JPH01125827A - 電子ビーム描画装置 - Google Patents
電子ビーム描画装置Info
- Publication number
- JPH01125827A JPH01125827A JP62283549A JP28354987A JPH01125827A JP H01125827 A JPH01125827 A JP H01125827A JP 62283549 A JP62283549 A JP 62283549A JP 28354987 A JP28354987 A JP 28354987A JP H01125827 A JPH01125827 A JP H01125827A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- chamber
- electron gun
- specimen
- lens tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 title claims description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩにおいて、１／ｊｍ〜サブ
μｍの超微細パターンを形成する場合に用いる電子ビー
ム描画装置に関するものである。
μｍの超微細パターンを形成する場合に用いる電子ビー
ム描画装置に関するものである。
従来の技術
従来、この種の電子ビーム描画装置は、電子銃、この電
子銃からの電子ビームを絞るためのコンデンサーレンズ
、絞られた電子ビームを偏向する偏向コイルが鏡筒に納
められ、偏向された電子ビームにより任意のパターンに
描かれる試料および試料台がチャンバーに納められてい
る。このような電子ビーム描画装置にあって、サブミク
ロンオーダーの微細パターンの描画を行なうためには、
外部磁界の影響を受けないようにしなければならない。
子銃からの電子ビームを絞るためのコンデンサーレンズ
、絞られた電子ビームを偏向する偏向コイルが鏡筒に納
められ、偏向された電子ビームにより任意のパターンに
描かれる試料および試料台がチャンバーに納められてい
る。このような電子ビーム描画装置にあって、サブミク
ロンオーダーの微細パターンの描画を行なうためには、
外部磁界の影響を受けないようにしなければならない。
そのため、鏡筒、チャンバーには軟鋼等を用い、また、
チャンバー内のステージの構成材料にはなるべく非磁性
材を用いるようにしている。
チャンバー内のステージの構成材料にはなるべく非磁性
材を用いるようにしている。
また、電子ビーム描画装置の近くに強い磁界を発生する
装置等を置かないようにしている。
装置等を置かないようにしている。
発明が解決しようとする問題点 ゛
しかし、上記従来例のような材料を用いた場合、外部磁
界の影響を極力受けないようにすることはできても、影
響を全くなくすことはできず、サブミクロンの微細パタ
ーンの描画には、大きな誤差となる。
界の影響を極力受けないようにすることはできても、影
響を全くなくすことはできず、サブミクロンの微細パタ
ーンの描画には、大きな誤差となる。
本発明は、上記従来例の問題点を解決するもので、外部
からの磁界の影響を受けないようにして、高精度な電子
ビームの偏向を行なうことができるようにし、したがっ
て、サブミクロンオーダーの微細パターンを高精度に描
画することができるようにした電子ビーム描画装置を提
供することを目的とするものである。
からの磁界の影響を受けないようにして、高精度な電子
ビームの偏向を行なうことができるようにし、したがっ
て、サブミクロンオーダーの微細パターンを高精度に描
画することができるようにした電子ビーム描画装置を提
供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
そして、上記問題点を解決するための本発明の技術的な
手段は、電子銃、この電子銃からの電子ビームを絞るた
めのコンデンサーレンズ、絞られた電子ビームを任意の
方向に偏向するための偏向コイルを納めた鏡筒と、上記
偏向コイルにより偏向した電子ビームにより任意パター
ンを描くための試料を納めたチャンバーを超電導材料に
より形成したものである。
手段は、電子銃、この電子銃からの電子ビームを絞るた
めのコンデンサーレンズ、絞られた電子ビームを任意の
方向に偏向するための偏向コイルを納めた鏡筒と、上記
偏向コイルにより偏向した電子ビームにより任意パター
ンを描くための試料を納めたチャンバーを超電導材料に
より形成したものである。
作用
上記技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、鏡筒およびチャンバーを形成している超電導
材料がマイスナー効果により外部からの磁界の影響を遮
断することができるので、鏡筒およびチャンバー内部に
おいて、電子ビームが高精度に偏向、走査される。
材料がマイスナー効果により外部からの磁界の影響を遮
断することができるので、鏡筒およびチャンバー内部に
おいて、電子ビームが高精度に偏向、走査される。
実施例
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。図は本発明の一実施例における電子ビーム描画装置を
示す断面図である。
。図は本発明の一実施例における電子ビーム描画装置を
示す断面図である。
図において、１は電子ビーム２を発生する電子銃、３は
電子銃１からの電子ビーム２を絞るための複数組のコン
デンサーレンズ（例えば電磁レンズ）、４はコンデンサ
ーレンズ３により絞られた電子ビーム２を任意の方向に
偏向する複数組の偏向コイル、５は偏向された電子ビー
ム２により任意のパターンに描画される試料、６は試料
６を支持する試料台である。電子銃１、コンデンサーレ
ンズ３、偏向コイル４は鏡筒７に納められ、試料５およ
び試料台６はチャンバー８に納められ、高真空な空間に
形成されている。そして、鏡筒７およびチャンバー８は
超電導材料により形成されている。
電子銃１からの電子ビーム２を絞るための複数組のコン
デンサーレンズ（例えば電磁レンズ）、４はコンデンサ
ーレンズ３により絞られた電子ビーム２を任意の方向に
偏向する複数組の偏向コイル、５は偏向された電子ビー
ム２により任意のパターンに描画される試料、６は試料
６を支持する試料台である。電子銃１、コンデンサーレ
ンズ３、偏向コイル４は鏡筒７に納められ、試料５およ
び試料台６はチャンバー８に納められ、高真空な空間に
形成されている。そして、鏡筒７およびチャンバー８は
超電導材料により形成されている。
上記鏡筒７およびチャンバー８に、例えば９０にの臨界
温度の超電導材料を用いた場合、超電導状態を得るには
、常温より冷却する必要があり、この冷却には、図示し
ていないが、電子冷凍素子を用いればよい。また、鏡筒
７およびチャツバ−８に、化学式ＭＢａ２０ｕ３０７−
δ（０＜δく１）で示され、ＭｆＪ’Ｙ、 Ｌａ、 Ｍ
ｄ、 Ｐｍ、 Ｓｍ、Ｅｕ、 Ｇｄ、 Ｄｙ。
温度の超電導材料を用いた場合、超電導状態を得るには
、常温より冷却する必要があり、この冷却には、図示し
ていないが、電子冷凍素子を用いればよい。また、鏡筒
７およびチャツバ−８に、化学式ＭＢａ２０ｕ３０７−
δ（０＜δく１）で示され、ＭｆＪ’Ｙ、 Ｌａ、 Ｍ
ｄ、 Ｐｍ、 Ｓｍ、Ｅｕ、 Ｇｄ、 Ｄｙ。
Ｈａ％Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｓｒのうち、少
なくとも一種類、特にＹであり、臨界温度が常温、若し
くは常温付近である超電導材料を用いれば、上記冷却手
段を必要としない。
なくとも一種類、特にＹであり、臨界温度が常温、若し
くは常温付近である超電導材料を用いれば、上記冷却手
段を必要としない。
次に上記実施例の動作について説明する。
電子銃１から出た電子ビーム２はコンデンサーレンズ３
により絞られ、続いて偏向コイル４により任意の方向に
偏向され、試料台ｅ上の試料６に到達し、微細パターン
が描画される。そして、電子銃１、コンデンサーレンズ
３、偏向コイル４を納めた鏡筒７と、試料台６、試料６
を納めたチャンバー８を超電導材料により形成している
ので、この超電導材料のマイスナー効果により外部から
の磁界の影響を遮断することができ、鏡筒７およびチャ
ンバー８内において、電子ビームを高精度に偏向、走査
することができる。したがって、サブミクロンオーダー
の超微細パターンを安定して描画することができる。
により絞られ、続いて偏向コイル４により任意の方向に
偏向され、試料台ｅ上の試料６に到達し、微細パターン
が描画される。そして、電子銃１、コンデンサーレンズ
３、偏向コイル４を納めた鏡筒７と、試料台６、試料６
を納めたチャンバー８を超電導材料により形成している
ので、この超電導材料のマイスナー効果により外部から
の磁界の影響を遮断することができ、鏡筒７およびチャ
ンバー８内において、電子ビームを高精度に偏向、走査
することができる。したがって、サブミクロンオーダー
の超微細パターンを安定して描画することができる。
発明の効果
以上述べたように本発明によれば、電子銃、コンデンサ
ーレンズ、偏向コイルを納めた鏡筒と、試料を納めたチ
ャンバーを超電導材料により形成しているので、そのマ
イスナー効果により外部磁界からの影響を受けないよう
にすることができ、電子ビームを高精度に偏向、走査す
ることができる。したがって、微細パターン高精度に描
画することができる。
ーレンズ、偏向コイルを納めた鏡筒と、試料を納めたチ
ャンバーを超電導材料により形成しているので、そのマ
イスナー効果により外部磁界からの影響を受けないよう
にすることができ、電子ビームを高精度に偏向、走査す
ることができる。したがって、微細パターン高精度に描
画することができる。
図は本発明の一実施例における電子ビーム描画装置を示
す概略断面図である。 １・・・電子銃、２・・・電子ビーム、３・・・コンデ
ンサーレンズ、４・・・偏向コイル、６・・・試料、６
・・・試料台、７・・・鏡筒、８・・・チャンバー。
す概略断面図である。 １・・・電子銃、２・・・電子ビーム、３・・・コンデ
ンサーレンズ、４・・・偏向コイル、６・・・試料、６
・・・試料台、７・・・鏡筒、８・・・チャンバー。
Claims (1)
- 電子銃、この電子銃からの電子ビームを絞るためのコ
ンデンサーレンズ、絞られた電子ビームを任意の方向に
偏向するための偏向コイルを納めた鏡筒と、上記偏向コ
イルにより偏向した電子ビームにより任意パターンを描
く試料を納めたチャンバーとが超電導材料により形成さ
れていることを特徴とする電子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62283549A JPH01125827A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 電子ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62283549A JPH01125827A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 電子ビーム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125827A true JPH01125827A (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=17666963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62283549A Pending JPH01125827A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 電子ビーム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01125827A (ja) |
-
1987
- 1987-11-10 JP JP62283549A patent/JPH01125827A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4044255A (en) | Corpuscular-beam transmission-type microscope including an improved beam deflection system | |
| JPS63200500A (ja) | シンクロトロン放射源 | |
| Nixon | The general principles of scanning electron microscopy | |
| JP3469213B2 (ja) | 磁場印加試料観察システム | |
| JP2009193833A (ja) | 前方磁界を結像レンズとして用いる電子線観察装置および試料観察方法 | |
| US5563415A (en) | Magnetic lens apparatus for a low-voltage high-resolution electron microscope | |
| US20020148971A1 (en) | Lens assembly for electron beam column | |
| US4633085A (en) | Transmission-type electron microscope | |
| Cosslett | Principles and performance of a 600 kV high resolution electron microscope | |
| JPH01125827A (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
| Fernández-Morán | High-resolution electron microscopy with superconducting lenses at liquid helium temperatures. | |
| US6140645A (en) | Transmission electron microscope having energy filter | |
| Schäfer-Nolte | Development of a diamond-based scanning probe spin sensor operating at low temperature in ultra high vacuum | |
| GB1597015A (en) | Magnetic lens system | |
| US3978338A (en) | Illumination system in a scanning electron microscope | |
| US5185530A (en) | Electron beam instrument | |
| Pozzi et al. | Study of electron shadow patterns of the intermediate state of superconducting lead | |
| JP2569011B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| Pfeiffer et al. | Variable axis lens for electron beams | |
| JP2659471B2 (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| US3188465A (en) | Two stage electron beam magnification device comprising plural adjustable magnetic lens system | |
| Singh et al. | Design study of a 200 keV scanning proton microprobe using a field ionization source | |
| Zworykin | Image formation by electrons | |
| Iwatsuki et al. | Low Temperature Observation of Superconducting Materials with a Superconducting Cryo-Electron Microscope | |
| Herrmann | Instrumental requirements for high resolution imaging |