JP7337663B2 - Method for manufacturing radiation detection device - Google Patents

Method for manufacturing radiation detection device Download PDF

Info

Publication number
JP7337663B2
JP7337663B2 JP2019198004A JP2019198004A JP7337663B2 JP 7337663 B2 JP7337663 B2 JP 7337663B2 JP 2019198004 A JP2019198004 A JP 2019198004A JP 2019198004 A JP2019198004 A JP 2019198004A JP 7337663 B2 JP7337663 B2 JP 7337663B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
manufacturing
insulating layer
flexible insulating
scintillator
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019198004A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2021071379A (en
Inventor
慶人 佐々木
正人 井上
知昭 市村
慎市 竹田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2019198004A priority Critical patent/JP7337663B2/en
Publication of JP2021071379A publication Critical patent/JP2021071379A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7337663B2 publication Critical patent/JP7337663B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、放射線検出装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a radiation detection device.

薄膜トランジスタ(TFT)を用いた液晶ディスプレイのような表示装置用のマトリクスパネルの製造技術が向上し、パネルの大型化と共に表示部の大画面化が進められてきた。この製造技術は、TFTなどのスイッチ素子と半導体によって構成された光電変換素子を有する大面積エリセンサとしてマトリクスパネルに応用されている。このマトリクスパネルは、X線などの放射線を可視光等の光に変換するシンチレータと組み合わせて、医療用X線撮像装置のような放射線検出装置の分野で利用されている。このマトリクスパネルはガラス基板上に形成する技術が一般的であったが、近年では、装置の軽量化と衝撃や変形に耐える高い信頼性が期待できる樹脂基板等を用いた可撓性のマトリクスパネルの開発が進み、放射線検出装置にも利用されつつある。 2. Description of the Related Art Improvements have been made in the manufacturing technology of matrix panels for display devices such as liquid crystal displays using thin film transistors (TFTs). This manufacturing technique is applied to a matrix panel as a large-area ellisensor having switching elements such as TFTs and photoelectric conversion elements made of semiconductors. This matrix panel is combined with a scintillator that converts radiation such as X-rays into light such as visible light and is used in the field of radiation detection devices such as medical X-ray imaging devices. This matrix panel was generally formed on a glass substrate, but in recent years, a flexible matrix panel using a resin substrate or the like is expected to reduce the weight of the device and to withstand shock and deformation with high reliability. are being developed and are being used in radiation detectors.

可撓性のマトリクスパネルを形成する方法として、ガラス基板等の剛性のある基板上に樹脂材料等を薄膜状に載置し、その薄膜上にエリアセンサを形成するのが一般的である。このような可撓性のマトリクスパネルは、例えば特許文献1のように、装置軽量化のために、可撓性のマトリクスパネルは不要なガラス基板から剥離されて利用される。特許文献1では、ガラス等の基板上にポリイミド(以下PI)等の樹脂材料による可撓性絶縁膜を形成し、可撓性絶縁膜上にTFTや半導体による複数の光電変換素子を形成したマトリクスパネルを準備する。そして、特許文献1では、マトリクスパネルにシンチレータと当該シンチレータを保護するための保護部材を配置し、その状態でガラス等の基板を剥離する工程が示されている。 As a method of forming a flexible matrix panel, it is common to place a thin film of a resin material or the like on a rigid substrate such as a glass substrate, and form an area sensor on the thin film. Such a flexible matrix panel is used by separating it from unnecessary glass substrates in order to reduce the weight of the device, as disclosed in Patent Document 1, for example. In Patent Document 1, a matrix is formed by forming a flexible insulating film made of a resin material such as polyimide (hereinafter referred to as PI) on a substrate such as glass, and forming a plurality of photoelectric conversion elements made of TFTs and semiconductors on the flexible insulating film. Prepare the panel. Patent Document 1 discloses a process of arranging a scintillator and a protective member for protecting the scintillator on a matrix panel and peeling off a substrate such as glass in this state.

特開2009-133837号公報JP 2009-133837 A

しかしながら、特許文献1での基板の剥離は、レーザー光を照射して行っているが、レーザー光を発生させる装置はマトリクスパネルに対して効率よく照射させるために当該装置自体が大型かつ高価なものとなり得る。そのため、可撓性絶縁基板上にエリアセンサ及びシンチレータを有する可撓性のマトリクスパネルを製造するに際し、製造コストと製造安定性の面で課題がある。 However, the peeling of the substrate in Patent Document 1 is performed by irradiating laser light, but the device itself for generating laser light is large and expensive in order to efficiently irradiate the matrix panel. can be. Therefore, when manufacturing a flexible matrix panel having an area sensor and a scintillator on a flexible insulating substrate, there are problems in terms of manufacturing cost and manufacturing stability.

そこで、本発明の目的は、可撓性絶縁基板上にエリアセンサ及びシンチレータを有する可撓性のマトリクスパネルを、そのコストを低減しつつ安定的に製造することが可能な放射線検出装置の製造方法を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a radiation detection apparatus that enables stable manufacturing of a flexible matrix panel having area sensors and scintillators on a flexible insulating substrate while reducing the cost thereof. is to provide

上記課題を解決する本発明の放射線検出装置の製造方法は、基板の上に設けられた可撓性絶縁層に設けられた、各々が光電変換素子を有する複数の画素を有する画素アレイの上に、放射線を光に変換するシンチレータを形成する形成工程と、前記可撓性絶縁層の端に設けられた固定部材が固定されたローラーを用いて前記可撓性絶縁層を前記基板から剥離する剥離工程と、を行う放射線検出装置の製造方法であって、前記固定部材は、端部に位置して前記ローラーと固定する部分である固定部と、可撓性を有する撓み部と、を含み、前記剥離工程は、前記固定部を前記ローラーに固定しつつ前記撓み部を撓ませながら前記ローラーを用いて前記可撓性絶縁層を前記基板から剥離することを特徴とする。 A method of manufacturing a radiation detection device according to the present invention for solving the above-mentioned problems is to provide a pixel array having a plurality of pixels each having a photoelectric conversion element provided on a flexible insulating layer provided on a substrate. a forming step of forming a scintillator that converts radiation into light; and a peeling step of peeling the flexible insulating layer from the substrate using a roller to which a fixing member provided at the end of the flexible insulating layer is fixed. wherein the fixing member includes a fixing portion, which is a portion positioned at an end and fixed to the roller, and a bending portion having flexibility, In the peeling step, the flexible insulating layer is peeled off from the substrate using the roller while fixing the fixed portion to the roller and bending the flexible portion.

本発明により、可撓性絶縁基板上にエリアセンサ及びシンチレータを有する可撓性のマトリクスパネルを、そのコストを低減しつつ安定的に製造することが可能な放射線検出装置の製造方法を提供し得る。 According to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a radiation detection device that can stably manufacture a flexible matrix panel having an area sensor and a scintillator on a flexible insulating substrate while reducing the cost. .

放射線検出装置を用いた放射線検出システムの概略図Schematic diagram of a radiation detection system using a radiation detector 放射線検出装置に組み込まれる放射線検出パネルの模式的平面図及び断面図Schematic plan view and cross-sectional view of a radiation detection panel incorporated in a radiation detection device 剥離ユニットを説明するための模式的斜視図及び断面図Schematic perspective view and cross-sectional view for explaining the peeling unit 比較例を説明するための模式的斜視図及び断面図Schematic perspective view and cross-sectional view for explaining a comparative example 放射線検出装置の製造方法を説明するためのフロー図Flow chart for explaining a method for manufacturing a radiation detection device 放射検出装置の製造方法の一例を説明するための概略側面図及び平面図Schematic side view and plan view for explaining an example of a method for manufacturing a radiation detection device 放射検出装置の製造方法の一例を説明するための概略平面図Schematic plan view for explaining an example of a method for manufacturing a radiation detection device 放射検出装置の製造方法の一例を説明するための概略側面図及び平面図Schematic side view and plan view for explaining an example of a method for manufacturing a radiation detection device 放射検出装置の製造方法の一例を説明するための概略側面図及び平面図Schematic side view and plan view for explaining an example of a method for manufacturing a radiation detection device 放射検出装置の製造方法の一例を説明するための概略側面図及び平面図Schematic side view and plan view for explaining an example of a method for manufacturing a radiation detection device 放射検出装置の製造方法の一例を説明するための概略側面図及び平面図Schematic side view and plan view for explaining an example of a method for manufacturing a radiation detection device 放射検出装置の製造方法の一例を説明するための概略斜視図Schematic perspective view for explaining an example of a method for manufacturing a radiation detection device 放射検出装置の製造方法の効果を説明するための概略図Schematic diagram for explaining the effect of the manufacturing method of the radiation detection device

以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものでない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。また、放射線という用語は、例えば、X線の他、α線、β線、γ線、粒子線、宇宙線を含みうる。 The invention will now be described through its exemplary embodiments with reference to the accompanying drawings. In addition, the following embodiments do not limit the invention according to the scope of claims. Although multiple features are described in the embodiments, not all of these multiple features are essential to the invention, and multiple features may be combined arbitrarily. Furthermore, in the accompanying drawings, the same or similar configurations are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Moreover, the term radiation can include, for example, α-rays, β-rays, γ-rays, particle rays, and cosmic rays in addition to X-rays.

図1は、本発明の放射線検出装置を用いた放射線検出システムの概略図である。図1において、11は被検者、12は放射線検出装置、13は放射線発生装置、14は処理部である。放射線検出装置12と放射線発生装置13は、処理部14と接続される。処理部14による制御に応じて放射線発生装置13から放射線が照射され、放射線検出装置12は被検者を透過した放射線を検出する。放射線検出装置12は、検出された放射線の情報を信号として処理部14に送信し、処理部14は、所望の演算処理を行い、診断を行うための放射線画像を生成する。 FIG. 1 is a schematic diagram of a radiation detection system using the radiation detection apparatus of the present invention. In FIG. 1, 11 is a subject, 12 is a radiation detector, 13 is a radiation generator, and 14 is a processor. The radiation detection device 12 and the radiation generation device 13 are connected to the processing section 14 . Radiation is emitted from the radiation generator 13 according to control by the processing unit 14, and the radiation detection device 12 detects the radiation transmitted through the subject. The radiation detection apparatus 12 transmits information on the detected radiation as a signal to the processing unit 14, and the processing unit 14 performs desired arithmetic processing to generate a radiographic image for diagnosis.

次に、図2(a)~(c)を参照して、放射線検出装置に組み込まれる放射線検出パネル100について説明する。図2(a)は、放射線検出パネル100の放射線入射面の平面図、図2(b)及び図2(c)は、図2(a)のA-A’間におけるそれぞれの例を示す断面図である。 Next, the radiation detection panel 100 incorporated in the radiation detection apparatus will be described with reference to FIGS. 2(a) to 2(c). FIG. 2(a) is a plan view of the radiation incident surface of the radiation detection panel 100, and FIGS. 2(b) and 2(c) are cross sections showing respective examples between AA' in FIG. 2(a). It is a diagram.

マトリクスパネル110は、可撓性絶縁層111上に画素アレイ112と外部回路接続部132が配置されたものを言う。基板114上に可撓性絶縁層111が設けられ、その基板114は、剛性が高く、光電変換素子やTFTの形成温度に耐え得る材料が使用され得る。基板114としては、特にガラス、セラミックスからなる絶縁基板が好ましい。可撓性絶縁層111も光電変換素子やTFTの形成温度に耐え得る材料かつ加工性の高い材料が使用され得る。可撓性絶縁層111としては、特にポリイミド、ポリアミド等の有機系の絶縁層が用いられる。マトリクスパネル110の形成方法は、まず、液状の可撓性絶縁層111を基板114に塗布・硬化させて形成する方法や、シート状の可撓性絶縁層111を基板114に圧着する方法で、基板114に可撓性絶縁層111を形成する。この際、基板114と可撓性絶縁層111の間には接着層を用いても良い。次に、可撓性絶縁層111上に、光電変換素子とTFTを有する画素が複数配列されてなる画素アレイ112と外部回路接続部132が形成される。画素アレイ112は、不図示の複数の画素、TFTを制御するための配線である駆動線、光電変換素子にバイアスを供給するための配線であるバイアス線、TFTのソースおよびドレイン電極の一方に接続される信号線等で構成される。センサ保護層113は、画素アレイ112を保護する目的でを形成している。センサ保護層113の材料としては、シンチレータ120形成時の熱に耐えうる材料かつシンチレータ120の密着力を向上させる材質であることが望ましい。センサ保護層113としては、ウレタン樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ジアリルフタレート樹脂などの各種の樹脂が用いられる。 The matrix panel 110 has a pixel array 112 and an external circuit connection section 132 arranged on a flexible insulating layer 111 . A flexible insulating layer 111 is provided on a substrate 114, and the substrate 114 can be made of a material that has high rigidity and can withstand the temperature at which photoelectric conversion elements and TFTs are formed. As the substrate 114, an insulating substrate made of glass or ceramics is particularly preferable. The flexible insulating layer 111 can also be made of a material that can withstand the formation temperature of the photoelectric conversion element or TFT and has high workability. As the flexible insulating layer 111, an organic insulating layer such as polyimide or polyamide is used. The method of forming the matrix panel 110 includes a method of first applying and curing a liquid flexible insulating layer 111 to the substrate 114, and a method of press-bonding the sheet-like flexible insulating layer 111 to the substrate 114. A flexible insulating layer 111 is formed on a substrate 114 . At this time, an adhesive layer may be used between the substrate 114 and the flexible insulating layer 111 . Next, on the flexible insulating layer 111, a pixel array 112 in which a plurality of pixels each having a photoelectric conversion element and a TFT are arranged, and an external circuit connection portion 132 are formed. The pixel array 112 is connected to a plurality of pixels (not shown), drive lines that are wirings for controlling the TFTs, bias lines that are wirings for supplying a bias to the photoelectric conversion elements, and one of the source and drain electrodes of the TFTs. It consists of signal lines, etc. The sensor protection layer 113 is formed for the purpose of protecting the pixel array 112 . As the material of the sensor protective layer 113, it is desirable to use a material that can withstand the heat during the formation of the scintillator 120 and a material that improves the adhesion of the scintillator 120. FIG. Various resins such as urethane resin, acrylic resin, phenol resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, polyimide resin, silicone resin, and diallyl phthalate resin are used as the sensor protective layer 113 .

シンチレータ120は、X線等の放射線を可視光に変換する機能を有する部材のことを指しており、シンチレータ120にはシンチレータ層121や接着層122、シンチレータ保護層123等も含めてシンチレータ120と呼称する。シンチレータ層121としては、シンチレータ粒子とバインダーとを混合したGOSや、タリウム(Tl)やナトリウム(Na)を賦活させたヨウ化セシウム(CsI)が好適である。GOSを用いたシンチレータ層121では、画素アレイ112上にGOSを塗布する方法やシートのものを貼り合せる方法が取られる。また、CsIを用いたシンチレータ層121では、真空下での蒸着方法を用いるのが一般的であり、画素アレイ112上に直径が1~数10ミクロン程度の複数の柱状の結晶を所望の厚さに成長させて形成する。CsIの特徴として、結晶の柱間に空隙が存在しており、高いMTF(Modulation Transfer Function)を得ることが可能である。また、GOS、CsIいずれの材料を用いたシンチレータ120においても、図2(b)に示すように画素アレイ112上に塗布や蒸着により形成する方法があげられる。また、図2(c)に示すように別途準備したシンチレータ基台124上に蛍光体121を形成したものを画素アレイ112上に接着層125を介して貼り合わせる方法が挙げられる。いずれの方法も、シンチレータ層121を保護するために、シンチレータ層121を被覆するシンチレータ保護層123が形成され得る。シンチレータ保護層123としては、アルミや銅、ステンレスなどの金属類、ポリパラキシリレンやエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂等の樹脂類、樹脂とアルミナや酸化チタンなどのセラミックスからなる複合材料等を用いることが可能である。 The scintillator 120 refers to a member having a function of converting radiation such as X-rays into visible light, and the scintillator 120 includes the scintillator layer 121, the adhesive layer 122, the scintillator protective layer 123, and the like. do. As the scintillator layer 121, GOS obtained by mixing scintillator particles and a binder, or cesium iodide (CsI) obtained by activating thallium (Tl) or sodium (Na) is suitable. In the scintillator layer 121 using GOS, a method of coating GOS on the pixel array 112 or a method of laminating a sheet is adopted. In addition, in the scintillator layer 121 using CsI, it is common to use a vapor deposition method under vacuum, and a plurality of columnar crystals having a diameter of about 1 to several tens of microns are formed on the pixel array 112 to a desired thickness. grown and formed. A feature of CsI is that there are gaps between the pillars of the crystal, and it is possible to obtain a high MTF (Modulation Transfer Function). Also, for the scintillator 120 using either GOS or CsI material, there is a method of forming the scintillator 120 on the pixel array 112 by coating or vapor deposition as shown in FIG. 2(b). Alternatively, as shown in FIG. 2C, a separately prepared scintillator base 124 on which phosphors 121 are formed is bonded onto the pixel array 112 with an adhesive layer 125 interposed therebetween. In either method, a scintillator protective layer 123 covering the scintillator layer 121 can be formed to protect the scintillator layer 121 . As the scintillator protective layer 123, metals such as aluminum, copper, and stainless steel, resins such as polyparaxylylene, epoxy resin, acrylic resin, and polyester resin, composite materials made of resin and ceramics such as alumina and titanium oxide, and the like are used. It is possible to use

放射線検出パネル100は、マトリクスパネル110とシンチレータ120からなる積層体をと呼称する。放射線検出パネル100の画素アレイ112には、フレキシブル配線板などの配線部材131が外部回路接続部132を介して接続され得る。また、放射線検出パネル100には、支持基板133が設けられ得る。支持基板133は、放射線検出パネル110の要求特性に応じて必要な機能が異なり、可撓性絶縁層111の剛性の向上や防湿性向上、放射線検出パネル110の遮光や外来ノイズ耐性の向上、または振動や外部応力の緩衝機能を持つことが望ましい。 The radiation detection panel 100 is called a laminate composed of the matrix panel 110 and the scintillator 120 . A wiring member 131 such as a flexible wiring board can be connected to the pixel array 112 of the radiation detection panel 100 via an external circuit connection section 132 . Also, the radiation detection panel 100 may be provided with a support substrate 133 . The necessary functions of the support substrate 133 differ depending on the required properties of the radiation detection panel 110, such as improving the rigidity and moisture resistance of the flexible insulating layer 111, improving the light shielding and external noise resistance of the radiation detection panel 110, or It is desirable to have a vibration and external stress buffering function.

次に、図3(a)及び(b)に示すように、剥離ユニット140は、ローラー141と、剥離対象物を固定するクランプ142と、を含み、剥離対象物をローラー141に沿わせて剥離するような機構を有する。固定方法は、クランプ142単体で挟み込むように固定する方法の他、ローラー141とクランプ142で挟み込むように固定してもよい。また、剥離対象物を接着シート147やテープなどでローラー141に接着固定してもよい。剥離ユニット140のローラー141のローラー幅は、シンチレータ120の破壊を防止するため、少なくともシンチレータ120の幅より大きいことが望ましい。また、ローラー141の移動は、配線部材131を踏まないような軌道とすることで、配線材131の破壊や電気的なショートを防ぐことができる。その他外形サイズや表面硬度などは、ワーク(剥離対象物)のサイズや高さ、材質によって選択することができる。剥離ユニット140は、剥離対象物をそのまま固定するよりも剥離対象物の端に固定部材(クランプフィルム)を設置し、固定部材ごと剥離することが望ましいため、当該固定部材であるクランプフィルム143を更に含む。 Next, as shown in FIGS. 3A and 3B, the peeling unit 140 includes a roller 141 and a clamp 142 that fixes the peeling target, and peels the peeling target along the roller 141. It has a mechanism that The fixing method may be a method in which the clamp 142 is sandwiched alone, or a fixing method in which the roller 141 and the clamp 142 are sandwiched. Alternatively, the object to be peeled may be adhered and fixed to the roller 141 with an adhesive sheet 147, tape, or the like. It is desirable that the roller width of the roller 141 of the peeling unit 140 is at least greater than the width of the scintillator 120 in order to prevent the scintillator 120 from breaking. Further, by moving the roller 141 on a trajectory that does not step on the wiring member 131, it is possible to prevent the wiring member 131 from breaking and an electrical short circuit. In addition, the external size and surface hardness can be selected according to the size, height, and material of the workpiece (object to be separated). Since it is preferable that the peeling unit 140 installs a fixing member (clamp film) at the end of the peeling target rather than fixing the peeling target as it is and peels the entire fixing member, the clamp film 143 as the fixing member is further removed. include.

ここで、図4(a)及び(b)に示す比較例を用いて、剥離ユニット140を用いた剥離方法で本願発明者が見出した課題について説明する。可撓性絶縁層111の画素アレイ112の上にシンチレータ120が配置されている場合、可撓性絶縁層111と比較してシンチレータ120では剛性が極端に大きくなる。このような積層体である放射線検出パネル100の基板114からの剥離をローラー141で行うと、図4(a)及び(b)に示すようにシンチレータ120の段差部境界で可撓性絶縁層111が折れてしまうことがある。このような状態で剥離を行うためには、ローラー141の回転力を大きくする対策が考えられる。しかしながら、ローラー141の回転力を上げる事により可撓性絶縁層111を引き延ばす力も大きくなるため、可撓性絶縁層111が延伸されてマトリクスパネル110が破損するおそれがある。また、ローラー141の回転力を大きくした場合、基板114の吸着が回転力に負けてしまうと基板114の吸着が解けてローラーに持っていかれ、基板114が破損してしまうというおそれがある。その対策として吸着力をあげることが考えられるが、吸着機構の大型化はまぬがれない。また、ローラー141の径を小さくすることで引き延ばす力を低減し剥離することも考えられるが、径が小さいとマトリクスパネル110の光電変換素子やシンチレータ120が破壊されるおそれがある。 Here, the problems found by the inventors of the peeling method using the peeling unit 140 will be described with reference to comparative examples shown in FIGS. When the scintillator 120 is arranged on the pixel array 112 of the flexible insulating layer 111 , the rigidity of the scintillator 120 is extremely large compared to the flexible insulating layer 111 . When the substrate 114 of the radiation detection panel 100, which is such a laminated body, is peeled off from the substrate 114 by the roller 141, the flexible insulating layer 111 is separated at the stepped boundary of the scintillator 120 as shown in FIGS. may break. In order to perform peeling in such a state, it is conceivable to increase the rotational force of the roller 141 . However, since increasing the rotational force of roller 141 also increases the force for stretching flexible insulating layer 111, there is a risk that flexible insulating layer 111 will be stretched and matrix panel 110 will be damaged. Further, when the rotational force of the roller 141 is increased, if the adhesion of the substrate 114 loses to the rotational force, the adhesion of the substrate 114 is released and the substrate 114 is carried by the rollers, and the substrate 114 may be damaged. As a countermeasure, it is conceivable to increase the adsorption force, but an increase in the size of the adsorption mechanism is unavoidable. It is also conceivable to reduce the stretching force by reducing the diameter of the roller 141 for peeling.

そこで、本願発明者は、鋭意検討の結果、以下に示す解決手段を見出した。クランプフィルム143は、ローラー141と固定する部分である固定部144と可撓性を有する撓み部145を含む。固定部144は、図6(a)及び図6(b)に示す第1例のように剥離辺の端部に位置し、剥離辺の両側の端部にあることが望ましい。その位置は少なくともシンチレータ120よりも外側に配置され、図7(a)に示すように、可撓性絶縁層111の外側まではみ出していてもよい。さらに図7(b)に示すようにシンチレータ120の端部境界146を越えた位置まで配置されていてもよい。これによりシンチレータ120の端部境界146の剛性が増し、さらに容易に剥離することが可能となる。このクランプフィルム143の材質は、シート状に形成できるものであればよく、また引張強さに対して強いものかつ伸びが少ないものが望ましい。クランプフィルム143の接着方法は、フィルム裏面と可撓性絶縁層111を接着シート147や樹脂で接着してもよい。また、図8(a)及び図8(b)に示す第2例のように、クランプフィルム143の端部と可撓性絶縁層111の端部を上部から接着シート147で固定してもよい。また、接着シート147をクランプフィルムとして用いてもよい。また、図9(a)及び図9(b)に示す第3例のように、クランプフィルム143を例えば2つに分割した状態で可撓性絶縁層111に設置してもよい。この場合、可撓性絶縁層111のクランプフィルム143の間に位置する領域が撓み部として機能する。また、図10(a)及び図10(b)に示す第4例のように、放射線検出パネル110の可撓性絶縁層111の一部を直接クランプフィルム143として用いることも可能である。 Therefore, the inventors of the present application have found the following solutions as a result of earnest studies. The clamp film 143 includes a fixing portion 144 that is fixed to the roller 141 and a bending portion 145 that has flexibility. The fixing portions 144 are preferably located at the ends of the peeling side, as in the first example shown in FIGS. 6A and 6B, and at both ends of the peeling side. The position is arranged at least outside the scintillator 120, and as shown in FIG. Furthermore, as shown in FIG. 7(b), the scintillator 120 may extend beyond the end boundary 146 of the scintillator 120. FIG. This increases the stiffness of the edge boundary 146 of the scintillator 120 and allows it to be peeled off more easily. The clamp film 143 may be made of any material as long as it can be formed into a sheet, and preferably has high tensile strength and little elongation. As for the bonding method of the clamp film 143, the back surface of the film and the flexible insulating layer 111 may be bonded with an adhesive sheet 147 or resin. Alternatively, as in a second example shown in FIGS. 8A and 8B, the ends of the clamp film 143 and the ends of the flexible insulating layer 111 may be fixed from above with an adhesive sheet 147. . Also, the adhesive sheet 147 may be used as a clamp film. Also, as in the third example shown in FIGS. 9A and 9B, the clamp film 143 may be divided into two and placed on the flexible insulating layer 111 . In this case, the regions of the flexible insulating layer 111 located between the clamp films 143 function as flexures. It is also possible to directly use part of the flexible insulating layer 111 of the radiation detection panel 110 as the clamp film 143, as in the fourth example shown in FIGS. 10(a) and 10(b).

また、図11(a)及び図11(b)に示す第5例のように、可撓性絶縁層111に剥離ラインと平行にクランプフィルム143を設置し、クランプフィルム143の端部2点のみをクランプ142で部分的に固定することで同様の効果が得られる。このクランプ142の形状は、図12(a)に示すように、分割されたクランプ142を用いてもよく、図12(b)に示すように、コの字状に一体型となったクランプ142でもよい。また図12(c)に示すように、ストレートのクランプ142の両端にスペーサー148を配置してもよい。 In addition, as in the fifth example shown in FIGS. 11A and 11B, a clamp film 143 is placed on the flexible insulating layer 111 in parallel with the peeling line, and only two ends of the clamp film 143 are attached. A similar effect can be obtained by partially fixing the with a clamp 142 . As for the shape of this clamp 142, as shown in FIG. 12(a), a divided clamp 142 may be used, or as shown in FIG. It's okay. Moreover, as shown in FIG. 12(c), spacers 148 may be arranged at both ends of the straight clamp 142. FIG.

上記の手法によりローラー141に固定された可撓性絶縁層111を基板114から剥離することで、図13(a)に示すように、撓み部145および可撓性絶縁層111が中央部が撓み、周辺部から剥離が開始される。その後、図11(b)に示すように、剥離ラインは徐々にローラー141移動方向に対して垂直となり終端を迎える。以上により、放射線検出パネル110の剥離が完了する。この剥離方法により、ローラー141の移動方向を変えずに放射線検出パネル110を斜めから剥離することができ、ワークに負荷をかけることなく、軽い剥離力で剥離することが可能となる。 By peeling the flexible insulating layer 111 fixed to the roller 141 by the above method from the substrate 114, as shown in FIG. , peeling starts from the periphery. Thereafter, as shown in FIG. 11(b), the peeling line gradually becomes perpendicular to the moving direction of the roller 141 and reaches its end. Thus, the peeling of the radiation detection panel 110 is completed. With this peeling method, the radiation detection panel 110 can be peeled obliquely without changing the moving direction of the roller 141, and the work can be peeled off with a light peeling force without applying a load.

次に、図5(a)及び図5(b)を用いて、上記の剥離方法を用いた放射線検出パネル140を有する放射線検出装置の製造方法について説明する。 Next, a method of manufacturing a radiation detection device having the radiation detection panel 140 using the peeling method described above will be described with reference to FIGS. 5(a) and 5(b).

図5(a)に示す第一例では、ステップS501において既知の手法によりマトリクスパネル110が準備され得る。次にステップS502において、準備されたマトリクスパネル110の画素アレイ112の上に既知の手法によりシンチレータ120が形成され得る。次にステップS503において、既知の手法によりマトリクスパネル110の外部回路接続部132に配線部材131を既知の手法により電気的に接続させ得る。なお、図5(b)の第二例に示すように、ステップS502のシンチレータの形成とステップS503の配線部材131の接続の順番を入れ替えても良い。ここで、マトリクスパネル110に対して直接蒸着法によりシンチレータ層121を形成する場合には、第一例が好適に用いられ得る。一方、マトリクスパネルに対して接着層を介してシンチレータ120を形成する場合には、第二例が好適に用いられ得る。 In the first example shown in FIG. 5(a), the matrix panel 110 can be prepared by known techniques in step S501. Next, in step S502, a scintillator 120 can be formed on the pixel array 112 of the prepared matrix panel 110 by known techniques. Next, in step S503, the wiring member 131 can be electrically connected to the external circuit connection portion 132 of the matrix panel 110 by a known method. As shown in the second example of FIG. 5B, the order of forming the scintillator in step S502 and connecting the wiring member 131 in step S503 may be reversed. Here, when the scintillator layer 121 is formed on the matrix panel 110 by direct vapor deposition, the first example can be preferably used. On the other hand, when the scintillator 120 is formed on the matrix panel via an adhesive layer, the second example can be preferably used.

次にステップS504において、上述の第1~5例の少なくともいずれか1の手法を用いて、剥離工程を行う。当該手法を用いた剥離工程により、可撓性絶縁層111が延伸されてマトリクスパネル110が破損するおそれが低減され得る。また、吸着機構の大型化を招くことなく基板114が破損してしまうというおそれが低減され得る。また、マトリクスパネル110の光電変換素子やシンチレータ120が破壊されるおそれが低減され得る。 Next, in step S504, a peeling process is performed using at least one of the first to fifth examples described above. The peeling process using this method can reduce the possibility that the flexible insulating layer 111 will be stretched and the matrix panel 110 will be damaged. In addition, the risk of damage to the substrate 114 can be reduced without increasing the size of the adsorption mechanism. Also, the risk of damage to the photoelectric conversion elements of the matrix panel 110 and the scintillator 120 can be reduced.

そして、ステップS505において、剥離された可撓性絶縁層111のシンチレータ120が配置された表面と反対側の表面に、接着剤(不図示)を介して支持基板133が配置され得る。これにより、製造工程におけるマトリクスパネル110に対するハンドリングが向上する。次にステップS506において、配線部材131に対してプリント回路基板(PCB)などの回路基板が電気的に接続され、放射線検出パネル100が準備され得る。 Then, in step S505, the support substrate 133 can be placed via an adhesive (not shown) on the surface of the peeled flexible insulating layer 111 opposite to the surface on which the scintillator 120 is placed. This improves the handling of the matrix panel 110 during the manufacturing process. Next, in step S506, a circuit board such as a printed circuit board (PCB) is electrically connected to the wiring member 131, and the radiation detection panel 100 can be prepared.

111 可撓性絶縁層
112 画素アレイ
114 基板
120 シンチレータ
141 ローラー
143 固定部材
144 固定部
145 撓み部
111 Flexible insulating layer 112 Pixel array 114 Substrate 120 Scintillator 141 Roller 143 Fixed member 144 Fixed part 145 Flexible part

Claims (10)

基板の上に設けられた可撓性絶縁層に設けられた、各々が光電変換素子を有する複数の画素を有する画素アレイの上に、放射線を光に変換するシンチレータを形成する形成工程と、
前記可撓性絶縁層の端に設けられた固定部材が固定されたローラーを用いて前記可撓性絶縁層を前記基板から剥離する剥離工程と、
を行う放射線検出装置の製造方法であって、
前記固定部材は、端部に位置して前記ローラーと固定する部分である固定部と、可撓性を有する撓み部と、を含み、
前記剥離工程は、前記固定部を前記ローラーに固定しつつ前記撓み部を撓ませながら前記ローラーを用いて前記可撓性絶縁層を前記基板から剥離することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
a formation step of forming a scintillator for converting radiation into light on a pixel array having a plurality of pixels each having a photoelectric conversion element provided on a flexible insulating layer provided on a substrate;
a peeling step of peeling the flexible insulating layer from the substrate using a roller to which a fixing member provided at an end of the flexible insulating layer is fixed;
A method for manufacturing a radiation detection device that performs
The fixing member includes a fixing portion, which is a portion positioned at an end and fixed to the roller, and a bending portion having flexibility,
In the peeling step, the flexible insulating layer is peeled off from the substrate using the roller while the fixed portion is fixed to the roller and the flexible portion is bent. .
前記固定部は、前記固定部材の両側の端部に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置の製造方法。 2. The method of manufacturing a radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the fixing portions are provided at both ends of the fixing member. 前記固定部は、前記シンチレータよりも外側に設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の放射線検出装置の製造方法。 3. The method of manufacturing a radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the fixing portion is provided outside the scintillator. 前記固定部は、前記可撓性絶縁層の外側まではみ出して設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の放射線検出装置の製造方法。 4. The method of manufacturing a radiation detecting device according to claim 1, wherein the fixing portion is provided so as to protrude to the outside of the flexible insulating layer. 前記固定部は、前記シンチレータの端部境界を越えた位置まで設けられていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の放射線検出装置の製造方法。 5. The method of manufacturing a radiation detecting apparatus according to claim 1, wherein the fixed portion is provided up to a position beyond an end boundary of the scintillator. 前記固定部材は、前記可撓性絶縁層の一部であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の放射線検出装置の製造方法。 6. The method of manufacturing a radiation detector according to claim 1, wherein the fixing member is a part of the flexible insulating layer. 前記剥離工程は、前記固定部材の端部のみを前記ローラーに固定して前記ローラーを用いて前記可撓性絶縁層を前記基板から剥離することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の放射線検出装置の製造方法。 7. The method according to any one of claims 1 to 6, wherein in the peeling step, only an end portion of the fixing member is fixed to the roller and the flexible insulating layer is peeled from the substrate using the roller. A method for manufacturing the radiation detection device according to claim 1. 前記基板から剥離された前記可撓性絶縁層の前記シンチレータが配置された表面と反対側の表面に支持基板が配置される工程が更に行われることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の放射線検出装置の製造方法。 8. The method according to any one of claims 1 to 7, further comprising a step of placing a support substrate on the surface of the flexible insulating layer separated from the substrate, opposite to the surface on which the scintillator is placed. 2. A method for manufacturing the radiation detection device according to item 1. 前記可撓性絶縁層は、前記画素アレイと電気的に接続された外部回路接続部を有し、
前記外部回路接続部に配線部材が電気的に接続される接続工程が更に行われることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の放射線検出装置の製造方法。
The flexible insulating layer has an external circuit connection portion electrically connected to the pixel array,
9. The method of manufacturing a radiation detecting apparatus according to claim 1, further comprising a connecting step of electrically connecting a wiring member to said external circuit connecting portion.
前記接続工程は、前記形成工程の前に行われることを特徴とする請求項9に記載の放射線検出装置の製造方法。 10. The method of manufacturing a radiation detecting device according to claim 9, wherein the connecting step is performed before the forming step.
JP2019198004A 2019-10-30 2019-10-30 Method for manufacturing radiation detection device Active JP7337663B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019198004A JP7337663B2 (en) 2019-10-30 2019-10-30 Method for manufacturing radiation detection device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019198004A JP7337663B2 (en) 2019-10-30 2019-10-30 Method for manufacturing radiation detection device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021071379A JP2021071379A (en) 2021-05-06
JP7337663B2 true JP7337663B2 (en) 2023-09-04

Family

ID=75712923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019198004A Active JP7337663B2 (en) 2019-10-30 2019-10-30 Method for manufacturing radiation detection device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7337663B2 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009133837A (en) 2007-11-05 2009-06-18 Canon Inc Manufacturing method of radiation detecting apparatus, and radiation detecting apparatus, and radiation imaging system
JP2018155699A (en) 2017-03-21 2018-10-04 コニカミノルタ株式会社 Radiation detector
US20190179039A1 (en) 2017-12-12 2019-06-13 Lg Display Co., Ltd. Panel for Flexible Digital X-Ray Detector and Method for Manufacturing the Same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009133837A (en) 2007-11-05 2009-06-18 Canon Inc Manufacturing method of radiation detecting apparatus, and radiation detecting apparatus, and radiation imaging system
JP2018155699A (en) 2017-03-21 2018-10-04 コニカミノルタ株式会社 Radiation detector
US20190179039A1 (en) 2017-12-12 2019-06-13 Lg Display Co., Ltd. Panel for Flexible Digital X-Ray Detector and Method for Manufacturing the Same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021071379A (en) 2021-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI805714B (en) Radiation detector, radiographic imaging device and manufacturing method
US10283555B2 (en) Radiation detection apparatus, manufacturing method therefor, and radiation detection system
TWI821460B (en) Radiation detector, radiographic imaging device and manufacturing method
JP7376636B2 (en) Radiation detector, radiation imaging device, and method for manufacturing radiation detector
JP4464260B2 (en) Semiconductor device, radiation imaging apparatus, and manufacturing method thereof
JP7342184B2 (en) Radiation detector, radiation imaging device, and method for manufacturing radiation detector
TW201940125A (en) Radiation detector, radiographic imaging device and manufacturing method
US20180011206A1 (en) Radiation detecting apparatus, radiation detecting system, and manufacturing method for radiation detecting apparatus
US11802981B2 (en) Method of manufacturing radiation detector and radiographic imaging apparatus
JP7337663B2 (en) Method for manufacturing radiation detection device
JP2007057428A (en) Radiation detecting device and radiation imaging system
JP7314019B2 (en) Method for manufacturing radiation detection device
JP2022092706A (en) Method for manufacturing radiation detector
JP2004061116A (en) Radiation detector and system
JP2021071378A (en) Method for manufacturing radiation detection device
JP2022092707A (en) Method for manufacturing radiation detector
JP2021071461A (en) Method for manufacturing radiation detection device
JP2023074330A (en) Method for manufacturing radiation detection device
TWI828764B (en) Radiation detection device, radiation imaging device and manufacturing method
TWI833894B (en) Radiation detector manufacturing method and radiographic imaging device
JP2021071462A (en) Method for manufacturing radiation detection device
JP7470631B2 (en) Radiation detector, method for manufacturing radiation detector, and scintillator panel unit
JP7457640B2 (en) Radiation detector and radiation detector manufacturing method
TW202242450A (en) Radiation detector, manufacturing method of radiation detector, and scintillator panel unit
JP2022099513A (en) Radiation detector, manufacturing method of radiation detector, and scintillator panel unit

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221025

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230704

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230725

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230823

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7337663

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151