JPH01293341A - Positive type photosensitive composition - Google Patents

Positive type photosensitive composition

Info

Publication number
JPH01293341A
JPH01293341A JP12358188A JP12358188A JPH01293341A JP H01293341 A JPH01293341 A JP H01293341A JP 12358188 A JP12358188 A JP 12358188A JP 12358188 A JP12358188 A JP 12358188A JP H01293341 A JPH01293341 A JP H01293341A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ether acetate
forming material
positive
positive type
monoisopropyl ether
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12358188A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuto Ando
安藤 慶人
Kazufumi Sato
和史 佐藤
Nobuo Tokutake
徳竹 信生
Koichi Takahashi
浩一 高橋
Yoshiyuki Satou
佐藤 善亨
Hidekatsu Obara
秀克 小原
Toshimasa Nakayama
寿昌 中山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to JP12358188A priority Critical patent/JPH01293341A/en
Publication of JPH01293341A publication Critical patent/JPH01293341A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve long-term preservation stability and fine pattern formability by dissolving a positive type photosensitive compd. having a quinonediazide group and a coated film forming material into ethyleneglycol monoisopropyl ether acetate thereby forming the above compsn. CONSTITUTION:This compsn. is formed by dissolving the positive type photosensitive compd. having the quinonediazide group and the coated film forming material into the ethyleneglycol monoisopropyl ether acetate. The positive type photosensitive compd. having the quinonediazide group is exemplified by the resultant reaction product of, for example, orthoquinone diazide sulfonyl chloride and a hydroxyl group or a compd. having an amino group. The coated film forming material is exemplified preferably by a cresol novolak resin, i.e., the resin obtd. from a mixture compsn. of 10-45wt.% m-cresol and 90-55wt.% p-cresol. The ethyleneglycol monoisopropyl ether acetate has high dissolving power, suppresses the recrystallization of the photosensitive compd. and has excellent stability. The long-term preservation stability and fine pattern formability are thereby improved.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規なポジ型感光性組成物に関するものである
。さらに詳しくいえば、本発明は、保存安定性及び微細
パターン形成性に優れたポジ型感光性組成物に関するも
のである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a novel positive-working photosensitive composition. More specifically, the present invention relates to a positive photosensitive composition having excellent storage stability and fine pattern forming properties.

従来の技術 一般にポジ型感光性組成物は、感光性化合物及び塗膜形
成材料を適当な溶剤に溶解した溶液として用いられる。
2. Description of the Related Art Generally, a positive photosensitive composition is used as a solution in which a photosensitive compound and a film-forming material are dissolved in a suitable solvent.

このポジ型感光性組成物における感光性化合物としては
、例えばオルトベンゾキノンジアジド基、オルトナフト
キノンジアジド基、オルトアントラキノンジアジド基な
どを有するキノンジアジド基含有化合物が通常多く使用
されている。これらのキノンジアジド基含有化合物は、
活性光線の照射によって、容易に光分解してカルボン酸
を生成し、アルカリ性溶液に可溶の物質に変化するので
、ポジ型感光性化合物として好適である。しかしながら
、これらのジアジド基は安定性を欠くため、通常は1.
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホナートのように
、フェノール性水酸基との間でエステルを形成させるこ
とにより安定化して使用に供されている。
As the photosensitive compound in this positive photosensitive composition, a quinonediazide group-containing compound having, for example, an orthobenzoquinonediazide group, an orthonaphthoquinonediazide group, an orthoanthraquinonediazide group, etc., is usually used. These quinonediazide group-containing compounds are
It is suitable as a positive-working photosensitive compound because it is easily photodecomposed by irradiation with actinic rays to produce a carboxylic acid and is converted into a substance soluble in an alkaline solution. However, these diazide groups lack stability and are usually used in 1.
Like 2-naphthoquinonediazide-5-sulfonate, it is stabilized and used by forming an ester with a phenolic hydroxyl group.

また、上記のようなポジ型感光性化合物及び塗膜形成材
料を溶剤に溶解して溶液を調製した場合、その溶液が保
存の間に分解して光感度が低下したり、あるいはいった
ん溶解した感光性化合物が再結晶化して析出し、溶液の
均一性をそこなうという欠点がある。溶液の安定性に対
しては、溶質と溶剤との相互関係が一つの重要な要因を
なすものであり、溶剤の溶質溶解力が大きくかつ溶質が
長期間にわたって安定に保たれることが必要である。
In addition, when a solution is prepared by dissolving the above-mentioned positive photosensitive compounds and film-forming materials in a solvent, the solution may decompose during storage and the photosensitivity may decrease, or the photosensitivity may decrease once dissolved. The disadvantage is that the chemical compound recrystallizes and precipitates, impairing the uniformity of the solution. For the stability of a solution, the interaction between the solute and the solvent is one of the important factors, and it is necessary that the solvent has a large solute-dissolving power and that the solute is kept stable for a long period of time. be.

モしてポジ型感光性組成物における溶剤は、感光性化合
物及び塗膜形成材料の両者に対して強い溶解力を有し、
その濃度に関係なく均一な溶液を形成し、均一かつ平滑
な塗膜を提供しうろことが重要である。そして、このよ
うな溶剤はそれぞれの溶剤の種類に応じて適宜選択され
るが、一般にキノンジアジド基含有化合物は難溶性のも
のが多いため、溶剤としてはメチルピロリドン、シクロ
ペンタノン、シクロヘキサノン、エチレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート、エトキシプロピルアセテ
ートなど特定のものを用いうるにすぎない。
The solvent in the positive photosensitive composition has a strong dissolving power for both the photosensitive compound and the coating film forming material,
It is important to form a uniform solution regardless of its concentration and to provide a uniform and smooth coating film. Such solvents are selected as appropriate depending on the type of solvent, but since many quinonediazide group-containing compounds are generally poorly soluble, solvents such as methylpyrrolidone, cyclopentanone, cyclohexanone, and ethylene glycol monomers are recommended. Only specific ones such as ethyl ether acetate, ethoxypropyl acetate, etc. can be used.

しかしながら、メチルピロリドン、シクロペンタノン、
シクロヘキサノンを溶剤とする感光性組成物においては
、その保存中に感光性化合物が徐々に分解して、感光性
が低下するのを免れない上、この溶剤が高価であるため
実用的には不適当である。また、エチレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート及びエトキシプロピルアセ
テートを溶剤とする感光性組成物においては、長期間保
存しているうちに感光性化合物が結晶として析出する傾
向があり、このような感光性組成物を用いると、基板上
に結晶を生じ、微細パターンの形成に悪影響を及ぼすの
で、使用範囲が制限されるのを免れない。
However, methylpyrrolidone, cyclopentanone,
In photosensitive compositions using cyclohexanone as a solvent, the photosensitive compound gradually decomposes during storage, resulting in a decrease in photosensitivity, and this solvent is expensive, making it unsuitable for practical use. It is. Furthermore, in photosensitive compositions using ethylene glycol monoethyl ether acetate and ethoxypropyl acetate as solvents, the photosensitive compound tends to precipitate as crystals during long-term storage; If this method is used, crystals will form on the substrate, which will have an adverse effect on the formation of fine patterns, so the range of use will inevitably be limited.

したがって、当該技術分野では、長期間にわたる保存後
においても感光性が低下せず、かつ均一で平滑な塗膜を
形成しうる安定なポジ型感光性組成物の出現が強く望ま
れていた。
Therefore, in this technical field, there has been a strong desire for a stable positive-working photosensitive composition that does not reduce photosensitivity even after long-term storage and is capable of forming a uniform and smooth coating film.

発明が解決しようとする課題 本発明は、このような要望にこたえ、長期保存安定性及
び微細パターン形成性に優れたポジ型感光性組成物を提
供することを目的としてなされたものである。
Problems to be Solved by the Invention The present invention has been made in response to such demands and for the purpose of providing a positive photosensitive composition having excellent long-term storage stability and fine pattern forming properties.

課題を解決するための手段 本発明者らは、長期間にわたって良好な安定性を示す、
微細パターンの形成に好適なポジ型感光性組成物を開発
するために鋭意研究を重ねた結果、溶剤としてエチレン
グリコールモノイソプロピルエーテルアセテートを用い
ることにより、その目的を達成しうろことを見出し、こ
の知見に基づいて本発明を完成するに至った。
Means for Solving the Problems The inventors have found that the present inventors have developed a system that exhibits good stability over long periods of time.
As a result of intensive research to develop a positive photosensitive composition suitable for forming fine patterns, it was discovered that the purpose could be achieved by using ethylene glycol monoisopropyl ether acetate as a solvent, and this knowledge Based on this, the present invention was completed.

すなわち、本発明は、キノンジアジド基を有するポジ型
感光性化合物及び塗膜形成材料をエチレングリコールモ
ノイソプロピルエーテルアセテートものである。
That is, the present invention uses ethylene glycol monoisopropyl ether acetate as a positive type photosensitive compound having a quinone diazide group and as a coating film forming material.

以下、本発明の詳細な説明する。The present invention will be explained in detail below.

本発明組成物において用いられるキノンジアジド基を有
するポジ型感光性化合物としては、例えばオルトベンゾ
キノンジアジド、オルトナフトキノンジアジド、オルト
アントラキノンジアジド及びこれらの誘導体、例えばオ
ルトキノンジアジドスルホニルクロリドと水酸基又はア
ミノ基をもつ化合物との反応生成物などを挙げることが
できる。
Examples of the positive photosensitive compound having a quinonediazide group used in the composition of the present invention include orthobenzoquinonediazide, orthonaphthoquinonediazide, orthoanthraquinonediazide, and derivatives thereof, such as orthoquinonediazide sulfonyl chloride and a compound having a hydroxyl group or an amino group. Examples include reaction products of.

この水酸基又はアミノ基をもつ化合物としては、例tl
f、2,3.4−t−リヒドロキシベンゾフエノン、2
、2 ’ 、4.4 ’ーテトラヒドロキシベンゾフェ
ノンなどのポリヒドロキシベンゾフェノン、フェノール
、p−メトキシフェノール、ジメチルフェノール、ヒド
ロキノン、ビスフェノールA1ナフトール、ピロカテコ
ール、ピロガロール、ピロガロールモノメチルエーテル
、ピロガロール−1.3−ジメチルエーテル、没食子酸
、水酸基を一部残し、エステル化又はエーテル化された
没食子酸、アニリン、p−アミノジフェニルアミン、フ
ェノール樹脂などを用いることができる。前記感光性化
合物は、通常単独で用いられるが、2種以上を併用する
こともできる。
Examples of compounds having this hydroxyl group or amino group include
f, 2,3.4-t-lyhydroxybenzophenone, 2
, 2', 4.4'-polyhydroxybenzophenones such as tetrahydroxybenzophenone, phenol, p-methoxyphenol, dimethylphenol, hydroquinone, bisphenol A1 naphthol, pyrocatechol, pyrogallol, pyrogallol monomethyl ether, pyrogallol-1,3-dimethyl ether , gallic acid, esterified or etherified gallic acid with some hydroxyl groups remaining, aniline, p-aminodiphenylamine, phenol resin, etc. can be used. The photosensitive compounds are usually used alone, but two or more types can also be used in combination.

また、本発明組成物に用いられる塗膜形成材料としては
、アルカリ可溶性の樹脂類が好ましく、例えばフェノー
ル又はクレゾールなどとアルデヒド類とを縮合して製造
されるノボラック樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルアルキルエーテル、スチレンとアクリル酸との共重
合体、メタクリル酸とメタクリル酸アルキルエステルと
の共重合体、ヒドロキシスチレンの重合体類、ポリビニ
ルヒドロキシベンゾエート、ポリビニルヒドロキシベン
ザールなどを挙げることができる。これらの塗膜形成材
料は1種用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用い
てもよい。
Further, as the coating film forming material used in the composition of the present invention, alkali-soluble resins are preferable, such as novolak resins produced by condensing phenol or cresol with aldehydes, polyvinyl alcohol, polyvinyl alkyl ether, Examples include copolymers of styrene and acrylic acid, copolymers of methacrylic acid and alkyl methacrylates, polymers of hydroxystyrene, polyvinylhydroxybenzoate, and polyvinylhydroxybenzal. One type of these coating film forming materials may be used, or two or more types may be used in combination.

これらの塗膜形成材料の中で、好ましいものとしては、
クレゾールノボラック樹脂、具体的には、m−クレゾー
ル10〜45重量%とp−クレゾール90〜55重量%
との混合クレゾールから得られ、たものを挙げることが
できる。この塗膜形成材料として、このようなタレゾー
ルノボラック樹脂を使用したポジ型感光性組成物は、優
れたレジストパターンを形成しうるので実用的である。
Among these film-forming materials, preferred are:
Cresol novolak resin, specifically m-cresol 10-45% by weight and p-cresol 90-55% by weight
Examples include those obtained from cresol mixed with A positive photosensitive composition using such Talesol novolac resin as the coating film forming material is practical because it can form an excellent resist pattern.

前記感光性化合物と塗膜形成材料との使用割合は通常重
量比l:1ないしl:10の範囲で選ばれる。この割合
は、ポジ型感光性化合物が、例えばフェノール樹脂に結
合していて、ポジを感光性化合物と塗膜形成材料を兼ね
る場合には、両者の同量とみなせばよい。塗膜形成材料
がこの割合よりも多くなると、得られる画像のマスクパ
ターンの忠実性の劣化や転写性の低下をもたらすので好
ましくないし、またこの割合よりも少なくなると形成さ
れる塗膜の強度及び均一性の低下や解像力の低下をもI
;らずので好ましくない。一般に好ましい感光性化合物
対塗膜形成材料の配合割合は重量比で1:2.5ないし
1:5.5の範囲である。
The ratio of the photosensitive compound to the coating film-forming material used is usually selected within the range of 1:1 to 1:10 by weight. When the positive photosensitive compound is bonded to, for example, a phenol resin, and the positive photosensitive compound serves both as the photosensitive compound and the coating film forming material, this ratio may be regarded as the same amount of both. If the amount of the coating film-forming material exceeds this ratio, it is undesirable because it will cause a deterioration in the fidelity of the mask pattern of the resulting image and a decrease in transferability, and if it is less than this ratio, the strength and uniformity of the formed coating film will deteriorate. It also causes a decrease in image quality and resolution.
; It is not preferable because it is free. A generally preferred blending ratio of photosensitive compound to coating film forming material is in the range of 1:2.5 to 1:5.5 by weight.

本発明組成物においては、溶剤としてエチレングリコー
ルモノイソプロピルエーテルアセテートが用いられる。
In the composition of the present invention, ethylene glycol monoisopropyl ether acetate is used as a solvent.

この有機溶剤は、従来ポジ型感光性組成物の溶剤として
用いられたことのないもので、その使用量については、
塗布基板に適用して均一な薄膜層を形成しうる範囲であ
ればよく、特に制限はないが、通常全固形分、すなわち
ポジ型感光性化合物と塗膜形成材料との合計量が組成物
の全重量に基づき3〜50重量%の範囲にあるように用
いられる。この固形分含有量が3重量%未満では、未露
光部の残膜率が低下するため好ましくないし、50重量
%を超えると感度が低下したり、現像時に現像残りが発
生するなどの傾向が生じるため好ましくない。
This organic solvent has never been used as a solvent for positive photosensitive compositions, and the amount used is as follows:
There is no particular restriction as long as it can be applied to the coated substrate to form a uniform thin film layer, but usually the total solid content, that is, the total amount of the positive photosensitive compound and the coating film forming material, is within the range of the composition. It is used in an amount ranging from 3 to 50% by weight based on the total weight. If the solid content is less than 3% by weight, it is undesirable because the residual film rate in unexposed areas will decrease, and if it exceeds 50% by weight, there will be a tendency for the sensitivity to decrease or for development to be left behind during development. Therefore, it is undesirable.

このエチレングリコールモノイソプロピルエーテルアセ
テートは、溶解力が大きく、感光性化合物の再結晶化を
抑え、かつ安定性に優れているため、感光性組成物の調
製溶剤として有用である上、従来使用されている各種溶
剤と異なり毒性が少ないという特徴を有しており、実用
面においても極めて有用なものである。
This ethylene glycol monoisopropyl ether acetate has a large dissolving power, suppresses recrystallization of photosensitive compounds, and has excellent stability, so it is useful as a preparation solvent for photosensitive compositions and has not been used conventionally. Unlike the various solvents used, it is characterized by low toxicity, making it extremely useful in practical terms.

また、本発明組成物には、例えば増感剤、他の付加的樹
脂、可塑剤、安定剤、あるいは形成像を一層可視的にす
るだめの着色料、その他の通常、当該技術分野で慣用さ
れている各種添加剤を含有させることができる。
The compositions of the present invention may also contain, for example, sensitizers, other additional resins, plasticizers, stabilizers, or colorants to make the formed image more visible, as well as other materials commonly used in the art. Various additives can be included.

ハードマスクを製造する際のホトレジストのように高解
像力が要望される場合には、ホトレジストの膜厚を0.
2μ讃程度にするのが好ましいが、本発明組成物を用い
れば、固形分濃度を3〜5重量%にして3,000rp
鳳の回転速度でスピンコードすればよい。また、段差の
大きい基板に塗布する必要がある場合には、従来方法に
おいては、凹部を埋めたのちに感光性組成物を塗布する
、いわゆる多層レジスト法がとられていたが、本発明組
成物を用いれば、固形分を40〜50重量%の高濃度に
しても粘度上昇がほとんどないため、スピンコードが可
能で、段差のある基板に対しても、あらかじめ凹部を埋
めることなく、直接段差のある基板にスピンコードする
だけで3μm程度の厚膜を得ることができ、段差のある
基板で高解像度のある微細パターンを形成することがで
きる。
When high resolution is required, such as when using photoresist for manufacturing hard masks, the film thickness of the photoresist is set to 0.
It is preferable to adjust the solid content to about 2 μm, but if the composition of the present invention is used, the solid content concentration will be 3 to 5% by weight and the rotation rate will be 3,000 rpm.
All you have to do is spin code at the rotation speed of Otori. In addition, when it is necessary to coat a substrate with large steps, the conventional method uses a so-called multilayer resist method in which the photosensitive composition is applied after filling the recesses, but the composition of the present invention With this method, there is almost no increase in viscosity even when the solid content is at a high concentration of 40 to 50% by weight, so spin cording is possible. A thick film of about 3 μm can be obtained by simply spin-coding a certain substrate, and a fine pattern with high resolution can be formed on a substrate with steps.

次に、本発明組成物の好適な使用方法について1例を示
すと、まず、シリコンウェハーのような支持体上に、ポ
ジ型感光性化合物及び塗膜形成材料ヲエチレングリコー
ルモノイソプロピルエーテルアセテートに溶解して調製
したポジ型感光性組成物をスピンコーターなどによって
塗布したのち、これを乾燥することでホトレジストを形
成させる。
Next, to give an example of a preferred method of using the composition of the present invention, first, a positive photosensitive compound and a film-forming material are dissolved in ethylene glycol monoisopropyl ether acetate on a support such as a silicon wafer. A photoresist is formed by applying the prepared positive photosensitive composition using a spin coater or the like and then drying it.

次いで紫外線を発光する光源、例えば低圧水銀灯、高圧
水銀灯、超高圧水銀灯、アーク灯、キセノンランプなど
を用い、所要のマスクパターンを介して露光するか、あ
るいは電子線を走査しながら照射する。次にこれを現像
液、例えば1〜2重量%水酸化ナトリウム水溶液のよう
な弱アルカリ性水溶液に浸すと、露光によって可溶性化
した部分が選択的に溶解除去されて、マスクパターンに
忠実なポジ型の画像が得られる。
Next, using a light source that emits ultraviolet rays, such as a low-pressure mercury lamp, high-pressure mercury lamp, ultra-high-pressure mercury lamp, arc lamp, or xenon lamp, exposure is performed through a required mask pattern, or irradiation is performed while scanning an electron beam. Next, when this is immersed in a developing solution, for example a weakly alkaline aqueous solution such as a 1 to 2% by weight aqueous sodium hydroxide solution, the portions made solubilized by exposure are selectively dissolved and removed, resulting in a positive type that is faithful to the mask pattern. An image is obtained.

発明の効果 本発明のポジ型感光性組成物は、従来のものに比べて、
安定性が顕著に優れ、しかもエチレングリコールモノイ
ソプロピルエーテルアセテートは、ポジ型感光性化合物
に対する分解作用あるいは分解促進力が極めて弱いので
、ポジ型感光性化合物の感光特性が低下せず、長期保存
後にも高い解像力を保持することができる。また、該組
成物は、溶剤として用いられるエチレングリコールモノ
イソプロピルエーテルアセテートの毒性が低いため、作
業上安全であり、実用上極めて有利である。さらに本発
明のポジ型感光性組成物で使用するエチレングリコール
モノイソプロピルエーテルアセテートは、キノンジアジ
ド基を有するポジ型感光性化合物及び塗膜形成材料の両
者に対して優れた溶解性を有するため、固形分濃度を高
くしても、粘度上昇が起こりにくく、直接段差のある基
板に塗布することができ、段差のある基板に適用しても
塗布膜厚の大小にかかわらず、解像性を低下させずに微
細パターンを形成することができる。
Effects of the invention Compared to conventional compositions, the positive photosensitive composition of the present invention has
Ethylene glycol monoisopropyl ether acetate has extremely good stability, and has very weak decomposition or decomposition-promoting power for positive-working photosensitive compounds, so the photosensitive properties of positive-working photosensitive compounds do not deteriorate and it remains stable even after long-term storage. Able to maintain high resolution. Furthermore, the composition is safe in operation and extremely advantageous in practice, since the toxicity of ethylene glycol monoisopropyl ether acetate used as a solvent is low. Furthermore, the ethylene glycol monoisopropyl ether acetate used in the positive-working photosensitive composition of the present invention has excellent solubility in both positive-working photosensitive compounds having quinonediazide groups and film-forming materials, and therefore has a solid content. Even if the concentration is high, viscosity does not increase easily, and it can be applied directly to substrates with steps, and even when applied to substrates with steps, there is no reduction in resolution regardless of the thickness of the coating film. can form fine patterns.

実施例 次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
Examples Next, the present invention will be explained in more detail with reference to examples.
The present invention is not limited in any way by these examples.

実施例1、比較例1 エチレングリコールモノイソプロピルエーテルアセテー
ト75gに2.3.4−トリヒドロキシベンゾフェノン
1+*olとす7トキノンー(14)−ジアジド−(2
)−5−スルホニルクロリド3molとの反応物5g及
びフェノールノボラック樹脂209とを溶解し、これを
孔径0.45μ肩のメンブランフィルタ−でろ過し、ポ
ジ型感光性組成物を調製した。このものを25°Cの恒
温に保ち、ゲル状物の発生の経時試験をを行った。経時
試験におけるゲル状物の確認法は、3インチ径のシリコ
ンウェハーに、市販のスピンコーター装置を用い、3.
00Orpmの回転速度で、上記ろ通詞製された組成物
を塗布し、スポットライトを照射して観察することによ
りゲル状物の発生有無を確認する方法であって、ろ過後
の組成物の経時的変質と安定性を容易に判断することが
できる。
Example 1, Comparative Example 1 2.3.4-trihydroxybenzophenone 1+*ol and 7toquinone-(14)-diazide-(2
5 g of the reaction product with 3 mol of )-5-sulfonyl chloride and phenol novolak resin 209 were dissolved and filtered through a membrane filter with a pore size of 0.45 μm to prepare a positive photosensitive composition. This product was kept at a constant temperature of 25° C., and a time-lapse test was conducted to determine whether a gel-like substance was generated. The method for confirming the gel-like substance in the aging test is as follows: 3. Using a commercially available spin coater on a 3-inch diameter silicon wafer.
This is a method of applying the above-prepared composition at a rotation speed of 0.000 rpm and observing it with a spotlight to confirm whether or not a gel-like substance is generated. Alteration and stability can be easily determined.

この経時試験の結果は、ろ通抜2400時間経過しても
ゲル状物は確認できず、全く安定な組成物であることが
認められに。
As a result of this aging test, no gel-like substance was observed even after 2400 hours of filtration and removal, indicating that the composition was completely stable.

これに対し、溶剤としてエチレングリコールモノイソプ
ロピルエーテルアセテートに代えて、従来用いられてい
るエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートを
用いたほかは全く同様にして調製した組成物について同
様に試験した結果、このものはろ過後約120時間で多
数のゲル状物が認められた。
On the other hand, a similar test was conducted on a composition prepared in exactly the same manner except that the conventionally used ethylene glycol monoethyl ether acetate was used instead of ethylene glycol monoisopropyl ether acetate as the solvent. A large number of gel-like substances were observed about 120 hours after filtration.

比較例2 エチレングリコールモノエチルエーテルアセテ−)75
9に2.2 ’ 、4.4 ’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノン1鳳olとす7トキノンー(1,2)−ジア
ジド−(1)5−スルホン酸クロリド3騰o1との反応
物59及びフェノールノボラック樹脂209とを溶解し
、ろ過して実施例1と同様の経時試験を行ったところ、
24時間でゲル状物の発生が認められた。
Comparative Example 2 Ethylene glycol monoethyl ether acetate) 75
9, reaction product of 2.2', 4.4'-tetrahydroxybenzophenone 1 ol and 7 toquinone-(1,2)-diazide-(1)5-sulfonic acid chloride 3 ol 59 and phenol novolak resin 209 was dissolved, filtered, and subjected to the same aging test as in Example 1.
Generation of a gel-like substance was observed after 24 hours.

比較例3 比較fF12のエチレングリコールモノエチルエーテル
アセテートの代わりにエトキシプロピルアセテート75
gを用いた以外は比較例2と同様にして溶液を調製し、
経時試験を行っt;結果、ゲル状物の発生が24時間で
認められた。
Comparative Example 3 Ethoxypropyl acetate 75 was used instead of ethylene glycol monoethyl ether acetate in Comparative fF12.
A solution was prepared in the same manner as Comparative Example 2 except that g was used,
A time-lapse test was conducted; as a result, generation of a gel-like substance was observed within 24 hours.

比較例4 エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート75
9に2.2 ’ 、4.4 ’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノン1鵬o1とナフトキノン−(1,2)−ジア
ジド−(2)5−スルホニルクロリド4molとの反応
物5g及びフェノールノボラック樹脂20gとを溶解し
、ろ過したのち、経時試験を行った結果、24時間でゲ
ル状物の発生が認められた。
Comparative Example 4 Ethylene glycol monoethyl ether acetate 75
In 9, 5 g of a reaction product of 2.2', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone 1 and 4 mol of naphthoquinone-(1,2)-diazide-(2)5-sulfonyl chloride and 20 g of phenol novolak resin were dissolved. After filtration, a time-lapse test was performed, and as a result, generation of a gel-like substance was observed within 24 hours.

実施例2 比較例3のエチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テートの代わりにエチレングリコールモノイソプロピル
エーテルアセテートを使用して同様の操作を行った結果
、170時間経てもゲル状物の発生は認められなかった
Example 2 A similar operation was carried out using ethylene glycol monoisopropyl ether acetate in place of ethylene glycol monoethyl ether acetate in Comparative Example 3, and as a result, no gel-like material was observed even after 170 hours.

比較例5 シクロへキサノン759に2.3.4−トリヒドロキシ
ベンゾフェノンl量o1とナフトキノン−(Ij)・ジ
アジド−(2)5−スルホン酸クロリド3molとの反
応物5g及びフェノールノボラック樹脂209を溶解し
、孔径0.45μmのメンブランフィルタ−を通して、
ポジ型感光性組成物を調製した。このものを比較例1と
同様に経時試験を行った結果、24時間でゲル状物の発
生が認められた。
Comparative Example 5 In cyclohexanone 759, 5 g of a reaction product of 1 liter of 2.3.4-trihydroxybenzophenone and 3 mol of naphthoquinone-(Ij) diazide-(2) 5-sulfonic acid chloride and phenol novolac resin 209 were dissolved. and passed through a membrane filter with a pore size of 0.45 μm.
A positive photosensitive composition was prepared. This product was subjected to a time-lapse test in the same manner as in Comparative Example 1, and as a result, generation of a gel-like substance was observed in 24 hours.

また、この組成物をエチレングリコールモノメチルエー
テルにて希釈し、石英セル容器を用い、日立分光光度計
323型で400 amの波長の吸光度の変化を測定し
た結果、経時とともに小さくなっていることから、ジア
ジド基の分解が確認できI;。
In addition, this composition was diluted with ethylene glycol monomethyl ether, and the change in absorbance at a wavelength of 400 am was measured with a Hitachi spectrophotometer model 323 using a quartz cell container.As a result, the change in absorbance at a wavelength of 400 am decreased over time. Decomposition of the diazide group was confirmed.

実施例3 比較例5のシクロヘキサノンの代わりに、エチレングリ
コールモノイソプロピルエーテルアセテートを用いて、
同様に吸光度の変化を測定した結果、約2000時間後
における4 00 nmの波長の吸光度は、変化が認め
られず、したがって、ジアジド基の変化はほとんどない
ことが確認された。
Example 3 Using ethylene glycol monoisopropyl ether acetate instead of cyclohexanone in Comparative Example 5,
As a result of measuring the change in absorbance in the same manner, no change was observed in the absorbance at a wavelength of 400 nm after about 2000 hours, thus confirming that there was almost no change in the diazide group.

実施例4 エチレングリコールモノイソプロピルエーテルアセテー
ト759に2.3.4−トリヒドロキシベンゾフェノン
la+olとナフトキノン−(1,2)−ジアジド−(
2)−5−スルホニルクロリド3鵬◇1との反応生成物
5g及びm−クレゾールとp−クレゾールとを重量比で
40:60の割合で混合し、これにホルマリンを加え、
シュウ酸触媒を用いて常法により縮合して得たクレゾー
ルノボラック樹脂209とを溶解し、これを孔径0.4
5μ層のメンブランフィルタ−でろ過し、ポジ型感光性
組成物を調製し、実施例1と同様にしてゲル状物の発生
の経時試験を行ったところ、ろ通抜3000時間経過し
てもゲル状物は確認できず、安定な組成物であることが
認められた。また、このポジ型感光性組成物をシリコン
ウェハー上に塗布乾燥したのち、マスクパターンを介し
て紫外線を露光し、現像することでシリコンウェハー上
にレジストパターンを形成したところ、マスクパターン
に極めて忠実なレジストパターンが得られた。そしてそ
のレジストパターンの断面形状は垂直であり、解像性に
も優れる!こめ微細パターンの形成に極めて有効に利用
できることが確認された。
Example 4 Ethylene glycol monoisopropyl ether acetate 759 with 2.3.4-trihydroxybenzophenone la+ol and naphthoquinone-(1,2)-diazide-(
2) 5 g of the reaction product with -5-sulfonyl chloride 3 ◇ 1 and m-cresol and p-cresol were mixed in a weight ratio of 40:60, formalin was added to this,
Cresol novolak resin 209 obtained by condensation using an oxalic acid catalyst by a conventional method is dissolved, and the pore size is 0.4.
A positive photosensitive composition was prepared by filtration through a membrane filter with a 5μ layer, and a time-course test for the generation of a gel-like substance was conducted in the same manner as in Example 1. No particles were observed, indicating that the composition was stable. In addition, after coating and drying this positive photosensitive composition on a silicon wafer, a resist pattern was formed on the silicon wafer by exposing it to ultraviolet light through a mask pattern and developing it. A resist pattern was obtained. The cross-sectional shape of the resist pattern is vertical, and the resolution is excellent! It was confirmed that this method can be used extremely effectively for forming fine patterns.

比較例6 実施例4のエチレングリコールモノイソプロピルエーテ
ルアセテートの代わりにエチレングリコールモノn−プ
ロピルエーテルアセテートを用いて同様の操作を行った
結果、120時間でゲル状物の発生が認められた。
Comparative Example 6 As a result of carrying out the same operation using ethylene glycol mono-n-propyl ether acetate instead of ethylene glycol monoisopropyl ether acetate in Example 4, generation of a gel-like substance was observed in 120 hours.

比較例7 エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート85
9に2.2 ’ 、4.4 ’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノン1molとナフトキノン−(1,2)−ジア
ジド−(15−スルホン酸クロリド3膳ofとの反応生
成物10g及びタレゾールノボラック樹脂309とを溶
解し、ろ過して実施例1と同様の経時試験を行ったとこ
ろ、約170時間でゲル状物の発生を認めt二。
Comparative Example 7 Ethylene glycol monoethyl ether acetate 85
9, 10 g of the reaction product of 1 mol of 2.2',4.4'-tetrahydroxybenzophenone and 3 portions of naphthoquinone-(1,2)-diazide-(15-sulfonic acid chloride) and Talesol novolac resin 309 were added. When it was dissolved and filtered and subjected to the same aging test as in Example 1, it was observed that a gel-like substance was generated after about 170 hours.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 キノンジアジド基を有するポジ型感光性化合物及び
塗膜形成材料をエチレングリコールモノイソプロピルエ
ーテルアセテートに溶解して成るポジ型感光性組成物。 2 ポジ型感光性化合物と塗膜形成材料との合計含有量
が3〜50重量%である請求項1記載のポジ型感光性組
成物。
[Scope of Claims] 1. A positive photosensitive composition prepared by dissolving a positive photosensitive compound having a quinonediazide group and a coating film forming material in ethylene glycol monoisopropyl ether acetate. 2. The positive-working photosensitive composition according to claim 1, wherein the total content of the positive-working photosensitive compound and the coating film-forming material is 3 to 50% by weight.
JP12358188A 1988-05-20 1988-05-20 Positive type photosensitive composition Pending JPH01293341A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12358188A JPH01293341A (en) 1988-05-20 1988-05-20 Positive type photosensitive composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12358188A JPH01293341A (en) 1988-05-20 1988-05-20 Positive type photosensitive composition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01293341A true JPH01293341A (en) 1989-11-27

Family

ID=14864132

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12358188A Pending JPH01293341A (en) 1988-05-20 1988-05-20 Positive type photosensitive composition

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01293341A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994019725A1 (en) * 1993-02-16 1994-09-01 Sumitomo Bakelite Company Limited Photosensitive resin composition and process for forming relief pattern therefrom
US5756260A (en) * 1993-02-16 1998-05-26 Sumitomo Bakelite Company Limited Photosensitive polyimide resin composition containing a stabilizer and method for formation of relief pattern using same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994019725A1 (en) * 1993-02-16 1994-09-01 Sumitomo Bakelite Company Limited Photosensitive resin composition and process for forming relief pattern therefrom
US5756260A (en) * 1993-02-16 1998-05-26 Sumitomo Bakelite Company Limited Photosensitive polyimide resin composition containing a stabilizer and method for formation of relief pattern using same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0727203B2 (en) PHOTORESIST AND METHOD FOR PRODUCING ARTICLE HAVING THE PHOTORESIST
JPS60158440A (en) Positive type photoresist composition
US5346808A (en) Positive image formation utilizing o-quinonediazide composition including selected phenolic derivatives of 4-(4-hydroxyphenyl)-cyclohexanone
JPS61118744A (en) Positive photoresist composition
JPH07333840A (en) Positive type photoresist composition
JPH0727202B2 (en) PHOTORESIST AND PRODUCTION METHOD FOR PRODUCTS HAVING THE PHOTORESIST
JPS63161449A (en) High contrast photoresist composition
JP2813033B2 (en) Positive photosensitive resin composition
JPH0683051A (en) Polylactide compound as sensitizer for photosensitive mixture for radiation
JPS58182633A (en) Positive type photosensitive composition
JPH01293341A (en) Positive type photosensitive composition
JPH01280748A (en) Positive type photosensitive composition
JPH03158855A (en) Positive type photosensitive resin composition
JPH0228139B2 (en)
JPS63178229A (en) Positive type photosensitive composition
JPS59155838A (en) Coating composition for forming positive type photosensitive film
JP2811663B2 (en) Radiation-sensitive resin composition
JPH02222955A (en) Positive type photosensitive composition
JP3079195B2 (en) Developer for positive-type radiation-sensitive resist
JPH03158854A (en) Positive type photosensitive resin composition
JP3544389B2 (en) Stable positive photoresist composition
JP3449646B2 (en) Positive resist composition
JPS63136040A (en) Positive type photosensitive composition
JPH0242443A (en) Positive type photosensitive composition
JPH02109051A (en) Positive photoresist composition