JP7686884B1 - 半導体製造装置用部材 - Google Patents

Abstract

半導体製造装置用部材は、多数の小突起が基準面に設けられたウエハ載置面を上面に有し、静電電極を内蔵するセラミックプレートと、上下方向に延びるようにセラミックプレートに設けられたプラグ配置穴と、静電電極のうちプラグ配置穴が貫通する位置に設けられた静電電極開口部と、セラミックプレートの下面に設けられた冷却プレートと、冷却プレートを上下方向に貫通し、プラグ配置穴に連通するガス穴と、プラグ配置穴に配置され、上下方向に熱伝導ガスを流通可能なガス流路を有するプラグと、ガス流路の周りを囲うように設けられ、頂面が基準面よりも高く且つ小突起の頂面よりも低い隆起部と、を備える。

Description

本発明は、半導体製造装置用部材に関する。

従来、半導体製造装置用部材としては、ウエハ載置面を有し静電電極を内蔵するセラミックプレートと、セラミックプレートの下面に設けられた冷却プレートとを備えたものが知られている。特許文献１には、こうしたセラミックプレートとして、セラミックプレートを上下方向に貫通するプラグ配置穴と、プラグ配置穴に配置された多孔質プラグとを備えたものが開示されている。また、特許文献１には、冷却プレートとして、冷却プレートを上下方向に貫通しプラグ配置穴に連通するガス穴を備えたものが開示されている。こうした半導体製造装置用部材では、ウエハ載置面にウエハを静電吸着させた状態で多孔質プラグに冷却プレートのガス穴からヘリウムガスを導入する。すると、ヘリウムガスは、ウエハの裏面側に供給されてウエハとセラミックプレートとの熱伝導を良好にする。このとき、ヘリウムガスは、多孔質プラグの気孔を通過するため、多孔質プラグが存在しない場合に比べてウエハの裏面側でアーク放電が発生するのを抑制することができる。

特開２０１９－２９３８４号公報

ところで、多孔質プラグの直径は、多孔質プラグを流れるヘリウムガスの流量を確保するため比較的大きくするのが一般的であり、それに伴って、プラグ配置穴の直径も、大きくするのが一般的である。また、静電電極のうちプラグ配置穴が貫通する位置には、静電電極開口部が設けられるが、その静電電極開口部の直径は、プラグ配置穴の直径が大きくなるのに伴って大きくなる。ウエハ載置面のうち静電電極開口部の直上部分では、静電電極が存在しないためウエハ吸着力が低下するが、静電電極開口部の直径が大きくなると、ウエハ吸着力の低下が顕著になる。その結果、静電電極開口部の直上部分は、冷却プレートによる熱引きが十分行われず、ホットスポットの特異点になりやすい。

本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、静電電極開口部の直上部分が特異点になるのを抑制することを主目的とする。

［１］本発明の半導体製造装置用部材は、
ウエハを支持する多数の小突起が基準面に設けられたウエハ載置面を上面に有し、静電電極を内蔵するセラミックプレートと、
上下方向に延びるように前記セラミックプレートに設けられたプラグ配置穴と、
前記静電電極のうち前記プラグ配置穴が貫通する位置に設けられ、前記プラグ配置穴と同じかそれより大きな径を有する静電電極開口部と、
前記セラミックプレートの下面に設けられた冷却プレートと、
前記冷却プレートを上下方向に貫通し、前記プラグ配置穴に連通するガス穴と、
前記プラグ配置穴に配置され、上下方向に熱伝導ガスを流通可能なガス流路を有するプラグと、
前記ガス流路の周りを囲うように設けられ、頂面が前記基準面よりも高く且つ前記小突起の頂面よりも低い隆起部と、
を備えたものである。

この半導体製造装置用部材では、ガス流路の周りを囲うように設けられ、頂面が前記基準面よりも高く且つ前記小突起の頂面よりも低い隆起部が設けられている。隆起部の熱伝導率は熱伝導ガスの熱伝導率よりも高い。そのため、ウエハ載置面のうち静電電極開口部の直上部分ではウエハ吸着力が低くても、その直上部分の熱は隆起部を介して冷却プレートへ移動しやすくなる。また、隆起部の頂面が基準面よりも高いため、その直上部分の熱の移動が促進され、その直上部分が高温になりすぎるのを防止できる。一方、隆起部の頂面が小突起の頂面よりも低いため、その直上部分の熱の移動が促進されすぎてその直上部分が低温になりすぎることも防止できる。したがって、静電電極開口部の直上部分が特異点になるのを抑制できる。

なお、本明細書において、「上」「下」は、絶対的な位置関係を表すものではなく、相対的な位置関係を表すものである。そのため、半導体製造装置用部材の向きによって「上」「下」は「下」「上」になったり「左」「右」になったり「前」「後」になったりする。

［２］本発明の半導体製造装置用部材（前記［１］に記載の半導体製造装置用部材）において、前記隆起部と前記セラミックプレートとは、一体物であってもよい。そのため、隆起部とセラミックプレートとを一体物とする（隆起部をセラミックプレートの一部とする）ことにより、比較的容易に隆起部を形成することができる。

［３］本発明の半導体製造装置用部材（前記［１］又は［２］に記載の半導体製造装置用部材）において、前記隆起部は、前記プラグの上面を覆うプラグ被覆部を有していてもよく、前記プラグ被覆部は、上下方向に貫通する小穴を有していてもよい。こうすれば、プラグはプラグ被覆部によって保護される。

［４］本発明の半導体製造装置用部材（前記［１］に記載の半導体製造装置用部材）において、前記プラグは、緻密質体に前記ガス流路を備えるものであってもよい。このようにプラグとして緻密質体にガス流路が形成されたものを採用することにより、プラグとは別に隆起部を設ける必要がなくなる。

［５］本発明の半導体製造装置用部材（前記［１］，［２］又は［４］のいずれかに記載の半導体製造装置用部材）において、前記プラグ配置穴は、前記セラミックプレートを上下方向に貫通するように設けられていてもよく、前記プラグは、前記プラグ配置穴の上部開口から突出して前記隆起部として機能してもよく、前記プラグの上面は、前記隆起部の上面と同じ高さであってもよい。

［６］本発明の半導体製造装置用部材（前記［１］～［５］のいずれかに記載の半導体製造装置用部材）において、前記小突起の頂面から前記隆起部の頂面までの深さＹは、前記基準面から前記小突起の頂面までの高さＡの１／２以上２／３以下であってもよい。深さＹが高さＡの２／３よりも大きいと、静電電極開口部の直上部分の熱が冷却プレートへ十分に移動しにくくなる。深さＹが高さＡの１／２よりも小さいと、静電電極開口部の直上部分の熱を冷却プレートへ移動しすぎたり熱伝導ガスの流れを妨げたりするおそれがある。

［７］本発明の半導体製造装置用部材（前記［１］～［６］のいずれかに記載の半導体製造装置用部材）において、前記隆起部は、平面視でリング形状であってもよく、前記隆起部の外径は、前記ガス流路の外径よりも大きく且つ前記静電電極開口部の直径以下であってもよい。こうすれば、本発明の効果が得られやすい。

半導体製造装置用部材１０の縦断面図。 セラミックプレート２０の平面図。 図１の部分拡大図。 別の実施形態の縦断面図の部分拡大図。 別の実施形態の縦断面図の部分拡大図。 別の実施形態の縦断面図の部分拡大図。 別の実施形態の縦断面図の部分拡大図。

次に、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて説明する。図１は半導体製造装置用部材１０の縦断面図、図２はセラミックプレート２０の平面図、図３は図１の部分拡大図である。なお、図３では、円形小突起２１ｂや隆起部６０の高さを誇張して描いた。

半導体製造装置用部材１０は、図１に示すように、セラミックプレート２０と、冷却プレート３０と、金属接合層４０と、多孔質プラグ５０と、隆起部６０（図２及び図３参照）と、絶縁管７０とを備えている。

セラミックプレート２０は、アルミナ焼結体や窒化アルミニウム焼結体などのセラミック製の円板（例えば直径３００ｍｍ、厚さ５ｍｍ）である。セラミックプレート２０の上面は、ウエハ載置面２１となっている。セラミックプレート２０は、電極２２を内蔵している。セラミックプレート２０のウエハ載置面２１には、図２に示すように、外縁に沿ってシールバンド２１ａが形成され、全面に複数の円形小突起２１ｂが形成されている。シールバンド２１ａ及び円形小突起２１ｂは同じ高さであり、その高さは例えば数μｍ～数１０μｍである。電極２２は、静電電極として用いられる平面状のメッシュ電極であり、直流電圧を印加可能となっている。この電極２２に直流電圧が印加されるとウエハＷは静電吸着力によりウエハ載置面２１（具体的にはシールバンド２１ａの上面及び円形小突起２１ｂの上面）に吸着固定され、直流電圧の印加を解除するとウエハＷのウエハ載置面２１への吸着固定が解除される。なお、ウエハ載置面２１のうちシールバンド２１ａ、円形小突起２１ｂ及び隆起部６０（後述）が設けられていない部分を、基準面２１ｃと称する。

プラグ配置穴２４は、電極２２を貫通して上下方向に延びるようにセラミックプレート２０に設けられている。プラグ配置穴２４は、セラミックプレート２０を上下方向に貫通する円筒状の穴であり、セラミックプレート２０の複数箇所（例えば図２に示すように周方向に沿って等間隔に設けられた複数箇所）に設けられている。プラグ配置穴２４には、後述する多孔質プラグ５０が配置されている。電極２２には、プラグ配置穴２４と同心円になるように電極貫通穴２３が設けられている。電極貫通穴２３の直径Ｂは、プラグ配置穴２４の直径よりも大きい。

冷却プレート３０は、熱伝導率の良好な円板（セラミックプレート２０と同じ直径かそれよりも大きな直径の円板）であり、セラミックプレート２０の下面に設けられている。冷却プレート３０の内部には、冷媒が循環する冷媒流路３２やガスを多孔質プラグ５０へ供給するガス穴３４が形成されている。冷媒流路３２は、平面視で冷却プレート３０の全面にわたって入口から出口まで一筆書きの要領で形成されている。ガス穴３４は、円筒状の穴であり、プラグ配置穴２４に対向する位置に設けられている。冷却プレート３０の材料としては、例えば、金属材料や金属とセラミックとの複合材料などが挙げられる。金属材料としては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ又はそれらの合金などが挙げられる。金属とセラミックとの複合材料としては、金属マトリックス複合材料（ＭＭＣ）やセラミックマトリックス複合材料（ＣＭＣ）などが挙げられる。こうした複合材料の具体例としては、Ｓｉ，ＳｉＣ及びＴｉを含む材料（ＳｉＳｉＣＴｉともいう）、ＳｉＣ多孔質体にＡｌ及び／又はＳｉを含浸させた材料、Ａｌ₂Ｏ₃とＴｉＣとの複合材料などが挙げられる。冷却プレート３０の材料としては、セラミックプレート２０の材料と熱膨張係数の近いものを選択するのが好ましい。冷却プレート３０は、ＲＦ電極としても用いられる。

金属接合層４０は、セラミックプレート２０の下面と冷却プレート３０の上面とを接合している。金属接合層４０は、例えばＴＣＢ（Ｔｈｅｒｍａｌ ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ ｂｏｎｄｉｎｇ）により形成される。ＴＣＢとは、接合対象の２つの部材の間に金属接合材を挟み込み、金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態で２つの部材を加圧接合する公知の方法をいう。金属接合層４０は、ガス穴３４に対向する位置に金属接合層４０を上下方向に貫通する丸穴４２を有する。

多孔質プラグ５０は、プラグ配置穴２４に配置され固定されている。具体的には、多孔質プラグ５０の外周面とプラグ配置穴２４の内周面とが接着されていてもよいし、多孔質プラグ５０の外周面に設けられた雄ネジ部がプラグ配置穴２４の内周面に設けられた雌ネジ部に螺合されていてもよい。あるいは、セラミックプレート２０を焼成する前の成形プレートに上下方向の穴を開け、その穴にセラミック粉末と樹脂粉末との混合粉末を充填した後、全体を焼成することにより、穴内の樹脂粉末を燃焼消失させると共にセラミック粉末を焼結させて多孔質プラグ５０及びセラミックプレート２０を作製してもよい。多孔質プラグ５０は、全体に多数の孔を有しているため、それらの孔を通して上下方向に熱伝導ガスを流通可能となっている。そのため、多孔質プラグ５０は全体がガス流路となっている。多孔質プラグ５０の上面は、隆起部６０の上面と同じ高さである。多孔質プラグ５０としては、セラミック粉末を用いて焼結することにより得られた多孔質バルク体を用いることができる。セラミックとしては、例えばアルミナや窒化アルミニウムなどを用いることができる。多孔質プラグ５０の気孔率は３０％以上が好ましく、平均気孔径は２０μｍ以上が好ましい。多孔質プラグ５０の気孔率は７０％以下としてもよい。

隆起部６０は、多孔質プラグ５０の周り（プラグ配置穴２４の周りでもある）を囲うように設けられた扁平で緻密なリング状部位である。隆起部６０は、プラグ配置穴２４の周辺部分が基準面２１ｃよりも高く且つシールバンド２１ａ及び円形小突起２１ｂの頂面よりも低くなっている。隆起部６０とセラミックプレート２０とは、同一物である。そのため、隆起部６０の熱伝導率は、熱伝導ガスであるヘリウムガスの熱伝導率よりも高い。隆起部６０の深さＹ（円形小突起２１ｂの上面から隆起部６０の上面までの上下方向の長さ）は、円形小突起２１ｂの高さＡ（基準面２１ｃから円形小突起２１ｂの上面までの上下方向の長さ）の１／２以上２／３以下であることが好ましい。隆起部６０の内径は、多孔質プラグ５０の直径Ｃ（ガス流路の外径と同じ）と一致し、隆起部６０の外径Ｘは、多孔質プラグ５０の直径Ｃよりも大きく電極貫通穴２３の直径Ｂ以下である。

絶縁管７０は、緻密質セラミック（例えば緻密質アルミナなど）で形成された平面視円形の管である。絶縁管７０の外周面は、金属接合層４０の丸穴４２の内周面及び冷却プレート３０のガス穴３４の内周面と図示しない接着層を介して接着されている。接着層は、有機接着層（樹脂接着層）でもよいし無機接着層でもよい。なお、接着層は、更に絶縁管７０の上面とセラミックプレート２０の下面との間に設けられていてもよい。絶縁管７０の内部空間は、多孔質プラグ５０に連通している。そのため、ガス穴３４にガスが導入されると、そのガスは絶縁管７０及び多孔質プラグ５０を通過してウエハＷの裏面に供給される。

次に、こうして構成された半導体製造装置用部材１０の使用例について説明する。まず、図示しないチャンバー内に半導体製造装置用部材１０を設置した状態で、ウエハＷをウエハ載置面２１に載置する。そして、チャンバー内を真空ポンプにより減圧して所定の真空度になるように調整し、セラミックプレート２０の電極２２に直流電圧をかけて静電吸着力を発生させ、ウエハＷをウエハ載置面２１（具体的にはシールバンド２１ａの上面や円形小突起２１ｂの上面）に吸着固定する。次に、チャンバー内を所定圧力（例えば数１０～数１００Ｐａ）の反応ガス雰囲気とし、この状態で、チャンバー内の天井部分に設けた図示しない上部電極と半導体製造装置用部材１０の冷却プレート３０との間に高周波電圧を印加させてプラズマを発生させる。ウエハＷの表面は、発生したプラズマによって処理される。冷却プレート３０の冷媒流路３２には、冷媒が循環される。ガス穴３４には、図示しないガスボンベからバックサイドガスが導入される。バックサイドガスとしては、熱伝導ガス（例えばヘリウム等）を用いる。バックサイドガスは、絶縁管７０及び多孔質プラグ５０を通って、ウエハＷの裏面とウエハ載置面２１の基準面２１ｃとの間の空間やウエハＷの裏面と隆起部６０との間の空間に供給され封入される。このバックサイドガスの存在により、ウエハＷとセラミックプレート２０との熱伝導が効率よく行われる。

次に、半導体製造装置用部材１０の製造例について説明する。まず、半導体製造装置用部材１０のウエハ載置面２１が平坦なもの（シールバンド２１ａ、円形小突起２１ｂ及び隆起部６０が形成されていないもの）を作製する。その作製方法は公知であるため（例えば特許文献１）、ここではその説明を省略する。次に、隆起部６０に該当する位置に円形の抜き穴を設けたマスクを平坦なウエハ載置面２１に被せ、露出している部分にブラスト加工を施し、その後そのマスクを剥がす。これにより、隆起部６０が形成される。次に、シールバンド２１ａ及び円形小突起２１ｂに該当する位置と隆起部６０に該当する位置を被覆するマスクをウエハ載置面２１に形成し、露出している部分にブラスト加工を施し、その後そのマスクを剥がす。これにより、シールバンド２１ａ、円形小突起２１ｂ及び基準面２１ｃが形成される。こうすることにより、半導体製造装置用部材１０が得られる。

以上詳述した半導体製造装置用部材１０では、多孔質プラグ５０（全体がガス流路に相当）の周りを囲うように、熱伝導率が熱伝導ガスよりも高い隆起部６０が設けられている。そのため、ウエハ載置面２１のうち電極貫通穴２３の直上部分ではウエハ吸着力が低くても、その直上部分の熱は隆起部６０を介して冷却プレート３０へ移動しやすくなる。また、隆起部６０の頂面が基準面２１ｃよりも高いため、その直上部分の熱の移動が促進され、その直上部分が高温になりすぎるのを防止できる。一方、隆起部６０の頂面が円形小突起２１ｂの頂面よりも低いため、その直上部分の熱の移動が促進されすぎてその直上部分が低温になりすぎることも防止できる。したがって、電極貫通穴２３の直上部分が、ホットスポット等の特異点になるのを抑制できる。

また、隆起部６０とセラミックプレート２０とは、一体物である。一般的にセラミックプレート２０は熱伝導ガスよりも熱伝導率が高い（例えばアルミナの熱伝導率は約３０Ｗ／ｍＫ、窒化アルミニウムの熱伝導率は約１５０Ｗ／ｍＫ、ヘリウムガスの熱伝導率は使用するガス圧にもよるが約０．０２Ｗ／ｍＫ）。そのため、隆起部６０とセラミックプレート２０とを一体物とする（隆起部６０をセラミックプレート２０の一部とする）ことにより、比較的容易に隆起部６０を形成することができる。

更に、多孔質プラグ５０の上面は、隆起部６０の上面と同じ高さである。そのため、多孔質プラグ５０の上面と隆起部６０の上面とを異なる高さにする場合に比べて、比較的容易に加工することができる。

更にまた、円形小突起２１ｂの頂面から隆起部６０の頂面までの深さＹは、基準面２１ｃから円形小突起２１ｂの頂面までの高さＡの１／２以上２／３以下であることが好ましい。深さＹが高さＡの２／３よりも大きいと、電極貫通穴２３の直上部分の熱が冷却プレート３０へ十分に移動しにくくなるため好ましくない。深さＹが高さＡの１／２よりも小さいと、電極貫通穴２３の直上部分の熱を冷却プレート３０へ移動しすぎたり熱伝導ガスの流れを妨げたりするおそれがあるため好ましくない。

そして、隆起部６０は、平面視でリング形状であり、隆起部６０の外径Ｘは、多孔質プラグ５０の直径Ｃよりも大きく且つ電極貫通穴２３の直径Ｂ以下である。こうすれば、本発明の効果が得られやすくなる。

なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。

上述した実施形態において、多孔質プラグ５０の代わりに、図４に示したプラグ１５０を用いてもよい。プラグ１５０は、円柱状の緻密質体１５２にガス流路１５４を設けたものである。緻密質体１５２は、熱伝導ガスであるヘリウムよりも熱伝導率の高い材料（例えばセラミック材料）で形成されている。ガス流路１５４は、緻密質体１５２の内部に設けられた螺旋状の流路であり、緻密質体１５２の上面と下面に開口している。そのため、ガスは上下方向に流通可能である。この場合、ガス流路１５４の外径は、ガス流路１５４を平面視したときのガス流路１５４の外周縁の直径になる。多孔質プラグ５０の代わりにプラグ１５０を採用した場合でも、上述した実施形態と同様の効果が得られる。なお、ガス流路１５４の形状は螺旋状に限定されるものではなく、例えばジグザグ状であってもよい。

上述した実施形態では、多孔質プラグ５０の上下方向の長さがプラグ配置穴２４の上下方向の長さと一致した例を示したが、特にこれに限定されない。例えば、図３において、多孔質プラグ５０の上下方向の長さを短くし、多孔質プラグ５０の下面がプラグ配置穴２４の下部開口よりも上方に位置するようにしてもよい。あるいは、多孔質プラグ５０の上下方向の長さを長くし、多孔質プラグ５０の下面がプラグ配置穴２４の下部開口よりも下方で絶縁管７０の内部に位置するようにしてもよい。あるいは、図５に示すように、上側大径部と下側小径部とを有する段差付きのプラグ配置穴２２４をセラミックプレート２０に設け、上側大径部に多孔質プラグ２５０を配置してもよい。いずれの構成を採用した場合でも、上述した実施形態と同様の効果が得られる。なお、図５では、上述した実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付した。図５において、多孔質プラグ２５０の代わりに、図４のプラグ１５０を用いてもよい。

上述した実施形態では、多孔質プラグ５０の上面が隆起部６０の上面と同じ高さになるようにしたが、特にこれに限定されない。例えば、図６に示した構成を採用してもよい。図６では、多孔質プラグ２５０の上面が隆起部６０の上面よりも低く、隆起部６０が多孔質プラグ２５０の上面を覆うプラグ被覆部２６１を有する。プラグ被覆部２６１は、上下方向に貫通し多孔質プラグ２５０（ガス流路）に連通する小穴２６２を複数有している。プラグ被覆部２６１は、セラミックプレート２０と一体物であってもよいし、セラミックプレート２０とは別のセラミック蓋体であってもよい。図６の構成を採用した場合でも、上述した実施形態と同様の効果が得られる。加えて、多孔質プラグ２５０はプラグ被覆部２６１によって保護される。なお、図６では、上述した実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付した。

上述した実施形態では、多孔質プラグ５０と隆起部６０とが別体である場合を示したが、特にこれに限定されない。例えば、図７に示した構成を採用してもよい。図７のプラグ１５０は、既に述べたように円柱状の緻密質体１５２にガス流路１５４を設けたものであり（図４参照）、多孔質プラグ５０及び隆起部６０の代用品である。この場合、プラグ配置穴３２４は、図２のプラグ配置穴２４と同様、複数の円形小突起２１ｂに囲まれた領域に設けられている。プラグ１５０の上下方向の長さは、プラグ配置穴３２４の上下方向の長さよりも長い。そのため、プラグ１５０は、プラグ配置穴３２４の上部開口から上方に突出しており、この突出した部分のうちガス流路１５４を取り囲む緻密質の部分１５６（図７で１点鎖線で囲ったリング状の部分）が隆起部として機能する。隆起部であるリング状の部分１５６の外径Ｘは、ガス流路１５４の外径Ｃよりも大きく且つ電極貫通穴２３の直径Ｂ以下である。図７の構成を採用した場合でも、上述した実施形態と同様の効果が得られる。加えて、プラグ１５０を緻密質体１５２にガス流路１５４が形成されたものとすることにより、プラグ１５０とは別に隆起部を設ける必要がなくなる。なお、図７では、上述した実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付した。

上述した実施形態では、絶縁管７０を設けたが、絶縁管７０を省略してもよい。また、冷却プレート３０にガス穴３４を設ける代わりに、ガスチャネル構造を設けてもよい。ガスチャネル構造として、冷却プレート３０の内部に設けられ平面視で冷却プレート３０と同心円のリング部と、冷却プレート３０の裏面からリング部へガスを導入する導入部と、リング部から各多孔質プラグ５０へガスを分配する分配部（上述したガス穴３４に相当）とを備える構造を採用してもよい。導入部の数は、分配部の数よりも少なく、例えば１本としてもよい。もしくは、ガスチャネル構造のリング部はセラミックプレート２０の内部としてもよい。

上述した実施形態において、セラミックプレート２０に内蔵される電極２２として、静電電極を例示したが、特にこれに限定されない。例えば、電極２２に加えて、セラミックプレート２０にヒータ電極（抵抗発熱体）を内蔵してもよいし、ＲＦ電極を内蔵してもよい。

上述した実施形態では、セラミックプレート２０と冷却プレート３０とを金属接合層４０で接合したが、金属接合層４０の代わりに樹脂接着層を用いてもよい。

本発明は、半導体製造装置用部材に利用可能である。

１０ 半導体製造装置用部材、２０ セラミックプレート、２１ ウエハ載置面、２１ａ シールバンド、２１ｂ 円形小突起、２１ｃ 基準面、２２ 電極、２３ 電極貫通穴、２４ プラグ配置穴、３０ 冷却プレート、３２ 冷媒流路、３４ ガス穴、４０ 金属接合層、４２ 丸穴、５０ 多孔質プラグ、６０ 隆起部、７０ 絶縁管、１５０ プラグ、１５２ 緻密質体、１５４ ガス流路、１５６ 緻密質の部分、２２４ プラグ配置穴、２５０ 多孔質プラグ、２６１ プラグ被覆部、２６２ 小穴、３２４ プラグ配置穴。

Claims (5)

1. ウエハを支持する多数の小突起が基準面に設けられたウエハ載置面を上面に有し、静電電極を内蔵するセラミックプレートと、
   上下方向に延びるように前記セラミックプレートに設けられたプラグ配置穴と、
   前記静電電極のうち前記プラグ配置穴が貫通する位置に設けられ、前記プラグ配置穴と同じかそれより大きな径を有する静電電極開口部と、
   前記セラミックプレートの下面に設けられた冷却プレートと、
   前記冷却プレートを上下方向に貫通し、前記プラグ配置穴に連通するガス穴と、
   前記プラグ配置穴に配置され、上下方向に熱伝導ガスを流通可能なガス流路を有するプラグと、
   前記ガス流路の周りを囲うように設けられ、頂面が前記基準面よりも高く且つ前記小突起の頂面よりも低い隆起部と、
   を備え、
   前記隆起部と前記セラミックプレートとは、一体物である、
   半導体製造装置用部材。
2. 前記隆起部は、前記プラグの上面を覆うプラグ被覆部を有し、
   前記プラグ被覆部は、上下方向に貫通する小穴を有する、
   請求項１に記載の半導体製造装置用部材。
3. 前記プラグは、緻密質体に前記ガス流路を備えるものである、
   請求項１に記載の半導体製造装置用部材。
4. 前記小突起の頂面から前記隆起部の頂面までの深さは、前記基準面から前記小突起の頂面までの高さの１／２以上２／３以下である、
   請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。
5. 前記隆起部は、平面視でリング形状であり、
   前記隆起部の外径は、前記ガス流路の外径よりも大きく且つ前記静電電極開口部の直径以下である、
   請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。