JPH0128455B2 - - Google Patents

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JPH0128455B2
JPH0128455B2 JP55127709A JP12770980A JPH0128455B2 JP H0128455 B2 JPH0128455 B2 JP H0128455B2 JP 55127709 A JP55127709 A JP 55127709A JP 12770980 A JP12770980 A JP 12770980A JP H0128455 B2 JPH0128455 B2 JP H0128455B2
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JP
Japan
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anode
discharge device
cathode
discharge
surface analysis
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Application number
JP55127709A
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Japanese (ja)
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JPS5752844A (en
Inventor
Katsuhiro Kageyama
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP55127709A priority Critical patent/JPS5752844A/en
Publication of JPS5752844A publication Critical patent/JPS5752844A/en
Publication of JPH0128455B2 publication Critical patent/JPH0128455B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E30/00Energy generation of nuclear origin
    • Y02E30/10Nuclear fusion reactors

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  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は表面分析装置に係り、試料表面をイオ
ン衝撃(以下スパツタという)するとき、気体中
に飛散する物質を分析する表面分析装置に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a surface analysis device, and more particularly, to a surface analysis device that analyzes substances scattered in a gas when a sample surface is subjected to ion bombardment (hereinafter referred to as sputtering).

表面分析装置は近年、工場、研究機関等に広く
普及してその種類も多く、用途によりこれらが選
択使用されている。
In recent years, surface analysis devices have become widespread in factories, research institutions, etc., and there are many types, and these are selected and used depending on the purpose.

核融合の研究においては、プラズマ中の不純物
を抑制することが重視され、不純物供給機構とも
なるプラズマと固体壁の相互作用(以下プラズ
マ・壁相互作用という)の研究が大きな課題とな
つている。このプラズマ・壁相互作用を研究する
手段として表面分析装置は不可欠であるが、現在
指向されている核融合は燃料を水素の同位元素と
し、磁界に閉じ込められたプラズマで核融合反応
を起こしてエネルギを取り出すものであるため、
このような用途に用いられる表面分析装置として
は、燃料の水素および核融合反応で生成される灰
物質のヘリウムを分析できるものでなければなら
ない。
In nuclear fusion research, emphasis is placed on suppressing impurities in plasma, and a major challenge is research on the interaction between plasma and solid walls (hereinafter referred to as plasma-wall interaction), which also serves as the impurity supply mechanism. Surface analysis equipment is indispensable as a means to study this plasma-wall interaction, but the nuclear fusion currently being pursued uses hydrogen isotopes as fuel and generates energy by causing a fusion reaction in plasma confined in a magnetic field. Since it is intended to extract
A surface analysis device used for such applications must be capable of analyzing hydrogen in the fuel and helium in the ash produced in the nuclear fusion reaction.

従来、実用に供されてきた表面分析装置で、上
記プラズマ・壁相互作用を研究する手段として有
効に利用できるものとしては、二次イオン質量分
析装置がある。この装置は表面分析される試料に
一次イオンを照射し、スパツタされた試料の表面
物質であつた二次粒子のうちのイオンの質量分析
を行う装置である。これを核融合装置に取り付け
てプラズマ・壁相互作用を研究する場合、二次イ
オン質量分析装置自体、および、それを核融合装
置に取り付ける装置が大型且つ複雑になるため核
融合装置の内部に設置できないという欠点があつ
た。
A secondary ion mass spectrometer is one of the surface analysis devices that have been put into practical use and can be effectively used as a means for studying the above-mentioned plasma-wall interaction. This device irradiates a sample whose surface is to be analyzed with primary ions and performs mass spectrometry analysis of the ions in the secondary particles that were the surface material of the sputtered sample. If this is installed in a fusion device to study plasma-wall interactions, the secondary ion mass spectrometer itself and the equipment to attach it to the fusion device will be large and complex, so it must be installed inside the fusion device. The drawback was that I couldn't do it.

このことをさらに詳しく説明すれば、試料照射
用の一次イオンを生成するイオン源からはイオン
の他に多量の作動気体(イオンとなるべき気体)
が流出することになり、この作動気体が核融合装
置を汚染しないような対策を講じる必要がある。
その対策としては、イオン源のガス効率を高める
とともに不要の気体を排出するべくイオンビーム
のビームラインを長くして作動気体の排気を行う
か、あるいは、二次イオン質量分析装置と核融合
装置をバルブで遮断できるようにし、且つ、二次
イオン質量分析装置に排気速度の高い排気装置を
接続する等が行なわれるが、いずれも装置が大型
且つ複雑になることは不可避である。
To explain this in more detail, the ion source that generates primary ions for sample irradiation produces a large amount of working gas (gas that is to become ions) in addition to ions.
Therefore, it is necessary to take measures to prevent this working gas from contaminating the fusion device.
As a countermeasure, the gas efficiency of the ion source should be increased, and the beam line of the ion beam should be lengthened to exhaust the working gas, or the secondary ion mass spectrometer and the nuclear fusion device should be Although it is possible to shut it off with a valve and to connect an exhaust device with a high exhaust speed to the secondary ion mass spectrometer, it is inevitable that the device will become large and complicated in either case.

一方、二次イオン質量分析装置は、作動気体に
よる試料およびこの試料と共通に収容されるもの
の汚染が問題であるときは核融合装置の汚染と同
様の問題となる他に、二次イオンの収率すなわち
一次イオン1個当りの二次イオンの数が非常に少
ないので、二次イオンの質量分析には非常に高感
度の計測装置を必要とする。さらに、二次イオン
の収率の値が表面状態や雰囲気の影響を受け易
く、二次イオンの質量分析の結果から試料表面の
組成等を推定するときのあいまいさの原因となる
等の欠点があつた。
On the other hand, when a secondary ion mass spectrometer has a problem with contamination of the sample and objects commonly stored with the sample due to the working gas, in addition to the same problem as contamination of a nuclear fusion device, secondary ion mass spectrometers also collect Since the ratio, ie, the number of secondary ions per primary ion, is very small, mass spectrometry of secondary ions requires very sensitive measuring equipment. Furthermore, the yield value of secondary ions is easily affected by the surface condition and atmosphere, which causes ambiguity when estimating the composition of the sample surface from the results of mass spectrometry of secondary ions. It was hot.

本発明は上記の欠点を除去するためになされた
もので、核融合装置の内部にも設置可能な如く簡
素化と小型化を図るとともに試料およびその試料
と共通の容器に収容されるものの汚染を防ぎ、さ
らに、高感度の計測装置を必要としない新規な表
面分析装置の提供を目的とする。
The present invention has been made in order to eliminate the above-mentioned drawbacks, and is designed to simplify and downsize so that it can be installed inside a nuclear fusion device, and to prevent contamination of the sample and other items housed in a common container with the sample. In addition, the purpose is to provide a novel surface analysis device that does not require a highly sensitive measurement device.

上記目的を達成するために、円筒状の陽極とこ
の陽極の両端部に近接して設けられる2個の陰極
とで構成される放電空間に電磁界を作用させる構
成の2台のクロストフイールド放電装置を用い、
第1のクロストフイールド放電装置を中性粒子の
イオン化装置として、第2のクロストフイールド
放電装置の放電空間に試料を保持してスパツタし
て大きな収率の二次中性粒子を発生せしめ、この
二次中性粒子を第1のクロストフイールド放電装
置でイオン化し、イオンの質量選択を行い、試料
の表面分析を行うものである。
In order to achieve the above purpose, two crossed field discharge devices are constructed to apply an electromagnetic field to a discharge space consisting of a cylindrical anode and two cathodes provided close to both ends of the anode. using
The first clothed field discharge device is used as a neutral particle ionization device, and the sample is held in the discharge space of the second clothed field discharge device and sputtered to generate a large yield of secondary neutral particles. Next, neutral particles are ionized in the first crossed field discharge device, ion mass selection is performed, and the surface of the sample is analyzed.

以下添付図面を参照して本発明の一実施例につ
いて説明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

第1図は本発明による表面分析装置の構成を示
す外形図である。図中1は磁界を発生せしめる空
心コイルで、その内部には2台のクロストフイー
ルド放電装置、イオン速度選択装置およびイオン
検出装置等が配設されており、端子2を通して図
示しない電源により励磁されるとともに給水口3
から流入し排水口4から流出する水によつて冷却
される。5は第1のクロストフイールド放電装置
の支持体で、その壁部には各電極へ給電するため
の端子5eが設けられ、それらの端子は図示しな
い電源にそれぞれ接続される。
FIG. 1 is an outline drawing showing the configuration of a surface analysis device according to the present invention. In the figure, reference numeral 1 denotes an air-core coil that generates a magnetic field. Two crossed field discharge devices, an ion velocity selection device, an ion detection device, etc. are installed inside the coil, and it is excited by a power source (not shown) through terminal 2. Along with water inlet 3
It is cooled by water flowing in from the drain port 4 and flowing out from the drain port 4. Reference numeral 5 denotes a support body of the first crossed field discharge device, and terminals 5e for supplying power to each electrode are provided on the wall of the support body, and these terminals are respectively connected to a power source (not shown).

次に7は真空装置で、2台のクロストフイール
ド放電装置、イオン速度選択装置およびイオン検
出装置等を収容している真空容器の内部気体を、
フランジ7aが接続される部分およびフランジ7
bが接続される部分にそれぞれ設けられた排気口
を通して排気すると共にフランジ7cが接続され
る部分に設けられた吸気口を通して放電作動気体
を真空容器の内部に供給するものである。
Next, 7 is a vacuum device, which removes the internal gas of the vacuum container containing two crossed field discharge devices, an ion velocity selection device, an ion detection device, etc.
The part to which the flange 7a is connected and the flange 7
The discharge operating gas is evacuated through exhaust ports provided at the portions connected to the flange 7c, and supplied into the vacuum vessel through the intake ports provided at the portions connected to the flange 7c.

さらに8はマニホールドで、その下部のフラン
ジ8bには第2のクロストフイールド放電装置の
一部品を支持するためのフランジ8aが一体的に
接合されており、これらのフランジは真空容器の
フランジ9cと締結される。また、マニホールド
8の上部のフランジ8cには第2のクロストフイ
ールド放電装置の支持体6のフランジ6aが、ま
た、マニホールド8の右側のフランジ8dには真
空装置7のフランジ7bが、さらに、マニホール
ド8の左側の流量制御弁8fを介して設けられた
フランジ8eには真空装置7のフランジ7cがそ
れぞれ気密に接続され排気口もしくは通気口が形
成されている。
Furthermore, 8 is a manifold, and a flange 8a for supporting a part of the second crossed field discharge device is integrally joined to a flange 8b at the bottom of the manifold, and these flanges are fastened to a flange 9c of the vacuum vessel. be done. Further, the upper flange 8c of the manifold 8 has a flange 6a of the support body 6 of the second crossed field discharge device, the right flange 8d of the manifold 8 has a flange 7b of the vacuum device 7, and the manifold 8 Flanges 7c of the vacuum device 7 are hermetically connected to the flanges 8e provided through the flow rate control valve 8f on the left side, respectively, to form exhaust ports or vents.

次に第2図は本発明による表面分析装置の主要
部の構成を示す縦断面図で、第1図と同一符号は
同一の要素を示し、これら以外の9は真空容器
で、絶縁性の筒体9aの下端部には接続金具9d
を介してフランジ9bが、同様に上端部には接続
金具9eを介してフランジ9cがそれぞれ設けら
れ、このフランジ9bは第1のクロストフイール
ド放電装置の支持体5のフランジ5bと、フラン
ジ9cはマニホールド8のフランジ8aとそれぞ
れ気密裡に連結されている。したがつて、第1の
クロストフイールド放電装置の支持体5、真空容
器9、マニホールド8および第2のクロストフイ
ールド放電装置の支持体6とで、より大きな真空
容器を形成することになり、その内部気体はフラ
ンジ5aによつて接続された排気口、および、フ
ランジ8dによつて接続された排気口を通して排
気される。なお、真空容器9の内部が真空状態に
到達した段階で、流量制御弁8fによつて制御さ
れた作動気体が供給される。
Next, FIG. 2 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of the main parts of the surface analysis device according to the present invention, in which the same reference numerals as in FIG. A connecting fitting 9d is attached to the lower end of the body 9a.
Similarly, a flange 9c is provided at the upper end via a connecting fitting 9e, and this flange 9b connects to the flange 5b of the support 5 of the first crossed field discharge device, and the flange 9c connects to the manifold. 8 flanges 8a, respectively, in an airtight manner. Therefore, the support 5 of the first crost field discharge device, the vacuum vessel 9, the manifold 8, and the support 6 of the second crost field discharge device form a larger vacuum container, and the inside thereof Gas is exhausted through an exhaust port connected by flange 5a and an exhaust port connected by flange 8d. Note that when the inside of the vacuum container 9 reaches a vacuum state, the working gas controlled by the flow rate control valve 8f is supplied.

次に10は第1のクロストフイールド放電装置
で、これを構成する11は放電空間としての貫通
した中空部12を有する円筒状の陽極(第1の陽
極とも言う)、13は前記中空部12の軸心を延
長した位置に貫通孔19を有し、第1の陽極に近
接して一方の開口端を覆う陰極(第1の陰極とも
言う)、14も前記中空部12の軸心を延長した
位置に貫通孔30を有し、第1の陽極に近接して
他方の開口端を覆う陰極(第2の陰極とも言う)、
15は中空部12の軸心に対して平行且つ近傍に
配設され、第1の陰極13および第2の陰極14
とは絶縁され、コイル1に形成される磁力線の向
きとも平行な線状電極(第4の電極とも言う)を
それぞれ示す。なお、線状電極15としてはタン
グステン細線が好適であり、これは陰極13およ
び14の陽極11に対向しない側にそれぞれ固定
された図示しない支持体により適切な張力を与え
られ乍ら支持されている。また、円筒状の陽極1
1とコイル1はほぼ同軸に配置されているため陽
極11の軸心は磁力線の向きと一致する。
Next, 10 is a first crossed field discharge device, 11 constituting this is a cylindrical anode (also referred to as a first anode) having a hollow part 12 passing through as a discharge space, and 13 is a cylindrical anode (also referred to as a first anode) having a hollow part 12 passing through as a discharge space. A cathode (also referred to as a first cathode) 14, which has a through hole 19 at a position where the axis is extended, and which is close to the first anode and covers one open end, also has an axis extending from the hollow part 12. a cathode (also referred to as a second cathode) that has a through hole 30 at a position and is close to the first anode and covers the other open end;
15 is disposed parallel to and near the axis of the hollow portion 12, and is connected to the first cathode 13 and the second cathode 14.
A linear electrode (also referred to as a fourth electrode) is shown, which is insulated from and parallel to the direction of the magnetic lines of force formed in the coil 1. Note that a thin tungsten wire is suitable as the linear electrode 15, and is supported while being given an appropriate tension by supports (not shown) fixed to the sides of the cathodes 13 and 14 that do not face the anode 11, respectively. . In addition, a cylindrical anode 1
Since the anode 1 and the coil 1 are arranged substantially coaxially, the axis of the anode 11 coincides with the direction of the lines of magnetic force.

上記第1のクロストフイールド放電装置10は
支持体5によつて支持されるものであるが、この
支持体5の一部をなす絶縁板5cはその中心部に
排気口となる貫通孔が穿たれ、接続金具5dを介
してフランジ5bの内側に固定される。かかる支
持体5には多数の導体柱が固定され、これらの導
体柱の一端はそれぞれ端子5eに電気的に接続さ
れ、それぞれの他端は第1のクロストフイールド
放電装置10の陽極11および陰極13,14を
支持するとともに電気的にも接続される。すなわ
ち、陽極11は実際に3本設けられる導体柱16
により、陰極13,14も実際に3本設けられる
導体柱17により、機械的に固定されると同時に
給電される。また、線状電極15は前述と同様に
絶縁板5cに固定され、一端が端子5eに接続さ
れた導体柱18と電気的に接続される。なお、こ
こでは陰極13と14とは導体柱17によつて短
絡されているけれども、これらを絶縁して相互に
異る電圧を印加することも勿論可能である。
The first crossed field discharge device 10 is supported by a support 5, and an insulating plate 5c forming a part of the support 5 has a through hole formed in its center to serve as an exhaust port. , is fixed inside the flange 5b via the connecting fitting 5d. A large number of conductor columns are fixed to the support 5, one end of each of these conductor columns is electrically connected to a terminal 5e, and the other end of each conductor column is connected to an anode 11 and a cathode 13 of the first crossed field discharge device 10. , 14 and are also electrically connected. That is, the anode 11 actually has three conductor columns 16.
Accordingly, the cathodes 13 and 14 are also mechanically fixed and simultaneously supplied with power by the three conductor columns 17 actually provided. Further, the linear electrode 15 is fixed to the insulating plate 5c in the same manner as described above, and is electrically connected to the conductor column 18 whose one end is connected to the terminal 5e. Although the cathodes 13 and 14 are here short-circuited by the conductor column 17, it is of course possible to insulate them and apply different voltages to each other.

また次に20は第2のクロストフイールド放電
装置で、これを構成する21は放電空間としての
貫通した中空部22を有する円筒状の陽極(第2
の陽極とも言う)、23は中空部22の軸心を延
長した位置に貫通孔31を有し、第2の陽極21
に近接して一方の開口端を覆う陰極(第3の陰極
とも言う)、24も中空部22の軸心を延長した
位置に貫通孔を有し、第2の陽極に他方の開口端
を覆う陰極(第4の陰極とも言う)、28は陽極
21と陰極23,24とで形成される放電空間の
ほぼ中央部に表面分析される試料25の表面を第
1の放電装置に対向させて保持するホルダーをそ
れぞれ示す。ここで、ホルダ28は陰極24の貫
通孔に嵌め込まれるとともに、中空部22の軸心
上に配設される。また、円筒状の陽極21とコイ
ル1はほぼ同軸に配置されているため陽極21の
軸心は磁力線の向きと一致する。さらに、円筒状
の陽極21の中空部の軸心と、前述の第1の放電
装置10の円筒状の陽極11の中空部の軸心とが
一致する。
Next, 20 is a second crossed field discharge device, and 21 constituting this is a cylindrical anode (second
), 23 has a through hole 31 at a position extending from the axis of the hollow part 22, and the second anode 21
A cathode (also referred to as a third cathode) 24 that is close to and covers one open end, and has a through hole at a position extending from the axis of the hollow portion 22, and a second anode that covers the other open end. A cathode (also referred to as a fourth cathode) 28 holds the surface of the sample 25 to be analyzed in a substantially central part of the discharge space formed by the anode 21 and the cathodes 23 and 24, facing the first discharge device. Each holder is shown below. Here, the holder 28 is fitted into the through hole of the cathode 24 and is disposed on the axis of the hollow portion 22 . Further, since the cylindrical anode 21 and the coil 1 are arranged substantially coaxially, the axis of the anode 21 coincides with the direction of the magnetic lines of force. Further, the axial center of the hollow portion of the cylindrical anode 21 and the axial center of the hollow portion of the cylindrical anode 11 of the first discharge device 10 described above coincide.

上記第2のクロストフイールド放電装置20は
細部が図示されていない支持体6によつて支持さ
れるもので、ほぼ支持体5と同様に構成された多
数の導体柱によつて各電極が支持されている。す
なわち、実際には3本設けられる導体柱26によ
つて陽極21が機械的に支持されると共に電気的
に接続され、実際には3本設けられる導体柱27
によつて陰極23,24が機械的に固定されると
同時に陰極24は電気的に接続され、各導体柱の
図示されない端部は真空容器壁を気密裡に貫通す
る端子を介して外部の電源に接続される。ここ
で、陰極23は図示されない板バネによつて良導
体の筒体29の一解放端に嵌装され、この筒体2
9の他の解放端はフランジ8aの内径部分に嵌着
され、これらは接地電位に保たれる。一方、第1
のクロストフイールド放電装置の陰極14と、第
2のクロストフイールド放電装置の陰極23とは
近接して配置される。
The second crossed field discharge device 20 is supported by a support 6 whose details are not shown, and each electrode is supported by a large number of conductor pillars that are constructed almost in the same way as the support 5. ing. That is, the anode 21 is actually mechanically supported and electrically connected by the three conductor columns 26, and the three conductor columns 27 are actually provided.
At the same time, the cathodes 23 and 24 are mechanically fixed and electrically connected, and the ends (not shown) of each conductor column are connected to an external power source via terminals that hermetically penetrate the wall of the vacuum chamber. connected to. Here, the cathode 23 is fitted into one open end of a cylinder 29 made of a good conductor by a leaf spring (not shown), and this cylinder
The other open end of 9 is fitted onto the inner diameter of flange 8a, and these are kept at ground potential. On the other hand, the first
The cathode 14 of the first crossed field discharge device and the cathode 23 of the second crossed field discharge device are arranged in close proximity.

次にまた、真空容器9内で第1のクロストフイ
ールド放電装置に並設された32はイオン速度選
択装置で、相互に絶縁された2枚の平行平板電極
を収納する箱体が示されている。この箱体の上部
にはイオン入射孔が穿たれる。このイオン入射孔
は陰極13の貫通孔19を通して放射されるイオ
ンがそのまま平行平板電極内を通過するような位
置に設けられる。また、このような箱体は枠体3
5を介して2本の支柱34によつて支持され、各
平行平板電極にはこれらの支柱の内部に通された
導線を通じて異なる電位が印加されるので極板面
に垂直な電界が形成される。平板電極はまたコイ
ル1によつて形成される磁界の磁力線の向きと平
行に配置されるために、平板電極の内部にあつて
は電界と磁界が垂直に交る。一方、箱体のイオン
入射孔の穿たれた面と対向する箱体面、すなわ
ち、第1のクロストフイールド放電装置10から
最も隔れた側の、磁界に垂直な箱体面にはイオン
入射孔とは偏心した位置にイオン放出孔が穿たれ
ている。
Next, numeral 32 installed in parallel with the first crossed field discharge device in the vacuum vessel 9 is an ion velocity selection device, and a box body housing two mutually insulated parallel plate electrodes is shown. . An ion entrance hole is bored in the upper part of this box. This ion entrance hole is provided at a position such that ions emitted through the through hole 19 of the cathode 13 pass through the parallel plate electrode as they are. In addition, such a box body has a frame body 3.
5 and supported by two pillars 34, and different potentials are applied to each parallel plate electrode through conductive wires passed inside these pillars, so that an electric field perpendicular to the electrode plate surface is formed. . Since the flat plate electrode is also arranged parallel to the direction of the magnetic field lines of the magnetic field formed by the coil 1, the electric field and the magnetic field intersect perpendicularly inside the flat plate electrode. On the other hand, the ion incidence hole is provided on the box surface opposite to the surface of the box where the ion incidence hole is perforated, that is, on the box surface perpendicular to the magnetic field on the side farthest from the first crossed field discharge device 10. The ion emission hole is drilled in an eccentric position.

33はイオン検出装置で、例えば、フアラデイ
カツプが用いられる。このイオン検出装置は上記
イオン放出孔を通るイオンを検出し得るべくこの
イオン放出孔に近接して配置され、これもまた枠
体35に固定されると同時に支柱34の内部に所
要な導線が通される。
33 is an ion detection device, for example, a Faraday cup is used. This ion detecting device is placed close to the ion emitting hole so as to be able to detect ions passing through the ion emitting hole, and is also fixed to the frame 35, and at the same time, necessary conductive wires are passed through the inside of the support 34. be done.

上記の如く構成された本発明による表面分析装
置の作用を以下に説明する。
The operation of the surface analysis device according to the present invention configured as described above will be explained below.

先ず試料の取替えはフランジ6aと8cの緊結
を解いて第2のクロストフイールド放電装置20
をその支持体6とともに引き抜き、ホルダ28を
陰極24から取り外して行なわれる。この試料取
替え後再組立を行ない、真空の荒引きを含む排気
を行なつてマニホールド8内の圧力が所定の真空
度に到達した段階で、排気操作を継続しつつ流量
制御弁8fを通して作動気体を導入し、マニホー
ルド8内の圧力が動的平衡状態を維持するように
調整したところで2台のクロストフイールド放電
装置の放電洗浄を開始する。この放電洗浄を開始
した直後は陽陰極間電圧が高過ぎることのないよ
うに設定する必要があり、最終的には表面分析が
可能な放電条件を作り出す。かかる放電洗浄は数
分で完了するのが普通である。
First, to replace the sample, untie the flanges 6a and 8c and insert the second crossed field discharge device 20.
is pulled out together with its support 6, and the holder 28 is removed from the cathode 24. After replacing the sample, reassembly is performed, and when the pressure inside the manifold 8 reaches a predetermined degree of vacuum after evacuation including rough vacuum evacuation, the working gas is supplied through the flow rate control valve 8f while continuing the evacuation operation. After the pressure inside the manifold 8 is adjusted to maintain a dynamic equilibrium state, discharge cleaning of the two crossed field discharge devices is started. Immediately after starting this discharge cleaning, it is necessary to set the voltage between the anode and cathode so that it does not become too high, and ultimately create discharge conditions that allow surface analysis. Such discharge cleaning typically takes a few minutes to complete.

ところで、マニホールド内の圧力が動的平衡状
態にあれば、作動気体を含む真空容器内の気体は
マニホールド8のフランジ8dによつて締結され
た排気口を通じて排出される一方、支持体5のフ
ランジ5aによつて締結された排気口を通じても
排出されている。すなわち、第2のクロストフイ
ールド放電装置20の放電空間内の気体の一部は
陰極23の貫通孔31を通して排気されることに
なる。ここで、マニホールドのフランジ8a、こ
れに固定された筒体29および陰極23は、貫通
孔31を除いて、第1のクロストフイールド放電
装置と第2のクロストフイールド放電装置の放電
空間とを隔てる隔壁として介在し、さらに、第1
のクロストフイールド放電装置の放電空間は真空
的に高いコンダクタンスを以つて真空装置7に接
続されているので第2のクロストフイールド放電
装置20の放電空間内の気体は低いコンダクタン
スの陰極23の貫通孔31を通して排気される。
その結果、第2のクロストフイールド放電装置の
放電空間の気体の圧力に比して、第1のクロスト
フイールド放電装置の放働空間の気体の圧力を非
常に低い値に保つことができる。このような圧力
差は後述するように表面分析の実施時に第1のク
ロストフイールド放電装置に到達する作動気体を
少なくする上で不可欠なもので、これをさらに助
長する方策としては、マニホールド8に接続され
る排気装置と第1のクロストフイールド放電装置
の支体5に接続される排気装置とをそれぞれ別個
に設ける等の方法も用いられるが、この実施例で
はマニホールド8に接続された排気口にベローズ
を介して設けられたバルブ7dを閉じることで十
分である。すなわち、放電洗浄終了後、放電空間
の磁界強度ならびに陽陰極間電圧を一定にしたま
まバルブを閉じ、第2のクロストフイールド放電
装置の陽極電流が放電洗浄終了時の陽極電流と等
しくなるように流量制御弁8fを調整すれば所要
の圧力差を得ることができる。
By the way, if the pressure in the manifold is in a dynamic equilibrium state, the gas in the vacuum container containing the working gas is discharged through the exhaust port fastened by the flange 8d of the manifold 8, while the flange 5a of the support 5 It is also discharged through an exhaust port connected by. That is, part of the gas in the discharge space of the second crossed field discharge device 20 is exhausted through the through hole 31 of the cathode 23. Here, the flange 8a of the manifold, the cylindrical body 29 fixed thereto, and the cathode 23 are, except for the through hole 31, a partition wall that separates the discharge space of the first crost field discharge device and the second crost field discharge device. and furthermore, the first
Since the discharge space of the second crossed field discharge device is connected to the vacuum device 7 with high vacuum conductance, the gas in the discharge space of the second crossed field discharge device 20 flows through the through hole 31 of the cathode 23 with low conductance. is exhausted through.
As a result, the gas pressure in the discharge space of the first cross-field discharge device can be kept at a very low value compared to the gas pressure in the discharge space of the second cross-field discharge device. As will be described later, such a pressure difference is essential for reducing the amount of working gas that reaches the first crossed field discharge device during surface analysis. Although a method such as separately providing an exhaust device connected to the support body 5 of the first crossed field discharge device and an exhaust device connected to the support body 5 of the first crossfield discharge device may also be used, in this embodiment, a bellows is connected to the exhaust port connected to the manifold 8. It is sufficient to close the valve 7d provided via. That is, after discharge cleaning is completed, the valve is closed while keeping the magnetic field strength in the discharge space and the anode-cathode voltage constant, and the flow rate is adjusted so that the anode current of the second crossed field discharge device is equal to the anode current at the end of discharge cleaning. A required pressure difference can be obtained by adjusting the control valve 8f.

このようにして、マニホールド8に導入された
作動気体の大部分は第2のクロストフイールド放
電装置の放電空間(陽極21、陰極23および2
4で囲まれる空間)に導かれる。この放電空間に
は高密度の電子が存在してそのエネルギは十分に
高いので、作動気体の分子は効率よくイオン化さ
れて一次イオンが形成される。これらの一次イオ
ンの大部分は陰極23、試料25およびホルダ2
8に衝突してその表面下に埋め込まれるか、ある
いは、中性化されて再度作動粒子として放電空間
に戻される。また、残りの僅かな一次イオンは貫
通孔31を通り抜けて第1のクロストフイールド
放電装置の放電空間に向かうけれども、この僅か
な一次イオンは表面分析上必要とするものではな
くむしろ邪魔なものとなる場合が多い。従つて、
この実施例では第2のクロストフイールド放電装
置の陽極21の電位Va2と第1のクロストフイー
ルド放電装置の陰極14の電位Vk2との間に Vk2−Va2≧−100〔v〕 ……(1) となるような電位差を生ぜしめるならば、この僅
かな一次イオンを除去し得ることが判明してい
る。
In this way, most of the working gas introduced into the manifold 8 is transferred to the discharge space (anode 21, cathode 23 and 2
4). Since a high density of electrons exists in this discharge space and their energy is sufficiently high, molecules of the working gas are efficiently ionized to form primary ions. Most of these primary ions are contained in the cathode 23, the sample 25 and the holder 2.
8 and become embedded under its surface, or are neutralized and returned to the discharge space as active particles. In addition, although the remaining few primary ions pass through the through hole 31 and head toward the discharge space of the first crossed field discharge device, these few primary ions are not necessary for surface analysis but rather become a nuisance. There are many cases. Therefore,
In this embodiment, between the potential V a2 of the anode 21 of the second crossed field discharge device and the potential V k2 of the cathode 14 of the first crossed field discharge device, V k2 −V a2 ≧−100 [v] . . . It has been found that this small amount of primary ions can be removed if a potential difference such as (1) is created.

ただし、試料表面に作動気体の分子が存在しな
いことが予め判つている場合、あるいは、表面分
析結果に作動気体のイオンが含まれても支障のな
い場合には上述の電位差を与える必要はないけれ
ども、この僅かなイオンを除去することは少なく
とも作動気体のイオンの量を考慮する必要がなく
なり、表面分析を迅速且つ高精度で行なうことが
できる。
However, if it is known in advance that there are no working gas molecules on the sample surface, or if there is no problem even if working gas ions are included in the surface analysis results, it is not necessary to apply the above-mentioned potential difference. By removing this small amount of ions, there is no need to consider at least the amount of ions in the working gas, and surface analysis can be performed quickly and with high precision.

とそろで、作動気体がイオン化されて形成され
た一次イオンが陰極23、試料25およびホルダ
28に衝突するときスパツタリングを生起する
が、この作用が最も著しいのは試料25の陰極2
3に対向する試料面で、この試料面から飛散する
中性粒子が陰極23の貫通孔31を通つて第1の
クロストフイールド放電装置の放電空間に放射さ
れる。もちろん、上記試料面以外でも中性粒子が
飛散するけれども、貫通孔31が見通せない面で
発生する中性粒子は貫通孔31を通過し難く、実
際上、貫通孔31を通過する粒子は試料25の陰
極23に対向する試料面からのものだけとなる。
At the same time, when the primary ions formed by the ionization of the working gas collide with the cathode 23, the sample 25, and the holder 28, sputtering occurs, but this effect is most remarkable on the cathode 2 of the sample 25.
3, neutral particles scattered from the sample surface are emitted into the discharge space of the first crossed field discharge device through the through hole 31 of the cathode 23. Of course, neutral particles are scattered on surfaces other than the sample surface, but neutral particles generated on a surface where the through hole 31 cannot be seen are difficult to pass through the through hole 31, and in reality, the particles passing through the through hole 31 are on the sample 25. Only from the sample surface facing the cathode 23.

このことは、二次イオン、すなわちスパツタリ
ングで生起した粒子の内のイオンの質量を分析し
て表面分析を行う従来の装置では、スパツタリン
グで生起した粒子の大部分を占める中性粒子を利
用できず僅かの量の二次イオンを分析しなければ
ならない結果特別に高感度の計測装置を必要とし
たけれども、本実施例では中性粒子を効率よく利
用することになるので、かかる高感度の計測装置
を必要としなくなることである。
This means that conventional equipment, which performs surface analysis by analyzing the mass of secondary ions, i.e., ions in particles generated by sputtering, cannot utilize neutral particles, which make up the majority of particles generated by sputtering. As a result of having to analyze a small amount of secondary ions, a particularly high-sensitivity measuring device was required, but since neutral particles are efficiently used in this example, such a highly sensitive measuring device is required. is no longer necessary.

かくして、陰極23の貫通孔31を通過した中
性粒子(二次粒子とも言う)の大部分は第1のク
ロストフイールド放電装置の放電空間(陽極1
1、陰極13および14で囲まれる空間)に到達
する。この場合、線状電極15は2つの陰極のそ
れぞれに貫通孔19,30があつても安定な放電
を行なわしむるものである。このようにして二次
粒子が飛行する放電空間にもまた高密度の電子が
存在し、しかも、二次粒子の飛行距離は相当に長
いので、この二次粒子は効率よくイオン化され
る。この場合、イオン化される部位は中空部12
の軸心近傍であるため、この放電空間で生成され
たイオン大部分が陰極13の貫通孔19を通過す
ることとなる。一方、二次粒子が生成された当初
の運動エネルギは数eVと非常に低いので、貫通
孔19を通過するイオンのエネルギの分布は狭い
幅に限定され、しかも、その進路は磁力線と平行
である。
In this way, most of the neutral particles (also referred to as secondary particles) that have passed through the through holes 31 of the cathode 23 are transferred to the discharge space of the first crossed field discharge device (the anode 1
1, a space surrounded by cathodes 13 and 14). In this case, the linear electrode 15 allows stable discharge even if the two cathodes have through holes 19 and 30, respectively. A high density of electrons also exists in the discharge space where the secondary particles fly in this way, and the flight distance of the secondary particles is quite long, so the secondary particles are efficiently ionized. In this case, the part to be ionized is the hollow part 12
Since it is located near the axis of the cathode 13, most of the ions generated in this discharge space pass through the through hole 19 of the cathode 13. On the other hand, since the initial kinetic energy of the secondary particles is very low at several eV, the energy distribution of the ions passing through the through-hole 19 is limited to a narrow width, and moreover, their paths are parallel to the lines of magnetic force. .

したがつて、これらのイオンがイオン速度選択
装置32のイオン入射孔を通してその内部を飛行
することになる。このイオン速度選択装置の内部
には上記磁界の他、その磁界に直交する電界が形
成されているために、磁界の方向に沿つて測つた
一定の距離だけイオンをドリフトさせるならばイ
オンの質量を分離できる。すなわち、イオンのド
リフト速度E〓×B〓/1B〓12は質量に無関係であるこ
とから、入射エネルギがほぼ一定のイオンは、そ
の質量に応じて特有な飛跡を画く。ただしここで
はイオンの入射孔とイオン放出孔とが定位置に穿
たれているために、電界強度によつて定まる一定
質量のイオンだけがイオン放出孔を通過すること
になる。かかるイオンの質量と平行平板電極の電
位差を対比させておけば試料25より飛散する粒
子の分析が可能となる。換言すれば、試料25の
表面分析が可能となる。
Therefore, these ions will fly through the ion entrance hole of the ion velocity selector 32. In addition to the above-mentioned magnetic field, an electric field perpendicular to the magnetic field is formed inside this ion velocity selection device. Can be separated. In other words, since the ion drift velocity E〓×B〓/1B〓1 2 is independent of mass, ions whose incident energy is approximately constant draw a unique trajectory depending on their mass. However, here, since the ion entrance hole and the ion ejection hole are drilled at fixed positions, only ions of a certain mass determined by the electric field strength will pass through the ion ejection hole. By comparing the mass of such ions with the potential difference between the parallel plate electrodes, it becomes possible to analyze particles scattered from the sample 25. In other words, surface analysis of the sample 25 becomes possible.

なお、上記の如く構成された表面分析装置は、
試料のスパツタリングに例えば、1×10-5Pa(1
×10-7Torr)という超高真空に近い圧力でも作
動することを特徴とするクロストフイールド放電
装置を使用しているために、作動気体の圧力も非
常に低いものでよい。このことは、超高真空に近
い圧力でスパツタリングが行なわれ、しかも、表
面分析に必要な十分な量のイオンが得られること
を意味する。その結果、真空容器9内に収容され
ているイオン速度選択装置32およびイオン検出
装置33等の汚染を未然に防ぐことになる。ま
た、ここでは、雰囲気によつて収率が左右される
二次イオンを利用するものではなく、雰囲気の影
響が殆んど現れない中性二次粒子を利用するの
で、組成等を推定する際のあいまいさがなくな
る。
Note that the surface analysis device configured as described above is
For example, 1×10 -5 Pa (1
Since the cross-field discharge device is used, which is characterized by its ability to operate at pressures close to ultra-high vacuum (×10 -7 Torr), the pressure of the working gas can be extremely low. This means that sputtering can be performed at pressures close to ultra-high vacuum, yet a sufficient amount of ions needed for surface analysis can be obtained. As a result, contamination of the ion velocity selection device 32, ion detection device 33, etc. housed in the vacuum container 9 is prevented. In addition, here, we do not use secondary ions whose yield is affected by the atmosphere, but use neutral secondary particles that are hardly affected by the atmosphere, so when estimating the composition etc. ambiguity disappears.

一方、第2のクロストフイールド放電空間に導
入される作動気体の量が絶対的に少ないことか
ら、この作動気体の殆んど全部がイオン化される
ので、結果的に第1のクロストフイールド放電装
置の放電空間に流入する作動気体は少なく、この
意味でも真空容器9内に収納される機器の汚染を
極めて低く抑えることができる。
On the other hand, since the amount of working gas introduced into the second crossfield discharge space is absolutely small, almost all of this working gas is ionized, and as a result, the first crossfield discharge device The amount of working gas flowing into the discharge space is small, and in this sense as well, contamination of the equipment housed in the vacuum container 9 can be kept to an extremely low level.

また一方、上記実施例では放電電極、イオン速
度選択装置およびイオン検出装置等の主要構成要
素を真空容器内に収容し、この真空容器の外部か
ら円筒状コイルによつて磁界を作用させたけれど
も、元来、プラズマ装置には強力な磁界が形成さ
れているので、このプラズマ装置に上記表面分析
装置を設置する場合には円筒状コイルを省略で
き、結果として、表面分析装置の構成が極めて簡
易化され、より一層の小型化も達成される。
On the other hand, in the above embodiment, the main components such as the discharge electrode, ion velocity selection device, and ion detection device were housed in a vacuum container, and a magnetic field was applied from outside the vacuum container by a cylindrical coil. Since a strong magnetic field is originally formed in a plasma device, the cylindrical coil can be omitted when the above-mentioned surface analysis device is installed in this plasma device, and as a result, the configuration of the surface analysis device is extremely simplified. This also results in further miniaturization.

以上の説明によつて明らかな如く本発明の表面
分析装置によれば、全体形状の簡素化と小型化が
達成されるために核融合装置の内部にも容易に設
置することができ、しかも、試料およびその試料
と共通の容器に収容されるものの汚染を防ぐこと
ができる。またさらに、高感度の計測装置を必要
とせず信頼のおける表面分析が可能である。
As is clear from the above description, according to the surface analysis device of the present invention, the overall shape is simplified and miniaturized, so that it can be easily installed inside a nuclear fusion device. Contamination of the sample and items housed in a common container with the sample can be prevented. Furthermore, reliable surface analysis is possible without the need for highly sensitive measurement equipment.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明による表面分析装置の一実施例
の構成を示す外形図、第2図は同実施例の主要部
の構成を示す縦断面図である。 1……コイル、5,6……支持体、7……真空
装置、8……マニホールド、9……真空容器、1
0,20……クロストフイールド放電装置、1
1,21……陽極、12,22……中空部、1
3,14,23,24……陰極、15……線状電
極、16,17,18,26,27……導体柱、
19,30,31……貫通孔、25……試料、2
8……ホルダ、29……筒体、32……イオン速
度選択装置、33……イオン検出装置。
FIG. 1 is an external view showing the structure of an embodiment of a surface analysis device according to the present invention, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing the structure of the main part of the same embodiment. 1... Coil, 5, 6... Support, 7... Vacuum device, 8... Manifold, 9... Vacuum container, 1
0,20...Cross field discharge device, 1
1, 21... Anode, 12, 22... Hollow part, 1
3, 14, 23, 24... cathode, 15... linear electrode, 16, 17, 18, 26, 27... conductor column,
19, 30, 31...Through hole, 25...Sample, 2
8...Holder, 29...Cylinder, 32...Ion velocity selection device, 33...Ion detection device.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 次の構成要素a〜dよりなることを特徴とす
る表面分析装置。 (a) 貫通した中空部を有する第1の陽極と、前記
中空部の軸心を延長した位置に貫通孔を有し、
前記第1の陽極に接近させてそれぞれの開口端
を覆う第1および第2の陰極と、前記軸心に対
して平行且つ近傍に配設される線状電極とを備
える第1の放電装置。 (b) 貫通した中空部を有し、この中空部の軸心が
前記第1の陽極の中空部の軸心と一致するよう
に配設される第2の陽極と、前記軸心を延長し
た位置に貫通孔を有し、前記第1の放電装置に
対向する側の、前記第2の陽極の開口端に接近
させてこれを覆う第3の陰極と、前記第1の放
電装置に対向しない側の、前記第2の陽極の開
口端に接近させてこれを覆う第4の陰極と、前
記第2の陽極の中空部内の前記軸心上で試料を
保持するとともに試料面を前記第1の放電装置
に対向させるホルダとを備える第2の放電装
置。 (c) 前記第1の放電装置および第2の放電装置を
収容するとともに前記電極に給電し得る端子を
有する真空容器。 (d) 前記真空容器の外部から、前記第1の陽極お
よび第2の陽極の中空部において、磁力線の向
きが前記軸心に平行な磁界を発生させる磁界発
生装置。 2 前記第1の放電装置の放電作動気体は、前記
第2の陽極の中空部に供給されることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の表面分析装置。 3 前記第1の放電装置において、前記第1の放
電装置の第2の陰極の電位Vk2と前記第2の放電
装置の第2の陽極の電位Va2との電位差が次の関
係式を満たすことを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の表面分析装置。 Vk2−Va2≧−100〔v〕 4 前記磁界発生装置がプラズマ装置であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の表面分
析装置。
[Scope of Claims] 1. A surface analysis device characterized by comprising the following components a to d. (a) a first anode having a hollow portion extending therethrough; and a through hole located at a position extending from the axis of the hollow portion;
A first discharge device comprising first and second cathodes that are close to the first anode and cover their respective open ends, and a linear electrode that is disposed parallel to and near the axis. (b) a second anode having a hollow portion extending through the second anode, the second anode being disposed such that the axis of the hollow portion coincides with the axis of the hollow portion of the first anode, and the second anode having an extended hollow portion; a third cathode having a through hole at a position and covering the open end of the second anode on the side facing the first discharge device; and a third cathode not facing the first discharge device. a fourth cathode close to and covering the open end of the second anode; A second discharge device including a holder facing the discharge device. (c) A vacuum container that houses the first discharge device and the second discharge device and has a terminal that can supply power to the electrodes. (d) A magnetic field generating device that generates a magnetic field from the outside of the vacuum container in the hollow portions of the first anode and the second anode, with lines of magnetic force parallel to the axis. 2. The surface analysis device according to claim 1, wherein the discharge working gas of the first discharge device is supplied to a hollow part of the second anode. 3 In the first discharge device, the potential difference between the potential V k2 of the second cathode of the first discharge device and the potential V a2 of the second anode of the second discharge device satisfies the following relational expression. A surface analysis device according to claim 1, characterized in that: V k2 −V a2 ≧−100 [v] 4. The surface analysis device according to claim 1, wherein the magnetic field generating device is a plasma device.
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