JPH011320A - 分布増幅器及びその操作方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば２０Ｍ）ｌｚから５０ＧＨｚのような
非常に高周波において使用するための分布増幅器回路（
ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　ａｍｐｌｉｆｉｅｒ　ｃｉｒ
ｃｕｉｔ）に関するものである。

〔従来の技術〕

分布増幅器はこれ等が共振回路の使用を含まないことか
ら非常に広い帯域幅を達成しうる。

この様な増幅器は二つのマイクロ波伝送線路、即ちトラ
ンジスターのゲート電極が接続されている“ゲート”伝
送線路とドレイン電極が接続されている“ドレイン”伝
送線路との間に接続された１つ或はそれ以上の電界効果
型トランジスターを含んでいる。トランジスターのソー
ス電極は、２つの伝送線路に共通で又マイクロ波入力と
マイクロ波出力とに共通である　“グランド”　（接地
）線に接続されている。“ゲート”及び“ドレイン”伝
送線路は実質的に各線路の端部及び各連続したトランジ
スターの電極間に設けられたインダクター　（ｉｎｄｕ
ｃｔｏｒ）を有する擬似的に集中化された伝送線路であ
る。トランジスターは好ましくはガリウム−ひ素ＭＥＳ
ＦＥＴである。

〔発明が解決しようとする課題〕

この増幅器の使用に際しては、マイクロ波信号はマイク
ロ波信号入力に供給され、又個々の進行波はゲート及び
ドレイン伝送線路の個々に沿って移行する。進行波はそ
のトランジスター或は各々のトランジスターにより順次
増幅され、又増幅利得は等しくかつ適正に定められた各
線路の位相定数により本質的に信号周波数とは独立した
ものである。典型的には非常に広い周波数帯域に関し約
６ｄＢの利得が得られる。

一方、高利得と広い帯域幅が分布増幅器における基本的
な要求であるが、“雑音指数”　（ｎｏｉｓｅｆｉｇｕ
ｒｅ）或は増幅器により発生されるノイズの増加を出来
るだけ低く押えることも又非常に重要なことである。

分布増幅器において発生されたこれ等のノイズ成分につ
いての詳細な分析は、本発明者によるマイクロ波原理と
技術に関するＩＥＥＢ会誌で発表された標題ｒｌｌＥｓ
ＦＥＴ分布増幅器の固を雑音指数」の報告書（ＶｏＬ、
　ＭＴＴ−３３，Ｎｏ、６．　１９８５年６月、ページ
４６０〜４６６）に示されている。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の１つの態様によれば、ＭＥＳＦＥＴの分布増幅
器の操作方法は、第１の入力信号をゲート伝送線路の一
方の端部に供給すること、第１の人力信号と実質的に同
一の第２の入力信号をゲート伝送線路の他方の端部に供
給すること、ドレイン伝送線路の一方の端部から第１の
出力信号又ドレイン伝送線路の他方の端部から第２の出
力信号をそれぞれ取り出すこと、及び増幅された出力信
号を発生させるために第１と第２の出力信号を結合する
ことから構成されている。

本発明の他の態様によれば、広帯域増幅回路は、ゲート
及びドレイン伝送線路を有するＭＥＳＦＥＴ分布増幅器
、第１の入力信号をゲート伝送線路の一方の端部に供給
し、又第１の入力信号と実質的に同一である第２の入力
信号をゲート伝送線路の他方の端部に供給する手段、及
びドレイン伝送線路の一方の端部からの第１の出力信号
とドレイン伝送線路の他方の端部からの第２の出力信号
を受け入れ、かつこれ等の信号を結合して増幅された出
力信号を発生する手段とを含むものである。

好ましくは、第１と第２の入力信号を供給する手段と第
１と第２の出力信号を受け入れかつ結合する手段は対応
するハイブリッド゛回路を含むものである。ハイブリッ
ド回路はマイクロ波分野においては良く知られている装
置であり、２個の入力口（ｐｏｒｔ）と２個の出力口（
ｐｏｒｔ）をもっ四端子回路装置（ｆｏｕｒ　ｐｏｒｔ
　ｄｅｖｉｃｅ）である。入力口の１つに供給された１
つの信号は、両方の出力口において２つの同一信号とし
て現われ、又他の入力口に供給された１つの信号は両出
力口において同一ではあるがお互に関して位相において
シフト（移相）されている信号として現われる。

同じように、もし入力信号が両方の入力口に供給される
とそれ等は装置により結合され、その結合された信号は
その出力口に現われる。ハイブリッド回路↓よ通常は９
０度ハイブリッド或は１８０度ハイブリッドであり、９
０度ハイブリッドによって、出力信号は同相であるか、
お互に９０度或は２７０度だけ移相されるものであり、
又１８０度ハイブリッドによって、出力信号は同相であ
るか、或はお互に１８０度だけ移相されるものである。

９０度ハイプリレド回路が２個の入力信号を結合するた
めに使用される場合には、入力信号が同相である時に最
大の出力が１方の出力口から得られ、又入力信号が９０
度或は２７０度の移相にある時に最大の出力が他方の出
力口より得られる。

同様に、２個の入力信号を結合するために１８０度ハイ
ブリッド回路が使用される場合、入力信号が同相である
時に最大の出力が１方の出力口から得られ、又入力信号
が１８０度の移相の時に最大の出力が他の出力口から得
られる。

本発明においては、各ハイブリッドの３個の出入口（ｐ
ｏｒｔ）のみが使用され、隔離された出入口である第４
の出入口はハイブリッド回路の特性インピーダンス（ｃ
ｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ　ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）と
整合するインピーダンスにより終端せしめられている。

上記において９０度および１８０度ハイブリッドが提案
されているけれども二つの入力信号を提供するための他
の手段も、最終出力を発生するために増幅器からの出力
信号を結合するための手段と共に選択的に使用されても
よい。例えば入力信号源は同一周波数で同相であるか或
は要求される位相差にある２つの信号を与えるように共
に設定された２個の発振器であっても良い。

直線的状態の下において作動する分布増幅器を用いるこ
とにより、それは操作において対称的であり従ってゲー
ト伝送線路の一方の端部に導入された信号はそれが同一
線路の他方の端部に向けて進行する間に増幅される。そ
してゲート伝送線路の他方の端部に導入された信号はそ
の線路の一方の端部に向って進行する間に増幅される。

これに加えて、信号は又ゲート伝送線路に沿って互に反
対の方向に進行しそしてドレイン線路を経て出力端部に
至る。一方の端部がら他方の端部へ又はその逆というよ
うに順、逆方向にそれぞれ進行する信号は増幅器からの
増幅された出力を提供することをベクトル的に付加する
。

第１と第２の入力信号の間の適正な位相関係を選択する
ことによって、増幅器の出力は最大化される。このこと
は従来の操作モードと比較して分布増幅器の有能利得（
ａｖａｉｌａｂｌｅ　ｇａｉｎ）における著しい増加を
来す。

良好な結果は、同相か或は９０度、１８０度或は２７０
度だけ移相された信号をゲート伝送線路の二つの端部に
供給することにより得られる。ゲート伝送線路の反対側
の端部に供給された信号が移相されている時には、対応
する相変化（ｐｈａｓｅ　ｃｈａｎｇｅ）がドレイン伝
送線路の向い合う端部から出される出力信号の間に導入
されなければならない。

第１と第２の入力信号をゲート伝送線路の対向する端部
に供給する手段はお互に関係して信号を移相させる手段
を含んでもよく又、この場合にはドレイン伝送線路の対
向する端部がら出る第１と第２の出力信号を受け入れか
つ結合するための手段は第１と第２の出力信号の間に対
応する位相を導入する手段を含んでいてもよい。

更に、伝送線路を一方の端部から他方５端部へ又はその
逆に順、逆方向に進行している信号のノイズ成分のある
ものは出力において逆位相で現われそれにより互に相殺
し合い増幅器に対して低い雑音指数を与えるので雑音指
数に関して利点がある。

これに加えて、増幅器の有能利得が増加するので増幅器
に関する全体的な雑音指数或はノイズ比率に対する信号
はまだ更に増加する。

〔実施例〕

本発明の具体例は従来の分布増幅器と比較しながら添付
の図面を参照して以下に説明する。

分布増幅器は第２図に示されるように複数の電界効果型
トランジスター１〜４を含んでいる。トランジスターは
好ましくはガリウムひ素ＭＥＳＦＥＴであり増幅器は望
ましいいかなる数のトランジスターを含むことができる
。増幅器は基本的には２本のマイクロ波伝送線路を含ん
でおり、１つはトランジスター１〜４のゲート電極が接
続されている“ゲート”伝送線路であり、１つはドレイ
ン電極が接続されている“ドレイン”伝送＆ｉ路である
。

ソース電極は２つの伝送線路に共通であり又マイクロ波
信号人力６とマイクロ波信号出カフとに共通の“グラン
ド”　（接地）線路５に接続されている。

連続しているトランジスターのゲート電極はインダクタ
ー８を介して相互に接続されており又ドレイン電極は同
じようなインダクター９により相互に接続されている。

インダクター１０と１１は各線路の端部に設けられてい
る。ゲート伝送線路は（第２図にみられるように）例え
ば５０Ωであってもよい線路の特性インピーダンスと等
しい抵抗１２によって右側端部で終端している。

抵抗１２は“アイドリングゲート負荷”（“ｉｄｌｉｎ
ｇ　ｇａｔｅ　１ｏａｄ″）として参照されてもよい。

マイクロ波信号は特性インピーダンスに等しいインピー
ダンスをもつ発電機１３から入力６の中へ供給される。

　ドレイン伝送線路は例えば同様に５０Ωである同線路
の特性インピーダンスに等しい抵抗１４によって左側端
部で終端している。

抵抗１４は“アイドリングドレイン負荷”（”　ｉｄｌ
ｉｎｇ　ｄｒａｉｎ　１ｏａｄ　”　）として参照され
てもよい。

信号出カフはドレイン伝送線路の特性インピーダンスに
等しい入力インピーダンスを持った負荷１５に接続され
ている。直流電源１６は線路５に接続されそしてドレイ
ン電極のためのバイアスを発生するため抵抗１４とそれ
に隣接するインダクター１１との接合点に接続されてい
る。

この増幅器を使用する場合、入力６に供給されたマイク
ロ波信号は連続するトランジスター１〜４によって増幅
される。各々の進行波はゲート及びドレイン伝送線路の
各々に沿って通過して行き、等しく又正しく決定された
両線路の位相定数により、増幅利得は実質的に信号の周
波数から独立している。約６ｄＢの利得が相当広い周波
数帯域に亘って得ることが出来る。

第１図を参照すれば、本発明に係る分布増幅器回路はソ
ース２０からの高周波入力信号が入力口（ｐｏｒｔ）　
　１９に供給されるハイブリッド１８を含んでいる。該
ハイブリッドの出力口（ｐｏｒｔ）　　２１は第２図を
参照して上記に説明した種類の分布増幅器２２における
通常の入力６と接続されている。

ハイブリッドの第２の出力口（ｐｏｒｔ）　　２３は該
増幅器２２のゲート線路の右側端部２４と接続されてい
る。ハイブリッドの隔離された出入口（ｐｏｒ　ｔ）２
５はハイブリッド１８の特性インピーダンスに等しいイ
ンピーダンスによって終端されている。

ハイブリッド１８の特性インピーダンスはゲート線路の
インピーダンスと出来るだけ接近するように整合せしめ
られそれによってハイブリッドが効果的に入力６におけ
る正確なソースインピーダンス及びゲート線路の端部２
４において第２図の抵抗１２と等しい正確なゲートアイ
ドリング負荷を提供する。ハイブリッドの特性インピー
ダンスは実際には周波数に従属するものであり一方擬似
的な伝送線路であるゲート線路のインピーダンスは周波
数と独立であるように考慮されている。

インピーダンス整合を改良するために、ゲート線路はマ
イクロ波分野において良く知られており、又ハイブリッ
ド１８のインピーダンスをそれがゲート線路に現われる
時に周波数とは独立したインピーダンスに変えてしまう
誘導ｍ型セクション（ｍ　ｄｅｒｉｖｅｄ　５ｅｃｔｉ
ｏｎ）を介してハイブリッド１８と結合されてもよい。

第２のハイブリッド２６はドレイン線路に接続されてい
る。このようにハイブリッド２６の出力口２７は増幅器
２２の出カフと接続され、又ハイブリッドの他の出力口
２８はドレイン線路の左側端部２９と接続されている。

ハイブリッドの隔離された出入口３０はハイブリッド２
６の特性インピーダンスに等しいインピーダンスにより
終端している。又更にハイブリッド２６の特性インピー
ダンスはドレイン線路のそれと出来るだけ接近するよう
に整合せしめられそれによってハイブリッドは出カフに
おいて効果的に正確な負荷インピーダンスを提供し又ド
レイン線路の端部２９において第２図の抵抗１４と等し
い正確なドレインアイドリング負荷を提供する。

更に誘導ｍ型セクションを使用することによって、整合
は改良されうる。

特性インピーダンスにより終端されている出力線路３１
はハイブリッドの出力口３２と接続されている。ハイブ
リッドの入力口及び出力口のグラ（ｇｒｏｕｎｄ　１ｉ
ｎｅ）　　５と接続されている。

ハイブリッド１８と２６は両方とも９０度ハイブリッド
或は１８０度ハイブリッドであってもよい。

この回路の操作において、入力信号は入力口（ｐｏｒｔ
）　１９に供給され又ハイブリッド１８は出力口２１及
び２３に、同相であるか或はハイブリッドのタイプ及び
使用されている出入口（ｐｏｒｔ）に依存して相互に９
０度、１８０度或いは２７０度位相変位されている出力
信号を供給する。

得られた信号はハイブリッド２６の入力口２７と２８に
おいて受け入れられそしてこれ等の信号は対応するよう
に位相差がないか、或は９０度、１８０度或いは２７０
度の位相変位されているものであり又それ等はハイブリ
ッドの中で結合されて線路３１に出力供給される復号信
号となる。入力口２７と２８に供給された信号が増幅器
の中で作り出される作用は次の通りである。

該増幅器はＭＥＳＦＥＴから構成されているので、その
操作においては対称的である。即ちゲート線路の左側端
部（即ち入力６）に供給された信号は増幅されかつドレ
イン線路の右側端部（即ち出カフ）において出力される
方法と全く同じ方法おいて、ゲート線路の右側端部に供
給された信号は増幅されかつドレイン線路の左側端部２
９において出力される。

更に、入力６に供給された信号が個々の連続するＭＥＳ
ＦＥＴに到達しそしてそれによって増幅されるとその結
果得られた信号の一部はドレイン線路を通って出カフに
向けて伝送され、又一部はドレイン線路の左側端部２９
に向けて伝送される。同様にゲート線路の右側端部２４
に供給された信号が一連のＭＥＳＦＥＴのそれぞれに到
達しそれにより増幅されると、得られた信号の一部はド
レイン線路に沿って端部２９の方向に向は左方向に伝送
され又一部は出カフに向けて伝送される。入力口２７及
び２８に供給された信号はそれ故両者とも増幅器におけ
る順方向利得（ｆｏｒｗａｒｄ　ｇａｉｎ）と逆方向利
得（ｒｅｖｅｒｓｅ　ｇａｉｎ）によって派生されたも
のである。

入力信号の移送、対応する移相と出力信号の組合せ及び
増幅器２２における順方向及び逆方向の増幅の結果は、
信号が出入口において逆位相で現われるということによ
る周波数における雑音信号の相殺によって、出力口３２
における出力信号に存在する総合的ノイズの低下を来す
。

従来の分布増幅器においては、雑音指数に寄与する雑音
源は標準温度におけるソース抵抗とは別に、次のものが
ある。

（ａ）ゲート線路のアイドル終端（ｉｄｌｅ　ｔｅｒｍ
ｉ−ｎａｔｉｏｎ） （ｂ）　　ドレイン線路のアイドル終端（ｉｄｌｅ　ｔ
ｅｒｍｉ−１ａｔｉｏｎ） （ｃ　）　ＭＥＳＦＥＴ或はその各々と一体化されてい
るゲートノイズ発生器 （ｄ）ＭＥＳＦＥＴ或はその各々と一体化されているド
レインノイズ発生器 本発明に係る分布増幅器においてゲート線路のアイドル
終端とドレイン線路のアイドル終端は消滅することが出
来、ハイブリッド１８と２６の隔離された出入口２５と
３０によりそれぞれ置換えられる。

然しなからハイブリッド１８の隔離された出入口２５か
らのノイズはハイブリッド２６の隔離された出入口３０
において消滅することは示されうる。更にハイブリッド
２６の終端である隔離された出入口３０からのノイズは
ドレイン線路であるハイブリッドの出力口３１において
は消滅しない。

このように本発明に係る分布増幅器においては最初の２
つのノイズ源に関する雑音指数に対する貢献はこれらを
上記リストからの除外することにある。

付加的には、本発明に係る分布増幅器の利得が従来の対
応する装置よりも高いので、雑音指数は更に減少する。

利得における増加及び雑音指数の減少に関する簡単な理
論的分析は以下の通りである。第２図に示されるような
従来の分布増幅器の形態に関する分析はドレイン負荷（
ｄｒａｉｎ　１ｏａｄ）を介した順方向電流利得（Ｉ　
ｄｆ）及びドレイン負荷を介した逆方向電流利得（Ｉ　
ｄｒ）とが次式により与えられることを示している。

及び ここでＶは入力電圧であり、ｇｌは相互コンダクタンス
であり、ｎは分布増幅器における？［５１４Ｔの数であ
り又、βはゲート或はドレイン線路位相定数である。

上記式はβｇ＝βｄの時に次のように簡略化される。

これはドレイン負荷を介する順方向と逆方向の電流は常
に同相であるがｓｉｎ　ｎβ／ｓｉｎ　βが符号を変え
た時にその符号が変ることを示している。

これ等の式は１８０度ハイブリッドを使用した本発明に
係る分布増幅器の形態における総合的有能利得Ｇ　ｆ　
＋　ｒを計算するのに使用される。

ここでＺい、とＺ、ｄはゲート及びドレインインピーダ
ンスである。前に述べたＩＥＥＥ会誌において本発明者
により公開された報告において従来の分布増幅器の対応
する順方向利得は次式により与えられることか示されて
いる。

上記２つの式を比較して、本発明に係る分布増幅器は従
来の増幅器と比べてβが十分に小さいか又は選択的にｎ
が１であるかのいづれかの場合有能電力利得（ａｖａｉ
ｌａｂｌｅ　ｐｏｗｅｒｇａｉｎ）において６ｄＢの増
加があることが明らかである。

本発明に係る分布増幅器と従来の増幅器の形態について
の理論的雑音指数を上記した本発明者により公開された
ＥＥＥＥ会誌における報告書に概略述べられている技術
を用いて損失のない形態において比較することが便利で
ある。両方の形態において、雑音指数Ｆは次のように示
される。

Ｇ□　　　　　　　Ｇ　ａ　Ｖ Ｇ、ｖＧｌｌｖ ここでＧ、ｖは分布増幅器の有能利得である。

雑音指数に対する関係式（ｃｏｎｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）
を表にすることは便利でありそれ等を以下の第１表に示
す。

第１表 ここでＣ□はゲートソースキャパシタンス、Ｐはヴアン
デルザイル（Ｖａｎ　ｄｅｒ　Ｚｉｅｌ）　　ドレイン
ノイズ定数、及びＲはヴアンデルザイルゲートノイズ定
数である。

これ等の式を解きその結果を図表的に表わすことにより
第３図及び第４図が得られる。第３図はいづれもｎ＝１
又は２である１ステージ及び２ステージを含む従来の分
布増幅器と本発明の分布増幅器における正規化されたカ
ットオフ周波数を関数とする理論的雑音指数を示してい
る。

本発明によればｌステージの分布増幅器については従来
のものとくらべてＳｄＢに近い改善がみられ、又２ステ
ージの分布増幅器についてはカットオフ周波数の半分以
下の周波数において従来のものとくらべて２〜３．５ｄ
Ｂの間の改良があることが判る。

第３図においては従来の分布増幅器の応答曲線は実線で
示されており一方本発明に係る分布増幅器の応答曲線は
点線で示されている。

第４図は本発明に係る分布増幅器の理論的利得を従来の
分布増幅器のそれに対して正規化した形で示したもので
ある。

ここで分布増幅器は１個、２個又は４個のＭＥＳＦＥＴ
を含むものである。これは、本発明に係る１ステージの
分布増幅器については利得で６ｄＢの改善が示されてお
り又６ｄＢの利得の改善は２ステ一ジ分布増幅器につい
てはカットオフ周波数の７０％においてＯｄＢの改良に
まで低下している。

同図は又４ステージの分布増幅器については変動する改
善があることを示している。

本発明に係る分布増幅器の初期実施テストにおいて分布
増幅器は１個又は２個のガリウムひ素ＭＥＳＦＥＴタイ
プＮＥＣ７１０（ＮＥＣＳｅｎ＋１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
ｓ製、日本）で商業的に入手可能な広帯域１８０度ハイ
ブリッド回路を使用して製造された、同じようなＭＥＳ
ＦＥＴが比較のために使用される従来の１ステージ及び
２ステ一ジ分布増幅器回路を製造するために使用された
。

これ等の装置の周波数に関する雑音指数と利得を決定す
るために実行された実施試験の結果は第５図から第８図
に示されている。

第５図は理論的に予想される６ｄＢの利得と比較すると
平均約４ｄＢＢの利得の改善が達成される。

然しなから本発明に係る分布増幅器の場合においては測
定された利得は２個のハイブリッド１８と２６及びそれ
等に組合されたコネクターから生ずる損失を含むもので
ある。

然しなから適切に監視された回路においては、従来の操
作モードに関してその結果を理論的に予想される数値に
より近くするために一層の改善が期待されうる。

然しなから理論的分析はＭＥＳＦＥＴと他の回路要素は
損失がないと推定しているので、従って理論的に予想し
ている数値は実際上は達成しえないのである。１ステ一
ジ増幅器のノイズ動作の比較は第６図に示されており、
本発明に係る分布増幅器について雑音指数の最小値であ
る５ｄＢをもった２〜１６ＧＩＩの帯域に関する約３ｄ
Ｂの改良を示している。

更に、この数値はハイブリッド或はコネクターにおける
損失に対し修正されていない。

２ステージの分布増幅器における利得及び雑音指数の動
作は第７図及び第８図に示されている。

第７図は低い周波数帯域における利得における期待され
る改良と、本発明に係る分布増幅器におけるカットオフ
周波数の最大７０％までの利得利益（ｇａｉｎ　ｂｅｎ
ｅｆｉｔ）を上記した理論に従って示している。

雑音指数の比較は、利得が等しくなる約８Ｇ）ｌｚまで
減少している帯域端部の低周波数において２ｄＢの雑音
指数の改良を示している。更に、測定されたノイズと利
得の数値はハイブリッドと相互接続部の損失を含んでい
ることは注意すべきである。

これ等は２ＧＩｌｚで代表的には０．２ｄＢであり１５
ＧＨｚでは１ｄＢに上昇する。

これ等の実験的結果は本発明に係る分布増幅器は少数の
数のＭＥＳＦＥＴを含んでいる増幅器に対して利得にお
ける有用な改良と雑音指数における減少を与えるもので
あり、又特に、本発明に係るステージの分布増幅器から
得ることの出来る利得と雑音指数とは一般的に４個のＭ
ＥＳＦＥＴを含む従来の分布増幅器から得られるものと
同じである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る分布増幅器回路の概略的ブロック
ダイアダラムである。 第２図は従来の分布増幅器の回路ダイアグラムである。 第３図は本発明に係る分布増幅器と従来の分布増幅器の
理論的雑音指数の比較を示す、正規化された周波数（ｎ
ｏｍａｌｉｚｅｄ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）に対する雑音
指数のグラフである。 第４図は本発明に係る分布増幅器と従来の分布増幅器と
の理論的利得の比較を示す正規化された周波数に対する
利得のグラフである。 第５図は本発明に係る単一ステージの分布増幅器の実施
例と従来装置との比較を示している周波数に対する利得
のグラフである。 第６図は、本発明に係る単一ステージの増幅器の実施例
と従来の装置との比較を示す周波数に対する雑音指数の
グラフである。 第７図は本発明におけるダブルステージの分布増幅器に
関する実施例と従来装置との比較を示す周波数に対する
利得のグラフである。 第８図は本発明におけるダブルステージの分布増幅器に
関する実施例と従来装置との比較を示す周波数に対する
雑音指数のグラフである。 １〜４・・・ＭＥＳＦＨＴ、　　　　５・・・グランド
線路、６・・・信号入力、　　　　７・・・信号出力、
８〜１１・・・インダクター、１２．１４・・・抵抗、
１３・・・マイクロウェーブ発生器、 １５・・・負荷、　　　　　　１６・・・直流電源、１
７・・・ローパスフィルター、 １８・・・ハイブリッド、　　１９・・・入力口（ｐｏ
ｒｔ）、２０　・・・信号源、　　　　２１．２３−・
・出力口（ｐｏｒ　ｔ）、２２・・・分布増幅器、 ２４・・・ゲート伝送線路の右側端部、２５、３０・・
・隔離出入口、　　２６・・・ハイブリッド、２７．２
８・・・出力口、 ２９・・・ドレイン伝送線路の左側端部、３１・・・出
力線、　　　　　３２・・・出力口。 ＦＩＧ、３ 正規化周波数 正規化周波数 ＦＩＧ、６ 周波数（ＧＨｚ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、第１の入力信号をゲート伝送線路の一方の端部へ供
   給すること及びドレイン伝送線路の一方の端部から第１
   の出力信号を取り出すことからなり、更に第１の入力信
   号と実質的に同一の第２の入力信号をゲート伝送線路の
   他方の端部に供給すること、ドレイン伝送線路の他の端
   部から第２の出力信号を取り出すこと及び増幅された出
   力信号を発生するために第１と第２の出力信号を結合す
   ることにより特徴付けられているＭＥＳＦＥＴ分布増幅
   器の操作方法。 ２、第１と第２の入力信号は同位相であり又第１と第２
   の出力信号は互いに関して移相されていないことを特徴
   とする請求項１記載の方法。 ３、第１と第２の入力信号が互いに関して移相されてお
   り又対応する移相が第１と第２の出力信号に生じせしめ
   られていることを特徴とする請求項１記載の方法。 ４、第１と第２の入力及び出力信号はお互いに関し９０
   度、１８０度或は２７０度で移相されていることを特徴
   とする請求項３記載の方法。 ５、分布増幅器はカットオフ周波数の７５％以下或は４
   ０％以下の周波数で操作されることを特徴とする前記し
   た請求項のいづれか１つに記載された方法。 ６、ゲート及びドレイン伝送線路を有する ＭＥＳＦＥＴ分布増幅器（２２）を有し更に、第１の入
   力信号をゲート伝送線路の一方の端部に供給し、又第１
   の入力信号と実質的に同一である第２の入力信号をゲー
   ト伝送線路の他方の端部に供給する手段（１８）、及び
   ドレイン伝送線路の一方の端部からの第１の出力信号と
   ドレイン伝送線路の他方の端部からの第２の出力信号を
   受け入れ、かつこれ等の信号を結合して増幅された出力
   信号を発生する手段（２７）とを含むことにより特徴付
   けられている広帯域増幅器回路。 ７、第１と第２の入力信号を供給する手段及び第１と第
   ２の出力信号を受け入れて結合する手段は対応するハイ
   ブリッド回路（１８、２６）を含んでいることを特徴と
   する請求項６記載の広帯域増幅器。 ８、ハイブリッド回路が９０度ハイブリッド或は１８０
   度ハイブリッドであることを特徴とする請求項７記載の
   広帯域増幅器。 ９、分布増幅器は唯一のＭＥＳＦＥＴを含むか２個のＭ
   ＥＳＦＥＴを含むことを特徴とする請求項７又は８記載
   の広帯域増幅器。 １０、ＭＥＳＦＥＴがガリウムひ素ＭＥＳＦＥＴである
   ことを特徴とする請求項６乃至９のいづれか１項に記載
   の広帯域増幅器。