JPH01298602A - Manufacture of coated body and film - Google Patents

Manufacture of coated body and film

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Publication number
JPH01298602A
JPH01298602A JP63129751A JP12975188A JPH01298602A JP H01298602 A JPH01298602 A JP H01298602A JP 63129751 A JP63129751 A JP 63129751A JP 12975188 A JP12975188 A JP 12975188A JP H01298602 A JPH01298602 A JP H01298602A
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JP
Japan
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film
polymer
organic
complex
solution
Prior art date
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Pending
Application number
JP63129751A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihisa Kishimoto
岸本 芳久
Yoshito Uramoto
浦本 義人
Hiroyuki Kato
博之 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toagosei Co Ltd
Original Assignee
Toagosei Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toagosei Co Ltd filed Critical Toagosei Co Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
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  • Moulding By Coating Moulds (AREA)

Abstract

PURPOSE:To facilitate the control of the film thickness and manufacture of a film made of an organic electric charge transfer(CT) complex, which is free of pinholes and excellent in electric characteristics, and a coated body coated with the film by forming a polymer film on the surface of an electron donor medium and thereafter forming a CT complex therein. CONSTITUTION:A copper plate (transition metal base body) 1 with a predetermined thickness is cleaned with sulfuric acid water in a predetermined concentration so as to remove oxide on the surface thereof, followed by a polymer coating processing to obtain a polymer coating copper plate (polymer film). A predetermined quantity of 7,7,8,8-tetracyanodimethane TCNQ is added in acetonitrile while performing bubbling with nitrogen so as to adjust the saturated solution of TCNQ. The polymer film is dipped in the solution and left for a predetermined time while slowly agitating the whole of the solution, thereby generating organic CT complex on the polymer film. The copper plates with the surfaces coated with the organic complex are laminated, and on the obtained film 2 including the organic CT complex, Al is deposited so as to form an electrode 3.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は有機電荷移動錯体含有フィルム及び該フィルム
で被覆された被覆体の製造方法に関し、更に詳しくは、
可撓性に冨み、ピンホールがなく、かつスインチング機
能やメモリー機能などの電気特性が優れている有機電荷
移動錯体を含むフィルム及び該フィルムで被覆された被
覆体を、簡単に製造する方法に関する。
Detailed Description of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to a method for producing a film containing an organic charge transfer complex and a coating coated with the film, and more specifically,
A method for easily producing a film containing an organic charge transfer complex that is highly flexible, free of pinholes, and has excellent electrical properties such as a switching function and a memory function, and a covering covered with the film. .

(従来の技術) 7.7,8.8−テトラシアノキノジメタン(以下、T
CNQという)及びその類似化合物を電子受容体とする
有機電荷移動錯体(以下、有acT錯体という)は、有
機半導体として従来から活発に研究が進められてきてい
る。それら研究の1つとして17.S、pOteI!I
berらを発明者とする米国特許第4371883号、
同4507672号、同4652894号で開示されて
いるように、上述のを機CT錯体を、基体上に成長させ
た薄膜にあるしきい値以上の電界を膜厚方向に印加する
と、該薄膜の膜厚方向のインピーダンスが、比較的高い
インピーダンスから比較的低いインピーダンスへと変化
し、錯体化合物の種類によっては、その状態を記憶でき
ることから、新しいメモリー材料としての可能性が提案
されている。さらに、特表昭60−500587号で開
示されているように、光照射によってもこのようなスイ
ッチング効果を実現することが可能であるため、これは
新しい光メモリー材料としても注目されている。
(Prior art) 7.7,8.8-tetracyanoquinodimethane (hereinafter referred to as T
Organic charge transfer complexes (hereinafter referred to as acT complexes) using CNQ) and similar compounds thereof as electron acceptors have been actively researched as organic semiconductors. One of those studies is 17. S, pOteI! I
U.S. Pat. No. 4,371,883 to Ber et al.
As disclosed in Nos. 4,507,672 and 4,652,894, when an electric field equal to or higher than a threshold value is applied in the film thickness direction to a thin film grown on a substrate, the above-mentioned CT complex is grown on a substrate. The impedance in the thickness direction changes from a relatively high impedance to a relatively low impedance, and depending on the type of complex compound, the state can be memorized, so the possibility of it as a new memory material has been proposed. Furthermore, as disclosed in Japanese Patent Publication No. 60-500587, it is possible to achieve such a switching effect by light irradiation, so this is attracting attention as a new optical memory material.

しかも、この有機CT錯体薄膜はインピーダンスの変化
のみならず、同時に薄膜自体の色も大きく変化すること
が知られている。
Moreover, it is known that this organic CT complex thin film not only changes its impedance, but also the color of the thin film itself changes significantly.

例えば、 Japanese Journal of 
Applied Physics+VO1,25,N(
L4.1986.L、341−L、342に示されるよ
うに、ガラス板上に作成した有機CT錯体薄膜にレーザ
ービームを照射することにより、濃緑色から半透明淡緑
色へと可逆的に変化し、同時にその状態を保持すること
が可能である。
For example, Japanese Journal of
Applied Physics+VO1,25,N(
L4.1986. L, 341-L, 342, by irradiating an organic CT complex thin film prepared on a glass plate with a laser beam, it changes reversibly from dark green to translucent light green, and at the same time changes that state. It is possible to hold.

このように、99有識CT ti体体膜膜、新規なスイ
ッチング・メモリー材料であると同時に、エレクトロク
ロミズムやフォトクロミズムデバイスにも応用できる材
料である。
As described above, the 99-enriched CT ti body membrane is a novel switching memory material, and at the same time, it is a material that can be applied to electrochromism and photochromism devices.

ところで、これら有機CT錯体の製造方法としては、従
来からいくつかの方法が提案されている。
By the way, several methods have been conventionally proposed as methods for producing these organic CT complexes.

第1の方法は、有機電子受容体が溶解している溶液の中
に、銅、銀のような基体を浸漬して、この基体の表面に
、有機電子受容体と基体との反応による存aCT錯体の
薄膜を成長させるきいう、有機電子受容体溶液浸漬法で
ある。
The first method is to immerse a substrate such as copper or silver in a solution in which an organic electron acceptor is dissolved, and to form aCT on the surface of the substrate due to the reaction between the organic electron acceptor and the substrate. This is an organic electron acceptor solution immersion method used to grow thin films of complexes.

第2の方法は、上記したような基体を加熱しながら、こ
こに有機電子受容体を真空蒸着し、基体表面に有機CT
錯体の薄膜を成長させるという、固相蒸着拡散法である
The second method is to vacuum-deposit an organic electron acceptor on the substrate while heating it, and then apply organic CT to the surface of the substrate.
This is a solid-phase deposition diffusion method that grows a thin film of the complex.

第3の方法は、電気絶縁性の基板(例えばガラス基板)
の上に、銅、銀のような電子供与体と有機電子受容体と
の両者を蒸着したのち、全体を所定温度に加熱して有機
CT錯体の薄膜を成長させるという、蒸着熱成長法であ
る。
The third method is to use an electrically insulating substrate (for example, a glass substrate)
This is a thermal vapor deposition method in which both an electron donor such as copper or silver and an organic electron acceptor are deposited on top of the material, and then the entire structure is heated to a predetermined temperature to grow a thin film of an organic CT complex. .

第4の方法は、予め合成しである有IIICT錯体を所
定の樹脂溶液に分散せしめ、得られた分散液を適宜な厚
みで基板の上に塗布したのち乾燥するという、樹脂分散
法である。
The fourth method is a resin dispersion method in which a pre-synthesized IIICT complex is dispersed in a predetermined resin solution, the resulting dispersion is applied onto a substrate to a suitable thickness, and then dried.

(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記した構造方法には一長一短がある。(Problem to be solved by the invention) However, the above construction methods have advantages and disadvantages.

まず、第1の方法の場合、有機CT錯体薄膜の膜厚は、
基体の浸漬時間を変化させることにより容易に制’+8
することができるが、しかし得られた薄膜は脆く、可撓
性に欠け、しかもピンホールが発生し易いという欠点が
ある。第2、第3の方法の場合、得られた薄膜はそのス
イッチング特性に優れているが、しかし、製造装置は大
規模となり、膜厚制御が容易ではなく、そして大面積の
成膜は困難であるという問題を抱えている。更に、第4
の方法の場合、大面積の成膜は容易であるという利点を
有するが、しかし、得られた薄膜の電気特性、とりわけ
電気伝導度が小さいという問題がある。
First, in the case of the first method, the film thickness of the organic CT complex thin film is
Easily controlled by changing the immersion time of the substrate.
However, the thin film obtained is brittle, lacks flexibility, and is prone to pinholes. In the case of the second and third methods, the obtained thin films have excellent switching properties, but the manufacturing equipment is large-scale, film thickness control is not easy, and it is difficult to form films over large areas. I have a problem with that. Furthermore, the fourth
The method described above has the advantage that it is easy to form a film over a large area, but there is a problem in that the electrical properties of the obtained thin film, particularly the electrical conductivity, are low.

このように、従来から知られている方法には一長一短が
ある。本発明は、このような問題を解決し、膜厚制御が
容易であり、可撓性に富み、ピンホールの発生がなく、
しかも電気特性が優れている有機CT錯体のフィルム及
び該フィルムで被覆された被覆体を、簡単に製造する方
法の提供を目的とする。
As described above, conventionally known methods have advantages and disadvantages. The present invention solves these problems, has easy film thickness control, is highly flexible, does not generate pinholes, and
Moreover, it is an object of the present invention to provide a method for easily producing a film of an organic CT complex having excellent electrical properties and a covering covered with the film.

(課題を解決するための手段・作用) 本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を重
ねた結果、電子供与体である基体の表面に後述するポリ
マーフィルムを成膜したのち、その中に有機CTtf体
を形成すれば上記した目的を達成し得るとの事実を見出
し、本発明方法を開発するに至った。
(Means and effects for solving the problem) As a result of intensive research to achieve the above object, the present inventors formed a polymer film as described below on the surface of a substrate that is an electron donor, and then The inventors discovered that the above object can be achieved by forming an organic CTtf body therein, and developed the method of the present invention.

すなわち、本発明の電荷移動錯体含有フィルムで被覆さ
れた被覆体の製造方法は、少なくとも表面は遷移金属か
らなる基体の該表面をポリマーで被覆する工程(第1工
程):及び、前記ポリマー被覆基体を、電気化学的に中
性でかつ前記遷移金属と電荷移動錯体を形成する有機電
子受容体を含有する溶液に浸漬する工程(第2工程):
を具備することを特徴とし、また、該フィルムの製造方
法は、上記工程に続けて、更に被覆されたポリマーを基
体から剥離する工程を具備することを特徴とする特 第1工程は、基体の表面を後述するポリマーで被覆して
そのポリマーのフィルムを形成する工程である。
That is, the method for producing a coated body coated with a charge transfer complex-containing film of the present invention includes the steps of: coating the surface of a substrate at least the surface of which is made of a transition metal with a polymer (first step); is immersed in a solution containing an organic electron acceptor that is electrochemically neutral and forms a charge transfer complex with the transition metal (second step)
Further, the method for producing the film is characterized in that, following the above step, the method further comprises a step of peeling off the coated polymer from the substrate. This is a step of coating the surface with a polymer to be described later to form a film of the polymer.

ここで、基体の表面は遷移金属で構成されている。この
遷移金属としては、後述する有機電子受容体と電荷移動
錯体(以下CTjf体と称する)を形成することが可能
なものであればよく、例えば、銅、i艮、コバルト、ニ
ンケル、鉄、マンガンなどをあげることができるが、用
いる有機電子受容体との反応性、得られた有ja c 
Tt=体の安定性、そして得られた有機C719体のス
イッチング特性、およびそのメモリー特性の面からする
と、特に、銅、銀のいずれかまたは両方であることが望
ましい。また基体としては、金属箔、金属板、金属塊、
金属片など金属単体そのものから成るものの外に、銅張
り積層板のような絶縁体の表面に蒸着、メツキ等の手段
により上記した遷移金属の層を形成したものなどの複合
材料であってもよい。
Here, the surface of the substrate is composed of a transition metal. This transition metal may be any metal as long as it is capable of forming a charge transfer complex (hereinafter referred to as CTjf body) with the organic electron acceptor described below, such as copper, cobalt, nickel, iron, and manganese. etc., but the reactivity with the organic electron acceptor used, the obtained electron
From the viewpoint of Tt=body stability, switching properties of the obtained organic C719 body, and its memory properties, it is particularly desirable to use copper, silver, or both. In addition, as a substrate, metal foil, metal plate, metal block,
In addition to materials consisting of a single metal itself such as a metal piece, it may also be a composite material such as one in which a layer of the above-mentioned transition metal is formed on the surface of an insulator such as a copper-clad laminate by means such as vapor deposition or plating. .

この基体表面を被覆するために用いられるポリマーは、
後述する有機電子受容体と遷移金属とのCT錯体化反応
を著しく妨げることなく、適度な電気絶縁性と可撓性、
成形加工性を備え、かっ、引き続き第2工程で行われる
CT錯体形成時に使用される有機電子受容体台を溶液に
用いる溶剤に対して、溶解、膨潤等を起さないという性
質を有していることが必要である。
The polymer used to coat this substrate surface is
Appropriate electrical insulation and flexibility without significantly interfering with the CT complexing reaction between an organic electron acceptor and a transition metal, which will be described later.
It has moldability, and also has the property of not dissolving or swelling in the solvent used as a solution for the organic electron acceptor stand used in the subsequent second step of CT complex formation. It is necessary to be present.

このようなポリマーとしては、ポリエステル、ポリアミ
ド、ポリエステルアミドの1種または2種以上を主成分
とするものであることが好ましい。
Preferably, such a polymer contains one or more of polyester, polyamide, and polyester amide as a main component.

その場合、これらポリマーは、このポリマーをm−クレ
ゾールに溶解してそのポリマー濃度が0.25 glo
、25 d 42テある樹脂溶液の、40’Cにおいて
JIS K 6810に準じて測定される還元粘度(7
7s1)/C)が0.2〜1.Odf/gとなるような
重合度であることが好ましい。
In that case, these polymers can be prepared by dissolving the polymer in m-cresol so that the polymer concentration is 0.25 glo
, 25 d The reduced viscosity (7
7s1)/C) is 0.2 to 1. It is preferable that the degree of polymerization is Odf/g.

この還元粘度が0.2df/g未満となるようなポリマ
ーを用いた場合は、そのポリマーの凝集力が弱いため成
膜されたフィルムの可撓性が劣り、基体表面との密着性
が不充分となり、更には、後述の第2工程において溶剤
へのポリマーの溶解または溶剤による膨潤が起って、フ
ィルムの変形が進むという不都合を招く、また、この還
元粘度が1、Odj!/gを超えるようなポリマーの場
合は、表面遷移金属との濡れが悪くなって密着性の低下
を招くとともに、第2工程において、有機電子受容体の
ポリマー中への浸透拡散速度が低下し、目的とする有機
CT錯体を形成する能力が落ちる。
If a polymer with a reduced viscosity of less than 0.2 df/g is used, the cohesive force of the polymer is weak, resulting in poor flexibility of the formed film and insufficient adhesion to the substrate surface. Furthermore, in the second step described below, the polymer dissolves in the solvent or swells due to the solvent, leading to the inconvenience of further deformation of the film. /g, the wetting with the surface transition metal becomes poor, leading to a decrease in adhesion, and in the second step, the permeation diffusion rate of the organic electron acceptor into the polymer decreases, The ability to form the desired organic CT complex is reduced.

基体表面をポリマーで被覆する方法としては、通常、塗
布方法が採用される。この場合の塗布方法としては、ポ
リマーを塩化メチレンのような溶剤に溶解して成る溶液
あるいは溶解ポリマーをそのまま基体表面に塗布する方
法の外、一般に知られているロールコータ−、バーコー
ター等ヲ用いた方法を適用することができる。このとき
、ポリマーの量、ポリマー濃度を任意に変えることによ
り、成膜されたポリマーフィルムの膜厚を任意の厚さに
制御することが可能である。
A coating method is usually employed to coat the surface of the substrate with a polymer. In this case, coating methods include a solution prepared by dissolving the polymer in a solvent such as methylene chloride, or a method in which the dissolved polymer is directly coated on the substrate surface, as well as a generally known method such as a roll coater or a bar coater. method can be applied. At this time, by arbitrarily changing the amount of polymer and polymer concentration, it is possible to control the thickness of the formed polymer film to an arbitrary thickness.

この場合、第2工程における遷移金属と有機電子受容体
との反応時における反応速度、並びに、得られた有MA
 c ’r jf体金含有フィルムスイッチング特性、
および、そのメモリー特性の観点からすると、0.01
〜10μm、好ましくは、0.1〜10μmであること
が望ましい。
In this case, the reaction rate during the reaction between the transition metal and the organic electron acceptor in the second step, and the obtained MA
c'r jf body gold-containing film switching characteristics,
And from the point of view of its memory characteristics, 0.01
It is desirable that the thickness be 10 μm, preferably 0.1 to 10 μm.

第1工程で成膜されるポリマーフィルムの膜厚が厚すぎ
ると、第2工程における有機電子受容体のポリマーフィ
ルム中への浸透拡散速度が低下し、フィルム中に有機C
T錯体を形成する能力が落ちる。また、ポリマーフィル
ムの膜厚が薄すぎるとピンホールの発生等を惹起する傾
向が大となる。
If the polymer film formed in the first step is too thick, the rate of permeation and diffusion of the organic electron acceptor into the polymer film in the second step will decrease, and the organic carbon in the film will decrease.
The ability to form T-complexes is reduced. Furthermore, if the thickness of the polymer film is too thin, there is a strong tendency for pinholes to occur.

基体表面をポリマーで被覆したのち、必要に応じて全体
を乾燥する。
After the surface of the substrate is coated with the polymer, the entire surface is dried if necessary.

第2工程は、第1工程で成膜したポリマーフィルムの中
に有機CT錯体を生成せしめる工程である。
The second step is a step in which an organic CT complex is generated in the polymer film formed in the first step.

この工程においては、後述のを機電子受容体が含有され
、電気化学的に中性である溶液の中に、第1工程で製造
したポリマー被覆基体を浸漬する。
In this step, the polymer-coated substrate produced in the first step is immersed in an electrochemically neutral solution containing an electron acceptor as described below.

このことにより、溶液中の有機電子受容体はポリマーフ
ィルムに浸透拡散し、基体表面を構成する遷移金属との
間でCT錯体反応を起して、ポリマ−フィルム内に打機
CT錯体が形成される。
As a result, the organic electron acceptor in the solution permeates and diffuses into the polymer film, causes a CT complex reaction with the transition metal constituting the substrate surface, and forms a CT complex within the polymer film. Ru.

本発明方法で用いる有機電子受容体としては、シアノメ
チレン官能基を有する化合物とりわけキノン、アフトキ
ノン骨格とジシアノメチレン基を有する化合物が好適で
ある。このうちでも、とくに、TCNQはCT s=体
体形能能強く、得られたフィルムのスイッチング等の電
気的特性、また錯体の安定性が優れていること等からし
て適当である。
As the organic electron acceptor used in the method of the present invention, compounds having a cyanomethylene functional group, particularly compounds having a quinone or aphthoquinone skeleton and a dicyanomethylene group are suitable. Among these, TCNQ is particularly suitable because it has strong CT s = body shape ability, excellent electrical properties such as switching of the resulting film, and excellent stability of the complex.

これら有機電子受容体を、極性のある非プロトンン容剤
、例えばアセトニトリル、ジオキサン、N1N−ジメチ
ルフォルムアマイド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメ
チルホスホルアミド、メチルエチルケトン等に溶解して
、本発明にかかる溶液が調製される。
The solution according to the present invention is prepared by dissolving these organic electron acceptors in a polar aprotic medium such as acetonitrile, dioxane, N1N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphoramide, methyl ethyl ketone, etc. Ru.

この溶液における有機電子受容体の濃度は特に制限され
るものではないが、溶剤100重量部に対し0.01重
量部〜飽和濃度、好ましくは、0.1重量部〜飽和濃度
が適当である。
The concentration of the organic electron acceptor in this solution is not particularly limited, but is suitably 0.01 parts by weight to saturation concentration, preferably 0.1 parts by weight to saturation concentration, per 100 parts by weight of the solvent.

有機CT錯体は、10〜30℃の温度で形成することが
できるが、しかし、用いる有機電子受容体と基体表面の
i!!移金属との組合わせによっては、CT錯体化反応
が急激に進み、緻密で均一な目的フィルムが得にくい場
合がある。そのような場合は必要に応じて用いる溶液を
冷却すればよい。
Organic CT complexes can be formed at temperatures between 10 and 30°C, however, when the organic electron acceptor used and the i! ! Depending on the combination with the transfer metal, the CT complexation reaction may proceed rapidly, making it difficult to obtain a dense and uniform target film. In such a case, the solution used may be cooled if necessary.

また、逆に錯体化反応が遅く、有機CT錯体含有フィル
ムの形成に長時間を要する場合は必要に応じて溶液を加
熱することができる。
On the other hand, if the complexation reaction is slow and it takes a long time to form an organic CT complex-containing film, the solution can be heated as necessary.

ポリマー被覆基体の溶液への必要な浸漬時間は、用いる
有機電子受容体と遷移金属との組合わせ、或いはポリマ
ーフィルムの膜厚に大きく依存するが、一般に、浸漬時
間が短かすぎると、CT Rt体化反応が充分に進行し
ていないため、得られた有機CTtiF体含有フィルム
の電導度は低くなり、充分なスイッチング特性及びその
メモリー特性が得られない。逆に、長時間浸漬しすぎる
と、ポリマーフィルムが変形、膨潤してしまうおそれが
あるが、スイッチング特性及びそのメモリー特性への影
響は少ない。
The required immersion time of the polymer-coated substrate in the solution largely depends on the combination of organic electron acceptor and transition metal used or the thickness of the polymer film, but in general, if the immersion time is too short, CT Rt Since the incorporation reaction has not progressed sufficiently, the electrical conductivity of the obtained organic CTtiF body-containing film becomes low, and sufficient switching characteristics and memory characteristics thereof cannot be obtained. On the other hand, if the polymer film is immersed for too long, there is a risk that the polymer film will deform and swell, but this will have little effect on the switching characteristics and memory characteristics.

しかしながら、有@CT錯体の成長に伴い、ポリマーフ
ィルムと基体との密着性は徐々に減少するため、有4t
!cTt=体含有フィルムの被覆体の製造を目的とし、
該フィルムと基体との密着性を要求する場合には、必要
以上に浸漬時間を長くすることは避けるべきである。
However, with the growth of the CT complex, the adhesion between the polymer film and the substrate gradually decreases;
! cTt=for the purpose of producing a coating of body-containing film;
When adhesion between the film and the substrate is required, it should be avoided to extend the immersion time longer than necessary.

好ましい浸漬時間は、通常10秒がら1時間である。Preferred soaking times are usually 10 seconds to 1 hour.

なお、有QICTti体の形成の有無は電気的特性の測
定より調べることができるが、簡便な方法としては、例
えばTCNQ溶液が薄黄色であるのに対して、その有機
CT錯体が黒色であることを利用したフィルムの色の変
化により判別することもできる。
The presence or absence of the formation of QICTti bodies can be investigated by measuring electrical properties, but a simple method is, for example, if the TCNQ solution is pale yellow, while the organic CT complex is black. It can also be determined by the change in color of the film.

かくして、基体の表面には、有機CT錯体を含有するポ
リマーフィルムが形成される。このフィルムを洗浄し、
乾燥することにより、実用に供することができる。
Thus, a polymer film containing the organic CT complex is formed on the surface of the substrate. Wash this film and
By drying, it can be put to practical use.

洗浄処理は、通常フィルム形成に用いたポリマーに対す
る溶解力の低い溶剤、例えば、メチルアルコール、エチ
ルアルコールなどのアルコール系ig 剤、ヘンゼン、
トルエン、ヘキサン等の炭化水素系溶剤、或いは水など
を用いることが適当である。また、乾燥は、室温から1
00 ’C程度の温度で、常圧或は減圧にて5分から1
時間程度おこなうことが適切である。
The cleaning treatment is usually carried out using a solvent with low dissolving power for the polymer used for film formation, such as an alcohol-based ig agent such as methyl alcohol or ethyl alcohol, Hensen,
It is appropriate to use a hydrocarbon solvent such as toluene or hexane, or water. Also, drying can be done from room temperature to 1
At a temperature of about 00'C, at normal pressure or reduced pressure, for 5 minutes to 1 hour.
It is appropriate to do this for about an hour.

また、本発明における有nCT錯体含有フィルムの製造
は、有機CT錯体含有フィルムで被覆された被覆体から
該フィルムを剥離することにより行なわれる。この有機
c”rtf体含有フィルムは、有a c ’r iff
体を形成するための前記浸漬時間を、被覆体を製造する
場合の1.5〜10倍にするか、又は有機電子受容体溶
液の液温を被覆体製造時の温度より5〜50’C程度上
昇させることにより、基体から容易に剥離することがで
きる。このようにして製造された有機CT錯体含有フィ
ルムは、他の適当な基体に貼着するなどして、被覆体に
関して既述した用蓮に利用するこ七ができる。
Further, the production of the nCT complex-containing film in the present invention is carried out by peeling off the organic CT complex-containing film from the coating. This organic c'rtf-containing film has a
The immersion time for forming the body is 1.5 to 10 times that for producing the coating, or the temperature of the organic electron acceptor solution is 5 to 50'C higher than the temperature at the time of producing the coating. By increasing the degree of separation, it can be easily peeled off from the substrate. The organic CT complex-containing film produced in this way can be used in the applications described above with respect to the coating, such as by being attached to other suitable substrates.

(発明の実施例) 合成例1 ジメチルテレフタレート45モル%、1.4−ブタンジ
オール200モル%、および触媒としてt−ブチルチタ
ネート0.02モル%を配合し、窒素気流中において温
度140〜190 ’Cでエステル交換反応を進めた。
(Embodiments of the Invention) Synthesis Example 1 45 mol% dimethyl terephthalate, 200 mol% 1,4-butanediol, and 0.02 mol% t-butyl titanate as a catalyst were blended at a temperature of 140 to 190' in a nitrogen stream. The transesterification reaction proceeded with C.

エステル交換反応終了後、得られたエステル化物に、イ
ソフタル酸15モル%、アジピン酸40モル%を加え、
温度190〜210°Cでエステル化反応を行った後、
昇温と減圧を同時に行い、5閤jig、210〜270
°Cにて重合を進め、重合物の還元粘度が0.65dA
/gに達した時点で反応を終結せしめた。テレフタル酸
残基45モル当量、イソフタル酸残基15モル当量、ア
ジピン酸残基40モル当量、1,4−ブタンジオール残
基100モル当量よりなるポリエステル樹脂(これをポ
リマー1という)が得られた。
After completion of the transesterification reaction, 15 mol% of isophthalic acid and 40 mol% of adipic acid were added to the obtained esterified product,
After carrying out the esterification reaction at a temperature of 190 to 210 °C,
Raise the temperature and reduce the pressure at the same time, 5 jig, 210-270
The polymerization proceeded at °C, and the reduced viscosity of the polymer was 0.65 dA.
/g, the reaction was terminated. A polyester resin (referred to as Polymer 1) consisting of 45 molar equivalents of terephthalic acid residues, 15 molar equivalents of isophthalic acid residues, 40 molar equivalents of adipic acid residues, and 100 molar equivalents of 1,4-butanediol residues was obtained. .

合成例2 上記したポリマー1を200g (100重量部)採取
し、これを240°Cの油浴中で溶融し、ここにナイロ
ン11(日本リルサン■製)60g(30重量部)、お
よびエチレングリコール6g(3重置部)を加え、窒素
気流下、還流状態で4時間反応させ、さらに5+nm1
1gの減圧下で1時間反応を進めた。還元粘度0.85
dN/gのポリエステルアミド樹脂(これをポリマー2
という)が得られた。
Synthesis Example 2 200g (100 parts by weight) of the above Polymer 1 was collected and melted in an oil bath at 240°C, and 60g (30 parts by weight) of Nylon 11 (manufactured by Nippon Rilsan ■) and ethylene glycol were added thereto. Add 6g (triplicate) and react under reflux for 4 hours under a nitrogen stream, and then add 5+nm1
The reaction was allowed to proceed for 1 hour under a vacuum of 1 g. Reduced viscosity 0.85
dN/g polyesteramide resin (polymer 2
) was obtained.

合成例3 合成例1と同様のエステル交換反応及び重合反応を行い
、得られたポリマーの還元粘度が0.18d N7gに
達した時点で反応を終結せしめた。ポリマーlと同様の
組成のポリエステル樹脂(これをポリマー3という)が
得られた。
Synthesis Example 3 The same transesterification and polymerization reactions as in Synthesis Example 1 were carried out, and the reaction was terminated when the reduced viscosity of the obtained polymer reached 0.18dN7g. A polyester resin (referred to as Polymer 3) having the same composition as Polymer 1 was obtained.

合成例4 合成例1と同様のエステル交換反応及び重合反応を行い
、得られたポリマーの還元粘度が1.20d f/gに
達した時点で反応を終結せしめた。ポリマー1と同様の
組成のポリエステル樹脂(これをポリマー4という)が
得られた。
Synthesis Example 4 The same transesterification and polymerization reactions as in Synthesis Example 1 were carried out, and the reaction was terminated when the reduced viscosity of the obtained polymer reached 1.20 df/g. A polyester resin having the same composition as Polymer 1 (referred to as Polymer 4) was obtained.

実施例1 厚さ100μmの銅板(20mmX50ai)を5重量
%硫酸水溶液に浸漬して表面酸化物等を除去した後、純
水で3回洗浄し室温で乾燥した。
Example 1 A copper plate (20 mm x 50 ai) with a thickness of 100 μm was immersed in a 5% by weight sulfuric acid aqueous solution to remove surface oxides, and then washed three times with pure water and dried at room temperature.

ポリマー1の3重量%塩化メチレン溶液を調製し、ここ
に上記銅板を浸漬したのち、銅板を徐々に引き上げ水平
に保ちながら40°Cで5分間乾燥した。更に減圧下(
数mmHg)で1時間、室温で乾燥した。ポリマー被覆
銅板(ポリマーフィルムの膜厚:2μm)が得られた。
A 3% by weight methylene chloride solution of Polymer 1 was prepared, and the copper plate was immersed therein, and then the copper plate was gradually pulled up and dried at 40°C for 5 minutes while keeping it horizontal. Further under reduced pressure (
It was dried at room temperature for 1 hour under several mmHg). A polymer-coated copper plate (polymer film thickness: 2 μm) was obtained.

7.7.8.8−テトラシアノキノジメタン(日本カー
リント−製、工業用)1.0gをアセトニトリル(試薬
特級)50aj!中に窒素ガスをバブリングしながら加
えてTCNQの飽和溶液を調製した。
7.7.8.8-Tetracyanoquinodimethane (manufactured by Nippon Carlint, industrial use) 1.0 g was mixed with acetonitrile (special grade reagent) 50aj! A saturated solution of TCNQ was prepared by bubbling nitrogen gas into the solution.

このTCNQ飽和溶液中に、室温下において、ポリマー
被覆銅板を浸漬し、全体を緩く撹拌しながら5分間放置
し、ポリマーフィルム中に有機CT錯体を成長させた。
A polymer-coated copper plate was immersed in this TCNQ saturated solution at room temperature, and the whole was left to stand for 5 minutes while being gently stirred to grow an organic CT complex in the polymer film.

ついで銅板を取り出し、アセトニトリルで2回、メチル
アルコール(試薬特級)で2回洗浄した後、室温で風乾
し、更に減圧下(数mmmm1lで2時間乾燥した0表
面に有機CT錯体含有フィルが形成されているw4仮が
得られた。このフィルムはピンホールの発生も認められ
ず、有機CT錯体形成前のフィルムと同様に柔軟であり
、かつ容易に取り扱いができるものであった。
Next, the copper plate was taken out, washed twice with acetonitrile and twice with methyl alcohol (reagent grade), air-dried at room temperature, and further dried under reduced pressure (several mm mm 1 liter for 2 hours). An organic CT complex-containing film was formed on the surface. This film did not show any pinholes, was as flexible as the film before forming the organic CT complex, and could be easily handled.

得られた銅板を用いて、第1図のようなサンドウィッチ
型セルを製作した。すなわち、銅板1の表面を被覆する
有acTti体含有フィルム2の上に、アルミニウムを
真空茅着(蒸着面積:28dm+”)して電極3を形成
した。
Using the obtained copper plate, a sandwich type cell as shown in FIG. 1 was manufactured. That is, on the acTti body-containing film 2 covering the surface of the copper plate 1, aluminum was vacuum deposited (deposition area: 28 dm+'') to form the electrode 3.

この試料セルに、銅電極(銅板l)に対し、0.01V
 /secの掃引速度で下記のサイクルの電圧を印加し
、その時の電流−電圧特性を測定した。
In this sample cell, 0.01V is applied to the copper electrode (copper plate l).
The following cycle of voltage was applied at a sweep rate of /sec, and the current-voltage characteristics at that time were measured.

電圧印加サイクル Nα1    0 →  −1O No、2  −10  →    0 NL13   0 →  +l0 k4   +10 −  −1O Nα5   −10  →  +10 (Nα4がら2
4時間後) この結果を第2図及び表1に示した。第2図から明らか
なように、初期状態(off状態、すなわち、高抵抗状
態)においては、0〜−10V及び0〜5■付近までは
その状態を保持し、掃引電圧がしきい値(vth)であ
る5、2■を超えると急激にフィルムの抵抗値が減少(
線3)して電流値が増加する典型的なスイッチング現象
を示す。そして−旦この抵抗状態に移行すると、この状
態が保持され、−1O〜IOVの範囲内で双方向に対し
て低抵抗状態となる(線4)。しかもこの抵抗状態は、
24時間後においてもほぼ完全に保持されている(線5
)。
Voltage application cycle Nα1 0 → −1O No, 2 −10 → 0 NL13 0 → +l0 k4 +10 − −1O Nα5 −10 → +10 (Nα4 from 2
4 hours later) The results are shown in FIG. 2 and Table 1. As is clear from Fig. 2, in the initial state (off state, i.e., high resistance state), the state is maintained from 0 to -10V and from 0 to 5V, and the sweep voltage is set to the threshold value (vth ), the resistance value of the film decreases rapidly (
Line 3) shows a typical switching phenomenon where the current value increases. Once this resistance state is reached, this state is maintained and the resistance state becomes low in both directions within the range of -10 to IOV (line 4). Moreover, this state of resistance is
Almost completely retained even after 24 hours (line 5)
).

実施例2 銅板の代わりにガラスエポキシ銅張り積層板(松下電工
■製、R−1701)を用い、ポリマー溶液としてポリ
マー2の1重量%塩化メチレン溶液を用いたことを除い
ては、実施例1と同様にして厚さ約0.5μmのポリマ
ーフィルムを積N板表面に形成した。ついで、これを実
施例1と同様のTCNQ飽和溶液に10分間浸漬した。
Example 2 Example 1 except that a glass epoxy copper-clad laminate (manufactured by Matsushita Electric Works, R-1701) was used instead of the copper plate, and a 1% by weight methylene chloride solution of Polymer 2 was used as the polymer solution. In the same manner as above, a polymer film having a thickness of about 0.5 μm was formed on the surface of the N-laminated plate. This was then immersed in the same TCNQ saturated solution as in Example 1 for 10 minutes.

実施例1の場合と同様に可撓性のある有機CT19体含
有フィルムが得られた。このフィルムのスイッチング特
性及びそのメモリー特性を実施例1の場合と同様にして
測定した。その結果を表1に示す、このように電導度に
して4桁以上もの差を有するスイッチング特性とそのメ
モリー特性かえられた。
As in Example 1, a flexible organic CT19-containing film was obtained. The switching characteristics and memory characteristics of this film were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1. As can be seen, the switching characteristics and memory characteristics were changed by more than four orders of magnitude in electrical conductivity.

実施例3 銅板の代わりに銀板(20mX50I+11、厚さ10
0μm)を用い、ポリマー溶液として共重合ポリアミド
樹脂:キャニー・ボンドS−200(還元粘度0.12
dl/g、東亜合成化学工業■製)の塩化メチレン2重
量%溶液を用いたことを除いては、実施例1と同様にし
て厚さ約1μmのポリマーフィルムを銀板表面に形成し
た。ついで、これを実施例1と同様にして、TCNQの
メチルエチルケトン0.4%溶液に10分間浸漬して、
有機CT錯体含有フィルムを成膜した。また、同様にそ
のスイッチング特性及びそのメモリー特性を測定した。
Example 3 Silver plate (20m x 50I+11, thickness 10
Copolymerized polyamide resin: Canny Bond S-200 (reduced viscosity 0.12
A polymer film having a thickness of about 1 μm was formed on the surface of a silver plate in the same manner as in Example 1, except that a 2% by weight solution of methylene chloride (dl/g, manufactured by Toagosei Chemical Industry Co., Ltd.) was used. Then, in the same manner as in Example 1, this was immersed in a 0.4% solution of TCNQ in methyl ethyl ketone for 10 minutes.
An organic CT complex-containing film was formed. In addition, the switching characteristics and memory characteristics were similarly measured.

その結果を表1に示した。The results are shown in Table 1.

実施例4 ポリマーとしてポリマー1を150℃で溶融しながら熱
プレスで延伸して銅板の表面に厚さ約0.5μmのポリ
マーフィルムを形成したことを除いては、実施例1と同
様にして可撓性のある有機CT錯体含有フィルムを作成
した。同様にして、このフィルムのスイッチング特性及
びそのメモリー特性を測定した。その結果を表1に示し
た。
Example 4 The same procedure as in Example 1 was carried out, except that Polymer 1 was melted at 150°C and stretched using a hot press to form a polymer film with a thickness of about 0.5 μm on the surface of the copper plate. A flexible organic CT complex-containing film was created. Similarly, the switching characteristics and memory characteristics of this film were measured. The results are shown in Table 1.

実施例5 実施例1と同じ条件で、ポリマー被覆銅板を、TCNQ
飽和?8′m、中に5分間浸漬し、ポリマーフィルム中
に有機CT錯体を成長させた。
Example 5 Under the same conditions as Example 1, a polymer-coated copper plate was coated with TCNQ.
Saturation? 8'm for 5 minutes to grow an organic CT complex in the polymer film.

その後銅板を溶液から取り出さず、40°Cで25分間
放置した。
Thereafter, the copper plate was left at 40°C for 25 minutes without being removed from the solution.

ポリマー薄膜は端部から剥離し始゛め、ピンセットで容
易にはがすことができた。実施例1と同様に洗浄・乾燥
を行ないを機CT錯体含有フィルムを得た。
The polymer thin film began to peel off from the edges and could be easily peeled off with tweezers. Washing and drying were performed in the same manner as in Example 1 to obtain a CT complex-containing film.

(以下余白) 比較参考例1 ポリマー溶液としてポリマー3の2重量%塩化メチレン
溶液を用いたことを除いては、実施例1と同様にして厚
さ約1μmのポリマーフィルムを銅板表面に形成した。
(The following is a blank space) Comparative Reference Example 1 A polymer film with a thickness of about 1 μm was formed on the surface of a copper plate in the same manner as in Example 1, except that a 2% by weight methylene chloride solution of Polymer 3 was used as the polymer solution.

ついで、これを実施例1と同様にTCNQ飽和溶液に浸
漬した。CT錯体化反応は進んだが、ポリマーが膨潤、
変形した。更にそのスイッチング特性を測定しようとし
たが、ピンホールの発生により、両電極間が導通状態に
なり、測定不能であった。
This was then immersed in a TCNQ saturated solution in the same manner as in Example 1. Although the CT complexation reaction progressed, the polymer swelled and
Deformed. Furthermore, an attempt was made to measure the switching characteristics, but due to the generation of pinholes, conduction occurred between the two electrodes, making it impossible to measure.

比較参考例2 ポリマー溶液としてポリマー4の2重量%塩化メチレン
溶液を用いたことを除いては、実施例1と同様にして厚
さ約2μmのポリマーフィルムを銅板表面に形成した。
Comparative Reference Example 2 A polymer film with a thickness of about 2 μm was formed on the surface of a copper plate in the same manner as in Example 1, except that a 2% by weight methylene chloride solution of Polymer 4 was used as the polymer solution.

ついで、これを実施例1と同様にTCNQ飽和溶液に浸
漬した。1時間浸漬しても、フィルムの色があまり変化
せずCT錯体化反応が進まないことがわかり、目的とす
る有機CT錯体含有フィルムは得られなかった。
This was then immersed in a TCNQ saturated solution in the same manner as in Example 1. Even after immersion for 1 hour, it was found that the color of the film did not change much and the CT complexation reaction did not proceed, and the desired organic CT complex-containing film could not be obtained.

比較参考例3 ポリマー?容液として、ポリメチルメタクリレ−) (
PMMA、試薬Aldrichi製、数平均分子量12
000、還元粘度0.73dJ2/g)の2重量%塩化
メチレン溶液を用いたことを除いては、実施例1と同様
にして厚さ約1μmのポリマーフィルムを銅板表面に形
成した。ついで、これを実施例1と同様にTCQN飽和
溶液に浸漬した。CT錯体化反応は進んだが、ポリマー
が膨潤、変形した。
Comparison Reference Example 3 Polymer? As a solution, polymethyl methacrylate) (
PMMA, reagent manufactured by Aldrich, number average molecular weight 12
A polymer film having a thickness of approximately 1 μm was formed on the surface of a copper plate in the same manner as in Example 1, except that a 2% by weight methylene chloride solution having a reduced viscosity of 0.000 and reduced viscosity of 0.73 dJ2/g) was used. This was then immersed in a TCQN saturated solution in the same manner as in Example 1. Although the CT complexation reaction progressed, the polymer swelled and deformed.

更にそのスイッチング特性を測定しようとしたところ、
ビンホー/lzの発生により、両電極間が導通状態にな
っていて、測定不能であった。
Furthermore, when I tried to measure its switching characteristics,
Due to the occurrence of binho/lz, conduction was established between both electrodes, making measurement impossible.

(発明の効果) 以上の説明で明らかなように、本発明方法は、可撓性に
冨み、ピンホールもなく、しかも良好なスイッチング特
性、メモリー特性を有する有機CT錯体含有フィルム及
び該フィルムで被覆された被覆体を、掻めて簡単に製造
することができ、更にはその膜厚制御も容易に行なうこ
とができるので、新しい機能性薄膜、スイッチング素子
、メモリー素子を製造する方法としてその工業的価値は
大である。
(Effects of the Invention) As is clear from the above explanation, the method of the present invention provides an organic CT complex-containing film that is highly flexible, has no pinholes, and has good switching and memory properties, and a film containing the organic CT complex. The coated body can be easily manufactured by scratching, and the film thickness can also be easily controlled, making it an ideal industrial method for manufacturing new functional thin films, switching devices, and memory devices. The value is great.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明方法で製造したフィルムを組込んで成
るサンドウィッチ型セルの断面図、第2図は本発明にか
かるフィルムの電流−電圧特性図である。 1・・・銅板(遷移金属基体)、2・・・有機CT錯体
含有フィルム、3・・・アルミニウム電極。 出願人  東亜合成化学工業株式会社 代理人  弁理士  長 門 侃 二
FIG. 1 is a sectional view of a sandwich type cell incorporating a film produced by the method of the present invention, and FIG. 2 is a current-voltage characteristic diagram of the film according to the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Copper plate (transition metal base), 2... Organic CT complex containing film, 3... Aluminum electrode. Applicant Toagosei Chemical Industry Co., Ltd. Agent Patent Attorney Kanji Nagado

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)少なくとも表面は遷移金属から成る基体の該表面
をポリマーで被覆する工程;及び前記ポリマー被覆基体
を、電気化学的に中性でかつ前記遷移金属と電荷移動錯
体を形成する有機電子受容体を含有する溶液に浸漬する
工程;を具備することを特徴とする有機電荷移動錯体含
有フィルムで被覆された被覆体の製造方法。
(1) Coating the surface of a substrate, at least the surface of which is made of a transition metal; and coating the polymer-coated substrate with an organic electron acceptor that is electrochemically neutral and forms a charge transfer complex with the transition metal. A method for producing a coated body coated with an organic charge transfer complex-containing film, the method comprising: immersing the body in a solution containing the organic charge transfer complex.
(2)少なくとも表面は遷移金属から成る基体の該表面
をポリマーで被覆する工程;及び前記ポリマー被覆基体
を、電気化学的に中性でかつ前記遷移金属と電荷移動錯
体を形成する有機電子受容体を含有する溶液に浸漬する
工程;被覆されたポリマーを基体から剥離する工程;を
具備することを特徴とする有機電荷移動錯体含有フィル
ムの製造方法。
(2) coating the surface of a substrate, at least the surface of which is made of a transition metal; and coating the polymer-coated substrate with an organic electron acceptor that is electrochemically neutral and forms a charge transfer complex with the transition metal; A method for producing an organic charge transfer complex-containing film, comprising the steps of: immersing the film in a solution containing the organic charge transfer complex; and peeling off the coated polymer from the substrate.
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