JPH01147304A - Evaluating device for light emission point position - Google Patents

Evaluating device for light emission point position

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JPH01147304A
JPH01147304A JP30610487A JP30610487A JPH01147304A JP H01147304 A JPH01147304 A JP H01147304A JP 30610487 A JP30610487 A JP 30610487A JP 30610487 A JP30610487 A JP 30610487A JP H01147304 A JPH01147304 A JP H01147304A
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JP
Japan
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semiconductor laser
stage
laser element
actuator
optical
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JP30610487A
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Japanese (ja)
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Takeshi Yamawaki
健 山脇
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

PURPOSE:To obtain the device which detects the position of the light emission point of a semiconductor laser in three dimensions with high accuracy by detecting an optical axis deviation and defocusing by using two four-division photodetectors and driving a stage and an actuator with their signals. CONSTITUTION:Light from a semiconductor laser element 3 on a sample table 4 is entered an optical box 19 on the XY stage 17. A collimator lens 12 and the actuator 13 which drives it are provided in the optical box 19, and the two four-division photodetectors 14 and 26 are provided across the optical system composed of total reflection mirrors 20 and 21, a half-mirror 22, and lenses 23-25. Then the outputs of those two four-division photodetectors 14 and 26 are inputted to a signal processing circuit 15 to detect the optical axis deviation and defocusing of the semiconductor laser element 3, and the XY stage 17 and actuator 13 are driven and controlled according to the detected values in such a direction that the deviation and defocusing are eliminated.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体レーザ素子の発光点の位置を検出する評
価装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an evaluation device for detecting the position of a light emitting point of a semiconductor laser element.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体レーザ素子を光源として用いる応用光学系では、
その発光点の位置を光軸に一致させなければならない。
In applied optical systems that use semiconductor laser elements as light sources,
The position of the light emitting point must be aligned with the optical axis.

例えばコンパクトディスク等のピックアップ光学系では
、その小型化、量産化のために、半導体レーザ素子はパ
ッケージを所定の位置にはめ込むだけで、光軸合わせは
無調整でなければならない。このため、半導体レーザ素
子の発光点をパッケージの中心に±50μm程度の精度
で組み立てる技術とそれを評価する装置が必要となる。
For example, in a pickup optical system for a compact disk or the like, in order to miniaturize and mass-produce the semiconductor laser element, the package must be simply inserted into a predetermined position, and the optical axis must be aligned without adjustment. Therefore, a technique for assembling the light emitting point of the semiconductor laser element at the center of the package with an accuracy of approximately ±50 μm and an apparatus for evaluating it are required.

第5図は従来の装置を示す構成図であり、第6図は半導
体レーザ素子3を示す説明図である。次に、この装置を
用いて発光点の位置を評価する方法について述べる。こ
の発光点位置評価方法は原始的で、顕微鏡1とマイクロ
メータ付X−Yステージ2を用いて測定を行なう。顕微
鏡1と直交したマイクロメータ付X−Yステージ2上の
試料台4に半導体レーザ素子3を固定する。半導体レー
ザ素子3のパッケージ外径寸法L1をマイクロメータで
測定し、パッケージの中心位置4を求める。
FIG. 5 is a configuration diagram showing a conventional device, and FIG. 6 is an explanatory diagram showing a semiconductor laser element 3. As shown in FIG. Next, a method for evaluating the position of a light emitting point using this device will be described. This light emitting point position evaluation method is primitive, and measurements are performed using a microscope 1 and an XY stage 2 with a micrometer. A semiconductor laser element 3 is fixed to a sample stage 4 on an X-Y stage 2 with a micrometer perpendicular to the microscope 1. The package outer diameter dimension L1 of the semiconductor laser element 3 is measured with a micrometer, and the center position 4 of the package is determined.

パッケージ内の発光点位置5は半導体レーザチップ6の
外形寸法から目視で求め、マイクロメータで測定する。
The light emitting point position 5 within the package is determined visually from the external dimensions of the semiconductor laser chip 6 and measured with a micrometer.

上記測定結果から、発光点位置5のバ・7ケ一ジ中心位
置からの位置ずれ量ΔX、ΔYを求める。なお、顕微鏡
1の中心軸りと試料台4の上面とは90度の角度θをな
す。
From the above measurement results, the positional deviation amounts ΔX and ΔY of the light emitting point position 5 from the center position of the bag 7 cage are determined. Note that the center axis of the microscope 1 and the top surface of the sample stage 4 form an angle θ of 90 degrees.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

従来の装置は以上のように構成されているので、半導体
レーザチップの発光点の位置は不正確で再現性が悪く、
測定に時間がかかっていた。また、この方法ではX−Y
ステージ2と垂直な方向の位置ずれは測定できない等の
問題があった。
Since the conventional device is configured as described above, the position of the light emitting point of the semiconductor laser chip is inaccurate and has poor reproducibility.
Measurement took time. Also, in this method, X-Y
There was a problem that the positional deviation in the direction perpendicular to the stage 2 could not be measured.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、半導体レーザ素子の発光点の位
置を3次元的に精度良く短時間で簡単に測定できる装置
を得ることにある。
The present invention has been made in view of these points, and its purpose is to provide a device that can easily measure the position of the light emitting point of a semiconductor laser element three-dimensionally with high accuracy and in a short time. be.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

このような目的を達成するために本発明は、半導体レー
ザ素子を固定する試料台と、半導体レーザ素子を発光さ
せる駆動電源と、半導体レーザ素子のレーザ光を取り込
む光学箱と、この光学箱と試料台の相対位置を変えるス
テージと、信号処理回路と、ステージ駆動部と、アクチ
ュエータ制御部とを備え、光学箱にはアクチュエータと
コリメータレンズと第1および第2の4分割光検知器と
少なくとも1個以上の全反射ミラー、ハーフミラ−、シ
リンドリカルレンズ、平凸レンズとを設け、信号処理回
路は第1および第2の4分割光検知器の信号を処理し、
ステージ駆動部およびアクチュエータ制御部は信号処理
回路の出力に基づいて出力するようにしたものである。
In order to achieve such an object, the present invention provides a sample stage for fixing a semiconductor laser device, a drive power source for causing the semiconductor laser device to emit light, an optical box for taking in the laser light from the semiconductor laser device, and a system for combining the optical box and the sample. The optical box includes an actuator, a collimator lens, first and second 4-split photodetectors, and at least one optical box. The above-mentioned total reflection mirror, half mirror, cylindrical lens, and plano-convex lens are provided, and the signal processing circuit processes the signals of the first and second 4-split photodetectors,
The stage drive section and the actuator control section are configured to output based on the output of the signal processing circuit.

〔作用〕[Effect]

本発明による発光点位置評価装置においては、第1の4
分割光検知器により発光点の光軸ずれに相当する信号を
検出し、第2の4分割光検知器により発光点の焦点ずれ
に相当する信号および微小な光軸ずれに相当する信号を
検出する。ステージおよびアクチュエータを移動して上
記光軸ずれおよび焦点ずれに相当する信号が最小になる
ようにすることにより、発光点の光軸合わせと焦点合わ
せを行なうことができる。
In the light emitting point position evaluation device according to the present invention, the first four
A split photodetector detects a signal corresponding to the optical axis shift of the light emitting point, and a second 4-split photodetector detects a signal corresponding to the focal shift of the light emitting point and a signal corresponding to a minute optical axis shift. . By moving the stage and actuator so that the signals corresponding to the optical axis deviation and focal deviation are minimized, the optical axis and focus of the light emitting point can be aligned.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明に係わる発光点位置評価装置の一実施例を
図を用いて説明する。第1図は、本実施例の全体構成を
示す構成図である。第1図において、3は半導体レーザ
素子、4は半導体レーザ素子3を固定する試料台、11
は半導体レーザ素子の駆動電源であり、本実施例では駆
動電源11として定光出力駆動するためにA P C(
AutomaticPower Control)電源
を用いている。12はレーザ光を平行光にするためのコ
リメータレンズ、13はコリメータレンズ12を光軸方
向に移動するアクチュエータ、14はレーザ光を検出す
る4分割光検知器、15は4分割光検知器の出力信号を
演算処理し、発光点の光軸および焦点ずれを補正するた
めの信号処理回路、16はアクチュエータ制御部、17
は光学箱19を光軸方向に対し垂直面内に移動するX−
Yステージである。なお、光学箱19の光学系は光学箱
側面から見た場合の光学系である。18は信号処理回路
15によりx−yステージ17を駆動するX−Yステー
ジ駆動部である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a light emitting point position evaluation device according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing the overall structure of this embodiment. In FIG. 1, 3 is a semiconductor laser device, 4 is a sample stage for fixing the semiconductor laser device 3, and 11
is a driving power source for the semiconductor laser element, and in this embodiment, A P C (
AutomaticPower Control) power supply is used. 12 is a collimator lens for collimating the laser beam, 13 is an actuator that moves the collimator lens 12 in the optical axis direction, 14 is a 4-split photodetector that detects the laser beam, and 15 is the output of the 4-split photodetector. a signal processing circuit for calculating the signal and correcting the optical axis and focus shift of the light emitting point; 16 is an actuator control unit; 17
moves the optical box 19 in a plane perpendicular to the optical axis direction
This is stage Y. Note that the optical system of the optical box 19 is the optical system when viewed from the side of the optical box. Reference numeral 18 denotes an X-Y stage drive unit that drives the x-y stage 17 by the signal processing circuit 15.

第2図は、第1図の光学箱19を上面から見た場合の光
学系の構成を示す構成図である。第2図において、コリ
メータレンズ12で平行光にされたレーザ光は全反射ミ
ラー20で全反射し、ビームスプリッタ22で透過光と
反射光とに分離される。反射光は第2の全反射ミラー2
1で全反射し、平凸レンズ25により大面積の第1の4
分割光検知器26上へ集光される。一方、ビームスプリ
ンタ22の透過光は小面積の第2の4分割光検知器14
に対して45度傾けたシリンドリカルレンズ23と平凸
レンズ24により小面積の4分割光検知器14へ集光さ
れる。第2図のように構成された各光学部品は光軸が一
致するように配置され、コリメータレンズ12の焦点位
置に光源が置かれたときには、集光スポットが4分割光
検知器14および26の中心に集光されるように設計さ
れている。
FIG. 2 is a configuration diagram showing the configuration of the optical system when the optical box 19 of FIG. 1 is viewed from above. In FIG. 2, laser light that has been made into parallel light by a collimator lens 12 is totally reflected by a total reflection mirror 20, and is separated into transmitted light and reflected light by a beam splitter 22. The reflected light passes through the second total reflection mirror 2
1, and the plano-convex lens 25 causes a large area of the first 4
The light is focused onto a split photodetector 26. On the other hand, the transmitted light of the beam splinter 22 is transmitted to a second 4-split photodetector 14 with a small area.
A cylindrical lens 23 and a plano-convex lens 24 tilted at 45 degrees relative to each other converge the light onto a small-area four-part photodetector 14. Each of the optical components configured as shown in FIG. Designed to focus light at the center.

第3図に4分割光検知器26による信号処理の原理図、
第4図fa)〜fc)に4分割光検知器14による信号
処理の原理図を示す。第3図において、27は光軸ずれ
している時の4分割光検知器26上の集光スポットであ
る。第4図において、28は光軸調整後に焦点ずれして
いる場合の4分割光検知器14上の光スポツトダイヤグ
ラムである。
FIG. 3 shows a diagram of the principle of signal processing by the 4-split photodetector 26.
FIGS. 4 fa) to fc) illustrate the principle of signal processing by the four-split photodetector 14. In FIG. 3, reference numeral 27 indicates a focal spot on the four-split photodetector 26 when the optical axis is shifted. In FIG. 4, reference numeral 28 is a light spot diagram on the four-split photodetector 14 when the focus is out of focus after the optical axis adjustment.

次に、上記実施例の動作について説明する。アクチュエ
ータ13が原点位置に静止している時、発光点がコリメ
ータレンズ12の焦点位置から光軸方向にΔZ、光軸方
向と垂直の面内のX、Y軸方向にΔX、ΔYだけ変位し
ているとする。ここで、ΔX、ΔY、ΔZは、半導体レ
ーザ素子3のパッケージ中心位置4(第6図参照)に対
する発光点の位置ずれ量(最終的に測定する(Iff)
とする。
Next, the operation of the above embodiment will be explained. When the actuator 13 is stationary at the origin position, the light emitting point is displaced from the focal position of the collimator lens 12 by ΔZ in the optical axis direction, and by ΔX and ΔY in the X and Y axis directions in a plane perpendicular to the optical axis direction. Suppose there is. Here, ΔX, ΔY, and ΔZ are the amount of positional deviation (finally measured (Iff)) of the light emitting point with respect to the package center position 4 of the semiconductor laser element 3 (see FIG. 6).
shall be.

即ち、本装置の測定開始状態における原点位置ではパッ
ケージの中心位置4は上記コリメータレンズ12の焦点
位置に一致させである。半導体レーザ素子3を3mW程
度の光出力で定出力駆動し、コリメータレンズ12に入
射したレーザ光は全反射ミラー20、ハーフミラ−22
を経由し、平凸レンズ25で大面積の4分割光検知器2
6上に集光される。第3図に示すように、その光強度分
布は27a、27b、27c、27dに対応して4分割
された光検知器によりIf、12.’13.14の4つ
の信号に分けられ、隣接した検知器の和信号(11+1
2)と(13+14)の差(II+12)−(13+1
4)および(rl++4)と(12+13)の差(I 
1+14)−(12+i)を信号処理回路15で求める
ことにより、光軸ずれ(ΔX、ΔY)に対応した量が検
出される。従って、(11+12) −(13+14)
および(11+l4)−(12+13)の2つの値が最
小になるようにX−Yステージ17をx−Yステージ駆
動部としてのパルスモータ18で駆動することにより光
軸ずれ(ΔX、ΔY)の修正を行なう。
That is, at the origin position in the measurement start state of this apparatus, the center position 4 of the package is aligned with the focal position of the collimator lens 12. The semiconductor laser element 3 is driven at a constant optical output of about 3 mW, and the laser light incident on the collimator lens 12 is reflected by a total reflection mirror 20 and a half mirror 22.
A large-area 4-split photodetector 2 is formed using a plano-convex lens 25.
The light is focused on 6. As shown in FIG. 3, the light intensity distribution is determined by the photodetectors divided into four parts corresponding to 27a, 27b, 27c, and 27d. '13.14 is divided into four signals, and the sum signal of adjacent detectors (11+1
2) and (13+14) (II+12) - (13+1
4) and the difference (I
By determining 1+14)-(12+i) in the signal processing circuit 15, the amount corresponding to the optical axis deviation (ΔX, ΔY) is detected. Therefore, (11+12) −(13+14)
The optical axis deviation (ΔX, ΔY) is corrected by driving the X-Y stage 17 with the pulse motor 18 as the x-Y stage drive unit so that the two values of (11+l4)-(12+13) Do this.

光軸調整されたレーザ光はハーフミラ−22を透過し、
シリンドリカルレンズ23、平凸レンズ24を通って小
面積の4分割光検知器14に集光される。その光強度分
布は28a、28b、28c、28dに対応して4分割
された光検知器により11,12,13.14の4つの
信号に分けられる。第4図(al〜(C1に示すように
、光軸方向のずれ(ΔZ)は4分割光検知器14上に光
スポ7)ダイヤグラムとして表われるので、対向する検
知器の和信号(11+13)と(+2+14)の差(1
1+13)−(12++4)を信号処理回路15で求め
ることにより焦点ずれの量(ΔZ)が検出される。第4
図(a)は焦点ずれの量ΔZが負の場合、(b)はΔZ
が略ゼロの場合、fc)はΔZが正の場合を示す。従っ
て、この(I 1+13)−(12+14)の値が最小
となるようにアクチュエータ制御部16の信号でアクチ
ュエータ13を光軸方向に動かせば焦点ずれを修正する
ことができる。
The laser beam whose optical axis has been adjusted passes through the half mirror 22,
The light passes through a cylindrical lens 23 and a plano-convex lens 24 and is focused on a small-area four-part photodetector 14. The light intensity distribution is divided into four signals 11, 12, 13, and 14 by a photodetector divided into four corresponding to 28a, 28b, 28c, and 28d. As shown in FIG. 4 (al~(C1), the deviation (ΔZ) in the optical axis direction appears as a diagram of the optical spot 7 on the 4-split photodetector 14), so the sum signal of the opposing detectors (11+13) The difference (1) between and (+2+14)
The amount of defocus (ΔZ) is detected by calculating 1+13)−(12++4) by the signal processing circuit 15. Fourth
Figure (a) shows that the amount of defocus ΔZ is negative, and (b) shows that ΔZ
When is approximately zero, fc) indicates the case where ΔZ is positive. Therefore, the focal shift can be corrected by moving the actuator 13 in the optical axis direction using a signal from the actuator control section 16 so that the value of (I1+13)-(12+14) is minimized.

さらに、小面積の4分割光検知器I4で再び光軸合わせ
の微調整を行ない、測定精度を上げる。
Furthermore, the optical axis alignment is again finely adjusted using the small-area 4-split photodetector I4 to improve measurement accuracy.

以上の操作により、X−Yステージ17の移動量および
アクチュエータ13の変位をX−Yステージ駆動部18
とアクチュエータ制御部16で出力すれば、半導体レー
ザ素子発光点の位置ずれ量を3次元に評価することがで
きる。
Through the above operations, the amount of movement of the X-Y stage 17 and the displacement of the actuator 13 can be controlled by the X-Y stage drive unit 18.
By outputting this from the actuator control unit 16, it is possible to three-dimensionally evaluate the amount of positional deviation of the light emitting point of the semiconductor laser element.

なお、上記実施例では光軸方向の焦点ずれの調整にアク
チュエータ13を用いているが、X−Yステージ17を
X−Y−Zステージに変更してもよい。
In the above embodiment, the actuator 13 is used to adjust the focal shift in the optical axis direction, but the XY stage 17 may be replaced by an XYZ stage.

また、上記実施例では光学箱19をX−Yステージ17
で移動しているが、半導体レーザ素子3を固定している
試料台4を移動してもよい。
Further, in the above embodiment, the optical box 19 is moved to the X-Y stage 17.
Although the sample stage 4 on which the semiconductor laser element 3 is fixed may be moved.

さらに、半導体レーザ素子3とコリメータレンズ12と
の間を光ファイバで結合すれば、半導体レーザ素子3の
位置・向きは光学箱19に対して何の制約も受けない等
の効果が生じる。そして、上記実施例では発光点の位置
の検出の場合について説明したが、本実施例は、光ファ
イバを用いた時に半導体レーザ素子のレーザ光を光ファ
イバに取り込むためのアライメントを行なう装置として
転用することもできる。
Furthermore, by coupling the semiconductor laser element 3 and the collimator lens 12 with an optical fiber, the position and orientation of the semiconductor laser element 3 are not subject to any restrictions with respect to the optical box 19. Although the above embodiment describes the case of detecting the position of a light emitting point, this embodiment can also be used as an alignment device for capturing laser light from a semiconductor laser element into an optical fiber when an optical fiber is used. You can also do that.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、光学箱と信号処理回路と
ステージとアクチュエータとを設けたことにより、半導
体レーザ素子の発光点の位置を基準点に対して3次元に
測定できるので、発光点の位置ずれ量を正確、短時間、
3次元に評価できる効果がある。
As explained above, the present invention includes an optical box, a signal processing circuit, a stage, and an actuator, so that the position of a light emitting point of a semiconductor laser element can be measured three-dimensionally with respect to a reference point. Accurately and quickly measure the amount of positional deviation.
There are effects that can be evaluated in three dimensions.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に係わる発光点位置評価装置の一実施例
を示す構成図、第2図は第1図の装置を構成する光学箱
を示す構成図、第3図および第4図は信号処理の原理を
説明するための説明図、第5図は従来の装置を示す構成
図、第6図は従来装置における発光点位置評価方法を説
明するだめの説明図である。 3・・・半導体レーザ素子、4・・・試料台、11・・
・APC電源、12・・・コリメータレンズ、13・・
・アクチュエータ、14.26・・・4分割光検知器、
15・・・信号処理回路、16・・・アクチュエータ制
御部、17・・・X−Yステージ、18・・・X−Yス
テージ駆動部、19・・・光学箱、20.21・・・全
反射ミラー、22・・・ビームスプリフタ、23・・・
シリンドリカルレンズ、24.25・・・平凸レンズ。
Fig. 1 is a block diagram showing an embodiment of a light emitting point position evaluation device according to the present invention, Fig. 2 is a block diagram showing an optical box constituting the device of Fig. 1, and Figs. 3 and 4 are signal FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining the principle of processing, FIG. 5 is a configuration diagram showing a conventional device, and FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining a light emitting point position evaluation method in the conventional device. 3... Semiconductor laser element, 4... Sample stage, 11...
・APC power supply, 12...Collimator lens, 13...
・Actuator, 14.26...4-split photodetector,
15...Signal processing circuit, 16...Actuator control unit, 17...X-Y stage, 18...X-Y stage drive unit, 19...Optical box, 20.21...All Reflection mirror, 22...Beam splitter, 23...
Cylindrical lens, 24.25... plano-convex lens.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 半導体レーザ素子を固定する試料台と、前記半導体レー
ザ素子を発光させる駆動電源と、前記半導体レーザ素子
のレーザ光を取り込む光学箱と、この光学箱と前記試料
台の相対位置を変えるステージと、信号処理回路と、ス
テージ駆動部と、アクチュエータ制御部とを備え、前記
光学箱はアクチュエータとコリメータレンズと第1およ
び第2の4分割光検知器と少なくとも1個以上の全反射
ミラー、ハーフミラー、シリンドリカルレンズ、平凸レ
ンズとを有し、前記信号処理回路は前記第1および第2
の4分割光検知器の信号を処理し、前記ステージ駆動部
およびアクチュエータ制御部は前記信号処理回路の出力
に基づいて出力することを特徴とする発光点位置評価装
置。
A sample stage for fixing a semiconductor laser element, a driving power source for causing the semiconductor laser element to emit light, an optical box for taking in the laser light from the semiconductor laser element, a stage for changing the relative position of the optical box and the sample stage, and a signal. The optical box includes a processing circuit, a stage drive unit, and an actuator control unit, and the optical box includes an actuator, a collimator lens, first and second 4-split photodetectors, and at least one total reflection mirror, half mirror, or cylindrical mirror. and a plano-convex lens, and the signal processing circuit includes the first and second lenses.
A light emitting point position evaluation device characterized in that the stage driving section and the actuator control section output signals based on the output of the signal processing circuit.
JP30610487A 1987-12-02 1987-12-02 Evaluating device for light emission point position Pending JPH01147304A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH063125A (en) * 1992-06-19 1994-01-11 Agency Of Ind Science & Technol Optical type displacement meter
JP2015119134A (en) * 2013-12-20 2015-06-25 パナソニックIpマネジメント株式会社 Electronic component mounting system, electronic component mounting method and electronic component mounting device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH063125A (en) * 1992-06-19 1994-01-11 Agency Of Ind Science & Technol Optical type displacement meter
JP2015119134A (en) * 2013-12-20 2015-06-25 パナソニックIpマネジメント株式会社 Electronic component mounting system, electronic component mounting method and electronic component mounting device

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