JPH01207603A - Position detecting device - Google Patents
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、例えば露光装置においてレチクルとウェハと
の相対位置を検出する装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a device for detecting the relative position between a reticle and a wafer in, for example, an exposure apparatus.
[従来の技術]
従来、露光装置における位置合せ機構としては種々のも
のが存在している。例えば第2図に示した装置は、まだ
公知となってはいないが、近年提案されている位置合せ
機構を4i17えた露光装置の構成の一例を示すもので
ある。[Prior Art] Conventionally, there are various alignment mechanisms in exposure apparatuses. For example, the apparatus shown in FIG. 2 is an example of the configuration of an exposure apparatus that has a 4i17 positioning mechanism that has been proposed in recent years, although it is not yet publicly known.
図において、エキシマレーザ光のようにパルス発光する
レーザ発振装置1oは、レーザ制御装置12によって強
度、パルス間隔等が制御される。In the figure, a laser oscillation device 1o that emits pulsed light like excimer laser light has its intensity, pulse interval, etc. controlled by a laser control device 12.
該レーザ発振装置10から射出されたレーザビームは、
ミラーシャッタ14によって露光時以外は遮光されてお
り、露光時のみ該ミラーシャiり14が作動して露光を
行えるようになっている。The laser beam emitted from the laser oscillation device 10 is
Light is blocked by a mirror shutter 14 except during exposure, and the mirror shutter 14 operates only during exposure so that exposure can be performed.
次にレーザビームは、凹レンズ16′ELび凸レンズ1
8からなるビームエキスパンダにより適宜径に拡大され
た後、フライアイインチブレターレンズ20を透過する
。そして、ビームスプリッタ22を透過した後、ミラー
24で偏向され、コンデンサーレンズ26を介してレチ
クルR全面を照射する。さらに、レチクルRを透過した
レーザビームは、投影レンズ28を介してウェハW上に
レチクルRのパターン像を投影する。Next, the laser beam passes through the concave lens 16'EL and the convex lens 1.
After being expanded to an appropriate diameter by a beam expander consisting of 8 beams, the beam passes through a fly's eye incretor lens 20. After passing through the beam splitter 22, the beam is deflected by a mirror 24 and illuminates the entire surface of the reticle R via a condenser lens 26. Further, the laser beam that has passed through the reticle R projects a pattern image of the reticle R onto the wafer W via the projection lens 28.
一方、干渉計30はステージ32の単位移動量(例えば
0.02μm)毎に計測用パルス(アップダウンパルス
)を発生し、この81測パルスをアップダウンカウンタ
等で計測し、計測された計測データをステージ制御製蓋
34に送出する。ステージ制御装置34は、該計測デー
タに基づいて、ステージ32の位置を確認しながらステ
ージ駆動装置36に制御信号を送出する。ステージ駆動
装置36は、ステージ制御装置34からの指令に基づい
てステージ32を直角座標上のXY方向にステップ・ア
ンド・リピートで移動させる。On the other hand, the interferometer 30 generates a measurement pulse (up-down pulse) for each unit movement amount (for example, 0.02 μm) of the stage 32, and measures these 81 measurement pulses with an up-down counter or the like, and the measured measurement data is is delivered to the stage control lid 34. Based on the measurement data, the stage control device 34 sends a control signal to the stage drive device 36 while checking the position of the stage 32. The stage drive device 36 moves the stage 32 in the X and Y directions on the rectangular coordinates in a step-and-repeat manner based on commands from the stage control device 34.
上記のようにステージ32を移動させ、ステージ32上
に載皿されたウェハWをステラップ−アンド・リピート
で移動させながら露光を行うことにより、ウェハW上に
レヂクルR上のパターンを配列的に投影露光することが
できる。By moving the stage 32 as described above and performing exposure while moving the wafer W placed on the stage 32 in a step-and-repeat manner, the pattern on the resicle R is projected onto the wafer W in an array. Can be exposed to light.
上記のような構成の装置を用いて露光を行う場合、第1
工程で露光処理されたウェハW上のパターンの同位置に
、第2工程で形成されるべきパターンを正確に重ね合せ
て露光する必要がある。この場合の重ね合わせ精度(ア
ライメント精度)は高度なものが要求され、このために
レチクルRとウェハWとの相対的な位置関係を正確に検
出する必要がある。When performing exposure using the apparatus configured as above, the first
It is necessary to expose the pattern to be formed in the second step while accurately superimposing it on the same position of the pattern on the wafer W that has been exposed in the step. In this case, a high level of overlay accuracy (alignment accuracy) is required, and for this reason, it is necessary to accurately detect the relative positional relationship between the reticle R and the wafer W.
上記位置検出を行う方式としては次のような方式がある
。すなわち、ステージに基準となる二一一り(以下[フ
ィデューシャルマーク」という、)を設け、まずレチク
ルとフィデューシャルマークとの位置関係を計測し、次
にフィデューシャルマークとウェハとの位置関係を計測
し、これらの結果から相対的にレチクルとクエへとの位
置関係を求めるものである。第2図に示した露光装置は
、上記のような方式を採用したものである。The following methods are available as methods for performing the above position detection. In other words, a reference point (hereinafter referred to as "fiducial mark") is provided on the stage, first the positional relationship between the reticle and the fiducial mark is measured, and then the positional relationship between the fiducial mark and the wafer is measured. The positional relationship is measured and the relative positional relationship between the reticle and the square is determined from these results. The exposure apparatus shown in FIG. 2 employs the method described above.
第2図の装置においては、露光光と同一波長の光をステ
ージ下方からステージ上に設けられたフィデューシャル
マークに照射し、フィデューシャルマークを発光させる
構成となっている。The apparatus shown in FIG. 2 is configured to irradiate a fiducial mark provided on the stage with light having the same wavelength as the exposure light from below the stage, causing the fiducial mark to emit light.
次にこの構成について詳述すると、レーザ発振装置lO
から射出されたレーザビームは、ミラーシャッタ14の
反射面によって偏向され、凹レンズ38及び凸レンズ4
0を介して適当なNA(開口数)にされた後に光ファイ
バー42に入射する、光ファイバー42に入射したレー
ザビームは該光ファイバー42を介してステージ32内
に入射する。Next, to explain this configuration in detail, the laser oscillation device lO
The laser beam emitted from the mirror shutter 14 is deflected by the reflective surface of the mirror shutter 14, and then passed through the concave lens 38 and the convex lens 4.
The laser beam incident on the optical fiber 42 is made to have an appropriate NA (numerical aperture) through the optical fiber 42 and enters the stage 32 through the optical fiber 42 .
ステージ32内に入射したレーザビーム1よ、レンズ4
4及びミラー46を介して、ステージ32上面上に設り
られたスリット状のフィデューシャルマークF Mを照
射する。Laser beam 1 incident on stage 32, lens 4
4 and a mirror 46, a slit-shaped fiducial mark FM provided on the upper surface of the stage 32 is irradiated.
フィデューシャルマークFMを透過したレーザビームは
、投影レンズ28を介して、レヂクルR上に設けられた
レチクルマークRMを照明するとともに、フィデューシ
ャルマークFMの投影像をレヂクルR上に結像する。そ
して、レチクルRを透過した光は、コンデンサーレンズ
26及びミラー24を介してビームスプリッタ22に到
達し、ここで偏向されて、投影レンズ28の瞳面と共役
に配置されたディテクター48に入射する。デイデクタ
ー48は受光した光に対応する光電′8号をアライメン
ト制御装置50に送出する。The laser beam that has passed through the fiducial mark FM illuminates the reticle mark RM provided on the reticle R via the projection lens 28, and forms a projected image of the fiducial mark FM on the reticle R. . The light transmitted through the reticle R reaches the beam splitter 22 via the condenser lens 26 and the mirror 24, is deflected here, and enters the detector 48 arranged conjugately with the pupil plane of the projection lens 28. The detector 48 sends a photoelectric signal '8 corresponding to the received light to the alignment control device 50.
上記構成において、第3図(a)に示す如くフィデュー
シャルマークFMの投影像FMaがレチクルR上のレチ
クルマークRMを走査するようにステージ32を13動
させるとともに、干渉計30が出力する計測用パルスに
同期してレーザ発振を行い、このときの光量変化を計測
することによつて第3図(b) に示すような波形が得
られる。フライメント制御装置50は、フィデューシャ
ルマークF−Mの投影像FMaとレチクルマークRMと
がほぼ完全に重なる位置に対応する波形の中心位置XR
から、レチクルRとステージ32との相対位置を算出す
る。この結果に基づき、レチクルRとウェハWとの位置
合せが相対的に行われる。なお、システム制御装匝52
はこれら一連の位置検出装置を制御している。In the above configuration, the stage 32 is moved 13 times so that the projected image FMa of the fiducial mark FM scans the reticle mark RM on the reticle R as shown in FIG. By performing laser oscillation in synchronization with the optical pulse and measuring the change in the amount of light at this time, a waveform as shown in FIG. 3(b) can be obtained. The flyment control device 50 determines the center position XR of the waveform corresponding to the position where the projected image FMa of the fiducial mark FM and the reticle mark RM almost completely overlap.
From this, the relative position between the reticle R and the stage 32 is calculated. Based on this result, the reticle R and wafer W are relatively aligned. In addition, the system control casing 52
controls a series of these position detection devices.
[発明が解決しようとする課題]
上記の如き従来の技術においては、光源から射出される
パルス性の光のパルス毎の光量にバラツキがJ)る場合
には、このバラツキの影九ヲがレチクルマークを走査し
た−ときの光量信号波形に現れ、スムーズな波形を描く
ことが困難であった。[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional technology as described above, when there is variation in the amount of light emitted from the light source for each pulse, the influence of this variation is reflected on the reticle. This appeared in the light quantity signal waveform when scanning the mark, and it was difficult to draw a smooth waveform.
すなわち、第4図(a)に示すようにレーザ発振装誼の
射出するパルス発振毎の光量にバラツキがある場合、レ
チクルマークを走査したときの光量信号波形は、第4図
(b)に示すようにパルス発振のバラツキに応じてバラ
ツキが生じてしまい、位置合せ精度を著しく低下させる
原因となる。That is, if there is variation in the amount of light for each pulse oscillation emitted by the laser oscillation device as shown in FIG. 4(a), the light amount signal waveform when scanning the reticle mark is as shown in FIG. 4(b). As such, variations occur in response to variations in pulse oscillation, causing a significant decrease in alignment accuracy.
従来、このようなレーザ発振のバラツキによる精度の低
下を防止するために、上述の走査を?Jl数回行い、こ
れらの平均をとることによって精度を上げていた。しか
し、上述の走査を複数回行うとそれだけスループットが
低下し、効率が悪くなる。また、パルスレーザとしてエ
キシマレーザ等を使用する場合には、発振回数の増加は
レーザの寿命を短くする(レーザ媒質の劣化)ことにな
るので好ましくない。Conventionally, in order to prevent a decrease in accuracy due to such variations in laser oscillation, the above-mentioned scanning method was used. The accuracy was improved by performing Jl several times and taking the average. However, if the above-mentioned scanning is performed multiple times, the throughput decreases and the efficiency deteriorates accordingly. Further, when an excimer laser or the like is used as a pulse laser, an increase in the number of oscillations is not preferable because it shortens the life of the laser (deterioration of the laser medium).
このように従来の装置はレーザ発振のバラツキに起因す
る問題点があった。本発明は上記問題点に濫みてなされ
たものであり、スループットを低下させたりパルス発振
数を増加させることなく位置合せ精度を向上させた位置
検出装置を提供することを10勺とする。As described above, conventional devices have had problems due to variations in laser oscillation. The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a position detection device that improves alignment accuracy without reducing throughput or increasing the number of pulse oscillations.
[課題を解決するだめの手段]
上記目的を達成するために、本発明に係る位置検出装置
は、位置検出用のマークを有する物体にパルス性の光ビ
ームを照射するビーム照射手段と、該ビーム照射手段か
ら射出された光ビームを受光し、そのパルス毎の光量に
応じた光電信号を出力する第一の光電検出手段と;前記
光ビームが前記マークを横切るように前記物体と光ビー
ムを相対的に走査する走査手段と:該相対走査の位置に
応じた位置情報を出力する位置計測手段と二前記走査に
よって前記マークから生じる光情報を受光し、前記走査
方向の光量変化に応じた光電信号を出力する第二の光電
検出手段と;前記ビーム照射手段から射出された光ビー
ムの所定の光量値と前記第一の光電検出手段の検出した
パルス毎の光量との差から該光ビームのパルス毎のバラ
ツキを算出し、該算出したパルス毎のバラツキに応じて
前記第二の充電検出手段の光電信号値を補正する補正手
段とを備え:該補正後の光電信号値と前記位置情報とに
基づいて前記マークの位置を検出するようにしたもので
ある。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, a position detection device according to the present invention includes a beam irradiation means for irradiating a pulsed light beam onto an object having a mark for position detection, and a a first photoelectric detection means that receives the light beam emitted from the irradiation means and outputs a photoelectric signal according to the amount of light for each pulse; (2) a position measuring means that outputs positional information according to the position of the relative scan; and (2) a photoelectric signal that receives optical information generated from the mark by the scanning and responds to a change in the amount of light in the scanning direction. a second photoelectric detection means that outputs a pulse of the light beam based on the difference between a predetermined light amount value of the light beam emitted from the beam irradiation means and the light amount of each pulse detected by the first photoelectric detection means; and a correction means for correcting the photoelectric signal value of the second charging detection means according to the calculated variation for each pulse; The position of the mark is detected based on the mark.
[作用]
本発明においては、第一の光電検出手段がビーム照射手
段から!llt出された光ビームを受光してパルス毎の
光量に応じた光電信号を出力するとともに、第二の光電
検出手段が前記走査によって前記マークから生じる光情
報を受光して前記走査方向の光量変化に応じた光電信号
を出力し、補正手段は前記第一の光電検出手段の検出し
た各パルスの光量値と予め決定した所定の光量値とを比
較して各パルスの光量値の該所定の光ffi i、Hに
対するバラツキを算出して各パルス毎の補正値を決定し
、前記第二の光電検出手段の光電信号を該補正値により
補正を行い、該補正後の光電信号値による信号波形を求
める。この波形は各パルスが前記所定の光量値である場
合に9!)られる信号波形とほぼ同様の波形となり、前
記パルス毎のバラツキによる毘晋を除去することができ
る。[Function] In the present invention, the first photoelectric detection means is the beam irradiation means! A second photoelectric detection means receives the emitted light beam and outputs a photoelectric signal according to the amount of light for each pulse, and a second photoelectric detection means receives optical information generated from the mark by the scanning and changes the amount of light in the scanning direction. The correction means compares the light amount value of each pulse detected by the first photoelectric detection means with a predetermined light amount value and determines the light amount value of each pulse according to the predetermined light amount value. A correction value for each pulse is determined by calculating the variation with respect to ffi i, H, the photoelectric signal of the second photoelectric detection means is corrected using the correction value, and a signal waveform based on the corrected photoelectric signal value is determined. demand. This waveform is 9! when each pulse has the predetermined light amount value. ), the signal waveform is almost the same as that of the signal waveform, and it is possible to eliminate the distortion caused by the variation among the pulses.
従って、上記補正された波形を用いることにより、パル
ス発振数を増加させることなく、精度よく位置検出を行
うことができる。Therefore, by using the corrected waveform, position detection can be performed with high accuracy without increasing the number of pulse oscillations.
[実施例コ
第1図は本発明の一実施例を示す構成図である。本実施
例は、第2図に示した従来装置の構成において、レーザ
発振装置lOから射出されたレーザビームを受光する受
光部を構成するハーフミラ−100、レンズ102及び
ディテクター104を付加したものである。その他の構
成は従来装置とほぼ同様であり、第2図と同一符号は同
一部分を示している。[Embodiment FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention. In this embodiment, a half mirror 100, a lens 102, and a detector 104, which constitute a light receiving section that receives a laser beam emitted from a laser oscillation device 1O, are added to the configuration of the conventional device shown in FIG. . The rest of the structure is almost the same as the conventional device, and the same reference numerals as in FIG. 2 indicate the same parts.
第1図の構成において、レーザ発振装置10カ)ら射出
されシャッタ14で偏向されたレーザビームは、ハーフ
ミラ−+00で一部の光が反射により分割される。該ハ
ーフミラ−100で反射したレーザビームはレンズ10
2を介してディテクター104に入射する。ディテクタ
ー104は受光した光量に対応した光電信号をアライメ
ント制御装置50に送出する。In the configuration shown in FIG. 1, a laser beam emitted from a laser oscillation device 10) and deflected by a shutter 14 is partially split by reflection by a half mirror +00. The laser beam reflected by the half mirror 100 passes through the lens 10.
2 to the detector 104. The detector 104 sends a photoelectric signal corresponding to the amount of light received to the alignment control device 50.
前述のように、レーザ発振装置10から射出されたレー
ザビームの各パルス毎の光量には通常バラツキがあるの
で、ディテクター104の検出した光量は第4図(a)
に示したようになり、ディテクター48の光量信号波形
は第4図(b)に示したようになる。As mentioned above, since there is usually variation in the amount of light for each pulse of the laser beam emitted from the laser oscillation device 10, the amount of light detected by the detector 104 is as shown in FIG. 4(a).
The light amount signal waveform of the detector 48 becomes as shown in FIG. 4(b).
上述のパルス毎の光量のバラツキは、ある一定値を中心
として生じるので、この一定値からのズレをそれぞれの
パルスについて求め、この結果に基づいて前記ディテク
ター48の光量信号波形を補正することにより、パルス
の光量のバラツキによる影響を取り除くことかできる。The above-mentioned variation in the amount of light for each pulse occurs around a certain constant value, so by finding the deviation from this constant value for each pulse and correcting the light amount signal waveform of the detector 48 based on this result, The influence of variations in the amount of pulsed light can be removed.
次に、この補正の方法について説明すると、まず、パル
スのバラツキの基準となる一定値を決定する。この一定
値は、パルス発振を行う際の当初の設定値でもよいが、
一般的には位置検出に先立って所定数のレーザ発振を行
い、このときの各パルスの光量の平均値をとり、この値
を基準値SEとする。Next, the method of this correction will be explained. First, a constant value that serves as a reference for pulse dispersion is determined. This constant value may be the initial setting value when performing pulse oscillation, but
Generally, prior to position detection, a predetermined number of laser oscillations are performed, and the average value of the light intensity of each pulse at this time is taken, and this value is set as the reference value SE.
例えは、第4図(a)に示したようにN回のパルス発振
を行った場合において、n回目のパルスの光量なEnと
すると、上述の如く予め決定した基準値SEに対する比
はE。/SEとなる。一方、第4図(b)に示した光量
信号波形におけるn回目のパルスに対応する光量をP。For example, when pulse oscillation is performed N times as shown in FIG. 4(a), if the light intensity of the n-th pulse is En, the ratio to the reference value SE determined in advance as described above is E. /SE becomes. On the other hand, the light amount corresponding to the n-th pulse in the light amount signal waveform shown in FIG. 4(b) is P.
とすると、Poは前記パルスのバラツキに比例したバラ
ツキを示す。すなわち、光量P。は、出力レーザパルス
の光量か前記基準値SEである場合における値に対して
E。/SE倍だけ大きい値となる。これから、En/S
Eの逆数SE/EoをP。に乗ずれば、出力パルスレー
ザの光量が基準値SEである場合に対応する光量値に補
正される。Then, Po shows a variation proportional to the variation in the pulse. That is, the amount of light P. is E with respect to the value when the light intensity of the output laser pulse is the reference value SE. /SE times the value. From now on, En/S
P the reciprocal SE/Eo of E. By multiplying by , it is corrected to a light amount value corresponding to the case where the light amount of the output pulse laser is the reference value SE.
従って、p、、P2 、 ・、Pn、・・・、PNにそ
れぞれ(S E/E l ) 、 (S E/E2
’) 、・・・。Therefore, (S E/E l ) and (S E/E2
'),...
(S E/En )、 ・、(S E/EN)を乗する
ことにより得られるそれぞれの値(P、・SE/E1)
、(P2 ・SE/E2)、・・・、(Po ・SE/
Eo)、−、(PN−、SE/EN)から光量信号波形
を求めれば、この波形は第4図(b)の破線で示した如
くとなり、出力パルスレーザの光量か基準値SEで一定
の場合に対応する波形に相当する波形が得られる。この
波形を用いれば、出力パルスレーザのパルス毎の光量の
バラツキによる影響を除去することがてき、位置検出精
度が向上することになる。(SE/En), ・, each value obtained by multiplying (SE/EN) (P, ・SE/E1)
, (P2 ・SE/E2), ..., (Po ・SE/
If the light intensity signal waveform is obtained from Eo), -, (PN-, SE/EN), this waveform will be as shown by the broken line in Fig. 4(b), and the light intensity of the output pulse laser is constant at the reference value SE. A waveform corresponding to the waveform corresponding to the case is obtained. By using this waveform, it is possible to eliminate the influence of variations in the amount of light from pulse to pulse of the output pulsed laser, resulting in improved position detection accuracy.
なお、本実施例においては、ステージ上に設けた発光ス
リットからレチクルを照明する方式を用いたが、何等こ
れに限定されず、パルスの発振を被観察物に対する相対
移動に同期させる装置であれは、あらゆる装置に適用し
得るものである。従って、レチクルの上方からアライメ
ント用のパルス光を照明するものであってもよく、ある
いはウェハ上のアライメントマークをパルス光照明で観
察する場合であってもよいことはいうまでもない。In this example, a method was used in which the reticle was illuminated from a light emitting slit provided on the stage, but the method is not limited to this, and any device that synchronizes pulse oscillation with relative movement to the object to be observed may be used. , which can be applied to any device. Therefore, it goes without saying that pulsed light for alignment may be illuminated from above the reticle, or alignment marks on the wafer may be observed using pulsed light illumination.
[発明の効果]
本発明は以上説明したように、光源から射出されたパル
ス性の光の光量にバラツキかある場合でも、このバラ゛
ンキによる景三唇を受けることなく才青度よく位置検出
を行うことができ、スループットの向上及びエキシマレ
ーザ等のレーザの寿命を延ばすことが可能となるという
効果がある。[Effects of the Invention] As explained above, even when there is variation in the amount of pulsed light emitted from the light source, the present invention can efficiently detect the position without being affected by the variation. This has the effect of improving throughput and extending the life of a laser such as an excimer laser.
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図は従来
の装置の一例を示す構成図、第3図(a)はフィデュー
シャルマークのtit !2像がレチクルマークを走査
する様子を示す説明図、第3図(b)は走査によって得
られる光量信号波形図、第4図(a)は出力レーザパル
スのパルス毎の光量分布図、第4図(b)は(a)の出
力レーザパルスによる走査を行って得られる光量信号波
形図である。
[主要部分の符号の説明]
10・・・レーザ発振装置
12・・・レーザ制御装置
14・・・シャッタ
30・・・干渉計
32・・・ステージ
34・・・ステージ制御装置
36・・・ステージ駆動装置
42・・・光ファイバー
48.104・・・ディテクター
50・・・アライメント制御装置
52・・・シスデム制御装置
R・・・レチクル
RM・・・レチクルマーク
W・・・ウェハ。
代理人 弁理士 佐 藤 正 年
第1図
、3′4
第2図
尤型Fig. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a block diagram showing an example of a conventional device, and Fig. 3 (a) shows a fiducial mark tit! An explanatory diagram showing how the two images scan the reticle mark, FIG. 3(b) is a waveform diagram of the light amount signal obtained by scanning, FIG. 4(a) is a diagram of the light amount distribution for each output laser pulse, and FIG. Figure (b) is a light quantity signal waveform diagram obtained by scanning with the output laser pulse of (a). [Description of symbols of main parts] 10... Laser oscillation device 12... Laser control device 14... Shutter 30... Interferometer 32... Stage 34... Stage control device 36... Stage Drive device 42...Optical fiber 48.104...Detector 50...Alignment control device 52...System control device R...Reticle RM...Reticle mark W...Wafer. Agent Patent Attorney Tadashi Sato Figure 1, 3'4 Figure 2 variant
Claims (1)
ムを照射するビーム照射手段と;該ビーム照射手段から
射出された光ビームを受光し、そのパルス毎の光量に応
じた光電信号を出力する第一の光電検出手段と;前記光
ビームが前記マークを横切るように前記物体と光ビーム
を相対的に走査する走査手段と;該相対走査の位置に応
じた位置情報を出力する位置計測手段と;前記走査によ
って前記マークから生じる光情報を受光し、前記走査方
向の光量変化に応じた光電信号を出力する第二の光電検
出手段と;前記ビーム照射手段から射出された光ビーム
の所定の光量値と前記第一の光電検出手段の検出したパ
ルス毎の光量との比較により該光ビームのパルス毎のバ
ラツキを算出し、該算出したパルス毎のバラツキに応じ
て前記第二の光電検出手段の光電信号値を補正する補正
手段とを有し;該補正後の光電信号値と前記位置情報と
に基づいて前記マークの位置を検出することを特徴とす
る位置検出装置。a beam irradiation means for irradiating a pulsed light beam onto an object having a mark for position detection; one photoelectric detection means; a scanning means for relatively scanning the object and the light beam so that the light beam crosses the mark; a position measuring means for outputting position information according to the position of the relative scan; a second photoelectric detection means that receives optical information generated from the mark by the scanning and outputs a photoelectric signal according to a change in the light amount in the scanning direction; a predetermined light amount value of the light beam emitted from the beam irradiation means; The pulse-by-pulse variation of the light beam is calculated by comparing the amount of light for each pulse detected by the first photoelectric detection means, and the photoelectric power of the second photoelectric detection means is calculated according to the calculated pulse-by-pulse variation. A position detection device comprising: a correction means for correcting a signal value; and detecting the position of the mark based on the corrected photoelectric signal value and the position information.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63030974A JPH01207603A (en) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | Position detecting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63030974A JPH01207603A (en) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | Position detecting device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01207603A true JPH01207603A (en) | 1989-08-21 |
Family
ID=12318635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63030974A Pending JPH01207603A (en) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | Position detecting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01207603A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002134400A (en) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Canon Inc | Image-processing unit, mark-measuring device and apparatus for manufacturing semiconductor |
-
1988
- 1988-02-15 JP JP63030974A patent/JPH01207603A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002134400A (en) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Canon Inc | Image-processing unit, mark-measuring device and apparatus for manufacturing semiconductor |
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