JPH01114111A - Mechanical filter - Google Patents
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- JPH01114111A JPH01114111A JP27155787A JP27155787A JPH01114111A JP H01114111 A JPH01114111 A JP H01114111A JP 27155787 A JP27155787 A JP 27155787A JP 27155787 A JP27155787 A JP 27155787A JP H01114111 A JPH01114111 A JP H01114111A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
本発明は、シリコン基板に形成したvit a#Rを利
用した、メカニカルフィルターに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a mechanical filter using Vita#R formed on a silicon substrate.
〈従来の技術〉
第5図〜第7図は従来より一般に使用されCいる従来例
の構成説明図である。<Prior Art> FIGS. 5 to 7 are explanatory diagrams of the configuration of a conventional example that has been commonly used.
第5図は原理的構成説明図、第6図は第5図のA−A断
面図、第7図(Δ)、(B)は第5図を電気回路C示し
た図であり、第7図(B)はp形層とn+、形層の間に
逆バイアス電圧を印加するための電源を示している。FIG. 5 is an explanatory diagram of the principle configuration, FIG. 6 is a sectional view taken along line A-A in FIG. Figure (B) shows a power supply for applying a reverse bias voltage between the p-type layer and the n+ type layer.
これらの図において、11は(100)而を有する、例
えば不純物II度101s原子/Cm’以下のp形のシ
リコン基板である。In these figures, 11 is a p-type silicon substrate having (100) impurity, for example, impurity II degree 101s atoms/Cm' or less.
この基板11の表面には部分的に不純物m度1017程
痕の「1+拡散V4(図では省略)が形成され、このn
十拡散層の一部に振動梁12が<001〉方向に形成さ
れている。なお、この振動梁12は基板11に形成され
たn十層および0層をフォトリソグラフィとアンダエッ
チングの技術を用いて加工する。On the surface of this substrate 11, "1+ diffusion V4 (omitted in the figure)" with traces of impurity m degree 1017 is partially formed, and this n
A vibrating beam 12 is formed in a part of the diffusion layer in the <001> direction. Note that this vibrating beam 12 is formed by processing the n10 layer and the 0 layer formed on the substrate 11 using photolithography and under-etching techniques.
13は振動梁12の略中央上郡に振動梁12に直交し、
かつ、非接触の状態で設けられた磁石、14は絶縁膜と
しての3 + 02膜(第6fIAI照)である。15
a、15bは例えばAIなどの金属′Fj極で、この金
属電極15aの一端は振e梁12から延長したn”M+
−8io2層に設けたコンタクトホール16a1を通じ
て接続され、他端はリード線を介して振動梁12の抵抗
値とほぼ等しい比較抵抗R0およびJelaM20の一
端に接続されている。増幅器20の出力は出力信号とし
て取出されるとともに分岐して一次コイルL+の一端に
接続されている。このコイルL+の他端はコモンライン
に接続されている。13 is located approximately above the center of the vibrating beam 12 and is orthogonal to the vibrating beam 12;
Further, the magnet 14 provided in a non-contact state is a 3+02 film (see 6th fIAI) as an insulating film. 15
a and 15b are metal 'Fj electrodes such as AI, and one end of this metal electrode 15a is n'M+ extending from the beam 12.
It is connected through a contact hole 16a1 provided in the -8io2 layer, and the other end is connected to one end of a comparison resistor R0 and JelaM20, which has a resistance value substantially equal to the resistance value of the vibrating beam 12, via a lead wire. The output of the amplifier 20 is taken out as an output signal, branched off, and connected to one end of the primary coil L+. The other end of this coil L+ is connected to the common line.
一方比較抵抗Roの他端は中点がコモンラインに接続し
た2次コイルL2の他端に接続され、この2次コイルL
2の他端は振動梁12の他端に前記同様に形成された金
属電極15bに接続されている。On the other hand, the other end of the comparison resistor Ro is connected to the other end of the secondary coil L2 whose middle point is connected to the common line.
The other end of the vibrating beam 12 is connected to a metal electrode 15b formed in the same manner as described above.
上記構成において、p形m<基板10)とn+形層(振
動梁12)の間に逆バイアス電圧を印加して絶縁し、振
#J梁12に交流電流iを流寸と振動lR12の共振周
波数において電磁誘導作用により振動梁のインピーダン
スが上界して、比較抵抗Ro、および中点をコモンライ
ンに接続したL2により構成されるブリッジにより不平
衡信号を1gることができる。この信号を増幅器2oで
増幅し、出カイに号として取出づ。In the above configuration, a reverse bias voltage is applied between the p-type m<substrate 10) and the n+-type layer (vibration beam 12) to insulate them, and an alternating current i is applied to the vibration #J beam 12 so that the current dimension and the vibration lR12 resonate. At the frequency, the impedance of the vibrating beam is upper bounded by electromagnetic induction, and an unbalanced signal of 1 g can be generated by the bridge formed by the comparison resistor Ro and L2 whose midpoint is connected to the common line. This signal is amplified by an amplifier 2o and taken out as an output signal.
上記構成において、振動梁12のインピーダンスRは固
有振動数に応じて上昇プる。このインピーダンスRは、
次式のように表ねりことができる。In the above configuration, the impedance R of the vibrating beam 12 increases according to the natural frequency. This impedance R is
It can be expressed as the following formula.
R: (1/222) ・(1/ (E(JT)v2)
・(AB212/bh’ )−Q+R0ここで、E:弾
性率
9;重力加速
γ;蛋仙子を構成している材料の密度
A;振動[−ドによって決まる定数
B;磁束密度
!;振動梁の長さ
b;振e梁の幅
h;振動梁の厚さ
Q;共振の鋭さ
Ro;直流抵抗値
上式によれば[!i!IleのQが数百〜数万の値をと
るため、共振状態において増幅器の出力として、大きな
振幅信号を得ることができる。R: (1/222) ・(1/ (E(JT)v2)
・(AB212/bh')-Q+R0 Here, E: Elastic modulus 9; Gravitational acceleration γ; Density A of the material making up the protein; Constant B determined by vibration [-de]; Magnetic flux density! ; Length of the vibrating beam b; Width h of the vibrating beam e; Thickness Q of the vibrating beam; Sharpness of resonance Ro; DC resistance value According to the above formula [! i! Since the Q of Ile takes a value of several hundreds to tens of thousands, a large amplitude signal can be obtained as the output of the amplifier in a resonant state.
なお、振動梁の加工手段および形状は本実施例に限るも
のではなく、例えば、n形シリコン基板にB(ボロン)
を4X10”原子/cm3以上拡改して選択性エツチン
グにより形成したものを用いてもよい。Note that the processing means and shape of the vibrating beam are not limited to those in this embodiment; for example, B (boron) is applied to an n-type silicon substrate.
It is also possible to use a material formed by selective etching with an enlargement of 4×10'' atoms/cm 3 or more.
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、この様な装置においては、振動梁12に
発生する逆起電力を交流ブリッジを用いて検出している
が、入力信号の成分を、交流ブリッジで完全に抑圧する
ことは事実上不可俺であるから、ブリッジ出力には入力
成分の一部が乗ってくる。<Problems to be Solved by the Invention> However, in such a device, the back electromotive force generated in the vibrating beam 12 is detected using an AC bridge, but the components of the input signal cannot be completely detected by the AC bridge. Since it is virtually impossible to suppress the input component, a portion of the input component is transferred to the bridge output.
このために、S/N比が悪く安定な出カイBgが得られ
ない。For this reason, the S/N ratio is poor and stable output Bg cannot be obtained.
本発明は、この問題点を解決するものである。The present invention solves this problem.
本発明の目的は、S/N比が良好で安定な出力信号が得
られるメカニカルフィルターを提供するにある。An object of the present invention is to provide a mechanical filter that can provide a stable output signal with a good S/N ratio.
〈問題点を解決するための手段〉
この目的を達成するために、本発明は、シリコンの基板
上に設GJられたシ、リコンよりなる振動子本体と、該
振動子本体を励振する励振手段と、前記振動子本体の励
振された振動を検出する検出手段とを具備するメカニカ
ルフィルターにおいて、両端が前記基板に固定され互い
に平行に配置された二個の第一振動子と該第一振動子の
振動の腹の部分を相互に機械的に結合する第二振動子と
を備える振動子本体と、該振動子本体に直交する直流磁
界を加え一方の前記第一振動子の両端あるいは前記二個
の第一振動子の一方の同一端側に交流電流を流して磁気
誘導作用により1tia子を磁界と電流に直交する方向
に励振する励振手段と、他方の第一振動子の両端あるい
は@記二個の第一振動子の他方の同一端側に発生ずる起
電力を検出する振動検出手段とを具備してなるメカニカ
ルフィルターを構成したものである。<Means for Solving the Problems> In order to achieve this object, the present invention provides a vibrator body made of silicon, which is provided on a silicon substrate, and an excitation means for exciting the vibrator body. and a detection means for detecting excited vibrations of the vibrator body, the mechanical filter comprising: two first vibrators having both ends fixed to the substrate and arranged parallel to each other; and the first vibrator. a vibrator body comprising a second vibrator that mechanically couples the antinodes of vibration to each other, and a DC magnetic field orthogonal to the vibrator body is applied to both ends of one of the first vibrators or the two vibrators. an excitation means for passing an alternating current through one end of the first vibrator to excite the first vibrator in a direction perpendicular to the magnetic field and the current by magnetic induction; The mechanical filter includes vibration detection means for detecting the electromotive force generated at the other end of each of the first vibrators.
〈作用〉
以上の構成において、励振手段に入力された入力信号に
より振動子本体は励振される。振動子本体の振動は振動
検出手段により検出され出力信号として取出される。<Operation> In the above configuration, the vibrator main body is excited by the input signal input to the excitation means. The vibration of the vibrator body is detected by the vibration detection means and taken out as an output signal.
以下、実施例に)Sづき詳細に説明する。Hereinafter, a detailed explanation will be given with reference to S in the examples.
〈実施例〉
第1図は本発明の一実施例の原理的¥1郡構成説明図で
ある。<Embodiment> FIG. 1 is an explanatory diagram of the basic configuration of one embodiment of the present invention.
図において、第5図と同一記号の構成は同一機能を表わ
す。In the figure, structures with the same symbols as in FIG. 5 represent the same functions.
以下、第5図と相3i部分のみ説明する。Hereinafter, only FIG. 5 and the phase 3i portion will be explained.
30は振動子本体である。振動子本体30は両端が基板
11に固定され互いに平行に配置された二個の第1振動
子31と第一振動子31の振動の股の部分を相互に機械
的に結合する第二振動子32とをK1える。30 is a vibrator main body. The vibrator main body 30 has two first vibrators 31 that are fixed to the substrate 11 at both ends and are arranged parallel to each other, and a second vibrator that mechanically couples the vibration crotches of the first vibrators 31 to each other. Add 32 to K1.
40は振動子本体30に直交する直流磁界を磁石13に
より加え一方の第一振動子31の両端に交流fti流を
入カドランス41により流しU 1M気誘導作用により
振動子本体30を磁界とffi流に直交する方向に励振
する励振手段である。Reference numeral 40 applies a DC magnetic field orthogonal to the vibrator body 30 using the magnet 13, and inputs an AC fti current to both ends of one first vibrator 31. A quadrature lance 41 applies a DC magnetic field orthogonal to the vibrator body 30. This is an excitation means that excites in a direction perpendicular to the direction.
入カドランス41は一次側が入力端子42に接続されて
いる。二次側は一方の第一!io子31の両0iilに
連続されている。The input transformer 41 has its primary side connected to the input terminal 42 . The secondary side is the first one! It is continuous with both 0iil of io child 31.
50は他方の第一振動子31の両端に発生する起電力を
検出する振動検出1段である。この場合は、出カドラン
ス51が用いられている。出カドランス51の一次側は
他方の第一振動子31の両端に接続され、二次側は増幅
Fi52を介して出力端子53に接続されている。Reference numeral 50 denotes a vibration detection stage that detects the electromotive force generated at both ends of the other first vibrator 31. In this case, an output transformer 51 is used. The primary side of the output lance 51 is connected to both ends of the other first vibrator 31, and the secondary side is connected to the output terminal 53 via the amplification Fi52.
以上の構成において、励振手段40に入力された入力信
号により振動子本体30は励振される。In the above configuration, the vibrator main body 30 is excited by the input signal input to the excitation means 40.
振動子本体30の振動は振動検出手段50により検出さ
れ出力信号として取出される。The vibration of the vibrator body 30 is detected by the vibration detection means 50 and taken out as an output signal.
この結果、振動子本体30は、励振用の第一振動子31
と、起電力検出用の第一振動子31に分けられ、第二振
動子32で、第一振動子31の振動の腹の部分を結合す
るようにされたので、電気的には分離されているが、機
械的には結合されているため、^い入力成分除去比(S
N比)が得られる。As a result, the vibrator main body 30 has the first vibrator 31 for excitation.
and a first oscillator 31 for electromotive force detection, and the second oscillator 32 couples the antinode of the vibration of the first oscillator 31, so they are electrically separated. However, since they are mechanically coupled, the input component rejection ratio (S
N ratio) is obtained.
第2図は振動子本体30の実際例で、(A)は平面図、
([3)は(A)のB−B断面図である。FIG. 2 shows an actual example of the vibrator main body 30, and (A) is a plan view;
([3) is a BB sectional view of (A).
第3図に実験桔采を示す。Figure 3 shows the experimental setup.
入力成分除去比(S/N比)は30〜40dBが得られ
ている。An input component rejection ratio (S/N ratio) of 30 to 40 dB was obtained.
第3図の縦方向は一]コ盛りが5dBを示し、ピーク値
の中心周波数は71551.1Hzである。In the vertical direction of FIG. 3, the peak value is 5 dB, and the center frequency of the peak value is 71551.1 Hz.
第4図は本発明の他の実施例の2!郡構成説明図である
。FIG. 4 shows another embodiment 2 of the present invention! It is an explanatory diagram of the county structure.
本実施例では、入カドランス41の二次側を二個の第一
振動子31の一方の同一端側に接続し、出カドランス5
1の一次側を二個の第一振動子31の他方の同一端側に
接続するようにしたものである。In this embodiment, the secondary side of the input transducer 41 is connected to the same end side of one of the two first oscillators 31, and the output transducer 5
The primary side of the first vibrator 1 is connected to the other same end side of the two first vibrators 31.
なお、前述の実施例においては、第二*+h子32はP
形シリコンよりなると説明したが、これに限ることはな
く、例えば、酸化シリコン(SiO2)、あるいは、窒
化珪素(SiコN’4)に、アルミニウム等の導体をF
MHシたものであってもよい。In addition, in the above-mentioned embodiment, the second *+h child 32 is P
Although it has been explained that it is made of silicon, it is not limited to this. For example, a conductor such as aluminum is applied to silicon oxide (SiO2) or silicon nitride (SiN'4).
It may also be a MH type.
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明は、シリコンのu板上に設
けられたシリコンよりなる振動子本体と、該振動子本体
を励振する励振手段と、前記振動子本体の励振された振
動を検出する検出1段とを具備するメカニカルフィルタ
ーにおいて、両端が前記基板に固定され互いに平行に配
置された二個の第一振動子と該第一振動子の振動の穀の
部分を相互に機械的に結合する第二振動子とを備える!
&動子本体と、vAiilll予本体に直交する直流磁
界を加え一方の前記第一振動子の両端あるいは前記二個
の第一振動子の一方の同一端側に交!1!電流を流して
磁気gR導作用により振動子を磁界と電流に直交する方
向に励振する励振手段と、他方の第一振動子の両端ある
いは前記二個の第一振動子の他方の同一端側に発生する
起電力を検出する振動検出手段とを具備してなるメカニ
カルフィルターを構成した。<Effects of the Invention> As explained above, the present invention provides a vibrator body made of silicon provided on a silicon U plate, an excitation means for exciting the vibrator body, and an excitation device for the vibrator body. In the mechanical filter, the mechanical filter includes two first vibrators whose ends are fixed to the substrate and are arranged parallel to each other; and a second vibrator that is mechanically coupled to the!
& Apply a DC magnetic field orthogonal to the main body of the mover and the pre-main body, and cross it to both ends of one of the first vibrators or to the same end of one of the two first vibrators! 1! Excitation means for applying current to excite the vibrator in a direction perpendicular to the magnetic field and the current by magnetic GR conduction; A mechanical filter is constructed which includes vibration detection means for detecting the generated electromotive force.
この結果、振動子本体は、励振用の第一振動子と、起電
力検出用の第一振動子に分けられ、第二振動子で、第一
振動子の撮動の・腹の部分を結合するようにされたので
、電気的には分離されているが、機械的には結合されて
いるため、高い入力成分除去比(S/N比)が得られる
。As a result, the transducer body is divided into the first transducer for excitation and the first transducer for electromotive force detection, and the second transducer combines the imaging antinode part of the first transducer. Since they are electrically separated but mechanically coupled, a high input component rejection ratio (S/N ratio) can be obtained.
従って、本発明によれば、S/N比が良好で安定な出力
信号が得られるメカニカルフィルターを実現することが
出来る。Therefore, according to the present invention, it is possible to realize a mechanical filter that has a good S/N ratio and can provide a stable output signal.
第1図は本発明の一実施例のrf4理的2!811@成
説明図、第2図は第1図の要部構成説明図で、<A)は
平面図、(B)は(A)のB−8断面図、第3図は第1
図の効果説明図、第4図は本発明の他の実施例の要部構
成説明図、第5図〜第7図は従来より一般に使用されて
いる従来例の構成説明図で、第5図は原理的構成説明図
、第6図は第5図のΔ−Afli面図、第7図は第5図
を電気回路で示した図である。
11・・・基板、13・・・磁石、30・・・振動子本
体、31・・・第一振動子、32・・・第二振動子、4
0・・・励振手段、41・・・入カドランス、42・・
・入力端子、50・・・振動検出手段、51・・・出カ
ドランス、52・・・増幅器、53・・・出力端子。
第1図
第2図(A)
帛5図
第6図Fig. 1 is an explanatory diagram of the RF4 rational 2!811@ construction of an embodiment of the present invention, and Fig. 2 is an explanatory diagram of the main part configuration of Fig. 1, where <A) is a plan view, and (B) is a ) B-8 sectional view, Figure 3 is the 1st
FIG. 4 is an explanatory diagram of the main part configuration of another embodiment of the present invention. FIGS. 5 to 7 are explanatory diagrams of the configuration of a conventional example commonly used. 6 is a Δ-Afli plane view of FIG. 5, and FIG. 7 is a diagram showing FIG. 5 as an electric circuit. DESCRIPTION OF SYMBOLS 11... Substrate, 13... Magnet, 30... Vibrator main body, 31... First vibrator, 32... Second vibrator, 4
0... Excitation means, 41... Input cadence, 42...
- Input terminal, 50... Vibration detection means, 51... Output transformer, 52... Amplifier, 53... Output terminal. Figure 1 Figure 2 (A) Figure 5 Figure 6
Claims (1)
子本体と、該振動子本体を励振する励振手段と、前記振
動子本体の励振された振動を検出する検出手段とを具備
するメカニカルフィルターにおいて、 両端が前記基板に固定され互いに平行に配置された二個
の第一振動子と該第一振動子の振動の腹の部分を相互に
機械的に結合する第二振動子とを備える振動子本体と、
該振動子本体に直交する直流磁界を加え一方の前記第一
振動子の両端あるいは前記二個の第一振動子の一方の同
一端側に交流電流を流して磁気誘導作用により振動子を
磁界と電流に直交する方向に励振する励振手段と、他方
の第一振動子の両端あるいは前記二個の第一振動子の他
方の同一端側に発生する起電力を検出する振動検出手段
とを具備してなるメカニカルフィルター。[Scope of Claims] A vibrator body made of silicon provided on a silicon substrate, excitation means for exciting the vibrator body, and detection means for detecting the excited vibrations of the vibrator body. In the mechanical filter, two first vibrators having both ends fixed to the substrate and arranged parallel to each other, and a second vibrator mechanically coupling antinodes of vibration of the first vibrators to each other. a vibrator body comprising;
A direct current magnetic field orthogonal to the vibrator body is applied, and an alternating current is passed through both ends of one of the first vibrators or the same end of one of the two first vibrators, and the vibrator is exposed to the magnetic field by magnetic induction. It is equipped with an excitation means that excites in a direction perpendicular to the current, and a vibration detection means that detects an electromotive force generated at both ends of the other first vibrator or at the other same end side of the two first vibrators. Mechanical filter.
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JP27155787A JPH01114111A (en) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | Mechanical filter |
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JPH01114111A true JPH01114111A (en) | 1989-05-02 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27155787A Pending JPH01114111A (en) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | Mechanical filter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01114111A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005050839A1 (en) * | 2003-11-19 | 2005-06-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electromechanical filter |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5564417A (en) * | 1978-11-10 | 1980-05-15 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Mechanical filter |
JPS61121512A (en) * | 1984-11-17 | 1986-06-09 | Fujitsu Ltd | Mechanical filter |
-
1987
- 1987-10-27 JP JP27155787A patent/JPH01114111A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5564417A (en) * | 1978-11-10 | 1980-05-15 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Mechanical filter |
JPS61121512A (en) * | 1984-11-17 | 1986-06-09 | Fujitsu Ltd | Mechanical filter |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005050839A1 (en) * | 2003-11-19 | 2005-06-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electromechanical filter |
JP2005176318A (en) * | 2003-11-19 | 2005-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electric machine filter |
US7397326B2 (en) * | 2003-11-19 | 2008-07-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electromechanical filter |
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