JPH01232756A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(目 次〕
概要
産業上の利用分蝉
従来の技術
発明が解決しようとする課題
課題を解決するための手段
作用
実施例
本発明の第1実施例 (第1〜10図)本発明の第2実
施例 (第11〜15図)本発明の第3実施例 (第1
6図)
本発明の第4実施例 (第17〜21図)発明の効果
〔概 要〕
半導体集積回路装置に関し、
使用中の環境条件変化に応じて予め記憶されていた既知
のデータを取り出してこれを表示若しくは補正データと
して活用できるようにすることを目的とし、
周辺環境の変動に応じた信号を出力するセンサ部と、既
知の環境条件下で得られたセンサ部からの信号値を、該
環境条件の既知データと関連づけて記憶する記憶部と、
未知の環境条件下で得られたセンサ部からの信号値に基
づいて記憶部内のデータを検索し、関連する既知データ
を出力する出力手段と、を備えて構成している。Detailed Description of the Invention (Table of Contents) Overview Industrial Applications Prior Art Problems to be Solved by the Invention Examples of Means for Solving the Problems First Embodiment of the Invention (1st to 10th Examples of the Invention) Figure) Second embodiment of the present invention (Figures 11 to 15) Third embodiment of the present invention (First embodiment)
(Figure 6) Fourth embodiment of the present invention (Figures 17 to 21) Effects of the invention [Summary] Regarding a semiconductor integrated circuit device, known data stored in advance is retrieved in response to changes in environmental conditions during use. In order to make this information available for display or as correction data, we have developed a sensor section that outputs a signal according to changes in the surrounding environment, and a signal value from the sensor section obtained under known environmental conditions. a storage unit that stores data in association with known data on environmental conditions;
The apparatus includes output means for searching data in the storage section based on signal values from the sensor section obtained under unknown environmental conditions and outputting related known data.
本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に電子回路が
形成されたチップの温度および電源電圧変動といった環
境条件を測定する装置に関する。The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a device for measuring environmental conditions such as temperature and power supply voltage fluctuations of a chip on which an electronic circuit is formed.
一般に、電子回路の使用条件は多様であり、極めて悪条
件下であっても所期の性能を発揮することが要求される
。Generally, electronic circuits are used under a variety of conditions, and are required to exhibit desired performance even under extremely adverse conditions.
例えば、高温から低温までの広範囲な温度域で使用され
る電子回路では、回路素子に温度依存性の少ないものを
用いたり、あるいは、温度補正機能を組み込んだりして
性能の安定化を図っている。For example, in electronic circuits that are used in a wide temperature range from high to low temperatures, performance is stabilized by using circuit elements with less temperature dependence or by incorporating temperature compensation functions. .
しかしながら、この種の温度対策を施しても回路素子の
温度依存性にはある程度のバラツキが避けられないので
、回路素子の選沢何如によっては回路の温度特性が大幅
に変化し、所期の性能を安定して発揮できないといった
問題点があった。However, even if this type of temperature control is implemented, some degree of variation in the temperature dependence of circuit elements cannot be avoided, so depending on the selection of circuit elements, the temperature characteristics of the circuit may change significantly, and the desired performance may not be achieved. There was a problem that it was not possible to stably demonstrate the performance.
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、
回路素子の温度若しくは電源変動に対する依存性を、予
めデータとして記憶することにより、使用中の環境条件
変化に応じて該記憶データを取り出してこれを表示若し
くは補正データとして活用できるようにすることを目的
としている。The present invention was made in view of these problems, and
The purpose is to store the dependence of circuit elements on temperature or power supply fluctuations as data in advance so that the stored data can be retrieved in response to changes in environmental conditions during use and used for display or correction data. It is said that
本発明では、上記目的を達成するために、周辺環境の変
動に応じた信号を出力するセンサ部と、既知の環境条件
下で得られたセンサ部からの信号値を、該環境条件の既
知データと関連づけて記憶する記憶部と、未知の環境条
件下で得られたセンサ部からの信号値に基づいて記憶部
内のデータを検索し、関連する既知データを出力する出
力手段と、を備えて構成している。In order to achieve the above object, the present invention includes a sensor section that outputs a signal according to changes in the surrounding environment, and a signal value from the sensor section obtained under known environmental conditions, which is used as known data of the environmental condition. and an output unit that searches for data in the storage unit based on a signal value from the sensor unit obtained under unknown environmental conditions and outputs related known data. are doing.
本発明では、予め既知の環境条件下に置かれたセンサ部
からの出力信号が、該既知データと関連づけて記憶部に
記憶される。そして、未知の環境条件下に置かれた上記
センサ部からの出力信号に基づいて記憶部が検索され、
該当する既知のデータが取り出される。In the present invention, the output signal from the sensor section placed under known environmental conditions in advance is stored in the storage section in association with the known data. Then, the storage unit is searched based on the output signal from the sensor unit placed under unknown environmental conditions,
Relevant known data is retrieved.
したがって、センサ部を構成する回路素子の環境依存性
に従って既知データを取り出すことができ、この既知デ
ータを例えば補正データとして活用することにより、上
記センサ部と環境を同一にして作動する他の電子回路の
性能を安定して発揮させることが可能になる。Therefore, known data can be extracted according to the environment dependence of the circuit elements that constitute the sensor section, and by utilizing this known data, for example, as correction data, other electronic circuits that operate in the same environment as the sensor section can be used. This makes it possible to stably demonstrate the performance of.
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.
第1〜lO図は本発明に係る半導体集積回路装置の第1
実施例を示す図である。1 to 10 are the first diagrams of the semiconductor integrated circuit device according to the present invention.
It is a figure showing an example.
第1図において、1は半導体集積回路装置(以下、測定
装置という)であり、測定装置1はセンサ部2、A/D
変換部3、記憶部4、制御部5、補間回路(出力手段)
6、表示部7を有している。In FIG. 1, 1 is a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as a measuring device), and the measuring device 1 includes a sensor section 2, an A/D
Conversion section 3, storage section 4, control section 5, interpolation circuit (output means)
6. It has a display section 7.
センサ部2は少な(とも温度若しくは電源電圧の変動に
対して所定の依存性を有する回路素子を含み、例えば、
第2図に示すように定電流源■とグランド間に接続され
た抵抗Rを含んで構成されている。一般に、抵抗は温度
によってその抵抗値が若干変化するといった温度依存性
を持つから、抵抗Rから取り出される電圧iRは、抵抗
の温度依存特性に従って変化したものとなる。また、図
示は略すが定電流源■に代えて他の抵抗R′を接続した
場合は、定電源VIllDの変動によっても取り出され
る電圧が変化する。なお、第3図に示すように、光の照
射量に応じた電流iを発生するフォトダイオードDを抵
抗Rに並列に接続してセンサ部2を構成してもよい。第
4図はセンサ部2の温度依存特性の一例を示す図である
。第4図におし)で、センサ部2周辺の温度がToのと
き、センサ部2から取り出される電圧は■。となり、ま
た、温度T1のときは電圧vl、温度T!のときは電圧
Vtとなる。The sensor unit 2 includes a small number of circuit elements (both of which have a predetermined dependence on changes in temperature or power supply voltage, for example,
As shown in FIG. 2, the circuit includes a constant current source (2) and a resistor R connected between the ground. Generally, a resistor has temperature dependence such that its resistance value changes slightly depending on the temperature, so the voltage iR taken out from the resistor R changes according to the temperature dependence characteristics of the resistor. Further, although not shown, if another resistor R' is connected in place of the constant current source (2), the voltage taken out will also change due to fluctuations in the constant power source VIllD. Note that, as shown in FIG. 3, the sensor section 2 may be constructed by connecting a photodiode D that generates a current i according to the amount of light irradiation to a resistor R in parallel. FIG. 4 is a diagram showing an example of temperature dependent characteristics of the sensor section 2. In FIG. In Figure 4), when the temperature around the sensor section 2 is To, the voltage taken out from the sensor section 2 is ■. Also, when the temperature is T1, the voltage vl and the temperature T! When , the voltage becomes Vt.
再び第1図において、A/D変換部3は、センサ部2か
ら取り出された電圧(アナログ的に変化する電圧)をデ
ジタル電圧に変換する。記憶部4はE E P ROM
(Electrically Erasable P
ROM)を含んで構成され、記憶部4は制御部5から
の制御を受け、例えば前述の第4図で示したToVo
、TI V+ 、Tt VZのデータを記憶する。な
お、この記憶に際し、■。〜■2はEEPROMのアド
レスデータとして用いられ、T0〜T!は■。〜v2に
よりアドレス指定された場所に格納される。例えば、■
。=X (V)、 To =y (’Cl T:あれば
、EEPROM(7)X番地Gコyが格納される。Referring again to FIG. 1, the A/D conversion section 3 converts the voltage (voltage that changes in an analog manner) taken out from the sensor section 2 into a digital voltage. Storage unit 4 is EEPROM
(Electrically Erasable P
The storage unit 4 is controlled by the control unit 5, and is configured to include a ROM (ROM), and the storage unit 4 is controlled by the control unit 5. For example, the ToVo
, TI V+ , and Tt VZ are stored. In addition, when remembering this, ■. ~■2 is used as EEPROM address data, T0~T! ■. ~v2 is stored at the location addressed by v2. For example, ■
. =X (V), To =y ('Cl T: If present, EEPROM (7) X address Gcoy is stored.
補間回路6は、記憶部4に記憶されたデータが複数ポイ
ントのサンプリングデータであることから、これらサン
プリングデータの間を補間するためのものであり、詳細
には後述される。なお、表示部7は記憶部からのデータ
あるいは補間されたデータを表示する。Since the data stored in the storage unit 4 is sampling data of a plurality of points, the interpolation circuit 6 is for interpolating between these sampling data, and will be described in detail later. Note that the display section 7 displays data from the storage section or interpolated data.
このような構成において、記憶部4へのデータの書き込
みは、以下のようにして行われる。In such a configuration, writing of data to the storage unit 4 is performed as follows.
まず、既知の温度でセンサ部2を加温あるいは冷却する
。例えば、既知の温度T0でセンサ部2を加温すると、
センサ部2からはvoに相当するアナログ電圧が信号と
して取り出され、この■。First, the sensor section 2 is heated or cooled to a known temperature. For example, when the sensor unit 2 is heated at a known temperature T0,
An analog voltage corresponding to vo is taken out as a signal from the sensor section 2, and this ■.
はデジタル変換されて記憶部4のアドレス指定に用いら
れる。すなわち、■。で指定されたアドレスにこのとき
の既知の温度T0が格納される。この動作をT I、
T zについて繰り返した結果記憶部4内のアドレスv
0にToが、アドレス■1にT、が、そしてアドレスV
tにT2が格納される。is digitally converted and used for address designation of the storage unit 4. In other words,■. The known temperature T0 at this time is stored in the address specified by . This operation is T I,
The address v in the storage unit 4 of the result of repeating Tz
0 has To, address ■1 has T, and address V
T2 is stored in t.
次いで、センサ部2を未知の温度条件下に置いた場合、
例えば、センサ部2からvlに相当する電圧の信号値が
取り出されたとすると、記憶部4からはアドレスvIに
格納されたT1が読出され、表示部7に表示される。す
なわち、未知の’IAKがT、として測定される。なお
、未知の温度がToとT、の間、あるいはT1とT2の
間にある場合、補間回路6は記憶部4から読出されたT
o、T。Next, when the sensor section 2 is placed under unknown temperature conditions,
For example, if a voltage signal value corresponding to vl is taken out from the sensor section 2, T1 stored at address vI is read out from the storage section 4 and displayed on the display section 7. That is, the unknown 'IAK is measured as T. Note that when the unknown temperature is between To and T or between T1 and T2, the interpolation circuit 6
o, T.
あるいはT、 、T、に基づいて温度補間値を求め、こ
の補間値を測定温度とする。Alternatively, a temperature interpolation value is obtained based on T, , T, and this interpolation value is taken as the measured temperature.
このような構成によれば、センサ部2を構成する回路素
子の温度依存特性が記憶部4に記憶され、この記憶デー
タに基づいて未知の温度が測定される。したがって、回
路素子個々の温度依存特性にバラツキがあっても、これ
に左右されない正確な温度の測定ができる。あるいは、
使用環境を同一にする他の回路の回路素子とほぼ同一の
温度依存性を持つものをセンサ部2の構成に含めること
で、他の回路の温度補正を正確に行うための温度データ
を得ることができる。According to such a configuration, the temperature-dependent characteristics of the circuit elements constituting the sensor section 2 are stored in the storage section 4, and the unknown temperature is measured based on this stored data. Therefore, even if there are variations in the temperature dependence characteristics of individual circuit elements, accurate temperature measurement can be performed without being affected by variations. or,
By including circuit elements in the sensor section 2 that have almost the same temperature dependence as circuit elements of other circuits that are used in the same environment, temperature data can be obtained for accurately performing temperature correction of other circuits. Can be done.
第5図は補間回路6の具体的な構成を示す図である。第
5図において、補間回路6は、MPU6as ROM6
b、RAM6 c、アドレスデコーダ6dおよびトラ
イステートバッファ6eを含んで構成されている。MP
U6as、所定のプログラムを実行し、アドレスデコー
ダ6dをコントロールしたり、記憶部4へのデータの書
き込みや読み出しを行ったりしながら必要な補間処理を
実行する。ROM6bは、上記所定のプログラムを格納
し、RAM6Cは補間処理中の演算結果を一時的に格納
する。アドレスデコーダ6dはトライステートバッファ
6eをコントロールし、A/D変ta部から3の出力を
必要に応じて補間回路6に取り込む。なお、6fはデー
タバス、6gはコントロールバス、6hはアドレスバス
であり、また、8は補間処理結果や記憶部4からの読み
出しデータ等を表示部に出力したり、あるいは外部のホ
ストコンピュータからの書き込み温度情報を補間回路6
内に取り込むI10バッファである。FIG. 5 is a diagram showing a specific configuration of the interpolation circuit 6. In FIG. 5, the interpolation circuit 6 includes an MPU 6as ROM 6
b, a RAM 6c, an address decoder 6d, and a tri-state buffer 6e. M.P.
U6as executes a predetermined program, controls the address decoder 6d, writes data to and reads data from the storage unit 4, and performs necessary interpolation processing. The ROM 6b stores the above-mentioned predetermined program, and the RAM 6C temporarily stores calculation results during interpolation processing. The address decoder 6d controls the tri-state buffer 6e, and takes in the output of 3 from the A/D converter ta section to the interpolation circuit 6 as necessary. Note that 6f is a data bus, 6g is a control bus, and 6h is an address bus. 8 is used to output interpolation processing results, read data from the storage unit 4, etc. to the display unit, or to output data from an external host computer. Interpolation circuit 6 for writing temperature information
This is an I10 buffer that is taken into the memory.
このような補間回路6の動作は次のようにして行われる
。第6図は記憶部4にデータを書き込むプログラムのフ
ローチャートである。第6図において、マス、vl゛で
M P U 5 a内のアドレスデコーダADDRを0
にセットする。次いで、P2〜P、でセンサ部2を含む
lCチップ全体をtl(’C)に加温し、そのときのA
/D変換部3の出力(すなわち、センサ部2から取り出
された電圧)Viおよび温度t、を記憶部4に書き込む
。The interpolation circuit 6 operates as follows. FIG. 6 is a flowchart of a program for writing data into the storage unit 4. In FIG. 6, address decoder ADDR in MPU 5a is set to 0 in mass, vl'.
Set to . Next, from P2 to P, the entire IC chip including the sensor section 2 is heated to tl ('C), and then A
The output Vi of the /D conversion section 3 (that is, the voltage taken out from the sensor section 2) and the temperature t are written into the storage section 4.
具体的には、P3でADDRの示すアドレス(このとき
ADDR=O)内に■1を格納し、P4でADDRを+
1してP、でADDRの示すアドレス(このときADD
R=1 )内にt8を格納する。そして、P6でADD
Rを+1した後、測定ポイント数nだけ上記P2〜P&
を繰り返す。その結果、記憶部4内には、第7図に示す
ような測定回毎のV、、t、のデータが格納される。な
お、第8図はn−1回目のv8をVi−1とし、同様に
n−1回目のtlを’i−1として図示したものである
。Specifically, in P3, store ■1 in the address indicated by ADDR (ADDR=O at this time), and in P4, add +
1 and then P, the address indicated by ADDR (at this time ADD
t8 is stored in R=1). And ADD at P6
After increasing R by 1, the above P2 to P&
repeat. As a result, the storage unit 4 stores data of V,,t, for each measurement as shown in FIG. In addition, in FIG. 8, the n-1st v8 is shown as Vi-1, and the n-1st tl is similarly shown as 'i-1.
また、この例ではアドレス順にVi−1%t+−+ 、
V、、t、を順次格納しているが、これに限らず例えば
、測定回毎のV直をアドレスとしてこの■lに示された
アドレス内に1.を格納してもよい。In addition, in this example, in address order, Vi-1%t+-+,
Although V,, t, are stored sequentially, the present invention is not limited to this, and for example, 1. may be stored.
しかし、メモリ空間の有効活用の面からは、上述の例(
第7.8図)のようにした方が好ましい。However, from the point of view of effective use of memory space, the above example (
It is preferable to do as shown in Fig. 7.8).
第9図は記憶部4からデータを取り出すプログラムのフ
ローチャートである。第9図において、まず、pHでA
DDRを0にセットする。次いで、PI!”’P14で
記憶部4のV、テーブルを検索し、現在のA/D変換部
3の出力VXとテーブル内の各V、の関係が、V、、<
V、<V、となるような■五をサーチする。ptsでは
、求められた■2、Vi−1、Li 、LL−1に基づ
いて、次式■を実行し、補間温度L8を求める。但し、
(Lt−+<t、 <ti )。FIG. 9 is a flowchart of a program for retrieving data from the storage unit 4. In Figure 9, first, A at pH
Set DDR to 0. Next, PI! ``'In P14, the V table in the storage unit 4 is searched, and the relationship between the current output VX of the A/D converter 3 and each V in the table is V, , <
Search for ■5 such that V, <V. At pts, the following equation (2) is executed based on the determined values (2), Vi-1, Li, and LL-1, and the interpolated temperature L8 is determined. however,
(Lt-+<t, <ti).
・・・・・・・・・■ □
このような補間動作の結果、予め記憶部4に格納された
サンプリングデータ(vi、Vt−、゛・・・・・・V
、、)と■8が一致しない場合でも、第10図に示すよ
うに、正確なt8を求めることができる。・・・・・・・・・■ □ As a result of such interpolation operation, the sampling data (vi, Vt-, ゛......V
, , ) and ■8 do not match, accurate t8 can be obtained as shown in FIG.
なお、上述のサーチの結果、■、と所定の■。Note that the results of the above search are ■ and the predetermined ■.
とが一致した場合には補間の必要がないので、この場合
PI&に進み、一致した■えの次のアドレスに格納され
ているtlを取り出し、これをt8とする。If they match, there is no need for interpolation, so in this case, proceed to PI&, take out tl stored at the address next to the matched eg, and set it as t8.
このように本実施例では、既知の温度をセンサ部2に与
え、そのときのセンサ部2から取り出された信号を上記
既知の温度と関連づけて記憶部4に格納し、そして、未
知の温度がセンサ部2に与えられたとき、そのときのセ
ンサ部2から取り出された信号値に基づいて記憶部4を
サーチして既知の温度を取り出している。あるいは、一
致する既知の温度が格納されていない場合には、補間処
理演算を実行し、既知の温度を計算で求めている。In this way, in this embodiment, a known temperature is applied to the sensor section 2, the signal taken out from the sensor section 2 at that time is stored in the storage section 4 in association with the above-mentioned known temperature, and the unknown temperature is stored in the storage section 4. When the temperature is given to the sensor section 2, the storage section 4 is searched based on the signal value taken out from the sensor section 2 at that time, and the known temperature is taken out. Alternatively, if a matching known temperature is not stored, interpolation processing is performed to calculate the known temperature.
したがって、センサ部2個々の温度特性にバラツキがあ
った場合でも、これの影響を受けることなく、正しい温
度を検出することができる。すなわち、測定装置1毎の
バラツキが抑えられ、品質の向上と均一化を図ることが
できる。また、測定精度を向上させるためには、単にサ
ンプリング数(すなわち、記憶部4に格納するデータ数
)を増加させるだけでよく、希望した精度を容易に得る
ことができる。なお、このような測定装置1で測定され
た温度データを用いて、同一環境下で動作する他の回路
の温度補正を行うことも可能であり、このようにすると
、他の回路の性能が環境条件の変化に拘らず安定して発
揮されるので、好ましいものとなる。Therefore, even if there is variation in the temperature characteristics of each sensor section 2, the correct temperature can be detected without being affected by this variation. That is, variations among measuring devices 1 can be suppressed, and quality can be improved and made uniform. Furthermore, in order to improve the measurement accuracy, it is sufficient to simply increase the number of samplings (that is, the number of data stored in the storage unit 4), and the desired accuracy can be easily obtained. Note that it is also possible to perform temperature correction for other circuits operating under the same environment using the temperature data measured by such measurement device 1. In this way, the performance of other circuits can be adjusted to match the environment. This is preferable because it is stably exhibited regardless of changes in conditions.
玉又去施■
第11図は予め製造段階で補間データを記憶部4に書き
込む例を示す。第11図において、A/D変換部3の出
力はトライステートバッファ6eを通して記憶部4のア
ドレス端子に印加されるようになっている。また、この
アドレス端子にはチップ外部からも信号の印加が可能に
なっている。さらに、記憶部4のデータ端子はチップ外
部に引き出されている。Figure 11 shows an example in which interpolated data is written in the storage section 4 in advance at the manufacturing stage. In FIG. 11, the output of the A/D conversion section 3 is applied to the address terminal of the storage section 4 through a tristate buffer 6e. Additionally, signals can be applied to this address terminal from outside the chip. Furthermore, the data terminal of the storage section 4 is drawn out to the outside of the chip.
このような構成において、温度情報の書き込みは次のよ
うにして行われる。第12図において、センサ部2を2
0℃で加温したとき、A/D変換部3からデータr15
8 Jが取り出されたとすると、記憶部4のアドレス指
定はr158 Jとなる。そして、記tα部4のアドレ
スr158 Jにデータr20J (温度20℃)を
書き込む。この動作を他の数ポイントの温度に対して繰
り返す。その結果記憶部4のメモリ空間には第13図に
示すように空きエリアが発生する。この空きエリアは両
側が測定ポイントで挟まれており、空きエリアのアドレ
スは未測定の温度に相当している。次いでこの空きエリ
アに別途ホストコンピュータ等によって求めた補間温度
データを書き込む。この書き込みに際しては、第14図
に示すように補間回路6eをハイインピーダンスにし、
外部からアドレス指定をしながら補間データの書き込み
を行う。その結果、記憶部4内のテーブルの空きエリア
には、第15図に示すように補間データが格納される。In such a configuration, writing of temperature information is performed as follows. In FIG. 12, the sensor section 2 is
When heated at 0°C, data r15 from the A/D converter 3
If 8J is retrieved, the addressing of the storage unit 4 is r158J. Then, data r20J (temperature 20° C.) is written to address r158J of the tα section 4. Repeat this operation for several other points of temperature. As a result, a vacant area is generated in the memory space of the storage unit 4 as shown in FIG. This empty area is sandwiched between measurement points on both sides, and the address of the empty area corresponds to an unmeasured temperature. Next, interpolated temperature data obtained separately by a host computer or the like is written into this empty area. During this writing, the interpolation circuit 6e is set to high impedance as shown in FIG.
Interpolation data is written while specifying the address from the outside. As a result, interpolated data is stored in the empty area of the table in the storage unit 4 as shown in FIG.
策主去隻炎
第16図において、10は測定装置1と環境を同一にし
て動作するその他の回路、すなわち、補正を用する被補
正回路であり、被補正回路10の出力V1は環境条件(
例えば温度の高低)の変化に伴って所定の変動傾向を示
す。一般に、このような変動は回路性能を不安定にする
ので好ましくない。In FIG. 16, 10 is another circuit that operates in the same environment as the measuring device 1, that is, a circuit to be corrected that uses correction, and the output V1 of the circuit to be corrected 10 is under the environmental conditions (
For example, it shows a predetermined fluctuation tendency with changes in temperature (for example, temperature). Generally, such fluctuations are undesirable because they destabilize circuit performance.
そこで本実施例では補正手段11により■、を補正した
後vtとして出力している。Therefore, in the present embodiment, the correction means 11 corrects (2) and then outputs it as vt.
補正手段11は例えば可変ゲイン増幅器が用いられ、可
変ゲイン増幅器の増幅度は、記憶部4から読み出された
温度データD2によって制御される。For example, a variable gain amplifier is used as the correction means 11, and the amplification degree of the variable gain amplifier is controlled by the temperature data D2 read from the storage section 4.
例えば、環境温度が上昇して■、が増大する傾向にあれ
ば、補正手段11はこの温度に応じてvlを減少させる
方向に動作し、vlの補正を行い正しいv2を出力する
。For example, if the environmental temperature rises and ① tends to increase, the correction means 11 operates to decrease vl in accordance with this temperature, corrects vl, and outputs the correct v2.
なお、上述の被補正回路10および補正手段11は、例
えば被補正回路10がA/D変換器の基準電圧■REF
を発生する回路、あるいは発振回路(発振周波数の振幅
補正)であれば可変ゲイン増幅器が用いられるが、例え
ば、発振回路の周波数補正の場合には、補正手段11に
可変制御型分周回路を用いる。あるいは、被補正回路1
0をアンプやフィルタとした場合、この被補正回路10
からの不要なオフセット電圧v01.を補正するため、
補正手段11を加算器とD/A変換器で構成し、記憶部
4からの温度データD2をアナログ変換してオフセット
補正値−V 、、f fを生成し、この−■。11と被
補正回路10からのV+ <Vottが含まれている
)とを加算して■。、tを除去するようにしてもよい。Note that the above-mentioned circuit to be corrected 10 and correction means 11 are configured such that, for example, the circuit to be corrected 10 is a reference voltage REF of an A/D converter.
A variable gain amplifier is used for a circuit that generates oscillation circuit or an oscillation circuit (amplitude correction of oscillation frequency). . Alternatively, the circuit to be corrected 1
If 0 is an amplifier or a filter, this circuit to be corrected 10
Unwanted offset voltage from v01. In order to correct
The correction means 11 is constituted by an adder and a D/A converter, and converts the temperature data D2 from the storage section 4 into analog to generate offset correction values -V, , ff. 11 and V+ from the circuit to be corrected 10 (includes Vott) to obtain ■. , t may be removed.
茅土去隻炎
第17図は記憶部4に格納するデータに、電源電圧の変
動も加えた例である。この例では、電源電圧の変動に応
じた電圧を出力する電源電圧センサ20を備えるととも
に、この電源電圧センサ20の出力をデジタル値D2に
変換するA/D変換器21を有している。なお、センサ
部2および電源電圧センサ20の具体的な例は第18〜
21図に示される。FIG. 17 shows an example in which fluctuations in the power supply voltage are added to the data stored in the storage unit 4. This example includes a power supply voltage sensor 20 that outputs a voltage according to fluctuations in the power supply voltage, and an A/D converter 21 that converts the output of the power supply voltage sensor 20 into a digital value D2. Note that specific examples of the sensor unit 2 and the power supply voltage sensor 20 are shown in the 18th to
It is shown in Figure 21.
第18図は、温度係数Krの違った抵抗R+ 、Rzに
より電源電圧■。を分圧した例であり、温度が変化する
と、R+、Rzの抵抗変化に差が生じることを利用して
いる。第19図は、温度係数KTの大きい抵抗R8に定
電源■、を流したものであり、温度変化によって抵抗R
1の値が変化し、出力電圧v0が変化することを利用し
ている。第20図は、温度係数に7が同じ抵抗R4、R
5で電源電圧V。。を分圧したものであり、この場合温
度の影響は受けず、電源電圧■。の変化に従って出力電
圧■。が変化することを利用している。第21図は、温
度係数に1の小さい抵抗R1と定電流Ibを組み合わせ
たものであり、電源電圧VDtlの変動がそのまま出力
電圧■。の変化として現われることを利用している。Figure 18 shows the power supply voltage ■ due to resistances R+ and Rz with different temperature coefficients Kr. This is an example in which the voltage is divided, and it takes advantage of the fact that when the temperature changes, a difference occurs in the resistance changes of R+ and Rz. Figure 19 shows a case in which a constant power supply ■ is applied to a resistor R8 with a large temperature coefficient KT, and the resistance R
It utilizes the fact that the value of 1 changes and the output voltage v0 changes. Figure 20 shows the resistances R4 and R with the same temperature coefficient of 7.
5 is the power supply voltage V. . In this case, it is not affected by temperature and the power supply voltage ■. ■ Output voltage according to changes in. It takes advantage of the fact that changes in FIG. 21 shows a combination of a resistor R1 with a small temperature coefficient of 1 and a constant current Ib, and the fluctuation of the power supply voltage VDtl directly changes to the output voltage (2). It takes advantage of the fact that it appears as a change in
本発明によれば、回路素子の温度若しくは電源変動に対
する依存性を、予めデータとして記憶しているので、使
用中の環境変化に応じて該記憶データを取り出してこれ
を表示若しくは補正データとして活用することができる
。According to the present invention, since the dependence of circuit elements on temperature or power supply fluctuations is stored in advance as data, the stored data can be retrieved according to environmental changes during use and used as display or correction data. be able to.
第1〜10図は本発明の第1実施例を示す図であり、
第1図はその全体構成図、
第2図はそのセンサ部の回路図、
第3図はそのセンサ部の他の例を示す回路図、第4図は
そのセンサ部の温度依存性を示す特性図、
第5図はその補間回路を具体的に示す図、第6図はその
書き込みプログラムのフローチャート、
第7.8図はその記憶部内のテーブルを示す図、第9図
はその読み出しプログラムのフローチャート、
第10図はその補間動作を説明するための図である。
第11〜15図は本発明の第2実施例を示す図であり、
第11図はその構成図、
第12図は第11図におけるデータの書き込みを説明す
る図、
第13図は第11図における記憶部内のテーブルを示す
図、
第14図は第11図における補間データの書き込みを説
明する図、
第15図は第11図における補間データが書き込まれた
記憶部のテーブルを示す図である。
第16図は本発明の第3実施例を示すその構成図である
。
第17〜21図は本発明の第4実施例を示す図であり、
第17図はその構成図、
第18.19図はそのセンサ部をそれぞれ示す回路図、
第20.21図はその電源電圧センサをそれぞれ示す回
路図である。
2・・・・・・センサ部、
4・・・・・・記憶部、
6・・・・・・補間回路(出力手段)。1 to 10 are diagrams showing a first embodiment of the present invention, FIG. 1 is an overall configuration diagram thereof, FIG. 2 is a circuit diagram of the sensor section, and FIG. 3 is another example of the sensor section. Fig. 4 is a characteristic diagram showing the temperature dependence of the sensor section, Fig. 5 is a diagram specifically showing the interpolation circuit, Fig. 6 is a flowchart of the writing program, Fig. 7.8 9 is a flowchart of the reading program, and FIG. 10 is a diagram for explaining the interpolation operation. 11 to 15 are diagrams showing a second embodiment of the present invention, FIG. 11 is a configuration diagram thereof, FIG. 12 is a diagram explaining writing of data in FIG. 11, and FIG. FIG. 14 is a diagram illustrating writing of the interpolation data in FIG. 11, and FIG. 15 is a diagram showing a table in the storage section in which the interpolation data in FIG. 11 is written. FIG. 16 is a block diagram showing a third embodiment of the present invention. Figures 17 to 21 are diagrams showing the fourth embodiment of the present invention, Figure 17 is its configuration diagram, Figures 18 and 19 are circuit diagrams showing its sensor section, and Figures 20 and 21 are its power supply. FIG. 3 is a circuit diagram showing each voltage sensor. 2...Sensor unit, 4...Storage unit, 6...Interpolation circuit (output means).
Claims (1)
該環境条件の既知データと関連づけて記憶する記憶部と
、 未知の環境条件下で得られたセンサ部からの信号値に基
づいて記憶部内のデータを検索し、関連する既知データ
を出力する出力手段と、 を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。[Claims] A sensor section that outputs a signal according to changes in the surrounding environment, and a signal value from the sensor section obtained under known environmental conditions,
a storage unit that stores the data in association with known data of the environmental condition; and an output unit that searches the data in the storage unit based on the signal value from the sensor unit obtained under the unknown environmental condition and outputs the related known data. A semiconductor integrated circuit device comprising: and.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5900688A JPH01232756A (en) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5900688A JPH01232756A (en) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01232756A true JPH01232756A (en) | 1989-09-18 |
Family
ID=13100767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5900688A Pending JPH01232756A (en) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | Semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01232756A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08204610A (en) * | 1994-10-13 | 1996-08-09 | Bio Medic Data Syst Inc | System of monitoring reprogrammable and transplantable transponder and calibration thereof |
WO2000026965A1 (en) * | 1998-10-30 | 2000-05-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and ic card |
-
1988
- 1988-03-11 JP JP5900688A patent/JPH01232756A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08204610A (en) * | 1994-10-13 | 1996-08-09 | Bio Medic Data Syst Inc | System of monitoring reprogrammable and transplantable transponder and calibration thereof |
WO2000026965A1 (en) * | 1998-10-30 | 2000-05-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and ic card |
US6420883B1 (en) | 1998-10-30 | 2002-07-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and IC card |
US6686750B2 (en) | 1998-10-30 | 2004-02-03 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and IC card |
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