JPH01118830A - Pattern forming material - Google Patents
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- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、露光用の光（４３６ｎｍ）に対する初期透
過率が低く、露光時の紫外線に対して漂白作用を付加さ
せ完全に漂白した後の透過率が高くなる［横軸露光エネ
ルギー（Ｘ）、縦軸透過率（Ｙ）とした特性式、Ｙ＝Ａ
Ｘ十Ｂとした場合Ａが大で。Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) This invention has a low initial transmittance to exposure light (436 nm), and a bleaching effect is added to the ultraviolet rays during exposure, so that the The transmittance increases [Characteristic formula where the horizontal axis is exposure energy (X) and the vertical axis is transmittance (Y), Y=A
If X0B, A is large.
Ｂが小なる傾向コ性質を有し、レジスト上に塗布した後
にこの材料薄膜を介してレジストを露光することによっ
て、従来の露光方法に比べ、解像上の向上を可能とする
微細パターン形成材料に関するものである。A fine pattern forming material that has a tendency for B to be small and that enables improved resolution compared to conventional exposure methods by exposing the resist through a thin film of this material after coating it on a resist. It is related to.
（従来の技術）
１９８３年、米国ＧＥ社のＢ、 Ｆ、 Ｇｒｉｆｆｉｎ
ｇらはパターン形成用のレジスト上に光強度プロファイ
ルのコントラストを促進させるコントラスト・エンハン
スト層を積層することにより、解像度及びパターン形状
の改善を図る方法・を発表した（コントラストエンハン
スト フォトリングラフィ（Ｃｏｎｔｒａｓｔ Ｅｎｈ
ａｎｃｅｄ Ｐｈｏｔｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）（Ｂ、
Ｒ，グリフイン他アイイーイーイー−ＥＤ、ＥＤＬ−
４巻（Ｂ、 Ｆ、 Ｇｒｉｆｆｉｎｇ ａｔ ａｌ、
ＩＥＥＥ−ＥＤ、 ＶＯＬ、 ＥＤＬ−４）、 Ｈａ
１ 、 Ｊａｎ、 １９８３）。(Prior technology) In 1983, B, F, Griffin of GE, USA
et.
anced Photography) (B,
R, Griffin et al. -ED, EDL-
Volume 4 (B, F, Griffing at al.
IEEE-ED, VOL, EDL-4), Ha
1, Jan, 1983).
この発表によると通常の縮小投影法（λ；４３６ｎｍ、
Ｎ、 Ａ ；０．３２）で０．４μｍまでの解像が可
能と報告している。According to this announcement, the normal reduction projection method (λ; 436 nm,
It has been reported that resolution of up to 0.4 μm is possible with N, A: 0.32).
本発明者らの研究の結果、コントラストをエンハンスト
するためのパターン形成有機膜の特性は次のように説明
できる。As a result of research conducted by the present inventors, the characteristics of a patterned organic film for enhancing contrast can be explained as follows.
一般的に縮小投影法における出力の光強度プロファイル
は、その光学レンズ系により加工される。Generally, the output light intensity profile in the reduction projection method is processed by the optical lens system.
説明するとレチクルを通し紫外線の露光を行なった場合
、回折のない理想的な入力光強度プロファイルは完全な
矩形波といえ、そのコントラストＣは次式
％式％
で示される。その時、コントラストＣは１００％となる
。その入力波形は光学レンズを通過することで、その光
学レンズ系の伝達関数によって、フーリエ変換した後、
出力波形として余弦波の形状に近くなりコントラストＣ
も劣化する。このコントラストの劣化はパターン形状例
えば解像度及びパターン形状に大きく影響する。ちなみ
にレジストパターン解像に要するコントラストは、レジ
スト自身の特性より６０％以上とされ、コントラストＣ
値が６０％以下となるとパターン形成が不能となる。To explain, when ultraviolet light is exposed through a reticle, the ideal input light intensity profile without diffraction can be said to be a perfect rectangular wave, and its contrast C is expressed by the following formula %. At that time, the contrast C becomes 100%. The input waveform passes through an optical lens, and after being Fourier transformed by the transfer function of the optical lens system,
The output waveform is close to the shape of a cosine wave, and the contrast is C.
also deteriorates. This deterioration of contrast greatly affects pattern shape, such as resolution and pattern shape. By the way, the contrast required for resist pattern resolution is said to be 60% or more based on the characteristics of the resist itself, and the contrast C
When the value is less than 60%, pattern formation becomes impossible.
そこで、パターン形成有機膜の特性曲線、つまり露光時
間（露光エネルギー）の小なる領域では紫外線に対する
透過率が小さく（Ｉｍｉｎの増加が少ない）、露光エネ
ルギーの大なる領域では紫外線に対する透過率が大きい
（Ｉ ｗａｘの増加が多い）傾向の膜に、前述の出力波
形を通過させることによりコントラストＣ値が増大する
傾向が発見される。Therefore, in the characteristic curve of the pattern-forming organic film, in other words, in the region where the exposure time (exposure energy) is small, the transmittance to ultraviolet rays is small (the increase in Imin is small), and in the region where the exposure energy is large, the transmittance to ultraviolet rays is large ( By passing the above-mentioned output waveform through a film that tends to have a large increase in I wax, it is discovered that the contrast C value tends to increase.
これをさらに定量的に説明するため、米国ＩＢＭ社のＦ
、 Ｈ，Ｄｉｌｌらの報告（キャラクタライゼーション
オブポジティブフォトレジスト
（Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｐｏ５ｉ
ｔｉｖｅ Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）。In order to explain this more quantitatively, we will discuss IBM's F
, H. Dill et al. (Characterization of Positive Photoresist (Characterization of Po5i)
tive Photoresist).
（Ｆ、Ｈ，ディル他 アイイーイーイー−ＥＤ。(F, H, Dill et al. IEEE-ED.
ＥＤ−２２巻（Ｆ、 Ｈ，Ｄｉｌｌ ａｔ ａｌ、
ＩＥＥＥ−ＨＤ、 ＶＯＬ。ED-22 volume (F, H, Dill at al,
IEEE-HD, VOL.
ＥＤ−２２）、 Ｎｏ、７． Ｊｕｌ、 １９７５）の
中でポジレジストの露光吸収項Ａにあられされるパラメ
ータを使用する。一般的にＡは
で示され、コントラスト・エンハンストにはＡ値が大な
る傾向が望ましい。Ａを大なる傾向にするにはｄ（膜厚
）を薄く、Ｔ（０）（初期透過率）。ED-22), No, 7. The parameters given for the exposure absorption term A of a positive resist in Jul, 1975) are used. Generally, A is expressed as , and it is desirable that the A value tends to be large for contrast enhancement. To make A a large tendency, d (film thickness) should be thin and T(0) (initial transmittance).
Ｔ（ｃｏ）（最終透過率）の比が大なることが必要であ
る。It is necessary that the ratio of T(co) (final transmittance) be large.
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、従来のコントラスト・エンハンスト材料の係数
Ａ値は１０以下である。この程度のコントラスト・エン
ハンスト係数のものでは、レジストパターンは０．５μ
ｍ以上の解像度しか得られず。(Problems to be Solved by the Invention) However, the coefficient A value of conventional contrast-enhancing materials is 10 or less. With a contrast enhancement coefficient of this level, the resist pattern is 0.5μ
Only resolutions higher than m can be obtained.
今後、素子が超微細化し、例えばメモリーの分野で１６
ＭビットＤ ＲＡ Ｍ （ダイナミックメモリー）にお
いての０．５μｍには対応できない。In the future, elements will become ultra-fine, and in the field of memory, for example, 16
It cannot correspond to 0.5 μm in M-bit DRAM (dynamic memory).
また１本発明者らは、コントラスト・エンハンスト材料
として、プルラン、ポリビニールアルコール等の半導体
プロセス上有利な水溶性ポリマーを用いることを提案し
たが、これらは気体透過性が悪いため、その下のレジス
ト中より発生するＮ２ガス等がコントラスト・エンハン
スト層に取り込まれ、パターン欠陥が生じることが判明
した。In addition, the present inventors have proposed the use of water-soluble polymers such as pullulan and polyvinyl alcohol, which are advantageous in semiconductor processes, as contrast-enhancing materials; It was found that N2 gas etc. generated from inside were taken into the contrast enhancement layer, causing pattern defects.
このことを第２図を用いて説明すると、半導体基板１上
のポジレジスト２中より３６５ｎｍの光３の露光時に発
生するガスが、従来のコントラスト・エンハンスト層５
中に取り込まれて第２図（ａ）のどとく抱６となって層
５中に残る。このような泡６は現像時に下地レジストパ
ターンを劣化させ、レジスト２に転写されて第３図（ｂ
）のように欠陥レジストパターン２ｂが発生する。また
、同時に従来のコントラスト・エンハンスト層ではＡ値
が１０以下であり０．５μｍ以下のパターンでは２ｂの
ように形状が悪くなる。コントラスト・エンハンスト効
果の高い高性能なコントラスト・エンハンスト層を用い
ればより一層泡６による欠陥レジストパターン２ｂの発
生も顕著となり、コントラスト・エンハンスト効果を高
めると同時にこのような欠陥の発生も一層除去する必要
があり、かつ半導体プロセス上のスループットの低下も
なくする必要がある。To explain this using FIG. 2, gas generated from the positive resist 2 on the semiconductor substrate 1 during exposure to the 365 nm light 3 is transferred to the conventional contrast enhancement layer 5.
It is taken in and remains in the layer 5 as a throat 6 in FIG. 2(a). Such bubbles 6 deteriorate the underlying resist pattern during development and are transferred to the resist 2, as shown in FIG. 3 (b).
) A defective resist pattern 2b occurs. At the same time, in the conventional contrast enhancement layer, the A value is 10 or less, and a pattern of 0.5 μm or less has a poor shape as shown in 2b. If a high-performance contrast-enhancing layer with a high contrast-enhancing effect is used, the occurrence of defective resist patterns 2b due to bubbles 6 will become even more noticeable, and it is necessary to further eliminate the occurrence of such defects while enhancing the contrast-enhancing effect. There is also a need to avoid deterioration in throughput in semiconductor processes.
本発明は１通常露光用に用いられる４３６ｎｍ（ｇ線）
によって０．５μｍ以下のレジストの最小線幅を精度良
く得られるようなパターン形成を行なうコントラスト・
エンハンスト材料を提供することを目的とする。The present invention is directed to 1. 436 nm (g-line) used for normal exposure.
Contrast/contrast pattern formation that allows accurate minimum line width of resist of 0.5 μm or less
The purpose is to provide enhanced materials.
また、本発明は水溶性である放生導体の現像プロセスに
有利でかつ下地レジストからの気泡を取り込まず、欠陥
なく高精度に超微細なレジストパターンの形成をスルー
プットを低下させることなく可能とすることを目的とす
る。Further, the present invention is advantageous in the development process of a water-soluble radiation conductor, does not incorporate air bubbles from the underlying resist, and enables the formation of ultra-fine resist patterns with high accuracy and no defects without reducing throughput. With the goal.
（問題点を解決するための手段）
本発明は、その光反応試薬として、
を考案した。この試薬はその吸収ピークが４３０ｎｍ付
近であり、露光後には。(Means for solving the problems) In the present invention, the following was devised as the photoreactive reagent. This reagent has an absorption peak around 430 nm, and after exposure.
の反応により４３６ｎｍでの透過率は大となる。また、
５Ｏ３Ｈ基の働きにより、本発明に係る試薬は水中に多
量に溶解するために、Ｔ（ｏ）が小さくなりＡ値は向上
し、１０以上を得ることができる。また、ポリマーとし
て本発明において望ましくは、露光時に下地レジストか
らの泡を取り込まないようにガス透過性の良い水溶性有
機物と悪い水溶性有機物の混合体を用いる。なお、この
ようなポリマーと光反応試薬が結合している場合も光反
応や露光後の除去等に際して、結合していない場合と全
く同様の性能を示す。もちろんガス透過性の良いポリマ
ー単独で用いても良い。Due to this reaction, the transmittance at 436 nm increases. Also,
Because the reagent according to the present invention dissolves in a large amount in water due to the action of the 5O3H group, T(o) becomes small and the A value improves, making it possible to obtain a value of 10 or more. Further, in the present invention, it is preferable to use a mixture of a water-soluble organic substance with good gas permeability and a water-soluble organic substance with poor gas permeability as the polymer in order to prevent bubbles from the underlying resist from being taken in during exposure. In addition, even when such a polymer and a photoreactive reagent are bonded, the performance is exactly the same as when they are not bonded during photoreaction, removal after exposure, etc. Of course, a polymer with good gas permeability may be used alone.
本発明のパターン形成材料を用いたパターン形成方法は
、基板上に、パターン形成用レジストを形成する工程と
、前記レジスト上に、第１の水溶性有機化合物とこの第
１の水溶性有機化合物よりもガス透過性の良い第２の水
溶性有機化合物と前記レジストの露光用の光（４３６ｎ
ｍ）に対して退色性を有する化合物とを含み前記露光用
の光を吸収する水溶性有機膜を形成する工程と、前記水
溶性有機膜とレジストを選択的に露光し露光部分の前記
水溶性有機膜の前記光に対する透過率を向上させる工程
と、前記水溶性有機膜を除去すると同時に前記レジスト
の一部を除去することにより前記露光用の光を照射した
後の前記水溶性有機膜の透過率を露光する前の前記有機
膜の透過率で除した値の自然対数を、前記水溶性有機膜
の膜厚（μｍ）で除した値が約１０以上とするものであ
る。The pattern forming method using the pattern forming material of the present invention includes the steps of forming a pattern forming resist on a substrate, and adding a first water-soluble organic compound and the first water-soluble organic compound on the resist. A second water-soluble organic compound having good gas permeability is also used for exposing the resist (436 nm).
(m) forming a water-soluble organic film that absorbs the exposure light and includes a compound that has a discoloration property against light, and selectively exposing the water-soluble organic film and the resist to a step of improving the transmittance of the organic film to the light, and transmitting the water-soluble organic film after irradiating the exposure light by removing the water-soluble organic film and at the same time removing a part of the resist; The value obtained by dividing the natural logarithm of the value obtained by dividing the transmittance by the transmittance of the organic film before exposure by the film thickness (μm) of the water-soluble organic film is about 10 or more.
（作 用）
本発明者らの検討の結果、コントラスト・エンハンスト
効果を高めて、下地レジストに０．５μｍ以下のレジス
トパターンを形成するためにはＡ値が約１０以上必要で
あることが判明した。本発明のコントラスト・エンハン
スト材料によれば、０．５μｍ以下のレジストパターン
を、容易にかつ歩留まりを低下させることなく実現でき
るものである。(Function) As a result of studies conducted by the present inventors, it was found that an A value of approximately 10 or more is required in order to enhance the contrast enhancement effect and form a resist pattern of 0.5 μm or less on the underlying resist. . According to the contrast-enhancing material of the present invention, a resist pattern of 0.5 μm or less can be easily realized without reducing the yield.
コントラスト・エンハンスト係数Ａを１０以上とし、例
えばコントラスト・エンハンスト層の膜厚０．３μｍあ
るいはそれ以下とすると。If the contrast enhancement coefficient A is 10 or more, and the thickness of the contrast enhancement layer is 0.3 μm or less, for example.
をあてはめると、 Ｔ（ｏ）＝ ３ 、 Ｔ（ｏｏ）
＝９７が得られる。すなわち１本発明を用いることによ
り。Applying, T(o)=3, T(oo)
=97 is obtained. Namely, by using the present invention.
４３６ｎｍの露光用の光を約９７％以上吸収しくこれら
の光の透過率が約３％以下となり）、実質的な初期透過
率は０％に近く、露光部分は露光後はほとんど１００％
に近い９７％以上の透過率とできるため、０．５μｍ以
下のレジストパターンの解像が可能となる。It absorbs about 97% or more of the 436 nm exposure light, and the transmittance of this light is about 3% or less), and the actual initial transmittance is close to 0%, and the exposed area is almost 100% after exposure.
Since it is possible to achieve a transmittance of 97% or more, which is close to 97%, it is possible to resolve a resist pattern of 0.5 μm or less.
そして、このような高性能なコントラスト・エンハンス
ト効果を発揮した場合でも、ガス透過性の異なる水溶性
化合物の混合体を用いると、ガスの発生によるパターン
欠陥の発生は一層抑制することが可能となる。さらに、
本発明はパターン形成コントラスト・エンハンスト層の
除去と同時にレジストの現像を行なうため、現像プロセ
スは容易である。Even when such a high-performance contrast enhancement effect is achieved, pattern defects caused by gas generation can be further suppressed by using a mixture of water-soluble compounds with different gas permeability. . moreover,
Since the present invention develops the resist at the same time as removing the patterned contrast enhancement layer, the development process is easy.
（実施例）
その１
ガス透過性の良くない水溶性有機化合物であるプルラン
、プルランよりもガス透過性の優れた水溶性有機化合物
よりなるポリビニルピロリドンをそれぞれ１０ｇ用いて
、２００ｃｃのプルラン、ポリビニルピロリドン混合水
溶液を調整した。(Example) Part 1 Mixing 200cc of pullulan and polyvinylpyrrolidone using 10g each of pullulan, which is a water-soluble organic compound with poor gas permeability, and polyvinylpyrrolidone, which is a water-soluble organic compound with better gas permeability than pullulan. An aqueous solution was prepared.
このようなガス透過性の悪いプルランにガス透過性の良
いポリビニルピロリドンを混入することにより、膜にし
たときに露光時に下地レジストより発生するＮ２ガスを
除去することができ、Ｎ２ガスによる膜中の泡が下地レ
ジストに転写されるというパターンの欠陥を防ぐことが
できる。なお、ガス透過性の悪い化合物と良い化合物の
混合比は任意であり、微量であってもガス透過性の良い
化合物が存在すれば、ガス透過性の悪い化合物の分子配
列を乱すことができ、ガス透過性が急激に良くなること
が認められる。By mixing polyvinylpyrrolidone, which has good gas permeability, into pullulan, which has poor gas permeability, it is possible to remove the N2 gas generated from the underlying resist during exposure when it is made into a film, and the N2 gas in the film can be removed. Pattern defects caused by bubbles being transferred to the underlying resist can be prevented. Note that the mixing ratio of the compound with poor gas permeability and the compound with good gas permeability is arbitrary, and if a compound with good gas permeability is present even in a small amount, the molecular arrangement of the compound with poor gas permeability can be disturbed. It was observed that the gas permeability improved rapidly.
なお、プルランは、水にきわめて易溶性を有し、それ自
身ではほとんど透過率が１００％であって。In addition, pullulan is extremely easily soluble in water, and its transmittance is almost 100%.
成膜性も良好で、有機溶媒に不溶（レジスト膜に不溶）
、ゲル化しないこと、試薬を容易に混入できること等の
優れた特徴があり、パターン形成有機材料のポリマーと
して用いることはきわめて有用である。Good film forming properties, insoluble in organic solvents (insoluble in resist film)
It has excellent characteristics such as not gelling, and can be easily mixed with reagents, and is extremely useful as a polymer for pattern-forming organic materials.
なお、この際それぞれのポリマーは水に対して、攪拌の
みで室温（２５℃前後）で容易に溶解した。この混合水
溶液に対して、露光用の光に退色性を有する化合物とし
て
なる化合物を１０ｇ溶解させてパターン形成用コントラ
スト・エンハンスト材料とした。この材料は露光用の光
である４３６ｎｍ付近（４３０ｎｍ）で吸収ピークを示
し、４３６ｎｍにおいてコントラスト・エンハンストの
程度を示す係数Ａは１３．５を示した。At this time, each polymer was easily dissolved in water at room temperature (around 25° C.) by only stirring. Into this mixed aqueous solution, 10 g of a compound having discoloration property against exposure light was dissolved to obtain a contrast enhanced material for pattern formation. This material exhibited an absorption peak near 436 nm (430 nm), which is the exposure light, and the coefficient A indicating the degree of contrast enhancement at 436 nm was 13.5.
この材料を用いて、レジストパターン形成を行なったリ
ングラフィ工程を第１図に示す。半導体等の基板１上に
レジスト２を１．５μｍ厚に回転塗布する〔第１図（ａ
）〕。なお、この基板１上には配線、絶縁物などの段差
が形成されているが、レジストの膜厚の調整にて段差の
影響は少なくできる。FIG. 1 shows a phosphorography process in which a resist pattern was formed using this material. A resist 2 is spin-coated to a thickness of 1.5 μm on a substrate 1 such as a semiconductor [Fig. 1 (a)
)]. Note that although steps such as wiring and insulators are formed on the substrate 1, the influence of the steps can be reduced by adjusting the film thickness of the resist.
次に、ポジレジスト２上に例えば透過率３％程度の前記
パターン形成用コントラスト・エンハンスト材料のＮ４
を０．３μｍ以下の厚さに回転塗布する〔第１図（ｂ）
〕。そして、縮小投影露光法により選択的に前記４３６
ｎｍの光３を露光する〔第１図（Ｃ）〕。この工程で層
４の露光部分は退色作用により、露光用の光に対し例え
ば９７％以上の透過率となる。そしてポジレジストの現
像液である通常のアルカリ現像液によってコントラスト
・エンハンストの層、であるパターン形成有機材料の層
４を除去すると同時にレジスト２の露光部分を除去しレ
ジストパターン２ａを形成する〔第１図（ｄ）〕。Next, on the positive resist 2, for example, the N4 contrast enhancement material for pattern formation with a transmittance of about 3% is applied.
Spin coating to a thickness of 0.3 μm or less [Figure 1 (b)
]. Then, selectively the 436
Exposure to nm light 3 [FIG. 1(C)]. In this step, the exposed portion of the layer 4 has a transmittance of, for example, 97% or more to the exposure light due to a fading effect. Then, the contrast enhancement layer, the layer 4 of pattern-forming organic material, is removed using an ordinary alkaline developer, which is a positive resist developer, and at the same time, the exposed portion of the resist 2 is removed to form a resist pattern 2a. Figure (d)].
第１図（ｄ）において露光による泡の発生はみられない
ために、第１図（ｄ）においてレジストパターン２ａの
欠陥は全くみられず、コントラストの向上した０、４５
μｍ解像の超微細なレジストパターン２ａが得られた。Since no bubbles are observed due to exposure in FIG. 1(d), no defects are observed in the resist pattern 2a in FIG. 1(d), and the contrast is improved.
An ultra-fine resist pattern 2a with μm resolution was obtained.
なお、試薬中のベンゼン環に置換基がついた場合にも試
薬の性能はほとんど変わらず、本発明として有効であっ
た。Note that even when a substituent was attached to the benzene ring in the reagent, the performance of the reagent hardly changed, and the present invention was effective.
なお、初期透過率３％、露光後の透過率９７％の例を説
明したが、これらの数値はＡ値に対してパターン形成用
コントラスト・エンハンスト層の膜厚を選定することに
より、３％以上、９７％以下となる場合もある。Although we have explained an example of initial transmittance of 3% and post-exposure transmittance of 97%, these values can be adjusted to 3% or more by selecting the film thickness of the contrast enhancement layer for pattern formation relative to the A value. , it may be less than 97%.
本発明に用いるパターン形成用コントラスト・エンハン
スト材料としてのガス透過性の比較的悪いものと良いも
のとの水溶性有機物の混合体としては、プルランとポリ
ビニルピロリドン、プルランとポリエチレングリコール
、プルランとポリエチレンオキサイド、ポリビニルアル
コールとポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール
とポリエチレングリコール、ポリビニルアルコールとポ
リエチレンオキサイド、プルランとプルランアセテート
、ポリビニルアルコールとプルランアセテート、セルロ
ースとポリビニルピロリドン、セルロースとポリエチレ
ングリコール、セルロースとポリエチレンオキサイド、
セルロースとプルランアセテート等の組合せを用いるこ
とができる。The mixture of water-soluble organic substances with relatively poor gas permeability and those with good gas permeability as a contrast-enhancing material for pattern formation used in the present invention includes pullulan and polyvinylpyrrolidone, pullulan and polyethylene glycol, pullulan and polyethylene oxide, Polyvinyl alcohol and polyvinylpyrrolidone, polyvinyl alcohol and polyethylene glycol, polyvinyl alcohol and polyethylene oxide, pullulan and pullulan acetate, polyvinyl alcohol and pullulan acetate, cellulose and polyvinylpyrrolidone, cellulose and polyethylene glycol, cellulose and polyethylene oxide,
Combinations such as cellulose and pullulan acetate can be used.
（発明の効果）
本発明によれば、露光・現像に際しての超微細なレジス
トパターン形成が、スループットの低下がほとんどなく
、高コントラスト、高解像高精度で安定に行なうことが
でき、結果として半導体装置の微細化２歩留まり向上に
つながり、優れた工業的価値を有するものである。(Effects of the Invention) According to the present invention, ultra-fine resist pattern formation during exposure and development can be stably performed with high contrast, high resolution, and high precision with almost no reduction in throughput, and as a result, semiconductor This leads to miniaturization of devices and improved yields, and has excellent industrial value.
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明のパターン形成用コント
ラスト・エンハンスト材料によるレジストパターンを形
成する方法の実施例の工程を示す断面図、第２図（ａ）
〜（ｂ）従来の材料のパターン形成用コントラスト・エ
ンハンストを形成する方法の工程を示す断面図である。
１ ・・・基板、 ２ ・・・ポジレジスト、 ２ａ・
・・本発明の材料によるレジストパターン、３・・・４
３６ｎｍ光、 ４・・・本発明のパターン形成用コント
ラスト・エンハンスト材料、６・・・泡。
特許出願人 松下電器産業株式会社
第１図
＋−ａｈ ２−’ボ°ジレジ入ト２ａ、
レジ′スト）マターン３ ４３６ｎｍ九
４ 本そり月つパターン形戸り１コントラスト工ンノ
＼ンストネオ料第２図1(a) to 1(d) are cross-sectional views showing the steps of an embodiment of a method for forming a resist pattern using the contrast-enhancing material for pattern formation of the present invention, and FIG. 2(a)
~(b) is a cross-sectional view illustrating steps in a method of forming a contrast enhancer for patterning of conventional materials; 1...Substrate, 2...Positive resist, 2a.
...Resist pattern using the material of the present invention, 3...4
36 nm light, 4...Contrast enhanced material for pattern formation of the present invention, 6... Bubbles. Patent Applicant: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Figure 1 +-ah 2-' Bank register 2a,
resist) pattern 3 436nm9
4 Honsori Tsukitsu pattern shaped door 1 Contrast work / installation material Figure 2
Claims (3)
成材料。(1) ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ A pattern-forming material containing a photoreceptor, a water-soluble polymer, and water.
とガス透過性の良い水溶性有機物の混合体である特許請
求の範囲第（１）項に記載のパターン形成材料。(2) The pattern forming material according to claim (1), wherein the water-soluble polymer is a mixture of a water-soluble organic substance with poor gas permeability and a water-soluble organic substance with good gas permeability.
ール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール
、ポリエチレンオキサイド、セルロースのいずれか又は
それらのうちのいくつかを混合した水溶性有機物である
特許請求の範囲第（１）項に記載のパターン形成材料。(3) Claim (1) in which the water-soluble polymer is a water-soluble organic substance consisting of pullulan, polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, polyethylene glycol, polyethylene oxide, and cellulose, or a mixture of some of them. The pattern forming material described in .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27646787A JPH01118830A (en) | 1987-10-31 | 1987-10-31 | Pattern forming material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27646787A JPH01118830A (en) | 1987-10-31 | 1987-10-31 | Pattern forming material |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01118830A true JPH01118830A (en) | 1989-05-11 |
Family
ID=17569855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27646787A Pending JPH01118830A (en) | 1987-10-31 | 1987-10-31 | Pattern forming material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01118830A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8080364B2 (en) | 2003-05-09 | 2011-12-20 | Panasonic Corporation | Pattern formation method |
-
1987
- 1987-10-31 JP JP27646787A patent/JPH01118830A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8080364B2 (en) | 2003-05-09 | 2011-12-20 | Panasonic Corporation | Pattern formation method |
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