気的に絶縁されて
いる。また、金属線121の一端は半導体素子101側
に露出し、他端は回路基板104側に露出している。こ
の露出している部分はそれぞれ半導体素子101、回路
基板104との接続部108,109となる。
In this electrical connection member 125, metal wires 121 serving as metal members are electrically insulated from each other by resin 123. Further, one end of the metal wire 121 is exposed to the semiconductor element 101 side, and the other end is exposed to the circuit board 104 side. These exposed portions become connection portions 108 and 109 to the semiconductor element 101 and the circuit board 104, respectively.

次に、第1図(a)に示すように、半導体素子101、
電気的接続部材125、回路基板104を用意する。本
例で使用する半導体素子101、回路基板104は、そ
の内部に多数の接続部102.105を有している。
Next, as shown in FIG. 1(a), a semiconductor element 101,
An electrical connection member 125 and a circuit board 104 are prepared. The semiconductor element 101 and circuit board 104 used in this example have a large number of connection parts 102 and 105 inside thereof.

なお、半導体素子101の接続部102は、回路基板1
04の接続部105及び電気的接続部材125の接続部
108,109に対応する位置に金属が露出している。
Note that the connection portion 102 of the semiconductor element 101 is connected to the circuit board 1
Metal is exposed at positions corresponding to the connection portion 105 of 04 and the connection portions 108 and 109 of the electrical connection member 125.

半導体素子101の接続部102と、電気的接続部材1
25の接続部108とを、又は、回路基板104の接続
部105と電気的接続部材125の接続部109が対応
するように位置決めを行ない、位置決め後、半導体素子
101の接続部102のA℃と電気的接続部材125の
接続部108のAuとをさらに回路基板104の接続部
105のAuと電気的接続部材125の接続部109の
Auとの両方を高周波パー加熱又はマイクロ波加熱を用
いて金属化及び/又は合金化して接続する(第1図(b
))。なお、高周波8電加熱装置又はマイクロ波加熱装
置の条件等は実験条件で決めた。
Connection portion 102 of semiconductor element 101 and electrical connection member 1
25 or the connecting portion 105 of the circuit board 104 corresponds to the connecting portion 109 of the electrical connecting member 125. After positioning, the A° C. of the connecting portion 102 of the semiconductor element 101 is adjusted. The Au of the connection part 108 of the electrical connection member 125 and the Au of the connection part 105 of the circuit board 104 and the Au of the connection part 109 of the electrical connection member 125 are further heated using high-frequency par heating or microwave heating. connection by alloying and/or alloying (Fig. 1(b)
)). Note that the conditions of the high frequency 8 electric heating device or the microwave heating device were determined based on experimental conditions.

ここで、半導体素子101、電気的接続部材125、回
路基板104を、金属化及び/又は合金化により接続す
るには次の3方式が存在するが、そのいずれの方式によ
ってもよい。
Here, there are the following three methods for connecting the semiconductor element 101, the electrical connection member 125, and the circuit board 104 by metallization and/or alloying, and any of these methods may be used.

■半導体素子101、電気的接続部材125、回路基板
104を位置決めした後、半導体素子101の接続部1
02と電気的接続部材125の接続部108とを、及び
回路基板104の接続部105と電気的接続部材125
の接続部109とを同時に金属化及び/又は合金化して
接続する方法。
■ After positioning the semiconductor element 101, the electrical connection member 125, and the circuit board 104, the connection part 1 of the semiconductor element 101 is
02 and the connection part 108 of the electrical connection member 125, and the connection part 105 of the circuit board 104 and the electrical connection member 125.
A method of simultaneously metallizing and/or alloying the connecting portion 109 of

■半導体素子101、電気的接続部材125とを位置決
めし、半導体素子101の接続部102と電気的接続部
材125の接続部108とを金属化及び/又は合金化し
て接続した後、回路基板104を位置決めし、電気接続
部材125の接続部109と回路基板104の接続部1
05を金属化及び/又は合金化して接続する方法。
(2) After positioning the semiconductor element 101 and the electrical connection member 125 and connecting the connection part 102 of the semiconductor element 101 and the connection part 108 of the electrical connection member 125 by metallizing and/or alloying, the circuit board 104 is connected. Position the connection portion 109 of the electrical connection member 125 and the connection portion 1 of the circuit board 104.
Method of connecting by metallizing and/or alloying 05.

■回路基板104と電気的接続部材125とを位置決め
し、回路基板104の接続部105と電気的接続部材1
25の接続部109とを金属化及び/又は合金化して接
続した後、半導体素子101を位置決めし、電気的接続
部材125の接続部108と半導体素子101の接続部
102を金属化及び/又は合金化して接続する方法。
■Position the circuit board 104 and the electrical connection member 125, and
After connecting the connecting portion 109 of the electrical connection member 125 by metallizing and/or alloying the connecting portion 109 of the semiconductor element 101, the semiconductor element 101 is positioned, and the connecting portion 108 of the electrical connecting member 125 and the connecting portion 102 of the semiconductor element 101 are metallized and/or alloyed. How to convert and connect.

次に、以上のようにして作成した部材(電気回路部材)
の電気回路部品を封止した(第1図(C)−1)。なお
、本例では半導体素子101と回路基板104の両方と
もに封止した。封止材は熱可塑性樹脂を用い、封止方法
としてインジェクシ刑ンモールト法を用いた。
Next, the parts created as described above (electric circuit parts)
The electric circuit components were sealed (Fig. 1(C)-1). Note that in this example, both the semiconductor element 101 and the circuit board 104 were sealed. A thermoplastic resin was used as the sealing material, and an injection molding method was used as the sealing method.

以上のようにして作成した電気回路装置につきその接続
部の接続性を調べたところ高い信頼性をもって接続され
ていた。
When the connectivity of the connection portions of the electrical circuit device produced as described above was examined, it was found that the connections were highly reliable.

さらに、各種特性の信頼性も優れていた。Furthermore, the reliability of various characteristics was also excellent.

(実施例1−D 2) 第1図(C)−2に実施例1−Dlを示す。(Example 1-D 2) Example 1-Dl is shown in FIG. 1(C)-2.

本例では、実施例1−Dlにおいて、一方の封止材17
0の表面に、ステンレス類で、板厚0.1mの板151
を貼り付けて接合しである。
In this example, in Example 1-Dl, one of the sealing materials 17
Plate 151 made of stainless steel and having a thickness of 0.1 m is placed on the surface of 0.
Paste and join.

他の点は実施例1−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 1-Dl.

(実施例1−D3) 第1図(C)−3に実施例1−Dlを示す。(Example 1-D3) Example 1-Dl is shown in FIG. 1(C)-3.

本例は、実施例1−Dlにおいて、半導体素子101の
電気的接続部材125とは反対側の面に、ステンレス類
で、板厚0.1mmの板151を貼り付けて接合しであ
る。なお、本例では半導体素子101のみに板151を
接合しである。
In this example, in Example 1-Dl, a plate 151 made of stainless steel and having a thickness of 0.1 mm is bonded to the surface of the semiconductor element 101 opposite to the electrical connection member 125. Note that in this example, the plate 151 is bonded only to the semiconductor element 101.

他の点は実施例1−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 1-Dl.

(実施例1−D4) 第1図(C)−4に実施例1−D4を示す。(Example 1-D4) Example 1-D4 is shown in FIG. 1(C)-4.

本例では、実施例1−Dlにおいて、半導体素子101
の近傍にステンレス類で、板厚0.1mmの板151を
配設しである。
In this example, in Example 1-Dl, the semiconductor element 101
A plate 151 made of stainless steel and having a thickness of 0.1 mm is disposed near the plate.

他の点は実施例1−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 1-Dl.

(実施例1−El) 第1図(C)−5に実施例1−Elを示す。(Example 1-El) Example 1-El is shown in FIG. 1(C)-5.

本例では、実施例1−Dlにおいて、半導体素子101
と回路基板104の両方をキャップ封止しである。
In this example, in Example 1-Dl, the semiconductor element 101
Both the circuit board 104 and the circuit board 104 are sealed with a cap.

キャップは、第1図(c)−5に示すように、内部に2
つの凹部を有するキャップ155゜155″を用いであ
る。このキャップのへこんだ部分が中空部158,15
8″を形成し、出っ張った部分が半導体素子1011回
路基板104の裏面に当接しており、半導体素子101
、回路基板104は、電気的接続部材125にしっかり
保持されている。
The cap has two holes inside, as shown in Figure 1(c)-5.
A cap 155゜155'' having two concave portions is used.The concave portion of this cap is the hollow portion 158,
8", and the protruding portion is in contact with the back surface of the semiconductor element 1011 circuit board 104, and the semiconductor element 101
, the circuit board 104 is firmly held by the electrical connection member 125.

なお、本例では、キャップ155,155’同士を接着
剤により接合しである。
In this example, the caps 155 and 155' are bonded together using an adhesive.

他の点は実施例1−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 1-Dl.

(実施例1−E2) 第1図(C)−6に実施例1−E2を示す。(Example 1-E2) Example 1-E2 is shown in FIG. 1(C)-6.

本例では、実施例1−Elにおいて、半導体素子101
とキャップ156との間に、また、回路基板104とキ
ャップ156との間にそれぞれ調整用部材を介在させて
キャップ封止している。
In this example, in Example 1-El, the semiconductor element 101
Adjustment members are interposed between the circuit board 104 and the cap 156, and between the circuit board 104 and the cap 156 to seal the caps.

他の点は実施例1−Elと同様である。Other points are the same as in Example 1-El.

(実施例2−D 1 ) 第3図(a)、第3図(b)−1に実施例2−Dlを示
す。
(Example 2-D1) Example 2-Dl is shown in FIG. 3(a) and FIG. 3(b)-1.

本例は、接続部52を有する第1の電気回路部品として
回路基板51を、第2の電気回路部品として内部に多数
の接続部5を有する半導体素子4を使用した。
In this example, a circuit board 51 is used as a first electric circuit component having a connection part 52, and a semiconductor element 4 having a large number of connection parts 5 therein is used as a second electric circuit component.

本例では電気的接続部材125として保持体が有機材料
にチタン酸バリウムと5in2よりなる粉末(図示せず
)を分散させたものを使用した。
In this example, as the electrical connection member 125, a holder in which powder (not shown) made of barium titanate and 5in2 was dispersed in an organic material was used.

また、本例では、この電気的接続部材の接続部54と回
路基板51の接続部52とを高周波8電加熱により金属
化及び/又は合金化することにより接続し、一方、電気
的接続部材125と半導体素子4との接続は金属化及び
/合金化以外の接続法で接続した。すなわち、半導体素
子4を電気的接続部材125に押圧し接着剤等で仮保持
し、その上から封止を行なった。
Further, in this example, the connection portion 54 of the electrical connection member and the connection portion 52 of the circuit board 51 are connected by metallization and/or alloying by high-frequency 8-electric heating, while the electrical connection member 125 and the semiconductor element 4 were connected by a connection method other than metallization and/or alloying. That is, the semiconductor element 4 was pressed against the electrical connection member 125 and temporarily held with an adhesive or the like, and then sealed from above.

なお、電気的接続部材125としては半導体素子4に対
応する寸法のものを使用した。
Note that as the electrical connection member 125, one having dimensions corresponding to the semiconductor element 4 was used.

なお、本例では回路基板51の下面にはリードフレーム
55を接続した。
In this example, a lead frame 55 is connected to the lower surface of the circuit board 51.

本例では、半導体素子4のみを封止した。封止材として
は熱可塑性樹脂に5in2よりなる粉末を分散させたも
のを用いた。
In this example, only the semiconductor element 4 was sealed. The sealing material used was a thermoplastic resin in which 5in2 powder was dispersed.

他の点は実施例1−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 1-Dl.

本例においても接続部は高い信頼性を持フて接続されて
いた。
In this example as well, the connections were connected with high reliability.

さらに、各種特性の信頼性も優れていた。Furthermore, the reliability of various characteristics was also excellent.

(実施例2−Dl) 第3図(b)−2に実施例2−Dlを示す。(Example 2-Dl) FIG. 3(b)-2 shows Example 2-Dl.

本例では、実施例2−Dlにおいて、一方の封止材17
0の表面に、ステンレス類で、板厚0.1mの板151
を貼り付けて接合しである。
In this example, in Example 2-Dl, one sealant 17
Plate 151 made of stainless steel and having a thickness of 0.1 m is placed on the surface of 0.
Paste and join.

他の点は実施例2−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 2-Dl.

(実施例2−D3) 第3図(b)−3に実施例2−Dlを示す。(Example 2-D3) FIG. 3(b)-3 shows Example 2-Dl.

本例は、実施例2−Dlにおいて、半導体素子4の電気
的接続部材125とは反対側の面に、ステンレス類で、
板厚0.1mmの板151を貼り付けて接合しである。
In this example, in Example 2-Dl, stainless steel is used on the surface of the semiconductor element 4 opposite to the electrical connection member 125.
A plate 151 having a thickness of 0.1 mm is pasted and joined.

なお、本例では半導体素子4のみに板151を接合しで
ある。
In this example, the plate 151 is bonded only to the semiconductor element 4.

他の点は実施例2−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 2-Dl.

(実施例2−D4) 第3図(b)−4に実施例2−D4を示す。(Example 2-D4) Example 2-D4 is shown in FIG. 3(b)-4.

本例では、実施例2−Dlにおいて、半導体素子4の近
傍にステンレス類で、板厚0.1m’mの板151を配
設しである。なお、本例では、板151の一面を残して
封止してあり、その−面は外部に露出している。
In this example, in Example 2-Dl, a plate 151 made of stainless steel and having a thickness of 0.1 mm is disposed near the semiconductor element 4. In this example, one side of the plate 151 is sealed, and the negative side is exposed to the outside.

他の点は実施例1−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 1-Dl.

(実施例2−E 1 ) 第3図(b)−5に実施例2−Elを示す。(Example 2-E 1) Example 2-El is shown in FIG. 3(b)-5.

本例では、実施例2−Dlにおいて、半導体素子4をキ
ャップ155によりキャップ封止しである。
In this example, the semiconductor element 4 is cap-sealed with a cap 155 in Example 2-Dl.

キャップは、第3図(b)−5に示すように内部に1つ
の凹部を有するキャップ155を用いである。このキャ
ップ155を用い、半導体素子4の両側部に中空部15
8が形成されるようにキャップ封止しである。なお、本
例では半導体素子4のみをキャップ封止しである。。
The cap used is a cap 155 having one recess inside as shown in FIG. 3(b)-5. Using this cap 155, hollow portions 15 are provided on both sides of the semiconductor element 4.
The cap is sealed so that 8 is formed. In this example, only the semiconductor element 4 is sealed with a cap. .

他の点は実施例2−Dlと同様であZ・。The other points are the same as in Example 2-Dl.

(実施例2−E2) 第3図(b)−6に実施例2−E2を示す。(Example 2-E2) Example 2-E2 is shown in FIG. 3(b)-6.

本例では、実施例1−Elにおいて、半導体素子4とキ
ャップ155との間に調整用部材156を介在させてキ
ャップ封止している。
In this example, in Example 1-El, an adjustment member 156 is interposed between the semiconductor element 4 and the cap 155 to seal the cap.

他の点は実施例1−Elと同様である。Other points are the same as in Example 1-El.

(実施例3−DI) 第4図(a)−1,第4図(b)−1に実施例3−Dl
を示す。
(Example 3-DI) Example 3-DI is shown in Figure 4(a)-1 and Figure 4(b)-1.
shows.

本例は、第1の電気回路部品が半導体素子4であり、第
2の電気回路部品が回路基板51である例である。
In this example, the first electric circuit component is the semiconductor element 4, and the second electric circuit component is the circuit board 51.

接続後は回路基板51の上面にリ−)・フレーム1を接
続し、次いで、型のキャビティ・−内に電気回路部材を
セットし、インジェクションを行い、封止材170を形
成した。
After the connection, the Lee frame 1 was connected to the upper surface of the circuit board 51, and then the electric circuit member was set in the cavity of the mold, and injection was performed to form the sealing material 170.

封止材170は熱可塑性樹脂中に5i02の粉末を分散
させたものを用いた。
The sealing material 170 was made by dispersing 5i02 powder in a thermoplastic resin.

なお、第4図(a)は半導体素子4を全体的に封止材で
埋めた例であり、第4図(b)は半導体素子4の上面を
、外部に露出させ、側部を封止材で埋めた例である。
Note that FIG. 4(a) shows an example in which the semiconductor element 4 is entirely filled with a sealing material, and FIG. 4(b) shows an example in which the top surface of the semiconductor element 4 is exposed to the outside and the sides are sealed. This is an example of filling it with wood.

他の点は実施例1−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 1-Dl.

本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
In this example as well, the connection section was connected with high reliability.

さらに、各種特性の信頼性も優れていた。Furthermore, the reliability of various characteristics was also excellent.

(実施例3−D2) 第4図(a)−2に実施例3−D2を示す。(Example 3-D2) Example 3-D2 is shown in FIG. 4(a)-2.

本例では、実施例3−D】において、一方の封止材17
0の表面に、ステンし・ス製で、板厚0.1mの板15
1を貼り付けて接合しである。
In this example, in Example 3-D], one of the sealing materials 17
Plate 15 made of stainless steel and having a thickness of 0.1 m is placed on the surface of 0.
Paste and join 1.

他の点は実施例3−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 3-Dl.

第4図(b)−2に実施例3−D2の変形例を示す。FIG. 4(b)-2 shows a modification of Example 3-D2.

本変形例では、実施例3−Dlの変形例において、封止
材170の表面と半導体素子4の露出面とに一枚の板1
51を貼り付けて接合しである。
In this modification, in the modification of Example 3-Dl, one plate 1 is provided on the surface of the sealing material 170 and the exposed surface of the semiconductor element 4.
51 is pasted and joined.

他の点は実施例3−Dlの変形例と同様である。The other points are the same as the modified example of Example 3-Dl.

(実施例3−D3) 第4図(a)−3に実施例3−D3を示す。(Example 3-D3) Example 3-D3 is shown in FIG. 4(a)-3.

本例では、実施例3−Dlおいて、半導体素子4の電気
的接続部材125とは反対側の面に、ステンレス類で、
板厚0.1mmの板151を貼り付けて接合しである。
In this example, in Example 3-Dl, stainless steel is applied to the surface of the semiconductor element 4 opposite to the electrical connection member 125.
A plate 151 having a thickness of 0.1 mm is pasted and joined.

他の点は実施例3−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 3-Dl.

第4図(b)−3に実施例3−D3の変形例を示す。FIG. 4(b)-3 shows a modification of Example 3-D3.

本変形例は、実施例3−Dlの変形例において、半導体
素子4の露出した面に板151を貼り付けて接合しであ
る。板151の、半導体素子とは反対側の面は外部に露
出している。
In this modification, a plate 151 is pasted and bonded to the exposed surface of the semiconductor element 4 in the modification of Example 3-Dl. The surface of the plate 151 opposite to the semiconductor element is exposed to the outside.

他の点は実施例3−Dlの変形例と同様で、ある。The other points are similar to the modified example of Example 3-Dl.

(実施例3−D4) 第4図(a)−4に実施例3−D4を示す。(Example 3-D4) Example 3-D4 is shown in FIG. 4(a)-4.

本例では、実施例3−Dlにおいて、半導体製f4の近
傍にステンレス類で、板厚0.1mmの板の組合せ体1
51を配設しである。なお、本例では、半導体素子4の
まわりを囲うようにして板の組合せ体151を配設しで
ある。
In this example, in Example 3-Dl, a combination 1 of stainless steel plates with a plate thickness of 0.1 mm is placed near the semiconductor f4.
51 is arranged. In this example, the plate combination 151 is arranged to surround the semiconductor element 4.

他の点は実施例3−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 3-Dl.

第4図(b)−4に実施例3−D4の変形例を示す。FIG. 4(b)-4 shows a modification of Example 3-D4.

本変形例では、実施例3−Dlの変形例において、半導
体素子4の両側にそれぞれ板151を配設しである。板
151の一面はそれぞれ外部に露出している。
In this modification, plates 151 are provided on both sides of the semiconductor element 4, respectively, in the modification of Example 3-Dl. One side of each plate 151 is exposed to the outside.

他の点は実施例3−DIの変形例と同様である。Other points are similar to the modified example of Example 3-DI.

(実施例3−El) 第4図(a)−5に実施例3−Elを示す。(Example 3-El) FIG. 4(a)-5 shows Example 3-El.

本例では、実施例3−Dlにおいて、半導体素子を4.
4の2つにし、かつ、2つの半導体装置4.4°の高さ
を異ならしめてあり、これら2つの半導体素子4.4°
をキャップ封止しである。
In this example, in Example 3-Dl, the semiconductor element is 4.
4, and the heights of the two semiconductor devices are made to differ by 4.4°.
The cap is sealed.

キャップは、第3図(b)−5に示すように内部に段差
のある凹部を有するキャップ155を用いである。この
キャップ155を用い、半導体素子4.4′の両側部に
中空部158が形成されるようにキャップ封止しである
As shown in FIG. 3(b)-5, a cap 155 is used which has a recessed portion with a step inside. This cap 155 is used to seal the semiconductor element 4.4' so that a hollow part 158 is formed on both sides of the semiconductor element 4.4'.

他の点は実施例3−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 3-Dl.

第4図(b)−5に実施例3−Elの変形例を示す。FIG. 4(b)-5 shows a modification of Example 3-El.

本変形例では、本実施例において、半導体素子4と半導
体素子4゛のそれぞれを別個にキャップ封止している。
In this modification, each of the semiconductor element 4 and the semiconductor element 4' is separately cap-sealed in the present embodiment.

他の点は本実施例と同様である。Other points are similar to this embodiment.

(実施例3−El) 第4図(a)−6に実施例3−Elを示す。(Example 3-El) Example 3-El is shown in FIG. 4(a)-6.

本例では、実施例3−Elにおいて、半導体素子4とキ
ャップ156との間に調整用部材156を介在させてキ
ャップ封止している。
In this example, in Example 3-El, an adjustment member 156 is interposed between the semiconductor element 4 and the cap 156 to seal the cap.

他の点は実施例3−Elと同様である。Other points are the same as in Example 3-El.

(実施例4−Di) 第5図(a)−1に実施例4−Dlを示す。(Example 4-Di) FIG. 5(a)-1 shows Example 4-Dl.

本例は、第1の電気回路部品が半導体素子4″であり、
第2の電気回路部品が半導体素子4である例であり、本
例では、電気的接続部材として半導体素子4に対応した
寸法のものを使用し、リードフレーム1を電気的接続部
材125の第1の半導体素子4′側に露出した金属部材
に接続している。
In this example, the first electric circuit component is a semiconductor element 4'',
This is an example in which the second electric circuit component is the semiconductor element 4. In this example, an electrical connection member having a size corresponding to the semiconductor element 4 is used, and the lead frame 1 is connected to the first electrical connection member 125. It is connected to the metal member exposed on the semiconductor element 4' side.

なお、電気的接続部材125の絶縁体として有機材料中
にチタン酸バリウム等、強訴電体の粉体または繊維の一
方または両方が分散されたものを用いた。第5図(a)
−1は両方とも高周波8電加熱又はマイクロ波加熱によ
り金属化及び/又は合金化による接続をした場合を示し
ている。−方、第5図(b)−1に示す例においては一
方のみ高周波8電加熱又はマイクロ波加熱により金属化
及び/又は合金化による接続をした。
As the insulator of the electrical connection member 125, an organic material in which either or both of powder and fiber of a strong electric material such as barium titanate was dispersed was used. Figure 5(a)
-1 both show the case where connection is made by metallization and/or alloying by high frequency 8 electric heating or microwave heating. On the other hand, in the example shown in FIG. 5(b)-1, only one side was connected by metallization and/or alloying by high-frequency 8-electric heating or microwave heating.

なお、第5図(a) −1は上側の半導体素子4.4″
を全体的に封止材で埋めた例であり、第5図(b)−1
は半導体素子4,4′の上面を外部に露出させ、側部を
封止材で埋めた例である。
Note that FIG. 5(a)-1 indicates the upper semiconductor element 4.4"
This is an example in which the entire area is filled with sealing material, as shown in Figure 5(b)-1.
This is an example in which the upper surfaces of the semiconductor elements 4, 4' are exposed to the outside, and the side portions are filled with a sealing material.

他の点は実施例3−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 3-Dl.

本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
In this example as well, the connection section was connected with high reliability.

さらに、各種特性の信頼性も優れていた。Furthermore, the reliability of various characteristics was also excellent.

(実施例4−D2) 第5図(a)−2に実施例4−D2を示す。(Example 4-D2) Example 4-D2 is shown in FIG. 5(a)-2.

本例では、実施例4−Dlにおいて、両方の封止材17
0の表面に、ステンレス製で、板厚0.1mの板151
を貼り付けて接合しである。
In this example, in Example 4-Dl, both sealing materials 17
A plate 151 made of stainless steel and having a thickness of 0.1 m is placed on the surface of 0.
Paste and join.

他の点は実施例4−Dlと同様である。Other points are the same as Example 4-Dl.

第5図(b)−2に実施例4−D2の変形例を示す。FIG. 5(b)-2 shows a modification of Example 4-D2.

本変形例では、実施例4−Dlの変形例において、封止
材170の表面と半導体素子4°の露出面とに一枚の板
151を貼り付けて接合してあり、また、封止材170
の表面と半導体素子4の露出面とに一枚の板151を貼
り付けて接合しである。
In this modified example, in the modified example of Example 4-Dl, a single plate 151 is pasted and joined to the surface of the encapsulant 170 and the exposed surface of the semiconductor element at 4°, and the encapsulant 170
A single plate 151 is attached to the surface of the semiconductor element 4 and the exposed surface of the semiconductor element 4 for bonding.

他の点は実施例4−Dlの変形例と同様である。The other points are the same as the modified example of Example 4-Dl.

(実施例4−D3) 第5図(a)−3に実施例4−D3を示す。(Example 4-D3) Example 4-D3 is shown in FIG. 5(a)-3.

本例では、実施例4−Dlおいて、半導体素子4の電気
的接続部材125とは反対側の面に、ステンレス製で、
板厚0.1mmの板151を貼り付けて接合してあり、
また、半導体素子4°の電気的接続部材125とは反対
側の面に、ステンレス製で、板厚0.1mmの板151
を貼り付けて接合しである。
In this example, in Example 4-Dl, stainless steel is attached to the surface of the semiconductor element 4 opposite to the electrical connection member 125.
A plate 151 with a thickness of 0.1 mm is pasted and joined,
Further, a plate 151 made of stainless steel and having a plate thickness of 0.1 mm is placed on the side opposite to the electrical connection member 125 of the semiconductor element 4°.
Paste and join.

他の点は実施例4−Dlと同様である。Other points are the same as Example 4-Dl.

第5図(b)−3に実施例4−D3の変形例を示す。FIG. 5(b)-3 shows a modification of Example 4-D3.

本変形例は、実施例4−Dlの変形例において、半導体
素子4の露出した面に板151を貼り付けて接合してあ
り、また、半導体素子4の露出した面に板151を貼り
付けて接合しである。なお、板151の、半導体素子4
,4° とは反対側の面は外部に露出している。
This modification is a modification of Embodiment 4-Dl in which a plate 151 is attached and bonded to the exposed surface of the semiconductor element 4, and a plate 151 is attached to the exposed surface of the semiconductor element 4. It is joined. Note that the semiconductor element 4 of the plate 151
, 4° is exposed to the outside.

他の点は実施例4−Dlの変形例と同様である。The other points are the same as the modified example of Example 4-Dl.

(実施例4−D4) 第5図(a)−4に実施例4−D4を示す。(Example 4-D4) Example 4-D4 is shown in FIG. 5(a)-4.

本例では、実施例4−Dlにおいて、半導体素子4゛の
両側面近傍にステンレス製で、板厚0.1mmの板15
1をそれぞれ配設してあり、また、半導体素子4の近傍
に板151が配設されている。なお、半導体素子4の近
傍に配設されている板151の一面は外部に露出してい
る。
In this example, in Example 4-Dl, a plate 15 made of stainless steel and having a plate thickness of 0.1 mm is placed near both sides of the semiconductor element 4''.
1 are respectively disposed, and a plate 151 is disposed near the semiconductor element 4. Note that one surface of the plate 151 disposed near the semiconductor element 4 is exposed to the outside.

他の点は実施例4−Dlと同様である。Other points are the same as Example 4-Dl.

第5図(b)−4に実施例4−D4の変形例を示す。FIG. 5(b)-4 shows a modification of Example 4-D4.

本変形例では、実施例4−Dlの変形例において、半導
体素子4″の両側面近傍にそれぞれ板151を配設しで
ある。なお、板151の一面は外部に露出している。
In this modification, in the modification of Embodiment 4-Dl, plates 151 are disposed near both side surfaces of the semiconductor element 4''. Note that one surface of the plate 151 is exposed to the outside.

他の点は実施例4−Dlの変形例と同様である。The other points are the same as the modified example of Example 4-Dl.

(実施例4−El) 第5図(a)−5に実施例4−Elを示す。(Example 4-El) Example 4-El is shown in FIG. 5(a)-5.

本例では、実施例4−Dlにおいて、半導体素子を4.
4°をそれぞれキャップ封止しである。
In this example, in Example 4-Dl, the semiconductor element is 4.
Each of the 4 degrees is sealed with a cap.

他の点は実施例4−Dlと同様である。Other points are the same as Example 4-Dl.

(実施例4−El) 第5図(a)−8に実施例4−Elを示す。(Example 4-El) Example 4-El is shown in FIG. 5(a)-8.

本例では、実施例4−Elにおいて、高さのなる半導体
素子を4,4′とキャップ155との間に段差を有する
調整用部材156を介在させてキャップ封止している。
In this example, in Example 4-El, a tall semiconductor element is cap-sealed by interposing an adjustment member 156 having a step between 4, 4' and the cap 155.

他の点は実施例4−Elと同様である。Other points are the same as in Example 4-El.

(実施例5) 第6図に実施例5を示す。(Example 5) Example 5 is shown in FIG.

実施例5は、第1の電気回路部品、第2の電気回路部品
として、接続部以外の部分が絶縁膜103.106で覆
われている回路基板101゜104を使用している例で
ある。
Embodiment 5 is an example in which circuit boards 101 and 104 whose portions other than the connecting portions are covered with insulating films 103 and 106 are used as the first electric circuit component and the second electric circuit component.

また、電気的接続部材としては第7図に示すものを使用
した。すなわち、第7図に示す電気的接続部材125は
、金属部材107の露出している部分が保持体(樹脂絶
縁体)111の面から突出している。このような電気的
接続部材125の作成は、例えば、次の方法によればよ
い。
Further, as an electrical connection member, one shown in FIG. 7 was used. That is, in the electrical connection member 125 shown in FIG. 7, the exposed portion of the metal member 107 protrudes from the surface of the holder (resin insulator) 111. Such electrical connection member 125 may be created, for example, by the following method.

まず、実施例1−Dlで述べた方法により、第2図(b
)、(C)に示す電気的接続部材を用意する。次にこの
電気的接続部材の両面を、金属線121が、ポリイミド
樹脂123から10μm程度突出するまでエツチングす
ればよい。
First, by the method described in Example 1-Dl, FIG.
) and (C) are prepared. Next, both surfaces of this electrical connection member may be etched until the metal wire 121 protrudes from the polyimide resin 123 by about 10 μm.

なお、本実施例では金属線121の突出量を10μmと
したが、いかなる量でもよい。
Note that in this embodiment, the amount of protrusion of the metal wire 121 was set to 10 μm, but any amount may be used.

また、金属線121を突出させる方法としてはエツチン
グに限らず、他の化学的な方法又は機械的な方法を使用
してもよい。
Furthermore, the method for making the metal wire 121 protrude is not limited to etching, and other chemical or mechanical methods may be used.

他の点は実施例1−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 1-Dl.

なお、突出部を、電気的接続部材125を金属線121
の位置に凹部を持った型に挟み込み、金属線121の突
起126をつぶすことにより第8図に示すようなバンプ
150を形成してもよい。この場合金属線121は絶縁
体111から脱落しにくくなる。
Note that the protruding portion and the electrical connection member 125 are connected to the metal wire 121.
A bump 150 as shown in FIG. 8 may be formed by inserting the metal wire 121 into a mold having a recess at the position and crushing the protrusion 126 of the metal wire 121. In this case, the metal wire 121 becomes difficult to fall off from the insulator 111.

なお、本例でも、金属線121が金属部材107を構成
し、さらに、樹脂123が絶縁体111を構成する。
Note that in this example as well, the metal wire 121 constitutes the metal member 107, and furthermore, the resin 123 constitutes the insulator 111.

なお、バンプを作成するのには突起を熱で溶融させ、バ
ンプを作成してもよいし、他のいかなる方法でもよい。
Note that the bumps may be created by melting the protrusions with heat, or any other method may be used.

本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
In this example as well, the connection section was connected with high reliability.

さらに、各種特性の信頼性も優れていた。Furthermore, the reliability of various characteristics was also excellent.

(実施例6−DI) 第9図(a)、第9図(b)−tに実施例6−Dlを示
す。
(Example 6-DI) Example 6-Dl is shown in FIG. 9(a) and FIG. 9(b)-t.

本例は、第1の電気回路部品として半導体素子4を使用
し、第2の電気部品としてリードフレーム1を使用した
例である。
In this example, a semiconductor element 4 is used as the first electrical circuit component, and a lead frame 1 is used as the second electrical component.

リードフレーム1の接続部6は4270イの表面にAg
めっきされているものを使用した。
The connection part 6 of the lead frame 1 has Ag on the surface of the 4270i.
I used a plated one.

接続は高周波誘電加熱と外部加熱とを併用した熱圧着法
を使用した。
For connection, a thermocompression bonding method using both high-frequency dielectric heating and external heating was used.

他の点は実施例5と同様である。The other points are the same as in Example 5.

本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
In this example as well, the connection section was connected with high reliability.

さらに、各種特性の信頼性も優れていた。Furthermore, the reliability of various characteristics was also excellent.

(実施例6−D2) 第9図(b)−2に実施例6−D2を示す。(Example 6-D2) Example 6-D2 is shown in FIG. 9(b)-2.

本例では、実施例6−Dlにおいて、一方の封止材゛1
70の表面に、ステンレス製で、板厚0.1mの穴15
2のあいた板151を貼り付けて接合しである。
In this example, in Example 6-Dl, one of the sealing materials
Hole 15 made of stainless steel and 0.1m thick on the surface of 70
The plates 151 with 2 holes are pasted and joined.

他の点は実施例6−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 6-Dl.

(実施例6−D3) 第9図(b)−3に実施例6−D3を示す。(Example 6-D3) Example 6-D3 is shown in FIG. 9(b)-3.

本例では、実施例6−Dlおいて、半導体素子4の電気
的接続部材125とは反対側の面に、ステンレス製で、
板厚0.1mmの 152のあいた板151を貼り付け
て接合しである。
In this example, in Example 6-Dl, stainless steel is attached to the surface of the semiconductor element 4 opposite to the electrical connection member 125.
A plate 151 having a thickness of 0.1 mm and a gap of 152 is pasted and joined.

他の点は実施例6−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 6-Dl.

(実施例6−04) 第9図(b)−4に実施例6−D4を示す。(Example 6-04) Example 6-D4 is shown in FIG. 9(b)-4.

本例では、実施例6−Dlにおいて、半導体素子4の近
傍にステンレス製で、板Ji0.1mmのほぼ直角に折
曲した板151を配設しである。
In this example, in Example 6-Dl, a plate 151 made of stainless steel and bent at an approximately right angle and having a plate Ji of 0.1 mm is disposed near the semiconductor element 4.

他の点は実施例6−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 6-Dl.

(実施例6−E 1 ) 第9図(b)−5に実施例6−Elを示す。(Example 6-E 1) Example 6-El is shown in FIG. 9(b)-5.

本例では、半導体素子4とリードフレーム1のそれぞれ
をキャップ封止しである。
In this example, the semiconductor element 4 and the lead frame 1 are each sealed with a cap.

他の点は実施例6−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 6-Dl.

(実施例6−El) 第9図(b)−6に実施例6−Elを示す。(Example 6-El) FIG. 9(b)-6 shows Example 6-El.

本例では、実施例6−E】において、半導体素子4とキ
ャップ155との間に調整用部材156を介在させてキ
ャップ封止している。
In this example, an adjusting member 156 is interposed between the semiconductor element 4 and the cap 155 to seal the cap in Example 6-E].

他の点は実施例6−Elと同様である。Other points are the same as in Example 6-El.

(実施例7) 第10図に実施例7を示す。(Example 7) Example 7 is shown in FIG.

本例においては、電気的接続部材125は、実施例5に
示した電気的接続部材と異なる。すなわち、本例の電気
的接続部材125においては、金属部材同士のピッチが
実施例5で示したものよりも狭くなっている。すなわち
、本例では、第1の回路基板接続部の間隔よりも狭い間
隔に金属部材107同士のピッチを設定しである。
In this example, the electrical connection member 125 is different from the electrical connection member shown in the fifth embodiment. That is, in the electrical connection member 125 of this example, the pitch between the metal members is narrower than that shown in Example 5. That is, in this example, the pitch between the metal members 107 is set to be narrower than the interval between the first circuit board connecting portions.

つまり、実施例5では、第1の回路基板101と第2の
回路基板104との接続位置に電気的接続部材125の
接続位置を配置したため、電気的接続部材125の位置
決めが必要であったが、本例では、第1の回路基板10
1と第2の回路基板104との位置決めは必要であるが
、電気的接続部材125との位置決めは不要となる。そ
のため、第1・の回路基板101と第2の回路基板10
4の接続寸法(d++、P++)と電気的接続部材の接
続寸法(d12.PI3)を適切な値に選ぶことにより
位置決めなしで接続することも可能である。
In other words, in the fifth embodiment, since the connection position of the electrical connection member 125 was arranged at the connection position between the first circuit board 101 and the second circuit board 104, it was necessary to position the electrical connection member 125. , in this example, the first circuit board 10
Although it is necessary to position the circuit board 1 and the second circuit board 104, positioning the electrical connection member 125 is not necessary. Therefore, the first circuit board 101 and the second circuit board 10
It is also possible to connect without positioning by selecting appropriate values for the connection dimensions (d++, P++) of No. 4 and the connection dimensions (d12.PI3) of the electrical connection member.

電気的接続部材125は両方に突起126を持ったもの
を用いた。
The electrical connection member 125 used had protrusions 126 on both sides.

他の点は実施例1−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 1-Dl.

本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
In this example as well, the connection section was connected with high reliability.

さらに、各種特性の信頼性も優れていた。Furthermore, the reliability of various characteristics was also excellent.

(実施例8) 第11図に実施例8に使用する電気的接続部材を示す。(Example 8) FIG. 11 shows an electrical connection member used in Example 8.

第11図(a)は電気的接続部材の斜視図、第11図(
b)は上記電気的接続部材の断面図である。
FIG. 11(a) is a perspective view of the electrical connection member, FIG.
b) is a sectional view of the electrical connection member.

かかる電気的接続部材の作成例を次に述べる。An example of making such an electrical connection member will be described below.

まず、実施例1−Dlに示した製法で、電気的接続部材
128,129.130を3枚用意する。
First, three electrical connection members 128, 129, and 130 are prepared using the manufacturing method shown in Example 1-Dl.

1枚目128の金属線1°21の位置はm行n列目で、
ma、nbだけ中心から変位している。
The position of metal wire 1°21 of the first sheet 128 is m row and n column,
It is displaced from the center by ma and nb.

2枚目129の金属線121の位置はm行n列目でma
c、nbcだけ中心から変位している。
The position of the metal wire 121 in the second sheet 129 is ma at row m and column n.
It is displaced from the center by c and nbc.

3枚目130の金属線121の位置はm行n列でmad
、nbdだけ中心から変位している。a、。
The position of the metal wire 121 in the third sheet 130 is mad in m rows and n columns.
, nbd from the center. a.

b、c、dの値は上下の金属121は導通するが左右に
は互いに電気的に導通しないような値をとる。3枚の電
気的接続部材を位置決めし、熱圧着等の方法を用い積層
し、電気的接続部材125を作成する。
The values of b, c, and d are such that the upper and lower metals 121 are electrically conductive, but the left and right sides are not electrically conductive with each other. The three electrical connection members are positioned and laminated using a method such as thermocompression bonding to create the electrical connection member 125.

なお、本例においては、電気的接続部材の金属の位置を
m行n列というように規則をもった位置を選んだが、上
下の金属が導通し、左右には互いに電気的に導通しない
ようにすればランダムでもよい。
In addition, in this example, the positions of the metals of the electrical connection members were selected according to rules such as m rows and n columns, but the metals on the top and bottom were conductive, and the left and right sides were not electrically conductive with each other. It can be random if you do.

また、本例では3層積層する場合について述べたが、2
枚以上であれば何枚でもよい。また、熱圧着等の方法を
用いて積層すると述べたが、高周波8電加熱、圧着、接
着等の方法を用いてもよい。さらに、本例の電気的接続
部材を加工して第7図に示すように突起を設けてもよい
し、第8図に示したようにバンブ150を設けてもよい
In addition, although this example describes the case where three layers are laminated, two
Any number of sheets may be used as long as it is more than one sheet. Further, although it has been described that the layers are laminated using a method such as thermocompression bonding, methods such as high frequency 8 electric heating, pressure bonding, adhesion, etc. may also be used. Furthermore, the electrical connection member of this example may be processed to provide a protrusion as shown in FIG. 7, or a bump 150 as shown in FIG. 8.

他の点は実施例1−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 1-Dl.

本例においても接続部は高い信頼性を持フて接続されて
いた。
In this example as well, the connections were connected with high reliability.

さらに、各種特性の信頼性も優れていた。Furthermore, the reliability of various characteristics was also excellent.

(実施例9) 第12図に実施例9に使用する電気的接続部材を示す。(Example 9) FIG. 12 shows an electrical connection member used in Example 9.

第12図(a)は電気的接続部材の製造途中の断面図、
第12図(b)は上記電気的接続部材の斜視図、第12
図(c)は上記の断面図である。
FIG. 12(a) is a cross-sectional view of the electrical connection member during manufacture;
FIG. 12(b) is a perspective view of the electrical connection member,
Figure (c) is the above sectional view.

予めアルミナセラミックとチタン酸バリウムよりなる保
持体127に、20μmφより大きい径の穴142をあ
けておく。次に穴142に20μmφのAu等の金属あ
るいは合金よりなる金属線121を1通し、樹脂123
を保持体127と金属線121との間に入れ、樹脂12
3を硬化させる。硬化した樹脂123は介在物となる。
A hole 142 having a diameter larger than 20 μmφ is previously drilled in the holder 127 made of alumina ceramic and barium titanate. Next, one metal wire 121 made of a metal such as Au or an alloy with a diameter of 20 μm is passed through the hole 142, and the resin 123 is inserted into the hole 142.
is inserted between the holding body 127 and the metal wire 121, and the resin 12
Cure 3. The hardened resin 123 becomes an inclusion.

その後、金゛属線121を点線124の位置でスライス
切断し、電気的接続部材125を作成する。このように
して作成した電気的接続部材125を第12図(b)、
(c)に示す。
Thereafter, the metal wire 121 is sliced at the dotted line 124 to create an electrical connection member 125. The electrical connection member 125 created in this way is shown in FIG. 12(b).
Shown in (c).

また、本例の電気的接続部材を加工して、第7図に示す
ように突起を設けてもよいし、第8図に示すようにバン
プ150を設けてもよい。
Further, the electrical connection member of this example may be processed to provide a protrusion as shown in FIG. 7, or a bump 150 as shown in FIG. 8.

他の点は実施例1−Dlと同様である。Other points are the same as in Example 1-Dl.

本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
In this example as well, the connection section was connected with high reliability.

さらに、各種特性の信頼性も優れていた。Furthermore, the reliability of various characteristics was also excellent.

「発明の効果」 本発明は以上のように構成したので次の数々の効果が得
られる。
"Effects of the Invention" Since the present invention is configured as described above, the following numerous effects can be obtained.

1、半導体素子と回路基板、リードフレーム等の電気回
路部品の接続に関し、信頼性の高い接続が得られる。従
って、従来用いられてきたワイヤボンディング方式、T
AB方式、CCB方式に代えることが可能となる(請求
項1〜請求項13)。
1. Highly reliable connections between semiconductor elements and electrical circuit components such as circuit boards and lead frames can be obtained. Therefore, the conventionally used wire bonding method, T
It becomes possible to replace the AB method and the CCB method (Claims 1 to 13).

2、本発明によると電気回路部品の接続部をいかなる位
置(特に内部)にも配置することができることからワイ
ヤボンディング方式、TAB方式よりもさらに多点接続
が可能となり、多ピン数接続向きの方式となる。さらに
、電気的接続部材の隣接金属間に予め絶縁物質が存在す
ることにより隣接ピッチを狭くしても隣接金属間の電気
的導通が起こらないことによりCCB方式よりもさらに
多点接続が可能となる(請求項1〜請求項13)。
2. According to the present invention, since the connection part of the electric circuit component can be placed in any position (especially inside), it is possible to connect at more points than the wire bonding method or the TAB method, making it a method suitable for connection with a large number of pins. becomes. Furthermore, since an insulating material exists between adjacent metals of the electrical connection member, electrical conduction between adjacent metals does not occur even if the adjacent pitch is narrowed, making it possible to connect more points than the CCB method. (Claims 1 to 13).

3、電気的接続部材において使用される金属部材の量は
従来に比べ微量であるため、仮に金属部材に金等の高価
な金属を使用しても従来より安価となる(請求項1〜請
求項13)。
3. Since the amount of metal members used in the electrical connection member is small compared to conventional ones, even if expensive metals such as gold are used for the metal members, it will be cheaper than conventional ones (Claims 1 to 3) 13).

4、高密度の半導体装置等の電気回路装置が得られる(
請求項1〜請求項13)。
4. Electric circuit devices such as high-density semiconductor devices can be obtained (
Claims 1 to 13).

5、本発明では、電気回路部品の接続部と保持体の一方
又は他方の面に露出しているの電気的導電部材との接続
の一方又は両方を主に高周波パー加熱法又はマイクロ波
加熱法による内部加熱法により、直接又は間接的に接続
部を加熱して接続するので、電気回路部材の少なくとも
一部もしくは電気回路部材近傍に耐熱性が劣る材料が存
在していても選択加熱ができることより、加熱による材
料の劣化、変質等を防げ、良好で、より信頼性が高く、
しかも応用範囲が広い接続が可能となる。
5. In the present invention, one or both of the connections between the connection portion of the electric circuit component and the electrically conductive member exposed on one or the other surface of the holder are mainly performed by high-frequency Parr heating method or microwave heating method. The internal heating method directly or indirectly heats and connects the connection part, so selective heating can be performed even if there is a material with poor heat resistance in at least a part of the electric circuit member or in the vicinity of the electric circuit member. , prevents material deterioration and deterioration due to heating, is better and more reliable,
Furthermore, connections with a wide range of applications are possible.

また、加熱による熱膨張、熱収縮の電気回路部材の少な
くとも一部もしくは電気回路部材近傍の材料への影響を
少なくすることができる。さらに均一な高周波電磁界を
加えることが可能となるので均一加熱が可能となる。ま
たさらに、非接触加熱ができるために加熱部の治具等が
簡単になる。
Further, the influence of thermal expansion and contraction caused by heating on at least a portion of the electric circuit member or materials in the vicinity of the electric circuit member can be reduced. Furthermore, since it becomes possible to apply a uniform high-frequency electromagnetic field, uniform heating becomes possible. Furthermore, since non-contact heating can be performed, the jig etc. of the heating section can be simplified.

(請求項1〜請求項13) 6、一方乃至他方の電気回路部品を金属化及び/又は合
金化による接続以外の接続により行なう場合、金属化及
び/又は合金化時に生じる電気回路部品の熱による劣化
を防止することができる。
(Claims 1 to 13) 6. When one or the other electric circuit component is connected by a connection other than metallization and/or alloying, the heat generated in the electric circuit component during metallization and/or alloying Deterioration can be prevented.

また、用途によっては電気回路部品を着脱自在にしてお
きたい場合があり、かかる場合にその電気回路部品を金
属化及び/又は合金化による接続以外の接続部なえば、
かかる要望に応じることが可能となる(請求項2、請求
項4)。
Additionally, depending on the application, it may be desirable to make electrical circuit components removable.
It becomes possible to meet such requests (claims 2 and 4).

また、電気回路部品の両方が、電気的接続部材を介して
金属化及び/又は合金化により形成された接続体を介し
て接続されている場合、電気回路部品同士が強固(強度
的に強く)かつ確実に接続されるので、機械的に強く、
不良率の極めて低い電気回路装置を得ることができる(
請求項3、請求項5)。
In addition, if both electrical circuit components are connected via an electrical connection member and a connection body formed by metallization and/or alloying, the electrical circuit components are strong (strong in terms of strength). The connection is secure and mechanically strong.
It is possible to obtain electrical circuit devices with extremely low defective rates (
Claim 3, Claim 5).

7、封止材を高圧で注入できるので定圧トランスファー
用熱硬化樹脂はもちろんのこと、高圧で注入する必要の
ある熱可望性樹脂でも封止が可能である(請求項2、請
求項3)。
7. Since the sealing material can be injected at high pressure, it is possible to seal not only thermosetting resin for constant pressure transfer but also thermoplastic resin that needs to be injected at high pressure (Claim 2, Claim 3) .

8、封止材中に金属、合金、セラミックの一種又は複数
種の粉体又は繊維、の一方又は両方を分散させた場合、
封止材の熱膨張係数が電気回路部品の熱膨張係数に近づ
くことから、熱が加わっても熱応力の発生が少なく、信
頼性の高い電気回路装置、ひいては、半導体装置が得ら
れる(請求項6)。
8. When one or both of powders or fibers of one or more of metals, alloys, and ceramics are dispersed in the sealing material,
Since the thermal expansion coefficient of the encapsulant approaches the thermal expansion coefficient of the electric circuit component, even when heat is applied, less thermal stress is generated, and a highly reliable electric circuit device and, by extension, a semiconductor device can be obtained. 6).

9、本発明においてキャップ封止する場合、電気回路装
置が中空になっているので熱が加わっても熱応力の発生
が少く、信頼性の高い電気回路装置が得られる。また、
キャップと電気回路部品を当接し、キャップに熱伝導性
の良い材料を用いた場合、電気回路部品から発生した熱
がキャップを介して迅速に外部に伝導するので、より放
熱特性が優れた電気回路装置を得られる。さらに、キャ
ップがノイズ遮蔽性の良い材料、特に鉄系等の金属より
なる場合には、よりシールド効果が優れた電気回路装置
を得られる(請求項4、請求項5)。
9. When sealing with a cap in the present invention, since the electric circuit device is hollow, there is little thermal stress generated even when heat is applied, and a highly reliable electric circuit device can be obtained. Also,
When the cap and electrical circuit components are in contact and the cap is made of a material with good thermal conductivity, the heat generated from the electrical circuit components is quickly conducted to the outside through the cap, resulting in an electrical circuit with better heat dissipation characteristics. You can get the equipment. Furthermore, when the cap is made of a material with good noise shielding properties, particularly metal such as iron, an electric circuit device with even better shielding effect can be obtained (Claims 4 and 5).

10、キャップと電気回路部品の間に調整用部材を介在
させた場合、電気回路部品の高さのバラツキが生じる場
合でも効率よ、く組み立てを行うことが可能となる(請
求項8)。
10. When an adjustment member is interposed between the cap and the electric circuit component, it is possible to assemble the electric circuit component efficiently and easily even if the height of the electric circuit component varies (Claim 8).

11、封止材の表面の少くとも一部に板が接合されてい
る場合、電気回路部品に板が接合されその少くとも1つ
の少くとも一部が封止材で埋め込まれている場合、及び
、電気回路部品の近傍に配設された板の少くとも一部が
埋め込まれている場合には、装置に内部応力が発生した
り外部から力が加わったりしても応力集中を緩和でき、
応力集中から生ずることのある割れ等を防止することが
できる。また、この板は外界から電気回路部品に至るま
での経路を長くする作用もあり、そのため外部からの水
等は電気回路部品に浸入しにくくなる。従って装置の信
頼性を高めることができる(請求項7、請求項9)。
11. When a plate is bonded to at least a part of the surface of the sealing material, when the plate is bonded to an electric circuit component and at least a portion of at least one of the plates is embedded with the sealing material, and If at least a portion of the board placed near the electrical circuit components is embedded, stress concentration can be alleviated even if internal stress is generated in the device or force is applied from the outside.
Cracks that may occur due to stress concentration can be prevented. This plate also has the effect of lengthening the path from the outside world to the electrical circuit components, making it difficult for water or the like to enter the electrical circuit components from the outside. Therefore, the reliability of the device can be improved (Claims 7 and 9).

なお、板の材質がステンレス等の金属、熱伝導性の良い
セラミック、カーボン、ダイヤモンド等である場合には
、電気回路部品から発生した熱を速やかに外界へ放熱す
ることができるため、放熱特性の優れた電気回路装置が
得られる。さらに、板の材質が金属である場合には、外
界からのノイズを遮断でき、ノイズの影響を受けにくい
良好な特性の電気回路装置が得られる。
In addition, if the material of the plate is metal such as stainless steel, ceramic with good thermal conductivity, carbon, diamond, etc., the heat generated from the electric circuit components can be quickly radiated to the outside world, so the heat radiation characteristics An excellent electric circuit device can be obtained. Furthermore, when the material of the plate is metal, noise from the outside world can be blocked, and an electric circuit device with good characteristics that is less susceptible to noise can be obtained.

12、電気的接続部材の保持体の絶縁材料中に金属材料
の粉体または繊維部の一種又は複数種を包含せしめた場
合には、シールド効果の高い電気回路装置が得られる(
請求項12、請求項13)。
12. When the insulating material of the holder of the electrical connection member contains one or more types of powder or fiber portion of the metal material, an electric circuit device with a high shielding effect can be obtained (
Claim 12, Claim 13).

13、電気的接続部材の保持体を、熱伝導性の良い金属
材料、無機材料の一種または複数種よりなる粉体あるい
は繊維の一方または両方を絶縁体に分散させて構成した
保持体とするか、あるいは、電気的導電部材が絶縁され
るように金属材料を絶縁材料により絶縁し構成した保持
体とするか、保持体を熱伝導性の良い無機材料にする場
合には、電気回路部品から発熱した熱が電気回路部材さ
らには他の電気回路部品を介して外部に放熱し得るため
、熱放散性の良好な電気回路装置が得られる。
13. The holder for the electrical connection member is a holder made of an insulator dispersed with one or both of powder and fiber made of one or more of metal materials and inorganic materials with good thermal conductivity. Alternatively, if the holder is made of a metal material insulated with an insulating material so that the electrically conductive members are insulated, or if the holder is made of an inorganic material with good thermal conductivity, the heat generated by the electric circuit components can be removed. Since the generated heat can be radiated to the outside via the electric circuit member and other electric circuit components, an electric circuit device with good heat dissipation properties can be obtained.

また、電気的接続部材の絶縁体に、比較的電気回路部品
の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する金属材料、無機
材料の一種または複数種の粉体または繊維の一方または
両方を分散せしめると熱膨張係数が電気回路部品の熱膨
張係数に近づくことから、熱が加わっても熱応力の発生
が少なく、信頼性の高い電気回路装置、ひいては、半導
体装置が得られる(請求項12、請求項13)。
Furthermore, when one or both of powders or fibers of one or more kinds of metal materials and inorganic materials having a coefficient of thermal expansion relatively close to that of the electric circuit components is dispersed in the insulator of the electrical connection member. Since the coefficient of thermal expansion is close to that of the electric circuit component, even if heat is applied, less thermal stress is generated, and a highly reliable electric circuit device, and by extension, a semiconductor device can be obtained (Claim 12, Claim 13).

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(a)、第1図(b)、第1図(C)−1から第
1図(c)−6は、実施例1−Dlから実施例1−El
を示す断面図であり、第1図(a)は接続前、第1図(
b)は接続後、第1図(c)−1から第1図(c)−6
は封止後の状態を示す。 第2図は、実施例1−Dlから実施例1−Elに使用す
る電気的接続部材の一製造方法例を説明するための図で
あり、第2図(a)は断面図、第2図(b)は斜視図、
第2図(C)は断面図である。 第3図(a)、第3図(b)−1から第3図(b)−6
は、実施例2−Dlから実施例2−Elを示し、第3図
(a)は斜視図、第3図(b)=1から第3図(b) 
−6は断面図である。 第4図(a)−1から第4図(a)−6は、実施例3−
Dlから実施例3−・Elを示す断面図であり、第4図
(b)−iから第4図(b)−5は実施例3−Dlから
実施例3−Elの変形例を示す断面図である。 第5図(a)−1から第5図(a)−6は、実施例4−
Dlから実施例4−Elを示す断面図であり、第5図(
b)−1から第5図(b)−4は実施例4−Dlから実
施例4−D4の変形例を示す断面図である。 第6図は実施例5を示し、第6図(a)は接続前、第6
図(b)は接続後の状態を示す断面図である。 第7図及び第8図も実施例5を示し、第7図(a)及び
第8図(a)は斜視図、第7図(b)及び第8図(b)
は断面図である。 第9図(a)、第9図(b)−1から第9図(b)−6
は、実施例6−Dlから実施例6−Elを示し、第9図
(a)は接続前の状態を示す斜視図であり、第9図(b
)−1から第9図(b)−6は接続後の状態を示す断面
図である。 第10図は実施例7を示す断面図であり、第10図(a
)は接続前、第10図(b)は接続後の状態を示す。 第11図は実施例8に係る電気的接続部材を示し、第1
1図(a)は斜視図であり、第11図(b)は断面図で
ある。 第12図は実施例9に係る電気的接続部材の一製造例を
示し、第12図(a)、(C)は断面図であり、第12
図(b)は斜視図である。 第13図乃至第20図までは従来例を示し、第14図を
除き断面図であり、第14図は平面透視図である。 (符号の説明) 1・・・リードフレーム、2・・・リードフレームの素
子搭載部、3・・・銀ペースト、4.4°・・・半導体
素子、5,5°・・・半導体素子の接続部、6・・・リ
ードフレームの接続部、7・・・極細金属線、8・・・
樹脂、9・・・半導体装置、10中・・半導体素子の外
周縁部、11・・・リードフレームの素子搭載部の外周
縁部、16・・・キャリアフィルム基板、17・・・キ
ャリアフィルム基板のインナーリード部、20・・・樹
脂、21・・・樹脂、31・・・半田バンプ、32・・
・基板、33・・・基板の接続部、51・・・回路基板
、52・・・回路基板の接続部、54・・・電気的接続
部材の接続部、55・・・リードフレーム、70,70
°・・・金属材、71,71°・・・絶縁膜、72,7
2°・・・絶縁膜の露出面、73,73°・・・金属材
の露出面、75.75’・・・回路基材、76.76°
・・・回路基材の接続部、77・・・異方性導電膜の絶
縁物質、78・・・異方性導電膜、79・・・導電粒子
、81・・・エラスチックコネクタの絶縁物質、82・
・・エラスチックコネクタの金属線、83・・・エラス
チックコネクタ、101・・・電気回路部品(半導体素
子、回路基板)、102・・・接続部、103・・・絶
縁膜、106・・・絶縁膜、104・・・電気回路部品
(回路基板)、105・・・接続部、107・・・電気
的導電部材(金属部材)、108・・・接続部、109
・・・接続部、111・・・保持体(絶縁体)、121
・・・金属線、122・・・棒、123・・・樹脂、1
24・・・点線、125・・・電気的接続部材、126
・・・突起、127・・・保持体、128,129,1
30・・・電気的接続部材、131,132・・・金属
線案内板、150・・・バンブ、151・・・板、14
2゜152・・・穴、155.155°・・・キャップ
、156・・・調整用部材、158,158’・・・中
空部、170・・・封止材。 第1図(0〕 102       +01 第1図(C)−7 +70 第1図(c)−2 +70 第 1 図Cc)−3 10を 第 1 図(c)−5 第1図(c)−6 第2図(a) 第3図(0) 第3図(b)−7 第3図(b)−2 第3図(b)−、( 第3図(b)−4 第3図(b) −5 第3図(b)−6 第4図(a)−J 第5図Ca)−1 +70    54    125 第4図(a ) −2 第5図(0)−2 第4図(a)−,3 第5図(a)−J 第4図(a)−4 第5図(a) −4 第4図(a) −5 第5図(a )−5 第4図(a)、−6 第5図(a)−6 第4図(b)−7 第4図(b)−2 第5図(b)−2 第4図(b)−、T 第5図(b)−3 第4図(b)−4 Q8 第6図(0) 第6図(b) 第7図(a) 第7図(b) ♂   l、?l   Ill 第8図(a) 第8図(b) 第9図(a) 第9図(b)−7 第9図(b)−2 IU/   Ill   6 第9 図(b ) −3 第9図(b)−4 1らI ICJ/   II+   6 第9図(b)−6’ 第10図(0) 第10図(b) 第11図(a) 第11図(b) 第12図(a) 第12図(c) 第13図 第 15  図 第17図 第旧図
FIG. 1(a), FIG. 1(b), FIG. 1(C)-1 to FIG. 1(c)-6 are from Example 1-Dl to Example 1-El.
FIG. 1(a) is a cross-sectional view showing the state before connection, and FIG.
b) after connection, from Figure 1(c)-1 to Figure 1(c)-6
indicates the state after sealing. FIG. 2 is a diagram for explaining an example of a manufacturing method of an electrical connection member used in Example 1-Dl to Example 1-El, and FIG. 2(a) is a cross-sectional view; (b) is a perspective view;
FIG. 2(C) is a sectional view. Figure 3(a), Figure 3(b)-1 to Figure 3(b)-6
shows Example 2-Dl to Example 2-El, FIG. 3(a) is a perspective view, FIG. 3(b) = 1 to FIG. 3(b)
-6 is a sectional view. FIG. 4(a)-1 to FIG. 4(a)-6 show Example 3-
FIG. 4(b)-i to FIG. 4(b)-5 are cross-sectional views showing modified examples of Example 3-El from Example 3-Dl. It is a diagram. FIG. 5(a)-1 to FIG. 5(a)-6 show Example 4-
It is a sectional view showing Example 4-El from Dl, and FIG.
b)-1 to FIG. 5(b)-4 are cross-sectional views showing modifications of Example 4-Dl to Example 4-D4. FIG. 6 shows Example 5, and FIG. 6(a) shows the sixth embodiment before connection.
Figure (b) is a sectional view showing the state after connection. FIGS. 7 and 8 also show Example 5, with FIGS. 7(a) and 8(a) being perspective views, and FIGS. 7(b) and 8(b)
is a sectional view. Figure 9(a), Figure 9(b)-1 to Figure 9(b)-6
shows Example 6-Dl to Example 6-El, FIG. 9(a) is a perspective view showing the state before connection, and FIG. 9(b) is a perspective view showing the state before connection.
)-1 to FIG. 9(b)-6 are cross-sectional views showing the state after connection. FIG. 10 is a sectional view showing Example 7, and FIG.
) shows the state before connection, and FIG. 10(b) shows the state after connection. FIG. 11 shows an electrical connection member according to Example 8, and the first
FIG. 1(a) is a perspective view, and FIG. 11(b) is a sectional view. FIG. 12 shows an example of manufacturing an electrical connection member according to Example 9, and FIGS. 12(a) and 12(C) are cross-sectional views.
Figure (b) is a perspective view. 13 to 20 show conventional examples, except for FIG. 14, which is a sectional view, and FIG. 14 is a plan perspective view. (Explanation of symbols) 1... Lead frame, 2... Element mounting part of lead frame, 3... Silver paste, 4.4°... Semiconductor element, 5,5°... Semiconductor element Connection part, 6... Connection part of lead frame, 7... Ultrafine metal wire, 8...
Resin, 9... Semiconductor device, 10... Outer periphery of semiconductor element, 11... Outer rim of element mounting portion of lead frame, 16... Carrier film substrate, 17... Carrier film substrate Inner lead part, 20...resin, 21...resin, 31...solder bump, 32...
- Substrate, 33... Connection part of the board, 51... Circuit board, 52... Connection part of the circuit board, 54... Connection part of the electrical connection member, 55... Lead frame, 70, 70
°...Metal material, 71,71°...Insulating film, 72,7
2°...Exposed surface of insulating film, 73,73°...Exposed surface of metal material, 75.75'...Circuit base material, 76.76°
... Connection portion of circuit base material, 77 ... Insulating material of anisotropic conductive film, 78 ... Anisotropic conductive film, 79 ... Conductive particles, 81 ... Insulating material of elastic connector, 82・
... Metal wire of elastic connector, 83 ... Elastic connector, 101 ... Electric circuit component (semiconductor element, circuit board), 102 ... Connection part, 103 ... Insulating film, 106 ... Insulating film , 104... Electric circuit component (circuit board), 105... Connection part, 107... Electrically conductive member (metal member), 108... Connection part, 109
... Connection part, 111 ... Holder (insulator), 121
...metal wire, 122...rod, 123...resin, 1
24... Dotted line, 125... Electrical connection member, 126
...Protrusion, 127...Holder, 128, 129, 1
30... Electrical connection member, 131, 132... Metal wire guide plate, 150... Bump, 151... Plate, 14
2゜152... Hole, 155.155°... Cap, 156... Adjustment member, 158, 158'... Hollow part, 170... Sealing material. Figure 1 (0) 102 +01 Figure 1 (C) -7 +70 Figure 1 (c) -2 +70 Figure 1 Cc) -3 10 Figure 1 (c) -5 Figure 1 (c) - 6 Figure 2(a) Figure 3(0) Figure 3(b)-7 Figure 3(b)-2 Figure 3(b)-,( Figure 3(b)-4 Figure 3( b) -5 Figure 3 (b) -6 Figure 4 (a) -J Figure 5 Ca) -1 +70 54 125 Figure 4 (a) -2 Figure 5 (0) -2 Figure 4 ( a)-,3 Fig. 5(a)-J Fig. 4(a)-4 Fig. 5(a)-4 Fig. 4(a)-5 Fig. 5(a)-5 Fig. 4(a) ), -6 Figure 5(a)-6 Figure 4(b)-7 Figure 4(b)-2 Figure 5(b)-2 Figure 4(b)-, T Figure 5(b) )-3 Fig. 4(b)-4 Q8 Fig. 6(0) Fig. 6(b) Fig. 7(a) Fig. 7(b) ♂ l,? l Ill Figure 8(a) Figure 8(b) Figure 9(a) Figure 9(b)-7 Figure 9(b)-2 IU/Ill 6 Figure 9(b)-3 9th Figure (b)-4 1 et al ICJ/ II+ 6 Figure 9 (b)-6' Figure 10 (0) Figure 10 (b) Figure 11 (a) Figure 11 (b) Figure 12 ( a) Figure 12 (c) Figure 13 Figure 15 Figure 17 Old figure

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)電気的絶縁材料よりなる保持体と、該保持体中に
埋設された複数の電気的導電部材とを有し、該電気的導
電部材の一端が該保持体の一方の面において露出してお
り、また、該電気的導電部材の他端が該保持体の他方の
面において露出している電気的接続部材と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の一方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの一端が接続されている少
なくとも1以上の電気回路部品と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の他方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの他端が接続されている少
なくとも1以上の他の電気回路部品と; を少なくとも有している電気回路装置の該電気回路部品
の接続方法において、 該保持体の一方の面において露出している少なくとも一
以上の電気的導電部材と少なくとも一以上の電気回路部
品との接続、又は、保持体の他方の面において露出して
いる少なくとも一以上の電気的導電部材と少なくとも一
以上の電気回路部品との接続の、一方又は両方を主に高
周波誘電加熱法又はマイクロ波加熱法による内部加熱法
を用いて金属化及び/又は合金化することにより接続す
ることを特徴とする電気回路部品の接続方法。
(1) A holder made of an electrically insulating material and a plurality of electrically conductive members embedded in the holder, one end of which is exposed on one surface of the holder. and an electrical connection member with the other end of the electrically conductive member exposed on the other surface of the holder; and at least one connection part, in the connection part:
at least one electrical circuit component to which one end of at least one of the electrically conductive members exposed on one surface of the holder is connected; In the department,
and at least one or more other electrical circuit components to which the other end of at least one of the electrically conductive members exposed on the other surface of the holder is connected. The method for connecting electrical circuit components includes: connecting at least one electrically conductive member exposed on one surface of the holder to at least one electrical circuit component; or connecting at least one electrically conductive member exposed on one surface of the holder; metallization of one or both of the connections between at least one or more electrically conductive members and at least one or more electrical circuit components that are exposed in A method for connecting electrical circuit components, characterized in that the connection is made by alloying and/or by alloying.
(2)電気的絶縁材料よりなる保持体と、該保持体中に
埋設された複数の電気的導電部材とを有し、該電気的導
電部材の一端が該保持体の一方の面において露出してお
り、また、該電気的導電部材の他端が該保持体の他方の
面において露出している電気的接続部材と: 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の一方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの一端が接続されている少
なくとも1以上の電気回路部品と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の他方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの他端が接続されており、
該接続は主に高周波誘電加熱法又はマイクロ波加熱法に
よる内部加熱法を用いて、該接続部と該他端とを金属化
及び/又は合金化することにより接続されている少なく
とも1以上の他の電気回路部品と; 該保持体の一方の面において該電気的接続部材に接続さ
れている該電気回路部品および該保持体の他方の面にお
いて該電気的接続部材に接続されている該他の電気回路
部品のいずれか一方又は両方の少なくとも一部分を埋め
込んで封止している封止材と; を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
(2) A holder made of an electrically insulating material and a plurality of electrically conductive members embedded in the holder, one end of which is exposed on one surface of the holder. and an electrical connection member, the other end of which is exposed on the other surface of the holder;
at least one electrical circuit component to which one end of at least one of the electrically conductive members exposed on one surface of the holder is connected; In the department,
the other end of at least one of the electrically conductive members exposed on the other surface of the holder is connected;
The connection is made by metallizing and/or alloying the connecting portion and the other end using an internal heating method mainly using a high frequency dielectric heating method or a microwave heating method. an electrical circuit component connected to the electrical connection member on one surface of the holder and another electrical circuit component connected to the electrical connection member on the other surface of the holder; An electric circuit device comprising: a sealing material that embeds and seals at least a portion of one or both of the electric circuit components.
(3)電気的絶縁材料よりなる保持体と、該保持体中に
埋設された複数の電気的導電部材とを有し、該電気的導
電部材の一端が該保持体の一方の面において露出してお
り、また、該電気的導電部材の他端が該保持体の他方の
面において露出している電気的接続部材と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の一方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの一端が接続されており、
該接続は主に高周波誘電加熱法又はマイクロ波加熱法に
よる内部加熱法を用いて、該接続部と該一端とを金属化
及び/又は合金化することにより接続されている少なく
とも1以上の電気回路部品と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の他方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの他端が接続されており、
該接続は主に高周波誘電加熱法又はマイクロ波加熱法に
よる内部加熱法を用いて、該接続部と該他端とを金属化
及び/又は合金化することにより接続されている少なく
とも1以上の他の電気回路部品と; 該保持体の一方の面において該電気的接続部材に接続さ
れている該電気回路部品および該保持体の他方の面にお
いて該電気的接続部材に接続されている該他の電気回路
部品のいずれか一方又は両方の少なくとも一部分を埋め
込んで封止している封止材と; を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
(3) A holder made of an electrically insulating material and a plurality of electrically conductive members embedded in the holder, one end of which is exposed on one surface of the holder. and an electrical connection member with the other end of the electrically conductive member exposed on the other surface of the holder; and at least one connection part, in the connection part:
one end of at least one of the electrically conductive members exposed on one surface of the holder is connected;
At least one or more electrical circuits are connected by metallizing and/or alloying the connecting portion and the one end, mainly using an internal heating method using a high-frequency dielectric heating method or a microwave heating method. with a component; having at least one or more connecting portion, in the connecting portion;
the other end of at least one of the electrically conductive members exposed on the other surface of the holder is connected;
The connection is made by metallizing and/or alloying the connecting portion and the other end using an internal heating method mainly using a high frequency dielectric heating method or a microwave heating method. an electrical circuit component connected to the electrical connection member on one surface of the holder and another electrical circuit component connected to the electrical connection member on the other surface of the holder; An electric circuit device comprising: a sealing material that embeds and seals at least a portion of one or both of the electric circuit components.
(4)電気的絶縁材料よりなる保持体と、該保持体中に
埋設された複数の電気的導電部材とを有し、該電気的導
電部材の一端が該保持体の一方の面において露出してお
り、また、該電気的導電部材の他端が該保持体の他方の
面において露出している電気的接続部材と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の一方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの一端が接続されている少
なくとも1以上の電気回路部品と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の他方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの他端が接続されており、
該接続は主に高周波誘電加熱法又はマイクロ波加熱法に
よる内部加熱法を用いて、該接続部と該他端とを金属化
及び/又は合金化することにより接続されている少なく
とも1以上の他の電気回路部品と; 該保持体の一方の面において該電気的接続部材に接続さ
れている該電気回路部品、および、該保持体の他方の面
において該電気的接続部材に接続されている該他の電気
回路部品の、少なくとも1つをキャップ封止している少
なくとも1ケのキャップと; を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
(4) A holder made of an electrically insulating material and a plurality of electrically conductive members embedded in the holder, one end of which is exposed on one surface of the holder. and an electrical connection member with the other end of the electrically conductive member exposed on the other surface of the holder; and at least one connection part, in the connection part:
at least one electrical circuit component to which one end of at least one of the electrically conductive members exposed on one surface of the holder is connected; In the department,
the other end of at least one of the electrically conductive members exposed on the other surface of the holder is connected;
The connection is made by metallizing and/or alloying the connecting portion and the other end using an internal heating method mainly using a high frequency dielectric heating method or a microwave heating method. an electrical circuit component connected to the electrical connection member on one surface of the holder, and an electrical circuit component connected to the electrical connection member on the other surface of the holder; An electric circuit device comprising: at least one cap sealing at least one of other electric circuit components.
(5)電気的絶縁材料よりなる保持体と、該保持体中に
埋設された複数の電気的導電部材とを有し、該電気的導
電部材の一端が該保持体の一方の面において露出してお
り、また、該電気的導電部材の他端が該保持体の他方の
面において露出している電気的接続部材と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の一方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの一端が接続されており、
該接続は主に高周波誘電加熱法又はマイクロ波加熱法に
よる内部加熱法を用いて、該接続部と該一端とを金属化
及び/又は合金化することにより接続されている少なく
とも1以上の電気回路部品と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の他方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの他端が接続されており、
該接続は主に高周波誘電加熱法又はマイクロ波加熱法に
よる内部加熱法を用いて、該接続部と該他端とを金属化
及び/又は合金化することにより接続されている少なく
とも1以上の他の電気回路部品と: 該保持体の一方の面において該電気的接続部材に接続さ
れている該電気回路部品、および、該保持体の他方の面
において該電気的接続部材に接続されている該他の電気
回路部品の、少なくとも1つをキャップ封止している少
なくとも1ヶのキャップと; を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
(5) A holder made of an electrically insulating material and a plurality of electrically conductive members embedded in the holder, one end of which is exposed on one surface of the holder. and an electrical connection member with the other end of the electrically conductive member exposed on the other surface of the holder; and at least one connection part, in the connection part:
one end of at least one of the electrically conductive members exposed on one surface of the holder is connected;
At least one or more electrical circuits are connected by metallizing and/or alloying the connecting portion and the one end, mainly using an internal heating method using a high-frequency dielectric heating method or a microwave heating method. with a component; having at least one or more connecting portion, in the connecting portion;
the other end of at least one of the electrically conductive members exposed on the other surface of the holder is connected;
The connection is made by metallizing and/or alloying the connecting portion and the other end using an internal heating method mainly using a high frequency dielectric heating method or a microwave heating method. The electrical circuit component is connected to the electrical connection member on one surface of the holder, and the electrical circuit component is connected to the electrical connection member on the other surface of the holder. An electric circuit device comprising at least one cap sealing at least one other electric circuit component.
(6)封止材は、熱可塑性樹脂又は熱可塑性樹脂に金属
、合金、無機材料の一種もしくは二種以上からなる粉体
もしくは繊維の一方もしくは両方を分散したものである
請求項2又は請求項3に記載の電気回路装置。
(6) The sealing material is a thermoplastic resin or a thermoplastic resin in which one or both of powders and fibers made of one or more of metals, alloys, and inorganic materials are dispersed. 3. The electric circuit device according to 3.
(7)少なくとも一方の封止材の表面の少なくとも一部
に封止材とは異なる材質から成る板が接合されている請
求項2、請求項3又は請求項6に記載の電気回路装置。
(7) The electric circuit device according to claim 2, 3, or 6, wherein a plate made of a material different from the sealing material is bonded to at least a portion of the surface of at least one of the sealing materials.
(8)電気回路部品とキャップとの間に調整用部材を介
在せしめた請求項4又は請求項5に記載の電気回路装置
(8) The electric circuit device according to claim 4 or 5, wherein an adjustment member is interposed between the electric circuit component and the cap.
(9)電気回路部品の少なくとも1つの少なくとも一部
に電気的接続部材と反対側の面で接合されているか、又
は電気回路部品のいずれか一つ又は複数の側面近傍及び
/又は電気的接続部材と反対側の面近傍に配設されてい
る、封止材とは異なる材質から成る板と電気回路部品の
少なくとも一部が封止材により埋め込まれている請求項
2、請求項3又は請求項6に記載の電気回路装置。
(9) The electrical connection member is connected to at least a portion of at least one of the electrical circuit components on the side opposite to the electrical connection member, or near any one or more sides of the electrical circuit component and/or the electrical connection member Claim 2, Claim 3, or Claim 3, wherein at least a part of the electrical circuit component and the plate made of a material different from the sealing material are embedded in the sealing material. 6. The electric circuit device according to 6.
(10)電気回路部品は、半導体素子、回路基板、シリ
コン基板又はリードフレームである請求項1に記載の電
気回路部品の接続方法。
(10) The method for connecting electrical circuit components according to claim 1, wherein the electrical circuit components are semiconductor elements, circuit boards, silicon substrates, or lead frames.
(11)電気回路部品は、半導体素子、回路基板、シリ
コン基板または、リードフレームである請求項2乃至請
求項9のいずれか1項に記載の電気回路装置。
(11) The electric circuit device according to any one of claims 2 to 9, wherein the electric circuit component is a semiconductor element, a circuit board, a silicon substrate, or a lead frame.
(12)電気回路部品、又は保持体の少なくとも1部分
の材料、又は保持体中に埋め込むか又は分散せしめる粉
体、繊維、板状体、棒状体、球状体、その他任意の形状
のものの一種又は複数種の材料は、比誘電率と誘電体力
率の積が比較的大きい材料から構成されている請求項1
又は請求項10に記載の電気回路部品の接続方法。
(12) The material of at least one part of the electric circuit component or the holding body, or one type of powder, fiber, plate-shaped body, rod-shaped body, spherical body, or any other shape that is embedded or dispersed in the holding body. Claim 1: The plurality of types of materials are composed of materials having a relatively large product of relative dielectric constant and dielectric power factor.
Or the method for connecting electric circuit components according to claim 10.
(13)電気回路部品、又は保持体の少なくとも1部分
の材料、又は保持体中に埋め込むか又は分散せしめる粉
体、繊維、板状体、棒状体、球状体、その他任意の形状
のものの一種又は複数種の材料は、比誘電率と誘電体力
率の積が比較的大きい材料から構成されている請求項2
乃至請求項9又は請求項11のいずれか1項に記載の電
気回路装置。
(13) The material of at least a part of the electric circuit component or the holding body, or one type of powder, fiber, plate-shaped body, rod-shaped body, spherical body, or any other shape that is embedded or dispersed in the holding body. Claim 2: The plurality of types of materials are composed of materials having a relatively large product of relative permittivity and dielectric power factor.
The electric circuit device according to any one of claims 9 to 11.
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