JP7237646B2 - IMPRINT METHOD, IMPRINT APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD - Google Patents

IMPRINT METHOD, IMPRINT APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD Download PDF

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本発明は、インプリント方法、インプリント装置、プログラム、および物品の製造方法に関する。 The present invention relates to an imprint method, an imprint apparatus, a program, and an article manufacturing method.

半導体デバイスやMEMSなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板(ウエハ)上の未硬化樹脂を型(モールド)で成形し、樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の1つとして、光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板上のショット領域に紫外線硬化樹脂を供給する。次に、この樹脂(未硬化樹脂)と型とを接触させて基板と型との間に充填させ成形する(押印)。そして、紫外線を照射して樹脂を硬化させたうえで型を引き離すことにより(離型)、樹脂のパターンが基板上に形成される。 As the demand for miniaturization of semiconductor devices and MEMS advances, in addition to conventional photolithography technology, microfabrication is performed by molding uncured resin on a substrate (wafer) with a mold to form a resin pattern on the substrate. Technology is getting a lot of attention. This technique is also called an imprint technique, and can form a fine structure on the order of several nanometers on a substrate. For example, one imprint technique is a photo-curing method. In an imprint apparatus employing this photo-curing method, first, an ultraviolet curable resin is supplied to a shot region on a substrate. Next, this resin (uncured resin) is brought into contact with the mold to fill the gap between the substrate and the mold for molding (imprinting). Then, the pattern of the resin is formed on the substrate by releasing the mold after curing the resin by irradiating ultraviolet rays (mold release).

ここで、インプリント処理が施される基板は、一連のデバイス製造工程において、例えばスパッタリングなどの成膜工程での加熱処理を経ることで、基板全体が拡大または縮小することがある。これにより、平面内で直交する2軸方向でショット領域の形状(サイズ)が変化する場合がある。したがって、インプリント装置では、型と基板上の樹脂とを接触させるに際し、基板上のショット領域の形状と型に形成されているパターン部の形状とを合わせる必要がある。 Here, in a series of device manufacturing processes, the substrate to be imprinted may expand or shrink as a result of undergoing heat treatment in a film forming process such as sputtering. As a result, the shape (size) of the shot area may change in two orthogonal directions in the plane. Therefore, in the imprint apparatus, when bringing the mold into contact with the resin on the substrate, it is necessary to match the shape of the shot region on the substrate with the shape of the pattern portion formed on the mold.

このような問題に対応するため、特許文献1では、型の側面から外力を与えることで、型を物理的に変形させる形状補正機構(倍率補正機構)を備えるインプリント装置が提案されている。該インプリント装置では、形状補正機構に加え、基板に入熱を行い、基板上のショット領域を熱変形させることで、重ね合わせ精度を向上させている。 In order to deal with such problems, Patent Document 1 proposes an imprint apparatus that includes a shape correction mechanism (magnification correction mechanism) that physically deforms the mold by applying an external force from the side surface of the mold. In addition to the shape correction mechanism, the imprint apparatus applies heat to the substrate to thermally deform the shot region on the substrate, thereby improving the overlay accuracy.

特許第5686779号公報Japanese Patent No. 5686779

しかしながら、特許文献1に記載されたインプリント装置のように、基板を加熱することによりショット領域を変形する場合、変形の対象となるショット領域の基板上における位置応じて、ショット領域に生じる熱応力が異なってしまう。例えば、基板の外周付近を含むショット領域(エッジショット領域)では、基板の外周付近で断熱され熱拡散が妨げられる為、基板の中心付近に形成されたショット領域と比べて、ショット領域が基板の外周に向かって偏って変形しやすくなる。その為、基板の外周付近に形成されたショット領域では、そのショット領域の変形を意図した形状に制御することができず、型と基板との重ね合わせを精度よく行うことが困難となりうる。 However, when the shot region is deformed by heating the substrate as in the imprint apparatus described in Patent Document 1, the thermal stress generated in the shot region depends on the position of the shot region to be deformed on the substrate. is different. For example, in a shot region (edge shot region) including the vicinity of the outer periphery of the substrate, heat is insulated near the outer periphery of the substrate and heat diffusion is hindered. It tends to deform toward the outer periphery. Therefore, in the shot area formed near the outer periphery of the substrate, the deformation of the shot area cannot be controlled to an intended shape, and it may be difficult to precisely align the mold and the substrate.

本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、例えば、基板の外周を含むエッジショット領域における型と基板との重ね合わせ精度の向上に有利なインプリント装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an imprint apparatus that is advantageous in improving the accuracy of overlaying a mold and a substrate in an edge shot region including the outer periphery of the substrate. and

上記課題を解決するために、本発明は、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、基板上のインプリント材の粘性を増加させるための予備光をインプリント材に照射する照射部と、基板のショット領域を加熱して変形する加熱部と、基板の外周を含むエッジショット領域に対してパターンを形成する場合に、型と基板上のインプリント材とを接触させた状態で、エッジショット領域における基板の外周に対して、予備光を照射するように照射部を制御してから加熱部による変形を開始させる制御部と、を有し、制御部は、エッジショット領域における基板の外周への予備光の照射量が、エッジショット領域における外周を含まない枠領域への予備光の照射量よりも多くなるように、照射部を制御する、ことを特徴とする。
In order to solve the above problems, the present invention provides an imprinting apparatus that uses a mold to form a pattern of an imprinting material on a substrate, the imprinting apparatus providing preliminary light for increasing the viscosity of the imprinting material on the substrate. An irradiation part that irradiates the imprint material, a heating part that heats and deforms the shot area of the substrate, and an imprint material on the mold and the substrate when forming a pattern on the edge shot area including the outer periphery of the substrate. a controller for controlling the irradiating unit to irradiate preliminary light onto the outer periphery of the substrate in the edge shot region while the substrate is in contact with the substrate, and then starting deformation by the heating unit; controls the irradiating unit so that the amount of preliminary light applied to the outer circumference of the substrate in the edge shot area is greater than the amount of preliminary light applied to the frame area not including the outer circumference of the edge shot area. Characterized by

本発明によれば、例えば、基板の外周を含むエッジショット領域における型と基板との重ね合わせ精度の向上に有利なインプリント装置を提供することができる。 According to the present invention, for example, it is possible to provide an imprint apparatus that is advantageous in improving the accuracy of overlaying a mold and a substrate in an edge shot region including the outer periphery of the substrate.

第1実施形態に係るインプリント装置の構成を示す概略図である。1 is a schematic diagram showing the configuration of an imprint apparatus according to a first embodiment; FIG. 第1実施形態に係るインプリント処理シーケンスの一例を示すフローチャートである。4 is a flowchart showing an example of an imprint processing sequence according to the first embodiment; インプリント処理シーケンスの一部のフローを説明する図である。FIG. 10 is a diagram explaining a part of the flow of an imprint processing sequence; 基板のショット領域を説明する図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a shot area of a substrate; 標準ショット領域に対するS105の処理を説明する図である。FIG. 10 is a diagram for explaining the processing of S105 for the standard shot area; エッジショット領域に対するS105の処理を説明する図である。FIG. 10 is a diagram for explaining the processing of S105 for an edge shot area; 第1照射領域において、第1照射光の照射量の分布を形成する場合を説明する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a case of forming a distribution of the irradiation amount of the first irradiation light in the first irradiation region; 第2実施形態に係るインプリント処理シーケンスの一例を示すフローチャートである。9 is a flowchart showing an example of an imprint processing sequence according to the second embodiment; 物品の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of articles|goods.

以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係るインプリント装置1の構成を示す概略図である。インプリント装置1は、半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用される。インプリント装置1は、基板上に供給されたインプリント材を型4(モールド)と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。例えば、インプリント装置1は、基板上にインプリント材を供給し、凹凸のパターンが形成された型を基板上のインプリント材に接触させた状態で当該インプリント材を硬化させる。そして、型と基板との間隔を広げて、硬化したインプリント材から型を剥離(離型)することで、基板上のインプリント材に型のパターンを形成することができる。このような一連の処理を、インプリント処理と呼び、基板における複数のショット領域の各々について行われる。つまり、1枚の基板における複数のショット領域の各々に対してインプリント処理を行う場合には、該1枚の基板におけるショット領域の数だけインプリント処理が繰り返し行われることとなる
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of an imprint apparatus 1 according to the first embodiment. The imprint apparatus 1 is used for manufacturing devices such as semiconductor devices. The imprinting apparatus 1 brings an imprinting material supplied onto a substrate into contact with a mold 4 (mold) and applies energy for curing to the imprinting material, thereby forming a pattern of a cured product to which the uneven pattern of the mold is transferred. It is a device that forms For example, the imprinting apparatus 1 supplies an imprinting material onto a substrate, and cures the imprinting material in a state in which a mold having a pattern of protrusions and recesses is brought into contact with the imprinting material on the substrate. Then, the pattern of the mold can be formed on the imprint material on the substrate by widening the distance between the mold and the substrate and separating (mold-releasing) the mold from the cured imprint material. Such a series of processes is called an imprint process, and is performed for each of a plurality of shot areas on the substrate. That is, when imprint processing is performed on each of a plurality of shot regions on one substrate, imprint processing is repeatedly performed by the number of shot regions on the one substrate.

ここでは光硬化法を採用したインプリント装置1について説明する。なお、以下の図においては、基板上のインプリント材に対して紫外線を照射する照明系の光軸と平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内において互いに直交するX軸およびY軸を取る。 Here, an imprint apparatus 1 that employs a photo-curing method will be described. In the following figures, the Z-axis is parallel to the optical axis of the illumination system that irradiates the imprint material on the substrate with ultraviolet rays, and the X-axis and Y-axis are perpendicular to each other in the plane perpendicular to the Z-axis. I take the.

インプリント装置1は、硬化部10と、光照射部12と、加熱部14と、型保持部6と、基板ステージ3と、検出部9と、供給部7と、制御部16と、を備える。 The imprint apparatus 1 includes a curing section 10, a light irradiation section 12, a heating section 14, a mold holding section 6, a substrate stage 3, a detection section 9, a supply section 7, and a control section 16. .

硬化部10は、インプリント処理の際に、ショット領域30全体のインプリント材8に対して紫外線11を照射する。この硬化部10は、例えば、不図示の、光源と、この露光光源から照射された紫外線11をインプリントに適切な光に調整する光学素子とから構成されうる。 The curing unit 10 irradiates the imprint material 8 in the entire shot region 30 with the ultraviolet rays 11 during imprint processing. The curing unit 10 can be composed of, for example, a light source (not shown) and an optical element that adjusts the ultraviolet rays 11 emitted from the exposure light source to light suitable for imprinting.

インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。 A curable composition (also referred to as an uncured resin) that cures when energy for curing is applied is used for the imprint material. Electromagnetic waves, heat, and the like are used as curing energy. The electromagnetic wave is, for example, light such as infrared rays, visible rays, and ultraviolet rays whose wavelengths are selected from the range of 10 nm or more and 1 mm or less.

硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。本実施形態では、一例として、光により硬化する光硬化性組成物をインプリント材8として用いる。 A curable composition is a composition that is cured by irradiation with light or by heating. Among these, the photocurable composition that is cured by light contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may contain a non-polymerizable compound or a solvent if necessary. The non-polymerizable compound is at least one selected from the group consisting of sensitizers, hydrogen donors, internal release agents, surfactants, antioxidants, polymer components and the like. In this embodiment, as an example, a photocurable composition that is cured by light is used as the imprint material 8 .

インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上、100mPa・s以下である。 The imprint material is applied in the form of a film on the substrate by a spin coater or a slit coater. Alternatively, it may be applied onto the substrate in the form of droplets, or in the form of islands or films formed by connecting a plurality of droplets, by a liquid jet head. The viscosity of the imprint material (viscosity at 25° C.) is, for example, 1 mPa·s or more and 100 mPa·s or less.

光照射部12は、基板上のショット領域30の輪郭に沿う領域である枠領域上のインプリント材8の粘性を増加させるため第1照射光13(予備光)を照射する。なお、枠領域の詳細については後述する。この光照射部12は、不図示であるが、インプリント材8を光重合反応させるための光源、言い換えると、インプリント材8の粘性を増加させるための光を発する光源(光重合反応用光源)を含む。本実施形態では、光重合反応用光源は、一例として、硬化部10の光源とは異なる波長の光源を用いる。光重合反応用光源が照射する第1照射光13は、インプリント材8が重合反応する光であれば良く、紫外線に限らない。光重合反応用光源は、インプリント材8を所望の粘度に重合反応させるために必要な光出力が得られるものを選定し、例えば、ランプ、レーザダイオード、LED等が挙げられる。 The light irradiation unit 12 irradiates the first irradiation light 13 (preliminary light) to increase the viscosity of the imprint material 8 on the frame region, which is the region along the outline of the shot region 30 on the substrate. Details of the frame area will be described later. Although not shown, the light irradiation unit 12 is a light source for causing the imprint material 8 to undergo a photopolymerization reaction, in other words, a light source that emits light for increasing the viscosity of the imprint material 8 (light source for photopolymerization reaction). )including. In this embodiment, the light source for photopolymerization reaction uses, as an example, a light source with a wavelength different from that of the light source of the curing section 10 . The first irradiation light 13 emitted by the light source for photopolymerization reaction is not limited to ultraviolet rays as long as the imprint material 8 undergoes a polymerization reaction. As the light source for photopolymerization reaction, a light source capable of obtaining light output necessary for polymerizing the imprint material 8 to a desired viscosity is selected, and examples thereof include a lamp, a laser diode, and an LED.

光重合反応用光源から発せられた第1照射光13は、光学素子等によって空間的に振幅、位相又は偏光を変調する空間光変調素子へ導かれる。空間光変調素子としては、例えば、デジタルマイクロミラーデバイス(以下DMD)を採用し得るが、LCDデバイスやLCOSデバイス等を構成してもよい。DMDは、複数のミラー素子を光反射面に配置し、各ミラー素子の面方向を個別に調整することで照射量分布を変化させることが可能となる。DMD等の空間光変調素子を用いることで、照射光の照射領域や強度の設定が自由にできるようになる。 The first irradiation light 13 emitted from the light source for photopolymerization reaction is guided to a spatial light modulation element that spatially modulates amplitude, phase or polarization by an optical element or the like. As the spatial light modulation element, for example, a digital micromirror device (hereinafter referred to as DMD) can be adopted, but an LCD device, an LCOS device, or the like may also be used. A DMD has a plurality of mirror elements arranged on a light reflecting surface and individually adjusts the surface direction of each mirror element, thereby making it possible to change the dose distribution. By using a spatial light modulator such as a DMD, it becomes possible to freely set the irradiation area and intensity of the irradiation light.

加熱部14は、基板2を加熱するための第2照射光15を照射する。この加熱部14は、加熱用光源を含み、加熱用光源が照射する第2照射光15は、赤外線などの光硬化性を有する樹脂が感光しない波長領域の光であることが好ましい。また、加熱部14は、ショット領域30に照射する光の照射量を調整するための上述の空間光変調素子を備える。なお、加熱部14は、加熱用光源の代わりに、例えば、基板2を直接加熱するヒータなどを後述の基板チャックに設けてもよい。 The heating unit 14 irradiates the second irradiation light 15 for heating the substrate 2 . The heating unit 14 includes a heating light source, and the second irradiation light 15 emitted by the heating light source is preferably light in a wavelength range, such as infrared rays, to which photocurable resin is not sensitive. The heating unit 14 also includes the above-described spatial light modulation element for adjusting the irradiation amount of light with which the shot region 30 is irradiated. Note that the heating unit 14 may be provided with a heater for directly heating the substrate 2 instead of the heating light source, for example, on a substrate chuck, which will be described later.

型4は、外周形状が角形であり、基板2に対向する面には、中心付近に周囲よりも突出したパターン部5(メサとも言う)が設けられている。パターン部5には、例えば、回路パターンなどの転写すべき凹凸パターンが3次元状に形成されている。型4の材質は、紫外線11を透過させることが可能な材質であり、本実施形態では一例として石英とする。 The mold 4 has a rectangular outer periphery, and a surface facing the substrate 2 is provided with a pattern portion 5 (also referred to as a mesa) protruding from the periphery near the center. In the pattern portion 5, for example, a three-dimensional pattern of protrusions and recesses to be transferred, such as a circuit pattern, is formed. The material of the mold 4 is a material that allows the ultraviolet rays 11 to pass therethrough, and quartz is used as an example in this embodiment.

型保持部6は、型4を保持しながら、型4を移動させる駆動機構を有する。型保持部6は、型4における紫外線11の照射面の外周領域を真空吸着力や静電力により引き付けることで型4の保持が可能である。型保持部6は、型4と基板2上のインプリント材8との押し付け、または引き離しを選択的に行うように型4を各軸方向に移動させる。また、型4の高精度な位置決めに対応するために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Z軸方向だけでなく、X軸方向やY軸方向、または各軸のθ方向の位置調整機能や、型4の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。なお、インプリント装置1における押し付けおよび引き離し動作は、型4をZ軸方向に移動させることで実現してもよいが、基板ステージ3をZ軸方向に移動させることで実現してもよく、または、その双方を相対的に移動させてもよい。 The mold holding unit 6 has a driving mechanism for moving the mold 4 while holding the mold 4 . The mold holding part 6 can hold the mold 4 by attracting the outer peripheral area of the surface of the mold 4 irradiated with the ultraviolet rays 11 by vacuum adsorption force or electrostatic force. The mold holding unit 6 moves the mold 4 in each axial direction so as to selectively press or separate the mold 4 and the imprint material 8 on the substrate 2 . Moreover, in order to correspond to highly accurate positioning of the mold 4, it may be composed of a plurality of drive systems such as a coarse movement drive system and a fine movement drive system. Furthermore, there may be a configuration having a position adjustment function not only in the Z-axis direction, but also in the X-axis direction, the Y-axis direction, or the θ direction of each axis, and a tilt function for correcting the inclination of the mold 4 . Note that the pressing and separating operations in the imprint apparatus 1 may be realized by moving the mold 4 in the Z-axis direction, but may also be realized by moving the substrate stage 3 in the Z-axis direction, or , may be moved relative to each other.

基板2は、例えば、単結晶シリコン基板やSOI(Silicon on Insulator)基板であり、この被処理面のショット領域30には、供給部7によってインプリント材8が供給される。 The substrate 2 is, for example, a single crystal silicon substrate or an SOI (Silicon on Insulator) substrate.

基板ステージ3は、例えば基板チャックにより基板2を保持し、型4と基板2上のインプリント材8との接触に際して型4とショット領域30との位置合わせを実施する。また基板ステージ3は、各軸方向に移動可能とするステージ駆動機構(不図示)を有する。ステージ駆動機構は、X軸およびY軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Z軸方向の位置調整のための駆動系や、基板2のθ方向の位置調整機能、または基板2の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。 The substrate stage 3 holds the substrate 2 by, for example, a substrate chuck, and aligns the mold 4 and the shot region 30 when the mold 4 and the imprint material 8 on the substrate 2 come into contact with each other. The substrate stage 3 also has a stage driving mechanism (not shown) that can move in each axial direction. The stage drive mechanism may be composed of a plurality of drive systems such as a coarse movement drive system and a fine movement drive system for each of the X-axis and Y-axis directions. Furthermore, a configuration having a drive system for adjusting the position in the Z-axis direction, a function for adjusting the position of the substrate 2 in the θ direction, or a tilt function for correcting the inclination of the substrate 2 is also possible.

検出部9は、型上のパターン部5に対して設けられた複数のアライメントマークの位置、および基板上のショット領域30に対して設けられた複数のアライメントマークの位置を検出する。ここで、基板上のショット領域30は、一連の半導体デバイスの製造工程などの影響により、変形している場合がある。そこで、加熱部14によってショット領域30の形状をパターン部5の形状に近づけることでパターン部5とショット領域30とを高精度に重ね合わせることができる。 The detector 9 detects the positions of a plurality of alignment marks provided with respect to the pattern section 5 on the mold and the positions of a plurality of alignment marks provided with respect to the shot area 30 on the substrate. Here, the shot region 30 on the substrate may be deformed due to the influence of a series of semiconductor device manufacturing processes. Therefore, by bringing the shape of the shot region 30 closer to the shape of the pattern portion 5 by the heating portion 14, the pattern portion 5 and the shot region 30 can be overlapped with high accuracy.

供給部7は、例えば、型保持部6の近傍に設置され、基板2上にインプリント材8を供給する。インプリント材8は、半導体デバイス製造工程などの各種条件により適宜選択されうる。また、供給部7から供給されるインプリント材8の量も、基板2上に形成されるインプリント材8の所望の厚さや、形成されるパターンの密度などにより適宜決定される。 The supply unit 7 is installed, for example, in the vicinity of the mold holding unit 6 and supplies the imprint material 8 onto the substrate 2 . The imprint material 8 can be appropriately selected according to various conditions such as the semiconductor device manufacturing process. The amount of the imprint material 8 supplied from the supply unit 7 is also appropriately determined according to the desired thickness of the imprint material 8 to be formed on the substrate 2, the density of the pattern to be formed, and the like.

制御部16は、基板2の複数のショット領域にパターンを形成するためにインプリント装置1の各機構の動作を制御する。また制御部16は、例えば、硬化部10、光照射部12、加熱部14、型保持部6、基板ステージ3、検出部9、および、供給部7を制御するように構成される。制御部16は、インプリント装置1内に設けてもよいし、インプリント装置1とは別の場所に設置し遠隔で制御しても良い。 The control unit 16 controls the operation of each mechanism of the imprint apparatus 1 to form patterns in a plurality of shot regions on the substrate 2 . The control unit 16 is configured to control the curing unit 10, the light irradiation unit 12, the heating unit 14, the mold holding unit 6, the substrate stage 3, the detection unit 9, and the supply unit 7, for example. The control unit 16 may be provided within the imprint apparatus 1 or may be provided at a location separate from the imprint apparatus 1 and remotely controlled.

次に、本実施形態のインプリント装置1におけるインプリント処理の流れについて図2および図3を用いて説明する。図2は、第1実施形態に係るインプリント処理シーケンスの一例を示すフローチャートである。図3は、インプリント処理シーケンスの一部のフローを説明する図である。各フローは、主に制御部16による各部の制御により実行される。 Next, the flow of imprint processing in the imprint apparatus 1 of this embodiment will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. FIG. 2 is a flowchart illustrating an example of an imprint processing sequence according to the first embodiment; FIG. 3 is a diagram illustrating the flow of part of the imprint processing sequence. Each flow is executed mainly by control of each unit by the control unit 16 .

まず、図2に示すS101で、基板ステージ3を駆動し、インプリント処理の対象となる基板2のショット領域30を供給部7の直下に配置し、ショット領域30上に供給部7から未硬化のインプリント材8を供給する。 First, in S101 shown in FIG. 2, the substrate stage 3 is driven, the shot region 30 of the substrate 2 to be imprinted is arranged directly below the supply unit 7, and uncured liquid is transferred onto the shot region 30 from the supply unit 7. of imprint material 8 is supplied.

S102で、再度基板ステージ3を駆動し、インプリント材8が供給されたショット領域30を供給部7直下からパターン部5直下へ移動させ、インプリント材8が供給されたショット領域30をパターン部5直下に配置する。図3(A)は、インプリント材8が供給されたショット領域30がパターン部5直下へ移動した状態を示している。 In S102, the substrate stage 3 is driven again to move the shot region 30 supplied with the imprint material 8 from directly below the supply unit 7 to directly below the pattern unit 5, and move the shot region 30 supplied with the imprint material 8 to the pattern unit. Place directly under 5. FIG. 3A shows a state in which the shot region 30 supplied with the imprint material 8 has moved directly below the pattern portion 5 .

図2に戻り、S103で、型保持部6を駆動し、型4のパターン部5を基板上のインプリント材8と接触させることで、パターン部5と基板2との間に未硬化のインプリント材8を充填させる(接触工程)。図3(B)は、パターン部5を基板上のインプリント材8と接触させた状態を示している。図3(B)に示すように、パターン部5とインプリント材8とが接触する領域は、パターン部5の中心付近とインプリント材8とが接触した後、パターン部5の外側(外周部)に向かって広がり始める。 Returning to FIG. 2, in S103, the mold holding unit 6 is driven to bring the pattern portion 5 of the mold 4 into contact with the imprint material 8 on the substrate, thereby removing the uncured imprint between the pattern portion 5 and the substrate 2. The printing material 8 is filled (contact step). FIG. 3B shows a state in which the pattern portion 5 is brought into contact with the imprint material 8 on the substrate. As shown in FIG. 3B, the region where the pattern portion 5 and the imprint material 8 contact is formed outside the pattern portion 5 (peripheral portion) after the vicinity of the center of the pattern portion 5 and the imprint material 8 come into contact with each other. ) begins to spread toward

図2戻り、S104で、パターン部5とショット領域30との相対的な位置合わせを行う。位置合わせは、例えば、並進シフト補正、回転補正、チルト補正が行われる。位置合わせの調整量は、検出部9による検出結果を用いて決定されてもよい。 Returning to FIG. 2, in S104, relative alignment between the pattern portion 5 and the shot area 30 is performed. For alignment, for example, translational shift correction, rotational correction, and tilt correction are performed. The alignment adjustment amount may be determined using the detection result of the detection unit 9 .

S105で、光照射部12がショット領域30の外周部に第1照射光13を照射する。S103の接触工程の際、図3(C)に示すように、未硬化のインプリント材8はパターン部5との濡れ性が良いため、未硬化のインプリント材8がパターン部の表面5aからパターン部の端部5bに染み出し、パターン部の端部5bに付着することがある。端部5bに未硬化のインプリント材8付着した状態でパターン部5に入り込んだ未硬化のインプリント材8を硬化させて、型4を硬化したインプリント材8から離型すると、端部5bに対応したインプリント材8の突起形状が形成される。インプリント材8の突起形状が形成されると、膜厚が不均一となり、後工程のエッチング処理等で不具合を生じさせる原因となる。また、端部5bに付着したインプリント材8の一部が、インプリント処理の最中に基板2上へ落下し、落下したインプリント材上に型4を押し付けると、パターン部の表面5aが破壊されうる。また、基板上のパターン形成不良によって、製造されるデバイスの欠陥を引き起こす原因となりうる。 In S<b>105 , the light irradiation unit 12 irradiates the outer peripheral portion of the shot region 30 with the first irradiation light 13 . During the contacting step of S103, as shown in FIG. 3C, the uncured imprint material 8 has good wettability with the pattern section 5, so the uncured imprint material 8 is pushed from the surface 5a of the pattern section. It may seep out to the edge 5b of the pattern portion and adhere to the edge 5b of the pattern portion. When the uncured imprint material 8 that has entered the pattern portion 5 is cured while the uncured imprint material 8 is adhered to the end portion 5b, and the mold 4 is released from the cured imprint material 8, the end portion 5b is removed. A projection shape of the imprint material 8 corresponding to is formed. If the imprint material 8 is formed in a protruding shape, the film thickness becomes non-uniform, which causes problems in subsequent etching processes and the like. Also, part of the imprint material 8 adhering to the end portion 5b falls onto the substrate 2 during imprint processing, and when the mold 4 is pressed onto the imprint material that has fallen, the surface 5a of the pattern portion can be destroyed. Also, patterning defects on the substrate can cause defects in manufactured devices.

そこで、本実施形態のインプリント装置1は、S105において、パターン部5をインプリント材8に接触させた状態で、事前に枠領域に第1照射光13を照射することで、インプリント材8のはみ出しを防ぐ。なお、S105は、S103の接触工程と並行して行っても良い。例えば、パターン部5の一部がインプリント材8と接触し、S103が完了する前に、第1照射光13を照射してもよい。 Therefore, in S<b>105 , the imprint apparatus 1 of the present embodiment irradiates the frame region with the first irradiation light 13 in advance while the pattern portion 5 is in contact with the imprint material 8 . prevent the protrusion of the Note that S105 may be performed in parallel with the contact step of S103. For example, the first irradiation light 13 may be applied before part of the pattern portion 5 contacts the imprint material 8 and S103 is completed.

図4は、基板2のショット領域30を説明する図である。基板2には、基板2の外周2a(エッジ)を含まず基板2の中心付近に形成された標準ショット領域30aと、外周2a含むエッジショット領域30bが含まれる。本実施形態では、標準ショット領域30aとエッジショット領域30bで処理が異なるため、まず標準ショット領域30aに対する処理を説明する。 FIG. 4 is a diagram for explaining the shot area 30 of the substrate 2. As shown in FIG. The substrate 2 includes a standard shot area 30a formed near the center of the substrate 2 without including the outer periphery 2a (edge) of the substrate 2, and an edge shot area 30b including the outer periphery 2a. In this embodiment, the processing for the standard shot region 30a and the edge shot region 30b are different, so the processing for the standard shot region 30a will be described first.

図5は、標準ショット領域30aに対するS105の処理を説明する図である。標準ショット領域30aに対して、S105の処理を行う場合、光照射部12は、標準ショット領域30aの枠領域に第1照射光13を照射する。ここで、標準ショット領域30aの枠領域とは、標準ショット領域30aの輪郭に沿う領域であって、パターン部5によってパターンが形成されない領域をいう。標準ショット領域30aに対する本工程において、光照射部12は、パターン部の端部5bを含み、微細パターンが形成されているパターン部の表面5aを含まない領域に第1照射光13を照射する。すなわち、標準ショット領域30aの枠領域は、パターン部の端部5bを含み、微細パターンが形成されているパターン部の表面5aを含まない領域に光を照射した際に光が照射される領域ともいえる。 FIG. 5 is a diagram for explaining the processing of S105 for the standard shot area 30a. When performing the process of S105 on the standard shot area 30a, the light irradiation unit 12 irradiates the first irradiation light 13 on the frame area of the standard shot area 30a. Here, the frame area of the standard shot area 30a refers to an area along the outline of the standard shot area 30a in which no pattern is formed by the pattern unit 5. FIG. In this process for the standard shot region 30a, the light irradiation unit 12 irradiates the first irradiation light 13 to a region that includes the end portion 5b of the pattern portion and does not include the surface 5a of the pattern portion on which the fine pattern is formed. That is, the frame region of the standard shot region 30a includes the end portion 5b of the pattern portion and does not include the surface 5a of the pattern portion on which the fine pattern is formed. I can say.

これにより、濡れ広がる未硬化のインプリント材8の気液界面が、第1照射光13が照射されている領域に達したところで、または、濡れ広がる未硬化のインプリント材8の気液界面に、第1照射光13が照射されたところで重合反応が起こる。気液界面のインプリント材8の粘性が増加することで、気液界面の移動が止まり、端部5bにインプリント材8が付着することを防ぐことができる。 As a result, the gas-liquid interface of the uncured imprint material 8 that wets and spreads reaches the region irradiated with the first irradiation light 13, or reaches the gas-liquid interface of the uncured imprint material 8 that wets and spreads. , where the first irradiation light 13 is irradiated, a polymerization reaction occurs. By increasing the viscosity of the imprint material 8 at the air-liquid interface, the movement of the air-liquid interface stops, and the imprint material 8 can be prevented from adhering to the end portion 5b.

次に、エッジショット領域30bに対してS105の処理を行う場合について説明する。図6は、エッジショット領域30bに対するS105の処理を説明する図である。図6(A)は、エッジショット領域30bの枠領域を説明する図である。ここで、エッジショット領域30bの枠領域は、エッジショット領域30bの輪郭に沿う領域である。エッジショット領域30bの輪郭とは、エッジショット領域30bの外周のうち、他のショット領域と沿う外周と、基板2の外周2aとを含む。具体的には、エッジショット領域30bの枠領域は、基板2の外周2aを含み、基板2の外周2aに沿う領域(第1照射領域31)と、他のショット領域の外周と沿い、パターン部5によってパターンが形成されない領域(第2照射領域32)とを含む。ここで、第2照射領域32は、基板2の外周2aを含まない枠領域である。なお、第1照射領域31の幅は、第1照射光13が照射されることにより、インプリント材8の移動を止めることができる程度の幅があればよく、幅が狭い程パターンが形成される範囲を広げることが可能になる。第1照射領域31の幅は、例えば、第2照射領域32と同等であってもよい。 Next, the case where the processing of S105 is performed on the edge shot area 30b will be described. FIG. 6 is a diagram illustrating the processing of S105 for the edge shot area 30b. FIG. 6A is a diagram for explaining the frame area of the edge shot area 30b. Here, the frame area of the edge shot area 30b is an area along the contour of the edge shot area 30b. The outline of the edge shot region 30b includes the outer periphery along the other shot regions and the outer periphery 2a of the substrate 2 among the outer periphery of the edge shot region 30b. Specifically, the frame region of the edge shot region 30b includes the outer periphery 2a of the substrate 2, and includes a region (first irradiation region 31) along the outer periphery 2a of the substrate 2 and a pattern portion along the outer periphery of other shot regions. 5 (second irradiation area 32) where no pattern is formed. Here, the second irradiation area 32 is a frame area that does not include the outer circumference 2 a of the substrate 2 . It should be noted that the width of the first irradiation region 31 should be sufficient to stop the movement of the imprint material 8 by being irradiated with the first irradiation light 13, and the narrower the width, the better the pattern is formed. It is possible to expand the range of The width of the first irradiation region 31 may be equal to that of the second irradiation region 32, for example.

図6(B)は、エッジショット領域30bに対するS105の処理を説明する図である。本実施形態では、S105において、制御部16は、第1照射領域31に照射する第1照射光13aの照射量が、第2照射領域32に照射する第1照射光13bの照射量よりも多くなるように、光照射部12を制御する。具体的には、例えば、第1照射光13aの強度を第1照射光13bより強くすることにより制御しても良いし、第1照射光13aの照射時間を第1照射光13bの照射時間より長くすることにより制御しても良い。また、その両方によって、照射量を制御しても良い。その結果、基板2の外周2aを含む第1照射領域31のインプリント材8の粘弾性が、第2照射領域32のインプリント材8の粘弾性より高くなる。インプリント材8の染み出しを防ぐには、エッジショット領域30bの枠領域外へのインプリント材8の移動が止まる程度の粘弾性までインプリント材8の粘弾性を高めればよい。 FIG. 6B is a diagram for explaining the processing of S105 for the edge shot area 30b. In the present embodiment, in S105, the control unit 16 causes the irradiation amount of the first irradiation light 13a with which the first irradiation region 31 is irradiated to be greater than the irradiation amount of the first irradiation light 13b with which the second irradiation region 32 is irradiated. The light irradiation unit 12 is controlled so that Specifically, for example, the intensity of the first irradiation light 13a may be controlled by making it stronger than the first irradiation light 13b, or the irradiation time of the first irradiation light 13a may be longer than the irradiation time of the first irradiation light 13b. You may control by lengthening. Also, the irradiation amount may be controlled by both of them. As a result, the viscoelasticity of the imprint material 8 in the first irradiation area 31 including the outer periphery 2 a of the substrate 2 becomes higher than that of the imprint material 8 in the second irradiation area 32 . In order to prevent the imprint material 8 from seeping out, the viscoelasticity of the imprint material 8 should be increased to such an extent that the movement of the imprint material 8 to the outside of the frame area of the edge shot area 30b is stopped.

本実施形態では、エッジショット領域30bが熱変形した際、基板2の外周2aの変形が抑制される程度の粘弾性まで第1照射領域31のインプリント材8の粘弾性を高める。言い換えると、制御部16は、少なくとも第1照射領域31上のインプリント材8の第1照射領域31外への移動が止まるのに必要な照射量の光を第1照射領域31に照射するよう、光照射部12を制御する。 In this embodiment, the viscoelasticity of the imprint material 8 in the first irradiation area 31 is increased to such an extent that deformation of the outer periphery 2a of the substrate 2 is suppressed when the edge shot area 30b is thermally deformed. In other words, the control unit 16 irradiates the first irradiation region 31 with at least the amount of light necessary for stopping the movement of the imprint material 8 on the first irradiation region 31 to the outside of the first irradiation region 31 . , controls the light irradiation unit 12 .

例えば、S105でインプリント材8の粘弾性を高めた際の基板2の外周2aを含む第1照射領域31のインプリント材8の硬度は、硬化部10から照射された紫外線11が硬化させるインプリント材8の硬度より高くてもよい。つまり、制御部16は、光照射部12が照射する第1照射領域31への照射量を、硬化部10がショット領域全体へ照射する照射量よりも多くしても良い。このようにすることで、基板2の外周2aの変形を抑制することが可能となり、基板2と型4との重ね合わせ制度を向上させることができる。 For example, the hardness of the imprint material 8 in the first irradiation region 31 including the outer periphery 2a of the substrate 2 when the viscoelasticity of the imprint material 8 is increased in S105 is the hardness of the imprint material 8 cured by the ultraviolet rays 11 irradiated from the curing unit 10. It may be higher than the hardness of the printing material 8 . That is, the control unit 16 may make the irradiation amount of the first irradiation area 31 irradiated by the light irradiation unit 12 larger than the irradiation amount of the entire shot area irradiated by the curing unit 10 . By doing so, it becomes possible to suppress the deformation of the outer periphery 2a of the substrate 2, and the accuracy of superimposition of the substrate 2 and the mold 4 can be improved.

ただし、第1照射領域31のインプリント材8の粘弾性が高すぎるとパターン部5とショット領域30の位置合わせ時に高いせん断力が発生し、調整が困難になり得る。よってこのような場合は、パターン部5とショット領域30との位置合わせ(S104)は、光照射部12による基板2の外周2aを含む第1照射領域31への照射(S105)の前に行った方がよい。なお、第1照射領域31への第1照射光13の照射と、第2照射領域32への第1照射光13の照射は必ずしも同時に行う必要はない。例えば、位置合わせ(S104)の前に、第1照射領域31への第1照射光13の照射を行い、位置合わせ(S104)の後に第2照射領域32への第1照射光13の照射を行っても良い。また、位置合わせ(S104)の前に、エッジショット領域30bの外周部への第1照射光13の照射を行い、位置合わせ(S104)の後に第1照射領域31への追加の第1照射光13の照射を行っても良い However, if the viscoelasticity of the imprint material 8 in the first irradiation area 31 is too high, a high shearing force is generated when aligning the pattern portion 5 and the shot area 30, which may make adjustment difficult. Therefore, in such a case, the alignment of the pattern portion 5 and the shot region 30 (S104) is performed before the irradiation of the first irradiation region 31 including the outer circumference 2a of the substrate 2 by the light irradiation portion 12 (S105). Better It should be noted that the irradiation of the first irradiation light 13 to the first irradiation region 31 and the irradiation of the first irradiation light 13 to the second irradiation region 32 do not necessarily have to be performed at the same time. For example, before the alignment (S104), the first irradiation light 13 is irradiated to the first irradiation region 31, and after the alignment (S104), the irradiation of the first irradiation light 13 to the second irradiation region 32 is performed. you can go Further, before the alignment (S104), the outer peripheral portion of the edge shot region 30b is irradiated with the first irradiation light 13, and after the alignment (S104), the additional first irradiation light is irradiated onto the first irradiation region 31. 13 irradiation may be performed

図2に戻り、S106で、加熱部14がショット領域30に第2照射光15を照射する。第2照射光15の照射によりショット領域30が熱変形することで、ショット領域30の形状が補正される。加熱部14から照射される第2照射光15は、補正量に基づいて、空間光変調素子によって所望の照射量分布に調整されており、ショット領域30に温度分布を形成することで形状補正が行われる。第2照射光15のショット領域30内における照射量分布は、検出部9による検出結果を用いて決定されてもよいし、事前にショット領域30の形状を計測し、その計測結果を用いて決定されてもよい。 Returning to FIG. 2 , in S<b>106 , the heating unit 14 irradiates the shot region 30 with the second irradiation light 15 . The shape of the shot region 30 is corrected by thermally deforming the shot region 30 due to the irradiation of the second irradiation light 15 . The second irradiation light 15 emitted from the heating unit 14 is adjusted to a desired irradiation amount distribution by the spatial light modulator based on the correction amount, and the shape correction is performed by forming the temperature distribution in the shot area 30. done. The irradiation amount distribution in the shot area 30 of the second irradiation light 15 may be determined using the detection result by the detection unit 9, or the shape of the shot area 30 is measured in advance and the measurement result is used. may be

基板2の外周2aを含むエッジショット領域30bの形状を補正する場合、S105において、第1照射領域31のインプリント材8の粘弾性を高めたことでエッジショット領域30bが基板2の外周2a側に偏って熱変形するのを低減することができる。したがって、パターン部5と基板2上のインプリント材8との重ね合わせ精度への影響を抑えることができる。 When correcting the shape of the edge shot region 30b including the outer periphery 2a of the substrate 2, the viscoelasticity of the imprint material 8 in the first irradiation region 31 is increased in S105 so that the edge shot region 30b is positioned on the outer periphery 2a side of the substrate 2. It is possible to reduce thermal deformation unevenly. Therefore, it is possible to suppress the influence on the overlay accuracy between the pattern portion 5 and the imprint material 8 on the substrate 2 .

S107で、パターン部5で成形された未硬化のインプリント材8に硬化部10から紫外線11を照射することで硬化させる。S108で、硬化したインプリント材8からパターン部5を引き離す。これにより、ショット領域上にパターンを形成する。同一基板上にインプリント未処理のショット領域がある場合は、次のショット領域に対しS101~108の処理を行う。同一基板上の全てのショット領域に対してインプリント処理が完了したら基板2を搬出する。 In S<b>107 , the uncured imprint material 8 molded in the pattern section 5 is cured by being irradiated with ultraviolet rays 11 from the curing section 10 . In S108, the pattern portion 5 is separated from the cured imprint material 8. As shown in FIG. Thereby, a pattern is formed on the shot area. If there is an imprint-unprocessed shot area on the same substrate, the processes of S101 to S108 are performed on the next shot area. The substrate 2 is unloaded when imprint processing is completed for all shot areas on the same substrate.

以上のように、本実施形態によれば、基板2の外周2aを含むエッジショット領域30bに対してインプリント処理を行う場合に、型4のパターン部5とエッジショット領域30bの重ね合わせ精度を向上させることが可能となる。 As described above, according to the present embodiment, when imprinting is performed on the edge shot region 30b including the outer periphery 2a of the substrate 2, the overlay accuracy between the pattern portion 5 of the mold 4 and the edge shot region 30b is can be improved.

なお、S105で、第1照射領域31において、さらに第1照射光13aの照射量の分布を形成してもよい。図7は、第1照射領域31において、第1照射光13aの照射量の分布を形成する場合を説明する図である。例えば、第1照射領域31を、さらに複数の小領域に分割し、それぞれの小領域に対し例えば、照射強度または照射時間を変えて第1照射光13を照射する。例えば、制御部16は、第1照射領域31の複数の小領域うち、型4と基板上のインプリント材8とを接触させた際にパターン部5の端部5bに近い位置程、第1照射光13の照射量が多くなるよう光照射部12を制御する。具体的には、型4と基板上のインプリント材8とを接触させた際に型4のパターン部5の中央付近に位置する小領域31bよりも、型4と基板上のインプリント材8とを接触させた際にパターン部5の端部5bに近い位置となる小領域31aへの照射量を多くする。これにより、エッジショット領域30bが基板2の外周2a側に偏って熱変形するのをより低減することができる。 In addition, in the first irradiation region 31, the irradiation amount distribution of the first irradiation light 13a may be further formed in S105. FIG. 7 is a diagram for explaining the case of forming the irradiation amount distribution of the first irradiation light 13a in the first irradiation region 31. As shown in FIG. For example, the first irradiation area 31 is further divided into a plurality of small areas, and each small area is irradiated with the first irradiation light 13 by changing the irradiation intensity or the irradiation time, for example. For example, the control unit 16 controls the position closer to the end 5b of the pattern unit 5 when the mold 4 and the imprint material 8 on the substrate are brought into contact with each other, among the plurality of small regions of the first irradiation region 31, to the first irradiation region. The light irradiation unit 12 is controlled so that the irradiation amount of the irradiation light 13 is increased. Specifically, when the mold 4 and the imprint material 8 on the substrate are brought into contact with each other, the mold 4 and the imprint material 8 on the substrate are closer to each other than the small region 31b located near the center of the pattern portion 5 of the mold 4 . The irradiation amount is increased to the small region 31a which is located near the end portion 5b of the pattern portion 5 when the two come into contact with each other. As a result, the thermal deformation of the edge shot region 30b biased toward the outer periphery 2a of the substrate 2 can be further reduced.

また、本実施形態において、硬化部10と光照射部12とは、別体であり、別波長の光源を用いるものとして説明したが、例えば、硬化部10と光照射部12とを同体とし、同一光源を用いても良い。 Further, in the present embodiment, the curing section 10 and the light irradiation section 12 are separate bodies, and the light sources of different wavelengths are used. The same light source may be used.

(第2実施形態)
次に、第2実施形態に係るインプリント装置について説明する。本実施形態のインプリント装置では、装置構成を第1実施形態と同様とし、基板2の外周2aを含むエッジショット領域30bにおける光照射部12の動作を一部変更する。本実施形態では、第1実施形態と異なる点を中心に説明する。
(Second embodiment)
Next, an imprint apparatus according to the second embodiment will be described. In the imprint apparatus of this embodiment, the apparatus configuration is the same as that of the first embodiment, and the operation of the light irradiation unit 12 in the edge shot region 30b including the outer circumference 2a of the substrate 2 is partially changed. In this embodiment, differences from the first embodiment will be mainly described.

図8は、第2実施形態に係るインプリント処理シーケンスの一例を示すフローチャートである。S201からS203までは、第1実施形態のS101からS103までと同様であるため説明を省略する。本実施形態では、パターン部5とショット領域30との相対的な位置合わせ(S205)を行う前に、S204で、光照射部12によってエッジショット領域30bの枠領域、すなわち、第1照射領域31と第2照射領域32に第1照射光13を照射する。S204では、基板2の外周2aを含む第1照射領域31と外周2aを含まない第2照射領域32に、エッジショット領域30bの枠領域外へのインプリント材8の移動が止まるのに必要な照射量の第1照射光13を照射する。 FIG. 8 is a flowchart illustrating an example of an imprint processing sequence according to the second embodiment. Since S201 to S203 are the same as S101 to S103 of the first embodiment, description thereof is omitted. In the present embodiment, before performing relative alignment (S205) between the pattern portion 5 and the shot region 30, the frame region of the edge shot region 30b, that is, the first irradiation region 31, is irradiated by the light irradiation section 12 in S204. and the second irradiation area 32 is irradiated with the first irradiation light 13 . In S204, the first irradiation region 31 including the outer periphery 2a of the substrate 2 and the second irradiation region 32 not including the outer periphery 2a are subjected to the irradiation necessary to stop the movement of the imprint material 8 outside the frame region of the edge shot region 30b. The irradiation amount of the first irradiation light 13 is irradiated.

その際、エッジショット領域30bの枠領域上のインプリント材8を完全に硬化させると、パターン部5とエッジショット領域30bが硬化したインプリント材8を介して固着してしまい、後に行う位置合わせが困難になり得る。よって、S204で第1照射領域31および、第2照射領域32に照射する照射量は、インプリント材8の枠領域外への移動は止められるが、パターン部5とエッジショット領域30bの位置あわせが可能となる範囲の照射量に調整するのがよい。 At that time, if the imprint material 8 on the frame area of the edge shot area 30b is completely cured, the pattern portion 5 and the edge shot area 30b are fixed to each other through the cured imprint material 8. can be difficult. Therefore, the irradiation amount applied to the first irradiation region 31 and the second irradiation region 32 in S204 prevents the imprint material 8 from moving out of the frame region, but does not align the pattern portion 5 and the edge shot region 30b. It is preferable to adjust the irradiation dose within the range in which it is possible to

本実施形態では、S203で、型4と基板上のインプリント材8とを接触させた後、すぐにエッジショット領域30bの枠領域に第1照射光13を照射するので未硬化のインプリント材8の染み出しを防ぐのに有利である。また、S204における第1照射光13の照射は、S203の接触工程と同時に行っても良いし、S203の接触工程の途中に行ってもよい。また、S204でエッジショット領域30bの枠領域のインプリント材8の粘弾性を高めると、床や装置に由来する、パターン部5とエッジショット領域30bとの相対振動を低減できるので、後に行う位置合わせを良好に行うことができる。 In the present embodiment, immediately after the mold 4 and the imprint material 8 on the substrate are brought into contact with each other in S203, the frame area of the edge shot area 30b is irradiated with the first irradiation light 13. It is advantageous to prevent bleeding of 8. Further, the irradiation of the first irradiation light 13 in S204 may be performed simultaneously with the contacting step of S203, or may be performed during the contacting step of S203. Further, by increasing the viscoelasticity of the imprint material 8 in the frame region of the edge shot region 30b in S204, relative vibration between the pattern portion 5 and the edge shot region 30b caused by the floor and the apparatus can be reduced. can be performed well.

S205では、S104と同様、パターン部5とエッジショット領域30bとの位置あわせを行う。本実施形態では、事前にS204で、エッジショット領域30bの枠領域のインプリント材8の粘弾性を高めているので相対振動を低減でき位置合わせの精度が向上する。 In S205, as in S104, the pattern portion 5 and the edge shot region 30b are aligned. In the present embodiment, since the viscoelasticity of the imprint material 8 in the frame region of the edge shot region 30b is increased in advance in S204, relative vibration can be reduced and alignment accuracy is improved.

S206で、光照射部12によって基板2の外周2aを含む第1照射領域31に第1照射光13を追加で照射する。その結果、基板2の外周を含む第1照射領域31のインプリント材8の粘弾性が、基板2の外周2aを含まない枠領域である第2照射領域のインプリント材8の粘弾性より高くなる。S207からS209までは、第1実施形態のS106からS108までと同様であるため説明を省略する、以上の工程で基板2にインプリント材のパターンを形成する。 In S<b>206 , the first irradiation area 31 including the outer circumference 2 a of the substrate 2 is additionally irradiated with the first irradiation light 13 by the light irradiation unit 12 . As a result, the viscoelasticity of the imprint material 8 in the first irradiation region 31 including the outer periphery of the substrate 2 is higher than that of the imprint material 8 in the second irradiation region, which is a frame region not including the outer periphery 2a of the substrate 2. Become. Since S207 to S209 are the same as S106 to S108 of the first embodiment, description thereof is omitted.

このように、本実施形態では、未硬化のインプリント材8の染み出しを抑制し、相対振動を低減することでパターン部5とエッジショット領域30bとの位置合わせ精度を向上させることができる。 As described above, in the present embodiment, it is possible to improve the alignment accuracy between the pattern portion 5 and the edge shot region 30b by suppressing the exudation of the uncured imprint material 8 and reducing the relative vibration.

(物品製造方法の実施形態)
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
(Embodiment of article manufacturing method)
A pattern of a cured product formed using an imprint apparatus is used permanently on at least a part of various articles, or temporarily used when manufacturing various articles. Articles are electric circuit elements, optical elements, MEMS, recording elements, sensors, molds, or the like. Examples of electric circuit elements include volatile or nonvolatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory, and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensors, and FPGA. Examples of the mold include imprint molds and the like.

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。 The pattern of the cured product is used as it is or temporarily used as a resist mask as at least a part of the article. After etching, ion implantation, or the like in the substrate processing step, the resist mask is removed.

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図9(A)に示すように、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板1zを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。 Next, a specific manufacturing method for the article will be described. As shown in FIG. 9A, a substrate 1z such as a silicon wafer having a surface to be processed 2z such as an insulator is prepared. A printing material 3z is applied. Here, a state is shown in which a plurality of droplet-like imprint materials 3z are applied onto the substrate.

図9(B)に示すように、インプリント用の型4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図9(C)に示すように、インプリント材3zが付与された基板1zと型4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zは型4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型4zを透して照射すると、インプリント材3zは硬化する。 As shown in FIG. 9B, the imprint mold 4z is opposed to the imprint material 3z on the substrate with the side on which the uneven pattern is formed. As shown in FIG. 9C, the substrate 1z provided with the imprint material 3z and the mold 4z are brought into contact with each other and pressure is applied. The imprint material 3z is filled in the gap between the mold 4z and the workpiece 2z. In this state, when light is irradiated through the mold 4z as energy for curing, the imprint material 3z is cured.

図9(D)に示すように、インプリント材3zを硬化させた後、型4zと基板1zを引き離すと、基板1z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、モールドの凹部が硬化物の凸部に、モールドの凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zに型4zの凹凸パターンが転写されたことになる。 As shown in FIG. 9D, after the imprint material 3z is cured, the mold 4z and the substrate 1z are separated to form a pattern of the cured imprint material 3z on the substrate 1z. The pattern of this cured product has a shape in which the concave portions of the mold correspond to the convex portions of the cured product, and the concave portions of the mold correspond to the convex portions of the cured product. It will be done.

図9(E)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。図9(F)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。 As shown in FIG. 9(E), when etching is performed using the pattern of the cured product as an anti-etching mask, the portion of the surface of the workpiece 2z where the cured product is absent or remains thinly is removed, leaving the grooves 5z. Become. As shown in FIG. 9(F), by removing the pattern of the cured product, an article having grooves 5z formed on the surface of the workpiece 2z can be obtained. Although the pattern of the cured product is removed here, it may be used as an interlayer insulating film included in a semiconductor element or the like, that is, as a constituent member of an article, without being removed after processing.

(その他の実施形態)
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
(Other embodiments)
Although preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications and changes are possible within the scope of the gist thereof.

1 インプリント装置
2、1z 基板
4、4z 型
5 パターン部
5b パターン部の端部
8 インプリント材
12 光照射部
14 加熱部
16 制御部
30 ショット領域
30b エッジショット領域
1 imprint apparatus 2, 1z substrate 4, 4z mold 5 pattern portion 5b end portion of pattern portion 8 imprint material 12 light irradiation portion 14 heating portion 16 control portion 30 shot region 30b edge shot region

Claims (13)

型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板上のインプリント材の粘性を増加させるための予備光を前記インプリント材に照射する照射部と、
前記基板のショット領域を加熱して変形する加熱部と、
前記基板の外周を含むエッジショット領域に対して前記パターンを形成する場合に、前記型と前記基板上のインプリント材とを接触させた状態で、前記エッジショット領域における前記基板の外周に対して、前記予備光を照射するように前記照射部を制御してから前記加熱部による変形を開始させる制御部と、を有し、
前記制御部は、前記エッジショット領域における前記基板の外周への予備光の照射量が、前記エッジショット領域における前記外周を含まない枠領域への予備光の照射量よりも多くなるように、前記照射部を制御する、ことを特徴とするインプリント装置。
An imprinting apparatus that forms a pattern of an imprinting material on a substrate using a mold,
an irradiation unit that irradiates the imprint material with preliminary light for increasing the viscosity of the imprint material on the substrate;
a heating unit that heats and deforms the shot region of the substrate;
When forming the pattern on the edge shot region including the outer periphery of the substrate, while the mold and the imprint material on the substrate are in contact, and a control unit that controls the irradiation unit to irradiate the preliminary light and then starts deformation by the heating unit ,
The controller controls the control unit so that the irradiation amount of the preliminary light to the outer periphery of the substrate in the edge shot area is larger than the irradiation amount of the preliminary light to the frame area that does not include the outer periphery in the edge shot area. An imprinting apparatus that controls an irradiation unit .
前記制御部は、少なくとも前記エッジショット領域の輪郭と沿う枠領域の外への前記インプリント材の移動が止まるのに必要な照射量の予備光を前記枠領域に照射するように前記照射部を制御する、ことを特徴とする請求項1記載のインプリント装置。 The control unit controls the irradiating unit so as to irradiate the frame region with preliminary light of an irradiation amount at least necessary to stop the movement of the imprint material outside the frame region along the outline of the edge shot region. 2. The imprinting apparatus according to claim 1, wherein the imprinting apparatus controls. 型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板上のインプリント材の粘性を増加させるための予備光を前記インプリント材に照射する照射部と、
前記型と前記基板上のインプリント材とを接触させた状態で、前記基板のショット領域の輪郭と沿う枠領域に対して、前記予備光を照射するように前記照射部を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記基板の外周を含むエッジショット領域に対して前記パターンを形成する場合に、前記エッジショット領域における前記基板の外周へ照射する予備光の照射量が、前記エッジショット領域における前記外周を含まない枠領域へ照射する予備光の照射量よりも多くなるように前記照射部を制御する、ことを特徴とするインプリント装置。
An imprinting apparatus that forms a pattern of an imprinting material on a substrate using a mold,
an irradiation unit that irradiates the imprint material with preliminary light for increasing the viscosity of the imprint material on the substrate;
a control unit configured to control the irradiating unit to irradiate the preliminary light onto a frame area along the contour of the shot area of the substrate while the mold and the imprint material on the substrate are in contact with each other; , and
When the pattern is formed in an edge shot region including the outer periphery of the substrate, the control unit controls the irradiation amount of the preliminary light applied to the outer periphery of the substrate in the edge shot region to be the same as that in the edge shot region. An imprinting apparatus, wherein the irradiation unit is controlled so that the amount of preliminary light irradiated to a frame area not including an outer circumference is greater than that of the preliminary light.
前記制御部は、前記基板の外周および前記外周を含まない枠領域に前記予備光を照射した後、前記基板の外周に追加の予備光を照射するよう前記照射部を制御する、ことを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載のインプリント装置。 The control unit controls the irradiating unit so that after irradiating an outer periphery of the substrate and a frame region not including the outer periphery with the preliminary light, the irradiating unit irradiates additional preliminary light onto the outer periphery of the substrate. The imprint apparatus according to any one of claims 1 to 3 . 前記制御部は、前記照射部が前記基板の外周および前記外周を含まない枠領域に前記予備光を照射した後、前記型のパターン部と前記ショット領域との相対的な位置合わせを行い、その後、前記照射部が基板の外周に前記追加の予備光を照射するよう制御する、ことを特徴とする請求項に記載のインプリント装置。 After the irradiating unit irradiates the outer periphery of the substrate and a frame region not including the outer periphery with the preliminary light, the control unit performs relative alignment between the pattern portion of the mold and the shot region, and then 5. The imprinting apparatus according to claim 4 , wherein said irradiating unit is controlled to irradiate the outer periphery of the substrate with said additional preliminary light. 前記制御部は、前記基板の外周のうち、前記型と前記基板上のインプリント材とを接触させた際に前記型のパターン部の端部に近い位置程、前記予備光の照射量が多くなるよう前記照射部を制御する、ことを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載のインプリント装置。 The control unit increases the irradiation amount of the preliminary light at a position closer to the end of the pattern portion of the mold when the mold and the imprint material on the substrate are brought into contact with each other on the outer periphery of the substrate. 6. The imprinting apparatus according to any one of claims 1 to 5 , wherein the irradiation unit is controlled such that 前記ショット領域の全体に前記インプリント材を硬化させるための光を照射する硬化部を有し、
前記制御部は、前記照射部の前記基板の外周への前記予備光の照射量を、前記硬化部の前記ショット領域全体への前記光の照射量よりも多くする、ことを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載のインプリント装置。
a curing unit that irradiates light for curing the imprint material over the entire shot region;
3. The control unit makes the irradiation amount of the preliminary light to the outer periphery of the substrate of the irradiation unit larger than the irradiation amount of the light to the entire shot area of the curing unit. 7. The imprint apparatus according to any one of 1 to 6 .
前記照射部と前記硬化部の光源は別体である、ことを特徴とする請求項に記載のインプリント装置。 8. The imprinting apparatus according to claim 7 , wherein the light sources for the irradiation unit and the curing unit are separate units. 前記制御部は、前記型と前記インプリント材とを接触させた状態で、前記型のパターン部と前記ショット領域との相対的な位置合わせを行った後、前記予備光の照射を開始するよう前記照射部を制御する、ことを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載のインプリント装置。 The control unit performs relative alignment between the pattern portion of the mold and the shot region in a state where the mold and the imprint material are in contact with each other, and then starts irradiation of the preliminary light. The imprint apparatus according to any one of claims 1 to 8 , wherein the irradiation unit is controlled. 前記照射部は、前記予備光の照射量の分布を形成する光変調素子を有することを特徴とする請求項1乃至の何れか1項に記載のインプリント装置。 10. The imprinting apparatus according to any one of claims 1 to 9 , wherein the irradiation unit has a light modulation element that forms a distribution of the irradiation amount of the preliminary light. 型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板上のインプリント材の粘性を増加させるための予備光を前記インプリント材に照射する照射工程と、
前記基板のショット領域を加熱して変形する加熱工程と、を有し、
前記基板の外周を含むエッジショット領域に対して前記パターンを形成する場合に、前記照射工程において、前記型と前記基板上のインプリント材とを接触させた状態で、前記エッジショット領域における前記基板の外周に対して、前記予備光を照射してから前記加熱工程における変形を開始
前記照射工程では、前記エッジショット領域における前記基板の外周への予備光の照射量が、前記エッジショット領域における前記外周を含まない枠領域への予備光の照射量よりも多くなるように、照射を行う、
とを特徴とするインプリント方法。
An imprinting method for forming a pattern of an imprinting material on a substrate using a mold, comprising:
an irradiation step of irradiating the imprint material with preliminary light for increasing the viscosity of the imprint material on the substrate;
a heating step of heating and deforming the shot region of the substrate;
When the pattern is formed in the edge shot region including the outer periphery of the substrate, in the irradiation step, the imprint material on the substrate is kept in contact with the mold in the edge shot region. After irradiating the outer periphery of the preliminary light, deformation in the heating step is started ,
In the irradiation step, irradiation is performed such that the irradiation amount of the preliminary light to the outer periphery of the substrate in the edge shot region is larger than the irradiation amount of the preliminary light to the frame region not including the outer periphery in the edge shot region. I do,
An imprinting method characterized by :
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型と前記基板上のインプリント材とを接触させた状態で、前記基板のショット領域の輪郭を含む枠領域に対して、前記基板上のインプリント材の粘性を増加させるための予備光を照射する照射工程、を有し、
前記基板の外周を含むエッジショット領域に対して前記パターンを形成する場合に、前記照射工程で、前記エッジショット領域における前記基板の外周へ照射する予備光の照射量を、前記エッジショット領域における前記外周を含まない枠領域へ照射する予備光の照射量よりも多くする、ことを特徴とするインプリント方法。
An imprinting method for forming a pattern of an imprinting material on a substrate using a mold, comprising:
Preliminary light for increasing the viscosity of the imprint material on the substrate is applied to a frame area including the outline of the shot area of the substrate while the mold and the imprint material on the substrate are in contact with each other. an irradiation step of irradiating,
When the pattern is formed in the edge shot region including the outer periphery of the substrate, in the irradiation step, the irradiation amount of preliminary light applied to the outer periphery of the substrate in the edge shot region is adjusted to the above-mentioned An imprinting method, comprising: making the irradiation amount of preliminary light larger than that irradiated to a frame region not including an outer periphery.
請求項1乃至1のうちいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンを形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
forming a pattern on a substrate using the imprint apparatus according to any one of claims 1 to 10 ;
a step of processing the substrate patterned in the step;
A method for manufacturing an article, comprising:
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