JPH01273368A - Production device treating pyroelectric body material - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、焦電効果を発揮する材料上に電極を形成する
際などに利用される製造装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION "Field of Industrial Application" The present invention relates to a manufacturing apparatus used for forming electrodes on a material exhibiting a pyroelectric effect.
［従来技術と発明が解決しようとする課題］圧電効果を
発揮する材料は多くの場合、焦電性を有している。この
ため、圧電体基板上にくし歯電極等が形成されてなる弾
性表面波素子などを製造する際に、圧電体基板が急激な
温度変化にさらされると、圧電体基板に高圧の焦電気が
発生し、この焦電気が急激に放電して圧電体基板（焦電
体材料でもある）が損傷を受ける問題が有った。[Prior Art and Problems to be Solved by the Invention] Materials that exhibit a piezoelectric effect often have pyroelectricity. For this reason, when manufacturing surface acoustic wave devices in which comb-like electrodes are formed on a piezoelectric substrate, if the piezoelectric substrate is exposed to rapid temperature changes, high-voltage pyroelectricity is generated on the piezoelectric substrate. There was a problem in that this pyroelectricity was rapidly discharged and damaged the piezoelectric substrate (which is also a pyroelectric material).
例えば弾性表面波素子の製造は、成膜装置、コータ／デ
ベロッパー装置、エツチング装置等を用いて次のような
工程で行なわれる。まず、第３図に示すように圧電性材
料からなるウェハｌにアルミニウムなどからなる導電膜
２を成膜する（■成膜工程）。ついで第４図に示すよう
に導ＴｉＭ２上にレノスト３を塗布（■レジスト塗布工
程）した後、レジスト３から有機溶媒を揮発させるため
にウェハ１を加熱する（■プリベーク工程）。この後、
しシスト３上にフォトマスクを載せ、紫外線等を照射し
てパターンを焼き付ける（■露光工程）。次にこのもの
を現像液に浸漬するなどして、形成された潜像を第５図
に示すように顕在化させフォトレジストパターン４を得
る（■現像工程）。次に現象されたフォトレノストパタ
ーン４を焼きしめ、導Ｍ＠２との密着性を向上させる（
■ボストベーク工程）。次にドライエツチングを行い、
第６図に示すようにフォトレジストパターン４に対応し
たＮ極パターン５を形成する（■エッチング工程）。For example, surface acoustic wave devices are manufactured through the following steps using a film forming device, a coater/developer device, an etching device, and the like. First, as shown in FIG. 3, a conductive film 2 made of aluminum or the like is formed on a wafer l made of a piezoelectric material (film-forming step (2)). Next, as shown in FIG. 4, after coating the renost 3 on the conductive TiM 2 (2) resist coating step, the wafer 1 is heated to volatilize the organic solvent from the resist 3 (2) prebaking step. After this,
A photomask is placed on the cyst 3 and a pattern is printed by irradiating it with ultraviolet rays (■ exposure process). Next, this material is immersed in a developer to make the formed latent image visible as shown in FIG. 5, thereby obtaining a photoresist pattern 4 ((2) developing step). Next, the developed photorenost pattern 4 is baked to improve the adhesion with the conductive M@2 (
■Bost bake process). Next, dry etching is performed,
As shown in FIG. 6, an N-pole pattern 5 corresponding to the photoresist pattern 4 is formed (2) etching process.
この後第７図に示すようにフォトレジストパターン４を
なすレジストを剥離して（■レジスト剥離工程）、ウェ
ハプロセスを完了する。このようにして得られたウェハ
は、個々のチップに切断され弾性表面波素子となされる
。Thereafter, as shown in FIG. 7, the resist forming the photoresist pattern 4 is peeled off (① resist peeling step), and the wafer process is completed. The wafer thus obtained is cut into individual chips to form surface acoustic wave devices.
以上のような弾性表面波素子の製造工程において、圧電
体材料（焦電体材料でもある）からなるウェハ１は前記
■、■、■、■、■の各工程で急激な温度変化にさらさ
れる。In the manufacturing process of the surface acoustic wave device as described above, the wafer 1 made of piezoelectric material (also pyroelectric material) is exposed to rapid temperature changes in each of the above steps .
まず■のブリベーク工程と■のボストベーク工程ではオ
ーブンで加熱されたウェハｌがオーブンから取り出され
て冷却されろ際に急激な温度変化を受ける。First, in the pre-baking process (1) and the post-baking process (2), the wafer 1 heated in the oven is taken out from the oven and undergoes a rapid temperature change when it is cooled.
また、■の成膜工程では成膜時に温度上昇ｊ−たウェハ
ｌが処理後取り出される時に急激な温度変化を受ける。Further, in the film forming step (2), the wafer 1, whose temperature has risen during film formation, undergoes a rapid temperature change when it is taken out after processing.
■のエツチング工程では、エツチングをドライエツチン
グ法によって行う場合、反応性ラジカルの衝突によりウ
ェハ監が加熱されるので、処理後ウェハ１を取り出す時
に急激な温度変化を受ける。In the etching process (2), when etching is performed by dry etching, the wafer 1 is heated due to the collision of reactive radicals, and therefore undergoes a rapid temperature change when the wafer 1 is taken out after processing.
■のレジスト剥離工程では、高温の剥離液を用いた場合
やプラズマアソンング等で剥離を行った場合にウェハｉ
が加熱されるので、処理後ウェハｌを取り出す時に急激
な温度変化を受ける。In the resist stripping process (2), the wafer i
Since the wafer 1 is heated, it undergoes a rapid temperature change when the wafer 1 is taken out after processing.
そして、以上のように急激な温度変化を受けたウェハｌ
には高圧の焦電気が発生する。高圧の焦電気が生じると
急激な放電が起きて、その結果ウェハｌが割れたり、ウ
ェハ１に放電孔が生じてウェハ１の材料品質が劣化する
。また表面上はなんら変化の無い場合でも放電箇所には
ダメージが伴っているので、その箇所に電極パターン５
などが掛かると、得られる弾性表面波素子の特性が不良
となってしまう。The wafer l, which has undergone rapid temperature changes as described above,
generates high-voltage pyroelectricity. When high-voltage pyroelectricity is generated, rapid discharge occurs, and as a result, the wafer 1 is cracked, discharge holes are formed in the wafer 1, and the material quality of the wafer 1 is deteriorated. In addition, even if there is no change on the surface, the discharge location is damaged, so the electrode pattern 5 is attached to that location.
If such factors occur, the characteristics of the surface acoustic wave device obtained will be poor.
「発明の目的」
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、焦電体材料
に焦電気による損傷が生じることのない焦電体材料を取
り扱う製造装置を提供することを目的とする。``Object of the Invention'' The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and an object of the present invention is to provide a manufacturing apparatus for handling pyroelectric material in which the pyroelectric material is not damaged by pyroelectricity.
「課題を解決するための手段」
本発明では、焦電体材料に処理を施す処理部の後ろに、
処理された焦電体材料にイオン化されたガスを吹き付け
る除電機構を設けることによって、前記目的を達成した
。"Means for Solving the Problem" In the present invention, behind the processing section that processes the pyroelectric material,
The above object was achieved by providing a static elimination mechanism that sprays ionized gas onto the treated pyroelectric material.
本発明の製造装置で処理対象とする焦電体材料の具体例
としては、例えばニオブ酸すチュウム（ＬｉＮｂＯ，ｌ
）、 タンタル酸すチコウム（ＬｉＴａＯｓ）等の単結
晶、チタン酸鉛とジルコン酸鉛の混合焼結体（ＰＺＴ）
などのセラミック、酸化亜鉛（Ｚ ｎｏ）等を挙げるこ
とができる。Specific examples of pyroelectric materials to be processed by the manufacturing apparatus of the present invention include, for example, niobium oxide (LiNbO,
), single crystals of tantalate (LiTaOs), mixed sintered bodies of lead titanate and lead zirconate (PZT)
Examples include ceramics such as, zinc oxide (Z no), and the like.
また本発明の製造装置は、焦電効果を発揮ずろ材料に各
種の処理する際に用いられる装置であって、処理に伴っ
て焦電体材料が温度変化を受けろ可能性のある装置であ
る。具体例としては、スパッタ装置等のＰＶＤ装置やＣ
ＶＤ装置など成膜装置、クリーンオーブン、ホットプレ
ートオーブン等のフォトリソ機器、リアクティブエツチ
ング装置、イオンビームエツチング装置、プラズマエツ
チング装置等のドライエツチング装置およびプラズマア
ッシング装置などを挙げることができる。Further, the manufacturing apparatus of the present invention is an apparatus used when performing various treatments on a material exhibiting a pyroelectric effect, and is an apparatus in which the pyroelectric material may undergo temperature changes as a result of the treatment. Specific examples include PVD equipment such as sputtering equipment, C
Examples include film forming apparatuses such as VD apparatuses, photolithography apparatuses such as clean ovens and hot plate ovens, dry etching apparatuses such as reactive etching apparatuses, ion beam etching apparatuses, and plasma etching apparatuses, and plasma ashing apparatuses.
処理された焦電体材料にイオン化されたガスを吹き付け
る除電機構としては、ガスを送風ずろと共にこの送風さ
れるガスを電気的にイオン化する構造のものが好適に用
いられる。利用されるガスとしては、清浄な空気、窒素
などを挙げることができる。As the static elimination mechanism for spraying ionized gas onto the treated pyroelectric material, a mechanism having a structure in which the gas is blown and the blown gas is electrically ionized is preferably used. Examples of gases used include clean air and nitrogen.
この除電機構は、製造装置の焦電体材料に処理を施す処
理部の搬出口付近に設置されることが望ましい。It is desirable that this static elimination mechanism be installed near the exit of the processing section that processes the pyroelectric material of the manufacturing device.
イオン化されたガスの吹き付けは、焦電体材料の正に帯
電した側から負に帯電した側にかけてをイオン化された
ガスで包むように行うことが望ましく、処理対象となる
焦電体材料が板状の場合、除電機構は、板状の焦電体材
料の表裏両面側からイオン化されたガスを吹き付ける構
造のものであることが望ましい。It is desirable to spray the ionized gas so that the ionized gas covers the pyroelectric material from the positively charged side to the negatively charged side. In this case, it is desirable that the static elimination mechanism has a structure that sprays ionized gas from both the front and back sides of the plate-shaped pyroelectric material.
また、焦電体材料へのイオン化されたガスの吹き付けは
、処理された焦電体材料が所定温度に冷却されるまで行
なわれることが望ましい。Further, it is desirable that the ionized gas be sprayed onto the pyroelectric material until the treated pyroelectric material is cooled to a predetermined temperature.
ここで所定温度とは、焦電材料が次の処理工程に送られ
るまで保管される場所の温度あるいは室温にまで温度変
化を受けても、問題（こなる程の焦電気が発生しない程
度の温度を示す。The predetermined temperature here refers to the temperature at which the pyroelectric material is stored until it is sent to the next processing step, or even if the temperature changes to room temperature, a temperature that does not cause problems (such as pyroelectricity). shows.
なお、イオン化されたガスの吹き付けは、焦電体材料に
所定の処理を行った後だけでなく、所定の処理を行う前
段から処理中にかけても行うとより良い。例えば、ブリ
ベイク工程などにおいてはオーブンに収容されｔ二焦電
体材料が所定温度に加熱されるまでの間もイオン化され
たガスを吹き付けることにより、昇温時にも焦電体材料
の電位を低く保つことができる。Note that it is better to spray the ionized gas not only after performing the predetermined treatment on the pyroelectric material, but also before and during the predetermined treatment. For example, in the baking process, ionized gas is sprayed on the pyroelectric material until it is heated to a predetermined temperature while it is placed in an oven, thereby keeping the potential of the pyroelectric material low even when the temperature rises. be able to.
「作用」
製造装置の処理部から搬出された焦電体材料に対して、
付設された除電機構からイオン化されたガスを吹き付け
ると、処理部から搬出された焦電体材料が急激な温度変
化にさらされても、発生する焦電気がイオン化されたガ
スを介して低電圧のうちに速やかに放電して電荷が中和
される。"Action" For the pyroelectric material carried out from the processing section of the manufacturing equipment,
When ionized gas is sprayed from the attached static eliminator, even if the pyroelectric material carried out from the processing section is exposed to rapid temperature changes, the generated pyroelectricity can be used as a low voltage source through the ionized gas. The charge is quickly discharged and the charge is neutralized.
処理対象となる焦電体材料が板状である場合は、その表
裏両面側からイオン化されたガスを吹き付けるようにす
ると、焦電体材料全体を確実にイオン化されたガスで包
むことができるので、焦電気の放電が容易に行なわれる
。If the pyroelectric material to be treated is plate-shaped, spraying ionized gas from both the front and back sides will ensure that the entire pyroelectric material is covered with ionized gas. Pyroelectric discharge occurs easily.
処理された焦電体材料の冷却をこの除電機構から吹き付
けられるイオン化されたガスによって行うと、焦電体材
料に高圧の焦電気が発生するのを防止しつつ、冷却を速
やかに行うことができる。When the treated pyroelectric material is cooled by the ionized gas blown from this static elimination mechanism, it is possible to quickly cool the pyroelectric material while preventing high-pressure pyroelectricity from being generated in the pyroelectric material. .
「実施例」
以下、図面を参照して本発明の焦電体材料を取り扱う製
造装置を詳しく説明する。"Example" Hereinafter, a manufacturing apparatus for handling a pyroelectric material according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
（実施例１）
第１図は本発明の第１実施例としてのドライエツチング
装置を示すしのである。(Embodiment 1) FIG. 1 shows a dry etching apparatus as a first embodiment of the present invention.
このドライエツチング装置は、処理室ｌＯの両側に真空
予備室１１％１２が設けられている。焦電体材料からな
る処理前のｒ７−’ｒハｌは、ウェハカセット１３に収
納された状態で真空予備室１１に収容されている。この
ウェハカセットＩ３に収納されているウェハ１は逐字処
理室ＩＯに搬入されてエツチング処理される。そして処
理されたウェハｌは真空予備室１２に搬入される。真空
予備室１２に搬入されたウェハｌは導電性材料からなる
載置台上に載置される。This dry etching apparatus is provided with vacuum preparatory chambers 11% and 12 on both sides of a processing chamber IO. An unprocessed r7-'r hull made of pyroelectric material is housed in a vacuum preliminary chamber 11 in a wafer cassette 13. The wafer 1 stored in the wafer cassette I3 is carried into the sequential processing chamber IO and subjected to etching processing. The processed wafer l is then carried into the vacuum preliminary chamber 12. The wafer l carried into the vacuum preliminary chamber 12 is placed on a mounting table made of a conductive material.
真空予備室１２の上部には除電機構１６が設けられてお
り、導電性の載置台（図示せず）に載せられたウェハｌ
に上方からイオン化された空気を吹き付ける。A static elimination mechanism 16 is provided in the upper part of the vacuum preliminary chamber 12, and a wafer placed on a conductive mounting table (not shown) is
ionized air is blown from above.
このイオン化エアーの吹き付けは、つ１ハｌの温度が４
０℃程度になるまで行なわれる。４０℃から室温まで冷
却される程度の温度変化であれば、ウェハ１に発生する
焦電気は急激に放電することはない。This spraying of ionized air will cause the temperature of the tube to reach 4.
This is continued until the temperature reaches about 0°C. If the temperature changes from 40° C. to room temperature, the pyroelectricity generated in the wafer 1 will not be suddenly discharged.
４０℃程度まで冷却されたウェハ１は、ウェハカセット
１７に収納されたあと、この装置から搬出される。The wafer 1 cooled to about 40° C. is stored in a wafer cassette 17 and then taken out from the apparatus.
このドライエツチング装置によれば、処理された焦電体
材料は、除電機構１６の設けられｔ；真空予備室１２内
で導電性を有する台に載置された状態でイオン化された
ガスを吹き付けられつつ冷却されるので、焦電体材料か
らなるウェハＩに温度降下に伴って発生する焦電気がイ
オン化されたガスと導電性を有する載置台を介して電圧
の低いうちに速やかに放電せしめられる。従って、この
ドライエツチング装置によればウェハｌに生じる焦電気
のエネルギの増大を抑制することができ、焦電気の急激
な放電を防止できる。According to this dry etching apparatus, the treated pyroelectric material is provided with a static elimination mechanism 16; and is blown with ionized gas while being placed on a conductive table in a vacuum preliminary chamber 12. Since the wafer I made of pyroelectric material is cooled while the wafer I is being cooled, the pyroelectricity generated as the temperature drops is quickly discharged through the ionized gas and the conductive mounting table while the voltage is low. Therefore, according to this dry etching apparatus, it is possible to suppress the increase in the energy of pyroelectricity generated in the wafer l, and it is possible to prevent rapid discharge of pyroelectricity.
（実施例２）
第２図は本発明の第２実施例としてのホットプレートオ
ーブンの要部の概略構成を示すもので、図中符号２０は
ポットプレートである。このホットプレート２０は、そ
の載置面２０ａが絶縁化されている。このホットプレー
ト２０で加熱処理されたウェハ１は除電機構１６．１６
の設けられた予備冷却室２２に搬送され、イオン化エア
ーを表裏両面側から吹き付けられて約４０℃まで冷却さ
れる。この予備冷却されたウェハ１は冷却部に搬送され
て冷却プレート２１上で室温まで冷却される。(Embodiment 2) FIG. 2 shows a schematic configuration of the main parts of a hot plate oven as a second embodiment of the present invention, and the reference numeral 20 in the figure is a pot plate. This hot plate 20 has an insulated mounting surface 20a. The wafer 1 heated on this hot plate 20 has a static elimination mechanism 16.16.
The sample is transported to a pre-cooling chamber 22 provided with ionized air, and is cooled to about 40° C. by blowing ionized air from both the front and back sides. This pre-cooled wafer 1 is transported to a cooling section and cooled down to room temperature on a cooling plate 21.
このホットプレートオーブンにあっては、イオン化エア
ーがウェハ１の表裏両面側から吹き付けられるので、ウ
ェハｌはイオン化エアー（こよって全体が包まれた状態
となる。従って、加熱処理後の温度の低下の伴って発生
する焦電気が、除電機構１６．１６から吹き付けられる
イオン化エアーを通して電圧の低いうちに速やかに放電
され、焦電気の急激な放電が防止される。In this hot plate oven, ionized air is blown from both the front and back sides of the wafer 1, so the wafer 1 is completely covered with ionized air (thus, the temperature decreases after the heat treatment. The resulting pyroelectricity is quickly discharged through the ionized air blown from the static elimination mechanism 16.16 while the voltage is low, thereby preventing rapid discharge of the pyroelectricity.
なお、本発明の焦電体材料を取り扱う製造装置は、前記
実施例に限定されるものではない。例えば、高温雰囲気
下でウェハｌに加熱処理を施すクリーンオーブンなどに
おいては、加熱処理が終了し処理部からウェハｌを取り
出した後にイオン化エアーを吹き付けるだけでなく、オ
ーブン内にイオン化エアーを吹き込むことによって昇温
時にウェハ１に高圧の焦電気が発生するのを阻止して、
加熱処理中のウェハ１の損傷を防止することＣ）できる
。このようになすと昇温速度を速めることが可能となる
。Note that the manufacturing apparatus that handles the pyroelectric material of the present invention is not limited to the above embodiments. For example, in a clean oven where wafers are heat-treated in a high-temperature atmosphere, ionized air is not only blown into the oven after the heat treatment is completed and the wafers are taken out from the processing section, but also ionized air is blown into the oven. By preventing high-voltage pyroelectricity from being generated in the wafer 1 during temperature rise,
C) It is possible to prevent damage to the wafer 1 during heat treatment. By doing so, it becomes possible to increase the rate of temperature rise.
「発明の効果」
以上説明したように、本発明の焦電体材料を取り扱う製
造装置は、少なくとも処理部の後段に処理された焦電体
材料にイオン化されたガスを吹き付ける除電機構が設け
られたものなので、処理後の急激な温度変化に伴って焦
電体材料に発生する焦電気を低圧のうちにイオン化され
たガスを通して速やかに放電せしめることができる。"Effects of the Invention" As explained above, the manufacturing apparatus for handling pyroelectric material of the present invention is provided with a static elimination mechanism that sprays ionized gas onto the processed pyroelectric material at least after the processing section. Therefore, the pyroelectricity generated in the pyroelectric material due to rapid temperature changes after treatment can be rapidly discharged through the ionized gas at low pressure.
従って本発明によれば、焦電体材料に焦電気の放電によ
る損傷が生じることのない製造装置を提供できる。Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a manufacturing apparatus in which the pyroelectric material is not damaged by pyroelectric discharge.
また、板状の焦電体材料の表裏両面側からイオン化され
たガスを吹き付ける除電機構を備えた焦電体材料を取り
扱う製造装置にあっては、板状の焦電体材料全体がイオ
ン化されたガスによって確実に包まれる。従って、処理
後の急激な温度変化に伴って発生する焦電気が、除電機
構から吹き付けられるイオン化エアーを通して低圧のう
ちに速やかに放電され、焦電気の急激な放電が防止され
るので、焦電気の急激な放電による焦電体材料の損傷を
防止できる。In addition, in manufacturing equipment that handles pyroelectric materials that is equipped with a static elimination mechanism that sprays ionized gas from both the front and back sides of the plate-shaped pyroelectric material, the entire plate-shaped pyroelectric material is ionized. Be sure to be surrounded by gas. Therefore, the pyroelectricity generated due to rapid temperature changes after processing is quickly discharged at low pressure through the ionized air blown from the static elimination mechanism, and rapid discharge of pyroelectricity is prevented. Damage to the pyroelectric material due to rapid discharge can be prevented.
さらに、処理された焦電体材料の冷却を除電機構から吹
き付けられるイオン化されたガスによって行う製造装置
にあっては、温度下降時に発生する焦電気が速やかに放
電せしめられるので、より急速に冷却を行うことができ
冷却時間の短縮を実現できる。Furthermore, in manufacturing equipment where the processed pyroelectric material is cooled using ionized gas blown from a static eliminator, the pyroelectricity generated when the temperature drops is quickly discharged, allowing for more rapid cooling. The cooling time can be shortened.
第１図は焦電体材料を取り扱う製造装置であるドライエ
ツチング装置を示す概略構成図、第２図は焦電体材料を
取り扱う製造装置であるホットプレートオーブンを示す
概略構成図、第３図ないし第７図は弾性表面波素子の製
造工程を説明するｔＺめの断面図である。Figure 1 is a schematic configuration diagram showing a dry etching device that is a manufacturing equipment that handles pyroelectric materials, Figure 2 is a schematic diagram showing a hot plate oven that is a manufacturing equipment that handles pyroelectric materials, and Figures 3 to 3 FIG. 7 is a tZ cross-sectional view illustrating the manufacturing process of the surface acoustic wave device.
Claims (3)
に、処理された焦電体材料にイオン化されたガスを吹き
付ける除電機構が設けられたことを特徴とする焦電体材
料を取り扱う製造装置。(1) A manufacturing process that handles pyroelectric materials, characterized in that a static elimination mechanism for spraying ionized gas onto the treated pyroelectric materials is provided at least downstream of the processing section that processes the pyroelectric materials. Device.
おいて、処理対象となる焦電体材料が板状であり、除電
機構が板状の焦電体材料の表裏両面側からイオン化され
たガスを吹き付けるものであることを特徴とする焦電体
材料を取り扱う製造装置。(2) In the manufacturing apparatus for handling pyroelectric material according to claim 1, the pyroelectric material to be processed is plate-shaped, and the static elimination mechanism ionizes from both the front and back sides of the plate-shaped pyroelectric material. A manufacturing device that handles pyroelectric materials, characterized in that it sprays gas.
ガスによって、処理された焦電体材料の冷却が行なわれ
ることを特徴とする請求項１または２記載の焦電体材料
を取り扱う製造装置。(3) The manufacturing apparatus for handling pyroelectric material according to claim 1 or 2, characterized in that the processed pyroelectric material is cooled by the ionized gas blown from the static elimination mechanism.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63102271A JPH01273368A (en) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | Production device treating pyroelectric body material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63102271A JPH01273368A (en) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | Production device treating pyroelectric body material |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01273368A true JPH01273368A (en) | 1989-11-01 |
Family
ID=14322936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63102271A Pending JPH01273368A (en) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | Production device treating pyroelectric body material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01273368A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020040203A1 (en) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 京セラ株式会社 | Substrate for surface acoustic wave element, and method for manufacturing said substrate |
-
1988
- 1988-04-25 JP JP63102271A patent/JPH01273368A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020040203A1 (en) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 京セラ株式会社 | Substrate for surface acoustic wave element, and method for manufacturing said substrate |
| KR20210028672A (en) * | 2018-08-21 | 2021-03-12 | 교세라 가부시키가이샤 | Substrate for surface acoustic wave device and method for manufacturing the same |
| JPWO2020040203A1 (en) * | 2018-08-21 | 2021-09-02 | 京セラ株式会社 | Substrate for surface acoustic wave element and its manufacturing method |
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