JPH0115001B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0115001B2
JPH0115001B2 JP57041146A JP4114682A JPH0115001B2 JP H0115001 B2 JPH0115001 B2 JP H0115001B2 JP 57041146 A JP57041146 A JP 57041146A JP 4114682 A JP4114682 A JP 4114682A JP H0115001 B2 JPH0115001 B2 JP H0115001B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inspected
defect
pattern
defects
detecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP57041146A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS58158923A (en
Inventor
Shunsuke Mukasa
Kennosuke Sugizaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP4114682A priority Critical patent/JPS58158923A/en
Publication of JPS58158923A publication Critical patent/JPS58158923A/en
Publication of JPH0115001B2 publication Critical patent/JPH0115001B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光の回折現象を利用して規則性パター
ン中の欠陥を検出するレーザ光回折パターン空間
周波数フイルタリング方式による検査方法に係
り、特に複数のパターンを検査した場合に逆フー
リエ変換面上に現れる輝点から単位開口が規則的
に配列されてなる複数の被検査パターン中の共通
欠陥を検出する方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an inspection method using a laser beam diffraction pattern spatial frequency filtering method for detecting defects in a regular pattern using the diffraction phenomenon of light, particularly when a plurality of patterns are inspected. The present invention relates to a method for detecting common defects in a plurality of patterns to be inspected, each of which has unit apertures regularly arranged from bright spots appearing on an inverse Fourier transform surface.

各種メタルフイルタ、ICマスク等に代表され
る規則性を持つたパターン中の欠陥を検出する方
法として、近年レーザ光を用いたレーザ光パター
ン空間周波数フイルタリング方式(以下単に空間
フイルタリング方式という)が利用されるように
なつている。この空間フイルタリング方式は、2
次元画像の処理において従来行われている微小光
ビームで2次元画像を走査し、得られた出力信号
を電子計算機で処理する方式の持つ、処理の複雑
さ、処理時間の長さ、高価等の問題がなく、2次
元画像の空間的並列処理が簡単でしかも安価な光
学系で高速検査できるという利点を持つ。このた
め、主として規則性2次元パターンを持つ工業製
品、たとえばメタルメツシユ、ICマスク等の欠
陥検査装置として実用されている。
In recent years, a laser beam pattern spatial frequency filtering method (hereinafter simply referred to as the spatial filtering method) using laser light has been developed as a method for detecting defects in regular patterns such as those of various metal filters and IC masks. It is starting to be used. This spatial filtering method consists of 2
The conventional method for processing dimensional images, in which a two-dimensional image is scanned with a small light beam and the resulting output signal is processed by an electronic computer, has problems such as complexity of processing, long processing time, and high cost. It has the advantage of being problem-free, allowing for simple spatial parallel processing of two-dimensional images, and allowing high-speed inspection with an inexpensive optical system. For this reason, it is mainly used as a defect inspection device for industrial products having regular two-dimensional patterns, such as metal meshes and IC masks.

この種欠陥検査装置の基本的光学系構成は第1
図に示す通りである。すなわち、レーザ発振器1
を出たレーザビーム2はコリメータ3によつて拡
大された平行光4となつて被検査物5に当る。被
検査物5はフーリエ変換レンズ7の前焦点面上に
置かれており、後焦点面上には被検査物を通過す
るときに回折した光によつて被検査物5のフーリ
エ変換スペクトルが現れる。また、フーリエ変換
レンズ7の後焦点面上には空間フイルタ8(たと
えばフーリエ変換スペクトルの強度分布を記録し
たネガ写真フイルム、方向性ハイカツト空間フイ
ルタ等)が配設されており、被検査物5のフーリ
エ変換スペクトルのうち、正常パターンに相当す
るスペクトルのみが空間フイルタ8によつて吸収
され、欠陥パターンに相当するスペクトルは透過
される。
The basic optical system configuration of this type of defect inspection equipment is
As shown in the figure. That is, laser oscillator 1
The laser beam 2 emitted from the laser beam 2 is expanded by a collimator 3, becomes a parallel beam 4, and hits an object to be inspected 5. The inspected object 5 is placed on the front focal plane of the Fourier transform lens 7, and the Fourier transform spectrum of the inspected object 5 appears on the back focal plane due to the light diffracted when passing through the inspected object. . Further, a spatial filter 8 (for example, a negative photographic film recording the intensity distribution of the Fourier transform spectrum, a directional high-cut spatial filter, etc.) is disposed on the back focal plane of the Fourier transform lens 7. Of the Fourier transformed spectra, only the spectra corresponding to normal patterns are absorbed by the spatial filter 8, and the spectra corresponding to defective patterns are transmitted.

ここにおいて、空間フイルタ8は逆フーリエ変
換レンズ10の前焦点面上に配置されているた
め、空間フイルタ8を透過した光9は逆フーリエ
変換レンズ10によつて逆フーリエ変換され、逆
フーリエ変換レンズ10の後焦点面上に空間フイ
ルタリングされた逆フーリエ変換像すなわち被検
査物5の欠陥部分だけの像となつて現れる。これ
が光検出器11によつて検出される。そして、逆
フーリエ変換レンズの後焦点面上に光検出器11
に代えてスクリーンを置けば、このスクリーン上
に欠陥部分が明るい輝点となつて現れるから、視
覚的に欠陥を認識することができる。
Here, since the spatial filter 8 is arranged on the front focal plane of the inverse Fourier transform lens 10, the light 9 transmitted through the spatial filter 8 is inversely Fourier transformed by the inverse Fourier transform lens 10, and the light 9 is inversely Fourier transformed by the inverse Fourier transform lens 10. 10 appears as a spatially filtered inverse Fourier transform image, that is, an image of only the defective portion of the object 5 to be inspected. This is detected by the photodetector 11. A photodetector 11 is placed on the back focal plane of the inverse Fourier transform lens.
If a screen is placed instead, the defective area will appear as a bright spot on the screen, making it possible to visually recognize the defect.

この欠陥検査装置における被検査パターンは例
えば第2図に示すように、単位矩形開口Pが規則
的に配列されてなるものであり、この被検査パタ
ーンの欠陥には第3図A〜Dに示すようなものが
ある。
The pattern to be inspected in this defect inspection apparatus is, for example, as shown in FIG. 2, in which unit rectangular openings P are regularly arranged, and the defects in this pattern to be inspected are as shown in FIGS. There is something like that.

したがつて被検査パターンにおけるこれらの欠
陥を確実にしかも迅速に検出することが必要であ
る。
Therefore, it is necessary to reliably and quickly detect these defects in the pattern to be inspected.

従来、この種欠陥検査装置として本特許出願人
によりいくつかの提案がなされている(例えば特
開昭56−117106号、特開昭56−133830号等)。
Hitherto, several proposals have been made by the applicant of this patent as this type of defect inspection apparatus (for example, Japanese Patent Application Laid-open Nos. 117106-1982 and 133830-1982).

しかしながら、これらの欠陥検査装置では、パ
ターン1枚づつの検査を行うために製造工程上の
本質的欠陥つまり原版マスクの欠陥、露光装置の
不良、エツチング装置の不良等の同種不良品が続
出する欠陥を検出することはできない。
However, since these defect inspection devices inspect each pattern one by one, they detect essential defects in the manufacturing process, such as defects in the original mask, defects in the exposure equipment, defects in the etching equipment, and other defects that result in the same type of defective product occurring one after another. cannot be detected.

本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、ま
ず第1の被検査物を光軸に直角な平面内でX方向
およびY方向に移動してアドレス検出しつつ被検
査物全面の欠陥検出走査を行い、次いで第2以降
の被検査物についても同様に欠陥検出走査を行
い、1枚目パターンの欠陥座標を中心にした3×
3の座標範囲について2枚目以降のパターンとの
比較を行い共通欠陥を検出する方法を提供するも
のである。
The present invention has been made in view of the above-mentioned points. First, the first object to be inspected is moved in the X direction and the Y direction within a plane perpendicular to the optical axis to detect the address and detect defects on the entire surface of the object to be inspected. Scanning is performed, and then defect detection scanning is performed in the same manner for the second and subsequent inspection objects, and 3× centered on the defect coordinates of the first pattern is
This provides a method for detecting common defects by comparing the coordinate range of No. 3 with the patterns of the second and subsequent sheets.

以下第4図乃至第11図を参照して本発明の一
実施例を説明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 4 to 11.

第4図は本発明を実施するための装置構成例を
示したもので、この装置は第1図の光学系に組合
わせて使用される。
FIG. 4 shows an example of the configuration of an apparatus for carrying out the present invention, and this apparatus is used in combination with the optical system shown in FIG. 1.

この図において、12はハーフミラーでありレ
ーザ発振器1の出力光の一部を取出し制御信号発
生ユニツト13に与えてレーザ強度のゆらぎを検
出し、このゆらぎに対応した補正信号によつて逆
フーリエ変換面の光検出器11と光学結合された
欠陥検出ユニツト15の出力補正を行う。
In this figure, 12 is a half mirror, which extracts a part of the output light of the laser oscillator 1 and supplies it to the control signal generation unit 13 to detect fluctuations in laser intensity, and performs inverse Fourier transformation using a correction signal corresponding to this fluctuation. The output of the defect detection unit 15 optically coupled to the surface photodetector 11 is corrected.

欠陥ユニツト15の出力は欠陥認識システム1
6に与えられる。この欠陥認識システム16には
X―Y座標信号発生ユニツト14からのアドレス
信号も与えられる。このアドレス信号は被検査物
5の光軸に直角な平面内でのX方向、Y方向の移
動に応じて所定距離移動する毎に与えられるもの
である。
The output of the defect unit 15 is sent to the defect recognition system 1.
6 is given. The defect recognition system 16 is also provided with an address signal from the XY coordinate signal generating unit 14. This address signal is given every time the object to be inspected 5 moves a predetermined distance in accordance with the movement in the X direction and the Y direction within a plane perpendicular to the optical axis.

これにより欠陥認識システム16は、欠陥検出
ユニツト15からの欠陥検出信号をX―Y座標信
号発生ユニツト14からのアドレス信号と関連づ
けて欠陥位置座標を割出し、キーボード17から
の入力情報と共に例えばプリンタ18を介しプリ
ント出力を送出することができる。
As a result, the defect recognition system 16 associates the defect detection signal from the defect detection unit 15 with the address signal from the XY coordinate signal generation unit 14 to determine the defect position coordinates, and, together with the input information from the keyboard 17, sends the defect detection signal to the printer 18, for example. Print output can be sent via .

第5図は第4図の構成の信号処理系をより詳細
に示したものである。まずレーザ強度ゆらぎの補
正のための制御信号発生ユニツト13は、レーザ
強度ゆらぎ補正信号発生回路13aと制御信号発
生部13bとからなつており、レーザ光の強度が
変化したときはレーザ強度ゆらぎ補正信号発生回
路13aの出力が変化し、これに基き制御信号発
生部13bが制御信号を形成し、欠陥検出ユニツ
トの欠陥判別回路15bに与える。
FIG. 5 shows the signal processing system having the configuration shown in FIG. 4 in more detail. First, the control signal generation unit 13 for correcting laser intensity fluctuation is composed of a laser intensity fluctuation correction signal generation circuit 13a and a control signal generation section 13b, and when the intensity of the laser beam changes, it generates a laser intensity fluctuation correction signal. The output of the generation circuit 13a changes, and based on this, the control signal generation section 13b forms a control signal and supplies it to the defect discrimination circuit 15b of the defect detection unit.

この欠陥判別回路15bは、光検出器11と光
学的に結合された光電変換器15aからの信号の
レベル判定を行つて得た欠陥データを欠陥認識シ
ステム16のデータインターフエース103に与
える。
The defect determination circuit 15b provides the data interface 103 of the defect recognition system 16 with defect data obtained by determining the level of the signal from the photoelectric converter 15a optically coupled to the photodetector 11.

欠陥認識システム16には、X―Y座標信号発
生ユニツト14からのアドレス信号がアドレスイ
ンターフエース101に与えられると共に、X―
Yステージコントローラ19およびX―Yステー
ジドライバ20を介して被検査物5の走査移動を
行うための信号授受をX―Yステージインターフ
エース102によつて行う。アドレスインターフ
エース101、X―Yステージインターフエース
102およびデータインターフエース103から
の信号はバスライン104を介してCPU105、
RAM107に与えられ、ROM106中のプロ
グラムおよびコンソールインターフエース108
からのスイツチ109、キーボード110等によ
る入力に基き演算を行つて、その出力をコンソー
ルインターフエース108、プリンタ111を介
して出力する。
In the defect recognition system 16, an address signal from the XY coordinate signal generation unit 14 is applied to an address interface 101, and an
The XY stage interface 102 exchanges signals for scanning the object 5 to be inspected via the Y stage controller 19 and the XY stage driver 20 . Signals from the address interface 101, the XY stage interface 102, and the data interface 103 are sent to the CPU 105 via the bus line 104.
Provided to RAM 107, programs in ROM 106 and console interface 108
Calculations are performed based on inputs from the switch 109, keyboard 110, etc., and the output is outputted via the console interface 108 and printer 111.

第6図は本発明装置における被検査物5の走査
の一例を示したものである。この走査は結局被検
査物5と光検出器11との相対運動として捉えら
れるものであり、光検出器11は単位検出器を所
定数直線的に配列したアレイとして構成されてお
り、このアレイをその長手方向の直角方向に被検
査物5に対し相対運動させることにより欠陥検出
走査が行われる。
FIG. 6 shows an example of scanning of the object 5 to be inspected using the apparatus of the present invention. This scanning is ultimately understood as a relative movement between the object to be inspected 5 and the photodetector 11, and the photodetector 11 is configured as an array in which a predetermined number of unit detectors are linearly arranged. Defect detection scanning is performed by moving the inspection object 5 relative to the inspection object 5 in a direction perpendicular to its longitudinal direction.

アレイの長さをLとすれば、光検出器11をX
方向に1回走査した後、Y方向に光検出器11を
Lだけ移動して次のX方向走査を行い、更にY方
向にLだけ光検出器11を移動しX方向走査を行
うという動作を繰返すことにより被検査物5の全
面走査を行うことができる。この場合、X方向の
走査は図示のように一方向と他方向とを交互に繰
返すように行うことが合理的である。そして、こ
の光検出器11のX方向、Y方向の各移動量はそ
れぞれリニアエンコーダ等により検出され、この
検出信号がアドレス信号として利用される。
If the length of the array is L, then the photodetector 11 is
After scanning once in the direction, the photodetector 11 is moved in the Y direction by L to perform the next X direction scan, and the photodetector 11 is further moved in the Y direction by L to perform the X direction scan. By repeating this process, the entire surface of the inspection object 5 can be scanned. In this case, it is reasonable to perform scanning in the X direction by alternately repeating scanning in one direction and the other direction as shown in the figure. The amount of movement of the photodetector 11 in the X direction and the Y direction is detected by a linear encoder or the like, and this detection signal is used as an address signal.

第7図は第6図に示した走査を行うにつき、被
検査物の所定面だけを検出走査するための位置検
出部の一構成例を示したものである。この場合、
被検査物5の所定部分にマーカMが設けられてお
り、このマーカMを、光検出器11に対し所定の
位置関係になるように固設されたセンサS1,S2
よびS3,S4により検出することによつて被検査物
5のX方向およびY方向の送りを行う。センサ
S1,S2の間の範囲は駆動系加速範囲であり、S3
S4間のそれも同様である。この加速範囲が2つあ
るのは被検査物5をX方向に関し2方向送りする
からである。
FIG. 7 shows an example of the configuration of a position detecting section for detecting and scanning only a predetermined surface of the object to be inspected when performing the scanning shown in FIG. 6. in this case,
A marker M is provided at a predetermined portion of the object to be inspected 5, and this marker M is connected to sensors S 1 , S 2 and S 3 , S fixed in a predetermined positional relationship with respect to the photodetector 11. 4 , the object to be inspected 5 is fed in the X direction and the Y direction. sensor
The range between S 1 and S 2 is the drive system acceleration range, and S 3 ,
The same is true for S4 . The reason why there are two acceleration ranges is because the object to be inspected 5 is fed in two directions in the X direction.

第6図に示すようにX方向、Y方向への送りが
繰返され、X方向送り時に被検査物5の検査対象
面が光検出器5によつて欠陥検出走査される。こ
の走査が所定回数つまり被検査物5の検査対象面
全体に亘る回数だけ行われると、セツテイング位
置に復帰する。
As shown in FIG. 6, feeding in the X direction and Y direction is repeated, and during feeding in the X direction, the surface to be inspected of the object to be inspected 5 is scanned for defect detection by the photodetector 5. When this scanning is performed a predetermined number of times, that is, the number of times covering the entire surface of the object 5 to be inspected, it returns to the setting position.

これらの動作は、第5図の欠陥認識システム1
6におけるCPU105が、X―Y座標信号発生
ユニツト14からのアドレスインターフエース1
01を介して与えられるアドレス信号、ROM1
06およびRAM107の記憶内容に基き形成し
た信号をX―Yステージインターフエース102
を介してX―Yステージコントローラ19、X―
Yステージドライバ20に与えることにより行
う。
These operations are performed by the defect recognition system 1 in Fig. 5.
6, the CPU 105 at address interface 1 from the XY coordinate signal generation unit 14
Address signal given through 01, ROM1
06 and the signals formed based on the memory contents of the RAM 107 are sent to the XY stage interface 102.
via the X-Y stage controller 19,
This is done by applying it to the Y stage driver 20.

いま欠陥認識システム16のスイツチ109を
操作すると、スタート信号が生じシステム16か
らX―Yステージコントローラ19、X―Yステ
ージドライバ20を介して被検査物5を搭載した
ステージがセツテイング位置からX方向の一方向
に移動し始める。そしてマーカMがセンサS1によ
り検出されるとこの検出信号は例えばX―Y座標
信号発生ユニツト14を介してシステム16に与
えられ、これに基きシステム16はX―Yステー
ジコントローラ19、X―Yステージドライバ2
0を動作させてステージを加速移動させる。次い
でマーカMがセンサS2により検出されると同時に
X―Y座標信号発生ユニツト14からアドレスカ
ウンタリセツトパルスがシステム16に与えら
れ、アドレスカウンタ(図示せず)のカウント内
容がクリアされた上でアドレス信号のカウントが
開始される。これからマーカMがセンサS3で検出
されるまで被検査物5の欠陥検出走査が行われて
それによる欠陥データがシステム16に送られ割
り込み処理によりX―Y座標発生ユニツト14か
らのデータをもとに欠陥位置データを計算し、こ
れがRAM107に書き込まれる。
Now, when the switch 109 of the defect recognition system 16 is operated, a start signal is generated and the stage on which the inspected object 5 is mounted is moved from the setting position in the X direction from the system 16 via the XY stage controller 19 and the XY stage driver 20. Start moving in one direction. When the marker M is detected by the sensor S1 , this detection signal is given to the system 16 via, for example, the XY coordinate signal generation unit 14, and based on this, the system 16 outputs the stage driver 2
0 to accelerate the stage. Next, at the same time as the marker M is detected by the sensor S2 , an address counter reset pulse is given to the system 16 from the XY coordinate signal generation unit 14, and after the count contents of the address counter (not shown) are cleared, the address is reset. Signal counting begins. From now on, the inspection object 5 is scanned for defect detection until the marker M is detected by the sensor S3 , and the resulting defect data is sent to the system 16, which uses the data from the XY coordinate generation unit 14 through interrupt processing. Defect position data is calculated and written to the RAM 107.

マーカMがセンサS3で検出されると欠陥検出走
査は終了し、以後マーカMがセンサS4を通過する
まで被検査物5がX方向に送られる。マーカMが
センサS4を通過するとシステム16はX―Yステ
ージコントローラ19、X―Yステージドライバ
20によりステージをY方向に1ピツチ(L)だ
け移動させた上でステージをX方向の逆方向に移
動させる。この場合、マーカMはまずセンサS4
より検出され次いでS3,S2,S1により順次検出さ
れる。そして、センサS4とS3の間は加速領域とな
り、S3とS2の間が検査対象移動となりS4の位置を
通過したときに再びY方向移動が行われた上でX
方向の順方向送りが行われる。
When the marker M is detected by the sensor S3 , the defect detection scan ends, and the object 5 to be inspected is then sent in the X direction until the marker M passes the sensor S4 . When the marker M passes the sensor S4 , the system 16 uses the XY stage controller 19 and the XY stage driver 20 to move the stage by one pitch (L) in the Y direction, and then moves the stage in the opposite direction to the X direction. move it. In this case, marker M is first detected by sensor S 4 and then sequentially by sensors S 3 , S 2 and S 1 . Then, the area between sensors S 4 and S 3 becomes an acceleration area, and the area between S 3 and S 2 becomes the inspection target movement, and when it passes the position of S 4 , it moves in the Y direction again, and then
A forward feed in the direction is performed.

このようなステージ送りの後に、被検査物5の
全面が走査されるとシステム16からX―Yステ
ージコントローラ19およびX―Yステージドラ
イバ20に対し走査ストツプ信号が与えられ、欠
陥検出走査が終了すると共にステージのセツテイ
ング位置復帰動作が行われる。
After such stage feeding, when the entire surface of the inspection object 5 is scanned, a scan stop signal is given from the system 16 to the XY stage controller 19 and the XY stage driver 20, and the defect detection scan is completed. At the same time, the stage is returned to its setting position.

この欠陥検出走査により欠陥データと共に書込
まれる座標は次のように表わすことができる。つ
まり、 イ) 光検出器の開口の数;N ロ) 光検出器の開口の番号;n(1、2、3…
N) ハ) 光検出器の開口1つのY方向長さ;l ニ) 走査数;s(1、2、3…) としたとき欠陥座標(x、y)は、 〔x、l(s.N−n)〕 として表わされ、Y方向走査量つまりY方向送り
量Lは、 L=N・l として表わされる。
The coordinates written together with the defect data by this defect detection scan can be expressed as follows. In other words, a) Number of apertures of the photodetector; N B) Number of apertures of the photodetector; n (1, 2, 3...
N) C) Length in the Y direction of one aperture of the photodetector; l D) Number of scans; s (1, 2, 3...) When the defect coordinates (x, y) are [x, l (sN- n)], and the Y-direction scanning amount, that is, the Y-direction feed amount L, is represented as L=N·l.

第8図乃至第9図は上記装置を用いて行う本発
明方法の手順を示すフローチヤートであり、以下
このフローチヤートにしたがつて説明する。
8 to 9 are flowcharts showing the steps of the method of the present invention carried out using the above-mentioned apparatus, and the following description will be made according to this flowchart.

まず装置をスタートさせて1枚目のパターンの
欠陥信号を検出する(S1)。この欠陥信号の検出
時にX、Yステージからのアドレス信号を検出す
る(S2)。そして欠陥信号とアドレス信号とを関
連させてRAM107(第5図)に記憶する
(S3)。
First, the apparatus is started and a defect signal of the first pattern is detected (S 1 ). When detecting this defective signal, address signals from the X and Y stages are detected (S 2 ). The defect signal and address signal are then stored in the RAM 107 (FIG. 5) in association with each other (S 3 ).

次に装置に2枚目のパターンをセツトして2枚
目のパターンの欠陥信号を検出する(S4)。この
欠陥信号の検出時にX、Yステージからのアドレ
ス信号を検出する(S5)。そして欠陥信号とアド
レス信号とを関連させてRAM107(第5図)
に記憶する(S6)。
Next, a second pattern is set in the device and a defect signal of the second pattern is detected (S 4 ). When this defective signal is detected, address signals from the X and Y stages are detected (S 5 ). Then, the defect signal and address signal are related to each other in the RAM 107 (Fig. 5).
(S 6 ).

RAM107(第5図)に記憶された1枚目パ
ターンの欠陥データと2枚目パターンの欠陥デー
タとをCPU105(第5図)によつて比較し共
通する欠陥があるか否かを判断する。この判断は
1枚目パターンの欠陥座標を中心にした3×3の
座標範囲に2枚目パターンの欠陥座標が存在する
か否かについて行う(S7)。
The defect data of the first pattern and the defect data of the second pattern stored in the RAM 107 (FIG. 5) are compared by the CPU 105 (FIG. 5) to determine whether there is a common defect. This determination is made as to whether or not the defect coordinates of the second pattern exist within a 3×3 coordinate range centered on the defect coordinates of the first pattern (S 7 ).

これにより、被検査物間の欠陥位置の微小なバ
ラツキ及び装置の機械的な検出位置精度に対する
許容度が広がり、共通欠陥の見逃しを防止でき
る。2枚目のパターンに該当する欠陥座標が存在
しないときは欠陥座標をキヤンセル(S8)し、存
在するときは共通欠陥座標を出力(S9)する。こ
の出力は例えばプリンタ111(第5図)によつ
て行う。
This increases the tolerance for minute variations in defect positions between objects to be inspected and the accuracy of the mechanical detection position of the device, making it possible to prevent common defects from being overlooked. If the defect coordinates corresponding to the second pattern do not exist, the defect coordinates are canceled (S 8 ), and if they do exist, the common defect coordinates are output (S 9 ). This output is performed, for example, by the printer 111 (FIG. 5).

第9図は第8図における欠陥信号、アドレス信
号の検出、記憶のステツプS1〜S3(S4〜S6)を、
特にステツプS3(S6)について詳細になるように
示したものであり、これにつき説明する。
FIG. 9 shows the steps S 1 to S 3 (S 4 to S 6 ) of detecting and storing defect signals and address signals in FIG.
In particular, step S 3 (S 6 ) is shown in detail and will be explained.

すなわち欠陥信号の検出(S1またはS4)および
アドレス信号の検出(S2またはS5)の後、欠陥ア
ドレスが連続しているか否かをチエツク(S11
する。これはまず連続であるか否かの判定(S12
を行い、連続でなければ欠陥アドレスを記憶
(S13)する。記憶に際してはメモリーオーバーい
かんを判断(G14)し、メモリーオーバーの場合
にはそのメツセージ(S15)を、そうでなければ
第8図の次のステツプに移行する。
That is, after detecting a defective signal (S 1 or S 4 ) and detecting an address signal (S 2 or S 5 ), it is checked whether the defective addresses are consecutive (S 11 ).
do. First, it is determined whether or not it is continuous (S 12 )
If the address is not consecutive, the defective address is stored ( S13 ). When storing, it is determined whether the memory is over (G 14 ), and if the memory is over, the message is transferred (S 15 ); otherwise, the process moves to the next step in FIG.

一方、連続の場合は領域指定線の計算(S16
を行つて被検査物のパターン部を領域分けした上
で欠陥が当該領域指定線内にあるか否かの判定
(S17)を行う。そして領域内であれば欠陥アドレ
スを記憶(S18)する。
On the other hand, if it is continuous, calculate the area specification line (S 16 )
After dividing the pattern portion of the object to be inspected into regions, it is determined whether a defect is within the region designation line (S 17 ). If it is within the area, the defective address is stored (S 18 ).

また検査対象領域外の場合、まずY方向連続個
数が所定数ED(Y)以上であるか否かを判断
(S19)し、以上であれば欠陥アドレスをキヤンセ
ル(S20)する。次いでX方向についても同様の
手順を採る。これにより検査対象領域外であつて
も異常に連続する欠陥があるときに限り欠陥アド
レスを記憶する(S18)。
If it is outside the inspection target area, it is first determined whether the number of consecutive addresses in the Y direction is greater than or equal to a predetermined number ED (Y) (S 19 ), and if it is, the defective address is canceled (S 20 ). Next, the same procedure is adopted for the X direction. As a result, a defect address is stored only when there are abnormally consecutive defects even outside the inspection target area (S 18 ).

第10図は第9図における欠陥アドレスの連続
性チエツクの手順をより詳しく示したものであ
る。これはまず欠陥が欠陥検出走査範囲の端部で
あるか否かの判断(S111)を行い、端部でなけれ
ばY方向の連続性をチエツク(S114)し、次いで
X方向の連続性をチエツク(S115)する。これに
対し欠陥検出走査範囲の端部であると、これに隣
接する欠陥検出走査範囲との間で欠陥が連続して
いる可能性を考慮しなければならない。そこで、
端部欠陥アドレスをメモリ(S112)し、次の欠陥
検出走査の端部をチエツク(S113)してその連続
性いかんを確認する。
FIG. 10 shows in more detail the procedure for checking the continuity of defective addresses in FIG. 9. First, it is determined whether the defect is at the edge of the defect detection scanning range (S 111 ), and if it is not, the continuity in the Y direction is checked (S 114 ), and then the continuity in the X direction is checked (S 114). Check (S 115 ). On the other hand, at the end of the defect detection scanning range, consideration must be given to the possibility that defects are continuous between the adjacent defect detection scanning range. Therefore,
The end defect address is memorized ( S112 ), and the end of the next defect detection scan is checked ( S113 ) to confirm its continuity.

この欠陥連続性の検出により被検査物パターン
の周囲近傍まで検査範囲を広げることができる。
By detecting this defect continuity, the inspection range can be expanded to the vicinity of the periphery of the pattern of the object to be inspected.

第11図a,bは本発明方法で検査する対象物
5の例を示したもので、同図aはICマスク、同
図bはシヤドウマスクの場合である。ICマスク
の場合、検査対象物パターンAは円形であり、こ
の円の内部に破線で示した正方形状の領域指定線
Bを設定する。またシヤドウマスクの場合はパタ
ーン部AはCRT映像面形状であり、その内部に
矩形状の領域指定線Bを設定する。
FIGS. 11a and 11b show examples of the object 5 to be inspected by the method of the present invention, where a is an IC mask and FIG. 11b is a shadow mask. In the case of an IC mask, the inspection object pattern A is circular, and a square area designation line B indicated by a broken line is set inside this circle. In the case of a shadow mask, the pattern portion A has the shape of a CRT image plane, and a rectangular area designation line B is set inside the pattern portion A.

本発明は上述のように、第1の被検査物をレー
ザ光回折パターン空間周波数フイルタリング方式
の光学系における光軸に直角な平面内でX方向、
Y方向に移動してアドレス検出しつつ被検査物全
面の欠陥検出走査を行い、次いで第2以降の被検
査物についても同様に欠陥検出走査を行い、1枚
目パターンの欠陥座標を中心にした3×3の座標
範囲について2枚目以降のパターンとの比較を行
い共通欠陥を検出するようにしたため、検出対象
を限定して見逃しが少なくしかも能率の良い共通
欠陥検査を行うことができる。共通欠陥はロツト
アウト等の重大な問題に発展する可能性が高いも
のであり、共通欠陥を確実に検出し得ることは製
造技術上極めて有利である。
As described above, the present invention allows a first object to be inspected to be inspected in the X direction within a plane perpendicular to the optical axis in an optical system using a laser beam diffraction pattern spatial frequency filtering method.
While moving in the Y direction and detecting the address, defect detection scanning is performed on the entire surface of the object to be inspected, and then defect detection scanning is performed in the same way on the second and subsequent objects to be inspected, and the defect coordinates of the first pattern are centered. Since common defects are detected by comparing the 3×3 coordinate range with the second and subsequent patterns, it is possible to limit the detection target and perform common defect inspection efficiently with fewer oversights. Common defects are highly likely to develop into serious problems such as rotout, and being able to reliably detect common defects is extremely advantageous in terms of manufacturing technology.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に用いる空間フイルタリング空
間周波数方式による欠陥検査装置の光学系構成を
示す図、第2図は検査対象の一例として規則的に
単位矩形開口が配列されたパターンを示した図、
第3図A乃至Dは第2図のパターンにおける欠陥
の例を示した図、第4図は本発明に係る装置の欠
陥信号および走査信号の検出系を示す図、第5図
は本発明の一実施例を示す図、第6図および第7
図は上記一実施例における欠陥検出のための走査
動作の説明図、第8図は本発明方法の手順を示す
フローチヤート、第9図、第10図は第8図に示
す手順と組合わせて行い得る手順を示すフローチ
ヤート、第11図a,bは本発明方法で検査する
対象物の例を示す説明図である。 1……レーザ発振器、3……コリメータ、5…
…被検査物、8……空間周波数フイルタ、11…
…光検査器、15……欠陥検出ユニツト、16…
…欠陥認識システム。S……センサ、M……マー
カ。
Fig. 1 is a diagram showing the optical system configuration of a defect inspection device using the spatial filtering spatial frequency method used in the present invention, and Fig. 2 is a diagram showing a pattern in which unit rectangular openings are regularly arranged as an example of the inspection target. ,
3A to 3D are diagrams showing examples of defects in the pattern of FIG. 2, FIG. 4 is a diagram illustrating a defect signal and scanning signal detection system of the apparatus according to the present invention, and FIG. Figures 6 and 7 showing one embodiment
The figure is an explanatory diagram of the scanning operation for detecting defects in the above embodiment, FIG. 8 is a flowchart showing the procedure of the method of the present invention, and FIGS. A flowchart showing possible procedures, and FIGS. 11a and 11b are explanatory drawings showing examples of objects to be inspected by the method of the present invention. 1... Laser oscillator, 3... Collimator, 5...
...Object to be inspected, 8...Spatial frequency filter, 11...
...Optical inspection device, 15... Defect detection unit, 16...
...defect recognition system. S...Sensor, M...Marker.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 単位開口が規則的に配列されてなるパターン
をレーザ光回析パターン空間周波数フイルタリン
グ方式の光学系に配して逆フーリエ変換像を取出
し、この変換像により前記パターンの欠陥を検出
する方法において、製造ラインで製造された第1
の被検査物を前記光学系における光軸に直角な平
面内でX方向、Y方向に移動してアドレス検出し
つつ前記被検査物全面の欠陥検出走査を行い、次
いで製造ラインで製造された第2の被検査物を前
記第1の被検査物におけると同様に欠陥検出走査
し、前記第1の被検査物についての検査で得られ
た欠陥座標を中心にした所定の座標範囲につき前
記第2の被検査物の検査結果との比較を行つて共
通欠陥を検出するようにしたことを特徴とする規
則性パターンの共通欠陥検出方法。 2 特許請求の範囲第1項記載の方法において、
前記所定の座標範囲は3×3の座標範囲である規
則性パターンの共通欠陥検出方法。 3 特許請求の範囲第1項または第2項記載の方
法において、前記第1または第2の被検査物の欠
陥検出走査は欠陥の連続性についての検出によつ
て、パターン周囲情報と欠陥情報との判別を可能
とした規則性パターンの共通欠陥検出方法。
[Scope of Claims] 1. A pattern in which unit apertures are regularly arranged is placed in an optical system using a laser beam diffraction pattern spatial frequency filtering method to obtain an inverse Fourier transform image, and this transform image is used to determine the shape of the pattern. In the method of detecting defects, the first
The object to be inspected is moved in the X and Y directions within a plane perpendicular to the optical axis of the optical system, and the entire surface of the object to be inspected is scanned for defects while detecting the address. The second inspected object is scanned for defect detection in the same manner as the first inspected object, and the second 1. A method for detecting common defects in a regular pattern, characterized in that common defects are detected by comparing the inspection results of an object to be inspected. 2. In the method described in claim 1,
The predetermined coordinate range is a regular pattern common defect detection method, wherein the predetermined coordinate range is a 3×3 coordinate range. 3. In the method according to claim 1 or 2, the defect detection scan of the first or second object to be inspected is performed to detect pattern surrounding information and defect information by detecting continuity of defects. A common defect detection method for regular patterns that enables the identification of
JP4114682A 1982-03-16 1982-03-16 Common defect detecting method of regular pattern Granted JPS58158923A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4114682A JPS58158923A (en) 1982-03-16 1982-03-16 Common defect detecting method of regular pattern

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4114682A JPS58158923A (en) 1982-03-16 1982-03-16 Common defect detecting method of regular pattern

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58158923A JPS58158923A (en) 1983-09-21
JPH0115001B2 true JPH0115001B2 (en) 1989-03-15

Family

ID=12600269

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4114682A Granted JPS58158923A (en) 1982-03-16 1982-03-16 Common defect detecting method of regular pattern

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58158923A (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5472975A (en) * 1977-11-24 1979-06-11 Hitachi Ltd Mask inspecting method
JPS5546161A (en) * 1978-09-28 1980-03-31 Kawasaki Steel Corp Detection method for flaw on surface of steel material
JPS5741145A (en) * 1980-08-21 1982-03-08 Kanetsuu Kogyo Kk Magnetic chuck

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5472975A (en) * 1977-11-24 1979-06-11 Hitachi Ltd Mask inspecting method
JPS5546161A (en) * 1978-09-28 1980-03-31 Kawasaki Steel Corp Detection method for flaw on surface of steel material
JPS5741145A (en) * 1980-08-21 1982-03-08 Kanetsuu Kogyo Kk Magnetic chuck

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58158923A (en) 1983-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3566470B2 (en) Pattern inspection method and apparatus
US4912487A (en) Laser scanner using focusing acousto-optic device
US4886958A (en) Autofocus system for scanning laser inspector or writer
US5095447A (en) Color overlay of scanned and reference images for display
US4985927A (en) Method of detecting and reviewing pattern defects
US5018210A (en) Pattern comparator with substage illumination and polygonal data representation
JP2733206B2 (en) Method and apparatus for correcting distortion in an automatic optical inspection device for printed circuit boards
US4218142A (en) Mask analysis
US5001764A (en) Guardbands for pattern inspector
EP2515071B1 (en) Shape measurement device
US5027132A (en) Position compensation of laser scan for stage movement
JPH04105341A (en) Method and equipment for detecting bending and floating of lead of semiconductor device
US5018212A (en) Defect area consolidation for pattern inspector
KR960013357B1 (en) Image data inspecting method and apparatus
US4979223A (en) Data handling system for pattern inspector or writer
US4989255A (en) Expansion of compact database for pattern inspector or writer
JP2005195361A (en) Measuring method for line-and-space pattern using scanning electron microscope
JP3721983B2 (en) Defect inspection method for 3D shape
US5046110A (en) Comparator error filtering for pattern inspector
US5592211A (en) Laser pattern/inspector with a linearly ramped chirp deflector
JP5136108B2 (en) 3D shape measuring method and 3D shape measuring apparatus
JPH0115001B2 (en)
US4984282A (en) Parallel processing of reference and guardband data
JP2003315014A (en) Inspection method and inspection device
JPS646681B2 (en)