JPH01299472A - Apparatus for generating electric signal corresponding to surface potential distribution - Google Patents
Apparatus for generating electric signal corresponding to surface potential distributionInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は高解像度の電荷像情報の読取り装置、その他、
表面電位分布の検出のために用いられる表面電位分布と
対応する電気信号の発生装置に関する。Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) The present invention is applicable to high-resolution charge image information reading devices, other devices, etc.
The present invention relates to a generation device for generating an electrical signal corresponding to a surface potential distribution used for detecting the surface potential distribution.
(従来の技#f)
表面電位を検出する手段としては従来から各種の直流型
表面電位計や交流型表面電位計などで採用されている各
種の手段が知られているが、従来の表面電位計は被検出
体の表面の1個所の表面電位を測定するものであり、被
検出体の表面に1次元的または2次元的に形成された電
荷像と対応する電気信号を取出すような目的には適して
いなかった・
ところで、近年になって高画質・高解像度の再生画像に
対する要望が高まるのに応じて、テレビジョン方式につ
いても、いわゆるHDTV、HDTVなどの新しい諸方
式が提案されて来ていることも周知のとおりであるが、
高画質・高解像度の再生画像が得られるようにするため
には、高画質・高解像度の再生画像を再生させうるよう
な映像信号を発生させることのできる撮像装置が必要と
されるが、撮像素子として撮像管が使用されている撮像
装置においては、撮像管における電子ビーム径の微小化
に限界があるために、電子ビーム径の微小化による高解
像度化が望めないこと、及び、撮像管のターゲット容量
はターゲット面積と対応して増大するものであるために
、ターゲット面積の増大による高解像度化も実現するこ
とができないこと、また、例えば動画の撮像装置の場合
には高解像度化に伴って映像信号の周波数帯域が数十M
Hz〜数百M Hz以上にもなるためにS/Nの点で問
題になる、等の理由によって、撮像装置により高画質・
高解像度の再生画像を再生させうるような映像信号を発
生させることは困難であったので、前記の点を解決する
ために、本出願人会社では先に、光−光変換素子を用い
た撮像装置によって高解像度の光学像を得るとともに、
その光学像を光−電荷変換素子を用いて電荷蓄積層を有
する記録媒体に高解像度を有する電荷像として記録させ
るようにした撮像方式ならびに記録方式についての提案
を行っている。(Conventional Technique #f) As means for detecting surface potential, various methods have been known that have been adopted in various DC type surface potentiometers, AC type surface potentiometers, etc. The meter measures the surface potential at one location on the surface of the object to be detected, and is used for the purpose of extracting an electrical signal corresponding to a charge image formed one-dimensionally or two-dimensionally on the surface of the object to be detected. By the way, in recent years, as the demand for high-quality and high-resolution reproduced images has increased, new television systems such as so-called HDTV and HDTV have been proposed. As is well known, there are
In order to obtain high-quality and high-resolution playback images, an imaging device that can generate video signals that can reproduce high-quality and high-resolution playback images is required. In an imaging device that uses an image pickup tube as an element, there is a limit to miniaturization of the electron beam diameter in the image pickup tube, so high resolution cannot be expected by miniaturizing the electron beam diameter, and Since the target capacity increases in proportion to the target area, it is impossible to achieve higher resolution by increasing the target area. The frequency band of the video signal is several tens of megabytes
Hz to several hundred MHz or more, which poses a problem in terms of S/N.
Since it was difficult to generate a video signal capable of reproducing high-resolution reproduced images, in order to solve the above problem, the applicant company first developed an imaging system using a light-to-light conversion element. In addition to obtaining high-resolution optical images using the device,
We are proposing an imaging system and a recording system in which the optical image is recorded as a high-resolution charge image on a recording medium having a charge storage layer using a light-charge conversion element.
また、近年になって各種の情報信号を高い記録密度で記
録することについての要望が高まるのにつれて、色々な
構成原理や動作原理に基づいて作られた記録媒体を用い
て情報信号の高密度記録再生が行われるようになったこ
とは周知のとおりであり、例えば、記録媒体の信号面に
情報信号に応じた凹凸を形成させて情報信号の記録を行
い、記録された情報信号を光学的な手段によって再生す
るようにしたり、あるいは静電容量値の変化の検出によ
って再生するようにした記録再生装置は、映像信号や音
声信号の記録再生用として既に実用されており、また、
各種の技術分野における高密度記録再生の要求に応じる
ために、記録媒体の記録層に情報信号によって強度変調
された記録用ビームを照射することにより、記録媒体に
おける記録層に情報信号に応じた物理変化あるいは化学
変化を生じさせて情報信号の記録が行われるようにした
記録媒体についても研究が行われるようになったが、近
年、安定な動作を行う半導体レーザが容易に得られるよ
うになったのに伴い、レーザ光を用いて高密度記録再生
を行うようにした各種の光ディスクが既に実用化された
り、あるいは実用化のための研究開発が行われている現
状にあることは周知のとおりであって1例えば、幾何学
的な凹部あるいは凸部として形成されているピットによ
り情報信号が記録された原盤から大量に複製された記録
済み光ディスク(再生専用の光ディスク)が、例えばビ
デオ・ディスクやコンパクト・ディスク等として、一般
の家庭にも普及し始めている他、1回だけユーザが追加
して記録できる光ディスフ(追記型光ディスク)や消去
可能な光ディスクなどが、例えばオフィス用ファイルメ
モリ、その他の用途での実用化のために盛んに研究開発
が行われており、これまでに追記型の光ディスクあるい
は消去可能な光ディスクとしても、それらものにおける
記録層がレーザ光ビームのスポットの加熱作用により、
どのような物理的な変化で情報信号の記録が行われるの
かに着目して分類した場合に、ピット形成型、泡あるい
は凹凸形成型、光磁気型、相変化型(熱エネルギにより
光の透過率。In addition, as the demand for recording various information signals at high recording densities has increased in recent years, it has become possible to record information signals at high density using recording media made based on various structural and operating principles. It is well known that reproduction has come to be carried out. For example, an information signal is recorded by forming irregularities corresponding to the information signal on the signal surface of a recording medium, and the recorded information signal is optically processed. Recording and reproducing apparatuses that perform playback by means or by detecting changes in capacitance are already in practical use for recording and playing back video and audio signals.
In order to meet the demands for high-density recording and reproduction in various technical fields, by irradiating the recording layer of the recording medium with a recording beam whose intensity is modulated by the information signal, the recording layer of the recording medium can be physically adjusted according to the information signal. Research has also begun on recording media in which information signals are recorded by causing changes or chemical changes, but in recent years it has become easy to obtain semiconductor lasers that operate stably. It is well known that various types of optical discs that use laser light for high-density recording and reproduction have already been put into practical use, or that research and development is currently underway to put them into practical use. For example, recorded optical discs (playback-only optical discs) that have been copied in large numbers from master discs on which information signals are recorded using pits formed as geometrical concave or convex parts are, for example, video discs or compact discs.・In addition to discs that are starting to become popular in ordinary households, optical discs (write-once optical discs) that can be added and recorded only once by the user, and erasable optical discs are becoming popular for office file memories and other uses. A lot of research and development is being carried out to put this into practical use, and so far, even write-once optical discs and erasable optical discs have been developed whose recording layer is heated by the spot of a laser beam.
When classified based on the type of physical change in which information signals are recorded, there are pit-forming types, bubbles or unevenness-forming types, magneto-optical types, and phase-change types (where light transmittance changes due to thermal energy). .
反射率、吸収率等に変化が生じる熱変態型)等のように
大別できる各種形式のものが提案されている他、記録、
再生動作が光以外のエネルギを用いて行われるようにす
る記録媒体についての提案も多くなされており、それら
の記録媒体を用いた記録再生装置についても各種の提案
がなされているが、前記した従来の各種の記録媒体を用
いた記録再生装置では、高密度記録を行うための装置の
構成が複雑、かつ、大掛かりなものになっており、また
、消去可能な記録媒体も前述のように従来から提案され
てはいても、それが例えば磁気記録媒体の場合には消去
が容易である反面、高密度記録の点に問題があり、それ
が例えば光ディスクの場合には高密度記録が容易である
が簡単な手段で消去が行えないという問題点があったの
で、本出願人会社では前記の問題点のない記録装置とし
て、先に、レーザ光束が入射される透明電極と、前記し
た透明電極を透過したレーザ光束が入射される光導電層
部材と、前記した透明電極との間に電界を形成させるた
めの電極を備えるとともに光導電層部材と前記の電極と
の間の電界と対応して発生した電荷を保持する電荷保持
層を有する記録媒体と、前記した光導電層部材□と前記
の電極との間の電界を記録の対象にされる情報信号に応
じて変化させて、前記の記録媒体における電荷保持層部
材に記録の対象にされる情報信号を電荷パターンの形態
で記録させるようにした第6図に概略構成が示されてい
るような記録装置も提案している。Various formats have been proposed, which can be roughly divided into types such as thermal transformation type (which causes changes in reflectance, absorption rate, etc.), as well as recording,
Many proposals have been made for recording media in which the reproduction operation is performed using energy other than light, and various proposals have also been made for recording and reproduction devices using these recording media. In recording and reproducing devices using various types of recording media, the configuration of the device for performing high-density recording is complicated and large-scale, and erasable recording media have not been used in the past, as mentioned above. Even if it has been proposed, for example, in the case of a magnetic recording medium, erasing is easy, but on the other hand, there is a problem in high-density recording, and in the case of an optical disk, for example, high-density recording is easy, but Since there was a problem that erasing could not be performed by simple means, the applicant company created a recording device that does not have the above problem by first introducing a transparent electrode into which the laser beam is incident and transmitting the laser beam through the transparent electrode. It is provided with an electrode for forming an electric field between the photoconductive layer member into which the laser beam is incident and the above-mentioned transparent electrode, and an electric field generated in response to the electric field between the photoconductive layer member and the above-mentioned electrode. The recording medium has a charge retention layer that retains charges, and the electric field between the photoconductive layer member □ and the electrode is changed in accordance with the information signal to be recorded. A recording device, the schematic configuration of which is shown in FIG. 6, has also been proposed in which information signals to be recorded are recorded in the form of a charge pattern on a charge retention layer member.
第6図においてDは記録媒体であり、この記録媒体りと
しては電荷保持層として機能する絶縁m1りと電極Eと
の積層構造のものであって、前記した絶縁m1りはその
上に付着した電荷を長時間にわたって保持できるような
極めて高い絶縁抵抗値を有するような材料(例えばシリ
コン樹脂)を用いて作られる。In FIG. 6, D is a recording medium, and this recording medium has a laminated structure of an insulator M1 that functions as a charge retention layer and an electrode E, and the above-mentioned insulator M1 is attached on top of the insulator M1. It is made using a material (eg, silicone resin) that has an extremely high insulation resistance value that allows it to retain charge for a long time.
この記録媒体りは例えば図示されていない回転駆動機構
によって所定の回転数で回転される。第6図中において
、WAは記録の対象にされている情報信号によって強度
変調されているレーザ光束をレンズ7から出射できるよ
うに構成されている記録系であり、図示の例における記
録系WAはレーザ光源8、レンズ9.偏光子3、光変調
器4、記録の対象にされている情報信号源5.検光子6
、レンズ7によって構成されている。This recording medium tray is rotated at a predetermined number of rotations by, for example, a rotation drive mechanism (not shown). In FIG. 6, WA is a recording system configured to emit from a lens 7 a laser beam whose intensity is modulated by the information signal to be recorded, and the recording system WA in the illustrated example is Laser light source 8, lens 9. Polarizer 3, optical modulator 4, information signal source to be recorded 5. Analyzer 6
, lens 7.
前記した記録系WAのレンズ7から出射されたレーザ光
束は、透明電極Etwを透過して光導電体層PCEに与
えられる。そして、前記した透明電極Etwと記録媒体
りとの間には電源Vwがら電圧が与えられているから、
前記のように記録系WAから情報信号によって強度変調
されているレーザ光束が光導電体層PCEに入射されて
いると、光導電体層PCEにおけるレーザ光束が与えら
れた部分の電気抵抗値が低下して、その部分で記録媒体
りの絶縁層ILとの間で放電が起こり、それによって記
録媒体りの絶縁層ILの表面に情報信号に応じた電荷が
付着する。The laser beam emitted from the lens 7 of the recording system WA described above passes through the transparent electrode Etw and is applied to the photoconductor layer PCE. Since a voltage is applied between the transparent electrode Etw and the recording medium from the power source Vw,
As described above, when the laser beam whose intensity is modulated by the information signal from the recording system WA is incident on the photoconductor layer PCE, the electrical resistance value of the portion of the photoconductor layer PCE to which the laser beam is applied decreases. Then, a discharge occurs between the insulating layer IL of the recording medium and the insulating layer IL of the recording medium at that portion, and as a result, charges corresponding to the information signal are attached to the surface of the insulating layer IL of the recording medium.
前記した情報信号に応じた電荷像は、従来の一般的な表
面電位計を使用しても電荷像と対応する時系列的な電気
信号として取出すことができないために、電荷像を時系
列的な電気信号として容易に取出すことのできる電気信
号発生装置の出現が求められ、本出願人会社では先に第
7図に概略構成が示されているような表面電位分布と対
応する電気信号の発生装置、すなわち、被検出体の複数
個所における個々の個所の表面電位と対応して静電誘導
によって生じた電圧が個別にゲート電極に与えられる複
数の電圧検出用電界効果トランジスタと、前記した複数
の電圧検出用電界効果トランジスタの出力信号を個別に
開閉制御するアナログ・スイッチング手段と、前記した
被検出体の複数個所における個々の個所の表面電位と対
応して静電誘導によって生じた電圧と対応する電圧が予
め定められた順序にアナログ・スイッチング手段を介し
て共通の出力線に送出されるように、前記したアナログ
・スイッチング手段に開閉制御信号を供給する手段とを
備えてなる表面電位分布と対応する電気信号の発生装置
を提案して前記の問題点を解決した。The charge image corresponding to the above-mentioned information signal cannot be extracted as a time-series electric signal corresponding to the charge image even if a conventional general surface electrometer is used. There is a need for an electrical signal generator that can be easily extracted as an electrical signal, and the applicant company has previously developed an electrical signal generator that corresponds to the surface potential distribution as shown in FIG. 7. That is, a plurality of field effect transistors for voltage detection whose gate electrodes are individually applied with voltages generated by electrostatic induction corresponding to the surface potential of each of the plurality of points on the object to be detected, and the plurality of voltages described above. Analog switching means for individually controlling the opening and closing of the output signals of the detection field effect transistors, and a voltage corresponding to the voltage generated by electrostatic induction corresponding to the surface potential of each of the plurality of locations of the object to be detected. and means for supplying a switching control signal to the analog switching means such that the signals are sent to the common output line through the analog switching means in a predetermined order. The above problems were solved by proposing an electric signal generator.
すなわち、第7図は前記した既提案の表面電位分布と対
応する電気信号の発生装置の概略構成を示すブロック図
であり、また、第8図は検出用電極を設けて構成した第
7図示の既提案の表面電位分布と対応する電気信号の発
生装置の構造体(検出ヘッド)EDAの構成例を示す図
、第9図は動作説明用の波形図である。That is, FIG. 7 is a block diagram showing a schematic configuration of an electric signal generating device corresponding to the previously proposed surface potential distribution, and FIG. FIG. 9 is a diagram showing a configuration example of a structure (detection head) EDA of an electric signal generator corresponding to the previously proposed surface potential distribution, and FIG. 9 is a waveform diagram for explaining the operation.
第7図に示されている既提案の表面電位分布と対応する
電気信号の発生装置において、E DI。In the electric signal generator corresponding to the previously proposed surface potential distribution shown in FIG. 7, E DI.
EO2,ED3・・・EDnは微小な相互間隔で等間隔
に一直線上に配列されている微小な電圧検出用電極であ
り、これらの電圧検出用電極ED1..ED2゜ED3
・・・EDnは、それぞれ個別の接続線Q 1. Q
2゜Q3・・・Q、nによって電圧検出用電界効果トラ
ンジスタDPI、DF2.DF3−DFnのゲート電極
に接続されているが、前記した個々の微小な電圧検出用
電極とそれが接続されている個々の電圧検出用電界効果
トランジスタとからなる部分は、それぞれ、被検出体の
特定な部分の表面電位と対応して静電誘導によって生じ
た電圧がゲート電極に与えられる電圧検出用電界効果ト
ランジスタを含んで構成される個別の表面電位検出素子
を構成している。EO2, ED3, . .. ED2゜ED3
. . . EDn is an individual connection line Q1. Q
2゜Q3...Q, n, voltage detection field effect transistors DPI, DF2. The portions connected to the gate electrodes of DF3-DFn, each consisting of the individual minute voltage detection electrodes mentioned above and the individual voltage detection field effect transistors to which they are connected, are connected to the detection object. An individual surface potential detection element is constituted by including a voltage detection field effect transistor whose gate electrode is applied with a voltage generated by electrostatic induction corresponding to the surface potential of a specific portion.
そして、前記した各電圧検出用電界効果トランジスタD
Fl、 D F2. D F3−D Fnのドレイン
電極は動作用電源Vに対して共通に接続されていて、一
定の電圧が供給されており、また、前記した各電圧検出
用電界効果トランジスタDPI、DF2゜DF3・・D
Fnのソース電極は、それぞれ個別のスイッチング用電
界効果トランジスタSFI、SF2゜SF3・・・SF
nにおける対応するもののドレイン電極に接続されてお
り、さらに前記の個別のスイッチング用電界効果トラン
ジスタSFI、SF2゜SF3・・・SFnにおける各
ソース電極は共通に接続されて出力端子1に接続されて
いる。第7図中のRQは負荷抵抗を示している。Then, each of the above-mentioned voltage detection field effect transistors D
Fl, D F2. The drain electrodes of D F3-D Fn are commonly connected to the operating power supply V, and a constant voltage is supplied thereto, and each of the voltage detection field effect transistors DPI, DF2, DF3, . . . D
The source electrodes of Fn are connected to individual switching field effect transistors SFI, SF2゜SF3...SF.
The respective source electrodes of the individual switching field effect transistors SFI, SF2, SF3, . . . SFn are connected in common to the output terminal 1. . RQ in FIG. 7 indicates load resistance.
前記の個別のスイッチング用電界効果トランジスタS
Fl、 S F2.S F3−5 F nにおける各ゲ
ート電極には、シフトレジスタSRからスイッチングパ
ルスPL、P2.P3・・Pnが供給されているが。The individual switching field effect transistor S
Fl, S F2. Each gate electrode in SF3-5Fn receives switching pulses PL, P2 . P3...Pn is supplied.
前記したシフトレジスタSRから出力されるスイッチン
グパルスPL、P2.P3・・・Pnは、第9図に例示
されている波形図から明らかなように、シフトレジスタ
SRのクロック端子2に供給されている第9図の(a)
に示されているクロック信号Pcによって、第9図の(
b)〜(d)に例示されているように時間軸上でPi−
+P2→P3→・・・のように順次にシフトレジスタS
Rから出力されるから、前記した個別のスイッチング用
電界効果1〜ランジスタS Fl、 S F2.S F
3−3 F nの内の選択された次々の1個のものが時
間軸上で順次にオンの状態にされて行く。Switching pulses PL, P2 . As is clear from the waveform diagram illustrated in FIG. 9, P3...Pn are supplied to the clock terminal 2 of the shift register SR ((a) in FIG. 9).
By the clock signal Pc shown in FIG.
As illustrated in b) to (d), Pi-
Shift register S sequentially as +P2→P3→...
Since the output is from R, the individual switching field effects 1 to transistors S Fl, S F2. SF
3-3 One selected one of F n is sequentially turned on on the time axis.
それで、それぞれ個別の接続線Q 1. Q 2. Q
3・・・Anによって電圧検出用電界効果トランジス
タDFl、DF2.DF3・・・DFnのゲート電極に
接続されている複数の電圧検出用電極EDI、ED2.
ED3・・・EDnに生じている被検出体の複数個所に
おける個々の個所の表面電位と対応する電圧は、前記し
た複数の電圧検出用電界効果トランジスタDFl、 D
F2. D F3・=D Fnのソース側から、それ
ぞれ対応する個別のスイッチング用電界効果トランジス
タS Fl、 S F2.S F3−3 F nのトレ
インに供給されているから、前記したシフトレジスタS
RからスイッチングパルスPL、P2. F3・・・が
順次に出力されるのに従って次々にオンの状態にされる
個別のスイッチング用電界効果トランジスタS Fl、
S F2.S F3−3 F rlのソース側からは
、被検出体の複数個所における個々の個所の表面゛電位
と対応して静電誘導によって個別の電圧検出用電極E
Di、 E D2. E D3− E Dnに生じた電
圧と対応している電圧が、時間軸上に直列的に出力端子
1に送出されることになる。So each individual connection line Q1. Q2. Q
3...An voltage detection field effect transistors DFl, DF2 . DF3... A plurality of voltage detection electrodes EDI, ED2... connected to the gate electrodes of DFn.
ED3...The voltage corresponding to the surface potential of each of the plurality of locations of the object to be detected occurring at EDn is determined by the voltage detection field effect transistors DFl, D described above.
F2. From the source side of D F3 .=D Fn, respective corresponding switching field effect transistors S Fl, S F2 . Since it is supplied to the S F3-3 F n train, the shift register S mentioned above
From R to switching pulse PL, P2. Individual switching field effect transistors S Fl, which are turned on one after another as F3... are sequentially output.
SF2. From the source side of S F3-3 F rl, individual voltage detection electrodes E are connected by electrostatic induction corresponding to the surface potential of each of the multiple locations on the object to be detected.
Di, E D2. A voltage corresponding to the voltage generated at E D3 - E Dn is sent out to the output terminal 1 in series on the time axis.
したがって、例えば第8図示のように複数の電圧検出用
電極E Di、 E D2. E D3・・・E I)
nが1直線上に配列しているように設けられている検出
ヘッドEDAと被検出体とを、前記した複数の電圧検出
用電極EDI、ED2.ED3−EDnが整列している
方向と直交する方向に相対的に移動させると、被検出体
に形成されている2次元的な電荷像と対応している時系
列的な電気信号が出力端子1に送出されることになる。Therefore, for example, as shown in FIG. 8, a plurality of voltage detection electrodes E Di, E D2. E D3...E I)
The detection head EDA and the object to be detected, which are provided so that n are arranged on one straight line, are connected to the plurality of voltage detection electrodes EDI, ED2 . When ED3-EDn are relatively moved in a direction perpendicular to the direction in which they are aligned, a time-series electric signal corresponding to a two-dimensional charge image formed on the object to be detected is output from output terminal 1. It will be sent to
なお、第8図に例示されている検出ヘッドEDAは、複
数の電圧検出用電極EDI、ED2.ED3−EDnや
接続線Ql−Qnなどを周知の薄膜技術によって基体B
Pに形成させた構成態様のものである。検出ヘッドED
Aに設けられる電圧検出用の電極は、電圧検出用電界効
果トランジスタのゲート電極と兼用されてもよい。Note that the detection head EDA illustrated in FIG. 8 includes a plurality of voltage detection electrodes EDI, ED2 . ED3-EDn and connection lines Ql-Qn are connected to base B using well-known thin film technology.
This is a configuration in which P is formed. Detection head ED
The voltage detection electrode provided at A may also be used as the gate electrode of the voltage detection field effect transistor.
(発明が解決しようとする問題点)
前記した既提案の表面電位分布と対応する電気信号の発
生装置は、それを構成している複数個の表面電位検出素
子におけるそれぞれの電極が正確に同一平面上に配置さ
れており、かつ、すべての電圧検出用電界効果トランジ
スタが同一の動作特性で動作するようになされていれば
、被検出体の表面電位を正確に検出できるのであるが、
現実の問題として既提案の表面電位分布と対応する電気
信号の発生装置においては、それの構成に用いられてい
る複数個の表面電位検出素子の個々のものにおける電極
の配置態様が同一平面に対してばらついており、また、
複数個の表面電位検出素子の個々のものにおける電界効
果トランジスタの動作特性にもばらつきがあり、したが
って、複数個の表面電位検出素子の個々のものの入出力
特性(以下の記載においては感度と表現されている)に
ばらつきがあるために、既提案の表面電位分布と対応す
る電気信号の発生装置によって、一定な表面電位を示す
被検出体の表面電位を検出しても、それの出力として得
られる電気信号は、前記した複数個の表面電位検出素子
の感度のばらつきに従って時間軸上で大きさが変動して
いる状態のものになるために、被検出体の表面電位を正
確に検出することができない点が問題になった。(Problems to be Solved by the Invention) The previously proposed electrical signal generation device corresponding to the surface potential distribution has a structure in which the electrodes of the plurality of surface potential detection elements constituting the device are exactly on the same plane. If all field effect transistors for voltage detection are arranged on the top and operate with the same operating characteristics, the surface potential of the object to be detected can be detected accurately.
As a practical problem, in the previously proposed electrical signal generation device that corresponds to the surface potential distribution, the arrangement of the electrodes of each of the plurality of surface potential detection elements used in its configuration is on the same plane. It varies, and
There are also variations in the operating characteristics of the field effect transistors in each of the multiple surface potential detection elements, and therefore the input/output characteristics (expressed as sensitivity in the following description) of each of the multiple surface potential detection elements Even if the surface potential of the object to be detected exhibiting a constant surface potential is detected by the previously proposed electrical signal generation device that corresponds to the surface potential distribution, it will not be obtained as an output. Since the electrical signal fluctuates in magnitude on the time axis according to the variations in sensitivity of the plurality of surface potential detection elements described above, it is difficult to accurately detect the surface potential of the object to be detected. The problem was that I couldn't do it.
前記の問題を解決するために、表面電位が零の状態の面
を予め用意し、この表面電位が零の状態の面の表面電位
を検出ヘッドEDAによって検出した際の検出ヘッドE
DAからの出力信号を記憶装置に記憶させておき、その
検出ヘッドEDAによって被検出体の表面電位分布を検
出した際における検出ヘッドEDAの出力信号から前記
の記憶装置に予め記憶させておいた信号を減算すること
により、複数個の表面電位検出素子の感度のばらつきに
よって出力信号中に生じている時間軸上の大きさの変動
の影響を除去しようとする試みがなされた。In order to solve the above problem, a surface with a surface potential of zero is prepared in advance, and the detection head E when the surface potential of the surface with a surface potential of zero is detected by the detection head EDA.
The output signal from the DA is stored in a storage device, and when the detection head EDA detects the surface potential distribution of the object to be detected, a signal preliminarily stored in the storage device is obtained from the output signal of the detection head EDA. An attempt has been made to remove the influence of fluctuations in magnitude on the time axis that occur in the output signal due to variations in sensitivity of a plurality of surface potential detection elements by subtracting .
第10図は前記の試みを実現するための一例構成の概略
を示すブロック図であって、この第10図においてDは
電荷像の検出の対象にされる被検出体(記録媒体)であ
り、また、EDAは第7図示のような構成を備えている
検出ヘッド(第10図中に示されている検出ヘッドED
Aにおける端子1.2は、第7図中に示されている端子
1,2に対応している。なお、この点は後述の第1図及
び第4図についても同様である)であり、この検出ヘッ
ドEDAからの出力信号は、−直線上に配列されている
複数個の表面電位検出素子の出力信号が時間軸上に並ん
だ状態の時系列信号であり、前記した検出ヘッドEDA
からの出力信号は信号処理回路SDAにおける切換スイ
ッチSWの可動接点Cに供給されている。FIG. 10 is a block diagram schematically showing an example configuration for realizing the above-mentioned attempt, and in this FIG. 10, D is an object to be detected (recording medium) from which a charge image is detected; Further, the EDA has a detection head having a configuration as shown in FIG. 7 (the detection head ED shown in FIG. 10).
Terminals 1.2 in A correspond to terminals 1, 2 shown in FIG. Note that this point also applies to FIGS. 1 and 4 described later), and the output signal from this detection head EDA is the output signal of a plurality of surface potential detection elements arranged on a - straight line. It is a time-series signal in which the signals are arranged on the time axis, and the detection head EDA described above
The output signal is supplied to the movable contact C of the changeover switch SW in the signal processing circuit SDA.
切換スイッチSWは、まず、それの可動接点Cが固定接
点a側に切換えられている状態とし、予め用意しておい
た表面電位が零の状態となるようにした部分について、
その部分の1ライン分の表面電位を検出ヘッドEDAに
より検出して、その状態で得られたアナログ信号形態の
出力信号をアナログ・デジタル変換器ADCによりデジ
タル信号に変換してライン・メモリLM1に記憶させる
。First, the changeover switch SW is set so that its movable contact C is switched to the fixed contact A side, and the surface potential prepared in advance is set to zero.
The surface potential of one line of that part is detected by the detection head EDA, and the output signal in the form of an analog signal obtained in that state is converted into a digital signal by the analog-to-digital converter ADC and stored in the line memory LM1. let
次いで切換スイッチSWの可動接点Cを固定接点す側に
切換えた状態にして、検出ヘッドEDAによって被検出
体りの表面電位を1ライン分ずつ検出し、その1ライン
分ずつの出力信号を被減算信号として減算回路SOBに
供給する。Next, the movable contact C of the changeover switch SW is switched to the fixed contact side, and the detection head EDA detects the surface potential of the detected object line by line, and the output signal for each line is subtracted. It is supplied as a signal to the subtraction circuit SOB.
前記した減算回路SUBには、前記したライン・メモリ
LMI に記憶させておいたlライン分のデジタル信号
がデジタル・アナログ変換器DACによってアナログ信
号に変換された信号が減算信号として供給されているか
ら、前記の減算回路SUBからの出力信号は被検出体り
から検出された出力信号を被減算信号とし、記憶装置に
記憶させておいた信号を減算信号として求められた差信
号であり、この差信号が信号処理回路SDAの出力端子
10に送出される。This is because the above-mentioned subtraction circuit SUB is supplied with a signal obtained by converting the 1-line digital signal stored in the above-mentioned line memory LMI into an analog signal by the digital-to-analog converter DAC as a subtraction signal. , the output signal from the subtraction circuit SUB is a difference signal obtained by using the output signal detected from the detected object as the subtracted signal and using the signal stored in the storage device as the subtraction signal, and this difference A signal is sent to the output terminal 10 of the signal processing circuit SDA.
前記した第10図示の信号処理回路SDAの各構成部分
とそれぞれ対応して示されている波形図は、前記した第
10図示の信号処理回路SDAの動作を説明するための
ものであり、第10図中に示されている(イ)の波形例
図は、予め表面電位が零の状態となるように用意された
部分(例えば第10図中のイーイの部分)における検出
ヘッドEDAからの1ライン分(IH)の表面電位の検
出結果と対応して出力されたアナログ信号形態の出力信
号を例示したものであり、また、(イ′)に示されてい
る波形例図は前記した(イ)の波形例図中に示されてい
る一部の信号波形を拡大して、検出ヘッドEDAにおけ
る一直線上に配列されている複数個の表面電位検出素子
1,2.3・・・からの出力信号が時間軸上に並べられ
ている状態の時系列信号の詳細を例示したものである。The waveform diagrams shown in correspondence with the respective constituent parts of the signal processing circuit SDA shown in the tenth diagram described above are for explaining the operation of the signal processing circuit SDA shown in the tenth diagram described above. The waveform example diagram (A) shown in the figure is one line from the detection head EDA in a portion prepared in advance so that the surface potential is zero (for example, the portion E in FIG. 10). This is an example of an output signal in the form of an analog signal that is output in response to the detection result of the surface potential of the minute (IH), and the waveform example diagram shown in (A') is the same as that shown in (A) above. A part of the signal waveforms shown in the waveform example diagram is enlarged to show output signals from a plurality of surface potential detection elements 1, 2, 3, etc. arranged in a straight line in the detection head EDA. This is a detailed example of a time-series signal in which the signals are arranged on the time axis.
さらに、第10図中に示されている(口)の波形例図は
、例えば第10図中の被検出体D(記録媒体D)におけ
るロー口の部分における検出ヘッドEDAからの1ライ
ン分(IH)の表面電位の検出結果と対応して出力され
たアナログ信号形態の出力信号を例示したものであり、
また、(ハ)に示されている波形例図は減算器SUBか
ら出力された出力信号、すなわち、被検出体りから検出
された出力信号を被減算信号とし、記憶装置に記憶させ
ておいた信号を減算信号として求めた差信号を例示した
ものであり、第10図示の構成の信号処理回路SDAに
よれば、被検出体の表面電荷の検出に使用される表面電
位分布と対応する電気信号の発生装置における複数個の
表面電位検出素子の個々のものに感度のばらつきがあっ
ても、電荷像が形成されていない部分の表面電位が零の
状態で被検出体りに記録されている電荷像については、
第10図中の(ハ)の波形例図に示されているように。Furthermore, the (opening) waveform example diagram shown in FIG. 10 is, for example, one line ( This is an example of an output signal in the form of an analog signal output corresponding to the detection result of the surface potential of IH),
In addition, in the waveform example diagram shown in (c), the output signal output from the subtracter SUB, that is, the output signal detected from the detected body is used as the subtracted signal and is stored in the storage device. This is an example of a difference signal obtained by subtracting a signal, and according to the signal processing circuit SDA having the configuration shown in FIG. Even if there are variations in sensitivity among the multiple surface potential detection elements in a generator, the charge recorded on the detected body when the surface potential of the part where no charge image is formed is zero. Regarding the statue,
As shown in the waveform example diagram (c) in FIG.
既述した原因によって出力信号中に生じる時間軸上の大
きさの変動の影響が軽減された状態の信号が得られる。A signal can be obtained in which the influence of fluctuations in magnitude on the time axis that occur in the output signal due to the causes described above is reduced.
ところが、被検出体りとなされる記録媒体りに対する電
荷像の記録が、第6図を参照して既述されたような構成
態様の記録装置によって行われた場合には、記録媒体り
に記録されるべき被写体の光学像における黒の部分と対
応している被検出体の表面電位が記録装置における初期
放電のために第11図中に示されているように零電位に
対してvbの電圧だけオフセットしている状態の電位に
なり、したがって、第11図中に被写体のパターンとし
て例示されているような黒、中間調、白のパターンと対
応して記録媒体りに生じる表面電位は、被写体のパター
ンにおける黒と対応する電圧がvb、中間調と対応する
電圧がVm、白と対応する電圧がVwとしてそれぞれ示
されるようなものになる。However, if the recording of the charge image on the recording medium serving as the object to be detected is performed by a recording device having the configuration described above with reference to FIG. Due to the initial discharge in the recording device, the surface potential of the detected object corresponding to the black part in the optical image of the object to be photographed has a voltage of vb with respect to zero potential as shown in FIG. Therefore, the surface potential generated on the recording medium corresponding to the black, halftone, and white patterns illustrated as the subject pattern in FIG. In the pattern, the voltage corresponding to black is shown as vb, the voltage corresponding to halftone is shown as Vm, and the voltage corresponding to white is shown as Vw.
一方、表面電位分布と対応する電気信号の発生装置の構
成に用いられている複数個の表面電位検出素子の個々の
ものの感度が、例えば第12図中の直線α、β、γによ
って例示されているようにそれぞれ異っているから、前
記のように被写体の黒の部分と対応して記録媒体りに生
じる表面電位が第11図を参照して既述したとおりに零
電位から電圧vbだけオフセットしている状態にあり、
かつ、画像の白と対応して記録媒体りに生じる表面電位
がVwであったとすると、画像の白から黒までの範囲に
おいて、表面電位分布と対応する電気信号の発生装置の
構成に用いられている複数個の表面電位検出素子の個々
のものから検出される表面電位の検出々力は、第12図
中の横軸上の電圧Vb、Vwのそれぞれの位置における
垂線の間の部分の直線α、β、γ上で示されるものとな
って、記録媒体りにおける同一の表面電位に対して大巾
にばらついている状態のものになり、これでは記録媒体
りの電荷像を良好な状態で読出すことができないので、
それの改善策が求められた。On the other hand, the sensitivity of each of the plurality of surface potential detection elements used in the configuration of the electric signal generator corresponding to the surface potential distribution is illustrated by, for example, the straight lines α, β, and γ in FIG. As mentioned above, the surface potential generated on the recording medium corresponding to the black part of the object is offset by the voltage vb from the zero potential as described above with reference to FIG. is in a state of
Moreover, if the surface potential generated on the recording medium corresponding to the white of the image is Vw, then in the range from white to black of the image, the surface potential distribution and the corresponding electric signal used in the configuration of the generating device are The detection force of the surface potential detected from each of the plurality of surface potential detection elements in FIG. , β, and γ, which vary widely for the same surface potential on the recording medium, making it difficult to read the charge image on the recording medium in good condition. Because I can't get it out,
Improvement measures were required.
(問題点を解決するための手段)
本発明は被検出体の特定な部分の表面電位と対応して静
電誘導によって生じた電圧がゲート電極に与えられる電
圧検出用世界効果トランジスタを含んで構成さ九ている
表面電位検出素子の複数のものを直線的に配置して、被
写体の一直線上の複数個所における個々の個所の表面電
位が前記した個別の表面電位検出素子によって個別に検
出されるようにする手段と、前記した複数個の表面電位
検出素子の出力信号を時間軸上で直列的に並ぶ時系列信
号形態の1ライン分の電気信号に変換する手段ど、被写
体の光学像における黒の部分と対応して被検出体に生じ
るべき表面電位に略々等しい値の予め定められた一定の
表面電位を有する領域について検出された表面電位によ
る1ライン分の電気信号を記憶する記憶装置と、被検出
体がら順次に検出された各1ライン分の電気信号と、前
記した記憶装置に記憶させておいたコーライン分の電気
信号との差信号を得る手段とを備えてなる表面電位分布
と対応する電気信号の発生装置、及び被検出体の特定な
部分の表面電位と対応して静電誘導によって生じた電圧
がゲート電極に与えられる電圧検出用電界効果トランジ
スタを含んで構成されている表面電位検出素子の複数の
ものを直線的に配置して、被写体の一直線上の複数個所
における個々の個所の表面電位が前記した個別の表面電
位検出素子によって個別に検出されるようにする手段と
、前記した複数個の表面電位検出素子の出力信号を時間
軸上で直列的に並ぶ時系列信号形態の1ライン分の電気
信号に変換する手段と、被写体の光学像における黒の部
分と対応して被検出体に生じるべき表面電位に略々等し
い値の予め定められた一定の表面電位を有する領域につ
いて検出された表面電位による1ライン分の電気信号を
記憶する記憶装置と、被検出体から順次に検出された各
1ライン分の電気信号と、前記した記憶装置に記憶させ
ておいた1ライン分の電気信号との差信号を得る手段と
、前記した複数個の表面電位検出素子の個々のものの検
出感度の情報を記憶しておく検出感度情報の記憶手段と
、前記の検出感度情報の記憶手段から読出された個々の
表面電位検出素子の検出感度の情報を用いて前記した差
信号に対して補正を行う手段とを備えてなる表面電位分
布と対応する電気信号の発生装置を提供するものである
。(Means for Solving the Problems) The present invention includes a world effect transistor for voltage detection, in which a voltage generated by electrostatic induction is applied to a gate electrode in correspondence with a surface potential of a specific portion of an object to be detected. A plurality of surface potential detecting elements are arranged in a straight line so that the surface potential of each of the plurality of locations on a straight line of the subject is individually detected by the individual surface potential detecting elements described above. means for converting the output signals of the plurality of surface potential detection elements described above into one line of electrical signals in the form of time-series signals arranged in series on the time axis. a storage device that stores one line of electrical signals based on the surface potential detected for a region having a predetermined constant surface potential approximately equal to the surface potential that should be generated on the detected object in correspondence with the region; Corresponds to a surface potential distribution comprising means for obtaining a difference signal between each line of electrical signals sequentially detected from the object to be detected and the electric signal of the line stored in the storage device. and a voltage detection field effect transistor whose gate electrode is given a voltage generated by electrostatic induction corresponding to the surface potential of a specific part of the object to be detected. means for linearly arranging a plurality of detection elements so that the surface potentials of individual locations on a straight line of the subject are individually detected by the individual surface potential detection elements; means for converting the output signals of the plurality of surface potential detection elements into one line of electric signals in the form of time-series signals arranged in series on the time axis; A storage device that stores one line of electrical signals based on the surface potential detected in a region having a predetermined constant surface potential approximately equal to the surface potential that should be generated on the detected object; means for obtaining a difference signal between each of the detected electric signals for one line and the electric signals for one line stored in the storage device; A detection sensitivity information storage means for storing detection sensitivity information, and detection sensitivity information of each surface potential detection element read from the detection sensitivity information storage means are used to respond to the difference signal described above. The present invention provides an apparatus for generating an electric signal corresponding to a surface potential distribution, which includes means for performing correction.
(実施例)
以下、添付図面を参照して本発明の表面電位分布と対応
する電気信号の発生装置の具体的な内容について詳細に
説明する。(Example) Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, specific contents of the electric signal generating device corresponding to the surface potential distribution of the present invention will be described in detail.
第1図及び第4図はそれぞれ本発明の表面電位分布と対
応する電気信号の発生装置の実施例の概略構成を示すブ
ロック図、第2図は本発明装置の実施に用いられる記録
媒体の構成例を示す平面図。1 and 4 are block diagrams showing the schematic configuration of an embodiment of an electric signal generating device corresponding to the surface potential distribution of the present invention, respectively, and FIG. 2 is a configuration of a recording medium used to implement the device of the present invention. A plan view showing an example.
第3図及び第5図は動作説明用の特性側図である。3 and 5 are characteristic side views for explaining the operation.
第1図及び第4図においてDは電荷像の検出の対象にさ
れる被検出体(記録媒体)であり、また、EDAは第7
図示のような構成を備えている検出ヘッドであって、第
1図及び第4図中に示されている検出ヘッドEDAにお
ける端子1,2は、第7図中に示されている端子1,2
に対応させて表示したものである。In FIGS. 1 and 4, D is the object to be detected (recording medium) for detecting the charge image, and EDA is the seventh object.
Terminals 1 and 2 in the detection head EDA shown in FIGS. 1 and 4 are the terminals 1 and 2 shown in FIG. 2
It is displayed in correspondence with .
前記した検出ヘッドEDAがらの出力信号は、検出ヘッ
ドEDAに一直線上に配列されている複数個の表面電位
検出素子からの出方信号が時間軸上に並んだ状態の時系
列信号であり、前記した検出ヘッドEDAからの出力信
号は信号処理回路SDAに供給されている。The output signal from the detection head EDA described above is a time-series signal in which output signals from a plurality of surface potential detection elements arranged in a straight line on the detection head EDA are arranged on the time axis. The output signal from the detection head EDA is supplied to the signal processing circuit SDA.
第4図に示す実施例においては図面の簡略化のために、
信号処理回路SDAを単にブロックSDAとして示して
いるだけで、その具体的な構成の図示は省略されている
が、この第4図中の信号処理回路SDAも第1図中に記
載されている信号処理回路SDAと同様な構成のものが
使用されているのである。In the embodiment shown in FIG. 4, for the sake of simplification of the drawing,
Although the signal processing circuit SDA is simply shown as a block SDA and its specific configuration is omitted, the signal processing circuit SDA in FIG. 4 also handles the signals described in FIG. 1. A similar configuration to the processing circuit SDA is used.
第1図中において、vPは被写体の光学像における黒の
部分と対応して被検出体(記録媒体)Dに生じる表面電
位vbに略々等しい値の予め定められた一定の表面電位
vbを有するような領域を有する基準電位設定部材vP
であり、また、Vbsは前記した基準電位設定部材vP
の表面電位を、前述のように被写体の光学像における黒
の部分と対応して被検出体(記録媒体)Dに生じる表面
電位vbに略々等しい値の電圧値vbにさせるための電
源である。In FIG. 1, vP has a predetermined constant surface potential vb approximately equal to the surface potential vb generated on the object to be detected (recording medium) D corresponding to the black part in the optical image of the object. Reference potential setting member vP having such a region
, and Vbs is the reference potential setting member vP described above.
This is a power supply for making the surface potential of the object to be a voltage value vb approximately equal to the surface potential vb generated on the object to be detected (recording medium) D corresponding to the black part in the optical image of the object as described above. .
第1図示の実施例においては被写体の光学像における黒
の部分と対応して被検出体(記録媒体)Dに生しる表面
電位vbに略々等しい値の予め定められた一定の表面電
位vbを有するような領域を有する基準電位設定部材v
Pを記録媒体りとは別に設けているが、第2図は前記し
た第1図中に示されている基準電位設定部材VPにおけ
る一定の表面電位vbを有するような領域と同様な作用
を行う電荷像を有する領域VPaを記録媒体り自体に構
成させた記録媒体りを示している。In the embodiment shown in the first figure, a predetermined surface potential vb approximately equal to the surface potential vb generated on the object to be detected (recording medium) D corresponding to the black part in the optical image of the object is used. A reference potential setting member v having a region having
Although P is provided separately from the recording medium, FIG. 2 has the same effect as the area having a constant surface potential vb in the reference potential setting member VP shown in FIG. 1 above. A recording medium is shown in which a region VPa having a charge image is formed on the recording medium itself.
さて前記した検出ヘッドEDAからの出力信号は信号処
理回路SDAにおける切換スイッチSWの可動接点Cに
供給されるが、切換スイッチSWは、まず、それの可動
接点Cが固定接点a側に切換えられている状態とされ、
その状態で前記した基準電位設定部材vPにおいて被写
体の光学像における黒の部分と対応して被検出体(記録
媒体)Dに生じる表面電位vbに略々等しい値の予め定
められた一定の表面電位vbを有する領域について検出
ヘッドEDAにより1ライン分(IH)にわたって検出
するか、あるいは、第2図中の記録媒体りに構成されて
いる領域VPaの表面電位vb、すなわち被写体の光学
像における黒の部分と対応して被検出体(記録媒体)D
に生じる表面電位vbに略々等しい値の予め定められた
一定の表面電位vbを有するような電荷像を構成させた
領域■Paの表面電位vbを検出ヘッドEDAにより1
ライン分(IH)にわたって検出して、その状態で得ら
れたアナログ信号形態の出力信号をアナログ・デジタル
変換器ADCによりデジタル信号に変換してライン・メ
モリLMIに記憶させる。Now, the output signal from the detection head EDA described above is supplied to the movable contact C of the changeover switch SW in the signal processing circuit SDA.The changeover switch SW first switches its movable contact C to the fixed contact a side. It is said that there is
In this state, a predetermined constant surface potential approximately equal to the surface potential vb generated on the detected object (recording medium) D corresponding to the black part in the optical image of the object is set in the reference potential setting member vP described above. Either the detection head EDA detects the area with vb over one line (IH), or the surface potential vb of the area VPa configured on the recording medium in FIG. Detected object (recording medium) D corresponding to the part
The detection head EDA detects the surface potential vb of the area ■Pa, which has a charge image having a predetermined constant surface potential vb approximately equal to the surface potential vb generated in the area.
Detection is performed over a line (IH), and an output signal in the form of an analog signal obtained in that state is converted into a digital signal by an analog-to-digital converter ADC and stored in the line memory LMI.
次いで切換スイッチSWの可動接点Cを固定接点す側に
切換えた状態にして、検出ヘッドEDAによって被検出
体りの表面電位を1ライン分ずつ検出し、その1ライン
分ずつの出力信号を被減算信号として減算口MSUBに
供給する。Next, the movable contact C of the changeover switch SW is switched to the fixed contact side, and the detection head EDA detects the surface potential of the detected object line by line, and the output signal for each line is subtracted. It is supplied as a signal to the subtraction port MSUB.
前記した減算回路SUBには、前記のライン・メモリL
MI に記憶させておいた1ライン分のデジタル信号が
デジタル・アナログ変換器DACによってアナログ信号
に変換された信号が減算信号として供給されているから
、前記の減算回路SUBからの出力信号は被検出体りか
ら検出された出力信号を被減算信号とし、記憶装置に記
憶させておいた信号を減算信号として求められた差信号
であり、この差信号が第1図及び第4図中の信号処理回
路SDAの出力端子10に送出される。The above-mentioned subtraction circuit SUB includes the above-mentioned line memory L.
Since the digital signal for one line stored in MI is converted into an analog signal by the digital-to-analog converter DAC and is supplied as the subtraction signal, the output signal from the subtraction circuit SUB is detected. This is the difference signal obtained by using the output signal detected from the body as the signal to be subtracted and the signal stored in the storage device as the subtraction signal, and this difference signal is used for the signal processing in FIGS. It is sent to the output terminal 10 of the circuit SDA.
ところで、前記した第1図及び第4図に示されている信
号処理回路SDAの出力端子10に送出される信号処理
回路SDAからの出力信号は、前述のように被検出体D
(記録媒体D)の表面電位分布の内で検出ヘッドEDA
で検出された1ライン分(IH)の表面電位の検出結果
と対応して出力されたアナログ信号形態の出力信号を被
減算信号。By the way, the output signal from the signal processing circuit SDA sent to the output terminal 10 of the signal processing circuit SDA shown in FIGS.
The detection head EDA within the surface potential distribution of (recording medium D)
The signal to be subtracted is an output signal in the form of an analog signal, which is output corresponding to the detection result of the surface potential of one line (IH) detected in the subtracted signal.
すなわち、被検出体の特定な部分の表面電位と対応して
静電誘導によって生じた電圧がゲート電極に与えられる
電圧検出用電界効果トランジスタを含んで構成されてい
る表面電位検出素子の複数のものを直線的に配置して、
被写体の一直線上の複数個所における個々の個所の表面
電位が前記した個別の表面電位検出素子によって個別に
検出されるようにするとともに、前記した複数個の表面
電位検出素子の出力信号を時間軸上で直列的に並ぶ時系
列信号形態として出力できるように構成されている検出
ヘッドEDAで検出された1ライン分(IH)の表面電
位の検出結果と対応して出力されたアナログ信号形態の
出力信号を被減算信号とし、また前記した記憶装置(ラ
イン・メモリLMI)に記憶させておいた信号、すなわ
ち、被写体の光学像における黒の部分と対応して被検出
体(記録媒体)Dに生じる表面電位vbに略々等しい値
の予め定められた一定の表面電位vbを有する領域につ
いて検出ヘッドEDAにより1ライン分(IH)にわた
って検出して、その状態で得られたアナログ信号形態の
出力信号をアナログ・デジタル変換器ADCによりデジ
タル信号に変換してライン・メモリLMIに記憶させて
おいた信号をデジタル・アナログ変換器DACによりア
ナログ信号に変換した信号を減算信号として求めた差信
号であるために、被検出体の表面電荷の検出に使用され
た表面電位分布と対応する電気信号の発生装置(検出ヘ
ッドEDA )における複数個の表面電位検出素子の個
々のものに感度のばらつきがあっても、第1図及び第4
図中の信号処理回路SDAがらの出方信号における画像
の黒と対応する信号の信号レベルが第3図中の横軸に示
されている電圧vbにおいて同一となされているから、
第1図及び第4図中の信号処理回路SDAからの出力信
号における画像の白から黒までの範囲では、被検出体の
表面電荷の検出に使用される表面電位分布と対応する電
気信号の発生装置における複数個の表面電位検出素子の
個々のものの感度のばらつきの影響が、第10図を参照
して説明した従来装置の特性を示している第12図と比
へて格段に軽減されていることが判かる。That is, a plurality of surface potential detection elements each including a voltage detection field effect transistor in which a voltage generated by electrostatic induction corresponding to the surface potential of a specific portion of the object to be detected is applied to a gate electrode. arranged in a straight line,
The surface potentials of individual locations on a straight line of the subject are individually detected by the individual surface potential detection elements described above, and the output signals of the plurality of surface potential detection elements described above are detected on the time axis. An output signal in the form of an analog signal is output in correspondence with the detection result of the surface potential of one line (IH) detected by the detection head EDA, which is configured to be output as a time series signal arranged in series. is the signal to be subtracted, and the signal stored in the storage device (line memory LMI) described above, that is, the surface generated on the detected object (recording medium) D corresponding to the black part in the optical image of the object. A region having a predetermined constant surface potential vb, which is approximately equal to the potential vb, is detected over one line (IH) by the detection head EDA, and an output signal in the form of an analog signal obtained in that state is converted into an analog signal.・Since it is a difference signal obtained by subtracting a signal that has been converted to a digital signal by the digital converter ADC and stored in the line memory LMI and then converted to an analog signal by the digital-to-analog converter DAC, Even if there are variations in sensitivity among the plurality of surface potential detection elements in the electric signal generating device (detection head EDA) that corresponds to the surface potential distribution used to detect the surface charge of the object to be detected, the Figure 1 and 4
Since the signal level of the signal corresponding to the black of the image in the output signal from the signal processing circuit SDA in the figure is the same at the voltage vb shown on the horizontal axis in FIG.
In the range from white to black of the image in the output signal from the signal processing circuit SDA in FIGS. 1 and 4, an electric signal is generated corresponding to the surface potential distribution used for detecting the surface charge of the detected object. The influence of variations in the sensitivity of each of the multiple surface potential detection elements in the device is significantly reduced compared to FIG. 12, which shows the characteristics of the conventional device explained with reference to FIG. 10. I understand that.
前記した第1図及び第4図中の信号処理回路SDAから
出力端子10に送出された出力信号は、前述のように信
号処理回路SDAからの出力信号における画像の白から
黒までの範囲に限ると、被検出体の表面電荷の検出に使
用される表面電位分布と対応する電気信号の発生装置に
おける複数個の表面電位検出素子の個々のものの感度の
ばらつきの影響が、第10図を参照して説明した従来装
置の特性を示している第12図と比べて格段に軽減され
てはいるが、被検出体の表面電荷の検出に使用される表
面電位分布と対応する電気信号の発生装置における複数
個の表面電位検出素子の個々のものの感度のばらつきが
そのまま残っている状態の信号になっている。The output signal sent from the signal processing circuit SDA to the output terminal 10 in FIGS. 1 and 4 is limited to the range from white to black of the image in the output signal from the signal processing circuit SDA, as described above. Referring to FIG. 10, the influence of variations in the sensitivity of each of the plurality of surface potential detection elements in the electric signal generating device that corresponds to the surface potential distribution used to detect the surface charge of the object to be detected is shown in FIG. Although the characteristics of the conventional device described above are significantly reduced compared to FIG. The signal is a state in which variations in sensitivity of each of the plurality of surface potential detection elements remain as they are.
第4図は、前記した信号処理回路SDAから出力された
信号中に存在している信号のばらつき、すなわち、被検
出体の表面電荷の検出に使用される表面電位分布と対応
する電気信号の発生装置における複数個の表面電位検出
素子の個々のものの感度のばらつきを補正できるように
構成したもののブロック図であり、この第4図示の実施
例回路において、MULは乗算器、LM2は感度補正用
の係数を記憶しであるメモリであって、前記の乗算器M
ULにおいて信号処理回路SDAからの出力信号とメモ
リLM2から読出された感度補正用の係数とを乗算する
ことにより、前記した被検出体の表面電荷の検出に使用
される表面電位分布と対応する電気信号の発生装置にお
ける複数個の表面電位検出素子の個々のものの感度のば
らつきのない出力信号が乗算器MULから出力端子11
に供給できるのである。FIG. 4 shows the variation in signals present in the signals output from the signal processing circuit SDA, that is, the generation of electric signals corresponding to the surface potential distribution used for detecting the surface charge of the object to be detected. This is a block diagram of a device configured to correct variations in sensitivity of each of a plurality of surface potential detection elements in the device. In the embodiment circuit shown in the fourth figure, MUL is a multiplier, and LM2 is a sensitivity correction circuit. a memory for storing coefficients of the multiplier M;
In the UL, by multiplying the output signal from the signal processing circuit SDA by the sensitivity correction coefficient read from the memory LM2, an electric potential corresponding to the surface potential distribution used for detecting the surface charge of the object to be detected is obtained. An output signal with uniform sensitivity of each of the plurality of surface potential detection elements in the signal generation device is sent from the multiplier MUL to the output terminal 11.
It can be supplied to
前記したメモリLM2に記憶させておく感度補正用の係
数は、既知の一定の表面電位を有する被検出体の表面電
位を、表面電位分布と対応する電気信号の発生装置によ
って検出したときに、複数個の表面電位検出素子の個々
のもので得られた出力電圧から求めることができる。第
5図中のにα。The sensitivity correction coefficients stored in the memory LM2 described above are used to calculate a plurality of sensitivity correction coefficients when the surface potential of an object to be detected having a known constant surface potential is detected by an electric signal generator corresponding to the surface potential distribution. It can be determined from the output voltage obtained from each of the surface potential detection elements. α in Figure 5.
Kβ、にγは前記した感度補正用の係数を例示したもの
である。Kβ, and γ are examples of the aforementioned sensitivity correction coefficients.
(発明の効果)
以上、詳細に説明したところから明らかなようら、本発
明の表面電位分布と対応する電気信号の発生装置は、被
検出体の特定な部分の表面電位と対応して静電誘導によ
って生じた電圧がゲート電極に与えられる電圧検出用電
界効果トランジスタを含んで構成されている表面電位検
出素子の複数のものを直線的に配置して、被写体の一直
線上の複数個所における個々の個所の表面電位が前記し
た個別の表面電位検出素子によって個別に検出されるよ
うにする手段と、前記した複数個の表面電位検出素子の
出力信号を時間軸上で直列的に並ぶ時系列信号形態の1
ライン分の電気信号に変換する手段と、被写体の光学像
における黒の部分と対応して被検出体に生じるべき表面
電位に略々等しい値の予め定められた一定の表面電位を
有する領域について検出された表面電位による1ライン
分の電気信号を記憶する記憶装置と、被検出体から順次
に検出された各1ライン分の電気信号と、前記した記憶
装置に記憶させておいた1ライン分の電気信号との差信
号を得る手段とを備えてなる表面電位分布と対応する電
気信号の発生装置、及び被検出体の特定な部分の表面電
位と対応して静電誘導によって生じた電圧がゲート電極
に4えられる′Iハ圧検出用電界効果トランジスタを含
んで構成されている表面電位検出素子の複数のものを直
線的に配置して、被写体の一直線上の複数個所における
個々の個所の表面電位が前記した個別の表面電位検出素
子によって個別に検出されるようにする手段と、前記し
た複数個の表面電位検出素子の出力信号を時間軸上で直
列的に並ぶ時系列信号形態の1ライン分の電気信号に変
換する手段と、被写体の光学像における黒の部分と対応
して被検出体に生じるべき表面電位に略々等しい値の予
め定められた一定の表面電位を有する領域について検出
された表面電位による1ライン分の電気信号を記憶する
記憶装置と、被検出体から順次に検出された各1ライン
分の電気信号と、前記した記憶装置に記憶させておいた
1ライン分の電気信号との差信号を得る手段と、前記し
た複数個の表面電位検出素子の個々のものの検出感度の
情報を記憶しておく検出感度情報の記憶手段と、前記の
検出感度情報の記憶手段から読出された個々の表面電位
検出素子の検出感度の情報を用いて前記した差信号に対
して補正を行う手段とを備えてなる表面電位分布と対応
する電気信号の発生装置であって、この本発明の表面電
位分布と対応する電気信号の発生装置では被検出体1つ
(記録媒体D)の表面1ヒ位分布の内で検出ヘッドED
Aで検出された1ライン分(IH)の表面電位の検出結
果と対応して出力されたアナログ信号形態の出力信号を
被減算信号、すなわち、被検出体の特定な部分の表面電
位と対応して静電誘導によって生じた電圧がグー1−電
極に与えられる電圧検出用電界効果トランジスタを含ん
で構成されている表面電位検出素子の複数のものを直線
的に配置して、被写体の一直線上の複数個所における個
々の個所の表面電位が前記した個別の表面電位検出素子
によって個別に検出されるようにするとともに、前記し
た複数個の表面電位検出′Mtの出力信号を時間軸上で
直列的に並ぶ時系列信号形態として出力できるように構
成されている検出ヘッドEDAで検出された1ライン分
(l I−I )の表面電位の検出結果と対応して出力
されたアナログ信号形態の出力信号を被減算信号とし、
また前記した記憶装置(ライン・メモリLM1)に記憶
させておいた信号、すなわち、被写体の光学像における
黒の部分と対応して被検出体(記録媒体)Dに生じる表
面電位vbに略々等しい値の予め定められた一定の表面
電位vbを有する領域について検出ヘッドEDAにより
1ライン分(IH)にわたって検出して、その状態で得
られたアナログ信号形態の出力信号をアナログ・デジタ
ル変換器ADCによりデジタル信号に変換してライン・
メモリLMIに記憶させておいた信号をデジタル・アナ
ログ変換器DACによりアナログ信号に変換した信号を
減算信号として求めた差信号を出力信号としているので
、その出力信号は被検出体の表面電荷の検出に使用され
た表面電位分布と対応する電気信号の発生装置(検出ヘ
ッドEDA)における複数個の表面電位検出素子の個々
のものに感度のばらつきがあっても、出力信号における
画像の黒と対応する信号の信号レベルは電圧vbにおい
て同一となされているから、出力信号における画像の白
から黒までの範囲では、被検出体の表面電荷の検出に使
用される表面電位分布と対応する電気信号の発生装置に
おける複数個の表面電位検出素子の個々のものの感度の
ばらつきの影響が、従来装置と比べて格段に軽減される
のであり、また、被検出体の表面電荷の検出に使用され
る表面電位分布と対応する電気信号の発生装置における
複数個の表面電位検出素子の個々のものの感度の補正用
の係数をメモリに記憶させておき、その感度補正用の係
数を用いて前記した出力信号を補正することにより前記
した被検出体の表面電荷の検出に使用される表面電位分
布と対応する電気信号の発生装置における複数個の表面
電位検出素子の個々のものの感度のばらつきのない出力
信号を得ることができるのであって、この本発明の表面
電位分布と対応する電気信号の発生装置では既述した従
来装置の問題点が良好に解決できる。(Effects of the Invention) As is clear from the detailed explanation above, the electric signal generation device corresponding to the surface potential distribution of the present invention can generate electrostatic signals corresponding to the surface potential of a specific part of the object to be detected. A plurality of surface potential detection elements each including a field effect transistor for voltage detection, in which a voltage generated by induction is applied to a gate electrode, are arranged in a straight line to detect individual points on a straight line of the subject. Means for individually detecting the surface potential at each location by the individual surface potential detection elements described above, and a time-series signal form in which the output signals of the plurality of surface potential detection elements described above are arranged in series on the time axis. 1
Detection of a region having a predetermined constant surface potential approximately equal to the surface potential that should be generated on the detected object corresponding to a black part in the optical image of the detected object. a storage device that stores one line of electrical signals based on the detected surface potential; one line of electrical signals sequentially detected from the detected object; and one line of electrical signals stored in the storage device. A generator for generating an electric signal corresponding to the surface potential distribution, comprising means for obtaining a difference signal from the electric signal, and a gate for generating a voltage generated by electrostatic induction corresponding to the surface potential of a specific part of the object to be detected. By linearly arranging a plurality of surface potential detection elements including field effect transistors for detecting pressure, which are attached to the electrodes, the surface potential detection elements at individual locations on a straight line of the subject are detected. means for individually detecting potentials by the individual surface potential detection elements described above, and one line in the form of a time-series signal in which the output signals of the plurality of surface potential detection elements described above are arranged in series on the time axis. and a means for converting the area into an electric signal of 1000 nm, and detecting a region having a predetermined constant surface potential approximately equal to the surface potential that should be generated on the detected object corresponding to the black part in the optical image of the object. A storage device that stores one line of electrical signals based on surface potentials detected, one line of electrical signals sequentially detected from the object to be detected, and one line of electrical signals stored in the storage device. means for obtaining a difference signal, a detection sensitivity information storage means for storing detection sensitivity information of each of the plurality of surface potential detection elements, and reading from the detection sensitivity information storage means. and means for correcting the above-mentioned difference signal using information on the detection sensitivity of each surface potential detection element, the present invention In an electric signal generating device that corresponds to the surface potential distribution of , the detection head ED is
An output signal in the form of an analog signal output corresponding to the detection result of the surface potential of one line (IH) detected at A is made to correspond to the subtracted signal, that is, the surface potential of a specific part of the detected object. A plurality of surface potential detection elements each including a field effect transistor for voltage detection, in which a voltage generated by electrostatic induction is applied to the electrode, are arranged in a straight line, and The surface potential of each of the plurality of locations is individually detected by the above-mentioned individual surface potential detection elements, and the output signals of the above-mentioned plurality of surface potential detection 'Mt are serially transmitted on the time axis. An output signal in the form of an analog signal is output in correspondence with the detection result of the surface potential for one line (I-I) detected by the detection head EDA, which is configured to be able to output it in the form of a time-series signal arranged in line. As the signal to be subtracted,
Also, the signal stored in the above-mentioned storage device (line memory LM1) is approximately equal to the surface potential vb generated on the detected object (recording medium) D corresponding to the black part in the optical image of the object. A region having a predetermined constant surface potential vb is detected over one line (IH) by the detection head EDA, and an output signal in the form of an analog signal obtained in that state is detected by an analog-to-digital converter ADC. Convert it to a digital signal and send it to the line.
The output signal is a difference signal obtained by subtracting the signal stored in the memory LMI and converted into an analog signal by the digital-to-analog converter DAC, so the output signal can be used to detect the surface charge of the object to be detected. Even if there are variations in sensitivity among the multiple surface potential detection elements in the electrical signal generation device (detection head EDA) that corresponds to the surface potential distribution used in Since the signal level of the signal is the same at voltage vb, in the range from white to black of the image in the output signal, an electric signal is generated that corresponds to the surface potential distribution used to detect the surface charge of the object to be detected. The influence of variations in the sensitivity of each of the multiple surface potential detection elements in the device is significantly reduced compared to conventional devices, and the surface potential distribution used to detect the surface charge of the object to be detected is A coefficient for correcting the sensitivity of each of the plurality of surface potential detection elements in the electric signal generating device corresponding to the electric signal is stored in a memory, and the above-mentioned output signal is corrected using the coefficient for sensitivity correction. As a result, it is possible to obtain an output signal without variations in sensitivity of each of the plurality of surface potential detection elements in the electric signal generating device that corresponds to the surface potential distribution used for detecting the surface charge of the object to be detected. Therefore, the problems of the conventional devices described above can be satisfactorily solved by the electric signal generating device corresponding to the surface potential distribution of the present invention.
第1図及び第4図はそれぞれ本発明の表面電位分布と対
応する電気信号の発生装置の実施例の概略構成を示すブ
ロック図、第2図は本発明装置の実施に用いられる記録
媒体の構成例を示す平面図、第3図及び第5図ならびに
第12図は動作説明用の特性側図、第6図は既提案の記
録装置のブロック図、第7図は既提案の表面電位分布と
対応する電気信号の発生装置の概略構成を示すブロック
図、第8図は検出ヘッドの構成例を示す斜視図、第9図
は検出ヘッドの動作説明用の波形側図、第10図は既提
案の表面電位分布と対応する電気信号の発生装置の実施
例の概略構成を示すブロック図、第11図は問題点を説
明するための波形図である。
1.2・検出ヘッドEDAにおける端子、3・・・偏光
子、4・・・光変調器、5・・・記録の対象にされてい
る情報信号源、6・・・検光子、8・・・レーザ光源、
7.9・・・レンズ、10・・・信号処理回路SDAの
出力端子、IL・・・電荷保持層として機能する絶縁層
、E・・・電極、WA・・・記録の対象にされている情
報信号によって強度変調されているレーザ光束をレンズ
7から出射できるように構成された記録系。
Etw・・・透明電極、PCE・・・光導電体層、E
DI。
ED2.ED3〜EDn・・・微小な相互間隔で等間隔
に一直線上に配列されている微小な電圧検出用電極、Q
I、 Q 2. Q 3− Q n−接続線、DPI
、DF2゜DF3〜DFn・・・電圧検出用電界効果ト
ランジスタ、S Fl、 S F2.S F3〜S F
n−スイッチング用電界効果トランジスタ、RQ・・
・負荷抵抗、SR・・・シフトレジスタ、E D A・
・・検出ヘッド、D・・・電荷像の検出の対象にされる
被検出体(記録媒体)、SDA・・・信号処理回路、v
P・・・被写体の光学像における黒の部分と対応して被
検出体(記録媒体)Dに生じる表面電位vbに略々等し
い値の予め定められた一定の表面電位vbを有するよう
な領域を有する基準電位設定部材、V b s・・・基
準電位設定部材VPの表面電位を、前述のように被写体
の光学像における黒の部分と対応して被検出体(記録媒
体)Dに生じる表面電位vbに略々等しい値の電圧値v
bにさせるための電源、V P a・・・記録媒体り自
体に構成させた一定の表面電位vbを有するような領域
、SW・・切換スイッチ、ADC・・・アナログ・デジ
タル変換器、DAC・・・デジタル・アナログ変換器、
LMI・・・ライン・メモリ、LM2・・・メモリ、S
UB・・・減算回路、MUL・・・乗算器、特許出願人
日本ビクター株式会社1 and 4 are block diagrams showing the schematic configuration of an embodiment of an electric signal generating device corresponding to the surface potential distribution of the present invention, respectively, and FIG. 2 is a configuration of a recording medium used to implement the device of the present invention. A plan view showing an example, FIGS. 3 and 5, and FIG. 12 are characteristic side views for explaining the operation, FIG. 6 is a block diagram of the previously proposed recording device, and FIG. 7 is a surface potential distribution of the previously proposed recording device. A block diagram showing a schematic configuration of a corresponding electric signal generating device, FIG. 8 is a perspective view showing an example of the configuration of the detection head, FIG. 9 is a waveform side view for explaining the operation of the detection head, and FIG. 10 is an already proposed one. FIG. 11 is a block diagram showing a schematic configuration of an embodiment of an electric signal generating device corresponding to the surface potential distribution of FIG. 1, and FIG. 11 is a waveform diagram for explaining problems. 1.2 Terminal in detection head EDA, 3... Polarizer, 4... Optical modulator, 5... Information signal source targeted for recording, 6... Analyzer, 8...・Laser light source,
7.9...Lens, 10...Output terminal of signal processing circuit SDA, IL...Insulating layer functioning as a charge retention layer, E...Electrode, WA...Target for recording A recording system configured so that a laser beam whose intensity is modulated by an information signal can be emitted from a lens 7. Etw...transparent electrode, PCE...photoconductor layer, E
D.I. ED2. ED3 to EDn...Minute voltage detection electrodes arranged in a straight line at even intervals with minute mutual intervals, Q
I, Q 2. Q 3- Q n- connection line, DPI
, DF2°DF3 to DFn...field effect transistors for voltage detection, S Fl, S F2. SF3~SF
N-switching field effect transistor, RQ...
・Load resistance, SR...shift register, EDA・
...Detection head, D...Object to be detected (recording medium) that is the object of charge image detection, SDA...Signal processing circuit, v
P...An area having a predetermined constant surface potential vb approximately equal to the surface potential vb generated on the object to be detected (recording medium) D corresponding to the black part in the optical image of the object. The surface potential of the reference potential setting member VP, V b s . A voltage value v approximately equal to vb
V P a...area configured on the recording medium itself to have a constant surface potential vb, SW...changeover switch, ADC...analog-to-digital converter, DAC... ...Digital-to-analog converter,
LMI...Line memory, LM2...Memory, S
UB...subtraction circuit, MUL...multiplier, patent applicant: Victor Japan Co., Ltd.
Claims (1)
導によって生じた電圧がゲート電極に与えられる電圧検
出用電界効果トランジスタを含んで構成されている表面
電位検出素子の複数のものを直線的に配置して、被写体
の一直線上の複数個所における個々の個所の表面電位が
前記した個別の表面電位検出素子によって個別に検出さ
れるようにする手段と、前記した複数個の表面電位検出
素子の出力信号を時間軸上で直列的に並ぶ時系列信号形
態の1ライン分の電気信号に変換する手段と、被写体の
光学像における黒の部分と対応して被検出体に生じるべ
き表面電位に略々等しい値の予め定められた一定の表面
電位を有する領域について検出された表面電位による1
ライン分の電気信号を記憶する記憶装置と、被検出体か
ら順次に検出された各1ライン分の電気信号と、前記し
た記憶装置に記憶させておいた1ライン分の電気信号と
の差信号を得る手段とを備えてなる表面電位分布と対応
する電気信号の発生装置 2、被検出体の特定な部分の表面電位と対応して静電誘
導によって生じた電圧がゲート電極に与えられる電圧検
出用電界効果トランジスタを含んで構成されている表面
電位検出素子の複数のものを直線的に配置して、被写体
の一直線上の複数個所における個々の個所の表面電位が
前記した個別の表面電位検出素子によって個別に検出さ
れるようにする手段と、前記した複数個の表面電位検出
素子の出力信号を時間軸上で直列的に並ぶ時系列信号形
態の1ライン分の電気信号に変換する手段と、被写体の
光学像における黒の部分と対応して被検出体に生じるべ
き表面電位に略々等しい値の予め定められた一定の表面
電位を有する領域について検出された表面電位による1
ライン分の電気信号を記憶する記憶装置と、被検出体か
ら順次に検出された各1ライン分の電気信号と、前記し
た記憶装置に記憶させておいた1ライン分の電気信号と
の差信号を得る手段と、前記した複数個の表面電位検出
素子の個々のものの検出感度の情報を記憶しておく検出
感度情報の記憶手段と、前記の検出感度情報の記憶手段
から読出された個々の表面電位検出素子の検出感度の情
報を用いて前記した差信号に対して補正を行う手段とを
備えてなる表面電位分布と対応する電気信号の発生装置[Claims] 1. A surface potential comprising a voltage detection field effect transistor whose gate electrode is given a voltage generated by electrostatic induction corresponding to the surface potential of a specific portion of the object to be detected. means for linearly arranging a plurality of detection elements so that the surface potentials of individual locations on a straight line of the subject are individually detected by the individual surface potential detection elements; means for converting the output signals of the plurality of surface potential detection elements into one line of electric signals in the form of time-series signals arranged in series on the time axis; 1 based on the surface potential detected in a region having a predetermined constant surface potential approximately equal to the surface potential that should occur on the detection object.
A storage device that stores electrical signals for a line, and a difference signal between each electrical signal for one line sequentially detected from the object to be detected and the electrical signal for one line stored in the storage device. a voltage detection device 2 for generating an electric signal corresponding to a surface potential distribution, comprising means for obtaining a surface potential distribution; By arranging a plurality of surface potential detection elements including field effect transistors in a straight line, the surface potential of each of the plurality of locations on a straight line of the subject is determined by the above-mentioned individual surface potential detection elements. means for converting the output signals of the plurality of surface potential detection elements described above into one line of electric signals in the form of time-series signals arranged in series on the time axis; 1 based on the surface potential detected in a region having a predetermined constant surface potential approximately equal to the surface potential that should be generated on the detected object corresponding to the black part in the optical image of the object.
A storage device that stores electrical signals for a line, and a difference signal between each electrical signal for one line sequentially detected from the object to be detected and the electrical signal for one line stored in the storage device. a detection sensitivity information storage means for storing detection sensitivity information of each of the plurality of surface potential detection elements; and a detection sensitivity information storage means for storing detection sensitivity information of each of the plurality of surface potential detection elements; A device for generating an electric signal corresponding to a surface potential distribution, comprising means for correcting the above-mentioned difference signal using information on the detection sensitivity of the potential detection element.
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CA000599106A CA1326880C (en) | 1988-05-10 | 1989-05-09 | Apparatus for detecting distribution of electric surface potential |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01299472A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005351627A (en) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Canon Inc | Electric potential measuring device and image forming device |
-
1988
- 1988-05-27 JP JP63129847A patent/JPH01299472A/en active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005351627A (en) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Canon Inc | Electric potential measuring device and image forming device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0579945B2 (en) | 1993-11-05 |
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