JPH01176973A - Photodetecting device - Google Patents

Photodetecting device

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Publication number
JPH01176973A
JPH01176973A JP63000227A JP22788A JPH01176973A JP H01176973 A JPH01176973 A JP H01176973A JP 63000227 A JP63000227 A JP 63000227A JP 22788 A JP22788 A JP 22788A JP H01176973 A JPH01176973 A JP H01176973A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
light
phototransistor
vref1
sensitivity
Prior art date
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Pending
Application number
JP63000227A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masao Kiguchi
雅夫 木口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP63000227A priority Critical patent/JPH01176973A/en
Publication of JPH01176973A publication Critical patent/JPH01176973A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To eliminate the need to adjust the sensitivity of a sensor for each product with a variable resistor and to cope with a shift in the mechanical fitting position of the sensor by controlling the quantity of light of a light emission part so that a photodetection part operates in an unsaturated area. CONSTITUTION:A reference voltage Vref1 for detecting whether or not a voltage exceeds a collector saturation voltage Vce(sat) is set as the threshold voltage of a comparator 8 in addition to normal Vref2, and they are switched by a CPU 13. A LED current is set to If1 and the threshold voltage is set to the Vref1. Then when the output voltage Eout of a phototransistor (Tr) 1b is smaller than the voltage Vref1, the Tr 1b is not saturated, so the LED current is set to If1 and information on that is stored in a nonvolatile RAM 14. When voltage Eout>=Vref1, on the other hand, the LED current is switched to If2 and information on that is stored in the RAM 14. Then when the system is powered on, the values of the RAM 14 are outputted to an output port 11 and the CPU 13 operates the photosensor 1 while grasping variation of the element.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ファクシミリ装置等における記録シート先端
等を検出する光検出装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a photodetection device for detecting the leading edge of a recording sheet in a facsimile machine or the like.

[従来の技術] ファクシミリ装置における記録紙検出等のように、発光
、受光素子がペアになったホトセンサを用いて物体の検
出を行なう従来の光検出装置において、素子自体の感度
のバラツキ、機械的取付は位置の変化等によって光量が
増減する。
[Prior Art] In conventional photodetection devices that detect objects using a photosensor with a pair of light-emitting and light-receiving elements, such as recording paper detection in facsimile machines, variations in the sensitivity of the elements themselves, mechanical The amount of light increases or decreases depending on the installation position, etc.

たとえば、ファクシミリ装置における記録紙のニアエン
ドマーク(黒帯)をホトセンサで検出する場合、記録紙
の白レベルと黒帯の黒レベルとの差が少なく、また、S
/N比が小さいことが知られている。
For example, when detecting the near-end mark (black band) on recording paper in a facsimile machine with a photo sensor, there is a small difference between the white level of the recording paper and the black level of the black band, and
/N ratio is known to be small.

第5図に示すように、感度Icが良ければ1紙無しの場
合に、ホトトランジスタの負荷抵抗出力E outが大
きく、感度が低ければ、紙有りの場合におけるホトトラ
ンジスタの負荷抵抗出力E outが小さいので、コン
パレータのスレショルド電圧Vref2をどこに設定す
るかを決定することが困難である。
As shown in FIG. 5, if the sensitivity Ic is good, the load resistance output E out of the phototransistor is large when there is no paper, and if the sensitivity is low, the load resistance output E out of the phototransistor is large when there is paper. Since it is small, it is difficult to determine where to set the threshold voltage Vref2 of the comparator.

この場合、上記センサが誤動作しないように、各センサ
について、感度調整ボリュームを設けたり、光量のバラ
ツキが小さいセンサを選別している。
In this case, in order to prevent the above-mentioned sensors from malfunctioning, a sensitivity adjustment volume is provided for each sensor, and sensors with small variations in light amount are selected.

[発明が解決しようとする問題点] 上記従来装置において、製品毎にボリューム調整を行な
うことが煩雑であり、特に、1つの製品に多数のセンサ
を使用している場合は、量産ラインの維持が困難である
という問題がある。
[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional device described above, it is troublesome to adjust the volume for each product, and especially when a large number of sensors are used for one product, it is difficult to maintain a mass production line. The problem is that it is difficult.

また、センサを選別すると、コストアップが大きく、歩
留りにも影響し、安定供給が困難である場合があり、ま
た、機械的取付は位置の変化による光量の増減には効果
がないという問題がある。
In addition, selecting sensors increases costs significantly, affects yield, and may make stable supply difficult, and mechanical installation is ineffective in controlling the amount of light due to changes in position. .

[問題点を解決する手段] 本発明は、発光部と、この発光部からの光を受ける受光
部とを有し、上記受光部の出力に基づいて被検出物を検
出したか否かを判断する比較器を具備する光検出装置に
おいて、上記受光部が非飽和領域で動作するように、上
記発光部の光量を制御するものである。
[Means for Solving Problems] The present invention includes a light emitting section and a light receiving section that receives light from the light emitting section, and determines whether or not an object to be detected is detected based on the output of the light receiving section. In the photodetecting device equipped with a comparator, the amount of light from the light emitting section is controlled so that the light receiving section operates in a non-saturated region.

[作用1 本発明は1発光部と、この発光部からの光を受ける受光
部とを有し、上記受光部の出力に基づいて被検出物を検
出したか否かを判断する比較器を具備する光検出装置に
おいて、上記受光部が非飽和領域で動作するように、上
記発光部の光量を制御するので、製品毎にボリュームに
よるセンサの感度調整を行なう必要がなく、センサを選
別する必要が無く、センサの機械的取付は位置が変化し
ても対応できる。
[Function 1] The present invention has a light emitting section and a light receiving section that receives light from the light emitting section, and is equipped with a comparator that determines whether or not an object to be detected is detected based on the output of the light receiving section. In the photodetecting device, the light intensity of the light emitting section is controlled so that the light receiving section operates in a non-saturated region, so there is no need to adjust the sensitivity of the sensor by volume for each product, and there is no need to select sensors. Mechanical mounting of the sensor can accommodate changes in position.

[実施例] 第1図は、本発明の一実施例を示す回路図である。[Example] FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention.

この実施例において、LEDl aとホトトランジスタ
lbで構成されるホトセンサlと、LEDlaの電流を
制御する制限抵抗2.3と、光が入射したときホトトラ
ンジスタlbのコレクタに流れる光電流Icを電圧に変
換する負荷抵抗4と、コンバレ、−夕8のスレショルド
電圧を設定スる抵抗5,6.7と、オペアンプ等で構成
されるコンパレータ8と、LED電流を変化させるスイ
ッチ9と、コンパレータ8のスレショルドレベルを変化
させるスイッチIOとを有する。
In this embodiment, a photo sensor 1 consisting of an LED la and a phototransistor lb, a limiting resistor 2.3 that controls the current of the LED la, and a photocurrent Ic flowing to the collector of the phototransistor lb when light is incident are converted into a voltage. A load resistor 4 for conversion, resistors 5 and 6.7 for setting the threshold voltage of the converter 8, a comparator 8 consisting of an operational amplifier, etc., a switch 9 for changing the LED current, and a threshold voltage of the comparator 8. It has a switch IO that changes the level.

また、上記実施例は、スイッチ9.10をコントロール
する出力ボートllと、コンパレータ8からの信号を入
力する入力ポート12と、これらのシステムを制御する
CPU13と、LED電流を切換えたときに、コンパレ
ータ8の出力に基づいて、設定した電流のうちでどれが
適切かを記憶するレジスタを格納するRAM14と、こ
れらの制御を行なうプログラムを格納しであるROM1
5とを有する。
In addition, the above embodiment has an output port 11 that controls the switch 9 and 10, an input port 12 that inputs the signal from the comparator 8, a CPU 13 that controls these systems, and a comparator that controls the LED current when switching the LED current. RAM 14 stores a register for storing which of the set currents is appropriate based on the output of 8, and ROM 1 stores a program for controlling these.
5.

なお、上記実施例において1組のセンサ1に関するブロ
ック16が3つ設けられている。
In the above embodiment, three blocks 16 are provided for one set of sensors 1.

次に、上記実施例の動作について説明する。Next, the operation of the above embodiment will be explained.

第2図は、上記実施例において、紙有りの場合と紙無し
の場合とにおいて、素子のバラツキによるホトトランジ
スタの負荷抵抗出力(感度−出力電圧特性)を示す図で
ある。
FIG. 2 is a diagram showing the load resistance output (sensitivity-output voltage characteristic) of the phototransistor due to element variations in the case with paper and the case without paper in the above embodiment.

第2図において、LEDlaに一定の電流を流してホト
トランジスタ1’ bに光を当てたときに、そのホトト
ランジスタ1bで発生する光電流Icの大きさを横軸に
示しである。また、ある光電流Icに対するホトトラン
ジスタ1bの負荷抵抗出力(つまり、次段のコンパレー
タ入力電圧)を、縦軸に示しである。
In FIG. 2, when a constant current is passed through the LEDla and the phototransistor 1'b is irradiated with light, the horizontal axis represents the magnitude of the photocurrent Ic generated in the phototransistor 1b. Further, the load resistance output of the phototransistor 1b (that is, the input voltage of the next stage comparator) for a certain photocurrent Ic is shown on the vertical axis.

上記実施例において、ホトトランジスタ1bが発生する
光電流IcがIcZ付近であるように感度が低い場合、
LEDl aの電流Ifを大きくすると、ホトトランジ
スタlbの出力電圧Eoutが大きくなり、紙有りの場
合におけるホトトランジスタ1bの出力電圧E out
が大きくなる。このようにすれば、紙無しの場合におけ
る出力電圧E outとの差が大きくなり、マージンを
大きくとることができる。
In the above embodiment, when the sensitivity is low such that the photocurrent Ic generated by the phototransistor 1b is near IcZ,
When the current If of LED l a is increased, the output voltage Eout of phototransistor lb increases, and the output voltage Eout of phototransistor 1b when paper is present
becomes larger. In this way, the difference from the output voltage E out in the case of no paper becomes large, and a large margin can be secured.

一方、感度が大きなホトトランジスタ1bを使用すると
、LED 1 aの電流Ifが大きくなり、紙無しの場
合における出力電圧E outが上がり過ぎる。この場
合には、感度が低いホトトランジスタlbを使用したと
きの紙有りの場合における出力電圧E outとの差が
小さくなる。この場合には、感度IcがIc1以上であ
るホトトランジスタ(感度がIclからIc3までのホ
トトランジスタ)をCPU13が選択し、LEDlaの
電流をIflからIf2に切換えるようにする。このよ
うにすれば、ホトセンサ1の感度調整を自動的に実行で
きる。
On the other hand, if the phototransistor 1b with high sensitivity is used, the current If of the LED 1a becomes large, and the output voltage E out in the case of no paper increases too much. In this case, the difference from the output voltage E out when there is paper when using the phototransistor lb with low sensitivity becomes small. In this case, the CPU 13 selects a phototransistor whose sensitivity Ic is greater than or equal to Ic1 (a phototransistor whose sensitivity is from Icl to Ic3), and switches the current of the LEDla from If1 to If2. In this way, the sensitivity adjustment of the photosensor 1 can be automatically performed.

第3図は、上記実施例において、ホトセンサ1の感度調
整の動作を示すフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing the operation of adjusting the sensitivity of the photosensor 1 in the above embodiment.

ホトトランジスタlbのコレクタ電圧Vccよりもコレ
クタ飽和電圧VcE(sat)だけ低い電圧を、ホl−
)ランジスタ1bが飽和したときの出力電圧にすること
ができるので、コンパレータ8のスレジオルト電圧とし
て、通常のVref2以外に、コレクタ飽和電圧VaE
(sat)以上になっているか否かを検出する基準電圧
Vref 1を設け、CPU13が切換え可能にする。
A voltage lower than the collector voltage Vcc of the phototransistor lb by the collector saturation voltage VcE (sat) is applied to the phototransistor lb.
) Since the output voltage can be set to the output voltage when the transistor 1b is saturated, the collector saturation voltage VaE can be used as the threshold voltage of the comparator 8 in addition to the normal Vref2.
A reference voltage Vref 1 is provided to detect whether or not the voltage is higher than (sat), and the CPU 13 can switch the reference voltage Vref 1.

すなわち、システムの初期設定において、LED電流I
をIffに設定しくS t) 、コンパレータ8のスレ
ッショルド電圧V refをVreflに設定しくS2
)、ホトトランジスタlbの出力電圧E outがスレ
ッショルド電圧Vref1以上であるか(飽和している
)か否かをチエツクしく33)、ホトトランジスタ1b
の出力電圧E outがスレッショルド電圧Vrefl
よりも小さい場合、ホトトランジスタ1bが非飽和であ
る(S4)ので、LED電流IfをIflにし、この情
報を不揮発性RAM14に蓄え(S5)、センサ1を動
作させる。
That is, in the initial setting of the system, the LED current I
Set the threshold voltage Vref of the comparator 8 to Vrefl.S2
), check whether the output voltage E out of the phototransistor 1b is higher than the threshold voltage Vref1 (saturated)33), the phototransistor 1b
The output voltage E out is the threshold voltage Vrefl
If it is smaller than , the phototransistor 1b is unsaturated (S4), so the LED current If is set to Ifl, this information is stored in the nonvolatile RAM 14 (S5), and the sensor 1 is operated.

次に、システムがパワーオンのとき、RAM14の値を
、出力ボート11に出力することによって(S6)、C
PU13が素子のバラツキを把握した状態でセンサlを
動作させる。そして、最終的にコンパレータ8のスレジ
オルト電圧をVref 2に設定して(S7)動作を終
了する。
Next, when the system is powered on, the value of the RAM 14 is output to the output port 11 (S6).
The PU 13 operates the sensor 1 in a state in which the variation in the elements is understood. Finally, the threshold voltage of the comparator 8 is set to Vref 2 (S7) and the operation is ended.

一方、S3において、ホトトランジスタ1bの出力電圧
E outがスレッショルド電圧Vref1以上であれ
ば、ホトトランジスタ1bが飽和している(S 11)
ので、LED電流IfをIf2に切換え(S 12) 
、この情報を不揮発性RAM14に蓄える(S 13)
 、そして、システムがパワーオンのとき、RAM14
の値を、出力ボート11に出力することによって(36
)、CPU13が素子のバラツキを把握した状態でセン
サlを動作させる。
On the other hand, in S3, if the output voltage E out of the phototransistor 1b is equal to or higher than the threshold voltage Vref1, the phototransistor 1b is saturated (S11).
Therefore, switch the LED current If to If2 (S12)
, store this information in the non-volatile RAM 14 (S 13)
, and when the system is powered on, RAM14
By outputting the value of (36
), the CPU 13 operates the sensor 1 while grasping the variation in the elements.

上記実施例は、ホトセンサの感度バラツキを補償するだ
けでなく、ホトセンサを製品に組み込んだ後に、素子の
感度に合わせてLED電流を調整できるので、機械的取
付は位置の変化による光量の増減にも対応でき、より安
定性の高いセンサを提供することができる。
The above embodiment not only compensates for variations in the sensitivity of the photosensor, but also adjusts the LED current according to the sensitivity of the element after the photosensor is incorporated into the product, so mechanical installation can also be used to compensate for changes in light intensity due to changes in position. It is possible to provide a sensor with higher stability.

第4図(1)、(2)は5本発明の他の実施例を示す回
路図である。
FIGS. 4(1) and 4(2) are circuit diagrams showing other embodiments of the present invention.

この実施例は、LED電流、コンパレータ8のスレショ
ルド電圧の切換えを行なうスイッチ9.10として、そ
れぞれ、トランジスタ9a、10aを使用している。
In this embodiment, transistors 9a and 10a are used as switches 9 and 10 for switching the LED current and the threshold voltage of the comparator 8, respectively.

[発明の効果1 本発明によれば1発光部と、この発光部からの光を受け
る受光部とを有し、上記受光部の出力に基づいて被検出
物を検出したか否かを判断する比較器を具備する光検出
装置において、製品毎にボリュームによるセンサの感度
調整を行なう必要がなく、センサを選別する必要が無く
、センサの機械的取付は位置が変化しても対応できると
いう効果を有する。
[Effects of the Invention 1 According to the present invention, there is provided a light-emitting section and a light-receiving section that receives light from the light-emitting section, and it is determined whether or not an object to be detected is detected based on the output of the light-receiving section. In a photodetection device equipped with a comparator, there is no need to adjust the sensitivity of the sensor using a volume for each product, there is no need to select sensors, and the mechanical installation of the sensor can accommodate changes in position. have

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の一実施例を示す回路図である。 第2図は、上記実施例における感度−出力電圧特性を示
す図である。 第3図は、上記実施例の動作を示すフローチャートであ
る。 第4図(1)、(2)は、本発明の他の実施例を示す回
路図である。 第5図は、従来装置における感度−出力電圧特性を示す
図である。 ■・・・ホトセンサ、 la・・・LED。 lb・・・ホトトランジスタ、 8・・・コンパレータ、 13・・・CPU。 特許出願人  キャノン株式会社 同代理人   用久保  新 − 第4図
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing sensitivity-output voltage characteristics in the above embodiment. FIG. 3 is a flowchart showing the operation of the above embodiment. FIGS. 4(1) and 4(2) are circuit diagrams showing other embodiments of the present invention. FIG. 5 is a diagram showing sensitivity-output voltage characteristics in a conventional device. ■...Photo sensor, la...LED. lb...Phototransistor, 8...Comparator, 13...CPU. Patent applicant Canon Co., Ltd. Agent Arata Yokubo - Figure 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】 発光部と、 前記発光部からの光を受ける受光部と、 前記受光部の出力に基づいて被検出物を検出したか否か
を判断する比較器と、 前記受光部が非飽和領域で動作するように、前記発光部
の光量を制御する手段と、 を有することを特徴とする光検出装置。
[Scope of Claims] A light-emitting section; a light-receiving section that receives light from the light-emitting section; a comparator that determines whether or not an object to be detected is detected based on an output of the light-receiving section; A photodetection device comprising: means for controlling the amount of light from the light emitting section so as to operate in a non-saturated region.
JP63000227A 1988-01-04 1988-01-04 Photodetecting device Pending JPH01176973A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63000227A JPH01176973A (en) 1988-01-04 1988-01-04 Photodetecting device

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JP63000227A JPH01176973A (en) 1988-01-04 1988-01-04 Photodetecting device

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JPH01176973A true JPH01176973A (en) 1989-07-13

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ID=11468074

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JP63000227A Pending JPH01176973A (en) 1988-01-04 1988-01-04 Photodetecting device

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JP (1) JPH01176973A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003065846A (en) * 2001-08-27 2003-03-05 Sunx Ltd Photoelectric sensor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003065846A (en) * 2001-08-27 2003-03-05 Sunx Ltd Photoelectric sensor

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