JPH01291459A - Contact type image sensor - Google Patents
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- JPH01291459A JPH01291459A JP63121536A JP12153688A JPH01291459A JP H01291459 A JPH01291459 A JP H01291459A JP 63121536 A JP63121536 A JP 63121536A JP 12153688 A JP12153688 A JP 12153688A JP H01291459 A JPH01291459 A JP H01291459A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ０発明の目的
（１）産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリ等の画像入力装置に用いられる
イメージセンサに関し、特に、原稿に密着させて使用さ
れる密着形イメージセンサに関するものである。Detailed Description of the Invention A0 Object of the Invention (1) Industrial Application Field The present invention relates to an image sensor used in an image input device such as a facsimile, and particularly to a contact type image sensor used in close contact with a document. It is related to.
（２）従来の技術
従来、この種の密着形イメージセンサとしては、特開昭
５５−７４２６２号公報、特開昭５６−２７５６２号公
報等に記載されたものが知られている。(2) Prior Art Hitherto, as this type of contact type image sensor, those described in Japanese Patent Laid-Open No. 55-74262, Japanese Patent Laid-Open No. 56-27562, etc. are known.
第５図は従来の密着形イメージセンサｓ′の一例を示し
ており、密着形イメージセンサＳ′の透明なセンサ基板
０１の上面には、島状の多数の遮光ＪＩＩ０２とその上
に積層された絶縁Ｎｏ３とが配設されており、前記絶縁
［０３の上面には、光電変換部０４が配設されている。FIG. 5 shows an example of a conventional contact type image sensor s'. On the upper surface of a transparent sensor substrate 01 of the contact type image sensor S', there are a number of island-shaped light shielding JII02 and a layer laminated thereon. Insulation No. 3 is provided, and a photoelectric conversion section 04 is provided on the upper surface of the insulation No. 3.
光電変換部０４は、絶縁層０３上に順次形成された金属
電極０５、光導電層０６および透明電極０７から構成さ
れている。このようにして島状に形成された多数の光電
変換部０４，０４・・・間には透明な樹脂によって透光
窓０８が形成されており、この透光窓０８および光電変
換部０４は透明保護層０９によって被覆されている。The photoelectric conversion section 04 is composed of a metal electrode 05, a photoconductive layer 06, and a transparent electrode 07, which are sequentially formed on an insulating layer 03. A large number of photoelectric conversion parts 04, 04 formed in the form of islands in this way...A light-transmitting window 08 is formed between the transparent resin, and the light-transmitting window 08 and the photoelectric conversion part 04 are transparent. It is covered with a protective layer 09.
（３）発明が解決しようとする課題
このように構成された密着形イメージセンサＳ′は原稿
Ａに密着して配設され、図示しない光源からの照明光り
が前記透明なセンサ基板０１の背面からセンサ基板Ｏｆ
および透明な透光窓０８および透明保護層０９を透過し
て原稿Ａの読取面を照明する。原稿Ａの読取面からの反
射光は前記光電変換部０４に入射して電気信号に変換さ
れる。その際原稿Ａの読取面を照明光りによって均一に
照射するために、前記透明保護層０９にはある程度の厚
さを持たせる必要がある。しかし、透明保護層０９の厚
さが大きくなると原稿Ａの読取面の読取ライン以外の面
からの反射光が光電変換部０４に入射するようになるた
め密着形イメージセンサＳ′の読取分解能が低下すると
いう問題点があった。(3) Problems to be Solved by the Invention The contact type image sensor S' configured in this manner is disposed in close contact with the document A, and illumination light from a light source (not shown) is emitted from the back surface of the transparent sensor substrate 01. Sensor board Of
The light passes through the transparent light-transmitting window 08 and the transparent protective layer 09 to illuminate the reading surface of the document A. The reflected light from the reading surface of the original A enters the photoelectric conversion section 04 and is converted into an electrical signal. At this time, in order to uniformly illuminate the reading surface of the original A with illumination light, the transparent protective layer 09 needs to have a certain thickness. However, as the thickness of the transparent protective layer 09 increases, reflected light from surfaces other than the reading line of the reading surface of the original A will enter the photoelectric conversion unit 04, resulting in a decrease in the reading resolution of the contact image sensor S'. There was a problem with that.
また、原稿Ａの読取面を照明するためには、センサ基板
０１の背面において、光電変換部０４に近接した位置か
ら照明光をセンサ基板０１に入射させる必要があった。Furthermore, in order to illuminate the reading surface of the document A, it was necessary to make the illumination light enter the sensor substrate 01 from a position close to the photoelectric conversion section 04 on the back surface of the sensor substrate 01.
しかしそうしても照明光りの光量は前記光電変換部０４
の周囲に設けられた小さな透光窓０８を通過した光の量
によって定まることになるので、原稿Ａの読取面を照明
する光量は限られている。したがって、原稿Ａの読取面
の読取部分のみを多量の照明光によって照明することが
難しいという問題点もあった。However, even if this is done, the amount of illumination light is
The amount of light that illuminates the reading surface of the document A is limited because it is determined by the amount of light that has passed through the small transparent window 08 provided around the document A. Therefore, there is also the problem that it is difficult to illuminate only the reading portion of the reading surface of the document A with a large amount of illumination light.
本発明は、前述の事情に鑑みてなされたもので、密着形
イメージセンサにおいて、原稿の読取面の読λ部分のみ
を照明可能にすることにより、照明効率および分解能を
高めることを技術的課題とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and a technical problem is to improve illumination efficiency and resolution by making it possible to illuminate only the reading λ portion of the reading surface of a document in a contact type image sensor. do.
Ｂ 発明の構成
（１）課題を解決するだめの手段
前記課題を解決するために、本発明の密着形イメージセ
ンサは、原稿の読取面からの反射光が入射されて画像信
号を発生する多数の光電変換部と、この光電変換部と前
記原稿との間に配設された導光層とを備えた密着形イメ
ージセンサにおいて、前記導光層に光吸収発光物質を混
入するとともに前記光電変換部と原稿の読取面との間に
前記導光層内の光が出射する透孔を設けたことを特徴と
する。B. Structure of the Invention (1) Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the contact type image sensor of the present invention has a large number of sensors that generate image signals by receiving reflected light from the reading surface of a document. In a contact image sensor comprising a photoelectric conversion section and a light guide layer disposed between the photoelectric conversion section and the original document, a light-absorbing light-emitting substance is mixed in the light guide layer and the photoelectric conversion section A through hole through which light in the light guide layer exits is provided between the light guide layer and the reading surface of the original.
（２）作 用
前記構成を備えた本発明の密着形イメージセンサは、前
記光電変換部と前記原稿との間に配設された導光層に光
吸収発光物質を混入しているので、導光層に入射した光
は光吸収発光物質によって吸収されその物質によって定
まる波長の光を発生する。こうして発生した光は導光層
内を伝播して前記光電変換部と原稿の読取面との間の前
記透孔内に出射する。この透孔内に出射して原稿の読取
面から散乱反射した光は光電変換部で電気信号に変換さ
れる。(2) Function The contact type image sensor of the present invention having the above-mentioned configuration has a light-absorbing light-emitting substance mixed in the light-guiding layer disposed between the photoelectric conversion section and the original document. The light incident on the optical layer is absorbed by the light-absorbing light-emitting substance and generates light with a wavelength determined by the substance. The light thus generated propagates within the light guide layer and exits into the through hole between the photoelectric conversion section and the reading surface of the document. Light emitted into the through hole and scattered and reflected from the reading surface of the document is converted into an electrical signal by a photoelectric conversion section.
（３）実施例
以下、第１〜４図により本発明の密着形イメージセンサ
の実施例について説明する。(3) Embodiments Hereinafter, embodiments of the contact type image sensor of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4.
第１図は本発明による密着形イメージセンサの実施例の
平面図、第２図は第１図のＩＩ−ＩＩ線断面図、第３図
は第１図の矢視■部分の拡大図ζ第４図は第３図のＩＶ
−ＩＶ線断面図である。FIG. 1 is a plan view of an embodiment of the contact type image sensor according to the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along the line II-II in FIG. 1, and FIG. Figure 4 is IV of Figure 3.
-IV line sectional view.
透明なセンサ基板１の上面の一端部（第１図で上端部、
第２図で左端部）には、その端縁に沿って一列に配置さ
れた島状の多数の遮光層２．２゜・・・とその上に積層
された絶縁層３，３．・・・とが設けられている。前記
各絶縁層３の上面には、光電変換部４が配設されている
。この光電変換部４は、前記絶縁層３上に順次形成され
た金（Ａｕ）製の画素電極５、アモルファスシリコン等
からなる光導電層６およびＩＴＯの薄膜からなる透明な
共通電極７から構成されている。One end of the upper surface of the transparent sensor substrate 1 (the upper end in FIG.
At the left end (in FIG. 2), there are a number of island-shaped light-shielding layers 2.2°... arranged in a row along the edge thereof, and insulating layers 3, 3.2°... laminated thereon. ... is provided. A photoelectric conversion unit 4 is provided on the upper surface of each insulating layer 3 . This photoelectric conversion section 4 is composed of a pixel electrode 5 made of gold (Au) formed in sequence on the insulating layer 3, a photoconductive layer 6 made of amorphous silicon, etc., and a transparent common electrode 7 made of a thin film of ITO. ing.
前記画素電極５はセンサ基板ｌ上面に列設された個別電
極８の一端と接続されており、個別電極８の他端にはＩ
Ｃ接続端子９が形成されている。The pixel electrode 5 is connected to one end of an individual electrode 8 arranged in a row on the upper surface of the sensor substrate l, and the other end of the individual electrode 8 is connected to an I
A C connection terminal 9 is formed.
ＩＣ接続端子９に近接して電源ライン１０がセンサ基板
ｌ上面の長手方向（第１図中、左右方向）に延設されて
いる。そして電源ライン１０のＩＣ接続端子９側と反対
側のセンサ基板ｌ上面にはＩＣ接続端子９の駆動用信号
や光電変換部４による検出信号等を伝送する複数の信号
ライン１１ａ、ｌｌｂ、・・・からなる配線１１が形成
されてい。A power supply line 10 is provided adjacent to the IC connection terminal 9 and extends in the longitudinal direction (in the left-right direction in FIG. 1) of the upper surface of the sensor board l. On the upper surface of the sensor substrate l on the side opposite to the IC connection terminal 9 side of the power supply line 10, there are a plurality of signal lines 11a, llb, etc., which transmit driving signals of the IC connection terminal 9, detection signals from the photoelectric conversion section 4, etc.・The wiring 11 consisting of is formed.
る。Ru.
また、前記電源ライン１０上にはＩＣ１２が配設されて
いる。前記ＩＣ１２の端子は、ボンディングワイヤ１３
によって前記個別電極８のＩＣ接続端子９と接続され、
また、ボンディングワイヤ１４によって前記配線１１と
接続されている。Further, an IC 12 is disposed on the power supply line 10. The terminal of the IC 12 is connected to a bonding wire 13.
connected to the IC connection terminal 9 of the individual electrode 8 by
Further, it is connected to the wiring 11 by a bonding wire 14.
センサ基板ｌ上の前記光電変換部４、個別電極８等は透
明樹脂１５ａによって保護されており、ＩＣ１２、ボン
ディングワイヤ１３．１４等は黒色樹脂１５ｂによって
保護されている。The photoelectric conversion section 4, individual electrodes 8, etc. on the sensor substrate l are protected by a transparent resin 15a, and the IC 12, bonding wires 13, 14, etc. are protected by a black resin 15b.
前記光電変換部４近傍の透明樹脂１５ａの上面には、透
明な導光層１６が配設されている。この導光層１６上面
および端面には反射膜１６ａ （第２図参照）が形成さ
れており、導光層１６内には粉状の光吸収発光物質１６
ｂが分散混入されている。前記光吸収発光物質１６ｂと
しては、光を吸収して特定の波長の光を発光する従来公
知の種々の物質を使用することが可能で、そのような物
質としては、たとえば、特開昭５７−１２５２６０号公
報に記載されたペリレン−３，４，９，１０−テトラカ
ルボン酸ジイミド、特公昭６０−４１３２１号公報に記
載された酢酸セルロース媒体中の３−（２−ベンゾチア
ゾイル）−７−ジニチルアミノクマリンおよびポリ（ト
リフロロエチルメタアクリレート）の媒体中のアクリフ
ラビン染料や、特開昭５８−４０３５９号公報、特開昭
６０−２０３６５０号公報、特開昭６０−２０１９６６
号公報および特開昭６２−２０９１７２号公報等に記載
されたものがある。A transparent light guide layer 16 is disposed on the upper surface of the transparent resin 15a near the photoelectric conversion section 4. A reflective film 16a (see FIG. 2) is formed on the top and end surfaces of the light guide layer 16, and a powdered light-absorbing light-emitting substance 16 is formed in the light guide layer 16.
b is dispersed and mixed. As the light-absorbing light-emitting substance 16b, it is possible to use various conventionally known substances that absorb light and emit light of a specific wavelength. Perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid diimide described in Japanese Patent Publication No. 125260, 3-(2-benzothiazoyl)-7- in cellulose acetate medium described in Japanese Patent Publication No. 60-41321. Acriflavine dyes in dinitylaminocoumarin and poly(trifluoroethyl methacrylate) media, JP-A-58-40359, JP-A-60-203650, JP-A-60-201966
There are those described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-209172, etc.
また、前記導光層１６には、前記光電変換部４と原稿Ａ
の読取面との間に透孔１６ｃが形成され、この透孔１６
ｃの下半分は第３図に示されているように平断面正方形
の側面によって形成されるとともに、その側面には反射
膜１６ｄが形成されている。また、前記透孔１６ｃの上
半分は上方に行くに従って拡がる斜面によって形成され
、その斜面は透光窓１６ｅとして形成されている。そし
て、この透光窓１６ｅは透孔１６ｃに面する原稿Ａの読
取面に向けて形成されている。Further, the light guide layer 16 includes the photoelectric conversion section 4 and the document A.
A through hole 16c is formed between the reading surface of the through hole 16c and the reading surface of the through hole 16c.
As shown in FIG. 3, the lower half of c is formed by a side surface having a square cross section, and a reflective film 16d is formed on the side surface. Further, the upper half of the through hole 16c is formed by a slope that widens upward, and the slope is formed as a transparent window 16e. The light-transmitting window 16e is formed toward the reading surface of the document A facing the transparent hole 16c.
次に前述の構成を備えた本発明による密着形イメージセ
ンサの実施例の作用について説明する。Next, the operation of the embodiment of the contact type image sensor according to the present invention having the above-described configuration will be explained.
本実施例による密着形イメージセンサによれば、センサ
基板１の下方に配設された図示しない照明用の光源から
の照明光は透明なセンサ基板ｌ、透明樹脂１５ａを通っ
て導光層１６内に入射する。According to the contact type image sensor according to the present embodiment, illumination light from an illumination light source (not shown) disposed below the sensor substrate 1 passes through the transparent sensor substrate l and the transparent resin 15a and enters the light guide layer 16. incident on .
前記照明光の導光層１６内への入射は導光層１６の下面
の略全領域から行われるので、光源からの照明光の多く
の部分を導光Ｎ１６内に入射させることが容易である。Since the illumination light enters the light guide layer 16 from substantially the entire area of the lower surface of the light guide layer 16, it is easy to make a large portion of the illumination light from the light source enter the light guide N16. .
そして、導光Ｎ１６内に入射した光は光吸収発光物質１
６ｂによって吸収され、光吸収発光物質１６ｂによって
定まる波長の光がその吸収された光量に対し所定の割合
だけ発光する。この発光した光はあらゆる方向に沿って
放射され、その放射光の一部は導光層１６の下面から放
出されるが大部分は導光層１６の下面で全反射するとと
もに導光層１６上面および端面に設けられた反射膜１６
ａで全反射しなから導光層１６内を伝播し、前記透光窓
１６ｅから透孔１６ｃ内に出射される。Then, the light incident on the light guide N16 is absorbed by the light absorbing luminescent material 1.
6b, and the light-absorbing light-emitting substance 16b emits light of a predetermined wavelength in a predetermined proportion of the amount of absorbed light. This emitted light is emitted along all directions, and a part of the emitted light is emitted from the lower surface of the light guide layer 16, but most of it is totally reflected on the lower surface of the light guide layer 16, and the upper surface of the light guide layer 16 and a reflective film 16 provided on the end face.
The light is totally reflected at point a, propagates within the light guiding layer 16, and is emitted from the light transmitting window 16e into the through hole 16c.
透光窓１６ｅからの透孔１６ｃ内への出射光は原稿への
読取面を照射し、その読取面の画像の色に応じた反射光
量が光電変換部４に入射する。その際、透孔１６ｃは原
稿Ａの読取面と光電変換部４との間の導光［１６に形成
されており、光電変換部４へ入射する原稿Ａの読取面か
らの反射光は、透孔１６ｃに面する読取面からの反射光
に限られている。すなわち、透孔１６ｃに面していない
原稿Ａの読取面からの反射光が光電変換部４に入射する
ことは鬼い。The light emitted from the transparent window 16e into the transparent hole 16c illuminates the reading surface of the document, and the amount of reflected light corresponding to the color of the image on the reading surface enters the photoelectric conversion unit 4. At this time, the through hole 16c is formed in the light guide [16] between the reading surface of the original A and the photoelectric conversion section 4, and the reflected light from the reading surface of the original A entering the photoelectric conversion section 4 is transmitted through the hole 16c. The reflected light is limited to the light reflected from the reading surface facing the hole 16c. That is, it is difficult for the reflected light from the reading surface of the document A that does not face the through hole 16c to enter the photoelectric conversion section 4.
以上、本発明の実施例を詳述したが、本発明は前記実施
例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載さ
れた本発明を逸脱することなく、種々の設計変更を行う
ことが可能である。Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to the embodiments described above, and various design changes can be made without departing from the scope of the invention described in the claims. is possible.
たとえば、導光層１６内へ入射させる光源からの照明光
は光電変換部４に近接した位置からだけでなく導光層１
６のどの部分から入射させてもよく、たとえば、導光層
１６の下面だけでなく端面からも入射させることが可能
である。For example, the illumination light from the light source that enters into the light guide layer 16 is not only from a position close to the photoelectric conversion unit 4 but also from a position close to the light guide layer 16.
The light may enter from any part of the light guiding layer 16, for example, it may enter not only from the bottom surface of the light guide layer 16 but also from the end surface.
Ｃ１発明の効果
前述の説明から明らかなように、本発明の密着形イメー
ジセンサによれば、光電変換部に近接した位置からだけ
でなく導光層のどの部分からでも光源からの照明光を入
射させることができるので、光源からの照明光を効率良
く導光層へ入射させることが可能である。そして、導光
層内に入射した光は光吸収発光物質によって吸収され、
光吸収発光物質によって定まる波長の光がその吸収され
た光量に対し所定の割合だけ発光するが、その発光した
光は原稿の読取面と光電変換部との間に設けた導光層の
透孔に効率良く出射させることができる。そして、透孔
への出射光の方向は任意に設定できるため、前記透孔へ
の出射光により原稿Ａの読取面を効率良く照射すること
は容易である。そして原稿の読取面で反射した光は光電
変換部に入射する。したがって、本発明の密着形イメー
ジセンサによれば、照明光の照明効率を高めることが可
能である。C1 Effect of the Invention As is clear from the above description, according to the contact image sensor of the present invention, the illumination light from the light source can be incident not only from a position close to the photoelectric conversion unit but also from any part of the light guide layer. Therefore, it is possible to efficiently cause illumination light from the light source to enter the light guide layer. Then, the light that enters the light guide layer is absorbed by the light-absorbing light-emitting material,
Light with a wavelength determined by the light-absorbing luminescent material is emitted in a predetermined proportion of the amount of absorbed light, and the emitted light is transmitted through the transparent hole in the light guide layer provided between the reading surface of the document and the photoelectric conversion section. can be emitted efficiently. Since the direction of the light emitted to the through-hole can be set arbitrarily, it is easy to efficiently illuminate the reading surface of the document A with the light emitted to the through-hole. The light reflected from the reading surface of the original enters the photoelectric conversion section. Therefore, according to the contact image sensor of the present invention, it is possible to improve the illumination efficiency of illumination light.
また、原稿の読取面の透孔に面する部分からの反射光の
みが光電変換部に入射し、原稿の読取面の透孔に面しな
い部分からの光が光電変換部に入射することはないので
、透孔の径を小さく設定することにより読取分解能を高
めることができる。In addition, only the reflected light from the part of the reading surface of the original that faces the through-hole enters the photoelectric conversion unit, and the light from the part of the reading surface of the original that does not face the through-hole does not enter the photoelectric conversion part. Therefore, by setting the diameter of the through hole small, the reading resolution can be increased.
第１図は本発明による密着形イメージセンサの一実施例
の平面図、第２図は第１図における■−■線断面図、第
３図は第１図の矢視■部分の拡大図、第４図は第３図の
ＩＶ−ＩＶ線断面図、第５図は従来の密着形イメージセ
ンサの説明図、である。
Ａ・・・原稿、４・・・光電変換部、１６・・・導光層
、１６ｂ・・・光吸収発光物質、１６ｃ・・・透孔特許
出願人 富士ゼロックス株式会社代理人 弁理士
落 合 健同 １） 中
隆 秀第１図
第３ＵＡ
第４図FIG. 1 is a plan view of an embodiment of a contact image sensor according to the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along the line ■-■ in FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a sectional view taken along the line IV--IV in FIG. 3, and FIG. 5 is an explanatory diagram of a conventional contact type image sensor. A...Manuscript, 4...Photoelectric conversion section, 16...Light guide layer, 16b...Light-absorbing luminescent material, 16c...Through hole patent applicant Fuji Xerox Co., Ltd. agent Patent attorney
Kendo Ochiai 1) Medium
Takahide Figure 1 Figure 3 UA Figure 4
Claims (1)
号を発生する多数の光電変換部（４）と、この光電変換
部（４）と前記原稿（Ａ）との間に配設された導光層（
１６）とを備えた密着形イメージセンサにおいて、 前記導光層（１６）に光吸収発光物質（１６ｂ）を混入
するとともに前記光電変換部（４）と原稿（Ａ）の読取
面との間に前記導光層（１６）内の光が出射する透孔（
１６ｃ）を設けた密着形イメージセンサ。[Scope of Claims] A large number of photoelectric conversion units (4) into which reflected light from the reading surface of the original (A) is incident and generates image signals, and the photoelectric conversion units (4) and the original (A) A light guiding layer (
16), in which a light-absorbing light-emitting substance (16b) is mixed into the light-guiding layer (16), and a light-absorbing light-emitting substance (16b) is mixed between the photoelectric conversion section (4) and the reading surface of the original (A). The light guiding layer (16) has a through hole (
16c).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63121536A JPH01291459A (en) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | Contact type image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63121536A JPH01291459A (en) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | Contact type image sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01291459A true JPH01291459A (en) | 1989-11-24 |
Family
ID=14813676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63121536A Pending JPH01291459A (en) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | Contact type image sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01291459A (en) |
-
1988
- 1988-05-18 JP JP63121536A patent/JPH01291459A/en active Pending
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