JPH01114876A - Image forming device - Google Patents

Image forming device

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JPH01114876A
JPH01114876A JP27397187A JP27397187A JPH01114876A JP H01114876 A JPH01114876 A JP H01114876A JP 27397187 A JP27397187 A JP 27397187A JP 27397187 A JP27397187 A JP 27397187A JP H01114876 A JPH01114876 A JP H01114876A
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JP
Japan
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potential
grid
image
change
bias
Prior art date
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Pending
Application number
JP27397187A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akihiko Takeuchi
昭彦 竹内
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Publication of JPH01114876A publication Critical patent/JPH01114876A/en
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  • Developing For Electrophotography (AREA)

Abstract

PURPOSE:To achieve the adjustment of line width without positive fog nor inverted fog by synchronizing a development bias potential VB and the umbra potential Vd of a photosensitive body, changing them and making the change width of the potential VB wider than the change width of the potential Vd. CONSTITUTION:A grid 17 is fitted in a primary electrifying device 4. When primary charge is made negative charge, a grid bias is made a negative voltage. A bias voltage with respect to a developing sleeve 9 and a bias voltage with respect to the grid 17 and adjustable by means of an interlocking means 18 and by freely changing development bias electric power source 25 and a grid bias electric power source 26. In the device of the above constitution, when the negative voltage of the grid bias is boosted, a primary charge voltage rises in the negative direction, and the potential ¦Vd¦ rises. Hereby, at the time of the adjustment of the line width of an outputted image, the potential VB and the potential Vd are synchronized and changed by the means 18. The change width of the variation of the potential VB is also changed in the way that it is wider than the change width of the variation of the potential Vd. Thus, the line width can be adjusted without causing such damages as fogging, etc.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子写真方式を用いた画像形成装置で、出力
画像の線幅を最適なものに調整可能な画像形成装置に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an image forming apparatus using an electrophotographic method and capable of adjusting the line width of an output image to an optimum value.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

電子写真を応用した機器には電子写真複写機・ファクシ
ミリ受信機・レーザビームプリンタ等がある。第2図に
はその一例として、レーザビームプリンタの要部プロセ
ス配置図を示しである。
Devices that utilize electrophotography include electrophotographic copying machines, facsimile receivers, and laser beam printers. As an example, FIG. 2 shows a process layout diagram of the main parts of a laser beam printer.

同図に於いて、像担持体である感光層102と基板10
3より成る感光ドラム101は、矢示方向に回転しつつ
画像を形成してゆく。−成帯電器104により一様に帯
電された感光ドラム101は画像信号に対応して変調さ
れたレーザビーム105に曝され、静電潜像がドラム1
01上に形成される。続いて、ドラム101は現像器1
06による現像工程を経て潜像は顕像化される。
In the figure, a photosensitive layer 102, which is an image carrier, and a substrate 10 are shown.
The photosensitive drum 101 consisting of 3 forms an image while rotating in the direction of the arrow. - The photosensitive drum 101 uniformly charged by the charger 104 is exposed to a laser beam 105 modulated in accordance with an image signal, and an electrostatic latent image is formed on the drum 1.
01. Subsequently, the drum 101 is connected to the developing device 1.
The latent image is visualized through the development step of 06.

その後、転写ガイド111によってガイドされてきた転
写紙(本図に於いて省略)上に転写帯電器112により
顕像は転写される。転写されたトナー顕像は不図示の定
着装置によって転写紙に定着され、機外に排出されハー
ドコピーを得る。一方、ドラム101上に残留する転写
されなかった現像トナーがクリーニング装置113で清
掃され、残留電荷が前露光光源110の照射で短絡消滅
させられた後、ドラム101は最初のステップである一
次帯電工程に送られ繰返し使用される。
Thereafter, the developed image is transferred by a transfer charger 112 onto a transfer paper (omitted in this figure) that has been guided by a transfer guide 111. The transferred toner image is fixed on a transfer paper by a fixing device (not shown), and is discharged outside the machine to obtain a hard copy. On the other hand, after the untransferred developed toner remaining on the drum 101 is cleaned by a cleaning device 113 and the residual charge is short-circuited and extinguished by irradiation with the pre-exposure light source 110, the drum 101 undergoes the first step of primary charging. sent to and used repeatedly.

形成された画像の一例を第3図に示す。転写紙117上
に顕像118が転写される。像露光光であるレーザビー
ム105が照射される工程においては顕像118に相当
する部分の感光ドラムにレーザが照射され0、背景部分
にはレーザ照射をしないイメージスキャン方式が採用さ
れている。この方式の方が背景をレーザ照射し、顕像1
18に相当する部分だけをレーザ照射しない背景スキャ
ン方式に比べて背景画像にスキャン跡が生じないことや
顕像の再現性に優れているためである。
An example of the formed image is shown in FIG. A developed image 118 is transferred onto a transfer paper 117. In the process of irradiating the laser beam 105, which is image exposure light, an image scanning method is adopted in which the laser beam 105 is irradiated onto the portion of the photosensitive drum corresponding to the developed image 118, and the background portion is not irradiated with the laser beam. This method irradiates the background with a laser and
This is because, compared to a background scanning method in which only the portion corresponding to 18 is not irradiated with a laser, there is no scanning trace in the background image and the reproducibility of the image is superior.

第4図は潜像形成の際のドラム101の表面電位の挙動
を示す。感光ドラム101の感光層102としてフタロ
シアニン系有機半導体を用いた例で、−次帯電はマイナ
ス極性で行われる場合を示した。
FIG. 4 shows the behavior of the surface potential of the drum 101 during latent image formation. In this example, a phthalocyanine-based organic semiconductor is used as the photosensitive layer 102 of the photosensitive drum 101, and -order charging is performed with negative polarity.

−成帯電器104により得られる表面電位は暗減衰とレ
ーザ照射による明減衰の差IVd−v11、つまりコン
トラストで550v程度の潜像電位に変換される。
- The surface potential obtained by the charger 104 is converted into a latent image potential with a difference IVd-v11 between dark attenuation and bright attenuation due to laser irradiation, that is, a contrast of about 550V.

現像工程で、現像トナーTは、極性−成分現像剤が用い
られる。現像器106内のトナーTは相互の摩擦、現像
スリーブ109やドクターブレード107等との接触摩
擦により帯電される。そしてドクターブレード107に
よってスリーブ109の上に均一な厚さに乗せられ、マ
グネットローラ108の回転に連れて、搬送される。現
像手段であるスリーブ109には、交流電源115と直
流電源116とがシリーズに接続されていて、偏倚した
交流バイアス電圧が印加されている。スリーブ109が
回転し、ドラム101との最近接部にきたときスリーブ
109の電位と静電潜像電位との間の電界による電気的
吸引力で、トナーTが現像すべき潜像部分へ飛び移る。
In the developing process, a polar component developer is used as the developing toner T. The toner T in the developing device 106 is charged by mutual friction and contact friction with the developing sleeve 109, doctor blade 107, and the like. Then, it is placed on the sleeve 109 with a uniform thickness by the doctor blade 107, and is conveyed as the magnet roller 108 rotates. An AC power source 115 and a DC power source 116 are connected in series to the sleeve 109, which is a developing means, and a biased AC bias voltage is applied thereto. When the sleeve 109 rotates and comes closest to the drum 101, the toner T jumps to the latent image area to be developed due to the electric attraction force due to the electric field between the potential of the sleeve 109 and the electrostatic latent image potential. .

第4図に示した潜像の明部電位Vtに相当する部分が現
像され、いわゆる反転現像がされる。トナーは相対的に
正方向に高い電位Vlを現像するような帯電電極(この
場合はマイナス)に帯電されている。第5図には背景で
ある暗部電位Vdのマイナス電位部分にはトナーが付着
せず、接地電位近傍のレーザ照射部Vzにマイナスに帯
電したトナーが付着する様子を模式的に示しである。
A portion of the latent image shown in FIG. 4 corresponding to the bright area potential Vt is developed, so-called reversal development. The toner is charged by a charging electrode (negative in this case) that develops a relatively high potential Vl in the positive direction. FIG. 5 schematically shows how toner does not adhere to the negative potential portion of the dark area potential Vd, which is the background, and negatively charged toner adheres to the laser irradiation portion Vz near the ground potential.

従来このような現像系に於いて、顕画像の線幅調整をす
るには、明部電位viと暗部電位Vdの間で電源116
の電圧を変化させ、現像バイアス電位v8を変化させて
いた。第5図に示すように、画像濃度を高くしたい時は
現像バイアス電位をvBφからv81へ変化させ、トナ
ーが現像スリーブ109からドラム上のVZ部分へ飛び
易くする。逆に画像濃度を低くしたい時は、現像バイア
ス電位をvBφからVB□へ変化させて、トナーが飛び
にくくする。
Conventionally, in such a developing system, in order to adjust the line width of a developed image, the power supply 116 is turned on between the bright area potential vi and the dark area potential Vd.
The developing bias potential v8 was changed by changing the voltage of . As shown in FIG. 5, when it is desired to increase the image density, the developing bias potential is changed from vBφ to v81 to make it easier for toner to fly from the developing sleeve 109 to the VZ portion on the drum. Conversely, when it is desired to lower the image density, the developing bias potential is changed from vBφ to VB□ to make it difficult for toner to fly.

〔発明が解決しようとしている問題点〕しかしながら、
このような方法では静電潜像の暗部電位Vdと明部電位
VZの差が一定であるため以下に述べる欠点がある。現
像バイアス電位をvBφからVBIに変化させた場合は
、暗部電位Vdとの差1VaVe+lが小さくなる。そ
のため画像の白地(暗部)上にトナーが付着する現象、
いわゆるカブリが発生してしまう。逆に現像バイアス電
位をvBφからv8□に変化させた場合は電位差1v、
 −v8゜lが大きくなる。そのため、トナー中に含ま
れ、帯電電極が通常の極性のトナー(本例では一1以下
「標準極性トナー」という)と異なる一部のトナー(本
例では+、以下「逆極性トナー」)が白地部(暗部電位
V a )に付着してしまい、カブリ、ラインの太りゃ
はみ出しが生じる。
[Problem that the invention is trying to solve] However,
In such a method, the difference between the dark potential Vd and the bright potential VZ of the electrostatic latent image is constant, and therefore there is a drawback described below. When the developing bias potential is changed from vBφ to VBI, the difference 1VaVe+l from the dark area potential Vd becomes smaller. As a result, toner adheres to the white background (dark area) of the image,
So-called fogging occurs. Conversely, when the developing bias potential is changed from vBφ to v8□, the potential difference is 1v,
-v8°l becomes larger. Therefore, some toner (in this example, + in this example, hereinafter referred to as "reverse polarity toner") whose charging electrode is different from the normal polarity toner (in this example, 11 or less, referred to as "standard polarity toner") is contained in the toner. It adheres to the white background area (dark area potential V a ), causing fogging, thick lines, and protrusion.

上記のような問題を生じないために明部電位Vlを変化
させて画像の線幅を調整することも可能である。この方
法では、明部電位1Vllを高くして線幅を細くするこ
とは容易である。しかし感光体の感度限界やレーザなど
の像露光光源の出力限界によって、線幅を太くするため
に明部と現像バイアス電位との差lVz  Vslを大
きくすることは必ずしも容易でない。特にVlを下げる
ために像露光の光量を増すことは感光体のメモリ(感光
体に電荷がトラップされたままになること)の増加、感
光体の劣化を早めることになる。同時に光源の寿命を短
(する欠点がある。
In order to avoid the above problem, it is also possible to adjust the line width of the image by changing the bright area potential Vl. With this method, it is easy to increase the bright area potential 1Vll and narrow the line width. However, due to the sensitivity limit of the photoreceptor and the output limit of an image exposure light source such as a laser, it is not necessarily easy to increase the difference lVz Vsl between the bright area and the developing bias potential in order to increase the line width. In particular, increasing the amount of light for image exposure in order to lower Vl increases the memory of the photoreceptor (charges remain trapped in the photoreceptor) and accelerates the deterioration of the photoreceptor. At the same time, it has the disadvantage of shortening the life of the light source.

〔問題点を解決するための手段(及び作用)〕本発明は
この様な従来方法の欠点を除去し、適正な線幅に調整が
可能な電子写真装置を提供することを目的とするもので
ある。
[Means for Solving the Problems (and Effects)] The present invention aims to eliminate the drawbacks of such conventional methods and provide an electrophotographic apparatus that can adjust the line width to an appropriate line width. be.

この目的を達成するための第1の発明は、帯電した像担
持体に像露光して静電潜像を形成し、該静電潜像をバイ
アス電圧を印加した現像手段で反転現像して顕画像を形
成する電子写真装置において出力画像の線幅を調整する
に際し、前記帯電により形成される暗部電位Vdを変化
させるための可変手段と、これと同極性方向に変化し、
′かつその変化幅は暗部電位Vdの変化の変化幅よりも
太き(なる様に設定した前記バイアス電圧VBの可変手
段とを連動手段により連結動作させて適正な線幅調整を
行なうものである。
A first invention for achieving this object is to form an electrostatic latent image by exposing a charged image carrier, and to develop the electrostatic latent image in reverse using a developing means to which a bias voltage is applied. When adjusting the line width of an output image in an electrophotographic apparatus that forms an image, a variable means for changing the dark potential Vd formed by the charging, and a variable means for changing the dark potential Vd in the same polarity direction as the variable means,
', and the width of the change is wider than the width of the change in the dark potential Vd. .

また、この目的を達成するための第2の発明は、前記第
1の発明の具体的構成に関するもので、前記帯電により
形成される暗部電位v4を変化させるための手段として
、開口部にグリッドを有し、グリッドとシールドの全部
または一部を短絡させた帯電器と、グリッドとアースの
間に直列に配置された定電圧素子と可変抵抗から成る電
位可変手段を用い、これと現像バイアスv8の可変手段
とを、グリッド電位の変化量よりも現像バイアスVBの
変化量が大きくなる様に連結動作させるという簡単な構
成の調整手段により適正な線幅調整を行うものである。
Further, a second invention for achieving this object relates to a specific configuration of the first invention, in which a grid is provided in the opening as a means for changing the dark potential v4 formed by the charging. A charger in which all or part of the grid and the shield are short-circuited, and a potential variable means consisting of a constant voltage element and a variable resistor arranged in series between the grid and the ground are used. Appropriate line width adjustment is carried out by means of an adjusting means having a simple structure in which the variable means is connected and operated so that the amount of change in the developing bias VB is larger than the amount of change in the grid potential.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の詳細な説明するための図で、−吹寄電
器4にグリッド17を取り付けである。
FIG. 1 is a diagram for explaining the present invention in detail, and shows the grid 17 being attached to the blower 4. As shown in FIG.

また、感光体としては長波長側を増感したOPC有機感
光体を用いた。−吹寄電を前記従来例のように負帯電に
した場合、グリッドバイアスは負電圧にする。現像スリ
ーブ9に対するバイアス電圧とグリッド17に対するバ
イアス電圧は連動手段18を用い、現像バイアス電源2
5及びグリッドバイアス電源26を可変することで調整
可能となっている。
Further, as a photoreceptor, an OPC organic photoreceptor sensitized on the long wavelength side was used. - When the blowing charge is made negative as in the conventional example, the grid bias is made a negative voltage. The bias voltage for the developing sleeve 9 and the bias voltage for the grid 17 are controlled by the developing bias power source 2 using the interlocking means 18.
5 and the grid bias power supply 26.

第7図に示すように本実施例では、連像手段として軸2
3を共有し、軸23の回転によって連動可変抵抗21・
22の抵抗値を変えることができるものを用いた。可変
抵抗21は現像バイアス電源25の出力電圧を調整する
ものである。電源25の電圧出力端子DBは現像スリー
ブ9に接続される。可変抵抗22はグリッドバイアス電
源26の出力電圧を調整するものである。電源26の電
圧出力端子GBはグリッド17に接続される。その他の
構成は第2図に示した構成と同一であるから再度の説明
を省略する。。
As shown in FIG. 7, in this embodiment, the axis 2 is used as the continuous image means.
3, and by rotating the shaft 23, the interlocking variable resistance 21 and
22 whose resistance value could be changed was used. The variable resistor 21 is used to adjust the output voltage of the developing bias power supply 25. A voltage output terminal DB of the power source 25 is connected to the developing sleeve 9. The variable resistor 22 is used to adjust the output voltage of the grid bias power supply 26. A voltage output terminal GB of power supply 26 is connected to grid 17 . The rest of the configuration is the same as the configuration shown in FIG. 2, so repeated explanation will be omitted. .

この構成の装置で、画像濃度を上げる場合は軸23を時
計方向に回転させる。すると現像バイアス電源25から
の負の出力電圧及びグリッドバイアス電源26からの負
の出力電圧が上昇する。グリッドバイアスの負電圧が上
昇すれば、−吹寄電電圧が負に高くなる。従って、暗部
電位lVd1が高くなる。
In an apparatus with this configuration, when increasing the image density, the shaft 23 is rotated clockwise. Then, the negative output voltage from the developing bias power supply 25 and the negative output voltage from the grid bias power supply 26 increase. If the negative voltage of the grid bias increases, the negative current voltage becomes negative. Therefore, the dark potential lVd1 becomes high.

さて、ここで、暗部電位Vd1明部電位Vj、現像バイ
アスVBと画質との関係を第8図〜第10図を用いて説
明する。
Now, the relationship between the dark area potential Vd1, the bright area potential Vj, the developing bias VB, and image quality will be explained using FIGS. 8 to 10.

第8図でAは明部電位v1と現像バイアスVBの差、す
なわち現像コントラストに相当し、Bの暗部電位Vdと
現像バイアスVBの差、すなわち白地部のカブリに関係
する因子である。つまりAが大きいほど濃度が上がり、
Bは小さすぎると正カブリ、大きすぎると反転カブリを
生じることになる。
In FIG. 8, A corresponds to the difference between the bright area potential v1 and the developing bias VB, that is, the development contrast, and is a factor related to the difference between the dark area potential Vd of B and the developing bias VB, that is, the fog in the white background area. In other words, the larger A is, the higher the concentration is.
If B is too small, positive fog will occur, and if B is too large, reverse fog will occur.

第9図は暗部電位v、lを様々に変化させたときの関係
を示す図である。ここで、第9図(I)〜(III)に
おいて、Vdの変化に比べてVjの変化が小さいのは、
Vt電位が残留電位レベルに近いためである。
FIG. 9 is a diagram showing the relationship when the dark potentials v and l are varied variously. Here, in FIGS. 9(I) to (III), the reason why the change in Vj is smaller than the change in Vd is because
This is because the Vt potential is close to the residual potential level.

つまり、本実施例で用いたOPC有機感光体では、レー
ザ走査光では、光量を強めていった際に約−50V程度
の残留電位が生じるので、第9図の様にVZ電位を一1
00v近辺とすると、Vdの変化に対してVtの変化幅
が小さくなる。
In other words, in the OPC organic photoreceptor used in this example, a residual potential of about -50V is generated when the intensity of the laser scanning light is increased, so the VZ potential is lowered to 11 as shown in FIG.
If it is set near 00v, the width of change in Vt becomes smaller with respect to change in Vd.

次に第10図(a)〜(d)に、暗部電位Vdと現像バ
イアス電位v8を、様々に変化させた場合を示す。第1
0図(a)は、現像バイアス電位VBだけを変化させる
従来方式である。この方式によれば第8図で説明した様
に、現像コントラストAと共にカブリマージンBも変化
してしまい、反転カブリ等の不都合を生じる。一方、第
1O図(b)は暗部電位Vdと現像バイアス電位Vを同
量ずつ変化させた場合で、(b)の(n)を(a) (
II)と比較すると現像コントラストAは殆んど変わら
ないために濃度は第10図(a)と同程度であるが、ラ
イン幅は第io図(a) (TI)よりも(b) (T
I)の方が大幅に太くなる。これは、カブリマージンB
が異なるためで、潜像のいわゆる根元部を現像する(b
) (rI)の方がライン幅が太くなるのである。これ
は、第10図(b)の系では、線幅はあまり変化しない
ことを意味する。このことを第11図を用いて説明する
。第11図は静止時におけるレーザスポット径がピーク
の1/e”にて、主走査、副走査方向ともに100μm
の円形スポットのレーザビームを400ドツト/インチ
の走査密度で走査させたときに1ドツト分だけ点燈させ
た場合の、感光体上の主走査方向の電位分布を示すもの
である。なお、走査時における動的スポット径は、この
例の様な設定時は主走査方向に長い、いわゆるヨコ長の
だ円となっている。これは静止スポットの光量分布がG
auss分布をなしているのに対し、走査時におけるス
ポット径は、これを主走査方向に積分した形状となるた
めである。なお、光量分布の電位への変換は、本検討に
用いたOPC感光体の光量電位特性を用いて行った。
Next, FIGS. 10(a) to 10(d) show cases in which the dark area potential Vd and the developing bias potential v8 are variously changed. 1st
FIG. 0(a) shows a conventional method in which only the developing bias potential VB is changed. According to this method, as explained in FIG. 8, the fog margin B changes as well as the development contrast A, resulting in problems such as reverse fog. On the other hand, Fig. 1O (b) shows the case where the dark area potential Vd and the developing bias potential V are changed by the same amount, and (n) in (b) is changed to (a) (
Compared with II), the development contrast A is almost unchanged, so the density is about the same as in Figure 10 (a), but the line width is higher than in Figure IO (a) (TI) (b) (T
I) is significantly thicker. This is fog margin B
This is because the so-called root part of the latent image is developed (b
) (rI) has a thicker line width. This means that in the system of FIG. 10(b), the line width does not change much. This will be explained using FIG. 11. Figure 11 shows that the laser spot diameter when stationary is 1/e” of the peak, and is 100 μm in both the main scanning and sub-scanning directions.
This figure shows the potential distribution in the main scanning direction on the photoreceptor when only one dot is lit when scanning with a circular spot laser beam at a scanning density of 400 dots/inch. Note that the dynamic spot diameter during scanning is a so-called horizontal ellipse that is long in the main scanning direction when set as in this example. This means that the light intensity distribution of a stationary spot is G.
This is because the spot diameter during scanning has a shape obtained by integrating this in the main scanning direction, whereas the spot diameter has an auss distribution. Note that the light amount distribution was converted into potential using the light amount potential characteristics of the OPC photoreceptor used in this study.

第11図でaはVdが約−700VSbはVdが約−6
00Vの場合の電位分布で、Vi 1 、 Vz 2は
各々の場合における、レーザ連続ON状態での電位であ
る。また、第11図a、 bでレーザ出力は同じにしで
ある。このとき、Vzl、Vi2に対して、現像コント
ラストが等しくなる様に、即ち、 Vt、 −V 1=V12−V 2 となる様に現像バイアス電位V I + v2を設定し
てやると、第11図から明らかな様にLl<L2となる
In Figure 11, a has a Vd of approximately -700VSb has a Vd of approximately -6
In the potential distribution in the case of 00V, Vi 1 and Vz 2 are the potentials in the laser continuously ON state in each case. Furthermore, the laser output is the same in Figures 11a and 11b. At this time, if the developing bias potential VI + v2 is set so that the developing contrast is equal to Vzl and Vi2, that is, Vt, -V 1 = V12 - V 2 , then from FIG. As is clear, Ll<L2.

このことは、副走査方向のドツト幅や、タテ・ヨコ線幅
についても同様である。
This also applies to the dot width in the sub-scanning direction and the vertical and horizontal line widths.

一方、第10図(C)は暗部電位Vdよりも現像バイア
ス電位v8の変化を大きくしたもので、第1O図(b)
よりも線幅を細くすることが可能である。つまり、第1
0図(C)によ九ば、反転カブリなどの不都合を生じな
い範囲に、カブリマージンBの変化をおさえながら線幅
を調節することが出来る。逆に、第10図(d)は暗部
電位Vdよりも、現像バイアス電位v8の変化を小さ(
したものであるが、これによれば、現像コントラストA
が変化しても線幅はほぼ不変である。
On the other hand, FIG. 10(C) shows the change in the developing bias potential v8 greater than the dark area potential Vd, and FIG. 10(b)
It is possible to make the line width thinner. In other words, the first
As shown in Figure 0 (C), the line width can be adjusted within a range that does not cause problems such as reverse fog while suppressing changes in the fog margin B. On the other hand, FIG. 10(d) shows that the change in the developing bias potential v8 is smaller than the dark area potential Vd (
According to this, the development contrast A
Even if the line width changes, the line width remains almost unchanged.

次に、暗部電位Vdと現像バイアスv8を同期変化させ
るための簡易な方法について第12図を用いて説明する
。第12図において、17はエツジング製法により作ら
れたグリッドで、グリッド方向へのコロナ電流を安定化
させるために、グリッド17とシールド20は同電位に
保たれている。そして、グリッド17及びシールド20
は、定電圧素子27、可変抵抗28.補正用抵抗29を
介して接地しである。この可変抵抗28を第7図22の
部分に適用してやることで、グリッドバイアス電源26
を用いることなくグリッドにバイアス電位を印加するこ
とが可能である。なお、グリッド17とシールド20を
同電位とすることで、コロナワイヤー32から可変抵抗
28に十分な電流を流すことが可能となるが、環境変動
等も考慮して、定電圧素子27を直列に配し、グリッド
バイアス電位の大半は定電圧素子27で発生させるのが
望ましい。また、可変抵抗28の代わりに、複数の定電
圧素子を切り換えて使用することでグリッドバイアス電
位を変更するように構成してもかまわないのはもちろん
である。
Next, a simple method for synchronously changing the dark potential Vd and the developing bias v8 will be explained using FIG. 12. In FIG. 12, reference numeral 17 is a grid made by the etching method, and the grid 17 and the shield 20 are kept at the same potential in order to stabilize the corona current in the direction of the grid. Then, the grid 17 and the shield 20
are a constant voltage element 27, a variable resistor 28. It is grounded via a correction resistor 29. By applying this variable resistor 28 to the portion shown in FIG. 7 22, the grid bias power supply 26
It is possible to apply a bias potential to the grid without using Note that by setting the grid 17 and the shield 20 at the same potential, it becomes possible to flow sufficient current from the corona wire 32 to the variable resistor 28, but in consideration of environmental fluctuations, it is necessary to connect the constant voltage element 27 in series. It is desirable that most of the grid bias potential be generated by the constant voltage element 27. Furthermore, it goes without saying that the grid bias potential may be changed by switching and using a plurality of constant voltage elements instead of the variable resistor 28.

なお、定電圧素子27はグリッド側すなわち高圧電位側
に、また可変手段である可変抵抗28はこれより低電位
側(第12図でアースに近い側)に設けるのが望ましい
。これは、線幅調節手段は直接ユーザー等により触れる
ため、これに連結する可変抵抗28も低電位に保つのが
望ましいためである。
It is preferable that the constant voltage element 27 be provided on the grid side, that is, on the high voltage potential side, and that the variable resistor 28, which is the variable means, be provided on the lower potential side (the side closer to the ground in FIG. 12). This is because the line width adjusting means is directly touched by the user, and it is desirable that the variable resistor 28 connected thereto is also kept at a low potential.

また、シールド20は必ずしもその全面をグリッド17
を短絡させる必要はな(、また、例えばコロナワイヤー
32に面した部分の一部を絶縁部材で覆うなどしたもの
でも良い。つまり、可変抵抗28に十分な電流量が得ら
れる程度にコロナワイヤー32からの電流が流れ込めば
良い。
Furthermore, the shield 20 does not necessarily cover its entire surface with the grid 17.
There is no need to short-circuit the corona wire 32 (or, for example, a part of the portion facing the corona wire 32 may be covered with an insulating material. In other words, the corona wire 32 It is sufficient if the current from the

〔他の実施例〕[Other Examples]

第13図にグリッドバイアス電圧V。と現像バイアス電
位VBの変化方法についての様々な例を示す。なお、本
実施例では一次帯電グリッドに流れるコロナ電流を安定
化させ、十分な電位制御性を与えるために、前述のシー
ルド部材とエツチングによるグリッドを同電位としたも
のを用い、これに十分なコロナ電流を与えて使用した。
Fig. 13 shows the grid bias voltage V. and various examples of how to change the developing bias potential VB. In this example, in order to stabilize the corona current flowing through the primary charging grid and provide sufficient potential controllability, the above-mentioned shield member and the etched grid were made to have the same potential, and a sufficient amount of corona was applied to the grid. It was used by applying a current.

この結果、感光体の暗部電位Vよは、はぼグリッドバイ
アス電圧v0に等しくなっている。
As a result, the dark potential V of the photoreceptor is approximately equal to the grid bias voltage v0.

第13図で(a)〜(C)は既に説明したタイプのもの
で、このうち(b)が本発明に関するものである。一方
、(d)〜(h)はグリッドバイアス電位v0又は現像
バイアス電位VBを、画像調節ダイヤルの変位量に対し
て非線形となる様に設定したときの一例で、F1〜F9
は絞り値になぞられた調節目盛りである。この様にする
と、例えば、第13図(d)の例では、F1〜F5位ま
での画質変化を大きくすることが出来、F5〜F9まで
の変化はゆるやかに出来る。一般に、濃度は線幅を太く
する領域では変化が少ないのに対し、線幅を細(する方
向に変化させてゆくと、変化が急峻になり易い。この場
合、第13図(d)〜(f)の様に線幅を細(する方向
に変化させるときには、V8とVdの両方、又はv8の
変化率を次第に小さくしたり、Vdの変化率を次第に大
きくしてやることで、線幅制御を容易にできる。
In FIG. 13, (a) to (C) are of the type already explained, and among these, (b) is related to the present invention. On the other hand, (d) to (h) are examples when the grid bias potential v0 or the developing bias potential VB is set nonlinearly with respect to the displacement amount of the image adjustment dial, and F1 to F9
is an adjustment scale that resembles the aperture value. In this way, for example, in the example shown in FIG. 13(d), the change in image quality from F1 to F5 can be large, and the change from F5 to F9 can be made gradual. In general, the density changes little in the area where the line width becomes thicker, but as the line width changes in the direction of thinner lines, the change tends to become steeper. When changing the line width in the direction of thinning (as in f), line width control is facilitated by gradually decreasing both V8 and Vd, or the rate of change in v8, or gradually increasing the rate of change in Vd. Can be done.

これに対しくg)、  (h)の様な例は線幅変化が不
規則となり、あまり好ましくない。
On the other hand, in cases like g) and (h), the line width changes irregularly, which is not very preferable.

以上、本発明の詳細な説明してきたが、この他にも例え
ば、濃度調節を目的とするモードや線幅調整を目的とす
るモードなど、複数のモードを設定しておいて、目的に
応じてグリッドバイアス電圧vGと現像バイアス電位V
Bの変化のさせ方を、例えば第13図(b)から(a)
に変更することでモード切換えを行うことも有効な方法
である。
The present invention has been described in detail above, but there are also multiple modes that can be set depending on the purpose, such as a mode for density adjustment and a mode for line width adjustment. Grid bias voltage vG and development bias potential V
For example, how to change B is shown in Fig. 13 (b) to (a).
It is also an effective method to switch the mode by changing to .

なお。グリッドバイアス電位v0や現像バイアス電位V
Bを非線形に変化させる手段としては、−般に、非線形
増幅器を用いて簡単に実現可能であるが、例えば、第1
4図に示す様に定電圧素子27と固定抵抗30、可変抵
抗31を用いるという簡単な構成でグリッドバイアス電
位vGを非線形に変化させることも出来る。なお。第1
4図において、補正用抵抗29は、定電圧素子27や抵
抗30.31等のばらつきを吸収するための微調整に用
いており、画像調整は可変抵抗31を用いる。
In addition. Grid bias potential v0 and development bias potential V
Means for nonlinearly changing B can generally be easily realized using a nonlinear amplifier, but for example, the first
As shown in FIG. 4, it is also possible to nonlinearly change the grid bias potential vG with a simple configuration using a constant voltage element 27, a fixed resistor 30, and a variable resistor 31. In addition. 1st
In FIG. 4, a correction resistor 29 is used for fine adjustment to absorb variations in the constant voltage element 27, resistors 30, 31, etc., and a variable resistor 31 is used for image adjustment.

以上、VGとv8を変化させることで線幅を調整する例
を述べてきたが、これと併用して、レーザビームの強度
を微量変化させてやることで、出力画像の線幅は一層効
果的に変化させることが出来る。もちろんレーザビーム
強度の変化だけで線幅調整を行うことも可能であるが、
前述のごと(、レーザ出力値の上・下限に制限がある。
Above, we have described an example of adjusting the line width by changing VG and v8, but by using this together with a slight change in the laser beam intensity, the line width of the output image can be made even more effective. It can be changed to. Of course, it is possible to adjust the line width simply by changing the laser beam intensity, but
As mentioned above, there are restrictions on the upper and lower limits of the laser output value.

しかし、v。或いはvF3の変化に併用してレーザ出力
値を変更させてやれば微量の光量変化でも十分な効果が
得られる。
However, v. Alternatively, if the laser output value is changed in conjunction with the change in vF3, a sufficient effect can be obtained even with a slight change in the amount of light.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明した様に、現像バイアス電位v8と感光体の暗
部電位v4を、出力画像の線幅調節時に同期させて変化
させ、かつ、前記現像バイアス電位VBの変化量の変化
幅は前記暗部電位Vdの変化量の変化幅よりも太き(す
る様に変化させてやることで、反転カブリや正カブリ等
のへい害を生じることなくライン巾を調整することが可
能となった。
As explained above, the developing bias potential v8 and the dark potential v4 of the photoconductor are changed in synchronization with each other when adjusting the line width of the output image, and the range of change in the amount of change in the developing bias potential VB is the same as the dark potential Vd. By changing the amount of change so that it is wider than the width of change, it is possible to adjust the line width without causing damage such as reverse fog or normal fog.

また帯電工程において、開口部にグリッドを有し、グリ
ッドとシールドの全部または一部を短絡させた帯電器を
用い、グリッドを定電圧素子と可変抵抗を介して接地す
るという簡単な構成を用いることで、きわめて安価でか
つ簡易に上記目的を達成することが出来た。
In addition, in the charging process, a simple configuration can be used in which a charger has a grid in its opening, all or part of the grid and shield are short-circuited, and the grid is grounded via a constant voltage element and a variable resistor. Therefore, the above objective could be achieved easily and at a very low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の構成図。 第2図は従来例。 第3図乃至第5図は画像形成の原理図。 第6図乃至第11図は第1の発明の説明図。 第12図は第2の発明の説明図。 第13図、第14図はその他の実施例。 l・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・感光体4.104・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・1次帯電器5.105・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・レーザ露光9
.109・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・現像手段12.112・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・転写帯電
器13.113・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・クリーナー17・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・1次帯電器グリッド25.116・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・現像バイア
ス電源26・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・グリッドバイアス
電源18・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・連動手段20・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・1次帯電器シールド27・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・定電圧素子28.29.31・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・可変抵抗30・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・固定抵抗第 ? 口 男3図 第 4 図 第 5 図 d 第 6 図 第 7 区 屯位 第 10 図 イ在 這
FIG. 1 is a configuration diagram of the present invention. Figure 2 shows a conventional example. 3 to 5 are principle diagrams of image formation. 6 to 11 are explanatory diagrams of the first invention. FIG. 12 is an explanatory diagram of the second invention. FIG. 13 and FIG. 14 show other embodiments. l・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・Photoreceptor 4.104・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
...Primary charger 5.105...
・・・・・・・・・・・・・・・・・・Laser exposure 9
.. 109・・・・・・・・・・・・・・・・・・
......Developing means 12.112...
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・Transfer charger 13.113・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・Cleaner 17・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
...Primary charger grid 25.116...
・・・・・・・・・・・・・・・・・・Development bias power supply 26・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・ Grid bias power supply 18 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・Interlocking means 20...
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
......Primary charger shield 27...
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
...... Constant voltage element 28.29.31...
・・・・・・・・・・・・・・・・・・Variable resistance 30...
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・Fixed resistance number? Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure d Figure 6 Figure 7 Ward No. 10 Figure I

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)均一に帯電を施した像担持体に像露光を行って静
電潜像を形成し、該静電潜像をバイアス電圧を印加した
現像手段で反転現像して顕画像を形成する画像形成装置
において、少なくとも前記帯電により形成する暗部電位
V_dを変化させる可変手段と、これと同極性方向に変
化する前記現像バイアス電圧V_Bの可変手段と、前記
2つの可変手段を連動させるための連動手段により構成
された線幅調節機構を有し、かつ、その動作は前記暗部
電位V_dの変化の変化幅をΔV_d、前記現像バイア
ス電圧V_Bの変化の変化幅をΔV_Bとするとき、Δ
V_dがΔV_Bより小となる様に設定したことを特徴
とする画像形成装置。
(1) An image in which an electrostatic latent image is formed by performing image exposure on a uniformly charged image carrier, and the electrostatic latent image is reversely developed using a developing means to which a bias voltage is applied to form a visible image. In the forming apparatus, at least a variable means for changing the dark potential V_d formed by the charging, a variable means for the developing bias voltage V_B changing in the same polarity direction as the variable means, and an interlocking means for interlocking the two variable means. ΔV_B is the width of the change in the dark potential V_d, and ΔV_B is the width of the change in the developing bias voltage V_B.
An image forming apparatus characterized in that V_d is set to be smaller than ΔV_B.
(2)均一に帯電を施した像担持体に像露光を行って静
電潜像を形成し、該静電潜像をバイアス電圧を印加した
現像手段で反転現像して顕画像を形成する画像形成装置
において、少なくとも前記帯電により形成する暗部電位
V_dを変化させる可変手段と、これと同極性方向に変
化する前記現像バイアス電位V_Bの可変手段と、開口
部にグリッドを有し、グリッドとシールド部材の全部ま
たは一部を短絡させた帯電手段と、前記グリッドとアー
スの間に直列に配置された、少なくとも定電圧素子と可
変抵抗を持つ電位可変手段と、前記3つの可変手段を連
動させる連動手段とを有し、前記暗部電位V_dの変化
の変化幅をΔV_d、前記現像バイアス電圧V_Bの変
化の変化幅をΔV_B、前記グリッド電位の変化の変化
幅をΔV_Gとするとき、ΔV_dがΔV_Bより小と
なり、ΔV_GがΔV_Bより小となるように設定した
ことを特徴とする画像形成装置。
(2) An image in which an electrostatic latent image is formed by performing image exposure on a uniformly charged image carrier, and the electrostatic latent image is reversely developed using a developing means to which a bias voltage is applied to form a visible image. The forming apparatus includes at least a variable means for changing the dark potential V_d formed by the charging, a variable means for changing the developing bias potential V_B in the same polar direction as the variable means, and a grid at the opening, and the grid and the shield member. a charging means in which all or a portion of the above are short-circuited; a potential variable means having at least a constant voltage element and a variable resistance arranged in series between the grid and the ground; and an interlocking means for interlocking the three variable means. and when the width of the change in the dark potential V_d is ΔV_d, the width of the change in the developing bias voltage V_B is ΔV_B, and the width of the change in the grid potential is ΔV_G, ΔV_d is smaller than ΔV_B. , ΔV_G is set to be smaller than ΔV_B.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8554096B2 (en) 2009-03-31 2013-10-08 Canon Kabushiki Kaisha Power source and image forming apparatus

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60249166A (en) * 1984-05-24 1985-12-09 Canon Inc Method for adjusting image density of electrophotograph

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