JP7352947B2 - Valve devices and diversion systems - Google Patents

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Description

本発明は、バルブ装置および分流システムに関し、特に、半導体製造設備、薬品製造装置または化学プラント等に用いるガス供給システムにおいて好適に用いられるバルブ装置および分流システムに関する。 The present invention relates to a valve device and a flow dividing system, and more particularly to a valve device and a flow dividing system that are suitably used in gas supply systems used in semiconductor manufacturing equipment, drug manufacturing equipment, chemical plants, and the like.

半導体製造設備又は化学プラント等において、プロセスチャンバなどにガスを適切な流量で供給することが要求される。流量を制御する装置としては、マスフローコントローラ(熱式質量流量制御器)や圧力式流量制御装置が知られている。 BACKGROUND ART In semiconductor manufacturing equipment, chemical plants, etc., it is required to supply gas to a process chamber or the like at an appropriate flow rate. Mass flow controllers (thermal mass flow controllers) and pressure flow controllers are known as devices for controlling flow rates.

圧力式流量制御装置は、コントロール弁と絞り部(例えばオリフィスプレートや臨界ノズル)とを組み合せた比較的簡単な機構によって各種流体の質量流量を高精度に制御することができるので、広く利用されている(例えば、特許文献1)。また、圧力式流量制御装置は、一次側供給圧が大きく変動しても安定した流量制御が行えるという優れた流量制御特性を有している。 Pressure flow control devices are widely used because they can control the mass flow rate of various fluids with high precision using a relatively simple mechanism that combines a control valve and a restrictor (for example, an orifice plate or critical nozzle). (For example, Patent Document 1). Further, the pressure-type flow rate control device has excellent flow rate control characteristics in that stable flow rate control can be performed even when the primary side supply pressure fluctuates greatly.

プロセスチャンバへのガスの供給を、分流システムを介して行うことがある。分流システムでは、上記の圧力式流量制御装置などによって流量制御されたガスが、複数の分流ガスラインからプロセスチャンバに供給される。分流ガスラインは、プロセスチャンバの異なる領域にガスを供給できるように構成されている。この構成において、各分流ガスラインに設けられた開閉弁を制御することによって、プロセスチャンバにおける所望領域に選択的にガスを供給したり、各領域に供給するガス量の割合を適宜変更することができる。このような分流システムは、例えば、特許文献2に開示されている。 Gas may be supplied to the process chamber via a diversion system. In the split flow system, gas whose flow rate is controlled by the above-mentioned pressure type flow control device or the like is supplied to the process chamber from a plurality of split gas lines. The split gas lines are configured to supply gas to different regions of the process chamber. In this configuration, by controlling the on-off valve provided in each branch gas line, it is possible to selectively supply gas to a desired region in the process chamber or change the ratio of the amount of gas supplied to each region as appropriate. can. Such a flow dividing system is disclosed in Patent Document 2, for example.

特開平10-55218号公報Japanese Patent Application Publication No. 10-55218 特開2015-49569号公報Japanese Patent Application Publication No. 2015-49569

分流システムを用いる場合において特に、各分流ガスラインに設けられる開閉弁の特性、より具体的には、開閉弁を開放したときのガスの流れやすさ(コンダクタンス)が同等であることが求められている。開閉弁の特性が異なっていると、プロセスチャンバの各領域に流すガス量の比率の制御が正確に行えなくなるおそれがあるからである。なお、分流システム以外に組み込む場合であっても、バルブの特性が一定であることが好ましいことは言うまでもない。 In particular, when using a diversion system, it is required that the characteristics of the on-off valves provided in each diversion gas line, and more specifically, the ease of gas flow (conductance) when the on-off valves are opened, are the same. There is. This is because if the opening/closing valves have different characteristics, it may become impossible to accurately control the ratio of the amount of gas flowing into each region of the process chamber. It goes without saying that even when the valve is incorporated into a system other than a diversion system, it is preferable that the characteristics of the valve remain constant.

開閉弁におけるガスの流れやすさは、例えば、Cv値(Coefficient of flow)によって規定することができる。Cv値は、バルブにおける流体の流れやすさを示す一般的な指標であり、ガスのCv値は、典型的には下記の式で与えられる。
Cv=(Q/6900)×(Gg・T/(P1-P2)・P2)1/2
The ease of gas flow in the on-off valve can be defined, for example, by a Cv value (Coefficient of flow). The Cv value is a general index indicating the ease of fluid flow in a valve, and the Cv value of gas is typically given by the following formula.
Cv=(Q/6900)×(Gg・T/(P1-P2)・P2) 1/2

上記式において、Qは流量(sccm)、Ggは気体の比重、P1はバルブの一次側圧力(kPa abs)、P2はバルブの二次側圧力(kPa abs)、Tは温度(K)である。Cv値は、バルブの一次側圧力および二次側圧力が一定であるときの、バルブを流れるガスの流量に対応するものである。 In the above formula, Q is the flow rate (sccm), Gg is the specific gravity of the gas, P1 is the valve primary pressure (kPa abs), P2 is the valve secondary pressure (kPa abs), and T is the temperature (K). . The Cv value corresponds to the flow rate of gas flowing through the valve when the primary and secondary pressures of the valve are constant.

各分流ガスラインに設けられる開閉弁のCv値の調整は、例えば、弁機構(弁体およびこれを駆動する駆動装置)を機械的に調整することなどによってなされ得る。開放時の弁体の移動量(バルブリフト)を各開閉弁で同等になるように調整ができれば、弁開放時の各分流ガスラインにおける流れやすさを同等に設定することができる。 The Cv value of the on-off valve provided in each branch gas line can be adjusted, for example, by mechanically adjusting the valve mechanism (valve body and drive device that drives the valve body). If the amount of movement of the valve body (valve lift) when the valves are opened can be adjusted to be the same for each on-off valve, the ease of flow in each branch gas line when the valves are open can be set to be the same.

しかしながら、上記のような弁機構自体の調整によりCv値を一定にすることは困難を伴うことが多かった。例えば、駆動機構としてピエゾアクチュエータが用いられている場合、温度によってアクチュエータのストロークが異なるものになるので、使用状態によってCv値が変動してしまうことになる。また、弁座が樹脂製である場合、弁体と弁座とが当接離間を繰り返すことで開弁時の隙間が変わることでCv値が変動する。さらに、弁体や弁座の加工誤差などによって実際に組み立てられた弁機構に求められる調整の程度はまちまちであり、それぞれのバルブにおいてCv値を微妙に調整することは容易な作業ではなかった。 However, it is often difficult to maintain a constant Cv value by adjusting the valve mechanism itself as described above. For example, if a piezo actuator is used as the drive mechanism, the stroke of the actuator will vary depending on the temperature, so the Cv value will vary depending on the usage conditions. Furthermore, when the valve seat is made of resin, the Cv value fluctuates as the valve element and the valve seat repeatedly come into contact and separate, which changes the gap when the valve is opened. Furthermore, the degree of adjustment required for the actually assembled valve mechanism varies due to processing errors in the valve body and valve seat, and it is not an easy task to finely adjust the Cv value of each valve.

本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、開弁時の流体の流れやすさの調整を比較的簡単に行うことができ、個体差の低減を図ることできるバルブ装置およびこれを備えた分流システムを提供することをその主たる目的とする。 The present invention has been made in order to solve the above problems, and provides a valve device and a valve device that can relatively easily adjust the ease of fluid flow when the valve is opened and reduce individual differences. Its main purpose is to provide a diversion system with

本発明の実施形態によるバルブ装置は、流入口、流出口、および、前記流入口と前記流出口との間の流路が設けられた本体と、前記流入口と流出口との間の流路に介在する弁機構と、前記弁機構の上流側または下流側の流路に介在し、それぞれが流路部を有する複数の抵抗要素によって構成された抵抗体と、前記抵抗体を保持し、前記抵抗体を前記本体に固定するための固定具とを備え、前記複数の抵抗要素が、前記固定具に対して取り外し可能に保持されている。 A valve device according to an embodiment of the present invention includes a main body provided with an inlet, an outlet, and a flow path between the inlet and the outlet, and a flow path between the inlet and the outlet. a valve mechanism intervening in the valve mechanism; a resistor body constituted by a plurality of resistance elements each having a flow passage portion and intervening in a flow path on the upstream side or downstream side of the valve mechanism; a fixture for fixing a resistor to the main body, and the plurality of resistance elements are removably held by the fixture.

ある実施形態において、前記複数の抵抗要素のそれぞれは、前記流路部としての有底溝が表面に形成された環状プレートを含み、前記環状プレートを積層することによって前記抵抗体が構成されている。 In one embodiment, each of the plurality of resistance elements includes an annular plate on the surface of which a bottomed groove serving as the flow path is formed, and the resistor is configured by stacking the annular plates. .

ある実施形態において、前記固定具は、前記複数の環状プレートが共通に嵌められる軸部材を有し、前記軸部材には、前記環状プレートに形成された有底溝と位置合わせされる軸方向に延びる切欠き部が形成されている。 In one embodiment, the fixture includes a shaft member into which the plurality of annular plates are commonly fitted, and the shaft member includes an axial member that is aligned with a bottomed groove formed in the annular plate. An extending notch is formed.

ある実施形態において、前記本体の第1の側において前記弁機構が設けられ、前記第1の側と対向する前記第2の側において前記抵抗体を収容する収容空間が設けられ、前記固定具は前記第2の側から前記抵抗体を前記本体に対し固定している。 In one embodiment, the valve mechanism is provided on a first side of the main body, a housing space for accommodating the resistor is provided on the second side opposite to the first side, and the fixture is configured to The resistor is fixed to the main body from the second side.

ある実施形態において、前記収容空間は、前記弁機構に通じる流路よりも拡径された空間であり、前記抵抗体は前記収容空間の奥底面に当接するように配置されている。 In one embodiment, the accommodation space is a space whose diameter is larger than that of the flow path leading to the valve mechanism, and the resistor is arranged so as to be in contact with a bottom surface of the accommodation space.

ある実施形態において、前記抵抗体を前記奥底面に付勢する弾性部材をさらに備える。 In one embodiment, the device further includes an elastic member that urges the resistor toward the inner bottom surface.

ある実施形態において、前記弁機構を通過するCv値は、前記抵抗体を通過するCv値よりも大きい。 In some embodiments, the Cv value passing through the valve mechanism is greater than the Cv value passing through the resistor.

本発明の実施形態による分流システムは、ガス供給源と、前記ガス供給源に接続された共通ラインと、前記共通ラインに対して共通に接続された複数の分流ガスラインとを備える分流システムであって、前記複数の分流ガスラインのそれぞれにおいて、上記のいずれかのバルブ装置が設けられている。 A diversion system according to an embodiment of the present invention includes a gas supply source, a common line connected to the gas supply source, and a plurality of distribution gas lines commonly connected to the common line. Each of the plurality of branch gas lines is provided with one of the valve devices described above.

ある実施形態において、上記の分流システムは、前記バルブ装置の上流側の流体圧力を測定する圧力センサをさらに備える。 In some embodiments, the diversion system described above further includes a pressure sensor that measures fluid pressure upstream of the valve device.

本発明の実施形態に係るバルブ装置および分流システムによれば、比較的簡単にバルブ装置の特性のばらつきを改善することができ、所望の流量でガスを供給することができる。 According to the valve device and the flow dividing system according to the embodiments of the present invention, variations in the characteristics of the valve device can be improved relatively easily, and gas can be supplied at a desired flow rate.

本発明の実施形態の分流システムを示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a diversion system according to an embodiment of the present invention. ガスが供給されるプロセスチャンバを示す図である。FIG. 2 shows a process chamber to which gas is supplied. 本発明の実施形態のバルブ装置を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a valve device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態のバルブ装置が備える抵抗体および固定具の分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of a resistor and a fixture included in the valve device according to the embodiment of the present invention. 本発明の実施形態のバルブ装置が備える抵抗体および固定具の組み立て後の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a resistor and a fixture provided in the valve device according to the embodiment of the present invention after assembly. 本発明の実施形態のバルブ装置が備える抵抗体を構成する抵抗要素としての環状プレートを示す斜視図である。It is a perspective view showing an annular plate as a resistance element which constitutes a resistor with which a valve device of an embodiment of the present invention is provided.

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments.

図1は、本発明の実施形態によるバルブ装置10を備えた分流システム100を示す。分流システム100は、ガス供給源2と、ガス供給源2に接続されたガスボックス4と、ガスボックス4の下流側に設けられた共通ガスラインL1と、共通ガスラインL1から分岐し、共通ガスラインL1に対して共通接続された複数の分流ガスラインL2とを備えている。また、本実施形態において、共通ガスラインL1には、圧力センサ8が設けられている。ガス供給源2から供給されるガスは、原料ガス、エッチングガス、キャリアガス等、半導体製造プロセスで用いられる種々のガスであってよい。 FIG. 1 shows a flow diversion system 100 with a valve device 10 according to an embodiment of the invention. The diversion system 100 includes a gas supply source 2, a gas box 4 connected to the gas supply source 2, a common gas line L1 provided downstream of the gas box 4, and a common gas line L1 branched from the common gas line L1. A plurality of branch gas lines L2 are commonly connected to the line L1. Further, in this embodiment, a pressure sensor 8 is provided in the common gas line L1. The gas supplied from the gas supply source 2 may be various gases used in semiconductor manufacturing processes, such as source gas, etching gas, and carrier gas.

ガスボックス4は、例えば、ガス供給源2からの流路に介在する圧力式流量制御器を備えており、下流側の共通ガスラインL1を流れるガスの流量を所望の流量に制御することができる。なお、図1には、1つのガス供給源2と1つのガスボックス4とを示しているが、他の態様において、ガス種の異なる複数のガス供給源がガスボックス4に接続され、ガスボックス4内には各ガス供給源のための複数の流量制御器が設けられていてもよい。各流量制御器の下流側は図示しない合流ブロックを介して共通ガスラインL1に接続されていてよい。 The gas box 4 includes, for example, a pressure-type flow rate controller interposed in the flow path from the gas supply source 2, and can control the flow rate of gas flowing through the common gas line L1 on the downstream side to a desired flow rate. . Although FIG. 1 shows one gas supply source 2 and one gas box 4, in other embodiments, a plurality of gas supply sources of different gas types are connected to the gas box 4, and the gas box There may be multiple flow controllers within 4 for each gas source. The downstream side of each flow rate controller may be connected to the common gas line L1 via a merging block (not shown).

分流システム100において、分流ガスラインL2のそれぞれには、オンオフ弁として用いられる本実施形態のバルブ装置10が設けられている。各バルブ装置10は、弁機構30と、弁機構30の上流側に設けられた抵抗体20とを備えている。バルブ装置10は、典型的には、各分流ガスラインL2をガスが同等の流れやすさで流れるように調整されている。バルブ装置10の詳細な構成については後述する。 In the diversion system 100, each of the diversion gas lines L2 is provided with the valve device 10 of this embodiment used as an on-off valve. Each valve device 10 includes a valve mechanism 30 and a resistor 20 provided upstream of the valve mechanism 30. The valve device 10 is typically adjusted so that gas flows through each branch gas line L2 with equal ease of flow. The detailed configuration of the valve device 10 will be described later.

複数の分流ガスラインL2は、ガス供給対象であるプロセスチャンバ6に接続されている。図1に示す態様では、2本の分流ガスラインL2がバルブ装置10の下流側でラインAに共通接続され、4本の分流ガスラインL2がバルブ装置10の下流側でラインBに共通接続され、5本の分流ガスラインL2がバルブ装置10の下流側でラインCに接続されている。ラインA、B、Cは、それぞれ、プロセスチャンバ6の異なる場所に供給口を有している。 The plurality of branch gas lines L2 are connected to the process chamber 6 to which gas is supplied. In the embodiment shown in FIG. 1, two branch gas lines L2 are commonly connected to line A on the downstream side of the valve device 10, and four branch gas lines L2 are commonly connected to line B on the downstream side of the valve device 10. , five branch gas lines L2 are connected to the line C downstream of the valve device 10. Lines A, B, and C each have supply ports at different locations in the process chamber 6.

図2は、プロセスチャンバ6の内部の領域を示す図である。プロセスチャンバ6は、例えば、円柱状の処理空間を有しており、チャンバの中心から、同心状の、領域RA、領域RB、および、領域RCが設けられている。また、領域RA、RB、RCには、図1に示した各ラインA、B、Cが接続されており、領域RA、RB、RCのそれぞれにガス供給源2からのガスを流すことが可能である。なお、図1に示したプロセスチャンバ6は、図を簡単にするために、右側半分のみを示しており、左端部分がプロセスチャンバ6の中央に対応する。 FIG. 2 is a diagram showing an internal area of the process chamber 6. As shown in FIG. The process chamber 6 has, for example, a cylindrical processing space, and a region RA, a region RB, and a region RC are provided concentrically from the center of the chamber. In addition, the lines A, B, and C shown in FIG. 1 are connected to the areas RA, RB, and RC, and it is possible to flow gas from the gas supply source 2 to each of the areas RA, RB, and RC. It is. Note that, in order to simplify the drawing, only the right half of the process chamber 6 shown in FIG. 1 is shown, and the left end portion corresponds to the center of the process chamber 6.

チャンバ内、同心円状の部屋の下には、図示しないシャワープレートを介してウエハが置かれている。ウエハ上に均一に膜を生成するため、あるいは、適切なパターニングを行うために、各領域RA、RB、RCから吹き付けるガスの量が調整されることが好ましい。また、ウエハ上に生成する膜のパターン等に応じて、各領域から供給するガス量の比率は適宜選択されることが好ましい。 Inside the chamber, a wafer is placed under a concentric room via a shower plate (not shown). In order to uniformly form a film on the wafer or to perform appropriate patterning, it is preferable to adjust the amount of gas blown from each region RA, RB, and RC. Further, it is preferable that the ratio of the amount of gas supplied from each region is appropriately selected depending on the pattern of the film formed on the wafer.

再び図1を参照して、上記構成の分流システム100において、各分流ガスラインL2におけるバルブ装置10の開閉を制御することによって、種々の流量比パターン(1:1:1、1:2:1、1:3:1など)で、領域RA、RB、RCにガスを流すことができる。流量比パターンは、バルブ装置10が開放されている分流ガスラインL2の数によって決定される。 Referring again to FIG. 1, in the diverting system 100 having the above configuration, various flow ratio patterns (1:1:1, 1:2:1) can be created by controlling the opening and closing of the valve device 10 in each diverted gas line L2. , 1:3:1, etc.), the gas can be flowed into the regions RA, RB, and RC. The flow ratio pattern is determined by the number of branch gas lines L2 in which the valve device 10 is open.

各ラインA、B、Cにおいて開放する分流ガスラインL2の本数は、1分流ガスラインが開放されたラインAを基準として、適宜決定することができる。また、圧力センサ8の出力が規定値を超えたときには、ガスボックス4の下流側の圧力が高すぎると判断し、この場合のみ、ラインAにおいて複数の分流ガスライン(ここでは2本の分流ガスライン)を開放して圧力を下げるようにもよい。そして、このラインAにおいて2本の分流ガスラインが開放された状態を基準として、より低下した圧力で、他のラインB、Cにおける分流ガスラインの開放本数を決定するようにしてもよい。 The number of branch gas lines L2 to be opened in each line A, B, and C can be determined as appropriate based on line A in which one branch gas line is opened. In addition, when the output of the pressure sensor 8 exceeds the specified value, it is determined that the pressure on the downstream side of the gas box 4 is too high, and only in this case, multiple branch gas lines (here, two branch gas lines) are connected in line A. You may also open the line) to lower the pressure. Then, the number of opened branch gas lines in the other lines B and C may be determined based on the state in which the two branch gas lines in line A are opened, and with a lower pressure.

ただし、上記のような所望の種々の流量比パターンで、プロセスチャンバ内の各領域RA、RB、RCにガスを供給するためには、各分流ガスラインL2のガスの流れやすさが同等であることが好適である。これらの流れやすさが異なる場合、分流ガスラインの開放本数の比とは異なる流量比で各領域にガスが流れることになる。 However, in order to supply gas to each region RA, RB, and RC in the process chamber with the desired various flow rate ratio patterns as described above, the gas flowability of each branch gas line L2 must be the same. It is preferable that If these flow easinesses are different, the gas will flow to each region at a flow rate ratio that is different from the ratio of the number of open branch gas lines.

これに対して、各分流ガスラインL2に設けられたバルブ装置10は、弁機構30の上流側に設けられた抵抗体20を用いて弁開放時のガスの流れやすさが比較的容易な手法で調整可能できるように構成されている。したがって、所望の流量比でプロセスチャンバの各領域にガスを供給することが可能である。 On the other hand, the valve device 10 provided in each branch gas line L2 uses a resistor 20 provided on the upstream side of the valve mechanism 30 to facilitate gas flow when the valve is opened. It is configured to be adjustable. It is therefore possible to supply gas to each region of the process chamber at a desired flow rate ratio.

図3は、本実施形態のバルブ装置10の構成を示す。また、図4は、バルブ装置10が備える抵抗体20および固定具24の分解斜視図であり、図5は、抵抗体20および固定具24の組み立て後の斜視図であり、図6は、抵抗体20を構成する抵抗要素としての環状プレート22を示す斜視図である。 FIG. 3 shows the configuration of the valve device 10 of this embodiment. 4 is an exploded perspective view of the resistor 20 and fixture 24 included in the valve device 10, FIG. 5 is a perspective view of the resistor 20 and fixture 24 after assembly, and FIG. 2 is a perspective view showing an annular plate 22 as a resistance element constituting the body 20. FIG.

図3に示すように、バルブ装置10は、流入口14、流出口16、およびこれらの間の流路f1、f2、f3が設けられた本体12と、本体12の上面側(第1の側)12Uに設けられた弁機構30と、流入口14と弁機構30との間の流路f1、f3に設けられた抵抗体20とを備えている。 As shown in FIG. 3, the valve device 10 includes a main body 12 provided with an inlet 14, an outlet 16, and flow paths f1, f2, and f3 therebetween; ) 12U, and a resistor 20 provided in flow paths f1 and f3 between the inlet 14 and the valve mechanism 30.

抵抗体20は、本体12の下面側(第2の側)12Dに開口する収容空間12Aにおいて収容されており、収容空間12Aを閉じるようにして本体12に固定される固定具24を用いて、本体12の下面側から本体12に固定されている。本実施形態において、固定具24は周囲に形成されたネジ部24b(図4等参照)を用いて本体12に固定されているが、これに限られない。ただし、固定具24は、本体12に対して着脱可能な態様で本体12に固定されていることが好ましい。 The resistor 20 is housed in a housing space 12A that opens to the lower surface side (second side) 12D of the main body 12, and is fixed to the main body 12 using a fixture 24 that closes the housing space 12A. It is fixed to the main body 12 from the lower surface side of the main body 12. In the present embodiment, the fixture 24 is fixed to the main body 12 using a threaded portion 24b (see FIG. 4, etc.) formed around the fixture 24, but is not limited thereto. However, it is preferable that the fixture 24 is fixed to the main body 12 in a manner that it can be attached to and detached from the main body 12.

また、本体12に取り付けた固定具24を覆うようにして、本体12の下面側には外蓋18が図示しないネジなどを用いてガスケットリング28を介して取り付けられている。このようにガスケットリング28を介して外蓋18を取り付けることによって、収容空間12Aを外部に対して気密にシールすることができる。 Further, an outer cover 18 is attached to the lower surface side of the main body 12 via a gasket ring 28 using screws or the like (not shown) so as to cover the fixture 24 attached to the main body 12. By attaching the outer lid 18 through the gasket ring 28 in this manner, the housing space 12A can be airtightly sealed from the outside.

また、収容空間12Aは、弁機構30に通じる流路f3よりも拡径された空間として形成されており、抵抗体20は収容空間12Aの奥底面12Bに当接するように配置されている。この構成において、抵抗体20の最上面と収容空間12Aの奥底面12Bとの間はガスが流れないようになっている。また、図には示していないが、抵抗体20を奥底面に付勢する弾性部材を設けることによって、抵抗体20を奥底面12Bに押し付けて、ガスの流れをより効果的に遮断することができる。弾性部材としては、皿バネ等を用いることができる。 Further, the accommodation space 12A is formed as a space whose diameter is larger than that of the flow path f3 leading to the valve mechanism 30, and the resistor 20 is arranged so as to come into contact with the inner bottom surface 12B of the accommodation space 12A. In this configuration, gas does not flow between the top surface of the resistor 20 and the bottom surface 12B of the housing space 12A. Furthermore, although not shown in the figure, by providing an elastic member that urges the resistor 20 toward the inner bottom surface, it is possible to press the resistor 20 against the inner bottom surface 12B and more effectively block the gas flow. can. As the elastic member, a disc spring or the like can be used.

本体12は、例えば、SUS316Lなどの耐食性の高いステンレス鋼から形成され、流入口14を有する継手部、および、流出口16を有する継手部を含んでいてよい。流入口14と収容空間12Aとの間の流路f1、収容空間12Aと弁機構30の取付部との間の流路f2、弁機構30の取付部と流出口16との間の流路f3および収容空間12Aは、ドリルなどで穿孔することによって本体12の内部に形成することができる。 The main body 12 is made of highly corrosion-resistant stainless steel such as SUS316L, and may include a joint portion having an inlet 14 and a joint portion having an outlet 16. A flow path f1 between the inflow port 14 and the accommodation space 12A, a flow path f2 between the storage space 12A and the mounting portion of the valve mechanism 30, and a flow path f3 between the mounting portion of the valve mechanism 30 and the outflow port 16. The accommodation space 12A can be formed inside the main body 12 by drilling with a drill or the like.

また、本実施形態において、弁機構30は、ダイヤフラム弁体32と、本体12に設けられた環状の突出部によって形成される弁座34と、ダイヤフラム弁体32に接続された駆動機構36とを備えている。駆動機構36としては、例えば、ピエゾアクチュエータや、空気駆動式アクチュエータ等を用いることができる。駆動機構36は、ダイヤフラム弁体32を弁座34に押圧したり、ダイヤフラム弁体32を弁座34から離したりできる限り、種々のものを用い得る。また、ダイヤフラム弁体32は、例えば、ステンレス鋼製またはコバルトニッケル合金製の円形薄板(例えば厚さ15~100μm)であり、中央部が上方へ僅かに膨出した逆皿形に形成されていてよい。ダイヤフラム弁体32は、1枚のダイヤフラムから形成されていてもよいし、2~4枚のダイヤフラムの積層体から形成されていてもよい。 Further, in this embodiment, the valve mechanism 30 includes a diaphragm valve body 32, a valve seat 34 formed by an annular protrusion provided on the main body 12, and a drive mechanism 36 connected to the diaphragm valve body 32. We are prepared. As the drive mechanism 36, for example, a piezo actuator, an air-driven actuator, or the like can be used. Various drive mechanisms may be used as the drive mechanism 36 as long as they can press the diaphragm valve body 32 against the valve seat 34 or separate the diaphragm valve body 32 from the valve seat 34. The diaphragm valve body 32 is, for example, a circular thin plate (for example, 15 to 100 μm thick) made of stainless steel or cobalt-nickel alloy, and is formed into an inverted dish shape with a slightly bulged upward in the center. good. The diaphragm valve body 32 may be formed from a single diaphragm, or may be formed from a stack of 2 to 4 diaphragms.

弁機構30は、上記のようにダイヤフラム弁体32を用いたものに限られず、流路を開閉できる限り、べローズ弁やニードル弁等の種々の他の態様のものであってよい。ただし、分流ガスラインのそれぞれに設けられたバルブ装置10の弁機構30は、弁体が移動して開放状態となったときに所定の同じCv値を有するように設計されている(ただし、実際のCv値はわずかに異なっていてよい)ことが好ましい。 The valve mechanism 30 is not limited to one using the diaphragm valve body 32 as described above, but may be of various other types such as a bellows valve or a needle valve as long as it can open and close the flow path. However, the valve mechanism 30 of the valve device 10 provided in each of the branch gas lines is designed to have the same predetermined Cv value when the valve body moves and becomes open (however, in reality Preferably, the Cv values of the two may be slightly different.

次に、図4~図6を参照して、本実施形態で用いられる抵抗体20の詳細を説明する。抵抗体20は、流路部を有する複数の抵抗要素を用いて構成されており、ここでは、抵抗要素としての環状プレート22を積み重ねることによって構成されている。また、積層された環状プレート22は、その中央開口部22bが、固定具24に設けられた軸部材25に嵌められており、固定具24に対して取り外し可能に保持されている。環状プレート22および固定具24は、例えば、SUS316Lなどの耐食性の高いステンレス鋼から形成される。 Next, details of the resistor 20 used in this embodiment will be explained with reference to FIGS. 4 to 6. The resistor 20 is configured using a plurality of resistance elements each having a flow path, and here is configured by stacking annular plates 22 as resistance elements. Further, the stacked annular plate 22 has its center opening 22b fitted into a shaft member 25 provided on the fixture 24, and is removably held by the fixture 24. The annular plate 22 and the fixture 24 are made of highly corrosion-resistant stainless steel such as SUS316L, for example.

また、環状プレート22の表面には、流路部としての幅広の有底溝22aが形成されている。図示する態様では、4本の有底溝22aが周方向において均等に配置されているが、溝の本数やサイズ(溝幅および溝深さ)は、抵抗体20において求められる流れやすさに応じて複数パターンのものが用意され、適宜選択されてよい。環状プレート22の大きさは特に限定するものではないが、外径は、例えば12mm~20mmであり、内径は、例えば6mm~10mmであり、厚さは、例えば0.1mm~0.3mmである。環状プレート22は、公知の熱式流量計が備えるバイパスプレートと同様の構成を有していてもよい。 Furthermore, a wide bottomed groove 22a is formed on the surface of the annular plate 22 as a flow path section. In the illustrated embodiment, four bottomed grooves 22a are arranged evenly in the circumferential direction, but the number and size of the grooves (groove width and groove depth) depend on the ease of flow required in the resistor 20. A plurality of patterns are prepared and may be selected as appropriate. Although the size of the annular plate 22 is not particularly limited, the outer diameter is, for example, 12 mm to 20 mm, the inner diameter is, for example, 6 mm to 10 mm, and the thickness is, for example, 0.1 mm to 0.3 mm. . The annular plate 22 may have a similar configuration to a bypass plate included in a known thermal flowmeter.

ただし、環状プレート22の最上段に配置される環状プレート26には、溝が設けられていなくてよく、この環状プレート26は、その下の環状プレート22の有底溝22aを閉じるために設けられている。また、最上段の環状プレート26を本体12の収容空間12Aの奥底面12Bに付勢するための弾性部材(環状皿バネやコイルスプリングなど)を、積層された環状プレート22の途中に組み入れたり、最下段の環状プレート22の下側すなわち固定具24の段差面上に設けてもよい。ただし、一般的には、固定具24のネジ締め調整により、適切な押圧力で環状プレート26を奥底面12Bに押し付けるだけで十分である。 However, the annular plate 26 disposed at the top of the annular plates 22 does not need to be provided with a groove, and this annular plate 26 is provided to close the bottomed groove 22a of the annular plate 22 below. ing. In addition, an elastic member (such as an annular disc spring or a coil spring) for biasing the uppermost annular plate 26 toward the inner bottom surface 12B of the accommodation space 12A of the main body 12 may be incorporated in the middle of the stacked annular plates 22, It may be provided below the annular plate 22 at the lowest stage, that is, on the stepped surface of the fixture 24. However, generally, it is sufficient to press the annular plate 26 against the inner bottom surface 12B with an appropriate pressing force by adjusting the screws of the fixture 24.

以上の構成を有する複数の環状プレート22は、それぞれの有底溝22aが位置合わせされたうえで積層されている。そして、複数の環状プレート22が共通に嵌められる固定具24の軸部材25には、環状プレート22に形成された有底溝22aと位置合わせされる軸方向に延びる切欠き部25aが形成されている。切欠き部25aは、有底溝22aと同様に、周方向に均等に4つが設けられている。 The plurality of annular plates 22 having the above configuration are stacked with their respective bottomed grooves 22a aligned. A notch 25a extending in the axial direction and aligned with the bottomed groove 22a formed in the annular plate 22 is formed in the shaft member 25 of the fixture 24 into which the plurality of annular plates 22 are commonly fitted. There is. Similarly to the bottomed groove 22a, four notches 25a are provided evenly in the circumferential direction.

有底溝22aを通ったガスは、切欠き部25aを通って、弁機構30に通じる流路f3へと流れる。一方で、有底溝22aが設けられていない部分をガスは流れることができない。このため、抵抗体20を、有底溝22aの本数やサイズに応じた流れやすさを有する流れ制限器として用いることができる。 The gas that has passed through the bottomed groove 22a flows through the notch 25a to the flow path f3 that communicates with the valve mechanism 30. On the other hand, gas cannot flow through a portion where the bottomed groove 22a is not provided. Therefore, the resistor 20 can be used as a flow restrictor whose ease of flow depends on the number and size of the bottomed grooves 22a.

また、本実施形態では、環状プレート22の枚数を増やすことによって、ガスがより流れやすい抵抗体20が得られ、環状プレート22の枚数を減らすことによってガスがより流れにくい抵抗体20が得られる。したがって、抵抗体20を用いれば、弁機構30の上流側で、ガスの流れやすさ、あるいは、弁機構30の直前でのガスの圧力を調整することができる。これによって、抵抗体20および弁機構30を通過するガスの流れやすさ、すなわち、バルブ装置10の全体のCv値を調整することができる。 Furthermore, in this embodiment, by increasing the number of annular plates 22, a resistor 20 through which gas flows more easily can be obtained, and by decreasing the number of annular plates 22, a resistor 20 through which gas is more difficult to flow can be obtained. Therefore, by using the resistor 20, the ease of gas flow on the upstream side of the valve mechanism 30 or the pressure of the gas immediately before the valve mechanism 30 can be adjusted. This makes it possible to adjust the ease with which gas flows through the resistor 20 and the valve mechanism 30, that is, the overall Cv value of the valve device 10.

ここで、抵抗体20を用いてバルブ装置10の全体のCv値(バルブ装置10の一次側圧力と二次側圧力とそのときに流れるガスの流量に基づくCv値)を調整するためには、弁機構30のCv値(全開状態における弁機構30を通過するときのCv値)は、抵抗体20のCv値(抵抗体20を通過するときのCv値)よりも大きいことが求められる。これは、抵抗体20のCv値が弁機構30のCv値よりも大きいときには、抵抗体20のCv値の調整にかかわらず、弁機構30のCv値によってバルブ装置10におけるガスの流れやすさが決まってしまうからである。このため、抵抗体20のCv値調整、例えば、環状プレートの枚数調整は、抵抗体20のCv値が、弁機構30のCv値を超えない範囲内で行われることが好ましい。 Here, in order to adjust the overall Cv value of the valve device 10 (Cv value based on the primary side pressure and secondary side pressure of the valve device 10 and the flow rate of gas flowing at that time) using the resistor 20, The Cv value of the valve mechanism 30 (Cv value when passing through the valve mechanism 30 in a fully open state) is required to be larger than the Cv value of the resistor 20 (Cv value when passing through the resistor 20). This means that when the Cv value of the resistor 20 is larger than the Cv value of the valve mechanism 30, the ease of gas flow in the valve device 10 is determined by the Cv value of the valve mechanism 30, regardless of the adjustment of the Cv value of the resistor 20. This is because it is decided. Therefore, it is preferable that the Cv value of the resistor 20 is adjusted, for example, the number of annular plates is adjusted within a range where the Cv value of the resistor 20 does not exceed the Cv value of the valve mechanism 30.

なお、環状プレートの枚数は、求められる流れやすさや、上記の弁機構30のCv値を考慮して、適宜選択されてよいが、5枚以上であることが好ましく、10枚以上であることがより好ましい。枚数が多い場合、1枚の増減によって調整できるCv値の値を小さく設定することができるので、より精密に流れやすさを調整し得る。 Note that the number of annular plates may be selected as appropriate in consideration of the required flowability and the Cv value of the valve mechanism 30, but it is preferably 5 or more, and 10 or more. More preferred. When the number of sheets is large, the Cv value, which can be adjusted by increasing or decreasing one sheet, can be set to a small value, so the ease of flow can be adjusted more precisely.

このように、本実施形態では、制限器として複数の環状プレートの積層体を用いているが、環状プレートに設ける溝は、比較的形状精度高く形成することができる。一方、制限器としてサイズの異なるオリフィスプレートを用いることも考えられるが、オリフィス形成の加工精度を高くすることは困難な場合が多い。したがって、オリフィスプレートではなく、複数の環状プレートの積層体を用いることによって、より精度よくCv値調整を行うことが可能になる。 In this way, in this embodiment, a stack of a plurality of annular plates is used as the restrictor, and the grooves provided in the annular plates can be formed with relatively high precision in shape. On the other hand, it is conceivable to use orifice plates of different sizes as restrictors, but it is often difficult to increase the processing accuracy of orifice formation. Therefore, by using a stack of a plurality of annular plates instead of an orifice plate, it becomes possible to adjust the Cv value with higher accuracy.

以上、本発明の実施形態について説明したが、種々の改変が可能である。例えば、固定具は、上記のような軸部材を有さず、積層された環状プレート22の外周側を支持するように構成された複数の壁状の部材を有していてもよい。また、積層する環状プレート22は、必ずしも同様の流路部(溝)を有するもののみで構成されている必要はない。例えば、環状プレートに設ける溝の数を2本にすれば、溝の数が4本のプレートに比べてよりガスが流れにくくなる。したがって、これらの複数の種類のプレートを組み合わせることによって、より任意性高くCv値の調整を行うことが可能になる。 Although the embodiments of the present invention have been described above, various modifications are possible. For example, the fixture may not have the shaft member as described above, but may have a plurality of wall-like members configured to support the outer peripheral side of the stacked annular plates 22. Moreover, the annular plates 22 to be stacked do not necessarily need to be composed only of plates having similar flow path portions (grooves). For example, if the number of grooves provided in the annular plate is two, it will be more difficult for gas to flow than in a plate with four grooves. Therefore, by combining these multiple types of plates, it becomes possible to adjust the Cv value with greater flexibility.

また、抵抗体20は、流路部が設けられたプレートに加えて、流路部を有しないプレートを含むようにして構成されていてもよい。抵抗体20が流路部を有する複数の抵抗要素を含む限り、他の構成要素の有無にかかわらず、本明細書では、複数の抵抗要素によって構成された抵抗体と称することとする。 Further, the resistor 20 may be configured to include a plate without a flow path in addition to a plate provided with a flow path. As long as the resistor 20 includes a plurality of resistance elements having flow path portions, it will be referred to herein as a resistor constituted by a plurality of resistance elements, regardless of the presence or absence of other components.

また、バルブ装置は、ノーマルクローズ型であってもよいし、ノーマルオープン型であってもよい。また、バルブ装置は、オンオフ弁だけでなく、任意開度に調整可能なバルブにも適用し得る。 Further, the valve device may be of a normally closed type or a normally open type. Further, the valve device can be applied not only to an on-off valve but also to a valve whose opening degree can be adjusted arbitrarily.

さらに、上記には、弁機構の上流側に抵抗体を設ける態様を説明したが、弁機構の下流側に抵抗体を設けても構わない。図3に示す態様において、流出口16をガスの流入側に接続し、流入口14をガスの排出側に接続することによってこのような態様が実現できる。また、図3に示す態様では、弁座34の内側に配置された垂直の流路f3に抵抗体20が設けられているが、弁座34の外側の弁室に接続される流路の途中に収容空間および抵抗体を設けるようにしてもよい。 Furthermore, although the embodiment in which the resistor is provided on the upstream side of the valve mechanism has been described above, the resistor may be provided on the downstream side of the valve mechanism. In the embodiment shown in FIG. 3, such an embodiment can be realized by connecting the outflow port 16 to the gas inflow side and connecting the inflow port 14 to the gas discharge side. Further, in the embodiment shown in FIG. 3, the resistor 20 is provided in the vertical flow path f3 arranged inside the valve seat 34, but in the middle of the flow path connected to the valve chamber outside the valve seat 34. A housing space and a resistor may be provided in the housing.

本発明の実施形態にかかるバルブ装置および分流システムは、例えば、半導体製造装置におけるガス供給ラインにおいて好適に用いられる。 The valve device and the flow dividing system according to the embodiments of the present invention are suitably used, for example, in a gas supply line in semiconductor manufacturing equipment.

2 ガス供給源
4 ガスボックス
6 プロセスチャンバ
8 圧力センサ
10 バルブ装置
12 本体
12A 収容空間
12B 奥底面
14 流入口
16 流出口
18 外蓋
20 抵抗体
22 環状プレート
22a 有底溝(流路部)
22b 中央開口部
24 固定具
28 ガスケットリング
30 弁機構
32 ダイヤフラム弁体
34 弁座
36 駆動機構
100 分流システム
2 Gas supply source 4 Gas box 6 Process chamber 8 Pressure sensor 10 Valve device 12 Main body 12A Housing space 12B Bottom surface 14 Inlet 16 Outlet 18 Outer cover 20 Resistor 22 Annular plate 22a Bottomed groove (flow path)
22b Central opening 24 Fixture 28 Gasket ring 30 Valve mechanism 32 Diaphragm valve body 34 Valve seat 36 Drive mechanism 100 Diversion system

Claims (8)

流入口、流出口、および、前記流入口と前記流出口との間の流路が設けられた本体と、
前記流入口と流出口との間の流路に介在する弁機構と、
前記弁機構の上流側または下流側の流路に介在し、それぞれが流路部を有する複数の抵抗要素によって構成された抵抗体と、
前記抵抗体を保持し、前記抵抗体を前記本体に固定するための固定具と
を備え、
前記複数の抵抗要素、前記固定具に対して取り外し可能に保持されており、
前記複数の抵抗要素のそれぞれは、前記流路部としての有底溝が表面に形成された環状プレートを含み、前記環状プレートを積層することによって前記抵抗体が構成されている、バルブ装置。
a main body provided with an inlet, an outlet, and a flow path between the inlet and the outlet;
a valve mechanism interposed in the flow path between the inlet and the outlet;
a resistor that is interposed in a flow path on the upstream side or downstream side of the valve mechanism and is constituted by a plurality of resistance elements each having a flow path portion;
a fixture for holding the resistor and fixing the resistor to the main body,
the plurality of resistance elements are removably held with respect to the fixture ;
Each of the plurality of resistance elements includes an annular plate on the surface of which a bottomed groove serving as the flow path portion is formed, and the resistor is configured by stacking the annular plates.
前記固定具は、前記複数の環状プレートが共通に嵌められる軸部材を有し、前記軸部材には、前記環状プレートに形成された有底溝と位置合わせされる軸方向に延びる切欠き部が形成されている、請求項1に記載のバルブ装置。 The fixture has a shaft member into which the plurality of annular plates are commonly fitted, and the shaft member has an axially extending notch that is aligned with a bottomed groove formed in the annular plate. A valve device according to claim 1 , wherein the valve device is formed. 前記本体の第1の側において前記弁機構が設けられ、前記第1の側と対向する第2の側において前記抵抗体を収容する収容空間が設けられ、前記固定具は、前記第2の側から前記抵抗体を前記本体に対して固定している、請求項1または2に記載のバルブ装置。 The valve mechanism is provided on a first side of the main body, an accommodation space for accommodating the resistor is provided on a second side opposite to the first side, and the fixture is provided on the second side. 3. The valve device according to claim 1 , wherein the resistor is fixed to the main body. 前記収容空間は、前記弁機構に通じる流路よりも拡径された空間であり、前記抵抗体は前記収容空間の奥底面に当接するように配置されている、請求項3に記載のバルブ装置。 4. The valve device according to claim 3 , wherein the housing space is a space whose diameter is larger than that of a flow path leading to the valve mechanism, and the resistor is arranged so as to come into contact with a bottom surface of the housing space. . 前記抵抗体を前記奥底面に付勢する弾性部材をさらに備える、請求項4に記載のバルブ装置。 The valve device according to claim 4 , further comprising an elastic member that urges the resistor toward the inner bottom surface. 前記弁機構を通過するCv値は、前記抵抗体を通過するCv値よりも大きい、請求項1から5のいずれかに記載のバルブ装置。 6. The valve device according to claim 1 , wherein a Cv value passing through the valve mechanism is larger than a Cv value passing through the resistor. ガス供給源と、前記ガス供給源に接続された共通ガスラインと、前記共通ガスラインに対して共通に接続された複数の分流ガスラインとを備える分流システムであって、
前記複数の分流ガスラインのそれぞれにおいて、請求項1から6のいずれかに記載のバルブ装置が設けられている、分流システム。
A distribution system comprising a gas supply source, a common gas line connected to the gas supply source, and a plurality of distribution gas lines commonly connected to the common gas line, the system comprising:
A diversion system, wherein each of the plurality of diversion gas lines is provided with the valve device according to any one of claims 1 to 6 .
前記バルブ装置の上流側の流体圧力を測定する圧力センサをさらに備える、請求項7に記載の分流システム。
8. The flow diversion system of claim 7 , further comprising a pressure sensor that measures fluid pressure upstream of the valve device.
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