JPH01237991A - Preheating system for magnetic bubble memory device - Google Patents

Preheating system for magnetic bubble memory device

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Publication number
JPH01237991A
JPH01237991A JP63064606A JP6460688A JPH01237991A JP H01237991 A JPH01237991 A JP H01237991A JP 63064606 A JP63064606 A JP 63064606A JP 6460688 A JP6460688 A JP 6460688A JP H01237991 A JPH01237991 A JP H01237991A
Authority
JP
Japan
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temperature
bubble memory
preheating
memory device
signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP63064606A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshiya Onodera
小野寺 俊也
Katsuhiro Sawada
沢田 勝広
Takashi Yuda
孝 湯田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP63064606A priority Critical patent/JPH01237991A/en
Publication of JPH01237991A publication Critical patent/JPH01237991A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To execute the preheating for respective devices and to save an energy consumption by sensing a device number operated next to a bubble memory device during the present action with a processor beforehand and detecting the temperature of respective bubble memory devices with a temperature sensor. CONSTITUTION:Temperature sensors T0, T1 and T2 and a preheating means are provided for plural bubble memory devices B0, B1 and B2 and the temperature of the devices B0, B1 and B2 during the present driving detected by respective sensors T0, T1 and T2 is inputted through a temperature detecting circuit 2 to a processor 4. In the processor 4, the device number and the temperature driven next to the device B0 during the present driving can be sensed. When the device B0 is driven, concerning a device driven next a signal LT supervises whether the temperature to need a preheating is obtained or not, based on the information from the circuit 2 and when the preheating is necessary, a preheating signal PH is outputted to a controller 3 and a device number is inputted through a selecting circuit 1 to the said device.

Description

【発明の詳細な説明】 〔I既要〕 磁気バブルを制御して情報の記憶や転送を行なう磁気バ
ブルメモリ装置におけるプレヒート方式に関し、 磁気バブルメモリ装置のデバイスのブレヒートのための
消費電力が小さく、かつアクセスに際しての待ち時間を
要しないプレ上−1一方式を実現することを目的とし、 複数のバブルメモリデバイスを制御するるイl気バブル
メモリ装置において、 各バブルメモリデバイス毎に温度検出手段とプレヒート
手段を設けると共に、 現在駆動中のバブルメモリデバイス以外のデバイスにつ
いて、 少なくとも、ブレヒートを要する温度であること、次に
駆動が行なわれるデバイスであるごと、の条件が満たさ
れたときに、 該デバイスにおけるブレヒート手段が動作するように制
御される構成とする。
[Detailed Description of the Invention] [Required] Regarding a preheating method in a magnetic bubble memory device that stores and transfers information by controlling magnetic bubbles, the power consumption for preheating the device of the magnetic bubble memory device is small; With the aim of realizing a pre-1 method that does not require waiting time for access, in an air bubble memory device that controls a plurality of bubble memory devices, a temperature detection means and a temperature detection means are provided for each bubble memory device. In addition to providing a preheating means, when the following conditions are met for a device other than the bubble memory device currently being driven, at least the temperature requires preheating, and the device is the next device to be driven. The structure is such that the breheating means is controlled to operate.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、磁気バブルを制御して情報の記1αや転送を
行なう磁気バブルメモリ装置におけるプレヒート方式に
関する。
The present invention relates to a preheating method in a magnetic bubble memory device that records and transfers information by controlling magnetic bubbles.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

磁気バブルメモリ装置は、磁気バブルの発生、転送、分
割、拡大、検出、消去などの制御を行なうことにより、
情報の記憶、入出力が行なわれる。
Magnetic bubble memory devices control the generation, transfer, division, expansion, detection, erasure, etc. of magnetic bubbles.
Information is stored, input and output.

ところが、これらの動作が確実に行なわれるには、周囲
の温度条件に依存し、例えばO′C〜55°C程度の範
囲でのみ、誤動作することなく、正確に機能しうる。
However, in order for these operations to be carried out reliably, it depends on the ambient temperature conditions, and the device can function accurately without malfunctioning only within a range of, for example, about O'C to 55°C.

そこで、特公昭61−17069号公報などに記載され
ているように、周囲温度が低い場合は、回転磁界発生用
のX、Yコイルのうら、片方のコイルに通電することで
、プレヒートを行ない、各バブルメモリデバイスが動作
可能な温度に保たれるように加熱することが知られてい
る。
Therefore, as described in Japanese Patent Publication No. 61-17069, when the ambient temperature is low, preheating is performed by energizing one of the coils behind the X and Y coils for generating the rotating magnetic field. It is known to heat each bubble memory device so that it is maintained at an operational temperature.

このとき、バブルメモリデバイスが1個だけ搭載されて
いる装置では、デバイス単体でプレ上−1〜動作させ、
アクセスを行なっている。
At this time, if the device is equipped with only one bubble memory device, operate the device alone from Pre-1 to
is accessing.

ところが実際には、バブルメモリデバイスが同一装置に
複数個搭載される場合が多い。例えば同一装置において
、バブルメモリデバイスが4個搭載されている場合、バ
ブルメモリデバイスを4個とも同時にプレヒート動作さ
せるか、またはバブルメモリデバイスを単体ごとにプレ
ヒート動作させる方法がある。
However, in reality, multiple bubble memory devices are often installed in the same device. For example, when four bubble memory devices are installed in the same device, there is a method of preheating all four bubble memory devices at the same time, or preheating each bubble memory device individually.

〔発明が解決しようとする課題] 4個とも同時にプレヒート動作させると、プレヒート電
流が膨大になり、大容量の供給電源が必要となる。一方
デバイス単体でプレヒート動作させる場合は、供給電源
は小容量で足りるが、次にアクセスしようとするデバイ
スがブレヒート完了していないと、次のデバイスへのア
クセスが直ちに行なえず、待機時間が必要となる。
[Problems to be Solved by the Invention] If all four devices are preheated at the same time, the preheating current will be enormous and a large capacity power supply will be required. On the other hand, when preheating a single device, a small capacity power supply is sufficient, but if the next device to be accessed has not completed preheating, the next device cannot be accessed immediately and a standby time is required. Become.

本発明の技術的課題は、従来の磁気バブルメモリ装置の
プレヒート方式におけるこのような問題を解消し、プレ
ヒートのための消費電力が小さく、かつアクセスに際し
ての待ち時間を要しないプレヒート方式を実現すること
にある。
The technical problem of the present invention is to solve these problems in the conventional preheating method of magnetic bubble memory devices, and to realize a preheating method that consumes less power for preheating and does not require waiting time for access. It is in.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

第1図は本発明によるプレヒート方式の基本原理を説明
するブロフク図である。BO,Bl、B2・・・は、バ
ブルメモリデバイスであり、それぞれデバイス番号選択
回路1からの選択信号によって選択され、動作する。T
o、 TI、T2・・・は、各デバイスBO,Bl、B
2・・・の温度を検出し、温度検出回路2に人力する温
度センサである。また各バブルメモリデバイスBO,B
l、B2、B3は、加熱手段を有している。
FIG. 1 is a diagram explaining the basic principle of the preheating method according to the present invention. BO, Bl, B2, . . . are bubble memory devices, each of which is selected and operated by a selection signal from the device number selection circuit 1. T
o, TI, T2... are each device BO, Bl, B
This is a temperature sensor that detects the temperature of 2... and manually inputs it to the temperature detection circuit 2. In addition, each bubble memory device BO, B
1, B2, and B3 have heating means.

3はコントローラであり、プロセッサ4からの指令によ
り、デバイス番号選択回路1を介して、バブル駆動やプ
レヒートを行なうべきデバイスを選択したり、情報の転
送などの制御を行なう。
A controller 3 selects a device to be bubble driven or preheated and controls information transfer via the device number selection circuit 1 according to instructions from the processor 4.

〔作用〕[Effect]

いま、プロセッサ4からの指令により、コントローラ3
、デバイス番号選択回路1を介して、#0のバブルメモ
リデバイスBOが選Ue駆動されているものとする。
Now, according to a command from the processor 4, the controller 3
, it is assumed that the #0 bubble memory device BO is selected and driven by the device number selection circuit 1.

プロセッサ4においては、現在駆動中のバブルメモリデ
バイスBOの次に駆動されるデバイス番号が予めわかっ
ている。また各へ′プルメモリデバイス80. Bl、
B2・・・の温度は、温度センサTO1T1、T2・・
・によって検出され、温度検出回路2を介して、プロセ
ッサ4側で監視可能となっている。
In the processor 4, the device number to be driven next to the bubble memory device BO currently being driven is known in advance. Also, each pull memory device 80. Bl,
The temperature of B2... is measured by temperature sensors TO1T1, T2...
The temperature is detected by the temperature detection circuit 2 and can be monitored on the processor 4 side.

そのため、あるバブルメモリデバイスBOが駆動中の場
合は、次に駆動されるデバイスにつき、温度検出回路2
からの情報を基にして、プレヒートを要する温度である
かどうか、信号LTによって監視が行なわれる。そして
、プレヒートを要するような温度の場合は、コントロー
ラ3にプレヒート信号円1を出力し、コントローラ3、
デバイス番号選択回路1を介して、プレヒート信号が当
該デバイスに入力され、該デバイスのブレヒート手段が
駆動される。
Therefore, when a certain bubble memory device BO is being driven, the temperature detection circuit 2 for the next device to be driven is
Based on the information from the signal LT, monitoring is performed to determine whether the temperature is such that preheating is required. If the temperature is such that preheating is required, a preheating signal circle 1 is output to the controller 3, and the controller 3,
A preheat signal is input to the device through the device number selection circuit 1, and the breheating means of the device is driven.

そしてプレヒートによって充分温度上昇し、プレヒート
を不要となった場合は、温度検出回路2からの信号にし
たがって、プレヒート信号がオフ状態となる。
When the temperature rises sufficiently due to preheating and preheating is no longer necessary, the preheating signal is turned off in accordance with the signal from the temperature detection circuit 2.

このような動作の繰り返しにより、次に駆動されるべき
デバイスの温度が監視され、正常に動作可能な温度より
低温になった場合は、温度検出回路2からの温度情報に
基づいて、ブレヒート動作が行なわれ、当該デバイスに
ついては、常時駆動可能な温度に維持される。
By repeating these operations, the temperature of the next device to be driven is monitored, and if it becomes lower than the temperature at which it can operate normally, a breathing operation is performed based on the temperature information from the temperature detection circuit 2. The device is maintained at a temperature at which it can be operated at all times.

そのため、当該デバイスについてアクセスが行なわれた
場合は、直ちにアクセス可能であり、従来のように待機
時間を要せず、高速アクセスを行なうことができる。
Therefore, when the device is accessed, it can be accessed immediately, and high-speed access can be performed without requiring waiting time as in the conventional case.

〔実施例〕〔Example〕

次に本発明による磁気バブルメモリ装置のブレヒート方
式が実際上どのように具体化されるかを実施例で説明す
る。第2図は本発明による磁気バブルメモリ装置のブレ
ヒート方式を実施する回路の実施例である。この実施例
では、バブルメモリデバイスがBO,Bl、B2、B3
のように、4個搭載されている。
Next, how the breathing method of the magnetic bubble memory device according to the present invention is actually implemented will be explained using an example. FIG. 2 is an embodiment of a circuit implementing the breathing method of a magnetic bubble memory device according to the present invention. In this embodiment, the bubble memory devices are BO, Bl, B2, B3.
As shown, there are 4 installed.

各バブルメモリデバイスBO1131、B2、B3には
、サーミスタなどのような温度検出器を有しており、各
バブルメモリデバイスBO,Bi B2、B3の温度検
出器の出力端子1t・・・が、2つの温度検出回路21
.22に人力されるように接続され、該温度検出回路2
1.22の出力信号LTO、LTIは、プロセッサ4に
入力される。′ デバイス番号選択回路11の選択信号出力端子5は、各
バブルメモリデバイスBO1B1、B2、B3の駆動選
択端子C5・・・に直接接続される一方、オア回路61
.62・・・、アンド回路71.72・・・を介して、
各バブルメモリデバイスBO,Bl、B2、B3のブレ
ヒート信号端子phに接続されている。
Each bubble memory device BO1131, B2, B3 has a temperature detector such as a thermistor, and the output terminal 1t... of the temperature detector of each bubble memory device BO, Bi B2, B3 is 2 temperature detection circuit 21
.. 22, the temperature detection circuit 2
The output signals LTO and LTI of 1.22 are input to the processor 4. ' The selection signal output terminal 5 of the device number selection circuit 11 is directly connected to the drive selection terminal C5 of each bubble memory device BO1B1, B2, B3, while the OR circuit 61
.. 62..., via AND circuits 71, 72...
It is connected to the bubble heat signal terminal ph of each bubble memory device BO, Bl, B2, B3.

プロセッサ4に接続された2本のプレヒート信号線のう
ち、片方の信号線8は、前記のオア回路61.62・・
・の入力側に接続され、他方の信号線9は、他方のオア
回路101.102・・・の入力端に接続されている。
Of the two preheat signal lines connected to the processor 4, one of the signal lines 8 is connected to the OR circuits 61, 62, . . .
The other signal line 9 is connected to the input end of the other OR circuit 101, 102, . . . .

そして両オア回路61と101の出力側に前記のアンド
回路71が接続され、オア回路62と102の出力側に
前記のアンド回路72が接続されている。
The AND circuit 71 is connected to the output sides of the OR circuits 61 and 101, and the AND circuit 72 is connected to the output sides of the OR circuits 62 and 102.

コントローラ3および温度検出回路21.22には、プ
ロセッサ4から、選択信号5ELO1SELLが人力さ
れる。
A selection signal 5ELO1SELL is input from the processor 4 to the controller 3 and the temperature detection circuits 21 and 22.

次にこの回路におけるブレヒート動作を説明する。各バ
ブルメモリデバイスrlo、 Bl、B2、B3の温度
は、温度検出器によって検出され、端子Itがら温度検
出回路21.22に入力され、バブルメモリデバイスが
低温であると、温度信号LTとして、プロセッサ4に出
力される。したがって、プロセッサ4側では、常時各バ
ブルメモリデバイスBO,,Bl、B2、B3につき、
ブレヒートを要するかどうか監視できる。なお、この実
施例では、2つの温度検出回路21.22を有し、例え
ば片方の温度検出回路21では、−5°C〜+2°Cの
範囲から外れたときに、LT倍信号出力し、他方の温度
検出回路22では、=10°C〜+5°Cの範囲から外
れたときに、LT倍信号出力するようになっている。し
たがって、プロセッサ4側では、−5°C以下の場合に
ブレヒート信号を出力するか、−10’C以下の場合に
ブレヒート信号を出力するかを選択できる。
Next, the breathing operation in this circuit will be explained. The temperature of each bubble memory device rlo, Bl, B2, B3 is detected by a temperature detector and inputted to a temperature detection circuit 21.22 through a terminal It, and when the bubble memory device is at a low temperature, the temperature signal LT is sent to the processor. 4 is output. Therefore, on the processor 4 side, for each bubble memory device BO,, Bl, B2, B3,
You can monitor whether a breheat is required. In addition, this embodiment has two temperature detection circuits 21 and 22, and for example, one of the temperature detection circuits 21 outputs an LT multiplied signal when the temperature falls outside the range of -5°C to +2°C. The other temperature detection circuit 22 is configured to output an LT times signal when the temperature is outside the range of =10°C to +5°C. Therefore, on the processor 4 side, it is possible to select whether to output the breathing signal when the temperature is -5°C or less, or to output the breathing signal when the temperature is -10'C or less.

いまコントローラ3から出力する駆動デバイス選択信号
CSEが、デバイス番号選択回路11.12を介して、
各バブルメモリデバイスB0. Bl、B2、B3の端
子csに入力することで、ある単一のバブルメモリデバ
イスが選択され、駆動されている。
The drive device selection signal CSE outputted from the controller 3 now passes through the device number selection circuits 11 and 12,
Each bubble memory device B0. A single bubble memory device is selected and driven by inputting to terminals cs of Bl, B2, and B3.

このとき、コントローラ3から出力するバブルメモリデ
バイスセレクト信号S E 1.、OlS E L 1
により、次に駆動されるべきバブルメモリデバイスが選
択される。すなわち、デバイス番号選択回路11の出力
端子5から、オア回路61.62・・・に選択信号が入
力する。
At this time, the bubble memory device select signal S E outputted from the controller 3 1. , OlS E L 1
The bubble memory device to be driven next is selected. That is, a selection signal is input from the output terminal 5 of the device number selection circuit 11 to the OR circuits 61, 62, .

一方該オア回路61.62・・・の他方の入力端子には
、選択されたバブルメモリデバイスにつき、しT信号が
HからLになっていると、ホストシステムからのブレヒ
ート動作制御信号線8.9を介して、+111信号をH
からLに切り換えてオン状態とし、プレヒート動作を開
始させる。
On the other hand, when the other input terminal of the OR circuit 61, 62, . 9, +111 signal to H
to L to turn it on and start preheating operation.

次にこのプレ上−1〜動作を、第3図に示すタイミング
チャートに従って説明する。(a)に示すように、いま
#0のハ′フ゛ルメモリデハイスBOが選1尺駆動され
ているものとすると、(b)のように2本のセレクト信
号線5ELO2SELLにより、プロセッサ4から#1
のバブルメモリデバイスB1が選択され、その温度が検
出される。そして当該バブルメモリデバイスBlの温度
がブレヒートを要する温度の場合は、温度検出回路21
.22から、(C)に示すLT倍信号出力し、プロセッ
サ4に通知する。その結果、(d)に示すブレヒート信
号PHがオンとなり、コントローラを介して、前記のバ
ブルメモリデバイス旧に出力し、ブレヒート手段の駆動
が開始される。
Next, the operations of Pre-1-1 will be explained according to the timing chart shown in FIG. As shown in (a), if the half memory device BO #0 is currently being driven by one selector, as shown in (b), two select signal lines 5ELO2SELL are used to send the signal from the processor 4 to #0. 1
Bubble memory device B1 is selected and its temperature is detected. If the temperature of the bubble memory device Bl is a temperature that requires breheating, the temperature detection circuit 21
.. 22 outputs the LT multiplied signal shown in (C) and notifies the processor 4. As a result, the breathing signal PH shown in (d) is turned on and output to the bubble memory device 1 through the controller, and the breathing means starts to be driven.

その結果、当該バブルメモリデバイスB1が加熱され、
温度が上界すると、温度検出信号LTがオフとなり、ブ
レヒート信号pHもオフとなる。
As a result, the bubble memory device B1 is heated,
When the temperature reaches an upper limit, the temperature detection signal LT is turned off, and the breathing signal pH is also turned off.

このように、#lのバブルメモリデバイスB1はブレヒ
ートにより動作可能温度にあるため、当該バブルメモリ
デバイスB1が選択されると、(e)に示すように、直
ちにアクセスされる。
In this way, the #l bubble memory device B1 is at an operable temperature due to the breathing, so when the bubble memory device B1 is selected, it is immediately accessed as shown in (e).

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように本発明によれば、次にアクセスすべきデバ
イスにつき、温度状態を監視して、低温の場合はブレヒ
ートを行なうため、当該デバイスは直ちにアクセス可能
であり、待機時間が不必要となる。またブレヒートは、
総てのデバイスにつき一斉に行なうのではなく、次にア
クセスすべきデバイスのみについて行なうので、ブレヒ
ートのための消費電力が節減される。
As described above, according to the present invention, the temperature status of the next device to be accessed is monitored, and if the temperature is low, the device is preheated, so the device can be accessed immediately, and no waiting time is required. . Also, Breheat is
Since the process is not performed for all devices at once, but only for the device to be accessed next, the power consumption for preheating is reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明による磁気バブルメモリ装置のブレヒー
ト方式の基本原理を説明するブロック図、第2図は本発
明によるブレヒート方式を実施する回路を例示する図、
第3図は同回路におけるブレヒート動作を示すタイミン
グチャートである。 図において、BO,Bl、 B2、B3はバブルメモリ
デバイス、To、 TI、T2・・・は温度センサ、1
はデバイス番号選択回路、2.21.22は温度検出回
路、3はコントローラ、4はプロセッサをそれぞれ示す
。 特許出願人     冨士通株式会社 復代理人 弁理士  福 島 康 文
FIG. 1 is a block diagram illustrating the basic principle of the breathing method of a magnetic bubble memory device according to the present invention, and FIG. 2 is a diagram illustrating a circuit for implementing the breathing method according to the present invention.
FIG. 3 is a timing chart showing the breathing operation in the same circuit. In the figure, BO, Bl, B2, B3 are bubble memory devices, To, TI, T2... are temperature sensors, 1
2, 21 and 22 indicate a device number selection circuit, 2, 21 and 22 a temperature detection circuit, 3 a controller, and 4 a processor, respectively. Patent applicant Yasufumi Fukushima, sub-agent of Fujitsu Co., Ltd., patent attorney

Claims (1)

【特許請求の範囲】 複数のバブルメモリデバイスを制御する磁気バブルメモ
リ装置において、 各バブルメモリデバイス(B0)、(B1)・・・毎に
温度検出手段(T0)(T1)・・・とプレヒート手段
を設けると共に、 現在駆動中のバブルメモリデバイス以外のデバイスにつ
いて、 少なくとも、プレヒートを要する温度であること、次に
駆動が行なわれるデバイスであること、の条件が満たさ
れたときに、 該デバイスにおけるプレヒート手段が動作するように制
御されることを特徴とする磁気バブルメモリ装置のプレ
ヒート方式。
[Claims] In a magnetic bubble memory device that controls a plurality of bubble memory devices, each bubble memory device (B0), (B1)... has a temperature detecting means (T0), (T1)... and a preheating device. In addition, when the conditions for a device other than a bubble memory device currently being driven are at least at a temperature that requires preheating, and that the device is the next device to be driven, A preheating method for a magnetic bubble memory device, characterized in that a preheating means is controlled to operate.
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