JPH01143376A - Laser light source - Google Patents

Laser light source

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JPH01143376A
JPH01143376A JP62301841A JP30184187A JPH01143376A JP H01143376 A JPH01143376 A JP H01143376A JP 62301841 A JP62301841 A JP 62301841A JP 30184187 A JP30184187 A JP 30184187A JP H01143376 A JPH01143376 A JP H01143376A
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JP
Japan
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laser
laser beam
mode
resonator
resonant
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Pending
Application number
JP62301841A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Michio Oka
美智雄 岡
Hisashi Masuda
久 増田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP62301841A priority Critical patent/JPH01143376A/en
Publication of JPH01143376A publication Critical patent/JPH01143376A/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1106Mode locking
    • H01S3/1109Active mode locking

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To generate a resonance laser beam mode-locked to be adapted for the cavity length of a resonator by periodically exciting a laser body to be excited by a semiconductor laser by the resonance frequency of the resonator. CONSTITUTION:An exciting semiconductor laser 8 is controlled by a modulation signal S11 having a predetermined frequency to be determined on the basis of the resonance frequency (f) of a resonator CAV thereby to generate a resonance laser beam LA longitudinally mode-locked to the resonator CAV, and the light LA1 is radiated as an output laser light LA2. When the light LA1 generated by a laser body 1 is reciprocated in the resonator CAV having a cavity length L to be returned to the body 1, the essential part of the body 1 is excited by the laser 8, it is strengthened by the laser beam generated newly at the body 1, while the laser beam of other mode is not strengthened thereby, but weakened. Thus, the mode-locked output laser LA2 can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 A産業上の利用分野 本発明はレーザ光源に関し、特に共振器内部の共振モー
ドを安定化し得るようにしたものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A. Field of Industrial Application The present invention relates to a laser light source, and in particular to a laser light source that is capable of stabilizing the resonance mode inside a resonator.

B発明の概要 本発明は、レーザ本体から発生されたレーザ光を出力レ
ーザ光として射出するレーザ光源において、レーザ本体
を共振器の共振周波数で駆動される半導体レーザの励起
用レーザ光によって励起するようにしたことにより、モ
ードロックされた出力レーザ光を簡易な構成によって得
ることができる。
B. Summary of the Invention The present invention provides a laser light source that emits a laser beam generated from a laser body as an output laser beam, in which the laser body is excited by a laser beam for excitation of a semiconductor laser driven at the resonant frequency of a resonator. By doing so, mode-locked output laser light can be obtained with a simple configuration.

C従来の技術 従来、固体レーザは、出力レーザ光を比較的高い効率で
射出し得、また比較的小型の構成でコヒーレンジ等の光
学的特性が良質なビームを得ることができる特徴がある
ことに基づいて、種々の用途に適用することが考えられ
ている。
C. Prior Art Conventionally, solid-state lasers have the characteristics of being able to emit an output laser beam with relatively high efficiency, and being able to obtain a beam with good optical characteristics such as coherence range with a relatively compact configuration. Based on this, it is considered to be applied to various uses.

例えば固体レーザの共振器内部において第2高調波を発
生させることができれば、固体レーザがもっている高い
効率で基本波長の1/2の波長の出力レーザ光を得るこ
とができる。
For example, if a second harmonic can be generated inside a resonator of a solid-state laser, it is possible to obtain an output laser beam having a wavelength of 1/2 of the fundamental wavelength with the high efficiency that solid-state lasers have.

ところがこのような用途に固体レーザを適用しようとす
る場合、実際上出力レーザ光にモード競合によるとみら
れるノイズが含まれる問題がある。
However, when trying to apply a solid-state laser to such a purpose, there is a problem in that the output laser light actually contains noise that appears to be due to mode competition.

このノイズを除去する方法として、共振器の縦モード方
向のキャビティ長を短くする方法や、共振器の内部に内
部変調器を設けることにより、いわゆるモードロックを
する方法を適用することが考えられる。
Possible methods for removing this noise include shortening the cavity length in the longitudinal mode direction of the resonator and providing so-called mode-locking by providing an internal modulator inside the resonator.

ところが実際上共振器のキャビティ長を短くすることは
、機械的な加工精度上実現することは困難であるので、
モードロック方式が有効であると考えられ、従来第3図
に示すように、固体レーザ棒1を、点灯駆動回路2の駆
動出力S1によって点灯駆動される例えばアークランプ
、クラッシュランプ等でなる励起用ランプ3によって励
起するような構成において採用されている。
However, in practice, it is difficult to shorten the cavity length of the resonator due to mechanical processing accuracy.
The mode-locking method is considered to be effective, and conventionally, as shown in FIG. It is adopted in such a configuration that it is excited by a lamp 3.

ここで励起用ランプ3によって励起されることにより固
体レーザ棒1から射出される共振レーザ光LAIは、出
力用ミラー4の入射面4Aによって反射されて固体レー
ザ棒1の励起用レーザ光として固体レーザ棒1に入射さ
れると共に、これを透過した共振レーザ光LAIが反射
用ミラー5の反射面5Aによって反射される。
Here, the resonant laser beam LAI emitted from the solid-state laser rod 1 by being excited by the excitation lamp 3 is reflected by the incident surface 4A of the output mirror 4 and is used as the excitation laser beam for the solid-state laser rod 1. The resonant laser beam LAI that is incident on the rod 1 and transmitted therethrough is reflected by the reflective surface 5A of the reflective mirror 5.

かくして出力用ミラー4及び反射用ミラー5間に共振器
CAVが形成され、共振レーザ光LAIは出力用ミラー
4及び反射用ミラー5間を繰り返し反射されることによ
り共振状態になり、その−部が出力用ミラー4の射出面
4Bから出力レーザ光LA2として射出される。
In this way, a resonator CAV is formed between the output mirror 4 and the reflection mirror 5, and the resonant laser beam LAI enters a resonant state by being repeatedly reflected between the output mirror 4 and the reflection mirror 5. The output laser beam LA2 is emitted from the output surface 4B of the output mirror 4.

かくして射出される出力レーザ光LA2の共振周波数f
は、出力用ミラー4の入射面4Aと反射用ミラー5の反
射面5A間の距離、すなわちキャビティ長しによって次
式 によって表される。ここでCは光の速度である。
The resonant frequency f of the output laser beam LA2 thus emitted
is expressed by the following equation using the distance between the incident surface 4A of the output mirror 4 and the reflective surface 5A of the reflective mirror 5, that is, the cavity length. Here C is the speed of light.

かかる構成のレーザ光源において、固体レーザ棒1はそ
の内部の主要部以外の箇所においてもレーザ光を発生し
ているので、これを放置すると主要部から発生されるレ
ーザ光が出力用ミラー4から射出するタイミングとは異
なるタイミングでノイズとなるレーザ光が射出される(
すなわちモード競合が生ずる)結果になる。
In the laser light source with such a configuration, the solid-state laser rod 1 generates laser light at other parts of the interior than the main part, so if left unattended, the laser light generated from the main part will be emitted from the output mirror 4. Laser light that becomes noise is emitted at a timing different from the timing when
In other words, a mode conflict occurs).

第3図の構成においては、このようなモード競合を生じ
させないようにするため、共振レーザ光LAIの光路に
例えば音響光学偏向素子でなる透過制御回路6の制御信
号S2によって制御される内部変調器7を設けると共に
、この内部変調器7を(1)式について上述した共振周
波数fT:透過、又は遮光動作させる。
In the configuration shown in FIG. 3, in order to prevent such mode competition from occurring, an internal modulator controlled by the control signal S2 of the transmission control circuit 6, which is made of an acousto-optic deflection element, is provided in the optical path of the resonant laser beam LAI. 7 is provided, and this internal modulator 7 is operated at the resonance frequency fT: transmission or light blocking operation as described above for equation (1).

このよう□に構成すれば、内部変調器7は共振周波数f
で決まる周期(=1/f)で繰り返し固体レーザ棒1に
共振レーザ光LAIを入射させることにより、当該周期
で間欠的に固体レーザ棒1を励起させることにより、固
体レーザ棒1の主要部において生ずる多数のモードのレ
ーザ光のうち、内部変調器7のオン動作周期と一致する
主要部のレーザ光だけが繰り返し強められるのに対して
主要部以外の箇所で生ずる他のモードのレーザ光が弱め
られることにより、結局出力用ミラー4及び反射用ミラ
ー5間の共振レーザ光LAIとして内部変調器7のオン
動作周期に一致したモードをもつレーザ光だけが残るこ
とになる。かくしてモードロック状態の出力レーザ光L
A2が得られると共に、モード競合によるとみられるノ
イズを含ませないようにし得る。
With this configuration □, the internal modulator 7 has a resonance frequency f
By repeatedly injecting the resonant laser beam LAI into the solid-state laser rod 1 at a period determined by (=1/f), the main part of the solid-state laser rod 1 is Among the many modes of laser light generated, only the main part of the laser light that matches the on-operation period of the internal modulator 7 is repeatedly strengthened, while the other modes of laser light generated in places other than the main part are weakened. As a result, only a laser beam having a mode matching the on-operation period of the internal modulator 7 remains as the resonant laser beam LAI between the output mirror 4 and the reflection mirror 5. Thus, the output laser beam L in the mode-locked state
A2 can be obtained, and at the same time, it is possible to avoid including noise that seems to be due to mode competition.

D発明が解決しようとする問題点 ところで第3図において励起用ランプ3に代えて、第4
図に示すように、励起用半導体レーザ8を用いて固体レ
ーザ棒1を励起するいわゆる半導体レーザ励起型の固体
レーザを用いることにより、レーザ光源全体としての電
気効率を高める方法が提案されている。
D Problems to be Solved by the Invention By the way, in FIG. 3, instead of the excitation lamp 3,
As shown in the figure, a method has been proposed in which the electrical efficiency of the entire laser light source is increased by using a so-called semiconductor laser excitation type solid-state laser that excites the solid-state laser bar 1 using a semiconductor laser 8 for excitation.

第3図との対応部分に同一符号を付して示す第4図にお
いて、励起用半導体レーザ8の励起用レーザ光LA3は
、コリメータ9において平行光に変換された後対物レン
ズ10によって固体レーザ棒1に集光され、かくして固
体レーザ棒1から共振レーザ光LAIが発生される。
In FIG. 4, in which parts corresponding to those in FIG. 1, and thus a resonant laser beam LAI is generated from the solid-state laser rod 1.

第4図の構成によれば、出力用ミラー4の入射面4Aと
、固体レーザ棒1の励起用レーザ光LA3の入射面IA
間にキャビティ長しの共振器CAMが構成され、この共
振器CAMの内部に設けられた内部変調器7によって共
振レーザ光LAIがモードロックされた状態で発生され
ることになる。
According to the configuration shown in FIG. 4, the incident surface 4A of the output mirror 4 and the incident surface IA of the excitation laser beam LA3 of the solid-state laser rod 1
A cavity-length resonator CAM is formed between them, and a resonant laser beam LAI is generated in a mode-locked state by an internal modulator 7 provided inside this resonator CAM.

ところが第4図の構成によると、共振器CAVの内部に
比較的高価な音響光学偏向素子でなる内部変調器7を設
ける必要があるため、全体としての構成が大型かつ高価
になることを避は得ない。
However, according to the configuration shown in FIG. 4, it is necessary to provide the internal modulator 7 made of a relatively expensive acousto-optic deflection element inside the resonator CAV, so the overall configuration cannot be avoided from becoming large and expensive. I don't get it.

本発明は以上の点を考慮してなされたもので、従来の場
合と比較して簡易な構成によってモードロックされた出
力レーザ光を一段と高い効率で発生することができるよ
うにしたレーザ光源を提案しようとするものである。
The present invention has been made in consideration of the above points, and proposes a laser light source that can generate mode-locked output laser light with a higher efficiency with a simpler configuration than in the conventional case. This is what I am trying to do.

E問題点を解決するための手段 かかる問題点を解決するため本発明においては、共振器
CAVの内部に設けられているレーザ本体1を励起用半
導体レーザ8から射出される励起用レーザ光LA3によ
って励起するようになされ、励起用半導体レーザ8を共
振器CAVの共振周波数fに基づいて決まる所定の周波
数をもつ変調信号311によって制御することにより共
振器CAVに縦モードロックされた共振レーザ光LAI
を発生し、この共振レーザ光LAIを出力レーザ光LA
2として射出するようにする。
E Means for Solving Problem E To solve this problem, in the present invention, the laser main body 1 provided inside the resonator CAV is illuminated by the excitation laser beam LA3 emitted from the excitation semiconductor laser 8. A resonant laser beam LAI is longitudinally mode-locked to the resonator CAV by controlling the excitation semiconductor laser 8 with a modulation signal 311 having a predetermined frequency determined based on the resonant frequency f of the resonator CAV.
This resonant laser beam LAI is outputted as an output laser beam LA.
Make it fire as 2.

F作用 レーザ本体1によって発生される共振レーザ光LAIは
、キャビティ長りの共振器CAVを往復してレーザ本体
1に戻ったとき、当該レーザ本体1の主要部が励起用半
導体レーザ8によって励起されることにより、レーザ本
体1に新たに発生されたレーザ光と強め合うのに対して
、他のモードのレーザ光は強め合うことができずに弱ま
って行く。
When the resonant laser beam LAI generated by the F-action laser body 1 travels back and forth through the cavity-length resonator CAV and returns to the laser body 1, the main part of the laser body 1 is excited by the excitation semiconductor laser 8. As a result, while the laser beams of the other modes are strengthened with the laser beam newly generated in the laser main body 1, the laser beams of other modes are not able to strengthen each other and weaken.

かくして共振器CAVには、キャビティ長りによって決
まる共振周波数fを存するモードのレーザ光が維持され
ることになり、かくしてモードロックされた出力レーザ
光LA2を得ることができる。
In this way, a laser beam in a mode having a resonant frequency f determined by the cavity length is maintained in the resonator CAV, and thus a mode-locked output laser beam LA2 can be obtained.

G実施例 以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。G example An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

(G1)第1実施例 第4図との対応部分に同一符号を付して示す第1図にお
いて、共振器CAVを構成するレーザ本体としての固体
レーザ棒1及び出力用ミラー4間には内部変調器を設け
ず、これに代え、半導体レーザ8をモードロック変調励
起回路21の変調励起信号311によって駆動するよう
になされている。
(G1) In FIG. 1, in which parts corresponding to those in FIG. 4 of the first embodiment are given the same reference numerals, there is an internal No modulator is provided, and instead, the semiconductor laser 8 is driven by a modulation excitation signal 311 from a mode-locked modulation excitation circuit 21.

第1図の構成において、モードロック変調励起回路21
はパルス信号でなる変調励起信号Sllによって、(1
)式について上述した共振周波数fで半導体レーザ8を
オンオフ制御する。
In the configuration shown in FIG. 1, the mode-locked modulation excitation circuit 21
is (1
) The semiconductor laser 8 is controlled on/off at the resonance frequency f described above with respect to the equation.

か(して固体レーザ棒1は、半導体レーザ8から得られ
る励起用レーザ光LA3によって間欠的に駆動され、か
(して固体レーザ棒1が間欠的に励起されることにより
、パルス状の共振レーザ光LAIが固体レーザ棒1から
出力用ミラー4に向けて発生される。
The solid-state laser rod 1 is intermittently driven by the excitation laser beam LA3 obtained from the semiconductor laser 8, and the solid-state laser rod 1 is intermittently excited to generate pulsed resonance. Laser light LAI is generated from the solid-state laser rod 1 toward the output mirror 4.

ここでモードロック変調励起回路21の変調励起信号3
11の周波数が共振器CAVの共振周波数「に選定され
ていることにより、出力用ミラー4の入射面4Aにおい
て反射されて来た共振レーザ光LAIが固体レーザ棒1
の主要部に到達したとき、そのタイミングで励起用レー
ザ光LA3が固体レーザ棒1を励起するようになる。
Here, the modulated excitation signal 3 of the mode-locked modulated excitation circuit 21
11 is selected as the resonant frequency of the resonator CAV, the resonant laser beam LAI reflected at the incident surface 4A of the output mirror 4 is transmitted to the solid-state laser rod 1.
When the excitation laser beam LA3 reaches the main part of the solid-state laser rod 1, the excitation laser beam LA3 excites the solid-state laser rod 1 at that timing.

その結果励起用レーザ光LA3によって固体レーザ棒1
の主要部に新たに発生する共振レーザ光LAIと、出力
用ミラー4の入射面4Aにおいて反射されて戻って来た
共振レーザ光LAIが互いに強め合うように固体レーザ
棒1を励起できることになり、固体レーザ棒1の主要部
において発生するレーザ光だけが強め合うのに対してそ
の他のモードのレーザ光は弱くなって行く。
As a result, the solid-state laser rod 1 is
The solid-state laser rod 1 can be excited so that the resonant laser beam LAI newly generated in the main part of the resonant laser beam LAI and the resonant laser beam LAI reflected on the incident surface 4A of the output mirror 4 and returned to each other strengthen each other. Only the laser beams generated in the main part of the solid-state laser rod 1 strengthen each other, while the laser beams in other modes become weaker.

かくして出力レーザ光LA2として、縦モードについて
モードロックしたレーザ光が得られ、このレーザ光の光
強度及び周波数は安定化する。
In this way, a mode-locked laser beam with respect to the longitudinal mode is obtained as the output laser beam LA2, and the light intensity and frequency of this laser beam are stabilized.

第1図の構成によれば、モードロックした出力レーザ光
LA2を得るにつきモードロック変調励起回路21を、
励起用レーザ光LA3に対する発生手段と共振器CAV
におけるモードロック手段とに共用できるようにしたこ
とにより、第3図及び第4図のように共振器CAVの内
部に内部変調器7を設けるような必要性をなくし得、こ
の分全体としての構成を安価かつ小型化し得る。
According to the configuration shown in FIG. 1, in order to obtain the mode-locked output laser beam LA2, the mode-locked modulation excitation circuit 21 is
Generating means and resonator CAV for excitation laser beam LA3
By making it possible to share the mode-locking means with the mode-locking means in FIG. 3 and FIG. can be made cheaper and smaller.

実験によれば、変調励起信号311として1 (GHz
)程度の高周波で半導体レーザ8を駆動したところ、キ
ャビティ長L =0.15 (m’)の共振器CAVか
らモードロックされた出力レーザ光LA2を得ることが
できた。
According to experiments, the modulated excitation signal 311 is 1 (GHz
) When the semiconductor laser 8 was driven at a high frequency of approximately 0.15 m', a mode-locked output laser beam LA2 could be obtained from the resonator CAV with a cavity length L = 0.15 (m').

(G2)第2実施例 第2図は本発明の第2の実施例で、この場合第1図との
対応部分に同一符号を付して示すように、固体レーザ棒
1の射出面IBから射出された共振レーザ光LAIが出
力用ミラー4の入射面4Aに入射するまでの光路に、集
光レンズ22及び非線形光学結晶素子23を順次設ける
と共に、非線形光学結晶素子23から得られる合成レー
ザ光LA4を出力用ミラー4を通じてフィルタ24に入
射し、かくしてフィルタ24から出力レーザ光LA2を
射出するようになされている。
(G2) Second Embodiment FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention. In this case, as shown by assigning the same reference numerals to corresponding parts as in FIG. A condensing lens 22 and a nonlinear optical crystal element 23 are sequentially provided on the optical path until the emitted resonant laser beam LAI is incident on the incident surface 4A of the output mirror 4, and the combined laser beam obtained from the nonlinear optical crystal element 23 is LA4 is made to enter the filter 24 through the output mirror 4, and output laser light LA2 is thus emitted from the filter 24.

ここで非線形光学結晶素子23は、例えばβ−BaBz
Oaでなり、その非線形光学特性によって、上述の(1
)式によって表される基本的な共振周波数fに対して例
えば2倍の周波数をもつ第2高調波に対応する波長をも
つレーザ光を共振レーザ光LAIに基づいて発生するよ
うに構成されている。
Here, the nonlinear optical crystal element 23 is made of, for example, β-BaBz
Oa, and due to its nonlinear optical properties, the above-mentioned (1
) is configured to generate, based on the resonant laser beam LAI, a laser beam having a wavelength corresponding to a second harmonic having a frequency twice as high as the fundamental resonant frequency f expressed by the equation .

第2図の構成において、半導体レーザ8から固体レーザ
棒lに供給される励起用レーザ光LA3によって固体レ
ーザ棒1において発生された共振レーザ光LAIは、集
光レンズ22によって非線形光学結晶素子23に入射さ
れ、これにより非線形光学結晶素子23が2倍の周波数
を有する光成分を含んでなる合成レーザ光LA4を発生
する。
In the configuration shown in FIG. 2, the resonant laser beam LAI generated in the solid-state laser rod 1 by the excitation laser beam LA3 supplied from the semiconductor laser 8 to the solid-state laser rod l is directed to the nonlinear optical crystal element 23 by the condensing lens 22. As a result, the nonlinear optical crystal element 23 generates a composite laser beam LA4 containing a light component having twice the frequency.

この合成レーザ光LA4は出力用ミラー4を透過し、さ
らにフィルタ24を透過して出力レーザ光LA2として
射出される。
This combined laser beam LA4 passes through the output mirror 4, and further passes through the filter 24, and is emitted as an output laser beam LA2.

ここで出力用ミラー4の入射面4Aによって反射された
合成レーザ光LA4は、非線形光学結晶素子23、集光
レンズ22を通じて固体レーザ棒1に反射されて来るが
、固体レーザ棒lの主要部において発生するレーザ光以
外のモードのレーザ光は強められるような共振状態にな
らず、かくして基本周波数の共振レーザ光LAIが共振
器CA■において維持される。
Here, the combined laser beam LA4 reflected by the incident surface 4A of the output mirror 4 is reflected to the solid-state laser rod 1 through the nonlinear optical crystal element 23 and the condensing lens 22, but the main part of the solid-state laser rod l is Laser beams in modes other than the generated laser beams do not enter a resonant state where they are intensified, and thus the resonant laser beam LAI of the fundamental frequency is maintained in the resonator CA2.

第2図の構成によれば、共振器CAVにおいて維持され
ている共振レーザ光LAIは、モードロック変調励起回
路21によって駆動される半導体レーザ8の励起用レー
ザ光LA3によって固体レーザ棒1が励起されることに
より、第1図について上述したと同様にしてモードロッ
クされる。
According to the configuration shown in FIG. 2, the resonant laser beam LAI maintained in the resonator CAV is generated when the solid-state laser bar 1 is excited by the excitation laser beam LA3 of the semiconductor laser 8 driven by the mode-locked modulation excitation circuit 21. This results in mode locking in the same manner as described above with respect to FIG.

かかるモードロックの状態において非線形光学結晶素子
23において発生される第2高調波の周波数をもつ波長
の光が、出力用ミラー4、フィルタ24を透過して安定
な出力レーザ光LA2として射出される。
In such a mode-locked state, light having a wavelength having a second harmonic frequency generated in the nonlinear optical crystal element 23 passes through the output mirror 4 and the filter 24 and is emitted as a stable output laser beam LA2.

(G3)他の実施例 (1)上述の実施例においては、本発明を半導体レーザ
8によって励起されるレーザ本体として固体レーザ棒1
を有するレーザ光源に適用した場合の実施例について述
べたが、半導体レーザ8によって励起されるレーザとし
ては、固体レーザに限らず、例えばガスレーザ等のその
他のレーザを用いても、上述の場合と同様の効果を得る
ことができる。
(G3) Other Embodiments (1) In the above-described embodiments, the present invention is applied to the solid-state laser bar 1 as a laser body excited by the semiconductor laser 8.
Although we have described an example in which the laser is applied to a laser light source having effect can be obtained.

(2)上述の実施例においては、モードロック変調励起
回路21の変調励起信号311によって半導体レーザ8
を(1)式について上述した共振周波数fで駆動するよ
うにした場合について述べたが、これに代え、n (n
は整数)倍の周波数nfを有する変調励起信号Sllに
よって半導体レーザ8を駆動するようにしても、上述の
場合と同様の効果を得ることができる。
(2) In the above embodiment, the modulated excitation signal 311 of the mode-locked modulated excitation circuit 21 causes the semiconductor laser 8
We have described the case where is driven at the resonant frequency f mentioned above for equation (1), but instead of this, n (n
Even if the semiconductor laser 8 is driven by a modulated excitation signal Sll having a frequency nf that is an integer), the same effect as in the above case can be obtained.

(3)上述の実施例においては、半導体レーザ8をパル
ス状の変調励起信号Sllによって駆動するようにした
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば
正弦波などのように、周期性をもつ波長の変調励起信号
Sllによって駆動するようにすれば良い。
(3) In the above-described embodiment, a case has been described in which the semiconductor laser 8 is driven by a pulsed modulated excitation signal Sll, but the present invention is not limited to this. What is necessary is to drive it with a modulated excitation signal Sll having a specific wavelength.

H発明の効果 上述のように本発明によれば、半導体レーザによって励
起されるレーザ本体を共振器の共振周波数で周期的に励
起するようにしたことにより、共振器のキャビティ長に
適合するようにモードロックした共振レーザ光を発生す
ることができ、かくして、周波数及び光強度が安定な出
力レーザ光を発生し得る簡易な構成のレーザ光源を容易
に実現し得る。
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, the laser body excited by the semiconductor laser is periodically excited at the resonant frequency of the resonator, so that the laser body can be adjusted to match the cavity length of the resonator. A laser light source with a simple configuration that can generate mode-locked resonant laser light and thus output laser light with stable frequency and light intensity can be easily realized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明によるレーザ光源の一実施例を示す路線
的系統図、第2図は本発明の他の実施例を示す路線的系
統図、第3図及び第4図は従来のレーザ光源を示す路線
的系統図である。 1・・・・・・固体レーザ棒、3・・・・・・励起用ラ
ンプ、4・・・・・・出力用ミラー、5・・・・・・反
射用ミラー、8・・・・・・半導体レーザ、9・・・・
・・コリメータ、10・・・・・・対物レンズ、21・
・・・・・モードロック変調励起回路。
FIG. 1 is a systematic diagram showing one embodiment of the laser light source according to the present invention, FIG. 2 is a systematic diagram showing another embodiment of the invention, and FIGS. 3 and 4 are conventional laser light sources. It is a route system diagram showing. 1... Solid laser rod, 3... Excitation lamp, 4... Output mirror, 5... Reflection mirror, 8...・Semiconductor laser, 9...
... Collimator, 10 ... Objective lens, 21.
...Mode-locked modulation excitation circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 共振器の内部に設けられているレーザ本体を励起用半導
体レーザから射出される励起用レーザ光によつて励起す
るようになされ、上記励起用半導体レーザを上記共振器
の共振周波数に基づいて決まる所定の周波数をもつ変調
信号によつて制御することにより上記共振器に縦モード
ロツクされた共振レーザ光を発生し、上記共振レーザ光
を出力レーザ光として射出することを特徴とするレーザ
光源。
A laser main body provided inside the resonator is excited by an excitation laser beam emitted from an excitation semiconductor laser, and the excitation semiconductor laser is heated at a predetermined frequency determined based on the resonant frequency of the resonator. A laser light source, characterized in that it generates a resonant laser beam that is longitudinally mode-locked in the resonator by controlling it with a modulation signal having a frequency of , and emits the resonant laser beam as an output laser beam.
JP62301841A 1987-11-30 1987-11-30 Laser light source Pending JPH01143376A (en)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0381665U (en) * 1989-12-08 1991-08-21
JPH04225290A (en) * 1990-03-30 1992-08-14 American Teleph & Telegr Co <Att> Optical device
JPH04335586A (en) * 1991-05-10 1992-11-24 Fuji Photo Film Co Ltd Laser diode pumping solid-state laser
US5639204A (en) * 1993-05-13 1997-06-17 Fanuc, Ltd. Positioning device for an industrial robot

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