JPH01105582A - 太陽光発電素子 - Google Patents

太陽光発電素子

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JPH01105582A
JPH01105582A JP62262987A JP26298787A JPH01105582A JP H01105582 A JPH01105582 A JP H01105582A JP 62262987 A JP62262987 A JP 62262987A JP 26298787 A JP26298787 A JP 26298787A JP H01105582 A JPH01105582 A JP H01105582A
Authority
JP
Japan
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solar cell
electrode
attached
junctions
junction
Prior art date
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Application number
JP62262987A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Sato
雅昭 佐藤
Jitsuo Karashita
唐下 実夫
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KURETSUKU SYST KK
Original Assignee
KURETSUKU SYST KK
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects

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  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は太陽電池の変換効率を上げるシステムに関する
ものである。
(ロ)従来の技術 太陽電池のエネルギー変換効率は、理論限界でも30%
弱程度であり、しかも現実に製造されている結晶シリコ
ン系太陽電池を例にとると、理論限界値が約25%であ
るが、現実の変換効率は12〜14%程度となうってい
る。 また、アモルファス系では8〜10%程度である
(ハ)発明が解決しようとしている問題点本発明は(ロ
)項の理論限界を与えている、太t1!”池の感度スペ
クトルの整合出来ない入力光エネルギーのうち赤外領域
をも、ゼーベック効果を利用するPNユニットで熟電変
差させ前記理論限界を向上させることを目的とする。
(ニ)問題点を解決するための手段 太陽からのふくしゃエネルギースペクトルの内光起電力
効果として吸収し得るスペクトルのエネルギーは全体の
44%しかない、この太陽電池特性により太陽電池材料
に吸収または、そのまま透過する長波長領域のエネルギ
ーは全体の35〜45%にも及ぶ。 また、太陽電池が
負荷に電力を供給し、電流°が流れる際電極ならびに半
導体バルク内の電気抵抗によってジュール熱となる直列
抵抗損失もあり、これらを太陽電池の裏側にゼーベツク
効果を利用するPNユニットで熱電変換させ総合的な変
換効率を上げるものである。
(ホ)実施例 以下、本発明の実施例を、図面を参照して説明する。 
第1図は、太陽光発電素子として構成した場合の側面図
、第2図は同電気回路図である。
1、は単結晶または、アモルファス太陽電池である。2
は太陽電池1と伝熱用電極3を電気的に絶縁するもので
、太陽電池材料に吸収または、そのまま通過した長波長
領域の赤外線及び(ニ)項の電気抵抗によって発生した
ジュール熱を伝熱用電極3へ伝熱するものである。 伝
熱用電極3はP型半導体6と、N型半導体7を、接触固
定したPN接合体を1対またはそれ以上電気的に直列に
結合させる電極である。 放熱用電極4は、伝熱用電極
3で、収熱した熱を、冷却フィン5へ速やかに逃がす目
的を有し、また放熱用電極4と、対をなしPN接合体を
電気的に結合させるものである。 冷却フィン5は放熱
用電極4からの熱を速やかに太陽光発電素子から空気中
へ逃がす目的を有している。 たとえばアルミ等の金属
の場合は表面に電気的な絶縁処理をほどこし、また冷却
フィン5は、金属のバルクに限らず、放熱用ファン等で
も、本発明の範囲を越えるものではない。
(へ)発明の効果 以上のように本発明は、太陽電池にとって光エネルギー
で電気的に変換出来なかった長波長領域の赤外線を、太
陽電池裏側の熱転変換出来るものである。
1 cl(の面積の太陽電池を例にとると、P型半導体
6、例えばアンチモンと、N型半導体7、例えば97%
ビスマス+3%アンチモンをφ0.3 Wmlの円柱で
形成し、それぞれの間隔をQ、l mmとすると、15
6対の熱電変換素子が形成される。そして伝熱用電極3
と放熱用電極4の温度差を3℃と仮定すると、次式によ
ってPNユニットの熱起電力Vが与えられる。
V=nXSXΔT n : PNユニットの対数 〔対〕 S:ゼーベソク係数   〔μv/”C)ΔT:温度差
        (’C3n=156 s= l5pl  +  Isn! = +40X0.0000011−4− 1−75XO
,OOOOO1g= 1 1 5 Xo、000001 ΔT=3 v= 156 x 1 1 5 xO,0OOO01x
 3=53.8   (mV/cn) アモルファス系の太陽電池を例にとると、開放電圧87
ifflVで、変換効率8.36%となっており前記熱
電変換素子によって、8.88%に変換効率が上昇する
こととなる。 以上の如く、本発明にあっては現在まで
全く出力として取り出せなかった、太陽光の赤外領域を
活用出来ることは、光起電力特性の向上に寄与するとこ
ろ多大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は太陽光発電素子の側面図、第2図は、同電気回
路図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  電気的に絶縁した金属、半導体、セラミック、ガラス
    、または有機膜を基板とする、太陽電池の裏側に、P型
    半導体とN型半導体を、接触固定したPN接合体を1対
    またはそれ以上電気的に直列に結合して、ゼーベック効
    果を利用するPNユニットを構成し前記PN接合体の高
    温側に太陽電池の裏側を、他方に、放熱を目的とするも
    のを取り付けた熱電変換させる機能をあわせもった、太
    陽光発電素子。
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