JP7339444B2 - 多重化回路、インターフェース回路システム、およびモバイル端末 - Google Patents

Description

本出願は、電子通信技術の分野に関し、詳細には、多重化回路、インターフェース回路システム、およびモバイル端末に関する。

電子製品のポータブル性能に対する要求が徐々に高まるにつれて、モバイルフォンなどのいくつかのモバイル端末に搭載され、外部デバイスに結合するために使用されるインターフェースは、相対的に高い互換性を有する必要がある。データケーブルがインターフェースに接続されたとき、モバイルフォンは、データケーブルおよびインターフェースを通して充電され得る。アナログヘッドセットがインターフェースに接続されたとき、モバイルフォンにおけるオーディオ信号がヘッドセットに送信され得る。音楽を聴きながら、モバイルフォンを充電するために、データケーブルとアナログヘッドセットの両方が１対２アダプタを使用することによって、モバイルフォンのインターフェースに結合され得る。しかしながら、ヘッドセットが通常通り使用されることができることを保証するために、ヘッドセットと充電器の両方が、１対２アダプタを使用することによって接続されたとき、モバイルフォンは、インターフェースに接続されたデバイスが、充電ではなくオーディオデータの送信のために主に使用されることを、自動的に識別する。したがって、モバイルフォンが独立して充電器に接続されることによって充電される場合と比較して、モバイルフォンが１対２アダプタを使用することによってヘッドセットと充電器の両方に接続されたときは、充電電流が大きく低減される。結果として、充電速度が著しく低下する。

本出願は、モバイル端末が独立して充電される場合と比較して、モバイル端末の充電中にヘッドセット機能が使用されたときは、充電電流が著しく低下するという問題を解決するための、多重化回路、インターフェース回路システム、およびモバイル端末を提供する。

上述の目的を達成するために、本出願においては、以下の技術的解決策が使用される。

本出願の実施形態の第１の態様は、第１のスイッチ回路と、第２のスイッチ回路と、第３のスイッチ回路と、絶縁回路とを含む、多重化回路を提供する。加えて、多重化回路は、第１の外部送信端と、第２の外部送信端と、右チャネル送信端と、左チャネル送信端と、第１の内部送信端と、第２の内部送信端と、第１のオン電圧端と、接地端と、第２のオン電圧端とを有する。第１のスイッチ回路は、第１の外部送信端と、右チャネル送信端と、第１のオン電圧端とに別々に結合され、第１のスイッチ回路は、第１のオン電圧端によって出力された第１のオン電圧を受け取り、右チャネル送信端によって提供された右チャネルオーディオ信号を、第１の外部送信端に送信するように構成される。第２のスイッチ回路は、第２の外部送信端と、左チャネル送信端と、第１のオン電圧端とに別々に結合され、第２のスイッチ回路は、第１のオン電圧を受け取り、左チャネル送信端によって提供された左チャネルオーディオ信号を、第２の外部送信端に送信するように構成される。絶縁回路は、第３のスイッチ回路と、第１のオン電圧端と、接地端と、第２のオン電圧端とに別々に結合され、絶縁回路は、第２のオン電圧端によって出力された第２のオン電圧は受け取られたが、第１のオン電圧端によって出力された第１のオン電圧は受け取られないとき、第２のオン電圧を第３のスイッチ回路に送信するように構成される。絶縁回路は、第１のオン電圧と第２のオン電圧が受け取られたとき、第３のスイッチ回路をプルダウンし、接地端を第２のオン電圧端から絶縁するようにさらに構成される。第３のスイッチ回路はさらに、第１の外部送信端と、第２の外部送信端と、第１の内部送信端と、第２の内部送信端とに別々に結合され、第３のスイッチ回路は、第２のオン電圧が受け取られたとき、第１の外部送信端を、第１の内部送信端に結合し、第２の外部送信端を、第２の内部送信端に結合するように構成される。第３のスイッチ回路は、絶縁回路のプルダウン効果の下において、第１の外部送信端を第１の内部送信端から切り離し、第２の外部送信端を第２の内部送信端から切り離すようにさらに構成される。

このように、１つの態様においては、本出願の実施形態において提供されるインターフェース回路システムを有するモバイル端末の充電中に、アナログヘッドセットが使用されるとき、第１のオン電圧端は、第１のオン電圧を、第１のスイッチ回路と、第２のスイッチ回路と、絶縁回路とに同時に提供する。この場合、第１のスイッチ回路と第２のスイッチ回路は共に、閉状態になり、右チャネル送信端によって提供された右チャネルオーディオ信号、および左チャネル送信端によって提供された左チャネルオーディオ信号は、それぞれ、第１のスイッチ回路、および第２のスイッチ回路を使用することによって、アナログヘッドセットへ送信される。加えて、第２のオン電圧端は、第２のオン電圧を、絶縁回路に提供し、絶縁回路は、第３のスイッチ回路が開状態になるように、第１のオン電圧および第２のオン電圧の影響の下において、第３のスイッチ回路をプルダウンする。したがって、第１の外部送信端は、第１の内部送信端から切り離されることができ、第２の外部送信端は、第２の内部送信端から切り離されることができる。この場合、ＳｏＣと、外部インターフェースのピンＤ＋およびピンＤ－は、フローティング状態になる。この場合、ＢＣ１．２充電プロトコルに従うと、ＳｏＣは、外部インターフェースに結合された充電器のカテゴリを検出することに失敗し、したがって、充電器が非標準充電器であると見なし得る。このように、ＳｏＣは、非標準充電モードにおける、５Ｖなどの充電電圧と、１．２Ａなどの充電電流とを、外部インターフェースのＶＢＵＳピンに提供するように、外部デバイスを制御し得る。したがって、アナログヘッドセットが充電中に使用されるとき、モバイル端末の充電速度は改善されることができる。別の態様においては、右チャネル送信端と左チャネル送信端とによって出力されるオーディオ信号は、正電圧と負電圧とを有する交流電流信号である。この場合、アナログヘッドセットが充電中に使用されるとき、第３のスイッチ回路は、絶縁回路のプルダウン効果の下において開状態になり、第１の外部送信端を第１の内部送信端から切り離し、第２の外部送信端を第２の内部送信端から切り離す。この場合、負電圧によって引き起こされる、充電変換チップおよびＳｏＣに対するダメージが回避されることができるように、オーディオ信号における負電圧は、相対的に弱い負電圧耐性能力を有する充電変換チップおよびＳｏＣに、第３のスイッチ回路を使用することによって、送信されない。さらに別の態様においては、アナログヘッドセットが充電中に使用されるとき、第３のスイッチ回路は、絶縁回路のプルダウン効果の下において開状態になり、ＳｏＣは、外部インターフェースのピンＤ＋およびピンＤ－から切り離される。したがって、ＳｏＣは、ピンＤ＋およびピンＤ－を使用することによって、オーディオ信号における負電圧をクランプしない。言い換えると、ＳｏＣは、オーディオ信号における負電圧を吸収し、それによって、オーディオ信号に対する影響を回避する。

任意選択で、絶縁回路は、絶縁トランジスタと、第１の抵抗器とを含む。絶縁トランジスタのゲートは第１のオン電圧端に結合され、絶縁トランジスタの第１の電極は第３のスイッチ回路に結合され、絶縁トランジスタの第２の電極は接地端に結合される。第１の抵抗器の第１端は絶縁トランジスタの第１の電極に結合され、第１の抵抗器の第２端は第２のオン電圧端に結合される。このように、アナログヘッドセットがモバイル端末の充電中に使用されるとき、第３のスイッチ回路が開状態になるように、第３のスイッチ回路をプルダウンするために、絶縁トランジスタはオンにされ得る。したがって、第１の外部送信端は第１の内部送信端から切り離されることができ、第２の外部送信端は第２の内部送信端から切り離されることができる。この場合、外部インターフェースのピンＤ＋およびピンＤ－はフローティング状態になり、それによって、充電速度を高める。加えて、第１の抵抗器は接地端が第２の電圧端をプルダウンすることを防止し、充電プロセスに影響を与えることを回避するために、第２の電圧端を第３のスイッチ回路から絶縁し得る。

任意選択で、第３のスイッチ回路は、第３のトランジスタと、第４のトランジスタとを含む。第３のトランジスタのゲートは絶縁トランジスタの第１の電極に結合され、第３のトランジスタの第１の電極は第１の内部送信端に結合され、第３のトランジスタの第２の電極は第１の外部送信端に結合される。第４のトランジスタのゲートは絶縁トランジスタの第１の電極に結合され、第４のトランジスタの第１の電極は第２の内部送信端に結合され、第４のトランジスタの第２の電極は第２の外部送信端に結合される。この場合、ユーザが充電またはデータ送信を実行したとき、第３のトランジスタがオンにされ、第１の外部送信端と第１の内部送信端との間に、信号経路が形成される。第４のトランジスタがオンにされ、第２の外部送信端と第２の内部送信端との間に、信号経路が形成される。

任意選択で、第３のスイッチ回路はさらに、右チャネル送信端と、左チャネル送信端とに結合される。第３のスイッチ回路は、第３のコンデンサと、第４のコンデンサとをさらに含む。第３のコンデンサの第１端は右チャネル送信端に結合され、第３のコンデンサの第２端は第３のトランジスタのゲートに結合される。この場合、右チャネル送信端上の右チャネルオーディオ信号は、第３のコンデンサを使用することによって第３のトランジスタのゲートに送信される。この場合、第１の外部送信端に送信された右チャネルオーディオ信号が、第３のトランジスタの第２の電極に印加されたとき、第３のトランジスタのゲートと第２の電極との間の電圧差はゼロであり、第３のトランジスタは、依然としてカットオフ状態にあって、オーディオ右チャネル信号における負電圧が、第１の内部送信端に結合された回路構造に送信されるような、第１の外部送信端と第１の内部送信端との間の信号経路を形成することを回避する。加えて、第４のコンデンサの第１端は左チャネル送信端に結合され、第４のコンデンサの第２端は第４のトランジスタのゲートに結合される。この場合、左チャネル送信端上の左チャネルオーディオ信号は、第４のコンデンサを使用することによって第４のトランジスタのゲートに送信される。この場合、第２の外部送信端に送信された左チャネルオーディオ信号が、第４のトランジスタの第２の電極に印加されたとき、第４のトランジスタのゲートと第２の電極との間の電圧差はゼロであり、第４のトランジスタは、依然としてカットオフ状態にあって、左チャネルオーディオ信号における負電圧が、第２の内部送信端に結合された回路構造に送信されるような、第２の外部送信端と第２の内部送信端との間の信号経路を形成することを回避する。

任意選択で、絶縁回路は、第２の抵抗器と、第３の抵抗器とをさらに含む。第２の抵抗器の第１端は第３のトランジスタのゲートに結合され、第２の抵抗器の第２端は絶縁トランジスタの第１の電極に結合される。このように、絶縁トランジスタが、直接的に、第３のトランジスタのゲートを接地端の電圧までプルダウンすること、および第３のトランジスタのゲートの電圧が、右チャネル送信端上の右チャネルオーディオ信号の変化に基づいて変化することができないことが、回避されることができるように、絶縁トランジスタの第１の電極は、第２の抵抗器を使用することによって第３のトランジスタのゲートから絶縁される。加えて、第３の抵抗器の第１端は第４のトランジスタのゲートに結合され、第３の抵抗器の第２端は絶縁トランジスタの第１の電極に結合される。このように、絶縁トランジスタが、直接的に、第４のトランジスタのゲートを接地端の電圧までプルダウンすること、および第４のトランジスタのゲートの電圧が、左チャネル送信端上の左チャネルオーディオ信号の変化に基づいて変化することができないことが、保証されることができるように、絶縁トランジスタの第１の電極は、第３の抵抗器を使用することによって第４のトランジスタのゲートから絶縁される。

任意選択で、第１の抵抗器の抵抗値は２０ｋΩから６０ｋΩまでの範囲である。この場合、第１の抵抗器の抵抗値が、２０ｋΩ未満であるとき、電力消費が、影響を受け、第１の抵抗器の絶縁効果は、明白でない。結果として、接地端が、充電変換チップのＲＥＧＮ端を容易にプルダウンし、充電変換チップによる、モバイル端末のバッテリの正常な充電が、影響を受ける。加えて、充電変換チップのＲＥＧＮ端によって提供される、第２のオン電圧は、第１の抵抗器および第２の抵抗器を通過した後にだけ、第３のトランジスタのゲートに送信されることができ、第１の抵抗器および第３の抵抗器を通過した後にだけ、第４のトランジスタのゲートに送信されることができる。したがって、第１の抵抗器の抵抗値が、６０ｋΩよりも大きいとき、信号経路のインピーダンスは相対的に大きく、トランジスタのオン時間が影響を受ける。結果として、トランジスタは、相対的に長い時間の後にだけ、オンされることができ、それが、データ通信失敗をもたらすことがある。このように、第１の抵抗器の抵抗値が、２０ｋΩから６０ｋΩまでの範囲にあり得るとき、トランジスタのオン時間が、保証されることができると同時に、電力消費は影響を受けず、第１の抵抗器のより良好な絶縁効果が、保証される。同様に、第２の抵抗器の抵抗値は２０ｋΩから６０ｋΩまでの範囲にあり、第３の抵抗器の抵抗値は２０ｋΩから６０ｋΩまでの範囲にある。

任意選択で、第３のスイッチ回路は、第１の磁気ビーズと、第２の磁気ビーズとをさらに含む。第１の磁気ビーズの第１端は第１のスイッチ回路に結合され、第１の磁気ビーズの第２端は第３のトランジスタの第２の電極に結合される。第１の外部送信端と第１の内部送信端との間に形成された信号経路上を送信される信号は高周波信号である。この場合、第１のトランジスタの寄生容量が、第３のトランジスタを通過する信号に影響を与えることを防止するために、第１のトランジスタの第１の電極が、第３のトランジスタの第２の電極から絶縁され得るように、第１の磁気ビーズは高抵抗状態になる。加えて、第１のトランジスタが、オンにされ、第３のトランジスタが、カットオフされたとき、第１のトランジスタを通過する信号は低周波信号である。この場合、第１のトランジスタと、第１の磁気ビーズとを使用することによって、右チャネル送信端上の右チャネルオーディオ信号が、第１の外部送信端に送信されることができるように、第１の磁気ビーズは低抵抗状態になる。加えて、第２の磁気ビーズの第１端は第２のスイッチ回路に結合され、第２の磁気ビーズの第２端は第４のトランジスタの第２の電極に結合される。第２の磁気ビーズの技術的効果も、同様に獲得されることができ、詳細がここで再び説明されることはない。

任意選択で、第３のスイッチ回路は、第３の磁気ビーズと、第４の磁気ビーズとをさらに含む。第３の磁気ビーズの第１端は第１のスイッチ回路に結合され、第３の磁気ビーズの第２端は第３のトランジスタのゲートに結合される。第３の磁気ビーズは、第１のトランジスタの第２の電極を、第３のトランジスタのゲートから絶縁し得、それによって、第１のトランジスタの寄生容量の、第１の外部送信端と第１の内部送信端との間に形成された信号経路上を送信する信号に対する、影響をさらに低減させる。加えて、第４の磁性ビーズの第１端は第２のスイッチ回路に結合され、第４の磁性ビーズの第２端は第４のトランジスタのゲートに結合される。第４の磁気ビーズの技術的効果も、同様に獲得されることができ、詳細がここで再び説明されることはない。

任意選択で、第１のスイッチ回路は、第１のトランジスタと、第１の定電圧制御回路とを含む。第１のトランジスタのゲートは第１のオン電圧端に結合され、第１のトランジスタの第１の電極は第１の外部送信端に結合され、第１のトランジスタの第２の電極は右チャネル送信端に結合される。第１のオン電圧端によって提供された、第１のオン電圧を受け取った後、右チャネル送信端が、第１のトランジスタを使用することによって、モバイルフォンにおける右チャネルオーディオ信号を、第１の外部送信端に送信することができるように、第１のトランジスタのゲートはオン状態になる。第１の定電圧制御回路は第１のトランジスタのゲートおよび第２の電極に結合され、第１のトランジスタのインピーダンスが変化する確率が、オーディオ信号送信プロセスにおいて、低減されることができるように、第１の定電圧制御回路は、右チャネルのオーディオ信号を、第１のトランジスタのゲートに送信するように構成される。加えて、第２のスイッチ回路は、第２のトランジスタと、第２の定電圧制御回路とを含む。第２のトランジスタのゲートは第１のオン電圧端に結合され、第２のトランジスタの第１の電極は第２の外部送信端に結合され、第２のトランジスタの第２の電極は左チャネル送信端に結合される。第１のオン電圧端によって提供された、第１のオン電圧を受け取った後、左チャネル送信端が、第２のトランジスタを使用することによって、モバイルフォンにおける左チャネルオーディオ信号を、第２の外部送信端に送信することができるように、第２のトランジスタのゲートはオン状態になる。第２の定電圧制御回路は第２のトランジスタのゲートおよび第２の電極に結合され、第２の定電圧制御回路は、左チャネルオーディオ信号を、第２のトランジスタのゲートに送信するように構成される。第２の定電圧制御回路の技術的効果は上記で説明されたものと同じであり、詳細がここで再び説明されることはない。

任意選択で、第１の定電圧制御回路は、第１のコンデンサを含む。第１のコンデンサの第１端は第１のトランジスタのゲートに結合され、第１のコンデンサの第２端は第１のトランジスタの第２の電極に結合される。右チャネル送信端上の右チャネルオーディオ信号が、第１のコンデンサを使用することによって、第１のトランジスタのゲートに送信されることができるように、第１のコンデンサは交流電流を通過させ、直流電流に抵抗する特性を有する。加えて、直流電圧の第１の電圧は、第１のコンデンサを使用することによって、右チャネル送信端に送信されることができない。第２の定電圧制御回路は第２のコンデンサを含む。第２のコンデンサの第１端は第２のトランジスタのゲートに結合され、第２のコンデンサの第２端は第２のトランジスタの第２の電極に結合される。第２のコンデンサの技術的効果は上記で説明されたものと同じであり、詳細がここで再び説明されることはない。

任意選択で、第１のスイッチ回路は第４の抵抗器をさらに含む。第４の抵抗器の第１端は第１のトランジスタのゲートに結合され、第４の抵抗器の第２端は第１のオン電圧端に結合される。第４の抵抗器は、第１のトランジスタのゲートに負荷される交流電流オーディオ信号を防止することができる。言い換えると、右チャネルオーディオ信号は第１のオン電圧端に結合された電源に送信され、それによって、電源に結合された他の回路構造に影響を与える。第２のスイッチ回路は第５の抵抗器をさらに含む。第５の抵抗器の第１端は第２のトランジスタのゲートに結合され、第５の抵抗器の第２端は第１のオン電圧端に結合される。第５の抵抗器の技術的効果は上記で説明されたものと同じであり、詳細がここで再び説明されることはない。

本出願の実施形態の第２の態様は、インターフェース回路システムを提供する。インターフェース回路システムは、外部デバイスに結合されるように構成された外部インターフェースと、充電変換チップと、オーディオ処理チップと、上記で説明されたいずれかの多重化回路とを含む。外部インターフェースはＴｙｐｅ－Ｃインターフェースである。外部インターフェースは、ピンＤ＋と、ピンＤ－と、ＶＢＵＳピンとを含む。加えて、多重化回路の第１の外部送信端はピンＤ＋に結合され、多重化回路の第２の外部送信端はピンＤ－に結合され、多重化回路の右チャネル送信端および左チャネル送信端はオーディオ処理チップに別々に結合される。オーディオ処理チップは、右チャネルオーディオ信号を、右チャネル送信端に提供し、左チャネルオーディオ信号を、左チャネル送信端に提供するように構成される。多重化回路の第２のオン電圧端はＶＢＵＳピンに結合される。充電変換チップは、ＶＢＵＳピンと、多重化回路の第１の内部送信端および第２の内部送信端とに別々に結合される。充電変換チップは、第１の内部送信端および第２の内部送信端の電圧に基づいて、ＶＢＵＳピンによって提供される充電電圧を調整するように構成される。インターフェース回路システムは、上述の実施形態において提供された多重化回路と同じ技術的効果を有し、詳細がここで再び説明されることはない。

任意選択で、インターフェース回路システムは、無線充電回路と、無線絶縁スイッチとをさらに含む。無線充電回路は充電変換チップに結合され、無線充電回路は、無線充電信号を受け取り、充電電圧を充電変換チップに提供するように構成される。無線絶縁スイッチは、充電変換チップと、ＶＢＵＳピンとに結合され、無線絶縁スイッチは、無線充電回路が無線充電信号を受け取ったとき、充電変換チップをＶＢＵＳピンから切り離すように構成される。このように、アナログヘッドセットは、モバイル端末が無線で充電されている間に、使用されることができる。

任意選択で、インターフェース回路システムは低ドロップアウトレギュレータをさらに含む。低ドロップアウトレギュレータの入力端はＶＢＵＳピンによって提供される充電電圧を受け取るように構成され、低ドロップアウトレギュレータの出力端は第２のオン電圧端に結合される。低ドロップアウトレギュレータは、ＶＢＵＳピンによって提供される充電電圧に対して電圧規制を実行し、充電電圧を第２のオン電圧端に提供するように構成される。このように、外部インターフェースのＶＢＵＳピンによって提供される電圧が、充電タイプに基づいて変化したとき、低ドロップアウトレギュレータは、安定した電圧を、第２のオン電圧端に提供し得る。

任意選択で、インターフェース回路システムはシステムオンチップをさらに含む。システムオンチップは、多重化回路の第１の内部送信端と、第２の内部送信端とに別々に結合される。システムオンチップは、第１の内部送信端および第２の内部送信端がフローティング状態にあるときに、モバイル端末が非標準充電器モードで充電されることができるように、充電プロトコルに従って、第１の内部送信端および第２の内部送信端の電圧に基づいて、外部インターフェースに接続された外部デバイスを識別するように構成される。

本出願の実施形態の第３の態様は、バッテリと、上記で説明されたいずれかのインターフェース回路システムとを含む、モバイル端末を提供する。インターフェース回路システム内の多重化回路の第１のオン電圧端はバッテリに結合される。バッテリは、第１のオン電圧を第１のオン電圧端に提供するように構成される。インターフェース回路システム内の充電変換チップはバッテリに結合される。充電変換チップは、インターフェース回路システム内の外部インターフェースのＶＢＵＳピンによって提供される充電電圧を変換し、充電電圧をバッテリに提供するように構成される。モバイル端末は、上述の実施形態において提供されたインターフェース回路システムと同じ技術的効果を有し、詳細がここで再び説明されることはない。

本出願のいくつかの実施形態によるインターフェース回路システムの概略構造図である。 図１に示される外部インターフェースの概略構造図である。 本出願のいくつかの実施形態による別のインターフェース回路システムの概略構造図である。 関連技術におけるインターフェース回路システムの概略構造図である。 本出願のいくつかの実施形態によるインターフェース回路システムにおいて、充電中にアナログヘッドセットを使用することの概略図である。 図５における第２のオン電圧端の配置方式の概略図である。 図５における第２のオン電圧端の別の配置方式の概略図である。 図５における第２のオン電圧端の別の配置方式の概略図である。 本出願のいくつかの実施形態による別のインターフェース回路システムにおいて、充電中にアナログヘッドセットを使用することの概略図である。 本出願のいくつかの実施形態によるインターフェース回路システムの具体的な概略構造図である。 図８ａにおける第１の定電圧制御回路の制御プロセスの概略図である。 本出願のいくつかの実施形態によるインターフェース回路システムの別の具体的な概略構造図である。 本出願のいくつかの実施形態によるインターフェース回路システムの別の具体的な概略構造図である。 本出願のいくつかの実施形態によるインターフェース回路システムの別の具体的な概略構造図である。

以下では、本出願の実施形態における添付図面を参照して、本出願の実施形態における技術的解決策について説明する。説明される実施形態が本出願の実施形態のすべてではなく、部分にすぎないことは、明らかである。

以下における「第１の」および「第２の」という用語は、説明のためのものにすぎず、示された技術的特徴の相対的な重要性の指示もしくは暗示、または数量の暗黙的な指示として理解されないものとする。したがって、「第１の」または「第２の」によって限定される特徴は、１つまたは複数の特徴を明示的または暗黙的に含み得る。本出願の説明においては、特段の言明がない限り、「複数の」は、２つ以上を意味する。

加えて、本出願においては、「上」、「下」、「左」、「右」などの方向用語は、添付の図面において概略的に配置されたコンポーネントの方向によって定義され得るが、これらに限定されない。これらの方向用語は、相対的な概念であり得、説明および明確化のために使用され、添付の図面におけるコンポーネントの方向の変化に基づいてしかるべく変化し得ることが、理解されるべきである。

本出願においては、明示的に特段の指摘および限定がない限り、「接続」という用語は、広義に理解されるべきである。例えば、「接続」は、固定的な接続、着脱可能な接続であり得、または統合され得、または直接的な接続、もしくは中間媒体を通した間接的な接続であり得る。加えて、「結合」という用語は、信号送信のための電気的接続を実施する方式であり得る。

本出願の実施形態は、モバイル端末を提供する。モバイル端末は、例えば、モバイルフォン、ディスプレイ、タブレットコンピュータ、もしくは車載デバイスなどの、表示インターフェースを有する製品、スマートウォッチ、もしくはスマートバンドなどの、インテリジェントディスプレイウェアラブル製品、または充電器およびヘッドセットに接続されることができる、別の電子デバイスであり得る。本出願のこの実施形態においては、モバイル端末の具体的な形態は、特に限定されない。

モバイル端末が、充電器、（３．５ｍｍヘッドセットインターフェースを有する）アナログヘッドセット、リムーバブル記憶デバイス、またはモバイル端末などの、外部デバイスに結合されることを可能にするために、モバイル端末は、図１に示されるインターフェース回路システム１０を含み得る。インターフェース回路システム１０は、外部デバイスを、モバイル端末の内部コンポーネントに電気的に接続するように構成される。インターフェース回路システム１０は、多重化回路１００と、外部インターフェース２００とを含む。

外部インターフェース２００は、Ｔｙｐｅ－Ｃインターフェースであり得る。外部インターフェース２００は、図２に示されるピンＣＣを含み得る。Ｔｙｐｅ－Ｃインターフェースに結合された外部デバイスのタイプは、ピンＣＣを使用することによって識別され得る。

本出願のいくつかの実施形態においては、ピンＣＣが、外部デバイスがアナログヘッドセットであることを識別したとき、モバイル端末におけるオーディオ信号が、外部デバイス、例えば、アナログヘッドセットに送信されるように、多重化回路１００においてオーディオを送信するために使用される信号経路は、閉じられる。

この場合、多重化回路１００において、オーディオ信号を送信するために使用される信号経路は、図１に示される、第１のスイッチ回路１０１と、第２のスイッチ回路１０２とを含み得る。加えて、多重化回路１００は、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰと、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮと、右チャネル送信端ＨＳＲと、左チャネル送信端ＨＳＬと、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１と、第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２とをさらに含む。

これに基づいて、インターフェース回路システム１０は、外部インターフェース２００と、オーディオ処理チップ３００、例えば、コーデック（ｃｏｄｅｃ）とをさらに含む。多重化回路１００の右チャネル送信端ＨＳＲおよび左チャネル送信端ＨＳＬは、オーディオ処理チップ３００に結合され得る。オーディオ処理チップ３００は、シリアル低電力チップ間メディアバス（ｓｅｒｉａｌ ｌｏｗ－ｐｏｗｅｒ ｉｎｔｅｒ－ｃｈｉｐ ｍｅｄｉａ ｂｕｓ、ＳＬＩＭ ｂｕｓ）と、集積回路間（ｉｎｔｅｒ－ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ、Ｉ^２Ｃ）バスとを使用することによって、システムオンチップ（ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ｃｈｉｐ、ＳｏＣ）５００に結合される。

外部インターフェース２００に接続された外部デバイスがアナログヘッドセットであるとき、アナログヘッドセットは、外部インターフェース２００のピンＤ＋およびピンＤ－に結合される。この場合、アナログヘッドセットがモバイル端末によって作られたサウンドを聞くことができるように、オーディオ処理チップ３００は、ＳｏＣ５００によって出力されたオーディオ信号をデコードし、右チャネルオーディオ信号を、右チャネル送信端ＨＳＲに提供し、左チャネルオーディオ信号を、左チャネル送信端ＨＳＬに提供する。

この場合、多重化回路１００における第１のスイッチ回路１０１は、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰと、右チャネル送信端ＨＳＲと、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１とに結合される。第１のスイッチ回路１０１は、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１によって出力された第１のオン電圧Ｖ１を受け取るように構成され、右チャネル送信端ＨＳＲによって提供された右チャネルオーディオ信号を、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰに送信するために、第１のオン電圧Ｖ１の制御下において、閉状態になる。

加えて、多重化回路１００における第２のスイッチ回路１０２は、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮと、左チャネル送信端ＨＳＬと、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１とに結合される。第２のスイッチ回路１０２は、第１のオン電圧Ｖ１を受け取るように構成され、左チャネル送信端ＨＳＬによって提供された左チャネルオーディオ信号を、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮに送信するために、第１のオン電圧Ｖ１の制御下において、閉状態になる。

これに基づいて、右チャネルオーディオ信号を、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰを通して、また左チャネルオーディオ信号を、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮを通して、外部デバイスとしてのアナログヘッドセットに送信するために、アナログヘッドセットは、インターフェース回路システム１０における外部インターフェース２００に挿入され得る。

例えば、外部インターフェース２００は、図２に示され、Ｔｙｐｅ－Ｃインターフェースプロトコルに基づいて規定される、ピンＤ＋と、ピンＤ－とをさらに含み得る。これに基づいて、多重化回路１００の第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰは、ピンＤ＋に結合され得、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮは、ピンＤ－に結合され得る。このように、アナログヘッドセットが外部インターフェース２００に接続された後、アナログヘッドセットは、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰによって送信された右チャネルオーディオ信号と、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮによって送信された左チャネルオーディオ信号とを受け取り得る。

加えて、アナログヘッドセットがＴｙｐｅ－Ｃインターフェースに結合されたとき、アナログヘッドセット上のマイクロフォン（Ｍｉｃｒｏｐｈｏｎｅ、ＭＩＣ）は、Ｔｙｐｅ－Ｃインターフェースにおける、図２に示されるＳＢＵ１ピンに結合され、アナログヘッドセット上の接地端は、Ｔｙｐｅ－Ｃインターフェースにおける、ＳＢＵ２ピンに結合される。アナログヘッドセット上のＭＩＣ端における信号は、図３に示されるオーディオ処理チップ３００に送信され、その後、オーディオ処理チップ３００によってエンコードされた後、ＳｏＣ５００に送信されることができる。

加えて、Ｔｙｐｅ－ＣインターフェースにおけるＳＢＵ１ピンおよびＳＢＵ２ピンは、それぞれ、Ｔｙｐｅ－ＣインターフェースのサイドＡおよびサイドＢ上に配置される。この場合、ヘッドセットが、（サイドＡに電気的に結合される）順方向挿入方式で、Ｔｙｐｅ－Ｃインターフェースに挿入されたとき、ヘッドセット上のＭＩＣ端は、ＳＢＵ１ピンに結合され、アナログ接地端ＡＧＮＤは、ＳＢＵ２ピンに結合され、ＭＩＣ端における信号は、オーディオ処理チップ３００に通常通り入力されることができる。

しかしながら、ヘッドセットが（サイドＢに電気的に結合される）逆方向挿入方式で、Ｔｙｐｅ－Ｃインターフェースに挿入されたとき、ヘッドセット上のＭＩＣ端は、ＳＢＵ２ピンに結合され、アナログ接地端ＡＧＮＤは、ＳＢＵ１ピンに結合され、ＭＩＣ端における信号は、オーディオ処理チップ３００に通常通り入力されることができない。したがって、インターフェース回路システムは、アナログ切り替えスイッチ６００をさらに含む。アナログ切り替えスイッチ６００は、ヘッドセットが順方向挿入方式にあるか、それとも逆方向挿入方式にあるかにかかわらず、ヘッドセット上のＭＩＣ端がＳＢＵ１ピンに結合され、接地端がＳＢＵ２ピンに結合されることが保証されることができるように、ＳＢＵ１ピンおよびＳＢＵ２ピンをヘッドセットに結合する方式を切り替えるために使用され得る。

本出願の他のいくつかの実施形態においては、ピンＣＣが、外部デバイスが、充電器、モバイルフォン、コンピュータ、またはリムーバブル記憶デバイスなどの、非ヘッドセットデバイスであることを識別したとき、多重化回路１００に存在し、充電電圧または外部データを送信するために使用される、信号経路は、充電電圧または外部データをモバイル端末の内部に送信するために、閉じられる。

この場合、多重化回路１００において、充電電圧または外部データを送信するために使用される信号経路は、図３に示される第３のスイッチ回路１０３を含み得る。加えて、多重化回路１００は、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１と、第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１とをさらに含む。

第３のスイッチ回路１０３はさらに、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰと、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮと、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１と、第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１とに結合される。第３のスイッチ回路１０３が閉状態になるとき、信号送信が、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰと第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１との間において、実施されることができるように、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰは、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１に結合され得る。加えて、信号送信が、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮと第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１との間において、実施されることができるように、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮは、第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１に結合され得る。

あるいは、第３のスイッチ回路１０３が開状態になるとき、信号送信が、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰと第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１との間において、実行されることができないように、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰは、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１から切り離され得る。加えて、信号送信が、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮと第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１との間において、実行されることができないように、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮは、第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１から切り離され得る。

本出願のいくつかの実施形態においては、外部インターフェース２００に接続された外部デバイスが、コンピュータ、またはリムーバブル記憶デバイス（例えば、ＵＳＢフラッシュドライブ、もしくはリムーバブルハードディスク）である場合、第３のスイッチ回路１０３が閉状態になるとき、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰおよび第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮによって、それぞれ、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１および第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１に送信される信号は、外部デバイスによって提供されたデータ信号であり得ることが留意されるべきである。図３に示されるように、インターフェース回路システム１０がＳｏＣ５００を含むとき、ＳｏＣ５００を使用することによってデータ信号を処理するために、外部デバイスによって提供されたデータ信号がＳｏＣ５００に送信されることができるように、ＳｏＣ５００は、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１と、第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１とに結合され得る。

あるいは、本出願の他のいくつかの実施形態においては、インターフェース回路システム１０は、図１に示される充電変換チップ４００をさらに含み得、外部インターフェース２００は、図２に示されるＶＢＵＳピンを有する。図１に示されるように、充電変換チップ４００は、ＶＢＵＳピンと、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１と、第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１とに結合される。

この場合、外部インターフェース２００に接続された外部デバイスが充電器である場合、第３のスイッチ回路１０３が閉状態になるとき、充電変換チップ４００は、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰおよび第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮによって、それぞれ、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１および第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１に送信された電圧信号を受け取り、充電器を制御して、ＶＢＵＳピンに充電電圧を提供するために、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１および第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１の電圧に基づいて、充電タイプを検出し得る。加えて、（例えば、電源電圧が９Ｖ、電源電流が２Ａである）急速充電、または（例えば、電源電圧が５Ｖ、電源電流が１．２Ａである）低速充電を実行するために、ＶＢＵＳピンの充電電圧が、充電変換チップ４００を使用することによって変換され、バッテリに提供されることができるように、充電変換チップ４００は、モバイル端末内部のバッテリにさらに結合され得る。

加えて、ＳｏＣ５００が第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１と、第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１とに結合され得るとき、ＳｏＣ５００は、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰおよび第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮによって、それぞれ、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１および第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１に送信された電圧を受け取り得、ＢＣ１．２充電プロトコルに従って、外部インターフェース２００に接続された外部デバイスのタイプが充電器であるか、それともパーソナルコンピュータ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅ、ＰＣ）であるかを検出する。

上述のことから、アナログヘッドセットが外部インターフェース２００に接続されたとき、右チャネル送信端ＨＳＲによって提供された右チャネルオーディオ信号、および左チャネル送信端ＨＳＬによって提供された左チャネルオーディオ信号が、それぞれ、第１のスイッチ回路１０１および第２のスイッチ回路１０２を使用することによってアナログヘッドセットに送信されることができるように、多重化回路１００における第１のスイッチ回路１０１および第２のスイッチ回路１０２は閉状態になることを理解することができる。加えて、充電器が外部インターフェース２００に接続されたとき、充電タイプを決定するために、充電変換チップ４００が第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰおよび第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮによって、それぞれ、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１および第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１に送信された電圧信号を受け取ることができるように、多重化回路１００における第３のスイッチ回路１０３は閉状態になる。したがって、外部インターフェース２００のＶＢＵＳピンによって提供される充電電圧および充電電流が制御される。

アナログヘッドセットが使用されながらモバイル端末を充電するために、外部インターフェース２００はさらに、図４に示される１対２アダプタ２０１に接続され得る。１対２アダプタ２０１は、第１の入力インターフェースＩＮ１と、第２の入力インターフェースＩＮ２と、出力インターフェースＯＰとを有する。第１の入力インターフェースＩＮ１は、充電器に結合されるために使用され、第２の入力インターフェースＩＮ２は、アナログヘッドセットに結合されるために使用され、出力インターフェースＯＰは、外部インターフェース２００に結合されるために使用される。この場合、アナログヘッドセットが使用されながらモバイル端末が充電されることができるように、充電器とアナログヘッドセットは共に、１対２アダプタ２０１を使用することによって外部インターフェース２００に結合されることができる。これに基づいて、関連技術においては、第１のスイッチ回路１０１、第２のスイッチ回路１０２、および第３のスイッチ回路１０３は、すべて、閉状態になる必要がある。この場合、第１のスイッチ回路１０１および第２のスイッチ回路１０２は、閉じられているので、外部インターフェース２００のピンＤ＋およびピンＤ－は、それぞれ、右チャネル送信端ＨＳＲおよび左チャネル送信端ＨＳＬに結合される。これに基づいて、第３のスイッチ回路１０３も、閉状態になるので、ＳｏＣ５００は、第３のスイッチ回路１０３を使用することによって外部インターフェース２００のピンＤ＋およびピンＤ－に結合され得る。この場合、オーディオ処理チップ３００は、出力デバイス内にあり、低インピーダンスの特性を有するので、ＳｏＣ５００は、右チャネル送信端ＨＳＲおよび左チャネル出力端ＨＳＬが、独立してプルダウンされたことを、ＢＣ１．２充電プロトコルに従って検出することができる。したがって、外部インターフェース２００に接続された外部デバイスは、ＰＣであると考えられる。この場合、ＳｏＣ５００は、外部デバイスとモバイル端末との間において、充電ではなく、データ送信が実行されると見なす。この場合、ＳｏＣ５００は、非常に小さい充電電流、例えば、５００ｍＡの充電電流を、外部インターフェース２００のＶＢＵＳピンに提供するように、外部デバイスを制御することができる。結果として、遅い充電速度という問題が引き起こされる。

本出願における上述の問題を解決するために、本出願のいくつかの実施形態においては、多重化回路１００は、図１、図３、または図５に示される絶縁回路１０４をさらに含み得る。絶縁回路１０４は、第３のスイッチ回路１０３と、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１と、接地端ＧＮＤと、第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２とに結合される。

絶縁回路１０４は、第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２によって出力された第２のオン電圧Ｖ２は受け取られたが、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１によって出力された第１のオン電圧Ｖ１は受け取られないとき、第２のオン電圧Ｖ２を受け取った第３のスイッチ回路１０３が閉状態になるように、第２のオン電圧Ｖ２を、第３のスイッチ回路１０３に送信するように構成される。この場合、第３のスイッチ回路１０３は、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰと第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１との間の信号送信を可能にし、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮと第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１との間の信号送信を可能にすることができる。

加えて、絶縁回路１０４は、第３のスイッチ回路１０３が開状態になるように、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１によって出力された第１のオン電圧Ｖ１、および第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２によって出力された第２のオン電圧Ｖ２が受け取られたとき、第３のスイッチ回路１０３をプルダウンするようにさらに構成される。したがって、信号送信が、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰと第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１との間において、実行されることができないように、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰは、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１から切り離されることができる。加えて、信号送信が、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮと第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１との間において、実行されることができないように、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮは、第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１から切り離され得る。

このように、一態様においては、本出願のこの実施形態において提供されるインターフェース回路システム１０を有する、モバイル端末の充電中に、アナログヘッドセットが使用されるとき、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１は、第１のオン電圧Ｖ１を、第１のスイッチ回路１０１と、第２のスイッチ回路１０２と、絶縁回路１０４とに提供する。この場合、第１のスイッチ回路１０１と、第２のスイッチ回路１０２は共に、閉状態になり、右チャネル送信端ＨＳＲによって提供される右チャネルオーディオ信号、および左チャネル送信端ＨＳＬによって提供される左チャネルオーディオ信号は、それぞれ、第１のスイッチ回路１０１および第２のスイッチ回路１０２を使用することによってアナログヘッドセットに送信される。

加えて、第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２は、第２のオン電圧Ｖ２を、絶縁回路１０４に提供し、絶縁回路１０４は、第３のスイッチ回路１０３が開状態になるように、第１のオン電圧Ｖ１および第２のオン電圧Ｖ２の影響の下において、第３のスイッチ回路１０３をプルダウンする。したがって、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰは、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１から切り離されることができ、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮは、第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１から切り離されることができる。

この場合、ＳｏＣ５００と、外部インターフェース２００のピンＤ＋およびピンＤ－は、フローティング状態になる。この場合、ＳｏＣ５００は、外部インターフェース２００に結合された充電器のカテゴリを、ＢＣ１．２充電プロトコルに従って、検出することに失敗することがある。したがって、充電器は、非標準充電器であると見なされる。このように、ＳｏＣ５００は、非標準充電モードにおいて、充電電圧（例えば、５Ｖ）、および充電電流（例えば、ＰＣモードにおける５００ｍＡよりも大きい１．２Ａ、）を、外部インターフェース２００のＶＢＵＳピンに提供するように、外部デバイスを制御することができる。したがって、アナログヘッドセットが充電中に使用されるとき、モバイル端末の充電速度は、改善される。

別の態様においては、右チャネル送信端ＨＳＲおよび左チャネル送信端ＨＳＬによって出力されるオーディオ信号は、正の電圧と負の電圧とを有する、交流電流信号である。この場合、アナログヘッドセットが充電中に使用されるとき、第３のスイッチ回路１０３は、絶縁回路１０４のプルダウン効果の下において、開状態になり、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰを第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１から切り離し、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮを第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１から切り離す。この場合、負電圧によって引き起こされる、充電変換チップ４００およびＳｏＣ５００に対するダメージが回避されることができるように、オーディオ信号における負電圧は、相対的に弱い負電圧耐性能力を有する、充電変換チップ４００およびＳｏＣ５００に、第３のスイッチ回路１０３を使用することによって送信されない。

さらに別の態様においては、アナログヘッドセットが充電中に使用されるとき、第３のスイッチ回路１０３は、絶縁回路１０４のプルダウン効果の下において、開状態になり、ＳｏＣ５００は、外部インターフェース２００のピンＤ＋およびピンＤ－から切り離される。したがって、ＳｏＣ５００は、ピンＤ＋とピンＤ－とを使用することによってオーディオ信号における負電圧をクランプしない。言い換えると、ＳｏＣ５００は、オーディオ信号内の負電圧を吸収し、それによって、オーディオ信号に対する影響を回避する。

以下では、例を使用することによって第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２を設定する方式について説明する。本出願のいくつかの実施形態においては、図６ａに示されるように、第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２は、外部インターフェース２００のＶＢＵＳピンに結合され得る。このように、充電器が外部インターフェース２００に接続された後、第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２が、第２のオン電圧Ｖ２を、絶縁回路１０４に提供することができるように、ＶＢＵＳピンは、充電電圧を、第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２に提供することができる。

あるいは、充電器は、モバイル端末に対する急速充電および低速充電を実行し得るので、外部インターフェース２００のＶＢＵＳピンによって提供される電圧は、相対的に大きく変動することがあり、相対的に大きいサージ問題が充電タイプの変化に基づいて発生することがある。外部インターフェース２００の生産ラインによって生成される、アイパターン品質を保証するために、本出願の他のいくつかの実施形態においては、インターフェース回路システム１０は、図６ｂに示される低ドロップアウトレギュレータ（Ｌｏｗ Ｄｒｏｐｏｕｔ Ｒｅｇｕｌａｔｏｒ、ＬＤＯ）７００をさらに含み得る。

ＬＤＯ７００の入力端は、ＶＢＵＳピンによって出力される充電電圧を受け取るために、外部インターフェース２００のＶＢＵＳピンに結合され得る。加えて、ＬＤＯ７００の出力端は、第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２に結合される。ＬＤＯ７００は、ＶＢＵＳピンによって提供される充電電圧に対して電圧規制を実行し、充電電圧を第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２に提供するように構成される。このように、外部インターフェース２００のＶＢＵＳピンによって提供される電圧が充電タイプに基づいて変化するとき、ＬＤＯ７００は、安定した電圧を、第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２に提供し得る。

あるいは、本出願の他のいくつかの実施形態においては、ＬＤＯ７００は、充電変換チップ４００に統合され得、ＬＤＯ７００による電圧規制後に獲得された電圧は、充電変換チップ４００内の、図６ｃに示されるＲＥＧＮピンを使用することによって第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２に提供される。このように、充電器が外部インターフェース２００に接続された後、ＶＢＵＳピンは、充電電圧を、充電変換チップ４００に提供し得る。電圧を変換した後、充電変換チップ４００は、電圧をモバイル端末内部のバッテリに提供し得、第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２が第２のオン電圧Ｖ２を絶縁回路１０４に提供することができるように、ＬＤＯ７００による電圧規制後、ＲＥＧＮピンを使用することによって電圧を第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２に提供し得る。

上述の説明から、第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２は、外部インターフェース２００のＶＢＵＳピンによって提供された電圧を、直接的に受け取り得、またはＶＢＵＳピンの電圧がＬＤＯ７００によって処理された後に獲得された電圧を、受け取り得ることを理解することができる。したがって、電気信号の送信を実施するための、第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２とＶＢＵＳピンとの間の結合が存在する。これに基づいて、絶縁回路１０４が、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１によって出力された第１のオン電圧Ｖ１と、第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２によって出力された第２のオン電圧Ｖ２とを受け取り、絶縁回路１０４が第３のスイッチ回路１０３をプルダウンしたとき、接地端ＧＮＤが第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２をプルダウンすること、およびＶＢＵＳピン上の電圧がプルダウンされることが保証されることができ、それによって、充電に影響を与えることを回避するように、絶縁回路１０４は、接地端ＧＮＤを第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２から絶縁するようにさらに構成される。

上述の解決策においては、外部インターフェース２００は、充電中にアナログヘッドセットを使用することを実施するために、１対２アダプタ２０１に結合される。本出願の他のいくつかの実施形態においては、図７に示されるように、外部インターフェース２００がヘッドセットアダプタ２０２に結合されたとき、充電中にアナログヘッドセットを使用することは、無線充電による解決策を使用することによって実施されることができる。

具体的には、インターフェース回路システム１０は、無線充電回路８００と、無線絶縁スイッチ９００とをさらに含む。無線充電回路８００は、充電変換チップ４００に結合される。アンテナが無線充電回路８００に配置され、アンテナは、無線充電クレードル（図に示されず）によって使用される、無線充電信号を受け取るように構成される。電磁誘導に基づいて、充電電流を発生させるように構成されたコンポーネントが無線充電回路８００内にさらに配置される。コンポーネントは電磁変換を実行し、無線充電を実施するために、充電電圧を充電変換チップ４００に提供し得る。

加えて、無線絶縁スイッチ９００は、充電変換チップ４００と、外部インターフェース２００のＶＢＵＳピンとに結合される。無線絶縁スイッチ９００は、無線充電回路８００内のアンテナが無線充電信号を受け取ったとき、充電変換チップ４００をＶＢＵＳピンから切り離すように構成される。これは、ＶＢＵＳピン上の電圧信号が無線充電に影響を与えることを防止する。

これに基づいて、無線充電による解決策については、アナログヘッドセットが充電中に使用されるとき、上述のことから、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰが第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１から切り離され得、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮが第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１から切り離され得るように、第３のスイッチ回路１０３は、開状態になり得ることを理解することができる。この場合、ＳｏＣ５００と、外部インターフェース２００のピンＤ＋およびピンＤ－は、フローティング状態になる。ＳｏＣ５００は、無線充電デバイスが非標準充電器であることを識別し、アナログヘッドセットが充電中に使用されるとき、モバイル端末の充電速度を改善するために、無線充電回路８００を使用することによって非標準充電モードにおける充電電圧、例えば、５Ｖと、充電電流、例えば、（ＰＣモードにおける５００ｍＡよりも大きい）１．２Ａとを、充電変換チップ４００に提供する。

加えて、第３のスイッチ回路１０３が開状態になり得るとき、負電圧によって引き起こされる、充電変換チップ４００およびＳｏＣ５００に対するダメージが回避されることができるように、オーディオ信号における負電圧は、相対的に弱い負電圧耐性能力を有する、充電変換チップ４００およびＳｏＣ５００に、第３のスイッチ回路を使用することによって送信されない。加えて、ＳｏＣ５００は、外部インターフェース２００のピンＤ＋およびピンＤ－から切り離される。したがって、オーディオ信号の品質が劣化する確率を低減させるために、ＳｏＣ５００は、ピンＤ＋およびピンＤ－を使用することによってオーディオ信号における負電圧をクランプしない。

以下では、例を使用することによって、多重化回路１００内の第１のスイッチ回路１０１、第２のスイッチ回路１０２、第３のスイッチ回路１０３、および絶縁回路１０４の具体的な構造について詳細に説明する。

図８ａに示されるように、第１のスイッチ回路は、第１のトランジスタＭ１を含む。第１のトランジスタＭ１のゲート（Ｇａｔｅ、Ｇ）は、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１に結合され、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１によって提供された第１のオン電圧Ｖ１を受け取り得る。第１のトランジスタＭ１の第１の電極（例えば、ドレーン（ｄｒａｉｎ、Ｄ））は、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰに結合され、第１のトランジスタＭ１の第２の電極（例えば、ソース（ｓｏｕｒｃｅ、Ｄ））は、右チャネル送信端ＨＳＲに結合される。

この場合、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１によって提供された第１のオン電圧Ｖ１を受け取った後、右チャネル送信端ＨＳＲが、第１のトランジスタＭ１を使用することによって、モバイルフォンにおける右チャネルオーディオ信号を、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰに送信することができるように、第１のトランジスタＭ１のゲートＧは、オン状態になる。

これに基づいて、オーディオ信号は、交流電流信号であるので、オーディオ信号は、変動する。言い換えると、第１のトランジスタＭ１の第２の電極（例えば、ソースＳ）に負荷される電圧は、変動する。オンにされるように第１のトランジスタＭ１を制御するために使用され、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１によって提供される、第１のオン電圧Ｖ１は、直流電圧、例えば、３Ｖである。このように、右チャネルのオーディオ信号が変動するにつれて、第１のトランジスタＭ１のゲートＧと第２の電極（例えば、ソースＳ）との間の電圧差Ｖｇｓは、第１のトランジスタＭ１のインピーダンスが変化し、それがさらに、オーディオの全高調波歪み－雑音（Ｔｏｔａｌ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ－Ｎｏｉｓｅ、ＴＨＤ－Ｎ）インジケータに影響を与えるように、変化する。

上述の問題を解決するために、図８Ａに示されるように、第１のスイッチ回路１０１は、第１の定電圧制御回路１１をさらに含む。

第１の定電圧制御回路１１は、第１のトランジスタＭ１のゲートＧおよび第２の電極（例えば、ソースＳ）に結合される。図８ｂに示されるように、第１の定電圧制御回路１１は、（図において正弦波によって表される）右チャネルオーディオ信号を、第１のトランジスタＭ１のゲートＧに負荷するように構成される。この場合、第１のトランジスタＭ１のゲートＧも、変動する右チャネルオーディオ信号を有する。このように、第１のトランジスタＭ１のインピーダンスが変化する確率が、オーディオ信号の送信プロセスにおいて低減されることができ、ＴＨＤ－Ｎインジケータが改善されることができるように、第１のトランジスタＭ１のゲートＧと第２の電極（例えばソースＳ）との間の電圧差（Ｖｇｓ＝Ｖ１＝３Ｖ）は、一定の直流電圧である。

本出願のいくつかの実施形態においては、第１の定電圧制御回路１１は、図８ｃに示される第１のコンデンサＣ１を含み得る。第１のコンデンサＣ１の一端は、第１のトランジスタＭ１のゲートＧに結合され、他端は、第１のトランジスタＭ１の第２の電極（例えば、ソースＳ）に結合される。この場合、第１のコンデンサＣ１の、交流電流を通過させ、直流電流に抵抗する特性を使用することによって、右チャネル送信端ＨＳＲ上の交流電流信号、すなわち、右チャネルオーディオ信号は、第１のトランジスタＭ１のゲートＧと第２の電極（例えばソースＳ）との間の電圧差ＶｇｓがＶ１に等しくなるように、第１のコンデンサＣ１を使用することによって第１のトランジスタＭ１のゲートＧに送信され得る。加えて、直流電圧の第１のオン電圧Ｖ１は、第１のコンデンサＣ１を使用することによって右チャネル送信端ＨＳＲに送信されることができない。

同様に、第２のスイッチ回路は、図８ａに示される第２のトランジスタＭ２を含む。第２のトランジスタＭ２のゲートＧは、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１に結合され、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１によって提供される第１のオン電圧Ｖ１を受け取り得る。第２のトランジスタＭ２の第１の電極（例えば、ドレーンＤ）は、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮに結合され、第２のトランジスタＭ２の第２の電極（例えば、ソースＳ）は、左チャネル送信端ＨＳＬに結合される。

この場合、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１によって提供された第１のオン電圧Ｖ１を受け取った後、左チャネル送信端ＨＳＬが第２のトランジスタＭ２を使用することによって、モバイルフォンにおける左チャネルオーディオ信号を、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮに送信することができるように、第２のトランジスタＭ２のゲートＧは、オン状態になる。

加えて、第２の定電圧制御回路１２は、第２のトランジスタＭ２のゲートＧおよび第２の電極（例えば、ソースＳ）に結合され、第２の定電圧制御回路１２は、左チャネルオーディオ信号ＨＳＬを、第２のトランジスタＭ２のゲートＧに送信するように構成される。同様に、本出願のいくつかの実施形態においては、第２の定電圧制御回路１２は、図８ｃに示される第２のコンデンサＣ２を含み得ることを理解することができる。

第２のコンデンサＣ２の一端は、第２のトランジスタＭ２のゲートＧに結合され、他端は、第２のトランジスタＭ２の第２の電極（例えば、ソースＳ）に結合される。この場合、第２のコンデンサＣ２の、交流電流を通過させ、直流電流に抵抗する特性を使用することによって、左チャネル送信端ＨＳＬ上の左チャネルオーディオ信号は、第２のトランジスタＭ２のゲートＧと第２の電極（例えばソースＳ）との間の電圧差ＶｇｓがＶ１に等しくなるように、第２のコンデンサＣ２を使用することによって、第２のトランジスタＭ２のゲートＧに送信され得る。加えて、直流電圧の第１の電圧Ｖ１は、第２のコンデンサＣ２を使用することによって、左チャネル送信端ＨＳＬに送信されることができない。

本出願のいくつかの実施形態においては、第１のコンデンサＣ１および第２のコンデンサＣ２の容量は、４μＦから１０μＦの範囲であり得る。コンデンサの容量が４μＦ未満であるとき、容量が相対的に小さいので、直流電圧に対するブロッキング効果は、相対的に貧弱である。結果として、右チャネル送信端ＨＳＲまたは左チャネル送信端ＨＳＬ上のオーディオ信号は、相対的に大きいノイズを有する。コンデンサの容量が１０μＦよりも大きいとき、コンデンサは、交流電流を通過させ、直流電流に抵抗する、良好な特性を有する。しかしながら、コンデンサは相対的に大きいサイズを有し、モバイルフォン上において、相対的に大きい配線スペースを占有する。

加えて、本出願の他のいくつかの実施形態においては、第１の定電圧制御回路１１は、第１のコンデンサＣ１に並列に接続された、インダクタをさらに含み得る。同様に、第２の定電圧制御回路１２も、第２のコンデンサＣ２に並列に接続された、インダクタをさらに含み得る。第１のトランジスタＭ１および第２のトランジスタＭ２のゲートＧ上におけるノイズは、インダクタのフィルタリング効果を使用することによって低減させることができる。

本出願のこの実施形態においては、第１のトランジスタＭ１および第２のトランジスタＭ２は、金属酸化膜半導体（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、ＭＯＳ）電界効果トランジスタ、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）、または三極管であり得ることが留意されるべきである。これは、本出願において限定されない。

本出願のこの実施形態においては、トランジスタの第１の電極は、ソースであり得、第２の電極は、ドレーンであり、または第１の電極は、ドレーンであり、第２の電極は、ソースである。説明を容易にするため、本出願の以下の実施形態においては、トランジスタがＮＭＯＳトランジスタ（ＮチャネルＭＯＳトランジスタ）であり、第１の電極がドレーンであり、第２の電極がソースである例が、説明のために使用される。

加えて、直流電源、例えば、モバイルフォンのバッテリは、モバイルフォン内に配置され得、第１のトランジスタＭ１および第２のトランジスタＭ２を制御してオンにさせることができる、第１のオン電圧Ｖ１を、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１に提供するように構成される。例えば、第１のトランジスタＭ１および第２のトランジスタＭ２は、Ｎチャネルトランジスタである。モバイルフォンのＴｙｐｅ－ＣインターフェースにおけるピンＣＣが、Ｔｙｐｅ－Ｃインターフェースに結合された外部デバイスがアナログヘッドセットであることを識別したとき、第１のトランジスタＭ１および第２のトランジスタＭ２は、それぞれ、第１のスイッチ回路１０１および第２のスイッチ回路１０２を有効にするために、オンにされることが必要である。この場合、モバイルフォン内の制御機能を有するチップ、例えば、ＳｏＣ５００は、Ｔｙｐｅ－ＣインターフェースにおけるピンＣＣが、Ｔｙｐｅ－Ｃインターフェースに結合された外部デバイスがアナログヘッドセットであることを識別したとき、ＳｏＣ５００が、バッテリによって第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１に提供される第１のオン電圧Ｖ１を、ハイレベルになるように、制御することができるように、Ｔｙｐｅ－Ｃインターフェースと、バッテリとに別々に結合され得る。本出願のいくつかの実施形態においては、バッテリが、安定した第１のオン電圧Ｖ１を、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１に提供することを可能にするために、ＬＤＯの電圧規制効果を通して、安定した第１のオン電圧Ｖ１を、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１に提供するように、ＬＤＯがバッテリと第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１との間に配置され得る。

加えて、第１のスイッチ回路１０１は、図８ｃに示される第４の抵抗器Ｒ４をさらに含む。第４の抵抗器Ｒ４の第１端は、第１のトランジスタＭ１のゲートＧに結合され、第２端は、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１に結合される。この場合、第４の抵抗器Ｒ４は、第１のトランジスタＭ１のゲートに負荷される交流電流オーディオ信号、すなわち、右チャネルオーディオ信号が第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１に結合された電源に送信されることを防止することができ、それによって、電源に結合された他の回路構造に影響を与えることを回避する。

同様に、図８ｃに示されるように、第２のスイッチ回路１０２は、第５の抵抗器Ｒ５をさらに含む。第５の抵抗器Ｒ５の第１端は、第２のトランジスタＭ２のゲートＧに結合され、第２端は、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１に結合される。第５の抵抗器Ｒ５の技術的効果は、第４の抵抗器Ｒ４のものと同じであり、詳細がここで再び説明されることはない。

加えて、図９ａに示されるように、絶縁回路１０４は、絶縁トランジスタＭ０を含む。絶縁トランジスタＭ０のゲートＧは、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１によって提供される第１のオン電圧Ｖ１を受け取るために、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１に結合される。絶縁トランジスタＭ０の第１の電極、例えば、ドレーンＤは、第３のスイッチ回路１０３に結合され、絶縁トランジスタＭ０の第２の電極、例えば、ソースＳは、接地端ＧＮＤに結合される。

第３のスイッチ回路１０３が、第３のトランジスタＭ３と、第４のトランジスタＭ４とを含むとき、第３のトランジスタＭ３のゲートＧは、絶縁トランジスタＭ０の第１の電極、例えば、ドレーンＤに結合される。第３のトランジスタＭ３の第１の電極、例えば、ドレーンＤは、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１に結合され、第３のトランジスタＭ３の第２の電極、例えば、ソースＳは、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰに結合される。第４のトランジスタＭ４のゲートは、絶縁トランジスタＭ０の第１の電極、例えば、ドレーンＤに結合される。第４のトランジスタＭ４の第１の電極、例えば、ドレーンＤは、第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１に結合され、第４のトランジスタＭ４の第２の電極、例えば、ソースＳは、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮに結合される。

加えて、絶縁回路１０４は、第１の抵抗器Ｒ１と、第２の抵抗器Ｒ２とをさらに含む。第１の抵抗器Ｒ１の第１端は、絶縁トランジスタＭ０の第１の電極、例えば、ドレーンＤに結合され、第１の抵抗器Ｒ１の第２端は、第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２に結合される。

第２の抵抗器Ｒ２の第１端は、第３のトランジスタＭ３のゲートＧに結合され、絶縁トランジスタＭ０の第１の電極、例えば、ドレーンＤが第２の抵抗器Ｒ２を使用することによって第３のトランジスタＭ３のゲートＧに結合されるように、第２の抵抗器Ｒ２の第２端は、絶縁トランジスタＭ０の第１の電極、例えば、ドレーンＤに結合される。

第３の抵抗器Ｒ３の第１端は、第４のトランジスタＭ４のゲートＧに結合され、絶縁トランジスタＭ０の第１の電極、例えば、ドレーンＤが第３の抵抗器Ｒ３を使用することによって第４のトランジスタＭ４のゲートＧに結合されるように、第３の抵抗器Ｒ３の第２端は、絶縁トランジスタＭ０の第１の電極、例えば、ドレーンＤに結合される。

以下では、図９ａに示されるインターフェース回路システムの具体的な動作プロセスについて詳細に説明する。

本出願のいくつかの実施形態においては、ユーザが独立してアナログヘッドセットを使用する場合、アナログヘッドセットが外部インターフェース２００（例えば、Ｔｙｐｅ－Ｃインターフェース）を使用することによって、モバイル端末、例えば、モバイルフォンに接続されたとき、モバイルフォンのＴｙｐｅ－ＣインターフェースにおけるピンＣＣが、Ｔｙｐｅ－Ｃインターフェースに結合された外部デバイスはアナログヘッドセットであることを識別する。この場合、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１は、第１のトランジスタＭ１と、第２のトランジスタＭ２と、絶縁トランジスタＭ０とをオンするために、第１のオン電圧Ｖ１を、第１のトランジスタＭ１のゲートＧと、第２のトランジスタＭ２のゲートＧと、絶縁トランジスタＭ０のゲートＧとに提供する。

この場合、右チャネル送信端ＨＳＲは、第１のトランジスタＭ１を使用することによって、モバイルフォンにおける右チャネルオーディオ信号を、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰに送信する。左チャネル送信端ＨＳＬは、アナログヘッドセットがモバイルフォンによって送られたオーディオ信号を聞くことができるように、第２のトランジスタＭ２を使用することによって、モバイルフォンにおける左チャネルオーディオ信号を、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮに送信する。

加えて、モバイルフォンは、充電されていないので、充電変換チップ４００のＲＥＧＮは、第２のオン電圧Ｖ２を、第３のトランジスタＭ３のゲートＧと、第４のトランジスタＭ４のゲートＧとに提供するための、第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２として機能しない。したがって、第３のトランジスタＭ３および第４のトランジスタＭ４は、カットオフ状態になる。

上述のことから、モバイルフォンがＴｙｐｅ－Ｃインターフェースを使用することによってアナログヘッドセットに結合されるとき、第３のトランジスタＭ３および第４のトランジスタＭ４はカットオフされ得、第１のトランジスタＭ１および第２のトランジスタＭ２はオンされることを理解することができる。この場合、右チャネル送信端ＨＳＲを通して、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰに送信される、右チャネルオーディオ信号の負電圧、および左チャネル送信端ＨＳＬを通して、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮに送信される、左チャネルオーディオ信号の負電圧が、それぞれ、第３のトランジスタＭ３および第４のトランジスタＭ４の第２の電極（例えば、ソースＳ）に印加され、これが、第３のトランジスタＭ３のゲートＧと第２の電極（例えば、ソースＳ）との間の電圧差と、第４のトランジスタＭ４のゲートＧと第２の電極（例えば、ソースＳ）との間に電圧差とを引き起こす。したがって、元はカットオフされていた第３のトランジスタＭ３および第４のトランジスタＭ４は、オンにされる。結果として、右チャネルオーディオ信号および左チャネルオーディオ信号における負電圧が、それぞれ、第３のトランジスタＭ３および第４のトランジスタＭ４を使用することによって第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１および第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１に出力され、ダメージが、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１および第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１に結合された、他の回路構造、例えば、充電変換チップ４００およびＳｏＣ５００に対して引き起こされる。

上述の問題を解決するために、図９ａに示されるように、第３のスイッチ回路１０３はさらに、右チャネル送信端ＨＳＲと、左チャネル送信端ＨＳＬとに結合される。この場合、第３のスイッチ回路１０３は、第３のコンデンサＣ３と、第４のコンデンサＣ４とをさらに含む。

第３のコンデンサＣ３の第１端は、右チャネル送信端ＨＳＲに結合され、第３のコンデンサＣ３の第２端は、第３のトランジスタＭ３のゲートＧに結合される。この場合、右チャネル送信端ＨＳＲ上の右チャネルオーディオ信号は、第３のコンデンサＣ３を使用することによって第３のトランジスタＭ３のゲートＧに送信される。この場合、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰに送信された右チャネルオーディオ信号が第３のトランジスタＭ３の第２の電極（例えば、ソースＳ）に印加されたとき、第３のトランジスタＭ３のゲートＧと第２の電極（例えば、ソースＳ）との間の電圧差Ｖｇｓは、０であり、第３のトランジスタＭ３は、右チャネルオーディオ信号における負の電圧が第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１に結合された回路構造に送信されるような、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰと第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１との間における信号経路を形成することを回避するために、依然として、カットオフ状態にある。

同様に、第４のコンデンサＣ４の第１端は、左チャネル送信端ＨＳＬに結合され、第４のコンデンサＣ４の第２端は、第４のトランジスタＭ４のゲートＧに結合される。この場合、左チャネル送信端ＨＳＬ上の左チャネルオーディオ信号は、第４のコンデンサＣ４を使用することによって第４のトランジスタＭ４のゲートＧに送信される。この場合、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮに送信された左チャネルオーディオ信号が第４のトランジスタＭ４の第２の電極、例えば、ソースＳに印加されたとき、第４のトランジスタＭ４のゲートＧと第２の電極、例えば、ソースＳとの間の電圧差Ｖｇｓは、０であり、第４のトランジスタＭ４は、左チャネルオーディオ信号における負の電圧が第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１に結合された回路構造に送信されるような、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮと第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１との間における信号経路を形成することを回避するために、依然としてカットオフ状態になる。

本出願の他のいくつかの実施形態においては、ユーザが独立して充電を実行する場合、充電器が外部インターフェース２００（例えば、Ｔｙｐｅ－Ｃインターフェース）を使用することによって、モバイル端末、例えば、モバイルフォンに接続されたとき、モバイルフォンのＴｙｐｅ－ＣインターフェースにおけるピンＣＣが、Ｔｙｐｅ－Ｃインターフェースに結合された外部デバイスは充電器であることを識別する。

この場合、充電変換チップ４００のＲＥＧＮ端は、第３のトランジスタＭ３と、第４のトランジスタＭ４とをオンにするために、第２のオン電圧Ｖ２を、第３のトランジスタＭ３のゲートと、第４のトランジスタＭ４のゲートとに提供するための、第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２として機能し得る。このように、充電変換チップ４００は、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１および第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１の電圧を使用することによって、充電タイプが急速充電であるか、それとも低速充電であるかを決定し得る。したがって、充電器によって充電変換チップ４００に提供される電圧は、充電変換チップ４００が充電器によって提供された電圧を変換した後、モバイル端末のバッテリに対して、急速充電または低速充電を実行することができるように、調整され得る。

加えて、アナログヘッドセットがＴｙｐｅ－Ｃインターフェースに結合されていないので、第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１は、第１のオン電圧Ｖ１を出力しない。したがって、第１のトランジスタＭ１、第２のトランジスタＭ２、および絶縁トランジスタＭ０は、すべて、カットオフ状態になる。

本出願の他のいくつかの実施形態においては、モバイルフォンが外部インターフェース２００（例えば、Ｔｙｐｅ－Ｃインターフェース）を使用することによってデータケーブルに結合されるとき、データケーブルは、外部データを、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰに送信し得、その後、第３のトランジスタＭ３は、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１を使用することによって、外部データを、ＳｏＣ５００に送信する。外部インターフェース２００に結合されたデータケーブルはさらに、外部データを、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮにさらに送信し、その後、第４のトランジスタＭ４は、第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１を使用することによって、外部データをＳｏＣ５００に送信する。したがって、ＳｏＣ５００は、データケーブルによって提供される外部データを処理することができる。

あるいは、ＳｏＣ５００はさらに、処理されたデータを、第３のトランジスタＭ３を使用することによって、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１を通して、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰに結合されたデータケーブルに送信することができる。加えて、第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１上の処理されたデータは、第４のトランジスタＭ４を使用することによって、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮに結合されたデータケーブルに送信される。したがって、モバイル端末におけるデータは、データケーブルに結合された外部デバイスに送信されることができる。

上記では、説明のために、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰと第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１との間の信号送信が、第３のトランジスタＭ３を使用することによって実施され、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮと第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１との間の信号送信が、第４のトランジスタＭ４を使用することによって実施される例を使用したことが、留意されるべきである。本出願の他のいくつかの実施形態においては、配線スペースおよび製品コストが許すときは、第３のトランジスタＭ３および第４のトランジスタＭ４に取って代わるために、ＮＭＯＳトランジスタと、ＰＭＯＳトランジスタとを含む統合スイッチが使用され得る。

これに基づいて、信号経路が第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰと第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１との間に形成されるとき、第１のトランジスタＭ１における寄生容量が、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰと第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１との間に形成された信号経路上において送信されるデータに影響を与えることを防止するために、図９ａに示されるように、第３のスイッチ回路１０３は、第１の磁気ビーズ（Ｂｅａｄ）Ｌ１をさらに含む。

第１の磁気ビーズＬ１の第１端は、第１のスイッチ回路１０１に、すなわち、第１のスイッチ回路１０１における第１のトランジスタＭ１の第１の電極、例えば、ドレーンＤに結合される。第１の磁気ビーズＬ１の第２端は、第３のトランジスタＭ３の第２の電極、例えば、ソースＳに結合される。

第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰと第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１との間に形成される信号経路上において送信される信号は、高周波信号であり、周波数は、ＧＨｚレベルに達することがあるので、第１のトランジスタＭ１の寄生容量が第３のトランジスタＭ３を通過する信号に影響を与えることを防止するために、第１のトランジスタＭ１のドレーンＤが第３のトランジスタＭ３のソースＳから絶縁され得るように、第１の磁気ビーズＬ１は、高抵抗状態になる。

加えて、第１のトランジスタＭ１がオンにされ、第３のトランジスタＭ３がカットオフされたとき、第１のトランジスタＭ１を通過する信号は、低周波信号であり、周波数は、ｋＨｚレベルであるので、第１のトランジスタＭ１および第１の磁気ビーズＬ１を使用することによって、右チャネル送信端ＨＳＲ上の右チャネルオーディオ信号が第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰに送信されることができるように、第１の磁気ビーズＬ１は、低抵抗状態になる。

加えて、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰと第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１との間に形成される信号経路上において送信される信号に対する、第１のトランジスタＭ１の寄生容量の影響をさらに低減するように、第１のトランジスタＭ１の第２の電極、例えば、ソースＳを、第３のトランジスタＭ３のゲートから絶縁するために、第３のスイッチ回路１０３は、図９ａに示される第３の磁気ビーズＬ３をさらに含み得る。第３の磁気ビーズＬ３の第１端は、第１のスイッチ回路１０１に、すなわち、第１のスイッチ回路１０１における第１のトランジスタＭ１のソースＳに結合され、第３の磁気ビーズＬ３の第２端は、第３のトランジスタＭ３のゲートＧに結合される。

同様に、信号経路が第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮと第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１との間に形成されるとき、第２のトランジスタＭ２内の寄生容量が第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮと第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１との間に形成された信号経路上において送信されるデータに影響を与えることを防止するために、図９ａに示されるように、第３のスイッチ回路１０１は、第２の磁気ビーズＬ２をさらに含む。

第２の磁気ビーズＬ２の第１端は、第２のスイッチ回路１０２に、すなわち、第２のスイッチ回路１０２における第２のトランジスタＭ２の第１の電極、例えば、ドレーンＤに結合され、第２の磁気ビーズＬ２の第２端は、第４のトランジスタＭ４の第２の電極、例えば、ソースＳに結合される。

同様に、信号経路が第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮと第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１との間に形成されるとき、第２のトランジスタＭ２の寄生容量が第４のトランジスタＭ４を通過する信号に影響を与えることを防止するために、第２のトランジスタＭ２のドレーンＤが第４のトランジスタＭ４のソースＳから絶縁され得るように、第２の磁気ビーズＬ２は、高抵抗状態になることを理解することができる。加えて、第２のトランジスタＭ２がオンにされ、第４のトランジスタＭ４がカットオフされるとき、右チャネル送信端ＨＳＲ上の右チャネルオーディオ信号は、第２のトランジスタＭ２と第２の磁気ビーズＬ２とを使用することによって第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮに送信されることができる。

加えて、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮと第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１との間に形成される信号経路上において送信される信号に対する、第２のトランジスタＭ２の寄生容量の影響をさらに低減するように、第２のトランジスタＭ２の第２の電極、例えば、ソースＳを、第４のトランジスタＭ４のゲートから絶縁するために、第３のスイッチ回路１０３は、図９ａに示される第４の磁気ビーズＬ４をさらに含み得る。第４の磁気ビーズＬ４の第１端は、第２のスイッチ回路１０２に、すなわち、第２のスイッチ回路１０２における第２のトランジスタＭ２の第２の電極（例えば、ソースＳ）に結合され、第４の磁気ビーズＬ４の第２端は、第４のトランジスタＭ４のゲートＧに結合される。

結論として、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰと第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１との間の信号経路上、および第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮと第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１との間の信号経路上におけるデータ送信に対する、第１のトランジスタＭ１および第２のトランジスタＭ２の寄生容量の影響を低減するために、第１の磁気ビーズＬ１と、第２の磁気ビーズＬ２と、第３の磁気ビーズＬ３と、第４の磁気ビーズＬ４は、デイジチェーン配置方式を形成し、それによって、ＵＳＢのアイパターン品質を改善する。

本出願の他のいくつかの実施形態においては、アナログヘッドセットが充電中に使用されるとき、図４に示される１対２アダプタ２０１が、さらに外部インターフェース２００（例えば、Ｔｙｐｅ－Ｃインターフェース）に接続され得る。１対２アダプタ２０１は、充電器とアナログヘッドセットの両方に結合され得る。あるいは、無線充電が実行されるとき、アナログヘッドセットは、共通アダプタを使用することによって外部インターフェース２００に接続され得る。したがって、アナログヘッドセットが使用されながら、モバイル端末が充電されることができる。

この場合、モバイルフォンにおけるオーディオ信号を、アナログヘッドセットに送信するために、図９ａにおける第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１は、第１のオン電圧Ｖ１を出力する。この場合、第１のトランジスタＭ１は、オンされ、右チャネル送信端ＨＳＲは、第１のトランジスタＭ１を使用することによって、モバイルフォンにおける右チャネルオーディオ信号を、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰに送信する。左チャネル送信端ＨＳＬは、第２のトランジスタＭ２を使用することによって、モバイルフォンにおける左チャネルオーディオ信号を、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮに送信する。

加えて、モバイルフォンは、充電動作を実行するので、充電変換チップ４００のＲＥＧＮ端は、第２のオン電圧ＶＯＵＴ２を出力するための、第２のオン電圧端ＶＯＵＴ２として、使用されることができる。この場合、第２のオン電圧ＶＯＵＴ２を受け取った後、第３のトランジスタＭ３のゲートＧおよび第４のトランジスタＭ４のゲートＧがオン状態になることを回避するために、ＳｏＣ５００は、ＢＣ１．２充電プロトコルに従って、外部インターフェース２００に接続された外部デバイスは、ＰＣであると見なす。したがって、外部デバイスが非常に小さい充電電流、例えば、５００ｍＡの充電電流を、外部インターフェース２００のＶＢＵＳピンに提供する現象は、制御される。第１のオン電圧端ＶＯＵＴ１によって出力された第１のオン電圧Ｖ１を受け取ったとき、絶縁トランジスタＭ０のゲートＧは、オン状態になる。

この場合、第３のトランジスタＭ３および第４のトランジスタＭ４がカットオフ状態になるように、絶縁トランジスタＭ０は、接地端ＧＮＤを使用することによって、第３のトランジスタＭ３のゲートと、第４のトランジスタＭ４のゲートとをプルダウンし得る。したがって、第１の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＰは、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１から切り離され、第２の外部送信端ＵＳＢ＿ＤＮは、第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１から切り離される。このように、ＳｏＣ５００は、ＢＣ１．２充電プロトコルに従って、第１の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＰ＿１および第２の内部送信端ＵＳＢ＿ＤＮ＿１がフローティング状態にあることを検出する。この場合、ＳｏＣ５００は、外部インターフェース２００（例えば、Ｔｙｐｅ－Ｃインターフェース）に接続された、充電器または無線充電デバイスは、非標準充電器であると見なす。このように、ＳｏＣ５００は、非標準充電モードにおける充電電圧、例えば、５Ｖ、および充電電流、例えば、（ＰＣモードにおける５００ｍＡよりも大きい）１．２Ａを、外部インターフェース２００のＶＢＵＳピンに提供するように、外部デバイスを制御し得る。したがって、アナログヘッドセットが充電中に使用されるとき、モバイル端末の充電速度が改善する。

上述のことから、本出願においては、絶縁トランジスタＭ０が第３のスイッチ回路１０３をプルダウンすることは、第３のトランジスタＭ３および第４のトランジスタＭ４がカットオフ状態になるまで、第３のトランジスタＭ３および第４のトランジスタＭ４のゲートの電圧が低減されるように、絶縁トランジスタＭ０が接地端ＧＮＤを使用することによって、第３のスイッチ回路１０３における第３のトランジスタＭ３および第４のトランジスタＭ４のゲートの電圧をプルダウンすることを意味することを理解することができる。本出願のいくつかの実施形態においては、接地端ＧＮＤは、モバイル端末におけるＰＣＢ上に配置された基準接地に結合され得る。

これに基づいて、アナログヘッドセットが充電中に使用されるとき、絶縁トランジスタＭ０は、オンされるので、図９ｂにおけるノードａの電圧は、接地端ＧＮＤの電圧にプルダウンされる。この場合、接地端ＧＮＤが充電変換チップ４００の（第２の電圧端ＶＯＵＴ２としての）ＲＥＧＮ端をプルダウンすることが回避されることができるように、ノードａは、第１の抵抗器Ｒ１を使用することによって第２の電圧端ＶＯＵＴ２から絶縁され得る。したがって、充電変換チップ４００は、モバイル端末のバッテリを通常通り充電することができる。

加えて、絶縁トランジスタＭ０がオンにされたとき、絶縁トランジスタＭ０の第１の電極（例えば、ドレーンＤ）は、第２の抵抗器Ｒ２を使用することによって第３のトランジスタＭ３のゲートＧから絶縁されるので、絶縁トランジスタＭ０が直接的に第３のトランジスタＭ３のゲートＧを接地端ＧＮＤの電圧までプルダウンすること、および第３のトランジスタＭ３のゲートＧの電圧が右チャネル送信端ＨＳＲ上の右チャネルオーディオ信号の変化に基づいて変化することができないことが回避されることができる。

同様に、絶縁トランジスタＭ０の第１の電極（例えば、ドレーンＤ）は、第３の抵抗器Ｒ３を使用することによって第４のトランジスタＭ４のゲートＧから絶縁され、絶縁トランジスタＭ０が直接的に第４のトランジスタＭ４のゲートＧを接地端ＧＮＤの電圧までプルダウンすること、および第４のトランジスタＭ４のゲートＧの電圧が左チャネル送信端ＨＳＬ上の左チャネルオーディオ信号の変化に基づいて変化することができないことが回避されることができる。

本出願のいくつかの実施形態においては、第１の抵抗器Ｒ１の抵抗値は、２０ｋΩから６０ｋΩの範囲であり得る。第１の抵抗器Ｒ１の抵抗値が２０ｋΩ未満であるとき、電力消費が影響を受け、第１の抵抗器Ｒ１の絶縁効果は、明白でない。結果として、接地端ＧＮＤが充電変換チップ４００のＲＥＧＮ端を容易にプルダウンし、充電変換チップ４００によるモバイル端末のバッテリの通常通りの充電が影響を受ける。

加えて、充電変換チップ４００のＲＥＧＮ端によって提供される第２のオン電圧Ｖ２は、第１の抵抗器Ｒ１および第２の抵抗器Ｒ２を通過した後にだけ、第３のトランジスタＭ３のゲートＧに送信されること、ならびに第１の抵抗器Ｒ１および第３の抵抗器Ｒ３を通過した後にだけ、第４のトランジスタＭ４のゲートＧに送信されることができる。したがって、第１の抵抗器Ｒ１の抵抗値が６０ｋΩよりも大きいとき、信号経路のインピーダンスは、相対的に大きく、トランジスタのオン時間が影響を受ける。結果として、トランジスタは、オンにされるために、相対的に長い時間を必要とし、それがデータ通信失敗をもたらすことがある。

このように、第１の抵抗器Ｒ１の抵抗値が２０ｋΩから６０ｋΩの範囲であり得るとき、電力消費は、影響を受けず、第１の抵抗器Ｒ１のより良い絶縁効果が保証されることができ、トランジスタのオン時間が保証されることができる。例えば、第１の抵抗器Ｒ１の抵抗値は、２０ｋΩ、２５ｋΩ、３０ｋΩ、３５ｋΩ、４０ｋΩ、４５ｋΩ、５０ｋΩ、５５ｋΩ、または６０ｋΩであり得る。

同様に、第２の抵抗器Ｒ２および第３の抵抗器Ｒ３の抵抗値は、２０ｋΩから６０ｋΩの範囲であり得る。本出願のいくつかの実施形態においては、第２の抵抗器Ｒ２および第３の抵抗器Ｒ３の抵抗値は、同じであり得る。

結論として、本出願のこの実施形態において提供されるインターフェース回路システムを有するモバイル端末は、独立してアナログヘッドセットに接続されることができ、また独立して充電されることができ、またはモバイル端末が非標準充電器モードで充電されながら、アナログヘッドセットが使用されることができる。

上述の説明は、単に本出願の具体的な実施にすぎず、本出願の保護範囲を限定することを意図していない。本出願において開示される技術的範囲内のいずれの変形または置換も、本出願の保護範囲に含まれるものとする。したがって、本出願の保護範囲は、特許請求の範囲の保護範囲に従うものとする。

１０：インターフェース回路システム、１００：多重化回路、１０１：第１のスイッチ回路、１０２：第２のスイッチ回路、１０３：第３のスイッチ回路、１０４：絶縁回路、２００：外部インターフェース、３００：オーディオ処理チップ、４００：充電変換チップ、５００：ＳｏＣ、６００：アナログ切り替えスイッチ、１１：第１の定電圧制御回路、１２：第２の定電圧制御回路、８００：無線充電回路、９００：無線絶縁スイッチ

Claims (15)

1. 第１のスイッチ回路と、第２のスイッチ回路と、第３のスイッチ回路と、絶縁回路とを備える多重化回路であって、前記多重化回路は、第１の外部送信端と、第２の外部送信端と、右チャネル送信端と、左チャネル送信端と、第１の内部送信端と、第２の内部送信端と、第１のオン電圧端と、接地端と、第２のオン電圧端とを有し、
   前記第１のスイッチ回路は、前記第１の外部送信端と、前記右チャネル送信端と、前記第１のオン電圧端とに別々に結合され、前記第１のスイッチ回路は、前記第１のオン電圧端によって出力された第１のオン電圧を受け取り、前記右チャネル送信端によって提供された右チャネルオーディオ信号を、前記第１の外部送信端に送信するように構成され、
   前記第２のスイッチ回路は、前記第２の外部送信端と、前記左チャネル送信端と、前記第１のオン電圧端とに別々に結合され、前記第２のスイッチ回路は、前記第１のオン電圧を受け取り、前記左チャネル送信端によって提供された左チャネルオーディオ信号を、前記第２の外部送信端に送信するように構成され、
   前記絶縁回路は、前記第３のスイッチ回路と、前記第１のオン電圧端と、前記接地端と、前記第２のオン電圧端とに別々に結合され、前記絶縁回路は、前記第２のオン電圧端によって出力された第２のオン電圧は受け取られたが、前記第１のオン電圧端によって出力された前記第１のオン電圧は受け取られないとき、前記第２のオン電圧を前記第３のスイッチ回路に送信するように構成され、前記絶縁回路は、前記第１のオン電圧と前記第２のオン電圧とが受け取られたとき、前記第３のスイッチ回路をプルダウンし、前記接地端を前記第２のオン電圧端から絶縁するようにさらに構成され、
   前記第３のスイッチ回路はさらに、前記第１の外部送信端と、前記第２の外部送信端と、前記第１の内部送信端と、前記第２の内部送信端とに別々に結合され、前記第３のスイッチ回路は、前記第２のオン電圧が受け取られたとき、前記第１の外部送信端を、前記第１の内部送信端に結合し、前記第２の外部送信端を、前記第２の内部送信端に結合するように構成され、前記第３のスイッチ回路は、前記絶縁回路のプルダウン効果の下において、前記第１の外部送信端を前記第１の内部送信端から切り離し、前記第２の外部送信端を前記第２の内部送信端から切り離すようにさらに構成される、多重化回路。
2. 前記絶縁回路は、
   絶縁トランジスタであって、前記絶縁トランジスタのゲートは前記第１のオン電圧端に結合され、前記絶縁トランジスタの第１の電極は前記第３のスイッチ回路に結合され、前記絶縁トランジスタの第２の電極は前記接地端に結合される、絶縁トランジスタと、
   第１の抵抗器であって、前記第１の抵抗器の第１端は前記絶縁トランジスタの前記第１の電極に結合され、前記第１の抵抗器の第２端は前記第２のオン電圧端に結合される、第１の抵抗器と
   を含む、請求項１に記載の多重化回路。
3. 前記第３のスイッチ回路は、
   第３のトランジスタであって、前記第３のトランジスタのゲートは前記絶縁トランジスタの前記第１の電極に結合され、前記第３のトランジスタの第１の電極は前記第１の内部送信端に結合され、前記第３のトランジスタの第２の電極は前記第１の外部送信端に結合される、第３のトランジスタと、
   第４のトランジスタであって、前記第４のトランジスタのゲートは前記絶縁トランジスタの前記第１の電極に結合され、前記第４のトランジスタの第１の電極は前記第２の内部送信端に結合され、前記第４のトランジスタの第２の電極は前記第２の外部送信端に結合される、第４のトランジスタと
   を含む、請求項２に記載の多重化回路。
4. 前記第３のスイッチ回路はさらに、前記右チャネル送信端と、前記左チャネル送信端とに結合され、
   前記第３のスイッチ回路は、
   第３のコンデンサであって、前記第３のコンデンサの第１端は前記右チャネル送信端に結合され、前記第３のコンデンサの第２端は前記第３のトランジスタの前記ゲートに結合される、第３のコンデンサと、
   第４のコンデンサであって、前記第４のコンデンサの第１端は前記左チャネル送信端に結合され、前記第４のコンデンサの第２端は前記第４のトランジスタの前記ゲートに結合される、第４のコンデンサと
   を含む、請求項３に記載の多重化回路。
5. 前記絶縁回路は、
   第２の抵抗器であって、前記第２の抵抗器の第１端は前記第３のトランジスタの前記ゲートに結合され、前記第２の抵抗器の第２端は前記絶縁トランジスタの前記第１の電極に結合される、第２の抵抗器と、
   第３の抵抗器であって、前記第３の抵抗器の第１端は前記第４のトランジスタの前記ゲートに結合され、前記第３の抵抗器の第２端は前記絶縁トランジスタの前記第１の電極に結合される、第３の抵抗器と
   をさらに含む、請求項４に記載の多重化回路。
6. 前記第１の抵抗器の抵抗値は２０ｋΩから６０ｋΩまでの範囲であり、
   前記第２の抵抗器の抵抗値は２０ｋΩから６０ｋΩまでの範囲にあり、
   前記第３の抵抗器の抵抗値は２０ｋΩから６０ｋΩまでの範囲にある、請求項５に記載の多重化回路。
7. 前記第３のスイッチ回路は、
   第１の磁気ビーズであって、前記第１の磁気ビーズの第１端は前記第１のスイッチ回路に結合され、前記第１の磁気ビーズの第２端は前記第３のトランジスタの前記第２の電極に結合される、第１の磁気ビーズと、
   第２の磁気ビーズであって、前記第２の磁気ビーズの第１端は前記第２のスイッチ回路に結合され、前記第２の磁気ビーズの第２端は前記第４のトランジスタの前記第２の電極に結合される、第２の磁気ビーズと
   をさらに含む、請求項３に記載の多重化回路。
8. 前記第３のスイッチ回路は、
   第３の磁気ビーズであって、前記第３の磁気ビーズの第１端は前記第１のスイッチ回路に結合され、前記第３の磁気ビーズの第２端は前記第３のトランジスタの前記ゲートに結合される、第３の磁気ビーズと、
   第４の磁性ビーズであって、前記第４の磁性ビーズの第１端は前記第２のスイッチ回路に結合され、前記第４の磁性ビーズの第２端は前記第４のトランジスタの前記ゲートに結合される、第４の磁気ビーズと
   をさらに含む、請求項７に記載の多重化回路。
9. 前記第１のスイッチ回路は、
   第１のトランジスタであって、前記第１のトランジスタのゲートは第１のオン電圧端に結合され、前記第１のトランジスタの第１の電極は前記第１の外部送信端に結合され、前記第１のトランジスタの第２の電極は前記右チャネル送信端に結合される、第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタの前記ゲートおよび前記第２の電極に結合された第１の定電圧制御回路であって、前記右チャネルのオーディオ信号を前記第１のトランジスタの前記ゲートに送信するように構成される、第１の定電圧制御回路と
   を含み、前記第２のスイッチ回路は、
   第２のトランジスタであって、前記第２のトランジスタのゲートは前記第１のオン電圧端に結合され、前記第２のトランジスタの第１の電極は前記第２の外部送信端に結合され、前記第２のトランジスタの第２の電極は前記左チャネル送信端に結合される、第２のトランジスタと、
   前記第２のトランジスタの前記ゲートおよび前記第２の電極に結合された第２の定電圧制御回路であって、前記左チャネルオーディオ信号を前記第２のトランジスタの前記ゲートに送信するように構成される、第２の定電圧制御回路と
   を含む、請求項２から７のいずれか一項に記載の多重化回路。
10. 前記第１の定電圧制御回路は第１のコンデンサを含み、前記第１のコンデンサの第１端は前記第１のトランジスタの前記ゲートに結合され、前記第１のコンデンサの第２端は前記第１のトランジスタの前記第２の電極に結合され、
    前記第２の定電圧制御回路は第２のコンデンサを含み、前記第２のコンデンサの第１端は前記第２のトランジスタの前記ゲートに結合され、前記第２のコンデンサの第２端は前記第２のトランジスタの前記第２の電極に結合される、請求項９に記載の多重化回路。
11. 前記第１のスイッチ回路は第４の抵抗器をさらに含み、前記第４の抵抗器の第１端は前記第１のトランジスタの前記ゲートに結合され、前記第４の抵抗器の第２端は前記第１のオン電圧端に結合され、
    前記第２のスイッチ回路は第５の抵抗器をさらに含み、前記第５の抵抗器の第１端は前記第２のトランジスタの前記ゲートに結合され、前記第５の抵抗器の第２端は前記第１のオン電圧端に結合される、請求項９に記載の多重化回路。
12. 外部デバイスに結合されるように構成された外部インターフェースと、充電変換チップと、オーディオ処理チップと、請求項１から１１のいずれか一項に記載の多重化回路とを備えるインターフェース回路システムであって、前記外部インターフェースはＴｙｐｅ－Ｃインターフェースであり、前記外部インターフェースは、ピンＤ＋と、ピンＤ－と、ＶＢＵＳピンとを含み、
    前記多重化回路の第１の外部送信端は前記ピンＤ＋に結合され、前記多重化回路の第２の外部送信端は前記ピンＤ－に結合され、前記多重化回路の右チャネル送信端および左チャネル送信端は前記オーディオ処理チップに別々に結合され、前記オーディオ処理チップは、右チャネルオーディオ信号を、前記右チャネル送信端に提供し、左チャネルオーディオ信号を、前記左チャネル送信端に提供するように構成され、
    前記多重化回路の第２のオン電圧端は前記ＶＢＵＳピンに結合され、
    前記充電変換チップは、前記ＶＢＵＳピンと、前記多重化回路の第１の内部送信端および第２の内部送信端とに別々に結合され、前記充電変換チップは、前記第１の内部送信端および前記第２の内部送信端の電圧に基づいて、前記ＶＢＵＳピンによって提供される充電電圧を調整するように構成され、
    前記インターフェース回路システムはシステムオンチップをさらに備え、前記システムオンチップは、前記多重化回路の前記第１の内部送信端と、前記第２の内部送信端とに別々に結合され、前記システムオンチップは、充電プロトコルに従って前記第１の内部送信端および前記第２の内部送信端の前記電圧に基づいて、前記外部インターフェースに接続された前記外部デバイスを識別するように構成される、インターフェース回路システム。
13. 前記インターフェース回路システムは、無線充電回路と、無線絶縁スイッチとをさらに備え、
    前記無線充電回路は前記充電変換チップに結合され、前記無線充電回路は、無線充電信号を受け取り、充電電圧を前記充電変換チップに提供するように構成され、
    前記無線絶縁スイッチは、前記充電変換チップと、前記ＶＢＵＳピンとに結合され、前記無線絶縁スイッチは、前記無線充電回路が前記無線充電信号を受け取ったとき、前記充電変換チップを前記ＶＢＵＳピンから切り離すように構成される、請求項１２に記載のインターフェース回路システム。
14. 前記インターフェース回路システムは低ドロップアウトレギュレータをさらに備え、
    前記低ドロップアウトレギュレータの入力端は前記ＶＢＵＳピンによって提供される前記充電電圧を受け取るように構成され、前記低ドロップアウトレギュレータの出力端は前記第２のオン電圧端に結合され、前記低ドロップアウトレギュレータは、前記ＶＢＵＳピンによって提供される前記充電電圧に対して電圧規制を実行し、前記充電電圧を前記第２のオン電圧端に提供するように構成される、請求項１２に記載のインターフェース回路システム。
15. バッテリと、請求項１２から１４のいずれか一項に記載のインターフェース回路システムとを備えるモバイル端末であって、前記インターフェース回路システム内の多重化回路の第１のオン電圧端は前記バッテリに結合され、前記バッテリは、第１のオン電圧を前記第１のオン電圧端に提供するように構成され、前記インターフェース回路システム内の充電変換チップは前記バッテリに結合され、前記充電変換チップは、前記インターフェース回路システム内の外部インターフェースのＶＢＵＳピンによって提供される充電電圧を変換し、前記充電電圧を前記バッテリに提供するように構成される、モバイル端末。

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