JP7790004B2 - 基板 - Google Patents
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Description
[式1]
L1/X
式1でL1は前記非線形ラインスペーサの両端を連結する直線の長さであり、Xは、前記長さL1の直線と平行な2個の直線であって、左側および右側方向に最も突出している前記非線形ラインスペーサの部位と接する2個の直線間の間隔である。前記式1でL1およびXは同じ単位を有し、単位が同一であれば、その単位の種類には制限がない。
[式2]
0mm<G1≦0.4×L1
式2でG1は隣接するブリッジ間の間隔(具体的には、隣接する2個の非線形ラインスペーサの間隔内に存在するブリッジの中で隣接するブリッジの間隔、単位mm)であり、L1は、非線形ラインスペーサの両端を連結する直線の長さ(式1のL1と同一(単位:mm))である。
[式3]
L1×(m-1)=a×n
式3でL1は前記非線形ラインスペーサの両端を連結する直線の長さ(単位:mm)またはその平均値(単位:mm)であり、mは前記非線形ラインスペーサの数であり、nはブリッジの数である。
[式4]
0mm<G1≦b×L1
式4でG1は複数のブリッジのうち隣接するブリッジ間の間隔であり、L1は、非線形ラインスペーサの両端を連結する直線の長さ(単位:mm)またはその平均値(単位:mm)である。
[式5]
L1×(m-1)=f×n
式5でL1は前記非線形ラインスペーサの両端を連結する直線の長さ(単位:mm)またはその平均値(単位:mm)であり、mは前記非線形ラインスペーサの数であり、nはブリッジの数である。
[式6]
A≠180×(n-2)/n
式6でAは、前記閉図形をなす交差点のうち隣接する3個の交差点によって形成される前記閉図形の内角であり、nは前記閉図形をなす交差点の数である。
実施例または比較例で製造された基板(基材層/ITO(Indium Tin Oxide)電極層/スペーサパターンの構造)に対してそれぞれ回折パターンを分析した。回折パターンの分析は、横および縦の長さがそれぞれ100mmである基板に対して遂行した。
光学密度は、次の方式で測定した結果である。透明なPET(poly(ethylene terephthalate))基材フィルム上に透明層(ITO(indium tin oxide)層)が形成された積層体の前記透明層上にスペーサパターン製造用硬化性組成物を塗布して紫外線を照射(波長:約365nm、紫外線照射量:2,200mJ/cm2~4,400mJ/cm2)して硬化させて厚さが6μm程度である層を形成する。本明細書で厚さはOptical Profiler測定装備(メーカー:Nano System、商品名:Nano View-E1000)を使って測定した値である。引き続き、前記形成された層の透過率と光学密度を測定装備(メーカー:x-rite、商品名:341C)を利用して測定する。前記測定装備は可視光線波長範囲(400~700nm)内の光に対する透過率(transmittance、単位:%)(T)を測定し、それを通じて光学密度(OD)を求める装備であり、前記光学密度は、測定された透過率Tを数式(光学密度(OD)=-log10(T)、Tは前記透過率)に代入して該当厚さ(6μm)に対して求める。
以下で記載するスペーサの高さは測定装備(Optical profiler、Nano System社、Nano View-E1000)を使って確認した。スペーサの線幅は、光学顕微鏡(Olympus BX 51)を利用して確認した。
スペーサパターンの設計
図8のようなスペーサのネットパターンは次の方式で設計した。まず図15と同じ形態のスペーサのネットパターンを形成した。図15のパターンの形態は、一定の間隔で配置された直線パターンがクロスされて形成されるパターンであって、各単一閉図形である四角形が一辺の長さが約350μmの水準である正四角形であるパターンである。引き続き、前記閉図形である正四角形の各辺を約50R程度の曲率を有する曲線に変更した。曲率付与時に前記正四角形の対向する2個の辺は同じ方向に曲がるようにしたし、その結果、一つの閉図形の一つの頂点は他の閉図形の頂点と接する部分で曲線の形態を有し、残りの3個の頂点は他の閉図形の頂点と接する部分で曲線の形態が形成されなかった。
スペーサパターン製造用硬化性組成物は次の方式で製造した。コラムスペーサの製造に通常的に適用されるバインダーであって、紫外線硬化型アクリレート化合物、重合開始剤および分散剤を含むバインダーにボールスペーサを混合して前記組成物を製造した。この時、ボールスペーサとしては、平均粒径が6μm程度であるブラックボールスペーサを使った。前記ボールスペーサは、前記バインダー重量(アクリレート化合物、開始剤および分散剤などの合計重量)100重量部に対して約2.5重量部で配合した。前記ボールスペーサはブラックボールスペーサであり、前記硬化性組成物には暗色化材料として、カーボンブラック(carbon black)が略3.5重量%の比率で配合されていた。前記製造された組成物の光学密度(OD:Optical Density)を前述した方式で確認した結果、略6μmの厚さを基準として約0.9程度であった。表面に非結晶質のITO(Indium Tin Oxide)電極層が形成された一軸延伸PET(poly(ethylene terephthalate))フィルムの前記電極層上に前記組成物を約2mL~3mL程度滴加(dropping)し、マスクを媒介として紫外線を照射して前記硬化性組成物層を硬化させた(紫外線照射量:14,400mJ/cm2)。マスクとしては通常のフォトマスクであって、前記設計されたスペーサパターンと同じ形態の開口部が形成されたマスクを使った。
図22のように、直線形態のラインスペーサが約350μm程度の間隔で規則的に配置された形態のスペーサパターンを形成したことを除いては、実施例1と同一に基板を製造した。前記ラインスペーサの線幅と高さおよび開口率は実施例1と同一にした。このような比較例1の基板を使って実施例1と同じ方式で光学デバイスを製造した。製造された光学デバイスでは前記2個の基板間の間隔が安定的に維持され、前記基板間隔の不均一などによる外観不良が観察されなかった。
スペーサパターンの設計
図7と同じ形態のスペーサパターンを形成するために、まず図17と同じ形態の非線形ラインスペーサのパターンを形成した。
フォトマスクとして前記設計されたスペーサパターンと同じ形態の開口部が形成されたマスクを使ったことを除いては、実施例1と同一にスペーサパターンを形成した。形成されたスペーサパターンは設計されたものと同一の形態を有し、その線幅は約15μm程度であり、高さは約6μm程度であった。また、開口率(基板の全体面積に対するスペーサパターンの占有面積の百分率)は約8%程度であった。製造された基板を使って実施例1と同じ方式で光学デバイスを製造した。製造された光学デバイスでは前記2個の基板間の間隔が安定的に維持され、前記基板間隔の不均一などによる外観不良が観察されなかった。
スペーサパターンの設計
図9のようなスペーサのネットパターンは次の方式で設計した。まず、図15と同じ形態のスペーサのネットパターンを形成した。前記形態は、一定の間隔で配置された直線パターンがクロスされて形成されるパターンであって、各単一閉図形である四角形が一辺の長さが約350μmの水準である正四角形であるパターンである。その後、前記単一閉図形である四角形の各頂点を70%の不規則度で移動させてパターンを形成した。前記で70%の不規則度で点を移動させるとは、前記各頂点を連結する直線の長さ(本実施例の場合、前記正四角形の辺の長さ)がPである場合に、前記直線長さPを形成する2個の頂点それぞれを円の中心とし、前記長さPの0.5倍である長さ0.5Pに対して70%の長さ(0.35P)の半径を有する円領域を設定した後に設定された円内の領域の任意の地点に前記点を移動させたということを意味する(図4参照)。
フォトマスクとして前記設計されたスペーサパターンと同じ形態の開口部が形成されたマスクを使ったことを除いては、実施例1と同一にスペーサパターンを形成した。形成されたスペーサパターンは設計されたものと同一の形態を有し、その線幅は約15μm程度であり、高さは約6μm程度であった。また、開口率(基板の全体面積に対するスペーサパターンの占有面積の百分率)は約8%程度であった。製造された基板を使って実施例1と同じ方式で光学デバイスを製造した。製造された光学デバイスでは前記2個の基板間の間隔が安定的に維持され、前記基板間隔の不均一などによる外観不良が観察されなかった。
図23のように、直線形態のラインスペーサが約350μm程度の間隔で規則的に配置されており、隣接するラインスペーサの間隔を直線形態のブリッジが連結している形態のスペーサパターンを形成したことを除いては、実施例1と同一に基板を製造した。前記ラインスペーサの線幅と高さおよび開口率は実施例2と同一にした。
実施例1でスペーサパターンを形成するために適用した図15の形態のネット形態のスペーサパターンを適用したことを除いては、実施例1と同一に基板を形成した。前記パターンで単一閉図形である正四角形が一辺の長さは実施例1の場合と同じである。基板を使って実施例1と同じ方式で光学デバイスを製造した。製造された光学デバイスでは前記2個の基板間の間隔が安定的に維持され、前記基板間隔の不均一などによる外観不良が観察されなかった。
スペーサパターンの設計
図10のようなスペーサのネットパターンは次の方式で設計した。まず、図18と同じ形態のスペーサのネットパターンを形成した。前記形態は、正六角形をなす閉図形が規則的に配置された、いわゆるハニカムパターンであり、各単一閉図形である六角形が一辺の長さが約350μmの水準である正四角形であるパターンである。
フォトマスクとして前記設計されたスペーサパターンと同じ形態の開口部が形成されたマスクを使ったことを除いては、実施例1と同一にスペーサパターンを形成した。形成されたスペーサパターンは設計されたものと同一の形態を有し、その線幅は約15μm程度であり、高さは約6μm程度であった。また、開口率(基板の全体面積に対するスペーサパターンの占有面積の百分率)は約8%程度であった。製造された基板を使って実施例1と同じ方式で光学デバイスを製造した。製造された光学デバイスでは前記2個の基板間の間隔が安定的に維持され、前記基板間隔の不均一などによる外観不良が観察されなかった。
実施例4でスペーサパターンを形成するために適用した図18と同じ形態のハニカム形態のスペーサパターンを適用したことを除いては、実施例4と同一に基板を形成した。前記パターンで単一閉図形である正六角形が一辺の長さは実施例4の場合と同じである。製造された基板を使って実施例1と同じ方式で光学デバイスを製造した。製造された光学デバイスでは前記2個の基板間の間隔が安定的に維持され、前記基板間隔の不均一などによる外観不良が観察されなかった。
実施例3と同じ方式でスペーサパターンを設計した。ただし、スペーサのネットパターンで単一閉図形である四角形の各頂点を移動させる時に不規則度を100%に指定した。したがって、この場合には前記閉図形の頂点を連結する直線の長さ(本実施例の場合、前記正四角形の辺の長さ)がPである場合に、前記直線長さPを形成する2個の頂点それぞれを円の中心とし、前記長さPの0.5倍である長さ(0.5P)の半径を有する円領域を設定した後に設定された円内の領域の任意の地点に前記点を移動させたということを意味する。前記方式で形成した時のネット形態に存在する閉図形の数は約10000個であり、この中で100個の閉図形を選択してその面積を計算した時に面積の平均値は約0.181mm2であり、標準偏差は約5程度であった。前記で100個の閉図形は横に10個の閉図形が存在し、縦の10個の閉図形が存在する四角形態となるように選択した(図14参照)。形成された閉図形を図14に示された方式でナンバリングし、1、2、3、11、12、13、21、22および23の閉図形、4、5、6、14、15、16、25、26および27の閉図形、8、9、10、18、19、20、28、29および30の閉図形を選択する方式ですべて9個の閉図形を選択してその面積で確認した結果平均値は約0.25mm2程度であり、標準偏差は約4.5程度であった。
実施例4の同じ方式でスペーサパターンを設計した。ただし、スペーサのネットパターンで単一閉図形である六角形の各頂点を移動させる時に不規則度を100%に指定した。したがって、この場合には前記閉図形の頂点を連結する直線の長さ(本実施例の場合、前記正四角形の辺の長さ)がPである場合に、前記直線長さPを形成する2個の頂点それぞれを円の中心とし、前記長さPの0.5倍である長さ(0.5P)の半径を有する円領域を設定した後に設定された円内の領域の任意の地点に前記点を移動させたということを意味する。前記方式で形成した時のネット形態に存在する閉図形の数は約10000個であり、この中で100個の閉図形を選択してその面積を計算した時に面積の平均値は約0.456mm2であり、標準偏差は約5.5程度であった。前記で100個の閉図形は横に10個の閉図形が存在し、縦の10個の閉図形が存在する四角形態となるように選択した(図14参照)。形成された閉図形を図14に示された方式でナンバリングし、1、2、3、11、12、13、21、22および23の閉図形、4、5、6、14、15、16、25、26および27の閉図形、8、9、10、18、19、20、28、29および30の閉図形を選択する方式ですべて9個の閉図形を選択してその面積で確認した結果平均値は約0.214mm2程度であり、標準偏差は約5程度であった。
Claims (8)
- 基材層;および前記基材層上に形成され、複数の閉図形を形成するように互いに交差している複数のラインスペーサを含み、
下記の式6を満足し、
前記閉図形を形成する交差点のうち、隣接する交差点を連結するラインスペーサは、5R~95Rの範囲内の曲率を有する曲線の形態であり、
前記複数のラインスペーサは、互いに異なる曲率を有する曲線を含む、基板:
[式6]
A≠180×(n-2)/n
式6でAは、前記閉図形をなす交差点のうち隣接する3個の交差点によって形成される前記閉図形の内角であり、nは前記閉図形をなす交差点の数である。 - 前記式6において、Aが10度~200度の範囲内にある、請求項1に記載の基板。
- 前記曲線の形態は、前記閉図形を形成する交差点のうち、隣接する交差点を連結する直線型ラインスペーサに、5%~95%の範囲内である不規則度を与えて曲線化したものである、請求項1に記載の基板。
- 前記閉図形を形成する交差点の数が3個~10個の範囲内にある、請求項1に記載の基板。
- 前記複数の閉図形の面積の平均が0.01mm2~2mm2の範囲内にあり、
前記複数の閉図形の面積の標準偏差が4mm 2 以下である、請求項1に記載の基板。 - 前記基材層とスペーサパターンの間に電極層が追加で存在し、前記スペーサパターンは前記電極層に接している、請求項1に記載の基板。
- 請求項1に記載の基板および前記基板と対向配置されており、前記基板のスペーサパターンによって前記基板との間隔が維持された第2基板を含む、光学デバイス。
- 前記基板と前記第2基板との間の間隔には液晶物質が存在する、請求項7に記載の光学デバイス。
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