JPH01171646U - - Google Patents
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- JPH01171646U JPH01171646U JP6861888U JP6861888U JPH01171646U JP H01171646 U JPH01171646 U JP H01171646U JP 6861888 U JP6861888 U JP 6861888U JP 6861888 U JP6861888 U JP 6861888U JP H01171646 U JPH01171646 U JP H01171646U
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- JP
- Japan
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- layer
- thermal head
- thin film
- wear
- insulating substrate
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- Pending
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- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
第１図は本考案によるサーマルヘツドの一実施
例の要部を示す断面図、第２図は従来のサーマル
ヘツドの要部を示す断面図である。 １……グレース・ガラス層、２……アルミナ基
板、３……発熱抵抗体、４……選択電極、５……
共通電極、６……ダイヤモンド薄膜層、７……酸
化シリコン層。
例の要部を示す断面図、第２図は従来のサーマル
ヘツドの要部を示す断面図である。 １……グレース・ガラス層、２……アルミナ基
板、３……発熱抵抗体、４……選択電極、５……
共通電極、６……ダイヤモンド薄膜層、７……酸
化シリコン層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 絶縁性基板を基板として発熱抵抗体及び電極を
形成すると共に耐摩耗層としてダイヤモンド薄膜
層を形成してな成るサーマルヘツドにおいて、 上記絶縁性基板と上記ダイヤモンド薄膜層との
間に酸化シリコン層又は窒化シリコン層を形成し
たことを特徴とするサーマルヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6861888U JPH01171646U (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6861888U JPH01171646U (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01171646U true JPH01171646U (ja) | 1989-12-05 |
Family
ID=31293926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6861888U Pending JPH01171646U (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01171646U (ja) |
-
1988
- 1988-05-24 JP JP6861888U patent/JPH01171646U/ja active Pending