JPH01284105A - Stacked microstrip antenna - Google Patents

Stacked microstrip antenna

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JPH01284105A
JPH01284105A JP11445288A JP11445288A JPH01284105A JP H01284105 A JPH01284105 A JP H01284105A JP 11445288 A JP11445288 A JP 11445288A JP 11445288 A JP11445288 A JP 11445288A JP H01284105 A JPH01284105 A JP H01284105A
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JP
Japan
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microstrip antenna
driven element
insulating substrate
stacked
earthing pin
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Tomoyuki Watanabe
智之 渡辺
Yuujirou Taguchi
田口 裕二朗
Toshikiyo Hirata
平田 俊清
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Toyo Communication Equipment Co Ltd
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Toyo Communication Equipment Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To make an earthing pin difficult to fuse without causing the deterioration of a VSWR characteristic even when a driven element and a parasitic element are misaligned by making the diameter of the earthing pin thick, and making it column-shaped or pipe-shaped. CONSTITUTION:A driven element plate 1 is provided with a circular driven element 7 formed on the top surface of an insulating substrate 6 and a grounding surface 8 formed on the bottom surface of the insulating substrate, and a grounding line 5 is connected to the grounding surface 8. Feeding lines 4a, 4b are connected to the driven element 7 through through-holes 9a, 9b, and when the high frequency signals S1, S2 of a required phase difference, e.g., of 90 deg. are supplied, an electromagnetic wave whose plane of polarization rotates is emitted in the air. Both the center of the parasitic element 11 and the center of the driven element 7 are connected to the grounding surface 8 by the earthing pin 3. In this case, by making the diameter of the earthing pin thick, the deterioration of the VSWR characteristic can be prevented even when the centers of the driven element and the parasitic element are misaligned to some extent, and the fusing of the earthing pin can be prevented even in the case of a thunderbolt, etc.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、スタック型マイクロストリップアンテナに間
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a stacked microstrip antenna.

(従来の技術) 飛行機などに搭載されるアンテナとして、近年、マイク
ロストリップアンテナの開発がさかんに行なわれている
(Prior Art) In recent years, microstrip antennas have been actively developed as antennas mounted on airplanes and the like.

第10図はこのようなマイクロストリップアンテナの一
例を示す斜視図、第11図はこのマイクロストリップア
ンテナの一部裁断斜視図である。
FIG. 10 is a perspective view showing an example of such a microstrip antenna, and FIG. 11 is a partially cutaway perspective view of this microstrip antenna.

これらの図に示すマイクロストリップアンテナは、アン
テナのベースとなる絶縁基板1ooと、この絶縁基板1
00の下面側に形成されるグランド面101と、前記絶
縁基板100の上面側に形成される励振素子(金属板)
102と、前記絶縁基板100を貫通して下面側から前
記励振素子102に接続される2本の給電線103a、
103bと、前記グランド面101に接続される1本の
接地線104とを備えている。
The microstrip antenna shown in these figures consists of an insulating substrate 1oo that serves as the base of the antenna, and this insulating substrate 1oo.
A ground plane 101 formed on the lower surface side of 00 and an excitation element (metal plate) formed on the upper surface side of the insulating substrate 100.
102, two feeder lines 103a that penetrate the insulating substrate 100 and are connected to the excitation element 102 from the lower surface side,
103b, and one ground wire 104 connected to the ground plane 101.

そしてこのマイクロストリップアンテナにおいては、偏
波面が回転する電波(円偏波)を生成するために、励振
素子102の中心からの角度(オフセット角度)が“9
0度”となる点(給電点)Pl、P2で、各給電線10
3a、103bど、励振素子102とを接続している。
In this microstrip antenna, the angle (offset angle) from the center of the excitation element 102 is "9" in order to generate radio waves (circularly polarized waves) whose plane of polarization rotates.
At the points (feeding points) Pl and P2 where the temperature is 0 degrees, each feeder line 10
3a, 103b, etc., are connected to the excitation element 102.

そして、前記接地線104を接地させた拭態で、前記給
電線103aに“0度”位相の高周波信号が供給される
とともに、給電線103bに、゛″90度″位相の高周
波信号が供給されたとき、このマイクロストリップアン
テナによって円偏波が生成され、これが空中(この図に
おいて、上面側)に放射される。
Then, with the grounding wire 104 grounded, a high frequency signal with a "0 degree" phase is supplied to the power supply line 103a, and a high frequency signal with a "90 degree" phase is supplied to the power supply line 103b. At this time, circularly polarized waves are generated by this microstrip antenna and radiated into the air (in this figure, on the top side).

このようにこのマイクロストリップアンテナにおいては
、アンテナ全体を極めて薄くすることができるとともに
、円偏波を生成できるので、飛行機用のアンテナとして
極めて有望視されている。
As described above, this microstrip antenna can be made extremely thin as a whole and can generate circularly polarized waves, so it is considered to be extremely promising as an antenna for airplanes.

しかしこのような従来のマイクロストリップアンテナは
、構造が簡単で、かつ薄くすることができるものの、実
用化に際してVSWRに対して使用可能な周波数帯域が
狭いという問題があり、これが実用化のネックになって
いた。
However, although such conventional microstrip antennas have a simple structure and can be made thin, there is a problem that the usable frequency band for VSWR is narrow when put into practical use, and this becomes a bottleneck for practical use. was.

そこでこのような問題を解決するため、第12図、第1
3図に示す如く前記励振素子102から所定距離りだけ
離して絶縁基板107を配置するとともに、この絶縁基
板107上に形成された無給電素子(金属板)108の
中心点と、前記グランド而101とをアースピン109
で接続したマイクロストリップアンテナ(以下、このよ
うなアンテナをスタック型マイクロストリップアンテナ
という)■!2がtM案されている。
Therefore, in order to solve this problem, Fig. 12,
As shown in FIG. 3, an insulating substrate 107 is placed a predetermined distance away from the excitation element 102, and the center point of the parasitic element (metal plate) 108 formed on the insulating substrate 107 and the ground point 101 are and earth pin 109
A microstrip antenna connected with (hereinafter, such an antenna is referred to as a stacked microstrip antenna) ■! 2 is proposed as tM.

このアンテナのアースピン109の目的は、素子108
.102上に励振される電流分布の対称性を保つことに
よる電気的性能のみの改善に限られていた。したがって
、アースピン109の太さについては、まったく考慮さ
れていなかった。
The purpose of the ground pin 109 of this antenna is to
.. The improvement of electrical performance was limited to maintaining the symmetry of the current distribution excited on the 102. Therefore, the thickness of the ground pin 109 was not considered at all.

この場合、スタック型マイク[lストリップアンテナの
理論的動作は、定かてはないが、この無給電素子10B
を設けることによって次に述べるような特性が得られる
ことが実験的に確認されている。
In this case, the theoretical operation of the stacked microphone [l strip antenna is not certain, but this parasitic element 10B
It has been experimentally confirmed that the following characteristics can be obtained by providing the following.

まず、絶縁基板100.107として、厚さ“1.6n
+a+”のテフロングラス基板を用いたスタック型マイ
クロストリップアンテナ112では、2゜6Ct!z”
帯で共厖するように励振素子102の半径aを決めたと
き、励振素子102の半径aと、無給電素子108の半
径すとの比をパラメータとして、各絶縁基板ioo、1
07rW1の距離りを変えれば、第141fflに示す
ようなVSWRが“1.5”以下になる帯域幅/素子間
隔特性が得られる。
First, as the insulating substrate 100.107, the thickness is "1.6n".
+a+" stack type microstrip antenna 112 using Teflon glass substrate, 2°6Ct!z"
When the radius a of the excitation element 102 is determined so as to coexist in the band, the ratio of the radius a of the excitation element 102 to the radius of the parasitic element 108 is used as a parameter to
By changing the distance of 07rW1, it is possible to obtain a bandwidth/element spacing characteristic in which the VSWR is "1.5" or less as shown in 141ffl.

この図から明らかなように、励振素子102の半径aと
、無給電素子10日の半径すとの比を“1.05″にし
、かつ各絶縁基板100.107閑の距ahを“IO+
+us″にしたときが、最も都合の良い特性になる。そ
してこの条件のとき、第15図の特性曲線110に示す
ようなVSWR特性になる。
As is clear from this figure, the ratio of the radius a of the excitation element 102 to the radius of the parasitic element 10 is set to "1.05", and the distance ah between each insulating substrate 100 and 107 is set to "IO+
+us'' is the most convenient characteristic. Under this condition, the VSWR characteristic is as shown in the characteristic curve 110 of FIG. 15.

この特性曲線110から明らかなように、この例では、
”2.6G H2”を中心として“±+cuz”範囲、
すなわち周波数“2.5G Hz〜2−TG Hz” 
テ、VSWR(直が“1.5″以下になる。
As is clear from this characteristic curve 110, in this example,
“±+cuz” range centered on “2.6G H2”,
That is, the frequency “2.5 GHz ~ 2-TG Hz”
Te, VSWR (direction becomes less than "1.5".

このときの特性曲線110と、無給電素子108がない
ときの特性曲線111とを比較すれば明らかなように、
無給7fi Z子10Bが設けられたことによって、“
2.5GH,!〜2.7CI+□′の範囲において実用
上、差し支えない程度までVSWR特性を改善すること
ができる。
As is clear from comparing the characteristic curve 110 at this time with the characteristic curve 111 when there is no parasitic element 108,
With the establishment of unpaid 7fi Z child 10B, “
2.5GH,! In the range of ~2.7CI+□', the VSWR characteristic can be improved to a practically acceptable level.

ところでこのような従来のスタック型マイクロストリッ
プアンテナ112においては、第16図に示す如く励振
素子102の中心と、無給電素子108の中心とがずれ
ると、VSWR特性が急激に悪化するという性質がある
と考えられる。
However, in such a conventional stacked microstrip antenna 112, as shown in FIG. 16, if the center of the excitation element 102 and the center of the parasitic element 108 are misaligned, the VSWR characteristic deteriorates rapidly. it is conceivable that.

このため、スタック型マイクロストリップアンテナ1.
12を製造するとき、これらがずれないように、加工精
度や、組立て精度を高くしなければならないが、このた
め製造工数が多く必・堤となり、コスト高となっていた
For this reason, stacked microstrip antenna 1.
12, processing accuracy and assembly accuracy must be high to prevent these from shifting, but this requires a large number of manufacturing steps and increases costs.

また、第17図に示す如くこのスタック型マイクロスト
リップアンテナ112を飛行0113に搭載した場合、
落雷などによってアースピン109が溶けてしまう虞れ
があった。
Furthermore, when this stacked microstrip antenna 112 is mounted on Flight 0113 as shown in FIG.
There was a risk that the ground pin 109 would melt due to a lightning strike.

(発明の目的) 本発明は上記の事情に鑑み、励振素子と、7!!給電素
子とがずれた場合においても、V S W R特性が低
下しないようにすることができるとともに、落雷などの
事故が起こった場合においても、アースピンが溶断しに
<<シたスタック型マイクロストリップアンテナを提供
することを目的としている。
(Object of the Invention) In view of the above circumstances, the present invention provides an excitation element and 7! ! The stacked microstrip prevents the V S WR characteristics from deteriorating even if the power supply element becomes misaligned, and also prevents the ground pin from fusing in the event of an accident such as a lightning strike. The purpose is to provide an antenna.

(発明の概要) 上記の問題点を解決するために本発明によるスタック型
マイクロストリップアンテナにおいては、無給電素子と
、励Wi素子とを接続するアースピンの径を太くして柱
状、またはパイプ状にしたことを特徴とする。
(Summary of the Invention) In order to solve the above problems, in the stacked microstrip antenna according to the present invention, the diameter of the ground pin connecting the parasitic element and the exciting Wi element is increased to form a columnar or pipe-like structure. It is characterized by what it did.

(実施例) 第1図は本発明によるスタック型マイクロストリップア
ンテナの一実施例を示す斜視図、第2図は同実施例の一
部裁断斜視図である。
(Embodiment) FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a stacked microstrip antenna according to the present invention, and FIG. 2 is a partially cutaway perspective view of the same embodiment.

これらの図に示すスタック型マイクロストリップアンテ
ナ20は、励振素子板lと、無給電素子板2と、アース
ピン3と、2本の給電線4a、4bと、接地線5とを備
えており、接地線5が接地された状態で、各給電線4a
、4bを介して位相差90度の高周波信号S1、S2が
供給されたとき、時間の経過に従って偏波面が回転する
電波(円偏波)を発生し、これを空中に放射する。
The stacked microstrip antenna 20 shown in these figures includes an excitation element plate 1, a parasitic element plate 2, a ground pin 3, two feed lines 4a and 4b, and a ground line 5. With the line 5 grounded, each feeder line 4a
, 4b, when high frequency signals S1 and S2 with a phase difference of 90 degrees are supplied, a radio wave (circularly polarized wave) whose polarization plane rotates over time is generated and radiated into the air.

励振素子板lは、テフロングラスなどによって構成され
る絶縁基板6と、この絶縁基板6の1鉗(この図におい
て上部側の面)に形成される目形の励振素子7と、前記
絶縁基板6の下面に形成されるグランド面8とをイーえ
ており、このグランド面8には、接地線5が接続される
とともに、前記励振素子7には、前記絶縁基板6に形成
された貫通孔9a、9bを介して給電線4a、4 bが
接続されている。
The excitation element plate l includes an insulating substrate 6 made of Teflon glass or the like, an eye-shaped excitation element 7 formed on one prong (the upper surface in this figure) of the insulating substrate 6, and the insulating substrate 6. The ground plane 8 formed on the lower surface of the ground plane 8 is connected to the ground line 5, and the excitation element 7 has a through hole 9a formed in the insulating substrate 6. Power supply lines 4a and 4b are connected via 9b.

この場合、励振素子7と、各給電線4a、4bとの接続
点く給電点P7、P2)は、第3UiJに示す如く中心
点Tからの角度θが105度となり、かつインピーダン
スが“50Ω”となる点に設けられている。
In this case, the connection point between the excitation element 7 and each feeder line 4a, 4b (feeding point P7, P2) has an angle θ of 105 degrees from the center point T as shown in the third UiJ, and an impedance of “50Ω”. It is located at the point where

また、無給電素子板2は、テフロングラスなどによって
構成される絶縁基板loと、この絶縁基板IOの上面に
形成される円形の無給電窒子11とを備えており、この
無給電素子11の中心ど、前記励振素子7の中心は、絶
縁基板10に形成された貫通孔12と、前記励振素子7
、絶縁基板6に形成された貫通孔13とに挿通されたア
ースピン(直径、4mm) 3によってグランド面8に
接続されている。
Furthermore, the parasitic element plate 2 includes an insulating substrate lo made of Teflon glass or the like, and a circular parasitic nitrogen 11 formed on the upper surface of the insulating substrate IO. The center of the excitation element 7 is located between the through hole 12 formed in the insulating substrate 10 and the excitation element 7.
, and is connected to the ground plane 8 by an earth pin (diameter, 4 mm) 3 inserted through a through hole 13 formed in the insulating substrate 6.

この場合、第4図に示す如く各絶縁基板6、lOの厚さ
do、d2は各々“4mm” 、”1.6mo+”に設
定されるとともに、これら各絶縁基板6.10の間隔り
は“4mm”に設定されている。
In this case, as shown in FIG. 4, the thicknesses do and d2 of the insulating substrates 6 and 10 are set to "4 mm" and "1.6 mo+", respectively, and the spacing between the insulating substrates 6 and 10 is " It is set to 4mm.

次に、第5図〜第9図に示す各特性図を参照しながらこ
の実施例の特性について説明する。
Next, the characteristics of this embodiment will be explained with reference to the characteristic diagrams shown in FIGS. 5 to 9.

まず、従来のスタック型マイクロストリップアンテナに
おいては、各絶縁基板間隔を“10m網″より狭くする
と、各給電点間のアイソレーションが低下してしまうが
、この実施例においては、各絶縁基板6.10の間隔1
1を“41”にしたとき、各給電点P1.P2のオフセ
ット角度θを“105度”にだところで、第5図に示す
如く設計周波数F。を“1595.25MHz”として
、送信周波数F、を“1660.5MHz”にし、さら
に受信周波数F2を“1530MH7,”としたときに
おける各給電点P1、P2のアイソレージ:1ンを“−
14dB″゛以下にすることができた。
First, in a conventional stacked microstrip antenna, if the distance between the insulating substrates is narrower than a "10m mesh", the isolation between each feeding point will be reduced, but in this embodiment, each insulating substrate 6. 10 intervals 1
1 is set to "41", each power feeding point P1. When the offset angle θ of P2 is set to 105 degrees, the design frequency F is set as shown in FIG. is "1595.25MHz", the transmission frequency F is "1660.5MHz", and the reception frequency F2 is "1530MH7," and the isolation of each feed point P1 and P2 is "-".
We were able to reduce the noise level to 14 dB'' or less.

これによって、送受信電波をほぼ完全な円偏波にするこ
とができる。
This allows the transmitted and received radio waves to be made into almost completely circularly polarized waves.

またこの実施例においては、アースピン3の直径を太く
しているので、励振素子7の中心と、無給電素子11の
中心とが多少ずれた場合においても、スタック型マイク
ロストリップアンテナ2゜のVSWR特性が低下しない
ようにすることができる。また、このようにアースピン
3の直径を太くすることによって、第6図に示す如く設
計周波数F0を“1595.25M1+□′として、送
信周波数を“1660−5MHz” ニL/、さらに受
信周波数を“1530M112”としたときにおける各
給電点PI、P2のアイソレーション値を下げることが
できる。
Furthermore, in this embodiment, since the diameter of the ground pin 3 is made thick, even if the center of the excitation element 7 and the center of the parasitic element 11 are slightly shifted, the VSWR characteristic of the stacked microstrip antenna 2° can be prevented from decreasing. In addition, by increasing the diameter of the ground pin 3 in this way, as shown in FIG. 6, the design frequency F0 is set to "1595.25M1+□', the transmission frequency is set to "1660-5MHz", and the receiving frequency is set to "1660-5MHz". 1530M112'', the isolation value of each feed point PI and P2 can be lowered.

また、アースピン3を太くしているので、無給電素子1
1に落雷があったときにも、このアースピン3が溶解し
ないようにすることができる。
Also, since the ground pin 3 is made thicker, the parasitic element 1
It is possible to prevent the earth pin 3 from melting even when the pin 1 is struck by lightning.

またこの実施例においては、励振素子7の半径aを“6
4.82mm”にし、さらにこの励振素子の半径aと、
無給電素子11のtq径すの比を“1.14”にしてい
るので、第7図に示す如く送信周波数を“lG60.5
MH□”にし、さらに受信周波数を“1530MH2”
としたときにおけるVSWR特性を向上させることがで
きる。
Further, in this embodiment, the radius a of the excitation element 7 is set to "6".
4.82 mm", and the radius a of this excitation element,
Since the tq diameter ratio of the parasitic element 11 is set to "1.14", the transmission frequency is set to "lG60.5" as shown in FIG.
MH□” and further set the receiving frequency to “1530MH2”
It is possible to improve the VSWR characteristics when

また上述した実施例においては、各絶縁基板6.10間
を空間にしているが、第8図に示す如く各絶縁基板6.
10間に誘電率εが“lO”程度の誘電板21を挿入す
るようにして、第9図の特性曲線24.25に示す如<
VSWR特性を向上させるようにしても良い。
Further, in the embodiment described above, there is a space between each insulating substrate 6.10, but as shown in FIG.
By inserting a dielectric plate 21 having a dielectric constant ε of approximately "1O" between
The VSWR characteristic may be improved.

そしてこのときの特性曲線24.25と、誘電板21が
挿入されていないときの特性曲線22.23とを比較す
れば明らかなように、j電板21を挿入することによっ
てVSWR特性を改善することができる。
As is clear from comparing the characteristic curves 24.25 at this time with the characteristic curves 22.23 when the dielectric plate 21 is not inserted, the VSWR characteristics are improved by inserting the J electric plate 21. be able to.

また上述した各実施例においては、給電点PいP2のオ
フセット角度θを“105度”にしているが、各給電点
P1.22間のアイソレーションが所定値以下の点であ
れば、このオフセット角度θを他の値にするようにして
も良い。
Furthermore, in each of the embodiments described above, the offset angle θ of the feeding points P and P2 is set to 105 degrees, but if the isolation between the feeding points P1 and 22 is less than a predetermined value, then this offset The angle θ may be set to another value.

(発明の効果) 以上説明したように本発明によれば、アースピンの径を
太くしているので、励振素子と、無給電素子とがずれた
場合においても、VSWR特性が低下しないようにする
ことができるとともに、落雷などの事故が起こった場合
においても、アースピンが溶断しないようにすることが
できる。
(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, the diameter of the ground pin is made thick, so that even if the excitation element and the parasitic element are misaligned, the VSWR characteristic is prevented from deteriorating. In addition, it is possible to prevent the ground pin from melting even in the event of an accident such as a lightning strike.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明によるスタック型マイクロストリップア
ンテナの一実施例を示す斜視図、第2図は同実施例の一
部裁断斜視図、第3図は第1図に示す励振素子板の平面
図、第4図は同実施例の正面図、第5図は同実施例のア
イソレーション/オフセット角特性図、第6図は同実施
例のアイソレーション/アースビン径特性図、第7図は
同実施例のVSWR/素子径比特性図、第8図は本発明
によるスタック型マイクロストリップアンテナの他の実
施例を示す正面図、第9図は第8図に示す実施例のVS
WR/素子径比特性図、第10図は従来からあるマイク
ロストリップアンテナの一例を示す斜視図、第11[J
は第101mに示すマイクロストリップアンテナの一部
裁断斜視図、第12図は従来、提案されているスタック
型マイクロストリップアンテナの一例を示す斜視図、第
13図は第12図に示すスタック型マイクロストリップ
アンテナの一部裁断斜視図、第14図は第12図および
第13図に示すスタック型マイクロストリップアンテナ
の帯域幅/素子rr:1隔特性図、第15図は第12図
および第13図に示すスタック型マイクロストリップア
ンテナのVSWR/周波数特性図、第16図は第12図
および第13図に示すスタック型マイクロストリップア
ンテナの問題点を説明するための正面図、第17図は第
12図および第13図に示すスタック型マイクロストリ
ップアンテナの他の問題点を説明するための#炭量であ
る。 3・・・導体柱、又は導体パイプ(アースピン)、7・
・・励振素子、11・・・無給電素子、20・・・スタ
ック型マイクロストリップアンテナ、Po、P2・・・
給電点。 第1図 第2図 第3図 第4図 第7図 \ Q    帖    9    鴇    N  
  ヘt−1 第8図 第9図 ■−一 ″“°  1゜S   1.i4  竪九第10図 第12図 第13図 第15図 第1a図
FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a stacked microstrip antenna according to the present invention, FIG. 2 is a partially cutaway perspective view of the same embodiment, and FIG. 3 is a plan view of the excitation element plate shown in FIG. 1. , Fig. 4 is a front view of the same embodiment, Fig. 5 is an isolation/offset angle characteristic diagram of the same embodiment, Fig. 6 is an isolation/earth bin diameter characteristic diagram of the same embodiment, and Fig. 7 is a diagram of the same implementation. VSWR/element diameter ratio characteristic diagram of the example, FIG. 8 is a front view showing another embodiment of the stacked microstrip antenna according to the present invention, and FIG. 9 is the VSWR of the embodiment shown in FIG. 8.
WR/element diameter ratio characteristic diagram, Fig. 10 is a perspective view showing an example of a conventional microstrip antenna, Fig. 11 [J
is a partially cutaway perspective view of the microstrip antenna shown in No. 101m, FIG. 12 is a perspective view showing an example of a conventionally proposed stacked microstrip antenna, and FIG. 13 is the stacked microstrip antenna shown in FIG. 12. A partially cutaway perspective view of the antenna, FIG. 14 is a bandwidth/element rr: 1 interval characteristic diagram of the stacked microstrip antenna shown in FIGS. 12 and 13, and FIG. 15 is a diagram of the stacked microstrip antenna shown in FIGS. 16 is a front view for explaining the problems of the stacked microstrip antenna shown in FIGS. 12 and 13, and FIG. 17 is a diagram of the stacked microstrip antenna shown in FIGS. This is the #coal content for explaining other problems in the stacked microstrip antenna shown in FIG. 3... Conductor pillar or conductor pipe (earth pin), 7...
... Excitation element, 11... Parasitic element, 20... Stacked microstrip antenna, Po, P2...
Feeding point. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 7 \ Q Book 9 Toku N
t-1 Figure 8 Figure 9 ■-1""° 1°S 1. i4 Figure 10 Figure 12 Figure 13 Figure 15 Figure 1a

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)円形の無給電素子と、円形の励振素子と、グラン
ド面とが所定間隔で順次積層されたスタック型マイクロ
ストリップアンテナにおいて、前記無給電素子と、励振
素子との夫々の中心部を導体柱又は導体パイプによって
接続したことを特徴とするスタック型マイクロストリッ
プアンテナ。
(1) In a stacked microstrip antenna in which a circular parasitic element, a circular excitation element, and a ground plane are sequentially stacked at a predetermined interval, the centers of each of the parasitic element and the excitation element are connected to a conductor. A stacked microstrip antenna characterized by being connected by a pillar or a conductor pipe.
(2)前記導体柱又は導体パイプを電気的に接地したこ
とを特徴とする(1)項記載のスタック型マイクロスト
リップアンテナ。
(2) The stacked microstrip antenna according to item (1), wherein the conductor column or conductor pipe is electrically grounded.
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