JP7336915B2 - vacuum equipment - Google Patents
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Description
本発明による実施形態は、真空装置に関する。 Embodiments according to the invention relate to vacuum devices.
荷電粒子ビーム描画装置では、真空チャンバ内において搬送ロボットによりマスクが描画ステージに搬送され、マスクの描画が行われる。例えば、搬送ロボットとの接触により搬送ロボットからの熱がマスクに伝わると、マスクに温度ムラが生じる場合がある。この場合、マスクの熱膨張が不均一になり、描画精度が悪化してしまう。そこで、描画ステージに載置されたマスクの温度が略均一に描画ステージの温度とほぼ同じ温度になるまで待ってから、マスクの描画が行われる。 In a charged particle beam drawing apparatus, a mask is transferred to a drawing stage by a transfer robot in a vacuum chamber, and drawing is performed on the mask. For example, if heat from the transport robot is transmitted to the mask due to contact with the transport robot, the temperature of the mask may become uneven. In this case, the thermal expansion of the mask becomes non-uniform, degrading the drawing accuracy. Therefore, the writing of the mask is performed after waiting until the temperature of the mask placed on the writing stage becomes substantially uniform and substantially the same as the temperature of the writing stage.
しかし、真空中では、マスクの温度が略均一に描画ステージの温度とほぼ同じ温度になるまでに、例えば、数十分から数時間などの長い時間がかかってしまう。この長い待ち時間により、スループットが悪化してしまうという問題があった。 However, in a vacuum, it takes a long time, for example, several tens of minutes to several hours, until the temperature of the mask becomes substantially uniform and substantially the same as the temperature of the drawing stage. This long waiting time causes a problem that the throughput deteriorates.
処理対象の恒温化を短時間で行うことによりスループットの向上が可能な真空装置を提供することを目的とする。 It is an object of the present invention to provide a vacuum apparatus capable of improving throughput by making the temperature of an object to be processed constant in a short period of time.
本実施形態による真空装置は真空中で処理対象が搬送されるチャンバと、処理対象を保持する保持部を有し、チャンバ内で処理対象を搬送する搬送ロボットと、搬送ロボットの位置を制御することによりチャンバ内で弾性変形することで保持部と面接触する接触部を有し、保持部の温度を所定温度に調節する恒温部とを備える。 A vacuum apparatus according to this embodiment has a chamber in which a processing target is transferred in a vacuum, a holding unit that holds the processing target, a transfer robot that transfers the processing target in the chamber, and a position control device for controlling the position of the transfer robot. a constant temperature part that has a contact part that comes into surface contact with the holding part by being elastically deformed in the chamber by the constant temperature part that adjusts the temperature of the holding part to a predetermined temperature.
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。 Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings. This embodiment does not limit the present invention.
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。 The drawings are schematic or conceptual, and the ratio of each part is not necessarily the same as the actual one. In the specification and drawings, the same reference numerals are given to the same elements as those described above with respect to the previous drawings, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態による真空装置である荷電粒子ビーム描画装置10の構成の一例を示す模式図である。図1に示す荷電粒子ビーム描画装置は、例えば、処理対象(マスクW)に電子ビームを照射して所定のパターンを描画する。尚、本実施形態は、描画装置の他、露光装置、電子顕微鏡、光学顕微鏡等の電子ビーム(荷電粒子ビーム)や光を処理対象に照射する装置であってもよい。従って、処理対象は、マスクの他、半導体基板等であってもよい。
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the configuration of a charged particle
荷電粒子ビーム描画装置は、真空引きされた描画チャンバ(ライティングチャンバ)1と、描画チャンバ1の天井部に設けられたビーム照射部である電子鏡筒2と、描画チャンバ1に隣接するように配置された真空引きされたロボットチャンバ3と、ロボットチャンバ3に収納された搬送ロボット4と、描画チャンバ1と反対側でロボットチャンバ3と隣接するように配置されたロードロックチャンバ5とを備えている。ロードロックチャンバ5は、外部からマスクWを搬入する際には、大気開放されるが、マスクWをロボットチャンバ3へ搬送する際には、ロボットチャンバ3と同様に真空引きされる。従って、ロードロックチャンバ5およびロボットチャンバ3の内部を真空に保ったままで、ロードロックチャンバ5とロボットチャンバ3との間でマスクWの交換が可能である。また、アライメントチャンバ8およびソーキングチャンバ9内も、ロボットチャンバ3と同様に真空引きされている。描画チャンバ1とロボットチャンバ3との間、および、ロボットチャンバ3とロードロックチャンバ5との間には、それぞれゲートバルブ6,7が設けられている。
The charged particle beam lithography system includes an evacuated writing chamber (writing chamber) 1, an
図2は、第1実施形態による荷電粒子ビーム描画装置10の構成の一例を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing an example of the configuration of the charged particle
ロボットチャンバ3の周囲には、マスクWを位置決めするアライメントチャンバ8およびソーキング処理を行うソーキングチャンバ9が設けられている。ソーキング処理とは、マスクWの温度を描画チャンバ1内の温度に近づける処理である。ソーキングチャンバ9は、流水で冷やされた銅板からの輻射により、マスクWを非接触で温調する。マスクWの温調により、マスクWの温度は、描画ステージ1aの温度に近づき、かつ、マスクW面内において略均一化される。これにより、描画チャンバ1内にマスクWを搬送したときに、マスクWの温度が描画ステージ1aの温度に近付いており、描画チャンバ1内におけるソーキングの時間が短縮される。また、マスクWの温度がマスクW面内において略均一化されることによって、温度によるマスクWの寸法変化を抑制し、描画パターンの精度の劣化を抑制することができる。
An
図2に示すように、荷電粒子ビーム描画装置10は、搬送ロボット4と、恒温部(恒温化機構)11と、温調部12と、温度計13と、制御部14とを備える。
As shown in FIG. 2 , the charged particle
搬送ロボット4は、真空チャンバとしてのロボットチャンバ3内に収容され、マスクWを保持する保持部(エンドエフェクタ44)を有し、マスクWを搬送する。例えば、搬送ロボット4は、鉛直軸線回りに旋回自在なロボット本体41と、ロボット本体41に昇降自在に支持される昇降ロッド42と、昇降ロッド42の上端に取り付けた屈伸自在なロボットアーム43と、ロボットアーム43の先端に取り付けられ、マスクWを保持(載置)するエンドエフェクタ44とを有している。ロボット本体41には、ロボット本体41の旋回用と昇降ロッド42の昇降用とロボットアーム43の屈伸用の駆動源が内蔵されている。
The
搬送ロボット4の駆動源の発熱(例えば、通電によるジュール熱)により、駆動源からの熱がロボットアーム43を介してエンドエフェクタ44に伝わり、エンドエフェクタ44の温度が上昇する場合がある。例えば、エンドエフェクタ44にマスクWを載置して描画ステージ1aに搬送する際に、マスクWの温度がエンドエフェクタ44からの熱伝導で0.04~0.05℃程度上昇してしまうことがある。LSI等の微細なパターンを描画する場合には、この程度の温度上昇でも描画精度に悪影響が及ぶ可能性がある。また、マスクWに温度ムラが生じ、マスクWの熱膨張が不均一になり、描画精度が悪化する可能性がある。
Heat generated by the drive source of the transfer robot 4 (for example, Joule heat due to energization) may transfer heat from the drive source to the
通常、マスクWの描画は、描画ステージ1aに載置されたマスクWが描画ステージ1aの温度とほぼ等しい温度になるまで待ってから行われる。しかし、描画チャンバ1の真空中では、媒体の対流による熱伝達がほとんどなく、マスクWの熱が排熱され難い。従って、マスクWが描画ステージ1aの温度になるまでの待ち時間(ソーキング時間)は、かなり長い時間となる。また、図2に示すように、ソーキングチャンバ9が設けられていれば、マスクWのソーキング時間は或る程度短縮される。しかし、ソーキングチャンバ9においても、非接触によるソーキング処理が行われるため、ソーキング時間は、やはり、比較的長い時間となってしまう。従って、エンドエフェクタ44からの熱伝導によってマスクWの温度が上昇すると、その後のソーキング時間が長期化してしまう。
Normally, the drawing of the mask W is performed after waiting until the temperature of the mask W placed on the
そこで、本実施形態において、マスクWを搬送する際に、搬送ロボット4は、エンドエフェクタ44を恒温化機構11に接触させて、エンドエフェクタ44の温度を所定温度に維持する。恒温化機構11は、描画チャンバ1、ロボットチャンバ3、アライメントチャンバ8、ソーキングチャンバ9のいずれかの真空チャンバの内壁に設けられており、該内壁に接触している。例えば、図2に示すように、恒温化機構11は、搬送ロボット4が設けられるロボットチャンバ3内に設けられていることが好ましい。ロボットチャンバ3は、描画チャンバ1に繋がっており、それとほぼ同じ温度に設定されている。恒温化機構11は、ロボットチャンバ3とほぼ同じ温度に設定される。また、描画ステージ1aは、描画チャンバ1内に設けられており、描画チャンバ1とほぼ同じ温度になっている。これにより、恒温化機構11は、エンドエフェクタ44と接触することによりエンドエフェクタ44と熱交換し、エンドエフェクタ44の温度を描画チャンバ1および描画ステージ1aの温度に接近させることができる。また、恒温化機構11をロボットチャンバ3内に設けることによって、搬送ロボット4は、エンドエフェクタ44を恒温化機構11に頻繁に接触させることができる。これにより、搬送ロボット4の駆動源からの熱を頻繁に排熱して、エンドエフェクタ44の温度を所定温度に維持することができる。この結果、搬送ロボット4は、マスクWの温度を描画ステージ1aの温度からさほど変化させずに、マスクWを描画チャンバ1内の描画ステージ1aへ搬送することができる。これは、ソーキング時間を短縮し、スループットを向上させることにつながる。尚、恒温化機構11は、描画チャンバ1内やソーキングチャンバ9内に設けられてもよい。また、恒温化機構11の温度の詳細については、制御部14とともに、後で説明する。
Therefore, in this embodiment, when transporting the mask W, the
恒温化機構11の材料は、金属などの高熱伝導材料であることが好ましい。恒温化機構11は、例えば、金めっきした銅である。金めっきにより、表面の熱伝導を向上させることができ、また、銅の表面が錆びることによる熱伝導の減少を抑制することができる。
The material of the
また、エンドエフェクタ44との接触面における恒温化機構11の材料は、低発塵性の材料であることが好ましい。エンドエフェクタ44との接触により恒温化機構11の表面が摩耗すると、パーティクルが発生する可能性がある。そこで、恒温化機構11の材料は、例えば、PEEK(Poly Ether Ether Ketone)樹脂や、ベアリーなどのフッ素樹脂や、CFRP(Carbon Fiber Reinforced Plastic)などの摩耗しづらい材料であることが好ましい。また、上記の樹脂は、例えば、フィラーにより導電性が付与されてもよい。これにより、樹脂の熱伝導が向上し、効率よく排熱することができる。また、樹脂は、真空中におけるガス放出が少ないものが好ましい。
Moreover, the material of the
また、恒温化機構11の表面を耐摩耗処理してもよい。恒温化機構11は、例えば、硬質アルマイトとフッ素樹脂を組み合わせた複合被膜で被覆されたアルミニウムまたはアルミニウム合金である。表面処理によって恒温化機構11の熱伝導は減少する。しかし、恒温化機構11の内部は高い熱伝導を保ち、かつ、恒温化機構11の発塵を抑制することができる。恒温化機構11のより詳細な構成は、図3を参照して後で説明する。
Further, the surface of the
図2に示す温調部12は、恒温化機構11の温度を調節する。温調部12は、例えば、恒温化機構11の内部に設けられる。温調部12は、例えば、ペルチェ素子であり、恒温化機構11を冷却する。恒温化機構11の冷却により、搬送ロボット4の駆動源からの熱を効率よく排熱させることができる。尚、温調部12は、恒温化機構11の内部に一定温度の流体(流水)を流すことにより恒温化機構11を冷却してもよい。
The
尚、ロボットチャンバ3の壁には、ロボットチャンバ3の温度を或る温度(例えば、23℃)に維持するチャンバ温調部(図示せず)が設けられている。チャンバ温調部は、例えば、チャンバ壁の内部に一定温度の流体(流水)を流す。アライメントチャンバ8の温度もロボットチャンバ3とほぼ同じ温度に維持される。温調部12が流水である場合、温調部12は、チャンバ温調部とは異なる温度に制御される。
A wall of the
温度計13は、恒温化機構11の温度を測定する。温度計13は、例えば、恒温化機構11に接触するように設けられる。温度計13は、エンドエフェクタ44との接触面に近い位置に設けられることが好ましい。温度計13は、測定した恒温化機構11の温度を制御部14へ送る。温度計は、例えば、熱電対や白金抵抗体である。
A
制御部14は、測定された恒温化機構11の温度に基づいて、温調部12を制御する。制御部14は、真空チャンバの外部に設けられ、温調部12および温度計13と接続している。例えば、制御部14は、恒温化機構11の測定温度に基づいて、フィードバック制御により温調部12を制御する。これにより、制御部14は、恒温化機構11の温度を制御し、エンドエフェクタ44の温度を任意の温度(所定温度)に維持することができる。また、制御部14は、ユーザが恒温化機構11の測定温度を確認できるように、測定温度を表示部(図示せず)に表示してもよい。
The
恒温化機構11の温度(所定温度)は、例えば、マスクWの処理時の温度以下であることが好ましい。マスクWの処理時の温度は、例えば、描画ステージ1aの温度である。この場合、エンドエフェクタ44は、恒温化機構11により描画ステージ1aの温度に維持される。これにより、エンドエフェクタ44は、マスクWの温度を描画ステージ1aの温度からさほど変化させることなくマスクWを描画チャンバ1内の描画ステージ1aに搬送することができる。その結果、ソーキング時間を短縮し、スループットを向上させることができる。また、描画ステージ1aは、水平面で直交する2方向および鉛直方向に移動自在にする駆動源を有し、搬送ロボット4と同様に、マスクWの温度を上昇させる可能性がある。そこで、搬送ロボット4や描画ステージ1aが有する駆動源で発生する熱を考慮して、恒温化機構11の温度は、マスクWの処理時の温度よりも低い温度に設定されていてもよい。尚、高温でマスクWが処理される場合、温調部12は、ヒータを有していてもよい。
It is preferable that the temperature (predetermined temperature) of the
図3は、第1実施形態による恒温化機構11の構成の一例を示す模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of the configuration of the
恒温化機構11は、弾性部材111と、板材112とを有する。
The
弾性部材111は、曲面を有する板状であり、例えば、板バネである。弾性部材111は、図3の紙面垂直方向を長手方向とした半円筒状である。弾性部材111は、例えば、1枚の板を曲げて作製される。弾性部材111が切れ目のない1枚の板であるため、接合部による熱抵抗がなく、効率よく排熱し、または、エンドエフェクタ44の温度を所定温度に維持することができる。また、弾性部材111および板材112は、例えば、金めっきされた銅である。
The
弾性部材111は、接触部(湾曲部)111aと、板材112に固定される固定部111bとを含む。
The
湾曲部111aは、変形することでエンドエフェクタ44と弾性的に面接触する。例えば、湾曲部111aは、エンドエフェクタ44の方向に突出するように湾曲している。エンドエフェクタ44が下降すると、湾曲部111aは、弾性変形してエンドエフェクタ44の下面との接触面積が増える。また、エンドエフェクタ44の下面と湾曲部111aとは、弾性力により密着し、面接触する。これにより、効率よく排熱し、または、エンドエフェクタ44の温度を恒温化機構11の温度に維持することができる。
The
もし、恒温化機構11が湾曲部111aを有しない場合、エンドエフェクタ44を恒温化機構11に接触させる際に、エンドエフェクタ44に強い負荷がかかる可能性がある。これは、例えば、接触面積を大きくするために、搬送ロボット4がエンドエフェクタ44を恒温化機構11に押しつけるためである。この負荷により、ロボットアーム43やエンドエフェクタ44が曲がったり、エンドエフェクタ44に傷がついてしまう可能性がある。
If the
これに対して、第1実施形態による恒温化機構11は、湾曲部111aが変形することでエンドエフェクタ44と接触するため、エンドエフェクタ44に負荷がかかることを抑制することができる。即ち、湾曲部111aは、緩衝材として機能する。また、恒温化機構11がエンドエフェクタ44に対してわずかに傾いている場合でも、接触させることができる。また、湾曲部111aの湾曲が緩やかであれば、恒温化機構11とエンドエフェクタ44とを弱い力で面接触させることができる。これにより、恒温化機構11の発塵を低減することができる。
In contrast, the
固定部111bは、板材112と固定される。固定部111bが強く板材112と固定されることにより、効率よく排熱し、または、エンドエフェクタ44の温度を所定温度に維持することができる。
The fixed
板材112は、チャンバ底面35と固定される。板材112の材料は、金属などの高熱伝導材料であることが好ましい。
The
温調部12および温度計13は、弾性部材111に接触するように設けられている。しかし、温調部12および温度計13は、板材112の内部または板材112に接触するように設けられていてもよい。
第1実施形態による荷電粒子ビーム描画装置10において、半円筒状の弾性部材111の長手方向は、エンドエフェクタ44の延伸方向と略直交してもよいが、エンドエフェクタ44の延伸方向と略平行方向であってもよい。弾性部材111の長手方向をエンドエフェクタ44の延伸方向と略平行方向にすることによって、弾性部材111とエンドエフェクタ44との接触面積を大きくすることができる。
In the charged particle
また、弾性部材111は、ドーム状であってもよい。すなわち、図3の紙面垂直方向にも弾性部材111が延びて板材112と固定されてもよい。これにより、熱の伝導経路が増え、効率よく排熱し、または、エンドエフェクタ44の温度を恒温化機構11の温度に維持することができる。
Also, the
次に、荷電粒子ビーム描画装置の動作について説明する。 Next, the operation of the charged particle beam drawing apparatus will be described.
まず、マスクWは、図外のロボットによりロードロックチャンバ5に搬入される。このとき、ロードロックチャンバ5は、大気開放されている。荷電粒子ビーム描画装置は、ロードロックチャンバ5を真空にした後、ゲートバルブ7を開き、搬送ロボット4はマスクWをロードロックチャンバ5からソーキングチャンバ9に搬送する。ソーキングチャンバ9でソーキング処理が行われる。このソーキング処理中に、搬送ロボット4は、エンドエフェクタ44を恒温化機構11と接触させて待機してもよい。これにより、エンドエフェクタ44の温度を恒温化機構11の温度に維持することができる。
First, the mask W is loaded into the
次に、ソーキング処理後、搬送ロボット4は、マスクWをソーキングチャンバ9からアライメントチャンバ8に搬送する。アライメントチャンバ8でマスクWの位置決めが行われる。この位置決め処理中に、搬送ロボット4は、エンドエフェクタ44を恒温化機構11と接触させて待機してもよい。これにより、エンドエフェクタ44の温度を恒温化機構11の温度に維持することができる。
Next, after the soaking process, the
次に、位置決め処理後、搬送ロボット4は、マスクWをアライメントチャンバ8から搬出する。荷電粒子ビーム描画装置はゲートバルブ6を開き、搬送ロボット4は描画チャンバ1に収納された描画ステージ1aにマスクWを搬送する。このとき、エンドエフェクタ44は、恒温化機構11の温度(即ち、描画ステージ1aの温度に近い温度)に維持されている。従って、エンドエフェクタ44は、マスクWの温度を描画ステージ1aの温度に近い温度で搬送する。その後、荷電粒子ビーム描画装置は、マスクWと描画ステージ1aとがほぼ等しい温度になるまで待つ。このとき、マスクWの温度は、描画ステージ1aの温度と大差ないため、短時間で描画ステージ1aの温度とほぼ等しい温度になる。ソーキング時間の経過後、荷電粒子ビーム描画装置は、描画ステージ1aに載置したマスクWに電子鏡筒2から電子ビームを照射しながら描画ステージ1aを移動させ、マスクWに電子ビームを走査して所定のパターンを描画する。
After the positioning process, the
以上のように、第1実施形態によれば、恒温化機構11がロボットチャンバ3に設けられており、描画ステージ1aの温度に近い温度に維持されている。搬送ロボット4が真空チャンバ内においてエンドエフェクタ44を恒温化機構11に直に接触させることによって、エンドエフェクタ44の温度を恒温化機構11の温度に維持する。即ち、恒温化機構11は、エンドエフェクタ44と直に接触して、真空中でも熱伝導により効率よく排熱することができる。これにより、搬送ロボット4で発生する熱によるエンドエフェクタ44の温度上昇を抑制することができる。従って、マスクWの搬送によるマスクWの温度変化を抑制することができる。この結果、ソーキング時間を短縮し、スループットを向上させることができる。
As described above, according to the first embodiment, the
また、第1実施形態によれば、制御部14は、測定された恒温化機構11の温度に基づいて、温調部12を制御する。これにより、エンドエフェクタ44の温度を任意の温度に維持することができる。
Further, according to the first embodiment, the
尚、搬送ロボット4は、マスクWの搬送中に、マスクWをエンドエフェクタ44に載置したまま、エンドエフェクタ44を恒温化機構11と接触させてもよい。これにより、マスクWの搬送中におけるマスクWの温度変化を抑制することができる。
The
図4は、第1実施形態によるマスクWおよび恒温化機構11の位置関係の一例を示す模式図である。図4は、エンドエフェクタ44および恒温化機構11の接触時に、マスクWおよび恒温化機構11を上方から見た図である。図4の破線は、エンドエフェクタ44に載置されたマスクWの位置を示す。また、マスクWは、3つの接点441と接触して、エンドエフェクタ44によって支持される。
FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of the positional relationship between the mask W and the
鉛直上方から見たときに、恒温化機構11は、エンドエフェクタ44に載置されたマスクWの面積よりも広い範囲にわたって設けられる。例えば、図4において、恒温化機構11の上方とロボットチャンバ3のチャンバ底面35の上方とでは、放射される輻射熱が異なる。これは、恒温化機構11とチャンバ底面35との間に温度差や放射率の差がある場合があるためである。この場合、マスクWが恒温化機構11およびチャンバ底面35の両方に対向していると、マスクWは、恒温化機構11だけでなく、チャンバ底面35からも輻射熱を受ける。これは、マスクWの面内における温度のばらつき(温度ムラ)の原因となる。一方、恒温化機構11がマスクWの範囲よりも広い範囲にわたって設けられると、エンドエフェクタ44に載置されたマスクWは、恒温化機構11と対向するが、チャンバ底面35とは対向しない。この場合、輻射による熱伝達は、マスクWと恒温化機構11との間において専ら行われる。これにより、マスクWの温度ムラを抑制し、マスクWの温度をより均一にすることができる。即ち、恒温化機構11の上面の面積をエンドエフェクタ44に載置されたマスクWの面積よりも広くすることによって、マスクWの温度ムラを抑制することができる。
When viewed vertically from above, the
また、温調部12、温度計13および制御部14は省略してもよい。この場合、恒温化機構11は、真空チャンバの内面に接触するように設けられているので、上述の通り、ロボットチャンバ3の内面とほぼ同じ温度になる。この場合であっても、搬送によるマスクWの温度変化を抑制することができる。また、荷電粒子ビーム描画装置10の構成が簡易になる。尚、恒温化機構11は、エンドエフェクタ44の下面に限られず、エンドエフェクタ44の側面と接触してもよい。
Also, the
(第2実施形態)
図5は、第2実施形態による恒温化機構11の構成の一例を示す模式図である。第2実施形態によれば、弾性部材111の構造が異なる点で、第1実施形態と異なる。
(Second embodiment)
FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of the configuration of the
弾性部材111は、屈曲部111cをさらに含む。屈曲部111cは、湾曲部111aと固定部111bとの間に弾性的に屈曲するように設けられている。屈曲部111cは、バネ状である。従って、エンドエフェクタ44が下降して屈曲部111cに押しつけられると、屈曲部111cは、弾性力により湾曲部111aをエンドエフェクタ44に押しつける。これにより、エンドエフェクタ44および恒温化機構11を損傷することなく、エンドエフェクタ44と弾性部材111とを広い接触面積で接触させることができる。
The
湾曲部111aの両側にある2つの対向する屈曲部111cは、例えば、互いに向き合うようにV字に屈曲し、パンタグラフ状の構造を有する。これにより、弾性部材111の安定性を向上させることができる。
The two opposing
図5では、板材112は設けられず、弾性部材111はチャンバ底面35と直接固定されているが、第1実施形態と同様に、図3の板材112が設けられていてもよい。
In FIG. 5, the
第2実施形態による荷電粒子ビーム描画装置10のその他の構成は、第1実施形態による荷電粒子ビーム描画装置10の対応する構成と同様であるため、その詳細な説明を省略する。
Other configurations of the charged particle
第2実施形態による荷電粒子ビーム描画装置10は、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第2実施形態による荷電粒子ビーム描画装置10に下記変形例を組み合わせてもよい。
(変形例)
第1又は第2実施形態の変形例は、エンドエフェクタ44と恒温化機構11との接触面が下に凸である点で、第1又は第2実施形態と異なる。
The charged particle
(Modification)
The modified example of the first or second embodiment differs from the first or second embodiment in that the contact surface between the
図6は、変形例によるエンドエフェクタ44および恒温化機構11の一例を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an example of an
本変形例によれば、エンドエフェクタ44と恒温化機構11との接触面が、湾曲している。例えば、図6に示すように、エンドエフェクタ44の下面は恒温化機構11に向かって突出するように湾曲しており、恒温化機構11の上面に接触することにより、上面が窪むように弾性変形する。これにより、接触面積が大きくなり、効率よく排熱し、または、エンドエフェクタ44の温度を所定温度に維持することができる。
According to this modification, the contact surface between the
また、本変形例による荷電粒子ビーム描画装置10は、第1または第2実施形態と同様の効果を得ることができる
Also, the charged particle
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、真空装置として実施形態において荷電粒子ビーム描画装置について説明したが、これに限定されるものではなく、搬送によりウェハやマスクなどの温度変化が生じる検査装置等についても適用することができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。 While several embodiments of the invention have been described, these embodiments have been presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and modifications can be made without departing from the scope of the invention. For example, although a charged particle beam drawing apparatus has been described as a vacuum apparatus in the embodiments, the present invention is not limited to this, and can also be applied to an inspection apparatus or the like in which the temperature of a wafer, mask, or the like changes due to transportation. These embodiments and their modifications are included in the scope and spirit of the invention, as well as the scope of the invention described in the claims and equivalents thereof.
W マスク、3 ロボットチャンバ、4 搬送ロボット、10 荷電粒子ビーム描画装置、11 恒温化機構、12 温調部、13 温度計、14 制御部、44 エンドエフェクタ、111 弾性部材、111a 湾曲部、111c 屈曲部 W mask, 3 robot chamber, 4 transfer robot, 10 charged particle beam drawing device, 11 constant temperature mechanism, 12 temperature control unit, 13 thermometer, 14 control unit, 44 end effector, 111 elastic member, 111a bending portion, 111c bending Department
Claims (8)
前記処理対象を保持する保持部を有し、前記チャンバ内で前記処理対象を搬送する搬送ロボットと、
前記搬送ロボットの位置を制御することにより前記チャンバ内で弾性変形することで、前記保持部と面接触する接触部を有する弾性部材から構成され、前記保持部の温度を所定温度に調節する恒温部とを備え、
前記弾性部材の前記接触部は、前記保持部の方向に対し、突出するように湾曲することを特徴とする真空装置。 a chamber in which the object to be processed is transported in a vacuum;
a transfer robot having a holding unit that holds the processing target and transporting the processing target within the chamber;
An elastic member having a contact portion that makes surface contact with the holding portion by elastically deforming in the chamber by controlling the position of the transfer robot, and a constant temperature for adjusting the temperature of the holding portion to a predetermined temperature. and
The vacuum device , wherein the contact portion of the elastic member is curved so as to protrude toward the holding portion .
前記チャンバに固定された板材と、a plate fixed to the chamber;
前記弾性部材を前記板材に固定する固定部とを備える、請求項1に記載の真空装置。2. The vacuum device according to claim 1, further comprising a fixing portion for fixing said elastic member to said plate member.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2021034436A JP2021034436A (en) | 2021-03-01 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP7336915B2 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001035902A (en) | 1999-07-26 | 2001-02-09 | Jel:Kk | Robot for carrying substrate |
JP2010157630A (en) | 2008-12-27 | 2010-07-15 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam lithography system |
JP2019019377A (en) | 2017-07-18 | 2019-02-07 | 株式会社アルバック | Substrate transportation method and substrate transportation device |
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2019
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Patent Citations (3)
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JP2019019377A (en) | 2017-07-18 | 2019-02-07 | 株式会社アルバック | Substrate transportation method and substrate transportation device |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021034436A (en) | 2021-03-01 |
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