JP7828782B2 - Sample holder - Google Patents
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Description
開示の実施形態は、試料保持具に関する。 The embodiments of the disclosure relate to a sample holder.
半導体部品を製造するプロセスでは、プラズマ処理の対象となる半導体ウェハなどの被処理体を保持する試料保持具として、静電チャックが使用される。この静電チャックは、たとえば、電極が埋設されたセラミック基板を金属製のベースプレートに接合して構成される。 In the semiconductor component manufacturing process, electrostatic chucks are used as sample holders to hold the workpiece, such as semiconductor wafers, that are to be subjected to plasma treatment. These electrostatic chucks are constructed, for example, by bonding a ceramic substrate with embedded electrodes to a metal base plate.
この静電チャックには、静電チャック上に載置された被処理体に温調用の伝熱ガスを供給するための流路が形成される。また、流路へのプラズマの侵入を抑制する観点から、流路内に多孔体を配置した静電チャックが提案されている(例えば、特許文献1参照)。 This electrostatic chuck has a channel formed for supplying a heat transfer gas for temperature control to the workpiece placed on the electrostatic chuck. Furthermore, from the viewpoint of suppressing plasma intrusion into the channel, an electrostatic chuck with a porous body placed within the channel has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、上記の従来技術では、流路での異常放電を抑制する点でさらなる改善の余地があった。 However, the conventional technology described above still had room for further improvement in suppressing abnormal discharge in the flow path.
実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、流路での異常放電を抑制することができる試料保持具を提供することを目的とする。 One embodiment, made in view of the above, aims to provide a sample holder that can suppress abnormal discharge in the flow path.
実施形態の一態様に係る試料保持具は、セラミック基板と、ベースプレートと、埋込部材と、を備える。前記セラミック基板は、被処理体が載置される第1面と、前記第1面の反対に位置する第2面と、前記第1面と前記第2面との間を貫通する第1流路と、を有する。前記ベースプレートは、前記セラミック基板の前記第2面に接合され、少なくとも前記第1流路に対応する位置に貫通孔を有する。前記埋込部材は、前記貫通孔内における前記第1流路側の端部に多孔体を有しているとともに、前記多孔体を介して前記第1流路と連通する第2流路を有する。また、前記第2流路は、前記第1面に対して垂直である第1部位と、前記第1部位と交差する第2部位と、を有する。 A sample holder according to one embodiment comprises a ceramic substrate, a base plate, and an embedded member. The ceramic substrate has a first surface on which the object to be processed is placed, a second surface located opposite the first surface, and a first channel penetrating between the first and second surfaces. The base plate is bonded to the second surface of the ceramic substrate and has a through hole at least at a position corresponding to the first channel. The embedded member has a porous body at its end on the first channel side within the through hole, and a second channel communicating with the first channel via the porous body. Furthermore, the second channel has a first portion perpendicular to the first surface and a second portion intersecting the first portion.
実施形態の一態様によれば、流路での異常放電を抑制することができる試料保持具が提供可能となる。 According to one embodiment, a sample holder capable of suppressing abnormal discharge in the flow path can be provided.
以下、添付図面を参照して、本願の開示する試料保持具の実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。また、各実施形態は、内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。 The embodiments of the sample holder disclosed in this application will be described below with reference to the attached drawings. However, this invention is not limited to the embodiments shown below. Furthermore, each embodiment can be combined as appropriate, provided that the content is not contradictory. Also, the same parts are denoted by the same reference numerals in each of the following embodiments, and redundant descriptions are omitted.
また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。たとえば、「垂直」は第1面に対して第1部位の中心軸が90°±2°「平行」は第1面に対して第2部位の中心軸が0°±2°である。すなわち、上記した各表現は、例えば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。 Furthermore, in the embodiments described below, expressions such as "constant," "orthogonal," "perpendicular," or "parallel" may be used, but these expressions do not require strict adherence to "constant," "orthogonal," "perpendicular," or "parallel" conditions. For example, "perpendicular" means that the central axis of the first part is 90° ± 2° relative to the first surface, while "parallel" means that the central axis of the second part is 0° ± 2° relative to the first surface. In other words, each of the above expressions allows for deviations such as manufacturing accuracy or installation accuracy.
<実施形態>
まず、実施形態に係る試料保持具100の構成について、図1~図4を参照しながら説明する。図1は、実施形態に係る試料保持具100の構成を示す斜視図である。図1に示すように、試料保持具100は、セラミック基板110とベースプレート120とが接合された構造を有する。
<Implementation>
First, the configuration of the sample holder 100 according to the embodiment will be described with reference to Figures 1 to 4. Figure 1 is a perspective view showing the configuration of the sample holder 100 according to the embodiment. As shown in Figure 1, the sample holder 100 has a structure in which a ceramic substrate 110 and a base plate 120 are joined together.
セラミック基板110は、静電力を利用して半導体ウェハなどの被処理体(図示せず)を吸着する。セラミック基板110は、セラミックを含有する原料を略円板状に成形した部材である。 The ceramic substrate 110 uses electrostatic force to attract a workpiece (not shown), such as a semiconductor wafer. The ceramic substrate 110 is a component formed from a ceramic-containing raw material into a roughly disc-shaped form.
セラミック基板110は、たとえば、酸化アルミニウム(Al2O3)や窒化アルミニウム(AlN)、イットリア(Y2O3)、コージェライト、炭化珪素(SiC)、窒化珪素(Si3N4)などを主成分として含んでいる。 The ceramic substrate 110 mainly contains aluminum oxide ( Al₂O₃ ), aluminum nitride (AlN), yttria ( Y₂O₃ ), cordierite, silicon carbide (SiC), and silicon nitride ( Si₃N₄ ).
ベースプレート120は、セラミック基板110を支持する支持部材である。ベースプレート120は、たとえば半導体製造装置などに取り付けられ、試料保持具100を半導体ウェハなどの被処理体を保持する半導体保持装置として機能させる。 The base plate 120 is a support member that supports the ceramic substrate 110. The base plate 120 is attached, for example, to semiconductor manufacturing equipment, and allows the sample holder 100 to function as a semiconductor holding device for holding a workpiece such as a semiconductor wafer.
ベースプレート120は、金属製の円形部材である。ベースプレート120を形成する金属材料としては、たとえば、アルミニウムやステンレス鋼、チタン、AlSiCなどのアルミニウム基複合材料を用いることができる。 The base plate 120 is a circular metal component. As the metal material forming the base plate 120, for example, aluminum, stainless steel, titanium, or aluminum matrix composite materials such as AlSiC can be used.
図2は、実施形態に係る試料保持具100の断面を示す模式図である。上述の通り、試料保持具100は、セラミック基板110とベースプレート120とが接合されて構成される。 Figure 2 is a schematic diagram showing a cross-section of the sample holder 100 according to the embodiment. As described above, the sample holder 100 is constructed by joining a ceramic substrate 110 and a base plate 120.
セラミック基板110は、第1面110aおよび第2面110bを有する。第1面110aには、半導体ウェハなどの被処理体(図示せず)が載置される。第2面110bは、第1面110aとは反対側に位置する。 The ceramic substrate 110 has a first surface 110a and a second surface 110b. A workpiece (not shown), such as a semiconductor wafer, is placed on the first surface 110a. The second surface 110b is located on the opposite side from the first surface 110a.
セラミック基板110の第1面110aに載置された被処理体には、第1面110aよりも上方においてプラズマを発生させることによってプラズマ処理が施される。このプラズマは、第1面110aに対向する電極(図示せず)に高周波電力を印加してガスを励起させることによって発生させることができる。 The object to be treated, placed on the first surface 110a of the ceramic substrate 110, is subjected to plasma treatment by generating plasma above the first surface 110a. This plasma can be generated by applying high-frequency power to an electrode (not shown) facing the first surface 110a to excite a gas.
セラミック基板110の内部には、電極111が配置される。かかる電極111は、たとえば、静電吸着用電極であり、白金やタングステン、モリブデンなどの金属を含有する導電部材である。試料保持具100では、電極111に電圧が印加されると静電力が発生し、静電チャックとして、かかる静電力によってセラミック基板110の第1面110aに被処理体を吸着させる。 An electrode 111 is positioned inside the ceramic substrate 110. This electrode 111 is, for example, an electrostatic adsorption electrode, and is a conductive material containing a metal such as platinum, tungsten, or molybdenum. In the sample holder 100, when a voltage is applied to the electrode 111, an electrostatic force is generated, and acting as an electrostatic chuck, this electrostatic force adsorbs the object to be processed onto the first surface 110a of the ceramic substrate 110.
ベースプレート120は、セラミック基板110の第2面110bに接合される。ベースプレート120は、たとえば、接合材を介して第2面110bに接合されてもよい。かかる接合材としては、たとえば、シリコーン樹脂などの接着剤を用いることができる。 The base plate 120 is bonded to the second surface 110b of the ceramic substrate 110. The base plate 120 may be bonded to the second surface 110b via, for example, a bonding material. Such a bonding material could be, for example, an adhesive such as silicone resin.
ベースプレート120は、内部に空間121を有してもよい。かかる空間121は、たとえば、冷却水や冷却ガスなどの冷却媒体を通過させる冷媒通路として利用されてもよい。また、ベースプレート120は、プラズマ発生用の高周波電力が印加される高周波電極としての機能を兼ねてもよい。 The base plate 120 may have an internal space 121. This space 121 may be used, for example, as a refrigerant passage for a cooling medium such as cooling water or cooling gas. Furthermore, the base plate 120 may also function as a high-frequency electrode to which high-frequency power for plasma generation is applied.
セラミック基板110には、図2に示すように、第1面110aと第2面110bとの間を貫通する第1流路112が形成される。 As shown in Figure 2, a first channel 112 is formed in the ceramic substrate 110, penetrating between the first surface 110a and the second surface 110b.
また、ベースプレート120の少なくとも第1流路112に対応する位置には、貫通孔122が形成される。そして、かかる貫通孔122内には、埋込部材130が配置される。 Furthermore, through-holes 122 are formed in the base plate 120 at positions corresponding to at least the first flow path 112. The embedded member 130 is then placed within these through-holes 122.
埋込部材130は、たとえば、酸化アルミニウム(Al2O3)などの絶縁性材料からなる円柱状部材である。埋込部材130は、セラミック基板110の第2面110bに凹部113が設けられる場合、ベースプレート120の上面(つまり、第2面110bと接合される面)よりもセラミック基板110側に突出して凹部113に嵌合されてもよい。 The embedded member 130 is a cylindrical member made of an insulating material such as aluminum oxide ( Al₂O₃ ). If a recess 113 is provided on the second surface 110b of the ceramic substrate 110, the embedded member 130 may protrude toward the ceramic substrate 110 side from the upper surface of the base plate 120 (i.e., the surface joined to the second surface 110b) and be fitted into the recess 113.
これにより、セラミック基板110の凹部113に対応する位置において、第1流路112の長さが短くなることから、第1流路112内でのプラズマの発生を抑制することができる。 As a result, the length of the first channel 112 is shortened at the position corresponding to the recess 113 in the ceramic substrate 110, thereby suppressing the generation of plasma within the first channel 112.
埋込部材130は、第1流路112側の端部に多孔体131を有する。このように、第1流路112側の端部に多孔体131が位置することによって、セラミック基板110の第1面110aよりも上方においてプラズマを発生させた際に、そのプラズマが第1流路112を通過してベースプレート120側へ到達する不具合を低減することができる。 The embedded member 130 has a porous body 131 at the end facing the first channel 112. By positioning the porous body 131 at the end facing the first channel 112, the problem of plasma passing through the first channel 112 and reaching the base plate 120 when plasma is generated above the first surface 110a of the ceramic substrate 110 can be reduced.
多孔体131は、たとえば、アルミナ多孔体やその他のセラミック多孔体である。多孔体131は、気体(ガス)の流動が可能となる程度に空隙を有していればよい。多孔体131の空隙率は、たとえば、40%以上60%以下である。 The porous body 131 is, for example, an alumina porous body or other ceramic porous body. The porous body 131 only needs to have enough voids to allow gas flow. The porosity of the porous body 131 is, for example, 40% to 60%.
また、埋込部材130には、多孔体131を介して第1流路112と連通する第2流路132が形成される。第2流路132および第1流路112は、ベースプレート120の下面から多孔体131を経由してセラミック基板110の上面(第1面110a)まで連続するガス流路を形成する。 Furthermore, the embedded member 130 has a second channel 132 that communicates with the first channel 112 via the porous body 131. The second channel 132 and the first channel 112 form a continuous gas channel from the lower surface of the base plate 120 through the porous body 131 to the upper surface (first surface 110a) of the ceramic substrate 110.
第2流路132および第1流路112には、たとえば、ヘリウムなどの伝熱ガスを流してもよい。第2流路132および第1流路112に伝熱ガスを流すことによって、その伝熱ガスがセラミック基板110の第1面110aに載置される被処理体の裏面へ供給され、被処理体とセラミック基板110との間の熱伝達率が向上する。 For example, a heat transfer gas such as helium may be flowed through the second channel 132 and the first channel 112. By flowing a heat transfer gas through the second channel 132 and the first channel 112, the heat transfer gas is supplied to the back surface of the workpiece placed on the first surface 110a of the ceramic substrate 110, thereby improving the heat transfer coefficient between the workpiece and the ceramic substrate 110.
図3は、実施形態に係る埋込部材130およびその周辺の構成を示す拡大断面図であり、図4は、実施形態に係る埋込部材130を上方向から見た構成の一例を示す平面図である。なお、図4およびこの図4と対応する以降の図面には、理解を容易にするため、セラミック基板110(図3参照)に形成される第1流路112の位置も示している。 Figure 3 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the embedded member 130 and its surroundings according to the embodiment, and Figure 4 is a plan view showing an example of the configuration of the embedded member 130 according to the embodiment as seen from above. Note that Figure 4 and the subsequent drawings corresponding to Figure 4 also show the position of the first channel 112 formed in the ceramic substrate 110 (see Figure 3) for ease of understanding.
図3などに示すように、実施形態では、埋込部材130に形成される第2流路132が、第1部位132aおよび第2部位132bを有する。第1部位132aは、セラミック基板110の第1面110aに対して垂直な部位である。 As shown in Figure 3 and other figures, in this embodiment, the second channel 132 formed in the embedded member 130 has a first portion 132a and a second portion 132b. The first portion 132a is a portion perpendicular to the first surface 110a of the ceramic substrate 110.
第2部位132bは、第1部位132aと交差する部位である。換言すると、第2部位132bは、第1部位132aとは異なる向きに延びる部位である。たとえば、実施形態では、第2部位132bが第1面110aに対して平行であり、かつ直線状である。 The second portion 132b is the portion that intersects with the first portion 132a. In other words, the second portion 132b is the portion that extends in a different direction from the first portion 132a. For example, in this embodiment, the second portion 132b is parallel to the first surface 110a and is linear.
また、実施形態では、2つの第1部位132aの間を1つの第2部位132bで接続して、第2流路132が形成される。これにより、第2流路132は、埋込部材130の内部において途中で屈曲した形状を有する。 Furthermore, in this embodiment, a second channel 132 is formed by connecting two first portions 132a with a single second portion 132b. As a result, the second channel 132 has a bent shape within the embedded member 130.
2つの第1部位132aのうち、多孔体131と直接繋がる第1部位132aは、図4に示すように、平面視で第1流路112と重なって位置する。一方、2つの第1部位132aのうち、多孔体131と直接繋がらない第1部位132aは、平面視で第1流路112と重ならないように位置する。 Of the two first portions 132a, the first portion 132a directly connected to the porous body 131 is positioned to overlap with the first channel 112 in a plan view, as shown in Figure 4. On the other hand, the first portion 132a not directly connected to the porous body 131 is positioned so as not to overlap with the first channel 112 in a plan view.
ところで、たとえば、第1流路112および第2流路132が、セラミック基板110の上面(第1面110a)からベースプレート120の下面に至るまで直線状に位置する場合を仮定する。 For example, let's assume that the first channel 112 and the second channel 132 are located in a straight line from the upper surface (first surface 110a) of the ceramic substrate 110 to the lower surface of the base plate 120.
この場合、第1面110aよりも上方においてプラズマを発生させた際に、プラズマ中の荷電粒子が、高いエネルギーを保ったまま第1流路112に進入し、多孔体131や第2流路132へ至ることで、多孔体131や第2流路132において異常放電が発生する恐れがある。 In this case, when plasma is generated above the first surface 110a, charged particles in the plasma may enter the first channel 112 while maintaining high energy, reaching the porous body 131 and the second channel 132. This could lead to abnormal discharges occurring in the porous body 131 and the second channel 132.
これに対して、実施形態では、図3などに示すように、第2流路132が屈曲する構造、つまりラビリンス構造を有する。これにより、第1面110aよりも上方においてプラズマを発生させた際に、そのプラズマ中の荷電粒子が第1流路112に進入した場合であっても、かかる荷電粒子を第2流路132の壁面に衝突させて失活させることができる。 In contrast, in this embodiment, as shown in Figure 3 and other figures, the second channel 132 has a bent structure, i.e., a labyrinth structure. This allows charged particles in the plasma to enter the first channel 112 when plasma is generated above the first surface 110a, and these charged particles can be deactivated by colliding them with the wall of the second channel 132.
さらに、実施形態では、第1流路112および第2流路132が、セラミック基板110の第1面110aからベースプレート120の下面に至るまで直線状に位置する場合と比べて、流路全体の長さを長くすることができる。 Furthermore, in this embodiment, the overall length of the channels can be increased compared to the case where the first channel 112 and the second channel 132 are located in a straight line from the first surface 110a of the ceramic substrate 110 to the lower surface of the base plate 120.
これにより、第1面110aよりも上方においてプラズマを発生させた際に、そのプラズマ中の荷電粒子が第1流路112に進入した場合であっても、長い流路の途中で失活させることができる。 This allows charged particles in plasma generated above the first surface 110a to be deactivated midway through the long channel 112, even if they enter the first channel 112.
ここまで説明したように、実施形態では、第2流路132が屈曲する構造を有することで、第2流路132に進入した荷電粒子を容易に失活させることができるため、第1流路112および第2流路132での異常放電の発生を抑制することができる。 As explained above, in this embodiment, the second channel 132 has a bent structure, which allows charged particles entering the second channel 132 to be easily deactivated, thereby suppressing the occurrence of abnormal discharges in the first channel 112 and the second channel 132.
実施形態に係る埋込部材130は、たとえば、第1部位132aに対応する貫通孔が形成される円筒状のグリーンシートと、第2部位132bに対応する横穴が形成される円筒状のグリーンシートとを積層して積層体を形成し、かかる積層体を焼成することで形成することができる。 The embedded member 130 according to this embodiment can be formed, for example, by laminating a cylindrical green sheet with a through hole corresponding to the first portion 132a and a cylindrical green sheet with a lateral hole corresponding to the second portion 132b to form a laminate, and then firing this laminate.
そして、実施形態では、第2部位132bを第1面110aに対して平行に配置することで、第2部位132bに対応する横穴が形成されるグリーンシートを簡便に形成できることから、埋込部材130を簡便に形成することができる。 Furthermore, in this embodiment, by arranging the second portion 132b parallel to the first surface 110a, a green sheet with a corresponding lateral hole can be easily formed, thus allowing for the easy formation of the embedded member 130.
なお、実施形態に係る埋込部材130は、第1部位132aおよび第2部位132bが半円柱状に形成される半円柱状の成形体2つを並べて円柱状となるように圧着し、圧着された成形体を焼成することで形成してもよい。 Furthermore, the embedded member 130 according to this embodiment may be formed by arranging two semi-cylindrical molded bodies, each having a first portion 132a and a second portion 132b formed in a semi-cylindrical shape, pressing them together to form a cylindrical shape, and then firing the pressed molded bodies.
また、実施形態に係る埋込部材130は、第1部位132aおよび第2部位132bが内部に形成される円柱状の成形体を3Dプリンタで作製し、かかる成形体を焼成することで形成してもよい。 Furthermore, the embedded member 130 according to this embodiment may be formed by creating a cylindrical molded body with the first portion 132a and the second portion 132b formed inside using a 3D printer, and then firing the molded body.
<変形例1>
つづいて、実施形態の各種変形例について、図5~図14を参照しながら説明する。図5は、実施形態の変形例1に係る埋込部材130およびその周辺の構成を示す拡大断面図であり、図6は、実施形態の変形例1に係る埋込部材130を上方向から見た構成の一例を示す平面図である。
<Variation 1>
Next, various modifications of the embodiment will be described with reference to Figures 5 to 14. Figure 5 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the embedded member 130 and its surroundings according to Modification 1 of the embodiment, and Figure 6 is a plan view showing an example of the configuration of the embedded member 130 according to Modification 1 of the embodiment as seen from above.
図5などに示すように、変形例1に係る試料保持具100では、第2流路132の構成が上述の実施形態と異なる。具体的には、変形例1では、第2流路132の第2部位132bが、第1部位132aおよび第1面110aに対して傾いて位置する。 As shown in Figure 5 and other figures, the sample holder 100 according to Modification 1 has a different configuration of the second channel 132 compared to the embodiment described above. Specifically, in Modification 1, the second portion 132b of the second channel 132 is positioned at an angle to the first portion 132a and the first surface 110a.
これによっても、第1面110aよりも上方においてプラズマを発生させた際に、そのプラズマ中の荷電粒子が第1流路112に進入した場合に、かかる荷電粒子を第2流路132の壁面に衝突させて失活させることができる。 This also allows charged particles in plasma generated above the first surface 110a to enter the first channel 112, causing them to collide with the wall of the second channel 132 and be deactivated.
また、変形例1では、プラズマ中の荷電粒子が第1流路112に進入した場合であっても、長い流路の途中で失活させることができる。したがって、変形例1によれば、第1流路112および第2流路132での異常放電の発生を抑制することができる。 Furthermore, in Modification 1, even if charged particles in the plasma enter the first channel 112, they can be deactivated along the long channel. Therefore, according to Modification 1, the occurrence of abnormal discharges in the first channel 112 and the second channel 132 can be suppressed.
<変形例2>
図7は、実施形態の変形例2に係る埋込部材130およびその周辺の構成を示す拡大断面図であり、図8は、実施形態の変形例2に係る埋込部材130を上方向から見た構成の一例を示す平面図である。図7に示すように、この変形例2では、第2流路132が3つの第1部位132aと、2つの第2部位132bとを有する。
<Modified Example 2>
Figure 7 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the embedded member 130 and its surroundings according to Modification 2 of the Embodiment, and Figure 8 is a plan view showing an example of the configuration of the embedded member 130 according to Modification 2 of the Embodiment as viewed from above. As shown in Figure 7, in this Modification 2, the second flow path 132 has three first portions 132a and two second portions 132b.
3つの第1部位132aのうち、多孔体131と直接繋がる第1部位132aおよび多孔体131から最も離れた第1部位132aは、図8に示すように、平面視で第1流路112と重なって位置する。一方、3つの第1部位132aのうち、中間に位置する第1部位132aは、平面視で第1流路112と重ならないように位置する。 Of the three first parts 132a, the first part 132a directly connected to the porous body 131 and the first part 132a furthest from the porous body 131 are positioned to overlap with the first channel 112 in a plan view, as shown in Figure 8. On the other hand, the first part 132a located in the middle of the three first parts 132a is positioned so as not to overlap with the first channel 112 in a plan view.
そして、変形例2では、3つの第1部位132aの間を2つの第2部位132bで接続して、第2流路132が形成される。これにより、変形例2の第2流路132は、途中で複数の箇所が屈曲した形状を有する。 In the modified example 2, the three first portions 132a are connected by two second portions 132b to form a second flow channel 132. As a result, the second flow channel 132 in modified example 2 has a shape with multiple bends along its length.
これにより、第1面110aよりも上方においてプラズマを発生させた際に、そのプラズマ中の荷電粒子が第1流路112に進入した場合に、かかる荷電粒子を第2流路132の壁面に衝突させて効果的に失活させることができる。 This allows for the effective deactivation of charged particles in plasma that enter the first channel 112 when plasma is generated above the first surface 110a, by causing them to collide with the wall of the second channel 132.
さらに、変形例2では、第1流路112および第2流路132が、セラミック基板110の第1面110aからベースプレート120の下面に至るまで直線状に位置する場合と比べて、流路全体の長さをさらに長くすることができる。 Furthermore, in the modified example 2, the overall length of the channels can be made even longer compared to the case where the first channel 112 and the second channel 132 are located in a straight line from the first surface 110a of the ceramic substrate 110 to the lower surface of the base plate 120.
これにより、第1面110aよりも上方においてプラズマを発生させた際に、そのプラズマ中の荷電粒子が第1流路112に進入した場合に、さらに長い流路の途中で効果的に失活させることができる。 This allows charged particles in plasma generated above the first surface 110a to be effectively deactivated if they enter the first channel 112, even if they travel further along the longer channel.
このように、変形例2では、第2流路132が複数箇所において屈曲する構造を有することで、第1流路112および第2流路132での異常放電の発生を効果的に抑制することができる。 Thus, in the modified example 2, the second flow path 132 has a structure in which it bends at multiple locations, thereby effectively suppressing the occurrence of abnormal discharges in the first flow path 112 and the second flow path 132.
なお、図7の例では、第2流路132が3つの第1部位132aと2つの第2部位132bとを有する場合について示したが、本開示はかかる例に限られず、第2流路132が4つ以上の第1部位132aと3つ以上の第2部位132bとを有していてもよい。 In the example shown in Figure 7, the second channel 132 has three first portions 132a and two second portions 132b. However, this disclosure is not limited to this example, and the second channel 132 may have four or more first portions 132a and three or more second portions 132b.
<変形例3>
図9は、実施形態の変形例3に係る埋込部材130およびその周辺の構成を示す拡大断面図であり、図10は、実施形態の変形例3に係る埋込部材130を上方向から見た構成の一例を示す平面図である。
<Example 3>
Figure 9 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the embedded member 130 and its surroundings according to the third modified embodiment, and Figure 10 is a plan view showing an example of the configuration of the embedded member 130 according to the third modified embodiment as viewed from above.
図9などに示すように、この変形例3では、2つの第1部位132aの両方が、平面視で第1流路112と重ならないように位置する。たとえば、一方の第1部位132aが多孔体131の周縁部に近接して位置し、他方の第1部位132aが一方の第1部位132aと反対側の多孔体131の周縁部に近接して位置する。 As shown in Figure 9 and other figures, in this modified example 3, both of the two first portions 132a are positioned so as not to overlap with the first flow channel 112 in a plan view. For example, one first portion 132a is positioned close to the periphery of the porous body 131, and the other first portion 132a is positioned close to the periphery of the porous body 131 on the opposite side of the first first portion 132a.
これにより、変形例3では、第1面110aよりも上方においてプラズマを発生させた際に、そのプラズマ中の荷電粒子が第1流路112に進入した場合に、かかる荷電粒子を多孔体131における空隙の壁面や第2流路132の壁面に衝突させて効果的に失活させることができる。 As a result, in the modified example 3, when plasma is generated above the first surface 110a, if charged particles in the plasma enter the first channel 112, these charged particles can be effectively deactivated by colliding them with the walls of the voids in the porous body 131 and the walls of the second channel 132.
さらに、変形例3では、第1流路112および第2流路132が、セラミック基板110の第1面110aからベースプレート120の下面に至るまで直線状に位置する場合と比べて、流路全体の長さをさらに長くすることができる。 Furthermore, in the third modification, the overall length of the channels can be made even longer compared to the case where the first channel 112 and the second channel 132 are located in a straight line from the first surface 110a of the ceramic substrate 110 to the lower surface of the base plate 120.
これにより、第1面110aよりも上方においてプラズマを発生させた際に、そのプラズマ中の荷電粒子が第1流路112に進入した場合に、さらに長い流路の途中で効果的に失活させることができる。 This allows charged particles in plasma generated above the first surface 110a to be effectively deactivated if they enter the first channel 112, even if they travel further along the longer channel.
このように、変形例3では、第2流路132の第1部位132aを平面視で第1流路112と重ならないように配置することで、第1流路112および第2流路132での異常放電の発生を効果的に抑制することができる。 Thus, in the modified example 3, by arranging the first portion 132a of the second channel 132 so as not to overlap with the first channel 112 in a plan view, the occurrence of abnormal discharge in both the first channel 112 and the second channel 132 can be effectively suppressed.
<変形例4>
図11は、実施形態の変形例4に係る埋込部材130およびその周辺の構成を示す拡大断面図であり、図12は、実施形態の変形例4に係る埋込部材130を上方向から見た構成の一例を示す平面図である。図12に示すように、この変形例4では、第2部位132bが平面視で屈曲している。
<Modification 4>
Figure 11 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the embedded member 130 and its surroundings according to the modified embodiment 4, and Figure 12 is a plan view showing an example of the configuration of the embedded member 130 according to the modified embodiment 4 as seen from above. As shown in Figure 12, in this modified embodiment 4, the second portion 132b is bent in plan view.
これによって、第1面110aよりも上方においてプラズマを発生させた際に、そのプラズマ中の荷電粒子が第1流路112に進入した場合に、かかる荷電粒子を第2流路132の壁面に衝突させて効果的に失活させることができる。 This allows for the effective deactivation of charged particles in plasma that enter the first channel 112 when plasma is generated above the first surface 110a, by causing them to collide with the wall of the second channel 132.
さらに、変形例4では、第1流路112および第2流路132が、セラミック基板110の第1面110aからベースプレート120の下面に至るまで直線状に位置する場合と比べて、流路全体の長さをさらに長くすることができる。 Furthermore, in Modification 4, the overall length of the channels can be made even longer compared to the case where the first channel 112 and the second channel 132 are located in a straight line from the first surface 110a of the ceramic substrate 110 to the lower surface of the base plate 120.
これにより、第1面110aよりも上方においてプラズマを発生させた際に、そのプラズマ中の荷電粒子が第1流路112に進入した場合に、さらに長い流路の途中で効果的に失活させることができる。 This allows charged particles in plasma generated above the first surface 110a to be effectively deactivated if they enter the first channel 112, even if they travel further along the longer channel.
このように、変形例4では、第2部位132bがさらに屈曲する構造を有することで、第1流路112および第2流路132での異常放電の発生を効果的に抑制することができる。 Thus, in modified example 4, the second portion 132b has a structure that is further bent, which effectively suppresses the occurrence of abnormal discharge in the first flow path 112 and the second flow path 132.
<変形例5>
図13は、実施形態の変形例5に係る埋込部材130およびその周辺の構成を示す拡大断面図であり、図14は、実施形態の変形例5に係る埋込部材130を上方向から見た構成の一例を示す平面図である。
<Example 5>
Figure 13 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the embedded member 130 and its surroundings according to the modified embodiment 5, and Figure 14 is a plan view showing an example of the configuration of the embedded member 130 according to the modified embodiment 5 as seen from above.
図13に示すように、この変形例5では、第2部位132bが側面視で屈曲している。また、変形例5では、第2部位132bが、第1面110aから離れる方向(図13では下向き)に媒体が通流する部分を有する。 As shown in Figure 13, in this modified example 5, the second portion 132b is bent in a side view. Furthermore, in modified example 5, the second portion 132b has a section through which the medium flows in a direction away from the first surface 110a (downward in Figure 13).
これによって、第1面110aよりも上方においてプラズマを発生させた際に、そのプラズマ中の荷電粒子が第1流路112に進入した場合に、かかる荷電粒子を第2流路の壁面に衝突させて効果的に失活させることができる。 This allows for the effective deactivation of charged particles in plasma that enter the first channel 112 when plasma is generated above the first surface 110a, by causing them to collide with the wall of the second channel.
さらに、変形例5では、第1流路112および第2流路132が、セラミック基板110の第1面110aからベースプレート120の下面に至るまで直線状に位置する場合と比べて、流路全体の長さをさらに長くすることができる。 Furthermore, in Modification 5, the overall length of the channels can be made even longer compared to the case where the first channel 112 and the second channel 132 are located in a straight line from the first surface 110a of the ceramic substrate 110 to the lower surface of the base plate 120.
これにより、第1面110aよりも上方においてプラズマを発生させた際に、そのプラズマ中の荷電粒子が第1流路112に進入した場合に、さらに長い流路の途中で効果的に失活させることができる。 This allows charged particles in plasma generated above the first surface 110a to be effectively deactivated if they enter the first channel 112, even if they travel further along the longer channel.
このように、変形例5では、第1面110aから離れる方向に媒体を通流させることとで、第1流路112および第2流路132での異常放電の発生を効果的に抑制することができる。 Thus, in the modified example 5, by flowing the medium in a direction away from the first surface 110a, the occurrence of abnormal discharge in the first channel 112 and the second channel 132 can be effectively suppressed.
実施形態に係る試料保持具100は、セラミック基板110と、ベースプレート120と、埋込部材130と、を備える。セラミック基板110は、被処理体が載置される第1面110aと、第1面110aの反対に位置する第2面110bと、第1面110aと第2面110bとの間を貫通する第1流路112と、を有する。ベースプレート120は、セラミック基板110の第2面110bに接合され、少なくとも第1流路112に対応する位置に貫通孔122を有する。埋込部材130は、貫通孔122内における第1流路112側の端部に多孔体131を有しているとともに、多孔体131を介して第1流路112と連通する第2流路132を有する。また、第2流路132は、第1面110aに対して垂直である第1部位132aと、第1部位132aと交差する第2部位132bと、を有する。これにより、第1流路112および第2流路132での異常放電の発生を抑制することができる。 The sample holder 100 according to this embodiment comprises a ceramic substrate 110, a base plate 120, and an embedded member 130. The ceramic substrate 110 has a first surface 110a on which the object to be processed is placed, a second surface 110b located opposite the first surface 110a, and a first flow path 112 that penetrates between the first surface 110a and the second surface 110b. The base plate 120 is joined to the second surface 110b of the ceramic substrate 110 and has a through hole 122 at a position corresponding to at least the first flow path 112. The embedded member 130 has a porous body 131 at the end of the through hole 122 on the first flow path 112 side, and a second flow path 132 that communicates with the first flow path 112 via the porous body 131. Furthermore, the second flow path 132 has a first portion 132a perpendicular to the first surface 110a and a second portion 132b intersecting the first portion 132a. This suppresses the occurrence of abnormal discharges in both the first flow path 112 and the second flow path 132.
また、実施形態に係る試料保持具100において、第2部位132bは、第1面110aに対して平行である。これにより、埋込部材130を簡便に形成することができる。 Furthermore, in the sample holder 100 according to this embodiment, the second portion 132b is parallel to the first surface 110a. This allows for the simple formation of the embedded member 130.
また、実施形態に係る試料保持具100において、第2流路132は、複数の第2部位132bを有する。これにより、第1流路112および第2流路132での異常放電の発生を効果的に抑制することができる。 Furthermore, in the sample holder 100 according to this embodiment, the second channel 132 has a plurality of second portions 132b. This effectively suppresses the occurrence of abnormal discharge in the first channel 112 and the second channel 132.
また、実施形態に係る試料保持具100において、第1流路112と、第2流路132の第1部位132aとは、平面視で互いに重ならない位置に位置する。これにより、第1流路112および第2流路132での異常放電の発生を効果的に抑制することができる。 Furthermore, in the sample holder 100 according to this embodiment, the first channel 112 and the first portion 132a of the second channel 132 are positioned so as not to overlap in a plan view. This effectively suppresses the occurrence of abnormal discharges in the first channel 112 and the second channel 132.
また、実施形態に係る試料保持具100において、第2部位132bは、平面視で屈曲している。これにより、第1流路112および第2流路132での異常放電の発生を効果的に抑制することができる。 Furthermore, in the sample holder 100 according to this embodiment, the second portion 132b is bent in a plan view. This effectively suppresses the occurrence of abnormal discharge in the first channel 112 and the second channel 132.
また、実施形態に係る試料保持具100において、第2部位132bは、第1面110aから離れる方向に媒体が通流する部分を有する。これにより、第1流路112および第2流路132での異常放電の発生を効果的に抑制することができる。 Furthermore, in the sample holder 100 according to this embodiment, the second portion 132b has a portion through which the medium flows in a direction away from the first surface 110a. This effectively suppresses the occurrence of abnormal discharge in the first flow path 112 and the second flow path 132.
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、多孔体131が埋込部材130に設けられる例について示したが、本開示はかかる例に限られず、多孔体131がセラミック基板110に設けられていてもよい。 Although embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible without departing from the spirit of the invention. For example, in the above embodiments, an example was shown in which the porous body 131 is provided on the embedded member 130, but this disclosure is not limited to such an example, and the porous body 131 may be provided on the ceramic substrate 110.
さらなる効果や他の態様は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。 Further effects and other embodiments can be readily derived by those skilled in the art. Therefore, broader embodiments of the present invention are not limited to the specific details and representative embodiments expressed and described above. Accordingly, various modifications are possible without departing from the spirit or scope of the overall concept of the invention as defined by the appended claims and their equivalents.
100 試料保持具
110 セラミック基板
110a 第1面
110b 第2面
112 第1流路
120 ベースプレート
122 貫通孔
130 埋込部材
131 多孔体
132 第2流路
132a 第1部位
132b 第2部位
100 Sample holder 110 Ceramic substrate 110a First surface 110b Second surface 112 First channel 120 Base plate 122 Through hole 130 Embedded member 131 Porous body 132 Second channel 132a First part 132b Second part
Claims (6)
ベースプレートと、
埋込部材と、を備え、
前記セラミック基板は、被処理体が載置される第1面と、前記第1面の反対に位置する第2面と、前記第1面と前記第2面との間を貫通する第1流路と、を有し、
前記ベースプレートは、前記セラミック基板の前記第2面に接合され、少なくとも前記第1流路に対応する位置に貫通孔を有し、
前記埋込部材は、前記貫通孔内における前記第1流路側の端部に多孔体を有しているとともに、前記多孔体を介して前記第1流路と連通する第2流路を有し、
前記第2流路は、
前記第1面に対して垂直である第1方向に延びる第1部位と、
前記第1部位に連通し、前記第1方向に対して屈曲した第2方向に延びる第2部位と、を有する
試料保持具。 Ceramic substrate and
base plate and
It comprises an embedded member,
The ceramic substrate has a first surface on which the object to be processed is placed, a second surface located opposite the first surface, and a first channel that penetrates between the first surface and the second surface.
The base plate is bonded to the second surface of the ceramic substrate and has through holes at least at positions corresponding to the first flow path.
The embedded member has a porous body at the end on the first channel side within the through hole, and a second channel that communicates with the first channel through the porous body.
The second channel is,
A first portion extending in a first direction perpendicular to the first surface,
A sample holder having a second portion that communicates with the first portion and extends in a second direction that is bent with respect to the first direction .
請求項1に記載の試料保持具。 The sample holder according to claim 1, wherein the second portion is parallel to the first surface.
請求項1または2に記載の試料保持具。 The sample holder according to claim 1 or 2, wherein the second channel has a plurality of the second portions.
請求項1~3のいずれか一つに記載の試料保持具。 The sample holder according to any one of claims 1 to 3, wherein the first channel and the first portion of the second channel are located in positions that do not overlap each other in a plan view.
請求項1~4のいずれか一つに記載の試料保持具。 The sample holder according to any one of claims 1 to 4, wherein the second portion is bent in plan view.
請求項1~5のいずれか一つに記載の試料保持具。 The sample holder according to any one of claims 1 to 5, wherein the second portion has a portion through which a medium flows in a direction away from the first surface.
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