JPH01187506A - 光ファイバ - Google Patents
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- JPH01187506A JPH01187506A JP63010905A JP1090588A JPH01187506A JP H01187506 A JPH01187506 A JP H01187506A JP 63010905 A JP63010905 A JP 63010905A JP 1090588 A JP1090588 A JP 1090588A JP H01187506 A JPH01187506 A JP H01187506A
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Landscapes
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ファイバに関するもので、詳しくは光が伝送
する１、５μｍ 帯での損失が長時間にわたｐ低く、信
頼性のある元ファイバであって、長距離かつ大伝送容量
の光伝送路として有望なものである。
する１、５μｍ 帯での損失が長時間にわたｐ低く、信
頼性のある元ファイバであって、長距離かつ大伝送容量
の光伝送路として有望なものである。
石英系光ファイバにおいて、その最低損失波長領域であ
る１、５μｍ 帯に零分散波長をシフトさせた分散シフ
トファイバは、長距離かつ大伝送容Ｉの光通信伝送路と
して実用化が進んでいる。例えば特開昭６０−１７４０
５号公報には、Ｇｅｍ２を添加した石英（Ｓ １０２
）ガラスからなるコアと、純粋石英（Ｓ ＩＯ２）
からなるクランドを有し、台形状の屈折率分布を有する
１、５μｍ 帯零分散シングルモードファイバが提案さ
れている。
る１、５μｍ 帯に零分散波長をシフトさせた分散シフ
トファイバは、長距離かつ大伝送容Ｉの光通信伝送路と
して実用化が進んでいる。例えば特開昭６０−１７４０
５号公報には、Ｇｅｍ２を添加した石英（Ｓ １０２
）ガラスからなるコアと、純粋石英（Ｓ ＩＯ２）
からなるクランドを有し、台形状の屈折率分布を有する
１、５μｍ 帯零分散シングルモードファイバが提案さ
れている。
ところで１．５μｍ 帯に零分散波長を７フトさせるた
めにはコアとクランドの比屈折率差として０．７〜１．
０％が必要であるが、前記のＧｅＯ２を添加して屈折率
差をつけたファイバは、Ｇｅｏ２添加量が多く、これに
伴いガラスのレイリー散乱が大きくなシ、伝送損失が増
加する、あるいはＧｅＯ２→Ｇｏｏ の還元に基くと
考えられる紫外域での電子遷移吸収が増力口し、この影
響で１．５μｍ 帯での伝送損失が高くなる、という問
題があった。
めにはコアとクランドの比屈折率差として０．７〜１．
０％が必要であるが、前記のＧｅＯ２を添加して屈折率
差をつけたファイバは、Ｇｅｏ２添加量が多く、これに
伴いガラスのレイリー散乱が大きくなシ、伝送損失が増
加する、あるいはＧｅＯ２→Ｇｏｏ の還元に基くと
考えられる紫外域での電子遷移吸収が増力口し、この影
響で１．５μｍ 帯での伝送損失が高くなる、という問
題があった。
そこで、１．５５μｍ で伝送損失が最低である純粋石
英をコアとし、屈折率を低下きせる成分であるフッ素Ｉ
Ｆ＋ ’に添加した石英（Ｆ−ＳＩＯ２と略す）をクラ
ッドとして、比屈折率差を０．７〜１．０％としたファ
イバ構造が、低損失な１．５μｍ帯零分散ファイバとし
て検討されてｂる（例えば％開昭６１−１６７９０６号
公報）。この構造のファイバは純粋石英が前記のように
１．５５μで伝送損失が最低であシ、しかも耐放射＃特
性、耐水素特性、初期伝送損失等に優れる点で有利なも
ので・ちる。
英をコアとし、屈折率を低下きせる成分であるフッ素Ｉ
Ｆ＋ ’に添加した石英（Ｆ−ＳＩＯ２と略す）をクラ
ッドとして、比屈折率差を０．７〜１．０％としたファ
イバ構造が、低損失な１．５μｍ帯零分散ファイバとし
て検討されてｂる（例えば％開昭６１−１６７９０６号
公報）。この構造のファイバは純粋石英が前記のように
１．５５μで伝送損失が最低であシ、しかも耐放射＃特
性、耐水素特性、初期伝送損失等に優れる点で有利なも
ので・ちる。
ところで、上記の純粋石英コアとＦ−５１０２クランド
からなる１、５μｍ 光用ファイバにおいては、ファイ
バの初期特性として０．６６μｍ 帯に吸収を生じるが
、該ファイバを水素（Ｈ２）雰囲気中に保持すると、こ
の吸収は次第に減少し、かわって１．５２μｍｌｃ新な
吸収が生じ、これによ！１７１５μｍ 帯での伝送損失
が増力Ｃすることが判ってきた。この事実は、該ファイ
バの耐水素特性に問題があることを示し、長期使用時の
信頼性を保証するには、この問題の解決が必須である。
からなる１、５μｍ 光用ファイバにおいては、ファイ
バの初期特性として０．６６μｍ 帯に吸収を生じるが
、該ファイバを水素（Ｈ２）雰囲気中に保持すると、こ
の吸収は次第に減少し、かわって１．５２μｍｌｃ新な
吸収が生じ、これによ！１７１５μｍ 帯での伝送損失
が増力Ｃすることが判ってきた。この事実は、該ファイ
バの耐水素特性に問題があることを示し、長期使用時の
信頼性を保証するには、この問題の解決が必須である。
したがって本発明は上記の問題を解決し、光を伝送する
１、５μｍ 帯における損失が長期間にわたシ低い１．
５μｍ 分散分散光ファイバ′ｆｒ提供することを目的
とする。
１、５μｍ 帯における損失が長期間にわたシ低い１．
５μｍ 分散分散光ファイバ′ｆｒ提供することを目的
とする。
本発明はコアが純粋石英からなシフラッドがフッ素２２
．５重量％以上５重量％未満含有する石英からなる１、
５μ［光用光ファイバにおいて、該コア及び該クラッド
中にＯＨ基を実質的に含有せず、かつ該コア中にＯＤ
基ｆ ［１，２ｐｐｍ以上０．５ ｐｐｍ未満含有する
ことを特徴とする元ファイバである。
．５重量％以上５重量％未満含有する石英からなる１、
５μ［光用光ファイバにおいて、該コア及び該クラッド
中にＯＨ基を実質的に含有せず、かつ該コア中にＯＤ
基ｆ ［１，２ｐｐｍ以上０．５ ｐｐｍ未満含有する
ことを特徴とする元ファイバである。
本発明のファイバのＯＤ 基ｉ ０．２ ｐｐｍ以上
以上５ ｐｐｍ未満含有し、ＯＨ基を実質的に含有しな
いコア部分は例えば次のようにして作渠できる。ＶＡＤ
法（気相軸付法）等の火災加水分解反応によ力作製した
純粋石英からなる多孔質ガラス母材を温度８００Ｃ〜１
０００Ｃの加熱炉中に保持しておき、ここにＤ２０の蒸
気を送シ込む。この過程で多孔質ガラス母材中に存在し
ていた大部分のＨ２ＯはＤ２０に置換される。次いで該
多孔質ガラス母材を脱水性ガス例えば塩素ガス（Ｃ／２
）等で処理して脱水し、Ｄ２０（又はＤＯ基）の量を０
．２ ｐｐｍ以上０．５ ｐｐｍ未満の範囲内となるよ
うに減少させる。なおＯＤ ｔ’を調節するために、脱
水時に微量のＤ２０を添加した脱水性ガスを用いること
も好ましい。この後該多孔質ガラス母材を加熱透明化し
てコア用ガラスロンドとする。該コア用ガラスロンドと
、別途作製しておいたフッ素ｉ ２．５ Ｎ量％以上５
重量％未満含有するＦ−８ｉＯ２ガラスからなるクラッ
ド用パイプとを加熱によシ溶着一体化して、元ファイバ
用母材を得て、該母材を紡糸することによｐ本発明のフ
ァイバが製造できる。なお、クラッド用のＦ−８１０２
ガラスパイプも、例えばＶＡＤ法等により作製した純粋
石英からなる多孔質ガラス体ｆａｔ２ガス等で充分脱水
し、この脱水と同時又は脱水の後にフッ素添加、透明化
処理をして実質的にＯＨ基を含まないＦ−８１０２ガラ
ス体を得て、これに穴明は刀ロエを施してパイプ状とす
る、等の手段で用意できる。ただし、以上はあくまで例
示であって、本発明のファイバ構造が実現できる手段は
、これに限定されるものではない。
以上５ ｐｐｍ未満含有し、ＯＨ基を実質的に含有しな
いコア部分は例えば次のようにして作渠できる。ＶＡＤ
法（気相軸付法）等の火災加水分解反応によ力作製した
純粋石英からなる多孔質ガラス母材を温度８００Ｃ〜１
０００Ｃの加熱炉中に保持しておき、ここにＤ２０の蒸
気を送シ込む。この過程で多孔質ガラス母材中に存在し
ていた大部分のＨ２ＯはＤ２０に置換される。次いで該
多孔質ガラス母材を脱水性ガス例えば塩素ガス（Ｃ／２
）等で処理して脱水し、Ｄ２０（又はＤＯ基）の量を０
．２ ｐｐｍ以上０．５ ｐｐｍ未満の範囲内となるよ
うに減少させる。なおＯＤ ｔ’を調節するために、脱
水時に微量のＤ２０を添加した脱水性ガスを用いること
も好ましい。この後該多孔質ガラス母材を加熱透明化し
てコア用ガラスロンドとする。該コア用ガラスロンドと
、別途作製しておいたフッ素ｉ ２．５ Ｎ量％以上５
重量％未満含有するＦ−８ｉＯ２ガラスからなるクラッ
ド用パイプとを加熱によシ溶着一体化して、元ファイバ
用母材を得て、該母材を紡糸することによｐ本発明のフ
ァイバが製造できる。なお、クラッド用のＦ−８１０２
ガラスパイプも、例えばＶＡＤ法等により作製した純粋
石英からなる多孔質ガラス体ｆａｔ２ガス等で充分脱水
し、この脱水と同時又は脱水の後にフッ素添加、透明化
処理をして実質的にＯＨ基を含まないＦ−８１０２ガラ
ス体を得て、これに穴明は刀ロエを施してパイプ状とす
る、等の手段で用意できる。ただし、以上はあくまで例
示であって、本発明のファイバ構造が実現できる手段は
、これに限定されるものではない。
純粋石英コア／Ｆ−８工０２ クラッドのファイバ構
造で、１．５μ！ａ 帯で零分散とするには、コアとク
ランドの比屈折率差１△ｎ１ は０．６５〜１．５％
ヲ要し、これはクランドのフッ素添加量として２．５重
量Ｘ以上５重量Ｘに相当する。この点から本発明ファイ
バのクランド部のフッ素含有量範囲が限定されているの
である。
造で、１．５μ！ａ 帯で零分散とするには、コアとク
ランドの比屈折率差１△ｎ１ は０．６５〜１．５％
ヲ要し、これはクランドのフッ素添加量として２．５重
量Ｘ以上５重量Ｘに相当する。この点から本発明ファイ
バのクランド部のフッ素含有量範囲が限定されているの
である。
そして、この純粋石英コア／ Ｆ−５１０２クラッド型
の１．５μｍ 光用ファイバの０．６３μｍ における
吸収は、ガラス内の欠陥によると考えられる。この欠陥
は、線引母材からファイバに線引する工程で、純粋石英
コアは２．５〜５ Ｎｆ５Ｘという多量のフッ素金含む
クランドガラスよ多活性が高いため、線引時の張力は殆
んど全てコアにかかつてしまい、コアのガラス内のネッ
トワと推定されている。また生じた欠陥ｉ０Ｈ基が埋め
て−Ｓｉ −０−Ｈとなるため、０．６３μｍの吸収が
１．５μｍ 帯近くでの吸収に変わってゆき伝送損失を
増加してゆくと考えられる。
の１．５μｍ 光用ファイバの０．６３μｍ における
吸収は、ガラス内の欠陥によると考えられる。この欠陥
は、線引母材からファイバに線引する工程で、純粋石英
コアは２．５〜５ Ｎｆ５Ｘという多量のフッ素金含む
クランドガラスよ多活性が高いため、線引時の張力は殆
んど全てコアにかかつてしまい、コアのガラス内のネッ
トワと推定されている。また生じた欠陥ｉ０Ｈ基が埋め
て−Ｓｉ −０−Ｈとなるため、０．６３μｍの吸収が
１．５μｍ 帯近くでの吸収に変わってゆき伝送損失を
増加してゆくと考えられる。
本発明のファイバは、実質的にＯＨ基がなく、コア中に
はＯＤ基？ ０．２ ｐｐｍ以上０．５ ｐｐｍ未満含
有することにより、コア中に発生した欠陥は０Ｄ基によ
シ埋められて、−８１−０−Ｄとなるが、これにより生
じる一〇−Ｄ基は光の伝送波長に近い１．５２μｍ 付
近では吸収ピークがないので、伝送損失の増加にはつな
がらなくてもすむのである。コア中のＯＤ基量が０．２
ｐｐｍ未満では０．６６μｍ における吸収（欠陥）を
埋めつくすことができず、０．５ ｐｐｍ以上では過剰
である。
はＯＤ基？ ０．２ ｐｐｍ以上０．５ ｐｐｍ未満含
有することにより、コア中に発生した欠陥は０Ｄ基によ
シ埋められて、−８１−０−Ｄとなるが、これにより生
じる一〇−Ｄ基は光の伝送波長に近い１．５２μｍ 付
近では吸収ピークがないので、伝送損失の増加にはつな
がらなくてもすむのである。コア中のＯＤ基量が０．２
ｐｐｍ未満では０．６６μｍ における吸収（欠陥）を
埋めつくすことができず、０．５ ｐｐｍ以上では過剰
である。
以上のようなコア・クラッド間の粘性差は、コアとクラ
ンドの比屈折率差１△ｎ１が、たかだか０．３〜０．３
５％である１、３μｍ 分用のファイバにおいては殆ん
ど問題にならないので、線引時の張力集中やこれによる
コア内のガラスネットワーク切断による欠陥発生につい
ては考えなくでもよい。しかし、本発明のようにＯＨ基
をＯＤ 基に置換することにより欠陥を埋める目的であ
れば、勿論クラッドのフッ素量がよ）低い又はより高い
ファイバにも本発ＥＡｔ−利用することはできる。
ンドの比屈折率差１△ｎ１が、たかだか０．３〜０．３
５％である１、３μｍ 分用のファイバにおいては殆ん
ど問題にならないので、線引時の張力集中やこれによる
コア内のガラスネットワーク切断による欠陥発生につい
ては考えなくでもよい。しかし、本発明のようにＯＨ基
をＯＤ 基に置換することにより欠陥を埋める目的であ
れば、勿論クラッドのフッ素量がよ）低い又はより高い
ファイバにも本発ＥＡｔ−利用することはできる。
実施例１
”／ＡＤ法（気相軸付法）により、外径１５０闘φ、長
さ６０００の純粋５１０２ からなる多孔質ガラス母
材全作製した。該多孔質ガラス母材を加熱炉中に保持し
、まず炉温を１ｏｏｏＣとし、Ｈａｌｏ−＃／分をキャ
リヤガスとしてＤ２０をバブリングして炉内に導入し、
この状態を３０分間保持した。次いで炉温’１１２００
Ｃに昇温してＨｅ１０Ａ／分、 ０ｆ２３００ ＣＣ／
分、Ｄ２０１０ＣＣ／分からなる雰囲気として脱水した
後、この雰囲気のまま炉温′ｔ−１６００ｃに昇温して
透明化し、外径６０隨φ、長さ３５０ｃＷＬの透明ガラ
ス体を得た。この透明ガラス体を電気炉を使って外径５
ｗｌφに延伸してコア用ロンドとし、別途作製しておい
たフッ素ヲ３．０重量％含有する石英ガラスからなるク
ラッド用パイプの中空部に該コア用ロンドを挿入し、加
熱により両者金一体化して元ファイバ用プリフォームを
作製した。該プリフォームを紡糸して本発明のファイバ
金得た。このファイバの伝送損失を測定したところ、第
１図に実線イで示すスペクトルが得られ、このスペクト
ルハ０．６３μｍｌｃは吸収ピークがなく、Ｌ６８ μ
ｍ Ｋ ００基約０．６ｐｐｍに相当するピークが見ら
れた。
さ６０００の純粋５１０２ からなる多孔質ガラス母
材全作製した。該多孔質ガラス母材を加熱炉中に保持し
、まず炉温を１ｏｏｏＣとし、Ｈａｌｏ−＃／分をキャ
リヤガスとしてＤ２０をバブリングして炉内に導入し、
この状態を３０分間保持した。次いで炉温’１１２００
Ｃに昇温してＨｅ１０Ａ／分、 ０ｆ２３００ ＣＣ／
分、Ｄ２０１０ＣＣ／分からなる雰囲気として脱水した
後、この雰囲気のまま炉温′ｔ−１６００ｃに昇温して
透明化し、外径６０隨φ、長さ３５０ｃＷＬの透明ガラ
ス体を得た。この透明ガラス体を電気炉を使って外径５
ｗｌφに延伸してコア用ロンドとし、別途作製しておい
たフッ素ヲ３．０重量％含有する石英ガラスからなるク
ラッド用パイプの中空部に該コア用ロンドを挿入し、加
熱により両者金一体化して元ファイバ用プリフォームを
作製した。該プリフォームを紡糸して本発明のファイバ
金得た。このファイバの伝送損失を測定したところ、第
１図に実線イで示すスペクトルが得られ、このスペクト
ルハ０．６３μｍｌｃは吸収ピークがなく、Ｌ６８ μ
ｍ Ｋ ００基約０．６ｐｐｍに相当するピークが見ら
れた。
更にこの本発明ファイバの長期信頼性を確認する目的で
、Ｈｅ １００％で１００Ｃの雰囲気中に該ファイバ全
２０時間保持した後、伝送損失スペクトルを測定した。
、Ｈｅ １００％で１００Ｃの雰囲気中に該ファイバ全
２０時間保持した後、伝送損失スペクトルを測定した。
その結果は第１図に破線口で示すとおりであって、伝送
損失の増加は溶解したＨ２０分子に起因するもののみで
ちゃ、ガラスとＨ２が反応した様子は見られなかった。
損失の増加は溶解したＨ２０分子に起因するもののみで
ちゃ、ガラスとＨ２が反応した様子は見られなかった。
この事実は、本発明ファイバに長期信頼性があることを
意味する。
意味する。
比較例１
実施例１と同様に作製した同サイズの８１０２からなる
多孔質母材を加熱炉中に保持して、炉温を１２００７１
１：にしてＨｅ １ｏ−ｇ／分、ＣＩ！２３００ｃｃ
／分の雰囲気で脱水し、そのまま透明化して外径６０龍
φ、長ｄ３５０ｖｒＲの透明ガラス体を得た。該透明ガ
ラス体を電気炉で外径５酊φに延伸【２てコア用ロンド
とし、以下実施例１と同様にフッ素ヲ３．０重量％含む
石英からなるクラッドパイプとロンドインチューブ法に
よシ一体化してプリフォームとし、これを紡糸して元フ
ァイバ（比較品）を得た。このファイバの伝送損失を測
定したところ、第２図に実線ハで示すスペクトルであり
、０．６３μロ に約５０ｄＢ ／ Ｋｍの吸収ピーク
が出現していた。ざらにこのファイバの長期信頼性を調
べるため実施例１と同様にＨ２１００％で１００Ｃの雰
囲気中に２０時間保持した後の伝送損失スペクトルは、
第２図に破線二で示すとおりで、１．３８μｍ 及び１
．５６μｍにＯＨ基に起因する吸収が見られた。
多孔質母材を加熱炉中に保持して、炉温を１２００７１
１：にしてＨｅ １ｏ−ｇ／分、ＣＩ！２３００ｃｃ
／分の雰囲気で脱水し、そのまま透明化して外径６０龍
φ、長ｄ３５０ｖｒＲの透明ガラス体を得た。該透明ガ
ラス体を電気炉で外径５酊φに延伸【２てコア用ロンド
とし、以下実施例１と同様にフッ素ヲ３．０重量％含む
石英からなるクラッドパイプとロンドインチューブ法に
よシ一体化してプリフォームとし、これを紡糸して元フ
ァイバ（比較品）を得た。このファイバの伝送損失を測
定したところ、第２図に実線ハで示すスペクトルであり
、０．６３μロ に約５０ｄＢ ／ Ｋｍの吸収ピーク
が出現していた。ざらにこのファイバの長期信頼性を調
べるため実施例１と同様にＨ２１００％で１００Ｃの雰
囲気中に２０時間保持した後の伝送損失スペクトルは、
第２図に破線二で示すとおりで、１．３８μｍ 及び１
．５６μｍにＯＨ基に起因する吸収が見られた。
これは該比較品ファイバに長期信頼性がないことを示す
。
。
以上の実施例１と比較例１の結果、％に第１図と第２図
の伝送損失特性を示すスペクトルを比較すると、本発明
ファイバが非常に低損失で、耐水素特性、長期信頼性に
優れることが明らかである。
の伝送損失特性を示すスペクトルを比較すると、本発明
ファイバが非常に低損失で、耐水素特性、長期信頼性に
優れることが明らかである。
本発明は純石英コアとＦ−８１０２クラッドからなる１
、５μｍ 分散分散ファイバにおりて、その製造時の線
引工程等で発生した欠陥ヲＯＤ 基で埋めたものであ
るため、１．５μｍ 帯での損失が長期間にわたり低く
、高品質で耐水素特性が向上し耐放射能特性も優れた高
信頼性ファイバである。
、５μｍ 分散分散ファイバにおりて、その製造時の線
引工程等で発生した欠陥ヲＯＤ 基で埋めたものであ
るため、１．５μｍ 帯での損失が長期間にわたり低く
、高品質で耐水素特性が向上し耐放射能特性も優れた高
信頼性ファイバである。
第１（８）は実施例１の本発明ファイバの初期伝送損失
特性（実線イ）と１ｏｏＣ，Ｈ２１ｏ。 ％雰囲気中２０時間保持後の伝送損失特性（破線口）を
示したスペクトル図、第２図は比較例１の従来品の伝送
損失特性を第１図と同様に初期特性（実線）・）及び加
温Ｈ２雰囲気保持後の特性（破線二）として示した図で
ある。
特性（実線イ）と１ｏｏＣ，Ｈ２１ｏ。 ％雰囲気中２０時間保持後の伝送損失特性（破線口）を
示したスペクトル図、第２図は比較例１の従来品の伝送
損失特性を第１図と同様に初期特性（実線）・）及び加
温Ｈ２雰囲気保持後の特性（破線二）として示した図で
ある。
Claims (1)
- コアが純粋石英からなりクラッドがフッ素を２．５重量
％以上５重量％未満含有する石英からなる１．５μｍ帯
用光ファイバにおいて、該コア及び該クラッド中にＯＨ
基を実質的に含有せず、かつ該コア中にＯＤ基を０．２
ｐｐｍ以上０．５ｐｐｍ未満含有することを特徴とする
光ファイバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63010905A JPH01187506A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 光ファイバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63010905A JPH01187506A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 光ファイバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01187506A true JPH01187506A (ja) | 1989-07-26 |
Family
ID=11763303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63010905A Pending JPH01187506A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 光ファイバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01187506A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013238676A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Fujikura Ltd | 広帯域低損失光ファイバおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP63010905A patent/JPH01187506A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013238676A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Fujikura Ltd | 広帯域低損失光ファイバおよびその製造方法 |
| US8873915B2 (en) | 2012-05-11 | 2014-10-28 | Fujikura Ltd. | Low-loss optical fiber over wide wavelength range and method of manufacturing the same |
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