JP7290854B2 - モードコントローラ - Google Patents

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Description

本発明は光ファイバ中における光の電界強度分布を制御するモードコントローラに関する。
近年、光通信分野において、空間分割多重方式による通信の研究が進められている。空間分割多重方式においては、高次モードの光の、当該光の伝搬方向に垂直な断面における電界強度分布を、任意の方向に回転させる必要がある。
非特許文献1には、応力付与型偏波保持光ファイバを光軸の周りで回転させることにより、光ファイバ中を伝搬される高次モードの光の電界強度分布を制御するモードコントローラが開示されている。当該モードコントローラにおいて、応力付与型偏波保持光ファイバは、高速軸および低速軸を有している。低速軸の方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有するモードの光の位相は、高速軸の方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有するモードの光の位相に対して1/2波長分遅延する。応力付与型偏波保持光ファイバを回転させ、光軸の周りにおける高速軸および低速軸の方向を変化させることで、電界強度分布を任意の方向に回転させることができる。
しかしながら、非特許文献1に記載のモードコントローラは、光軸方向における応力付与型偏波保持光ファイバの長さが10cm程度と長いため、サイズが大型であるという問題がある。
本発明の一態様は、小型化が可能なモードコントローラを実現することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るモードコントローラは、所定の光軸に沿って高次モードの光を伝搬する光学素子であって、前記光軸に垂直な断面における第1の方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有する第1のモードの光と、前記第1の方向に垂直な第2の方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有する第2のモードの光とで1/2波長分の位相差を生じさせる第1の光学素子と、前記光軸を回転軸として前記第1の光学素子を回転させる第1の回転機構とを備え、前記断面において、前記第1の光学素子の、前記第1の方向の幅と、前記第2の方向の幅とは互いに異なっている。
本発明の一態様によれば、小型化が可能なモードコントローラを実現できる。
実施形態1に係るモードコントローラの構成を示す図である。 実施形態1における1/4波長素子の断面図である。 (a)は、本実施形態に係るモードコントローラの外観を示す側面図であり、(b)は、(a)のA-A線断面図である。 (a)および(b)は、1/4波長素子による光の電界強度分布の変換について説明するための図である。 (a)~(d)は、図3の(a)に示す電界強度分布を有する光が1/2波長素子に入射した場合に、1/2波長素子から出射される光の電界強度分布の例を示す図である。 1/2波長素子の回転量と、1/2波長素子から出射される光の電界強度分布の回転量および偏波の回転量との関係を示すグラフである。 LP21モードの光の電界強度分布の、1/2波長素子による回転の例を示す図である。 1/2波長素子のコア寸法およびコアの屈折率と、1/2波長素子の長さとの関係を示す表である。 平面光波回路である1/2波長素子を示す図である。 実施形態2に係るモードコントローラの構成を示す図である。 実施形態3に係るモードコントローラの構成を示す図である。
〔実施形態1〕
以下、本発明の一実施形態について、詳細に説明する。
図1は、本実施形態に係るモードコントローラ1の構成を示す図である。モードコントローラ1は、入射側光ファイバ41から入射する光の電界強度分布を変換し、出射側光ファイバ42に出射する。図1に示すように、モードコントローラ1は、1/4波長素子11(第2の光学素子)、1/2波長素子21(第1の光学素子)、1/4波長素子31(第3の光学素子)、筐体14(第2の回転機構)、筐体24(第1の回転機構)、および筐体34(第3の回転機構)を備える。1/4波長素子11、1/2波長素子21、および1/4波長素子31はいずれも、光軸C(所定の光軸)に沿って高次モードの光を伝搬する。また、モードコントローラ1は、レンズ12、13、22、23、32、33、および台座50(第1~第3の回転機構)を備える。
図2は、本実施形態における1/4波長素子11の断面図である。図2に示すように、1/4波長素子11は、光軸Cに垂直な断面が楕円形であるコア11aと、その周囲のクラッド11bを有する。ここでいうコアおよびクラッドは、一般的な光ファイバにおけるコアおよびクラッドと同様の構造である。ただし、本明細書における光ファイバのコアおよびクラッドの径は、一般的な光ファイバにおけるコアおよびクラッドの径に限定されず、コアの長軸の径を1mm以上とすることもできる。以下の説明では、このようなコアおよびクラッドを有する部材について光ファイバと称する。すなわち、1/4波長素子11の断面において、楕円形の長軸a1の方向(第1の方向)の幅と、短軸a2の方向(第2の方向)の幅とは互いに異なっている。1/4波長素子11は、断面の楕円形における長軸a1の方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有するモード(第1のモード)の光と、短軸a2の方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有するモード(第2のモード)の光とで、1/4波長分の位相差を生じさせる。
1/4波長素子11のコアおよびクラッドの材料は、使用する波長で透明度の高い材料であればよく、それぞれ、一般的な光ファイバにおけるコアおよびクラッドの材料と同じであってよい。具体的には、1/4波長素子11のクラッドの材料は、例えばフッ素系ポリマーのような樹脂材料、あるいは、ホウ素またはフッ素を添加した石英ガラスである。また、1/4波長素子11のコアの材料は、例えばポリメタクリル酸メチル(PMMA)またはポリカーボネートといった樹脂材料、あるいは、ゲルマニウムまたはリンを添加した石英ガラスである。
1/4波長素子11の入射側光ファイバ41側には、レンズ12が配されている。レンズ12は、入射側光ファイバ41の出射端から出射された光を1/4波長素子11の入射端へ集光する凸レンズである。1/4波長素子11の径が入射側光ファイバ41の径よりも大きい場合には、レンズ12の代わりにビームエキスパンダを用いる。なお、モードコントローラ1においては、レンズ12に入射する光を平行光にするためのレンズが、入射側光ファイバ41とレンズ12との間に配されていてもよい。1/4波長素子11の1/2波長素子21側には、レンズ13が配されている。レンズ13は、1/4波長素子11の出射端から出射された光を平行光にする凸レンズである。
1/4波長素子11、レンズ12および13は、筐体14に保持されている。筐体14は、円筒形状を有する。レンズ12および13の光軸、ならびに筐体14の中心軸は、光軸Cと一致する。
1/2波長素子21は、光軸Cに垂直な断面が楕円形であるコアを有する光ファイバである。1/2波長素子21の断面の、具体的な形状は、図2に示した1/4波長素子11の形状と同様である。すなわち、1/2波長素子21の断面において、楕円形の長軸a1の方向の幅と、短軸a2の方向の幅とは互いに異なっている。1/2波長素子21は、断面の楕円形における長軸の方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有するモード(第1のモード)の光と、短軸の方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有するモード(第2のモード)の光とで、1/2波長分の位相差を生じさせる。1/2波長素子21のコアおよびクラッドの材料はそれぞれ、1/4波長素子11のコアおよびクラッドの材料と同様であってよい。
1/2波長素子21の1/4波長素子11側には、レンズ22が配されている。レンズ22は、レンズ13により平行光になった光を1/2波長素子21の入射端へ集光する凸レンズである。1/2波長素子21の1/4波長素子31側には、レンズ23が配されている。レンズ23は、1/2波長素子21の出射端から出射された光を平行光にする凸レンズである。
1/2波長素子21、レンズ22および23は、筐体24に保持されている。筐体24は、円筒形状を有する。レンズ22および23の光軸、ならびに筐体24の中心軸は、光軸Cと一致する。
1/4波長素子31は、光軸Cに垂直な断面が楕円形であるコアを有する光ファイバである。1/4波長素子31の断面の、具体的な形状は、図2に示した1/4波長素子11の形状と同様である。すなわち、1/4波長素子31の断面において、楕円形の長軸a1の方向の幅と、短軸a2の方向の幅とは互いに異なっている。1/4波長素子31は、1/4波長素子11と同様、断面の楕円形における長軸の方向(第1の方向)に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有するモード(第1のモード)の光と、短軸の方向(第2の方向)に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有するモード(第2のモード)の光とで、1/4波長分の位相差を生じさせる。1/4波長素子31のコアおよびクラッドの材料はそれぞれ、1/4波長素子11のコアおよびクラッドの材料と同様であってよい。1/4波長素子31は、1/2波長素子21に対して、1/4波長素子11とは逆側に配されている。
1/4波長素子11、1/2波長素子21、および1/4波長素子31の断面において、長軸a1の長さに対する短軸a2の長さの割合(以下の説明では縦横比と称する)は、50%以上かつ98%以下の範囲であることが好ましい。また、1/4波長素子11、1/2波長素子21、および1/4波長素子31の断面において、縦横比は、80%以上かつ95%以下の範囲であることがより好ましい。縦横比がこのような範囲内であることで、1/4波長素子11、1/2波長素子21、および1/4波長素子31を小型化し、かつ光の電界強度分布を適切に変換または回転させることができる。
縦横比が過大である場合、1/4波長素子11、1/2波長素子21、および1/4波長素子31の長さが長くなる。また、縦横比が過小である場合、1/4波長素子11、1/2波長素子21、および1/4波長素子31を伝搬された後の光の電界強度分布に歪みが生じる。
1/4波長素子31の1/2波長素子21側には、レンズ32が配されている。レンズ32は、レンズ23により平行光になった光を1/4波長素子31の入射端へ集光する凸レンズである。1/4波長素子31の出射側光ファイバ42側には、レンズ33が配されている。レンズ33は、1/4波長素子31の出射端から出射された光を出射側光ファイバ42の入射端へ集光する凸レンズである。
1/4波長素子31、レンズ32および33は、筐体34に保持されている。筐体34は、円筒形状を有する。レンズ32および33の光軸、ならびに筐体34の中心軸は、光軸Cと一致する。
図3の(a)は、モードコントローラ1の外観を示す側面図である。図3の(b)は、図3の(a)のA-A線断面図である。図3の(a)においては、レンズ12、13、22、23、32、および33は省略されている。
台座50は、円筒形である筐体14、24および34を、中心軸の周りで周方向に回転可能に支持する台座である。筐体14、24および34を回転させることで、1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31をそれぞれ光軸Cの周りで回転させることができる。すなわち、台座50および筐体14により、光軸Cを回転軸として1/4波長素子11を回転させる回転機構(第2の回転機構)が形成される。また、台座50および筐体24により、光軸Cを回転軸として1/2波長素子21を回転させる回転機構(第1の回転機構)が形成される。また、台座50および筐体34により、光軸Cを回転軸として1/4波長素子31を回転させる回転機構(第3の回転機構)が形成される。
図4の(a)および(b)は、1/4波長素子11および31による光の電界強度分布の変換について説明するための図である。図4の(a)に示す例では、光ファイバの光軸Cに垂直な断面における直線Lに沿って、光軸Cに対して対称な2箇所に、電界強度が高い領域であるピークP11およびP12が整列する電界強度分布が形成されている。図4の(b)に示す例では、光ファイバの光軸Cを中心とする環状のピークP13を有する電界強度分布が形成されている。
1/4波長素子11は、図4の(b)に示す電界強度分布を、図4の(a)に示す電界強度分布へ変換する。また、1/4波長素子31は、図4の(a)に示す電界強度分布を、図4の(b)に示す電界強度分布へ変換する。1/4波長素子11により変換された後の電界強度分布の形状は、光軸の周りでの入射側光ファイバ41に対する1/4波長素子31の回転量に応じて変化する。同様に、1/4波長素子31により変換された後の電界強度分布の形状は、光軸の周りでの入射側光ファイバ41に対する1/4波長素子31の回転量に応じて変化する。また、1/4波長素子11および31は、上記回転量によっては、電界強度分布を変換せずに光を伝搬することもできる。
このため、1/4波長素子11は、どのような電界強度分布を有する光が入射側光ファイバ41から入射する場合であっても、1/2波長素子21により電界強度分布を回転させることに好適な形状の電界強度分布を有する光を出射することができる。また、1/4波長素子31は、任意の形状の電界強度分布を有する光を出射側光ファイバ42へ出射することができる。
図5の(a)~(d)は、図4の(a)に示す電界強度分布を有する光が1/2波長素子21に入射した場合に、1/2波長素子21から出射される光の電界強度分布の例を示す図である。図5の(a)に示す例では、1/2波長素子21から出射される光の電界強度分布は、1/2波長素子21に入射する光の電界強度分布と同じである。以下の説明では、出射する光の電界強度分布が入射する光の電界強度分布と一致する場合における1/2波長素子21の回転量を0°とした場合における1/2波長素子21の回転量を用いて、1/2波長素子21から出射される光の電界強度分布の回転について説明する。なお、1/2波長素子21から出射する光の電界強度分布が入射する光の電界強度分布と一致する場合とは、上述した直線Lが1/2波長素子21の断面における長軸または短軸と一致する場合である。
図5の(b)は、1/2波長素子21の回転量が15°である場合における出射光の電界強度分布を示す図である。図5の(c)は、1/2波長素子21の回転量が30°である場合における出射光の電界強度分布を示す図である。図5の(d)は、1/2波長素子21の回転量が45°である場合における出射光の電界強度分布を示す図である。
図5の(b)に示すように、回転量が15°である1/2波長素子21から出射される光の電界強度分布は、1/2波長素子21に入射する光の電界強度分布に対して30°回転した状態である。図5の(c)に示すように、回転量が30°である1/2波長素子21から出射される光の電界強度分布は、1/2波長素子21に入射する光の電界強度分布に対して60°回転した状態である。図5の(d)に示すように、回転量が45°である1/2波長素子21から出射される光の電界強度分布は、1/2波長素子21に入射する光の電界強度分布に対して90°回転した状態である。このように、1/2波長素子21から出射される光の電界強度分布は、1/2波長素子21に入射する光の電界強度分布に対して、1/2波長素子21の回転量の2倍の角度だけ回転した状態となる。
図6は、1/2波長素子21の回転量と、1/2波長素子21から出射される光の電界強度分布の回転量および偏波の回転量との関係を示すグラフである。図6において、横軸は1/2波長素子21の回転量、縦軸は電界強度分布および偏波の回転量を示す。既に図5の(a)~(d)においても示した通り、1/2波長素子21から出射される光の電界強度分布は、1/2波長素子21に入射する光の電界強度分布に対して、1/2波長素子21の回転量の2倍の角度だけ回転した状態となる。一方、1/2波長素子21から出射される光の偏波は、1/2波長素子21の回転量に関わらず略一定である。
図7は、LP21モードの光の電界強度分布の、1/2波長素子21による回転の例を示す図である。図5の(a)~(d)に示す例では、LP11モードの光の電界強度分布の回転について説明した。しかし、1/2波長素子21は、LP21モードの光の電界強度分布を回転させることも可能である。
図7に示すように、LP11モードの光の電界強度分布は、光軸Cの周りに4つのピークP21、P22、P23およびP24を有する。例えば、1/2波長素子21の回転量を22.5°とすることで、図7に示すように、1/2波長素子21から出射される光の電界強度分布を、1/2波長素子21に入射する光の電界強度分布に対して45°回転した状態とすることができる。さらに、1/2波長素子21は、LP11モードおよびLP21モードのいずれとも異なる高次モードの光についても電界強度分布を回転させることが可能である。
なお、説明のため、図4の(a)および(b)、図5の(a)~(d)ならびに図7には、光の電界強度分布を画像で示している。しかし、実際にモードコントローラ1を使用する場合には、空間分割多重方式で送信された信号をモードコントローラ1の後段の装置において精度よく分離できるように、1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31の角度を調整すればよい。このため、モードコントローラ1を使用する場合には、光の電界強度分布を画像で確認する必要はない。
図8は、1/2波長素子21のコア寸法およびコアの屈折率と、1/2波長素子21の長さとの関係を示す表である。図8においては、コア寸法について、光軸に平行な断面における長軸の長さが「a1」、短軸の長さが「a2」として示されている。また、図8においては、1/2波長素子21のクラッドの屈折率が1.444、かつ伝搬する光の波長が1550nmである場合の例が示されている。また、コア寸法、コアおよびクラッドの屈折率、および光の波長といった条件が同じであれば、1/4波長素子11および31の長さは、1/2波長素子21の長さの半分である。
上述したとおり、1/4波長素子11、1/2波長素子21、および1/4波長素子31は、光軸に垂直な面における断面が楕円形であるコアを有する光ファイバである。このような1/4波長素子11、1/2波長素子21、および1/4波長素子31においては、長軸方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有するモードの光と短軸方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有するモードの光とで、伝搬定数に差が生じる。この伝搬定数の差は、複屈折ファイバなどにおける伝搬定数の差と比較して顕著に大きいため、1/4波長素子11、1/2波長素子21、および1/4波長素子31の長さを短くすることができる。したがって、このような1/4波長素子11、1/2波長素子21、および1/4波長素子31を用いることで、モードコントローラ1を小型化することができる。
1/4波長素子11、1/2波長素子21、および1/4波長素子31の長さの算出方法は以下のとおりである。まず、光軸に垂直な断面の長軸方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有するモードの光の伝搬定数β1、および短軸方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有するモードの光の伝搬定数β2を導出する。伝搬定数β1およびβ2の導出には、例えば有限要素法による電磁界解析を用いる。例えばコアの長軸が10μm、短軸が9.5μm、コアの屈折率が1.45であり、コアの屈折率分布がステップインデックス型屈折率分布である場合における伝搬定数β1およびβ2は以下のとおりである。
β1=5.85499×10〔/m〕
β2=5.85443×10〔/m〕
伝搬定数β1およびβ2を用いて、以下の式(3)により1/4波長素子11、1/2波長素子21、および1/4波長素子31として用いる光ファイバのビート長BLを算出することができる。
BL=2π/(β1-β2) (3)
この例では、BL=11.2mmとなる。1/4波長素子11および1/4波長素子31の長さは、ビート長BLの1/4となる。また、1/2波長素子21の長さは、ビート長BLの1/2となる。
図8に示した例では、コアの長軸が10μm、短軸が9.5μm(縦横比は95%)、かつコアの屈折率が1.45である場合に、上述したとおり、ビート長が11.2mmとなることから、1/2波長素子21の長さが5.6mmとなる。また、同じ条件における1/4波長素子11および31の長さは、それぞれ2.8mmとなる。この場合、モードコントローラ1における1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31の長さの総和は11.2mmとなる。この長さは、上述した非特許文献1に開示されているモードコントローラにおける応力付与型偏波保持光ファイバの長さと比較すると顕著に短い。
また、図8に示した別の例では、モードコントローラ1における1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31の長さの総和は11.2mmよりもさらに短い。例えば、コアの長軸が8μm、短軸が7.5μm(縦横比は93.75%)、かつコアの屈折率が1.458である場合には、1/2波長素子21の長さは1.8mmとなる。この場合、モードコントローラ1における1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31の長さの和は3.6mmとなる。また、コアとクラッドとの屈折率の差、およびコアの縦横比によっては、1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31の長さの和を1mm程度とすることもできる。このように、コアとクラッドとの屈折率の差、およびコアの縦横比を適切に決定すれば、モードコントローラ1において、1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31の、光軸に沿う方向における長さの和は1cm以下である。したがって、本実施形態に係るモードコントローラ1によれば、小型のモードコントローラを実現できる。
また、非特許文献1に記載のモードコントローラにおいては、応力付与型偏波保持光ファイバの長さが長いために、光の偏波方向が不安定になるという問題もあった。本実施形態に係るモードコントローラ1においては、1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31の長さが、非特許文献1に記載のモードコントローラにおける応力付与型偏波保持光ファイバの長さよりも短くなる。このため、本実施形態に係るモードコントローラ1によれば、図6に示した通り、光の偏波方向を安定させることができる。
ただし、1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31を光ファイバとする場合、ビート長に基づいて算出した長さの光ファイバでは1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31として機能しないことがある。このため、計算した長さの光ファイバを用いて実験を行い、それらの光ファイバが1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31として機能するように長さを調整することが好ましい。
なお、1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31は、光軸Cに垂直な断面における第1の方向の幅と第2の方向の幅とが互いに異なる光学素子であればよく、コアの断面が楕円形である光ファイバに限定されない。1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31の別の例として、光軸Cに垂直な断面が長方形であるコアを有する光ファイバ、または平面光波回路(PLC、Plainer Lightwave Circuit)が挙げられる。この場合、1/2波長素子21は、光軸Cに垂直な断面における長辺の方向(第1の方向)に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有するモード(第1のモード)の光と、短辺の方向(第2の方向)に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有するモード(第2のモード)の光とで、1/2波長分の位相差を生じさせる。また、1/4波長素子11および31は、光軸Cに垂直な断面における長辺の方向(第1の方向)に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有するモード(第1のモード)の光と、短辺の方向(第2の方向)に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有するモード(第2のモード)の光とで、1/4波長分の位相差を生じさせる。
この場合、光軸Cに垂直な断面における、長方形の短辺の長さが、長辺の長さの50%以上かつ98%以下であることが好ましい。また、光軸Cに垂直な断面における、長方形の短辺の長さが、長辺の長さの80%以上かつ95%以下であることがより好ましい。このような1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31も、コアの断面が楕円形の光ファイバであるである1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31と同様の効果を奏する。
図9は、平面光波回路である1/2波長素子29を示す図である。図9に示すように、1/2波長素子29は、クラッド29aの内部に断面が長方形であるコア29bが形成された構成を有する。クラッド29aおよびコア29bの材質は、上述した1/4波長素子11などにおけるクラッドおよびコアの材質と同様であってよい。
上述したとおり、1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31を光ファイバとする場合、ビート長に基づいて算出した長さの光ファイバでは1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31として機能しないことがある。この場合、計算した長さと適切な長さとの間のズレ量は、実験を行わなければ特定できない。
これに対し、1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31をPLCとする場合、計算した長さからのズレ量を予測可能である。このため、1/4波長素子11、1/2波長素子21および1/4波長素子31をPLCとする場合には、実験を行っての調整は不要となる。
〔実施形態2〕
図10は、本実施形態に係るモードコントローラ2の構成を示す図である。図10に示すように、モードコントローラ2は、1/4波長素子31を備えない点でモードコントローラ1と相違する。
モードコントローラ1において、1/4波長素子31は、光の電界強度分布を、モードコントローラ1の後段の装置において利用する上で好適な形状に変換するための素子である。しかし、モードコントローラ1から出射された光の電界強度分布の形状を変換する素子を、モードコントローラ1の後段の装置が備えている場合には、1/4波長素子31は不要である。この場合、モードコントローラ1の代わりに、1/4波長素子31を省略したモードコントローラ2を用いて光の電界強度分布を制御することができる。
また、モードコントローラ1において、1/4波長素子11は、モードコントローラ1の前段の装置から出射された光の電界強度分布を、1/2波長素子21により回転させる上で好適な形状に変換するための素子である。しかし、1/2波長素子21により電界強度分布を回転させる上で好適な形状に変換する素子を、モードコントローラ1の前段の装置が備える場合には、1/4波長素子11は不要である。この場合、モードコントローラ1から1/4波長素子11を省略することができる。
〔実施形態3〕
図11は、本実施形態に係るモードコントローラ3の構成を示す図である。図11に示すように、モードコントローラ3は、1/4波長素子11および13を備えない点でモードコントローラ1と相違する。
実施形態2においては、モードコントローラ1が備える1/4波長素子11および13のうち、いずれか一方を省略可能である場合について説明した。しかし、(i)1/2波長素子21により電界強度分布を回転させる上で好適な形状に変換する素子を、モードコントローラ1の前段の装置が備え、かつ、(ii)モードコントローラ1から出射された光の電界強度分布を変換する素子を、モードコントローラ1の後段の装置が備える場合には、1/4波長素子11および13の両方が不要である。この場合、モードコントローラ1の代わりに、1/4波長素子11および13の両方を省略したモードコントローラ3を使用して光の電界強度分布を制御することができる。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
1、2、3 モードコントローラ
11 1/4波長素子(第2の光学素子)
21 1/2波長素子(第1の光学素子)
31 1/4波長素子(第3の光学素子)
14 筐体(第2の回転機構)
24 筐体(第1の回転機構)
34 筐体(第3の回転機構)
50 台座(第1~第3の回転機構)

Claims (6)

  1. 所定の光軸に沿って高次モードの光を伝搬する光学素子であって、前記光軸に垂直な断面における第1の方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有する第1のモードの光と、前記光軸に垂直な断面における、前記第1の方向に垂直な第2の方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有する第2のモードの光とで1/2波長分の位相差を生じさせる第1の光学素子と、
    前記光軸を回転軸として前記第1の光学素子を回転させる第1の回転機構とを備え、
    前記断面において、前記第1の光学素子の、前記第1の方向の幅と、前記第2の方向の幅とは互いに異なっており、
    前記光軸に沿って高次モードの光を伝搬する光学素子であって、前記光軸に垂直な断面における前記第1の方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有する第1のモードの光と、前記第2の方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有する第2のモードの光とで1/4波長分の位相差を生じさせる第2の光学素子と、
    前記光軸を回転軸として前記第2の光学素子を回転させる第2の回転機構とをさらに備え、
    前記断面において、前記第2の光学素子の、前記第1の方向の幅と、前記第2の方向の幅とは互いに異なっており、
    前記光軸に沿って高次モードの光を伝搬する光学素子であって、前記光軸に垂直な断面における前記第1の方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有する第1のモードの光と、前記第2の方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有する第2のモードの光とで1/4波長分の位相差を生じさせる第3の光学素子と、
    前記光軸を回転軸として前記第3の光学素子を回転させる第3の回転機構とをさらに備え、
    前記第3の光学素子は、前記第1の光学素子に対して、前記第2の光学素子とは逆の側に配され、
    前記断面において、前記第3の光学素子の、前記第1の方向の幅と、前記第2の方向の幅とは互いに異なっており、
    前記第1の光学素子、前記第2の光学素子および前記第3の光学素子の、前記光軸に沿う方向における長さの和が1cm以下であるモードコントローラ。
  2. 前記第1の光学素子は、前記光軸に垂直な断面が楕円形であるコアを有する光ファイバである請求項1に記載のモードコントローラ。
  3. 前記楕円形の短軸の長さが前記楕円形の長軸の長さの80%以上かつ95%以下である請求項2に記載のモードコントローラ。
  4. 前記第1の光学素子は、前記光軸に垂直な断面が長方形であるコアを有する光ファイバまたは平面光波回路である請求項1にモードコントローラ。
  5. 前記長方形の短辺の長さが前記長方形の長辺の長さの80%以上かつ95%以下である請求項4に記載のモードコントローラ。
  6. 所定の光軸に沿って高次モードの光を伝搬する光学素子であって、前記光軸に垂直な断面における第1の方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有する第1のモードの光と、前記光軸に垂直な断面における、前記第1の方向に垂直な第2の方向に沿って電界強度が高い領域が整列する電界強度分布を有する第2のモードの光とで1/2波長分の位相差を生じさせる第1の光学素子と、
    前記光軸を回転軸として前記第1の光学素子を回転させる第1の回転機構とを備え、
    前記断面において、前記第1の光学素子の、前記第1の方向の幅と、前記第2の方向の幅とは互いに異なっているモードコントローラ
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