JP7377071B2 - Aberration measurement method, article manufacturing method, and exposure device - Google Patents

Aberration measurement method, article manufacturing method, and exposure device Download PDF

Info

Publication number
JP7377071B2
JP7377071B2 JP2019203508A JP2019203508A JP7377071B2 JP 7377071 B2 JP7377071 B2 JP 7377071B2 JP 2019203508 A JP2019203508 A JP 2019203508A JP 2019203508 A JP2019203508 A JP 2019203508A JP 7377071 B2 JP7377071 B2 JP 7377071B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical system
projection optical
amount
light
aberration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019203508A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2021076721A (en
Inventor
悠樹 齊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2019203508A priority Critical patent/JP7377071B2/en
Priority to TW109137033A priority patent/TWI837431B/en
Priority to KR1020200144091A priority patent/KR20210056237A/en
Priority to CN202011231381.6A priority patent/CN112782940A/en
Publication of JP2021076721A publication Critical patent/JP2021076721A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7377071B2 publication Critical patent/JP7377071B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01MTESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M11/00Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
    • G01M11/02Testing optical properties
    • G01M11/0242Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations
    • G01M11/0257Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations by analyzing the image formed by the object to be tested
    • G01M11/0264Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations by analyzing the image formed by the object to be tested by using targets or reference patterns
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591Testing optical components
    • G03F7/706Aberration measurement
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01MTESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M11/00Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
    • G01M11/02Testing optical properties
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01MTESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M11/00Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
    • G01M11/02Testing optical properties
    • G01M11/0207Details of measuring devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01MTESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M11/00Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
    • G01M11/02Testing optical properties
    • G01M11/0221Testing optical properties by determining the optical axis or position of lenses
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01MTESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M11/00Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
    • G01M11/02Testing optical properties
    • G01M11/0242Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations
    • G01M11/0271Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations by using interferometric methods
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70258Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Description

本発明は、収差計測方法、物品製造方法および露光装置に関する。 The present invention relates to an aberration measurement method, an article manufacturing method, and an exposure apparatus.

半導体素子、液晶表示素子及び薄膜磁気ヘッド等のように、微細パターンを有する物品は、フォトリソグラフィ技術を用いて製造される。その際、原版のパターンを投影光学系によって基板に投影することによって原版のパターンを基板に転写する露光装置が使用される。原版のパターンを高い精度で基板に転写するためには、投影光学系の収差を調整する必要がある。投影光学系の収差は、露光光が照射されることによって発生する熱、大気圧等によって変動しうる。したがって、投影光学系の収差は、露光ジョブの間などにおいて調整されるべきである。 2. Description of the Related Art Articles having fine patterns, such as semiconductor devices, liquid crystal display devices, and thin film magnetic heads, are manufactured using photolithography technology. At that time, an exposure apparatus is used that transfers the pattern of the original onto the substrate by projecting the pattern of the original onto the substrate using a projection optical system. In order to transfer the pattern of the original onto the substrate with high precision, it is necessary to adjust the aberration of the projection optical system. The aberration of the projection optical system can vary depending on heat generated by exposure light, atmospheric pressure, and the like. Therefore, the aberrations of the projection optical system should be adjusted, such as during an exposure job.

特許文献1には、周期パターンを含む物体側マークを投影光学系によって像面側マーク上に投影して、投影光学系の光軸方向の複数の位置のそれぞれで像面側マークを走査しながら計測する方法が記載されている。しかし、特許文献1に記載された方法では、投影光学系の光軸方向の複数の位置のそれぞれで像面側マークを走査する必要があるので、計測に要する時間が長い。 Patent Document 1 discloses that an object-side mark including a periodic pattern is projected onto an image-side mark by a projection optical system, and the image-side mark is scanned at each of a plurality of positions in the optical axis direction of the projection optical system. The method of measurement is described. However, in the method described in Patent Document 1, it is necessary to scan the image plane side mark at each of a plurality of positions in the optical axis direction of the projection optical system, so the time required for measurement is long.

国際公開04/059710号明細書International Publication No. 04/059710

本発明は、投影光学系の収差を短時間で計測するために有利な技術を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an advantageous technique for measuring aberrations of a projection optical system in a short time.

本発明の1つの側面は、収差計測方法に係り、前記収差計測方法は、投影光学系の物体側に配置された物体側マーク、前記投影光学系、および、前記投影光学系の像側に配置された像側マークを透過した光の光量を、前記投影光学系の光軸方向における複数の位置で計測することによって、前記光軸方向における位置と前記光量との関係を示す光量分布を取得する工程と、前記光量分布における前記投影光学系のフォーカス位置を対称軸とする非対称性を示す特徴量を求める工程と、前記特徴量から前記投影光学系の収差量を決定する工程と、を含み、前記特徴量を求める工程では、前記光量分布と前記光量分布に対してフィッティングされたガウス関数との差分に基づいて前記特徴量を求める。One aspect of the present invention relates to an aberration measurement method, and the aberration measurement method includes: an object side mark placed on the object side of a projection optical system; an object side mark placed on the image side of the projection optical system; By measuring the amount of light transmitted through the image-side mark at a plurality of positions in the optical axis direction of the projection optical system, a light amount distribution indicating the relationship between the position in the optical axis direction and the light amount is obtained. a step of determining a feature amount indicating asymmetry with a focus position of the projection optical system as an axis of symmetry in the light amount distribution; and a step of determining an amount of aberration of the projection optical system from the feature amount, In the step of determining the feature amount, the feature amount is determined based on a difference between the light amount distribution and a Gaussian function fitted to the light amount distribution.

本発明によれば、投影光学系の収差を短時間で計測するために有利な技術が提供される。 According to the present invention, an advantageous technique for measuring aberrations of a projection optical system in a short time is provided.

第1実施形態の露光装置の構成例を示す図。FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of an exposure apparatus according to a first embodiment. 基板ステージの構成例を示す図。The figure which shows the example of a structure of a board|substrate stage. 球面収差と非対称成分(特徴量)との関係を例示する図。FIG. 3 is a diagram illustrating the relationship between spherical aberration and an asymmetric component (feature amount). 光量分布を例示する図。A diagram illustrating a light amount distribution. 投影光学系が球面収差を有する場合の光量分布を例示する図。FIG. 3 is a diagram illustrating a light amount distribution when the projection optical system has spherical aberration. 特性情報を生成するための処理の手順を示す図。The figure which shows the procedure of the process for generating characteristic information. 露光装置において実施される処理を示す図。FIG. 3 is a diagram showing processing performed in an exposure apparatus.

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。 Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Note that the following embodiments do not limit the claimed invention. Although a plurality of features are described in the embodiments, not all of these features are essential to the invention, and the plurality of features may be arbitrarily combined. Furthermore, in the accompanying drawings, the same or similar components are designated by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

以下、第1実施形態を説明する。図1には、第1実施形態の露光装置EXPの構成例が示されている。露光装置EXPは、投影光学系6の収差(例えば、球面収差)を計測し、その計測の結果に基づいて投影光学系6の収差を調整する機能を有しうる。露光装置EXPは、感光材が塗布された基板3に対して原版1のパターンを投影光学系6によって投影し、これによって原版1のパターンを基板3(感光材)に転写する。 The first embodiment will be described below. FIG. 1 shows an example of the configuration of an exposure apparatus EXP according to the first embodiment. The exposure apparatus EXP may have a function of measuring the aberration (for example, spherical aberration) of the projection optical system 6 and adjusting the aberration of the projection optical system 6 based on the measurement result. The exposure device EXP uses a projection optical system 6 to project the pattern of the original 1 onto the substrate 3 coated with a photosensitive material, thereby transferring the pattern of the original 1 onto the substrate 3 (photosensitive material).

以下、露光装置EXPの構成例および動作例をより具体的に説明する。露光装置EXPは、原版(レチクル)1を支持する原版ステージ2、基板3を支持する基板ステージ4、および、原版ステージ2によって支持された原版1を露光光で照明する照明光学系5を備えうる。また、露光装置EXPは、露光光で照明された原版1のパターンを基板ステージ4によって支持された基板3に投影する投影光学系6、レーザ干渉計10、12、および、露光装置EXPの各構成要素を制御する制御部CNTを備えうる。また、露光装置EXPは、受光部14、アライメント検出系16およびフォーカス検出系15を備えうる。 Hereinafter, a configuration example and an operation example of the exposure apparatus EXP will be described in more detail. The exposure apparatus EXP can include an original stage 2 that supports an original (reticle) 1, a substrate stage 4 that supports a substrate 3, and an illumination optical system 5 that illuminates the original 1 supported by the original stage 2 with exposure light. . The exposure apparatus EXP also includes a projection optical system 6 that projects the pattern of the original plate 1 illuminated with exposure light onto the substrate 3 supported by the substrate stage 4, laser interferometers 10 and 12, and each component of the exposure apparatus EXP. A control unit CNT may be provided to control the elements. Further, the exposure apparatus EXP can include a light receiving section 14, an alignment detection system 16, and a focus detection system 15.

以下では、露光装置EXPは、原版1と基板3とを走査方向に互いに同期して走査しながら原版1のパターンを基板3に転写する走査露光装置(スキャニングステッパ)として構成されている。しかしながら、露光装置EXPは、原版1および基板3を静止させて原版1のパターンを基板3に転写する露光装置(ステッパ)に適用されてもよい。以下の説明においては、投影光学系6の光軸と一致する方向をZ軸方向、Z軸方向に垂直な平面内で原版1と基板3とを走査する方向に平行な方向をY軸方向、Z軸方向およびY軸方向に垂直な方向(非走査方向)をX軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわり方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 In the following, the exposure apparatus EXP is configured as a scanning exposure apparatus (scanning stepper) that transfers the pattern of the original 1 onto the substrate 3 while scanning the original 1 and the substrate 3 in synchronization with each other in the scanning direction. However, the exposure apparatus EXP may be applied to an exposure apparatus (stepper) that transfers the pattern of the original 1 onto the substrate 3 by keeping the original 1 and the substrate 3 stationary. In the following description, the direction that coincides with the optical axis of the projection optical system 6 will be referred to as the Z-axis direction, and the direction parallel to the direction in which the original 1 and the substrate 3 are scanned within a plane perpendicular to the Z-axis direction will be referred to as the Y-axis direction. The direction (non-scanning direction) perpendicular to the Z-axis direction and the Y-axis direction is defined as the X-axis direction. Further, directions around the X-axis, Y-axis, and Z-axis are respectively referred to as θX, θY, and θZ directions.

原版1の照明領域は、照明光学系5により均一な照度分布の露光光で照明される。照明光学系5は、照明条件を設定するための複数の照明絞り(不図示)を含むことができ、任意の照明絞りが使用されうる。照明光学系5は、例えば、水銀ランプ、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ、F2レーザまたは極端紫外光(Extreme Ultra Violet:EUV光)光源等の光源を含みうる。原版ステージ2は、原版1を支持する。原版ステージ2は、原版1を少なくともY軸方向に駆動可能であり、好ましくは、原版1を6軸に関して駆動可能である。原版ステージ2は、リニアモータ等の駆動機構によって駆動されうる。 The illumination area of the original 1 is illuminated by an illumination optical system 5 with exposure light having a uniform illuminance distribution. The illumination optical system 5 can include a plurality of illumination apertures (not shown) for setting illumination conditions, and any illumination aperture can be used. The illumination optical system 5 may include a light source such as a mercury lamp, a KrF excimer laser, an ArF excimer laser, an F2 laser, or an extreme ultra violet (EUV light) light source. Original stage 2 supports original version 1. The original stage 2 can drive the original 1 at least in the Y-axis direction, and preferably can drive the original 1 about six axes. The original stage 2 can be driven by a drive mechanism such as a linear motor.

原版ステージ2にはミラー7が設けられうる。ミラー7に対向する位置には、レーザ干渉計9が設けられうる。原版ステージ2のX軸およびY軸方向の位置ならびにθZ方向の回転角は、レーザ干渉計9によりリアルタイムで計測され、計測結果は、制御部CNTに供給されうる。制御部CNTは、レーザ干渉計9から供給される計測結果に基づいて原版ステージ2の位置および回転角を制御することで、原版ステージ2によって支持されているレチクル1の位置および回転角を制御する。 A mirror 7 may be provided on the original stage 2. A laser interferometer 9 may be provided at a position facing the mirror 7. The position of the original stage 2 in the X-axis and Y-axis directions and the rotation angle in the θZ direction are measured in real time by the laser interferometer 9, and the measurement results can be supplied to the control unit CNT. The control unit CNT controls the position and rotation angle of the reticle 1 supported by the original stage 2 by controlling the position and rotation angle of the original stage 2 based on the measurement results supplied from the laser interferometer 9. .

投影光学系6は、原版1のパターンを所定の投影倍率(例えば、1/4または1/5)で基板3に投影しうる。投影光学系6は、複数の光学素子を含み、該複数の光学素子は、投影光学系6の収差(例えば、球面収差)を調整するための光学素子を含む。基板ステージ4は、基板3を支持する。基板ステージ4は、不図示の基板駆動機構によって駆動される。該基板駆動機構は、基板ステージ4をZ軸方向に駆動するZステージ機構と、Zステージ機構をX軸およびY軸方向に駆動するXYステージ機構と、XYステージ機構を支持するベースとを含みうる。 The projection optical system 6 can project the pattern of the original 1 onto the substrate 3 at a predetermined projection magnification (for example, 1/4 or 1/5). The projection optical system 6 includes a plurality of optical elements, and the plurality of optical elements include optical elements for adjusting aberrations (for example, spherical aberration) of the projection optical system 6. The substrate stage 4 supports the substrate 3. The substrate stage 4 is driven by a substrate drive mechanism (not shown). The substrate drive mechanism may include a Z stage mechanism that drives the substrate stage 4 in the Z-axis direction, an XY stage mechanism that drives the Z stage mechanism in the X-axis and Y-axis directions, and a base that supports the XY stage mechanism. .

基板ステージ4上にはミラー8が設けられうる。ミラー8に対向する位置には、複数のレーザ干渉計10、12(2つのみ図示)が設けられうる。基板ステージ4のX軸、Y軸、Z軸方向の位置、および、θZ方向の回転角は、レーザ干渉計10によりリアルタイムで計測され、計測結果は、制御部CNTに供給されうる。制御部CNTは、レーザ干渉計10、12から供給される計測結果に基づいて基板ステージ4を駆動することで基板3の位置および回転角を制御する。 A mirror 8 may be provided on the substrate stage 4 . A plurality of laser interferometers 10 and 12 (only two are shown) may be provided at positions facing the mirror 8. The position of the substrate stage 4 in the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions and the rotation angle in the θZ direction are measured in real time by the laser interferometer 10, and the measurement results can be supplied to the control unit CNT. The control unit CNT controls the position and rotation angle of the substrate 3 by driving the substrate stage 4 based on the measurement results supplied from the laser interferometers 10 and 12.

制御部CNTは、例えば、FPGA(Field Programmable Gate Arrayの略。)などのPLD(Programmable Logic Deviceの略。)、又は、ASIC(Application Specific Integrated Circuitの略。)、又は、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。 The control unit CNT is, for example, a PLD (Programmable Logic Device) such as FPGA (Field Programmable Gate Array), or an ASIC (Application Specific Integrated). Abbreviation for Circuit), or a general-purpose computer with a built-in program It may be configured by a computer or a combination of all or part of these.

図2に例示されるように、基板ステージ4には、1または複数の基板基準プレート11が設けられている。基板基準プレート11の表面は、基板3の表面とほぼ同じ高さに位置する。基板基準プレート11には、アライメント検出系16が計測に使用する基準マーク18と、受光部14が計測に使用する像側マーク17とが配置されうる。基準マーク18と像側マーク17との相対位置は、既知である。あるいは、基準マーク18と像側マーク17とは、共通のマークであってもよい。基準マーク18および像側マーク17は、投影光学系6の像面側(像面またはその近傍)に配置されたマークである。同様に、原版ステージ2には、物体側マークを有する原版基準プレート13が設けられる。原版基準プレート13の物体側マークは、投影光学系6の物体側(物体面またはその近傍)に配置されたマークである。 As illustrated in FIG. 2, the substrate stage 4 is provided with one or more substrate reference plates 11. The surface of the substrate reference plate 11 is located at approximately the same height as the surface of the substrate 3. On the substrate reference plate 11, a reference mark 18 used by the alignment detection system 16 for measurement and an image-side mark 17 used by the light receiving section 14 for measurement can be arranged. The relative positions of the reference mark 18 and the image-side mark 17 are known. Alternatively, the reference mark 18 and the image-side mark 17 may be a common mark. The reference mark 18 and the image side mark 17 are marks arranged on the image plane side (at or near the image plane) of the projection optical system 6. Similarly, the original stage 2 is provided with an original reference plate 13 having an object side mark. The object side mark of the original reference plate 13 is a mark placed on the object side (at or near the object surface) of the projection optical system 6.

原版ステージ2と基板ステージ4との相対位置は、受光部14を使って原版基準プレート13の物体側マークと基板基準プレート11の像側マーク17との相対位置を計測することによって計測されうる。具体的には、照明光学系5によって原版基準プレート13の物体側マークが照明される。該物体側マークを透過した光は、投影光学系6を透過し、更に、基板基準プレート11の像側マーク17を透過し、受光部14に入射する。受光部14は、入射した光の光量(強度)を検出する。基板ステージ4をX軸方向、Y軸方向、Z軸方向にそれぞれ駆動させながら受光部14によって、それに入射した光の光量が計測されうる。そして、受光部14によって計測される光量の変化に基づいて、原版基準プレート13の物体側マークと基板基準プレート11の像側マーク17とのX軸方向およびY軸方向の位置、ならびにZ軸方向の位置(フォーカス)を調整することができる。物体側マークは、原版1に配置されてもよい。 The relative position between the original stage 2 and the substrate stage 4 can be measured by measuring the relative position between the object side mark of the original reference plate 13 and the image side mark 17 of the substrate reference plate 11 using the light receiving section 14. Specifically, the object side mark of the original reference plate 13 is illuminated by the illumination optical system 5. The light that has passed through the object-side mark passes through the projection optical system 6 and further passes through the image-side mark 17 of the substrate reference plate 11 and enters the light receiving section 14 . The light receiving unit 14 detects the amount (intensity) of the incident light. While driving the substrate stage 4 in the X-axis direction, Y-axis direction, and Z-axis direction, the light receiving section 14 can measure the amount of light incident thereon. Based on the change in the amount of light measured by the light receiving unit 14, the positions of the object-side mark on the original reference plate 13 and the image-side mark 17 on the substrate reference plate 11 in the X-axis direction and Y-axis direction, and in the Z-axis direction are determined. The position (focus) of the image can be adjusted. The object side mark may be placed on the original plate 1.

図4(a)には、X軸方向(またはY軸方向)における基板ステージ4の位置を横軸に取り、各位置において受光部14に入射した光の光量(強度)を縦軸に取った光量分布が実線で示されている。この光量分布は、物体側マーク、投影光学系6および像側マーク17を透過した光の光量を、X軸方向(またはY軸方向)における複数の位置で計測することによって取得することができる。図4(a)において、光量が最大値を示す位置は、物体側マークのX軸方向(またはY軸方向)における位置と像側マーク17のX軸方向(またはY軸方向)における位置とが一致するときの基板ステージ4の位置である。光量が最大値を示す位置は、例えば、光量分布に対する関数のフィッティング、または、重心処理等によって求めることができる。 In FIG. 4(a), the horizontal axis represents the position of the substrate stage 4 in the X-axis direction (or Y-axis direction), and the vertical axis represents the amount (intensity) of light incident on the light receiving unit 14 at each position. The light intensity distribution is shown by a solid line. This light amount distribution can be obtained by measuring the amount of light transmitted through the object-side mark, the projection optical system 6, and the image-side mark 17 at a plurality of positions in the X-axis direction (or Y-axis direction). In FIG. 4(a), the position where the amount of light shows the maximum value is the same as the position of the object-side mark in the X-axis direction (or Y-axis direction) and the position of the image-side mark 17 in the X-axis direction (or Y-axis direction). This is the position of the substrate stage 4 when they match. The position where the amount of light shows the maximum value can be determined, for example, by fitting a function to the distribution of light amount, or by performing center-of-gravity processing.

図4(b)には、Z軸方向における基板ステージ4の位置を横軸に取り、各位置において受光部14に入射した光の光量(強度)を縦軸に取った光量分布が実線で示されている。この光量分布は、物体側マーク、投影光学系6および像側マーク17を透過した光の光量を、投影光学系6の光軸方向(Z軸方向)における複数の位置で計測することによって取得することができる。図4(b)において、光量が最大値を示す位置は、物体側マークの結像位置に対して像側マーク17のZ軸方向における位置が一致する基板ステージ4のZ軸方向における位置である。このように投影光学系6の光軸方向における光量分布において光量が最大値を示す位置をフォーカス位置として定義する。光量が最大値を示す位置は、例えば、光量分布に対する関数のフィッティング、または、重心処理等によって求めることができる。 In FIG. 4(b), the solid line shows the light amount distribution, where the horizontal axis represents the position of the substrate stage 4 in the Z-axis direction, and the vertical axis represents the amount (intensity) of light incident on the light receiving section 14 at each position. has been done. This light amount distribution is obtained by measuring the amount of light transmitted through the object-side mark, the projection optical system 6, and the image-side mark 17 at multiple positions in the optical axis direction (Z-axis direction) of the projection optical system 6. be able to. In FIG. 4(b), the position where the amount of light shows the maximum value is the position of the substrate stage 4 in the Z-axis direction where the position of the image-side mark 17 in the Z-axis direction coincides with the imaging position of the object-side mark. . In this way, the position where the light amount shows the maximum value in the light amount distribution in the optical axis direction of the projection optical system 6 is defined as the focus position. The position where the amount of light shows the maximum value can be determined, for example, by fitting a function to the distribution of light amount, or by performing center-of-gravity processing.

フォーカス検出系15は、検出光を基板3の表面に投射する投射系と基板3からの反射光を受光する受光系とを含み、フォーカス検出系15によるフォーカス検出の結果は、制御部CNTに供給される。制御部CNTは、フォーカス検出系15のフォーカス検出の結果に基づいてZステージ機構を駆動し、基板3のZ軸方向における位置および傾斜角を調整することが可能である。 The focus detection system 15 includes a projection system that projects detection light onto the surface of the substrate 3 and a light reception system that receives reflected light from the substrate 3, and the focus detection result by the focus detection system 15 is supplied to the control unit CNT. be done. The control unit CNT can drive the Z stage mechanism based on the result of focus detection by the focus detection system 15 and adjust the position and inclination angle of the substrate 3 in the Z-axis direction.

アライメント検出系16は、検出光を基板3のアライメントマーク19または基板基準プレート11の基準マーク18に投射する投射系と、アライメントマーク19または基準マーク18からの反射光を受光する受光系とを含みうる。アライメント検出系16による検出の結果は、制御部CNTに供給される。制御部CNTは、アライメント検出系16による検出の結果に基づいて基板ステージ4のX軸方向およびY軸方向の位置を制御することにとによって、基板3のX軸方向およびY軸方向の位置を制御する。 The alignment detection system 16 includes a projection system that projects detection light onto the alignment mark 19 of the substrate 3 or the reference mark 18 of the substrate reference plate 11, and a light receiving system that receives reflected light from the alignment mark 19 or the reference mark 18. sell. The results of detection by the alignment detection system 16 are supplied to the control unit CNT. The control unit CNT controls the position of the substrate 3 in the X-axis direction and the Y-axis direction by controlling the position of the substrate stage 4 in the X-axis direction and the Y-axis direction based on the detection result by the alignment detection system 16. Control.

以下、投影光学系6の収差を計測する方法を説明する。なお、ここでは、投影光学系6の収差として球面収差を計測する方法を説明するが、この方法は、非点収差の計測にも適用可能である。既に説明した図4(b)は、投影光学系6が球面収差を有しない場合における光量分布を例示的に示している。図4(b)における点線30は、算出されたフォーカス位置である。図4(b)の光量分布は、点線30を対称軸として対称(線対称)である。 Hereinafter, a method of measuring the aberration of the projection optical system 6 will be explained. Note that although a method for measuring spherical aberration as the aberration of the projection optical system 6 will be described here, this method is also applicable to measuring astigmatism. FIG. 4B, which has already been described, exemplarily shows the light amount distribution when the projection optical system 6 does not have spherical aberration. A dotted line 30 in FIG. 4(b) is the calculated focus position. The light amount distribution in FIG. 4(b) is symmetrical (line symmetrical) with the dotted line 30 as the axis of symmetry.

図5には、投影光学系6が例えば100mλの球面収差を有る状態における光量分布が実線で示されている。光量分布は、物体側マーク、投影光学系6および像側マーク17を透過した光の光量を、投影光学系6の光軸方向(Z軸方向)における複数の位置で計測することによって取得することができる。図5における点線31は、図5における実線で示された光量分布から算出されたフォーカス位置である。図5に示された光量分布は、点線31を対称軸として非対称である(つまり、線対称ではない)。 In FIG. 5, the light amount distribution in a state where the projection optical system 6 has a spherical aberration of, for example, 100 mλ is shown by a solid line. The light amount distribution is obtained by measuring the amount of light transmitted through the object side mark, the projection optical system 6, and the image side mark 17 at a plurality of positions in the optical axis direction (Z-axis direction) of the projection optical system 6. Can be done. A dotted line 31 in FIG. 5 is the focus position calculated from the light amount distribution shown by the solid line in FIG. The light amount distribution shown in FIG. 5 is asymmetrical with respect to the axis of symmetry about the dotted line 31 (that is, it is not line symmetrical).

図5に示された光量分布(つまり、投影光学系6が球面収差を有する場合における光量分布)の非対称性を評価するために、光量分布に対して式(1)で表されるガウス関数G(z)をフィッティングする。ここで、光軸方向における基板ステージ4の位置をz、光量分布における最大光量(強度)をA、平均をμ、分散をσ、定数項をdとする。また、πは円周率、expは指数関数である。 In order to evaluate the asymmetry of the light amount distribution shown in FIG. 5 (that is, the light amount distribution when the projection optical system 6 has spherical aberration), a Gaussian function Fit (z). Here, the position of the substrate stage 4 in the optical axis direction is z, the maximum light amount (intensity) in the light amount distribution is A, the average is μ, the dispersion is σ, and the constant term is d. Further, π is pi, and exp is an exponential function.

Figure 0007377071000001
・・・(1)
Figure 0007377071000001
...(1)

フィッティングの初期値およびフィッティングの範囲は、フィッティング後のガウス関数の平均μがフォーカス位置と等しくなるように設定することが好ましい。ガウス関数は、ガウス関数の平均μを対称軸(原点)とする対称な偶関数であるので、フィッティングを行ったガウス関数と光量分布との差分を演算することにより、光量分布の非対称性を示す情報を得ることができる。この差分をフォーカス位置を中心とした所定の積分区間-aからaまでで積分することにより非対称成分(特徴量)を算出する。したがって、測定した光量分布をI(z)としたときの非対称成分ASは式(2)で表される。なお、aは、任意に定められうる。 The initial value of fitting and the range of fitting are preferably set so that the average μ of the Gaussian function after fitting is equal to the focus position. The Gaussian function is a symmetric even function with the average μ of the Gaussian function as the axis of symmetry (origin), so by calculating the difference between the fitted Gaussian function and the light intensity distribution, we can show the asymmetry of the light intensity distribution. You can get information. An asymmetrical component (feature amount) is calculated by integrating this difference over a predetermined integration interval from -a to a centered on the focus position. Therefore, when the measured light amount distribution is I(z), the asymmetric component AS is expressed by equation (2). Note that a can be arbitrarily determined.

Figure 0007377071000002
・・・(2)
Figure 0007377071000002
...(2)

また、計測時の光量および受光部14の検出感度などの影響を均一化するために、式(3)に示されるように、フィッティングされたガウス関数を、非対称成分を求める際の積分区間と同一の積分区間で積分することにより、対称成分Sを算出する。 In addition, in order to equalize the effects of the light intensity during measurement and the detection sensitivity of the light receiving unit 14, the fitted Gaussian function is set to be the same as the integral interval when determining the asymmetric component, as shown in equation (3). The symmetrical component S is calculated by integrating over the integration interval of .

Figure 0007377071000003
・・・(3)
Figure 0007377071000003
...(3)

非対称成分ASを対称成分Sで規格化することにより、正規化された非対称成分(正規化された特徴量)を求めることができる。図3の直線32は、投影光学系6の球面収差量と正規化された非対称成分(特徴量)との関係を示す特性情報である。 By normalizing the asymmetric component AS with the symmetric component S, a normalized asymmetric component (normalized feature amount) can be obtained. A straight line 32 in FIG. 3 is characteristic information indicating the relationship between the amount of spherical aberration of the projection optical system 6 and the normalized asymmetric component (feature amount).

図5に示された光量分布から求められた、正規化された非対称成分が符号35で示される非対称成分であるとすると、直線32で示される特性情報に基づいて、該非対称成分に対応する球面収差量を符号36で示される球面収差量として決定することができる。ここで、直線32に示される情報は、計測条件に応じて異なりうるので、計測条件ごとに該特性情報が求められることが望ましい。 If the normalized asymmetric component obtained from the light intensity distribution shown in FIG. The amount of aberration can be determined as the amount of spherical aberration indicated by reference numeral 36. Here, since the information shown on the straight line 32 may vary depending on the measurement conditions, it is desirable that the characteristic information is obtained for each measurement condition.

露光装置EXPに搭載される投影光学系6は、製造段階で干渉計等の計測器を用いて収差が計測され、その結果に基づいて収差が調整されうる。しかし、製造段階で投影光学系6の収差が高精度に調整されたとしても、露光装置EXPに投影光学系6が搭載された時には収差が変化していることもある。また、露光の際に発生する熱および使用される環境(例えば、気圧)の影響で投影光学系6の収差は、経時的に変化しうる。例えば、図3において符号33で示される投影光学系6の球面収差量が、経時変化によって、符号34で示されるような球面収差量にまで変化することが考えられる。以上のような経緯から、露光装置EXPにおいて投影光学系6の収差を簡易に計測する技術が求められていた。 The aberrations of the projection optical system 6 mounted on the exposure apparatus EXP are measured using a measuring instrument such as an interferometer during the manufacturing stage, and the aberrations can be adjusted based on the results. However, even if the aberrations of the projection optical system 6 are adjusted with high precision at the manufacturing stage, the aberrations may have changed by the time the projection optical system 6 is mounted on the exposure apparatus EXP. Further, the aberration of the projection optical system 6 may change over time due to the heat generated during exposure and the environment in which it is used (for example, atmospheric pressure). For example, it is conceivable that the amount of spherical aberration of the projection optical system 6 indicated by the reference numeral 33 in FIG. 3 changes to the amount of spherical aberration shown by the reference numeral 34 due to changes over time. Due to the above-mentioned circumstances, there has been a need for a technique for easily measuring the aberrations of the projection optical system 6 in the exposure apparatus EXP.

上記の方法によれば、経時変化によって投影光学系6の球面収差が発生したとしても、投影光学系6の球面収差を短時間で計測することができる。上記のように、投影光学系6の球面収差量と正規化された非対称成分(特徴量)との関係を示す特性情報(直線32)を予め準備しておくことにより、計測した光量分布から非対称成分を求め、該情報と該非対称成分とに基づいて球面収差量を求めることができる。 According to the above method, even if the spherical aberration of the projection optical system 6 occurs due to changes over time, the spherical aberration of the projection optical system 6 can be measured in a short time. As mentioned above, by preparing in advance the characteristic information (straight line 32) that indicates the relationship between the amount of spherical aberration of the projection optical system 6 and the normalized asymmetric component (feature amount), it is possible to determine the asymmetric shape from the measured light amount distribution. The amount of spherical aberration can be determined based on the information and the asymmetric component.

特性情報は、例えば、シミュレーションによって得ることができる。球面収差量を変えたときに物体側マークが像側マーク上に形成する像をシミュレーションによって算出することができる。よって、複数の球面収差量の各々において、投影光学系6の光軸方向における複数の位置のそれぞれで受光部14によって取得されうる光量をシミュレーションによって算出することができる。このようにして、複数の球面収差量の各々について、シミュレーションによって複数の位置について得られる光量から、光軸方向における位置とその位置に対応する光量とを関係を示す光量分布を算出することができる。そして、複数の球面収差量にそれぞれ対応する複数の光量分布のそれぞれの非対称成分を求めることができる。これにより、特性情報(直線32)を得ることができる。 Characteristic information can be obtained, for example, by simulation. The image formed by the object-side mark on the image-side mark when the amount of spherical aberration is changed can be calculated by simulation. Therefore, for each of the plurality of spherical aberration amounts, the amount of light that can be acquired by the light receiving section 14 at each of the plurality of positions in the optical axis direction of the projection optical system 6 can be calculated by simulation. In this way, for each of the multiple amounts of spherical aberration, it is possible to calculate the light amount distribution that shows the relationship between the position in the optical axis direction and the light amount corresponding to that position from the light amount obtained at multiple positions by simulation. . Then, each asymmetric component of a plurality of light quantity distributions corresponding to a plurality of amounts of spherical aberration can be obtained. Thereby, characteristic information (straight line 32) can be obtained.

複数の球面収差量を発生させる方法として、投影光学系6を構成する複数の光学素子のうちの少なくも1つの駆動量(位置)を調整する方法がある。ここで、駆動量と球面収差量との関係が既知であることが便利であるが、設定された駆動量の下で球面収差量を実測してもよい。複数の駆動量のそれぞれについて、光量分布を求め、その光量分布から非対称成分を求めることによって、特性情報(直線32)を得ることができる。 As a method for generating a plurality of amounts of spherical aberration, there is a method of adjusting the drive amount (position) of at least one of the plurality of optical elements constituting the projection optical system 6. Here, it is convenient that the relationship between the drive amount and the spherical aberration amount is known, but the spherical aberration amount may be actually measured under a set drive amount. Characteristic information (straight line 32) can be obtained by determining the light amount distribution for each of the plurality of drive amounts and determining the asymmetric component from the light amount distribution.

図6には、特性情報を生成するための処理の手順が示されている。工程S310では、球面収差量を設定あるいは変更する。次いで、工程S320では、工程S310で設定あるいは変更された球面収差量について、光軸方向における位置とその位置に対応する光量との関係を示す光量分布を取得する。これは、投影光学系6の光軸方向における複数の位置のそれぞれで受光部14によって取得されうる光量をシミュレーションによって算出することによってなされうる。次いで、工程S330では、工程S320で取得した光量分布から特徴量(非対称成分)を求める。次いで、工程S340では、他の球面収差量について工程S320、S330を実行するかどうかを判断し、他の球面収差量について工程S320、S330を実行する場合には工程S310に戻り、そうでなければ工程S350に進む。工程S310に戻った場合には、工程S310において、球面収差量を変更し、工程S320に進む。工程S350では、工程S310~S330の繰り返しによって複数の球面収差量のそれぞれについて得られた特徴量(非対称成分)から特性情報を生成する。 FIG. 6 shows a processing procedure for generating characteristic information. In step S310, the amount of spherical aberration is set or changed. Next, in step S320, for the amount of spherical aberration set or changed in step S310, a light amount distribution indicating the relationship between the position in the optical axis direction and the amount of light corresponding to that position is obtained. This can be done by calculating by simulation the amount of light that can be acquired by the light receiving section 14 at each of a plurality of positions in the optical axis direction of the projection optical system 6. Next, in step S330, a feature amount (asymmetric component) is obtained from the light amount distribution acquired in step S320. Next, in step S340, it is determined whether steps S320 and S330 are to be executed for other amounts of spherical aberration, and if steps S320 and S330 are to be executed for other amounts of spherical aberration, the process returns to step S310; otherwise, Proceed to step S350. If the process returns to step S310, the amount of spherical aberration is changed in step S310, and the process proceeds to step S320. In step S350, characteristic information is generated from the feature amounts (asymmetric components) obtained for each of the plurality of spherical aberration amounts by repeating steps S310 to S330.

図7には、露光装置EXPにおいて実施される処理が示されている。この処理は、制御部CNTによって制御される。工程S410では、制御部CNTは、投影光学系6の球面収差を調整するかどうかを判断する。工程S410では、制御部CNTは、例えば、所定数の基板または所定数のロット(1ロットは所定数の基板で構成されうる)に対する露光が終了した場合に、投影光学系6の球面収差を調整するものと判断することができる。ここで、工程S420は、基板の露光に先立って実施されるフォーカス計測と併用されてもよく、この場合、工程S410は不要である。フォーカス計測は、基板のショット領域の高さを投影光学系6の像面に応じて調整するための計測であり、そのために工程S420と同様の処理が実施され、図7に例示されるような光量分布が取得される。そこで、このフォーカス計測において得られる光量分布を使って工程S430~S450が実施されうる。 FIG. 7 shows the processing performed in the exposure apparatus EXP. This process is controlled by the control unit CNT. In step S410, the control unit CNT determines whether to adjust the spherical aberration of the projection optical system 6. In step S410, the control unit CNT adjusts the spherical aberration of the projection optical system 6, for example, when exposure has been completed for a predetermined number of substrates or a predetermined number of lots (one lot may be composed of a predetermined number of substrates). It can be determined that Here, step S420 may be used together with focus measurement performed prior to exposing the substrate, and in this case, step S410 is unnecessary. The focus measurement is a measurement for adjusting the height of the shot area of the substrate according to the image plane of the projection optical system 6, and for this purpose, a process similar to step S420 is performed, and a process as illustrated in FIG. 7 is performed. A light intensity distribution is obtained. Therefore, steps S430 to S450 can be performed using the light amount distribution obtained in this focus measurement.

工程S420では、制御部CNTは、投影光学系6の光軸方向における複数の位置のそれぞれにおいて受光部14に光量を検出させ、受光部14からの出力に基づいて、光軸方向における位置とその位置に対応する光量とを関係を示す光量分布を取得する。次いで、工程S430では、制御部CNTは、工程S420で取得した光量分布から特徴量(非対称成分)を求める。工程S440では、制御部CNTは、図6に示される処理で準備された特性情報と、工程S430で求めた特徴量(非対称成分)に基づいて、該特徴量に対応する球面収差量を決定する。工程S450では、制御部CNTは、工程S440で決定した球面収差量を低減あるいはゼロにするように投影光学系6の球面収差を調整する。この調整は、投影光学系6の少なくとも1つの光学素子を駆動することによってなされうる。工程S450は、工程S440で決定された球面収差量が予め設定された閾値を超えた場合にのみ実施されてもよい。 In step S420, the control unit CNT causes the light receiving unit 14 to detect the amount of light at each of a plurality of positions in the optical axis direction of the projection optical system 6, and based on the output from the light receiving unit 14, the control unit CNT detects the position in the optical axis direction and its position. Obtain a light amount distribution that shows the relationship between the light amount corresponding to the position. Next, in step S430, the control unit CNT obtains a feature amount (asymmetric component) from the light amount distribution obtained in step S420. In step S440, the control unit CNT determines the amount of spherical aberration corresponding to the feature amount based on the characteristic information prepared in the process shown in FIG. 6 and the feature amount (asymmetric component) obtained in step S430. . In step S450, the control unit CNT adjusts the spherical aberration of the projection optical system 6 so that the amount of spherical aberration determined in step S440 is reduced or zero. This adjustment can be made by driving at least one optical element of the projection optical system 6. Step S450 may be performed only when the amount of spherical aberration determined in step S440 exceeds a preset threshold.

工程S460では、制御部CNTは、原版1のパターンを基板3に転写する露光を実行する。工程S470では、制御部CNTは、工程S410~S470の処理を終了するかどうかを判断し、終了しない場合には工程S410に戻る。 In step S460, the control unit CNT performs exposure to transfer the pattern of the original 1 onto the substrate 3. In step S470, the control unit CNT determines whether or not to end the processing in steps S410 to S470, and if it does not end, the process returns to step S410.

以下、第2実施形態について説明する。第2実施形態として言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。特徴量(非対称成分)を求める方法は、ガウス関数のフィッティングに限定されない。制御部CNTは、例えば、計測によって得られた光量分布に対して、式(4)で示されるように、フォーカス位置を原点とする多項式関数をフィッティングすることで非対称成分を算出しうる。ここで、n次多項式N(z)についてi次項の係数をk_iとする。 The second embodiment will be described below. Matters not mentioned in the second embodiment may follow the first embodiment. The method for determining the feature amount (asymmetric component) is not limited to Gaussian function fitting. For example, the control unit CNT can calculate the asymmetric component by fitting a polynomial function with the origin at the focus position to the light amount distribution obtained by measurement, as shown in equation (4). Here, it is assumed that the coefficient of the i-th term of the n-th degree polynomial N(z) is k_i.

Figure 0007377071000004
・・・(4)
Figure 0007377071000004
...(4)

この場合、多項式関数の偶数次項のみの積分値を対称成分として、また、多項式関数の奇数次項のみの積分値を非対称成分として、光量分布の非対称性を示す特徴量である非対称成分の算出を行うことができる。以下、第2実施形態を具体的に説明する。 In this case, the asymmetric component, which is a feature value indicating the asymmetry of the light intensity distribution, is calculated using the integral value of only the even-order term of the polynomial function as the symmetric component, and the integral value of only the odd-number order term of the polynomial function as the asymmetric component. be able to. The second embodiment will be specifically described below.

制御部CNTは、計測によって得られた光量分布に対して多項式関数をフィッティングし、その多項式関数に基づいて収差を決定する。図5に示された光量分布は、点線31を対称軸として非対称である(つまり、線対称ではない)。図5に示された光量分布(つまり、投影光学系6が球面収差を有する場合における光量分布)の非対称性を評価するために、制御部CNTは、この光量分布に対して多項式関数をフィッティングする。更に、制御部CNTは、フィッティングされた多項式関数の奇数次項に基づいて特徴量を求める。以下において、その具体例を説明する。 The control unit CNT fits a polynomial function to the light amount distribution obtained by measurement, and determines the aberration based on the polynomial function. The light amount distribution shown in FIG. 5 is asymmetrical with respect to the axis of symmetry about the dotted line 31 (that is, it is not line symmetrical). In order to evaluate the asymmetry of the light amount distribution shown in FIG. 5 (that is, the light amount distribution when the projection optical system 6 has spherical aberration), the control unit CNT fits a polynomial function to this light amount distribution. . Furthermore, the control unit CNT obtains a feature amount based on the odd-order term of the fitted polynomial function. A specific example will be explained below.

制御部CNTは、フィッティングされた多項式関数の複数の項のうち偶数次数の項と、奇数次数の項とをそれぞれ処理する。制御部CNTは、式(5)で示されるように、偶数次数の項をフォーカス位置を中心とした所定の積分区間(-aからaまでの区間)で積分し、これによって得られる値を対称成分Sとする。 The control unit CNT processes even-order terms and odd-order terms among the plurality of terms of the fitted polynomial function. As shown in Equation (5), the control unit CNT integrates the even-order terms in a predetermined integration interval (interval from -a to a) centered on the focus position, and the value obtained thereby is symmetrically Let it be component S.

Figure 0007377071000005
・・・(5)
Figure 0007377071000005
...(5)

また、制御部CNTは、式(6)で示されるように、奇数次数の項をフォーカス位置を中心とした所定の積分区間(-aからaまでの区間)で積分した値を非対称成分ASとする。 In addition, as shown in equation (6), the control unit CNT integrates the odd-order terms in a predetermined integration interval (interval from -a to a) centered on the focus position, and converts the value into the asymmetric component AS. do.

Figure 0007377071000006
・・・(6)
Figure 0007377071000006
...(6)

制御部CNTは、非対称成分ASを対称成分Sで規格化することにより、光量分布の非対称性を示す特徴量として非対称成分を算出する。ここで、式(5)における積分区間の幅と式(6)における積分区間の幅とは等しく設定されうる。 The control unit CNT normalizes the asymmetric component AS with the symmetric component S, thereby calculating the asymmetric component as a feature amount indicating the asymmetry of the light amount distribution. Here, the width of the integral interval in equation (5) and the width of the integral interval in equation (6) can be set equal.

以下、第3実施形態について説明する。第3実施形態として言及しない事項は、第1および第2実施形態の少なくとも1つに従いうる。特徴量(非対称成分)を求める方法は、積分を伴う方法に限定されるものではない。制御部CNTは、計測によって得られた光量分布に対してフィッティングされた多項式関数の特定の次数の係数に基づいて、光量分布の非対称性を示す特徴量として非対称成分を算出してもよい。 The third embodiment will be described below. Matters not mentioned in the third embodiment may follow at least one of the first and second embodiments. The method for determining the feature amount (asymmetric component) is not limited to a method involving integration. The control unit CNT may calculate an asymmetric component as a feature amount indicating the asymmetry of the light amount distribution based on a coefficient of a specific degree of a polynomial function fitted to the light amount distribution obtained by measurement.

以下、第4実施形態について説明する。第4実施形態として言及しない事項は、第1乃至第3実施形態の少なくとも1つに従いうる。特徴量(非対称成分)を求める方法は、計測によって得られた光量分布に対する関数のフィッティングを伴う方法に限定されない。例えば、制御部CNTは、式(7)に示されるように、計測によって得られた光量分布I(z)を、フォーカス位置Z0とフォーカス位置Z0から正方向に所定距離の位置aとの間の区間(Z0からaまでの区間)について積分して、積分値αを求める。 The fourth embodiment will be described below. Matters not mentioned in the fourth embodiment may follow at least one of the first to third embodiments. The method for determining the feature amount (asymmetric component) is not limited to a method that involves fitting a function to the light amount distribution obtained by measurement. For example, as shown in equation (7), the control unit CNT changes the light amount distribution I(z) obtained by measurement between the focus position Z0 and a position a at a predetermined distance in the positive direction from the focus position Z0. The integral value α is determined by integrating the interval (interval from Z0 to a).

Figure 0007377071000007
・・・(7)
Figure 0007377071000007
...(7)

また、制御部CNTは、式(8)に示されるように、計測によって得られた光量分布I(z)を、フォーカス位置Z0から負方向に所定距離の位置aとの間の区間(-aからフォーカス位置Z0までの区間)について積分して、積分値βを求める。 Further, as shown in equation (8), the control unit CNT converts the light amount distribution I(z) obtained by measurement into an interval (-a to the focus position Z0) to obtain an integral value β.

Figure 0007377071000008
・・・(8)
Figure 0007377071000008
...(8)

そして、制御部CNTは、2つの積分値α、βに基づいて、光量分布の非対称性を示す特徴量として非対称成分を算出する。ここで、式(7)における積分区間の幅と式(8)における積分区間の幅とは等しく設定されうる。 Then, the control unit CNT calculates an asymmetric component as a feature amount indicating the asymmetry of the light amount distribution based on the two integral values α and β. Here, the width of the integral interval in equation (7) and the width of the integral interval in equation (8) can be set equal.

以下、上記の実施形態の変形例を説明する。光量分布の非対称性を示す特徴量として非対称成分は、計測によって得られた光量分布の形状に基づいて算出されてもよい。例えば、計測によって得られた光量分布と、予め準備された複数の球面収差量にそれぞれ対応する複数の光量分布との差分を取る。そして、差分が最も小さくなる光量分布に対応する球面収差量を、計測によって得られた光量分布に対応する球面収差量として決定することができる。 Modifications of the above embodiment will be described below. The asymmetric component, which is a feature indicating the asymmetry of the light amount distribution, may be calculated based on the shape of the light amount distribution obtained by measurement. For example, the difference between the light amount distribution obtained by measurement and a plurality of light amount distributions corresponding to a plurality of amounts of spherical aberration prepared in advance is calculated. Then, the amount of spherical aberration corresponding to the light amount distribution with the smallest difference can be determined as the amount of spherical aberration corresponding to the light amount distribution obtained by measurement.

投影光学系6の球面収差の調整は、露光装置EXPの定期メンテナンス時に実施されてもよいし、露光装置EXPが処理を中断している時に実施されてもよい。 Adjustment of the spherical aberration of the projection optical system 6 may be performed during regular maintenance of the exposure apparatus EXP, or may be performed while the exposure apparatus EXP is suspending processing.

計測された投影光学系6の球面収差が閾値を超えた場合、実際に基板を露光し現像した結果におけるパターンシフト及び/又は形状を走査型電子顕微鏡(SEM)等で計測して収差量を類推する手法等で、より高精度に投影光学系6の収差を計測、調整してもよい。これは、実施形態の収差計測方法を投影光学系の収差を検出するために利用し、検出された収差がある閾値を超えたときのみ、より精度が高い方法で投影光学系の収差を計測し、調整する方法である。 If the measured spherical aberration of the projection optical system 6 exceeds a threshold, the amount of aberration can be estimated by measuring the pattern shift and/or shape of the result of actually exposing and developing the substrate using a scanning electron microscope (SEM) or the like. The aberrations of the projection optical system 6 may be measured and adjusted with higher precision using a method such as the following. This uses the aberration measurement method of the embodiment to detect the aberration of the projection optical system, and only when the detected aberration exceeds a certain threshold, measures the aberration of the projection optical system using a more accurate method. , is the method of adjustment.

以下、上記の収差計測方法を適用した物品製造方法を説明する。物品製造方法は、露光装置EXPの投影光学系6の収差量を上記の収差計測方法に従って計測する計測工程と、該計測工程で計測された収差量に基づいて投影光学系6の収差を調整する調整工程と、を含みうる。また、該物品製造法は、該調整工程の後に、露光装置EXPによって、感光材が塗布された基板を露光する露光工程と、該露光工程の後に、該感光材を現像する現像工程と、該現像工程を経た基板を処理する処理工程と、を含み、該処理工程を経た基板から物品を得る。 Hereinafter, an article manufacturing method to which the above aberration measurement method is applied will be explained. The article manufacturing method includes a measurement step of measuring the amount of aberration of the projection optical system 6 of the exposure apparatus EXP according to the aberration measurement method described above, and adjusting the aberration of the projection optical system 6 based on the amount of aberration measured in the measurement step. and an adjustment step. The article manufacturing method also includes an exposure step of exposing a substrate coated with a photosensitive material using an exposure device EXP after the adjustment step, a developing step of developing the photosensitive material after the exposure step, and a development step of developing the photosensitive material after the exposure step. and a processing step of processing the substrate that has undergone the development step, and an article is obtained from the substrate that has undergone the processing step.

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。 The invention is not limited to the embodiments described above, and various changes and modifications can be made without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, the following claims are hereby appended to disclose the scope of the invention.

EXP:露光装置、1:原版、3:基板、6:投影光学系、14:受光部 EXP: Exposure device, 1: Original plate, 3: Substrate, 6: Projection optical system, 14: Light receiving unit

Claims (12)

投影光学系の物体側に配置された物体側マーク、前記投影光学系、および、前記投影光学系の像側に配置された像側マークを透過した光の光量を、前記投影光学系の光軸方向における複数の位置で計測することによって、前記光軸方向における位置と前記光量との関係を示す光量分布を取得する工程と、
前記光量分布における前記投影光学系のフォーカス位置を対称軸とする非対称性を示す特徴量を求める工程と、
前記特徴量から前記投影光学系の収差量を決定する工程と、を含み、
前記特徴量を求める工程では、前記光量分布と前記光量分布に対してフィッティングされたガウス関数との差分に基づいて前記特徴量を求める、
ことを特徴とす収差計測方法。
The amount of light transmitted through the object-side mark placed on the object side of the projection optical system, the projection optical system, and the image-side mark placed on the image side of the projection optical system is calculated based on the optical axis of the projection optical system. obtaining a light amount distribution indicating a relationship between a position in the optical axis direction and the light amount by measuring at a plurality of positions in the direction;
obtaining a feature amount indicating asymmetry with the focus position of the projection optical system as an axis of symmetry in the light amount distribution;
determining an amount of aberration of the projection optical system from the feature amount,
In the step of determining the feature amount, the feature amount is determined based on a difference between the light amount distribution and a Gaussian function fitted to the light amount distribution.
An aberration measurement method characterized by the following.
前記特徴量を求める工程では、前記差分を前記フォーカス位置を中心とした所定の積分区間について積分した値を、前記ガウス関数を前記積分区間について積分した値で規格化した値を、前記特徴量として求める、
ことを特徴とする請求項に記載の収差計測方法。
In the step of determining the feature quantity, a value obtained by integrating the difference over a predetermined integral interval centered on the focus position is normalized by a value obtained by integrating the Gaussian function over the integral interval, as the feature quantity. demand,
The aberration measuring method according to claim 1 , characterized in that:
投影光学系の物体側に配置された物体側マーク、前記投影光学系、および、前記投影光学系の像側に配置された像側マークを透過した光の光量を、前記投影光学系の光軸方向における複数の位置で計測することによって、前記光軸方向における位置と前記光量との関係を示す光量分布を取得する工程と、
前記光量分布における前記投影光学系のフォーカス位置を対称軸とする非対称性を示す特徴量を求める工程と、
前記特徴量から前記投影光学系の収差量を決定する工程と、を含み、
前記特徴量を求める工程では、前記光量分布に対してフィッティングされた多項式関数の奇数次項に基づいて前記特徴量を求める、
ことを特徴とす収差計測方法。
The amount of light transmitted through the object-side mark placed on the object side of the projection optical system, the projection optical system, and the image-side mark placed on the image side of the projection optical system is calculated based on the optical axis of the projection optical system. obtaining a light amount distribution indicating a relationship between a position in the optical axis direction and the light amount by measuring at a plurality of positions in the direction;
obtaining a feature amount indicating asymmetry with the focus position of the projection optical system as an axis of symmetry in the light amount distribution;
determining an amount of aberration of the projection optical system from the feature amount,
In the step of determining the feature amount, the feature amount is determined based on an odd-order term of a polynomial function fitted to the light amount distribution.
An aberration measurement method characterized by the following.
前記特徴量を求める工程では、前記奇数次項を前記フォーカス位置を中心とした所定の積分区間について積分した値を、前記多項式関数の偶数次項を前記積分区間について積分した値で規格化した値を、前記特徴量として求める、
ことを特徴とする請求項に記載の収差計測方法。
In the step of determining the feature amount, a value obtained by integrating the odd-order term over a predetermined integration interval centered on the focus position is normalized by a value obtained by integrating the even-order term of the polynomial function over the integration interval, Obtained as the feature quantity,
The aberration measuring method according to claim 3 , characterized in that:
投影光学系の物体側に配置された物体側マーク、前記投影光学系、および、前記投影光学系の像側に配置された像側マークを透過した光の光量を、前記投影光学系の光軸方向における複数の位置で計測することによって、前記光軸方向における位置と前記光量との関係を示す光量分布を取得する工程と、
前記光量分布における前記投影光学系のフォーカス位置を対称軸とする非対称性を示す特徴量を求める工程と、
前記特徴量から前記投影光学系の収差量を決定する工程と、を含み、
前記特徴量を求める工程では、前記光量分布に対してフィッティングされた多項式関数の特定の次数の係数に基づいて前記特徴量を求める、
ことを特徴とす収差計測方法。
The amount of light transmitted through the object-side mark placed on the object side of the projection optical system, the projection optical system, and the image-side mark placed on the image side of the projection optical system is calculated based on the optical axis of the projection optical system. obtaining a light amount distribution indicating a relationship between a position in the optical axis direction and the light amount by measuring at a plurality of positions in the direction;
obtaining a feature amount indicating asymmetry with the focus position of the projection optical system as an axis of symmetry in the light amount distribution;
determining an amount of aberration of the projection optical system from the feature amount,
In the step of determining the feature amount, the feature amount is determined based on a coefficient of a specific degree of a polynomial function fitted to the light amount distribution.
An aberration measurement method characterized by the following.
投影光学系の物体側に配置された物体側マーク、前記投影光学系、および、前記投影光学系の像側に配置された像側マークを透過した光の光量を、前記投影光学系の光軸方向における複数の位置で計測することによって、前記光軸方向における位置と前記光量との関係を示す光量分布を取得する工程と、
前記光量分布における前記投影光学系のフォーカス位置を対称軸とする非対称性を示す特徴量を求める工程と、
前記特徴量から前記投影光学系の収差量を決定する工程と、を含み、
前記特徴量を求める工程では、前記フォーカス位置と前記フォーカス位置から正方向に所定距離の位置との間の区間について前記光量分布を積分した値と、前記フォーカス位置から負方向に前記所定距離の位置と前記フォーカス位置との間の区間について前記光量分布を積分した値と、に基づいて前記特徴量を求める、
ことを特徴とす収差計測方法。
The amount of light transmitted through the object-side mark placed on the object side of the projection optical system, the projection optical system, and the image-side mark placed on the image side of the projection optical system is calculated based on the optical axis of the projection optical system. obtaining a light amount distribution indicating a relationship between a position in the optical axis direction and the light amount by measuring at a plurality of positions in the direction;
obtaining a feature amount indicating asymmetry with the focus position of the projection optical system as an axis of symmetry in the light amount distribution;
determining an amount of aberration of the projection optical system from the feature amount,
In the step of determining the feature amount, a value obtained by integrating the light intensity distribution for an interval between the focus position and a position at a predetermined distance in the positive direction from the focus position, and a position at the predetermined distance in the negative direction from the focus position. and a value obtained by integrating the light amount distribution for the section between and the focus position, and determining the feature amount based on
An aberration measurement method characterized by the following.
投影光学系の物体側に配置された物体側マーク、前記投影光学系、および、前記投影光学系の像側に配置された像側マークを透過した光の光量を、前記投影光学系の光軸方向における複数の位置で計測することによって、前記光軸方向における位置と前記光量との関係を示す光量分布を取得する工程と、 The amount of light transmitted through the object-side mark placed on the object side of the projection optical system, the projection optical system, and the image-side mark placed on the image side of the projection optical system is calculated based on the optical axis of the projection optical system. obtaining a light amount distribution indicating a relationship between a position in the optical axis direction and the light amount by measuring at a plurality of positions in the direction;
前記光量分布における前記投影光学系のフォーカス位置を対称軸とする非対称性を示す特徴量を求める工程と、 obtaining a feature amount indicating asymmetry with the focus position of the projection optical system as an axis of symmetry in the light amount distribution;
前記特徴量から前記投影光学系の収差量を決定する工程と、を含み、 determining an amount of aberration of the projection optical system from the feature amount,
前記特徴量を求める工程では、前記光量分布と前記光量分布に対してフィッティングされた偶関数との差分に基づいて前記特徴量を求める、 In the step of determining the feature amount, the feature amount is determined based on a difference between the light amount distribution and an even function fitted to the light amount distribution.
ことを特徴とする収差計測方法。 An aberration measurement method characterized by the following.
前記収差量を決定する工程では、前記投影光学系の収差量と前記特徴量との関係を示す情報に基づいて、前記投影光学系の収差量を決定する、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の収差計測方法。
In the step of determining the amount of aberration, the amount of aberration of the projection optical system is determined based on information indicating the relationship between the amount of aberration of the projection optical system and the feature amount.
The aberration measuring method according to any one of claims 1 to 7.
前記収差量は、球面収差量を含む、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の収差計測方法。
The amount of aberration includes an amount of spherical aberration,
The aberration measuring method according to any one of claims 1 to 8.
露光装置の投影光学系の収差量を請求項1乃至9のいずれか1項に記載の収差計測方法に従って計測する計測工程と、
前記計測工程で計測された収差量に基づいて前記投影光学系の収差を調整する調整工程と、
前記調整工程の後に、前記露光装置によって、感光材が塗布された基板を露光する露光工程と、
前記露光工程の後に、前記感光材を現像する現像工程と、
前記現像工程を経た前記基板を処理する処理工程と、を含み、
前記処理工程を経た前記基板から物品を得ることを特徴とする物品製造方法。
a measuring step of measuring the amount of aberration of the projection optical system of the exposure apparatus according to the aberration measuring method according to any one of claims 1 to 9;
an adjustment step of adjusting the aberration of the projection optical system based on the amount of aberration measured in the measurement step;
After the adjustment step, an exposure step of exposing the substrate coated with the photosensitive material using the exposure device;
After the exposure step, a developing step of developing the photosensitive material;
a treatment step of treating the substrate that has undergone the development step,
A method for manufacturing an article, characterized in that an article is obtained from the substrate that has undergone the treatment step.
原版ステージ、投影光学系、基板ステージ、前記基板ステージに配置された受光部、および、制御部を備える露光装置であって、
前記受光部は、前記投影光学系の物体側に配置された物体側マーク、前記投影光学系、および、前記投影光学系の像側に配置された像側マークを透過した光の光量を、前記投影光学系の光軸方向における複数の位置で計測し、
前記制御部は、前記受光部からの出力に基づいて、前記光軸方向における位置と前記光量との関係を示す光量分布を求め、前記光量分布における前記投影光学系のフォーカス位置を対称軸とする非対称性を示す特徴量を求め、前記特徴量から前記投影光学系の収差量を決定
前記制御部は、
前記光量分布と前記光量分布に対してフィッティングされたガウス関数との差分に基づいて前記特徴量を求め、又は、
前記光量分布に対してフィッティングされた多項式関数の奇数次項に基づいて前記特徴量を求め、又は、
前記光量分布に対してフィッティングされた多項式関数の特定の次数の係数に基づいて前記特徴量を求め、又は、
前記フォーカス位置と前記フォーカス位置から正方向に所定距離の位置との間の区間について前記光量分布を積分した値と、前記フォーカス位置から負方向に前記所定距離の位置と前記フォーカス位置との間の区間について前記光量分布を積分した値と、に基づいて前記特徴量を求める、
ことを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus comprising an original stage, a projection optical system, a substrate stage, a light receiving section disposed on the substrate stage, and a control section,
The light receiving unit detects the amount of light that has passed through an object side mark placed on the object side of the projection optical system, the projection optical system, and an image side mark placed on the image side of the projection optical system. Measured at multiple positions in the optical axis direction of the projection optical system,
The control unit determines a light amount distribution indicating a relationship between a position in the optical axis direction and the light amount based on the output from the light receiving portion, and sets a focus position of the projection optical system in the light amount distribution as an axis of symmetry. determining a feature amount indicating asymmetry, and determining an amount of aberration of the projection optical system from the feature amount;
The control unit includes:
The feature amount is determined based on the difference between the light amount distribution and a Gaussian function fitted to the light amount distribution, or
The feature amount is determined based on an odd-order term of a polynomial function fitted to the light amount distribution, or
The feature amount is determined based on a coefficient of a specific degree of a polynomial function fitted to the light amount distribution, or
a value obtained by integrating the light intensity distribution for a section between the focus position and a position at a predetermined distance in the positive direction from the focus position, and a value between the position at the predetermined distance in the negative direction from the focus position and the focus position. determining the feature amount based on a value obtained by integrating the light amount distribution for the section;
An exposure device characterized by:
原版ステージ、投影光学系、基板ステージ、前記基板ステージに配置された受光部、および、制御部を備える露光装置であって、 An exposure apparatus comprising an original stage, a projection optical system, a substrate stage, a light receiving section disposed on the substrate stage, and a control section,
前記受光部は、前記投影光学系の物体側に配置された物体側マーク、前記投影光学系、および、前記投影光学系の像側に配置された像側マークを透過した光の光量を、前記投影光学系の光軸方向における複数の位置で計測し、 The light receiving unit detects the amount of light that has passed through an object side mark placed on the object side of the projection optical system, the projection optical system, and an image side mark placed on the image side of the projection optical system. Measured at multiple positions in the optical axis direction of the projection optical system,
前記制御部は、前記受光部からの出力に基づいて、前記光軸方向における位置と前記光量との関係を示す光量分布を求め、前記光量分布における前記投影光学系のフォーカス位置を対称軸とする非対称性を示す特徴量を求め、前記特徴量から前記投影光学系の収差量を決定し、 The control unit determines a light amount distribution indicating a relationship between a position in the optical axis direction and the light amount based on the output from the light receiving portion, and sets a focus position of the projection optical system in the light amount distribution as an axis of symmetry. determining a feature amount indicating asymmetry, and determining an amount of aberration of the projection optical system from the feature amount;
前記制御部は、前記光量分布と前記光量分布に対してフィッティングされた偶関数との差分に基づいて前記特徴量を求める、 The control unit calculates the feature amount based on a difference between the light amount distribution and an even function fitted to the light amount distribution.
ことを特徴とする露光装置。 An exposure device characterized by:
JP2019203508A 2019-11-08 2019-11-08 Aberration measurement method, article manufacturing method, and exposure device Active JP7377071B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019203508A JP7377071B2 (en) 2019-11-08 2019-11-08 Aberration measurement method, article manufacturing method, and exposure device
TW109137033A TWI837431B (en) 2019-11-08 2020-10-26 Aberration measurement method, article manufacturing method and exposure device
KR1020200144091A KR20210056237A (en) 2019-11-08 2020-11-02 Aberration measurement method, article manufacturing method, and exposure apparatus
CN202011231381.6A CN112782940A (en) 2019-11-08 2020-11-06 Aberration measuring method, article manufacturing method, and exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019203508A JP7377071B2 (en) 2019-11-08 2019-11-08 Aberration measurement method, article manufacturing method, and exposure device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021076721A JP2021076721A (en) 2021-05-20
JP7377071B2 true JP7377071B2 (en) 2023-11-09

Family

ID=75750438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019203508A Active JP7377071B2 (en) 2019-11-08 2019-11-08 Aberration measurement method, article manufacturing method, and exposure device

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7377071B2 (en)
KR (1) KR20210056237A (en)
CN (1) CN112782940A (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006313866A (en) 2005-05-09 2006-11-16 Canon Inc Exposure device and method therefor
JP2009158720A (en) 2007-12-26 2009-07-16 Canon Inc Exposure apparatus and method of manufacturing device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0936029A (en) * 1995-07-19 1997-02-07 Nikon Corp Projection exposure apparatus
WO2004059710A1 (en) * 2002-12-24 2004-07-15 Nikon Corporation Aberration measuring method, exposure method and exposure system
JP2006019691A (en) * 2004-05-31 2006-01-19 Nikon Corp Aberration measuring method and apparatus, exposure method and apparatus, and mask
JP2006245145A (en) * 2005-03-01 2006-09-14 Nikon Corp Optical characteristic measuring method and apparatus, and exposure method and apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006313866A (en) 2005-05-09 2006-11-16 Canon Inc Exposure device and method therefor
JP2009158720A (en) 2007-12-26 2009-07-16 Canon Inc Exposure apparatus and method of manufacturing device

Also Published As

Publication number Publication date
TW202121065A (en) 2021-06-01
JP2021076721A (en) 2021-05-20
KR20210056237A (en) 2021-05-18
CN112782940A (en) 2021-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6132499B2 (en) Inspection apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method
TWI435182B (en) Angularly resolved scatterometer and inspection method
KR20080059572A (en) Optical characteristic measuring method, exposure method, device manufacturing method, inspecting apparatus and measuring method
JP4692862B2 (en) Inspection apparatus, exposure apparatus provided with the inspection apparatus, and method for manufacturing microdevice
KR20100014357A (en) Measuring method, exposure method, and device fabricating method
TW201011252A (en) A method of measuring overlay error and a device manufacturing method
JP2000195782A (en) Projector and aligner
TWI409595B (en) Measuring apparatus, projection exposure apparatus having the same, and device manufacturing method
US10303064B2 (en) Radiation conditioning system, illumination system and metrology apparatus, device manufacturing method
JPH10170399A (en) Method and equipment for measuring aberration, aligner equipped with that method and equipment and fabrication of device
JP2001250760A (en) Aberration measuring method, mask detecting method to use said method and exposure method
JP5489849B2 (en) Position measuring apparatus and method, exposure apparatus and device manufacturing method
JP7377071B2 (en) Aberration measurement method, article manufacturing method, and exposure device
JP2001085321A (en) Aligner and exposure method, and method for manufacturing microdevice
TWI837431B (en) Aberration measurement method, article manufacturing method and exposure device
JP4797764B2 (en) Exposure apparatus calibration method and exposure apparatus
JPH11297615A (en) Projection aligner and manufacture of semiconductor device using the aligner
JP2002169083A (en) Objective optical system, aberration measuring device, projection exposing device, manufacture of those, and manufacture of micro device
JP6226525B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method using them
JP2006120660A (en) Position correction method and device, exposing device, and device manufacturing method
US10222293B2 (en) Optical characteristic measuring method, optical characteristic adjusting method, exposure apparatus, exposing method, and exposure apparatus manufacturing method by detecting a light amount of measuring light
JP2005129557A (en) Aberration measurement device, aligner, aberration measurement method, exposure method, and device manufacturing method
JPH11297614A (en) Coma aberration measuring device and projection aligner provided with the device
US20100177290A1 (en) Optical characteristic measuring method, optical characteristic adjusting method, exposure apparatus, exposing method, and exposure apparatus manufacturing method
JP2005123427A (en) Method for measuring optical performance, exposing method, aligner, and mask

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20210103

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210113

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221019

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230720

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230724

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230901

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230929

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231027

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7377071

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151