JPH01149468U - - Google Patents
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- JPH01149468U JPH01149468U JP4632588U JP4632588U JPH01149468U JP H01149468 U JPH01149468 U JP H01149468U JP 4632588 U JP4632588 U JP 4632588U JP 4632588 U JP4632588 U JP 4632588U JP H01149468 U JPH01149468 U JP H01149468U
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- Japan
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- compound semiconductor
- single crystal
- quartz boat
- semiconductor single
- quartz
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
第1図は本考案の化合物半導体製造装置の一実
施例を示す石英アンプル、石英ボートおよび変形
防止治具の配置を示す断面図、第2図は変形防止
治具の断面図である。 1:石英アンプル、2:石英ボート、3:変形
防止治具、4,5:可動連結部、6:GaAs融
液。
施例を示す石英アンプル、石英ボートおよび変形
防止治具の配置を示す断面図、第2図は変形防止
治具の断面図である。 1:石英アンプル、2:石英ボート、3:変形
防止治具、4,5:可動連結部、6:GaAs融
液。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 1 化合物半導体の一方の構成元素と種結晶を入
れた石英ボートを他方の構成元素と共に石英アン
プルに封入して前記化合物半導体の単結晶を育成
する化合物半導体単結晶製造装置において、前記
石英ボートの外側に、該石英ボートと相似の形状
を有し底部に該底部を可動自在とする可動連結部
を具え前記石英ボートを補強して熱変形を抑止す
る変形防止治具が設けてあることを特徴とする化
合物半導体単結晶製造装置。 2 前記変形防止治具は、炭化珪素(SiC)、
窒化アルミニウム(AlN)、窒化珪素(Si3
N4)よりなる耐熱性セラミツクスを用いるもの
である実用新案登録請求の範囲第1項記載の化合
物半導体単結晶製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4632588U JPH069024Y2 (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 化合物半導体単結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4632588U JPH069024Y2 (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 化合物半導体単結晶製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01149468U true JPH01149468U (ja) | 1989-10-17 |
JPH069024Y2 JPH069024Y2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=31272595
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4632588U Expired - Lifetime JPH069024Y2 (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 化合物半導体単結晶製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH069024Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-04-06 JP JP4632588U patent/JPH069024Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH069024Y2 (ja) | 1994-03-09 |
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