JP7513228B1 - CAN type optical module and optical transceiver - Google Patents

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JP7513228B1 JP2024523827A JP2024523827A JP7513228B1 JP 7513228 B1 JP7513228 B1 JP 7513228B1 JP 2024523827 A JP2024523827 A JP 2024523827A JP 2024523827 A JP2024523827 A JP 2024523827A JP 7513228 B1 JP7513228 B1 JP 7513228B1
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Abstract

本開示に係るCAN型光モジュールは、ステムと、前記ステムを貫通するリードピンと、前記ステムの主面に設けられた支持部と、前記支持部に支持されて搭載面が前記ステムの前記主面と垂直になるように設けられたサブマウントと、前記サブマウントの前記搭載面に設けられ、半導体レーザ部および光変調器部を有した半導体光集積素子と、互いに直列に接続された整合抵抗とコンデンサとを含み、前記光変調器部と並列に接続された直列回路と、前記直列回路と並列に接続された保護抵抗と、を備える。The CAN-type optical module of the present disclosure comprises a stem, a lead pin penetrating the stem, a support portion provided on a main surface of the stem, a submount supported by the support portion and provided with a mounting surface perpendicular to the main surface of the stem, a semiconductor optical integrated device provided on the mounting surface of the submount and having a semiconductor laser portion and an optical modulator portion, a series circuit including a matching resistor and a capacitor connected in series with each other, connected in parallel with the optical modulator portion, and a protective resistor connected in parallel with the series circuit.

Description

本開示は、CAN型光モジュールおよび光トランシーバに関する。 This disclosure relates to a CAN-type optical module and an optical transceiver.

特許文献1には、CAN型光モジュールが開示されている。この光モジュールは、半導体光素子を有する。半導体光素子には、半導体レーザと光変調器と光増幅器がモノリシック集積されている。 Patent document 1 discloses a CAN-type optical module. This optical module has a semiconductor optical element. The semiconductor optical element monolithically integrates a semiconductor laser, an optical modulator, and an optical amplifier.

特開2022-99537号公報JP 2022-99537 A

光変調器のアノードにDCバイアスがかかると、光変調器に接続された整合抵抗にもDCバイアスがかかる。このため、整合抵抗の発熱により消費電力が増大するおそれがある。特許文献1のCAN型光モジュールでは、消費電力を低減するために、整合抵抗とGNDの間にコンデンサを接続している。このとき、光変調器が帯電しやすくなり、サージが発生して光変調器が故障し易くなるおそれがあった。When a DC bias is applied to the anode of the optical modulator, a DC bias is also applied to the matching resistor connected to the optical modulator. This can lead to increased power consumption due to heat generation in the matching resistor. In the CAN-type optical module of Patent Document 1, a capacitor is connected between the matching resistor and GND to reduce power consumption. In this case, the optical modulator can easily become charged, which can cause a surge and lead to failure of the optical modulator.

本開示は、光変調器部の故障を抑制できるCAN型光モジュールおよび光トランシーバを得ることを目的とする。 The present disclosure aims to obtain a CAN-type optical module and optical transceiver that can suppress failures in the optical modulator section.

本開示に係るCAN型光モジュールは、主面と、前記主面と反対側の面と、を有するステムと、前記ステムを前記主面から前記主面と反対側の面に貫通するリードピンと搭載面が前記ステムの前記主面と垂直になるように設けられた第1サブマウントと、前記ステムの前記主面に実装された温度制御モジュールと、前記温度制御モジュールのうち前記ステムの前記主面と反対側に実装され、前記第1サブマウントを支持する第1支持ブロックと、を有する支持部と、前記第1サブマウントの前記搭載面に設けられ、半導体レーザ部および光変調器部を有した半導体光集積素子と、前記ステムの前記主面に設けられた第2支持ブロックと、前記第2支持ブロックの側面に実装された第2サブマウントと、互いに直列に接続された整合抵抗と光変調器部用コンデンサとを含み、前記光変調器部と並列に接続された直列回路と、前記直列回路と並列に接続された保護抵抗と、を備え、前記第2サブマウントには、第1信号線路と、第1GNDパターンが形成され、前記第1サブマウントには、前記光変調器部と前記第1信号線路を接続する第2信号線路と、第2GNDパターンが形成され、前記保護抵抗は、前記第1信号線路と前記第1GNDパターンの間、または、前記第2信号線路と前記第2GNDパターンの間に接続され、前記第1支持ブロックは、前記第1サブマウントを支持する第1部分と、前記温度制御モジュール上に設けられ、前記第1部分に対して前記第1サブマウントと反対側に突出した第2部分と、を有し、前記第2支持ブロックの上面と前記第2部分とを接続するワイヤを備える。
本開示に係るCAN型光モジュールは、主面と、前記主面と反対側の面と、を有するステムと、前記ステムを前記主面から前記主面と反対側の面に貫通するリードピンと、搭載面が前記ステムの前記主面と垂直になるように設けられた第1サブマウントと、前記ステムの前記主面に実装された温度制御モジュールと、前記温度制御モジュールのうち前記ステムの前記主面と反対側に実装され、前記第1サブマウントを支持する第1支持ブロックと、を有する支持部と、前記第1サブマウントの前記搭載面に設けられ、半導体レーザ部および光変調器部を有した半導体光集積素子と、前記ステムの前記主面に設けられた第2支持ブロックと、前記第2支持ブロックの側面に実装された第2サブマウントと、互いに直列に接続された整合抵抗と光変調器部用コンデンサとを含み、前記光変調器部と並列に接続された直列回路と、前記直列回路と並列に接続された保護抵抗と、を備え、前記第2サブマウントには、第1信号線路と、第1GNDパターンが形成され、前記第1サブマウントには、前記光変調器部と前記第1信号線路を接続する第2信号線路と、第2GNDパターンが形成され、前記保護抵抗は、前記第1信号線路と前記第1GNDパターンの間、または、前記第2信号線路と前記第2GNDパターンの間に接続され、前記第1支持ブロックは、前記第1サブマウントを支持する第1部分と、前記温度制御モジュール上に設けられ、前記第1部分から前記第1サブマウント側に突出する第2部分と、を有し、前記第2部分と前記ステムとを接続するワイヤと、前記第2部分と前記第2サブマウントのGNDパターンとを接続するワイヤの少なくとも一方を備える。
本開示に係るCAN型光モジュールは、主面と、前記主面と反対側の面と、を有するステムと、前記ステムを前記主面から前記主面と反対側の面に貫通するリードピンと、前記ステムの前記主面に設けられた支持部と、前記支持部に支持されて搭載面が前記ステムの前記主面と垂直になるように設けられた第1サブマウントと、前記第1サブマウントの前記搭載面に設けられ、半導体レーザ部、光増幅器部および光変調器部を有した半導体光集積素子と、前記ステムの前記主面に設けられた第2サブマウントと、互いに直列に接続された整合抵抗と光変調器部用コンデンサとを含み、前記光変調器部と並列に接続された直列回路と、前記直列回路と並列に接続された保護抵抗と、前記半導体レーザ部に接続される半導体レーザ部用コンデンサと、前記光増幅器部に接続される光増幅器部用コンデンサと、を備え、前記第2サブマウントには、第1信号線路と、第1GNDパターンが形成され、前記第1サブマウントには、前記光変調器部と前記第1信号線路を接続する第2信号線路と、第2GNDパターンが形成され、前記保護抵抗は、前記第1信号線路と前記第1GNDパターンの間、または、前記第2信号線路と前記第2GNDパターンの間に接続され、前記半導体レーザ部用コンデンサ、光増幅器部用コンデンサ、および前記光変調器部用コンデンサは、前記支持部に整列して実装される。
A CAN-type optical module according to the present disclosure includes a support portion including a stem having a main surface and a surface opposite to the main surface, a lead pin penetrating the stem from the main surface to the surface opposite to the main surface , a first submount provided so that a mounting surface is perpendicular to the main surface of the stem, a temperature control module mounted on the main surface of the stem, and a first support block mounted on the temperature control module on the side opposite to the main surface of the stem and supporting the first submount, a semiconductor optical integrated device provided on the mounting surface of the first submount and having a semiconductor laser section and an optical modulator section, a second support block provided on the main surface of the stem, a second submount mounted on a side of the second support block , and a matching resistor and an optical modulator section connected in series to each other. the second submount has a first signal line and a first GND pattern formed thereon, the first submount has a second signal line connecting the optical modulator section and the first signal line and a second GND pattern formed thereon, the protective resistor is connected between the first signal line and the first GND pattern or between the second signal line and the second GND pattern, the first support block has a first portion supporting the first submount and a second portion provided on the temperature control module and protruding to an opposite side to the first submount with respect to the first portion, and a wire is provided connecting an upper surface of the second support block and the second portion .
A CAN-type optical module according to the present disclosure includes a stem having a main surface and a surface opposite to the main surface, a lead pin penetrating the stem from the main surface to the surface opposite to the main surface, a first submount provided so that a mounting surface is perpendicular to the main surface of the stem, a temperature control module mounted on the main surface of the stem, and a first support block mounted on the temperature control module on the side opposite to the main surface of the stem and supporting the first submount, a semiconductor optical integrated device provided on the mounting surface of the first submount and having a semiconductor laser section and an optical modulator section, a second support block provided on the main surface of the stem, a second submount mounted on a side of the second support block, a matching resistor and a capacitor for the optical modulator section connected in series to each other, the second submount has a first signal line and a first GND pattern formed thereon, the first submount has a second signal line connecting the optical modulator section and the first signal line, and a second GND pattern formed thereon, the protective resistor is connected between the first signal line and the first GND pattern or between the second signal line and the second GND pattern, the first support block has a first portion supporting the first submount and a second portion provided on the temperature control module and protruding from the first portion towards the first submount, and has at least one of a wire connecting the second portion and the stem and a wire connecting the second portion and the GND pattern of the second submount.
A CAN-type optical module according to the present disclosure includes a stem having a main surface and a surface opposite to the main surface, a lead pin penetrating the stem from the main surface to the surface opposite to the main surface, a support portion provided on the main surface of the stem, a first submount supported by the support portion and provided such that a mounting surface is perpendicular to the main surface of the stem, a semiconductor optical integrated device provided on the mounting surface of the first submount and having a semiconductor laser portion, an optical amplifier portion, and an optical modulator portion, a second submount provided on the main surface of the stem, a matching resistor and a capacitor for the optical modulator portion connected in series with each other, and a series circuit connected in parallel with the optical modulator portion, and the second submount is provided with a first signal line and a first GND pattern, the first submount is provided with a second signal line connecting the optical modulator section and the first signal line, and a second GND pattern is formed on the first submount, the protective resistor is connected between the first signal line and the first GND pattern or between the second signal line and the second GND pattern, and the capacitor for the semiconductor laser section, the capacitor for the optical amplifier section, and the capacitor for the optical modulator section are mounted in an aligned manner on the support section.

本開示に係る光トランシーバは、CAN型光モジュールと、前記CAN型光モジュールと、トランシーバ基板とを接続するフレキシブルプリント基板と、保護抵抗と、を備え、前記CAN型光モジュールは、主面と、前記主面と反対側の面と、を有するステムと、前記ステムを前記主面から前記主面と反対側の面に貫通するリードピンと搭載面が前記ステムの前記主面と垂直になるように設けられた第1サブマウントと、前記ステムの前記主面に実装された温度制御モジュールと、前記温度制御モジュールのうち前記ステムの前記主面と反対側に実装され、前記第1サブマウントを支持する第1支持ブロックと、を有する支持部と、前記第1サブマウントの前記搭載面に設けられ、半導体レーザ部および光変調器部を有した半導体光集積素子と、前記ステムの前記主面に設けられた第2支持ブロックと、前記第2支持ブロックの側面に実装された第2サブマウントと、互いに直列に接続された整合抵抗と光変調器部用コンデンサとを含み、前記光変調器部と並列に接続された直列回路と、を備え、前記保護抵抗は、前記直列回路と並列に接続され、前記フレキシブルプリント基板または前記トランシーバ基板に設けられ、前記第1支持ブロックは、前記第1サブマウントを支持する第1部分と、前記温度制御モジュール上に設けられ、前記第1部分に対して前記第1サブマウントと反対側に突出した第2部分と、を有し、前記CAN型光モジュールは、前記第2支持ブロックの上面と前記第2部分とを接続するワイヤを備える
本開示に係る光トランシーバは、CAN型光モジュールと、前記CAN型光モジュールと、トランシーバ基板とを接続するフレキシブルプリント基板と、保護抵抗と、を備え、前記CAN型光モジュールは、主面と、前記主面と反対側の面と、を有するステムと、前記ステムを前記主面から前記主面と反対側の面に貫通するリードピンと、搭載面が前記ステムの前記主面と垂直になるように設けられた第1サブマウントと、前記ステムの前記主面に実装された温度制御モジュールと、前記温度制御モジュールのうち前記ステムの前記主面と反対側に実装され、前記第1サブマウントを支持する第1支持ブロックと、を有する支持部と、前記第1サブマウントの前記搭載面に設けられ、半導体レーザ部および光変調器部を有した半導体光集積素子と、前記ステムの前記主面に設けられた第2支持ブロックと、前記第2支持ブロックの側面に実装された第2サブマウントと、互いに直列に接続された整合抵抗と光変調器部用コンデンサとを含み、前記光変調器部と並列に接続された直列回路と、を備え、前記保護抵抗は、前記直列回路と並列に接続され、前記フレキシブルプリント基板または前記トランシーバ基板に設けられ、前記第1支持ブロックは、前記第1サブマウントを支持する第1部分と、前記温度制御モジュール上に設けられ、前記第1部分から前記第1サブマウント側に突出する第2部分と、を有し、前記CAN型光モジュールは、前記第2部分と前記ステムとを接続するワイヤと、前記第2部分と前記第2サブマウントのGNDパターンとを接続するワイヤの少なくとも一方を備える。
本開示に係る光トランシーバは、CAN型光モジュールと、前記CAN型光モジュールと、トランシーバ基板とを接続するフレキシブルプリント基板と、保護抵抗と、を備え、前記CAN型光モジュールは、主面と、前記主面と反対側の面と、を有するステムと、前記ステムを前記主面から前記主面と反対側の面に貫通するリードピンと、前記ステムの前記主面に設けられた支持部と、前記支持部に支持されて搭載面が前記ステムの前記主面と垂直になるように設けられた第1サブマウントと、前記第1サブマウントの前記搭載面に設けられ、半導体レーザ部、光増幅器部および光変調器部を有した半導体光集積素子と、互いに直列に接続された整合抵抗と光変調器部用コンデンサとを含み、前記光変調器部と並列に接続された直列回路と、前記半導体レーザ部に接続される半導体レーザ部用コンデンサと、前記光増幅器部に接続される光増幅器部用コンデンサと、を備え、前記保護抵抗は、前記直列回路と並列に接続され、前記フレキシブルプリント基板または前記トランシーバ基板に設けられ、前記半導体レーザ部用コンデンサ、光増幅器部用コンデンサ、および前記光変調器部用コンデンサは、前記支持部に整列して実装される。
An optical transceiver according to the present disclosure includes a CAN type optical module, a flexible printed circuit board connecting the CAN type optical module and a transceiver board, and a protective resistor, the CAN type optical module including a stem having a main surface and a surface opposite to the main surface, a lead pin penetrating the stem from the main surface to the surface opposite to the main surface , a first submount provided such that a mounting surface is perpendicular to the main surface of the stem, a temperature control module mounted on the main surface of the stem, and a support portion including a first support block mounted on the temperature control module on the side opposite to the main surface of the stem and supporting the first submount , and a semiconductor laser unit and an optical modulator provided on the mounting surface of the first submount. a second support block provided on the main surface of the stem; a second sub-mount mounted on a side of the second support block; and a series circuit including a matching resistor and a capacitor for an optical modulator section connected in series to each other and connected in parallel to the optical modulator section, wherein the protective resistor is connected in parallel to the series circuit and is provided on the flexible printed circuit board or the transceiver board , the first support block has a first portion supporting the first sub-mount and a second portion provided on the temperature control module and protruding to an opposite side to the first sub-mount with respect to the first portion, and the CAN-type optical module includes a wire connecting the upper surface of the second support block and the second portion .
An optical transceiver according to the present disclosure includes a CAN type optical module, a flexible printed circuit board connecting the CAN type optical module and a transceiver board, and a protective resistor, the CAN type optical module including a stem having a main surface and a surface opposite to the main surface, a lead pin penetrating the stem from the main surface to the surface opposite to the main surface, a first submount provided such that a mounting surface is perpendicular to the main surface of the stem, a temperature control module mounted on the main surface of the stem, and a support portion including a first support block mounted on the temperature control module on the side opposite to the main surface of the stem and supporting the first submount, a semiconductor optical integrated device provided on the mounting surface of the first submount and having a semiconductor laser portion and an optical modulator portion, the CAN-type optical module comprises a second support block provided on the main surface of the stem, a second submount mounted on a side of the second support block, and a series circuit including a matching resistor and a capacitor for an optical modulator section connected in series to each other and connected in parallel to the optical modulator section, the protective resistor is connected in parallel to the series circuit and is provided on the flexible printed circuit board or the transceiver board, the first support block has a first portion supporting the first submount and a second portion provided on the temperature control module and protruding from the first portion toward the first submount, and the CAN-type optical module comprises at least one of a wire connecting the second portion and the stem and a wire connecting the second portion and a GND pattern of the second submount.
An optical transceiver according to the present disclosure includes a CAN type optical module, a flexible printed circuit board connecting the CAN type optical module and a transceiver board, and a protective resistor. The CAN type optical module includes a stem having a main surface and a surface opposite to the main surface, a lead pin penetrating the stem from the main surface to the surface opposite to the main surface, a support portion provided on the main surface of the stem, a first submount supported by the support portion and provided such that a mounting surface thereof is perpendicular to the main surface of the stem, and a semiconductor laser unit, an optical amplifier unit, and a semiconductor laser diode unit, which are provided on the mounting surface of the first submount. the semiconductor laser section is connected to the semiconductor laser section, and the optical amplifier section is connected to the optical amplifier section, and the protective resistor is connected in parallel to the series circuit and is provided on the flexible printed circuit board or the transceiver board, and the capacitor for the semiconductor laser section, the capacitor for the optical amplifier section, and the capacitor for the optical modulator section are mounted in an aligned manner on the support section.

本開示に係るCAN型光モジュールおよび光トランシーバでは、サージが入力されても、保護抵抗に電流が流れるため、光変調器部の故障を抑制できる。In the CAN-type optical module and optical transceiver disclosed herein, even if a surge is input, current flows through the protective resistor, thereby preventing failure of the optical modulator section.

実施の形態1に係るCAN型光モジュールの斜視図である。1 is a perspective view of a CAN type optical module according to a first embodiment; 実施の形態1に係る半導体光集積素子の構成を説明する図である。1A and 1B are diagrams illustrating a configuration of a semiconductor optical integrated device according to a first embodiment. 実施の形態1に係るCAN型光モジュールを別の角度から見た斜視図である。1 is a perspective view of the CAN-type optical module according to the first embodiment, seen from a different angle. FIG. 実施の形態1に係る光変調器部、整合抵抗、コンデンサおよび保護抵抗が形成する回路を説明する図である。2 is a diagram for explaining a circuit formed by an optical modulator section, a matching resistor, a capacitor, and a protective resistor according to the first embodiment; FIG. 実施の形態2に係る保護抵抗を説明する図である。10A and 10B are diagrams illustrating protective resistors according to a second embodiment. 実施の形態2のCAN型光モジュールの反射特性を説明する図である。11A and 11B are diagrams illustrating the reflection characteristics of a CAN-type optical module according to a second embodiment. 実施の形態3に係る光トランシーバの斜視図である。FIG. 11 is a perspective view of an optical transceiver according to a third embodiment. 実施の形態3に係る保護抵抗を説明する図である。13A and 13B are diagrams illustrating protective resistors according to a third embodiment. 実施の形態3の光トランシーバの反射特性を説明する図である。13A to 13C are diagrams illustrating the reflection characteristics of an optical transceiver according to a third embodiment. 実施の形態4に係る保護抵抗を説明する図である。13A and 13B are diagrams illustrating protective resistors according to a fourth embodiment. 実施の形態5に係る保護抵抗を説明する図である。13 is a diagram illustrating a protective resistor according to a fifth embodiment. FIG. 実施の形態6に係る光トランシーバの斜視図である。FIG. 13 is a perspective view of an optical transceiver according to a sixth embodiment. 実施の形態6に係る保護抵抗を説明する図である。13 is a diagram illustrating a protective resistor according to a sixth embodiment. FIG. 実施の形態7に係るCAN型光モジュールの斜視図である。FIG. 23 is a perspective view of a CAN type optical module according to a seventh embodiment. 実施の形態8に係るCAN型光モジュールの斜視図である。FIG. 23 is a perspective view of a CAN type optical module according to an eighth embodiment. 実施の形態8に係るCAN型光モジュールの通過特性を説明する図である。13 is a diagram illustrating the transmission characteristics of a CAN-type optical module according to an eighth embodiment. FIG.

各実施の形態に係るCAN型光モジュールおよび光トランシーバについて図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。The CAN-type optical module and optical transceiver relating to each embodiment will be described with reference to the drawings. The same or corresponding components will be given the same reference numerals, and repeated explanations may be omitted.

実施の形態1.
図1は、実施の形態1に係るCAN型光モジュール100の斜視図である。CAN型光モジュール100は、主面1aと、主面1aと反対側の面とを有するステム1を備える。ステム1は例えば平面視で円形である。ステムの直径は例えば5.6mmである。ステム1は金属で形成されている。ステム1は、例えばCuなどの熱伝導率の高い材料の表面にAuメッキなどが施されることで形成される。
Embodiment 1.
1 is a perspective view of a CAN-type optical module 100 according to a first embodiment. The CAN-type optical module 100 includes a stem 1 having a main surface 1a and a surface opposite to the main surface 1a. The stem 1 is, for example, circular in a plan view. The diameter of the stem is, for example, 5.6 mm. The stem 1 is made of metal. The stem 1 is formed by applying Au plating or the like to the surface of a material with high thermal conductivity, such as Cu.

リードピン2a~2fは、ステム1を主面1aから主面1aと反対側の面に貫通している。ステム1にリードピン2a~2fを固定するために、一般にガラス3が用いられる。インピーダンス不整合になると信号の多重反射によって周波数応答特性が劣化し、高速変調が困難となる。従って、ガラス3は低誘電率の材料で構成されている。 Lead pins 2a to 2f penetrate stem 1 from main surface 1a to the surface opposite main surface 1a. Glass 3 is generally used to fix lead pins 2a to 2f to stem 1. If impedance mismatch occurs, multiple reflections of the signal will degrade the frequency response characteristics, making high-speed modulation difficult. Therefore, glass 3 is made of a material with a low dielectric constant.

ステム1の主面1aには支持部が設けられている。支持部は、例えば、ステム1の主面1aに実装された温度制御モジュール10と、温度制御モジュール10のうちステム1の主面1aと反対側に実装された第1支持ブロック20を備える。第1支持ブロック20はキャリアとも呼ばれる。第1支持ブロック20は、第1サブマウント30を支持している。A support portion is provided on the main surface 1a of the stem 1. The support portion includes, for example, a temperature control module 10 mounted on the main surface 1a of the stem 1, and a first support block 20 mounted on the temperature control module 10 on the side opposite the main surface 1a of the stem 1. The first support block 20 is also called a carrier. The first support block 20 supports a first submount 30.

温度制御モジュール10では、例えばBiTeなどの材料からなる複数の熱電素子が、AlNなどの材料からなる下側基板と上側基板で挟まれている。温度制御モジュール10の下側基板は上側基板よりもステム1の主面1aに平行な方向に突出した突出部を有する。この突出部に、熱電素子に電力供給するための電極パターンが設けられている。電極パターンは、リードピン2d、2eと電気的に接続されている。なお、温度制御モジュール10は省略しても良い。In the temperature control module 10, multiple thermoelectric elements made of a material such as BiTe are sandwiched between a lower substrate and an upper substrate made of a material such as AlN. The lower substrate of the temperature control module 10 has a protruding portion that protrudes further than the upper substrate in a direction parallel to the main surface 1a of the stem 1. An electrode pattern for supplying power to the thermoelectric elements is provided on this protruding portion. The electrode pattern is electrically connected to the lead pins 2d, 2e. The temperature control module 10 may be omitted.

温度制御モジュール10の上面に、第1支持ブロック20が実装されている。第1支持ブロック20の底面と温度制御モジュール10の上面は、はんだ等によって接合されている。第1支持ブロック20は、金属から形成される。第1支持ブロック20は、例えばCuなどの熱伝導率の高い材料の表面にAuメッキなどが施されることで形成される。なお、ステム1と支持部は別部品でも良く、1つの部品であっても良い。 A first support block 20 is mounted on the top surface of the temperature control module 10. The bottom surface of the first support block 20 and the top surface of the temperature control module 10 are joined by solder or the like. The first support block 20 is made of metal. The first support block 20 is formed by applying Au plating or the like to the surface of a material with high thermal conductivity, such as Cu. The stem 1 and the support part may be separate components or may be a single component.

第1サブマウント30は、支持部に支持されて、搭載面がステム1の主面1aと垂直になるように設けられている。具体的には、第1サブマウント30は、第1支持ブロック20の側面に実装されている。第1サブマウント30は例えば誘電体基板である。第1サブマウント30は、例えばAlNなどのセラミック材料からなり、電気絶縁機能および熱伝達機能を有する。第1サブマウント30の搭載面には、金属パターンが形成されている。The first submount 30 is supported by a support and is arranged so that the mounting surface is perpendicular to the main surface 1a of the stem 1. Specifically, the first submount 30 is mounted on the side of the first support block 20. The first submount 30 is, for example, a dielectric substrate. The first submount 30 is made of a ceramic material such as AlN, and has electrical insulation and heat transfer functions. A metal pattern is formed on the mounting surface of the first submount 30.

図2は、実施の形態1に係る半導体光集積素子50の構成を説明する図である。第1サブマウント30の搭載面には、半導体レーザ部50a、光変調器部50bおよび光増幅器部50cが設けられている。本実施の形態では、半導体レーザ部50a、光変調器部50bおよび光増幅器部50cが半導体光集積素子50に集積された例を示すが、光変調器部50bおよび光増幅器部50cは別個に設けられていても良い。また、光増幅器部50cは省略されても良い。図1に示されるように、半導体光集積素子50は、ステム1の主面1aに垂直な方向に対して、傾いて実装されている。 Figure 2 is a diagram illustrating the configuration of a semiconductor optical integrated device 50 according to the first embodiment. A semiconductor laser section 50a, an optical modulator section 50b, and an optical amplifier section 50c are provided on the mounting surface of the first submount 30. In this embodiment, an example is shown in which the semiconductor laser section 50a, the optical modulator section 50b, and the optical amplifier section 50c are integrated in the semiconductor optical integrated device 50, but the optical modulator section 50b and the optical amplifier section 50c may be provided separately. The optical amplifier section 50c may also be omitted. As shown in Figure 1, the semiconductor optical integrated device 50 is mounted at an angle with respect to the direction perpendicular to the main surface 1a of the stem 1.

半導体レーザ部50aと光変調器部50bと光増幅器部50cは、例えばFeドープInPなどの半絶縁性基板で互いに電気的に絶縁されており、独立に電流を流すことができる。このため、電流の制御性を向上できる。なお、半導体レーザ部50aと光変調器部50bと光増幅器部50cのGNDは共通である。The semiconductor laser section 50a, the optical modulator section 50b, and the optical amplifier section 50c are electrically insulated from each other by a semi-insulating substrate such as Fe-doped InP, and current can flow independently. This improves the controllability of the current. The semiconductor laser section 50a, the optical modulator section 50b, and the optical amplifier section 50c share a common GND.

半導体光集積素子50の発振波長は温度の変化によって変動する。このため、半導体光集積素子50の温度をなるべく一定に保持する必要がある。半導体光集積素子50の温度が上昇した場合は温度制御モジュール10が冷却する一方、半導体光集積素子50の温度が低下した場合は温度制御モジュール10が発熱する。これにより、半導体光集積素子50の温度を一定に保持することができる。また、半導体光集積素子50で発生した熱は、温度制御モジュール10で吸熱され、ステム1を介して、ステム1の裏面側に放熱される。 The oscillation wavelength of the semiconductor optical integrated element 50 varies with changes in temperature. For this reason, it is necessary to keep the temperature of the semiconductor optical integrated element 50 as constant as possible. When the temperature of the semiconductor optical integrated element 50 rises, the temperature control module 10 cools it, whereas when the temperature of the semiconductor optical integrated element 50 drops, the temperature control module 10 generates heat. This makes it possible to keep the temperature of the semiconductor optical integrated element 50 constant. Furthermore, the heat generated by the semiconductor optical integrated element 50 is absorbed by the temperature control module 10 and dissipated via the stem 1 to the back side of the stem 1.

第1支持ブロック20の第2部分22には、サーミスタ55が設けられている。リードピン2aはサーミスタ55と電気的に接続されている。サーミスタ55は半導体光集積素子50の温度を間接的に測定し、温度制御モジュール10にフィードバックする。サーミスタ55が測定した温度に基づき、温度制御モジュール10が半導体光集積素子50を温度制御する。A thermistor 55 is provided on the second portion 22 of the first support block 20. The lead pin 2a is electrically connected to the thermistor 55. The thermistor 55 indirectly measures the temperature of the semiconductor optical integrated device 50 and feeds it back to the temperature control module 10. The temperature control module 10 controls the temperature of the semiconductor optical integrated device 50 based on the temperature measured by the thermistor 55.

第1支持ブロック20のうち第1サブマウント30が搭載された側面には、コンデンサC0、C1、C2が整列して実装されている。コンデンサC0、C1、C2は、支持部に実装されれば良く、温度制御モジュール10に実装されても良い。コンデンサC0は半導体レーザ部用コンデンサであり、半導体レーザ部50aのアノードとリードピン2bとを電気的に接続している。コンデンサC1は光変調器部用コンデンサである。コンデンサC1と整合抵抗R1の直列回路が、光変調器部50bと並列に接続されている。コンデンサC2は光増幅器部用コンデンサであり、光増幅器部50cのアノードとリードピン2cとを電気的に接続している。 Capacitors C0, C1, and C2 are aligned and mounted on the side of the first support block 20 on which the first submount 30 is mounted. Capacitors C0, C1, and C2 may be mounted on the support section or on the temperature control module 10. Capacitor C0 is a capacitor for the semiconductor laser section, and electrically connects the anode of the semiconductor laser section 50a to the lead pin 2b. Capacitor C1 is a capacitor for the optical modulator section. A series circuit of capacitor C1 and matching resistor R1 is connected in parallel with the optical modulator section 50b. Capacitor C2 is a capacitor for the optical amplifier section, and electrically connects the anode of the optical amplifier section 50c to the lead pin 2c.

コンデンサC0、C2により、電源ノイズをカットすることができる。また、コンデンサC1により、整合抵抗R1に流れるDC成分をカットしてAC結合方式とすることができる。また、図1に示されるように、コンデンサC1を光変調器部50bの近傍に配置することで、コンデンサC1と光変調器部50bの間のワイヤを短くすることができる。これにより、高周波特性の悪化を抑制できる。 Capacitors C0 and C2 can cut power supply noise. Capacitor C1 can cut the DC component flowing through matching resistor R1 to provide an AC coupling method. As shown in FIG. 1, by placing capacitor C1 near the optical modulator section 50b, the wire between capacitor C1 and optical modulator section 50b can be shortened. This can prevent deterioration of high frequency characteristics.

ステム1の主面1aには、第2支持ブロック79と第2サブマウント80が設けられる。第2支持ブロック79の側面に、第2サブマウント80が実装されている。第2サブマウント80は例えば誘電体基板である。第2サブマウント80は、例えばAlNなどのセラミック材料から形成される。第2サブマウント80には、信号線路80aとGNDパターン80bが形成されている。また、第1サブマウント30には、ワイヤを介して光変調器部50bと信号線路80aを接続する信号線路30aと、GNDパターン30bが形成されている。GNDパターン30bは、ワイヤを介してGNDパターン80bと接続されている。リードピン2fは、第2サブマウント80の信号線路80aに接続されている。つまり、リードピン2fは、信号線路80aおよび信号線路30aを介して光変調器部50bと電気的に接続されている。リードピン2fはRF給電用リードピンである。 A second support block 79 and a second submount 80 are provided on the main surface 1a of the stem 1. The second submount 80 is mounted on the side of the second support block 79. The second submount 80 is, for example, a dielectric substrate. The second submount 80 is formed of a ceramic material such as AlN. A signal line 80a and a GND pattern 80b are formed on the second submount 80. In addition, a signal line 30a that connects the optical modulator section 50b and the signal line 80a via a wire, and a GND pattern 30b are formed on the first submount 30. The GND pattern 30b is connected to the GND pattern 80b via a wire. The lead pin 2f is connected to the signal line 80a of the second submount 80. In other words, the lead pin 2f is electrically connected to the optical modulator section 50b via the signal line 80a and the signal line 30a. The lead pin 2f is an RF power supply lead pin.

図3は、実施の形態1に係るCAN型光モジュール100を別の角度から見た斜視図である。第1支持ブロック20のGND電位を強化するために、第1支持ブロック20と第2支持ブロック79間をワイヤW0等で電気的に接続することが望ましい。第1支持ブロック20は、例えば第1部分21と第2部分22を有している。第1部分21は、第1サブマウント30を支持する。第2部分22は、温度制御モジュール10上に設けられ、第1部分21に対して第1サブマウント30と反対側に突出している。 Figure 3 is an oblique view of the CAN-type optical module 100 according to embodiment 1, seen from a different angle. In order to strengthen the GND potential of the first support block 20, it is desirable to electrically connect the first support block 20 and the second support block 79 with a wire W0 or the like. The first support block 20 has, for example, a first portion 21 and a second portion 22. The first portion 21 supports the first submount 30. The second portion 22 is provided on the temperature control module 10, and protrudes from the first portion 21 on the opposite side to the first submount 30.

例えば、第2支持ブロック79と第1部分21間にワイヤを接続する場合、第1部分21からのワイヤループ高さを確保する必要がある。このため、もしCAN型光モジュール100にキャップを搭載する場合は、ワイヤループとキャップが干渉しないようにキャップ内壁高さを高くする必要がある。これに対し本実施の形態では、第2支持ブロック79の上面と、第2部分22とをワイヤW0で接続している。第2部分22は第1部分21よりも低いため、ワイヤループ高さを考慮する必要がなくなる。従って、CAN型光モジュール100の低背化しながら、第1支持ブロック20のGND電位を強化して高周波特性を向上することが可能となる。For example, when connecting a wire between the second support block 79 and the first portion 21, it is necessary to ensure the wire loop height from the first portion 21. For this reason, if a cap is mounted on the CAN-type optical module 100, it is necessary to increase the height of the cap's inner wall so that the wire loop and the cap do not interfere with each other. In contrast, in this embodiment, the upper surface of the second support block 79 and the second portion 22 are connected by wire W0. Since the second portion 22 is lower than the first portion 21, there is no need to consider the wire loop height. Therefore, it is possible to strengthen the GND potential of the first support block 20 and improve the high-frequency characteristics while reducing the height of the CAN-type optical module 100.

第1支持ブロック20は半導体光集積素子50で発生した熱を温度制御モジュール10に伝える役割があり、第1支持ブロック20の熱抵抗は極力低減させる必要がある。ここで第2部分22の高さが低すぎる場合は熱抵抗が上昇し、温度制御モジュール10の消費電力が上昇するおそれがある。このため、ワイヤW0の高さが第1部分21を超えない程度に、第2部分22を高くすることが望ましい。The first support block 20 has the role of transferring heat generated by the semiconductor optical integrated device 50 to the temperature control module 10, and it is necessary to reduce the thermal resistance of the first support block 20 as much as possible. If the height of the second portion 22 is too low, the thermal resistance will increase, and there is a risk that the power consumption of the temperature control module 10 will increase. For this reason, it is desirable to make the second portion 22 high enough so that the height of the wire W0 does not exceed the first portion 21.

図4は、実施の形態1に係る光変調器部50b、整合抵抗R1、コンデンサC1および保護抵抗R2が形成する回路を説明する図である。なお、図4において、光変調器部50bはダイオードD1として描かれている。上述の通り、互いに直列に接続された整合抵抗R1とコンデンサC1とを含む直列回路が、光変調器部50bと並列に接続されている。この直列回路と並列に、保護抵抗R2が接続される。 Figure 4 is a diagram illustrating the circuit formed by the optical modulator section 50b, matching resistor R1, capacitor C1, and protective resistor R2 according to embodiment 1. In Figure 4, the optical modulator section 50b is depicted as a diode D1. As described above, a series circuit including the matching resistor R1 and capacitor C1 connected in series with each other is connected in parallel with the optical modulator section 50b. A protective resistor R2 is connected in parallel with this series circuit.

整合抵抗R1の抵抗値は、例えば50Ωまたは40Ωである。コンデンサC1の容量は例えば1~10nFである。保護抵抗R2の抵抗値は例えば1000Ωである。これらの抵抗値および容量は上述した値に限定されない。整合抵抗R1の抵抗値<保護抵抗R2の抵抗値であると良い。 The resistance value of the matching resistor R1 is, for example, 50 Ω or 40 Ω. The capacitance of the capacitor C1 is, for example, 1 to 10 nF. The resistance value of the protective resistor R2 is, for example, 1000 Ω. These resistance values and capacitances are not limited to the above values. It is preferable that the resistance value of the matching resistor R1 is less than the resistance value of the protective resistor R2.

本実施の形態では、保護抵抗R2は、第1サブマウント30の信号線路30aとGNDパターン30bの間に接続される。これにより、図4のような回路が得られる。保護抵抗R2は、例えば、第1サブマウント30上に形成または貼り付けられた薄膜抵抗体である。In this embodiment, the protective resistor R2 is connected between the signal line 30a and the GND pattern 30b of the first submount 30. This results in a circuit as shown in Figure 4. The protective resistor R2 is, for example, a thin-film resistor formed or attached on the first submount 30.

本実施の形態に係るCAN型光モジュール100では、光変調器部50bのアノードとGND間に接続された保護抵抗R2により、光変調器部50bの帯電を抑制できる。また、サージが入力されても、保護抵抗R2に電流が流れる。このため、光変調器部50bの故障を抑制できる。In the CAN-type optical module 100 according to this embodiment, the protective resistor R2 connected between the anode of the optical modulator section 50b and GND can suppress charging of the optical modulator section 50b. Even if a surge is input, a current flows through the protective resistor R2. This can suppress failure of the optical modulator section 50b.

なお、パターン間を接続するワイヤの本数、コンデンサC0~C2の配置、および支持部の構造等は、図に示されるものに限定されず、適宜変更できる。 Note that the number of wires connecting the patterns, the arrangement of capacitors C0 to C2, and the structure of the support part are not limited to those shown in the figure and can be changed as appropriate.

上述した変形は、以下の実施の形態に係るCAN型光モジュールおよび光トランシーバについて適宜応用することができる。なお、以下の実施の形態に係るCAN型光モジュールおよび光トランシーバについては実施の形態1との共通点が多いので、実施の形態1との相違点を中心に説明する。The above-mentioned modifications can be applied as appropriate to the CAN-type optical modules and optical transceivers according to the following embodiments. Note that the CAN-type optical modules and optical transceivers according to the following embodiments have many points in common with the first embodiment, so the following description will focus on the differences from the first embodiment.

実施の形態2.
図5は、実施の形態2に係る保護抵抗R2を説明する図である。実施の形態2のCAN型光モジュール200では、保護抵抗R2の位置が実施の形態1のCAN型光モジュール100と異なっている。他の構造は実施の形態1の構造と同様である。本実施の形態の保護抵抗R2は、第2サブマウント80の信号線路80aとGNDパターン80bの間に接続される。これにより、図4のような回路が得られる。保護抵抗R2は、例えば、第2サブマウント80上に形成または貼り付けられた薄膜抵抗体である。
Embodiment 2.
5 is a diagram for explaining the protective resistor R2 according to the second embodiment. In the CAN-type optical module 200 of the second embodiment, the position of the protective resistor R2 is different from that of the CAN-type optical module 100 of the first embodiment. The other structures are similar to those of the first embodiment. The protective resistor R2 of this embodiment is connected between the signal line 80a and the GND pattern 80b of the second submount 80. This results in a circuit as shown in FIG. 4. The protective resistor R2 is, for example, a thin-film resistor formed or attached on the second submount 80.

図6は、実施の形態2のCAN型光モジュール200の反射特性S11を説明する図である。図中に矢印で示される部分を見ると、実施の形態2では実施の形態1で発生していた電磁界共振が無く、かつ反射特性が向上していることが分かる。つまり、保護抵抗R2を第1サブマウント30に配置するよりも第2サブマウント80に配置した方が、良好な高周波特性が得られる。 Figure 6 is a diagram explaining the reflection characteristic S11 of the CAN-type optical module 200 of embodiment 2. Looking at the part indicated by the arrow in the figure, it can be seen that in embodiment 2, the electromagnetic field resonance that occurs in embodiment 1 does not occur, and the reflection characteristic is improved. In other words, better high-frequency characteristics can be obtained by placing the protective resistor R2 on the second submount 80 rather than on the first submount 30.

実施の形態1では、第1サブマウント30のGNDパターン30bをくり抜いて、保護抵抗R2を形成している。これにより、GND電位が不安定になり、第1サブマウント30のGSG線路に若干のインピーダンス変化が起こり、特性が悪化した可能性がある。これに対し第2サブマウント80の線路はマイクロストリップ線路であり、実施の形態1のようにGNDパターンをくり抜いて保護抵抗R2を形成する必要はない。このためインピーダンス変化を抑制でき、良好な高周波特性が得られたものと考えられる。なお、第2サブマウント80はコプレナー線路でもよい。In the first embodiment, the GND pattern 30b of the first submount 30 is hollowed out to form the protective resistor R2. This may have caused the GND potential to become unstable, causing a slight impedance change in the GSG line of the first submount 30, and deteriorating the characteristics. In contrast, the line of the second submount 80 is a microstrip line, and there is no need to hollow out the GND pattern to form the protective resistor R2 as in the first embodiment. This is thought to have suppressed the impedance change and resulted in good high frequency characteristics. The second submount 80 may be a coplanar line.

なお、保護抵抗R2は信号線路80aと上側のGNDパターン80bの間に限らず。信号線路80aと下側のGNDパターンの間に接続されても良い。In addition, the protective resistor R2 is not limited to being connected between the signal line 80a and the upper GND pattern 80b. It may also be connected between the signal line 80a and the lower GND pattern.

実施の形態3.
図7は、実施の形態3に係る光トランシーバ1000の斜視図である。光トランシーバ1000は、CAN型光モジュール101と、CAN型光モジュール101と後述するトランシーバ基板とを接続するフレキシブルプリント基板70とを備える。CAN型光モジュール101の構造として、保護抵抗R2の配置以外は、CAN型光モジュール100、200と同様の構造を採用できる。
Embodiment 3.
7 is a perspective view of an optical transceiver 1000 according to a third embodiment. The optical transceiver 1000 includes a CAN-type optical module 101 and a flexible printed circuit board 70 that connects the CAN-type optical module 101 to a transceiver board, which will be described later. The CAN-type optical module 101 can have the same structure as the CAN-type optical modules 100 and 200, except for the arrangement of the protective resistor R2.

CAN型光モジュール101において、ステム1の上にレンズ付きキャップ91が設けられる。なお、図1においてレンズ付きキャップ91は省略されている。フレキシブルプリント基板70は、ステム1の主面1aと反対側に取付けられている。In the CAN-type optical module 101, a lens cap 91 is provided on the stem 1. The lens cap 91 is omitted in Fig. 1. The flexible printed circuit board 70 is attached to the side of the stem 1 opposite to the main surface 1a.

図8は、実施の形態3に係る保護抵抗R2を説明する図である。図8は、フレキシブルプリント基板70を裏面側から見た図である。本実施の形態において、保護抵抗R2はフレキシブルプリント基板70に設けられる。フレキシブルプリント基板70の裏面からは、リードピン2a~2fが突出している。このうちリードピン2fは、光変調器部50bと電気的に接続されたRF給電用リードピンである。 Figure 8 is a diagram explaining protective resistor R2 according to embodiment 3. Figure 8 is a diagram showing flexible printed circuit board 70 viewed from the back side. In this embodiment, protective resistor R2 is provided on flexible printed circuit board 70. Lead pins 2a to 2f protrude from the back side of flexible printed circuit board 70. Of these, lead pin 2f is an RF power supply lead pin electrically connected to optical modulator section 50b.

フレキシブルプリント基板70のステム1と反対側には、リードピン2fと接続された信号線路70aと、ステム1の裏面と電気的に接続されたGNDパターン70bとが形成されている。保護抵抗R2は、フレキシブルプリント基板70の信号線路70aとGNDパターン70bを接続する。これにより、図4のような回路が得られる。保護抵抗R2は、例えば、フレキシブルプリント基板70上に形成された薄膜抵抗体である。On the side of the flexible printed circuit board 70 opposite the stem 1, a signal line 70a connected to the lead pin 2f and a GND pattern 70b electrically connected to the back surface of the stem 1 are formed. The protective resistor R2 connects the signal line 70a and the GND pattern 70b of the flexible printed circuit board 70. This results in a circuit as shown in Figure 4. The protective resistor R2 is, for example, a thin-film resistor formed on the flexible printed circuit board 70.

図9は、実施の形態3の光トランシーバ1000の反射特性S11を説明する図である。図中に矢印で示される部分を見ると、実施の形態3では実施の形態1よりも反射特性が向上していることが分かる。フレキシブルプリント基板70の線路もマイクロストリップ線路であり、GNDパターンをくり抜いて保護抵抗R2を形成する必要がない。このためインピーダンス変化を抑制でき、良好な高周波特性が得られたものと考えられる。 Figure 9 is a diagram explaining the reflection characteristic S11 of the optical transceiver 1000 of embodiment 3. Looking at the part indicated by the arrow in the figure, it can be seen that the reflection characteristic of embodiment 3 is improved compared to embodiment 1. The line of the flexible printed circuit board 70 is also a microstrip line, and there is no need to hollow out the GND pattern to form the protective resistor R2. It is believed that this makes it possible to suppress impedance changes and obtain good high frequency characteristics.

実施の形態4.
図10は、実施の形態4に係る保護抵抗R2を説明する図である。本実施の形態の光トランシーバ2000では、保護抵抗R2の種類が実施の形態3の光トランシーバ1000と異なる。本実施の形態の保護抵抗R2はチップ抵抗である。他の構成は、実施の形態3の構成と同様である。メーカによっては薄膜抵抗体を形成することが難しい場合がある。また、レーザトリミングにより薄膜抵抗体の抵抗値の精度を上げると、製造コストが大きくなるおそれがある。本実施の形態によれば、製造者はチップ抵抗を購入して接合することで、保護抵抗R2を設けることができる。従って、製造工程を簡易にでき、コストを低減できる。
Embodiment 4.
FIG. 10 is a diagram for explaining a protective resistor R2 according to the fourth embodiment. In the optical transceiver 2000 according to the present embodiment, the type of the protective resistor R2 is different from that of the optical transceiver 1000 according to the third embodiment. The protective resistor R2 according to the present embodiment is a chip resistor. The other configurations are the same as those of the third embodiment. Depending on the manufacturer, it may be difficult to form a thin-film resistor. In addition, if the precision of the resistance value of the thin-film resistor is increased by laser trimming, the manufacturing cost may increase. According to the present embodiment, the manufacturer can provide the protective resistor R2 by purchasing and joining a chip resistor. Therefore, the manufacturing process can be simplified and the cost can be reduced.

実施の形態5.
図11は、実施の形態5に係る保護抵抗R2を説明する図である。本実施の形態のCAN型光モジュール300では、保護抵抗R2の種類が実施の形態2のCAN型光モジュール200と異なる。本実施の形態の保護抵抗R2はチップ抵抗である。他の構成は、実施の形態2の構成と同様である。実施の形態4と同様に、本実施の形態においても製造工程を簡易にでき、コストを低減できる。なお、実施の形態1の保護抵抗R2をチップ抵抗に置き換えても良い。
Embodiment 5.
11 is a diagram for explaining the protective resistor R2 according to the fifth embodiment. In the CAN type optical module 300 of this embodiment, the type of the protective resistor R2 is different from that of the CAN type optical module 200 of the second embodiment. The protective resistor R2 of this embodiment is a chip resistor. The other configurations are the same as those of the second embodiment. As in the fourth embodiment, the manufacturing process can be simplified and costs can be reduced in this embodiment. The protective resistor R2 of the first embodiment may be replaced with a chip resistor.

実施の形態6.
図12は、実施の形態6に係る光トランシーバ3000の斜視図である。本実施の形態では、保護抵抗R2の配置が実施の形態3と異なる。他の構成は実施の形態3の構成と同様である。光トランシーバ3000において、CAN型光モジュール101には光ファイバを固定するためのレセプタクル102が取付けられている。CAN型光モジュール101と受光モジュール106には、CAN型光モジュール101と受光モジュール106を駆動させるための集積回路を搭載したトランシーバ基板60が、フレキシブルプリント基板70を介して接続されている。光トランシーバ3000において、CAN型光モジュール101、受光モジュール106、フレキシブルプリント基板70、レセプタクル102およびトランシーバ基板60は、ケース105に収納される。
Embodiment 6.
12 is a perspective view of an optical transceiver 3000 according to a sixth embodiment. In this embodiment, the arrangement of the protective resistor R2 is different from that of the third embodiment. The other configurations are the same as those of the third embodiment. In the optical transceiver 3000, a receptacle 102 for fixing an optical fiber is attached to a CAN type optical module 101. A transceiver board 60 on which an integrated circuit for driving the CAN type optical module 101 and the optical receiver module 106 is mounted is connected to the CAN type optical module 101 and the optical receiver module 106 via a flexible printed circuit board 70. In the optical transceiver 3000, the CAN type optical module 101, the optical receiver module 106, the flexible printed circuit board 70, the receptacle 102, and the transceiver board 60 are housed in a case 105.

CAN型光モジュール101とケース105との熱移動量を増加させるために、CAN型光モジュール101とケース105との間に放熱ブロック103を取付けると良い。放熱ブロック103は、CAN型光モジュール101を側面全長に渡って固定できるような半円構造を有することが望ましい。さらにCAN型光モジュール101に放熱ブロック104を取付けても良い。放熱ブロック104は、放熱ブロック103と同様に、CAN型光モジュール101を側面全長に渡って固定できるような半円構造を有している。さらに放熱ブロック104は、CAN型光モジュール101の反対側がフィン状に加工されている。In order to increase the amount of heat transfer between the CAN type optical module 101 and the case 105, it is advisable to attach a heat dissipation block 103 between the CAN type optical module 101 and the case 105. It is desirable that the heat dissipation block 103 has a semicircular structure that allows the CAN type optical module 101 to be fixed over the entire length of the side. Furthermore, a heat dissipation block 104 may be attached to the CAN type optical module 101. Like the heat dissipation block 103, the heat dissipation block 104 has a semicircular structure that allows the CAN type optical module 101 to be fixed over the entire length of the side. Furthermore, the heat dissipation block 104 has a fin-shaped side opposite the CAN type optical module 101.

図13は、実施の形態6に係る保護抵抗R2を説明する図である。図13は、図12の領域A1の拡大図である。本実施の形態の保護抵抗R2は、トランシーバ基板60に設けられている。トランシーバ基板60には、フレキシブルプリント基板70の信号線路70aおよびGNDパターン70bとそれぞれ接続された複数の電極61が設けられる。保護抵抗R2は、複数の電極61間を接続する。これにより、図4のような回路が得られる。保護抵抗R2は、例えば、トランシーバ基板60上に形成された薄膜抵抗体である。保護抵抗R2はチップ抵抗であっても良い。 Figure 13 is a diagram illustrating a protective resistor R2 according to embodiment 6. Figure 13 is an enlarged view of area A1 in Figure 12. The protective resistor R2 of this embodiment is provided on a transceiver board 60. The transceiver board 60 is provided with a plurality of electrodes 61 each connected to a signal line 70a and a GND pattern 70b of a flexible printed circuit board 70. The protective resistor R2 connects between the plurality of electrodes 61. This results in a circuit as shown in Figure 4. The protective resistor R2 is, for example, a thin-film resistor formed on the transceiver board 60. The protective resistor R2 may be a chip resistor.

本実施の形態においても、サージが入力されたとしても保護抵抗R2に電流が流れる。このため、光変調器部50bの故障を抑制できる。In this embodiment, even if a surge is input, a current flows through the protective resistor R2. This prevents the optical modulator section 50b from failing.

実施の形態7.
図14は、実施の形態7に係るCAN型光モジュール400の斜視図である。CAN型光モジュール400は、温度制御モジュール10のうち第1支持ブロック20が設けられた面に形成されたGNDパターン10aと、ステム1とを接続するワイヤW1を備える。温度制御モジュール10の上面は、第1支持ブロック20および第1サブマウント30のGNDパターンと電気的に接続されてGND電位となっている。温度制御モジュール10の上面とステム1をワイヤW1で接続することで、温度制御モジュール10の上面側のGNDを強化でき、高周波特性をさらに向上できる。
Embodiment 7.
14 is a perspective view of a CAN-type optical module 400 according to the seventh embodiment. The CAN-type optical module 400 includes a wire W1 that connects a GND pattern 10a formed on the surface of the temperature control module 10 on which the first support block 20 is provided, and a stem 1. The upper surface of the temperature control module 10 is electrically connected to the GND patterns of the first support block 20 and the first submount 30, and is at GND potential. By connecting the upper surface of the temperature control module 10 and the stem 1 with the wire W1, the GND on the upper surface side of the temperature control module 10 can be strengthened, and the high frequency characteristics can be further improved.

実施の形態8.
図15は、実施の形態8に係るCAN型光モジュール500の斜視図である。本実施の形態では、第1支持ブロック520の形状およびGND強化のためのワイヤの位置が実施の形態7と異なる。他の構成は実施の形態7の構成と同様である。第1支持ブロック520は、第1サブマウント30を支持する第1部分521と、温度制御モジュール10上に設けられ、第1部分521から第1サブマウント30側に突出する第2部分522を有している。第1支持ブロック520は逆T字型とも言える。
Embodiment 8.
15 is a perspective view of a CAN-type optical module 500 according to the eighth embodiment. In this embodiment, the shape of the first support block 520 and the position of the wire for strengthening the GND are different from those of the seventh embodiment. The other configurations are the same as those of the seventh embodiment. The first support block 520 has a first portion 521 that supports the first submount 30, and a second portion 522 that is provided on the temperature control module 10 and protrudes from the first portion 521 toward the first submount 30. The first support block 520 can also be said to be inverted T-shaped.

CAN型光モジュール500は、第1支持ブロック520の第2部分522とステム1とを接続するワイヤW2を備える。また、CAN型光モジュール500は、第1支持ブロック520の第2部分522と、第2サブマウント80のGNDパターン80cとを接続するワイヤW3を備える。本実施の形態においても、温度制御モジュール10の上面側のGNDを強化でき、高周波特性をさらに向上できる。なお、ワイヤW2、W3の一方のみが設けられても両方が設けられても良い。The CAN type optical module 500 includes a wire W2 that connects the second portion 522 of the first support block 520 to the stem 1. The CAN type optical module 500 also includes a wire W3 that connects the second portion 522 of the first support block 520 to the GND pattern 80c of the second submount 80. In this embodiment, too, the GND on the upper surface side of the temperature control module 10 can be strengthened, and the high frequency characteristics can be further improved. Note that only one of the wires W2 and W3 or both may be provided.

図16は、実施の形態8に係るCAN型光モジュール500の通過特性S21を説明する図である。実線はワイヤW2、W3がある場合、破線はワイヤW2、W3が無い場合を示す。図中に矢印で示される部分を見ると、ワイヤW2、W3を設けることにより、通過特性の共振を抑制できることが分かる。 Figure 16 is a diagram explaining the transmission characteristic S21 of the CAN type optical module 500 relating to embodiment 8. The solid line shows the case where wires W2 and W3 are present, and the dashed line shows the case where wires W2 and W3 are not present. Looking at the part indicated by the arrow in the figure, it can be seen that resonance of the transmission characteristic can be suppressed by providing wires W2 and W3.

なお、図14、図15では、実施の形態2の位置に保護抵抗R2が設けられているが、何れの実施の形態にワイヤW1、W2、W3を設けても良い。また、実施の形態1で説明したワイヤW0と、ワイヤW1、W2、W3の少なくとも1つとを組み合わせて、各実施の形態に適用しても良い。例えば、第1支持ブロック520は、温度制御モジュール10上に設けられ、第1部分521に対して第1サブマウント30と反対側に突出した第3部分523を有し、第2支持ブロック79の上面と第3部分523とがワイヤW0で接続されても良い。14 and 15, the protective resistor R2 is provided at the position of the second embodiment, but the wires W1, W2, and W3 may be provided in any of the embodiments. Also, the wire W0 described in the first embodiment may be combined with at least one of the wires W1, W2, and W3 and applied to each embodiment. For example, the first support block 520 may be provided on the temperature control module 10 and have a third portion 523 that protrudes from the first portion 521 to the opposite side to the first submount 30, and the upper surface of the second support block 79 and the third portion 523 may be connected by the wire W0.

各実施の形態で説明した技術的特徴は適宜に組み合わせて用いても良い。The technical features described in each embodiment may be used in any suitable combination.

1 ステム、1a 主面、2a~2f リードピン、3 ガラス、10 温度制御モジュール、10a GNDパターン、20 第1支持ブロック、21 第1部分、22 第2部分、30 第1サブマウント、30a 信号線路、30b GNDパターン、50 半導体光集積素子、50a 半導体レーザ部、50b 光変調器部、50c 光増幅器部、55 サーミスタ、60 トランシーバ基板、61 電極、70 フレキシブルプリント基板、70a 信号線路、70b GNDパターン、79 第2支持ブロック、80 第2サブマウント、80a 信号線路、80b、80c GNDパターン、91 キャップ、100、101 CAN型光モジュール、102 レセプタクル、103、104 放熱ブロック、105 ケース、106 受光モジュール、200、300、400、500 CAN型光モジュール、520 第1支持ブロック、521 第1部分、522 第2部分、523 第3部分、1000、2000、3000 光トランシーバ、C0、C1、C2 コンデンサ、D1 ダイオード、R1 整合抵抗、R2 保護抵抗、W0~W3 ワイヤ1 stem, 1a main surface, 2a to 2f lead pins, 3 glass, 10 temperature control module, 10a GND pattern, 20 first support block, 21 first part, 22 second part, 30 first submount, 30a signal line, 30b GND pattern, 50 semiconductor optical integrated element, 50a semiconductor laser section, 50b optical modulator section, 50c optical amplifier section, 55 thermistor, 60 transceiver substrate, 61 electrode, 70 flexible printed circuit board, 70a signal line, 70b GND pattern, 79 second support block, 80 second submount, 80a signal line, 80b, 80c GND pattern, 91 cap, 100, 101 CAN type optical module, 102 receptacle, 103, 104 heat dissipation block, 105 Case, 106 Optical receiver module, 200, 300, 400, 500 CAN type optical module, 520 First support block, 521 First part, 522 Second part, 523 Third part, 1000, 2000, 3000 Optical transceiver, C0, C1, C2 Capacitor, D1 Diode, R1 Matching resistor, R2 Protection resistor, W0 to W3 Wires

Claims (22)

主面と、前記主面と反対側の面と、を有するステムと、
前記ステムを前記主面から前記主面と反対側の面に貫通するリードピンと
搭載面が前記ステムの前記主面と垂直になるように設けられた第1サブマウントと、
前記ステムの前記主面に実装された温度制御モジュールと、前記温度制御モジュールのうち前記ステムの前記主面と反対側に実装され、前記第1サブマウントを支持する第1支持ブロックと、を有する支持部と、
前記第1サブマウントの前記搭載面に設けられ、半導体レーザ部および光変調器部を有した半導体光集積素子と、
前記ステムの前記主面に設けられた第2支持ブロックと、
前記第2支持ブロックの側面に実装された第2サブマウントと、
互いに直列に接続された整合抵抗と光変調器部用コンデンサとを含み、前記光変調器部と並列に接続された直列回路と、
前記直列回路と並列に接続された保護抵抗と、
を備え、
前記第2サブマウントには、第1信号線路と、第1GNDパターンが形成され、
前記第1サブマウントには、前記光変調器部と前記第1信号線路を接続する第2信号線路と、第2GNDパターンが形成され、
前記保護抵抗は、前記第1信号線路と前記第1GNDパターンの間、または、前記第2信号線路と前記第2GNDパターンの間に接続され
前記第1支持ブロックは、
前記第1サブマウントを支持する第1部分と、
前記温度制御モジュール上に設けられ、前記第1部分に対して前記第1サブマウントと反対側に突出した第2部分と、
を有し、
前記第2支持ブロックの上面と前記第2部分とを接続するワイヤを備えることを特徴とするCAN型光モジュール。
A stem having a main surface and a surface opposite to the main surface;
a lead pin penetrating the stem from the main surface to a surface opposite to the main surface ;
a first submount provided so that a mounting surface is perpendicular to the main surface of the stem;
a support portion including a temperature control module mounted on the main surface of the stem and a first support block mounted on the temperature control module on a side opposite to the main surface of the stem and supporting the first submount;
a semiconductor optical integrated device provided on the mounting surface of the first submount and having a semiconductor laser portion and an optical modulator portion;
A second support block provided on the main surface of the stem;
a second submount mounted on a side surface of the second support block ;
a series circuit including a matching resistor and a capacitor for an optical modulator section connected in series with each other, the series circuit being connected in parallel with the optical modulator section;
A protective resistor connected in parallel with the series circuit;
Equipped with
a first signal line and a first GND pattern are formed on the second submount;
a second signal line connecting the optical modulator section and the first signal line, and a second GND pattern are formed on the first submount;
the protective resistor is connected between the first signal line and the first GND pattern or between the second signal line and the second GND pattern ;
The first support block is
a first portion supporting the first submount;
a second portion provided on the temperature control module and protruding from the first portion to a side opposite the first submount;
having
A CAN type optical module comprising a wire connecting an upper surface of the second support block and the second portion .
前記保護抵抗は、前記第2サブマウントの前記第1信号線路と前記第1GNDパターンの間に接続されることを特徴とする請求項1に記載のCAN型光モジュール。 The CAN-type optical module according to claim 1, characterized in that the protective resistor is connected between the first signal line and the first GND pattern of the second submount. 前記保護抵抗は、前記第1サブマウントの前記第2信号線路と前記第2GNDパターンの間に接続されることを特徴とする請求項1に記載のCAN型光モジュール。 The CAN-type optical module according to claim 1, characterized in that the protective resistor is connected between the second signal line of the first submount and the second GND pattern. 前記保護抵抗は、チップ抵抗であることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載のCAN型光モジュール 4. The CAN type optical module according to claim 1, wherein the protective resistor is a chip resistor . 前記温度制御モジュールのうち前記第1支持ブロックが設けられた面に形成されたGNDパターンと、前記ステムとを接続するワイヤを備えることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載のCAN型光モジュール 4. A CAN type optical module as claimed in any one of claims 1 to 3, characterized in that it is provided with a wire connecting the stem to a GND pattern formed on a surface of the temperature control module on which the first support block is provided . 主面と、前記主面と反対側の面と、を有するステムと、
前記ステムを前記主面から前記主面と反対側の面に貫通するリードピンと、
搭載面が前記ステムの前記主面と垂直になるように設けられた第1サブマウントと、
前記ステムの前記主面に実装された温度制御モジュールと、前記温度制御モジュールのうち前記ステムの前記主面と反対側に実装され、前記第1サブマウントを支持する第1支持ブロックと、を有する支持部と、
前記第1サブマウントの前記搭載面に設けられ、半導体レーザ部および光変調器部を有した半導体光集積素子と、
前記ステムの前記主面に設けられた第2支持ブロックと、
前記第2支持ブロックの側面に実装された第2サブマウントと、
互いに直列に接続された整合抵抗と光変調器部用コンデンサとを含み、前記光変調器部と並列に接続された直列回路と、
前記直列回路と並列に接続された保護抵抗と、
を備え、
前記第2サブマウントには、第1信号線路と、第1GNDパターンが形成され、
前記第1サブマウントには、前記光変調器部と前記第1信号線路を接続する第2信号線路と、第2GNDパターンが形成され、
前記保護抵抗は、前記第1信号線路と前記第1GNDパターンの間、または、前記第2信号線路と前記第2GNDパターンの間に接続され、
前記第1支持ブロックは、
前記第1サブマウントを支持する第1部分と、
前記温度制御モジュール上に設けられ、前記第1部分から前記第1サブマウント側に突出する第2部分と、
を有し、
前記第2部分と前記ステムとを接続するワイヤと、前記第2部分と前記第2サブマウントのGNDパターンとを接続するワイヤの少なくとも一方を備えることを特徴とするCAN型光モジュール。
A stem having a main surface and a surface opposite to the main surface;
a lead pin penetrating the stem from the main surface to a surface opposite to the main surface;
a first submount provided so that a mounting surface is perpendicular to the main surface of the stem;
a support portion including a temperature control module mounted on the main surface of the stem and a first support block mounted on the temperature control module on a side opposite to the main surface of the stem and supporting the first submount;
a semiconductor optical integrated device provided on the mounting surface of the first submount and having a semiconductor laser portion and an optical modulator portion;
A second support block provided on the main surface of the stem;
a second submount mounted on a side surface of the second support block;
a series circuit including a matching resistor and a capacitor for an optical modulator section connected in series with each other, the series circuit being connected in parallel with the optical modulator section;
A protective resistor connected in parallel with the series circuit;
Equipped with
a first signal line and a first GND pattern are formed on the second submount;
a second signal line connecting the optical modulator section and the first signal line, and a second GND pattern are formed on the first submount;
the protective resistor is connected between the first signal line and the first GND pattern or between the second signal line and the second GND pattern;
The first support block is
a first portion supporting the first submount;
a second portion provided on the temperature control module and protruding from the first portion toward the first submount;
having
A CAN type optical module comprising at least one of a wire connecting said second portion and said stem and a wire connecting said second portion and a GND pattern of said second submount.
前記第1支持ブロックは、前記温度制御モジュール上に設けられ、前記第1部分に対して前記第1サブマウントと反対側に突出した第3部分を有し、
前記第2支持ブロックの上面と前記第3部分とを接続するワイヤを備えることを特徴とする請求項に記載のCAN型光モジュール。
the first support block is provided on the temperature control module and has a third portion protruding from the first portion on a side opposite to the first submount;
7. The CAN-type optical module according to claim 6 , further comprising a wire connecting an upper surface of the second support block and the third portion.
前記半導体光集積素子は光増幅器部を有することを特徴とする請求項1、2、3、6、7の何れか1項に記載のCAN型光モジュール。 8. The CAN type optical module according to claim 1 , 2, 3, 6, or 7, wherein the semiconductor optical integrated device has an optical amplifier section. 前記半導体光集積素子は、前記ステムの前記主面に垂直な方向に対して、傾いて実装されていることを特徴とする請求項1、2、3、6、7のいずれか1項に記載のCAN型光モジュール。 8. The CAN type optical module according to claim 1, wherein the semiconductor optical integrated element is mounted at an angle with respect to a direction perpendicular to the main surface of the stem. 前記半導体レーザ部に接続される半導体レーザ部用コンデンサと、前記光増幅器部に接続される光増幅器部用コンデンサと、を備える請求項に記載のCAN型光モジュール。 9. The CAN type optical module according to claim 8 , further comprising: a semiconductor laser section capacitor connected to said semiconductor laser section; and an optical amplifier section capacitor connected to said optical amplifier section. 主面と、前記主面と反対側の面と、を有するステムと、
前記ステムを前記主面から前記主面と反対側の面に貫通するリードピンと、
前記ステムの前記主面に設けられた支持部と、
前記支持部に支持されて搭載面が前記ステムの前記主面と垂直になるように設けられた第1サブマウントと、
前記第1サブマウントの前記搭載面に設けられ、半導体レーザ部、光増幅器部および光変調器部を有した半導体光集積素子と、
前記ステムの前記主面に設けられた第2サブマウントと、
互いに直列に接続された整合抵抗と光変調器部用コンデンサとを含み、前記光変調器部と並列に接続された直列回路と、
前記直列回路と並列に接続された保護抵抗と、
前記半導体レーザ部に接続される半導体レーザ部用コンデンサと、
前記光増幅器部に接続される光増幅器部用コンデンサと、
を備え、
前記第2サブマウントには、第1信号線路と、第1GNDパターンが形成され、
前記第1サブマウントには、前記光変調器部と前記第1信号線路を接続する第2信号線路と、第2GNDパターンが形成され、
前記保護抵抗は、前記第1信号線路と前記第1GNDパターンの間、または、前記第2信号線路と前記第2GNDパターンの間に接続され、
前記半導体レーザ部用コンデンサ、光増幅器部用コンデンサ、および前記光変調器部用コンデンサは、前記支持部に整列して実装されることを特徴とするCAN型光モジュール。
A stem having a main surface and a surface opposite to the main surface;
a lead pin penetrating the stem from the main surface to a surface opposite to the main surface;
A support portion provided on the main surface of the stem;
a first submount supported by the support and provided such that a mounting surface is perpendicular to the main surface of the stem;
a semiconductor optical integrated device provided on the mounting surface of the first submount and having a semiconductor laser portion, an optical amplifier portion, and an optical modulator portion;
a second submount provided on the main surface of the stem;
a series circuit including a matching resistor and a capacitor for an optical modulator section connected in series with each other, the series circuit being connected in parallel with the optical modulator section;
A protective resistor connected in parallel with the series circuit;
a capacitor for the semiconductor laser unit connected to the semiconductor laser unit;
an optical amplifier section capacitor connected to the optical amplifier section;
Equipped with
a first signal line and a first GND pattern are formed on the second submount;
a second signal line connecting the optical modulator section and the first signal line, and a second GND pattern are formed on the first submount;
the protective resistor is connected between the first signal line and the first GND pattern or between the second signal line and the second GND pattern;
a capacitor for the semiconductor laser section, a capacitor for the optical amplifier section, and a capacitor for the optical modulator section, the capacitor being mounted in alignment on the support section;
CAN型光モジュールと、
前記CAN型光モジュールと、トランシーバ基板とを接続するフレキシブルプリント基板と、
保護抵抗と、
を備え、
前記CAN型光モジュールは、
主面と、前記主面と反対側の面と、を有するステムと、
前記ステムを前記主面から前記主面と反対側の面に貫通するリードピンと
搭載面が前記ステムの前記主面と垂直になるように設けられた第1サブマウントと、
前記ステムの前記主面に実装された温度制御モジュールと、前記温度制御モジュールのうち前記ステムの前記主面と反対側に実装され、前記第1サブマウントを支持する第1支持ブロックと、を有する支持部と、
前記第1サブマウントの前記搭載面に設けられ、半導体レーザ部および光変調器部を有した半導体光集積素子と、
前記ステムの前記主面に設けられた第2支持ブロックと、
前記第2支持ブロックの側面に実装された第2サブマウントと、
互いに直列に接続された整合抵抗と光変調器部用コンデンサとを含み、前記光変調器部と並列に接続された直列回路と、
を備え、
前記保護抵抗は、前記直列回路と並列に接続され、前記フレキシブルプリント基板または前記トランシーバ基板に設けられ
前記第1支持ブロックは、
前記第1サブマウントを支持する第1部分と、
前記温度制御モジュール上に設けられ、前記第1部分に対して前記第1サブマウントと反対側に突出した第2部分と、
を有し、
前記CAN型光モジュールは、前記第2支持ブロックの上面と前記第2部分とを接続するワイヤを備えることを特徴とする光トランシーバ。
a CAN type optical module;
a flexible printed circuit board that connects the CAN type optical module and a transceiver board;
A protective resistor,
Equipped with
The CAN type optical module comprises:
A stem having a main surface and a surface opposite to the main surface;
a lead pin penetrating the stem from the main surface to a surface opposite to the main surface ;
a first submount provided so that a mounting surface is perpendicular to the main surface of the stem;
a support portion including a temperature control module mounted on the main surface of the stem and a first support block mounted on the temperature control module on a side opposite to the main surface of the stem and supporting the first submount;
a semiconductor optical integrated device provided on the mounting surface of the first submount and having a semiconductor laser portion and an optical modulator portion;
A second support block provided on the main surface of the stem;
a second submount mounted on a side surface of the second support block;
a series circuit including a matching resistor and a capacitor for an optical modulator section connected in series with each other, the series circuit being connected in parallel with the optical modulator section;
Equipped with
the protective resistor is connected in parallel with the series circuit and is provided on the flexible printed circuit board or the transceiver board ;
The first support block is
a first portion supporting the first submount;
a second portion provided on the temperature control module and protruding from the first portion to a side opposite the first submount;
having
The optical transceiver , wherein the CAN type optical module includes a wire connecting an upper surface of the second support block and the second portion .
前記リードピンは、前記光変調器部と電気的に接続されたRF給電用リードピンを含み、
前記フレキシブルプリント基板には、前記RF給電用リードピンと接続された信号線路と、GNDパターンとが形成され、
前記保護抵抗は、前記フレキシブルプリント基板の前記信号線路と、前記フレキシブルプリント基板の前記GNDパターンを接続することを特徴とする請求項1に記載の光トランシーバ。
the lead pins include an RF power supply lead pin electrically connected to the optical modulator section,
A signal line connected to the RF power supply lead pin and a GND pattern are formed on the flexible printed circuit board,
13. The optical transceiver according to claim 12 , wherein the protective resistor connects the signal line of the flexible printed circuit board to the GND pattern of the flexible printed circuit board.
前記保護抵抗は、前記トランシーバ基板に設けられることを特徴とする請求項1に記載の光トランシーバ。 The optical transceiver according to claim 12 , wherein the protective resistor is provided on the transceiver board. 前記保護抵抗は、チップ抵抗であることを特徴とする請求項1から1の何れか1項に記載の光トランシーバ 15. The optical transceiver according to claim 12 , wherein the protective resistor is a chip resistor . 前記温度制御モジュールのうち前記第1支持ブロックが設けられた面に形成されたGNDパターンと、前記ステムとを接続するワイヤを備えることを特徴とする請求項12から14の何れか1項に記載の光トランシーバ 15. An optical transceiver as claimed in any one of claims 12 to 14, further comprising a wire connecting the stem to a GND pattern formed on a surface of the temperature control module on which the first support block is provided . CAN型光モジュールと、
前記CAN型光モジュールと、トランシーバ基板とを接続するフレキシブルプリント基板と、
保護抵抗と、
を備え、
前記CAN型光モジュールは、
主面と、前記主面と反対側の面と、を有するステムと、
前記ステムを前記主面から前記主面と反対側の面に貫通するリードピンと、
搭載面が前記ステムの前記主面と垂直になるように設けられた第1サブマウントと、
前記ステムの前記主面に実装された温度制御モジュールと、前記温度制御モジュールのうち前記ステムの前記主面と反対側に実装され、前記第1サブマウントを支持する第1支持ブロックと、を有する支持部と、
前記第1サブマウントの前記搭載面に設けられ、半導体レーザ部および光変調器部を有した半導体光集積素子と、
前記ステムの前記主面に設けられた第2支持ブロックと、
前記第2支持ブロックの側面に実装された第2サブマウントと、
互いに直列に接続された整合抵抗と光変調器部用コンデンサとを含み、前記光変調器部と並列に接続された直列回路と、
を備え、
前記保護抵抗は、前記直列回路と並列に接続され、前記フレキシブルプリント基板または前記トランシーバ基板に設けられ、
前記第1支持ブロックは、
前記第1サブマウントを支持する第1部分と、
前記温度制御モジュール上に設けられ、前記第1部分から前記第1サブマウント側に突出する第2部分と、
を有し、
前記CAN型光モジュールは、前記第2部分と前記ステムとを接続するワイヤと、前記第2部分と前記第2サブマウントのGNDパターンとを接続するワイヤの少なくとも一方を備えることを特徴とする光トランシーバ。
a CAN type optical module;
a flexible printed circuit board that connects the CAN type optical module and a transceiver board;
A protective resistor,
Equipped with
The CAN type optical module comprises:
A stem having a main surface and a surface opposite to the main surface;
a lead pin penetrating the stem from the main surface to a surface opposite to the main surface;
a first submount provided so that a mounting surface is perpendicular to the main surface of the stem;
a support portion including a temperature control module mounted on the main surface of the stem and a first support block mounted on the temperature control module on a side opposite to the main surface of the stem and supporting the first submount;
a semiconductor optical integrated device provided on the mounting surface of the first submount and having a semiconductor laser portion and an optical modulator portion;
A second support block provided on the main surface of the stem;
a second submount mounted on a side surface of the second support block;
a series circuit including a matching resistor and a capacitor for an optical modulator section connected in series with each other, the series circuit being connected in parallel with the optical modulator section;
Equipped with
the protective resistor is connected in parallel with the series circuit and is provided on the flexible printed circuit board or the transceiver board;
The first support block is
a first portion supporting the first submount;
a second portion provided on the temperature control module and protruding from the first portion toward the first submount;
having
The optical transceiver is characterized in that the CAN type optical module is provided with at least one of a wire connecting the second part and the stem and a wire connecting the second part and a GND pattern of the second submount.
前記第1支持ブロックは、前記温度制御モジュール上に設けられ、前記第1部分に対して前記第1サブマウントと反対側に突出した第3部分を有し、
前記CAN型光モジュールは、前記第2支持ブロックの上面と前記第3部分とを接続するワイヤを備えることを特徴とする請求項17に記載の光トランシーバ。
the first support block is provided on the temperature control module and has a third portion protruding from the first portion on a side opposite to the first submount;
18. The optical transceiver according to claim 17 , wherein the CAN type optical module further comprises a wire connecting an upper surface of the second support block and the third portion.
前記半導体光集積素子は光増幅器部を備えることを特徴とする請求項12、13、14、17、18の何れか1項に記載の光トランシーバ。 19. The optical transceiver according to claim 12 , 13, 14, 17, or 18, wherein the semiconductor optical integrated device comprises an optical amplifier section. 前記半導体光集積素子は、前記ステムの前記主面に垂直な方向に対して、傾いて実装されていることを特徴とする請求項12、13、14、17、18のいずれか1項に記載の光トランシーバ。 19. The optical transceiver according to claim 1 , 2 , 13 , 14 , 17 , or 18 , wherein the semiconductor optical integrated device is mounted at an angle with respect to a direction perpendicular to the main surface of the stem. 前記CAN型光モジュールは、前記半導体レーザ部に接続される半導体レーザ部用コンデンサと、前記光増幅器部に接続される光増幅器部用コンデンサとを備える請求項19に記載の光トランシーバ。 20. The optical transceiver according to claim 19 , wherein the CAN type optical module comprises: a semiconductor laser section capacitor connected to the semiconductor laser section; and an optical amplifier section capacitor connected to the optical amplifier section. CAN型光モジュールと、
前記CAN型光モジュールと、トランシーバ基板とを接続するフレキシブルプリント基板と、
保護抵抗と、
を備え、
前記CAN型光モジュールは、
主面と、前記主面と反対側の面と、を有するステムと、
前記ステムを前記主面から前記主面と反対側の面に貫通するリードピンと、
前記ステムの前記主面に設けられた支持部と、
前記支持部に支持されて搭載面が前記ステムの前記主面と垂直になるように設けられた第1サブマウントと、
前記第1サブマウントの前記搭載面に設けられ、半導体レーザ部、光増幅器部および光変調器部を有した半導体光集積素子と、
互いに直列に接続された整合抵抗と光変調器部用コンデンサとを含み、前記光変調器部と並列に接続された直列回路と、
前記半導体レーザ部に接続される半導体レーザ部用コンデンサと、
前記光増幅器部に接続される光増幅器部用コンデンサと、
を備え、
前記保護抵抗は、前記直列回路と並列に接続され、前記フレキシブルプリント基板または前記トランシーバ基板に設けられ、
前記半導体レーザ部用コンデンサ、光増幅器部用コンデンサ、および前記光変調器部用コンデンサは、前記支持部に整列して実装されることを特徴とする光トランシーバ。
a CAN type optical module;
a flexible printed circuit board that connects the CAN type optical module and a transceiver board;
A protective resistor,
Equipped with
The CAN type optical module comprises:
A stem having a main surface and a surface opposite to the main surface;
a lead pin penetrating the stem from the main surface to a surface opposite to the main surface;
A support portion provided on the main surface of the stem;
a first submount supported by the support and provided such that a mounting surface is perpendicular to the main surface of the stem;
a semiconductor optical integrated device provided on the mounting surface of the first submount and having a semiconductor laser portion, an optical amplifier portion, and an optical modulator portion;
a series circuit including a matching resistor and a capacitor for an optical modulator section connected in series with each other, the series circuit being connected in parallel with the optical modulator section;
a capacitor for the semiconductor laser unit connected to the semiconductor laser unit;
an optical amplifier section capacitor connected to the optical amplifier section;
Equipped with
the protective resistor is connected in parallel with the series circuit and is provided on the flexible printed circuit board or the transceiver board;
an optical transceiver, wherein the capacitor for the semiconductor laser section, the capacitor for the optical amplifier section, and the capacitor for the optical modulator section are mounted in an aligned manner on the support section.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012178498A (en) 2011-02-28 2012-09-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor laser device
WO2022085062A1 (en) 2020-10-20 2022-04-28 三菱電機株式会社 Optical semiconductor device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012178498A (en) 2011-02-28 2012-09-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor laser device
WO2022085062A1 (en) 2020-10-20 2022-04-28 三菱電機株式会社 Optical semiconductor device

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