JPH01263272A - Magnetron type sputtering device - Google Patents
Magnetron type sputtering deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は基板に薄膜を形成するのに用いられるマグネト
ロン型スパッタ装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a magnetron type sputtering apparatus used for forming a thin film on a substrate.
第４図は良く知られた従来のマグネトロン型スパッタ装
置を示すものであるが、該装置（１）は真空容器内にあ
シ、その壁部１３に絶縁部材α◆を介してボルト（４）
によジ固定されている。ボルトＱ５を介して壁部Ｅｉ２
１にはアース電位が与えられ、壁部ら２と一体的に形成
されるリング状のアースシールド（ハ）によりスパッタ
装置（１）の外周部は包囲されている。FIG. 4 shows a well-known conventional magnetron type sputtering device. The device (1) is installed in a vacuum chamber, and bolts (4) are connected to the wall 13 of the vacuum chamber through an insulating member α◆.
It is fixed in place. Wall part Ei2 via bolt Q5
A ground potential is applied to the sputtering apparatus (1), and the outer periphery of the sputtering apparatus (1) is surrounded by a ring-shaped earth shield (c) formed integrally with the wall parts 2.
装置（１）において平板状ターゲツト材（２）は図示せ
ずとも真空容器内にあって薄膜を形成させるべき基板と
対向しており、この下側には磁気装置 （５）が配設さ
れている。これは中央磁極部（３）と外周磁極部（４）
と、これらを磁気的に結合するヨーク部材（１０とから
成り、矢印で示すように外周磁極部（４）から中心磁極
部（３）に向って磁束ｍが流れている。In the apparatus (1), a flat target material (2) is located in a vacuum container (not shown) and faces a substrate on which a thin film is to be formed, and a magnetic device (5) is disposed below this. There is. This is the central magnetic pole part (3) and the outer magnetic pole part (4)
and a yoke member (10) that magnetically couples them, and a magnetic flux m flows from the outer magnetic pole part (4) to the center magnetic pole part (3) as shown by the arrow.
磁気装置（５）は、ターゲツト材（２）と当接し、磁極
部（３） （４）の磁極上面を被覆する円板状の第１電
極部材（６）、こ肛と一体的で外周磁極部（４）の外周
面を被覆する円筒状の第２に極部材（７）及びこれと一
体的でカソード電位を受は入れるためのフランジ状の第
３′１１１極部材（８）から成るカソード電極（１７）
によって全体が覆われている。磁気装置（５）はカソー
ド電離α力にマグネット押え部材συを介してボルト（
９）により固定されている。ボルト（９）を介してカソ
ード電極σηにカソード電位（壁１６２１に対し負の電
位）が与えられる。マグネット押え部材叩には更に冷却
水導入ボルト■が螺着しておシ、これを介して磁気装置
（５）内のバッフル（２）に冷却水が循環される。The magnetic device (5) includes a disk-shaped first electrode member (6) that comes into contact with the target material (2) and covers the top surface of the magnetic poles of the magnetic pole parts (3) (4), and an outer circumferential magnetic pole that is integral with the cavity. A cathode consisting of a cylindrical second pole member (7) that covers the outer peripheral surface of the portion (4) and a flange-shaped third pole member (8) that is integral with the second pole member (8) for receiving and receiving the cathode potential. Electrode (17)
The whole thing is covered by. The magnetic device (5) applies the cathode ionization α force to the bolt (
9). A cathode potential (a negative potential with respect to the wall 1621) is applied to the cathode electrode ση via the bolt (9). A cooling water introduction bolt (2) is further screwed onto the magnet holding member, and cooling water is circulated to the baffle (2) in the magnetic device (5) through this bolt.
公知のように磁束ｍは磁極部（３） （４）間でターゲ
ツト材（２）にはゾ平行となり、主としてこの領域で電
子はサイクロイド運動を行なってプラズマ密度を上げる
のであるが、これによってターゲツト材（２）は主とし
て磁極部（３） （４）間に対応する部分で侵食（エロ
ージョン）（至）が行われ、こ＼からターゲツト材（２
）の構成元素の粒子が飛び出して図示しない基板に付着
するようになりている。As is well known, the magnetic flux m is parallel to the target material (2) between the magnetic pole parts (3) and (4), and electrons mainly perform cycloid motion in this region to increase the plasma density. The material (2) undergoes erosion mainly in the area corresponding to the magnetic pole parts (3) and (4), and from this point the target material (2)
) particles of the constituent elements fly out and adhere to a substrate (not shown).
然るに上記装置（１）において磁極部（３） （４）の
磁極面に対向する部分ではターゲツト材（２）はスパッ
タ作用には殆んど寄与しておらず、逆にスパッタされた
粒子がこ＼に堆積する。しかも、この部分にもカソード
電位が与えられているのでイオンが飛び込み堆積物を飛
散させることがある。これによって基板に異物として付
着し、これは洗浄工程で落ちてピンホールを発生させる
要因となっている。However, in the above device (1), the target material (2) hardly contributes to the sputtering action in the portions of the magnetic pole parts (3) and (4) facing the magnetic pole faces, and on the contrary, the sputtered particles are Deposits at \. Moreover, since a cathode potential is also applied to this part, ions may enter and scatter the deposits. This causes foreign matter to adhere to the substrate, which falls off during the cleaning process and causes pinholes.
また、磁極部（３） （４）の対向する部分のターゲツ
ト材（２）はスパッタに寄与していないため、ターゲッ
ト全体の使用効果は低い。Further, since the target material (2) in the opposing portions of the magnetic pole parts (3) and (4) does not contribute to sputtering, the effectiveness of using the target as a whole is low.
本発明は上記問題に鑑みてなされ、基板に良質の薄膜を
形成させることができ、ターゲツト材の使用効率を向上
させ得るマグネトロン型スパッタ装置を提供することを
課題とする。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a magnetron type sputtering apparatus that can form a high-quality thin film on a substrate and improve the efficiency of use of target material.
上記課題は、平板状ターゲットに近接して磁気装置を配
設させたマグネト（Ｉン型スパッタ装置において、前記
磁気装置の少なくとも磁極部分をアース電位もしくはア
ノード電位としたことを特徴とするマグネトロン型スパ
ッタ装置によって解決される。The above problem is solved by a magnetron type sputtering device in which a magnetic device is disposed close to a flat target (in an I-type sputtering device, at least a magnetic pole portion of the magnetic device is set at a ground potential or an anode potential). Solved by the device.
磁気装置の少なくとも磁極部分をアース電位もしくはア
ノード電位としているので、この部分にはイオンの飛び
込みはない。従ってスパッタされることはなく、またこ
＼から異物がはじき飛ばされてこれが基板に付着するこ
ともないので、この基板に良質の薄膜を形成することが
できる。Since at least the magnetic pole portion of the magnetic device is at ground potential or anode potential, ions do not enter this portion. Therefore, there is no sputtering, and foreign matter is not blown off and attached to the substrate, making it possible to form a high-quality thin film on the substrate.
また、アース電位もしくはアノード電位としている磁極
部分に対向する部位にはターゲットを存在させないよう
にすることによりターゲットの使用効率を向上させるこ
とができる。Furthermore, by not allowing the target to exist in a portion facing the magnetic pole portion that is at ground potential or anode potential, the efficiency in using the target can be improved.
以下、本発明の実施例によるマグネトロン型スパッタ装
置について第１図乃至第３図を参照して説明する。EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, a magnetron type sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
第１図及び第２図は第１実施例を示すが、本実施例のマ
グネトロン型スパッタ装置翻も真空容器の壁部Ωに固定
されている。磁石のは鉄材でなるヨーク部材ｃ！４１．
この中心部に固定された中心磁極としての永久磁石固、
これに同心的に同ヨーク部材ｒ２４１に固定された外周
磁極としての環状の永久磁石■からなっており、これに
本発明に係る上述の磁極Ｇ！５１に対応した凹凸形状を
有するアノード電極面が磁極ｃ！５１Ｇを被覆するよう
に壁部のにマグネット押え部材■を介してボルト■によ
り固定されている。アート電極＠はフランジ状の取付部
３υ、これに連接する環状で外周磁極部■を被覆する環
状凸部（３３，中央磁極−を被覆する中央凸部時及び凸
部１３ｚ時を連結する環状連結部例から成っている。1 and 2 show the first embodiment, and the magnetron type sputtering apparatus of this embodiment is also fixed to the wall Ω of the vacuum chamber. The magnet is a yoke member made of iron c! 41.
A permanent magnet as a central magnetic pole fixed in this center,
It consists of an annular permanent magnet (2) as an outer circumferential magnetic pole concentrically fixed to the yoke member r241, and this is connected to the above-mentioned magnetic pole G! according to the present invention. The anode electrode surface having an uneven shape corresponding to 51 is the magnetic pole c! It is fixed to the wall part with a bolt (2) via a magnetic holding member (2) so as to cover the part 51G. The art electrode @ has a flange-shaped attachment part 3υ, an annular convex part connected to this that covers the outer magnetic pole part (33, an annular connection connecting the central convex part covering the central magnetic pole and the convex part 13z) It consists of parts.
フランジ状の取付部３υはシール部材のを嵌着してボル
トａにより壁部のに固定されており、マグネット押え部
材■はヨーク部材（２４１の外周縁部と係合してヨーク
部材（２４１を押えているのであるが、このヨーク部材
（２４はアノード電極（２）の上述の連結部（ロ）と当
接している。The flange-shaped attachment part 3υ is fitted with the seal member and fixed to the wall part with bolts a, and the magnet holding member (■) engages with the outer peripheral edge of the yoke member (241) and holds the yoke member (241). This yoke member (24) is in contact with the above-mentioned connecting portion (b) of the anode electrode (2).
本実施例では平板状ターゲット付置はリング状であって
銅から成９、この中心孔部（３５ａ）内に磁石＠の中心
磁極■が位置するように、すなわちこれを被覆するアノ
ード−の凸部（３３１を位置させるようにしている。タ
ーゲット材間は環状のカソード電極（ト）にのせられて
お９、このカソード電極間はヨーク部材Ｃ２４１との間
にシールリング１４３ ［３１４１ｆａ Ｃ７ασＤを
装着させたテフロＸセラミック等で成る絶縁材口を介し
て７ノード電極−に対し電気的に絶縁して固定されてい
る。この固定はヨーク部材１２４＋に形成した丸孔にテ
フロンで成る絶縁部材３８１Ｃ３’ｌを挿入した上でこ
れに冷却水導入及び導出用のボルトケ１（４０及びボル
トｔ４１１によジョーク部材（２４１に対し行われてい
る。ポル） （４１及び４＋１はカソード電極間に形成
したネジ孔に螺着、締付ける墨によりカソード電極部）
、絶縁部材ｃ１７１及びヨーク部材＠は一体化される。In this embodiment, the plate-shaped target is attached in a ring shape and made of copper 9, so that the central magnetic pole (■) of the magnet @ is located in the central hole (35a), that is, the convex part of the anode covering it. A ring-shaped cathode electrode (G) is placed between the target materials 9, and a seal ring 143 [3141fa C7ασD is installed between the cathode electrodes and the yoke member C241. It is electrically insulated and fixed to the 7 node electrode - through an insulating material port made of Teflon After inserting the cooling water in and out, bolt 1 (40) and bolt T411 are used for the jaw member (241) (41 and 4+1 are screwed into the screw holes formed between the cathode electrodes). (Cathode electrode part)
, the insulating member c171 and the yoke member @ are integrated.
冷却水導入または導出用のポル） （４１（４（ｌは上
述のようにカソード電極（ト）に螺着されるのであるが
、この先端部周囲に位置するようにカソード電極（至）
には環状の空間４ｅが形成されており、こ＼を冷却水が
循環するようにポル）４４０ｔ４０の軸部には通孔（４
０ａ）が形成されている。またポル） ｔ４ｔ） （４
０は水に対しシールテープで封止している。(41 (4 (l) is screwed onto the cathode electrode (g) as described above, and the cathode electrode (to)
An annular space 4e is formed in the shaft of the shaft 440t40 so that cooling water circulates through the annular space 4e.
0a) is formed. Matapol) t4t) (4
0 is sealed against water with seal tape.
本発明に係るアノード電極面はボルトのにより真空容器
の壁部のに直接固定されるので、この壁部のと同電位の
アース電位となジ、その環状凸部Ｃ３２はアースシール
ドとして作用する。なお、アノード電極口を壁部のと電
気的に絶縁して固定し、アノード電位を与えるようにし
ても良い。またヨーク部材Ｃ！（転）の取付用のボルト
ｔ４］１を介してカソード電極間にカソード電位が与え
られる。カソード電極（至）とアノード電極口は上述の
絶縁部材（３η關によシ相互に電気的に絶縁されている
。またシールリング１４２ Ｉ４４１ 四σＤにより冷
却水の通る通路Ｉ４ｅと真空容器内とは気密もしくは液
密に絶縁されている。Since the anode electrode surface according to the present invention is directly fixed to the wall of the vacuum chamber by bolts, it is connected to the same ground potential as that of the wall, and its annular convex portion C32 acts as a ground shield. Note that the anode electrode port may be fixed and electrically insulated from the wall portion to apply an anode potential. Yoke member C again! A cathode potential is applied between the cathode electrodes via a mounting bolt t4]1. The cathode electrode (to) and the anode electrode port are electrically insulated from each other by the above-mentioned insulating member (3η). Also, the seal ring 142 I441 4σD separates the cooling water passage I4e from the inside of the vacuum vessel. Insulated air-tight or liquid-tight.
本発明の第１実施例による装置は以上のように構成され
るのであるが次にこの作用について説明する。The apparatus according to the first embodiment of the present invention is constructed as described above, and its operation will be explained next.
従来例と同様に図示しないが真空容器内に於てターゲッ
ト材四に対向して薄膜を形成すべき基板（例えばソーダ
ライムガラス板）が配設されている。真空容器内は５
Ｘ ｉｏ−’Ｔｏｒｒでアルゴン（Ａｒ）ガスが導入さ
れる。中央磁極■に向りて環状外周磁極四から矢印で示
すように磁束ｍが流入する。As with the conventional example, although not shown, a substrate (for example, a soda lime glass plate) on which a thin film is to be formed is disposed in a vacuum container facing the target material 4. Inside the vacuum container is 5
Argon (Ar) gas is introduced at Xio-'Torr. A magnetic flux m flows from the annular outer magnetic pole 4 toward the central magnetic pole 4 as shown by the arrow.
この磁束ｍは磁極部ｃ！！５１■との間で、即ちターゲ
ット（ハ）の上方ではゾ平行となり、この領域において
、電子がサイクーイド運動を行って、公知のようにこの
領域内で高密度プラズマを発生させる。よってターゲッ
ト□□□に工０−ジ、ンが生じ、こ＼から図示しない基
板に向ってスパッタされた粒子が飛び出す。This magnetic flux m is at the magnetic pole c! ! 51■, that is, above the target (C), the electrons are zoparallel, and in this region, electrons perform cycoid motion, generating high-density plasma in this region as is known. Therefore, a hole is generated in the target □□□, and sputtered particles fly out from this hole toward a substrate (not shown).
本実施例によれば磁極−ノはアース電位であるアノード
電極口により被覆されているのでターゲット付置から飛
び出した粒子がこれら磁極部上に堆積したとしてもアー
ス電位であるために、従来のように堆積物がこ＼に飛び
込んでくるイオンによってスパッタされて図示しない基
板に異物として付着する事は無く、基板には良質の薄膜
が形成される。なおボルトｔ４１ ｔ４ｆ） 、通路（
３）には冷却水が循環してターゲット付置の冷却を行な
う。According to this embodiment, the magnetic poles are covered by the anode electrode openings that are at ground potential, so even if particles ejected from the target are deposited on these magnetic poles, they are at ground potential, so they cannot be used as in the conventional case. The deposits are not sputtered by the ions flying in and adhere to the substrate (not shown) as foreign matter, and a high-quality thin film is formed on the substrate. In addition, bolts t41 t4f), passages (
In 3), cooling water is circulated to cool the target.
本発明の第１実施例は以上のような作用を行うのである
が、更に次のような効果を奏するものである。即ち本実
施例によれば平板状ターゲット材四は環状であって磁極
ｃ２５１ノの上方には存在していないので、即ち磁極（
２５１■の間にのみ存在するようにしているのでしかも
殆んどこの中央部分で二〇−ジ１ンが行われるのでター
ゲツト材の使用効率を従来より一段と向上させる事が出
来る。例えば約６０チであり、従来は約３５チであった
。The first embodiment of the present invention performs the above-mentioned functions, but also has the following effects. That is, according to this embodiment, the flat target material 4 is annular and does not exist above the magnetic pole c251, that is, the magnetic pole (
Since the target material exists only between 251 and 251 cm, and the 20-1 mark is performed almost anywhere in the center, the efficiency of use of the target material can be further improved compared to the conventional method. For example, it is about 60 inches, whereas conventionally it was about 35 inches.
また以上のような効果を奏しながら本発明に係わるアノ
ード電極−とカソード電極（ト）の絶縁は絶縁部材ｃ３
７）によジ行われているのであるが、この絶縁部材６の
により同時に真空内と冷却水を通す通路との間の気密、
液密をも保持しているので、構成部材を特に増加させる
事はない。なお、基板に形成した膜のオージェ分析を行
なったが周辺の銅以外の材質の混入は皆無であった。Further, while producing the above-mentioned effects, the insulation between the anode electrode and the cathode electrode (G) according to the present invention is achieved by using the insulating member c3.
7) The insulating member 6 also ensures airtightness between the vacuum interior and the cooling water passage.
Since it also maintains liquid tightness, there is no need to increase the number of structural members. Incidentally, Auger analysis of the film formed on the substrate revealed that there was no contamination of materials other than copper in the vicinity.
第３図は本発明の第２実施例によるマグネトロン型スパ
ッタ装誼を示すものであるが、第１図に対応する部分に
ついては同一の符号を付しその詳細な説明を省略する。FIG. 3 shows a magnetron type sputtering apparatus according to a second embodiment of the present invention, and parts corresponding to those in FIG. 1 are given the same reference numerals and detailed explanation thereof will be omitted.
本実施例の装置（５ｎもそのアノード電極口を介してボ
ルトＣ２９により真空容器の壁部５２１に対し固定され
るのであるが、永久磁石■の形状は若干異なり、中央磁
極例はこれと同心的な外周磁極６５１よシは少し高さが
低くなっている。そしてターゲット部材５７１はリング
状ではなく円板状であって、即ち中央に開口を有しない
形状を呈し、中央磁極ｃｉ４１との間の空間（６０）を
隔て＼カソード電極Ｃ３ＥＤに固着されている。そして
カソード電極（ｉ８１の一部にはガス抜き用の溝ｔ５９
１が形成されており、これにより上述の空間田と真空容
器内とは連通させるようＫしている。The device of this embodiment (5n is also fixed to the wall 521 of the vacuum chamber through its anode electrode port with a bolt C29, but the shape of the permanent magnet ■ is slightly different, and the central magnetic pole is concentric with this). The height of the outer circumferential magnetic pole 651 is slightly lower.The target member 571 is not ring-shaped but disc-shaped, that is, has a shape without an opening in the center, and the height of the target member 571 is lower than that of the central magnetic pole ci41. It is fixed to the cathode electrode C3ED with a space (60) in between.The cathode electrode (i81 has a groove t59 for gas venting in a part of it.
1 is formed so that the above-mentioned space field and the inside of the vacuum container are communicated with each other.
これによって真空容器内を減圧する時には空間の内の空
気をも排気するよりにしている。This allows the air in the space to be exhausted when the pressure inside the vacuum container is reduced.
アノード電極州は中央磁極５４１．外周磁極５５１の形
状に対応した凹凸を有してお９第１実施例と同様に真空
容器の壁部１５３と同電位のアース電位が与えられる。The anode electrode state is the central magnetic pole 541. It has irregularities corresponding to the shape of the outer magnetic pole 551, and is provided with the same ground potential as the wall portion 153 of the vacuum container, as in the first embodiment.
又、カソード電極■にはポル） ＋４１１を介してカソ
ード電位が与えられる。Further, a cathode potential is applied to the cathode electrode (2) via Pol +411.
本実施例においても第１実施例と同様な作用を行うので
あるが、ターゲット（５７１は加工しにくい非常に硬い
材質とか脆い材質でなる場合、第１実施例では中央に孔
を形成しなければならないが、この加工を省略する事が
出来るので、面倒な加工を省略する事が出来る。本実施
例では加工の面倒はないかわりにターゲット６７１の中
央磁極ｃｉ４１に対向する部位は殆んど浸食する事はな
いのでこの点では第１図の実施例と比べるとターゲット
（５力の使用効率は低い。しかしながら従来の第４図で
明らかなように中央磁極、及びこれと同心的な外周磁極
部をも覆うものにくらべると外周部は外周磁極の巾に応
じ、かつこれが全周に亘っており、中心磁極図からの径
に応じた大きな面積を有するものであるから、従来例に
くらべると、はるかにその使用効率を向上させるもので
ある。This embodiment also performs the same function as the first embodiment, but if the target (571) is made of a very hard or brittle material that is difficult to process, a hole must be formed in the center in the first embodiment. However, since this processing can be omitted, the troublesome processing can be omitted.In this embodiment, there is no troublesome processing, but the portion of the target 671 facing the central magnetic pole ci41 is almost eroded. In this respect, the efficiency of using the target (5 forces) is lower than in the embodiment shown in Fig. 1.However, as is clear from the conventional Fig. 4, it is possible to Compared to the one that covers the outer circumference, the outer circumference corresponds to the width of the outer circumferential magnetic pole, and this covers the entire circumference, and has a large area corresponding to the diameter from the center magnetic pole diagram. This will improve the efficiency of its use.
以上本発明の実施例について説明したが、勿論本発明は
これら実施例に限定される事なく、本発明の技術的思想
に基き種々の変形が可能である。Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is of course not limited to these embodiments, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention.
例えば以上の実施例ではヨーク部材圓に永久磁石叱別４
１５５）を固定させる構成を示したがこれに代えて電磁
石と用いた装置にも本発明は適用可能である。For example, in the above embodiment, a permanent magnet 4 is attached to the yoke member circle.
155), but the present invention is also applicable to a device using an electromagnet instead.
着た以上の実施例ではいわゆる環状の磁石を説明したが
、これに限る事なくいわゆるＥ型の磁石長方形状の磁石
、にも本発明は適用可能である。In the above embodiments, so-called ring-shaped magnets have been described, but the present invention is not limited to this, and the present invention is also applicable to so-called E-shaped rectangular magnets.
また以上の実施例ではアノード電極＠のは中心磁極及び
外周磁極のみならず、この間のヨーク部材（２４１に当
接する部分においてヨーク部材Ｃ２４１をも被覆する構
成としたが、この部分は省略しても本発明の効果は失な
われるものではない。また、以上の実施例では直流スパ
ック法で説明したが高周波スパッタ法にも本発明は適用
可能である。また第１の実施例ではターゲットをカソー
ド電極にのせるだけとしたが、勿論、接着剤などで固着
させるようにしてもよい。In addition, in the above embodiment, the anode electrode @ covers not only the central magnetic pole and the outer peripheral magnetic pole, but also covers the yoke member C241 at the part that contacts the yoke member (241) between them, but this part may be omitted. The effects of the present invention are not lost.Also, although the DC sputtering method was explained in the above embodiments, the present invention can also be applied to high frequency sputtering methods.Furthermore, in the first embodiment, the target is connected to the cathode electrode. In this example, it is simply placed on the sheet, but of course it may be fixed with adhesive or the like.
以上述べたように本発明のマグネトロン型スノ（ツタ装
置によれば基板にスパッタによる良質の薄膜を形成する
事が出来、またターゲットの形状を、その使用効率を向
上させるべく形成させる事が出来る。As described above, according to the magnetron-type sputtering apparatus of the present invention, a high-quality thin film can be formed on a substrate by sputtering, and the shape of the target can be formed to improve the efficiency of its use.
第１図は本発明の第１実権例によるマグネトロン型スパ
ッタ装置の断面図、第２図は同背面図、第３図は第２実
施例によるマグネ、トロン型スノくツタ装置の断面図、
及び第４図は従来例のマグネトロン型スパッタ装置の断
面図である。
なお図において、FIG. 1 is a sectional view of a magnetron type sputtering device according to a first practical example of the present invention, FIG. 2 is a rear view of the same, and FIG. 3 is a sectional view of a magnetron type sputtering device according to a second embodiment.
and FIG. 4 are cross-sectional views of a conventional magnetron type sputtering apparatus. In the figure,
Claims (3)
たマグネトロン型スパッタ装置において、前記磁気装置
の少なくとも磁極部分をアース電位もしくはアノード電
位としたことを特徴とするマグネトロン型スパッタ装置
。(1) A magnetron type sputtering apparatus in which a magnetic device is disposed close to a flat target, characterized in that at least a magnetic pole portion of the magnetic device is set at a ground potential or an anode potential.
ーゲットを対向させないようにした請求項１に記載のマ
グネトロン型スパッタ装置。(2) The magnetron type sputtering apparatus according to claim 1, wherein the flat target is not opposed to at least a portion of the magnetic pole portion.
ターゲットを配設するようにした請求項１に記載のマグ
ネトロン型スパッタ装置。(3) The magnetron type sputtering apparatus according to claim 1, wherein the flat target is disposed only in a portion corresponding to between the magnetic pole portions.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9056788A JP2660716B2 (en) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | Magnetron type sputtering equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9056788A JP2660716B2 (en) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | Magnetron type sputtering equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01263272A true JPH01263272A (en) | 1989-10-19 |
| JP2660716B2 JP2660716B2 (en) | 1997-10-08 |
Family
ID=14002008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9056788A Expired - Fee Related JP2660716B2 (en) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | Magnetron type sputtering equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2660716B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06108248A (en) * | 1992-09-30 | 1994-04-19 | Shibaura Eng Works Co Ltd | Sputtering source |
| US5345207A (en) * | 1991-01-25 | 1994-09-06 | Leybold Aktiengesellschaft | Magnet configuration with permanent magnets |
-
1988
- 1988-04-13 JP JP9056788A patent/JP2660716B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5345207A (en) * | 1991-01-25 | 1994-09-06 | Leybold Aktiengesellschaft | Magnet configuration with permanent magnets |
| JPH06108248A (en) * | 1992-09-30 | 1994-04-19 | Shibaura Eng Works Co Ltd | Sputtering source |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2660716B2 (en) | 1997-10-08 |
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