JPH01279751A - Thin film-forming equipment - Google Patents
Thin film-forming equipmentInfo
- Publication number
- JPH01279751A JPH01279751A JP10760688A JP10760688A JPH01279751A JP H01279751 A JPH01279751 A JP H01279751A JP 10760688 A JP10760688 A JP 10760688A JP 10760688 A JP10760688 A JP 10760688A JP H01279751 A JPH01279751 A JP H01279751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- thin film
- container
- vessel
- cluster beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、基板上に高品質の薄膜を形成するため、坩
堝に入れられた蒸着物質を基板に蒸着させる薄膜形成装
置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a thin film forming apparatus that evaporates a deposition material contained in a crucible onto a substrate in order to form a high quality thin film on the substrate.
［従来の技術］
第４図は例えば特公昭５４−９５９２号公報に示された
従来の薄膜形成装置の構成図、第５図は第４図の要部正
面図、第６図は第５図の要部側面図であり、図において
（１）は真空槽、（２）は真空槽（１）内を所定の真空
度にするため真空槽（１）と排気装置（図示せず）との
間に接続された排気管、（３）は真空槽（１）内に置か
れたイオンクラスタビーム発生源容器（以下、容器と略
称する。）であり、この容器（３）は側面部に坩堝取出
口く図示せず）が形成されている。[Prior Art] FIG. 4 is a block diagram of a conventional thin film forming apparatus disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 54-9592, FIG. 5 is a front view of the main part of FIG. 4, and FIG. 6 is a diagram of FIG. 2 is a side view of the main parts of the vacuum chamber (1), and (2) is a side view of the main parts of the vacuum chamber (1), and (2) is a side view of the vacuum chamber (1) and an exhaust device (not shown) in order to maintain a predetermined degree of vacuum inside the vacuum chamber (1). The exhaust pipe (3) connected between them is an ion cluster beam source container (hereinafter abbreviated as the container) placed in the vacuum chamber (1), and this container (3) has a crucible on the side. An outlet (not shown) is formed.
（４）は容器（３）の底部に設けられ位置決め穴（図示
せず）を有するガイドレール、（５）はガイドレール（
４）に沿って着脱可能に取り付けられた坩堝台であり、
この坩堝台（５）にはガイドレール（４）の位置決め穴
に係合するストッパー（図示せず）が突起して形成され
ている。（６）は坩堝台（５）に一体に取り付けられた
支柱、（７）は支柱（６）に一体に取り付けられ上部に
ノズル（７ａ）を有する坩堝、（８ａ）は坩堝（７）内
に充填された蒸着物質、（８ｂ）は坩堝（７）から噴出
された蒸着物質（８ａ）のクラスタである。(4) is a guide rail provided at the bottom of the container (3) and has a positioning hole (not shown); (5) is a guide rail (
4) is a crucible stand removably attached along
A stopper (not shown) protruding from the crucible stand (5) is formed to engage with a positioning hole of the guide rail (4). (6) is a support that is integrally attached to the crucible stand (5), (7) is a crucible that is integrally attached to the support (6) and has a nozzle (7a) on the top, and (8a) is a support that is installed in the crucible (7). The filled vapor deposition material (8b) is a cluster of the vapor deposition material (8a) ejected from the crucible (7).
（９）は坩堝（７）の周囲に巻回され坩堝（７）を加熱
する加熱用フィラメント、（１０）は容器（３）内の上
部に設けられクラスタ（８ｂ）をイオン化するイオン化
用フィラメント、（１１）はイオン化用フィラメント（
１０）の内周に設けられイオン化用フィラメント（１０
）から電子を引き出しこの電子を加速するグリッド、（
１２）は容器（３）の上面に設けられイオン化したクラ
スタ（８ｂ）に電界で運動エネルギーを付与しクラスタ
（８ｂ）を加速する加速電極である。(9) is a heating filament that is wound around the crucible (7) and heats the crucible (7); (10) is an ionization filament that is provided in the upper part of the container (3) and ionizes the cluster (8b); (11) is an ionization filament (
The ionization filament (10) is provided on the inner periphery of the ionization filament (10).
) and accelerates this electron, a grid that pulls electrons from (
12) is an accelerating electrode provided on the upper surface of the container (3) that applies kinetic energy to the ionized cluster (8b) using an electric field and accelerates the cluster (8b).
（１３）は容器（３）内の上部に容器〈３）に対向して
設けられ表面に薄膜が形成される基板である。(13) is a substrate which is provided at the upper part of the container (3) facing the container (3) and has a thin film formed on its surface.
上記のように構成された従来の薄膜形成装置においては
、基板（１３）上に薄膜を形成する場合、まず坩堝台く
５）および支柱（６）が一体に取り付けられた坩堝（７
）の内部に蒸着物質（８ａ）を充填する。次に、この坩
堝（７）を坩堝取出口から容器（３）内に入れ、坩堝台
（５）をガイドレール（４）に沿うように直線的にスラ
イド移動させる。すると、ストッパーが位置決め穴に係
合して、坩堝台（５）がガイドレール（４）の所定の位
置に取り付けられる。これによって、坩堝（７）も容器
（３）内の所定の位置にセットされる。In the conventional thin film forming apparatus configured as described above, when forming a thin film on the substrate (13), first the crucible (7) to which the crucible stand (5) and support column (6) are integrally attached is used.
) is filled with a vapor deposition substance (8a). Next, this crucible (7) is put into the container (3) from the crucible outlet, and the crucible stand (5) is linearly slid along the guide rail (4). Then, the stopper engages with the positioning hole, and the crucible stand (5) is attached to the guide rail (4) at a predetermined position. Thereby, the crucible (7) is also set at a predetermined position within the container (3).
坩堝（７）を容器（３）内にセットしたら、排気装置の
駆動によって、真空槽（１）内を適当な真空度になるま
で排気する。その後、加熱用フィラメント（９）に通電
して、坩堝（７）を加熱する。すると、坩堝（７）内の
蒸着物質（８ａ）は蒸発し、ノズル（７ａ）から容器（
３）内に噴射され、断熱膨張によりクラスタ（８ｂ）が
生成される。このクラスタ（８ｂ）は、イオン化用フィ
ラメント（１０）からグリッド（１１）によって引き出
され加速された電子の衝突を受けてイオン化する。その
後、イオン化したクラスタ（８ｂ）は、加速電極（１２
）によって加速され、基板（１３）の表面に衝突して蒸
着膜を形成する。After the crucible (7) is set in the container (3), the inside of the vacuum chamber (1) is evacuated to an appropriate degree of vacuum by driving the exhaust device. Thereafter, the heating filament (9) is energized to heat the crucible (7). Then, the vapor deposition substance (8a) in the crucible (7) evaporates and is discharged from the nozzle (7a) to the container (
3), and a cluster (8b) is generated by adiabatic expansion. This cluster (8b) is ionized by collision with accelerated electrons extracted from the ionizing filament (10) by the grid (11). Thereafter, the ionized cluster (8b) is transferred to the accelerating electrode (12
) and collides with the surface of the substrate (13) to form a deposited film.
［発明が解決しようとする課題］
上記のように構成された従来の薄膜形成装置においては
、坩堝（７）の容器（３）への着脱は、坩堝台（５）を
ガイドレール（４）に沿って直線的にスライド移動させ
ることによって行っていたので、坩堝（７）の容器〈３
）への出し入れは、容器（３）の側面部の容器取出口か
ら行わなければならず、このため真空槽（１）内に複数
の容器（３）を置く場合には、坩堝（７）の出し入れの
ための間隔をおいて容器（３）を配置しなければならず
、真空槽（１）が大形化してしまい、これにともなって
排気装置も大形のものが必要となり、高価になるなどの
問題点があった。[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional thin film forming apparatus configured as described above, the crucible (7) is attached to and detached from the container (3) by placing the crucible stand (5) on the guide rail (4). This was done by sliding the crucible (7) linearly along the
) must be taken out from the crucible (7) through the container outlet on the side of the container (3). Therefore, when placing multiple containers (3) in the vacuum chamber (1), The containers (3) must be placed at intervals for loading and unloading, which increases the size of the vacuum chamber (1), which necessitates a large-sized exhaust system, making it expensive. There were problems such as:
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、真空槽内に複数のイオンクラスタビーム発
生源容器を置く場合にも、坩堝の出し入れのための間隔
を置く必要がなく、これによって真空槽を小形化するこ
とができ、またこれにともなって排気装置も小形化でき
、低価格化することができる薄膜形成装置を得ることを
目的とする。This invention was made to solve the above-mentioned problems, and even when multiple ion cluster beam generation source containers are placed in a vacuum chamber, there is no need to leave a space between the crucibles and the crucibles. It is an object of the present invention to provide a thin film forming apparatus that allows the vacuum chamber to be downsized, and the exhaust device to be reduced accordingly, thereby reducing the cost.
［課題を解決するための手段］
この発明に係る薄膜形成装置は、坩堝を上方からイオン
クラスタビーム発生源容器の内部に入れて取り付けるた
めの坩堝取付手段を、坩堝とイオンクラスタビーム発生
源容器とに設けたものである。[Means for Solving the Problems] The thin film forming apparatus according to the present invention includes a crucible mounting means for inserting the crucible into the ion cluster beam source container from above and attaching it to the crucible and the ion cluster beam source container. It was established in
［作用コ
この発明においては、坩堝取付手段によって、坩堝がイ
オンクラスタビーム発生源容器内に上方から入れられて
取り付けられる。[Operation] In this invention, the crucible is inserted into the ion cluster beam source container from above and mounted by the crucible mounting means.
［実施例］ 以下、この発明の実施例を図について説明する。[Example] Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図はこの発明の一実施例を示す薄膜形成装置の構成
図、第２図は第１図の坩堝取付手段を示す一部切り欠き
正面図、第３図は第２図の平面図であり、第４図と同−
又は相当部分には同一符号を付し、その説明を省略する
。FIG. 1 is a block diagram of a thin film forming apparatus showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partially cutaway front view showing the crucible mounting means of FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view of FIG. 2. Yes, same as Figure 4.
Or equivalent parts are given the same reference numerals and their explanations are omitted.
図において、（１４）は容器（３）の底部に同心円周上
に２個互いに間隔をおいて突起して設けられた断面「状
のガイド部、（１５）は上端部が坩堝（７）の下部に一
体に取り付けられているとともに下端部に取付板（１５
ａ）が形成された支柱であり、取付板（１５ａ）はガイ
ド部（１４）にき致する形状を有しており回動されてガ
イド部（１４）に弾接係合される。また、この支柱り１
５）とガイド部（１４）とから坩堝取付手段はなってい
る。In the figure, (14) is a guide part with a "shaped cross section" that is provided on the bottom of the container (3) with two concentric circles protruding from each other at intervals, and (15) is a guide part whose upper end is connected to the crucible (7). It is integrally attached to the bottom and a mounting plate (15
The mounting plate (15a) has a shape that fits the guide part (14), and is rotated and elastically engaged with the guide part (14). Also, this pillar 1
5) and the guide portion (14) constitute crucible mounting means.
上記のように構成された薄膜形成装置においては、基板
（１３）上に薄膜を形成する場合、まず従来例と同様に
坩堝（７）の内部に蒸着物質（８ａ）を充填する。次に
、この坩堝（７）を容器（３）の上部から容器（３）内
に、取付板（１５ａ）が第２図および第３図のような向
きになるように入れる。In the thin film forming apparatus configured as described above, when forming a thin film on the substrate (13), first, the inside of the crucible (7) is filled with the vapor deposition substance (8a) as in the conventional example. Next, this crucible (7) is placed into the container (3) from the top of the container (3) so that the mounting plate (15a) is oriented as shown in FIGS. 2 and 3.
その後、坩堝（７）を約９０°回動させる。すると、取
付板（１５ａ）は回動するにしたがってガイド部（１４
）に弾接係合され、これによって坩堝（７）が容器（３
）内の所定の位置にセットされる。坩堝（７）を容器（
３）内にセットしたら、その後の動イヤは従来例と同様
である。Thereafter, the crucible (7) is rotated about 90 degrees. Then, as the mounting plate (15a) rotates, the guide portion (14
), whereby the crucible (7) is resiliently engaged with the container (3).
) is set at a predetermined position within ). Place the crucible (7) in the container (
3), the subsequent movement is the same as in the conventional example.
なお、上記実施例では取付板（１５ａ）が形成された支
柱（１５）を坩堝（７）に、ガイド部（１４）を容器（
３）にそれぞれ設けたが、逆にガイド部（１４）を坩堝
（７）に設け、取付板（１５ａ）を容器（３）に設けて
もよい。また、取付板（１５１１）を坩堝く７）に直接
又は支柱（１５）以外の部材を介して設けてもよい。In the above embodiment, the support (15) on which the mounting plate (15a) is formed is used as the crucible (7), and the guide part (14) is used as the container (
3), but conversely, the guide portion (14) may be provided on the crucible (7) and the mounting plate (15a) may be provided on the container (3). Further, the mounting plate (1511) may be provided on the crucible 7) directly or via a member other than the support (15).
また、上記実施例では坩堝取付手段としてガイド部（１
４）と取付板（１５ａ）が形成された支柱（１５）とか
らなるものを示したが、例えば容器と坩堝にそれぞれ設
けられたねじとねじ穴とを螺着させて坩堝を容器内に取
り付けるものなど、坩堝を上方からイオンクラスタビー
ム発生源容器の内部に入れて取り付けるものであれば他
の取付機構のものであってもよい。Further, in the above embodiment, the guide portion (1
4) and a strut (15) on which a mounting plate (15a) is formed. For example, the crucible can be mounted in the container by screwing screws and screw holes provided in the container and the crucible, respectively. Any other attachment mechanism may be used as long as the crucible is inserted into the ion cluster beam source container from above and attached.
［発明の効果コ
以上説明したように、この発明の＊Ｗ！形成装置は、イ
オンクラスタビーム発生源容器と坩堝とに坩堝取付手段
を設け、イオンクラスタビーム発生源容器の内部に、上
方から坩堝を入れて取り付けるようにしたので、真空槽
内に複数のイオンクラスタビーム発生源容器を置く場合
にも、坩堝の出し入れのための間隔を置く必要がなく、
これによって真空槽を小形化することができ、またこれ
にともなって排気装置も小形化でき、低価格化すること
ができるという効果がある。[Effects of the invention As explained above, the *W! In the forming device, a crucible attachment means is provided in the ion cluster beam source container and the crucible, and the crucible is inserted into the ion cluster beam source container from above and attached, so that a plurality of ion clusters can be placed in the vacuum chamber. Even when placing the beam source container, there is no need to leave a gap for putting in and taking out the crucible.
As a result, the vacuum chamber can be made smaller, and the exhaust device can also be made smaller and the price can be reduced.
第１図はこの発明の一実施例を示す薄膜形成装置の構成
図、第２図は第１図の坩堝取付手段を示す一部切り欠き
正面図、第３図は第２図の平面図、第４図は従来の薄膜
形成装置の一例を示す構成図、第５図は第４図の要部正
面図、第６図は第５図の要部側面図である。
図において、（１〉は真空槽、（３）はイオンクラスタ
ビーム発生源容器、（７）は坩堝、（８ａ）は蒸着物質
、り１３）は基板、（１４）はガイド部、（１５）は支
柱、（１５ａ）は取付板である。
なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
昂１図
１１！槽 １３ 基板３
イオーＩ）Ｍ）スタビ−ヘタ（生Ｊ、’伊岱 １
４ 力゛イド郭７゜ｒｇ堝
］５ 夾揉８ａ、ｉ眉物’ｌ［＋５ａ ： ａ
ＲＫ昂２図
昂３図
Ｗ−）４図FIG. 1 is a block diagram of a thin film forming apparatus showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partially cutaway front view showing the crucible mounting means of FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view of FIG. 2. FIG. 4 is a configuration diagram showing an example of a conventional thin film forming apparatus, FIG. 5 is a front view of the main part of FIG. 4, and FIG. 6 is a side view of the main part of FIG. In the figure, (1> is a vacuum chamber, (3) is an ion cluster beam source container, (7) is a crucible, (8a) is a deposition material, (13) is a substrate, (14) is a guide part, (15) is is a support column, and (15a) is a mounting plate. In each figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts. Ko 1 figure 11! Tank 13 Substrate 3
Io I) M) Stabby Heta (Raw J, 'Idai 1)
4 Force ID 7゜rg box
]5 Kyomasa 8a, i eyebrows'l [+5a: a
RK 寂 2 嘂 3 fig. W-) 4 fig.
Claims (1)
取り付けられた坩堝の内部に入れられた蒸着物質を、前
記真空槽内に設けられる基板に蒸着させるための薄膜形
成装置において、前記坩堝と前記イオンクラスタビーム
発生源容器とに設けられ、前記坩堝を上方から前記イオ
ンクラスタビーム発生源容器の内部に入れて取り付ける
ための坩堝取付手段を備えたことを特徴とする薄膜形成
装置。In a thin film forming apparatus for depositing a deposition material placed inside a crucible installed inside an ion cluster beam generation source container inside a vacuum chamber onto a substrate provided inside the vacuum chamber, the crucible and the ions 1. A thin film forming apparatus comprising: a cluster beam source container; and a crucible mounting means for inserting and mounting the crucible into the ion cluster beam source container from above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10760688A JPH01279751A (en) | 1988-05-02 | 1988-05-02 | Thin film-forming equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10760688A JPH01279751A (en) | 1988-05-02 | 1988-05-02 | Thin film-forming equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01279751A true JPH01279751A (en) | 1989-11-10 |
Family
ID=14463432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10760688A Pending JPH01279751A (en) | 1988-05-02 | 1988-05-02 | Thin film-forming equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01279751A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5855683A (en) * | 1996-07-18 | 1999-01-05 | Korea Institute Of Science And Technology | Thin film deposition apparatus |
| CN110202135A (en) * | 2019-06-20 | 2019-09-06 | 西安交通大学 | Nanostructure bimetallic oxide enhances NiAl base high strength at high temperature lubricating composite preparation method |
-
1988
- 1988-05-02 JP JP10760688A patent/JPH01279751A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5855683A (en) * | 1996-07-18 | 1999-01-05 | Korea Institute Of Science And Technology | Thin film deposition apparatus |
| CN110202135A (en) * | 2019-06-20 | 2019-09-06 | 西安交通大学 | Nanostructure bimetallic oxide enhances NiAl base high strength at high temperature lubricating composite preparation method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0543787B2 (en) | ||
| JPH01279751A (en) | Thin film-forming equipment | |
| JPS63472A (en) | Vacuum device for forming film | |
| JP2710670B2 (en) | Crucible for steam source | |
| JPH04176863A (en) | Thin film forming device | |
| JP2823834B2 (en) | Crucible mechanism in vapor deposition equipment | |
| JPH01119663A (en) | Thin film-forming apparatus | |
| JPS6329925A (en) | Forming device for compound thin-film | |
| JPH09202965A (en) | Electron beam vapor deposition apparatus | |
| JP2702235B2 (en) | Thin film forming equipment | |
| JPH0236673B2 (en) | ||
| JPH0342033Y2 (en) | ||
| JPH0682611B2 (en) | Thin film forming equipment | |
| JPH05287515A (en) | Thin film forming device | |
| JPH03130362A (en) | Thin film forming device | |
| JPS63216967A (en) | Device for forming thin film | |
| JPS6386863A (en) | Thin film producing apparatus | |
| JPH0375360A (en) | Thin film forming device | |
| JPS60124931A (en) | Device for vapor deposition of thin film | |
| JPS61207572A (en) | Thin film forming device | |
| JPH0516214Y2 (en) | ||
| JPH0215630B2 (en) | ||
| JP2606223B2 (en) | Insulator | |
| JP2774541B2 (en) | Thin film forming equipment | |
| JPH08319559A (en) | Thin film forming device |