JPH01146142A - Two-beam semiconductor laser device - Google Patents

Two-beam semiconductor laser device

Info

Publication number
JPH01146142A
JPH01146142A JP62303344A JP30334487A JPH01146142A JP H01146142 A JPH01146142 A JP H01146142A JP 62303344 A JP62303344 A JP 62303344A JP 30334487 A JP30334487 A JP 30334487A JP H01146142 A JPH01146142 A JP H01146142A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
semiconductor laser
emitted
recording
intensity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62303344A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Morihiro Karaki
唐木 盛裕
Yasuyuki Sato
泰幸 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP62303344A priority Critical patent/JPH01146142A/en
Publication of JPH01146142A publication Critical patent/JPH01146142A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To separatedly monitor each output intensity and to relax the arrangement precision of each element by using a face light emission type semiconductor laser in either of semiconductor laser arrays. CONSTITUTION:One array of a two-beam semiconductor laser 34 consists of the face light emission type semiconductor laser, and a first light intensity monitor photodetector 35 is arranged to face the surface of the two-beam semiconductor laser 34 and a second light intensity monitor photodetector 36 is arranged at right angles to this surface. The light intensity of one light beam 2 is monitored by light 42 emitted in the direction perpendicular to forward emitted light 2 and 3, and backward emitted light 43 is used to monitor the light intensity of the other light beam 3. Thus, light intensities of the reproducing light beam 2 and the recording light beam 3 are monitored and are controlled, and the adjustment of light intensity monitor photodetectors 35 and 36 is facilitated.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光学式情報記録媒体への情報の記録、再生
消去を行う光記録再生装量に供用するための2ビーム半
導体レーザ装置に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a two-beam semiconductor laser device for use in an optical recording and reproducing device for recording, reproducing and erasing information on an optical information recording medium. It is.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来より、光学的手段、特にレーザビームを用いて、回
転するディスク形状の情報記録媒体に、同心円状または
螺旋状に情報を記録、再生する光記録再生族fはよく知
られている。この独の装置は、磁気ディスク装置に比べ
て高密度記録が可能であり、記録容量が大きいという利
点がある。しかし、一方では、磁気ディスクに比べて情
報記録媒体の欠陥が多いので、特に、記録された情報の
信頼性を確保するための機能を必要としている。
BACKGROUND ART The optical recording/reproducing family f, which records and reproduces information concentrically or spirally on a rotating disk-shaped information recording medium using optical means, particularly a laser beam, is well known. This German device has the advantage of being capable of higher density recording and larger recording capacity than magnetic disk devices. However, on the other hand, since information recording media have more defects than magnetic disks, they especially require a function to ensure the reliability of recorded information.

このため、情報が記録された情報記録媒体を1回転させ
て再生信号を検出し、情報記録欠陥の有無を判定する方
法が考えられるが、これには欠陥検出のために1回転分
り〕時間を要する欠点がある。
For this reason, one possible method is to rotate the information recording medium on which information is recorded once and detect the reproduced signal to determine the presence or absence of an information recording defect. There are some drawbacks.

これを防ぐため、近年、実時間で再生信号を検出できる
光記録再生装置が提案されている。
To prevent this, in recent years, optical recording and reproducing devices that can detect reproduced signals in real time have been proposed.

また、同様にして、情報記録媒体に記録された情報を消
去し、さらに新しい情報を記録する場合、情報記録媒体
の1回転のうちに情報の消去と記録ができる光記録再生
装置も考えられている。
Similarly, when erasing information recorded on an information recording medium and recording new information, an optical recording/reproducing device that can erase and record information in one rotation of the information recording medium has also been considered. There is.

これらは、2つもしくはそれ以上の光スポットを同時に
情報記録媒体に照射する光記録再生装置であり、この種
の光記録再生装置には、通常、2つの発光領域を有する
2ビーム半導体レーザが用いられる。
These are optical recording and reproducing devices that simultaneously irradiate an information recording medium with two or more light spots, and this type of optical recording and reproducing device usually uses a two-beam semiconductor laser that has two light emitting regions. It will be done.

第3図は、例えば「光メモリシンポジウム85」論文集
の107〜112ページに記載された光記録再生装置で
あり、実時間で記録情報を再生できるタイプのものであ
る。図において、2つの発光源を有する2ビーム半導体
レーザ(1)は、第4図に示すようK、互いに平行な記
録用ビーム(2)と再生用ビーム(3)を出射する。2
ビーム半導体レーザ(1)のビーム出射側にはコリメー
タレンズ(4)が配置され、偏光ビームスプリッタ(5
)がコリメータレンズ(4)を通過したビームを受光す
るように配置されている。
FIG. 3 shows an optical recording and reproducing apparatus described, for example, on pages 107 to 112 of the ``Optical Memory Symposium 85'' collection of papers, and is of a type that can reproduce recorded information in real time. In the figure, a two-beam semiconductor laser (1) having two light emitting sources emits a recording beam (2) and a reproducing beam (3) that are parallel to each other as shown in FIG. 2
A collimator lens (4) is arranged on the beam output side of the beam semiconductor laser (1), and a polarizing beam splitter (5) is arranged on the beam output side of the beam semiconductor laser (1).
) is arranged to receive the beam that has passed through the collimator lens (4).

反射ミラー(6)は偏光ビームスプリッタ(5)を透過
したビームを上方に向け、その光路に1/4波長板(7
)、対物レンズ(8)が配置されている。情報記録媒体
(9)は対物レンズ(8)に近接して配置されている。
The reflecting mirror (6) directs the beam transmitted through the polarizing beam splitter (5) upward, and a quarter-wave plate (7) is placed in the optical path.
) and an objective lens (8) are arranged. The information recording medium (9) is placed close to the objective lens (8).

情報記録媒体(9)の情報記録方向に沿って案内溝(1
o)が形成されており、この案内溝(1o)に沿って照
射される各ビーム(2)および(3)によって記録用ス
ボツ) (11)および再生用スボッ) (12)がそ
れぞれ形成される。
A guide groove (1) is formed along the information recording direction of the information recording medium (9).
o) is formed, and each beam (2) and (3) irradiated along this guide groove (1o) forms a recording slot (11) and a playback slot (12), respectively. .

偏光ビームスプリッタ(5)の側方には、偏光ビームス
プリッタ(5)で反射されたビームを反射光と透過光に
分割するハーフプリズム(13)が配置されており、さ
らに2つの受光面(14a)および(14b)を有しハ
ーフプリズム(13)を透過したビームを受光する2分
割光検知器(14)が配置されている。
A half prism (13) is arranged on the side of the polarizing beam splitter (5) to split the beam reflected by the polarizing beam splitter (5) into reflected light and transmitted light, and two light receiving surfaces (14a ) and (14b), and a two-split photodetector (14) that receives the beam transmitted through the half prism (13) is arranged.

凸レンズ(15)はハーフプリズム(13)で反射され
たビームを収束する。ピンホールミラー(16)は凸レ
ンズ(15)からのビームのうち再生用ビーム(3)の
みを通過させるピンホール(17)を有している。この
ピンホール(17)を通過した再生用ビーム(3)はハ
ーフプリズム(18)で分割される。ハーフプリズム(
18)を透過した再生用ビーム(3)の光路上にはナイ
フェツジ(19)が配tされており、2つの受光面(2
0a)、(20b)を有する2分割光検知器(20)は
、ナイフェツジ(19)を介して再生用ビーム(3)を
受光する。
The convex lens (15) converges the beam reflected by the half prism (13). The pinhole mirror (16) has a pinhole (17) through which only the reproduction beam (3) among the beams from the convex lens (15) passes. The reproduction beam (3) passing through this pinhole (17) is split by a half prism (18). Half prism (
A knife (19) is arranged on the optical path of the reproduction beam (3) that has passed through the reproducing beam (3), which has two light-receiving surfaces (2
A two-split photodetector (20) having 0a) and (20b) receives the reproducing beam (3) via the knife (19).

光検知器(21)は、ピンホールミラー(16)で反射
された記録用ビーム(2)を受光して記録用ビームのモ
ニタ信号(Elを発生する。光検知器(22)は、ハー
フプリズム(18)で反射された再生用ビーム(3)を
受光して再生出力(c)を発生する。回路(23)は、
光検知器(22)からの再生出力(c)から再生信号(
Dlを得るための再生信号検出回路である。
The photodetector (21) receives the recording beam (2) reflected by the pinhole mirror (16) and generates a recording beam monitor signal (El).The photodetector (22) is a half prism. The circuit (23) receives the reproduction beam (3) reflected by the circuit (18) and generates the reproduction output (c).
A reproduction signal (
This is a reproduction signal detection circuit for obtaining Dl.

記録信号発生回路(24)は、記録信号(A)をパルス
列として出力し、ドライバ回路(25)は、記録信号(
Alに基づいて2ビーム半導体レーザ(1)を駆動する
The recording signal generation circuit (24) outputs the recording signal (A) as a pulse train, and the driver circuit (25) outputs the recording signal (A) as a pulse train.
A two-beam semiconductor laser (1) is driven based on Al.

2分割光検知器(14)の出力信号(TS)を検出する
差動増幅器(26)には、各受光面(14a)および(
14b)からの出力信号が入力される。2分割光検知器
(2o)の出力信号(FS)を検出する差動増幅器(2
7)には、各受光面(20a)および(2ob)からの
出力信号が入力される。
The differential amplifier (26) that detects the output signal (TS) of the two-split photodetector (14) includes each light receiving surface (14a) and (
14b) is input. A differential amplifier (2o) detects the output signal (FS) of the two-split photodetector (2o).
7), output signals from each light receiving surface (20a) and (2ob) are input.

なお、2分割光検知器(14)および差動増幅器(26
)は、プッシュプル法と呼ばれる周知のトラッキングエ
ラー楡出光学系を構成し、ナイフェツジ(19)、2分
割光検知器(20)および差動増幅器(27)は、ナイ
フェツジ法と呼ばれる周知のフォーカシングエラー検出
光学系を構成している。
In addition, a two-split photodetector (14) and a differential amplifier (26)
) constitutes a well-known tracking error detection optical system called the push-pull method, and the Naifezi (19), two-split photodetector (20), and differential amplifier (27) constitute a well-known focusing error detection system called the Naifezi method. It constitutes a detection optical system.

算5図は悄鰻記録媒体(9)上のF錘用スポット(11
)および再生用スポット(12)を詳細に示している。
Figure 5 shows the spot for F weight (11) on the recording medium (9).
) and reproduction spot (12) are shown in detail.

なお、ここでは、各スポット(11)。In addition, each spot (11) is shown here.

(12)を案内溝(10)相互間に照射して記録、再生
する場合を示したが、案内溝(1o)上に記録。
(12) is irradiated between the guide grooves (10) to perform recording and reproduction, but recording is performed on the guide grooves (1o).

再生してもよい。図において、tは記録用スボッ) (
11)とこれに後行する再生用スポット(12)との間
隔、矢印は情報記録媒体(9)の回転移動方向である。
May be played. In the figure, t is the recording slot) (
11) and the following reproduction spot (12), the arrow indicates the rotational movement direction of the information recording medium (9).

ピット(28)は記録用スポット(11)によって情報
記録媒体(9)上に書き込まれる。
The pits (28) are written on the information recording medium (9) by the recording spots (11).

なお、2ビーム半導体レーザの素子を第4図に示したが
、2つの光ビームの強度を半導体レーザ後方出射光を用
いてモニタを行う場合、従来においては、第6図に示す
ような構成がとられていた。
Although the two-beam semiconductor laser element is shown in FIG. 4, when the intensity of two light beams is to be monitored using the rear emitted light of the semiconductor laser, conventionally the configuration shown in FIG. 6 is used. It had been taken.

第6図において、反射面(29a)、(29b)を有す
る光分離器ブロック(29)が2ビーム半導体レーザ(
1)に近接配置されており、半導レーザ(1)に近接配
置されており、半導レーザ(1)からの後方出射光(3
3a )、 (33b)を光検知器(30aL(30b
)でそれぞれモニタする。また、第7図に示すように、
前方出射光(32aL(32b)は活性層(31)から
前方へ出射する。
In FIG. 6, a light separator block (29) having reflective surfaces (29a) and (29b) is connected to a two-beam semiconductor laser (
The rear emitted light (3) from the semiconductor laser (1) is located close to the semiconductor laser (1).
3a), (33b) as a photodetector (30aL(30b)
) to monitor each. Also, as shown in Figure 7,
The forward emitted light (32aL (32b)) is emitted forward from the active layer (31).

次に、第3図〜第6図に示した従来装置の動作について
説明する。まず、第3図に示すような記録信号+Alが
発生すると、この記録信号(A)に基づいて2ビーム半
導体レーザ(1)が駆動される。2ビーム半導体レーザ
(1)から出射した記録用ビーム(2)および再生用ビ
ーム(3)は、コリメータレンズ(4)により平行ビー
ムとなり、偏光ビームスプリッタ(5)、反射ミラー(
6)、1/4波長板(7)および対物レンズ(8)を経
て情報記録媒体(9)に照射され、第5図に示すような
記録用スポラ) (11)および再生用スポット(12
)となる。
Next, the operation of the conventional device shown in FIGS. 3 to 6 will be explained. First, when a recording signal +Al as shown in FIG. 3 is generated, a two-beam semiconductor laser (1) is driven based on this recording signal (A). The recording beam (2) and the reproducing beam (3) emitted from the two-beam semiconductor laser (1) are turned into parallel beams by a collimator lens (4), and then passed through a polarizing beam splitter (5) and a reflecting mirror (
6), the information recording medium (9) is irradiated through the 1/4 wavelength plate (7) and the objective lens (8), and a recording spora (11) and a reproduction spot (12) as shown in FIG.
).

記録用スポラ) (11)は、記録信号図の記録情報(
例えばパルス幅)を含んでおり、これに応じた形状(B
lのピット(28)を情報記録媒体(9)上に順次形成
する。一方、記録用スポット(11)から距離tだけ後
行する再生用スポラ) (12)は、一定の光強度で駆
動されており、書込まれたピット(28)を距離tに対
応した時間tL (数μ秒)後に再生していく。すなわ
ち、記録用スポット(11)はピッ) (2B)を形成
すると同時に反射され、再生用スポット(12)は書き
込み後のピット(28)で反射される。
Recording Spora) (11) is the recording information of the recording signal diagram (
For example, pulse width), and the corresponding shape (B
1 pits (28) are sequentially formed on the information recording medium (9). On the other hand, the reproducing spora (12) that follows the recording spot (11) by a distance t is driven with a constant light intensity, and it moves the written pit (28) for a time tL corresponding to the distance t. (several microseconds) later, it will start playing. That is, the recording spot (11) is reflected at the same time as it forms the pit (2B), and the reproduction spot (12) is reflected at the pit (28) after writing.

このように、情報記録媒体(9)で反射された記録用ビ
ーム(2)および再生用ビーム(3)は、再び対物レン
ズ(8)および1/4波長板(7)を透過するが、1/
4波長板(7)を往復することによって偏光方向が90
’回転するため、偏光ビームスプリッタ(5)で反射さ
れる。
In this way, the recording beam (2) and the reproducing beam (3) reflected by the information recording medium (9) pass through the objective lens (8) and the quarter-wave plate (7) again. /
By reciprocating the 4-wave plate (7), the polarization direction is changed to 90
'Because it rotates, it is reflected by the polarizing beam splitter (5).

続いて、各ビーム(2)および(3)はノ・−7プリズ
ム(13)で反射されるが、その一部はノ1−フプリズ
ム(13)を透過して後述するトラッキングエラー検出
光学系に入力され、情報記録媒体(9)に照射されるビ
ームのトラッキングエラー補正用に用いられる。
Next, each of the beams (2) and (3) is reflected by the No. 1-7 prism (13), but a part of it passes through the No. 1-7 prism (13) and is sent to the tracking error detection optical system, which will be described later. It is used for tracking error correction of the input beam and irradiated onto the information recording medium (9).

ハーフプリズム(13)で反射された各ビーム(2)。Each beam (2) reflected by a half prism (13).

(3)は、凸レンズ(15)で収束された後、記録用ビ
ーム(2)はピンホールミラー(16)で反射され、再
生用ビーム(3)はピンホール(17)を通過してノ・
−7プリズム(18)で反射される。なお、このとき、
再生用ビーム(3)の一部はノ1−7プリズム(18)
を透過して後述するフォーカシングエラー検出光学系に
入力され、情報記録媒体(9)に照射されるビームのフ
ォーカシングエラー補正用に用いられる。
In (3), after being converged by a convex lens (15), the recording beam (2) is reflected by a pinhole mirror (16), and the reproduction beam (3) passes through a pinhole (17).
It is reflected by the −7 prism (18). Furthermore, at this time,
Part of the reproduction beam (3) is the No. 1-7 prism (18)
The beam passes through the beam and is input to a focusing error detection optical system, which will be described later, and is used for correcting focusing errors of the beam irradiated onto the information recording medium (9).

ピンホールミラー(16)で反射された記録用ビーム(
2)は、光検知器(21)で受光されて記録信号図に対
応したパルス波形(E)として検出され、情報記録媒体
(9)および光路などの障害の有無の判定に用いられる
The recording beam (
2) is received by the photodetector (21) and detected as a pulse waveform (E) corresponding to the recorded signal diagram, which is used to determine the presence or absence of a failure in the information recording medium (9), optical path, etc.

一’IJ、ハーフプリズム(1B)で反射された再生用
ビーム(3)は、光検知器(22)で受光されて第5図
に示すようなピット(28)の形状(Blに対応した再
生出力(Qとして検出され、さらに、再生信号検出回路
(23)で波形処理されてパルス列状の再生信号(D)
として検出される。こうして得られた再生信号(Dlは
、記録信号(んと比較され、情報記録の欠陥の有無の判
定に用いられる。
The reproduction beam (3) reflected by the 1'IJ and half prism (1B) is received by the photodetector (22) and formed into a pit (28) shape (corresponding to Bl) as shown in Figure 5. Output (detected as Q, and further waveform-processed by the reproduction signal detection circuit (23) to produce a pulse train-shaped reproduction signal (D)
Detected as . The reproduced signal (Dl) obtained in this way is compared with the recorded signal (Dl) and used to determine whether there is a defect in the information recording.

ここでは、ピット(28)が形成されることにより情報
記録媒体(9)の反射率が低下する場合を示したが、ピ
ッ) (28)により反射率が増大する情報記録媒体(
9)であっても、同様に情報記録状態を判定することが
できる。
Here, we have shown a case where the reflectance of the information recording medium (9) decreases due to the formation of the pits (28), but the information recording medium (9) whose reflectance increases due to the pits (28)
9), the information recording state can be determined in the same way.

なお、再生信号(Dlは、記録信号(Alに対し時間1
2だけ遅れているが、時間11が数μ秒のオーダである
から、はぼ実時間で記録欠陥の有無の判定ができる。
Note that the playback signal (Dl is the recording signal (time 1 for Al)
However, since the time 11 is on the order of several microseconds, the presence or absence of a recording defect can be determined in almost real time.

情報記録媒体(9)に記録された情報を再生するときK
は、2ビーム半導体レーザ(1)からの再生用ビーム(
3)のみを出射し、再生信号検出回路(23)で検出す
ればよい。
K when reproducing information recorded on the information recording medium (9)
is the reproduction beam (
3) only needs to be emitted and detected by the reproduction signal detection circuit (23).

また、情報記録媒体(9)上に照射する光強度を制御す
るために半導体レーザ(1)の後方出射光(33a)。
Further, the rear emitted light (33a) of the semiconductor laser (1) is used to control the light intensity irradiated onto the information recording medium (9).

(33b)を用いている。この種の装置では再生ビーム
強度、記録ビーム強度を独立にモニタする必要があり、
従来においては、2つの反射面(29aL(29b)を
有する光分離器ブロック(29)を用いて、2つの後方
出射光(33a)、(33b)を分離し、記録用ビーム
(2)に対する後方出射光(33a)を光強度モニタ用
光検知器(30a)に入射させ、再生用ビーム(3)に
対する後方出射光(33b)を光強度モニタ用光検知器
(30b)K入射させる。これらの光検知器出力により
、図示しない半導体レーザ駆動回路により、半導体レー
ザ出力を制御することができる。
(33b) is used. This type of equipment requires independent monitoring of the playback beam intensity and recording beam intensity.
Conventionally, a light separator block (29) having two reflecting surfaces (29aL (29b)) is used to separate two backward emitted lights (33a) and (33b), and The emitted light (33a) is made incident on the light intensity monitoring photodetector (30a), and the backward emitted light (33b) relative to the reproduction beam (3) is made incident on the light intensity monitoring photodetector (30b). Based on the photodetector output, the semiconductor laser output can be controlled by a semiconductor laser drive circuit (not shown).

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

従来の2ビーム半導体レーザ装置は以上のように構成さ
れているので、以下のような問題点があった。
Since the conventional two-beam semiconductor laser device is configured as described above, it has the following problems.

まず、2ビーム半導体レーザから出射する光スポットの
間隔を(d)とすると、第7図に示すように、通常、d
=50〜150μ尻 である。さらに、後方出射光にお
いても、ある広がり角(100〜30°)をもつ光ビー
ムであるために、なんらかの手段を用いて、光ビームを
分離する必要があるが、従来装置のように光分離器ブロ
ック(29)を用いて光ビームを分離する場合、スポッ
ト間隔(dl内におさまるように各素子の配置を調整し
なければならなかった。
First, if the interval between the light spots emitted from the two-beam semiconductor laser is (d), then as shown in FIG.
= 50 to 150 μm. Furthermore, since the rear-emitted light is also a light beam with a certain spread angle (100 to 30 degrees), it is necessary to use some means to separate the light beams. When using the block (29) to separate the light beams, the arrangement of each element had to be adjusted to fit within the spot spacing (dl).

この発明は、上記のような問題点を解消するためKなさ
れたもので、2ビーム半導体レーザからの各出力強度を
分離してモニタでき、かつ、各素子の配置精度が非常に
緩和された2ビーム半導体レーザ装當を得ることを目的
とする。
This invention was made in order to solve the above-mentioned problems, and it is possible to separately monitor each output intensity from a two-beam semiconductor laser, and the precision of arrangement of each element is greatly reduced. The purpose is to obtain a beam semiconductor laser device.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明に係る2ビーム半導体レーザ装當は、2ビーム
半導体レーザアレイのどちらか一方が面発光型半導体レ
ーザからなっている。
In the two-beam semiconductor laser device according to the present invention, either one of the two-beam semiconductor laser arrays is composed of a surface-emitting type semiconductor laser.

〔作用〕[Effect]

この発明においては、各半導体レーザの出射光強度をモ
ニタする際、容易に2つの光ビームを分離することがで
きる。そうして、前方出射光に対して垂直方向に出射さ
れる光で一方の光ビームの光強度モニタを行い、他方の
光ビームの光強度モニタには後方出射光を用い、各半導
体レーザの出力光強度を制御する。
In this invention, when monitoring the intensity of light emitted from each semiconductor laser, it is possible to easily separate two light beams. Then, the light intensity of one light beam is monitored using the light emitted in a direction perpendicular to the forward emitted light, and the rear emitted light is used to monitor the light intensity of the other light beam, and the output of each semiconductor laser is monitored. Control light intensity.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の一実施例を第1図、第2図について説
明する。槙1図において、2ビーム半導体レーザ(34
)は、一方が面発光型半導レーザからなっている。2ビ
ーム半導体レーサ(34)の面に対向して第1の光強度
モニタ用光検知器(35)、前記面と直角に第2の光強
度モニタ用光検知器(36)がそれぞれ配置されている
。第2の光強度モニタ用光検知藷(36)が取付けられ
ているステム(37)に突設された2つの支持ブロック
(38)。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. In Figure 1, a two-beam semiconductor laser (34
), one of which consists of a surface-emitting semiconductor laser. A first light intensity monitoring photodetector (35) is arranged opposite to the surface of the two-beam semiconductor laser (34), and a second light intensity monitoring photodetector (36) is arranged at right angles to the surface. There is. Two support blocks (38) protrude from a stem (37) to which a second light intensity monitoring light detection tube (36) is attached.

(39)にはそれぞれ2ビーム半導体レーザ(34)お
よび第1の光強度モニタ用光検知器(35)が取付けら
れている。また、ステム(37)に取付けられたハウジ
ング(40)の前方にはガラス窓(41)が設けられて
いる。
(39) are each attached with a two-beam semiconductor laser (34) and a first light intensity monitoring photodetector (35). Further, a glass window (41) is provided in front of the housing (40) attached to the stem (37).

第2図は2ビーム半導体レーザ(34)の拡大図で、再
生用光ビーム(2)に対する光出力強度モニタ用ビーム
(42)、記録用光ビーム(3)K対する光出力強度モ
ニタ用光ビーム(43)を出射する。この場合は再生用
光ビーム(2)を発生する半導体レーザに面発光型半導
体レーザを用いている。
Figure 2 is an enlarged view of the two-beam semiconductor laser (34), showing a beam for monitoring the optical output intensity (42) for the reproducing optical beam (2), and an optical beam for monitoring the optical output intensity for the recording optical beam (3) K. (43) is emitted. In this case, a surface-emitting semiconductor laser is used as the semiconductor laser that generates the reproducing light beam (2).

この実施例に用いている面・発光型半導体レーザは、電
子通信学会、光量子エレクトロニクス研究会資料、0Q
E86−165(1987)″’MQW活性/非活性導
波路を用いたAlGaAs / GaAs DBRレー
ザまたは、同研究会資料0QE86−152(19B?
)”面発光型GaAs / AtGaAs DFB −
TJS v−ザに示されたような、活性層に垂直な方向
の光が得られる構造になっている。なお、面発光型半導
体レーザについても、当然、後方出射光が得られる訳だ
が、この発明における面発光型半導体レーザでは後方出
射光は完全に遮断されるようになっている。
The surface-emitting semiconductor laser used in this example is published by the Institute of Electronics and Communication Engineers, Materials of the Photon Quantum Electronics Study Group, 0Q
E86-165 (1987)''AlGaAs/GaAs DBR laser using MQW active/inactive waveguide or the same study group material 0QE86-152 (19B?
)"Surface-emitting GaAs/AtGaAs DFB -
It has a structure that allows light to be obtained in a direction perpendicular to the active layer, as shown in TJS v-The. Incidentally, a surface emitting type semiconductor laser also naturally provides backward emitted light, but in the surface emitting type semiconductor laser according to the present invention, the rear emitted light is completely blocked.

以上の構成により、再生用光ビーム(2)に対しては面
発光光(42)、記録用ビーム(3)K対しては後方出
射光(43)を用いて光強度をそれぞれモニタし、光強
度を制御することができる。この2つのモニタ光は出射
方向が互いに90’異なっているので、従来の光分離器
ブロックのような特別な分離手段を必要とせず、第1図
に示すように光検知器を配置すればよい。
With the above configuration, the light intensity is monitored using the surface emitting light (42) for the reproducing light beam (2) and the rear emitting light (43) for the recording beam (3) K. The intensity can be controlled. Since the emission directions of these two monitor lights are 90' different from each other, there is no need for special separation means such as a conventional optical separator block, and the photodetector can be arranged as shown in Figure 1. .

なお、上記実施例では、再生用光ビームを発生する半導
体レーザに、面発光型半導体レーザを用い、光強度のモ
ニタには活性層に垂直な方向に出射する光を利用したが
、記録用光ビームを発生する半導体レーザに面発光型半
導体レーザを用いてもよい。また、2ビーム半導体レー
ザの各出力を、再生用および記録用としたが、これらは
記録用光ビームと消去用光ビーム、または、消去用光ビ
ームと再生用光ビームであってもよく、上記実施例と同
様の効果を奏する。
In the above embodiment, a surface-emitting semiconductor laser was used as the semiconductor laser that generates the reproduction light beam, and light emitted in a direction perpendicular to the active layer was used to monitor the light intensity. A surface emitting semiconductor laser may be used as the semiconductor laser that generates the beam. In addition, although each output of the two-beam semiconductor laser is used for reproduction and recording, these may be a recording light beam and an erasing light beam, or an erasing light beam and a reproduction light beam, The same effects as in the embodiment are achieved.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、この発明によれば、2ビーム半導体レー
ザのどちらか一方に面発光型半導体レーザを用い、活性
層と垂直な方向に出射する光を用いて光強度のモニタを
行うようにしたので、近接した2ビームの分離手段を必
要とせず、しかも、光強度モニタ用光検知器の調整が容
易となり、かつ、装置の精度を向上することができる。
As described above, according to the present invention, a surface-emitting semiconductor laser is used as one of the two-beam semiconductor lasers, and the light intensity is monitored using the light emitted in the direction perpendicular to the active layer. Therefore, there is no need for means for separating two adjacent beams, and the adjustment of the light intensity monitoring photodetector is facilitated, and the accuracy of the apparatus can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図、第2図はこの発明の一実施例を示し、第1図は
要部側断面図、第2図は半導体レーザ素子の斜視図であ
る。第3図〜第7図は従来の2ビーム半導体レーザ装置
を示し、第3図は斜視図、第4図は半導体レーザ素子の
斜視図、第5図は動作説明のための一部斜視図、第6図
は要部平面図、第7図は動作説明のための一部斜視図で
ある。 (34)@@2ビーム半導体レーザ、(21# (31
・・前方出射光、(35)、(36’)・働光強度モニ
タ用光検知器、(42)・・面発光光、(43)・・後
方出射光。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 34:2ヒ一人+凋9本し−テ゛ 35.36:モニヌ用丸卆剣顆尤本 氾2図 2.3:崩匁出躯り旭 42:面発光光 43:後匁出射光
FIGS. 1 and 2 show an embodiment of the present invention, with FIG. 1 being a sectional side view of a main part, and FIG. 2 being a perspective view of a semiconductor laser element. 3 to 7 show a conventional two-beam semiconductor laser device, FIG. 3 is a perspective view, FIG. 4 is a perspective view of a semiconductor laser element, and FIG. 5 is a partial perspective view for explaining operation. FIG. 6 is a plan view of the main part, and FIG. 7 is a partial perspective view for explaining the operation. (34) @@2 beam semiconductor laser, (21# (31
...Front emitted light, (35), (36') - Photodetector for monitoring working light intensity, (42)... Surface emitted light, (43)... Rear emitted light. In each figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts. 34: 2 Hi + 9 pieces - Tee 35. 36: Moninu round book sword condyle and main flood 2 Figure 2.3: Collapse momme starting standing Asahi 42: Surface emitting light 43: Rear momme emitting light

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)2つの発光源を有する2ビーム半導体レーザアレ
イとそれぞれの前記発光源に接続された駆動回路と、前
記発光源から出射する光出力の強度モニタ用光検知器を
備えた2ビーム半導体レーザ装置において、前記2ビー
ム半導体レーザアレイのどちらか一方が面発光型半導体
レーザであることを特徴とする2ビーム半導体レーザ装
置。
(1) A two-beam semiconductor laser including a two-beam semiconductor laser array having two light-emitting sources, a drive circuit connected to each of the light-emitting sources, and a photodetector for monitoring the intensity of the light output emitted from the light-emitting sources. A two-beam semiconductor laser device, wherein either one of the two-beam semiconductor laser arrays is a surface-emitting semiconductor laser.
(2)面発光型半導体レーザをもつ側から出射される光
出力強度の制御を、面発光光を用いて行う特許請求の範
囲第1項記載の2ビーム半導体レーザ装置。
(2) A two-beam semiconductor laser device according to claim 1, in which the intensity of the light output emitted from the side having the surface-emitting semiconductor laser is controlled using surface-emitting light.
(3)面発光型半導体レーザをもたない側から出射され
る光出力強度の制御を、後方出射光を用いて行う許請求
の範囲第1項記載の2ビーム半導体レーザ装置。
(3) A two-beam semiconductor laser device according to claim 1, in which the intensity of the light output emitted from the side without the surface-emitting semiconductor laser is controlled using rear emitted light.
(4)面発光型半導体レーザから出射される前方出射光
が、再生用ビーム、記録用ビームおよび消去用ビームの
いずれかである特許請求の範囲第1項記載の2ビーム半
導体レーザ装置。
(4) A two-beam semiconductor laser device according to claim 1, wherein the forward emitted light emitted from the surface-emitting semiconductor laser is one of a reproducing beam, a recording beam, and an erasing beam.
JP62303344A 1987-12-02 1987-12-02 Two-beam semiconductor laser device Pending JPH01146142A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62303344A JPH01146142A (en) 1987-12-02 1987-12-02 Two-beam semiconductor laser device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62303344A JPH01146142A (en) 1987-12-02 1987-12-02 Two-beam semiconductor laser device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01146142A true JPH01146142A (en) 1989-06-08

Family

ID=17919843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62303344A Pending JPH01146142A (en) 1987-12-02 1987-12-02 Two-beam semiconductor laser device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01146142A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1055560A (en) * 1996-04-25 1998-02-24 Samsung Electron Co Ltd Surface laser light diode package provided with light output monitoring function

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1055560A (en) * 1996-04-25 1998-02-24 Samsung Electron Co Ltd Surface laser light diode package provided with light output monitoring function
US6034981A (en) * 1996-04-25 2000-03-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Surface laser diode package having an optical power monitoring function

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5933401A (en) Optical pickup having plural optical sources and plural optical detectors
US5033040A (en) Optical information recording and reproducing apparatus with tracking error control
JPH0638292B2 (en) Optical information recording / reproducing device
US20010043522A1 (en) Compatible optical disk player and data recording and reproducing method
KR20010112216A (en) Optical system with interactive data capability
JP3095775B2 (en) Wide beam detector for optical memory
JP2002183987A (en) Optical information recording device, reproducing device and optical head device
JPH0581698A (en) Wavelength switching optical pickup
US6373809B1 (en) Multi-channel optical head for optical recording and reading optical storage data
JPH01146142A (en) Two-beam semiconductor laser device
JPS6093646A (en) Recording and reproducing device of optical memory
JPS63249939A (en) Optical recording and reproducing device
JPH083903B2 (en) Optical recording / reproducing device
CN101465138B (en) Optical pickup and optical disk driving apparatus using the same
JPS63200327A (en) Optical pickup device
JPH02123523A (en) Optical information reproducing device, optical information recording medium, cutting device and semiconductor laser light source
JPH0424770B2 (en)
JPS637952Y2 (en)
JP2660523B2 (en) Optical recording / reproducing device
JP2523841B2 (en) Optical recording / reproducing device
JPS5897141A (en) Recorder and reproducer for optical information
JPS60234246A (en) Optical head
JPH10222864A (en) Optical pickup
KR970008282B1 (en) Optical pick-up for reading/writing
JPH04153926A (en) Optical disk device