JP7237439B1 - Transmissive liquid crystal display device, electronic equipment - Google Patents

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JP7237439B1 JP2023021511A JP2023021511A JP7237439B1 JP 7237439 B1 JP7237439 B1 JP 7237439B1 JP 2023021511 A JP2023021511 A JP 2023021511A JP 2023021511 A JP2023021511 A JP 2023021511A JP 7237439 B1 JP7237439 B1 JP 7237439B1
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Abstract

【課題】視野角特性に優れた高品質な液晶表示装置を提供することを課題とする。【解決手段】第1のスイッチと、第2のスイッチと、第3のスイッチと、第1の抵抗と、第2の抵抗と、第1の液晶素子と、第2の液晶素子とを含む画素を有し、前記第1の液晶素子の画素電極は、前記第1のスイッチを介して信号線に電気的に接続され、前記第1の液晶素子の画素電極は、前記第2のスイッチ及び前記第1の抵抗を介して前記第2の液晶素子の画素電極に電気的に接続され、前記第2の液晶素子の画素電極は、前記第3のスイッチ及び前記第2の抵抗を介してCs線と電気的に接続され、前記第1の液晶素子の共通電極は、前記第2の液晶素子の共通電極と電気的に接続されており、前記信号線に前記画素の階調に応じた電位を入力することにより、視野角特性に優れた高品質な表示を得ることができる。【選択図】図1An object of the present invention is to provide a high-quality liquid crystal display device with excellent viewing angle characteristics. A pixel includes a first switch, a second switch, a third switch, a first resistor, a second resistor, a first liquid crystal element, and a second liquid crystal element. , the pixel electrode of the first liquid crystal element is electrically connected to a signal line through the first switch, and the pixel electrode of the first liquid crystal element is connected to the second switch and the The pixel electrode of the second liquid crystal element is electrically connected to the pixel electrode of the second liquid crystal element through the first resistor, and the pixel electrode of the second liquid crystal element is connected to the Cs line through the third switch and the second resistor. and the common electrode of the first liquid crystal element is electrically connected to the common electrode of the second liquid crystal element, and a potential corresponding to the gradation of the pixel is applied to the signal line. By inputting, a high-quality display with excellent viewing angle characteristics can be obtained. [Selection drawing] Fig. 1

Description

本発明は、物、方法、または物を生産する方法に関する。特に、表示装置または半導体
装置に関するものである。さらに、その表示装置を表示部に有する電子機器に関する。
The present invention relates to an article, method, or method of producing an article. In particular, it relates to display devices or semiconductor devices. Furthermore, the present invention relates to an electronic device having the display device as a display portion.

液晶表示装置は、携帯電話機、テレビ受像器等の多くの電気製品に用いられており、さ
らなる高品質化に向けて多くの研究がなされている。
Liquid crystal display devices are used in many electronic products such as mobile phones and television receivers, and much research is being conducted to further improve the quality.

液晶表示装置は、CRT(ブラウン管)に比べ小型かつ軽量であり、消費電力が小さいと
いった利点を有する一方で、視野角が狭いといった問題を有する。近年では、視野角特性
を改善するためにマルチドメイン方式、即ち配向分割法の研究が多くなされている。例え
ば、VA方式(Vertical Alignment;垂直配向方式)にマルチドメイ
ン方式を組み合わせたMVA方式(Multi-domain Vertical Al
ignment;マルチドメイン型垂直配向方式)やPVA方式(Patterned
Vertical Alignment;パターン型垂直配向方式)等がある。
A liquid crystal display device has the advantages of being smaller and lighter than a CRT (cathode-ray tube) and consuming less power, but has the problem of a narrow viewing angle. In recent years, many studies have been made on a multi-domain method, that is, an orientation division method, in order to improve viewing angle characteristics. For example, the MVA method (Multi-domain Vertical Al
multi-domain type vertical alignment system) and PVA system (Patterned
Vertical Alignment; pattern type vertical alignment system) and the like.

また、一つの画素を複数のサブ画素に分割し、各サブ画素における液晶の配向状態を異な
らせることで視野角の向上を図るといった研究も行われている(特許文献1)。
Research is also being conducted to improve the viewing angle by dividing one pixel into a plurality of sub-pixels and varying the alignment state of liquid crystal in each sub-pixel (Patent Document 1).

特開2006-276582号公報JP 2006-276582 A

しかしながら、その視野角特性は十分なものと言えず、表示装置としてさらなる改善が求
められる。そこで、本発明では、視野角特性に優れたさらに高品質な表示装置を提供する
ことを課題とする。
However, it cannot be said that the viewing angle characteristics are sufficient, and further improvement is required as a display device. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a higher quality display device with excellent viewing angle characteristics.

特許文献1に記載された液晶表示装置の一画素における等価回路図を図77に示す。図7
7に示す画素は、TFT30、液晶容量L1、液晶容量L2、保持容量C1及び保持容量
C2を有し、走査線3a及びデータ線(信号線)6aに接続されている。
FIG. 77 shows an equivalent circuit diagram of one pixel of the liquid crystal display device described in Patent Document 1. In FIG. Figure 7
7 has a TFT 30, a liquid crystal capacitor L1, a liquid crystal capacitor L2, a storage capacitor C1 and a storage capacitor C2, and is connected to a scanning line 3a and a data line (signal line) 6a.

液晶は電圧保持特性は示すもののその保持率は100%ではなく、液晶に電荷が流れるこ
とによるリークの存在が懸念される。図77に示す画素では、リークが生じた場合、ノー
ド11において保持容量C1、保持容量C2、及び液晶容量L2で閉ざされた部分におけ
る電荷保存則により一定の電位に保たれていた状態は失われ、ノード11の電位はリーク
が生じる前の初期状態の電位からかけ離れてくる。そのため、液晶容量L2の透過率は、
データ線6aに書き込む画像信号、即ち階調に応じた電位によって決定される透過率より
変化してしまう。その結果、所望の階調を得ることができなくなったり、画質が低下して
まう。このようにして、時間の経過に伴い、徐々に表示品位が低下する。よって、製品の
寿命が短くなってしまう。特に、ノーマリーブラックモードの表示装置では黒を表示する
ことができず、コントラストの低下を招く。
Although the liquid crystal exhibits a voltage retention characteristic, the retention rate is not 100%, and there is concern about the presence of leakage due to electric charge flowing through the liquid crystal. In the pixel shown in FIG. 77, when leakage occurs, the state in which a constant potential is maintained by the law of conservation of electric charge in the portion closed by the storage capacitor C1, the storage capacitor C2, and the liquid crystal capacitor L2 at the node 11 is lost. , the potential of node 11 becomes far from the potential in the initial state before leakage occurs. Therefore, the transmittance of the liquid crystal capacitor L2 is
The transmittance changes from that determined by the image signal written to the data line 6a, that is, the potential corresponding to the gradation. As a result, the desired gradation cannot be obtained, or the image quality deteriorates. In this manner, the display quality is gradually degraded over time. Therefore, the life of the product is shortened. In particular, a normally black mode display device cannot display black, resulting in a decrease in contrast.

上記問題を鑑み、本発明では広視野角表示を実現することを課題とする。または、コン
トラストに優れた表示装置を提供することを課題とする。または、表示品位に優れた表示
装置を提供することを課題とする。または、ノイズの影響を受けにくく、綺麗な表示を行
うことが可能な表示装置を提供することを課題とする。または、表示の劣化が生じにくい
表示装置を提供することを課題とする。または、製品寿命に優れた表示装置を提供するこ
とを課題とする。
In view of the above problems, an object of the present invention is to realize a wide viewing angle display. Another object is to provide a display device with excellent contrast. Another object is to provide a display device with excellent display quality. Alternatively, another object is to provide a display device that is less susceptible to noise and can display clear images. Alternatively, an object is to provide a display device in which display deterioration is less likely to occur. Alternatively, an object is to provide a display device with excellent product life.

本発明の一は、第1のスイッチと、第2のスイッチと、第3のスイッチと、第1の抵抗と
、第2の抵抗と、第1の液晶素子と、第2の液晶素子とを含む画素を有し、前記第1の液
晶素子及び第2の液晶素子の各々は、少なくとも画素電極と、共通電極と、前記画素電極
及び前記共通電極に制御される液晶とから構成され、前記第1の液晶素子の画素電極は、
前記第1のスイッチを介して第1の配線に電気的に接続され、前記第1の液晶素子の画素
電極は、前記第2のスイッチ及び前記第1の抵抗を介して前記第2の液晶素子の画素電極
に電気的に接続され、前記第2の液晶素子の画素電極は、前記第3のスイッチ及び前記第
2の抵抗を介して第2の配線と電気的に接続されることを特徴とする液晶表示装置である
One aspect of the present invention includes a first switch, a second switch, a third switch, a first resistor, a second resistor, a first liquid crystal element, and a second liquid crystal element. each of the first liquid crystal element and the second liquid crystal element includes at least a pixel electrode, a common electrode, and liquid crystal controlled by the pixel electrode and the common electrode; The pixel electrode of the liquid crystal element of 1 is
The pixel electrode of the first liquid crystal element is electrically connected to the first wiring through the first switch, and the pixel electrode of the first liquid crystal element is connected to the second liquid crystal element through the second switch and the first resistor. and the pixel electrode of the second liquid crystal element is electrically connected to a second wiring through the third switch and the second resistor. It is a liquid crystal display device.

本発明の一は、第1のスイッチと、第2のスイッチと、第3のスイッチと、第1の抵抗と
、第2の抵抗と、第1の液晶素子と、第2の液晶素子と、第1の保持容量と、第2の保持
容量とを含む画素を有し、前記第1の液晶素子及び第2の液晶素子の各々は、少なくとも
画素電極と、共通電極と、前記画素電極及び前記共通電極に制御される液晶とから構成さ
れ、前記第1の液晶素子の画素電極は、前記第1のスイッチを介して第1の配線に電気的
に接続され、前記第1の液晶素子の画素電極は、前記第2のスイッチ及び前記第1の抵抗
を介して前記第2の液晶素子の画素電極に電気的に接続され、前記第2の液晶素子の画素
電極は、前記第3のスイッチ及び前記第2の抵抗を介して第2の配線と電気的に接続され
、前記第1の液晶素子の画素電極は、前記第1の保持容量を介して前記第2の配線と電気
的に接続され、前記第2の液晶素子の画素電極は、前記第2の保持容量を介して前記第2
の配線と電気的に接続されることを特徴とする液晶表示装置である。
One aspect of the present invention includes a first switch, a second switch, a third switch, a first resistor, a second resistor, a first liquid crystal element, a second liquid crystal element, A pixel including a first storage capacitor and a second storage capacitor is provided, and each of the first liquid crystal element and the second liquid crystal element includes at least a pixel electrode, a common electrode, the pixel electrode and the The pixel electrode of the first liquid crystal element is electrically connected to the first wiring through the first switch, and the pixel of the first liquid crystal element An electrode is electrically connected to the pixel electrode of the second liquid crystal element through the second switch and the first resistor, and the pixel electrode of the second liquid crystal element is connected to the third switch and the first resistor. It is electrically connected to the second wiring through the second resistor, and the pixel electrode of the first liquid crystal element is electrically connected to the second wiring through the first storage capacitor. , the pixel electrode of the second liquid crystal element is connected to the second liquid crystal element through the second storage capacitor.
The liquid crystal display device is characterized by being electrically connected to the wiring of the .

本発明の一は、上記構成において、前記第2の抵抗の抵抗値は、前記第1の抵抗の抵抗
値より大きいことを特徴とする液晶表示装置である。
One aspect of the present invention is the liquid crystal display device having the above structure, wherein the resistance value of the second resistor is higher than the resistance value of the first resistor.

本発明の一は、スイッチと、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第1の液
晶素子と、第2の液晶素子と、第1の保持容量と、第2の保持容量とを含む画素を有し、
前記第1の液晶素子及び第2の液晶素子の各々は、少なくとも画素電極と、共通電極と、
前記画素電極及び前記共通電極に制御される液晶とから構成され、前記第1の液晶素子の
画素電極は、前記スイッチを介して第1の配線に電気的に接続され、前記第1の液晶素子
の画素電極は、前記第1のトランジスタを介して前記第2の液晶素子の画素電極に電気的
に接続され、前記第2の液晶素子の画素電極は、前記第2のトランジスタを介して第2の
配線と電気的に接続され、前記第1の液晶素子の画素電極は、前記第1の保持容量を介し
て前記第2の配線と電気的に接続され、前記第2の液晶素子の画素電極は、前記第2の保
持容量を介して前記第2の配線と電気的に接続されることを特徴とする液晶表示装置であ
る。
One aspect of the present invention includes a switch, a first transistor, a second transistor, a first liquid crystal element, a second liquid crystal element, a first storage capacitor, and a second storage capacitor. has a pixel,
Each of the first liquid crystal element and the second liquid crystal element includes at least a pixel electrode, a common electrode,
The pixel electrode and the liquid crystal controlled by the common electrode, the pixel electrode of the first liquid crystal element is electrically connected to the first wiring through the switch, and the first liquid crystal element is electrically connected to the pixel electrode of the second liquid crystal element through the first transistor, and the pixel electrode of the second liquid crystal element is electrically connected to the pixel electrode of the second liquid crystal element through the second transistor. The pixel electrode of the first liquid crystal element is electrically connected to the second wiring through the first storage capacitor, and the pixel electrode of the second liquid crystal element is electrically connected to is a liquid crystal display device electrically connected to the second wiring through the second storage capacitor.

本発明の一は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと
、第1の液晶素子と、第2の液晶素子と、第1の保持容量と、第2の保持容量とを含む画
素を有し、前記第1の液晶素子及び第2の液晶素子の各々は、少なくとも画素電極と、共
通電極と、前記画素電極及び前記共通電極に制御される液晶とから構成され、前記第1の
液晶素子の画素電極は、前記第3のトランジスタを介して第1の配線に電気的に接続され
、前記第1の液晶素子の画素電極は、前記第1のトランジスタを介して前記第2の液晶素
子の画素電極に電気的に接続され、前記第2の液晶素子の画素電極は、前記第2のトラン
ジスタを介して第2の配線と電気的に接続され、前記第1の液晶素子の画素電極は、前記
第1の保持容量を介して前記第2の配線と電気的に接続され、前記第2の液晶素子の画素
電極は、前記第2の保持容量を介して前記第2の配線と電気的に接続されることを特徴と
する液晶表示装置である。
One aspect of the present invention is a first transistor, a second transistor, a third transistor, a first liquid crystal element, a second liquid crystal element, a first storage capacitor, and a second storage capacitor. Each of the first liquid crystal element and the second liquid crystal element is composed of at least a pixel electrode, a common electrode, and liquid crystal controlled by the pixel electrode and the common electrode, A pixel electrode of the first liquid crystal element is electrically connected to the first wiring through the third transistor, and a pixel electrode of the first liquid crystal element is electrically connected to the first wiring through the first transistor. It is electrically connected to the pixel electrode of the second liquid crystal element, the pixel electrode of the second liquid crystal element is electrically connected to the second wiring through the second transistor, and the first liquid crystal element is electrically connected to the pixel electrode. A pixel electrode of the element is electrically connected to the second wiring via the first storage capacitor, and a pixel electrode of the second liquid crystal element is connected to the second wiring via the second storage capacitor. The liquid crystal display device is characterized by being electrically connected to the wiring of the .

本発明の一は、上記構成においてトランジスタのチャネル幅をW、チャネル長をLとす
ると、前記第3のトランジスタのW/Lは、前記第1のトランジスタまたは前記第2のト
ランジスタのW/Lより小さいことを特徴とする液晶表示装置である。
One aspect of the present invention is that, in the above structure, where W is the channel width of the transistor and L is the channel length, W/L of the third transistor is greater than W/L of the first transistor or the second transistor. The liquid crystal display device is characterized by being small.

また、本発明の一は上記構成においてトランジスタのチャネル幅をW、チャネル長をLと
すると、前記第2のトランジスタのW/Lは前記第1のトランジスタのW/Lより大きい
ことを特徴とする液晶表示装置である。
Another feature of the present invention is that, in the above structure, W/L of the second transistor is larger than W/L of the first transistor, where W is the channel width of the transistor and L is the channel length of the transistor. It is a liquid crystal display.

なお本発明の表示装置は、例えば液晶表示装置、有機発光素子(OLED)に代表される
発光素子を各画素に備えた発光装置、DMD(Digital Micromirror
Device)、PDP(Plasma Display Panel)、FED(F
ield Emission Display)等、アクティブマトリクス型の表示装置
がその範疇に含まれる。またパッシブマトリクス型の表示装置も含まれる。
The display device of the present invention includes, for example, a liquid crystal display device, a light-emitting device having a light-emitting element represented by an organic light-emitting device (OLED) in each pixel, and a DMD (Digital Micromirror).
Device), PDP (Plasma Display Panel), FED (F
Active matrix display devices such as field emission displays are included in this category. It also includes a passive matrix display device.

なお、スイッチは、様々な形態のものを用いることができる。例としては、電気的スイッ
チや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるものであればよく、
特定のものに限定されない。例えば、スイッチとして、トランジスタ(例えば、バイポー
ラトランジスタ、MOSトランジスタなど)、ダイオード(例えば、PNダイオード、P
INダイオード、ショットキーダイオード、MIM(Metal Insulator
Metal)ダイオード、MIS(Metal Insulator Semicond
uctor)ダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど)、サイリスタなどを用い
ることが出来る。または、これらを組み合わせた論理回路をスイッチとして用いることが
出来る。
Various types of switches can be used. Examples include electrical switches and mechanical switches. In other words, any device that can control the flow of current will suffice.
It is not limited to a specific one. For example, as a switch, a transistor (eg, bipolar transistor, MOS transistor, etc.), a diode (eg, PN diode, P
IN diode, Schottky diode, MIM (Metal Insulator
Metal) diode, MIS (Metal Insulator Semiconductor
uctor) diodes, diode-connected transistors, etc.), thyristors, and the like can be used. Alternatively, a logic circuit in which these are combined can be used as a switch.

機械的なスイッチの例としては、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)のように、
MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)技術を用いたスイッチがある
。そのスイッチは、機械的に動かすことが出来る電極を有し、その電極が動くことによっ
て、接続と非接続とを制御して動作する。
Examples of mechanical switches include digital micromirror devices (DMD),
There are switches using MEMS (micro-electro-mechanical system) technology. The switch has an electrode that can be moved mechanically, and operates by controlling connection and disconnection by moving the electrode.

スイッチとしてトランジスタを用いる場合、そのトランジスタは、単なるスイッチとして
動作するため、トランジスタの極性(導電型)は特に限定されない。ただし、オフ電流を
抑えたい場合、オフ電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オフ
電流が少ないトランジスタとしては、LDD領域を有するトランジスタやマルチゲート構
造を有するトランジスタ等がある。または、スイッチとして動作させるトランジスタのソ
ース端子の電位が、低電位側電源(Vss、GND、0Vなど)の電位に近い状態で動作
する場合はNチャネル型トランジスタを用いることが望ましい。反対に、ソース端子の電
位が、高電位側電源(Vddなど)の電位に近い状態で動作する場合はPチャネル型トラ
ンジスタを用いることが望ましい。なぜなら、Nチャネル型トランジスタではソース端子
が低電位側電源の電位に近い状態で動作するとき、Pチャネル型トランジスタではソース
端子が高電位側電源の電位に近い状態で動作するとき、ゲートとソースの間の電圧の絶対
値を大きくできるため、スイッチとして動作しやすいからである。また、ソースフォロワ
動作をしてしまうことが少ないため、出力電圧の大きさが小さくなってしまうことが少な
いからである。
When a transistor is used as a switch, the transistor simply operates as a switch; therefore, the polarity (conductivity type) of the transistor is not particularly limited. However, when it is desired to suppress off-state current, it is preferable to use a transistor having a polarity with a smaller off-state current. As a transistor with low off-state current, there are a transistor having an LDD region, a transistor having a multi-gate structure, and the like. Alternatively, in the case where the potential of the source terminal of the transistor operated as a switch operates in a state close to the potential of the low-potential power supply (Vss, GND, 0 V, etc.), it is desirable to use an N-channel transistor. On the contrary, it is desirable to use a P-channel transistor when operating in a state where the potential of the source terminal is close to the potential of the high-potential power supply (such as Vdd). This is because when an N-channel transistor operates in a state where the source terminal is close to the potential of the power supply on the low potential side, and when a P-channel transistor operates in a state where the source terminal is close to the potential on the high potential side power supply, the gate and source This is because the absolute value of the voltage between them can be increased, so that they can easily operate as a switch. Also, since the source follower operation is less likely to occur, the magnitude of the output voltage is less likely to decrease.

なお、Nチャネル型トランジスタとPチャネル型トランジスタの両方を用いて、CMOS
型のスイッチをスイッチとして用いてもよい。CMOS型のスイッチにすると、Pチャネ
ル型トランジスタまたはNチャネル型トランジスタのどちらか一方のトランジスタが導通
すれば電流が流れるため、スイッチとして機能しやすくなる。例えば、スイッチへの入力
信号の電圧が高い場合でも、低い場合でも、適切に電圧を出力させることが出来る。さら
に、スイッチをオン、オフさせるための信号の電圧振幅値を小さくすることが出来るので
、消費電力を小さくすることも出来る。
Note that CMOS
A switch of the type may be used as the switch. When a CMOS type switch is used, current flows when either one of the P-channel type transistor and the N-channel type transistor is turned on, so that the CMOS type switch easily functions as a switch. For example, the voltage can be output appropriately regardless of whether the voltage of the input signal to the switch is high or low. Furthermore, since the voltage amplitude value of the signal for turning on and off the switch can be reduced, power consumption can also be reduced.

なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、スイッチは、入力端子(ソース端子ま
たはドレイン端子の一方)と、出力端子(ソース端子またはドレイン端子の他方)と、導
通を制御する端子(ゲート端子)とを有している。一方、スイッチとしてダイオードを用
いる場合、スイッチは、導通を制御する端子を有していない場合がある。そのため、トラ
ンジスタよりもダイオードをスイッチとして用いた方が、端子を制御するための配線を少
なくすることが出来る。
Note that when a transistor is used as a switch, the switch has an input terminal (one of the source terminal and the drain terminal), an output terminal (the other of the source terminal and the drain terminal), and a terminal for controlling conduction (gate terminal). are doing. On the other hand, when a diode is used as a switch, the switch may not have a terminal for controlling conduction. Therefore, using a diode as a switch rather than a transistor can reduce wiring for controlling terminals.

なお、AとBとが接続されている、と明示的に記載する場合は、AとBとが電気的に接続
されている場合と、AとBとが機能的に接続されている場合と、AとBとが直接接続され
ている場合とを含むものとする。ここで、A、Bは、対象物(例えば、装置、素子、回路
、配線、電極、端子、導電膜、層、など)であるとする。したがって、所定の接続関係、
例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関
係以外のものも含むものとする。
Note that when explicitly describing that A and B are connected, the case where A and B are electrically connected and the case where A and B are functionally connected , where A and B are directly connected. Here, A and B are objects (for example, devices, elements, circuits, wiring, electrodes, terminals, conductive films, layers, etc.). Therefore, given connection relations,
For example, it is not limited to the connection relationships shown in the diagrams or text, and includes connections other than those shown in the diagrams or text.

例えば、AとBとが電気的に接続されている場合として、AとBとの電気的な接続を可能
とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オードなど)が、AとBとの間に1個以上配置されていてもよい。あるいは、AとBとが
機能的に接続されている場合として、AとBとの機能的な接続を可能とする回路(例えば
、論理回路(インバータ、NAND回路、NOR回路など)、信号変換回路(DA変換回
路、AD変換回路、ガンマ補正回路など)、電位レベル変換回路(電源回路(昇圧回路、
降圧回路など)、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など)、電圧源、電流源、
切り替え回路、増幅回路(信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、
差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など)、信号生成回路、記憶回路、制
御回路など)が、AとBとの間に1個以上配置されていてもよい。あるいは、AとBとが
直接接続されている場合として、AとBとの間に他の素子や他の回路を挟まずに、AとB
とが直接接続されていてもよい。
For example, when A and B are electrically connected, an element (for example, switch, transistor, capacitive element, inductor, resistive element, diode, etc.) that enables electrical connection between A and B is , A and B. Alternatively, when A and B are functionally connected, a circuit that enables functional connection between A and B (for example, a logic circuit (inverter, NAND circuit, NOR circuit, etc.), a signal conversion circuit (DA conversion circuit, AD conversion circuit, gamma correction circuit, etc.), potential level conversion circuit (power supply circuit (booster circuit,
step-down circuits, etc.), level shifter circuits that change the potential level of signals, etc.), voltage sources, current sources,
Switching circuit, amplifier circuit (circuit that can increase signal amplitude or current amount, operational amplifier,
A differential amplifier circuit, a source follower circuit, a buffer circuit, etc.), a signal generation circuit, a memory circuit, a control circuit, etc.) may be arranged between A and B. Alternatively, assuming that A and B are directly connected, A and B
may be directly connected.

なお、AとBとが直接接続されている、と明示的に記載する場合は、AとBとが直接接続
されている場合(つまり、AとBとの間に他の素子や他の回路を間に介さずに接続されて
いる場合)と、AとBとが電気的に接続されている場合(つまり、AとBとの間に別の素
子や別の回路を挟んで接続されている場合)とを含むものとする。
When it is explicitly stated that A and B are directly connected, it means that A and B are directly connected (that is, another element or other circuit is connected between A and B). A and B are electrically connected (that is, A and B are connected with another element or circuit interposed between them). (if any).

なお、AとBとが電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、AとBとが電気
的に接続されている場合(つまり、AとBとの間に別の素子や別の回路を挟んで接続され
ている場合)と、AとBとが機能的に接続されている場合(つまり、AとBとの間に別の
回路を挟んで機能的に接続されている場合)と、AとBとが直接接続されている場合(つ
まり、AとBとの間に別の素子や別の回路を挟まずに接続されている場合)とを含むもの
とする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接続され
ている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。
It should be noted that when it is explicitly stated that A and B are electrically connected, it means that A and B are electrically connected (that is, another element between A and B or another circuit) and A and B are functionally connected (that is, functionally connected with another circuit between A and B). and A and B are directly connected (that is, A and B are connected without another element or another circuit between them). In other words, the explicit description of "electrically connected" is the same as the explicit description of "connected".

なお、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置、発光素子、発光素子を有する装
置である発光装置は、様々な形態を用い、また様々な素子を有することが出来る。例えば
、表示素子、表示装置、発光素子または発光装置としては、EL素子(有機物及び無機物
を含むEL素子、有機EL素子、無機EL素子)、電子放出素子、液晶素子、電子インク
、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ(GLV)、プラズマディスプレイ(PD
P)、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、圧電セラミックディスプレイ、カー
ボンナノチューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率
などが変化する表示媒体を用いることができる。なお、EL素子を用いた表示装置として
はELディスプレイ、電子放出素子を用いた表示装置としてはフィールドエミッションデ
ィスプレイ(FED)やSED方式平面型ディスプレイ(SED:Surface-co
nduction Electron-emitter Disply)など、液晶素子
を用いた表示装置としては液晶ディスプレイ(透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶デ
ィスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレ
イ)、電子インクや電気泳動素子を用いた表示装置としては電子ペーパーがある。
Note that a display element, a display device having a display element, a light-emitting element, and a light-emitting device having a light-emitting element can have various modes and various elements. Examples of display elements, display devices, light-emitting elements, or light-emitting devices include EL elements (EL elements containing organic and inorganic substances, organic EL elements, and inorganic EL elements), electron-emitting elements, liquid crystal elements, electronic inks, electrophoretic elements, Grating Light Bulb (GLV), Plasma Display (PD)
P), a digital micromirror device (DMD), a piezoelectric ceramic display, a carbon nanotube, or the like, can be used as a display medium whose contrast, brightness, reflectance, transmittance, etc. are changed by electromagnetism. Examples of display devices using EL elements include EL displays, and examples of display devices using electron-emitting devices include field emission displays (FED) and SED type flat displays (SED: Surface-co
Liquid crystal displays (transmissive liquid crystal displays, semi-transmissive liquid crystal displays, reflective liquid crystal displays, direct view liquid crystal displays, projection liquid crystal displays), electronic inks, etc. Electronic paper is a display device using an electrophoretic element.

なお、EL素子とは、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に挟まれたEL層とを有する素
子である。なお、EL層としては、1重項励起子からの発光(蛍光)を利用するもの、3
重項励起子からの発光(燐光)を利用するもの、1重項励起子からの発光(蛍光)を利用
するものと3重項励起子からの発光(燐光)を利用するものとを含むもの、有機物によっ
て形成されたもの、無機物によって形成されたもの、有機物によって形成されたものと無
機物によって形成されたものとを含むもの、高分子の材料、低分子の材料、高分子の材料
と低分子の材料とを含むものなどを用いることができる。ただし、これに限定されず、E
L素子として様々なものを用いることができる。
Note that an EL element is an element having an anode, a cathode, and an EL layer sandwiched between the anode and the cathode. Note that the EL layer utilizes light emission (fluorescence) from singlet excitons;
Those utilizing luminescence (phosphorescence) from doublet excitons, those utilizing luminescence (fluorescence) from singlet excitons, and those utilizing luminescence (phosphorescence) from triplet excitons , those formed by organic substances, those formed by inorganic substances, those formed by organic substances and those formed by inorganic substances, macromolecular materials, low-molecular-weight materials, high-molecular-weight materials and low-molecular-weight materials and the like can be used. However, it is not limited to this, E
Various things can be used as an L element.

なお、電子放出素子とは、先鋭な陰極に高電界を集中して電子を引き出す素子である。例
えば、電子放出素子として、スピント型、カーボンナノチューブ(CNT)型、金属―絶
縁体―金属を積層したMIM(Metal-Insulator-Metal)型、金属
―絶縁体―半導体を積層したMIS(Metal-Insulator-Semicon
ductor)型、MOS型、シリコン型、薄膜ダイオード型、ダイヤモンド型、表面伝
導エミッタSCD型、オード型、ダイヤモンド型、表面伝導エミッタSCD型、金属―絶
縁体―半導体-金属型等の薄膜型、HEED型、EL型、ポーラスシリコン型、表面伝導
(SED)型などを用いることができる。ただし、これに限定されず、電子放出素子とし
て様々なものを用いることができる。
An electron-emitting device is a device that extracts electrons by concentrating a high electric field on a sharp cathode. For example, as an electron-emitting device, a Spindt type, a carbon nanotube (CNT) type, a metal-insulator-metal stacked MIM (Metal-Insulator-Metal) type, a metal-insulator-semiconductor stacked MIS (Metal-Insulator -Semicon
thin film type such as inductor type, MOS type, silicon type, thin film diode type, diamond type, surface conduction emitter SCD type, diode type, diamond type, surface conduction emitter SCD type, metal-insulator-semiconductor-metal type, HEED type, EL type, porous silicon type, surface conduction (SED) type, and the like can be used. However, the electron-emitting device is not limited to this, and various devices can be used as the electron-emitting device.

なお、液晶素子とは、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素
子であり、一対の電極、及び液晶により構成される。なお、液晶の光学的変調作用は、液
晶にかかる電界(横方向の電界、縦方向の電界又は斜め方向の電界を含む)によって制御
される。なお、液晶素子としては、ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメクチック
液晶、ディスコチック液晶、サーモトロピック液晶、ライオトロピック液晶、リオトロピ
ック液晶、低分子液晶、高分子液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶、側鎖型高
分子液晶、プラズマアドレス液晶(PDLC)、バナナ型液晶、TN(Twisted
Nematic)モード、STN(Super Twisted Nematic)モー
ド、IPS(In-Plane-Switching)モード、FFS(Fringe
Field Switching)モード、MVA(Multi-domain Ver
tical Alignment)モード、PVA(Patterned Vertic
al Alignment)、ASV(Advanced Super View)モー
ド、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-ce
ll)モード、OCB(Optical Compensated Birefring
ence)モード、ECB(Electrically Controlled Bir
efringence)モード、FLC(Ferroelectric Liquid
Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liqui
d Crystal)モード、PDLC(Polymer Dispersed Liq
uid Crystal)モード、ゲストホストモードなどを用いることができる。ただ
し、これに限定されず、液晶素子として様々なものを用いることができる。
Note that a liquid crystal element is an element that controls transmission or non-transmission of light by an optical modulation action of liquid crystal, and is composed of a pair of electrodes and liquid crystal. Note that the optical modulation action of the liquid crystal is controlled by an electric field (including a horizontal electric field, a vertical electric field, or an oblique electric field) applied to the liquid crystal. Liquid crystal elements include nematic liquid crystals, cholesteric liquid crystals, smectic liquid crystals, discotic liquid crystals, thermotropic liquid crystals, lyotropic liquid crystals, lyotropic liquid crystals, low molecular liquid crystals, polymer liquid crystals, ferroelectric liquid crystals, antiferroelectric liquid crystals, and main chains. type liquid crystal, side chain type polymer liquid crystal, plasma addressed liquid crystal (PDLC), banana type liquid crystal, TN (Twisted
Nematic) mode, STN (Super Twisted Nematic) mode, IPS (In-Plane-Switching) mode, FFS (Fringe
Field Switching) mode, MVA (Multi-domain Ver.)
alignment) mode, PVA (Patterned Vertic
alignment), ASV (Advanced Super View) mode, ASM (Axially Symmetrically aligned Micro-ce
ll) mode, OCB (Optical Compensated Birefring)
ence) mode, ECB (Electrically Controlled Bir
efringence) mode, FLC (Ferroelectric Liquid
Crystal) mode, AFLC (Anti-Ferroelectric Liqui
d Crystal) mode, PDLC (Polymer Dispersed Liq
uid Crystal) mode, guest host mode, etc. can be used. However, the liquid crystal element is not limited to this, and various liquid crystal elements can be used.

なお、電子ペーパーとしては、光学異方性と染料分子配向のような分子により表示される
もの、電気泳動、粒子移動、粒子回転、相変化のような粒子により表示されるもの、フィ
ルムの一端が移動することにより表示されるもの、分子の発色/相変化により表示される
もの、分子の光吸収により表示されるもの、電子とホールが結合して自発光により表示さ
れるものなどのことをいう。例えば、電子ペーパーとして、マイクロカプセル型電気泳動
、水平移動型電気泳動、垂直移動型電気泳動、球状ツイストボール、磁気ツイストボール
、円柱ツイストボール方式、帯電トナー、電子粉流体、磁気泳動型、磁気感熱式、エレク
トロウェッテイング、光散乱(透明白濁)、コレステリック液晶/光導電層、コレステリ
ック液晶、双安定性ネマチック液晶、強誘電性液晶、2色性色素・液晶分散型、可動フィ
ルム、ロイコ染料発消色、フォトクロミック、エレクトロクロミック、エレクトロデポジ
ション、フレキシブル有機ELなどを用いることができる。ただし、これに限定されず、
電子ペーパーとして様々なものを用いることができる。ここで、マイクロカプセル型電気
泳動を用いることによって、電気泳動方式の欠点である泳動粒子の凝集、沈殿を解決する
ことができる。電子粉流体は、高速応答性、高反射率、広視野角、低消費電力、メモリ性
などのメリットを有する。
The electronic paper includes those displayed by molecules such as optical anisotropy and dye molecule orientation, those displayed by particles such as electrophoresis, particle movement, particle rotation, and phase change, and those in which one end of a film is Display by movement, display by color development/phase change of molecules, display by light absorption by molecules, display by self-emission due to combination of electrons and holes, etc. . For example, as electronic paper, microcapsule type electrophoresis, horizontal movement type electrophoresis, vertical movement type electrophoresis, spherical twist ball, magnetic twist ball, cylindrical twist ball system, charged toner, electronic liquid powder, magnetophoresis type, magnetic thermosensitive formula, electrowetting, light scattering (transparent cloudiness), cholesteric liquid crystal/photoconductive layer, cholesteric liquid crystal, bistable nematic liquid crystal, ferroelectric liquid crystal, dichroic dye/liquid crystal dispersion type, movable film, leuco dye disappearance Color, photochromic, electrochromic, electrodeposition, flexible organic EL, etc. can be used. However, it is not limited to
Various electronic papers can be used. Here, by using microcapsule-type electrophoresis, it is possible to solve the problem of aggregation and sedimentation of electrophoretic particles, which is a drawback of electrophoresis. Electronic liquid powder has advantages such as high-speed response, high reflectance, wide viewing angle, low power consumption, and good memory.

なお、プラズマディスプレイは、電極を表面に形成した基板と、電極及び微小な溝を表面
に形成し且つ溝内に蛍光体層を形成した基板とを狭い間隔で対向させて、希ガスを封入し
た構造を有する。なお、電極間に電圧をかけることによって紫外線を発生させ、蛍光体を
光らせることで、表示を行うことができる。なお、プラズマディスプレイとしては、DC
型PDP、AC型PDPでもよい。ここで、プラズマディスプレイパネルとしては、AS
W(Address While Sustain)駆動、サブフレームをリセット期間
、アドレス期間、維持期間に分割するADS(Address Display Sep
arated)駆動、CLEAR(Low Energy Address and R
eduction of False Contour Sequence)駆動、AL
IS(Alternate Lighting of Surfaces)方式、TER
ES(Techbology of Reciprocal Susfainer)駆動
などを用いることができる。ただし、これに限定されず、プラズマディスプレイとして様
々なものを用いることができる。
In the plasma display, a substrate having electrodes formed on its surface and a substrate having electrodes and fine grooves formed on its surface and a phosphor layer formed in the grooves are opposed to each other at a narrow interval, and a rare gas is enclosed. have a structure. In addition, display can be performed by generating ultraviolet rays by applying a voltage between the electrodes and causing the phosphor to glow. As a plasma display, DC
A type PDP or an AC type PDP may be used. Here, as a plasma display panel, AS
W (Address While Sustain) drive, ADS (Address Display Sep) dividing a subframe into a reset period, an address period, and a sustain period
arated) drive, CLEAR (Low Energy Address and R
Eduction of False Contour Sequence) drive, AL
IS (Alternate Lighting of Surfaces) method, TER
ES (Technology of Reciprocal Sustainer) drive or the like can be used. However, it is not limited to this, and various plasma displays can be used.

なお、光源を必要とする表示装置、例えば、液晶ディスプレイ(透過型液晶ディスプレイ
、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射
型液晶ディスプレイ)、グレーティングライトバルブ(GLV)を用いた表示装置、デジ
タルマイクロミラーデバイス(DMD)を用いた表示装置などの光源としては、エレクト
ロルミネッセンス、冷陰極管、熱陰極管、LED、レーザー光源、水銀ランプなどを用い
ることができる。ただし、これに限定されず、光源して様々なものを用いることができる
In addition, a display device that requires a light source, such as a liquid crystal display (transmissive liquid crystal display, transflective liquid crystal display, reflective liquid crystal display, direct view liquid crystal display, projection liquid crystal display), grating light valve (GLV) is used. Electroluminescence, cold-cathode tubes, hot-cathode tubes, LEDs, laser light sources, mercury lamps, and the like can be used as light sources for such display devices and display devices using a digital micromirror device (DMD). However, it is not limited to this, and various light sources can be used.

なお、トランジスタとして、様々な形態のトランジスタを用いることが出来る。よって、
用いるトランジスタの種類に限定はない。例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微
結晶(マイクロクリスタル、セミアモルファスとも言う)シリコンなどに代表される非単
結晶半導体膜を有する薄膜トランジスタ(TFT)などを用いることが出来る。TFTを
用いる場合、様々なメリットがある。例えば、単結晶シリコンの場合よりも低い温度で製
造できるため、製造コストの削減、又は製造装置の大型化を図ることができる。製造装置
を大きくできるため、大型基板上に製造できる。そのため、同時に多くの個数の表示装置
を製造できるため、低コストで製造できる。さらに、製造温度が低いため、耐熱性の弱い
基板を用いることができる。そのため、透明基板上にトランジスタを製造できる。そして
、透明な基板上のトランジスタを用いて表示素子での光の透過を制御することが出来る。
あるいは、トランジスタの膜厚が薄いため、トランジスタを構成する膜の一部は、光を透
過させることが出来る。そのため、開口率が向上させることができる。
Note that various types of transistors can be used as the transistor. Therefore,
There is no limitation on the type of transistor to be used. For example, a thin film transistor (TFT) including a non-single-crystal semiconductor film typified by amorphous silicon, polycrystalline silicon, microcrystalline (also called microcrystalline or semi-amorphous) silicon, or the like can be used. The use of TFTs has various advantages. For example, since it can be manufactured at a lower temperature than in the case of single crystal silicon, it is possible to reduce the manufacturing cost or increase the size of the manufacturing apparatus. Since the manufacturing equipment can be made large, it can be manufactured on a large substrate. Therefore, since a large number of display devices can be manufactured at the same time, the manufacturing cost can be reduced. Furthermore, since the manufacturing temperature is low, a substrate with low heat resistance can be used. Therefore, a transistor can be manufactured on a transparent substrate. Transistors on a transparent substrate can then be used to control the transmission of light through the display element.
Alternatively, since the film thickness of the transistor is thin, part of the film forming the transistor can transmit light. Therefore, the aperture ratio can be improved.

なお、多結晶シリコンを製造するときに、触媒(ニッケルなど)を用いることにより、結
晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。その
結果、ゲートドライバ回路(走査線駆動回路)やソースドライバ回路(信号線駆動回路)
、信号処理回路(信号生成回路、ガンマ補正回路、DA変換回路など)を基板上に一体形
成することが出来る。
By using a catalyst (such as nickel) when manufacturing polycrystalline silicon, crystallinity can be further improved, and a transistor with good electrical characteristics can be manufactured. As a result, gate driver circuits (scanning line driving circuits) and source driver circuits (signal line driving circuits)
, a signal processing circuit (a signal generation circuit, a gamma correction circuit, a DA conversion circuit, etc.) can be integrally formed on the substrate.

なお、微結晶シリコンを製造するときに、触媒(ニッケルなど)を用いることにより、結
晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。この
とき、レーザー光の照射を行うことなく、熱処理を加えるだけで、結晶性を向上させるこ
とができる。その結果、ゲートドライバ回路(走査線駆動回路)やソースドライバ回路の
一部(アナログスイッチなど)を基板上に一体形成することが出来る。さらに、結晶化の
ためにレーザー光の照射を行わない場合は、シリコンの結晶性のムラを抑えることができ
る。そのため、綺麗な画像を表示することが出来る。
Note that crystallinity can be further improved by using a catalyst (such as nickel) when manufacturing microcrystalline silicon, so that a transistor with excellent electrical characteristics can be manufactured. At this time, the crystallinity can be improved only by heat treatment without laser light irradiation. As a result, a part of the gate driver circuit (scanning line driving circuit) and the source driver circuit (analog switch, etc.) can be integrally formed on the substrate. Furthermore, when laser light irradiation is not performed for crystallization, uneven crystallinity of silicon can be suppressed. Therefore, a clear image can be displayed.

ただし、触媒(ニッケルなど)を用いずに、多結晶シリコンや微結晶シリコンを製造する
ことは可能である。
However, it is possible to produce polycrystalline silicon and microcrystalline silicon without using a catalyst (such as nickel).

なお、シリコンの結晶性を、多結晶または微結晶などへと向上させることは、パネル全体
で行うことが望ましいが、それに限定されない。パネルの一部の領域のみにおいて、シリ
コンの結晶性を向上させてもよい。選択的に結晶性を向上させることは、レーザー光を選
択的に照射することなどにより可能である。例えば、画素以外の領域である周辺回路領域
にのみ、レーザー光を照射してもよい。または、ゲートドライバ回路、ソースドライバ回
路等の領域にのみ、レーザー光を照射してもよい。あるいは、ソースドライバ回路の一部
(例えば、アナログスイッチ)の領域にのみ、レーザー光を照射してもよい。その結果、
回路を高速に動作させる必要がある領域にのみ、シリコンの結晶化を向上させることがで
きる。画素領域は、高速に動作させる必要性が低いため、結晶性が向上されなくても、問
題なく画素回路を動作させることが出来る。結晶性を向上させる領域が少なくて済むため
、製造工程も短くすることが出来、スループットが向上し、製造コストを低減させること
が出来る。また、必要とされる製造装置の数も少なくて製造できるため、製造コストを低
減させることが出来る。
Note that it is desirable to improve the crystallinity of silicon to polycrystalline or microcrystalline for the entire panel, but the present invention is not limited to this. Crystallinity of silicon may be improved only in a partial region of the panel. It is possible to selectively improve the crystallinity by selectively irradiating laser light. For example, only the peripheral circuit region, which is a region other than pixels, may be irradiated with laser light. Alternatively, laser light may be applied only to regions such as the gate driver circuit and the source driver circuit. Alternatively, only a part of the source driver circuit (for example, analog switch) may be irradiated with laser light. resulting in,
Silicon crystallization can be improved only in areas where the circuit needs to operate at high speed. Since there is little need to operate the pixel region at high speed, the pixel circuit can be operated without problems even if the crystallinity is not improved. Since the region for improving the crystallinity can be reduced, the manufacturing process can be shortened, the throughput can be improved, and the manufacturing cost can be reduced. In addition, manufacturing can be performed with a small number of required manufacturing apparatuses, so manufacturing costs can be reduced.

または、半導体基板やSOI基板などを用いてトランジスタを形成することが出来る。こ
れらにより、特性やサイズや形状などのバラツキが少なく、電流供給能力が高く、サイズ
の小さいトランジスタを製造することができる。これらのトランジスタを用いると、回路
の低消費電力化、又は回路の高集積化を図ることができる。
Alternatively, a transistor can be formed using a semiconductor substrate, an SOI substrate, or the like. As a result, it is possible to manufacture small-sized transistors with little variation in characteristics, size, shape, etc., high current supply capability, and the like. By using these transistors, the power consumption of the circuit can be reduced or the circuit can be highly integrated.

または、ZnO、a-InGaZnO、SiGe、GaAs、IZO、ITO、SnOな
どの化合物半導体または酸化物半導体を有するトランジスタや、さらに、これらの化合物
半導体または酸化物半導体を薄膜化した薄膜トランジスタなどを用いることが出来る。こ
れらにより、製造温度を低くでき、例えば、室温でトランジスタを製造することが可能と
なる。その結果、耐熱性の低い基板、例えばプラスチック基板やフィルム基板に直接トラ
ンジスタを形成することが出来る。なお、これらの化合物半導体または酸化物半導体を、
トランジスタのチャネル部分に用いるだけでなく、それ以外の用途で用いることも出来る
。例えば、これらの化合物半導体または酸化物半導体を抵抗素子、画素電極、透明電極と
して用いることができる。さらに、それらをトランジスタと同時に成膜又は形成できるた
め、コストを低減できる。
Alternatively, a transistor including a compound semiconductor or oxide semiconductor such as ZnO, a-InGaZnO, SiGe, GaAs, IZO, ITO, or SnO, or a thin film transistor obtained by thinning any of these compound semiconductors or oxide semiconductors can be used. I can. As a result, the manufacturing temperature can be lowered, and for example, the transistor can be manufactured at room temperature. As a result, a transistor can be formed directly on a substrate having low heat resistance, such as a plastic substrate or a film substrate. Note that these compound semiconductors or oxide semiconductors are
It can be used not only for the channel portion of a transistor, but also for other purposes. For example, these compound semiconductors or oxide semiconductors can be used as resistance elements, pixel electrodes, and transparent electrodes. Furthermore, since they can be deposited or formed at the same time as the transistors, costs can be reduced.

または、インクジェットや印刷法を用いて形成したトランジスタなどを用いることが出来
る。これらにより、室温で製造、低真空度で製造、又は大型基板上に製造することができ
る。また、マスク(レチクル)を用いなくても製造することが可能となるため、トランジ
スタのレイアウトを容易に変更することが出来る。さらに、レジストを用いる必要がない
ので、材料費が安くなり、工程数を削減できる。さらに、必要な部分にのみ膜を付けるた
め、全面に成膜した後でエッチングする、という製法よりも、材料が無駄にならず、低コ
ストにできる。
Alternatively, a transistor or the like formed by an inkjet method or a printing method can be used. These allow fabrication at room temperature, in low vacuum, or on large substrates. In addition, since manufacturing can be performed without using a mask (reticle), the layout of transistors can be easily changed. Furthermore, since it is not necessary to use a resist, the material cost can be reduced and the number of steps can be reduced. Furthermore, since the film is applied only to the necessary portions, the material is not wasted and the cost can be reduced as compared with the manufacturing method in which the film is formed on the entire surface and then etched.

または、有機半導体やカーボンナノチューブを有するトランジスタ等を用いることができ
る。これらにより、曲げることが可能な基板上にトランジスタを形成することが出来る。
そのため、衝撃に強くできる。
Alternatively, a transistor including an organic semiconductor, a carbon nanotube, or the like can be used. These allow a transistor to be formed on a bendable substrate.
Therefore, it can be strongly impact-resistant.

さらに、様々な構造のトランジスタを用いることができる。例えば、MOS型トランジス
タ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタなどをトランジスタとして用いること
が出来る。MOS型トランジスタを用いることにより、トランジスタのサイズを小さくす
ることが出来る。よって、多数のトランジスタを搭載することができる。バイポーラトラ
ンジスタを用いることにより、大きな電流を流すことが出来る。よって、高速に回路を動
作させることができる。
Furthermore, transistors with various structures can be used. For example, a MOS transistor, a junction transistor, a bipolar transistor, or the like can be used as the transistor. By using a MOS transistor, the size of the transistor can be reduced. Therefore, many transistors can be mounted. A large current can flow by using a bipolar transistor. Therefore, the circuit can be operated at high speed.

なお、MOS型トランジスタ、バイポーラトランジスタなどを1つの基板に混在させて形
成してもよい。これにより、低消費電力、小型化、高速動作などを実現することが出来る
Note that a MOS transistor, a bipolar transistor, and the like may be mixed and formed on one substrate. As a result, low power consumption, miniaturization, high speed operation, etc. can be achieved.

その他、様々なトランジスタを用いることができる。 In addition, various transistors can be used.

なお、トランジスタは、様々な基板を用いて形成することができる。基板の種類は、特定
のものに限定されることはない。トランジスタが形成される基板としては、例えば、単結
晶基板、SOI基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基
板、石材基板、木材基板、布基板(天然繊維(絹、綿、麻)、合成繊維(ナイロン、ポリ
ウレタン、ポリエステル)若しくは再生繊維(アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポ
リエステル)などを含む)、皮革基板、ゴム基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス
・スチル・ホイルを有する基板などを用いることが出来る。あるいは、人などの動物の皮
膚(皮表、真皮)又は皮下組織を基板として用いてもよい。または、ある基板を用いてト
ランジスタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを転置し、別の基板上にトランジ
スタを配置してもよい。トランジスタが転置される基板としては、単結晶基板、SOI基
板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、木
材基板、布基板(天然繊維(絹、綿、麻)、合成繊維(ナイロン、ポリウレタン、ポリエ
ステル)若しくは再生繊維(アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル)など
を含む)、皮革基板、ゴム基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイル
を有する基板などを用いることができる。あるいは、人などの動物の皮膚(皮表、真皮)
又は皮下組織を基板として用いてもよい。または、ある基板を用いてトランジスタを形成
し、その基板を研磨して薄くしてもよい。研磨される基板としては、単結晶基板、SOI
基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、
木材基板、布基板(天然繊維(絹、綿、麻)、合成繊維(ナイロン、ポリウレタン、ポリ
エステル)若しくは再生繊維(アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル)な
どを含む)、皮革基板、ゴム基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイ
ルを有する基板などを用いることができる。あるいは、人などの動物の皮膚(皮表、真皮
)又は皮下組織を基板として用いてもよい。これらの基板を用いることにより、特性のよ
いトランジスタの形成、消費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、
耐熱性の付与、軽量化、又は薄型化を図ることができる。
Note that the transistor can be formed using various substrates. The type of substrate is not limited to a specific one. Substrates on which transistors are formed include, for example, single crystal substrates, SOI substrates, glass substrates, quartz substrates, plastic substrates, paper substrates, cellophane substrates, stone substrates, wood substrates, cloth substrates (natural fibers (silk, cotton, hemp), ), synthetic fibers (nylon, polyurethane, polyester) or recycled fibers (acetate, cupra, rayon, recycled polyester), etc.), leather substrates, rubber substrates, stainless steel substrates, substrates with stainless steel foil, etc. can be used. Alternatively, the skin (epidermis, dermis) or subcutaneous tissue of animals such as humans may be used as the substrate. Alternatively, a transistor may be formed using one substrate, and then the transistor may be transferred to another substrate and placed over the other substrate. Substrates on which transistors are transferred include single crystal substrates, SOI substrates, glass substrates, quartz substrates, plastic substrates, paper substrates, cellophane substrates, stone substrates, wood substrates, cloth substrates (natural fibers (silk, cotton, hemp), Synthetic fibers (nylon, polyurethane, polyester) or recycled fibers (acetate, cupra, rayon, recycled polyester, etc.), leather substrates, rubber substrates, stainless steel substrates, substrates with stainless steel foil, etc. can be done. Or the skin of animals such as humans (epidermis, dermis)
Alternatively, subcutaneous tissue may be used as the substrate. Alternatively, a substrate may be used to form a transistor, and the substrate may be polished to be thin. Substrates to be polished include single crystal substrates and SOI substrates.
substrates, glass substrates, quartz substrates, plastic substrates, paper substrates, cellophane substrates, stone substrates,
Wood substrates, cloth substrates (including natural fibers (silk, cotton, hemp), synthetic fibers (nylon, polyurethane, polyester) or recycled fibers (acetate, cupra, rayon, recycled polyester), etc.), leather substrates, rubber substrates, stainless steel・Still substrates, substrates with stainless steel foil, etc. can be used. Alternatively, the skin (epidermis, dermis) or subcutaneous tissue of animals such as humans may be used as the substrate. By using these substrates, it is possible to form transistors with good characteristics, transistors with low power consumption, and devices that are hard to break.
Heat resistance can be imparted, weight reduction, or thickness reduction can be achieved.

なお、トランジスタの構成は、様々な形態をとることができる。特定の構成に限定されな
い。例えば、ゲート電極が2個以上のマルチゲート構造を用いてもよい。マルチゲート構
造にすると、チャネル領域が直列に接続されるため、複数のトランジスタが直列に接続さ
れた構成となる。マルチゲート構造により、オフ電流の低減、トランジスタの耐圧向上に
よる信頼性の向上を図ることができる。あるいは、マルチゲート構造により、飽和領域で
動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり
変化せず、電圧・電流特性の傾きがフラットな特性にすることができる。電圧・電流特性
の傾きがフラットである特性を利用すると、理想的な電流源回路や、非常に高い抵抗値を
もつ能動負荷を実現することが出来る。その結果、特性のよい差動回路やカレントミラー
回路を実現することが出来る。また、チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造
でもよい。チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造にすることにより、チャネ
ル領域が増えるため、電流値の増加、又は空乏層ができやすくなることによるS値の低減
を図ることができる。チャネルの上下にゲート電極が配置されると、複数のトランジスタ
が並列に接続されたような構成となる。
Note that the transistor can have various structures. Not limited to any particular configuration. For example, a multi-gate structure with two or more gate electrodes may be used. When the multi-gate structure is used, the channel regions are connected in series, resulting in a structure in which a plurality of transistors are connected in series. The multi-gate structure can reduce off-state current and improve reliability by increasing the withstand voltage of the transistor. Alternatively, due to the multi-gate structure, even if the voltage between the drain and source changes, the current between the drain and source does not change much when operating in the saturation region, and the slope of the voltage-current characteristics can be made flat. can. By utilizing the flat slope of the voltage/current characteristics, it is possible to realize an ideal current source circuit and an active load with a very high resistance value. As a result, a differential circuit or current mirror circuit with good characteristics can be realized. Alternatively, a structure in which gate electrodes are arranged above and below the channel may be used. Since the channel region is increased by arranging the gate electrodes above and below the channel, it is possible to increase the current value or reduce the S value by facilitating the formation of a depletion layer. When the gate electrodes are arranged above and below the channel, the configuration is such that a plurality of transistors are connected in parallel.

あるいは、チャネル領域の上にゲート電極が配置されている構造でもよいし、チャネル領
域の下にゲート電極が配置されている構造でもよい。あるいは、正スタガ構造または逆ス
タガ構造でもよいし、チャネル領域が複数の領域に分かれていてもよいし、チャネル領域
が並列に接続されていてもよいし、チャネル領域が直列に接続されていてもよい。また、
チャネル領域(もしくはその一部)にソース電極やドレイン電極が重なっていてもよい。
チャネル領域(もしくはその一部)にソース電極やドレイン電極が重なる構造にすること
により、チャネル領域の一部に電荷がたまって、動作が不安定になることを防ぐことがで
きる。また、LDD領域を設けても良い。LDD領域を設けることにより、オフ電流の低
減、又はトランジスタの耐圧向上による信頼性の向上を図ることができる。あるいは、L
DD領域を設けることにより、飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化
しても、ドレイン・ソース間電流があまり変化せず、電圧・電流特性の傾きがフラットな
特性にすることができる。
Alternatively, a structure in which the gate electrode is arranged above the channel region or a structure in which the gate electrode is arranged below the channel region may be used. Alternatively, a staggered structure or an inverted staggered structure may be used, the channel region may be divided into a plurality of regions, the channel regions may be connected in parallel, or the channel regions may be connected in series. good. again,
A source electrode or a drain electrode may overlap the channel region (or part thereof).
By forming a structure in which the source electrode and the drain electrode overlap with the channel region (or part thereof), it is possible to prevent the operation from becoming unstable due to accumulation of charge in part of the channel region. Also, an LDD region may be provided. By providing the LDD region, off-state current can be reduced, or the breakdown voltage of the transistor can be improved, thereby improving reliability. Alternatively, L
By providing the DD region, even if the voltage between the drain and the source changes when operating in the saturation region, the current between the drain and the source does not change much, and the slope of the voltage-current characteristics can be made flat. can.

なお、トランジスタは、様々なタイプを用いることができ、様々な基板を用いて形成させ
ることができる。したがって、所定の機能を実現させるために必要な回路の全てが、同一
の基板に形成されていてもよい。例えば、所定の機能を実現させるために必要な回路の全
てが、ガラス基板、プラスチック基板、単結晶基板、またはSOI基板を用いて形成され
ていてもよく、さまざまな基板を用いて形成されていてもよい。所定の機能を実現させる
ために必要な回路の全てが同じ基板を用いて形成されていることにより、部品点数の削減
によるコストの低減、又は回路部品との接続点数の低減による信頼性の向上を図ることが
できる。あるいは、所定の機能を実現させるために必要な回路の一部が、ある基板に形成
されており、所定の機能を実現させるために必要な回路の別の一部が、別の基板に形成さ
れていてもよい。つまり、所定の機能を実現させるために必要な回路の全てが同じ基板を
用いて形成されていなくてもよい。例えば、所定の機能を実現させるために必要な回路の
一部は、ガラス基板上にトランジスタを用いて形成され、所定の機能を実現させるために
必要な回路の別の一部は、単結晶基板上に形成され、単結晶基板上のトランジスタで構成
されたICチップをCOG(Chip On Glass)でガラス基板に接続して、ガ
ラス基板上にそのICチップを配置してもよい。あるいは、そのICチップをTAB(T
ape Automated Bonding)やプリント基板を用いてガラス基板と接
続してもよい。このように、回路の一部が同じ基板に形成されていることにより、部品点
数の削減によるコストの低減、又は回路部品との接続点数の低減による信頼性の向上を図
ることができる。また、駆動電圧が高い部分や駆動周波数が高い部分の回路は、消費電力
が大きくなってしまうので、そのような部分の回路は同じ基板に形成せず、そのかわりに
、例えば、単結晶基板上にその部分の回路を形成して、その回路で構成されたICチップ
を用いるようにすれば、消費電力の増加を防ぐことができる。
Note that various types of transistors can be used and can be formed using various substrates. Therefore, all the circuits necessary for realizing a given function may be formed on the same substrate. For example, all circuits necessary for realizing a predetermined function may be formed using a glass substrate, a plastic substrate, a single crystal substrate, or an SOI substrate, and may be formed using various substrates. good too. All of the circuits required to achieve a given function are formed on the same substrate, which reduces costs by reducing the number of parts, or improves reliability by reducing the number of connections with circuit parts. can be planned. Alternatively, part of a circuit necessary for realizing a predetermined function is formed on one substrate, and another part of the circuit necessary for realizing a predetermined function is formed on another substrate. may be In other words, not all the circuits required for realizing a given function need to be formed using the same substrate. For example, part of the circuit required to achieve a given function is formed using transistors on a glass substrate, and another part of the circuit required to achieve a given function is formed on a single crystal substrate. An IC chip formed on the monocrystalline substrate and configured with transistors may be connected to the glass substrate by COG (Chip On Glass), and the IC chip may be arranged on the glass substrate. Alternatively, the IC chip is TAB (T
Ape Automated Bonding) or a printed circuit board may be used to connect to the glass substrate. Since part of the circuit is formed on the same substrate in this way, the cost can be reduced by reducing the number of parts, or the reliability can be improved by reducing the number of connections with circuit parts. In addition, circuits in areas where the drive voltage is high and in areas where the drive frequency is high consume a lot of power. An increase in power consumption can be prevented by forming a circuit for that portion in advance and using an IC chip configured with that circuit.

なお、一画素とは、明るさを制御できる要素一つ分を示すものとする。よって、一例とし
ては、一画素とは、一つの色要素を示すものとし、その色要素一つで明るさを表現する。
従って、そのときは、R(赤)G(緑)B(青)の色要素からなるカラー表示装置の場合
には、画像の最小単位は、Rの画素とGの画素とBの画素との三画素から構成されるもの
とする。なお、色要素は、三色に限定されず、三色以上を用いても良いし、RGB以外の
色を用いても良い。例えば、白色を加えて、RGBW(Wは白)としてもよい。また、R
GBに、例えば、イエロー、シアン、マゼンタ、エメラルドグリーン、朱色などを一色以
上追加してもよい。また、例えば、RGBの中の少なくとも一色に類似した色を、RGB
に追加してもよい。例えば、R、G、B1、B2としてもよい。B1とB2とは、どちら
も青色であるが、少し周波数が異なっている。同様に、R1、R2、G、Bとしてもよい
。このような色要素を用いることにより、より実物に近い表示を行うことができる。ある
いは、このような色要素を用いることにより、消費電力を低減することが出来る。また、
別の例としては、1つの色要素について、複数の領域を用いて明るさを制御する場合は、
その領域一つ分を一画素としてもよい。よって、一例として、面積階調を行う場合または
副画素(サブ画素)を有している場合、一つの色要素につき、明るさを制御する領域が複
数あり、その全体で階調を表現するわけであるが、明るさを制御する領域の一つ分を一画
素としてもよい。よって、その場合は、一つの色要素は、複数の画素で構成されることと
なる。あるいは、明るさを制御する領域が1つの色要素の中に複数あっても、それらをま
とめて、1つの色要素を1画素としてもよい。よって、その場合は、一つの色要素は、一
つの画素で構成されることとなる。また、1つの色要素について、複数の領域を用いて明
るさを制御する場合、画素によって、表示に寄与する領域の大きさが異なっている場合が
ある。また、一つの色要素につき複数ある、明るさを制御する領域において、各々に供給
する信号を僅かに異ならせるようにして、視野角を広げるようにしてもよい。つまり、1
つの色要素について、複数個ある領域が各々有する画素電極の電位が、各々異なっていて
もよい。その結果、液晶分子に加わる電圧が各画素電極によって各々異なる。よって、視
野角を広くすることが出来る。
Note that one pixel indicates one element whose brightness can be controlled. Therefore, as an example, one pixel indicates one color element, and the single color element expresses brightness.
Therefore, at that time, in the case of a color display device consisting of R (red), G (green) and B (blue) color elements, the minimum unit of an image is an R pixel, a G pixel and a B pixel. It shall consist of three pixels. Note that the color elements are not limited to three colors, three or more colors may be used, and colors other than RGB may be used. For example, it may be RGBW (where W is white) by adding white. Also, R
One or more colors such as yellow, cyan, magenta, emerald green, and vermilion may be added to GB. Also, for example, a color similar to at least one color in RGB is defined as RGB
may be added to For example, it may be R, G, B1, and B2. Both B1 and B2 are blue, but have slightly different frequencies. Similarly, R1, R2, G, and B may be used. By using such color elements, a more realistic display can be achieved. Alternatively, power consumption can be reduced by using such color elements. again,
As another example, when controlling brightness using multiple regions for one color element,
One pixel may correspond to one area. Therefore, as an example, when area gradation is performed or when sub-pixels are provided, each color element has a plurality of regions for controlling brightness, and gradation is expressed by the entire region. However, one pixel may correspond to one region whose brightness is controlled. Therefore, in that case, one color element is composed of a plurality of pixels. Alternatively, even if one color element has a plurality of areas for controlling brightness, they may be grouped together and one color element may be defined as one pixel. Therefore, in that case, one color element is composed of one pixel. Further, when the brightness of one color element is controlled using a plurality of areas, the size of the area contributing to display may differ depending on the pixel. In addition, the viewing angle may be widened by slightly different signals supplied to each of the plurality of brightness control regions for each color element. i.e. 1
For one color element, the potentials of pixel electrodes in a plurality of regions may be different. As a result, the voltage applied to the liquid crystal molecules is different for each pixel electrode. Therefore, the viewing angle can be widened.

なお、一画素(三色分)と明示的に記載する場合は、RとGとBの三画素分を一画素と考
える場合であるとする。一画素(一色分)と明示的に記載する場合は、一つの色要素につ
き、複数の領域がある場合、それらをまとめて一画素と考える場合であるとする。
Note that when one pixel (for three colors) is explicitly described, it is assumed that three pixels of R, G, and B are considered to be one pixel. When one pixel (for one color) is explicitly described, it is assumed that, when one color element has a plurality of areas, they are collectively considered as one pixel.

なお、本書類(明細書、特許請求の範囲又は図面など)において、画素は、マトリクス状
に配置(配列)されている場合がある。ここで、画素がマトリクスに配置(配列)されて
いるとは、縦方向もしくは横方向において、画素が直線上に並んで配置されている場合や
、ギザギザな線上に配置されている場合を含む。よって、例えば三色の色要素(例えばR
GB)でフルカラー表示を行う場合に、ストライプ配置されている場合や、三つの色要素
のドットがデルタ配置されている場合も含む。さらに、ベイヤー配置されている場合も含
む。なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、RGBW(Wは白
)や、RGBに、イエロー、シアン、マゼンタなどを一色以上追加したものなどがある。
また、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。これにより、低
消費電力化、又は表示素子の長寿命化を図ることができる。
Note that in this document (specification, claims, drawings, etc.), pixels may be arranged (arranged) in a matrix. Here, "the pixels are arranged (arranged) in a matrix" includes the case where the pixels are arranged in a straight line in the vertical direction or the horizontal direction, and the case where the pixels are arranged in a jagged line. Thus, for example, three color elements (eg, R
GB) for full-color display, including a stripe arrangement and a delta arrangement of dots of three color elements. Furthermore, the case of Bayer arrangement is also included. Note that the color elements are not limited to three colors, and may be more than three colors. For example, there are RGBW (W is white), and one or more colors such as yellow, cyan, and magenta are added to RGB.
Also, the size of the display area may be different for each dot of the color element. As a result, power consumption can be reduced or the life of the display element can be extended.

なお、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有
しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。
Note that an active matrix system in which pixels have active elements or a passive matrix system in which pixels do not have active elements can be used.

アクティブマトリクス方式では、能動素子(アクティブ素子、非線形素子)として、トラ
ンジスタだけでなく、さまざまな能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用いること
が出来る。例えば、MIM(Metal Insulator Metal)やTFD(
Thin Film Diode)などを用いることも可能である。これらの素子は、製
造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。さら
に、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度
化をはかることが出来る。
In the active matrix system, not only transistors but also various active elements (active elements, nonlinear elements) can be used as active elements (active elements, nonlinear elements). For example, MIM (Metal Insulator Metal) and TFD (
Thin Film Diode) or the like can also be used. Since these elements require fewer manufacturing steps, the manufacturing cost can be reduced or the yield can be improved. Furthermore, since the size of the element is small, the aperture ratio can be improved, and low power consumption and high luminance can be achieved.

なお、アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子(アクティブ素子、非線形
素子)を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子(アクティ
ブ素子、非線形素子)を用いないため、製造工程が少なく、製造コストの低減、又は歩留
まりの向上を図ることができる。また、能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用い
ないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来
る。
As a method other than the active matrix method, it is also possible to use a passive matrix method that does not use active elements (active elements, non-linear elements). Since active elements (active elements, non-linear elements) are not used, the number of manufacturing steps is small, and the manufacturing cost can be reduced or the yield can be improved. Moreover, since an active element (active element, nonlinear element) is not used, the aperture ratio can be improved, and low power consumption and high brightness can be achieved.

なお、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子
を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル領域を有しており、ドレ
イン領域とチャネル領域とソース領域とを介して電流を流すことが出来る。ここで、ソー
スとドレインとは、トランジスタの構造や動作条件等によって変わるため、いずれがソー
スまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、本書類(明細書、特許
請求の範囲又は図面など)においては、ソース及びドレインとして機能する領域を、ソー
スもしくはドレインと呼ばない場合がある。その場合、一例としては、それぞれを第1端
子、第2端子と表記する場合がある。あるいは、それぞれを第1の電極、第2の電極と表
記する場合がある。あるいは、ソース領域、ドレイン領域と表記する場合がある。
Note that a transistor is an element having at least three terminals including a gate, a drain, and a source, and has a channel region between the drain region and the source region. A current can flow through the Here, since the source and the drain change depending on the structure of the transistor, operating conditions, etc., it is difficult to define which is the source or the drain. Therefore, in this document (specification, claims, drawings, etc.), regions that function as sources and drains may not be called sources or drains. In that case, as an example, they may be referred to as a first terminal and a second terminal, respectively. Alternatively, they may be referred to as a first electrode and a second electrode, respectively. Alternatively, they may be referred to as a source region and a drain region.

なお、トランジスタは、ベースとエミッタとコレクタとを含む少なくとも三つの端子を有
する素子であってもよい。この場合も同様に、エミッタとコレクタとを、第1端子、第2
端子と表記する場合がある。
A transistor may be a device having at least three terminals including a base, an emitter and a collector. In this case also, the emitter and collector are connected to the first terminal and the second terminal.
Sometimes referred to as a terminal.

なお、ゲートとは、ゲート電極とゲート配線(ゲート線、ゲート信号線、走査線、走査信
号線等とも言う)とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ゲート電極と
は、チャネル領域を形成する半導体と、ゲート絶縁膜を介してオーバーラップしている部
分の導電膜のことを言う。なお、ゲート電極の一部は、LDD(Lightly Dop
ed Drain)領域又はソース領域(又はドレイン領域)と、ゲート絶縁膜を介して
オーバーラップしている場合もある。ゲート配線とは、各トランジスタのゲート電極の間
を接続するための配線、各画素の有するゲート電極の間を接続するための配線、又はゲー
ト電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。
Note that a gate means the whole including a gate electrode and a gate wiring (also referred to as a gate line, a gate signal line, a scanning line, a scanning signal line, etc.) or a part of them. A gate electrode refers to a portion of a conductive film that overlaps a semiconductor forming a channel region with a gate insulating film interposed therebetween. Note that part of the gate electrode is LDD (Lightly Dopped
ed Drain) region or the source region (or drain region) in some cases through the gate insulating film. A gate wiring is a wiring for connecting gate electrodes of transistors, a wiring for connecting gate electrodes of pixels, or a wiring for connecting a gate electrode and another wiring. say.

ただし、ゲート電極としても機能し、ゲート配線としても機能するような部分(領域、導
電膜、配線など)も存在する。そのような部分(領域、導電膜、配線など)は、ゲート電
極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。つまり、ゲート電極とゲート配線とが
、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているゲート配
線の一部とチャネル領域がオーバーラップしている場合、その部分(領域、導電膜、配線
など)はゲート配線として機能しているが、ゲート電極としても機能していることになる
。よって、そのような部分(領域、導電膜、配線など)は、ゲート電極と呼んでも良いし
、ゲート配線と呼んでも良い。
However, there are portions (regions, conductive films, wirings, etc.) that function both as gate electrodes and as gate wirings. Such a portion (region, conductive film, wiring, etc.) may be called a gate electrode or a gate wiring. In other words, there are regions where the gate electrode and the gate wiring cannot be clearly distinguished. For example, when a portion of a gate wiring that is extended and arranged overlaps a channel region, that portion (region, conductive film, wiring, etc.) functions as a gate wiring, but it also functions as a gate electrode. It is working. Therefore, such a portion (region, conductive film, wiring, etc.) may be called a gate electrode or a gate wiring.

なお、ゲート電極と同じ材料で形成され、ゲート電極と同じ島(アイランド)を形成して
つながっている部分(領域、導電膜、配線など)も、ゲート電極と呼んでも良い。同様に
、ゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート配線と同じ島(アイランド)を形成してつな
がっている部分(領域、導電膜、配線など)も、ゲート配線と呼んでも良い。このような
部分(領域、導電膜、配線など)は、厳密な意味では、チャネル領域とオーバーラップし
ていない場合、又は別のゲート電極と接続させる機能を有していない場合がある。しかし
、製造時の仕様等の関係でゲート電極またはゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート電
極またはゲート配線と同じ島(アイランド)を形成してつながっている部分(領域、導電
膜、配線など)がある。よって、そのような部分(領域、導電膜、配線など)もゲート電
極またはゲート配線と呼んでも良い。
A portion (region, conductive film, wiring, etc.) made of the same material as the gate electrode and connected to form the same island as the gate electrode may also be called the gate electrode. Similarly, a portion (region, conductive film, wiring, etc.) formed of the same material as the gate wiring and connected to form the same island as the gate wiring may also be referred to as the gate wiring. Strictly speaking, such portions (regions, conductive films, wirings, etc.) may not overlap with the channel region or have the function of connecting to another gate electrode. However, due to manufacturing specifications, etc., a portion (region, conductive film, wiring, etc.) that is formed of the same material as the gate electrode or gate wiring and forms the same island as the gate electrode or gate wiring. There is Therefore, such portions (regions, conductive films, wirings, etc.) may also be called gate electrodes or gate wirings.

なお、例えば、マルチゲートのトランジスタにおいて、1つのゲート電極と、別のゲート
電極とは、ゲート電極と同じ材料で形成された導電膜で接続される場合が多い。そのよう
な部分(領域、導電膜、配線など)は、ゲート電極とゲート電極とを接続させるための部
分(領域、導電膜、配線など)であるため、ゲート配線と呼んでも良いが、マルチゲート
のトランジスタを1つのトランジスタと見なすことも出来るため、ゲート電極と呼んでも
良い。つまり、ゲート電極またはゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート電極またはゲ
ート配線と同じ島(アイランド)を形成してつながっている部分(領域、導電膜、配線な
ど)は、ゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。さらに、例えば、ゲート電極とゲート
配線とを接続させている部分の導電膜であって、ゲート電極またはゲート配線とは異なる
材料で形成された導電膜も、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。
Note that, for example, in a multi-gate transistor, one gate electrode and another gate electrode are often connected by a conductive film formed using the same material as the gate electrode. Such portions (regions, conductive films, wirings, etc.) are portions (regions, conductive films, wirings, etc.) for connecting gate electrodes, so they may be called gate wirings. can be regarded as one transistor, it may be called a gate electrode. In other words, a portion (region, conductive film, wiring, etc.) that is formed of the same material as the gate electrode or the gate wiring and that forms the same island as the gate electrode or the gate wiring is connected to the gate electrode or the gate wiring. You can call me Furthermore, for example, a conductive film in a portion that connects a gate electrode and a gate wiring and is formed of a material different from that of the gate electrode or the gate wiring may be called a gate electrode or a gate wiring. You can call it

なお、ゲート端子とは、ゲート電極の部分(領域、導電膜、配線など)または、ゲート電
極と電気的に接続されている部分(領域、導電膜、配線など)について、その一部分のこ
とを言う。
Note that the gate terminal refers to a portion of the gate electrode (region, conductive film, wiring, etc.) or a portion of a portion electrically connected to the gate electrode (region, conductive film, wiring, etc.). .

なお、ゲート配線、ゲート線、ゲート信号線、走査線、走査信号線などと呼ぶ場合、配線
にトランジスタのゲートが接続されていない場合もある。この場合、ゲート配線、ゲート
線、ゲート信号線、走査線、走査信号線は、トランジスタのゲートと同じ層で形成された
配線、トランジスタのゲートと同じ材料で形成された配線またはトランジスタのゲートと
同時に成膜された配線を意味している場合がある。例としては、保持容量用配線、電源線
、基準電位供給配線などがある。
Note that when a gate wiring, a gate line, a gate signal line, a scanning line, a scanning signal line, or the like is used, the gate of the transistor may not be connected to the wiring. In this case, the gate wiring, the gate line, the gate signal line, the scanning line, and the scanning signal line are wirings formed of the same layer as the transistor gates, wirings formed of the same material as the transistor gates, or the gates of the transistors. In some cases, it means a film-formed wiring. Examples include storage capacitor wiring, power supply wiring, and reference potential supply wiring.

なお、ソースとは、ソース領域とソース電極とソース配線(ソース線、ソース信号線、デ
ータ線、データ信号線等とも言う)とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言
う。ソース領域とは、P型不純物(ボロンやガリウムなど)やN型不純物(リンやヒ素な
ど)が多く含まれる半導体領域のことを言う。従って、少しだけP型不純物やN型不純物
が含まれる領域、いわゆる、LDD(Lightly Doped Drain)領域は
、ソース領域には含まれない。ソース電極とは、ソース領域とは別の材料で形成され、ソ
ース領域と電気的に接続されて配置されている部分の導電層のことを言う。ただし、ソー
ス電極は、ソース領域も含んでソース電極と呼ぶこともある。ソース配線とは、各トラン
ジスタのソース電極の間を接続するための配線、各画素の有するソース電極の間を接続す
るための配線、又はソース電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。
Note that the source means the whole including the source region, the source electrode, and the source wiring (also referred to as a source line, a source signal line, a data line, a data signal line, etc.) or a part of them. A source region is a semiconductor region containing a large amount of P-type impurities (boron, gallium, etc.) or N-type impurities (phosphorus, arsenic, etc.). Therefore, a region containing a small amount of P-type impurity or N-type impurity, that is, a so-called LDD (Lightly Doped Drain) region is not included in the source region. A source electrode is a portion of a conductive layer formed of a material different from that of a source region and electrically connected to the source region. However, the source electrode may also be called a source electrode including the source region. A source wiring is a wiring for connecting source electrodes of transistors, a wiring for connecting source electrodes of pixels, or a wiring for connecting a source electrode and another wiring. say.

しかしながら、ソース電極としても機能し、ソース配線としても機能するような部分(領
域、導電膜、配線など)も存在する。そのような部分(領域、導電膜、配線など)は、ソ
ース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。つまり、ソース電極とソース配
線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているソ
ース配線の一部とソース領域とがオーバーラップしている場合、その部分(領域、導電膜
、配線など)はソース配線として機能しているが、ソース電極としても機能していること
になる。よって、そのような部分(領域、導電膜、配線など)は、ソース電極と呼んでも
良いし、ソース配線と呼んでも良い。
However, there are portions (regions, conductive films, wirings, etc.) that function both as source electrodes and as source wirings. Such a portion (region, conductive film, wiring, etc.) may be called a source electrode or a source wiring. In other words, there are regions where the source electrode and the source wiring cannot be clearly distinguished. For example, when a portion of a source wiring that is extended and arranged overlaps with a source region, that portion (region, conductive film, wiring, etc.) functions as a source wiring, but does not function as a source electrode. is also functioning. Therefore, such a portion (region, conductive film, wiring, etc.) may be called a source electrode or a source wiring.

なお、ソース電極と同じ材料で形成され、ソース電極と同じ島(アイランド)を形成して
つながっている部分(領域、導電膜、配線など)や、ソース電極とソース電極とを接続す
る部分(領域、導電膜、配線など)も、ソース電極と呼んでも良い。さらに、ソース領域
とオーバーラップしている部分も、ソース電極と呼んでも良い。同様に、ソース配線と同
じ材料で形成され、ソース配線と同じ島(アイランド)を形成してつながっている領域も
、ソース配線と呼んでも良い。このような部分(領域、導電膜、配線など)は、厳密な意
味では、別のソース電極と接続させる機能を有していない場合がある。しかし、製造時の
仕様等の関係でソース電極またはソース配線と同じ材料で形成され、ソース電極またはソ
ース配線とつながっている部分(領域、導電膜、配線など)がある。よって、そのような
部分(領域、導電膜、配線など)もソース電極またはソース配線と呼んでも良い。
Note that a portion (a region, a conductive film, a wiring, etc.) which is formed of the same material as the source electrode and which forms the same island as the source electrode and is connected to the source electrode, or a portion (region) which connects the source electrode to another source electrode. , a conductive film, a wiring, etc.) may also be called a source electrode. Furthermore, the portion overlapping with the source region may also be called a source electrode. Similarly, a region formed of the same material as the source wiring and connected by forming the same island as the source wiring may also be called a source wiring. Strictly speaking, such portions (regions, conductive films, wirings, etc.) may not have the function of connecting to another source electrode. However, there are portions (regions, conductive films, wirings, etc.) formed of the same material as the source electrode or the source wiring and connected to the source electrode or the source wiring due to manufacturing specifications and the like. Therefore, such portions (regions, conductive films, wirings, etc.) may also be called source electrodes or source wirings.

なお、例えば、ソース電極とソース配線とを接続させている部分の導電膜であって、ソー
ス電極またはソース配線とは異なる材料で形成された導電膜も、ソース電極と呼んでも良
いし、ソース配線と呼んでも良い。
Note that, for example, a conductive film in a portion connecting a source electrode and a source wiring and formed of a material different from that of the source electrode or the source wiring may be called a source electrode or a source wiring. You can call it

なお、ソース端子とは、ソース領域の領域や、ソース電極や、ソース電極と電気的に接続
されている部分(領域、導電膜、配線など)について、その一部分のことを言う。
Note that the source terminal refers to a portion of a source region, a source electrode, or a portion electrically connected to the source electrode (region, conductive film, wiring, or the like).

なお、ソース配線、ソース線、ソース信号線、データ線、データ信号線などと呼ぶ場合、
配線にトランジスタのソース(ドレイン)が接続されていない場合もある。この場合、ソ
ース配線、ソース線、ソース信号線、データ線、データ信号線は、トランジスタのソース
(ドレイン)と同じ層で形成された配線、トランジスタのソース(ドレイン)と同じ材料
で形成された配線またはトランジスタのソース(ドレイン)と同時に成膜された配線を意
味している場合がある。例としては、保持容量用配線、電源線、基準電位供給配線などが
ある。
When referring to source wiring, source line, source signal line, data line, data signal line, etc.,
In some cases, the source (drain) of the transistor is not connected to the wiring. In this case, the source wiring, the source line, the source signal line, the data line, and the data signal line are wiring formed of the same layer as the source (drain) of the transistor, and wiring formed of the same material as the source (drain) of the transistor. Alternatively, it may mean a wiring formed at the same time as the source (drain) of a transistor. Examples include storage capacitor wiring, power supply wiring, and reference potential supply wiring.

なお、ドレインについては、ソースと同様である。 Note that the drain is the same as the source.

なお、半導体装置とは半導体素子(トランジスタ、ダイオード、サイリスタなど)を含む
回路を有する装置のことをいう。さらに、半導体特性を利用することで機能しうる装置全
般を半導体装置と呼んでもよい。または、半導体材料を有する装置のことを半導体装置と
言う。
Note that a semiconductor device is a device having a circuit including a semiconductor element (transistor, diode, thyristor, or the like). Furthermore, all devices that can function by utilizing semiconductor characteristics may be called semiconductor devices. Alternatively, devices comprising semiconductor materials are referred to as semiconductor devices.

なお、表示素子とは、光学変調素子、液晶素子、発光素子、EL素子(有機EL素子、無
機EL素子又は有機物及び無機物を含むEL素子)、電子放出素子、電気泳動素子、放電
素子、光反射素子、光回折素子、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、などのこ
とを言う。ただし、これに限定されない。
The display elements include optical modulation elements, liquid crystal elements, light-emitting elements, EL elements (organic EL elements, inorganic EL elements, or EL elements containing organic and inorganic materials), electron-emitting elements, electrophoretic elements, discharge elements, and light reflection elements. device, optical diffractive device, digital micromirror device (DMD), and the like. However, it is not limited to this.

なお、表示装置とは、表示素子を有する装置のことを言う。なお、表示装置は、表示素子
を含む複数の画素を含んでいても良い。なお、表示装置は、複数の画素を駆動させる周辺
駆動回路を含んでいても良い。なお、複数の画素を駆動させる周辺駆動回路は、複数の画
素と同一基板上に形成されてもよい。なお、表示装置は、ワイヤボンディングやバンプな
どによって基板上に配置された周辺駆動回路、いわゆる、チップオングラス(COG)で
接続されたICチップ、または、TABなどで接続されたICチップを含んでいても良い
。なお、表示装置は、ICチップ、抵抗素子、容量素子、インダクタ、トランジスタなど
が取り付けられたフレキシブルプリントサーキット(FPC)を含んでもよい。なお、表
示装置は、フレキシブルプリントサーキット(FPC)などを介して接続され、ICチッ
プ、抵抗素子、容量素子、インダクタ、トランジスタなどが取り付けられたプリント配線
基盤(PWB)を含んでいても良い。なお、表示装置は、偏光板または位相差板などの光
学シートを含んでいても良い。なお、表示装置は、照明装置、筐体、音声入出力装置、光
センサなどを含んでいても良い。ここで、バックライトユニットのような照明装置は、導
光板、プリズムシート、拡散シート、反射シート、光源(LED、冷陰極管など)、冷却
装置(水冷式、空冷式)などを含んでいても良い。
Note that a display device means a device having a display element. Note that the display device may include a plurality of pixels including display elements. Note that the display device may include a peripheral driving circuit that drives a plurality of pixels. Note that a peripheral driver circuit for driving a plurality of pixels may be formed on the same substrate as the plurality of pixels. The display device includes peripheral driving circuits arranged on a substrate by wire bonding, bumps, or the like, so-called chip-on-glass (COG)-connected IC chips, or TAB-connected IC chips. You can stay. The display device may include a flexible printed circuit (FPC) to which IC chips, resistive elements, capacitive elements, inductors, transistors, and the like are attached. The display device may include a printed wiring board (PWB) connected via a flexible printed circuit (FPC) or the like and having an IC chip, a resistive element, a capacitive element, an inductor, a transistor, and the like attached. Note that the display device may include an optical sheet such as a polarizing plate or a retardation plate. Note that the display device may include a lighting device, a housing, an audio input/output device, an optical sensor, and the like. Here, a lighting device such as a backlight unit may include a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, a reflection sheet, a light source (LED, cold cathode tube, etc.), a cooling device (water cooling type, air cooling type), and the like. good.

なお、照明装置は、バックライトユニット、導光板、プリズムシート、拡散シート、反射
シート、光源(LED、冷陰極管、熱陰極管など)、冷却装置などを有している装置のこ
とをいう。
The lighting device is a device having a backlight unit, a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, a reflection sheet, a light source (LED, cold cathode tube, hot cathode tube, etc.), a cooling device, and the like.

なお、発光装置とは、発光素子などを有している装置のことをいう。表示素子として発光
素子を有している場合は、発光装置は、表示装置の具体例の一つである。
Note that a light-emitting device is a device having a light-emitting element or the like. In the case where a light-emitting element is used as a display element, the light-emitting device is one specific example of the display device.

なお、反射装置とは、光反射素子、光回折素子、光反射電極などを有している装置のこと
をいう。
The reflecting device means a device having a light reflecting element, a light diffraction element, a light reflecting electrode, or the like.

なお、液晶表示装置とは、液晶素子を有している表示装置をいう。液晶表示装置には、直
視型、投写型、透過型、反射型、半透過型などがある。
Note that a liquid crystal display device refers to a display device having a liquid crystal element. Liquid crystal display devices include a direct-view type, a projection type, a transmission type, a reflection type, a transflective type, and the like.

なお、駆動装置とは、半導体素子、電気回路、電子回路を有する装置のことを言う。例え
ば、ソース信号線から画素内への信号の入力を制御するトランジスタ(選択用トランジス
タ、スイッチング用トランジスタなどと呼ぶことがある)、画素電極に電圧または電流を
供給するトランジスタ、発光素子に電圧または電流を供給するトランジスタなどは、駆動
装置の一例である。さらに、ゲート信号線に信号を供給する回路(ゲートドライバ、ゲー
ト線駆動回路などと呼ぶことがある)、ソース信号線に信号を供給する回路(ソースドラ
イバ、ソース線駆動回路などと呼ぶことがある)などは、駆動装置の一例である。
Note that a driving device means a device having a semiconductor element, an electric circuit, or an electronic circuit. For example, a transistor that controls the input of a signal from a source signal line into a pixel (sometimes called a selection transistor or switching transistor), a transistor that supplies voltage or current to a pixel electrode, and a voltage or current to a light-emitting element is an example of a driving device. Furthermore, a circuit that supplies a signal to a gate signal line (sometimes called a gate driver, gate line driver circuit, etc.), a circuit that supplies a signal to a source signal line (sometimes called a source driver, a source line driver circuit, etc.) ) is an example of a drive device.

なお、表示装置、半導体装置、照明装置、冷却装置、発光装置、反射装置、駆動装置など
は、互いに重複して有している場合がある。例えば、表示装置が、半導体装置および発光
装置を有している場合がある。あるいは、半導体装置が、表示装置および駆動装置を有し
ている場合がある。
Note that the display device, the semiconductor device, the lighting device, the cooling device, the light-emitting device, the reflecting device, the driving device, and the like may overlap each other. For example, a display device may have a semiconductor device and a light emitting device. Alternatively, a semiconductor device may have a display and a driver.

なお、Aの上にBが形成されている、あるいは、A上にBが形成されている、と明示的に
記載する場合は、Aの上にBが直接接して形成されていることに限定されない。直接接し
てはいない場合、つまり、AとBと間に別の対象物が介在する場合も含むものとする。こ
こで、A、Bは、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、
など)であるとする。
When it is explicitly described that B is formed on A or B is formed on A, it is limited to B being formed on A in direct contact. not. A case where they are not in direct contact, that is, a case where another object intervenes between A and B shall be included. Here, A and B are objects (for example, devices, elements, circuits, wiring, electrodes, terminals, conductive films, layers,
etc.).

従って例えば、層Aの上に(もしくは層A上に)、層Bが形成されている、と明示的に記
載されている場合は、層Aの上に直接接して層Bが形成されている場合と、層Aの上に直
接接して別の層(例えば層Cや層Dなど)が形成されていて、その上に直接接して層Bが
形成されている場合とを含むものとする。なお、別の層(例えば層Cや層Dなど)は、単
層でもよいし、複層でもよい。
Therefore, for example, when it is explicitly stated that layer B is formed on layer A (or on layer A), layer B is formed on layer A and in direct contact therewith. and a case where another layer (for example, layer C or layer D) is formed in direct contact with layer A, and layer B is formed in direct contact thereon. In addition, another layer (for example, layer C, layer D, etc.) may be a single layer or multiple layers.

さらに、Aの上方にBが形成されている、と明示的に記載されている場合についても同様
であり、Aの上にBが直接接していることに限定されず、AとBとの間に別の対象物が介
在する場合も含むものとする。従って例えば、層Aの上方に、層Bが形成されている、と
いう場合は、層Aの上に直接接して層Bが形成されている場合と、層Aの上に直接接して
別の層(例えば層Cや層Dなど)が形成されていて、その上に直接接して層Bが形成され
ている場合とを含むものとする。なお、別の層(例えば層Cや層Dなど)は、単層でもよ
いし、複層でもよい。
Furthermore, the same applies to the case where it is explicitly described that B is formed above A, and is not limited to B being in direct contact with A. It shall include the case where another object intervenes. Therefore, for example, when the layer B is formed above the layer A, the case where the layer B is formed directly on the layer A and the case where the layer B is formed directly on the layer A and another layer (for example, layer C, layer D, etc.) are formed, and layer B is formed in direct contact thereon. In addition, another layer (for example, layer C, layer D, etc.) may be a single layer or multiple layers.

なお、Aの上にBが直接接して形成されている、と明示的に記載する場合は、Aの上に直
接接してBが形成されている場合を含み、AとBと間に別の対象物が介在する場合は含ま
ないものとする。
In addition, when it is explicitly described that B is formed on A in direct contact, it includes the case where B is formed in direct contact on A, and there is another If there is an object intervening, it shall not be included.

なお、Aの下にBが、あるいは、Aの下方にBが、の場合についても、同様である。 It should be noted that the same applies to the case where B is under A or B is under A.

なお、明示的に単数として記載されているものについては、単数であることが望ましい。
ただし、これに限定されず、複数であることも可能である。同様に、明示的に複数として
記載されているものについては、複数であることが望ましい。ただし、これに限定されず
、単数であることも可能である。
In addition, it is preferable to use the singular number for items explicitly described as the singular number.
However, it is not limited to this, and may be plural. Similarly, for those explicitly described as plural, the plural is preferred. However, it is not limited to this, and may be singular.

本発明により、広視野角表示を実現することができる。また、コントラストに優れた表
示装置を得ることができる。また、表示品位に優れた表示装置を提供することをできる。
また、ノイズの影響を受けにくく、綺麗な表示を行うことが可能な表示装置を提供するこ
とができる。または、表示の劣化が生じにくい表示装置を提供することができる。または
、製品寿命に優れた表示装置を提供することができる。
A wide viewing angle display can be realized by the present invention. In addition, a display device with excellent contrast can be obtained. Further, a display device with excellent display quality can be provided.
In addition, a display device which is not easily affected by noise and can perform clear display can be provided. Alternatively, it is possible to provide a display device whose display is less likely to deteriorate. Alternatively, a display device with excellent product life can be provided.

本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素を有する表示装置の一例を説明する図。4A and 4B are diagrams for explaining an example of a display device having a pixel of the present invention; 本発明の表示装置が有する画素の一構成例について説明する図。A diagram for explaining a configuration example of a pixel included in a display device of the present invention. 図12に示す画素の一動作方法について説明する図。FIG. 13 is a diagram for explaining one operation method of the pixel shown in FIG. 12; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素を有する表示装置の一例を説明する図。4A and 4B are diagrams for explaining an example of a display device having a pixel of the present invention; 図19に示す表示装置が有する信号線切り替え回路を説明する図。FIG. 20 illustrates a signal line switching circuit included in the display device illustrated in FIG. 19; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明の画素構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel configuration of the present invention; 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。1A and 1B are diagrams showing a configuration example of a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。1A and 1B are diagrams showing a configuration example of a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。1A and 1B are diagrams showing a configuration example of a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置の画素のレイアウトの一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of a pixel layout of a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の液晶モードについて説明する図。4A and 4B are diagrams for explaining a liquid crystal mode of a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置の液晶モードについて説明する図。4A and 4B are diagrams for explaining a liquid crystal mode of a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置の液晶モードについて説明する図。4A and 4B are diagrams for explaining a liquid crystal mode of a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置の液晶モードについて説明する図。4A and 4B are diagrams for explaining a liquid crystal mode of a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。1A and 1B are diagrams showing a configuration example of a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。1A and 1B are diagrams showing a configuration example of a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。1A and 1B are diagrams showing a configuration example of a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置の周辺構成部材の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of peripheral structural members of a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の周辺構成部材の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of peripheral structural members of a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の周辺構成部材の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of peripheral structural members of a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の周辺構成部材の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of peripheral structural members of a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置のパネル回路構成の一例を示す図。FIG. 2 is a diagram showing an example of a panel circuit configuration of a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an example of a method for driving a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an example of a method for driving a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an example of a method for driving a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an example of a method for driving a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置が有するトランジスタの構造の一例について説明する図。4A and 4B illustrate an example of the structure of a transistor included in a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置が有するトランジスタの構造の一例について説明する図。4A and 4B illustrate an example of the structure of a transistor included in a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置が有するトランジスタの構造の一例について説明する図。4A and 4B illustrate an example of the structure of a transistor included in a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置が有するトランジスタの構造の一例について説明する図。4A and 4B illustrate an example of the structure of a transistor included in a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置が有するトランジスタの構造の一例について説明する図。4A and 4B illustrate an example of the structure of a transistor included in a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。1A and 1B are diagrams showing a configuration example of a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。1A and 1B are diagrams showing a configuration example of a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。1A and 1B are diagrams showing a configuration example of a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。1A and 1B are diagrams showing a configuration example of a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。1A and 1B are diagrams showing an electronic device using a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。1A and 1B are diagrams showing an electronic device using a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。1A and 1B are diagrams showing an electronic device using a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。1A and 1B are diagrams showing an electronic device using a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。1A and 1B are diagrams showing an electronic device using a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。1A and 1B are diagrams showing an electronic device using a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。1A and 1B are diagrams showing an electronic device using a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。1A and 1B are diagrams showing an electronic device using a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。1A and 1B are diagrams showing an electronic device using a display device according to the present invention; FIG. 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an example of a method for driving a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an example of a method for driving a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an example of a method for driving a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an example of a method for driving a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an example of a method for driving a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an example of a method for driving a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an example of a method for driving a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an example of a method for driving a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an example of a method for driving a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an example of a method for driving a display device according to the present invention; 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an example of a method for driving a display device according to the present invention; 従来技術を説明する図。The figure explaining a prior art.

以下、本発明の一態様について説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施する
ことが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を
様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本形態の記載内容に
限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じも
のを指す符号は異なる図面間においても共通して用い、その説明は省略する。
One embodiment of the present invention is described below. Those skilled in the art will readily appreciate, however, that the present invention may be embodied in many different forms and that various changes in form and detail may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. be done. Therefore, it should not be construed as being limited to the contents described in this embodiment. In addition, in the configuration of the present invention described below, the same reference numerals are used in different drawings, and the description thereof is omitted.

(実施の形態1)
本発明の画素の基本構成について、図1を用いて説明する。図1に示す画素は、第1の
スイッチ111、第2のスイッチ112、第3のスイッチ113、第1の抵抗114、第
2の抵抗115、第1の液晶素子121、第2の液晶素子122、第1の保持容量131
及び第2の保持容量132を有する。また、画素は、信号線116及びCs線119に接
続されている。なお、第1の液晶素子121及び第2の液晶素子122の各々は、画素電
極と、共通電極118と、画素電極及び共通電極118によって制御される液晶とを有す
る。
(Embodiment 1)
A basic configuration of a pixel of the present invention will be described with reference to FIG. A pixel shown in FIG. , the first holding capacitor 131
and a second storage capacitor 132 . Also, the pixels are connected to the signal line 116 and the Cs line 119 . Note that each of the first liquid crystal element 121 and the second liquid crystal element 122 has a pixel electrode, a common electrode 118 , and liquid crystal controlled by the pixel electrode and the common electrode 118 .

図1において、第1の液晶素子121の画素電極は第1のスイッチ111を介して信号
線116に接続されている。また、第1の液晶素子121の画素電極は第2のスイッチ1
12及び第1の抵抗114を介して第2の液晶素子122の画素電極とも接続されている
。第1の抵抗114と第2の液晶素子122の画素電極との接続箇所をノード142とす
ると、ノード142は第3のスイッチ113及び第2の抵抗115を介してCs線119
と接続されている。また、第2のスイッチ112と、第1の液晶素子121の画素電極と
第1のスイッチ111とが接続されている配線との接続箇所をノード141とする。
In FIG. 1, the pixel electrode of the first liquid crystal element 121 is connected to the signal line 116 via the first switch 111 . Also, the pixel electrode of the first liquid crystal element 121 is connected to the second switch 1
12 and the pixel electrode of the second liquid crystal element 122 via the first resistor 114 . Assuming that a connection point between the first resistor 114 and the pixel electrode of the second liquid crystal element 122 is a node 142 , the node 142 is connected to the Cs line 119 via the third switch 113 and the second resistor 115 .
is connected with A node 141 is a connection point between the second switch 112 and a wiring to which the pixel electrode of the first liquid crystal element 121 and the first switch 111 are connected.

なお、第1のスイッチ111、第2のスイッチ112及び第3のスイッチ113のオン
オフは、例えば図2に示すように走査線117に入力される信号によって制御される。
The on/off states of the first switch 111, the second switch 112, and the third switch 113 are controlled by a signal input to the scanning line 117 as shown in FIG. 2, for example.

また、信号線116には、ビデオ信号に相当する画像信号、即ち画素の階調に応じた電
位が入力される。
An image signal corresponding to a video signal, that is, a potential corresponding to the gradation of a pixel is input to the signal line 116 .

なお、液晶素子は電圧保持特性を示すがその保持率は100%ではないため、保持され
た電圧を維持するために図1及び図2に示した画素では第1の液晶素子121及び第2の
液晶素子122のそれぞれに対応して第1の保持容量131、第2の保持容量132が設
けられている。具体的には、第1の液晶素子121の画素電極は第1の保持容量131を
介してCs線119に接続され、第2の液晶素子122の画素電極は第2の保持容量13
2を介してCs線119に接続されている。なお、液晶素子における電圧保持特性は液晶
材料、それに混入された不純物や画素の大きさ等にもよるため、液晶素子の電圧保持率が
高い場合には図26に示すように保持容量を特に設けなくても良い。また、例えば第1の
液晶素子121より第2の液晶素子122の方が表示への寄与が少ない場合には、表示寄
与に少ない第2の液晶素子122に対して設けられた第2の保持容量132を省略しても
良い。
Although the liquid crystal element exhibits a voltage holding characteristic, the holding ratio is not 100%. Therefore, in order to maintain the held voltage, the pixels shown in FIGS. A first holding capacitor 131 and a second holding capacitor 132 are provided corresponding to each of the liquid crystal elements 122 . Specifically, the pixel electrode of the first liquid crystal element 121 is connected to the Cs line 119 through the first storage capacitor 131, and the pixel electrode of the second liquid crystal element 122 is connected to the second storage capacitor 13.
2 to the Cs line 119 . Note that the voltage holding characteristics of the liquid crystal element depend on the liquid crystal material, impurities mixed therein, the size of the pixel, and the like. It doesn't have to be. Further, for example, when the second liquid crystal element 122 contributes less to display than the first liquid crystal element 121, a second storage capacitor provided for the second liquid crystal element 122 which contributes less to display 132 may be omitted.

また、図1において、ノード141は第2のスイッチ112、第1の抵抗114を順に介
してノード142に接続されているが、第1の抵抗114、第2のスイッチ112の順に
接続されていても良い。また、ノード142は第2の抵抗115、第3のスイッチの11
3を順に介してCs線119に接続されていても良い。もちろん、図27に示すように第
2のスイッチ112と第1の抵抗114、第3のスイッチ113と第2の抵抗115にお
いてスイッチと抵抗の接続関係がそれぞれ逆になっていても良い。
Also, in FIG. 1, the node 141 is connected to the node 142 through the second switch 112 and the first resistor 114 in this order. Also good. Also, the node 142 is connected to the second resistor 115 and the third switch 11
3 in turn may be connected to the Cs line 119 . Of course, as shown in FIG. 27, in the second switch 112 and the first resistor 114, and in the third switch 113 and the second resistor 115, the connection relationship between the switches and the resistors may be reversed.

また、第1の液晶素子121、第2の液晶素子122の各々は、複数の液晶素子から構
成されていても良い。同様にして第1の保持容量131、第2の保持容量132の各々に
おいても、複数の保持容量から構成されていても良い。例えば、図3に第1の液晶素子1
21、第2の液晶素子122の各々が2つの液晶素子から、第1の保持容量131、第2
の保持容量132の各々が2つの保持容量から構成されている場合について示す。
Further, each of the first liquid crystal element 121 and the second liquid crystal element 122 may be composed of a plurality of liquid crystal elements. Similarly, each of the first holding capacitor 131 and the second holding capacitor 132 may be composed of a plurality of holding capacitors. For example, the first liquid crystal element 1 shown in FIG.
21, each of the second liquid crystal elements 122, from the two liquid crystal elements, the first storage capacitor 131, the second
is composed of two holding capacitors.

次に、図2を用いて上述の画素の動作について説明する。第1のスイッチ111、第2
のスイッチ112及び第3のスイッチ113のオンオフは走査線117に信号を入力する
ことにより制御され、ここでは走査線117にHighレベル(以下、Hレベルと記す)
を入力することにより第1のスイッチ111、第2のスイッチ112及び第3のスイッチ
113がオンする場合について説明する。この場合、走査線117にLowレベル(以下
、Lレベルと記す)が入力された際にはこれらスイッチはオフするものとする。
Next, the operation of the pixel described above will be described with reference to FIG. First switch 111, second
The on/off of the switch 112 and the third switch 113 are controlled by inputting a signal to the scanning line 117. Here, the scanning line 117 is set to High level (hereinafter referred to as H level).
A case in which the first switch 111, the second switch 112 and the third switch 113 are turned on by inputting is explained. In this case, these switches are turned off when a Low level (hereinafter referred to as L level) is input to the scanning line 117 .

まず、走査線117がHレベルになると第1のスイッチ111、第2のスイッチ112
及び第3のスイッチ113はオンし、信号線116より入力された画素の階調に応じた電
位は第1のスイッチ111を介して第1の液晶素子121の画素電極及び第1の保持容量
131の第1の電極に供給される。さらに、この電位は第2のスイッチ112及び第1の
抵抗114を介して第2の液晶素子122の画素電極及び第2の保持容量132の第1の
電極に供給される。なお、第2の液晶素子122の画素電極及び第2の保持容量132の
第1の電極に供給される電位はノード142における電位と同じであり、その電位はノー
ド141とCs線119との電位差並びに第1の抵抗114及び第2の抵抗115におけ
る抵抗値によって決定される。即ち、第2の液晶素子122の画素電極には、信号線11
6より入力された画素の階調に応じた電位が第1の抵抗114と第2の抵抗115とによ
って抵抗分割された電位が供給される。なお、信号線116より入力される画素の階調に
応じた電位をVsig、第1の抵抗114の抵抗値をR1、第2の抵抗115の抵抗値を
R2、Cs線119に供給される電位をVcsとすると、ノード141の電位はVsig
、ノード142の電位はVcs+(Vsig-Vcs)×R2/(R1+R2)となる。
First, when the scanning line 117 becomes H level, the first switch 111 and the second switch 112 are turned on.
and the third switch 113 are turned on, and the potential corresponding to the pixel gradation input from the signal line 116 is applied to the pixel electrode of the first liquid crystal element 121 and the first storage capacitor 131 through the first switch 111 . is supplied to the first electrode of the Further, this potential is supplied to the pixel electrode of the second liquid crystal element 122 and the first electrode of the second storage capacitor 132 through the second switch 112 and the first resistor 114 . Note that the potential supplied to the pixel electrode of the second liquid crystal element 122 and the first electrode of the second storage capacitor 132 is the same as the potential of the node 142, which is the potential difference between the node 141 and the Cs line 119. and the resistance values in the first resistor 114 and the second resistor 115 . That is, the signal line 11 is connected to the pixel electrode of the second liquid crystal element 122 .
A potential corresponding to the gradation of the pixel input from 6 is resistance-divided by the first resistor 114 and the second resistor 115 and supplied. Note that Vsig is the potential corresponding to the gradation of the pixel input from the signal line 116, R1 is the resistance value of the first resistor 114, R2 is the resistance value of the second resistor 115, and the potential supplied to the Cs line 119. is Vcs, the potential of node 141 is Vsig
, the potential of node 142 is Vcs+(Vsig−Vcs)×R2/(R1+R2).

また、第1の保持容量131には信号線116より入力された階調に応じた電位とCs
線119の電位との電位差が、第2の保持容量132には抵抗分割された電位とCs線1
19の電位との電位差が保持される。
Further, the potential corresponding to the gradation input from the signal line 116 and Cs
The potential difference between the potential of the line 119 and the potential of the Cs line 1 is divided by resistance in the second holding capacitor 132 .
The potential difference with the potential of 19 is held.

次に、走査線117にLレベルを入力する。すると、第1のスイッチ111、第2のス
イッチ112及び第3のスイッチ113がオフし、信号線116、第1の液晶素子121
及び第2の液晶素子122は互いに電気的に遮断される。しかしながら、第1の保持容量
131には信号線116より入力された階調に応じた電位とCs線119の電位との電位
差が保持され、第2の保持容量132には抵抗分割された電位とCs線119の電位との
電位差が保持されている。そのため、第1の液晶素子121の画素電極は信号線116よ
り入力された画素の階調に応じた電位を維持することができ、第2の液晶素子122の画
素電極においても抵抗分割された電位を維持することができる。
Next, L level is input to the scanning line 117 . Then, the first switch 111, the second switch 112, and the third switch 113 are turned off, and the signal line 116 and the first liquid crystal element 121 are turned off.
and the second liquid crystal element 122 are electrically isolated from each other. However, the potential difference between the potential corresponding to the gradation input from the signal line 116 and the potential of the Cs line 119 is held in the first holding capacitor 131, and the second holding capacitor 132 holds the potential divided by resistance. A potential difference from the potential of the Cs line 119 is held. Therefore, the pixel electrode of the first liquid crystal element 121 can maintain a potential corresponding to the gradation of the pixel input from the signal line 116, and the potential of the pixel electrode of the second liquid crystal element 122 is divided by resistance. can be maintained.

このようにして、第1の液晶素子121及び第2の液晶素子122に保持された電位差
、即ち電圧を用いて画素の階調を表現する。第1の液晶素子121と第2の液晶素子12
2とでは異なる電圧が印加されているため、各々の液晶素子が有する液晶は異なる配向を
示すことが可能となる。よって、視野角特性を向上することができる。なお、画素が表現
する階調は、当該画素における第1の液晶素子121と第2の液晶素子122の各々が有
する液晶の配向により決定されるため、信号線116より供給する電位はこれらを考慮し
て決定する必要がある。このように、1本の信号線116より第1の液晶素子121及び
第2の液晶素子122の配向を制御することが可能であるため、画素の開口率を高いもの
とすることができる。
In this manner, the gradation of a pixel is expressed using the potential difference, that is, the voltage held between the first liquid crystal element 121 and the second liquid crystal element 122 . First liquid crystal element 121 and second liquid crystal element 12
2, different voltages are applied, so that the liquid crystal of each liquid crystal element can exhibit different orientations. Therefore, viewing angle characteristics can be improved. Note that since the gradation expressed by a pixel is determined by the orientation of liquid crystals in each of the first liquid crystal element 121 and the second liquid crystal element 122 in the pixel, the potential supplied from the signal line 116 takes these factors into account. must be determined by Thus, since the alignment of the first liquid crystal element 121 and the second liquid crystal element 122 can be controlled by one signal line 116, the aperture ratio of the pixel can be increased.

ところで、このような画素構成とした場合、第2の液晶素子122は第1の液晶素子1
21に比べて印加される電圧が小さくなる。そのため、第2の抵抗115を第1の抵抗1
14より小さくしすぎると第2の液晶素子122に印加される電圧が液晶のしきい値電圧
より小さくなり、第2の液晶素子122が有する液晶が駆動しない場合がある。よって、
第2の抵抗115の抵抗値R2は第1の抵抗114の抵抗値R1より大きい方(R2>R
1)が好ましい。もちろん、抵抗値の関係はこれに限定されることはなく、第1の液晶素
子121及び第2の液晶素子122の液晶が駆動し、両者の液晶を用いて階調を表現でき
れば良い。なお、液晶のしきい値電圧とは、液晶が駆動するために必要となる電圧の臨界
値を指す。
By the way, in such a pixel configuration, the second liquid crystal element 122 is the same as the first liquid crystal element 1
21, the applied voltage is smaller. Therefore, the second resistor 115 is replaced with the first resistor 1
If it is too much smaller than 14, the voltage applied to the second liquid crystal element 122 becomes smaller than the threshold voltage of the liquid crystal, and the liquid crystal of the second liquid crystal element 122 may not be driven. Therefore,
The resistance value R2 of the second resistor 115 is greater than the resistance value R1 of the first resistor 114 (R2>R
1) is preferred. Of course, the relationship between the resistance values is not limited to this, and it is sufficient if the liquid crystals of the first liquid crystal element 121 and the second liquid crystal element 122 are driven and the gradation can be expressed using both liquid crystals. Note that the threshold voltage of liquid crystal refers to a critical value of voltage required to drive the liquid crystal.

また、第1の抵抗114と第2の抵抗115の抵抗値が大きく、第2のスイッチ112
及び第3のスイッチ113がなくてもノード141、ノード142の各々において第1の
スイッチ111をオフした後も信号線116より入力された際の電位を維持することがで
きれば、これらスイッチは特に設けなくても良い。例えば、第1の抵抗114の抵抗値が
大きければノード141とノード142の間に設けられた第2のスイッチ112を省略し
ても良いし、第2の抵抗115の抵抗値が大きければノード142とCs線119の間に
設けられた第3のスイッチ113を省略しても良い。もちろん、両者ともに大きい場合に
は、第2のスイッチ112及び第3のスイッチ113を省略することも可能である。
Also, the resistance values of the first resistor 114 and the second resistor 115 are large, and the second switch 112
Even if the third switch 113 is not provided, these switches are particularly provided if the potentials of the nodes 141 and 142 when they are input from the signal line 116 can be maintained even after the first switch 111 is turned off. It doesn't have to be. For example, if the resistance value of the first resistor 114 is large, the second switch 112 provided between the nodes 141 and 142 may be omitted, and if the resistance value of the second resistor 115 is large, the node 142 may be omitted. and the Cs line 119 may be omitted. Of course, if both are large, the second switch 112 and the third switch 113 can be omitted.

なお、第1のスイッチ111、第2のスイッチ112及び第3のスイッチ113には様
々な形態のものを用いることが可能であり、電気的なスイッチや機械的なスイッチなどを
適用することができる。つまり、電流の流れを制御できるものであればよく、特定のもの
に限定されない。例えば、トランジスタやダイオードでもよいし、これらを組み合わせた
論理回路でも良い。
Note that various modes can be used for the first switch 111, the second switch 112, and the third switch 113, and an electrical switch, a mechanical switch, or the like can be applied. . In other words, it is not limited to a specific one as long as it can control the flow of current. For example, a transistor, a diode, or a logic circuit combining these may be used.

また、第1の抵抗114、第2の抵抗115は、様々な素子を用いて実現する事ができ
る。つまり、電流が流れたときに、電圧降下するものを用いて実現することができるため
、抵抗素子に限定されない。例えば、トランジスタ、ダイオード、容量素子、インダクタ
などを用いることができる。ダイオードとしては、PNダイオード、PINダイオード、
MIMダイオード、ショットキーダイオード、ダイオード接続されたトランジスタなどを
用いることができる。抵抗素子としては、シリコン層、不純物がわずかにドープされたシ
リコン層(LDDと同程度の濃度)、不純物が多くドープされたシリコン層(ソース領域
、ドレイン領域と同程度の濃度)、ITOやIZOなどの酸化物半導体、配線長を長くし
た導体、などを用いることができる。なお、図1乃至図3ではスイッチと抵抗とを別々に
設けた場合について記載したが、これに限定されない。1つの素子を用いて、スイッチと
抵抗とを実現してもよい。
Also, the first resistor 114 and the second resistor 115 can be realized using various elements. In other words, it is not limited to a resistive element because it can be realized by using an element that causes a voltage drop when a current flows. For example, a transistor, diode, capacitor, inductor, or the like can be used. Diodes include PN diodes, PIN diodes,
MIM diodes, Schottky diodes, diode-connected transistors, and the like can be used. A silicon layer, a silicon layer lightly doped with impurities (same concentration as LDD), a silicon layer heavily doped with impurities (same concentration as the source region and drain region), ITO or IZO can be used as the resistance element. For example, an oxide semiconductor such as an oxide semiconductor, a conductor with a longer wiring length, or the like can be used. Note that although the case where the switch and the resistor are provided separately is described in FIGS. 1 to 3, the present invention is not limited to this. A single element may be used to implement both the switch and the resistor.

図4に示すように、図2における第2のスイッチ112及び第3のスイッチ113のそ
れぞれに第2のトランジスタ212、第3のトランジスタ213を用い、さらにこれらの
トランジスタのオン抵抗を用いて図2における第1の抵抗114及び第2の抵抗115を
実現し、これら抵抗を省略した構成としても良い。なお、上述したように第2の抵抗11
5の抵抗値R2は第1の抵抗114の抵抗値R1より大きい方(R2>R1)が好ましい
ため、図4における構成においても第2のトランジスタ212のオン抵抗に比べ第3のト
ランジスタ213のオン抵抗が大きい方が好ましい。よって、第2のトランジスタ212
のチャネル幅をW2、チャネル長をL2、第3のトランジスタ213のチャネル幅をW3
、チャネル長をL3とした場合、W2/L2>W3/L3となるようなトランジスタを各
々に用いることが好ましい。ただし、この関係に限定されるわけではない。もちろん、画
素の構成においてもこれに限定されるわけではなく、例えば図5に示すように、図2にお
ける第2のスイッチ112及び第3のスイッチ113のそれぞれに第2のトランジスタ2
12、第3のトランジスタ213を用いて、抵抗を省略しなくても良い。
As shown in FIG. 4, a second transistor 212 and a third transistor 213 are used for the second switch 112 and the third switch 113 in FIG. 2, respectively. , the first resistor 114 and the second resistor 115 may be realized, and these resistors may be omitted. In addition, as described above, the second resistor 11
5 is preferably larger than the resistance value R1 of the first resistor 114 (R2>R1). A higher resistance is preferred. Therefore, the second transistor 212
The channel width of the third transistor 213 is W2, the channel length is L2, and the channel width of the third transistor 213 is W3.
, and a channel length of L3, it is preferable to use transistors satisfying W2/L2>W3/L3. However, it is not limited to this relationship. Of course, the pixel configuration is not limited to this. For example, as shown in FIG.
12, the third transistor 213 may be used without omitting the resistor.

また、第1のスイッチ111にトランジスタ(ここでは、第1のトランジスタという)
を用いた場合には、第1のトランジスタのオン抵抗はより低い方が好ましく、第1のトラ
ンジスタのチャネル幅をW1、チャネル長をL1とするとW1/L1はより大きい方が好
ましい。図6に、図4に示す構成において第1のスイッチ111に第1のトランジスタ2
11を用いた場合について示す。なお、第1のトランジスタ211を第2のトランジスタ
212及び第3のトランジスタ213と比較した場合には、W1/L1>W2/L2>W
3/L3となるようなトランジスタを用いることが好ましい。ただし、これに限定される
わけではない。
A transistor (here, referred to as a first transistor) is used as the first switch 111 .
is used, it is preferable that the on-resistance of the first transistor is as low as possible. 6, the first transistor 2 is connected to the first switch 111 in the configuration shown in FIG.
11 is used. Note that when the first transistor 211 is compared with the second transistor 212 and the third transistor 213, W1/L1>W2/L2>W
It is preferable to use a transistor with 3/L3. However, it is not limited to this.

また、第3のトランジスタ213のオン抵抗をより大きなものとするために、図7に示
すようにトランジスタ313にトランジスタを2つ直列に接続したマルチゲート型トラン
ジスタを用いても良い。なお、図7では2つのトランジスタを直列に接続した場合につい
て示しているが、直列に接続されるトランジスタの数は特に限定されない。
In order to increase the on-resistance of the third transistor 213, a multi-gate transistor in which two transistors are connected in series as the transistor 313 as shown in FIG. 7 may be used. Note that although FIG. 7 shows the case where two transistors are connected in series, the number of transistors connected in series is not particularly limited.

なお、トランジスタ313のチャネル長Lは、直列に接続された2つのトランジスタの
チャネル幅Wが等しい場合、各トランジスタのチャネル長の合計として作用する。そのた
め、W/Lはより小さくなりやすく、オン抵抗を大きくすることができる。よって、トラ
ンジスタ313のオン抵抗は、マルチゲート型トランジスタを用いることで第2のトラン
ジスタ212のオン抵抗に比べ容易に大きくすることができる。
Note that the channel length L of the transistor 313 acts as the sum of the channel lengths of the two transistors connected in series when the channel widths W of the two transistors are the same. Therefore, W/L tends to be smaller, and the on-resistance can be increased. Therefore, by using a multi-gate transistor, the on-resistance of the transistor 313 can be easily increased compared to the on-resistance of the second transistor 212 .

また、例えば第2のトランジスタ212に比べ第3のトランジスタ213のオン抵抗が
非常に小さい場合など、第2の液晶素子122に印加される電圧が第2の液晶素子122
が有する液晶のしきい値電圧以下となる場合には、図8に示すように抵抗としてダイオー
ド接続されたトランジスタ414を第3のトランジスタ213に対し直列に設けた構成と
しても良い。ダイオード接続されたトランジスタ414により、第2の保持容量132に
は少なくともトランジスタ414のしきい値電圧以上の電圧を保持させることができる。
よって、ダイオード接続されたトランジスタ414を用いることにより第2の液晶素子1
22に印加される電圧を増大させることが可能となり、より確実に第2の液晶素子122
が有する液晶を駆動させることができる。ダイオードは非線形性を有しており、電圧が小
さい領域では抵抗値がより大きくなるため、このような場合に特に効果的である。もちろ
ん、抵抗を用いることも可能である。なお、ここでは信号線116より入力される階調に
応じた電位は正であるものとして図示しており、トランジスタ414にはNチャネル型の
トランジスタを用い、そのドレイン電極が第3のトランジスタ213に接続されている例
について示している。もちろん、トランジスタ414にはPチャネル型のトランジスタを
用いることも可能である。ただし、この場合第3のトランジスタ213にはソース電極が
接続される。
Further, for example, when the on-resistance of the third transistor 213 is much smaller than that of the second transistor 212, the voltage applied to the second liquid crystal element 122 is
8, a diode-connected transistor 414 may be provided in series with the third transistor 213 as a resistor as shown in FIG. The diode-connected transistor 414 allows the second storage capacitor 132 to hold a voltage at least equal to or higher than the threshold voltage of the transistor 414 .
Therefore, by using the diode-connected transistor 414, the second liquid crystal element 1
22, the voltage applied to the second liquid crystal element 122 can be increased more reliably.
can drive the liquid crystal of Diodes are non-linear and have a higher resistance in a low voltage region, so they are particularly effective in this case. Of course, it is also possible to use resistors. Note that the illustration here assumes that the potential corresponding to the grayscale input from the signal line 116 is positive, an N-channel transistor is used as the transistor 414 , and its drain electrode A connected example is shown. Of course, a P-channel transistor can also be used as the transistor 414 . However, in this case, the source electrode is connected to the third transistor 213 .

なお、通常液晶表示装置は、共通電極の電位を中心として正と負の画像信号、即ち正極
性と負極性の画像信号が1フレーム期間毎に信号線を介して交互に供給される。このよう
な場合、画像信号はCs線に供給される電位に対しても正と負となる信号である。そのた
め、Cs線119を、正極性の画像信号が入力されるときと、負極性の画像信号が入力さ
れるときとで、電位を変化させればよい。つまり、正極性の信号が入力されるときよりも
、負極性の信号が入力されるときの方が、Cs線119の電位が低くなるようにすればよ
い。これにより、各画素電極に適切に電圧を供給することが出来る。なお、図8に示す画
素は正と負の両方の画像信号に対応できるように図9のような構成とすれば良い。図9に
示す画素は、図8におけるダイオード接続されたトランジスタ414と並列にダイオード
接続されたトランジスタ614をさらに設けた構成である。なお、これらトランジスタが
同一の導電型のトランジスタである場合には、ドレイン電極が互いに異なるようにトラン
ジスタ414、トランジスタ614を接続する。このような構成とすることで、Cs線1
19の電位と信号線116から供給される電位の関係が逆転しても、第2の保持容量13
2には少なくともトランジスタ414もしくはトランジスタ614のしきい値電圧以上の
電圧を保持させることができる。よって、第2の液晶素子122に印加される電圧を増大
させることが可能となり、より確実に第2の液晶素子122が有する液晶を駆動させるこ
とができる。なお、このような駆動方法を行わない場合においても、図9に示す画素構成
を用いても良い。
In addition, in a normal liquid crystal display device, positive and negative image signals, that is, positive and negative image signals are alternately supplied through a signal line every frame period around the potential of a common electrode. In such a case, the image signal is a signal that is positive and negative with respect to the potential supplied to the Cs line. Therefore, the potential of the Cs line 119 may be changed depending on whether a positive image signal is input or a negative image signal is input. That is, the potential of the Cs line 119 should be lower when a negative signal is input than when a positive signal is input. Thereby, it is possible to appropriately supply a voltage to each pixel electrode. The pixels shown in FIG. 8 may be configured as shown in FIG. 9 so as to be compatible with both positive and negative image signals. The pixel shown in FIG. 9 has a configuration in which a diode-connected transistor 614 is further provided in parallel with the diode-connected transistor 414 in FIG. Note that when these transistors have the same conductivity type, the transistors 414 and 614 are connected so that their drain electrodes are different from each other. With such a configuration, the Cs line 1
19 and the potential supplied from the signal line 116 are reversed, the second holding capacitor 13
2 can hold a voltage at least equal to or higher than the threshold voltage of transistor 414 or transistor 614 . Therefore, the voltage applied to the second liquid crystal element 122 can be increased, and the liquid crystal included in the second liquid crystal element 122 can be driven more reliably. Note that the pixel configuration shown in FIG. 9 may be used even when such a driving method is not used.

なお、本明細書において、共通電極より画素電極の電位の方が高い場合には正極性の電
圧が、画素電極より共通電極の電位の方が高い場合には負極性の電圧が液晶素子に印加さ
れたと表記する。また、液晶素子に正極性の電圧が印加される際に信号線より入力される
画像信号を正極性の信号とし、負極性の電圧が印加される際に信号線より入力される画像
信号を負極性の信号として表記する。
In this specification, a positive voltage is applied to the liquid crystal element when the potential of the pixel electrode is higher than that of the common electrode, and a negative voltage is applied to the liquid crystal element when the potential of the common electrode is higher than that of the pixel electrode. It is written that it was done. An image signal input from the signal line when a positive voltage is applied to the liquid crystal element is defined as a positive signal, and an image signal input via the signal line when a negative voltage is applied is defined as a negative signal. Notation as a sex signal.

また、本明細書において共通電極118とCs線119では異なる電位が供給されてい
ても良いが、同じ電位が供給されていても良い。また、図10に示すように、共通電極1
18とCs線119とが共有されていても良い。なお、図10では図1における共通電極
118とCs線119とが配線100を用いて共有化されている場合について示している
In this specification, the common electrode 118 and the Cs line 119 may be supplied with different potentials, but may be supplied with the same potential. Further, as shown in FIG. 10, the common electrode 1
18 and the Cs line 119 may be shared. Note that FIG. 10 shows a case where the common electrode 118 and the Cs line 119 in FIG. 1 are shared using the wiring 100 .

続いて、上述した本発明の画素を有する表示装置について図11を用いて説明する。 Next, a display device having the pixel of the present invention described above will be described with reference to FIG.

表示装置は、信号線駆動回路511、走査線駆動回路512及び画素部513を有し、
画素部513には、信号線駆動回路511から列方向に伸張して配置された複数の信号線
S1~Sm、走査線駆動回路512から行方向に伸張して配置された走査線G1~Gn及
びCs線Cs_1~Cs_n、並びに信号線S1~Smに対応してマトリクス状に配置さ
れた複数の画素514を有する。そして、各画素514は、信号線Sj(信号線S1~S
mのうちのいずれか一)、走査線Gi(走査線G1~Gnのうちのいずれか一)、Cs線
Cs_iと接続されている。
The display device includes a signal line driver circuit 511, a scanning line driver circuit 512, and a pixel portion 513.
The pixel portion 513 includes a plurality of signal lines S1 to Sm extending in the column direction from the signal line driving circuit 511, scanning lines G1 to Gn extending in the row direction from the scanning line driving circuit 512, and It has a plurality of pixels 514 arranged in a matrix corresponding to the Cs lines Cs_1 to Cs_n and the signal lines S1 to Sm. Each pixel 514 is connected to a signal line Sj (signal lines S1 to S
m), scanning line Gi (any one of scanning lines G1 to Gn), and Cs line Cs_i.

なお、信号線Sj、走査線Gi、Cs線Cs_iは、それぞれ図2の信号線116、走
査線117、Cs線119に相当する。図2における共通電極118は、複数の画素51
4間で共通もしくは電気的に接続されており、同じ電位が供給されている。なお、Cs線
119と共通電極118とを同電位とする場合には、画素部513の外部で導電性微粒子
や配線等を用いてこれらを電気的に接続すればよい。
The signal line Sj, scanning line Gi, and Cs line Cs_i correspond to the signal line 116, scanning line 117, and Cs line 119 in FIG. 2, respectively. A common electrode 118 in FIG.
4 are connected in common or electrically connected, and supplied with the same potential. When the Cs line 119 and the common electrode 118 are to be at the same potential, these may be electrically connected using conductive fine particles, wiring, or the like outside the pixel portion 513 .

走査線駆動回路512から走査線Giに入力される信号により動作させる画素の行を選
択し、選択された行に属する画素の各々に信号線駆動回路511から信号線S1~Smを
介して各画素の階調に応じた電位を供給する。信号線Sjより供給された電位により、画
素は上述のように階調を表現することができる。
A row of pixels to be operated by a signal input from the scanning line driving circuit 512 to the scanning line Gi is selected, and each pixel belonging to the selected row is supplied with signals from the signal line driving circuit 511 via the signal lines S1 to Sm. supplies a potential corresponding to the gradation of The potential supplied from the signal line Sj allows the pixel to express gradation as described above.

なお、液晶材料の劣化やちらつき(フリッカ)などの表示ムラを抑制するために、一定
期間毎に液晶素子における共通電極の電位(コモン電位)に対して画素電極に印加される
電圧の極性を反転させて駆動させる反転駆動を用いることが好ましい。なお、反転駆動の
例としては、フレーム反転駆動をはじめ、ソースライン反転駆動、ゲートライン反転駆動
、ドット反転駆動などが挙げられる。
In order to suppress deterioration of the liquid crystal material and display unevenness such as flickering, the polarity of the voltage applied to the pixel electrode is inverted with respect to the potential of the common electrode (common potential) in the liquid crystal element at regular intervals. It is preferable to use an inversion drive in which the voltage is shifted and driven. Examples of inversion drive include frame inversion drive, source line inversion drive, gate line inversion drive, dot inversion drive, and the like.

フレーム反転駆動とは、1フレーム期間毎に液晶素子に印加される電圧の極性を反転さ
せる駆動方法である。なお、1フレーム期間とは、1画素分の画像を表示する期間に相当
し、その期間には特に限定はないが、画像をみる人がちらつき(フリッカ)を感じないよ
うに少なくとも1/60秒以下とすることが好ましい。
Frame inversion driving is a driving method in which the polarity of the voltage applied to the liquid crystal element is inverted every frame period. Note that one frame period corresponds to a period in which an image of one pixel is displayed, and the period is not particularly limited. It is preferable to:

さらに周期を短くし、周波数を高くして、動画での画像のぶれを低減することが望まし
い。望ましくは、周期を1/120秒以下(周波数が120Hz以上)であることが望ま
しい。より望ましくは、周期を1/180秒以下(周波数が180Hz以上)であること
が望ましい。このようにフレーム周波数を向上させる場合、元の画像のデータのフレーム
周波数と一致しないときには、画像データを補間する必要がある。この場合は、動きベク
トルを用いて、画像データを補間することにより、高いフレーム周波数で表示させること
が出来る。以上のようにして、画像の動きが滑らかに表示され、残像の少ない表示を行う
事が出来る。
Furthermore, it is desirable to shorten the cycle and increase the frequency to reduce image blurring in moving images. Desirably, the period is 1/120 second or less (frequency is 120 Hz or more). More preferably, the cycle is 1/180 sec or less (frequency is 180 Hz or more). When increasing the frame frequency in this way, it is necessary to interpolate the image data when it does not match the frame frequency of the original image data. In this case, the image data can be displayed at a high frame frequency by interpolating the image data using motion vectors. As described above, the motion of the image is displayed smoothly, and display with little afterimage can be performed.

また、ソースライン反転駆動とは、同一の信号線に接続された画素に属する液晶素子に
印加される電圧の極性を、隣接する信号線に接続された画素に属する液晶素子に対し反転
させ、さらに各画素に対しフレーム反転を行う駆動方法である。一方、ゲートライン反転
駆動とは、同一の走査線に接続された画素に属する液晶素子に印加される電圧の極性を、
隣接する走査線に接続された画素に属する液晶素子に対し反転させ、さらに各画素に対し
フレーム反転を行う駆動方法である。また、ドット反転駆動とは、隣接する画素間で液晶
素子に印加される電圧の極性を反転させる駆動方法であり、ソースライン反転駆動とゲー
トライン反転駆動を組み合わせた駆動方法である。
Further, source line inversion driving means inverting the polarity of the voltage applied to the liquid crystal elements belonging to the pixels connected to the same signal line with respect to the liquid crystal elements belonging to the pixels connected to the adjacent signal line. This driving method performs frame inversion for each pixel. On the other hand, in gate line inversion driving, the polarity of the voltage applied to the liquid crystal elements belonging to the pixels connected to the same scanning line is
In this driving method, the liquid crystal elements belonging to pixels connected to adjacent scanning lines are inverted, and each pixel is subjected to frame inversion. Dot inversion driving is a driving method for inverting the polarity of a voltage applied to a liquid crystal element between adjacent pixels, and is a driving method combining source line inversion driving and gate line inversion driving.

ところで、上記のフレーム反転駆動、ソースライン反転駆動、ゲートライン反転駆動、
ドット反転駆動などを採用した場合、信号線に書き込まれる画像信号に必要となる電位の
幅は、反転駆動を行わない場合に比べて2倍となる。そのため、これを解消するためにフ
レーム反転駆動やゲートライン反転駆動の場合、さらに共通電極の電位を反転させるコモ
ン反転駆動を採用することもある。
By the way, the above frame inversion drive, source line inversion drive, gate line inversion drive,
When dot inversion driving or the like is adopted, the width of the potential required for the image signal written to the signal line is doubled compared to when inversion driving is not performed. Therefore, in order to solve this problem, in the case of frame inversion driving or gate line inversion driving, common inversion driving for inverting the potential of the common electrode may be adopted.

コモン反転駆動とは液晶素子に印加される極性の反転と同期して共通電極の電位を変化
させる駆動方法であり、コモン反転駆動を行うことによって信号線に書き込まれる画像信
号に必要となる電位の幅を低減させることができる。この場合、共通電極118とCs線
119(図11においては、Cs線Cs_1~Cs_n)とは電気的に接続されているこ
とが好ましい。共通電極118及びCs線119に同じ信号が入力されることになり、よ
り適切に表示させることができる。
Common inversion driving is a driving method in which the potential of the common electrode is changed in synchronization with the inversion of the polarity applied to the liquid crystal element. Width can be reduced. In this case, it is preferable that the common electrode 118 and the Cs lines 119 (Cs lines Cs_1 to Cs_n in FIG. 11) are electrically connected. Since the same signal is input to the common electrode 118 and the Cs line 119, more appropriate display can be achieved.

次に、ドット反転駆動が実現可能な画素の一構成例を図12に示す。図12では、4つ
の画素を取り出して記載しており、その各々の画素は図4に示す構成をとっている。図中
において、信号線116_1、116_2は図4における信号線116に、走査線117
_1、117_2は走査線117に、Cs線119_1、119_2、719_1、71
9_2はCs線119に相当する。信号線116_1、116_2には異なる極性の信号
を入力する。その極性に併せて、同一行に属する画素であっても隣接する画素と異なるC
s線、即ちCs線119_1、719_2もしくは119_1、719_2を用いて隣接
画素とは異なる電位を図13に示すように供給する。図13に示すように駆動させること
で、ドット反転駆動を行えば良い。
Next, FIG. 12 shows a configuration example of a pixel that can implement dot inversion driving. In FIG. 12, four pixels are extracted and described, and each pixel has the configuration shown in FIG. In the figure, signal lines 116_1 and 116_2 are the signal line 116 in FIG.
_1, 117_2 to scanning line 117, Cs lines 119_1, 119_2, 719_1, 71
9_2 corresponds to the Cs line 119 . Signals of different polarities are input to the signal lines 116_1 and 116_2. In accordance with the polarity, pixels belonging to the same row have different C values from adjacent pixels.
The s-lines, ie, Cs-lines 119_1, 719_2 or 119_1, 719_2 are used to supply potentials different from adjacent pixels as shown in FIG. Dot inversion driving may be performed by driving as shown in FIG.

なお、ノーマリーブラックのときには黒を表示させる際の信号、ノーマリーホワイトの
ときには白を表示させる際の信号を|Vsig(0)|とし、共通電極の電位をVcom
とすると、画素に信号線より正極性の信号が供給される場合にはVcom以上Vsig(
0)+Vcom以下の電位がCs線に供給されていれば良い。一方、画素に負極性の信号
が供給される場合には-Vsig(0)+Vcom以上Vcom以下の電位がCs線に供
給されていれば良い。
Note that |Vsig(0)| is the signal for displaying black in the case of normally black and the signal for displaying white in the case of normally white, and the potential of the common electrode is Vcom.
Then, when a positive signal is supplied to the pixel from the signal line, Vsig (
0) It suffices if a potential of +Vcom or less is supplied to the Cs line. On the other hand, when a negative signal is supplied to the pixel, a potential of -Vsig(0)+Vcom or more and Vcom or less may be supplied to the Cs line.

なお、正極性の信号が画素に供給される場合にはVcom+α以上Vsig(0)+V
com以下の電位が、負極性の信号が画素に供給される場合には-Vsig(0)+Vc
om以上Vcom-α以下の電位がCs線に供給されることが好ましい。ここで、αはV
sig/2である。さらに、より好ましくは正極性の信号が画素に供給される場合にはV
sig(0)+Vcomの電位が、負極性の信号が画素に供給される場合には-Vsig
(0)+Vcomの電位が供給されると良い。
Note that when a positive signal is supplied to the pixel, Vcom+α or more Vsig(0)+V
com, or -Vsig(0)+Vc when a negative signal is supplied to the pixel.
A potential of om or more and Vcom-α or less is preferably supplied to the Cs line. where α is V
sig/2. Furthermore, more preferably, when a positive signal is supplied to the pixel, V
The potential of sig(0)+Vcom is -Vsig when a negative signal is supplied to the pixel.
A potential of (0)+Vcom is preferably supplied.

このように、Cs線の電位を、正極性の信号が画素に供給される場合にはVsig(0
)+Vcomと、負極性の信号が供給される場合には-Vsig(0)+Vcomとする
ことで、第2の液晶素子122に印加される電圧を増大させることが可能となり、より第
2の液晶素子122の制御を容易なものとすることができる。
Thus, the potential of the Cs line is changed to Vsig (0
)+Vcom and −Vsig(0)+Vcom when a negative signal is supplied, the voltage applied to the second liquid crystal element 122 can be increased, and the second liquid crystal Control of the element 122 can be facilitated.

なお、正極性の信号が画素に供給される場合にCs線の電位をVsig(0)+Vco
mより高い電位とすると液晶には常にVsig(0)より高い電圧が印加されてしまい、
ノーマリーブラックのときには黒を、ノーマリーホワイトのときには白を表示させること
ができなくなる。また、負極性の信号が画素に供給される場合には、-Vsig(0)+
Vcomより低い電位がCs線に供給されると、正極性の信号の際と同様、ノーマリーブ
ラックのときには黒を、ノーマリーホワイトのときには白を表示させることができなくな
る。
Note that the potential of the Cs line is set to Vsig(0)+Vco when a positive signal is supplied to the pixel.
If the potential is higher than m, a voltage higher than Vsig(0) is always applied to the liquid crystal.
Black cannot be displayed when normally black, and white cannot be displayed when normally white. When a negative signal is supplied to the pixel, -Vsig(0)+
When a potential lower than Vcom is supplied to the Cs line, it becomes impossible to display black when normally black and white when normally white, as in the case of a positive polarity signal.

なお、図13ではVcomの電位を0V、画素に正極性の信号が供給される場合のCs
線の電位をVsig(0)、画素に負極性の信号が供給される場合のCs線の電位を-V
sig(0)とした場合について記載している。
Note that in FIG. 13, the potential of Vcom is 0 V, and the potential of Cs is 0 V when a positive signal is supplied to the pixel.
The potential of the line is Vsig(0), and the potential of the Cs line is -V when a negative signal is supplied to the pixel.
A case of sig(0) is described.

なお、反転駆動の方法は上記に限られるものではない。 Note that the inversion driving method is not limited to the above.

また、上述の図1乃至図12では一画素に液晶素子が2つ設けられた場合について示し
ているが、画素に含まれる液晶素子の数は特に限定されない。図14に、一画素に液晶素
子が3つ含まれる場合について示す。図14に示す画素は、図4に示す画素の構成に加え
、第4のトランジスタ814、第3の液晶素子823及び第3の保持容量833を有する
。図14において、第3の液晶素子823の画素電極は、第2のトランジスタ212及び
第1のスイッチ111を介して信号線116に接続されている。また、第3の液晶素子8
23の画素電極と第2のトランジスタ212との接続箇所をノード800とすると、ノー
ド800は第4のトランジスタ814を介してノード142と接続されている。なお、第
4のトランジスタ814のゲート電極は、第2のトランジスタ212、第3のトランジス
タ213と同様、走査線117に接続されている。また、ノード800は第3の保持容量
833を介してCs線119と接続されている。このように、図14ではトランジスタ8
14と、液晶素子823と、保持容量833とを有するユニット801が第2のトランジ
スタ212とノード142との間に設けられた構成となっている。なお、画素に含まれる
液晶素子の数を増加させる場合、例えばユニット801の数を増加させれば良い。もちろ
ん、これに限定されるものではない。
Although the above-described FIGS. 1 to 12 show the case where two liquid crystal elements are provided in one pixel, the number of liquid crystal elements included in the pixel is not particularly limited. FIG. 14 shows a case where one pixel includes three liquid crystal elements. A pixel illustrated in FIG. 14 includes a fourth transistor 814, a third liquid crystal element 823, and a third storage capacitor 833 in addition to the structure of the pixel illustrated in FIG. In FIG. 14, the pixel electrode of the third liquid crystal element 823 is connected to the signal line 116 through the second transistor 212 and the first switch 111 . Also, the third liquid crystal element 8
23 and the second transistor 212 is a node 800 , the node 800 is connected to the node 142 through the fourth transistor 814 . Note that the gate electrode of the fourth transistor 814 is connected to the scan line 117 like the second transistor 212 and the third transistor 213 . Also, the node 800 is connected to the Cs line 119 via the third holding capacitor 833 . Thus, in FIG. 14, transistor 8
14 , a liquid crystal element 823 , and a storage capacitor 833 are provided between the second transistor 212 and the node 142 . Note that when increasing the number of liquid crystal elements included in a pixel, the number of units 801 may be increased, for example. Of course, it is not limited to this.

また、一画素に上述した画素構成を複数有していても良い。このような画素の一構成例
を図15に示す。図15に示す画素は、2つのサブ画素900a、900bを有し、これ
らサブ画素を用いて一つの画素の階調を表現している。図15において、サブ画素の各々
には図4に示す画素構成を記載している。ただし、サブ画素900a、900bに接続さ
れている信号線116及び走査線117はサブ画素間で共有して用いられている。なお、
図中におけるCs線119a、119bは図4におけるCs線119に相当する。サブ画
素900a、900bに接続されるCs線119の各々、即ちCs線119a、119b
に異なる電位を供給することで、それぞれのサブ画素に属する液晶素子に異なる電圧を印
加することもできる。このようにして、それぞれのサブ画素における液晶の配向の違いを
利用して、さらに視野角を向上させることも可能となる。
Further, one pixel may have a plurality of pixel configurations described above. FIG. 15 shows a configuration example of such a pixel. The pixel shown in FIG. 15 has two sub-pixels 900a and 900b, and these sub-pixels are used to express the gradation of one pixel. In FIG. 15, each sub-pixel has the pixel configuration shown in FIG. However, the signal lines 116 and scanning lines 117 connected to the sub-pixels 900a and 900b are shared between the sub-pixels. note that,
Cs lines 119a and 119b in the figure correspond to the Cs line 119 in FIG. Each of the Cs lines 119 connected to the sub-pixels 900a, 900b, ie Cs lines 119a, 119b
By supplying different potentials to the sub-pixels, different voltages can be applied to the liquid crystal elements belonging to the respective sub-pixels. In this way, it is possible to further improve the viewing angle by utilizing the difference in alignment of the liquid crystal in each sub-pixel.

また、図15のようにサブ画素間において信号線116及び走査線117を共通配線と
して利用した場合について示したが、図16に示すように走査線117のみをサブ画素1
000a、1000b間で共有しても良い。また、図17に示すように信号線116のみ
をサブ画素1100a、1100b間で共有し、これらのサブ画素を用いて一つの画素の
階調を表現しても良い。なお、サブ画素間で共有して用いる配線は上記に限定されず、C
s線119であっても良いし、図15に示したように2以上の配線を共有しても良い。図
16もしくは図17おける信号線116a、116bは図4における信号線116に相当
し、走査線117a、117bは図4にける走査線117に、Cs線119a、119b
は図4におけるCs線119に相当する。
Also, as shown in FIG. 15, the case where the signal line 116 and the scanning line 117 are used as common wiring between sub-pixels is shown, but as shown in FIG.
It may be shared between 000a and 1000b. Also, as shown in FIG. 17, only the signal line 116 may be shared between the sub-pixels 1100a and 1100b, and the gradation of one pixel may be expressed using these sub-pixels. Note that the wiring used in common between sub-pixels is not limited to the above.
The s-line 119 may be used, or two or more lines may be shared as shown in FIG. Signal lines 116a and 116b in FIG. 16 or 17 correspond to signal line 116 in FIG. 4, scanning lines 117a and 117b correspond to scanning line 117 in FIG.
corresponds to the Cs line 119 in FIG.

また、図15乃至図17では、同一の構成のサブ画素より一画素を構成した場合につい
て示したが、サブ画素間で構成は異なっていても良い。
15 to 17 show the case where one pixel is composed of sub-pixels having the same configuration, but the sub-pixels may have different configurations.

以上のようにして、本発明により視野角特性を向上させることができる。さらに、コン
トラストの低下を招くことなく駆動させることが可能な構成であるため、より表示品位の
高い液晶表示装置を提供することが可能となる。
As described above, the viewing angle characteristic can be improved by the present invention. Furthermore, since the configuration enables driving without causing a decrease in contrast, it is possible to provide a liquid crystal display device with higher display quality.

なお、本実施形態では、主に図1に示す第1のスイッチ111、第2のスイッチ112
及び第3のスイッチ113を同時に制御した場合について述べたが、各々のスイッチを別
に制御しても良い。例えば、図2に示す走査線117加え、他の走査線を用いて別々に制
御してもよい。また、複数のスイッチの内の幾つかを同時に制御し、残りのスイッチを別
々に制御してもよい。また、上記において、抵抗とスイッチを容量に置き換えても良い。
Note that in this embodiment, the first switch 111 and the second switch 112 shown in FIG.
and the third switch 113 are controlled at the same time, each switch may be controlled separately. For example, in addition to the scanning line 117 shown in FIG. 2, other scanning lines may be used for separate control. Also, some of the switches may be controlled simultaneously while the remaining switches are controlled separately. Also, in the above, the resistors and switches may be replaced with capacitors.

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容(
一部でもよい)は、別の図で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。
In the present embodiment, descriptions have been made using various diagrams, but the contents described in each diagram (
may be part of it) shall apply, combine, or
Alternatively, replacement can be freely performed. Furthermore, in the figures described so far, more figures can be configured by combining each part with another part.

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容(一部でもよい)は、別の実施の形態の図
で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に
行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施
の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
Similarly, the content (may be part of) described in each drawing of this embodiment may be applied, combined or replaced with the content (may be part of) described in the drawing of another embodiment. etc. can be done freely. Furthermore, in the drawings of this embodiment, more drawings can be configured by combining each part with another embodiment.

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容(一部でもよい)を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
In addition, the present embodiment is an example of a case where the content (or part of it) described in another embodiment is embodied, an example of a slightly modified case, an example of a partially changed case, and an improved case. An example of the case,
An example of detailed description, an example of application, and an example of related parts are shown. Therefore, the contents described in other embodiments can be freely applied, combined, or replaced with this embodiment.

(実施の形態2)
本実施形態では、実施の形態1とは異なる構成について図18に示す。実施の形態1で
は、第1の液晶素子及び第2の液晶素子の画素電極に印加される電位は信号線とCs線間
の抵抗分割によって決定されていたが、必ずしもCs線である必要はない。その一例につ
いて、本実施形態に示す。
(Embodiment 2)
In this embodiment, FIG. 18 shows a configuration different from that of the first embodiment. In Embodiment 1, the potential applied to the pixel electrodes of the first liquid crystal element and the second liquid crystal element is determined by resistance division between the signal line and the Cs line, but the Cs line does not necessarily have to be applied. . An example thereof is shown in this embodiment.

図18に示す画素1200は、スイッチ111、トランジスタ212、トランジスタ2
13、第1の液晶素子121、第2の液晶素子122、第1の保持容量131及び第2の
保持容量132を有する。なお、画素1200は、信号線116、走査線117、Cs線
119及び電位供給線1219に接続されている。即ち、画素1200は、実施の形態1
で示した図4の画素においてトランジスタ213の一方の電極をCs線119ではなく、
電位供給線1219に接続した構成となっている。もちろん、同じものを指す符号は図面
間において共通して用い、その説明は省略する。なお、図18には画素1200を4つ取
り出して記載している。
A pixel 1200 shown in FIG. 18 includes a switch 111, a transistor 212, a transistor 2
13 , a first liquid crystal element 121 , a second liquid crystal element 122 , a first holding capacitor 131 and a second holding capacitor 132 . Note that the pixel 1200 is connected to the signal line 116 , the scanning line 117 , the Cs line 119 and the potential supply line 1219 . That is, the pixel 1200 is similar to that of the first embodiment.
4, one electrode of the transistor 213 is not the Cs line 119,
It is configured to be connected to the potential supply line 1219 . Of course, reference numerals indicating the same items are commonly used among the drawings, and descriptions thereof are omitted. Note that four pixels 1200 are extracted and described in FIG.

図18に示す画素1200においても、フレーム反転駆動をはじめ、ソースライン反転
駆動、ゲートライン反転駆動、ドット反転駆動を適宜選択して用いることができる。なお
、電位供給線1219には、駆動方法により異なるが、1フレーム期間中一定の電位が供
給されていても良いし、例えば一走査線選択期間、即ちある行に属する画素に各々の画素
の階調に応じた電位が入力される期間ごとに変化させても良い。
In the pixel 1200 shown in FIG. 18 as well, frame inversion driving, source line inversion driving, gate line inversion driving, and dot inversion driving can be appropriately selected and used. Note that the potential supply line 1219 may be supplied with a constant potential during one frame period, depending on the driving method. It may be changed for each period in which the potential corresponding to the key is input.

また、実施の形態1に示したように図18においてスイッチ111にはトランジスタを
用いることも可能であるし、トランジスタ212やトランジスタ213の各々をスイッチ
と抵抗とに置き換えることも可能である。他にも、図18における画素1200は、実施
の形態1に記載した事項と適宜組み合わせることは可能である。
Further, a transistor can be used as the switch 111 in FIG. 18 as described in Embodiment 1, and each of the transistors 212 and 213 can be replaced with a switch and a resistor. In addition, the pixel 1200 in FIG. 18 can be combined with the items described in Embodiment 1 as appropriate.

また、図18に示す電位供給線1219に画像信号を入力し、電位供給線1219と信
号線116とを反対にして機能させることも可能である。このように、画像信号即ち画素
の階調に応じた電位を入力する配線を変えることで、一方の液晶素子、例えば第1の液晶
素子121が他方、例えば第2の液晶素子122に比べ印加される電圧が絶えず大きくな
ることを防ぐことができる。よって、液晶素子の劣化を遅延させることができる。
Further, it is also possible to input an image signal to the potential supply line 1219 shown in FIG. 18 and to make the potential supply line 1219 and the signal line 116 function in reverse. In this way, by changing the wiring for inputting the image signal, that is, the potential corresponding to the gradation of the pixel, one liquid crystal element, for example, the first liquid crystal element 121 is applied more than the other, for example, the second liquid crystal element 122 . It can prevent the voltage on the Therefore, deterioration of the liquid crystal element can be delayed.

このような画素を有する表示装置について図19を用いて説明する。表示装置は、信号
線駆動回路511、信号線切り替え回路1300、走査線駆動回路512及び画素部51
3を有し、信号線切り替え回路1300を用いて画像信号を供給する配線を切り替える。
なお、図19に示す表示装置は、図11に示した表示装置の構成に加え、信号線切り替え
回路1300が設けられている。なお、画素部513には、信号線切り替え回路1300
から列方向に伸張して配置された複数の配線1316及び配線1319、走査線駆動回路
512から行方向に伸張して配置された走査線G1~Gn及びCs線Cs_1~Cs_n
、並びに配線1316に対応してマトリクス状に配置された複数の画素1200を有する
。そして、各画素1200は、配線1316、配線1319、走査線Gi(走査線G1~
Gnのうちのいずれか一)、Cs線Cs_iと接続されている。なお、配線1316及び
配線1319は、信号線切り替え回路1300を介してそれぞれ信号線Sj(信号線S1
~Smのうちのいずれか一)、電位供給線Sj_2のいずれかに接続されている。もちろ
ん、画像信号を供給する配線を信号線のみとする場合には、信号線切り替え回路1300
は不要である。
A display device having such pixels will be described with reference to FIG. The display device includes a signal line driver circuit 511, a signal line switching circuit 1300, a scanning line driver circuit 512, and a pixel portion 51.
3, and the signal line switching circuit 1300 is used to switch wiring for supplying image signals.
Note that the display device shown in FIG. 19 is provided with a signal line switching circuit 1300 in addition to the structure of the display device shown in FIG. Note that the signal line switching circuit 1300 is included in the pixel portion 513 .
A plurality of wirings 1316 and 1319 extending in the column direction from the scanning line driving circuit 512, scanning lines G1 to Gn and Cs lines Cs_1 to Cs_n extending in the row direction from the scanning line driving circuit 512
, and a plurality of pixels 1200 arranged in a matrix corresponding to the wiring 1316 . Each pixel 1200 includes wiring 1316, wiring 1319, scanning lines Gi (scanning lines G1 to
Gn), connected to the Cs line Cs_i. Note that the wiring 1316 and the wiring 1319 are connected via the signal line switching circuit 1300 to the signal line Sj (signal line S1
to Sm), and is connected to any of the potential supply lines Sj_2. Of course, when only signal lines are used as wiring for supplying image signals, the signal line switching circuit 1300
is unnecessary.

信号線切り替え回路1300について図20を用いて説明する。信号線切り替え回路1
300は、画素部が有する列方向における画素1200に対応するm個のユニット140
0と、インバータ1401と、配線1402と、配線1402とインバータ1401を介
して接続される配線1403とを有する。各ユニット1400は、トランジスタ1404
、トランジスタ1405、トランジスタ1406、トランジスタ1407を有し、配線1
402、配線1403、信号線Sj、電位供給線Sj_2、配線1316、配線1319
と接続されている。信号線Sjはトランジスタ1404を介して配線1316、及びトラ
ンジスタ1405を介して配線1319と接続されており、電位供給線Sj_2はトラン
ジスタ1406を介して配線1319、及びトランジスタ1407を介して配線1316
と接続されている。なお、トランジスタ1405及びトランジスタ1407は配線140
2により、トランジスタ1404及びトランジスタ1406は配線1403によりオンオ
フが制御される。
The signal line switching circuit 1300 will be described with reference to FIG. Signal line switching circuit 1
Reference numeral 300 denotes m units 140 corresponding to the pixels 1200 in the column direction of the pixel portion.
0, an inverter 1401 , a wiring 1402 , and a wiring 1403 connected to the wiring 1402 via the inverter 1401 . Each unit 1400 includes a transistor 1404
, a transistor 1405, a transistor 1406, and a transistor 1407, and a wiring 1
402, wiring 1403, signal line Sj, potential supply line Sj_2, wiring 1316, wiring 1319
is connected with The signal line Sj_2 is connected to the wiring 1316 through the transistor 1404 and the wiring 1319 through the transistor 1405, and the potential supply line Sj_2 is connected to the wiring 1319 through the transistor 1406 and the wiring 1316 through the transistor 1407.
is connected with Note that the transistors 1405 and 1407 are connected to the wiring 140
2, the transistors 1404 and 1406 are controlled to be on/off by the wiring 1403 .

配線1402には一走査線期間、もしくは一フレーム期間に同期させた信号を入力し、
インバータ1401を介して配線1402に入力された信号の反転信号が配線1430に
入力される。そのため、トランジスタ1405及びトランジスタ1407がオフとなって
いる場合にはトランジスタ1404及びトランジスタ1406がオンとなっており、トラ
ンジスタ1405及びトランジスタ1407がオンとなっている場合にはトランジスタ1
404及びトランジスタ1406がオフとなっている。このようにして、信号線Sj及び
電位供給線Sj_2を配線1316、配線1319のいずれに接続するか選択することが
できる。なお、配線1402に入力する信号は、反転駆動の方法により適宜選択すれば良
い。
A signal synchronized with one scanning line period or one frame period is input to the wiring 1402,
An inverted signal of the signal input to the wiring 1402 through the inverter 1401 is input to the wiring 1430 . Therefore, when the transistors 1405 and 1407 are off, the transistors 1404 and 1406 are on, and when the transistors 1405 and 1407 are on, the transistor 1 is on.
404 and transistor 1406 are off. In this way, it is possible to select to which of the wiring 1316 and the wiring 1319 the signal line Sj and the potential supply line Sj_2 are connected. Note that a signal to be input to the wiring 1402 may be selected as appropriate by an inversion driving method.

また、Cs線119は図21に示すように前行における走査線117で代用しても良い
。ここではCs線119と前行の走査線117とを共有する場合について示しているが、
Cs線119に限らず第1の保持容量131及び第2の保持容量132の第2の電極に任
意の一定電位を供給できれば、特にこれに限定されない。なお、一フレーム期間中、第1
の保持容量131及び第2の保持容量132の第2の電極は変動しない方が好ましいが、
図21に示すように次のフレーム期間に移る直前等であれば第1の液晶素子121及び第
2の液晶素子122が有する液晶の配向に大きく影響を及ぼさないため用いることも可能
である。このように、前行と配線を共有することで一画素に有する配線数を減らすことが
可能となり、開口率を向上させることができる。
Also, the Cs line 119 may be replaced by the scanning line 117 in the previous row as shown in FIG. Here, the case where the Cs line 119 and the scanning line 117 in the previous row are shared is shown.
Any constant potential can be supplied to the second electrodes of the first holding capacitor 131 and the second holding capacitor 132 without being limited to the Cs line 119 . Note that during one frame period, the first
Although it is preferable that the second electrodes of the holding capacitor 131 and the second holding capacitor 132 do not fluctuate,
As shown in FIG. 21, it can be used immediately before the next frame period because it does not greatly affect the alignment of the liquid crystals of the first liquid crystal element 121 and the second liquid crystal element 122 . By sharing the wiring with the preceding row in this manner, the number of wirings in one pixel can be reduced, and the aperture ratio can be improved.

以上のような画素構成においても、実施の形態1と同様、画素が表現する階調は当該画
素における第1の液晶素子121と第2の液晶素子122の各々が有する液晶の配向によ
り決定されるため、視野角を向上させることができる。さらに、コントラストの低下を招
くことなく駆動させることが可能な構成であるため、より表示品位の高い液晶表示装置を
提供することが可能となる。
In the pixel configuration as described above, as in Embodiment 1, the gradation expressed by the pixel is determined by the liquid crystal orientation of each of the first liquid crystal element 121 and the second liquid crystal element 122 in the pixel. Therefore, the viewing angle can be improved. Furthermore, since the configuration enables driving without causing a decrease in contrast, it is possible to provide a liquid crystal display device with higher display quality.

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容(
一部でもよい)は、別の図で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。
In the present embodiment, descriptions have been made using various diagrams, but the contents described in each diagram (
may be part of it) shall apply, combine, or
Alternatively, replacement can be freely performed. Furthermore, in the figures described so far, more figures can be configured by combining each part with another part.

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容(一部でもよい)は、別の実施の形態の図
で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に
行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施
の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
Similarly, the content (may be part of) described in each drawing of this embodiment may be applied, combined or replaced with the content (may be part of) described in the drawing of another embodiment. etc. can be done freely. Furthermore, in the drawings of this embodiment, more drawings can be configured by combining each part with another embodiment.

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容(一部でもよい)を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
In addition, the present embodiment is an example of a case where the content (or part of it) described in another embodiment is embodied, an example of a slightly modified case, an example of a partially changed case, and an improved case. An example of the case,
An example of detailed description, an example of application, and an example of related parts are shown. Therefore, the contents described in other embodiments can be freely applied, combined, or replaced with this embodiment.

(実施の形態3)
本実施形態では、実施の形態1及び2とは異なる画素構成の一例について述べる。図2
2に示す画素は、スイッチ111、トランジスタ212、トランジスタ213、第1の液
晶素子121、第2の液晶素子122、第1の保持容量131、第2の保持容量132及
び第3の保持容量1601を有する。なお、図22に示す画素は、信号線116、走査線
117及びCs線119に接続されており、実施の形態1で示した図4の画素においてノ
ード142とトランジスタ213の一方の電極との間に第3の保持容量1601が設けら
れた構成となっている。図4と同じものを指す符号は図面間において共通して用い、その
説明は省略する。
(Embodiment 3)
In this embodiment, an example of a pixel configuration different from those in Embodiments 1 and 2 will be described. Figure 2
2 includes a switch 111, a transistor 212, a transistor 213, a first liquid crystal element 121, a second liquid crystal element 122, a first holding capacitor 131, a second holding capacitor 132, and a third holding capacitor 1601. have. 22 is connected to the signal line 116, the scanning line 117, and the Cs line 119, and the voltage between the node 142 and one electrode of the transistor 213 in the pixel in FIG. A third holding capacitor 1601 is provided in the . Reference numerals indicating the same elements as those in FIG. 4 are commonly used in the drawings, and descriptions thereof are omitted.

図22に示す画素においても、図4で示した画素と同様に動作させることができる。た
だし、第3の保持容量1601を設けることで、第2の液晶素子122の画素電極に供給
されるべき階調に応じた電位に達するまでに時間を要する。そのため、第1の液晶素子1
21より印加される電圧が低い第2の液晶素子122が有する液晶の応答をあえて遅くす
ることで、より視野角を向上させることができる。この場合においても、画素が表現する
階調は当該画素における第1の液晶素子121と第2の液晶素子122の各々が有する液
晶の配向により決定されるため、信号線116より供給する電位はこれらを考慮して決定
する。
The pixel shown in FIG. 22 can also be operated in the same manner as the pixel shown in FIG. However, by providing the third storage capacitor 1601, it takes time to reach the potential corresponding to the gradation to be supplied to the pixel electrode of the second liquid crystal element 122. FIG. Therefore, the first liquid crystal element 1
By delaying the response of the liquid crystal of the second liquid crystal element 122 to which the voltage applied is lower than that of 21, the viewing angle can be further improved. Even in this case, the gradation expressed by a pixel is determined by the alignment of the liquid crystal of each of the first liquid crystal element 121 and the second liquid crystal element 122 in the pixel. be determined in consideration of

また、図23に示すように第3の保持容量1701はトランジスタ212とノード14
2との間に設けられていても良い。図23においても、図4で示した画素と同様に動作さ
せることができる。図22で示した画素と同様、第2の液晶素子122の画素電極が供給
されるべき階調に応じた電位に達するまでに時間を要する。これを利用して、より視野角
を向上させることができる。この場合、第2の液晶素子122に印加される電圧は第3の
保持容量1701との容量分割によって決定されることを考慮にいれたうえで、信号線1
16より供給する電位を決定する必要がある。
Also, as shown in FIG.
2 may be provided. Also in FIG. 23, the pixel can be operated in the same manner as the pixel shown in FIG. As with the pixel shown in FIG. 22, it takes time until the pixel electrode of the second liquid crystal element 122 reaches the potential corresponding to the gradation to be supplied. By using this, the viewing angle can be further improved. In this case, considering that the voltage applied to the second liquid crystal element 122 is determined by the capacity division with the third holding capacitor 1701, the signal line 1
16 must be determined.

以上のような画素構成においても、実施の形態1と同様、画素が表現する階調は当該画
素における第1の液晶素子121と第2の液晶素子122の各々が有する液晶の配向によ
り決定されるため、視野角を向上させることができる。さらに、コントラストの低下を招
くことなく駆動させることが可能な構成であるため、より表示品位の高い液晶表示装置を
提供することが可能となる。
In the pixel configuration as described above, as in Embodiment 1, the gradation expressed by the pixel is determined by the liquid crystal orientation of each of the first liquid crystal element 121 and the second liquid crystal element 122 in the pixel. Therefore, the viewing angle can be improved. Furthermore, since the configuration enables driving without causing a decrease in contrast, it is possible to provide a liquid crystal display device with higher display quality.

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容(
一部でもよい)は、別の図で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。
In the present embodiment, descriptions have been made using various diagrams, but the contents described in each diagram (
may be part of it) shall apply, combine, or
Alternatively, replacement can be freely performed. Furthermore, in the figures described so far, more figures can be configured by combining each part with another part.

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容(一部でもよい)は、別の実施の形態の図
で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に
行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施
の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
Similarly, the content (may be part of) described in each drawing of this embodiment may be applied, combined or replaced with the content (may be part of) described in the drawing of another embodiment. etc. can be done freely. Furthermore, in the drawings of this embodiment, more drawings can be configured by combining each part with another embodiment.

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容(一部でもよい)を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
In addition, the present embodiment is an example of a case where the content (or part of it) described in another embodiment is embodied, an example of a slightly modified case, an example of a partially changed case, and an improved case. An example of the case,
An example of detailed description, an example of application, and an example of related parts are shown. Therefore, the contents described in other embodiments can be freely applied, combined, or replaced with this embodiment.

(実施の形態4)
本実施形態では、実施の形態1乃至3とは異なる画素構成の一例について述べる。図2
4に示す画素は、スイッチ111、トランジスタ212、トランジスタ213、トランジ
スタ1804、第1の液晶素子121、第2の液晶素子122、第1の保持容量131、
第2の保持容量132及び第3の保持容量1801を有する。なお、図24に示す画素は
、信号線116、走査線117及びCs線119に接続されており、実施の形態1で示し
た図4の画素においてさらにトランジスタ1804及び第3の保持容量1801が設けら
れた構成となっている。図4と同じものを指す符号は図面間において共通して用い、その
説明は省略する。
(Embodiment 4)
In this embodiment mode, an example of a pixel configuration that is different from those in Embodiment Modes 1 to 3 will be described. Figure 2
4 includes a switch 111, a transistor 212, a transistor 213, a transistor 1804, a first liquid crystal element 121, a second liquid crystal element 122, a first storage capacitor 131,
It has a second storage capacitor 132 and a third storage capacitor 1801 . Note that the pixel shown in FIG. 24 is connected to the signal line 116, the scan line 117, and the Cs line 119, and the transistor 1804 and the third storage capacitor 1801 are further provided in the pixel shown in FIG. It is configured as Reference numerals indicating the same elements as those in FIG. 4 are commonly used in the drawings, and descriptions thereof are omitted.

第3の保持容量1801は、ノード142と、第2の保持容量132の第1の電極と第
2の液晶素子122の画素電極とが接続されている配線との接続箇所をノード1802と
すると、ノード1802と第2の液晶素子122の画素電極との間に設けられている。ま
た、トランジスタ1804は、第3の保持容量1801と第2の液晶素子122の画素電
極との接続箇所をノード1803とすると、ノード1803と信号線116との間に設け
られている。即ち、ノード1803はトランジスタ1804を介して信号線116と接続
されている。このトランジスタ1804は、スイッチ111、トランジスタ212やトラ
ンジスタ213と同様、走査線117に入力される信号によってオンオフが制御される。
In the third storage capacitor 1801, if a node 1802 is a connection point between the node 142 and a wiring connecting the first electrode of the second storage capacitor 132 and the pixel electrode of the second liquid crystal element 122, It is provided between the node 1802 and the pixel electrode of the second liquid crystal element 122 . In addition, the transistor 1804 is provided between the node 1803 and the signal line 116 when the connection point between the third storage capacitor 1801 and the pixel electrode of the second liquid crystal element 122 is the node 1803 . That is, node 1803 is connected to signal line 116 via transistor 1804 . The transistor 1804 is turned on and off by a signal input to the scanning line 117, like the switch 111, the transistor 212, and the transistor 213. FIG.

図24に示す画素においても、図4で示した画素と同様に動作させることができる。な
お、図24に示す画素では、第1の液晶素子121及び第2の液晶素子122の画素電極
に、それぞれスイッチ111、トランジスタ1804を介して信号線116より同時に画
素の階調に応じた電位が供給される。そのため、画素の階調に応じた電位をよりはやくそ
れぞれの液晶素子の画素電極に供給することができる。よって、高速動作等の際に効果的
である。なお、トランジスタ1804のオン抵抗は、スイッチ111またはトランジスタ
212のオン抵抗より大きい方が好ましい。なお、トランジスタ1804のチャネル幅を
W4、チャネル長をL4とすると、W4/L4は小さい方が好ましい。また、図24に示
す画素においても画素が表現する階調は当該画素における第1の液晶素子121と第2の
液晶素子122の各々が有する液晶の配向により決定されるため、視野角を向上させるこ
とができる。
The pixel shown in FIG. 24 can also be operated in the same manner as the pixel shown in FIG. Note that in the pixel shown in FIG. 24, the pixel electrodes of the first liquid crystal element 121 and the second liquid crystal element 122 are simultaneously applied with a potential corresponding to the gradation of the pixel from the signal line 116 through the switch 111 and the transistor 1804, respectively. supplied. Therefore, the potential corresponding to the gradation of the pixel can be supplied to the pixel electrode of each liquid crystal element more quickly. Therefore, it is effective for high-speed operation and the like. Note that the on-resistance of the transistor 1804 is preferably higher than the on-resistance of the switch 111 or the transistor 212 . Note that when the channel width of the transistor 1804 is W4 and the channel length is L4, W4/L4 is preferably as small as possible. In addition, in the pixel shown in FIG. 24 as well, since the gradation expressed by the pixel is determined by the orientation of the liquid crystal of each of the first liquid crystal element 121 and the second liquid crystal element 122 in the pixel, the viewing angle can be improved. be able to.

以上のようにして、本発明により視野角特性を向上させることができる。さらに、コン
トラストの低下を招くことなく駆動させることが可能な構成であるため、より表示品位の
高い液晶表示装置を提供することが可能となる。
As described above, the viewing angle characteristic can be improved by the present invention. Furthermore, since the configuration enables driving without causing a decrease in contrast, it is possible to provide a liquid crystal display device with higher display quality.

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容(
一部でもよい)は、別の図で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。
In the present embodiment, descriptions have been made using various diagrams, but the contents described in each diagram (
may be part of it) shall apply, combine, or
Alternatively, replacement can be freely performed. Furthermore, in the figures described so far, more figures can be configured by combining each part with another part.

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容(一部でもよい)は、別の実施の形態の図
で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に
行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施
の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
Similarly, the content (may be part of) described in each drawing of this embodiment may be applied, combined or replaced with the content (may be part of) described in the drawing of another embodiment. etc. can be done freely. Furthermore, in the drawings of this embodiment, more drawings can be configured by combining each part with another embodiment.

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容(一部でもよい)を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
In addition, the present embodiment is an example of a case where the content (or part of it) described in another embodiment is embodied, an example of a slightly modified case, an example of a partially changed case, and an improved case. An example of the case,
An example of detailed description, an example of application, and an example of related parts are shown. Therefore, the contents described in other embodiments can be freely applied, combined, or replaced with this embodiment.

(実施の形態5)
本実施形態では、実施の形態1乃至4とは異なる画素構成の一例について述べる。図25
に示す画素は、スイッチ111、トランジスタ212、トランジスタ213、第1の液晶
素子121、第2の液晶素子122、第1の保持容量131、第2の保持容量132及び
第3の保持容量1901を有する。なお、図25に示す画素は、信号線116、走査線1
17及びCs線119に接続されており、実施の形態1で示した図4の画素においてさら
に第3の保持容量1901が設けられた構成となっている。図4と同じものを指す符号は
図面間において共通して用い、その説明は省略する。
(Embodiment 5)
In this embodiment mode, an example of a pixel configuration that is different from those in Embodiment Modes 1 to 4 will be described. Figure 25
A pixel shown in FIG. . Note that the pixels shown in FIG.
17 and the Cs line 119, and has a configuration in which a third storage capacitor 1901 is further provided in the pixel shown in FIG. Reference numerals indicating the same elements as those in FIG. 4 are commonly used in the drawings, and descriptions thereof are omitted.

第3の保持容量1901は、ノード142と、第2の保持容量132の第1の電極と第
2の液晶素子122の画素電極とが接続されている配線との接続箇所をノード1902と
すると、ノード1902と第2の液晶素子122の画素電極との間に設けられている。
In the third holding capacitor 1901, if the connection point between the node 142 and the wiring connecting the first electrode of the second holding capacitor 132 and the pixel electrode of the second liquid crystal element 122 is a node 1902, It is provided between the node 1902 and the pixel electrode of the second liquid crystal element 122 .

図25に示す画素においても、図4で示した画素と同様に動作させることができる。た
だし、第3の保持容量1901を設けることで、第2の液晶素子122の画素電極に供給
されるべき階調に応じた電位に達するまでに時間を要する。これを利用して、より視野角
を向上させることができる。また、第2の液晶素子122に印加される電圧は、第3の保
持容量1901との容量分割により決定されるため、第2の液晶素子122に小さな電圧
を印加したい場合などに有効である。
The pixel shown in FIG. 25 can also be operated in the same manner as the pixel shown in FIG. However, by providing the third storage capacitor 1901, it takes time to reach the potential corresponding to the gradation to be supplied to the pixel electrode of the second liquid crystal element 122. FIG. By using this, the viewing angle can be further improved. In addition, since the voltage applied to the second liquid crystal element 122 is determined by capacity division with the third storage capacitor 1901, it is effective when a small voltage is desired to be applied to the second liquid crystal element 122.

本実施形態に係る画素においても、画素が表現する階調は当該画素における第1の液晶
素子121と第2の液晶素子122の各々が有する液晶の配向により決定されるため、視
野角を向上させることができる。
In the pixel according to the present embodiment as well, since the gradation expressed by the pixel is determined by the orientation of the liquid crystal of each of the first liquid crystal element 121 and the second liquid crystal element 122 in the pixel, the viewing angle can be improved. be able to.

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容(
一部でもよい)は、別の図で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。
In the present embodiment, descriptions have been made using various diagrams, but the contents described in each diagram (
may be part of it) shall apply, combine, or
Alternatively, replacement can be freely performed. Furthermore, in the figures described so far, more figures can be configured by combining each part with another part.

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容(一部でもよい)は、別の実施の形態の図
で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に
行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施
の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
Similarly, the content (may be part of) described in each drawing of this embodiment may be applied, combined or replaced with the content (may be part of) described in the drawing of another embodiment. etc. can be done freely. Furthermore, in the drawings of this embodiment, more drawings can be configured by combining each part with another embodiment.

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容(一部でもよい)を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
In addition, the present embodiment is an example of a case where the content (or part of it) described in another embodiment is embodied, an example of a slightly modified case, an example of a partially changed case, and an improved case. An example of the case,
An example of detailed description, an example of application, and an example of related parts are shown. Therefore, the contents described in other embodiments can be freely applied, combined, or replaced with this embodiment.

(実施の形態6)
本実施の形態においては、表示装置の画素構造について説明する。特に、液晶表示装置の
画素構造について説明する。
(Embodiment 6)
In this embodiment mode, a pixel structure of a display device will be described. In particular, the pixel structure of the liquid crystal display device will be described.

各液晶モードとトランジスタとを組み合わせた場合の画素構造について、画素の断面図を
参照して説明する。
A pixel structure in which each liquid crystal mode and a transistor are combined will be described with reference to cross-sectional views of pixels.

なお、トランジスタとしては、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶(マイクロクリ
スタル、セミアモルファスとも言う)シリコンなどに代表される非単結晶半導体層を有す
る薄膜トランジスタ(TFT)などを用いることが出来る。また、トランジスタの構造と
しては、トップゲート型又はボトムゲート型などを用いることができる。なお、ボトムゲ
ート型のトランジスタとしては、チャネルエッチ型又はチャネル保護型などを用いること
ができる。
Note that as the transistor, a thin film transistor (TFT) including a non-single-crystal semiconductor layer typified by amorphous silicon, polycrystalline silicon, microcrystalline (also referred to as microcrystalline or semi-amorphous) silicon, or the like can be used. As a structure of the transistor, a top-gate type, a bottom-gate type, or the like can be used. Note that a channel-etched transistor, a channel-protected transistor, or the like can be used as the bottom-gate transistor.

図28は、TN方式とトランジスタとを組み合わせた場合の画素の断面図の一例である。
図28に示す画素構造の特徴について説明する。
FIG. 28 is an example of a cross-sectional view of a pixel in which the TN method and a transistor are combined.
Features of the pixel structure shown in FIG. 28 will be described.

図28に示した液晶分子2018は、長軸と短軸を持った細長い分子である。ここでは、
液晶分子2018の向きを図中に記す液晶分子の長さによって表現している。すなわち、
長く表現された液晶分子2018は、その長軸の向きが紙面(図28に示す断面方向)に
対し平行であり、短く表現された液晶分子2018ほどその長軸の向きが紙面に対し法線
方向に近くなっているとする。図28に示した液晶分子2018は、第1の基板2001
に近いものと、第2の基板2016に近いものとでは液晶分子の長軸の向きが90度異な
っており、これら基板の中間に位置する液晶分子2018の長軸の向きは、これらを滑ら
かにつなぐような向きとなっている。つまり、図28に示した液晶分子2018は、第1
の基板2001と第2の基板2016の間で、90度ねじれているような配向状態となっ
ている。
The liquid crystal molecules 2018 shown in FIG. 28 are elongated molecules with long and short axes. here,
The orientation of the liquid crystal molecules 2018 is represented by the length of the liquid crystal molecules shown in the figure. i.e.
The longer liquid crystal molecules 2018 have their major axes parallel to the plane of the paper (the cross-sectional direction shown in FIG. 28), and the shorter the liquid crystal molecules 2018 have their major axes oriented normal to the plane of the paper. is close to Liquid crystal molecules 2018 shown in FIG.
, and the second substrate 2016, the orientation of the long axis of the liquid crystal molecules is different by 90 degrees, and the orientation of the long axis of the liquid crystal molecules 2018 located between these substrates smooths them. It is oriented to connect. That is, the liquid crystal molecules 2018 shown in FIG.
Between the substrate 2001 and the second substrate 2016, the orientation is such that it is twisted by 90 degrees.

なお、トランジスタとして、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタを用い
た場合について説明する。非晶質半導体を用いたトランジスタを用いた場合、大面積の基
板を用いて、安価に液晶表示装置を製造することができる。
Note that the case where a bottom-gate transistor including an amorphous semiconductor is used as the transistor is described. When a transistor including an amorphous semiconductor is used, a liquid crystal display device can be manufactured at low cost using a large substrate.

液晶表示装置は、液晶パネルと呼ばれる画像を表示する基幹部分を有する。液晶パネルは
、加工を施した2枚の基板を、数マイクロメートルのギャップを持たせて貼り合わせ、2
枚の基板間に液晶材料を注入することで作製される。即ち、液晶は、第1の基板及び第2
の基板の2枚の基板によって挟持された構成となっている。図28において、液晶201
1は、第1の基板2001及び第2の基板2016に挟持されている。第1の基板200
1には、トランジスタ及び画素電極が形成され、第2の基板2016には、遮光膜201
4、カラーフィルタ2015、第4の導電層2013、スペーサ2017、及び第2の配
向膜2012が形成される。
A liquid crystal display device has a main part called a liquid crystal panel that displays an image. The liquid crystal panel is made by bonding two processed substrates together with a gap of several micrometers.
It is produced by injecting a liquid crystal material between two substrates. That is, the liquid crystal is formed between the first substrate and the second substrate.
It is sandwiched between two substrates. In FIG. 28, liquid crystal 201
1 is sandwiched between a first substrate 2001 and a second substrate 2016 . First substrate 200
A transistor and a pixel electrode are formed on the first substrate 2016, and a light shielding film 201 is formed on the second substrate 2016.
4. A color filter 2015, a fourth conductive layer 2013, a spacer 2017 and a second alignment film 2012 are formed.

遮光膜2014を設けることにより、黒を表示する際に光漏れの少ない表示装置を得るこ
とができる。なお、第2の基板2016に遮光膜2014は特に形成されていなくてもよ
い。遮光膜2014を形成しない場合は、工程数を少なくすることが可能となるため、製
造コストの低減及び歩留まりの向上を図ることができる。
By providing the light shielding film 2014, a display device with little light leakage when displaying black can be obtained. Note that the light shielding film 2014 may not be particularly formed on the second substrate 2016 . When the light shielding film 2014 is not formed, the number of steps can be reduced, so that the manufacturing cost can be reduced and the yield can be improved.

また、第2の基板2016にカラーフィルタ2015が形成されていなくてもよい。カラ
ーフィルタ2015を形成しない場合においても、遮光膜と同様、工程数が減少すること
が可能となるため、製造コストを低減し、歩留まりの向上を図ることができる。ただし、
カラーフィルタ2015を形成しない場合であって、フィールドシーケンシャル駆動によ
ってカラー表示ができる表示装置を得ることができる。
Further, the color filter 2015 may not be formed over the second substrate 2016 . Even if the color filter 2015 is not formed, the number of steps can be reduced as in the case of the light shielding film, so that the manufacturing cost can be reduced and the yield can be improved. however,
Even if the color filter 2015 is not formed, a display device capable of color display can be obtained by field sequential driving.

また、スペーサ2017の代わりに球状のスペーサを散布してもよい。球状のスペーサを
散布する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができる。また、歩
留まりの向上を図ることができる。一方、スペーサ2017を形成する場合にはスペーサ
の位置がばらつかないため、2枚の基板間の距離をより容易に一定にすることができ、表
示ムラの少ない表示装置を得ることができる。
Also, instead of the spacers 2017, spherical spacers may be scattered. When spherical spacers are scattered, the manufacturing cost can be reduced because the number of steps is reduced. Also, the yield can be improved. On the other hand, when the spacers 2017 are formed, the positions of the spacers do not fluctuate, so the distance between the two substrates can be more easily made constant, and a display device with little display unevenness can be obtained.

次に、第1の基板2001に施す加工について説明する。 Next, processing applied to the first substrate 2001 will be described.

まず、第1の基板2001上に第1の絶縁膜2002がスパッタ法、印刷法又は塗布法な
どによって成膜される。第1の絶縁膜2002は、基板からの不純物が半導体層に影響を
及ぼし、トランジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。ただし、なお、基
板2001として石英を用いるような場合には第1の絶縁膜2002は成膜されていなく
てもよい。
First, a first insulating film 2002 is formed on a first substrate 2001 by a sputtering method, a printing method, a coating method, or the like. The first insulating film 2002 has a function of preventing impurities from the substrate from affecting the semiconductor layer and changing the properties of the transistor. However, when quartz is used as the substrate 2001, the first insulating film 2002 may not be formed.

次に、第1の絶縁膜2002上に、第1の導電層2003がフォトリソグラフィ法、レー
ザー直描法又はインクジェット法等を利用して形成される。
Next, a first conductive layer 2003 is formed on the first insulating film 2002 using a photolithography method, a laser direct drawing method, an inkjet method, or the like.

次に、第2の絶縁膜2004がスパッタ法、印刷法又は塗布法などによって全面に成膜さ
れている。第2の絶縁膜2004は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トラ
ンジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。
Next, a second insulating film 2004 is formed on the entire surface by a sputtering method, a printing method, a coating method, or the like. The second insulating film 2004 has a function of preventing impurities from the substrate from affecting the semiconductor layer and changing the properties of the transistor.

次に、第1の半導体層2005及び第2の半導体層2006が形成される。なお、第1の
半導体層2005及び第2の半導体層2006は連続して成膜され、これらの形状は同時
に加工される。
Next, a first semiconductor layer 2005 and a second semiconductor layer 2006 are formed. Note that the first semiconductor layer 2005 and the second semiconductor layer 2006 are formed continuously, and their shapes are processed at the same time.

次に、第2の導電層2007がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェッ
ト法などによって形成される。なお、第2の導電層2007の形状が加工されるときに行
われるエッチング方法としては、ドライエッチングを用いることが好適である。なお、第
2の導電層2007としては、透明性を有する材料を用いてもよいし、反射性を有する材
料を用いてもよい。
Next, a second conductive layer 2007 is formed by a photolithography method, a laser direct writing method, an inkjet method, or the like. Note that dry etching is preferably used as an etching method for processing the shape of the second conductive layer 2007 . Note that the second conductive layer 2007 may be made of a transparent material or a reflective material.

次に、トランジスタのチャネル領域を形成する。その工程の一例を説明する。第2の半導
体層2006は、第2の導電層2007をマスクとして用いてエッチングされる。また、
マスクには第2の導電層2007の形状を加工するためのマスクを用いてエッチングして
も良い。そして、第2の半導体層2006が除去された部分の第1の半導体層2005が
トランジスタのチャネル領域となる。このようにチャネル領域を形成することで、マスク
枚数を減らすことが可能となり、製造コストを低減することができる。
Next, a channel region of the transistor is formed. An example of the process will be described. The second semiconductor layer 2006 is etched using the second conductive layer 2007 as a mask. again,
A mask for processing the shape of the second conductive layer 2007 may be used as the mask for etching. A portion of the first semiconductor layer 2005 from which the second semiconductor layer 2006 is removed becomes a channel region of the transistor. By forming the channel region in this way, it is possible to reduce the number of masks, thereby reducing the manufacturing cost.

次に、第3の絶縁膜2008が形成され、第3の絶縁膜2008には選択的にコンタクト
ホールが形成されている。なお、第3の絶縁膜2008にコンタクトホールを形成すると
同時に、第2の絶縁膜2004にもコンタクトホールを形成してもよい。なお、第3の絶
縁膜2008の表面は、できるだけ平坦であることが好ましい。液晶が接する面、即ち第
3の絶縁膜2008の表面の凹凸は液晶分子の配向に影響を与えてしまうからである。
Next, a third insulating film 2008 is formed, and contact holes are selectively formed in the third insulating film 2008 . Note that contact holes may be formed in the second insulating film 2004 at the same time that the contact holes are formed in the third insulating film 2008 . Note that the surface of the third insulating film 2008 is preferably as flat as possible. This is because the unevenness of the surface in contact with the liquid crystal, that is, the surface of the third insulating film 2008 affects the orientation of the liquid crystal molecules.

次に、第3の導電層2009がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェッ
ト法などによって形成される。
Next, a third conductive layer 2009 is formed by a photolithography method, a laser direct writing method, an inkjet method, or the like.

次に、第1の配向膜2010が形成される。なお、第1の配向膜2010を形成後、液晶
分子の配向を制御するためにラビング処理を行なってもよい。
Next, a first alignment film 2010 is formed. After forming the first alignment film 2010, rubbing treatment may be performed to control the alignment of the liquid crystal molecules.

以上のように作製した第1の基板2001と、遮光膜2014、カラーフィルタ2015
、第4の導電層2013、スペーサ2017及び第2の配向膜2012が形成された第2
の基板2016とが数マイクロメートルのギャップを持たせてシール材によって貼り合わ
せられる。そして、2枚の基板間に液晶材料が注入される。なお、TN方式では、第4の
導電層2013は、第2の基板2016の全面に形成される。
A first substrate 2001 manufactured as described above, a light shielding film 2014, and a color filter 2015
, a fourth conductive layer 2013, a spacer 2017 and a second alignment film 2012 are formed.
and the substrate 2016 are bonded with a sealing material with a gap of several micrometers. A liquid crystal material is then injected between the two substrates. Note that the fourth conductive layer 2013 is formed on the entire surface of the second substrate 2016 in the TN method.

図29(A)は、MVA(Multi-domain Vertical Alignm
ent)方式とトランジスタとを組み合わせた場合の画素の断面図の一例である。図29
(A)に示す画素構造を本発明の液晶表示装置に適用することによって、さらに視野角が
大きくすることができる。
FIG. 29(A) shows MVA (Multi-domain Vertical Alignment
ent) is an example of a cross-sectional view of a pixel when the method and a transistor are combined. Figure 29
By applying the pixel structure shown in (A) to the liquid crystal display device of the present invention, the viewing angle can be further increased.

図29(A)に示す画素構造を用いて、MVA方式の液晶パネルの画素構造の特徴につい
て説明する。図29(A)に示した液晶分子2118は、図28に示した液晶分子201
8と同様、長軸と短軸を持った細長い分子である。そのため、図29(A)においても液
晶分子2118の向きを図中に記す液晶分子の長さによって表現している。つまり、図2
9(A)に示した液晶分子2118は、その長軸の向きが配向膜に対し法線方向を向くよ
うに配向している。また、配向制御用突起2119のある部分の液晶分子2118は、配
向制御用突起2119を中心として放射状に配向する。この状態となることによって、視
野角の大きい液晶表示装置を得ることができる。
Using the pixel structure shown in FIG. 29A, the characteristics of the pixel structure of the MVA liquid crystal panel will be described. The liquid crystal molecules 2118 shown in FIG. 29A correspond to the liquid crystal molecules 201 shown in FIG.
Like 8, it is an elongated molecule with a long axis and a short axis. Therefore, in FIG. 29A as well, the orientation of the liquid crystal molecules 2118 is represented by the length of the liquid crystal molecules shown in the drawing. In other words, Figure 2
The liquid crystal molecules 2118 shown in 9A are oriented so that their long axes are directed in the normal direction to the orientation film. Also, the liquid crystal molecules 2118 in the portion where the alignment control protrusion 2119 is located are radially aligned with the alignment control protrusion 2119 as the center. With this state, a liquid crystal display device with a wide viewing angle can be obtained.

なお、トランジスタとして、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタを用い
た場合について説明する。非晶質半導体を用いたトランジスタを用いた場合、大面積の基
板を用いて、安価に液晶表示装置を製造することができる。
Note that the case where a bottom-gate transistor including an amorphous semiconductor is used as the transistor is described. When a transistor including an amorphous semiconductor is used, a liquid crystal display device can be manufactured at low cost using a large substrate.

図29(A)において、液晶2111を挟持する2枚の基板は、第1の基板2101及び
第2の基板2116に相当する。なお、第1の基板2101には、トランジスタ及び画素
電極が形成され、第2の基板2116には、遮光膜2114、カラーフィルタ2115、
第4の導電層2113、スペーサ2117、第2の配向膜2112、及び配向制御用突起
2119が形成されている。
In FIG. 29A, two substrates sandwiching the liquid crystal 2111 correspond to the first substrate 2101 and the second substrate 2116 . Note that a transistor and a pixel electrode are formed on the first substrate 2101, and a light-shielding film 2114, a color filter 2115, and a light-shielding film 2114 are formed on the second substrate 2116.
A fourth conductive layer 2113, a spacer 2117, a second alignment film 2112, and an alignment control projection 2119 are formed.

遮光膜2114を設けることにより、黒を表示する際に光漏れの少ない表示装置を得るこ
とができる。なお、第2の基板2116に遮光膜2114は特に形成されていなくてもよ
い。遮光膜2114を形成しない場合は、工程数を少なくすることが可能となるため、製
造コストの低減及び歩留まりの向上を図ることができる。
By providing the light shielding film 2114, a display device with little light leakage when displaying black can be obtained. Note that the light shielding film 2114 may not be particularly formed on the second substrate 2116 . When the light shielding film 2114 is not formed, the number of steps can be reduced, so that the manufacturing cost can be reduced and the yield can be improved.

また、第2の基板2116にカラーフィルタ2115が形成されていなくてもよい。カラ
ーフィルタ2115を形成しない場合においても、遮光膜と同様、工程数が減少すること
が可能となるため、製造コストを低減し、歩留まりの向上を図ることができる。ただし、
カラーフィルタ2115を形成しない場合であって、フィールドシーケンシャル駆動によ
ってカラー表示ができる表示装置を得ることができる。
In addition, the color filter 2115 may not be formed over the second substrate 2116 . Even if the color filter 2115 is not formed, the number of steps can be reduced as in the case of the light shielding film, so that the manufacturing cost can be reduced and the yield can be improved. however,
Even if the color filter 2115 is not formed, a display device capable of color display can be obtained by field sequential driving.

また、スペーサ2117の代わりに球状のスペーサを散布してもよい。球状のスペーサを
散布する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができる。また、歩
留まりの向上を図ることができる。一方、スペーサ2117を形成する場合にはスペーサ
の位置がばらつかないため、2枚の基板間の距離をより容易に一定にすることができ、表
示ムラの少ない表示装置を得ることができる。
Also, instead of the spacers 2117, spherical spacers may be scattered. When spherical spacers are scattered, the manufacturing cost can be reduced because the number of steps is reduced. Also, the yield can be improved. On the other hand, when the spacers 2117 are formed, the positions of the spacers do not fluctuate, so the distance between the two substrates can be more easily made constant, and a display device with little display unevenness can be obtained.

第1の基板2101に施す加工について説明する。 Processing performed on the first substrate 2101 will be described.

まず、第1の基板2101上に第1の絶縁膜2102がスパッタ法、印刷法又は塗布法な
どによって成膜される。第1の絶縁膜2102は、基板からの不純物が半導体層に影響を
及ぼし、トランジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。ただし、なお、基
板2101として石英を用いるような場合には第1の絶縁膜2102は成膜されていなく
てもよい。
First, a first insulating film 2102 is formed on a first substrate 2101 by a sputtering method, a printing method, a coating method, or the like. The first insulating film 2102 has a function of preventing impurities from the substrate from affecting the semiconductor layer and changing the properties of the transistor. However, when quartz is used as the substrate 2101, the first insulating film 2102 may not be formed.

次に、第1の絶縁膜2102上に、第1の導電層2103がフォトリソグラフィ法、レー
ザー直描法又はインクジェット法等を利用して形成される。
Next, a first conductive layer 2103 is formed on the first insulating film 2102 using a photolithography method, a laser direct drawing method, an inkjet method, or the like.

次に、第2の絶縁膜2104がスパッタ法、印刷法又は塗布法などによって全面に成膜さ
れている。第2の絶縁膜2104は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トラ
ンジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。
Next, a second insulating film 2104 is formed on the entire surface by a sputtering method, a printing method, a coating method, or the like. The second insulating film 2104 has a function of preventing impurities from the substrate from affecting the semiconductor layer and changing the properties of the transistor.

次に、第1の半導体層2105及び第2の半導体層2106が形成される。なお、第1の
半導体層2105及び第2の半導体層2106は連続して成膜され、これらの形状は同時
に加工される。
Next, a first semiconductor layer 2105 and a second semiconductor layer 2106 are formed. Note that the first semiconductor layer 2105 and the second semiconductor layer 2106 are formed continuously, and their shapes are processed at the same time.

次に、第2の導電層2107がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェッ
ト法などによって形成される。なお、第2の導電層2107の形状が加工されるときに行
われるエッチング方法としては、ドライエッチングを用いることが好適である。なお、第
2の導電層2107としては、透明性を有する材料を用いてもよいし、反射性を有する材
料を用いてもよい。
Next, a second conductive layer 2107 is formed by a photolithography method, a laser direct writing method, an inkjet method, or the like. Note that dry etching is preferably used as an etching method for processing the shape of the second conductive layer 2107 . Note that as the second conductive layer 2107, a transparent material or a reflective material may be used.

次に、トランジスタのチャネル領域を形成する。その工程の一例を説明する。第2の半導
体層225は、第2の導電層2107をマスクとして用いてエッチングされる。また、マ
スクには第2の導電層2107の形状を加工するためのマスクを用いてエッチングしても
良い。そして、第2の半導体層2106が除去された部分の第1の半導体層2105がト
ランジスタのチャネル領域となる。このようにチャネル領域を形成することで、マスク枚
数を減らすことが可能となり、製造コストを低減することができる。
Next, a channel region of the transistor is formed. An example of the process will be described. The second semiconductor layer 225 is etched using the second conductive layer 2107 as a mask. Alternatively, etching may be performed using a mask for processing the shape of the second conductive layer 2107 as a mask. A portion of the first semiconductor layer 2105 from which the second semiconductor layer 2106 is removed becomes a channel region of the transistor. By forming the channel region in this way, it is possible to reduce the number of masks, thereby reducing the manufacturing cost.

次に、第3の絶縁膜2108が形成され、第3の絶縁膜2108には選択的にコンタクト
ホールが形成されている。なお、第3の絶縁膜2108にコンタクトホールを形成すると
同時に、第2の絶縁膜2104にもコンタクトホールを形成してもよい。
Next, a third insulating film 2108 is formed, and contact holes are selectively formed in the third insulating film 2108 . Note that contact holes may be formed in the second insulating film 2104 at the same time that the contact holes are formed in the third insulating film 2108 .

次に、第3の導電層2109がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェッ
ト法などによって形成される。
Next, a third conductive layer 2109 is formed by a photolithography method, a laser direct writing method, an inkjet method, or the like.

次に、第1の配向膜2110が形成される。なお、第1の配向膜2110を形成後、液晶
分子の配向を制御するために、ラビング処理を行なってもよい。
Next, a first alignment film 2110 is formed. Note that after forming the first alignment film 2110, rubbing treatment may be performed in order to control the alignment of the liquid crystal molecules.

以上のように作製した第1の基板2101と、遮光膜2114、カラーフィルタ2115
、第4の導電層2113、スペーサ2117、及び第2の配向膜2112を作製した第2
の基板2116とが数マイクロメートルのギャップを持たせてシール材によって貼り合わ
せられる。そして、2枚の基板間に液晶材料が注入される。
A first substrate 2101 manufactured as described above, a light shielding film 2114, and a color filter 2115
, a fourth conductive layer 2113, a spacer 2117, and a second alignment film 2112.
and the substrate 2116 of , are bonded with a sealing material with a gap of several micrometers. A liquid crystal material is then injected between the two substrates.

なお、MVA方式では、第4の導電層2113は、第2の基板2116の全面に形成され
ている。また、第4の導電層2113に接して、配向制御用突起2119が形成されてい
る。配向制御用突起2119の形状は、滑らかな曲面を持った形状であることが好ましい
。こうすることで、配向制御用突起2119による液晶分子2118の配向不良を低減す
る。また、配向制御用突起2119上に形成される配向膜の段切れを防止することができ
るため、この段切れによる配向膜の不良も低減することができる。
Note that the fourth conductive layer 2113 is formed over the entire surface of the second substrate 2116 in the MVA method. Also, an alignment control projection 2119 is formed in contact with the fourth conductive layer 2113 . The shape of the orientation control projection 2119 is preferably a shape with a smooth curved surface. By doing so, the alignment defects of the liquid crystal molecules 2118 due to the alignment control projections 2119 are reduced. In addition, since the alignment film formed on the alignment control projection 2119 can be prevented from being broken, defects of the alignment film due to the break can be reduced.

図29(B)は、PVA(Paterned Vertical Alignment)
方式とトランジスタとを組み合わせた場合の画素の断面図の一例である。図29(B)に
示す画素構造を本発明の液晶表示装置に適用することによって、さらに視野角が大きくす
ることができる。
FIG. 29B shows PVA (Patterned Vertical Alignment)
FIG. 10 is an example of a cross-sectional view of a pixel in which a method and a transistor are combined; By applying the pixel structure shown in FIG. 29B to the liquid crystal display device of the present invention, the viewing angle can be further increased.

図29(B)に示す画素構造の特徴について説明する。図29(B)に示した液晶分子2
148も、図28に示した液晶分子2018と同様、図29(B)においても液晶分子2
148の向きを図中に記す液晶分子の長さによって表現している。そのため、図29(B
)に示した液晶分子2148は、その長軸の向きが配向膜に対し法線方向を向くように配
向している。また、第4の導電層2143が設けられていない電極切り欠き部2149の
周囲に存在する液晶分子2148は、電極切り欠き部2149と第4の導電層2143の
境界を中心として放射状に配向する。この状態となることによって、視野角の大きい液晶
表示装置を得ることができる。
Features of the pixel structure shown in FIG. 29B will be described. Liquid crystal molecule 2 shown in FIG. 29(B)
148 is similar to the liquid crystal molecule 2018 shown in FIG.
The orientation of 148 is represented by the length of the liquid crystal molecules shown in the figure. Therefore, FIG.
) are oriented so that their long axes are oriented in the normal direction to the orientation film. Liquid crystal molecules 2148 existing around the electrode cutout 2149 where the fourth conductive layer 2143 is not provided are radially aligned with the boundary between the electrode cutout 2149 and the fourth conductive layer 2143 as the center. With this state, a liquid crystal display device with a wide viewing angle can be obtained.

なお、トランジスタとして、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタを用い
た場合について説明する。非晶質半導体を用いたトランジスタを用いた場合、大面積の基
板を用いて、安価に液晶表示装置を製造することができる。
Note that the case where a bottom-gate transistor including an amorphous semiconductor is used as the transistor is described. When a transistor including an amorphous semiconductor is used, a liquid crystal display device can be manufactured at low cost using a large substrate.

図29(B)において、液晶2141を挟持する2枚の基板は、第1の基板2131及び
第2の基板2146に相当する。なお、第1の基板2131には、トランジスタ及び画素
電極が形成され、第2の基板2146には、遮光膜2144、カラーフィルタ2145、
第4の導電層2143、スペーサ2147、及び第2の配向膜2142が形成されている
In FIG. 29B, the two substrates sandwiching the liquid crystal 2141 correspond to the first substrate 2131 and the second substrate 2146 . Note that a transistor and a pixel electrode are formed on the first substrate 2131, and a light shielding film 2144, a color filter 2145, and a light shielding film 2144 are formed on the second substrate 2146.
A fourth conductive layer 2143, spacers 2147, and a second alignment film 2142 are formed.

遮光膜2144を設けることにより、黒を表示する際に光漏れの少ない表示装置を得るこ
とができる。なお、第2の基板2146に遮光膜2144は特に形成されていなくてもよ
い。遮光膜2144を形成しない場合は、工程数を少なくすることが可能となるため、製
造コストの低減及び歩留まりの向上を図ることができる。
By providing the light shielding film 2144, a display device with little light leakage when displaying black can be obtained. Note that the light shielding film 2144 may not be particularly formed on the second substrate 2146 . When the light shielding film 2144 is not formed, the number of steps can be reduced, so that the manufacturing cost can be reduced and the yield can be improved.

また、第2の基板2146にカラーフィルタ2145が形成されていなくてもよい。カラ
ーフィルタ2145を形成しない場合においても、遮光膜と同様、工程数が減少すること
が可能となるため、製造コストを低減し、歩留まりの向上を図ることができる。ただし、
カラーフィルタ2145を形成しない場合であって、フィールドシーケンシャル駆動によ
ってカラー表示ができる表示装置を得ることができる。
In addition, the color filter 2145 may not be formed over the second substrate 2146 . Even if the color filter 2145 is not formed, the number of steps can be reduced as in the case of the light shielding film, so that the manufacturing cost can be reduced and the yield can be improved. however,
Even if the color filter 2145 is not formed, a display device capable of color display can be obtained by field sequential driving.

また、スペーサ2147の代わりに球状のスペーサを散布してもよい。球状のスペーサを
散布する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができる。また、歩
留まりの向上を図ることができる。一方、スペーサ2147を形成する場合にはスペーサ
の位置がばらつかないため、2枚の基板間の距離をより容易に一定にすることができ、表
示ムラの少ない表示装置を得ることができる。
Also, instead of the spacers 2147, spherical spacers may be scattered. When spherical spacers are scattered, the manufacturing cost can be reduced because the number of steps is reduced. Also, the yield can be improved. On the other hand, when the spacers 2147 are formed, the positions of the spacers do not fluctuate, so the distance between the two substrates can be more easily made constant, and a display device with little display unevenness can be obtained.

第1の基板2131に施す加工について説明する。 Processing performed on the first substrate 2131 will be described.

まず、第1の基板2131上に、第1の絶縁膜2132がスパッタ法、印刷法又は塗布法
などによって成膜される。第1の絶縁膜2132は、基板からの不純物が半導体層に影響
を及ぼし、トランジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。ただし、なお、
基板2131として石英を用いるような場合には第1の絶縁膜2132は成膜されていな
くてもよい。
First, a first insulating film 2132 is formed on a first substrate 2131 by a sputtering method, a printing method, a coating method, or the like. The first insulating film 2132 has a function of preventing impurities from the substrate from affecting the semiconductor layer and changing the properties of the transistor. However,
When quartz is used as the substrate 2131, the first insulating film 2132 may not be formed.

次に、第1の絶縁膜2132上に、第1の導電層2133がフォトリソグラフィ法、レー
ザー直描法又はインクジェット法等を利用して形成される。
Next, a first conductive layer 2133 is formed over the first insulating film 2132 using a photolithography method, a laser direct drawing method, an inkjet method, or the like.

次に、第2の絶縁膜2134がスパッタ法、印刷法又は塗布法などによって全面に成膜さ
れている。第2の絶縁膜2134は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トラ
ンジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。
Next, a second insulating film 2134 is formed on the entire surface by a sputtering method, a printing method, a coating method, or the like. The second insulating film 2134 has a function of preventing impurities from the substrate from affecting the semiconductor layer and changing the properties of the transistor.

次に、第1の半導体層2135及び第2の半導体層2136が形成される。なお、第1の
半導体層2135及び第2の半導体層2136は連続して成膜され、これらの形状は同時
に加工される。
Next, a first semiconductor layer 2135 and a second semiconductor layer 2136 are formed. Note that the first semiconductor layer 2135 and the second semiconductor layer 2136 are formed continuously, and their shapes are processed at the same time.

次に、第2の導電層2137がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェッ
ト法などによって形成される。なお、第2の導電層2137の形状が加工されるときに行
われるエッチング方法としては、ドライエッチングを用いることが好適である。なお、第
2の導電層2137としては、透明性を有する材料を用いてもよいし、反射性を有する材
料を用いてもよい。
Next, a second conductive layer 2137 is formed by a photolithography method, a laser direct writing method, an inkjet method, or the like. Note that dry etching is preferably used as an etching method for processing the shape of the second conductive layer 2137 . Note that a transparent material or a reflective material may be used for the second conductive layer 2137 .

次に、トランジスタのチャネル領域を形成する。その工程の一例を説明する。第2の半導
体層2136は、第2の導電層2137をマスクとして用いてエッチングされる。また、
マスクには第2の導電層2137の形状を加工するためのマスクを用いてエッチングして
も良い。そして、第2の半導体層2136が除去された部分の第1の半導体層2135が
トランジスタのチャネル領域となる。このようにチャネル領域を形成することで、マスク
枚数を減らすことが可能となり、製造コストを低減することができる。
Next, a channel region of the transistor is formed. An example of the process will be described. The second semiconductor layer 2136 is etched using the second conductive layer 2137 as a mask. again,
A mask for processing the shape of the second conductive layer 2137 may be used as a mask for etching. A portion of the first semiconductor layer 2135 from which the second semiconductor layer 2136 is removed becomes a channel region of the transistor. By forming the channel region in this way, it is possible to reduce the number of masks, thereby reducing the manufacturing cost.

次に、第3の絶縁膜2138が形成され、第3の絶縁膜2138には選択的にコンタクト
ホールが形成されている。なお、第3の絶縁膜2138にコンタクトホールを形成すると
同時に、第2の絶縁膜2134にもコンタクトホールを形成してもよい。
Next, a third insulating film 2138 is formed, and contact holes are selectively formed in the third insulating film 2138 . Note that a contact hole may be formed in the second insulating film 2134 at the same time that the contact hole is formed in the third insulating film 2138 .

次に、第3の導電層2139がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェッ
ト法などによって形成される。
Next, a third conductive layer 2139 is formed by a photolithography method, a laser direct drawing method, an inkjet method, or the like.

次に、第1の配向膜2140が形成される。なお、第1の配向膜2140を形成後、液晶
分子の配向を制御するために、ラビング処理を行なってもよい。
Next, a first alignment film 2140 is formed. Note that after forming the first alignment film 2140, rubbing treatment may be performed in order to control the alignment of the liquid crystal molecules.

以上のように作製した第1の基板2131と、遮光膜2144、カラーフィルタ2145
、第4の導電層2143、スペーサ2147及び第2の配向膜2142を作製した第2の
基板2146とが数マイクロメートルのギャップを持たせてシール材によって貼り合わせ
られる。そして、2枚の基板間に液晶材料が注入される。
A first substrate 2131 manufactured as described above, a light shielding film 2144, and a color filter 2145
, the fourth conductive layer 2143, the spacer 2147, and the second substrate 2146 on which the second alignment film 2142 is formed are bonded together with a sealing material with a gap of several micrometers. A liquid crystal material is then injected between the two substrates.

なお、PVA方式では、第4の導電層2143にパターン加工が施され、電極切り欠き部
2149が形成される。なお、電極切り欠き部2149の形状に特に限定はないが、異な
る向きを持った複数の矩形を組み合わせた形状であるのが好適である。こうすることで、
配向の異なる複数の領域が形成できるので、視野角の大きな液晶表示装置を得ることがで
きる。なお、電極切り欠き部2149と第4の導電層2143の境界における第4の導電
層2143の形状は、その底辺に対し滑らかな斜面を有することが好適である。こうする
ことで、当該斜面に近接する液晶分子2148の配向不良を低減する。また、第4の導電
層2143上に形成される配向膜の段切れを防止することができるため、この段切れによ
る配向膜の不良も低減することができる。
In the PVA method, the fourth conductive layer 2143 is patterned to form the electrode notch 2149 . Although the shape of the electrode cutout portion 2149 is not particularly limited, it is preferable that the shape is a combination of a plurality of rectangles with different orientations. By doing this,
Since a plurality of regions with different orientations can be formed, a liquid crystal display device with a wide viewing angle can be obtained. The shape of the fourth conductive layer 2143 at the boundary between the electrode notch 2149 and the fourth conductive layer 2143 preferably has a smooth slope with respect to its base. By doing so, alignment defects of the liquid crystal molecules 2148 adjacent to the slope are reduced. Further, since the discontinuity of the alignment film formed over the fourth conductive layer 2143 can be prevented, defects of the alignment film due to the discontinuity can be reduced.

図30(A)は、IPS(In-Plane-Switching)方式とトランジスタ
とを組み合わせた場合の画素の断面図の一例である。図30(A)に示す画素構造を本発
明の液晶表示装置に適用することによって、さらに視野角が大きくすることができる。
FIG. 30A is an example of a cross-sectional view of a pixel in which an IPS (In-Plane-Switching) method and a transistor are combined. By applying the pixel structure shown in FIG. 30A to the liquid crystal display device of the present invention, the viewing angle can be further increased.

図30(A)に示す画素構造の特徴について説明する。図30(A)に示した液晶分子2
248は、図28に示した液晶分子2018と同様、長軸と短軸を持った細長い分子であ
る。そのため、図30(A)においても液晶分子2218の向きをの向きを図中に記す液
晶分子の長さによって表現している。つまり、図30(A)に示した液晶分子2218は
、その長軸の向きが常に基板に対し水平の方向を向くように配向している。図30(A)
においては、液晶2211が存在する領域に電界が生じていない状態における液晶分子2
218配向を表しているが、液晶分子2218に電界が印加されたときは、その長軸の向
きが常に基板に対し水平の方向を維持したまま、水平面内において回転する。この状態と
なることによって、視野角の大きい液晶表示装置を得ることができる。
Features of the pixel structure shown in FIG. 30A will be described. Liquid crystal molecule 2 shown in FIG.
248 is an elongated molecule having a long axis and a short axis like the liquid crystal molecule 2018 shown in FIG. Therefore, in FIG. 30A as well, the orientation of the liquid crystal molecules 2218 is represented by the length of the liquid crystal molecules shown in the drawing. In other words, the liquid crystal molecules 2218 shown in FIG. 30A are oriented so that their long axes are always parallel to the substrate. Fig. 30(A)
, the liquid crystal molecule 2
218 orientation, when an electric field is applied to the liquid crystal molecules 2218, they rotate in the horizontal plane while the orientation of the long axis is always kept horizontal to the substrate. With this state, a liquid crystal display device with a wide viewing angle can be obtained.

なお、トランジスタとして、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタを用い
た場合について説明する。非晶質半導体を用いたトランジスタを用いた場合、大面積の基
板を用いて、安価に液晶表示装置を製造することができる。
Note that the case where a bottom-gate transistor including an amorphous semiconductor is used as the transistor is described. When a transistor including an amorphous semiconductor is used, a liquid crystal display device can be manufactured at low cost using a large substrate.

図30(A)において、液晶2211を挟持する2枚の基板は、第1の基板2201、及
び第2の基板2216に相当する。なお、第1の基板2201には、トランジスタ及び画
素電極が形成され、第2の基板2216には、遮光膜2214、カラーフィルタ2215
、スペーサ2217、及び第2の配向膜2212が形成されている。
In FIG. 30A, the two substrates sandwiching the liquid crystal 2211 correspond to the first substrate 2201 and the second substrate 2216 . Note that a transistor and a pixel electrode are formed over the first substrate 2201 , and a light shielding film 2214 and a color filter 2215 are formed over the second substrate 2216 .
, a spacer 2217, and a second alignment film 2212 are formed.

遮光膜2214を設けることにより、黒を表示する際に光漏れの少ない表示装置を得るこ
とができる。なお、第2の基板2216に遮光膜2214は特に形成されていなくてもよ
い。遮光膜2214を形成しない場合は、工程数を少なくすることが可能となるため、製
造コストの低減及び歩留まりの向上を図ることができる。
By providing the light shielding film 2214, a display device with little light leakage when displaying black can be obtained. Note that the light shielding film 2214 may not be particularly formed on the second substrate 2216 . When the light shielding film 2214 is not formed, the number of steps can be reduced, so that the manufacturing cost can be reduced and the yield can be improved.

また、第2の基板2216にカラーフィルタ2215が形成されていなくてもよい。カラ
ーフィルタ2215を形成しない場合においても、遮光膜と同様、工程数が減少すること
が可能となるため、製造コストを低減し、歩留まりの向上を図ることができる。ただし、
カラーフィルタ2215を形成しない場合であって、フィールドシーケンシャル駆動によ
ってカラー表示ができる表示装置を得ることができる。
In addition, the color filter 2215 may not be formed over the second substrate 2216 . Even if the color filter 2215 is not formed, the number of steps can be reduced as in the case of the light shielding film, so that the manufacturing cost can be reduced and the yield can be improved. however,
Even if the color filter 2215 is not formed, a display device capable of color display can be obtained by field sequential driving.

また、スペーサ2217の代わりに球状のスペーサを散布してもよい。球状のスペーサを
散布する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができる。また、歩
留まりの向上を図ることができる。一方、スペーサ2217を形成する場合にはスペーサ
の位置がばらつかないため、2枚の基板間の距離をより容易に一定にすることができ、表
示ムラの少ない表示装置を得ることができる。
Also, instead of the spacers 2217, spherical spacers may be scattered. When spherical spacers are scattered, the manufacturing cost can be reduced because the number of steps is reduced. Also, the yield can be improved. On the other hand, when the spacers 2217 are formed, the positions of the spacers do not fluctuate, so the distance between the two substrates can be more easily made constant, and a display device with little display unevenness can be obtained.

第1の基板2201に施す加工について説明する。 Processing performed on the first substrate 2201 will be described.

まず、第1の基板2201上に第1の絶縁膜2202がスパッタ法、印刷法又は塗布法な
どによって成膜される。第1の絶縁膜2202は、基板からの不純物が半導体層に影響を
及ぼし、トランジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。ただし、なお、基
板2201として石英を用いるような場合には第1の絶縁膜2202は成膜されていなく
てもよい。
First, a first insulating film 2202 is formed on a first substrate 2201 by a sputtering method, a printing method, a coating method, or the like. The first insulating film 2202 has a function of preventing impurities from the substrate from affecting the semiconductor layer and changing the properties of the transistor. However, when quartz is used as the substrate 2201, the first insulating film 2202 may not be formed.

次に、第1の絶縁膜2202上に、第1の導電層2203がフォトリソグラフィ法、レー
ザー直描法又はインクジェット法等を利用して形成される。
Next, a first conductive layer 2203 is formed on the first insulating film 2202 using a photolithography method, a laser direct drawing method, an inkjet method, or the like.

次に、第2の絶縁膜2204がスパッタ法、印刷法又は塗布法などによって全面に成膜さ
れている。第2の絶縁膜2204は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トラ
ンジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。
Next, a second insulating film 2204 is formed on the entire surface by a sputtering method, a printing method, a coating method, or the like. The second insulating film 2204 has a function of preventing impurities from the substrate from affecting the semiconductor layer and changing the properties of the transistor.

次に、第1の半導体層2205及び第2の半導体層2206が形成される。なお、第1の
半導体層2205及び第2の半導体層2206は連続して成膜され、これらの形状は同時
に加工される。
Next, a first semiconductor layer 2205 and a second semiconductor layer 2206 are formed. Note that the first semiconductor layer 2205 and the second semiconductor layer 2206 are formed continuously, and their shapes are processed at the same time.

次に、第2の導電層2207がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェッ
ト法などによって形成される。なお、第2の導電層2207の形状が加工されるときに行
われるエッチング方法としては、ドライエッチングを用いることが好適である。なお、第
2の導電層2207としては、透明性を有する材料を用いてもよいし、反射性を有する材
料を用いてもよい。
Next, a second conductive layer 2207 is formed by a photolithography method, a laser direct writing method, an inkjet method, or the like. Note that dry etching is preferably used as an etching method for processing the shape of the second conductive layer 2207 . Note that as the second conductive layer 2207, a transparent material or a reflective material may be used.

次に、トランジスタのチャネル領域を形成する。その工程の一例を説明する。第2の半導
体層2206は、第2の導電層2207をマスクとして用いてエッチングされる。また、
マスクには第2の導電層2207の形状を加工するためのマスクを用いてエッチングして
も良い。そして、第2の半導体層2206が除去された部分の第1の半導体層2205が
トランジスタのチャネル領域となる。このようにチャネル領域を形成することで、マスク
枚数を減らすことが可能となり、製造コストを低減することができる。
Next, a channel region of the transistor is formed. An example of the process will be described. The second semiconductor layer 2206 is etched using the second conductive layer 2207 as a mask. again,
A mask for processing the shape of the second conductive layer 2207 may be used as the mask for etching. A portion of the first semiconductor layer 2205 from which the second semiconductor layer 2206 is removed becomes a channel region of the transistor. By forming the channel region in this way, it is possible to reduce the number of masks, thereby reducing the manufacturing cost.

次に、第3の絶縁膜2208が形成され、第3の絶縁膜2208には選択的にコンタクト
ホールが形成されている。なお、第3の絶縁膜2208にコンタクトホールを形成すると
同時に、第2の絶縁膜2204にもコンタクトホールを形成してもよい。
Next, a third insulating film 2208 is formed, and contact holes are selectively formed in the third insulating film 2208 . Note that contact holes may be formed in the second insulating film 2204 at the same time that the contact holes are formed in the third insulating film 2208 .

次に、第3の導電層2209がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェッ
ト法などによって形成される。ここで、第3の導電層2209の形状は、互いにかみ合っ
た2つの櫛歯状とする。一方の櫛歯状の電極がトランジスタのソース電極及びドレイン電
極の一方と電気的に接続され、他方の櫛歯状の電極が共通電極と電気的に接続される。こ
うすることで、液晶分子2218に効果的に横方向の電界をかけることができる。
Next, a third conductive layer 2209 is formed by a photolithography method, a laser direct drawing method, an inkjet method, or the like. Here, the shape of the third conductive layer 2209 is two comb teeth that are meshed with each other. One comb-shaped electrode is electrically connected to one of the source electrode and the drain electrode of the transistor, and the other comb-shaped electrode is electrically connected to a common electrode. By doing so, a horizontal electric field can be effectively applied to the liquid crystal molecules 2218 .

次に、第1の配向膜2210が形成される。なお、第1の配向膜2210を形成後、液晶
分子の配向を制御するために、ラビング処理を行なってもよい。
Next, a first alignment film 2210 is formed. Note that after forming the first alignment film 2210, rubbing treatment may be performed in order to control the alignment of the liquid crystal molecules.

以上のように作製した第1の基板2201と、遮光膜2214、カラーフィルタ2215
、スペーサ2217、及び第2の配向膜2212を作製した第2の基板2216とが数マ
イクロメートルのギャップを持たせてシール材によって貼り合わせられる。そして、2枚
の基板間に液晶材料が注入される。
A first substrate 2201 manufactured as described above, a light shielding film 2214, and a color filter 2215
, a spacer 2217, and a second substrate 2216 on which a second alignment film 2212 is formed are bonded together with a sealing material with a gap of several micrometers. A liquid crystal material is then injected between the two substrates.

図30(B)は、FFS(Fringe Field Switching)方式ととト
ランジスタとを組み合わせた場合の画素の断面図の一例である。図30(B)に示す画素
構造を本発明の液晶表示装置に適用することによって、さらに視野角が大きくすることが
できる。
FIG. 30B is an example of a cross-sectional view of a pixel in which a fringe field switching (FFS) method and a transistor are combined. By applying the pixel structure shown in FIG. 30B to the liquid crystal display device of the present invention, the viewing angle can be further increased.

図30(B)に示す画素構造の特徴について説明する。図30(B)に示した液晶分子2
248、図28に示した液晶分子2018と同様、図30(B)においても液晶分子21
48の向きを図中に記す液晶分子の長さによって表現している。そのため、図30(B)
に示した液晶分子2248は、その長軸の向きが常に基板に対し水平の方向を向くように
配向している。図30(B)においては、液晶2241が存在する領域に電電界が生じて
いない状態における液晶分子2248配向を表しているが、液晶分子2248に電界が印
加されたときは、その長軸の向きが常に基板に対し水平の方向を維持したまま、水平面内
において回転する。この状態となることによって、視野角の大きい液晶表示装置を得るこ
とができる。
Features of the pixel structure shown in FIG. 30B will be described. Liquid crystal molecule 2 shown in FIG. 30(B)
248, similar to the liquid crystal molecules 2018 shown in FIG. 28, the liquid crystal molecules 21
The orientation of 48 is represented by the length of the liquid crystal molecules shown in the figure. Therefore, FIG. 30(B)
liquid crystal molecules 2248 shown in FIG. FIG. 30B shows the orientation of the liquid crystal molecules 2248 in a state where no electric field is generated in the region where the liquid crystal 2241 exists. rotates in the horizontal plane while always maintaining the horizontal direction with respect to the substrate. With this state, a liquid crystal display device with a wide viewing angle can be obtained.

なお、トランジスタとして、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタを用い
た場合について説明する。非晶質半導体を用いたトランジスタを用いた場合、大面積の基
板を用いて、安価に液晶表示装置を製造することができる。
Note that the case where a bottom-gate transistor including an amorphous semiconductor is used as the transistor is described. When a transistor including an amorphous semiconductor is used, a liquid crystal display device can be manufactured at low cost using a large substrate.

図30(B)において、液晶2241を挟持する2枚の基板は、第1の基板2231及び
第2の基板2246に相当する。なお、第1の基板2241には、トランジスタ及び画素
電極が形成され、第2の基板2246には、遮光膜2244、カラーフィルタ2245、
スペーサ2247、及び第2の配向膜2242が形成されている。
In FIG. 30B, the two substrates sandwiching the liquid crystal 2241 correspond to the first substrate 2231 and the second substrate 2246 . Note that a transistor and a pixel electrode are formed on the first substrate 2241, and a light shielding film 2244, a color filter 2245, and a light shielding film 2244 are formed on the second substrate 2246.
A spacer 2247 and a second alignment film 2242 are formed.

遮光膜2244を設けることにより、黒を表示する際に光漏れの少ない表示装置を得るこ
とができる。なお、第2の基板2246に遮光膜2244は特に形成されていなくてもよ
い。遮光膜2244を形成しない場合は、工程数を少なくすることが可能となるため、製
造コストの低減及び歩留まりの向上を図ることができる。
By providing the light shielding film 2244, a display device with less light leakage when displaying black can be obtained. Note that the light shielding film 2244 may not be particularly formed on the second substrate 2246 . When the light shielding film 2244 is not formed, the number of steps can be reduced, so that the manufacturing cost can be reduced and the yield can be improved.

また、第2の基板2246にカラーフィルタ2245が形成されていなくてもよい。カラ
ーフィルタ2245を形成しない場合においても、遮光膜と同様、工程数が減少すること
が可能となるため、製造コストを低減し、歩留まりの向上を図ることができる。ただし、
カラーフィルタ2245を形成しない場合であって、フィールドシーケンシャル駆動によ
ってカラー表示ができる表示装置を得ることができる。
Further, the color filter 2245 may not be formed over the second substrate 2246 . Even if the color filter 2245 is not formed, the number of steps can be reduced as in the case of the light shielding film, so that the manufacturing cost can be reduced and the yield can be improved. however,
Even if the color filter 2245 is not formed, a display device capable of color display can be obtained by field sequential driving.

また、スペーサ2247の代わりに球状のスペーサを散布してもよい。球状のスペーサを
散布する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができる。また、歩
留まりの向上を図ることができる。一方、スペーサ2247を形成する場合にはスペーサ
の位置がばらつかないため、2枚の基板間の距離をより容易に一定にすることができ、表
示ムラの少ない表示装置を得ることができる。
Also, instead of the spacers 2247, spherical spacers may be scattered. When spherical spacers are scattered, the manufacturing cost can be reduced because the number of steps is reduced. Also, the yield can be improved. On the other hand, when the spacers 2247 are formed, the positions of the spacers do not fluctuate, so the distance between the two substrates can be more easily made constant, and a display device with little display unevenness can be obtained.

第1の基板2231に施す加工について説明する。 Processing performed on the first substrate 2231 will be described.

まず、第1の基板2231上に、第1の絶縁膜2232がスパッタ法、印刷法又は塗布法
などによって成膜される。第1の絶縁膜2232は、基板からの不純物が半導体層に影響
を及ぼし、トランジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。ただし、なお、
基板2231として石英を用いるような場合には第1の絶縁膜2232は成膜されていな
くてもよい。
First, a first insulating film 2232 is formed on a first substrate 2231 by a sputtering method, a printing method, a coating method, or the like. The first insulating film 2232 has a function of preventing impurities from the substrate from affecting the semiconductor layer and changing the properties of the transistor. However,
When quartz is used as the substrate 2231, the first insulating film 2232 may not be formed.

次に、第1の絶縁膜2232上に、第1の導電層2233がフォトリソグラフィ法、レー
ザー直描法又はインクジェット法等を利用して形成される。
Next, a first conductive layer 2233 is formed over the first insulating film 2232 using a photolithography method, a laser direct drawing method, an inkjet method, or the like.

次に、第2の絶縁膜2234がスパッタ法、印刷法又は塗布法などによって全面に成膜さ
れている。第2の絶縁膜2234は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トラ
ンジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。
Next, a second insulating film 2234 is formed on the entire surface by a sputtering method, a printing method, a coating method, or the like. The second insulating film 2234 has a function of preventing impurities from the substrate from affecting the semiconductor layer and changing the properties of the transistor.

次に、第1の半導体層2235及び第2の半導体層2236が形成される。なお、第1の
半導体層2235及び第2の半導体層2236は連続して成膜され、これらの形状は同時
に加工される。
Next, a first semiconductor layer 2235 and a second semiconductor layer 2236 are formed. Note that the first semiconductor layer 2235 and the second semiconductor layer 2236 are formed continuously, and their shapes are processed at the same time.

次に、第2の導電層2237がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェッ
ト法などによって形成される。なお、第2の導電層2237の形状が加工されるときに行
われるエッチング方法としては、ドライエッチングを用いることが好適である。なお、第
2の導電層2237としては、透明性を有する材料を用いてもよいし、反射性を有する材
料を用いてもよい。
Next, a second conductive layer 2237 is formed by a photolithography method, a laser direct writing method, an inkjet method, or the like. Note that dry etching is preferably used as an etching method for processing the shape of the second conductive layer 2237 . Note that a transparent material or a reflective material may be used for the second conductive layer 2237 .

次に、トランジスタのチャネル領域を形成する。その工程の一例を説明する。第2の半導
体層2236は、第2の導電層2237をマスクとして用いてエッチングされる。また、
マスクには第2の導電層2237の形状を加工するためのマスクを用いてエッチングして
も良い。そして、第2の半導体層2236が除去された部分の第1の半導体層2235が
トランジスタのチャネル領域となる。このようにチャネル領域を形成することで、マスク
枚数を減らすことが可能となり、製造コストを低減することができる。
Next, a channel region of the transistor is formed. An example of the process will be described. The second semiconductor layer 2236 is etched using the second conductive layer 2237 as a mask. again,
A mask for processing the shape of the second conductive layer 2237 may be used as a mask for etching. A portion of the first semiconductor layer 2235 from which the second semiconductor layer 2236 is removed becomes a channel region of the transistor. By forming the channel region in this way, it is possible to reduce the number of masks, thereby reducing the manufacturing cost.

次に、第3の絶縁膜2238が形成され、第3の絶縁膜2238には選択的にコンタクト
ホールが形成されている。
Next, a third insulating film 2238 is formed, and contact holes are selectively formed in the third insulating film 2238 .

次に、第3の導電層2239がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェッ
ト法などによって形成されている。
Next, a third conductive layer 2239 is formed by a photolithography method, a laser direct drawing method, an inkjet method, or the like.

次に、第4の絶縁膜2249が形成され、第4の絶縁膜2249には選択的にコンタクト
ホールが形成されている。
Next, a fourth insulating film 2249 is formed, and contact holes are selectively formed in the fourth insulating film 2249 .

次に、第4の導電層2243がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェッ
ト法などによって形成される。ここで、第4の導電層2243の形状は、櫛歯状とする。
Next, a fourth conductive layer 2243 is formed by a photolithography method, a laser direct drawing method, an inkjet method, or the like. Here, the fourth conductive layer 2243 has a comb-like shape.

次に、第1の配向膜2240が形成される。なお、第1の配向膜2240を形成後、液晶
分子の配向を制御するために、ラビング処理を行なってもよい。
Next, a first alignment film 2240 is formed. Note that after forming the first alignment film 2240, rubbing treatment may be performed in order to control the alignment of the liquid crystal molecules.

以上のように作製した第1の基板2231と、遮光膜2244、カラーフィルタ2245
、スペーサ2247、及び第2の配向膜2242を作製した第2の基板2246とがシー
ル材によって数マイクロメートルのギャップを持たせて貼り合わせ、2枚の基板間に液晶
材料を注入することで、液晶パネルが作製できる。
A first substrate 2231 manufactured as described above, a light shielding film 2244, and a color filter 2245
, a spacer 2247, and a second substrate 2246 on which a second alignment film 2242 is formed are bonded together with a gap of several micrometers by a sealing material, and a liquid crystal material is injected between the two substrates. A liquid crystal panel can be produced.

ここで、各導電層又は各絶縁膜に用いることができる材料について説明する。 Here, materials that can be used for each conductive layer or each insulating film are described.

図28の第1の絶縁膜2002、図29(A)の第1の絶縁膜2102、図29(B)の
第1の絶縁膜2132、図30(A)の第1の絶縁膜2202、図30(B)の第1の絶
縁膜2232としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜(Si
OxNy)等の絶縁膜を用いることができる。また、これら絶縁膜は、酸化シリコン膜、
窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜(SiOxNy)等のうちの2つ以上の膜を組み
合わせた積層構造の絶縁膜を用いることができる。
The first insulating film 2002 in FIG. 28, the first insulating film 2102 in FIG. 29A, the first insulating film 2132 in FIG. 29B, the first insulating film 2202 in FIG. As the first insulating film 2232 of 30(B), a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film (Si
OxNy) or other insulating films can be used. Further, these insulating films are silicon oxide films,
An insulating film having a laminated structure in which two or more films such as a silicon nitride film or a silicon oxynitride film (SiOxNy) are combined can be used.

図28の第1の導電層2003、図29(A)の第1の導電層2103、図29(B)の
第1の導電層2133、図30(A)の第1の導電層2203、図30(B)の第1の導
電層2233としては、Mo、Ti、Al、Nd、Crなどの導電性材料を用いることが
できる。また、これら導電層は、Mo、Ti、Al、Nd、Crなどの導電性材料うち、
2つ以上を組み合わせた積層構造を用いることもできる。
The first conductive layer 2003 in FIG. 28, the first conductive layer 2103 in FIG. 29A, the first conductive layer 2133 in FIG. 29B, the first conductive layer 2203 in FIG. A conductive material such as Mo, Ti, Al, Nd, or Cr can be used for the first conductive layer 2233 of 30(B). These conductive layers are made of conductive materials such as Mo, Ti, Al, Nd, and Cr.
A laminate structure in which two or more are combined can also be used.

図28の第2の絶縁膜2004、図29(A)の第2の絶縁膜2104、図29(B)の
第2の絶縁膜2134、図30(A)の第2の絶縁膜2204、図30(B)の第2の絶
縁膜2234としては、熱酸化膜、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコ
ン膜などを用いることができる。また、熱酸化膜、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は
酸化窒化シリコン膜などのうち2以上を組み合わせた積層構造などを用いることができる
。なお、半導体層と接する部分では、酸化シリコン膜であることが好ましい。酸化シリコ
ン膜にすることにより、半導体層との界面におけるトラップ準位が少なくなるからである
。なお、Moと接する部分では、窒化シリコン膜であることが好ましい。窒化シリコン膜
はMoを酸化させないからである。
The second insulating film 2004 in FIG. 28, the second insulating film 2104 in FIG. 29A, the second insulating film 2134 in FIG. 29B, the second insulating film 2204 in FIG. As the second insulating film 2234 in 30B, a thermal oxide film, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or the like can be used. Alternatively, a stacked structure in which two or more of a thermal oxide film, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or the like is combined can be used. Note that the portion in contact with the semiconductor layer is preferably a silicon oxide film. This is because the use of a silicon oxide film reduces the trap level at the interface with the semiconductor layer. Note that the portion in contact with Mo is preferably a silicon nitride film. This is because the silicon nitride film does not oxidize Mo.

図28の第1の半導体層2005、図29(A)の第1の半導体層2105、図29(B
)の第1の半導体層2135、図30(A)の第1の半導体層2205、図30(B)の
第1の半導体層2235としては、シリコン又はシリコンゲルマニウム(SiGe)など
を用いることができる。
The first semiconductor layer 2005 in FIG. 28, the first semiconductor layer 2105 in FIG.
), the first semiconductor layer 2205 in FIG. 30A, and the first semiconductor layer 2235 in FIG. 30B, silicon, silicon germanium (SiGe), or the like can be used. .

図28の第2の半導体層2006、図29(A)の第2の半導体層2106、図29(B
)の第2の半導体層2136、図30(A)の第2の半導体層2206、図30(B)の
第2の半導体層2236としては、リン等を含んだシリコン等を用いることができる。
The second semiconductor layer 2006 in FIG. 28, the second semiconductor layer 2106 in FIG.
), the second semiconductor layer 2206 in FIG. 30A, and the second semiconductor layer 2236 in FIG. 30B, silicon containing phosphorus or the like can be used.

図28の第2の導電層2007及び第3の導電層2009、図29(A)の第2の導電層
2107及び第3の導電層2109、図29(B)の第2の導電層2137及び第2の導
電層2139、図30(A)の第2の導電層2207及び第2の導電層2209、もしく
は図30(B)の第2の導電層2237、第3の導電層2239及び第4の導電層224
3の透明性を有する材料としては、酸化インジウムに酸化スズを混ぜたインジウムスズ酸
化物(ITO)膜、インジウムスズ酸化物(ITO)に酸化珪素を混ぜたインジウムスズ
珪素酸化物(ITSO)膜、酸化インジウムに酸化亜鉛を混ぜたインジウム亜鉛酸化物(
IZO)膜、酸化亜鉛膜又は酸化スズ膜などを用いることができる。なお、IZOは、I
TOに2~20wt%の酸化亜鉛(ZnO)を混合させたターゲットを用いてスパッタリ
ングにより形成することができる。
The second conductive layer 2007 and the third conductive layer 2009 in FIG. 28, the second conductive layer 2107 and the third conductive layer 2109 in FIG. 29A, the second conductive layer 2137 in FIG. The second conductive layer 2139, the second conductive layer 2207 and the second conductive layer 2209 in FIG. 30A, or the second conductive layer 2237, the third conductive layer 2239 and the fourth conductive layer 2239 in FIG. conductive layer 224 of
Materials having transparency of 3 include an indium tin oxide (ITO) film in which tin oxide is mixed with indium oxide, an indium tin silicon oxide (ITSO) film in which silicon oxide is mixed with indium tin oxide (ITO), Indium zinc oxide (indium zinc oxide mixed with indium oxide)
IZO) film, zinc oxide film, tin oxide film, or the like can be used. Note that IZO is
It can be formed by sputtering using a target in which 2 to 20 wt % of zinc oxide (ZnO) is mixed with TO.

また、図28の第2の導電層2007及び第3の導電層2009、図29(A)の第2の
導電層2107及び第3の導電層2109、図29(B)の第2の導電層2137及び第
2の導電層2139、図30(A)の第2の導電層2207及び第2の導電層2209、
もしくは図30(B)の第2の導電層2237、第2の導電層2239及び第4の導電層
2243の反射性を有する材料としては、Ti、Mo、Ta、Cr、W、Alなどを用い
ることができる。あるいは、Ti、Mo、Ta、Cr、WとAlを積層させた2層構造、
AlをTi、Mo、Ta、Cr、Wなどの金属で挟んだ3層積層構造としてもよい。
28, the second conductive layer 2107 and the third conductive layer 2109 in FIG. 29A, and the second conductive layer in FIG. 2137 and the second conductive layer 2139, the second conductive layer 2207 and the second conductive layer 2209 in FIG.
Alternatively, Ti, Mo, Ta, Cr, W, Al, or the like is used as a reflective material for the second conductive layer 2237, the second conductive layer 2239, and the fourth conductive layer 2243 in FIG. be able to. Alternatively, a two-layer structure in which Ti, Mo, Ta, Cr, W and Al are laminated,
A three-layer laminated structure in which Al is sandwiched between metals such as Ti, Mo, Ta, Cr, and W may be employed.

図28の第3の絶縁膜2008、図29(A)の第3の絶縁膜2108、図29(B)の
第3の絶縁膜2138、図29(B)の第3の導電層2139、図30(A)の第3の絶
縁膜2208、図30(B)の第3の絶縁膜2238及び第4の絶縁膜2249としては
、無機材料(酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど)あるいは低誘電率の
有機化合物材料(感光性又は非感光性の有機樹脂材料)などを用いることができる。また
、シロキサンを含む材料を用いることもできる。なお、シロキサンは、シリコン(Si)
と酸素(O)との結合で骨格構造が構成される材料である。置換基として、少なくとも水
素を含む有機基(例えばアルキル基、アリール基)が用いられる。あるいは、置換基とし
てフルオロ基を用いてもよい。あるいは、置換基として、少なくとも水素を含む有機基と
、フルオロ基とを用いてもよい。
The third insulating film 2008 in FIG. 28, the third insulating film 2108 in FIG. 29A, the third insulating film 2138 in FIG. 29B, the third conductive layer 2139 in FIG. 30A, the third insulating film 2238 and the fourth insulating film 2249 in FIG. A dielectric constant organic compound material (photosensitive or non-photosensitive organic resin material) or the like can be used. A material containing siloxane can also be used. Note that siloxane is silicon (Si)
and oxygen (O) to form a skeletal structure. As a substituent, an organic group containing at least hydrogen (for example, an alkyl group or an aryl group) is used. Alternatively, a fluoro group may be used as a substituent. Alternatively, an organic group containing at least hydrogen and a fluoro group may be used as substituents.

図28の第1の配向膜2010、図29(A)の第1の配向膜2110、図29(B)の
第1の配向膜2140、図29(B)の第1の配向膜2210、図30(B)の第1の配
向膜2240としては、ポリイミドなどの高分子膜を用いることができる。
The first alignment film 2010 in FIG. 28, the first alignment film 2110 in FIG. 29A, the first alignment film 2140 in FIG. 29B, the first alignment film 2210 in FIG. A polymer film such as polyimide can be used as the first alignment film 2240 of 30(B).

次に、各液晶モードとトランジスタとを組み合わせた場合の画素構造について、画素の上
面図(レイアウト図)を参照して説明する。
Next, a pixel structure when each liquid crystal mode and a transistor are combined will be described with reference to a top view (layout diagram) of a pixel.

なお、液晶モードとしては、TN(Twisted Nematic)モード、IPS(
In-Plane-Switching)モード、FFS(Fringe Field
Switching)モード、MVA(Multi-domain Vertical
Alignment)モード、PVA(Patterned Vertical Ali
gnment)、ASM(Axially Symmetric aligned Mi
cro-cell)モード、OCB(Optical Compensated Bir
efringence)モード、FLC(Ferroelectric Liquid
Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liqui
d Crystal)などを用いることができる。
Liquid crystal modes include TN (Twisted Nematic) mode, IPS (
In-Plane-Switching) mode, FFS (Fringe Field)
Switching) mode, MVA (Multi-domain Vertical)
alignment) mode, PVA (Patterned Vertical Ali
gnment), ASM (Axially Symmetrically aligned Mi
cro-cell) mode, OCB (Optical Compensated Bir
efringence) mode, FLC (Ferroelectric Liquid
Crystal) mode, AFLC (Anti-Ferroelectric Liqui
d Crystal) and the like can be used.

なお、トランジスタとしては、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶(マイクロクリ
スタル、セミアモルファスとも言う)シリコンなどに代表される非単結晶半導体層を有す
る薄膜トランジスタ(TFT)などを用いることが出来る。
Note that as the transistor, a thin film transistor (TFT) including a non-single-crystal semiconductor layer typified by amorphous silicon, polycrystalline silicon, microcrystalline (also referred to as microcrystalline or semi-amorphous) silicon, or the like can be used.

なお、トランジスタの構造としては、トップゲート型又はボトムゲート型などを用いるこ
とができる。ボトムゲート型のトランジスタとしては、チャネルエッチ型又はチャネル保
護型などを用いることができる。
Note that as a structure of the transistor, a top-gate type, a bottom-gate type, or the like can be used. As a bottom-gate transistor, a channel-etched transistor, a channel-protected transistor, or the like can be used.

図31にTN方式とトランジスタとを組み合わせた場合の画素の上面図の一例を示す。 FIG. 31 shows an example of a top view of a pixel in which the TN system and transistors are combined.

図31に示す画素は、第1のトランジスタ2304、第2のトランジスタ2305、第3
のトランジスタ2306、第1の液晶容量、第2の液晶容量、第1の保持容量及び第2の
保持容量とを有し、走査線2301と、信号線2302と、Cs線2311に接続されて
いる。なお、図31に示す画素構成の等価回路図は、図6と同様であるため詳細な説明は
省略する。
The pixel shown in FIG. 31 includes a first transistor 2304, a second transistor 2305, a third
, a first liquid crystal capacitor, a second liquid crystal capacitor, a first storage capacitor, and a second storage capacitor, and are connected to a scanning line 2301, a signal line 2302, and a Cs line 2311. . Note that the equivalent circuit diagram of the pixel configuration shown in FIG. 31 is the same as that of FIG. 6, so detailed description thereof will be omitted.

図31において、第1の液晶容量を構成する画素電極は画素電極2307に、第2のの液
晶容量を構成する画素電極は画素電極2308に相当する。また、第1の保持容量は、画
素部の外部でCs線2311と接続された容量線2312と、画素電極2307に接続さ
れた半導体層2309と、これらの間に設けられた絶縁膜より構成されている。第2の保
持容量においても、第1の保持容量と同様に、容量線2312と、画素電極2308に接
続された半導体層2310と、これらの間に設けられた絶縁膜より構成されている。なお
、第1の保持容量及び第2の保持容量を構成する容量線2312はトランジスタ2304
~2306を構成するゲート電極を含む走査線2301やCs線2301と、半導体層2
309、2310はトランジスタ2304~2306を構成するソース領域、ドレイン領
域やチャネル形成領域を含む半導体層と同一工程にて作製されている。また、第1の保持
容量及び第2の保持容量を構成する絶縁膜においても、トランジスタ2304~2306
を構成するゲート絶縁膜と同一工程にて作製された膜を利用することができる。
In FIG. 31, the pixel electrode forming the first liquid crystal capacitor corresponds to the pixel electrode 2307 and the pixel electrode forming the second liquid crystal capacitor corresponds to the pixel electrode 2308 . The first storage capacitor is composed of a capacitor line 2312 connected to the Cs line 2311 outside the pixel portion, a semiconductor layer 2309 connected to the pixel electrode 2307, and an insulating film provided therebetween. ing. Similarly to the first storage capacitor, the second storage capacitor is composed of a capacitor line 2312, a semiconductor layer 2310 connected to the pixel electrode 2308, and an insulating film provided therebetween. Note that the capacitor line 2312 forming the first storage capacitor and the second storage capacitor is a transistor 2304
2306 including the scanning line 2301 and the Cs line 2301 including the gate electrode, and the semiconductor layer 2
309 and 2310 are manufactured in the same process as the semiconductor layers including source regions, drain regions and channel forming regions that constitute the transistors 2304 to 2306 . Further, in the insulating films forming the first storage capacitor and the second storage capacitor, the transistors 2304 to 2306
A film manufactured in the same process as that of the gate insulating film constituting the can be used.

図31に示すように配向状態の異なる2つの液晶容量を利用して、視野角特性に優れた液
晶表示装置を得ることができる。なお、図31に示す上面図は一例であり、これに限定さ
れるものではない。
As shown in FIG. 31, two liquid crystal capacitors with different alignment states can be used to obtain a liquid crystal display device with excellent viewing angle characteristics. Note that the top view shown in FIG. 31 is an example, and the present invention is not limited to this.

なお、各々のトランジスタにおいて、ソース電極及びドレイン電極の一方が他方の電極を
包み囲むような構造とすることで、チャネル幅をかせぐことができる。このような構造は
、画素を構成するトランジスタの半導体層に結晶性半導体層より移動度の低い非晶質半導
体層を用いた際には特に有効である。
Note that when each transistor has a structure in which one of a source electrode and a drain electrode surrounds the other electrode, a channel width can be increased. Such a structure is particularly effective when an amorphous semiconductor layer having a lower mobility than a crystalline semiconductor layer is used as a semiconductor layer of a transistor forming a pixel.

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容(
一部でもよい)は、別の図で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。
In the present embodiment, descriptions have been made using various diagrams, but the contents described in each diagram (
may be part of it) shall apply, combine, or
Alternatively, replacement can be freely performed. Furthermore, in the figures described so far, more figures can be configured by combining each part with another part.

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容(一部でもよい)は、別の実施の形態およ
び実施例の図で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関し
て、別の実施の形態および実施例の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構
成させることが出来る。
Similarly, the content (may be part of) described in each figure of this embodiment is applied or combined with the content (may be part of) described in the figures of other embodiments and examples. , or can be freely replaced. Furthermore, in the drawings of this embodiment, more drawings can be formed by combining parts of other embodiments and examples with respect to each part.

なお、本実施の形態は、他の実施の形態および実施例で述べた内容(一部でもよい)を、
具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した
場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての
一例などを示している。したがって、他の実施の形態および実施例で述べた内容は、本実
施の形態への適用、組み合わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
In this embodiment, the contents (or part of them) described in other embodiments and examples are
Example of implementation, example of slight modification, example of partial change, example of improvement, example of detailed description, example of application, example of related parts etc. Therefore, the contents described in other embodiments and examples can be freely applied to, combined with, or replaced with this embodiment.

(実施の形態7)
本実施の形態においては、各種液晶モードについて断面図を用いて説明する。
(Embodiment 7)
In this embodiment mode, various liquid crystal modes will be described with reference to cross-sectional views.

図32(A)、(B)は、TNモードの断面の模式図を示す。 32A and 32B show schematic diagrams of cross sections in TN mode.

互いに対向するように配置された第1の基板3301及び第2の基板3302に、液晶層
3300が挟持されている。第1の基板3301の上面には、第1の電極3305が形成
されている。第2の基板3302の上面には、第2の電極3306が形成されている。第
1の基板3301の液晶層と反対側には、第1の偏光板3303が配置されている。第2
の基板3302の液晶層と反対側には、第2の偏光板3304が配置されている。なお、
第1の偏光板3303と第2の偏光板3304とは、クロスニコルになるように配置され
ている。
A liquid crystal layer 3300 is sandwiched between a first substrate 3301 and a second substrate 3302 which are arranged to face each other. A first electrode 3305 is formed on the upper surface of the first substrate 3301 . A second electrode 3306 is formed on the upper surface of the second substrate 3302 . A first polarizing plate 3303 is arranged on the side of the first substrate 3301 opposite to the liquid crystal layer. second
A second polarizing plate 3304 is arranged on the side of the substrate 3302 opposite to the liquid crystal layer. note that,
The first polarizing plate 3303 and the second polarizing plate 3304 are arranged so as to form crossed Nicols.

第1の偏光板3303は、第1の基板3301の上面に配置されてもよい。第2の偏光板
3304は、第2の基板3302の上面に配置されてもよい。
The first polarizing plate 3303 may be arranged on the top surface of the first substrate 3301 . A second polarizer 3304 may be placed on top of the second substrate 3302 .

第1の電極3305及び第2の電極3306のうち、少なくとも一方(又は両方)の電極
が透光性を有していればよい(透過型又は反射型)。あるいは、両方の電極が透光性を有
し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい(半透過型)。
At least one (or both) of the first electrode 3305 and the second electrode 3306 should be translucent (transmissive or reflective). Alternatively, both electrodes may be translucent and part of one electrode may be reflective (transflective).

図32(A)は、第1の電極3305及び第2の電極3306に電圧が印加(縦電界方式
と呼ぶ)された場合の断面の模式図である。液晶分子が縦に並んだ状態となるため、バッ
クライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第1の偏光板3303
と第2の偏光板3304とがクロスニコルになるように配置されているため、バックライ
トからの光は基板を通過できない。したがって、黒色表示が行われる。
FIG. 32A is a schematic cross-sectional view when a voltage is applied to the first electrode 3305 and the second electrode 3306 (referred to as a vertical electric field method). Since the liquid crystal molecules are aligned vertically, the light from the backlight is not affected by the birefringence of the liquid crystal molecules. And the first polarizing plate 3303
and the second polarizing plate 3304 are arranged in crossed Nicols, light from the backlight cannot pass through the substrate. Therefore, black display is performed.

図32(B)は、第1の電極3305及び第2の電極3306に電圧が印加されていない
場合の断面の模式図である。液晶分子が横に並び、第1の電極3305から第2の電極3
306にかけて回転している状態となるため、バックライトからの光は液晶分子の複屈折
の影響を受ける。そして、第1の偏光板3303と第2の偏光板3304とがクロスニコ
ルになるように配置されているため、バックライトからの光は基板を通過する。したがっ
て、白色表示が行われる。いわゆるノーマリーホワイトモードである。
FIG. 32B is a schematic cross-sectional view when no voltage is applied to the first electrode 3305 and the second electrode 3306. FIG. Liquid crystal molecules are arranged side by side, and from the first electrode 3305 to the second electrode 3
Since it is in a state of rotation toward 306, the light from the backlight is affected by the birefringence of the liquid crystal molecules. Since the first polarizing plate 3303 and the second polarizing plate 3304 are arranged in crossed Nicols, the light from the backlight passes through the substrate. Therefore, white display is performed. This is the so-called normally white mode.

第1の電極3305及び第2の電極3306に印加する電圧を制御することで、液晶分子
の状態、即ち配向を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光を液
晶分子によって制御することができるため、所定の映像表示を行うことが可能である。
By controlling the voltage applied to the first electrode 3305 and the second electrode 3306, it is possible to control the state of the liquid crystal molecules, that is, the orientation. Therefore, since the light from the backlight can be controlled by the liquid crystal molecules, it is possible to display a predetermined image.

図32(A)、(B)に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第1の基板3301側又
は第2の基板3302側に設けることができる。
The liquid crystal display device having the structure shown in FIGS. 32A and 32B can perform full-color display by providing a color filter. A color filter can be provided on the first substrate 3301 side or the second substrate 3302 side.

TNモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。 A known liquid crystal material may be used for the TN mode.

図33(A)、(B)は、VAモードの断面の模式図を示す。VAモードは、無電界の時
に液晶分子が基板に垂直となるように配向されているモードである。
FIGS. 33A and 33B show schematic diagrams of cross sections in VA mode. The VA mode is a mode in which the liquid crystal molecules are oriented perpendicular to the substrate when no electric field is applied.

互いに対向するように配置された第1の基板3401及び第2の基板3402に、液晶層
3400が挟持されている。第1の基板3401の上面には、第1の電極3405が形成
されている。第2の基板3402の上面には、第2の電極3406が形成されている。第
1の基板3401の液晶層と反対側には、第1の偏光板3403が配置されている。第2
の基板3402の液晶層と反対側には、第2の偏光板3404が配置されている。なお、
第1の偏光板3403と第2の偏光板3404とは、クロスニコルになるように配置され
ている。
A liquid crystal layer 3400 is sandwiched between a first substrate 3401 and a second substrate 3402 which are arranged to face each other. A first electrode 3405 is formed on the upper surface of the first substrate 3401 . A second electrode 3406 is formed on the upper surface of the second substrate 3402 . A first polarizing plate 3403 is arranged on the side of the first substrate 3401 opposite to the liquid crystal layer. second
A second polarizing plate 3404 is arranged on the side of the substrate 3402 opposite to the liquid crystal layer. note that,
The first polarizing plate 3403 and the second polarizing plate 3404 are arranged so as to form crossed Nicols.

第1の偏光板3403は、第1の基板3401の上面に配置されてもよい。第2の偏光板
3404は、第2の基板3402の上面に配置されてもよい。
The first polarizing plate 3403 may be arranged on the top surface of the first substrate 3401 . A second polarizer 3404 may be placed on top of the second substrate 3402 .

第1の電極3405及び第2の電極3406のうち、少なくとも一方(又は両方)の電極
が透光性を有していればよい(透過型又は反射型)。あるいは、両方の電極が透光性を有
し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい(半透過型)。
At least one (or both) of the first electrode 3405 and the second electrode 3406 should be translucent (transmissive or reflective). Alternatively, both electrodes may be translucent and part of one electrode may be reflective (transflective).

図33(A)は、第1の電極3405及び第2の電極3406に電圧が印加(縦電界方式
と呼ぶ)された場合の断面の模式図である。液晶分子が横に並んだ状態となるため、バッ
クライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受ける。そして、第1の偏光板3403と
第2の偏光板3404とがクロスニコルになるように配置されているため、バックライト
からの光は基板を通過する。したがって、白色表示が行われる。
FIG. 33A is a schematic cross-sectional view when a voltage is applied to the first electrode 3405 and the second electrode 3406 (referred to as a vertical electric field method). Since the liquid crystal molecules are arranged horizontally, the light from the backlight is affected by the birefringence of the liquid crystal molecules. Since the first polarizing plate 3403 and the second polarizing plate 3404 are arranged in crossed Nicols, the light from the backlight passes through the substrate. Therefore, white display is performed.

図33(B)は、第1の電極3405及び第2の電極3406に電圧が印加されていない
場合の断面の模式図である。液晶分子が縦に並んだ状態となるため、バックライトからの
光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第1の偏光板3403と第2の偏光板
3404とがクロスニコルになるように配置されているため、バックライトからの光は基
板を通過しない。したがって、黒色表示が行われる。いわゆるノーマリーブラックモード
である。
FIG. 33B is a schematic cross-sectional view when no voltage is applied to the first electrode 3405 and the second electrode 3406. FIG. Since the liquid crystal molecules are aligned vertically, the light from the backlight is not affected by the birefringence of the liquid crystal molecules. Since the first polarizing plate 3403 and the second polarizing plate 3404 are arranged in crossed Nicols, the light from the backlight does not pass through the substrate. Therefore, black display is performed. This is the so-called normally black mode.

第1の電極3405及び第2の電極3406に印加する電圧を制御することで、液晶分子
の状態、即ち配向を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光を液
晶分子によって制御することができるため、所定の映像表示を行うことが可能である。
By controlling the voltage applied to the first electrode 3405 and the second electrode 3406, it is possible to control the state of the liquid crystal molecules, that is, the orientation. Therefore, since the light from the backlight can be controlled by the liquid crystal molecules, it is possible to display a predetermined image.

図34(A)、(B)に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第1の基板3401側又
は第2の基板3402側に設けることができる。
The liquid crystal display device having the structure shown in FIGS. 34A and 34B can perform full-color display by providing a color filter. A color filter can be provided on the first substrate 3401 side or the second substrate 3402 side.

VAモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。 A known liquid crystal material may be used for the VA mode.

図33(C)、(D)は、MVAモードの断面の模式図を示す。MVAモードは、それぞ
れの部分の視野角依存性を互いに補償する方法である。
FIGS. 33C and 33D show schematic cross-sectional views of the MVA mode. The MVA mode is a method of mutually compensating the viewing angle dependence of each part.

互いに対向するように配置された第1の基板3411及び第2の基板3412に、液晶層
3410が挟持されている。第1の基板3411の上面には、第1の電極3415が形成
されている。第2の基板3412の上面には、第2の電極3416が形成されている。第
1の電極3415上には、配向制御用に第1の突起物3417が形成されている。第2の
電極3416上には、配向制御用に第2の突起物3418が形成されている。第1の基板
3411の液晶層と反対側には、第1の偏光板3413が配置されている。第2の基板3
412の液晶層と反対側には、第2の偏光板3414が配置されている。なお、第1の偏
光板3413と第2の偏光板3414とは、クロスニコルになるように配置されている。
A liquid crystal layer 3410 is sandwiched between a first substrate 3411 and a second substrate 3412 which are arranged to face each other. A first electrode 3415 is formed on the upper surface of the first substrate 3411 . A second electrode 3416 is formed on the upper surface of the second substrate 3412 . A first projection 3417 is formed on the first electrode 3415 for orientation control. A second projection 3418 is formed on the second electrode 3416 for orientation control. A first polarizing plate 3413 is arranged on the side of the first substrate 3411 opposite to the liquid crystal layer. second substrate 3
A second polarizing plate 3414 is arranged on the side of 412 opposite to the liquid crystal layer. Note that the first polarizing plate 3413 and the second polarizing plate 3414 are arranged so as to form crossed Nicols.

第1の偏光板3413は、第1の基板3411の上面に配置されてもよい。第2の偏光板
3414は、第2の基板3412の上面に配置されてもよい。
The first polarizing plate 3413 may be arranged on the top surface of the first substrate 3411 . A second polarizer 3414 may be placed on top of the second substrate 3412 .

第1の電極3415及び第2の電極3416のうち、少なくとも一方(又は両方)の電極
が透光性を有していればよい(透過型又は反射型)。あるいは、両方の電極が透光性を有
し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい(半透過型)。
At least one (or both) of the first electrode 3415 and the second electrode 3416 should be translucent (transmissive or reflective). Alternatively, both electrodes may be translucent and part of one electrode may be reflective (transflective).

図33(C)は、第1の電極3415及び第2の電極3416に電圧が印加(縦電界方式
と呼ぶ)された場合の断面の模式図である。バックライトからの光は液晶分子の複屈折の
影響を受ける。そして、第1の偏光板3413と第2の偏光板3414とがクロスニコル
になるように配置されているため、バックライトからの光は基板を通過する。したがって
、白色表示が行われる。また、液晶分子が第1の突起物3417及び第2の突起物341
8に影響を受け、第1の突起物3417及び第2の突起物3418に対して倒れて並んだ
状態となる。よって、視野角をさらに向上させることが可能である。
FIG. 33C is a schematic cross-sectional view when a voltage is applied to the first electrode 3415 and the second electrode 3416 (referred to as a vertical electric field method). Light from the backlight is affected by the birefringence of the liquid crystal molecules. Since the first polarizing plate 3413 and the second polarizing plate 3414 are arranged in crossed Nicols, the light from the backlight passes through the substrate. Therefore, white display is performed. In addition, the liquid crystal molecules form the first projection 3417 and the second projection 341
8, and falls side by side with respect to the first protrusion 3417 and the second protrusion 3418 . Therefore, it is possible to further improve the viewing angle.

図33(D)は、第1の電極3415及び第2の電極3416に電圧が印加されていない
場合の断面の模式図である。液晶分子が縦に並んだ状態となるため、バックライトからの
光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第1の偏光板3413と第2の偏光板
3414とがクロスニコルになるように配置されているため、バックライトからの光は基
板を通過しない。したがって、黒色表示が行われる。いわゆるノーマリーブラックモード
である。
FIG. 33D is a schematic cross-sectional view when no voltage is applied to the first electrode 3415 and the second electrode 3416. FIG. Since the liquid crystal molecules are aligned vertically, the light from the backlight is not affected by the birefringence of the liquid crystal molecules. Since the first polarizing plate 3413 and the second polarizing plate 3414 are arranged in crossed Nicols, the light from the backlight does not pass through the substrate. Therefore, black display is performed. This is the so-called normally black mode.

なお、第1の電極3415及び第2の電極3416に印加する電圧を制御することで、液
晶分子の状態即ち配向を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光
を液晶分子によって制御することができるため、所定の映像表示を行うことが可能である
By controlling the voltage applied to the first electrode 3415 and the second electrode 3416, the state, that is, the orientation of the liquid crystal molecules can be controlled. Therefore, since the light from the backlight can be controlled by the liquid crystal molecules, it is possible to display a predetermined image.

図36(C)、(D)に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第1の基板3411側又
は第2の基板3412側に設けることができる。
A liquid crystal display device having the structure shown in FIGS. 36C and 36D can perform full-color display by providing a color filter. A color filter can be provided on the first substrate 3411 side or the second substrate 3412 side.

MVAモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。 A known liquid crystal material may be used for the MVA mode.

図34(A)、(B)は、OCBモードの断面の模式図を示す。OCBモードは、液晶層
内で液晶分子の配列が光学的に補償状態を形成しているため、視野角依存性が少ない。こ
の液晶分子の状態は、ベンド配向と呼ばれる。
FIGS. 34A and 34B show schematic diagrams of cross sections in the OCB mode. In the OCB mode, the alignment of liquid crystal molecules in the liquid crystal layer forms an optically compensated state, so viewing angle dependency is small. This state of liquid crystal molecules is called bend alignment.

互いに対向するように配置された第1の基板3501及び第2の基板3502に、液晶層
3500が挟持されている。第1の基板3501の上面には、第1の電極3505が形成
されている。第2の基板3502の上面には、第2の電極3506が形成されている。第
1の基板3501の液晶層と反対側には、第1の偏光板3503が配置されている。第2
の基板3502の液晶層と反対側には、第2の偏光板336が配置されている。なお、第
1の偏光板3503と第2の偏光板336とは、クロスニコルになるように配置されてい
る。
A liquid crystal layer 3500 is sandwiched between a first substrate 3501 and a second substrate 3502 which are arranged to face each other. A first electrode 3505 is formed on the upper surface of the first substrate 3501 . A second electrode 3506 is formed on the upper surface of the second substrate 3502 . A first polarizing plate 3503 is arranged on the side of the first substrate 3501 opposite to the liquid crystal layer. second
A second polarizing plate 336 is arranged on the side of the substrate 3502 opposite to the liquid crystal layer. Note that the first polarizing plate 3503 and the second polarizing plate 336 are arranged so as to form crossed Nicols.

第1の偏光板3503は、第1の基板3501の上面に配置されてもよい。第2の偏光板
336は、第2の基板3502の上面に配置されてもよい。
The first polarizing plate 3503 may be arranged on the top surface of the first substrate 3501 . A second polarizer 336 may be placed on top of the second substrate 3502 .

第1の電極3505及び第2の電極3506のうち、少なくとも一方(又は両方)の電極
が透光性を有していればよい(透過型又は反射型)。あるいは、両方の電極が透光性を有
し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい(半透過型)。
At least one (or both) of the first electrode 3505 and the second electrode 3506 should be translucent (transmissive or reflective). Alternatively, both electrodes may be translucent and part of one electrode may be reflective (transflective).

図34(A)は、第1の電極3505及び第2の電極3506に電圧が印加(縦電界方式
と呼ぶ)された場合の断面の模式図である。液晶分子が縦に並んだ状態となるため、バッ
クライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第1の偏光板3503
と第2の偏光板336とがクロスニコルになるように配置されているため、バックライト
からの光は基板を通過しない。したがって、黒色表示が行われる。
FIG. 34A is a schematic cross-sectional view when a voltage is applied to the first electrode 3505 and the second electrode 3506 (referred to as a vertical electric field method). Since the liquid crystal molecules are aligned vertically, the light from the backlight is not affected by the birefringence of the liquid crystal molecules. And the first polarizing plate 3503
and the second polarizing plate 336 are arranged in crossed Nicols, light from the backlight does not pass through the substrate. Therefore, black display is performed.

図34(B)は、第1の電極3505及び第2の電極3506に電圧が印加されていない
場合の断面の模式図である。液晶分子がベンド配向の状態となるため、バックライトから
の光は液晶分子の複屈折の影響を受ける。そして、第1の偏光板3503と第2の偏光板
336とがクロスニコルになるように配置されているため、バックライトからの光は基板
を通過する。したがって、白色表示が行われる。いわゆるノーマリーホワイトモードであ
る。
FIG. 34B is a schematic cross-sectional view when no voltage is applied to the first electrode 3505 and the second electrode 3506. FIG. Since the liquid crystal molecules are in a bend alignment state, the light from the backlight is affected by the birefringence of the liquid crystal molecules. Since the first polarizing plate 3503 and the second polarizing plate 336 are arranged in crossed Nicols, the light from the backlight passes through the substrate. Therefore, white display is performed. This is the so-called normally white mode.

なお、第1の電極3505及び第2の電極3506に印加する電圧を制御することで、液
晶分子の状態、即ち配向を制御することが可能である。したがって、バックライトからの
光を液晶分子によって制御することができるため、所定の映像表示を行うことが可能であ
る。
By controlling the voltage applied to the first electrode 3505 and the second electrode 3506, the state of the liquid crystal molecules, that is, the orientation can be controlled. Therefore, since the light from the backlight can be controlled by the liquid crystal molecules, it is possible to display a predetermined image.

図34(A)、(B)に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第1の基板3501側又
は第2の基板3502側に設けることができる。
The liquid crystal display device having the structure shown in FIGS. 34A and 34B can perform full-color display by providing a color filter. A color filter can be provided on the first substrate 3501 side or the second substrate 3502 side.

OCBモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。 A known liquid crystal material may be used for the OCB mode.

図34(C)、(D)は、FLCモード又はAFLCモードの断面の模式図を示す。 FIGS. 34C and 34D show schematic views of cross sections in FLC mode or AFLC mode.

互いに対向するように配置された第1の基板3511及び第2の基板3512に、液晶層
3510が挟持されている。第1の基板3511の上面には、第1の電極3515が形成
されている。第2の基板3512の上面には、第2の電極3516が形成されている。第
1の基板3511の液晶層と反対側には、第1の偏光板3513が配置されている。第2
の基板3512の液晶層と反対側には、第2の偏光板3514が配置されている。なお、
第1の偏光板3513と第2の偏光板3514とは、クロスニコルになるように配置され
ている。
A liquid crystal layer 3510 is sandwiched between a first substrate 3511 and a second substrate 3512 which are arranged to face each other. A first electrode 3515 is formed on the upper surface of the first substrate 3511 . A second electrode 3516 is formed on the upper surface of the second substrate 3512 . A first polarizing plate 3513 is arranged on the side of the first substrate 3511 opposite to the liquid crystal layer. second
A second polarizing plate 3514 is arranged on the side of the substrate 3512 opposite to the liquid crystal layer. note that,
The first polarizing plate 3513 and the second polarizing plate 3514 are arranged so as to form crossed Nicols.

第1の偏光板3513は、第1の基板3511の上面に配置されてもよい。第2の偏光板
3514は、第2の基板3512の上面に配置されてもよい。
The first polarizing plate 3513 may be arranged on the top surface of the first substrate 3511 . A second polarizer 3514 may be placed on top of the second substrate 3512 .

第1の電極3515及び第2の電極3516のうち、少なくとも一方(又は両方)の電極
が透光性を有していればよい(透過型又は反射型)。あるいは、両方の電極が透光性を有
し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい(半透過型)。
At least one (or both) of the first electrode 3515 and the second electrode 3516 should be translucent (transmissive or reflective). Alternatively, both electrodes may be translucent and part of one electrode may be reflective (transflective).

図34(C)は、第1の電極3515及び第2の電極3516に電圧が印加(縦電界方式
と呼ぶ)された場合の断面の模式図である。液晶分子がラビング方向からずれた方向で横
に並んでいる状態となるため、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受ける
。そして、第1の偏光板3513と第2の偏光板3514とがクロスニコルになるように
配置されているため、バックライトからの光は基板を通過する。したがって、白色表示が
行われる。
FIG. 34C is a schematic cross-sectional view when a voltage is applied to the first electrode 3515 and the second electrode 3516 (referred to as a vertical electric field method). Since the liquid crystal molecules are arranged side by side in a direction deviated from the rubbing direction, the light from the backlight is affected by the birefringence of the liquid crystal molecules. Since the first polarizing plate 3513 and the second polarizing plate 3514 are arranged in crossed Nicols, the light from the backlight passes through the substrate. Therefore, white display is performed.

図34(D)は、第1の電極3515及び第2の電極3516に電圧が印加されていない
場合の断面の模式図である。液晶分子がラビング方向に沿って横に並んだ状態となるため
、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第1の偏光板3
513と第2の偏光板3514とがクロスニコルになるように配置されているため、バッ
クライトからの光は基板を通過しない。したがって、黒色表示が行われる。いわゆるノー
マリーブラックモードである。
FIG. 34D is a schematic cross-sectional view when no voltage is applied to the first electrode 3515 and the second electrode 3516. FIG. Since the liquid crystal molecules are aligned horizontally along the rubbing direction, the light from the backlight is not affected by the birefringence of the liquid crystal molecules. And the first polarizing plate 3
Since 513 and second polarizing plate 3514 are arranged in crossed Nicols, light from the backlight does not pass through the substrate. Therefore, black display is performed. This is the so-called normally black mode.

なお、第1の電極3515及び第2の電極3516に印加する電圧を制御することで、液
晶分子の状態、即ち配向を制御することが可能である。したがって、バックライトからの
光を液晶分子によって制御することができるため、所定の映像表示を行うことが可能であ
る。
Note that by controlling the voltage applied to the first electrode 3515 and the second electrode 3516, the state of liquid crystal molecules, that is, the orientation can be controlled. Therefore, since the light from the backlight can be controlled by the liquid crystal molecules, it is possible to display a predetermined image.

図34(C)、(D)に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第1の基板3511側又
は第2の基板3512側に設けることができる。
A liquid crystal display device having the structure shown in FIGS. 34C and 34D can perform full-color display by providing a color filter. A color filter can be provided on the first substrate 3511 side or the second substrate 3512 side.

FLCモード又はAFLCモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい
A known liquid crystal material may be used for the FLC mode or AFLC mode.

図35(A)、(B)は、IPSモードの断面の模式図を示す。IPSモードは、液晶分
子を基板に対して常に平面内で回転させるモードであり、電極は一方の基板側のみに設け
た横電界方式をとる。
35A and 35B show schematic diagrams of cross sections in the IPS mode. The IPS mode is a mode in which the liquid crystal molecules are always rotated within a plane with respect to the substrate, and employs a lateral electric field method in which electrodes are provided only on one substrate side.

互いに対向するように配置された第1の基板3601及び第2の基板3602に、液晶層
3600が挟持されている。第1の基板3601の上面には、第1の電極3605及び第
2の電極3606が形成されている。第1の基板3601の液晶層と反対側には、第1の
偏光板3603が配置されている。第2の基板3602の液晶層と反対側には、第2の偏
光板3604が配置されている。なお、第1の偏光板3603と第2の偏光板3604と
は、クロスニコルになるように配置されている。
A liquid crystal layer 3600 is sandwiched between a first substrate 3601 and a second substrate 3602 which are arranged to face each other. A first electrode 3605 and a second electrode 3606 are formed on the upper surface of the first substrate 3601 . A first polarizing plate 3603 is arranged on the side of the first substrate 3601 opposite to the liquid crystal layer. A second polarizing plate 3604 is arranged on the side of the second substrate 3602 opposite to the liquid crystal layer. Note that the first polarizing plate 3603 and the second polarizing plate 3604 are arranged so as to form crossed Nicols.

第1の偏光板3603は、第1の基板3601の上面に配置されてもよい。第2の偏光板
3604は、第2の基板3602の上面に配置されてもよい。
The first polarizing plate 3603 may be arranged on the top surface of the first substrate 3601 . A second polarizer 3604 may be placed on top of the second substrate 3602 .

第1の電極3605及び第2の電極3606のうち、少なくとも一方(又は両方)の電極
が透光性を有していればよい(透過型又は反射型)。あるいは、両方の電極が透光性を有
し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい(半透過型)。
At least one (or both) of the first electrode 3605 and the second electrode 3606 should be translucent (transmissive or reflective). Alternatively, both electrodes may be translucent and part of one electrode may be reflective (transflective).

図35(A)は、第1の電極3605及び第2の電極3606に電圧が印加された場合の
断面の模式図である。液晶分子がラビング方向からずれた電気力線に沿って配向した状態
となるため、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受ける。そして、第1の
偏光板3603と第2の偏光板3604とがクロスニコルになるように配置されているた
め、バックライトからの光は基板を通過する。したがって、白色表示が行われる。
FIG. 35A is a schematic cross-sectional view when a voltage is applied to the first electrode 3605 and the second electrode 3606. FIG. Since the liquid crystal molecules are aligned along the electric lines of force that deviate from the rubbing direction, the light from the backlight is affected by the birefringence of the liquid crystal molecules. Since the first polarizing plate 3603 and the second polarizing plate 3604 are arranged in crossed Nicols, the light from the backlight passes through the substrate. Therefore, white display is performed.

図35(B)は、第1の電極3605及び第2の電極3606に電圧が印加されていない
場合の断面の模式図である。液晶分子がラビング方向に沿って横に並んだ状態となるため
、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第1の偏光板3
603と第2の偏光板3604とがクロスニコルになるように配置されているため、バッ
クライトからの光は基板を通過しない。したがって、黒色表示が行われる。いわゆるノー
マリーブラックモードである。
FIG. 35B is a schematic cross-sectional view when no voltage is applied to the first electrode 3605 and the second electrode 3606. FIG. Since the liquid crystal molecules are aligned horizontally along the rubbing direction, the light from the backlight is not affected by the birefringence of the liquid crystal molecules. And the first polarizing plate 3
Since 603 and second polarizing plate 3604 are arranged in crossed Nicols, light from the backlight does not pass through the substrate. Therefore, black display is performed. This is the so-called normally black mode.

第1の電極3605及び第2の電極3606に印加する電圧を制御することで、液晶分子
の状態、即ち配向を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光を液
晶分子によって制御することができるため、所定の映像表示を行うことが可能である。
By controlling the voltage applied to the first electrode 3605 and the second electrode 3606, it is possible to control the state of the liquid crystal molecules, that is, the orientation. Therefore, since the light from the backlight can be controlled by the liquid crystal molecules, it is possible to display a predetermined image.

図35(A)、(B)に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第1の基板3601側又
は第2の基板3602側に設けることができる。
The liquid crystal display device having the structure shown in FIGS. 35A and 35B can perform full-color display by providing a color filter. A color filter can be provided on the first substrate 3601 side or the second substrate 3602 side.

IPSモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。 A known liquid crystal material may be used for the IPS mode.

図35(C)、(D)は、FFSモードの断面の模式図を示す。FFSモードにおいても
、液晶分子を基板に対して常に平面内で回転させるモードであり、電極は一方の基板側の
みに設けた横電界方式をとる。
FIGS. 35C and 35D show schematic diagrams of cross sections in the FFS mode. The FFS mode is also a mode in which the liquid crystal molecules are always rotated within a plane with respect to the substrate, and adopts a lateral electric field method in which electrodes are provided only on one substrate side.

互いに対向するように配置された第1の基板3611及び第2の基板3612に、液晶層
3610が挟持されている。第1の基板3611の上面には、第2の電極3616が形成
されている。第2の電極3616の上面には、絶縁膜3617が形成されている。絶縁膜
3617上には、第2の電極3616が形成されている。第1の基板3611の液晶層と
反対側には、第1の偏光板3613が配置されている。第2の基板3612の液晶層と反
対側には、第2の偏光板3614が配置されている。なお、第1の偏光板3613と第2
の偏光板3614とは、クロスニコルになるように配置されている。
A liquid crystal layer 3610 is sandwiched between a first substrate 3611 and a second substrate 3612 which are arranged to face each other. A second electrode 3616 is formed on the upper surface of the first substrate 3611 . An insulating film 3617 is formed on the upper surface of the second electrode 3616 . A second electrode 3616 is formed over the insulating film 3617 . A first polarizing plate 3613 is arranged on the side of the first substrate 3611 opposite to the liquid crystal layer. A second polarizing plate 3614 is arranged on the side of the second substrate 3612 opposite to the liquid crystal layer. Note that the first polarizing plate 3613 and the second
and the polarizing plate 3614 are arranged so as to form crossed Nicols.

第1の偏光板3613は、第1の基板3611の上面に配置されてもよい。第2の偏光板
3614は、第2の基板3612の上面に配置されてもよい。
The first polarizing plate 3613 may be arranged on the top surface of the first substrate 3611 . A second polarizer 3614 may be placed on top of the second substrate 3612 .

第1の電極3615及び第2の電極3616のうち、少なくとも一方(又は両方)の電極
が透光性を有していればよい(透過型又は反射型)。あるいは、両方の電極が透光性を有
し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい(半透過型)。
At least one (or both) of the first electrode 3615 and the second electrode 3616 should be translucent (transmissive or reflective). Alternatively, both electrodes may be translucent and part of one electrode may be reflective (transflective).

図35(C)は、第1の電極3615及び第2の電極3616に電圧が印加された場合の
断面の模式図である。液晶分子がラビング方向からずれた電気力線に沿って配向した状態
となるため、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受ける。そして、第1の
偏光板3613と第2の偏光板3614とがクロスニコルになるように配置されているた
め、バックライトからの光は基板を通過する。したがって、白色表示が行われる。
FIG. 35C is a schematic cross-sectional view when voltage is applied to the first electrode 3615 and the second electrode 3616. FIG. Since the liquid crystal molecules are aligned along the electric lines of force that deviate from the rubbing direction, the light from the backlight is affected by the birefringence of the liquid crystal molecules. Since the first polarizing plate 3613 and the second polarizing plate 3614 are arranged in crossed Nicols, the light from the backlight passes through the substrate. Therefore, white display is performed.

図35(D)は、第1の電極3615及び第2の電極3616に電圧が印加されていない
場合の断面の模式図である。液晶分子がラビング方向に沿って横に並んだ状態となるため
、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第1の偏光板3
613と第2の偏光板3614とがクロスニコルになるように配置されているため、バッ
クライトからの光は基板を通過しない。したがって、黒色表示が行われる。いわゆるノー
マリーブラックモードである。
FIG. 35D is a schematic cross-sectional view when no voltage is applied to the first electrode 3615 and the second electrode 3616. FIG. Since the liquid crystal molecules are aligned horizontally along the rubbing direction, the light from the backlight is not affected by the birefringence of the liquid crystal molecules. And the first polarizing plate 3
Since 613 and second polarizing plate 3614 are arranged in crossed Nicols, light from the backlight does not pass through the substrate. Therefore, black display is performed. This is the so-called normally black mode.

なお、第1の電極3615及び第2の電極3616に印加する電圧を制御することで、液
晶分子の状態、即ち配向を制御することが可能である。したがって、バックライトからの
光を液晶分子によって制御することができるため、所定の映像表示を行うことが可能であ
る。
Note that by controlling the voltage applied to the first electrode 3615 and the second electrode 3616, the state of liquid crystal molecules, that is, the orientation can be controlled. Therefore, since the light from the backlight can be controlled by the liquid crystal molecules, it is possible to display a predetermined image.

図35(C)、(D)に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第1の基板3611側又
は第2の基板3612側に設けることができる。
A liquid crystal display device having the structure shown in FIGS. 35C and 35D can perform full-color display by providing a color filter. A color filter can be provided on the first substrate 3611 side or the second substrate 3612 side.

FFSモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。 A known liquid crystal material may be used for the FFS mode.

次に、上面図を用いて各種液晶モードを説明する。 Next, various liquid crystal modes will be described with reference to top views.

図36に、MVAモードを適用した画素が有する複数の液晶容量のうちの一つの上面図を
示す。
FIG. 36 shows a top view of one of a plurality of liquid crystal capacitors of a pixel to which the MVA mode is applied.

図36は、第1の電極3701、第2の電極(3702a、3702b、3702c)、
及び突起物3703を示している。第1の電極3701は、対向基板の全面に形成されて
いる。形状がくの字型となるように、第2の電極(3702a、3702b、3702c
)が形成されている。形状が第2の電極(3702a、3702b、3702c)と対応
するように、第1の電極3701上に第2の電極(3702a、3702b、3702c
)が形成されている。
FIG. 36 shows a first electrode 3701, second electrodes (3702a, 3702b, 3702c),
and protrusion 3703 are shown. A first electrode 3701 is formed over the entire surface of the opposing substrate. The second electrodes (3702a, 3702b, 3702c
) is formed. Second electrodes (3702a, 3702b, 3702c) are formed on the first electrode 3701 so that the shapes correspond to the second electrodes (3702a, 3702b, 3702c).
) is formed.

第2の電極(3702a、3702b、3702c)の開口部は、突起物のように機能す
る。
The openings in the second electrodes (3702a, 3702b, 3702c) act like protrusions.

第1の電極3701及び第2の電極(3702a、3702b、3702c)に電圧が印
加(縦電界方式と呼ぶ)された場合、液晶分子が第2の電極(3702a、3702b、
3702c)の開口部及び突起物3703に対して倒れて並んだ状態となる。よって、視
野角を向上させることが可能である。なお、一対の偏光板がクロスニコルとなるように配
置されているときには、バックライトからの光が基板を通過するため、白色表示が行われ
る。
When a voltage is applied to the first electrode 3701 and the second electrodes (3702a, 3702b, 3702c) (referred to as a vertical electric field method), liquid crystal molecules are applied to the second electrodes (3702a, 3702b, 3702b,
3702c) and the projection 3703, and fall side by side. Therefore, it is possible to improve the viewing angle. When a pair of polarizing plates are arranged in crossed Nicols, light from the backlight passes through the substrate, so white display is performed.

第1の電極3701及び第2の電極(3702a、3702b、3702c)に電圧が印
加されていない場合、液晶分子が縦に並んだ状態となる。一対の偏光板がクロスニコルと
なるように配置されているときには、バックライトからの光がパネルを通過しないため、
黒色表示が行われる。いわゆる、ノーマリーブラックモードである。
When no voltage is applied to the first electrode 3701 and the second electrodes (3702a, 3702b, 3702c), the liquid crystal molecules are aligned vertically. When a pair of polarizers are arranged in crossed Nicols, the light from the backlight does not pass through the panel.
A black display is performed. This is the so-called normally black mode.

なお、第1の電極3701及び第2の電極(3702a、3702b、3702c)に印
加する電圧を制御することで、液晶分子の状態、即ち配向を制御することが可能である。
したがって、バックライトからの光を液晶分子によって制御することができるため、所定
の映像表示を行うことが可能である。
By controlling the voltage applied to the first electrode 3701 and the second electrodes (3702a, 3702b, and 3702c), the state of the liquid crystal molecules, that is, the orientation can be controlled.
Therefore, since the light from the backlight can be controlled by the liquid crystal molecules, it is possible to display a predetermined image.

MVAモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。 A known liquid crystal material may be used for the MVA mode.

図37(A)、(B)、(C)、(D)は、IPSモードを適用した一液晶容量の上面図
を示す。IPSモードは、液晶分子を基板に対して常に平面内で回転させるモードであり
、電極は一方の基板側のみに設けた横電界方式をとる。
FIGS. 37A, 37B, 37C, and 37D show top views of one liquid crystal capacitor to which the IPS mode is applied. The IPS mode is a mode in which the liquid crystal molecules are always rotated within a plane with respect to the substrate, and employs a lateral electric field method in which electrodes are provided only on one substrate side.

IPSモードでは、一対の電極が異なる形状となるように形成される。 In the IPS mode, a pair of electrodes are formed to have different shapes.

図37(A)は、第1の電極3801及び第2の電極3802を示している。第1の電極
3801及び第2の電極3802は、波状形状である。
FIG. 37A shows a first electrode 3801 and a second electrode 3802. FIG. The first electrode 3801 and the second electrode 3802 are wave-shaped.

図37(B)は、第1の電極3811及び第2の電極3812を示している。第1の電極
3811及び第2の電極3812は、同心円状の開口部を有する形状である。
FIG. 37B shows a first electrode 3811 and a second electrode 3812. FIG. The first electrode 3811 and the second electrode 3812 are shaped to have concentric openings.

図37(C)は、第1の電極3831及び第2の電極3832を示している。第1の電極
3831及び第2の電極3832は、櫛場状であり一部重なっている形状である。
FIG. 37C shows a first electrode 3831 and a second electrode 3832. FIG. The first electrode 3831 and the second electrode 3832 are comb-shaped and partially overlapped.

図37(D)は、第1の電極3841及び第2の電極3842を示している。第1の電極
3841及び第2の電極3842は、櫛場状であり電極同士がかみ合うような形状である
FIG. 37D shows a first electrode 3841 and a second electrode 3842. FIG. The first electrode 3841 and the second electrode 3842 are in the form of a comb field and are shaped so that the electrodes are engaged with each other.

第1の電極(3801、3811、3821、3831)及び第2の電極(3802、3
812、3822、3832)に電圧が印加された場合、液晶分子がラビング方向からず
れた電気力線に沿って配向した状態となる。一対の偏光板がクロスニコルとなるように配
置されているときには、バックライトからの光が基板を通過するため、白色表示が行われ
る。
First electrodes (3801, 3811, 3821, 3831) and second electrodes (3802, 3
812, 3822, 3832), the liquid crystal molecules are oriented along the electric lines of force deviated from the rubbing direction. When the pair of polarizing plates are arranged in crossed Nicols, the light from the backlight passes through the substrate, so white display is performed.

第1の電極(3801、3811、3821、3831)及び第2の電極(3802、3
812、3822、3832)に電圧が印加されていない場合、液晶分子がラビング方向
に沿って横に並んだ状態となる。一対の偏光板がクロスニコルとなるように配置されてい
るときには、バックライトからの光が基板を通過しないため、黒色表示が行われる。いわ
いるノーマリーブラックモードである。
First electrodes (3801, 3811, 3821, 3831) and second electrodes (3802, 3
812, 3822, 3832), the liquid crystal molecules are aligned horizontally along the rubbing direction. When a pair of polarizing plates are arranged in crossed Nicols, light from the backlight does not pass through the substrate, resulting in black display. This is the so-called normally black mode.

なお、第1の電極及び第2の電極に印加する電圧を制御することで、液晶分子の状態、即
ち配向を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光を液晶分子によ
って制御することができるため、所定の映像表示を行うことが可能である。
By controlling the voltage applied to the first electrode and the second electrode, it is possible to control the state of the liquid crystal molecules, that is, the orientation. Therefore, since the light from the backlight can be controlled by the liquid crystal molecules, it is possible to display a predetermined image.

IPSモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。 A known liquid crystal material may be used for the IPS mode.

図38(A)、(B)、(C)、(D)は、FFSモードを適用した一液晶容量の上面図
を示す。FFSモードは、液晶分子を基板に対して常に平面内で回転させるモードであり
、電極は一方の基板側のみに設けた横電界方式をとる。
FIGS. 38A, 38B, 38C, and 38D show top views of one liquid crystal capacitor to which the FFS mode is applied. The FFS mode is a mode in which the liquid crystal molecules are always rotated within a plane with respect to the substrate, and employs a lateral electric field method in which electrodes are provided only on one substrate side.

FFSモードでは、第2の電極の上面に、第1の電極が様々な形状となるように形成され
る。
In the FFS mode, the first electrodes are formed in various shapes on top of the second electrodes.

図38(A)は、第1の電極3901及び第2の電極3902を示している。第1の電極
3901は、屈曲したくの字形状である。第2の電極3902は、パターン形成されてい
なくてもよい。
FIG. 38A shows a first electrode 3901 and a second electrode 3902. FIG. The first electrode 3901 has a bent dogleg shape. The second electrode 3902 may be unpatterned.

図38(B)は、第1の電極3911及び第2の電極3912を示している。第1の電極
3911は、同心円状の形状である。第2の電極3912は、パターン形成されていなく
てもよい。
FIG. 38B shows a first electrode 3911 and a second electrode 3912. FIG. The first electrode 3911 has a concentric shape. The second electrode 3912 may be unpatterned.

図38(C)は、第1の電極3931及び第2の電極3932を示している。第1の電極
3931は、櫛場状で電極同士がかみ合うような形状である。第2の電極3932は、パ
ターン形成されていなくてもよい。
FIG. 38C shows a first electrode 3931 and a second electrode 3932. FIG. The first electrode 3931 has a comb-like shape such that the electrodes are engaged with each other. The second electrode 3932 may be unpatterned.

図38(D)は、第1の電極3941及び第2の電極3942を示している。第1の電極
3941は、櫛場状の形状である。第2の電極3942は、パターン形成されていなくて
もよい。
FIG. 38D shows a first electrode 3941 and a second electrode 3942. FIG. The first electrode 3941 has a comb field shape. The second electrode 3942 may be unpatterned.

第1の電極(3901、3911、3921、3931)及び第2の電極(3902、3
912、3922、3932)に電圧が印加された場合、液晶分子がラビング方向からず
れた電気力線に沿って配向した状態となる。一対の偏光板がクロスニコルとなるように配
置されているときには、バックライトからの光が基板を通過するため、白色表示が行われ
る。
The first electrodes (3901, 3911, 3921, 3931) and the second electrodes (3902, 3902, 3931)
912, 3922, 3932), the liquid crystal molecules are oriented along the electric lines of force deviated from the rubbing direction. When the pair of polarizing plates are arranged in crossed Nicols, the light from the backlight passes through the substrate, so white display is performed.

第1の電極(3901、3911、3921、3931)及び第2の電極(3902、3
912、3922、3932)に電圧が印加されていない場合、液晶分子がラビング方向
に沿って横に並んだ状態となる。一対の偏光板がクロスニコルとなるように配置されてい
るときには、バックライトからの光が基板を通過しないため、黒色表示が行われる。いわ
いるノーマリーブラックモードである。
The first electrodes (3901, 3911, 3921, 3931) and the second electrodes (3902, 3902, 3931)
912, 3922, 3932), the liquid crystal molecules are aligned horizontally along the rubbing direction. When a pair of polarizing plates are arranged in crossed Nicols, light from the backlight does not pass through the substrate, resulting in black display. This is the so-called normally black mode.

なお、第1の電極及び第2の電極に印加する電圧を制御することで、液晶分子の状態、即
ち配向を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光を液晶分子によ
って制御することができるため、所定の映像表示を行うことが可能である。
By controlling the voltage applied to the first electrode and the second electrode, it is possible to control the state of the liquid crystal molecules, that is, the orientation. Therefore, since the light from the backlight can be controlled by the liquid crystal molecules, it is possible to display a predetermined image.

IPSモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。 A known liquid crystal material may be used for the IPS mode.

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容(
一部でもよい)は、別の図で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。
In the present embodiment, descriptions have been made using various diagrams, but the contents described in each diagram (
may be part of it) shall apply, combine, or
Alternatively, replacement can be freely performed. Furthermore, in the figures described so far, more figures can be configured by combining each part with another part.

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容(一部でもよい)は、別の実施の形態およ
び実施例の図で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関し
て、別の実施の形態および実施例の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構
成させることが出来る。
Similarly, the content (may be part of) described in each figure of this embodiment is applied or combined with the content (may be part of) described in the figures of other embodiments and examples. , or can be freely replaced. Furthermore, in the drawings of this embodiment, more drawings can be formed by combining parts of other embodiments and examples with respect to each part.

なお、本実施の形態は、他の実施の形態および実施例で述べた内容(一部でもよい)を、
具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した
場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての
一例などを示している。したがって、他の実施の形態および実施例で述べた内容は、本実
施の形態への適用、組み合わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
In this embodiment, the contents (or part of them) described in other embodiments and examples are
Example of implementation, example of slight modification, example of partial change, example of improvement, example of detailed description, example of application, example of related parts etc. Therefore, the contents described in other embodiments and examples can be freely applied to, combined with, or replaced with this embodiment.

(実施の形態8)
本実施の形態においては、液晶パネルの周辺部について説明する。
(Embodiment 8)
In this embodiment, the peripheral portion of the liquid crystal panel will be described.

図39は、エッジライト式と呼ばれるバックライトユニット2601と、液晶パネル26
07とを有している液晶表示装置の一例を示す。エッジライト式とは、バックライトユニ
ットの端部に光源を配置し、その光源の発光を発光面全体から放射する方式である。エッ
ジライト式のバックライトユニットは、薄型で省電力化を図ることができる。
FIG. 39 shows a backlight unit 2601 called an edge light type and a liquid crystal panel 26.
07 shows an example of a liquid crystal display device. The edge-light type is a type in which a light source is arranged at the end of a backlight unit and light emitted from the light source is emitted from the entire light-emitting surface. The edge-light backlight unit is thin and can save power.

バックライトユニット2601は、拡散板2602、導光板2603、反射板2604、
ランプリフレクタ2605及び光源2606によって構成される。
The backlight unit 2601 includes a diffuser plate 2602, a light guide plate 2603, a reflector plate 2604,
It is composed of a lamp reflector 2605 and a light source 2606 .

光源2606は必要に応じて発光する機能を有している。例えば、光源2606としては
冷陰極管、熱陰極管、発光ダイオード、無機EL又は有機ELなどが用いられる。ランプ
リフレクタ2605は、光源2606からの発光を効率よく導光板2603に導く機能を
有する。導光板2603は、光源2603からの光を全反射させて、全面に光を導く機能
を有する。拡散板2602は、明度のムラを低減する機能を有する。反射板2604は、
導光板2603から液晶パネル2603より反対方向に漏れた光を反射させて再利用する
機能を有する。
The light source 2606 has a function of emitting light as required. For example, a cold cathode tube, a hot cathode tube, a light emitting diode, an inorganic EL, an organic EL, or the like is used as the light source 2606 . Lamp reflector 2605 has a function of efficiently guiding light emitted from light source 2606 to light guide plate 2603 . The light guide plate 2603 has a function of totally reflecting the light from the light source 2603 and guiding the light over the entire surface. The diffusion plate 2602 has a function of reducing brightness unevenness. The reflector 2604 is
It has a function of reflecting light leaking from the light guide plate 2603 in the opposite direction from the liquid crystal panel 2603 and reusing it.

なお、バックライトユニット2601には、光源2606の輝度を調整するための制御回
路が接続されている。この制御回路によって、光源2606の輝度を調整することができ
る。
A control circuit for adjusting the brightness of the light source 2606 is connected to the backlight unit 2601 . This control circuit allows the brightness of the light source 2606 to be adjusted.

図40(A)、(B)、(C)及び(D)は、エッジライト式のバックライトユニットの
詳細な構成を示す図である。なお、拡散板、導光板及び反射板などはその説明を省略する
FIGS. 40A, 40B, 40C, and 40D are diagrams showing detailed configurations of edge-light type backlight units. Descriptions of the diffusion plate, the light guide plate, the reflection plate, and the like are omitted.

図40(A)に示すバックライトユニット2701は、光源として冷陰極管2703を用
いた構成である。そして、冷陰極管2703からの光を効率よく反射させるため、ランプ
リフレクタ2702が設けられている。このような構成は、大型表示装置に用いることが
多い。
A backlight unit 2701 shown in FIG. 40A has a structure using a cold cathode tube 2703 as a light source. A lamp reflector 2702 is provided to efficiently reflect the light from the cold cathode tube 2703 . Such a configuration is often used in large display devices.

図40(B)に示すバックライトユニット2711は、光源として発光ダイオード(LE
D)2713を用いた構成である。例えば、白色に発する発光ダイオード(W)2713
は所定の間隔に配置される。そして、発光ダイオード2713からの光を効率よく反射さ
せるため、ランプリフレクタ2712が設けられている。
A backlight unit 2711 shown in FIG. 40B includes a light emitting diode (LE) as a light source.
D) A configuration using 2713. For example, a light-emitting diode (W) 2713 that emits white light
are arranged at predetermined intervals. A lamp reflector 2712 is provided to efficiently reflect the light from the light emitting diode 2713 .

発光ダイオードの発光強度が強いので、発光ダイオードを用いた構成は大型表示装置に適
する。また、発光ダイオードは色再現性に優れているので、入力される画像情報に対して
忠実な画像を表示することができる。また、発光ダイオードは小さいため、配置面積を小
さくすることができる。したがって、表示装置の狭額縁化を図ることができる。
Since the emission intensity of the light emitting diode is high, the structure using the light emitting diode is suitable for a large display device. In addition, since the light-emitting diode has excellent color reproducibility, it is possible to display an image that is faithful to the input image information. Moreover, since the light-emitting diode is small, the layout area can be reduced. Therefore, the frame of the display device can be narrowed.

なお、発光ダイオードが大型の表示装置に搭載される場合、発光ダイオードを該基板の背
面に配置することができる。発光ダイオードは、所定の間隔を維持し、各色の発光ダイオ
ードが順に配置される。
In addition, when the light-emitting diode is mounted on a large-sized display device, the light-emitting diode can be arranged on the back surface of the substrate. The light-emitting diodes maintain a predetermined interval, and the light-emitting diodes of each color are arranged in order.

図40(C)に示すバックライトユニット2721は、光源としてRGB各色の発光ダイ
オード(LED)2723、発光ダイオード(LED)2724、発光ダイオード(LE
D)2725を用いた構成である。RGB各色の発光ダイオード2723(LED)、発
光ダイオード(LED)2724、発光ダイオード(LED)2725は、それぞれ所定
の間隔ごとに配置される。RGB各色の発光ダイオード(LED)2723、発光ダイオ
ード(LED)2724、発光ダイオード(LED)2725を用いることによって、色
再現性を高くすることができる。また、発光ダイオードからの光を効率よく反射させるた
め、ランプリフレクタ2722が設けられている。
A backlight unit 2721 shown in FIG. 40C includes light emitting diodes (LEDs) 2723, light emitting diodes (LEDs) 2724, and light emitting diodes (LEs) of RGB colors as light sources.
D) A configuration using 2725. Light-emitting diodes 2723 (LED), light-emitting diodes (LED) 2724, and light-emitting diodes (LED) 2725 of RGB colors are arranged at predetermined intervals. Color reproducibility can be improved by using light emitting diodes (LED) 2723, light emitting diodes (LED) 2724, and light emitting diodes (LED) 2725 of RGB colors. Also, a lamp reflector 2722 is provided to efficiently reflect the light from the light emitting diode.

発光ダイオードの輝度は高いので、光源としてRGB各色の発光ダイオードを用いた構成
は大型表示装置に適する。また、発光ダイオードは色再現性に優れているので、入力され
る画像情報に対して忠実な画像を表示することができる。また、発光ダイオードは小さい
ため、配置面積を小さくすることができる。したがって、表示装置の狭額縁化を図ること
ができる。
Since light-emitting diodes have high luminance, a configuration using light-emitting diodes of each color of RGB as a light source is suitable for a large-sized display device. In addition, since the light-emitting diode has excellent color reproducibility, it is possible to display an image that is faithful to the input image information. Moreover, since the light-emitting diode is small, the layout area can be reduced. Therefore, the frame of the display device can be narrowed.

なお、時間に応じてRGBの発光ダイオードを順次点灯させることによって、カラー表示
を行うことができる。いわいるフィールドシーケンシャルモードで表示することができる
Color display can be performed by sequentially lighting the RGB light-emitting diodes according to time. It can be displayed in a so-called field sequential mode.

なお、白色を発する発光ダイオードと、RGB各色の発光ダイオード(LED)2723
、発光ダイオード(LED)2724、発光ダイオード(LED)2725とを組み合わ
せることができる。
Note that a light emitting diode emitting white light and a light emitting diode (LED) 2723 of each color of RGB
, light emitting diodes (LEDs) 2724 and light emitting diodes (LEDs) 2725 can be combined.

なお、発光ダイオードが大型の表示装置に搭載される場合、発光ダイオードを該基板の背
面に配置することができる。また、発光ダイオードの各々は所定の間隔を維持し、各色の
発光ダイオードが順に配置される。このような配置によって、色再現性を高めることがで
きる。
In addition, when the light-emitting diode is mounted on a large-sized display device, the light-emitting diode can be arranged on the back surface of the substrate. Also, each of the light emitting diodes maintains a predetermined interval, and the light emitting diodes of each color are arranged in order. Such an arrangement can improve color reproducibility.

図40(D)に示すバックライトユニット2731は、光源としてRGB各色の発光ダイ
オード(LED)2733、発光ダイオード(LED)2734、発光ダイオード(LE
D)2735を用いた構成である。例えば、RGB各色の発光ダイオード(LED)27
33、発光ダイオード(LED)2734、発光ダイオード(LED)2735のうち発
光強度の低い色(例えば緑)の発光ダイオード、図40(D)においては発光ダイオード
(LED)2734は複数配置されている。このような構成とするによって、さらに色再
現性を高くすることができる。また、発光ダイオードからの光を効率よく反射させるため
、ランプリフレクタ2732が設けられている。
A backlight unit 2731 shown in FIG. 40(D) includes light emitting diodes (LEDs) 2733, light emitting diodes (LEDs) 2734, and light emitting diodes (LEs) of RGB colors as light sources.
D) A configuration using 2735. For example, light-emitting diodes (LEDs) 27 of RGB colors
33, light-emitting diodes (LEDs) 2734 and light-emitting diodes (LEDs) 2735, a plurality of light-emitting diodes (LEDs) 2734 in FIG. With such a configuration, the color reproducibility can be further improved. Also, a lamp reflector 2732 is provided to efficiently reflect the light from the light emitting diode.

発光ダイオードの発光強度は高いので、光源としてRGB各色の発光ダイオードを用いた
構成は大型表示装置に適する。また、発光ダイオードは色再現性に優れているので、入力
される画像情報に対して忠実な画像を表示することができる。また、発光ダイオードは小
さいため、配置面積を小さくすることができる。したがって、表示装置の狭額縁化を図る
ことができる。
Since light emitting diodes have a high emission intensity, a configuration using light emitting diodes of each color of RGB as a light source is suitable for a large display device. In addition, since the light-emitting diode has excellent color reproducibility, it is possible to display an image that is faithful to the input image information. Moreover, since the light-emitting diode is small, the layout area can be reduced. Therefore, the frame of the display device can be narrowed.

なお、時間に応じてRGBの発光ダイオードを順次点灯させることによって、カラー表示
を行うことができる。
Color display can be performed by sequentially lighting the RGB light-emitting diodes according to time.

なお、白色を発する発光ダイオードと、RGB各色の発光ダイオード(LED)2733
、発光ダイオード(LED)2734、発光ダイオード(LED)2735とを組み合わ
せることができる。
Note that a light emitting diode emitting white light and a light emitting diode (LED) 2733 of each color of RGB
, light emitting diodes (LEDs) 2734 and light emitting diodes (LEDs) 2735 can be combined.

なお、発光ダイオードが大型の表示装置に搭載される場合、発光ダイオードを該基板の背
面に配置することができる。発光ダイオードの各々は所定の間隔を維持し、各色の発光ダ
イオードが順に配置される。このような配置によって、色再現性を高めることができる。
In addition, when the light-emitting diode is mounted on a large-sized display device, the light-emitting diode can be arranged on the back surface of the substrate. Each of the light emitting diodes maintains a predetermined distance, and the light emitting diodes of each color are arranged in order. Such an arrangement can improve color reproducibility.

図41(A)は、直下型と呼ばれるバックライトユニット2800と、液晶パネル280
5とを有する液晶表示装置の一例を示す。直下式とは、発光面の直下に光源を配置するこ
とで、その光源の発光を発光面全体から放射する方式である。直下式のバックライトユニ
ットは、発光光量を効率よく利用することができる。
FIG. 41A shows a backlight unit 2800 called a direct type and a liquid crystal panel 280.
5 shows an example of a liquid crystal display device having . The direct type is a method in which a light source is arranged directly below a light emitting surface so that light emitted from the light source is emitted from the entire light emitting surface. The direct type backlight unit can efficiently use the amount of emitted light.

バックライトユニット2800は、拡散板2801、遮光板2802、ランプリフレクタ
2803及び光源2804によって構成される。
A backlight unit 2800 is composed of a diffusion plate 2801 , a light shielding plate 2802 , a lamp reflector 2803 and a light source 2804 .

光源2804は、必要に応じて発光する機能を有している。例えば、光源2805として
は、冷陰極管、熱陰極管、発光ダイオード、無機EL又は有機ELなどが用いられる。ラ
ンプリフレクタ2803は、光源2804の発光を効率よく拡散板2801及び遮光板2
802に導く機能を有する。遮光板2802は、光源2804の配置に合わせて光が強い
ところほど遮光を多くすることで、明度のムラを低減する機能を有する。拡散板2801
は、さらに明度のムラを低減する機能を有する。
The light source 2804 has a function of emitting light as required. For example, a cold cathode tube, a hot cathode tube, a light emitting diode, an inorganic EL, an organic EL, or the like is used as the light source 2805 . The lamp reflector 2803 efficiently diffuses the light emitted from the light source 2804 to the diffusion plate 2801 and the light shielding plate 2 .
It has the function of leading to 802. The light shielding plate 2802 has a function of reducing unevenness in lightness by increasing light shielding in accordance with the arrangement of the light sources 2804 as the light intensity increases. Diffusion plate 2801
has the function of further reducing brightness unevenness.

なお、バックライトユニット2800には、光源2804の輝度を調整するための制御回
路が接続されている。この制御回路によって、光源2804の輝度を調整することができ
る。
A control circuit for adjusting the brightness of the light source 2804 is connected to the backlight unit 2800 . This control circuit allows the brightness of the light source 2804 to be adjusted.

図41(B)は、直下型と呼ばれるバックライトユニット3015と、液晶パネル301
0とを有する液晶表示装置の一例を示す。
FIG. 41B shows a backlight unit 3015 called a direct type and a liquid crystal panel 301.
0 shows an example of a liquid crystal display device.

バックライトユニット2810は、拡散板2811、遮光板2812、ランプリフレクタ
2813、RGB各色の光源(R)2814a、光源(G)2814b及び光源(B)2
814cによって構成される。
The backlight unit 2810 includes a diffuser plate 2811, a light shielding plate 2812, a lamp reflector 2813, a light source (R) 2814a for each color of RGB, a light source (G) 2814b, and a light source (B) 2814b.
814c.

RGB各色の光源2814a(R)、光源2814b(G)及び光源2814c(B)は
、必要に応じて発光する機能を有する。例えば、光源2814a(R)、光源2814b
(G)及び光源2814c(B)としては、冷陰極管、熱陰極管、発光ダイオード、無機
EL又は有機ELなどが用いられる。ランプリフレクタ2813は、光源2814の発光
を効率よく拡散板2811及び遮光板2812に導く機能を有する。遮光板2812は、
光源2814の配置に合わせて光が強いところほど遮光を多くすることで、明度のムラを
低減する機能を有する。拡散板2811は、さらに明度のムラを低減する機能を有する。
The light source 2814a (R), the light source 2814b (G), and the light source 2814c (B) for each color of RGB have a function of emitting light as necessary. For example, light source 2814a (R), light source 2814b
As (G) and the light source 2814c (B), a cold cathode tube, a hot cathode tube, a light emitting diode, an inorganic EL, an organic EL, or the like is used. The lamp reflector 2813 has a function of efficiently guiding the light emitted from the light source 2814 to the diffusion plate 2811 and the light shielding plate 2812 . The light shielding plate 2812 is
It has a function of reducing unevenness in lightness by increasing light shielding in areas where the light is stronger in accordance with the arrangement of the light sources 2814 . The diffuser plate 2811 further has a function of reducing brightness unevenness.

なお、バックライトユニット2810には、RGB各色の光源2814a(R)、光源2
814b(G)及び光源2814c(B)の輝度を調整するための制御回路が接続されて
いる。この制御回路によって、RGB各色の光源2814a(R)、光源2814b(G
)及び光源2814c(B)の輝度を調整することができる。
The backlight unit 2810 includes a light source 2814a (R) for each color of RGB, a light source 2
A control circuit is connected to adjust the brightness of 814b (G) and light source 2814c (B). With this control circuit, light sources 2814a (R) and light sources 2814b (G
) and light source 2814c (B) can be adjusted.

図42は、偏光板(偏光フィルムともいう)の構成の一例を示す図である。 FIG. 42 is a diagram showing an example of the configuration of a polarizing plate (also referred to as a polarizing film).

偏光フィルム2900は、保護フィルム2901、基板フィルム2902、PVA偏光フ
ィルム2903、基板フィルム2904、粘着剤層2905及び離型フィルム2906を
有する。
The polarizing film 2900 has a protective film 2901 , a substrate film 2902 , a PVA polarizing film 2903 , a substrate film 2904 , an adhesive layer 2905 and a release film 2906 .

PVA偏光フィルム2903は、光をある振動方向のみの光(直線偏光)にする機能を有
する。具体的には、PVA偏光フィルム2903は、電子の密度が縦と横で大きく異なる
分子(偏光子)を含んでいる。この電子の密度が縦と横で大きく異なる分子の方向が揃っ
たPVA偏光フィルム2903により、直線偏光とすることが可能となる。
The PVA polarizing film 2903 has a function of converting light into light only in a certain vibration direction (linearly polarized light). Specifically, the PVA polarizing film 2903 contains molecules (polarizers) in which electron densities are significantly different between vertical and horizontal directions. The PVA polarizing film 2903 in which the directions of the molecules with which the density of electrons differs greatly in the vertical direction and the horizontal direction are aligned makes it possible to obtain linearly polarized light.

一例として、PVA偏光フィルム2903は、ポリビニルアルコール(Poly Vin
yl Alcohol)の高分子フィルムにヨウ素化合物をドープし、PVAフィルムを
ある方向に引っ張ることで、一定方向にヨウ素分子の並んだフィルムを得ることができる
。そして、ヨウ素分子の長軸と平行な光は、ヨウ素分子に吸収される。なお、高耐久用途
及び高耐熱用途として、ヨウ素の代わりに2色性の染料が用いてもよい。なお、染料は、
車載用LCD又はプロジェクタ用LCDなどの耐久性、耐熱性が求められる液晶表示装置
に適している。
As an example, the PVA polarizing film 2903 is made of polyvinyl alcohol (Poly Vin
yl Alcohol) polymer film is doped with an iodine compound and the PVA film is pulled in a certain direction to obtain a film in which iodine molecules are aligned in a certain direction. Light parallel to the long axis of the iodine molecule is absorbed by the iodine molecule. For high durability applications and high heat resistance applications, a dichroic dye may be used instead of iodine. In addition, the dye
It is suitable for liquid crystal display devices such as in-vehicle LCDs and projector LCDs that require durability and heat resistance.

また、PVA偏光フィルム2903は、両側を基材となるフィルム(基板フィルム290
2及び基板フィルム2904)で挟むことで、信頼性を増すことができる。また、PVA
偏光フィルム2903は、高透明性、高耐久性を有するトリアセチルロース(TAC)フ
ィルムによって挟まれていてもよい。このような基板フィルム及びTACフィルムは、P
VA偏光フィルム2903が有する偏光子の保護層として機能する。
In addition, the PVA polarizing film 2903 has a base film (substrate film 290) on both sides.
2 and substrate film 2904), the reliability can be increased. In addition, PVA
The polarizing film 2903 may be sandwiched between triacetylulose (TAC) films having high transparency and high durability. Such substrate films and TAC films are P
It functions as a protective layer for the polarizer that the VA polarizing film 2903 has.

基板フィルム(基板フィルム2904)には、液晶パネルのガラス基板に貼るための粘着
剤層2905が貼られている。なお、粘着剤層2905は、粘着剤を片側の基板フィルム
(基板フィルム2904)に塗布することで形成される。粘着剤層2905には、離型フ
ィルム2906(セパレートフィルム)が備えられている。
A substrate film (substrate film 2904) is attached with an adhesive layer 2905 for attachment to the glass substrate of the liquid crystal panel. The adhesive layer 2905 is formed by applying an adhesive to the substrate film (substrate film 2904) on one side. The adhesive layer 2905 is provided with a release film 2906 (separate film).

他方の基板フィルム(基板フィルム2902)には、保護フィルム2901が備えられて
いる。
A protective film 2901 is provided on the other substrate film (substrate film 2902).

なお、偏光フィルム2900表面に、ハードコート散乱層(アンチグレア層)が備えられ
ていてもよい。ハードコート散乱層は、AG処理によって表面に微細な凹凸が形成されて
おり、外光を散乱させる防眩機能を有するため、液晶パネルへの外光の映り込みを防ぐこ
とができる。よって、表面反射を防ぐことができる。
A hard coat scattering layer (antiglare layer) may be provided on the surface of the polarizing film 2900 . The hard coat scattering layer has fine irregularities formed on its surface by AG treatment and has an anti-glare function that scatters external light, so that external light can be prevented from being reflected on the liquid crystal panel. Therefore, surface reflection can be prevented.

また、偏光フィルム2900表面に、複数の屈折率の異なる光学薄膜層を多層化(アンチ
リフレクション処理、若しくはAR処理ともいう)してもよい。多層化された複数の屈折
率のことなる光学薄膜層は、光の干渉効果によって表面の反射率を低減することができる
In addition, a plurality of optical thin film layers having different refractive indices may be multilayered (also referred to as antireflection treatment or AR treatment) on the surface of the polarizing film 2900 . A plurality of optical thin film layers having different refractive indices can reduce the reflectance of the surface due to the interference effect of light.

図43は、液晶表示装置のシステムブロックの一例を示す図である。 FIG. 43 is a diagram showing an example of system blocks of a liquid crystal display device.

図43(A)に示すように画素部3005には、信号線3012が信号線駆動回路300
3から延伸して配置されている。また、走査線3010が走査線駆動回路3004から延
伸して配置されている。そして、信号線3012と走査線3010との交差領域に、複数
の画素がマトリクス状に配置されている。なお、複数の画素の各々はスイッチング素子を
有し、画素部3005の詳細については上述の実施形態で述べたため、ここでは省略する
As shown in FIG. 43A, in the pixel portion 3005, a signal line 3012 is connected to the signal line driver circuit 300.
3 and is arranged to extend. Further, scanning lines 3010 are arranged extending from the scanning line driving circuit 3004 . A plurality of pixels are arranged in a matrix in intersection regions between the signal lines 3012 and the scanning lines 3010 . Note that each of the plurality of pixels has a switching element, and the details of the pixel portion 3005 have been described in the above embodiment, and therefore are omitted here.

図43(A)において、駆動回路部3008は、制御回路3002、信号線駆動回路30
03及び走査線駆動回路3004を有する。制御回路3002には映像信号3001が入
力されている。制御回路3002は、この制御信号3001に応じて信号線駆動回路30
03及び走査線駆動回路3004を制御する。そのため、制御回路3002は信号線駆動
回路3003及び走査線駆動回路3004にそれぞれの制御信号を入力する。そして、こ
の制御信号に応じて、信号線駆動回路3003はビデオ信号を信号線3012に入力し、
走査線駆動回路3004は走査信号を走査線3010に入力する。そして、画素が有する
スイッチング素子が走査信号に応じて選択され、画素の画素電極にビデオ信号が入力され
る。
In FIG. 43A, a driver circuit portion 3008 includes a control circuit 3002, a signal line driver circuit 30
03 and a scanning line driving circuit 3004 . A video signal 3001 is input to the control circuit 3002 . The control circuit 3002 controls the signal line driving circuit 30 according to this control signal 3001 .
03 and the scanning line driving circuit 3004 are controlled. Therefore, the control circuit 3002 inputs respective control signals to the signal line driver circuit 3003 and the scanning line driver circuit 3004 . Then, according to this control signal, the signal line driving circuit 3003 inputs the video signal to the signal line 3012,
The scanning line driver circuit 3004 inputs scanning signals to the scanning lines 3010 . A switching element included in the pixel is selected according to the scanning signal, and a video signal is input to the pixel electrode of the pixel.

なお、制御回路3002は、制御信号3001に応じて電源3007も制御している。な
お、電源3007は照明手段3006へ電力を供給する手段を有している。照明手段30
06としては、エッジライト式のバックライトユニット又は直下型のバックライトユニッ
トを用いることができる。また、照明手段3006にフロントライトを用いてもよい。フ
ロントライトとは、画素部の前面側に取りつけ、全体を照らす発光体及び導光体で構成さ
れた板状のライトユニットである。このような照明手段により、低消費電力で、均等に画
素部を照らすことができる。
Note that the control circuit 3002 also controls the power supply 3007 according to the control signal 3001 . Note that the power source 3007 has means for supplying power to the lighting means 3006 . illumination means 30
06 can be an edge light type backlight unit or a direct type backlight unit. Also, a front light may be used as the lighting means 3006 . A front light is a plate-like light unit that is attached to the front side of the pixel portion and that is composed of a light emitter and a light guide that illuminate the entire area. Such a lighting means can evenly illuminate the pixel portion with low power consumption.

走査線駆動回路3004は、例えば図43(B)に示すようにシフトレジスタ3041、
レベルシフタ3042、バッファ3043として機能する回路を有する。なお、シフトレ
ジスタ3041にはゲートスタートパルス(GSP)、ゲートクロック信号(GCK)等
の信号が制御回路2902より入力される。
The scanning line driving circuit 3004 includes, for example, a shift register 3041 as shown in FIG.
It has a circuit functioning as a level shifter 3042 and a buffer 3043 . Signals such as a gate start pulse (GSP) and a gate clock signal (GCK) are input from the control circuit 2902 to the shift register 3041 .

図43(C)に示すように信号線駆動回路3003は、シフトレジスタ3031、第1の
ラッチ3032、第2のラッチ3033、レベルシフタ3034、バッファ3035とし
て機能する回路を有する。バッファ3035として機能する回路とは、弱い信号を増幅さ
せる機能を有する回路であり、オペアンプ等を有する。レベルシフタ3034には、スタ
ートパルス(SSP)、ソースクロック信号(SCK)等の信号が、第1のラッチ303
2にはビデオ信号等のデータ(DATA)が入力される。第2のラッチ3033にはラッ
チ(LAT)信号を一時保持することができ、一斉に画素部3005へ入力させる。これ
を線順次駆動と呼ぶ。そのため、線順次駆動ではなく、点順次駆動を行う画素であれば、
第2のラッチは不要とすることができる。
As shown in FIG. 43C, the signal line driver circuit 3003 has circuits functioning as a shift register 3031 , a first latch 3032 , a second latch 3033 , a level shifter 3034 , and a buffer 3035 . A circuit functioning as the buffer 3035 is a circuit having a function of amplifying a weak signal, and includes an operational amplifier or the like. The level shifter 3034 receives signals such as a start pulse (SSP) and a source clock signal (SCK) from the first latch 303 .
2 is input with data (DATA) such as a video signal. A latch (LAT) signal can be temporarily held in the second latch 3033 and input to the pixel portion 3005 all at once. This is called line sequential driving. Therefore, if the pixels are dot-sequentially driven instead of line-sequentially driven,
A second latch may not be required.

なお、本実施の形態において、液晶パネルは、公知のものを用いることができる。例えば
、液晶パネルとして、2つの基板の間に液晶層が封止された構成を用いることができる。
一方の基板上には、トランジスタ、容量素子、画素電極又は配向膜などが形成されている
。なお、前記基板の上面と反対側には、偏光板、位相差板又はプリズムシートが配置され
ていてもよい。他方の基板上には、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、対向電極又は
配向膜などが形成されている。なお、他方の基板の上面と反対側には、偏光板又は位相差
板が配置されていてもよい。なお、カラーフィルタ及びブラックマトリクスは、一方の基
板の上面に形成されてもよい。なお、一方の基板の上面側又はその反対側にスリット(格
子)を配置することで、3次元表示を行うことができる。
In this embodiment, a known liquid crystal panel can be used. For example, a structure in which a liquid crystal layer is sealed between two substrates can be used as a liquid crystal panel.
A transistor, a capacitor, a pixel electrode, an alignment film, or the like is formed over one substrate. A polarizing plate, a retardation plate, or a prism sheet may be arranged on the side opposite to the upper surface of the substrate. A color filter, a black matrix, a counter electrode, an alignment film, and the like are formed on the other substrate. A polarizing plate or a retardation plate may be arranged on the side opposite to the upper surface of the other substrate. Note that the color filters and the black matrix may be formed on the top surface of one of the substrates. Note that three-dimensional display can be performed by arranging a slit (lattice) on the upper surface side of one of the substrates or on the opposite side thereof.

なお、偏光板、位相差板及びプリズムシートを、それぞれ2つの基板の間に配置すること
が可能である。あるいは、2つの基板のうちのいずれかと一体とすることが可能である。
A polarizing plate, a retardation plate, and a prism sheet can each be placed between two substrates. Alternatively, it can be integral with either of the two substrates.

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容(
一部でもよい)は、別の図で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。
In the present embodiment, descriptions have been made using various diagrams, but the contents described in each diagram (
may be part of it) shall apply, combine, or
Alternatively, replacement can be freely performed. Furthermore, in the figures described so far, more figures can be configured by combining each part with another part.

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容(一部でもよい)は、別の実施の形態およ
び実施例の図で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関し
て、別の実施の形態および実施例の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構
成させることが出来る。
Similarly, the content (may be part of) described in each figure of this embodiment is applied or combined with the content (may be part of) described in the figures of other embodiments and examples. , or can be freely replaced. Furthermore, in the drawings of this embodiment, more drawings can be formed by combining parts of other embodiments and examples with respect to each part.

なお、本実施の形態は、他の実施の形態および実施例で述べた内容(一部でもよい)を、
具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した
場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての
一例などを示している。したがって、他の実施の形態および実施例で述べた内容は、本実
施の形態への適用、組み合わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
In this embodiment, the contents (or part of them) described in other embodiments and examples are
Example of implementation, example of slight modification, example of partial change, example of improvement, example of detailed description, example of application, example of related parts etc. Therefore, the contents described in other embodiments and examples can be freely applied to, combined with, or replaced with this embodiment.

(実施の形態9)
本実施形態においては、表示装置の駆動方法について説明する。特に、液晶表示装置の駆
動方法について説明する。
(Embodiment 9)
In this embodiment, a method for driving a display device will be described. In particular, a method for driving a liquid crystal display device will be described.

本実施形態において説明する液晶表示装置に用いることのできる液晶パネルは、液晶材料
を2枚の基板によって挟んだ構造であるとする。2枚の基板は、それぞれ、液晶材料に印
加する電界を制御するための電極を備えている。液晶材料は、外部から印加される電界に
よって、光学的および電気的な性質が変化する材料である。したがって、液晶パネルは、
基板が有する電極を用いて液晶材料に印加する電圧を制御することによって、所望の光学
的および電気的な性質を得ることができるデバイスである。そして、多数の電極を平面的
に並置することでそれぞれを画素とし、画素に印加する電圧を個別に制御することにより
、精細な画像を表示できる液晶パネルとすることができる。
A liquid crystal panel that can be used in the liquid crystal display device described in this embodiment has a structure in which a liquid crystal material is sandwiched between two substrates. The two substrates each have electrodes for controlling the electric field applied to the liquid crystal material. A liquid crystal material is a material whose optical and electrical properties are changed by an externally applied electric field. Therefore, the liquid crystal panel
It is a device in which desired optical and electrical properties can be obtained by controlling the voltage applied to the liquid crystal material using the electrodes of the substrate. By arranging a large number of electrodes two-dimensionally to form pixels and individually controlling voltages applied to the pixels, a liquid crystal panel capable of displaying a fine image can be obtained.

ここで、電界の変化に対する液晶材料の応答時間は、2枚の基板の間隔(セルギャップ)
および液晶材料の種類等に依存するが、一般的に数ミリ秒から数十ミリ秒である。さらに
、電界の変化量が小さい場合は、液晶材料の応答時間はさらに長くなる。この性質は、液
晶パネルによって動きのある画像を表示する場合に、残像、尾引き、コントラストの低下
といった画像表示上の障害を引き起こし、特に中間調から別の中間調へ変化する場合(電
界の変化が小さい)場合に、前述の障害の程度が著しくなる。
Here, the response time of the liquid crystal material to changes in the electric field is the distance between the two substrates (cell gap)
And, depending on the type of liquid crystal material, etc., it is generally several milliseconds to several tens of milliseconds. Furthermore, the response time of the liquid crystal material is even longer when the change in electric field is small. This property causes image display problems such as afterimages, trailing, and contrast reduction when displaying moving images on the liquid crystal panel. is small), the degree of the aforementioned disturbance becomes significant.

一方、アクティブマトリクスを用いた液晶パネルに特有の問題として、定電荷駆動による
書き込み電圧の変化がある。以下に、本実施形態における定電荷駆動について説明する。
On the other hand, a problem specific to liquid crystal panels using an active matrix is a change in write voltage due to constant charge driving. The constant charge drive in this embodiment will be described below.

アクティブマトリクスにおける画素回路は、書き込みを制御するスイッチと、電荷を保持
する容量素子を含む。アクティブマトリクスにおける画素回路の駆動方法は、スイッチを
オン状態として所定の電圧を画素回路に書き込んだ後、直ちにスイッチをオフ状態として
画素回路内の電荷を保持する(ホールド状態)というものである。ホールド状態時、画素
回路の内部と外部には電荷のやり取りが行なわれない(定電荷)。通常、スイッチがオン
状態となっている期間に比べて、オフ状態となっている期間は数百(走査線本数)倍程度
長い。そのため、画素回路のスイッチは、ほとんどオフ状態となっていると考えてよい。
以上より、本実施形態における定電荷駆動とは、液晶パネルの駆動時、画素回路はほとん
どの期間においてホールド状態である駆動方法であるとする。
A pixel circuit in an active matrix includes a switch that controls writing and a capacitive element that holds charges. A method of driving a pixel circuit in an active matrix is to turn on a switch to write a predetermined voltage into the pixel circuit, and then immediately turn off the switch to hold the charge in the pixel circuit (hold state). In the hold state, no charge is exchanged between the inside and the outside of the pixel circuit (constant charge). Normally, the period in which the switch is in the off state is about several hundred (the number of scanning lines) times longer than the period in which the switch is in the on state. Therefore, it can be considered that most of the switches in the pixel circuit are in an off state.
As described above, constant charge driving in the present embodiment is a driving method in which the pixel circuit is in the hold state for most of the period when the liquid crystal panel is driven.

次に、液晶材料の電気的特性について説明する。液晶材料は、外部から印加される電界が
変化すると、光学的性質が変化するのと同時に、誘電率も変化する。すなわち、液晶パネ
ルの各画素を2枚の電極に挟まれた容量素子(液晶素子)として考えたとき、当該容量素
子は、印加される電圧によって静電容量が変化する容量素子である。この現象を、ダイナ
ミックキャパシタンスと呼ぶこととする。
Next, the electrical properties of the liquid crystal material will be described. When the electric field applied from the outside changes, the liquid crystal material changes not only in its optical properties but also in its dielectric constant. That is, when each pixel of the liquid crystal panel is considered as a capacitive element (liquid crystal element) sandwiched between two electrodes, the capacitive element is a capacitive element whose capacitance changes depending on the applied voltage. This phenomenon is called dynamic capacitance.

このように、印加される電圧によって静電容量が変化する容量素子を、上述した定電荷駆
動によって駆動する場合、次のような問題が生じる。すなわち、電荷の移動が行なわれな
いホールド状態において、液晶素子の静電容量が変化すると、印加される電圧も変化して
しまうという問題である。これは、(電荷量)=(静電容量)×(印加電圧)という関係
式において、電荷量が一定であるということから理解できる。
When the capacitive element whose capacitance changes with the applied voltage is driven by the constant charge driving described above, the following problems arise. That is, there is a problem that when the electrostatic capacitance of the liquid crystal element changes in the hold state in which charge is not transferred, the applied voltage also changes. This can be understood from the fact that the amount of charge is constant in the relational expression of (amount of charge)=(capacitance)×(applied voltage).

以上の理由により、アクティブマトリクスを用いた液晶パネルでは、定電荷駆動であるこ
とによって、ホールド状態時における電圧が、書き込み時における電圧から変化してしま
う。その結果、液晶素子の透過率は、ホールド状態を取らない駆動法における変化とは異
なったものとなる。この様子を示したのが、図44である。図44(A)は、横軸に時間
、縦軸に電圧の絶対値をとり、画素回路に書き込む電圧の制御例を表したものである。図
44(B)は、横軸に時間、縦軸に電圧をとった場合の、画素回路に書き込む電圧の制御
例を表したものである。図44(C)は、横軸に時間、縦軸に液晶素子の透過率をとり、
図44(A)または図44(B)によって表した電圧を画素回路に書き込んだ場合の、液
晶素子の透過率の時間変化を表したものである。図44(A)乃至(C)において、期間
Fは電圧の書き換え周期を表し、電圧を書き換える時刻をt、t、t、t、・・
・として説明する。
For the above reasons, in the liquid crystal panel using the active matrix, the voltage in the hold state changes from the voltage in writing due to constant charge driving. As a result, the transmittance of the liquid crystal element is different from the change in the drive method without the hold state. FIG. 44 shows this situation. FIG. 44A shows an example of controlling the voltage written to the pixel circuit, with the horizontal axis representing time and the vertical axis representing the absolute value of the voltage. FIG. 44B shows an example of control of the voltage written to the pixel circuit when the horizontal axis represents time and the vertical axis represents voltage. In FIG. 44(C), the horizontal axis represents time and the vertical axis represents the transmittance of the liquid crystal element.
44A and 44B show changes over time in the transmittance of the liquid crystal element when the voltage shown in FIG. 44A or 44B is written to the pixel circuit. In FIGS. 44A to 44C, period F represents a voltage rewriting cycle, and voltage rewriting times are t 1 , t 2 , t 3 , t 4 , .
・Explain as

ここで、液晶表示装置に入力される画像データに対応する書き込み電圧は、時刻0におけ
る書き換えでは|V|、時刻t、t、t、t、・・・における書き換えでは|
|であるとする。(図44(A)参照)
Here, the write voltage corresponding to the image data input to the liquid crystal display device is |V 1 | for rewriting at time 0 , and |
Let V 2 | (See FIG. 44(A))

なお、液晶表示装置に入力される画像データに対応する書き込み電圧は、その極性を周期
的に入れ替えてもよい。(反転駆動:図44(B)参照)この方法によって、液晶に直流
電圧をできるだけ印加しないようにすることができるので、液晶素子の劣化による焼きつ
き等を防ぐことができる。なお、極性を入れ替える周期(反転周期)は、電圧の書き換え
周期と同じでもよい。この場合は、反転周期が短いので、反転駆動によるフリッカの発生
を低減することができる。さらに、反転周期は、電圧の書き換え周期の整数倍の周期であ
ってもよい。この場合は、反転周期が長く、極性を変えて電圧を書き込む頻度を減少させ
ることができるため、消費電力を低減することができる。
The polarity of the write voltage corresponding to the image data input to the liquid crystal display device may be changed periodically. (Reversal drive: see FIG. 44B) By this method, it is possible to avoid applying a DC voltage to the liquid crystal as much as possible, so that burn-in or the like due to deterioration of the liquid crystal element can be prevented. It should be noted that the cycle of switching the polarity (reversal cycle) may be the same as the voltage rewriting cycle. In this case, since the inversion cycle is short, it is possible to reduce the occurrence of flicker due to inversion driving. Furthermore, the inversion period may be an integral multiple of the voltage rewriting period. In this case, the inversion period is long, and the frequency of writing the voltage by changing the polarity can be reduced, so that power consumption can be reduced.

そして、図44(A)または図44(B)に示したような電圧を液晶素子に印加したとき
の液晶素子の透過率の時間変化を、図44(C)に示す。ここで、液晶素子に電圧|V
|が印加され、十分時間が経過した後の液晶素子の透過率をTRとする。同様に、液晶
素子に電圧|V|が印加され、十分時間が経過した後の液晶素子の透過率をTRとす
る。時刻tにおいて、液晶素子に印加される電圧が|V|から|V|に変化すると
、液晶素子の透過率は、破線30401に示したように、すぐにTRとはならず、ゆっ
くりと変化する。たとえば、電圧の書き換え周期が、60Hzの画像信号のフレーム周期
(16.7ミリ秒)と同じであるとき、透過率がTRに変化するまでは、数フレーム程
度の時間が必要となる。
FIG. 44C shows changes in the transmittance of the liquid crystal element with time when the voltage shown in FIG. 44A or 44B is applied to the liquid crystal element. Here, a voltage |V 1 is applied to the liquid crystal element
| is applied and the transmittance of the liquid crystal element after a sufficient time has passed is TR1 . Similarly, a voltage |V 2 | is applied to the liquid crystal element, and the transmittance of the liquid crystal element after a sufficient amount of time has passed is TR 2 . At time t1 , when the voltage applied to the liquid crystal element changes from | V1 | to | V2 |, the transmittance of the liquid crystal element does not immediately become TR2 as indicated by the dashed line 30401. change slowly. For example, when the voltage rewrite period is the same as the frame period (16.7 milliseconds) of the image signal of 60 Hz, it takes about several frames until the transmittance changes to TR2 .

ただし、破線30401に示したような、滑らかな透過率の時間変化は、液晶素子に正確
に電圧|V|が印加されたときのものである。実際の液晶パネル、たとえば、アクティ
ブマトリクスを用いた液晶パネルでは、定電荷駆動であることによって、ホールド状態時
における電圧が、書き込み時における電圧から変化してしまうため、液晶素子の透過率は
破線30401に示したような時間変化とはならず、かわりに、実線30402に示した
ような、段階的な時間変化となる。これは、定電荷駆動であることによって電圧が変化し
てしまうため、1回の書き込みでは目的の電圧に到達することができないためである。そ
の結果、液晶素子の透過率の応答時間は、本来の応答時間(破線30401)よりも、見
かけ上、さらに長くなってしまい、残像、尾引き、コントラストの低下といった画像表示
上の障害を顕著に引き起こしてしまうということになる。
However, the smooth temporal change in transmittance as indicated by the dashed line 30401 is obtained when the voltage |V 2 | is accurately applied to the liquid crystal element. In an actual liquid crystal panel, for example, a liquid crystal panel using an active matrix, constant charge driving causes the voltage in the hold state to change from the voltage in writing. does not change with time as shown in , but instead changes with time as indicated by a solid line 30402 in stages. This is because the constant charge drive causes the voltage to change, so that the target voltage cannot be reached in one write operation. As a result, the response time of the transmittance of the liquid crystal element is apparently longer than the original response time (broken line 30401), and the image display problems such as afterimages, tailing, and contrast reduction are conspicuous. It will cause it.

オーバードライブ駆動を用いることによって、液晶素子の本来の応答時間の長さと、ダイ
ナミックキャパシタンスおよび定電荷駆動による書き込み不足に起因する見かけ上の応答
時間がさらに長くなる現象を、同時に解決することができる。この様子を示したのが、図
45である。図45(A)は、横軸に時間、縦軸に電圧の絶対値をとり、画素回路に書き
込む電圧の制御例を表したものである。図45(B)は、横軸に時間、縦軸に電圧をとっ
た場合の、画素回路に書き込む電圧の制御例を表したものである。図45(C)は、横軸
に時間、縦軸に液晶素子の透過率をとり、図45(A)または図45(B)によって表し
た電圧を画素回路に書き込んだ場合の、液晶素子の透過率の時間変化を表したものである
。図45(A)乃至(C)において、期間Fは電圧の書き換え周期を表し、電圧を書き換
える時刻をt、t、t、t、・・・として説明する。
By using overdrive driving, it is possible to simultaneously solve the problem of the inherently long response time of the liquid crystal element and the phenomenon that the apparent response time is further lengthened due to insufficient writing due to dynamic capacitance and constant charge driving. FIG. 45 shows this situation. FIG. 45A shows an example of controlling the voltage written to the pixel circuit, with the horizontal axis representing time and the vertical axis representing the absolute value of the voltage. FIG. 45B shows an example of control of the voltage written to the pixel circuit when the horizontal axis represents time and the vertical axis represents voltage. In FIG. 45C, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents the transmittance of the liquid crystal element. FIG. It represents the time change of transmittance. In FIGS. 45A to 45C, a period F represents a voltage rewriting cycle, and voltage rewriting times are t 1 , t 2 , t 3 , t 4 , . . . .

ここで、液晶表示装置に入力される画像データに対応する書き込み電圧は、時刻0におけ
る書き換えでは|V|、時刻tにおける書き換えでは|V|、時刻t、t、t
、・・・における書き換えでは|V|であるとする。(図45(A)参照)
Here, the write voltage corresponding to the image data input to the liquid crystal display device is |V 1 | for rewriting at time 0, |V 3 | for rewriting at time t 1 , time t 2 , t 3 , t
4 , . . . is |V 2 |. (See FIG. 45(A))

なお、液晶表示装置に入力される画像データに対応する書き込み電圧は、その極性を周期
的に入れ替えてもよい。(反転駆動:図45(B)参照)この方法によって、液晶に直流
電圧をできるだけ印加しないようにすることができるので、液晶素子の劣化による焼きつ
き等を防ぐことができる。なお、極性を入れ替える周期(反転周期)は、電圧の書き換え
周期と同じでもよい。この場合は、反転周期が短いので、反転駆動によるフリッカの発生
を低減することができる。さらに、反転周期は、電圧の書き換え周期の整数倍の周期であ
ってもよい。この場合は、反転周期が長く、極性を変えて電圧を書き込む頻度を減少させ
ることができるため、消費電力を低減することができる。
The polarity of the write voltage corresponding to the image data input to the liquid crystal display device may be changed periodically. (Reversal drive: see FIG. 45B) By this method, it is possible to avoid applying a DC voltage to the liquid crystal as much as possible, so that burn-in or the like due to deterioration of the liquid crystal element can be prevented. It should be noted that the cycle of switching the polarity (reversal cycle) may be the same as the voltage rewriting cycle. In this case, since the inversion cycle is short, it is possible to reduce the occurrence of flicker due to inversion driving. Furthermore, the inversion period may be an integral multiple of the voltage rewriting period. In this case, the inversion period is long, and the frequency of writing the voltage by changing the polarity can be reduced, so that power consumption can be reduced.

そして、図45(A)または図45(B)に示したような電圧を液晶素子に印加したとき
の液晶素子の透過率の時間変化を、図45(C)に示す。ここで、液晶素子に電圧|V
|が印加され、十分時間が経過した後の液晶素子の透過率をTRとする。同様に、液晶
素子に電圧|V|が印加され、十分時間が経過した後の液晶素子の透過率をTRとす
る。同様に、液晶素子に電圧|V|が印加され、十分時間が経過した後の液晶素子の透
過率をTRとする。時刻tにおいて、液晶素子に印加される電圧が|V|から|V
|に変化すると、液晶素子の透過率は、破線30501に示したように、数フレームを
かけて透過率をTRまで変化しようとする。しかし、電圧|V|の印加は時刻t
終わり、時刻tより後は、電圧|V|が印加される。そのため、液晶素子の透過率は
破線30501に示したようにはならず、実線30502に示したようになる。ここで、
時刻tの時点において、透過率が概ねTRとなっているように、電圧|V|の値を
設定するのが好ましい。ここで、電圧|V|を、オーバードライブ電圧とも呼ぶことと
する。
FIG. 45C shows changes in the transmittance of the liquid crystal element with time when the voltage shown in FIG. 45A or 45B is applied to the liquid crystal element. Here, a voltage |V 1 is applied to the liquid crystal element
| is applied and the transmittance of the liquid crystal element after a sufficient time has passed is TR1 . Similarly, a voltage |V 2 | is applied to the liquid crystal element, and the transmittance of the liquid crystal element after a sufficient amount of time has passed is TR 2 . Similarly, a voltage |V 3 | is applied to the liquid crystal element, and the transmittance of the liquid crystal element after a sufficient amount of time has passed is TR 3 . At time t 1 , the voltage applied to the liquid crystal element changes from |V 1 | to |V
3 |, the transmittance of the liquid crystal element tries to change to TR 3 over several frames, as indicated by the dashed line 30501 . However, the application of the voltage |V 3 | ends at time t 2 and after time t 2 the voltage |V 2 | is applied. Therefore, the transmittance of the liquid crystal element is not as indicated by the dashed line 30501 but as indicated by the solid line 30502 . here,
It is preferable to set the value of the voltage |V 3 | so that the transmittance is approximately TR 2 at time t 2 . Here, the voltage |V 3 | is also called an overdrive voltage.

つまり、オーバードライブ電圧である|V|を変化させれば、液晶素子の応答時間をあ
る程度制御することができる。なぜならば、液晶の応答時間は、電界の強さによって変化
するからである。具体的には、電界が強いほど、液晶素子の応答時間は短くなり、電界が
弱いほど、液晶素子の応答時間は長くなる。
That is, the response time of the liquid crystal element can be controlled to some extent by changing the overdrive voltage |V 3 |. This is because the response time of the liquid crystal changes depending on the strength of the electric field. Specifically, the stronger the electric field, the shorter the response time of the liquid crystal element, and the weaker the electric field, the longer the response time of the liquid crystal element.

なお、オーバードライブ電圧である|V|は、電圧の変化量、すなわち、目的とする透
過率TRおよびTRを与える電圧|V|および|V|、にしたがって変化させる
のが好ましい。なぜならば、液晶素子の応答時間が電圧の変化量によって変わってしまっ
ても、オーバードライブ電圧である|V|をそれに合わせて変化させれば、常に最適な
応答時間を得ることができるからである。
The overdrive voltage |V 3 | is preferably changed according to the amount of voltage change, that is, the voltages |V 1 | and |V 2 | that give the desired transmittances TR 1 and TR 2 . . This is because even if the response time of the liquid crystal element changes depending on the amount of voltage change, the optimum response time can always be obtained by changing the overdrive voltage |V 3 | accordingly. be.

なお、オーバードライブ電圧である|V|は、TN、VA、IPS、OCB等の液晶の
モードによって変化させるのが好ましい。なぜならば、液晶の応答速度が液晶のモードに
よって異なってしまっても、オーバードライブ電圧である|V|をそれに合わせて変化
させれば、常に最適な応答時間を得ることができるからである。
The overdrive voltage |V 3 | is preferably changed according to the liquid crystal mode such as TN, VA, IPS, and OCB. This is because even if the response speed of the liquid crystal varies depending on the mode of the liquid crystal, the optimum response time can always be obtained by changing the overdrive voltage |V 3 | accordingly.

なお、電圧書き換え周期Fは、入力信号のフレーム周期と同じでもよい。この場合は、液
晶表示装置の周辺駆動回路を簡単にできるため、製造コストの低い液晶表示装置を得るこ
とができる。
Note that the voltage rewrite cycle F may be the same as the frame cycle of the input signal. In this case, since the peripheral driving circuit of the liquid crystal display device can be simplified, the liquid crystal display device can be manufactured at low cost.

なお、電圧書き換え周期Fは、入力信号のフレーム周期よりも短くてもよい。たとえば、
電圧書き換え周期Fは入力信号のフレーム周期の1/2倍でもよいし、1/3倍でもよい
し、それ以下でもよい。この方法は、黒挿入駆動、バックライト点滅、バックライトスキ
ャン、動き補償による中間画像挿入駆動等、液晶表示装置のホールド駆動に起因する動画
品質の低下の対策法と合わせて用いるのが効果的である。すなわち、液晶表示装置のホー
ルド駆動に起因する動画品質の低下の対策法は、要求される液晶素子の応答時間が短いた
め、本実施形態で説明したオーバードライブ駆動法を用いることで、比較的容易に液晶素
子の応答時間を短くすることができる。液晶素子の応答時間は、セルギャップ、液晶材料
および液晶モード等によって本質的に短くすることは可能ではあるが、技術的に困難であ
る。そのため、オーバードライブのような、駆動方法から液晶素子の応答時間を短くする
方法を用いることは、非常に重要である。
Note that the voltage rewriting period F may be shorter than the frame period of the input signal. for example,
The voltage rewriting period F may be 1/2 times the frame period of the input signal, 1/3 times, or less. It is effective to use this method in combination with measures against deterioration of moving image quality caused by hold driving of the liquid crystal display device, such as black insertion driving, backlight blinking, backlight scanning, and intermediate image insertion driving by motion compensation. be. That is, since the required response time of the liquid crystal element is short, measures against deterioration in moving image quality caused by the hold driving of the liquid crystal display device can be made relatively easily by using the overdrive driving method described in this embodiment. can shorten the response time of the liquid crystal element. Although it is possible to substantially shorten the response time of a liquid crystal element by adjusting the cell gap, liquid crystal material, liquid crystal mode, etc., it is technically difficult. Therefore, it is very important to use a driving method such as overdrive that shortens the response time of the liquid crystal element.

なお、電圧書き換え周期Fは、入力信号のフレーム周期よりも長くてもよい。たとえば、
電圧書き換え周期Fは入力信号のフレーム周期の2倍でもよいし、3倍でもよいし、それ
以上でもよい。この方法は、長期間電圧の書き換えが行なわれないか否かを判断する手段
(回路)と合わせて用いるのが効果的である。すなわち、長期間電圧の書き換えが行なわ
れない場合は、電圧の書き換え動作自体を行わないことによって、回路の動作をその期間
中は停止させることができるので、消費電力の低い液晶表示装置を得ることができる。
Note that the voltage rewriting period F may be longer than the frame period of the input signal. for example,
The voltage rewriting period F may be twice the frame period of the input signal, may be three times, or may be longer than that. It is effective to use this method together with means (circuit) for determining whether or not the voltage is not rewritten for a long period of time. That is, when the voltage is not rewritten for a long period of time, the operation of the circuit can be stopped during that period by not performing the voltage rewriting operation itself, so that a liquid crystal display device with low power consumption can be obtained. can be done.

次に、オーバードライブ電圧|V|を、目的とする透過率TRおよびTRを与える
電圧|V|および|V|、にしたがって変化させるための具体的な方法について説明
する。
Next, a specific method for changing the overdrive voltage |V 3 | according to the voltages |V 1 | and |V 2 | that give the desired transmittances TR 1 and TR 2 will be described.

オーバードライブ回路は、目的とする透過率TRおよびTRを与える電圧|V|お
よび|V|にしたがって、オーバードライブ電圧|V|を適切に制御するための回路
であるため、オーバードライブ回路に入力される信号は、透過率TRを与える電圧|V
|に関係する信号と、透過率TRを与える電圧|V|に関係する信号であり、オー
バードライブ回路から出力される信号は、オーバードライブ電圧|V|に関係する信号
となる。ここで、これらの信号としては、液晶素子に印加する電圧(|V|、|V
、|V|)のようなアナログの電圧値であってもよいし、液晶素子に印加する電圧を与
えるためのデジタル信号であってもよい。ここでは、オーバードライブ回路に関係する信
号はデジタル信号であるとして説明する。
The overdrive circuit is a circuit for appropriately controlling the overdrive voltage |V 3 | according to the voltages |V 1 | and |V 2 | that give the desired transmittances TR 1 and TR 2 . The signal input to the drive circuit is the voltage |V
1 | and a signal related to the voltage |V 2 | that gives the transmittance TR 2 , and the signal output from the overdrive circuit is a signal related to the overdrive voltage |V 3 |. Here, these signals include the voltages (|V 1 |, |V 2 |
, |V 3 |), or a digital signal for applying a voltage to the liquid crystal element. Here, it is assumed that the signal related to the overdrive circuit is a digital signal.

まず、図46の(A)を参照して、オーバードライブ回路の全体的な構成について説明す
る。ここでは、オーバードライブ電圧を制御するための信号として、入力画像信号310
1aおよび3101bを用いる。これらの信号を処理した結果、オーバードライブ電圧を
与える信号として、出力画像信号3104が出力されるとする。
First, referring to FIG. 46A, the overall configuration of the overdrive circuit will be described. Here, the input image signal 310 is used as a signal for controlling the overdrive voltage.
1a and 3101b are used. Assume that as a result of processing these signals, an output image signal 3104 is output as a signal that gives an overdrive voltage.

ここで、目的とする透過率TRおよびTRを与える電圧|V|および|V|は、
互いに隣り合ったフレームにおける画像信号であるため、入力画像信号3101aおよび
3101bも、同様に互いに隣り合ったフレームにおける画像信号であることが好ましい
。このような信号を得るためには、入力画像信号3101aを、図46の(A)における
遅延回路3102に入力し、その結果出力される信号を、入力画像信号3101bとする
ことができる。遅延回路3102としては、たとえば、メモリが挙げられる。すなわち、
入力画像信号3101aを1フレーム分遅延させるために、メモリに当該入力画像信号3
101aを記憶させておき、同時に、1つ前のフレームにおいて記憶させておいた信号を
、入力画像信号3101bとしてメモリから取り出し、入力画像信号3101aと、入力
画像信号3101bを、同時に補正回路3103に入力することで、互いに隣り合ったフ
レームにおける画像信号を扱えるようにすることができる。そして、互いに隣り合ったフ
レームにおける画像信号を、補正回路3103に入力することで、出力画像信号3104
を得ることができる。なお、遅延回路3102としてメモリを用いたときは、1フレーム
分遅延させるために、1フレーム分の画像信号を記憶できる容量を持ったメモリ(すなわ
ち、フレームメモリ)とすることができる。こうすることで、メモリ容量の過不足なく、
遅延回路としての機能を有することができる。
Here, the voltages |V 1 | and |V 2 | that give the desired transmittances TR 1 and TR 2 are
Since the input image signals 3101a and 3101b are image signals in frames adjacent to each other, it is preferable that the input image signals 3101a and 3101b are also image signals in frames adjacent to each other. In order to obtain such a signal, the input image signal 3101a can be input to the delay circuit 3102 in FIG. 46A, and the resulting output signal can be used as the input image signal 3101b. Delay circuit 3102 may be, for example, a memory. i.e.
In order to delay the input image signal 3101a by one frame, the input image signal 3101a is stored in the memory.
101a is stored, and at the same time, the signal stored in the previous frame is taken out from the memory as the input image signal 3101b, and the input image signal 3101a and the input image signal 3101b are input to the correction circuit 3103 at the same time. By doing so, it is possible to handle image signals in frames adjacent to each other. Then, by inputting the image signals in the frames adjacent to each other to the correction circuit 3103, the output image signal 3104 is
can be obtained. When a memory is used as the delay circuit 3102, it can be a memory (that is, a frame memory) having a capacity capable of storing image signals for one frame in order to delay by one frame. By doing this, without excess or deficiency of memory capacity,
It can have a function as a delay circuit.

次に、メモリの容量を削減することを主な目的として構成された遅延回路3102につい
て説明する。遅延回路3102としてこのような回路を用いることで、メモリの容量を削
減することができるため、製造コストを低減することができる。
Next, the delay circuit 3102 configured mainly for the purpose of reducing memory capacity will be described. By using such a circuit as the delay circuit 3102, the memory capacity can be reduced, so that the manufacturing cost can be reduced.

このような特徴を持つ遅延回路3102として、具体的には、図46の(B)に示すよう
なものを用いることができる。図46の(B)に示す遅延回路3102は、エンコーダ3
105と、メモリ3106と、デコーダ3107を有する。
As the delay circuit 3102 having such characteristics, specifically, one shown in FIG. 46B can be used. A delay circuit 3102 shown in (B) of FIG.
105, a memory 3106, and a decoder 3107.

図46の(B)に示す遅延回路3102の動作としては、次のようなものとなる。まず、
入力画像信号3101aをメモリ3106に記憶させる前に、エンコーダ3105によっ
て、圧縮処理を行なう。これによって、メモリ3106に記憶させるべきデータのサイズ
を減らすことができる。その結果、メモリの容量を削減することができるため、製造コス
トを低減することができる。そして、圧縮処理を施された画像信号は、デコーダ3107
に送られ、ここで伸張処理を行なう。これによって、エンコーダ3105によって圧縮処
理された前の信号を復元することができる。ここで、エンコーダ3105およびデコーダ
3107によって行なわれる圧縮伸張処理は、可逆的な処理であってもよい。こうするこ
とで、圧縮伸張処理を行なった後でも画像信号の劣化がないため、最終的に装置に表示さ
れる画像の品質を落とすことなく、メモリの容量を削減することができる。さらに、エン
コーダ3105およびデコーダ3107によって行なわれる圧縮伸張処理は、非可逆的な
処理であってもよい。こうすることで、圧縮後の画像信号のデータのサイズを非常に小さ
くすることができるため、メモリの容量を大幅に削減することができる。
The operation of the delay circuit 3102 shown in FIG. 46B is as follows. first,
Before the input image signal 3101a is stored in the memory 3106, the encoder 3105 performs compression processing. This can reduce the size of data to be stored in memory 3106 . As a result, the memory capacity can be reduced, so that the manufacturing cost can be reduced. Then, the image signal subjected to the compression processing is processed by the decoder 3107
, where it is decompressed. Thereby, the signal before being compressed by the encoder 3105 can be restored. Here, the compression/decompression processing performed by encoder 3105 and decoder 3107 may be reversible processing. By doing so, the image signal is not degraded even after the compression/decompression process is performed, so that the memory capacity can be reduced without degrading the quality of the image finally displayed on the device. Furthermore, the compression/decompression processing performed by encoder 3105 and decoder 3107 may be irreversible processing. By doing so, the data size of the image signal after compression can be made very small, so that the memory capacity can be greatly reduced.

なお、メモリの容量を削減するための方法としては、上に挙げたもの以外にも、様々な方
法を用いることができる。エンコーダによって画像圧縮するのではなく、画像信号が有す
る色情報を削減する(たとえば、26万色から6万5千色に減色する)、またはデータ数
を削減する(解像度を小さくする)、などの方法を用いることができる。
As a method for reducing the memory capacity, various methods can be used other than the methods mentioned above. Instead of compressing the image with an encoder, the color information contained in the image signal is reduced (for example, from 260,000 colors to 65,000 colors), or the number of data is reduced (reduced resolution). method can be used.

次に、補正回路3103の具体例について、図46の(C)乃至(E)を参照して説明す
る。補正回路3103は、2つの入力画像信号から、ある値の出力画像信号を出力するた
めの回路である。ここで、2つの入力画像信号と出力画像信号の関係が非線形であり、簡
単な演算で求めることが難しい場合には、補正回路3103として、ルックアップテーブ
ル(LUT)を用いてもよい。LUTには、2つの入力画像信号と出力画像信号の関係が
、測定によってあらかじめ求められているため、2つの入力画像信号に対応する出力画像
信号を、LUTを参照するだけで求めることができる。(図46の(C)参照)補正回路
3103としてLUT3108を用いることで、複雑な回路設計等を行なうことなく、補
正回路3103を実現することができる。
Next, a specific example of the correction circuit 3103 will be described with reference to FIGS. 46(C) to 46(E). A correction circuit 3103 is a circuit for outputting an output image signal having a certain value from two input image signals. Here, if the relationship between the two input image signals and the output image signal is non-linear and difficult to obtain by simple calculation, a lookup table (LUT) may be used as the correction circuit 3103 . In the LUT, the relationship between the two input image signals and the output image signal is obtained in advance by measurement, so the output image signal corresponding to the two input image signals can be obtained simply by referring to the LUT. (See FIG. 46C) By using the LUT 3108 as the correction circuit 3103, the correction circuit 3103 can be realized without complicated circuit design or the like.

ここで、LUTはメモリの1つであるため、メモリ容量をできるだけ削減することが、製
造コストを低減する上で、好ましい。それを実現するための補正回路3103の例として
、図46の(D)に示す回路が考えられる。図46の(D)に示す補正回路3103は、
LUT3109と、加算器3110を有する。LUT3109には、入力画像信号310
1aと、出力するべき出力画像信号3104の差分データが格納されている。つまり、入
力画像信号3101aおよび入力画像信号3101bから、対応する差分データをLUT
3109から取り出し、取り出した差分データと入力画像信号3101aを、加算器31
10によって加算することで、出力画像信号3104を得ることができる。なお、LUT
3109に格納するデータを差分データとすることで、LUTのメモリ容量の削減が実現
できる。なぜならば、そのままの出力画像信号3104よりも、差分データの方がデータ
サイズが小さいため、LUT3109に必要なメモリ容量を小さくできるからである。
Here, since the LUT is one type of memory, it is preferable to reduce the memory capacity as much as possible in order to reduce manufacturing costs. As an example of the correction circuit 3103 for realizing this, the circuit shown in (D) of FIG. 46 can be considered. The correction circuit 3103 shown in (D) of FIG.
It has a LUT 3109 and an adder 3110 . The input image signal 310 is stored in the LUT 3109
1a and the difference data between the output image signal 3104 to be output is stored. That is, from the input image signal 3101a and the input image signal 3101b, the corresponding difference data is extracted from the LUT.
3109, and the extracted difference data and the input image signal 3101a are added to the adder 31
By adding by 10, an output image signal 3104 can be obtained. Note that the LUT
By using difference data as the data stored in the 3109, the memory capacity of the LUT can be reduced. This is because the difference data has a smaller data size than the output image signal 3104 as it is, so the memory capacity required for the LUT 3109 can be reduced.

さらに、出力画像信号が、2つの入力画像信号の四則演算等の簡単な演算によって求めら
れるならば、加算器、減算器、乗算器等の簡単な回路の組み合わせによって実現できる。
その結果、LUTを用いる必要が無くなり、製造コストを大幅に低減することができる。
このような回路としては、図46の(E)に示す回路を挙げることができる。図46の(
E)に示す補正回路3103は、減算器3111と、乗算器3112と、加算器3113
、を有する。まず、入力画像信号3101aと、入力画像信号3101bの差分を、減算
器3111によって求める。その後、乗算器3112によって、適切な係数を差分値に乗
ずる。そして、入力画像信号3101aに、適切な係数を乗じた差分値を、加算器311
3によって加算することで、出力画像信号3104を得ることができる。このような回路
を用いることによって、LUTを用いる必要が無くなり、製造コストを大幅に低減するこ
とができる。
Furthermore, if the output image signal can be obtained by a simple arithmetic operation such as four arithmetic operations on two input image signals, it can be realized by a combination of simple circuits such as an adder, a subtractor, and a multiplier.
As a result, there is no need to use LUTs, and manufacturing costs can be greatly reduced.
As such a circuit, the circuit shown in (E) of FIG. 46 can be mentioned. (
The correction circuit 3103 shown in E) includes a subtractor 3111, a multiplier 3112, and an adder 3113.
, has First, the subtractor 3111 obtains the difference between the input image signal 3101a and the input image signal 3101b. A multiplier 3112 then multiplies the difference value by an appropriate factor. The input image signal 3101a is multiplied by an appropriate coefficient, and the difference value is added to the adder 311.
By adding by 3, an output image signal 3104 can be obtained. By using such a circuit, the need to use an LUT is eliminated, and manufacturing costs can be greatly reduced.

なお、ある条件の下で、図46の(E)に示す補正回路3103を用いることによって、
不適切な出力画像信号3104を出力することを防止することができる。その条件とは、
オーバードライブ電圧を与える出力画像信号3104と、入力画像信号3101aおよび
入力画像信号3101bの差分値に、線形性があることである。そして、この線形性の傾
きを、乗算器3112によって乗ずる係数とする。すなわち、このような性質を持つ液晶
素子に、図46の(E)に示す補正回路3103を用いることが好ましい。このような性
質を持つ液晶素子としては、応答速度の階調依存性の小さい、IPSモードの液晶素子が
挙げられる。このように、たとえば、IPSモードの液晶素子に図46の(E)に示す補
正回路3103を用いることによって、製造コストを大幅に低減でき、かつ、不適切な出
力画像信号3104を出力することを防止することができるオーバードライブ回路を得る
ことができる。
By using the correction circuit 3103 shown in FIG. 46(E) under certain conditions,
It is possible to prevent the inappropriate output image signal 3104 from being output. That condition is
The difference between the output image signal 3104 that gives the overdrive voltage and the input image signals 3101a and 3101b has linearity. Then, the slope of this linearity is used as a coefficient to be multiplied by the multiplier 3112 . That is, it is preferable to use the correction circuit 3103 shown in FIG. 46(E) for the liquid crystal element having such properties. As a liquid crystal element having such properties, there is an IPS mode liquid crystal element whose response speed is less dependent on gradation. In this way, for example, by using the correction circuit 3103 shown in FIG. 46E in the IPS mode liquid crystal element, the manufacturing cost can be greatly reduced and the output of an inappropriate output image signal 3104 can be prevented. An overdrive circuit can be obtained that can be prevented.

なお、図46の(A)乃至(E)に示した回路と同等の働きを、ソフトウェア処理によっ
て実現してもよい。遅延回路に用いるメモリについては、液晶表示装置が有する他のメモ
リ、液晶表示装置に表示する画像を送り出す側の装置(たとえば、パーソナルコンピュー
タやそれに準じた装置が有するビデオカード等)が有するメモリ等を流用することができ
る。こうすることで、製造コストを低減できるだけでなく、オーバードライブの強さや利
用する状況などを、ユーザが好みに応じて選択できるようにすることができる。
Note that functions equivalent to those of the circuits shown in FIGS. 46A to 46E may be realized by software processing. For the memory used in the delay circuit, other memories in the liquid crystal display device, memory in the device that sends the image displayed on the liquid crystal display device (for example, a video card in a personal computer or similar device), etc. can be reused. By doing so, it is possible not only to reduce the manufacturing cost, but also to allow the user to select the strength of the overdrive, the situation of use, etc. according to his/her preference.

次に、コモン線の電位を操作する駆動について、図47を参照して説明する。図47の(
A)は、液晶素子のような容量的な性質を持つ表示素子を用いた表示装置において、走査
線一本に対し、コモン線が一本配置されているときの、複数の画素回路を表した図である
。図47の(A)に示す画素回路は、トランジスタ3201、補助容量3202、表示素
子3203、映像信号線3204、走査線3205、コモン線3206、を備えている。
Next, the drive for manipulating the potential of the common line will be described with reference to FIG. (
A) shows a plurality of pixel circuits when one common line is arranged for one scanning line in a display device using a display element having capacitive properties such as a liquid crystal element. It is a diagram. The pixel circuit shown in FIG. 47A includes a transistor 3201, an auxiliary capacitor 3202, a display element 3203, a video signal line 3204, a scanning line 3205, and a common line 3206.

トランジスタ3201のゲート電極は、走査線3205に電気的に接続され、トランジス
タ3201のソース電極及びドレイン電極の一方は、映像信号線3204に電気的に接続
され、トランジスタ3201のソース電極及びドレイン電極の他方は、補助容量3202
の一方の電極、及び表示素子3203の一方の電極に電気的に接続されている。
また、補助容量3202の他方の電極は、コモン線3206に電気的に接続されている。
A gate electrode of the transistor 3201 is electrically connected to the scan line 3205, one of the source electrode and the drain electrode of the transistor 3201 is electrically connected to the video signal line 3204, and the other of the source electrode and the drain electrode of the transistor 3201 is electrically connected to the video signal line 3204. is the auxiliary capacity 3202
and one electrode of the display element 3203 .
Also, the other electrode of the auxiliary capacitor 3202 is electrically connected to the common line 3206 .

まず、走査線3205によって選択された画素は、トランジスタ3201がオンとなるた
め、それぞれ、映像信号線3204を介して、表示素子3203及び補助容量3202に
映像信号に対応した電圧がかかる。このとき、その映像信号が、コモン線3206に接続
された全ての画素に対して最低階調を表示させるものだった場合、あるいは、コモン線3
206に接続された全ての画素に対して最高階調を表示させるものだった場合は、画素に
それぞれ映像信号線3204を介して映像信号を書き込む必要はない。映像信号線320
4を介して映像信号を書き込む代わりに、コモン線3206の電位を動かすことで、表示
素子3203にかかる電圧を変えることができる。
First, since the transistor 3201 of the pixel selected by the scanning line 3205 is turned on, a voltage corresponding to the video signal is applied to the display element 3203 and the auxiliary capacitor 3202 via the video signal line 3204 . At this time, if the video signal causes all the pixels connected to the common line 3206 to display the lowest gradation, or if the common line 3206
If all the pixels connected to 206 are to display the highest gradation, there is no need to write the video signal to each pixel via the video signal line 3204 . Video signal line 320
4, the voltage applied to the display element 3203 can be changed by changing the potential of the common line 3206 instead of writing the video signal through the .

次に、図47の(B)は、液晶素子のような容量的な性質を持つ表示素子を用いた表示装
置において、走査線一本に対し、コモン線が2本配置されているときの、複数の画素回路
を表した図である。図47の(B)に示す画素回路は、トランジスタ3211、補助容量
3212、表示素子3213、映像信号線3214、走査線3215、第1のコモン線3
216、第2のコモン線3217、を備えている。
Next, FIG. 47B shows a display device using a display element having a capacitive property such as a liquid crystal element, in which two common lines are arranged for one scanning line. FIG. 4 is a diagram showing a plurality of pixel circuits; A pixel circuit shown in FIG.
216 and a second common line 3217 .

トランジスタ3211のゲート電極は、走査線3215に電気的に接続され、トランジス
タ3211のソース電極及びドレイン電極の一方は、映像信号線3214に電気的に接続
され、トランジスタ3211のソース電極及びドレイン電極の他方は、補助容量3212
の一方の電極、及び表示素子3213の一方の電極に電気的に接続されている。
また、補助容量3212の他方の電極は、第1のコモン線3216に電気的に接続されて
いる。
また、当該画素と隣接する画素においては、補助容量3212の他方の電極は、第2のコ
モン線3217に電気的に接続されている。
A gate electrode of the transistor 3211 is electrically connected to the scan line 3215, one of the source electrode and the drain electrode of the transistor 3211 is electrically connected to the video signal line 3214, and the other of the source electrode and the drain electrode of the transistor 3211 is electrically connected to the video signal line 3214. is the auxiliary capacity 3212
and one electrode of the display element 3213 .
Also, the other electrode of the auxiliary capacitor 3212 is electrically connected to the first common line 3216 .
In addition, the other electrode of the auxiliary capacitor 3212 is electrically connected to the second common line 3217 in the pixel adjacent to the pixel.

図47の(B)に示す画素回路は、コモン線一本に対し電気的に接続されている画素が少
ないため、映像信号線3214を介して映像信号を書き込む代わりに、第1のコモン線3
216又は第2のコモン線3217の電位を動かすことで、表示素子3213にかかる電
圧を変えることができる頻度が、顕著に大きくなる。また、ソース反転駆動又はドット反
転駆動が可能になる。ソース反転駆動又はドット反転駆動により、素子の信頼性を向上さ
せつつ、フリッカを抑えることができる。
The pixel circuit shown in FIG. 47B has a small number of pixels electrically connected to one common line.
By moving the potential of 216 or the second common line 3217, the frequency with which the voltage applied to the display element 3213 can be changed remarkably increases. Also, source inversion driving or dot inversion driving becomes possible. By source inversion driving or dot inversion driving, flicker can be suppressed while improving the reliability of the device.

次に、走査型バックライトについて、図66を参照して説明する。図66の(A)は、冷
陰極管を並置した走査型バックライトを示す図である。図66の(A)に示す走査型バッ
クライトは、拡散板6601と、N個の冷陰極管6602―1から6602―Nと、を備
える。N個の冷陰極管6602―1から6602―Nを、拡散板6601の後ろに並置す
ることで、N個の冷陰極管6602―1から6602―Nは、その輝度を変化させて走査
することができる。
Next, a scanning backlight will be described with reference to FIG. FIG. 66A is a diagram showing a scanning backlight in which cold cathode tubes are juxtaposed. The scanning backlight shown in FIG. 66A includes a diffusion plate 6601 and N cold cathode tubes 6602-1 to 6602-N. By arranging the N cold-cathode tubes 6602-1 to 6602-N side by side behind the diffusion plate 6601, the N cold-cathode tubes 6602-1 to 6602-N can be scanned while changing their brightness. can be done.

走査するときの各冷陰極管の輝度の変化を、図66の(C)を用いて説明する。まず、冷
陰極管6602―1の輝度を、一定時間変化させる。そして、その後に、冷陰極管660
2―1の隣に配置された冷陰極管6602―2の輝度を、同じ時間だけ変化させる。この
ように、冷陰極管6602―1から6602―Nまで、輝度を順に変化させる。なお、図
66の(C)においては、一定時間変化させる輝度は、元の輝度より小さいものとしたが
、元の輝度より大きくてもよい。また、冷陰極管6602―1から6602―Nまで走査
するとしたが、逆方向に冷陰極管6602―Nから6602―1まで走査してもよい。
A change in brightness of each cold cathode tube during scanning will be described with reference to FIG. 66(C). First, the brightness of the cold cathode tube 6602-1 is changed for a certain period of time. Then, after that, the cold cathode tube 660
The brightness of the cold cathode tube 6602-2 arranged next to 2-1 is changed for the same amount of time. In this way, the cold cathode tubes 6602-1 to 6602-N are sequentially changed in brightness. In addition, in FIG. 66C, the luminance to be changed for a certain period of time is lower than the original luminance, but it may be higher than the original luminance. Also, although the cold cathode tubes 6602-1 to 6602-N are scanned, scanning may be performed in the opposite direction from the cold cathode tubes 6602-N to 6602-1.

図66のように駆動することで、バックライトの平均輝度を小さくすることができる。し
たがって、液晶表示装置の消費電力の大部分を占める、バックライトの消費電力を低減す
ることができる。
By driving as shown in FIG. 66, the average brightness of the backlight can be reduced. Therefore, the power consumption of the backlight, which accounts for most of the power consumption of the liquid crystal display device, can be reduced.

なお、走査型バックライトの光源として、LEDを用いてもよい。その場合の走査型バッ
クライトは、図66の(B)のようになる。図66の(B)に示す走査型バックライトは
、拡散板6611と、LEDを並置した光源6612―1から6612―Nと、を備える
。走査型バックライトの光源として、LEDを用いた場合、バックライトを薄く、軽くで
きる利点がある。また、色再現範囲を広げることができるという利点がある。さらに、L
EDを並置した光源6612―1から6612―Nのそれぞれに並置したLEDも、同様
に走査することができるので、点走査型のバックライトとすることもできる。点走査型と
すれば、動画像の画質をさらに向上させることができる。
Note that an LED may be used as the light source of the scanning backlight. The scanning backlight in that case is as shown in FIG. 66(B). The scanning backlight shown in FIG. 66B includes a diffusion plate 6611 and light sources 6612-1 to 6612-N in which LEDs are arranged side by side. When LEDs are used as the light source of the scanning backlight, there is an advantage that the backlight can be thin and light. There is also the advantage that the color reproduction range can be widened. Furthermore, L
Since the LEDs arranged side by side with the light sources 6612-1 to 6612-N with the EDs arranged side by side can also be scanned in the same manner, a point scanning type backlight can also be used. If it is of the point scanning type, the image quality of moving images can be further improved.

なお、バックライトの光源としてLEDを用いた場合も、図66の(C)に示すように輝
度を変化させて駆動することができる。
Even when LEDs are used as the light source of the backlight, they can be driven by changing the luminance as shown in FIG. 66(C).

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容(
一部でもよい)は、別の図で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。
In the present embodiment, descriptions have been made using various diagrams, but the contents described in each diagram (
may be part of it) shall apply, combine, or
Alternatively, replacement can be freely performed. Furthermore, in the figures described so far, more figures can be configured by combining each part with another part.

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容(一部でもよい)は、別の実施の形態の図
で述べた内容(一部でもよい)対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
Similarly, the content (may be part of) described in each drawing of this embodiment may be applied, combined, replaced, etc. with respect to the content (may be part of) described in the drawing of another embodiment. can be done freely. Furthermore, in the drawings of this embodiment, more drawings can be configured by combining each part with another embodiment.

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容(一部でもよい)を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
In addition, the present embodiment is an example of a case where the content (or part of it) described in another embodiment is embodied, an example of a slightly modified case, an example of a partially changed case, and an improved case. An example of the case,
An example of detailed description, an example of application, and an example of related parts are shown. Therefore, the contents described in other embodiments can be freely applied, combined, or replaced with this embodiment.

(実施の形態10)
本実施の形態においては、表示装置の動作について説明する。
(Embodiment 10)
In this embodiment mode, the operation of the display device will be described.

図67は、表示装置の構成例を示す図である。 FIG. 67 is a diagram illustrating a configuration example of a display device.

表示装置は、画素部6701、信号線駆動回路6703及び走査線駆動回路6704を有
する。画素部6701には、複数の信号線S1乃至Smが信号線駆動回路6703から列
方向に延伸して配置されている。画素部6701には、複数の走査線G1乃至Gnが走査
線駆動回路6704から行方向に延伸して配置されている。そして、複数の信号線S1乃
至Smと複数の走査線G1乃至Gnとがそれぞれ交差するところで、画素6702がマト
リクス状に配置されている。
The display device includes a pixel portion 6701 , a signal line driver circuit 6703 and a scan line driver circuit 6704 . In the pixel portion 6701, a plurality of signal lines S1 to Sm are arranged extending from the signal line driver circuit 6703 in the column direction. In the pixel portion 6701, a plurality of scanning lines G1 to Gn are arranged extending from the scanning line driver circuit 6704 in the row direction. Pixels 6702 are arranged in a matrix at the intersections of the plurality of signal lines S1 to Sm and the plurality of scanning lines G1 to Gn.

なお、信号線駆動回路6703は、信号線S1乃至Snそれぞれに信号を出力する機能を
有する。この信号をビデオ信号と呼んでもよい。なお、走査線駆動回路6704は、走査
線G1乃至Gmそれぞれに信号を出力する機能を有する。この信号を走査信号と呼んでも
よい。
Note that the signal line driver circuit 6703 has a function of outputting a signal to each of the signal lines S1 to Sn. This signal may be called a video signal. Note that the scan line driver circuit 6704 has a function of outputting a signal to each of the scan lines G1 to Gm. This signal may be called a scanning signal.

なお、画素6702は、少なくとも信号線と接続されたスイッチング素子を有している。
このスイッチング素子は、走査線の電位(走査信)によってオン、オフが制御される。そ
して、スイッチング素子がオンしている場合に画素6702は選択され、オフしている場
合に画素6702は選択されない。
Note that the pixel 6702 has at least a switching element connected to the signal line.
This switching element is controlled to be on or off by the potential of the scanning line (scanning signal). The pixel 6702 is selected when the switching element is on, and the pixel 6702 is not selected when the switching element is off.

画素6702が選択されている場合(選択状態)は、信号線から画素6702にビデオ信
号が入力される。そして、画素6702の状態(例えば、輝度、透過率、保持容量の電圧
など)は、この入力されたビデオ信号に応じて変化する。
When the pixel 6702 is selected (selected state), a video signal is input to the pixel 6702 from the signal line. The state of the pixel 6702 (for example, luminance, transmittance, voltage of the storage capacitor, etc.) changes according to the input video signal.

画素6702が選択されていない場合(非選択状態)は、ビデオ信号が画素6702に入
力されない。ただし、画素6702は選択時に入力されたビデオ信号に応じた電位を保持
しているため、画素6702はビデオ信号に応じた(例えば、輝度、透過率、保持容量の
電圧など)を維持する。
When the pixel 6702 is not selected (unselected state), no video signal is input to the pixel 6702 . However, since the pixel 6702 holds a potential according to the video signal input at the time of selection, the pixel 6702 maintains (for example, luminance, transmittance, voltage of the storage capacitor, etc.) according to the video signal.

なお、表示装置の構成は、図67に限定されない。例えば、画素6702の構成に応じて
、新たに配線(走査線、信号線、電源線、容量線又はコモン線など)を追加してもよい。
別の例として、様々な機能を有する回路を追加してもよい。
Note that the configuration of the display device is not limited to that shown in FIG. For example, new wirings (scanning lines, signal lines, power supply lines, capacitor lines, common lines, or the like) may be added depending on the structure of the pixel 6702 .
As another example, circuits with various functions may be added.

図68は、表示装置の動作を説明するためのタイミングチャートの一例を示す。 FIG. 68 shows an example of a timing chart for explaining the operation of the display device.

図68のタイミングチャートは、1画面分の画像を表示する期間に相当する1フレーム期
間を示す。1フレーム期間は特に限定はしないが、画像を見る人がちらつき(フリッカ)
を感じないように少なくとも1/60秒以下とすることが好ましい。
The timing chart in FIG. 68 shows one frame period corresponding to the period for displaying an image for one screen. One frame period is not particularly limited, but the person who sees the image flickers (flicker)
is preferably at least 1/60 second or less so as not to feel

図68のタイミングチャートは、1行目の走査線G1、i行目の走査線Gi(走査線G1
乃至Gmのうちいずれか一)、i+1行目の走査線Gi+1及びm行目の走査線Gmがそ
れぞれ選択されるタイミングを示している。
The timing chart of FIG. 68 shows the scanning line G1 of the first row, the scanning line Gi of the i-th row (scanning line G1
to Gm), the i+1-th scanning line Gi+1, and the m-th scanning line Gm.

なお、走査線が選択されると同時に、当該走査線に接続されている画素6702も選択さ
れる。例えば、i行目の走査線Giが選択されていると、i行目の走査線Giに接続され
ている画素6702も選択される。
Note that the pixels 6702 connected to the scanning line are also selected at the same time when the scanning line is selected. For example, when the i-th scanning line Gi is selected, the pixel 6702 connected to the i-th scanning line Gi is also selected.

走査線G1乃至Gmの走査線それぞれは、1行目の走査線G1からm行目の走査線Gmま
で順に選択される(以下、走査するともいう)。例えば、i行目の走査線Giが選択され
ている期間は、i行目の走査線Gi以外の走査線(G1乃至Gi-1、Gi+1乃至Gm
)は選択されない。そして、次の期間に、i+1行目の走査線Gi+1が選択される。な
お、1つの走査線が選択されている期間を1ゲート選択期間と呼ぶ。
Each of the scanning lines G1 to Gm is selected in order from the first scanning line G1 to the m-th scanning line Gm (hereinafter also referred to as scanning). For example, during the period when the i-th scanning line Gi is selected, the scanning lines other than the i-th scanning line Gi (G1 to Gi−1, Gi+1 to Gm
) is not selected. Then, in the next period, the i+1-th scanning line Gi+1 is selected. Note that a period in which one scanning line is selected is called one gate selection period.

したがって、ある行の走査線が選択されると、当該走査線に接続された複数の画素670
2に、信号線G1乃至信号線Gmそれぞれからビデオ信号が入力される。例えば、i行目
の走査線Giが選択されている間、i行目の走査線Giに接続されている複数の画素67
02は、各々の信号線S1乃至Snから任意のビデオ信号をそれぞれ入力する。こうして
、個々の複数の画素6702を走査信号及びビデオ信号によって、独立して制御すること
ができる。
Therefore, when a row of scan lines is selected, the pixels 670 connected to that scan line are
2, video signals are input from the signal lines G1 to Gm, respectively. For example, while the i-th scanning line Gi is selected, the plurality of pixels 67 connected to the i-th scanning line Gi
02 inputs arbitrary video signals from the respective signal lines S1 to Sn. Thus, individual pixels 6702 can be independently controlled by scanning and video signals.

次に、1ゲート選択期間を複数のサブゲート選択期間に分割した場合について説明する。
図69は、1ゲート選択期間を2つのサブゲート選択期間(第1のサブゲート選択期間及
び第2のサブゲート選択期間)に分割した場合のタイミングチャートを示す。
Next, a case where one gate selection period is divided into a plurality of sub-gate selection periods will be described.
FIG. 69 shows a timing chart when one gate selection period is divided into two sub-gate selection periods (first sub-gate selection period and second sub-gate selection period).

なお、1ゲート選択期間を3つ以上のサブゲート選択期間に分割することもできる。 Note that one gate selection period can be divided into three or more sub-gate selection periods.

図69のタイミングチャートは、1画面分の画像を表示する期間に相当する1フレーム期
間を示す。1フレーム期間は特に限定はしないが、画像を見る人がちらつき(フリッカ)
を感じないように少なくとも1/60秒以下とすることが好ましい。
The timing chart in FIG. 69 shows one frame period corresponding to the period for displaying an image for one screen. One frame period is not particularly limited, but the person who sees the image flickers (flicker)
is preferably at least 1/60 second or less so as not to feel

なお、1フレームは2つのサブフレーム(第1のサブフレーム及び第2のサブフレーム)
に分割されている。
Note that one frame consists of two subframes (first subframe and second subframe)
is divided into

図69のタイミングチャートは、i行目の走査線Gi、i+1行目の走査線Gi+1、j
行目の走査線Gj(走査線Gi+1乃至Gmのうちいずれか一)、j+1行目の走査線及
びGj+1行目の走査線Gj+1がそれぞれ選択されるタイミングを示している。
In the timing chart of FIG. 69, the i-th scanning line Gi, the i+1-th scanning line Gi+1, j
It shows the timing at which the row scanning line Gj (any one of the scanning lines Gi+1 to Gm), the j+1 row scanning line, and the Gj+1 row scanning line Gj+1 are selected.

なお、走査線が選択されると同時に、当該走査線に接続されている画素6702も選択さ
れる。例えば、i行目の走査線Giが選択されていると、i行目の走査線Giに接続され
ている画素6702も選択される。
Note that the pixels 6702 connected to the scanning line are also selected at the same time when the scanning line is selected. For example, when the i-th scanning line Gi is selected, the pixel 6702 connected to the i-th scanning line Gi is also selected.

なお、走査線G1乃至Gmの走査線それぞれは、各サブゲート選択期間内で順に走査され
る。例えば、ある1ゲート選択期間において、第1のサブゲート選択期間ではi行目の走
査線Giが選択され、第2のサブゲート選択期間ではj行目の走査線Gjが選択される。
すると、1ゲート選択期間において、あたかも同時に2行分の走査信号を選択したかのよ
うに動作させることが可能となる。このとき、第1のサブゲート選択期間と第2のサブゲ
ート選択期間とで、別々のビデオ信号が信号線S1乃至Snに入力される。したがって、
i行目に接続されている複数の画素6702とj行目に接続されている複数の画素670
2とには、別々のビデオ信号を入力することができる。
Each of the scanning lines G1 to Gm is sequentially scanned within each sub-gate selection period. For example, in one gate selection period, the i-th scanning line Gi is selected during the first sub-gate selection period, and the j-th scanning line Gj is selected during the second sub-gate selection period.
Then, in one gate selection period, it is possible to operate as if scanning signals for two rows were selected at the same time. At this time, different video signals are input to the signal lines S1 to Sn during the first sub-gate selection period and the second sub-gate selection period. therefore,
A plurality of pixels 6702 connected to the i-th row and a plurality of pixels 670 connected to the j-th row
2 can receive separate video signals.

次に、入力される画像データのフレームレート(入力フレームレートとも記す)と、表示
のフレームレート(表示フレームレートとも記す)を変換する駆動方法について説明する
。なお、フレームレートとは、1秒間あたりのフレームの数であり、単位はHzである。
Next, a drive method for converting the frame rate of input image data (also referred to as input frame rate) and the frame rate of display (also referred to as display frame rate) will be described. Note that the frame rate is the number of frames per second, and the unit is Hz.

本実施の形態では、入力フレームレートは、表示のフレームレートと、必ずしも一致して
いなくてもよい。入力フレームレートと表示フレームレートが異なる場合は、画像データ
のフレームレートを変換する回路(フレームレート変換回路)によって、フレームレート
を変換することができる。こうすることによって、入力フレームレートと表示フレームレ
ートが異なっている場合でも、様々な表示フレームレートで表示を行なうことができる。
In this embodiment, the input frame rate does not necessarily have to match the display frame rate. When the input frame rate and the display frame rate are different, the frame rate can be converted by a circuit (frame rate conversion circuit) for converting the frame rate of image data. By doing so, even when the input frame rate and the display frame rate are different, display can be performed at various display frame rates.

入力フレームレートが表示フレームレートよりも大きい場合、入力される画像データの一
部を破棄することで、様々な表示フレームレートに変換して表示を行なうことができる。
この場合は、表示フレームレートを小さくできるため、表示するための駆動回路の動作周
波数を小さくすることができ、消費電力を低減できる。一方、入力フレームレートが表示
フレームレートよりも小さい場合、入力される画像データの全部または一部を複数回表示
させる、入力される画像データから別の画像を生成する、入力される画像データとは関係
のない画像を生成する、等の手段を用いることで、様々な表示フレームレートに変換して
表示を行なうことができる。この場合は、表示フレームレートを大きくすることによって
、動画の品質を向上することができる。
When the input frame rate is higher than the display frame rate, part of the input image data can be discarded to convert to various display frame rates for display.
In this case, since the display frame rate can be reduced, the operating frequency of the driving circuit for display can be reduced, and power consumption can be reduced. On the other hand, when the input frame rate is lower than the display frame rate, all or part of the input image data is displayed multiple times, another image is generated from the input image data, and the input image data is By using means such as generating irrelevant images, it is possible to convert and display at various display frame rates. In this case, the quality of moving images can be improved by increasing the display frame rate.

本実施の形態においては、入力フレームレートが表示フレームレートよりも小さい場合の
フレームレート変換方法について詳細に説明する。なお、入力フレームレートが表示フレ
ームレートよりも大きい場合のフレームレート変換方法については、入力フレームレート
が表示フレームレートよりも小さい場合のフレームレート変換方法の逆の手順を実行する
ことによって実現することができる。
In this embodiment, a frame rate conversion method when the input frame rate is lower than the display frame rate will be described in detail. Note that the frame rate conversion method when the input frame rate is higher than the display frame rate can be realized by performing the reverse procedure of the frame rate conversion method when the input frame rate is lower than the display frame rate. can.

本実施の形態においては、入力フレームレートと同じフレームレートで表示される画像の
ことを基本画像と呼ぶこととする。一方、基本画像とは異なるフレームレートで表示され
る画像であって、入力フレームレートと表示フレームレートの整合を取るために表示され
る画像のことを、補間画像と呼ぶこととする。基本画像には、入力される画像データと同
じ画像を用いることができる。補間画像には、基本画像と同じ画像を用いることができる
。さらに、基本画像とは異なる画像を作成し、作成した画像を補間画像とすることもでき
る。
In this embodiment, an image displayed at the same frame rate as the input frame rate is called a basic image. On the other hand, an image that is displayed at a frame rate different from that of the base image and that is displayed to match the input frame rate and the display frame rate is called an interpolated image. The same image as the input image data can be used as the basic image. The same image as the basic image can be used for the interpolated image. Furthermore, an image different from the basic image can be created, and the created image can be used as the interpolated image.

補間画像を作成する場合は、入力される画像データの時間的変化(画像の動き)を検出し
、これらの中間状態の画像を補間画像とする方法、基本画像の輝度にある係数をかけた画
像を補間画像とする方法、入力された画像データから、異なる複数の画像を作成し、当該
複数の画像を時間的に連続して提示する(当該複数の画像のうちの1つを基本画像とし、
残りを補間画像とする)ことで、入力された画像データに対応する画像が表示されたよう
に観察者に知覚させる方法、等がある。入力された画像データから異なる複数の画像を作
成する方法としては、入力された画像データのガンマ値を変換する方法、入力された画像
データに含まれる階調値を分割する方法、等がある。
When creating an interpolated image, the temporal change (movement of the image) in the input image data is detected, and an intermediate state image is used as the interpolated image. as an interpolated image, a method in which a plurality of different images are created from the input image data, and the plurality of images are presented continuously in time (one of the plurality of images is used as a basic image,
The remainder is used as an interpolated image) so that the observer perceives as if an image corresponding to the input image data was displayed. Methods of creating a plurality of different images from input image data include a method of converting the gamma value of the input image data, a method of dividing the gradation values included in the input image data, and the like.

なお、中間状態の画像(中間画像)とは、入力された画像データの時間的変化(画像の動
き)を検出し、検出された動きを内挿して求められた画像である。このような方法によっ
て中間画像を求めることを、動き補償と呼ぶこととする。
An image in an intermediate state (intermediate image) is an image obtained by detecting a temporal change (movement of an image) in input image data and interpolating the detected movement. Obtaining an intermediate image by such a method is called motion compensation.

次に、フレームレート変換方法の具体例について説明する。この方法によれば、任意の有
理数(n/m)倍のフレームレート変換を実現することができる。ここで、nおよびmは
1以上の整数とする。本実施の形態におけるフレームレート変換方法は、第1のステップ
と、第2のステップに分けて取り扱うことができる。ここで、第1のステップは、任意の
有理数(n/m)倍にフレームレート変換するステップである。ここでは、補間画像とし
て基本画像を用いてもよいし、動き補償によって求めた中間画像を補間画像として用いて
もよい。第2のステップは、入力された画像データまたは第1のステップにおいてフレー
ムレート変換された各々の画像から、異なる複数の画像(サブ画像)を作成し、当該複数
のサブ画像を時間的に連続して表示する方法を行なうためのステップである。第2のステ
ップによる方法を用いることによって、実際は複数の異なる画像を表示しているのにもか
かわらず、見た目上、元の画像が表示されたように人間の目に知覚させることもできる。
Next, a specific example of the frame rate conversion method will be described. According to this method, any rational number (n/m) times frame rate conversion can be realized. Here, n and m are integers of 1 or more. The frame rate conversion method in this embodiment can be divided into a first step and a second step. Here, the first step is to convert the frame rate to an arbitrary rational number (n/m) times. Here, a basic image may be used as the interpolated image, or an intermediate image obtained by motion compensation may be used as the interpolated image. The second step is to create a plurality of different images (sub-images) from the input image data or each image subjected to the frame rate conversion in the first step, and temporally contiguous the plurality of sub-images. It is a step for performing a method of displaying by By using the method according to the second step, it is possible to visually perceive to the human eye that the original image is displayed even though a plurality of different images are actually displayed.

なお、本実施の形態におけるフレームレート変換方法は、第1のステップおよび第2のス
テップを両方用いてもよいし、第1のステップを省略して第2のステップのみ用いてもよ
いし、第2のステップを省略して第1のステップのみを用いてもよい。
Note that the frame rate conversion method according to the present embodiment may use both the first step and the second step, may omit the first step and use only the second step, or may use only the second step. Step 2 may be omitted and only the first step may be used.

まず、第1のステップとして、任意の有理数(n/m)倍のフレームレート変換について
説明する。(図70参照)図70は、横軸は時間であり、縦軸は様々なnおよびmについ
て場合分けを行なって示したものである。図70内の図形は、表示される画像の模式図を
表しており、その横位置によって表示されるタイミングを表している。さらに、図形内に
表示した点によって、画像の動きを模式的に表しているものとする。ただし、これは説明
のための例であり、表示される画像はこれに限定されない。この方法は、様々な画像に対
して適用することができる。
First, as the first step, arbitrary rational number (n/m) times frame rate conversion will be described. (See FIG. 70) In FIG. 70, the horizontal axis is time, and the vertical axis is divided into cases for various n and m. Figures in FIG. 70 represent schematic diagrams of images to be displayed, and display timings are represented by their horizontal positions. Furthermore, it is assumed that the motion of the image is schematically represented by the points displayed in the figure. However, this is an example for explanation, and the displayed image is not limited to this. This method can be applied to various images.

期間Tinは、入力画像データの周期を表している。入力画像データの周期は、入力フレ
ームレートに対応している。たとえば、入力フレームレートが60Hzの場合は、入力画
像データの周期は1/60秒である。同様に、入力フレームレートが50Hzであれば、
入力画像データの周期は1/50秒である。このように、入力画像データの周期(単位:
秒)は入力フレームレート(単位:Hz)の逆数となる。なお、入力フレームレートは様
々なものを用いることができる。たとえば、24Hz、50Hz、60Hz、70Hz、
48Hz、100Hz、120Hz、140Hz、等を挙げることができる。ここで、2
4Hzはフィルム映画等に用いられるフレームレートである。50Hzは、PAL規格の
映像信号等に用いられるフレームレートである。60Hzは、NTSC規格の映像信号等
に用いられるフレームレートである。70Hzは、パーソナルコンピュータのディスプレ
イ入力信号等に用いられるフレームレートである。48Hz、100Hz、120Hz、
140Hz、は、これらの2倍のフレームレートである。なお、2倍に限らず、様々な倍
数のフレームレートであってもよい。このように、本実施の形態に示す方法によれば、様
々な規格の入力信号に対してフレームレートの変換を実現することができる。
A period Tin represents the cycle of the input image data. The cycle of input image data corresponds to the input frame rate. For example, when the input frame rate is 60 Hz, the period of input image data is 1/60 second. Similarly, if the input frame rate is 50Hz,
The period of the input image data is 1/50 second. Thus, the period of the input image data (unit:
seconds) is the reciprocal of the input frame rate (unit: Hz). Various input frame rates can be used. For example, 24Hz, 50Hz, 60Hz, 70Hz,
48 Hz, 100 Hz, 120 Hz, 140 Hz, etc. can be mentioned. where 2
4 Hz is a frame rate used for film movies and the like. 50 Hz is a frame rate used for PAL standard video signals and the like. 60 Hz is a frame rate used for NTSC standard video signals and the like. 70 Hz is a frame rate used for display input signals of personal computers and the like. 48Hz, 100Hz, 120Hz,
140 Hz, is a frame rate double these. Note that the frame rate is not limited to double, and various multiples of the frame rate may be used. Thus, according to the method shown in this embodiment, it is possible to realize frame rate conversion for input signals of various standards.

第1のステップにおける任意の有理数(n/m)倍のフレームレート変換の手順は、以下
のとおりである。
手順1として、第1の基本画像に対する第kの補間画像(kは1以上の整数;初期値は1
)の表示タイミングを決定する。第kの補間画像の表示タイミングは、第1の基本画像が
表示されてから、入力画像データの周期をk(m/n)倍した期間が経過した時点である
とする。
手順2として、第kの補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数k(m/n)が、整
数であるかどうかを判別する。整数であった場合は、第kの補間画像の表示タイミングに
おいて第(k(m/n)+1)の基本画像を表示し、第1のステップを終了する。整数で
なかった場合は、手順3に進む。
手順3として、第kの補間画像として用いる画像を決定する。具体的には、第kの補間画
像の表示タイミングの決定に用いた係数k(m/n)を、x+y/nの形に変換する。こ
こで、xおよびyは整数であり、yはnよりも小さい数であるとする。そして、第kの補
間画像を動き補償によって求めた中間画像とする場合は、第kの補間画像は、第(x+1
)の基本画像から第(x+2)の基本画像までの画像の動きを(y/n)倍した動きに相
当する画像として求めた中間画像とする。第kの補間画像を基本画像と同じ画像とする場
合は、第(x+1)の基本画像を用いることができる。なお、画像の動きを(y/n)倍
した動きに相当する画像として中間画像を求める方法については、別の部分で詳細に述べ
る。
手順4として、対象とする補間画像を次の補間画像に移す。具体的には、kの値を1増加
させ、手順1に戻る。
The procedure for arbitrary rational (n/m) times frame rate conversion in the first step is as follows.
As procedure 1, the k-th interpolated image (k is an integer of 1 or more; the initial value is 1
) is displayed. It is assumed that the display timing of the k-th interpolated image is the point in time when a period obtained by multiplying the cycle of the input image data by k (m/n) has passed since the first basic image was displayed.
As procedure 2, it is determined whether the coefficient k(m/n) used for determining the display timing of the k-th interpolated image is an integer. If it is an integer, the (k(m/n)+1)-th basic image is displayed at the display timing of the k-th interpolated image, and the first step ends. If it is not an integer, go to step 3.
As procedure 3, an image to be used as the k-th interpolation image is determined. Specifically, the coefficient k(m/n) used for determining the display timing of the k-th interpolated image is converted into x+y/n. Here x and y are integers and y is a number less than n. When the k-th interpolated image is an intermediate image obtained by motion compensation, the k-th interpolated image is the (x+1)-th interpolated image.
) to the (x+2)-th basic image multiplied by (y/n). If the k-th interpolated image is the same image as the basic image, the (x+1)-th basic image can be used. A method of obtaining an intermediate image as an image corresponding to a motion obtained by multiplying the motion of the image by (y/n) will be described in detail in another section.
As procedure 4, the target interpolated image is moved to the next interpolated image. Specifically, the value of k is incremented by 1, and the process returns to step 1.

次に、第1のステップにおける手順において、nおよびmの値を具体的に示して詳細に説
明する。
Next, in the procedure in the first step, the values of n and m will be specifically shown and explained in detail.

なお、第1のステップにおける手順を実行する仕組みは、装置に実装されたものであって
もよいし、装置の設計段階であらかじめ決められたものであってもよい。第1のステップ
における手順を実行する仕組みが装置に実装されていれば、状況に応じた最適な動作が行
われるように、駆動方法を切り替えることが可能となる。なお、ここでいう状況とは、画
像データの内容、装置内外の環境(温度、湿度、気圧、光、音、磁界、電界、放射線量、
高度、加速度、移動速度、等)、ユーザ設定、ソフトウエアバージョン、等を含む。一方
、第1のステップにおける手順を実行する仕組みが装置の設計段階であらかじめ決められ
たものであれば、それぞれの駆動方法に最適な駆動回路を用いることができ、さらに、仕
組みが決められていることによって、量産効果による製造コストの低減が期待できる。
Note that the mechanism for executing the procedure in the first step may be implemented in the device, or may be determined in advance at the design stage of the device. If the apparatus is equipped with a mechanism for executing the procedure in the first step, it becomes possible to switch the driving method so that the optimum operation according to the situation is performed. The conditions here refer to the content of the image data, the environment inside and outside the device (temperature, humidity, air pressure, light, sound, magnetic field, electric field, radiation dose,
altitude, acceleration, movement speed, etc.), user settings, software version, etc. On the other hand, if the mechanism for executing the procedure in the first step is determined in advance at the design stage of the device, the optimum driving circuit can be used for each driving method, and the mechanism is already determined. As a result, a reduction in manufacturing costs can be expected due to the effect of mass production.

n=1,m=1、すなわち変換比(n/m)が1(図70のn=1,m=1の箇所)の場
合は、第1のステップにおける動作は次のようになる。まず、k=1のとき、手順1では
、第1の基本画像に対する第1の補間画像の表示タイミングを決定する。第1の補間画像
の表示タイミングは、第1の基本画像が表示されてから、入力画像データの周期をk(m
/n)倍すなわち1倍した期間が経過した時点である。
When n=1, m=1, that is, when the conversion ratio (n/m) is 1 (n=1, m=1 in FIG. 70), the operation in the first step is as follows. First, when k=1, in procedure 1, the display timing of the first interpolated image for the first basic image is determined. The display timing of the first interpolated image is set so that the cycle of the input image data is k (m
/n) times, i.e., when a period of time multiplied by 1 has elapsed.

次に、手順2では、第1の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数k(m/n)が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数k(m/n)は1であるので、整数であ
る。したがって、第1の補間画像の表示タイミングにおいては第(k(m/n)+1)す
なわち第2の基本画像を表示し、第1のステップを終了する。
Next, in procedure 2, it is determined whether or not the coefficient k(m/n) used for determining the display timing of the first interpolated image is an integer. Here, since the coefficient k(m/n) is 1, it is an integer. Therefore, at the display timing of the first interpolated image, the (k(m/n)+1)-th, that is, the second basic image is displayed, and the first step ends.

すなわち、変換比が1である場合は、第kの画像は基本画像であり、第k+1の画像は基
本画像であり、画像表示周期は、入力画像データの周期の1倍であることを特徴とする。
That is, when the conversion ratio is 1, the k-th image is the basic image, the k+1-th image is the basic image, and the image display cycle is one time the cycle of the input image data. do.

具体的な表現としては、変換比が1(n/m=1)である場合は、
第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、
第k(kは正の整数)の画像と、
第k+1の画像と、を、入力画像データの周期と等倍の間隔で順次表示する表示装置の駆
動方法であって、
前記第kの画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+1の画像は、前記第i+1の画像データにしたがって表示される
ことを特徴とする。
As a concrete expression, when the conversion ratio is 1 (n/m=1),
i-th (i is a positive integer) image data;
is sequentially input as input image data at a constant cycle, and
a k-th (k is a positive integer) image;
A display device driving method for sequentially displaying a k+1-th image and an interval equal to the cycle of input image data,
the k-th image is displayed according to the i-th image data;
The k+1-th image is displayed according to the i+1-th image data.

ここで、変換比が1である場合は、フレームレート変換回路を省略することができるため
、製造コストを低減できるという利点を有する。さらに、変換比が1である場合は、変換
比が1より小さい場合よりも動画の品質を向上できるという利点を有する。さらに、変換
比が1である場合は、変換比が1より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減
できるという利点を有する。
Here, when the conversion ratio is 1, the frame rate conversion circuit can be omitted, so there is an advantage that the manufacturing cost can be reduced. Furthermore, a conversion ratio of 1 has the advantage that the quality of moving images can be improved over a conversion ratio of less than 1. Furthermore, when the conversion ratio is 1, there is an advantage that power consumption and manufacturing cost can be reduced as compared with the case where the conversion ratio is greater than 1.

n=2,m=1、すなわち変換比(n/m)が2(図70のn=2,m=1の箇所)の場
合は、第1のステップにおける動作は次のようになる。まず、k=1のとき、手順1では
、第1の基本画像に対する第1の補間画像の表示タイミングを決定する。第1の補間画像
の表示タイミングは、第1の基本画像が表示されてから、入力画像データの周期をk(m
/n)倍すなわち1/2倍した期間が経過した時点である。
When n=2 and m=1, that is, when the conversion ratio (n/m) is 2 (where n=2 and m=1 in FIG. 70), the operation in the first step is as follows. First, when k=1, in procedure 1, the display timing of the first interpolated image for the first basic image is determined. The display timing of the first interpolated image is set so that the cycle of the input image data is k (m
/n) times, i.e., when a period of 1/2 times has elapsed.

次に、手順2では、第1の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数k(m/n)が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数k(m/n)は1/2であるので、整数
ではない。したがって、手順3に進む。
Next, in procedure 2, it is determined whether or not the coefficient k(m/n) used for determining the display timing of the first interpolated image is an integer. Here, the coefficient k(m/n) is 1/2, so it is not an integer. Therefore, proceed to step 3.

手順3では、第1の補間画像として用いる画像を決定する。そのために、係数1/2をx
+y/nの形に変換する。係数1/2の場合は、x=0,y=1である。そして、第1の
補間画像を動き補償によって求めた中間画像とする場合は、第1の補間画像は、第(x+
1)すなわち第1の基本画像から第(x+2)すなわち第2の基本画像までの画像の動き
をy/n倍すなわち1/2倍した動きに相当する画像として求めた中間画像とする。第1
の補間画像を基本画像と同じ画像とする場合は、第(x+1)すなわち第1の基本画像を
用いることができる。
In procedure 3, an image to be used as the first interpolated image is determined. Therefore, the factor 1/2 is x
+ Convert to the form y/n. For a factor of 1/2, x=0 and y=1. When the first interpolated image is an intermediate image obtained by motion compensation, the first interpolated image is the (x+
1) An intermediate image obtained as an image corresponding to a motion obtained by multiplying the motion of the image from the first basic image to the (x+2)th, i.e. the second basic image, by y/n, that is, by 1/2. first
If the interpolated image is the same image as the basic image, the (x+1)th, ie, the first basic image can be used.

ここまでの手順により、第1の補間画像の表示タイミングと、第1の補間画像として表示
する画像を決定することができた。次に、手順4では、対象とする補間画像を、第1の補
間画像から第2の補間画像へ移す。すなわち、kを1から2に変更し、手順1に戻る。
By the procedure so far, the display timing of the first interpolated image and the image to be displayed as the first interpolated image can be determined. Next, in procedure 4, the target interpolated image is moved from the first interpolated image to the second interpolated image. That is, change k from 1 to 2 and return to procedure 1.

k=2のとき、手順1では、第1の基本画像に対する第2の補間画像の表示タイミングを
決定する。第2の補間画像の表示タイミングは、第1の基本画像が表示されてから、入力
画像データの周期をk(m/n)倍すなわち1倍した期間が経過した時点である。
When k=2, in procedure 1, the display timing of the second interpolated image with respect to the first basic image is determined. The display timing of the second interpolated image is the point in time when a period obtained by multiplying the cycle of the input image data by k (m/n), ie, by 1, has elapsed since the first basic image was displayed.

次に、手順2では、第2の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数k(m/n)が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数k(m/n)は1であるので、整数であ
る。したがって、第2の補間画像の表示タイミングにおいては第(k(m/n)+1)す
なわち第2の基本画像を表示し、第1のステップを終了する。
Next, in procedure 2, it is determined whether or not the coefficient k(m/n) used for determining the display timing of the second interpolated image is an integer. Here, since the coefficient k(m/n) is 1, it is an integer. Therefore, at the display timing of the second interpolated image, the (k(m/n)+1)-th, that is, the second basic image is displayed, and the first step ends.

すなわち、変換比が2(n/m=2)である場合は、
第kの画像は基本画像であり、
第k+1の画像は補間画像であり、
第k+2の画像は基本画像であり、画像表示周期は、入力画像データの周期の1/2倍で
あることを特徴とする。
That is, if the conversion ratio is 2 (n/m=2),
The kth image is the base image,
The k+1th image is an interpolated image,
The k+2-th image is a basic image, and the image display cycle is 1/2 times the cycle of the input image data.

具体的な表現としては、変換比が2(n/m=2)である場合は、
第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、
第k(kは正の整数)の画像と、
第k+1の画像と、
第k+2の画像と、を、入力画像データの周期の1/2倍の間隔で順次表示する表示装置
の駆動方法であって、
前記第kの画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+1の画像は、前記第iの画像データから前記第i+1の画像データまでの動き
を1/2倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+2の画像は、前記第i+1の画像データにしたがって表示される
ことを特徴とする。
As a concrete expression, when the conversion ratio is 2 (n/m=2),
i-th (i is a positive integer) image data;
is sequentially input as input image data at a constant cycle, and
a k-th (k is a positive integer) image;
a k+1-th image;
A display device driving method for sequentially displaying a k+2-th image and an image at an interval of 1/2 times the cycle of input image data,
the k-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+1-th image is displayed according to image data corresponding to a motion obtained by multiplying the motion from the i-th image data to the i+1-th image data by 1/2;
The k+2-th image is displayed according to the i+1-th image data.

さらに別の具体的な表現としては、変換比が2(n/m=2)である場合は、
第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、
第k(kは正の整数)の画像と、
第k+1の画像と、
第k+2の画像と、を、入力画像データの周期の1/2倍の間隔で順次表示する表示装置
の駆動方法であって、
前記第kの画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+1の画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+2の画像は、前記第i+1の画像データにしたがって表示される
ことを特徴とする。
As another concrete expression, if the conversion ratio is 2 (n/m=2),
i-th (i is a positive integer) image data;
is sequentially input as input image data at a constant cycle, and
a k-th (k is a positive integer) image;
a k+1-th image;
A display device driving method for sequentially displaying a k+2-th image and an image at an interval of 1/2 times the cycle of input image data,
the k-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+1-th image is displayed according to the i-th image data;
The k+2-th image is displayed according to the i+1-th image data.

具体的には、変換比が2である場合は、2倍速駆動、または単に倍速駆動とも呼ばれる。
たとえば、入力フレームレートが60Hzであれば、表示フレームレートは120Hz(
120Hz駆動)である。そして、ひとつの入力画像に対し、画像を2回連続して表示す
ることになる。このとき、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は
、動画の動きを滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可
能である。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、
特に顕著な画質改善効果をもたらす。これは、液晶素子の静電容量が印加電圧によって変
動してしまう、いわゆるダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題に関
係する。すなわち、表示フレームレートを入力フレームレートよりも大きくすることによ
って、画像データの書き込み動作の頻度を大きくできるので、ダイナミックキャパシタン
スによる書き込み電圧不足に起因する、動画の尾引き、残像等の障害を低減することがで
きる。さらに、液晶表示装置の交流駆動と120Hz駆動を組み合わせるのも効果的であ
る。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を120Hzとしつつ、交流駆動の周波数をそ
の整数倍または整数分の一(たとえば、30Hz、60Hz、120Hz、240Hz等
)とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程
度に低減することができる。
Specifically, when the conversion ratio is 2, it is also called double-speed driving or simply double-speed driving.
For example, if the input frame rate is 60 Hz, the display frame rate is 120 Hz (
120 Hz drive). Then, one input image is displayed twice in succession. At this time, if the interpolated image is an intermediate image obtained by motion compensation, the motion of the moving image can be smoothed, so that the quality of the moving image can be significantly improved. Furthermore, when the display device is an active matrix liquid crystal display device,
A particularly remarkable image quality improvement effect is brought about. This is related to the problem of insufficient write voltage due to so-called dynamic capacitance, in which the electrostatic capacitance of the liquid crystal element varies with applied voltage. That is, by making the display frame rate higher than the input frame rate, the frequency of the image data write operation can be increased, thereby reducing obstacles such as moving image tailing and afterimages caused by insufficient write voltage due to dynamic capacitance. be able to. Furthermore, it is also effective to combine AC driving and 120 Hz driving of the liquid crystal display device. That is, while setting the drive frequency of the liquid crystal display device to 120 Hz, the frequency of the AC drive is set to an integral multiple or a fraction of that (for example, 30 Hz, 60 Hz, 120 Hz, 240 Hz, etc.). It can be reduced to the extent that it is imperceptible to the human eye.

n=3,m=1、すなわち変換比(n/m)が3(図70のn=3,m=1の箇所)の場
合は、第1のステップにおける動作は次のようになる。まず、k=1のとき、手順1では
、第1の基本画像に対する第1の補間画像の表示タイミングを決定する。第1の補間画像
の表示タイミングは、第1の基本画像が表示されてから、入力画像データの周期をk(m
/n)倍すなわち1/3倍した期間が経過した時点である。
When n=3 and m=1, that is, when the conversion ratio (n/m) is 3 (where n=3 and m=1 in FIG. 70), the operation in the first step is as follows. First, when k=1, in procedure 1, the display timing of the first interpolated image for the first basic image is determined. The display timing of the first interpolated image is set so that the cycle of the input image data is k (m
/n) times, that is, when a period of 1/3 times has elapsed.

次に、手順2では、第1の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数k(m/n)が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数k(m/n)は1/3であるので、整数
ではない。したがって、手順3に進む。
Next, in procedure 2, it is determined whether or not the coefficient k(m/n) used for determining the display timing of the first interpolated image is an integer. Here, the coefficient k(m/n) is 1/3, so it is not an integer. Therefore, proceed to step 3.

手順3では、第1の補間画像として用いる画像を決定する。そのために、係数1/3をx
+y/nの形に変換する。係数1/3の場合は、x=0,y=1である。そして、第1の
補間画像を動き補償によって求めた中間画像とする場合は、第1の補間画像は、第(x+
1)すなわち第1の基本画像から第(x+2)すなわち第2の基本画像までの画像の動き
をy/n倍すなわち1/3倍した動きに相当する画像として求めた中間画像とする。第1
の補間画像を基本画像と同じ画像とする場合は、第(x+1)すなわち第1の基本画像を
用いることができる。
In procedure 3, an image to be used as the first interpolated image is determined. Therefore, the factor 1/3 is x
+ Convert to the form y/n. For a factor of 1/3, x=0 and y=1. When the first interpolated image is an intermediate image obtained by motion compensation, the first interpolated image is the (x+
1) An intermediate image obtained as an image corresponding to a motion obtained by multiplying the motion of the image from the first basic image to the (x+2)th, i.e., the second basic image, by y/n, ie, ⅓ times. first
If the interpolated image is the same image as the basic image, the (x+1)th, ie, the first basic image can be used.

ここまでの手順により、第1の補間画像の表示タイミングと、第1の補間画像として表示
する画像を決定することができた。次に、手順4では、対象とする補間画像を、第1の補
間画像から第2の補間画像へ移す。すなわち、kを1から2に変更し、手順1に戻る。
By the procedure so far, the display timing of the first interpolated image and the image to be displayed as the first interpolated image can be determined. Next, in procedure 4, the target interpolated image is moved from the first interpolated image to the second interpolated image. That is, change k from 1 to 2 and return to procedure 1.

k=2のとき、手順1では、第1の基本画像に対する第2の補間画像の表示タイミングを
決定する。第2の補間画像の表示タイミングは、第1の基本画像が表示されてから、入力
画像データの周期をk(m/n)倍すなわち2/3倍した期間が経過した時点である。
When k=2, in procedure 1, the display timing of the second interpolated image with respect to the first basic image is determined. The display timing of the second interpolated image is the point in time when a period obtained by multiplying the period of the input image data by k (m/n) times, ie, by 2/3, has elapsed since the first basic image was displayed.

次に、手順2では、第2の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数k(m/n)が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数k(m/n)は2/3であるので、整数
ではない。したがって、手順3に進む。
Next, in procedure 2, it is determined whether or not the coefficient k(m/n) used for determining the display timing of the second interpolated image is an integer. Here, the coefficient k(m/n) is 2/3, so it is not an integer. Therefore, proceed to step 3.

手順3では、第2の補間画像として用いる画像を決定する。そのために、係数2/3をx
+y/nの形に変換する。係数2/3の場合は、x=0,y=2である。そして、第2の
補間画像を動き補償によって求めた中間画像とする場合は、第2の補間画像は、第(x+
1)すなわち第1の基本画像から第(x+2)すなわち第2の基本画像までの画像の動き
をy/n倍すなわち2/3倍した動きに相当する画像として求めた中間画像とする。第2
の補間画像を基本画像と同じ画像とする場合は、第(x+1)すなわち第1の基本画像を
用いることができる。
In procedure 3, an image to be used as the second interpolated image is determined. Therefore, the factor 2/3 is x
+ Convert to the form y/n. For a factor of 2/3, x=0 and y=2. When the second interpolated image is an intermediate image obtained by motion compensation, the second interpolated image is the (x+
1) An intermediate image obtained as an image corresponding to a motion obtained by multiplying the motion of the image from the first basic image to the (x+2)th, i.e., the second basic image, by y/n, ie, 2/3 times. second
If the interpolated image is the same image as the basic image, the (x+1)th, ie, the first basic image can be used.

ここまでの手順により、第2の補間画像の表示タイミングと、第2の補間画像として表示
する画像を決定することができた。次に、手順4では、対象とする補間画像を、第2の補
間画像から第3の補間画像へ移す。すなわち、kを2から3に変更し、手順1に戻る。
By the procedure so far, the display timing of the second interpolated image and the image to be displayed as the second interpolated image can be determined. Next, in procedure 4, the target interpolated image is moved from the second interpolated image to the third interpolated image. That is, change k from 2 to 3 and return to procedure 1.

k=3のとき、手順1では、第1の基本画像に対する第3の補間画像の表示タイミングを
決定する。第3の補間画像の表示タイミングは、第1の基本画像が表示されてから、入力
画像データの周期をk(m/n)倍すなわち1倍した期間が経過した時点である。
When k=3, in procedure 1, the display timing of the third interpolated image with respect to the first basic image is determined. The display timing of the third interpolated image is the point in time when a period obtained by multiplying the cycle of the input image data by k (m/n), ie, by 1, has elapsed since the first basic image was displayed.

次に、手順2では、第3の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数k(m/n)が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数k(m/n)は1であるので、整数であ
る。したがって、第3の補間画像の表示タイミングにおいては第(k(m/n)+1)す
なわち第2の基本画像を表示し、第1のステップを終了する。
Next, in procedure 2, it is determined whether or not the coefficient k(m/n) used for determining the display timing of the third interpolated image is an integer. Here, since the coefficient k(m/n) is 1, it is an integer. Therefore, at the display timing of the third interpolated image, the (k(m/n)+1)-th, that is, the second basic image is displayed, and the first step ends.

すなわち、変換比が3(n/m=3)である場合は、
第kの画像は基本画像であり、
第k+1の画像は補間画像であり、
第k+2の画像は補間画像であり、
第k+3の画像は基本画像であり、画像表示周期は、入力画像データの周期の1/3倍で
あることを特徴とする。
That is, if the conversion ratio is 3 (n/m=3),
The kth image is the base image,
The k+1th image is an interpolated image,
The k+2th image is an interpolated image,
The k+3th image is a basic image, and the image display cycle is ⅓ times the cycle of the input image data.

具体的な表現としては、変換比が3(n/m=3)である場合は、
第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、
第k(kは正の整数)の画像と、
第k+1の画像と、
第k+2の画像と、
第k+3の画像と、を、入力画像データの周期の1/3倍の間隔で順次表示する表示装置
の駆動方法であって、
前記第kの画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+1の画像は、前記第iの画像データから前記第i+1の画像データまでの動き
を1/3倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+2の画像は、前記第iの画像から前記第i+1の画像までの動きを2/3倍し
た動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+3の画像は、前記第i+1の画像データにしたがって表示される
ことを特徴とする。
As a concrete expression, when the conversion ratio is 3 (n/m=3),
i-th (i is a positive integer) image data;
is sequentially input as input image data at a constant cycle, and
a k-th image (k is a positive integer);
a k+1-th image;
a k+2th image;
A display device driving method for sequentially displaying a k+3-th image and an image at intervals of ⅓ times the cycle of input image data,
the k-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+1-th image is displayed according to image data corresponding to a motion obtained by multiplying the motion from the i-th image data to the i+1-th image data by ⅓;
the k+2-th image is displayed according to image data corresponding to a motion obtained by multiplying the motion from the i-th image to the i+1-th image by 2/3;
The k+3th image is characterized by being displayed according to the i+1th image data.

さらに別の具体的な表現としては、変換比が3(n/m=3)である場合は、
第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、
第k(kは正の整数)の画像と、
第k+1の画像と、
第k+2の画像と、
第k+3の画像と、を、入力画像データの周期の1/3倍の間隔で順次表示する表示装置
の駆動方法であって、
前記第kの画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+1の画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+2の画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+3の画像は、前記第i+1の画像データにしたがって表示される
ことを特徴とする。
As another specific expression, if the conversion ratio is 3 (n/m=3),
i-th (i is a positive integer) image data;
is sequentially input as input image data at a constant cycle, and
a k-th (k is a positive integer) image;
a k+1-th image;
a k+2th image;
A display device driving method for sequentially displaying a k+3-th image and an image at intervals of ⅓ times the cycle of input image data,
the k-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+1-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+2 th image is displayed according to the i th image data;
The k+3th image is characterized by being displayed according to the i+1th image data.

ここで、変換比が3である場合は、変換比が3より小さい場合よりも動画の品質を向上で
きるという利点を有する。さらに、変換比が3である場合は、変換比が3より大きい場合
よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。
Here, when the conversion ratio is 3, there is an advantage that the quality of moving images can be improved more than when the conversion ratio is smaller than 3. Furthermore, when the conversion ratio is 3, there is an advantage that power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is greater than 3.

具体的には、変換比が3である場合は、3倍速駆動とも呼ばれる。たとえば、入力フレー
ムレートが60Hzであれば、表示フレームレートは180Hz(180Hz駆動)であ
る。そして、ひとつの入力画像に対し、画像を3回連続して表示することになる。このと
き、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らか
にすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。さらに、表
示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシ
タンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に
対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と180Hz
駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を180H
zとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一(たとえば、45Hz、9
0Hz、180Hz、360Hz等)とすることによって、交流駆動によって現れるフリ
ッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。
Specifically, when the conversion ratio is 3, it is also called triple-speed driving. For example, if the input frame rate is 60 Hz, the display frame rate is 180 Hz (180 Hz drive). Then, one input image is displayed three times in succession. At this time, if the interpolated image is an intermediate image obtained by motion compensation, the motion of the moving image can be smoothed, so that the quality of the moving image can be significantly improved. Furthermore, when the display device is an active matrix type liquid crystal display device, the problem of shortage of write voltage due to dynamic capacitance can be avoided, so that a remarkable image quality improvement effect can be brought about against troubles such as trailing of moving images and afterimages. Furthermore, the AC drive of the liquid crystal display and the 180 Hz
It is also effective to combine driving. That is, the driving frequency of the liquid crystal display device is set to 180H.
z, and the frequency of the AC drive is set to an integer multiple or an integral fraction thereof (for example, 45 Hz, 9
0 Hz, 180 Hz, 360 Hz, etc.), it is possible to reduce flicker that appears due to AC drive to a level that is not perceived by the human eye.

n=3,m=2、すなわち変換比(n/m)が3/2(図70のn=3,m=2の箇所)
の場合は、第1のステップにおける動作は次のようになる。まず、k=1のとき、手順1
では、第1の基本画像に対する第1の補間画像の表示タイミングを決定する。第1の補間
画像の表示タイミングは、第1の基本画像が表示されてから、入力画像データの周期をk
(m/n)倍すなわち2/3倍した期間が経過した時点である。
n=3, m=2, that is, the conversion ratio (n/m) is 3/2 (n=3, m=2 in FIG. 70)
, the operation in the first step is as follows. First, when k=1, procedure 1
Now, the display timing of the first interpolated image with respect to the first basic image is determined. The display timing of the first interpolated image is set so that the cycle of the input image data is k after the first basic image is displayed.
(m/n) times, that is, when a period of time multiplied by 2/3 has elapsed.

次に、手順2では、第1の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数k(m/n)が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数k(m/n)は2/3であるので、整数
ではない。したがって、手順3に進む。
Next, in procedure 2, it is determined whether or not the coefficient k(m/n) used for determining the display timing of the first interpolated image is an integer. Here, the coefficient k(m/n) is 2/3, so it is not an integer. Therefore, proceed to step 3.

手順3では、第1の補間画像として用いる画像を決定する。そのために、係数2/3をx
+y/nの形に変換する。係数2/3の場合は、x=0,y=2である。そして、第1の
補間画像を動き補償によって求めた中間画像とする場合は、第1の補間画像は、第(x+
1)すなわち第1の基本画像から第(x+2)すなわち第2の基本画像までの画像の動き
をy/n倍すなわち2/3倍した動きに相当する画像として求めた中間画像とする。第1
の補間画像を基本画像と同じ画像とする場合は、第(x+1)すなわち第1の基本画像を
用いることができる。
In procedure 3, an image to be used as the first interpolated image is determined. Therefore, the factor 2/3 is x
+ Convert to the form y/n. For a factor of 2/3, x=0 and y=2. When the first interpolated image is an intermediate image obtained by motion compensation, the first interpolated image is the (x+
1) An intermediate image obtained as an image corresponding to a motion obtained by multiplying the motion of the image from the first basic image to the (x+2)th, i.e., the second basic image, by y/n, ie, 2/3 times. first
If the interpolated image is the same image as the basic image, the (x+1)th, ie, the first basic image can be used.

ここまでの手順により、第1の補間画像の表示タイミングと、第1の補間画像として表示
する画像を決定することができた。次に、手順4では、対象とする補間画像を、第1の補
間画像から第2の補間画像へ移す。すなわち、kを1から2に変更し、手順1に戻る。
By the procedure so far, the display timing of the first interpolated image and the image to be displayed as the first interpolated image can be determined. Next, in procedure 4, the target interpolated image is moved from the first interpolated image to the second interpolated image. That is, change k from 1 to 2 and return to procedure 1.

k=2のとき、手順1では、第1の基本画像に対する第2の補間画像の表示タイミングを
決定する。第2の補間画像の表示タイミングは、第1の基本画像が表示されてから、入力
画像データの周期をk(m/n)倍すなわち4/3倍した期間が経過した時点である。
When k=2, in procedure 1, the display timing of the second interpolated image with respect to the first basic image is determined. The display timing of the second interpolated image is the point in time when a period obtained by multiplying the cycle of the input image data by k (m/n), that is, by 4/3, has elapsed since the first basic image was displayed.

次に、手順2では、第2の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数k(m/n)が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数k(m/n)は4/3であるので、整数
ではない。したがって、手順3に進む。
Next, in procedure 2, it is determined whether or not the coefficient k(m/n) used for determining the display timing of the second interpolated image is an integer. Here, the coefficient k(m/n) is 4/3, so it is not an integer. Therefore, proceed to step 3.

手順3では、第2の補間画像として用いる画像を決定する。そのために、係数4/3をx
+y/nの形に変換する。係数4/3の場合は、x=1,y=1である。そして、第2の
補間画像を動き補償によって求めた中間画像とする場合は、第2の補間画像は、第(x+
1)すなわち第2の基本画像から第(x+2)すなわち第3の基本画像までの画像の動き
をy/n倍すなわち1/3倍した動きに相当する画像として求めた中間画像とする。第2
の補間画像を基本画像と同じ画像とする場合は、第(x+1)すなわち第2の基本画像を
用いることができる。
In procedure 3, an image to be used as the second interpolated image is determined. Therefore, the factor 4/3 is x
+ Convert to the form y/n. For a factor of 4/3, x=1 and y=1. When the second interpolated image is an intermediate image obtained by motion compensation, the second interpolated image is the (x+
1) An intermediate image obtained as an image corresponding to a motion obtained by multiplying the motion of the image from the second basic image to the (x+2)th, i.e., the third basic image, by y/n, ie, ⅓ times. second
If the interpolated image is the same image as the basic image, the (x+1)th, ie, the second basic image can be used.

ここまでの手順により、第2の補間画像の表示タイミングと、第2の補間画像として表示
する画像を決定することができた。次に、手順4では、対象とする補間画像を、第2の補
間画像から第3の補間画像へ移す。すなわち、kを2から3に変更し、手順1に戻る。
By the procedure so far, the display timing of the second interpolation image and the image to be displayed as the second interpolation image can be determined. Next, in procedure 4, the target interpolated image is moved from the second interpolated image to the third interpolated image. That is, change k from 2 to 3 and return to procedure 1.

k=3のとき、手順1では、第1の基本画像に対する第3の補間画像の表示タイミングを
決定する。第3の補間画像の表示タイミングは、第1の基本画像が表示されてから、入力
画像データの周期をk(m/n)倍すなわち2倍した期間が経過した時点である。
When k=3, in procedure 1, the display timing of the third interpolated image with respect to the first basic image is determined. The display timing of the third interpolated image is the point in time when a period obtained by multiplying the period of the input image data by k (m/n), that is, by doubling the period of the input image data has elapsed since the first basic image was displayed.

次に、手順2では、第3の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数k(m/n)が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数k(m/n)は2であるので、整数であ
る。したがって、第3の補間画像の表示タイミングにおいては第(k(m/n)+1)す
なわち第3の基本画像を表示し、第1のステップを終了する。
Next, in procedure 2, it is determined whether or not the coefficient k(m/n) used for determining the display timing of the third interpolated image is an integer. Here, since the coefficient k(m/n) is 2, it is an integer. Therefore, at the display timing of the third interpolated image, the (k(m/n)+1)-th, that is, the third basic image is displayed, and the first step ends.

すなわち、変換比が3/2(n/m=3/2)である場合は、
第kの画像は基本画像であり、
第k+1の画像は補間画像であり、
第k+2の画像は補間画像であり、
第k+3の画像は基本画像であり、画像表示周期は、入力画像データの周期の2/3倍で
あることを特徴とする。
That is, if the conversion ratio is 3/2 (n/m=3/2),
The kth image is the base image,
The k+1th image is an interpolated image,
The k+2th image is an interpolated image,
The k+3th image is a basic image, and the image display cycle is ⅔ times the cycle of the input image data.

具体的な表現としては、変換比が3/2(n/m=3/2)である場合は、
第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、
第i+2の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、
第k(kは正の整数)の画像と、
第k+1の画像と、
第k+2の画像と、
第k+3の画像と、を、入力画像データの周期の2/3倍の間隔で順次表示する表示装置
の駆動方法であって、
前記第kの画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+1の画像は、前記第iの画像データから前記第i+1の画像データまでの動き
を2/3倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+2の画像は、前記第i+1の画像から前記第i+2の画像までの動きを1/3
倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+3の画像は、前記第i+2の画像データにしたがって表示される
ことを特徴とする。
As a concrete expression, when the conversion ratio is 3/2 (n/m=3/2),
i-th (i is a positive integer) image data;
i+1-th image data;
is sequentially input as input image data at a constant cycle, and
a k-th image (k is a positive integer);
a k+1-th image;
a k+2th image;
A display device driving method for sequentially displaying a k+3-th image and an image at an interval of 2/3 times the cycle of input image data,
the k-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+1-th image is displayed according to image data corresponding to a motion obtained by multiplying the motion from the i-th image data to the i+1-th image data by 2/3;
The k+2 th image is ⅓ the motion from the i+1 th image to the i+2 th image.
displayed according to the image data corresponding to the multiplied movement,
The k+3-th image is displayed according to the i+2-th image data.

さらに別の具体的な表現としては、変換比が3/2(n/m=3/2)である場合は、
第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、
第i+2の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、
第k(kは正の整数)の画像と、
第k+1の画像と、
第k+2の画像と、
第k+3の画像と、を、入力画像データの周期の2/3倍の間隔で順次表示する表示装置
の駆動方法であって、
前記第kの画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+1の画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+2の画像は、前記第i+1の画像データにしたがって表示され、
前記第k+3の画像は、前記第i+2の画像データにしたがって表示される
ことを特徴とする。
As another concrete expression, if the conversion ratio is 3/2 (n/m=3/2),
i-th (i is a positive integer) image data;
i+1-th image data;
is sequentially input as input image data at a constant cycle, and
a k-th (k is a positive integer) image;
a k+1-th image;
a k+2th image;
A display device driving method for sequentially displaying a k+3-th image and an image at an interval of 2/3 times the cycle of input image data,
the k-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+1-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+2-th image is displayed according to the i+1-th image data;
The k+3-th image is displayed according to the i+2-th image data.

ここで、変換比が3/2である場合は、変換比が3/2より小さい場合よりも動画の品質
を向上できるという利点を有する。さらに、変換比が3/2である場合は、変換比が3/
2より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。
Here, when the conversion ratio is 3/2, there is an advantage that the quality of moving images can be improved more than when the conversion ratio is smaller than 3/2. Further, if the conversion ratio is 3/2, then the conversion ratio is 3/
It has the advantage of being able to reduce power consumption and manufacturing costs compared to the case of greater than two.

具体的には、変換比が3/2である場合は、3/2倍速駆動または1.5倍速駆動とも呼
ばれる。たとえば、入力フレームレートが60Hzであれば、表示フレームレートは90
Hz(90Hz駆動)である。そして、2つの入力画像に対し、画像を3回連続して表示
することになる。このとき、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合
は、動画の動きを滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが
可能である。特に、120Hz駆動(倍速駆動)、180Hz駆動(3倍速駆動)等の駆
動周波数の大きな駆動方法と比較すると、動き補償によって中間画像を求める回路の動作
周波数を低減できるため、安価な回路が使用でき、製造コストおよび消費電力を低減でき
る。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナ
ミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、
残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆
動と90Hz駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波
数を90Hzとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一(たとえば、3
0Hz、45Hz、90Hz、180Hz等)とすることによって、交流駆動によって現
れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。
Specifically, when the conversion ratio is 3/2, it is also called 3/2 speed driving or 1.5 speed driving. For example, if the input frame rate is 60 Hz, the display frame rate is 90
Hz (90 Hz drive). Then, the images are displayed three times in succession for the two input images. At this time, if the interpolated image is an intermediate image obtained by motion compensation, the motion of the moving image can be smoothed, so that the quality of the moving image can be significantly improved. In particular, compared to driving methods with high driving frequencies such as 120 Hz driving (double speed driving) and 180 Hz driving (triple speed driving), motion compensation can reduce the operating frequency of the circuit that obtains the intermediate image, so that an inexpensive circuit can be used. , manufacturing costs and power consumption can be reduced. Furthermore, when the display device is an active matrix type liquid crystal display device, the problem of insufficient write voltage due to dynamic capacitance can be avoided.
This provides a particularly remarkable image quality improvement effect for obstacles such as afterimages. Furthermore, it is also effective to combine AC driving and 90 Hz driving of the liquid crystal display device. That is, while setting the drive frequency of the liquid crystal display device to 90 Hz, the frequency of the AC drive is set to an integer multiple or an integer fraction (for example, 3
0 Hz, 45 Hz, 90 Hz, 180 Hz, etc.), it is possible to reduce flicker that appears due to AC drive to a level that is not perceived by the human eye.

上記以外の正の整数nおよびmについては手順の詳細は省略するが、第1のステップにお
けるフレームレート変換の手順にしたがうことで、変換比は任意の有理数(n/m)とし
て設定することができる。なお、正の整数nおよびmの組み合わせのうち、変換比(n/
m)が約分できる組み合わせについては、約分した後の変換比と同様に取り扱うことがで
きる。
Details of the procedure for positive integers n and m other than the above are omitted, but the conversion ratio can be set as an arbitrary rational number (n/m) by following the procedure for frame rate conversion in the first step. can. Among the combinations of positive integers n and m, the conversion ratio (n/
Combinations in which m) can be canceled can be handled in the same manner as conversion ratios after cancellation.

たとえば、n=4,m=1、すなわち変換比(n/m)が4(図70のn=4,m=1の
箇所)の場合は、
第kの画像は基本画像であり、
第k+1の画像は補間画像であり、
第k+2の画像は補間画像であり、
第k+3の画像は補間画像であり、
第k+4の画像は基本画像であり、画像表示周期は、入力画像データの周期の1/4倍で
あることを特徴とする。
For example, when n=4, m=1, that is, the conversion ratio (n/m) is 4 (n=4, m=1 in FIG. 70),
The kth image is the base image,
The k+1th image is an interpolated image,
The k+2th image is an interpolated image,
The k+3th image is an interpolated image,
The k+4th image is a basic image, and the image display cycle is 1/4 times the cycle of the input image data.

さらに具体的な表現としては、変換比が4(n/m=4)である場合は、
第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、
第k(kは正の整数)の画像と、
第k+1の画像と、
第k+2の画像と、
第k+3の画像と、
第k+4の画像と、を、入力画像データの周期の1/4倍の間隔で順次表示する表示装置
の駆動方法であって、
前記第kの画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+1の画像は、前記第iの画像データから前記第i+1の画像データまでの動き
を1/4倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+2の画像は、前記第iの画像データから前記第i+1の画像データまでの動き
を1/2倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+3の画像は、前記第iの画像データから前記第i+1の画像データまでの動き
を3/4倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+4の画像は、前記第i+1の画像データにしたがって表示される
ことを特徴とする。
More specifically, when the conversion ratio is 4 (n/m=4),
i-th (i is a positive integer) image data;
is sequentially input as input image data at a constant cycle, and
a k-th (k is a positive integer) image;
a k+1-th image;
a k+2th image;
a k+3th image;
A display device driving method for sequentially displaying a k+4-th image and an image at an interval of 1/4 times the cycle of input image data,
the k-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+1-th image is displayed according to image data corresponding to a movement obtained by multiplying the movement from the i-th image data to the i+1-th image data by 1/4;
the k+2-th image is displayed according to image data corresponding to a motion obtained by multiplying the motion from the i-th image data to the i+1-th image data by 1/2;
the k+3-th image is displayed according to image data corresponding to a motion obtained by multiplying the motion from the i-th image data to the i+1-th image data by 3/4;
The k+4-th image is displayed according to the i+1-th image data.

さらに別の具体的な表現としては、変換比が4(n/m=4)である場合は、
第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、
第k(kは正の整数)の画像と、
第k+1の画像と、
第k+2の画像と、
第k+3の画像と、
第k+4の画像と、を、入力画像データの周期の1/4倍の間隔で順次表示する表示装置
の駆動方法であって、
前記第kの画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+1の画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+2の画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+3の画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+4の画像は、前記第i+1の画像データにしたがって表示される
ことを特徴とする。
As another concrete expression, if the conversion ratio is 4 (n/m=4),
i-th (i is a positive integer) image data;
is sequentially input as input image data at a constant cycle, and
a k-th image (k is a positive integer);
a k+1-th image;
a k+2th image;
a k+3th image;
A display device driving method for sequentially displaying a k+4-th image and an image at an interval of 1/4 times the cycle of input image data,
the k-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+1-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+2 th image is displayed according to the i th image data;
the k+3 th image is displayed according to the i th image data;
The k+4-th image is displayed according to the i+1-th image data.

ここで、変換比が4である場合は、変換比が4より小さい場合よりも動画の品質を向上で
きるという利点を有する。さらに、変換比が4である場合は、変換比が4より大きい場合
よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。
Here, when the conversion ratio is 4, there is an advantage that the quality of moving images can be improved more than when the conversion ratio is smaller than 4. Furthermore, when the conversion ratio is 4, there is an advantage that the power consumption and manufacturing cost can be reduced compared to when the conversion ratio is greater than 4.

具体的には、変換比が4である場合は、4倍速駆動とも呼ばれる。たとえば、入力フレー
ムレートが60Hzであれば、表示フレームレートは240Hz(240Hz駆動)であ
る。そして、1つの入力画像に対し、画像を4回連続して表示することになる。このとき
、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかに
することができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。特に、120
Hz駆動(倍速駆動)、180Hz駆動(3倍速駆動)等の駆動周波数の小さな駆動方法
と比較すると、さらに精度の高い動き補償によって求めた中間画像を補間画像として用い
ることができるため、さらに動画の動きを滑らかにすることができ、動画の品質を顕著に
向上させることが可能である。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示
装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避で
きるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さら
に、液晶表示装置の交流駆動と240Hz駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわ
ち、液晶表示装置の駆動周波数を240Hzとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍ま
たは整数分の一(たとえば、30Hz、40Hz、60Hz、120Hz等)とすること
によって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減する
ことができる。
Specifically, when the conversion ratio is 4, it is also called quadruple speed driving. For example, if the input frame rate is 60 Hz, the display frame rate is 240 Hz (240 Hz drive). Then, one input image is displayed four times in succession. At this time, if the interpolated image is an intermediate image obtained by motion compensation, the motion of the moving image can be smoothed, so that the quality of the moving image can be significantly improved. In particular, 120
Compared to drive methods with low drive frequencies such as Hz drive (double speed drive) and 180 Hz drive (triple speed drive), intermediate images obtained by motion compensation with higher accuracy can be used as interpolated images. Motion can be smoothed out, and the quality of moving images can be significantly improved. Furthermore, when the display device is an active matrix type liquid crystal display device, the problem of insufficient write voltage due to dynamic capacitance can be avoided, so that a particularly remarkable image quality improvement effect can be obtained against obstacles such as trailing of moving images and afterimages. Furthermore, it is effective to combine the AC drive and the 240 Hz drive of the liquid crystal display device. That is, while setting the drive frequency of the liquid crystal display device to 240 Hz, by setting the frequency of the AC drive to an integral multiple or a fraction of that (for example, 30 Hz, 40 Hz, 60 Hz, 120 Hz, etc.), the flicker caused by the AC drive is It can be reduced to the extent that it is imperceptible to the human eye.

さらに、たとえば、n=4,m=3、すなわち変換比(n/m)が4/3(図70のn=
4,m=3の箇所)の場合は、
第kの画像は基本画像であり、
第k+1の画像は補間画像であり、
第k+2の画像は補間画像であり、
第k+3の画像は補間画像であり、
第k+4の画像は基本画像であり、画像表示周期は、入力画像データの周期の3/4倍で
あることを特徴とする。
Furthermore, for example, n=4, m=3, that is, the conversion ratio (n/m) is 4/3 (n=
4, where m = 3),
The kth image is the base image,
The k+1th image is an interpolated image,
The k+2th image is an interpolated image,
The k+3th image is an interpolated image,
The k+4th image is a basic image, and the image display cycle is 3/4 times the cycle of the input image data.

さらに具体的な表現としては、変換比が4/3(n/m=4/3)である場合は、
第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、
第i+2の画像データと、
第i+3の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、
第k(kは正の整数)の画像と、
第k+1の画像と、
第k+2の画像と、
第k+3の画像と、
第k+4の画像と、を、入力画像データの周期の3/4倍の間隔で順次表示する表示装置
の駆動方法であって、
前記第kの画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+1の画像は、前記第iの画像データから前記第i+1の画像データまでの動き
を3/4倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+2の画像は、前記第i+1の画像から前記第i+2の画像までの動きを1/2
倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+3の画像は、前記第i+2の画像から前記第i+3の画像までの動きを1/4
倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+4の画像は、前記第i+3の画像データにしたがって表示される
ことを特徴とする。
More specifically, when the conversion ratio is 4/3 (n/m=4/3),
i-th (i is a positive integer) image data;
i+1-th image data;
i+2th image data;
is sequentially input as input image data at a constant cycle, and
a k-th (k is a positive integer) image;
a k+1-th image;
a k+2th image;
a k+3th image;
A display device driving method for sequentially displaying a k+4-th image and an image at intervals of 3/4 times the cycle of input image data,
the k-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+1-th image is displayed according to image data corresponding to a motion obtained by multiplying the motion from the i-th image data to the i+1-th image data by 3/4;
The k+2-th image has half the motion from the i+1-th image to the i+2-th image.
displayed according to the image data corresponding to the multiplied movement,
The k+3 th image is ¼ the motion from the i+2 th image to the i+3 th image.
displayed according to the image data corresponding to the multiplied movement,
The k+4th image is characterized by being displayed according to the i+3th image data.

さらに別の具体的な表現としては、変換比が4/3(n/m=4/3)である場合は、
第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、
第i+2の画像データと、
第i+3の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、
第k(kは正の整数)の画像と、
第k+1の画像と、
第k+2の画像と、
第k+3の画像と、
第k+4の画像と、を、入力画像データの周期の3/4倍の間隔で順次表示する表示装置
の駆動方法であって、
前記第kの画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+1の画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+2の画像は、前記第i+1の画像データにしたがって表示され、
前記第k+3の画像は、前記第i+2の画像データにしたがって表示され、
前記第k+4の画像は、前記第i+3の画像データにしたがって表示される
ことを特徴とする。
As another concrete expression, if the conversion ratio is 4/3 (n/m=4/3),
i-th (i is a positive integer) image data;
i+1-th image data;
i+2th image data;
is sequentially input as input image data at a constant cycle, and
a k-th (k is a positive integer) image;
a k+1-th image;
a k+2th image;
a k+3th image;
A display device driving method for sequentially displaying a k+4-th image and an image at intervals of 3/4 times the cycle of input image data,
the k-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+1-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+2-th image is displayed according to the i+1-th image data;
the k+3th image is displayed according to the i+2th image data;
The k+4th image is characterized by being displayed according to the i+3th image data.

ここで、変換比が4/3である場合は、変換比が4/3より小さい場合よりも動画の品質
を向上できるという利点を有する。さらに、変換比が4/3である場合は、変換比が4/
3より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。
Here, when the conversion ratio is 4/3, there is an advantage that the quality of moving images can be improved more than when the conversion ratio is smaller than 4/3. Furthermore, if the conversion ratio is 4/3, then the conversion ratio is 4/
It has the advantage of being able to reduce power consumption and manufacturing costs compared to the case of greater than 3.

具体的には、変換比が4/3である場合は、4/3倍速駆動または1.25倍速駆動とも
呼ばれる。たとえば、入力フレームレートが60Hzであれば、表示フレームレートは8
0Hz(80Hz駆動)である。そして、3つの入力画像に対し、画像を4回連続して表
示することになる。このとき、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場
合は、動画の動きを滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させること
が可能である。特に、120Hz駆動(倍速駆動)、180Hz駆動(3倍速駆動)等の
駆動周波数の大きな駆動方法と比較すると、動き補償によって中間画像を求める回路の動
作周波数を低減できるため、安価な回路が使用でき、製造コストおよび消費電力を低減で
きる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイ
ナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き
、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流
駆動と80Hz駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周
波数を80Hzとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一(たとえば、
40Hz、80Hz、160Hz、240Hz等)とすることによって、交流駆動によっ
て現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。
Specifically, when the conversion ratio is 4/3, it is also called 4/3 speed driving or 1.25 speed driving. For example, if the input frame rate is 60 Hz, the display frame rate is 8
0 Hz (80 Hz drive). Then, the images are displayed four times in succession with respect to the three input images. At this time, if the interpolated image is an intermediate image obtained by motion compensation, the motion of the moving image can be smoothed, so that the quality of the moving image can be significantly improved. In particular, compared to driving methods with high driving frequencies such as 120 Hz driving (double speed driving) and 180 Hz driving (triple speed driving), motion compensation can reduce the operating frequency of the circuit that obtains the intermediate image, so that an inexpensive circuit can be used. , manufacturing costs and power consumption can be reduced. Furthermore, when the display device is an active matrix type liquid crystal display device, the problem of insufficient write voltage due to dynamic capacitance can be avoided, so that a particularly remarkable image quality improvement effect can be obtained against obstacles such as trailing of moving images and afterimages. Furthermore, it is also effective to combine AC driving and 80 Hz driving of the liquid crystal display device. That is, while setting the drive frequency of the liquid crystal display device to 80 Hz, the frequency of the AC drive is set to an integer multiple or an integer fraction thereof (for example,
40 Hz, 80 Hz, 160 Hz, 240 Hz, etc.), it is possible to reduce flicker that appears due to AC drive to a level that is not perceived by the human eye.

さらに、たとえば、n=5,m=1、すなわち変換比(n/m)が5(図70のn=5,
m=1の箇所)の場合は、
第kの画像は基本画像であり、
第k+1の画像は補間画像であり、
第k+2の画像は補間画像であり、
第k+3の画像は補間画像であり、
第k+4の画像は補間画像であり、
第k+5の画像は基本画像であり、画像表示周期は、入力画像データの周期の1/5倍で
あることを特徴とする。
Furthermore, for example, n=5, m=1, that is, the conversion ratio (n/m) is 5 (n=5, m in FIG.
m = 1),
The kth image is the base image,
The k+1th image is an interpolated image,
The k+2th image is an interpolated image,
The k+3th image is an interpolated image,
The k+4th image is an interpolated image,
The k+5th image is a basic image, and the image display cycle is 1/5 times the cycle of the input image data.

さらに具体的な表現としては、変換比が5(n/m=5)である場合は、
第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、
第k(kは正の整数)の画像と、
第k+1の画像と、
第k+2の画像と、
第k+3の画像と、
第k+4の画像と、
第k+5の画像と、を、入力画像データの周期の1/5倍の間隔で順次表示する表示装置
の駆動方法であって、
前記第kの画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+1の画像は、前記第iの画像データから前記第i+1の画像データまでの動き
を1/5倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+2の画像は、前記第iの画像データから前記第i+1の画像データまでの動き
を2/5倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+3の画像は、前記第iの画像データから前記第i+1の画像データまでの動き
を3/5倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+4の画像は、前記第iの画像データから前記第i+1の画像データまでの動き
を4/5倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+5の画像は、前記第i+1の画像データにしたがって表示される
ことを特徴とする。
More specifically, when the conversion ratio is 5 (n/m=5),
i-th (i is a positive integer) image data;
is sequentially input as input image data at a constant cycle, and
a k-th (k is a positive integer) image;
a k+1-th image;
a k+2th image;
a k+3th image;
the k+4th image;
A method of driving a display device for sequentially displaying a k+5th image and an image at intervals of ⅕ times the cycle of input image data,
the k-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+1-th image is displayed according to image data corresponding to a motion obtained by multiplying the motion from the i-th image data to the i+1-th image data by ⅕;
the k+2-th image is displayed according to image data corresponding to a motion obtained by multiplying the motion from the i-th image data to the i+1-th image data by 2/5;
the k+3-th image is displayed according to image data corresponding to a motion obtained by multiplying the motion from the i-th image data to the i+1-th image data by 3/5;
the k+4-th image is displayed according to image data corresponding to a motion obtained by multiplying the motion from the i-th image data to the i+1-th image data by 4/5;
The k+5-th image is displayed according to the i+1-th image data.

さらに別の具体的な表現としては、変換比が5(n/m=5)である場合は、
第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、
第k(kは正の整数)の画像と、
第k+1の画像と、
第k+2の画像と、
第k+3の画像と、
第k+4の画像と、
第k+5の画像と、を、入力画像データの周期の1/5倍の間隔で順次表示する表示装置
の駆動方法であって、
前記第kの画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+1の画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+2の画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+3の画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+4の画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+5の画像は、前記第i+1の画像データにしたがって表示される
ことを特徴とする。
As another specific expression, if the conversion ratio is 5 (n/m=5),
i-th (i is a positive integer) image data;
is sequentially input as input image data at a constant cycle, and
a k-th (k is a positive integer) image;
a k+1-th image;
a k+2th image;
a k+3th image;
the k+4th image; and
A driving method for a display device for sequentially displaying a k+5th image and an image at intervals of ⅕ times the cycle of input image data,
the k-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+1-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+2 th image is displayed according to the i th image data;
the k+3 th image is displayed according to the i th image data;
the k+4th image is displayed according to the i-th image data;
The k+5-th image is displayed according to the i+1-th image data.

ここで、変換比が5である場合は、変換比が5より小さい場合よりも動画の品質を向上で
きるという利点を有する。さらに、変換比が5である場合は、変換比が5より大きい場合
よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。
Here, when the conversion ratio is 5, there is an advantage that the quality of moving images can be improved more than when the conversion ratio is smaller than 5. Furthermore, when the conversion ratio is 5, there is an advantage that the power consumption and the manufacturing cost can be reduced compared to when the conversion ratio is greater than 5.

具体的には、変換比が5である場合は、5倍速駆動とも呼ばれる。たとえば、入力フレー
ムレートが60Hzであれば、表示フレームレートは300Hz(300Hz駆動)であ
る。そして、1つの入力画像に対し、画像を5回連続して表示することになる。このとき
、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかに
することができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。特に、120
Hz駆動(倍速駆動)、180Hz駆動(3倍速駆動)等の駆動周波数の小さな駆動方法
と比較すると、さらに精度の高い動き補償によって求めた中間画像を補間画像として用い
ることができるため、さらに動画の動きを滑らかにすることができ、動画の品質を顕著に
向上させることが可能である。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示
装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避で
きるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さら
に、液晶表示装置の交流駆動と300Hz駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわ
ち、液晶表示装置の駆動周波数を300Hzとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍ま
たは整数分の一(たとえば、30Hz、50Hz、60Hz、100Hz等)とすること
によって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減する
ことができる。
Specifically, when the conversion ratio is 5, it is also called quintuple speed driving. For example, if the input frame rate is 60 Hz, the display frame rate is 300 Hz (300 Hz drive). Then, one input image is displayed five times in succession. At this time, if the interpolated image is an intermediate image obtained by motion compensation, the motion of the moving image can be smoothed, so that the quality of the moving image can be significantly improved. In particular, 120
Compared to drive methods with low drive frequencies such as Hz drive (double speed drive) and 180 Hz drive (triple speed drive), intermediate images obtained by motion compensation with higher accuracy can be used as interpolated images. The motion can be smoothed and the quality of moving images can be significantly improved. Furthermore, when the display device is an active matrix type liquid crystal display device, the problem of insufficient write voltage due to dynamic capacitance can be avoided, so that a particularly remarkable image quality improvement effect can be obtained against obstacles such as trailing of moving images and afterimages. Furthermore, it is also effective to combine AC driving and 300 Hz driving of the liquid crystal display device. That is, while setting the drive frequency of the liquid crystal display device to 300 Hz, the frequency of the AC drive is set to an integer multiple or a fraction of that (for example, 30 Hz, 50 Hz, 60 Hz, 100 Hz, etc.). It can be reduced to the extent that it is imperceptible to the human eye.

さらに、たとえば、n=5,m=2、すなわち変換比(n/m)が5/2(図70のn=
5,m=2の箇所)の場合は、
第kの画像は基本画像であり、
第k+1の画像は補間画像であり、
第k+2の画像は補間画像であり、
第k+3の画像は補間画像であり、
第k+4の画像は補間画像であり、
第k+5の画像は基本画像であり、画像表示周期は、入力画像データの周期の1/5倍で
あることを特徴とする。
Further, for example, n=5, m=2, that is, the conversion ratio (n/m) is 5/2 (n=
5, where m = 2),
The kth image is the base image,
The k+1th image is an interpolated image,
The k+2th image is an interpolated image,
The k+3th image is an interpolated image,
The k+4th image is an interpolated image,
The k+5th image is a basic image, and the image display cycle is 1/5 times the cycle of the input image data.

さらに具体的な表現としては、変換比が5/2(n/m=5/2)である場合は、
第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、
第i+2の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、
第k(kは正の整数)の画像と、
第k+1の画像と、
第k+2の画像と、
第k+3の画像と、
第k+4の画像と、
第k+5の画像と、を、入力画像データの周期の1/5倍の間隔で順次表示する表示装置
の駆動方法であって、
前記第kの画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+1の画像は、前記第iの画像データから前記第i+1の画像データまでの動き
を2/5倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+2の画像は、前記第iの画像データから前記第i+1の画像データまでの動き
を4/5倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+3の画像は、前記第i+1の画像データから前記第i+2の画像データまでの
動きを1/5倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+4の画像は、前記第i+1の画像データから前記第i+2の画像データまでの
動きを3/5倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+5の画像は、前記第i+2の画像データにしたがって表示される
ことを特徴とする。
More specifically, when the conversion ratio is 5/2 (n/m=5/2),
i-th (i is a positive integer) image data;
i+1-th image data;
is sequentially input as input image data at a constant cycle, and
a k-th (k is a positive integer) image;
a k+1-th image;
a k+2th image;
a k+3th image;
the k+4th image;
A driving method for a display device for sequentially displaying a k+5th image and an image at intervals of ⅕ times the cycle of input image data,
the k-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+1-th image is displayed according to image data corresponding to a motion obtained by multiplying the motion from the i-th image data to the i+1-th image data by 2/5;
the k+2-th image is displayed according to image data corresponding to a motion obtained by multiplying the motion from the i-th image data to the i+1-th image data by 4/5;
the k+3-th image is displayed according to image data corresponding to a motion obtained by multiplying the motion from the i+1-th image data to the i+2-th image data by ⅕;
the k+4-th image is displayed according to image data corresponding to a motion obtained by multiplying the motion from the i+1-th image data to the i+2-th image data by 3/5;
The k+5th image is characterized by being displayed according to the i+2th image data.

さらに別の具体的な表現としては、変換比が5/2(n/m=5/2)である場合は、
第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、
第i+2の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、
第k(kは正の整数)の画像と、
第k+1の画像と、
第k+2の画像と、
第k+3の画像と、
第k+4の画像と、
第k+5の画像と、を、入力画像データの周期の1/5倍の間隔で順次表示する表示装置
の駆動方法であって、
前記第kの画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+1の画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+2の画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+3の画像は、前記第i+1の画像データにしたがって表示され、
前記第k+4の画像は、前記第i+1の画像データにしたがって表示され、
前記第k+5の画像は、前記第i+2の画像データにしたがって表示される
ことを特徴とする。
As another concrete expression, if the conversion ratio is 5/2 (n/m=5/2),
i-th (i is a positive integer) image data;
i+1-th image data;
is sequentially input as input image data at a constant cycle, and
a k-th image (k is a positive integer);
a k+1-th image;
a k+2th image;
a k+3th image;
the k+4th image; and
A method of driving a display device for sequentially displaying a k+5th image and an image at intervals of ⅕ times the cycle of input image data,
the k-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+1-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+2 th image is displayed according to the i th image data;
the k+3th image is displayed according to the i+1th image data;
the k+4th image is displayed according to the i+1th image data;
The k+5th image is characterized by being displayed according to the i+2th image data.

ここで、変換比が5/2である場合は、変換比が5/2より小さい場合よりも動画の品質
を向上できるという利点を有する。さらに、変換比が5/2である場合は、変換比が5よ
り大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。
Here, when the conversion ratio is 5/2, there is an advantage that the quality of moving images can be improved more than when the conversion ratio is smaller than 5/2. Furthermore, a conversion ratio of 5/2 has the advantage of being able to reduce power consumption and manufacturing costs compared to conversion ratios greater than 5.

具体的には、変換比が5である場合は、5/2倍速駆動または2.5倍速駆動とも呼ばれ
る。たとえば、入力フレームレートが60Hzであれば、表示フレームレートは150H
z(150Hz駆動)である。そして、2つの入力画像に対し、画像を5回連続して表示
することになる。このとき、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合
は、動画の動きを滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが
可能である。特に、120Hz駆動(倍速駆動)等の駆動周波数の小さな駆動方法と比較
すると、さらに精度の高い動き補償によって求めた中間画像を補間画像として用いること
ができるため、さらに動画の動きを滑らかにすることができ、動画の品質を顕著に向上さ
せることが可能である。さらに、180Hz駆動(3倍速駆動)等の駆動周波数の大きな
駆動方法と比較すると、動き補償によって中間画像を求める回路の動作周波数を低減でき
るため、安価な回路が使用でき、製造コストおよび消費電力を低減できる。さらに、表示
装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタ
ンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対
し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と150Hz駆
動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を150Hz
としつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一(たとえば、30Hz、50
Hz、75Hz、150Hz等)とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカ
を、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。
Specifically, when the conversion ratio is 5, it is also called 5/2 speed driving or 2.5 speed driving. For example, if the input frame rate is 60Hz, the display frame rate is 150H.
z (150 Hz drive). Then, the images are displayed five times consecutively for the two input images. At this time, if the interpolated image is an intermediate image obtained by motion compensation, the motion of the moving image can be smoothed, so that the quality of the moving image can be significantly improved. In particular, compared to a drive method with a low drive frequency such as 120 Hz drive (double speed drive), intermediate images obtained by motion compensation with higher accuracy can be used as interpolated images, so that the motion of moving images can be smoothed further. can significantly improve the quality of moving images. Furthermore, compared to driving methods with a high driving frequency such as 180 Hz driving (triple speed driving), the motion compensation can reduce the operating frequency of the circuit that obtains the intermediate image. can be reduced. Furthermore, when the display device is an active matrix type liquid crystal display device, the problem of shortage of write voltage due to dynamic capacitance can be avoided, so that a remarkable image quality improvement effect can be brought about against troubles such as trailing of moving images and afterimages. Furthermore, it is also effective to combine AC driving and 150 Hz driving of the liquid crystal display device. That is, the drive frequency of the liquid crystal display device is set to 150 Hz.
while changing the frequency of the AC drive to an integer multiple or an integer fraction (for example, 30 Hz, 50 Hz,
Hz, 75 Hz, 150 Hz, etc.), it is possible to reduce flicker that appears due to AC drive to a level that is not perceived by the human eye.

このように、正の整数nおよびmを様々に設定することによって、変換比は任意の有理数
(n/m)として設定することができる。詳細な説明は省略するが、nが10以下の範囲
では、
n=1,m=1、すなわち変換比(n/m)=1(1倍速駆動、60Hz)、
n=2,m=1、すなわち変換比(n/m)=2(2倍速駆動、120Hz)、
n=3,m=1、すなわち変換比(n/m)=3(3倍速駆動、180Hz)、
n=3,m=2、すなわち変換比(n/m)=3/2(3/2倍速駆動、90Hz)、
n=4,m=1、すなわち変換比(n/m)=4(4倍速駆動、240Hz)、
n=4,m=3、すなわち変換比(n/m)=4/3(4/3倍速駆動、80Hz)、
n=5,m=1、すなわち変換比(n/m)=5/1(5倍速駆動、300Hz)、
n=5,m=2、すなわち変換比(n/m)=5/2(5/2倍速駆動、150Hz)、
n=5,m=3、すなわち変換比(n/m)=5/3(5/3倍速駆動、100Hz)、
n=5,m=4、すなわち変換比(n/m)=5/4(5/4倍速駆動、75Hz)、
n=6,m=1、すなわち変換比(n/m)=6(6倍速駆動、360Hz)、
n=6,m=5、すなわち変換比(n/m)=6/5(6/5倍速駆動、72Hz)、
n=7,m=1、すなわち変換比(n/m)=7(7倍速駆動、420Hz)、
n=7,m=2、すなわち変換比(n/m)=7/2(7/2倍速駆動、210Hz)、
n=7,m=3、すなわち変換比(n/m)=7/3(7/3倍速駆動、140Hz)、
n=7,m=4、すなわち変換比(n/m)=7/4(7/4倍速駆動、105Hz)、
n=7,m=5、すなわち変換比(n/m)=7/5(7/5倍速駆動、84Hz)、
n=7,m=6、すなわち変換比(n/m)=7/6(7/6倍速駆動、70Hz)、
n=8,m=1、すなわち変換比(n/m)=8(8倍速駆動、480Hz)、
n=8,m=3、すなわち変換比(n/m)=8/3(8/3倍速駆動、160Hz)、
n=8,m=5、すなわち変換比(n/m)=8/5(8/5倍速駆動、96Hz)、
n=8,m=7、すなわち変換比(n/m)=8/7(8/7倍速駆動、68.6Hz)

n=9,m=1、すなわち変換比(n/m)=9(9倍速駆動、540Hz)、
n=9,m=2、すなわち変換比(n/m)=9/2(9/2倍速駆動、270Hz)、
n=9,m=4、すなわち変換比(n/m)=9/4(9/4倍速駆動、135Hz)、
n=9,m=5、すなわち変換比(n/m)=9/5(9/5倍速駆動、108Hz)、
n=9,m=7、すなわち変換比(n/m)=9/7(9/7倍速駆動、77.1Hz)

n=9,m=8、すなわち変換比(n/m)=9/8(9/8倍速駆動、67.5Hz)

n=10,m=1、すなわち変換比(n/m)=10(10倍速駆動、600Hz)、
n=10,m=3、すなわち変換比(n/m)=10/3(10/3倍速駆動、200H
z)、
n=10,m=7、すなわち変換比(n/m)=10/7(10/7倍速駆動、85.7
Hz)、
n=10,m=9、すなわち変換比(n/m)=10/9(10/9倍速駆動、66.7
Hz)、
以上の組み合わせが考えられる。なお、周波数の表記は入力フレームレートが60Hzで
あるときの例であり、その他の入力フレームレートに対しては、それぞれの変換比を入力
フレームレートと積算した値が駆動周波数となる。
Thus, by setting positive integers n and m differently, the conversion ratio can be set as any rational number (n/m). Although detailed explanation is omitted, in the range where n is 10 or less,
n=1, m=1, that is, the conversion ratio (n/m)=1 (single-speed drive, 60 Hz),
n=2, m=1, that is, the conversion ratio (n/m)=2 (double speed drive, 120 Hz),
n = 3, m = 1, that is, conversion ratio (n/m) = 3 (triple speed drive, 180 Hz),
n = 3, m = 2, that is, conversion ratio (n/m) = 3/2 (3/2 double speed drive, 90 Hz),
n = 4, m = 1, that is, conversion ratio (n/m) = 4 (4x speed drive, 240 Hz),
n = 4, m = 3, that is, conversion ratio (n/m) = 4/3 (4/3 double speed drive, 80 Hz),
n=5, m=1, that is, the conversion ratio (n/m)=5/1 (5-fold speed drive, 300 Hz),
n = 5, m = 2, that is, conversion ratio (n/m) = 5/2 (5/2 double speed drive, 150 Hz),
n = 5, m = 3, that is, conversion ratio (n/m) = 5/3 (5/3 double speed drive, 100 Hz),
n = 5, m = 4, that is, conversion ratio (n/m) = 5/4 (5/4 double speed drive, 75 Hz),
n = 6, m = 1, that is, conversion ratio (n/m) = 6 (six-speed drive, 360 Hz),
n = 6, m = 5, that is, conversion ratio (n/m) = 6/5 (6/5 double speed drive, 72 Hz),
n=7, m=1, that is, conversion ratio (n/m)=7 (seven times speed drive, 420 Hz),
n = 7, m = 2, that is, conversion ratio (n/m) = 7/2 (7/2 double speed drive, 210 Hz),
n = 7, m = 3, that is, conversion ratio (n/m) = 7/3 (7/3 double speed drive, 140 Hz),
n = 7, m = 4, that is, conversion ratio (n/m) = 7/4 (7/4 double speed drive, 105 Hz),
n = 7, m = 5, that is, conversion ratio (n/m) = 7/5 (7/5 double speed drive, 84 Hz),
n=7, m=6, that is, conversion ratio (n/m)=7/6 (7/6 double speed drive, 70 Hz),
n = 8, m = 1, that is, the conversion ratio (n/m) = 8 (8-fold speed drive, 480 Hz),
n = 8, m = 3, that is, conversion ratio (n/m) = 8/3 (8/3 double speed drive, 160 Hz),
n = 8, m = 5, that is, conversion ratio (n/m) = 8/5 (8/5 double speed drive, 96 Hz),
n=8, m=7, that is, conversion ratio (n/m)=8/7 (8/7 double speed drive, 68.6 Hz)
,
n = 9, m = 1, that is, conversion ratio (n/m) = 9 (9x speed drive, 540 Hz),
n = 9, m = 2, that is, conversion ratio (n/m) = 9/2 (9/2 double speed drive, 270 Hz),
n = 9, m = 4, that is, conversion ratio (n/m) = 9/4 (9/4 double speed drive, 135 Hz),
n = 9, m = 5, that is, conversion ratio (n/m) = 9/5 (9/5 double speed drive, 108 Hz),
n=9, m=7, that is, conversion ratio (n/m)=9/7 (9/7 double speed drive, 77.1 Hz)
,
n=9, m=8, ie conversion ratio (n/m)=9/8 (9/8 double speed drive, 67.5 Hz)
,
n = 10, m = 1, that is, conversion ratio (n/m) = 10 (10x speed drive, 600 Hz),
n=10, m=3, that is, conversion ratio (n/m)=10/3 (10/3 double speed drive, 200H
z),
n=10, m=7, ie conversion ratio (n/m)=10/7 (10/7 double speed drive, 85.7
Hz),
n=10, m=9, that is, the conversion ratio (n/m)=10/9 (10/9 double speed drive, 66.7
Hz),
Combinations of the above are conceivable. Note that the notation of frequency is an example when the input frame rate is 60 Hz, and for other input frame rates, the drive frequency is the value obtained by multiplying the input frame rate by the respective conversion ratio.

なお、nが10より大きい整数である場合については、具体的なnおよびmの数字は挙げ
ないが、様々なnおよびmに対し、この、第1のステップにおけるフレームレート変換の
手順が適用できることは明らかである。
Note that when n is an integer greater than 10, specific numbers for n and m are not given, but the procedure for frame rate conversion in the first step can be applied to various n and m. is clear.

なお、表示される画像のうち、入力される画像データに動き補償を行なうことなく表示で
きる画像がどの程度含まれているかによって、変換比を決定することができる。具体的に
は、mが小さいほど、入力される画像データに動き補償を行なうことなく表示できる画像
の割合は大きくなる。動き補償を行なう頻度が小さいと、動き補償を行なう回路の動作頻
度を減少させることができるため、消費電力を小さくでき、さらに、動き補償によってエ
ラーが含まれる画像(画像の動きを正確に反映していない中間画像)が作成されてしまう
可能性を低くすることができるため、画像の品質を向上させることができる。このような
変換比としては、nが10以下の範囲においては、たとえば、1,2,3,3/2,4,
5,5/2,6,7,7/2,8,9,9/2,10が挙げられる。このような変換比を
用いると、特に補間画像として動き補償によって求められた中間画像を用いる場合におい
て、画像の品質を高くすることができ、かつ、消費電力を低減することができる。なぜな
らば、mが2である場合は、入力される画像データに動き補償を行なうことなく表示でき
る画像の数が比較的多く(入力される画像データの総数に対して1/2だけ存在する)、
動き補償を行う頻度が減少するためである。さらに、mが1である場合は、入力される画
像データに動き補償を行なうことなく表示できる画像の数が多く(入力される画像データ
の総数に等しい)、動き補償を行うことがないためである。一方、mは大きいほど、精度
の高い動き補償によって作成された中間画像を用いることができるので、画像の動きをよ
り滑らかにできるという利点を有する。
It should be noted that the conversion ratio can be determined depending on how much of the image to be displayed includes an image that can be displayed without performing motion compensation in the input image data. Specifically, the smaller m is, the greater the percentage of images that can be displayed without performing motion compensation on the input image data. If the frequency of motion compensation is low, the frequency of operation of the circuit that performs motion compensation can be reduced, so power consumption can be reduced. Since it is possible to reduce the possibility of creating an intermediate image that does not have an image, the quality of the image can be improved. As such conversion ratios, in the range where n is 10 or less, for example, 1, 2, 3, 3/2, 4,
5, 5/2, 6, 7, 7/2, 8, 9, 9/2, 10. Using such a conversion ratio makes it possible to improve image quality and reduce power consumption, particularly when intermediate images obtained by motion compensation are used as interpolated images. This is because when m is 2, the number of images that can be displayed without performing motion compensation on the input image data is relatively large (there are only 1/2 of the total number of input image data). ,
This is because the frequency of performing motion compensation decreases. Furthermore, when m is 1, the number of images that can be displayed without performing motion compensation on the input image data is large (equal to the total number of input image data), and motion compensation is not performed. be. On the other hand, the larger m is, the more the intermediate images created by highly accurate motion compensation can be used, so there is an advantage that the motion of the images can be made smoother.

なお、表示装置が液晶表示装置である場合は、液晶素子の応答時間にしたがって変換比を
決定することができる。ここでは、液晶素子の応答時間とは、液晶素子に印加する電圧を
変化させてから液晶素子が応答するまでの時間である。液晶素子の応答時間が、液晶素子
に印加する電圧の変化量によって異なる場合は、複数の代表的な電圧変化における応答時
間の平均値とすることができる。または、液晶素子の応答時間は、MPRT(Movin
g Picture Response Time)で定義されるものであってもよい。
そして、フレームレート変換によって、画像表示周期が液晶素子の応答時間に近くなるよ
うに、変換比を決定できる。具体的には、液晶素子の応答時間は、入力画像データの周期
と変換比の逆数を積算した値から、この値の半分程度の値までの時間であることが好まし
い。こうすることで、液晶素子の応答時間に合った画像表示周期とすることができるので
、画質を向上することができる。たとえば、液晶素子の応答時間が4ミリ秒以上8ミリ秒
以下の場合に、倍速駆動(120Hz駆動)とすることができる。これは、120Hz駆
動の画像表示周期が約8ミリ秒であり、120Hz駆動の画像表示周期の半分が約4ミリ
秒であることによる。同様に、たとえば、液晶素子の応答時間が3ミリ秒以上6ミリ秒以
下の場合に、3倍速駆動(180Hz駆動)とすることができ、液晶素子の応答時間が5
ミリ秒以上11ミリ秒以下の場合に、1.5倍速駆動(90Hz駆動)とすることができ
、液晶素子の応答時間が2ミリ秒以上4ミリ秒以下の場合に、4倍速駆動(240Hz駆
動)とすることができ、液晶素子の応答時間が6ミリ秒以上12ミリ秒以下の場合に、1
.25倍速駆動(80Hz駆動)とすることができる。なお、他の駆動周波数についても
同様である。
If the display device is a liquid crystal display device, the conversion ratio can be determined according to the response time of the liquid crystal element. Here, the response time of the liquid crystal element is the time from when the voltage applied to the liquid crystal element is changed until the liquid crystal element responds. When the response time of the liquid crystal element varies depending on the amount of change in the voltage applied to the liquid crystal element, the average value of the response times in a plurality of representative voltage changes can be used. Alternatively, the response time of the liquid crystal element is MPRT (Movin
g Picture Response Time).
Then, the frame rate conversion can determine the conversion ratio so that the image display period becomes close to the response time of the liquid crystal element. Specifically, it is preferable that the response time of the liquid crystal element is the time from the sum of the cycle of the input image data and the reciprocal of the conversion ratio to about half of this value. By doing so, it is possible to set the image display cycle to match the response time of the liquid crystal element, so that the image quality can be improved. For example, when the response time of the liquid crystal element is 4 milliseconds or more and 8 milliseconds or less, double-speed driving (120 Hz driving) can be used. This is because the image display period of 120 Hz drive is approximately 8 milliseconds, and half of the image display period of 120 Hz drive is approximately 4 milliseconds. Similarly, for example, when the response time of the liquid crystal element is 3 milliseconds or more and 6 milliseconds or less, triple speed driving (180 Hz driving) can be performed, and the response time of the liquid crystal element is 5 milliseconds.
When the response time of the liquid crystal element is 2 milliseconds or more and 4 milliseconds or less, 4 times speed driving (240 Hz driving) can be used when the response time of the liquid crystal element is 2 milliseconds or more and 4 milliseconds or less. ), and when the response time of the liquid crystal element is 6 milliseconds or more and 12 milliseconds or less, 1
. A 25-fold speed drive (80 Hz drive) can be used. The same applies to other drive frequencies.

なお、変換比は、動画の品質と、消費電力および製造コストのトレードオフによっても決
定することができる。つまり、変換比を大きくすることによって動画の品質を上げること
ができる一方で、変換比を小さくすることによって消費電力および製造コストを低減でき
る。すなわち、nが10以下の範囲における各々の変換比は、以下のような利点を有する
Note that the conversion ratio can also be determined by a trade-off between the quality of moving images, power consumption, and manufacturing cost. That is, by increasing the conversion ratio, the quality of moving images can be improved, while by decreasing the conversion ratio, power consumption and manufacturing costs can be reduced. That is, each conversion ratio in the range where n is 10 or less has the following advantages.

変換比が1である場合は、変換比が1より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が1より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、mが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の1倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上す
ることができる。
When the conversion ratio is 1, the quality of moving images can be improved more than when the conversion ratio is less than 1, and power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is greater than 1. Furthermore, since m is small, power consumption can be reduced while obtaining high image quality. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is approximately one time the period of the input image data.

変換比が2である場合は、変換比が2より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が2より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、mが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の1/2倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。
When the conversion ratio is 2, the quality of moving images can be improved more than when the conversion ratio is less than 2, and power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is greater than 2. Furthermore, since m is small, power consumption can be reduced while obtaining high image quality. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about half the cycle of the input image data.

変換比が3である場合は、変換比が3より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が3より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、mが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の1/3倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。
When the conversion ratio is 3, the quality of moving images can be improved more than when the conversion ratio is less than 3, and power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is greater than 3. Furthermore, since m is small, power consumption can be reduced while obtaining high image quality. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about ⅓ times the period of the input image data.

変換比が3/2である場合は、変換比が3/2より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が3/2より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが小さいので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素
子の応答時間が入力画像データの周期の2/3倍程度である液晶表示装置に適用すること
で、画質を向上することができる。
When the conversion ratio is 3/2, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 3/2, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 3/2. Furthermore, since m is small, power consumption can be reduced while obtaining high image quality. Furthermore, the image quality can be improved by applying to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about ⅔ times the period of the input image data.

変換比が4である場合は、変換比が4より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が4より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、mが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の1/4倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。
When the conversion ratio is 4, the quality of moving images can be improved more than when the conversion ratio is less than 4, and power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is greater than 4. Furthermore, since m is small, power consumption can be reduced while obtaining high image quality. Furthermore, the image quality can be improved by applying to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 1/4 times the period of the input image data.

変換比が4/3である場合は、変換比が4/3より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が4/3より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の3/4倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。
When the conversion ratio is 4/3, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 4/3, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 4/3. Furthermore, since m is large, the motion of the image can be made smoother. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 3/4 times the cycle of the input image data.

変換比が5である場合は、変換比が5より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が5より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、mが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の1/5倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。
When the conversion ratio is 5, the quality of moving images can be improved more than when the conversion ratio is less than 5, and power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is greater than 5. Furthermore, since m is small, power consumption can be reduced while obtaining high image quality. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about ⅕ times the cycle of the input image data.

変換比が5/2である場合は、変換比が5/2より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が5/2より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが小さいので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素
子の応答時間が入力画像データの周期の2/5倍程度である液晶表示装置に適用すること
で、画質を向上することができる。
When the conversion ratio is 5/2, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 5/2, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 5/2. Furthermore, since m is small, power consumption can be reduced while obtaining high image quality. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 2/5 times the cycle of the input image data.

変換比が5/3である場合は、変換比が5/3より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が5/3より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の3/5倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。
When the conversion ratio is 5/3, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 5/3, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 5/3. Furthermore, since m is large, the motion of the image can be made smoother. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 3/5 times the cycle of the input image data.

変換比が5/4である場合は、変換比が5/4より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が5/4より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の4/5倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。
When the conversion ratio is 5/4, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 5/4, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 5/4. Furthermore, since m is large, the motion of the image can be made smoother. Furthermore, the image quality can be improved by applying to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 4/5 times the period of the input image data.

変換比が6である場合は、変換比が6より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が6より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、mが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の1/6倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。
When the conversion ratio is 6, the quality of moving images can be improved more than when the conversion ratio is less than 6, and power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is greater than 6. Furthermore, since m is small, power consumption can be reduced while obtaining high image quality. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 1/6 times the cycle of the input image data.

変換比が6/5である場合は、変換比が6/5より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が6/5より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の5/6倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。
When the conversion ratio is 6/5, the quality of moving images can be improved more than when the conversion ratio is less than 6/5, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 6/5. Furthermore, since m is large, the motion of the image can be made smoother. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 5/6 times the cycle of the input image data.

変換比が7である場合は、変換比が7より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が7より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、mが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の1/7倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。
When the conversion ratio is 7, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 7, and power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 7. Furthermore, since m is small, power consumption can be reduced while obtaining high image quality. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 1/7 times the period of the input image data.

変換比が7/2である場合は、変換比が7/2より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が7/2より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが小さいので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素
子の応答時間が入力画像データの周期の2/7倍程度である液晶表示装置に適用すること
で、画質を向上することができる。
When the conversion ratio is 7/2, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 7/2, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 7/2. Furthermore, since m is small, power consumption can be reduced while obtaining high image quality. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 2/7 times the period of the input image data.

変換比が7/3である場合は、変換比が7/3より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が7/3より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の3/7倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。
When the conversion ratio is 7/3, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 7/3, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 7/3. Furthermore, since m is large, the motion of the image can be made smoother. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 3/7 times the cycle of the input image data.

変換比が7/4である場合は、変換比が7/4より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が7/4より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の4/7倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。
When the conversion ratio is 7/4, it is possible to improve the quality of the moving image as compared to when the conversion ratio is less than 7/4, and it is possible to reduce power consumption and manufacturing cost as compared to when the conversion ratio is greater than 7/4. Furthermore, since m is large, the motion of the image can be made smoother. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 4/7 times the period of the input image data.

変換比が7/5である場合は、変換比が7/5より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が7/5より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の5/7倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。
When the conversion ratio is 7/5, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 7/5, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 7/5. Furthermore, since m is large, the motion of the image can be made smoother. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 5/7 times the period of the input image data.

変換比が7/6である場合は、変換比が7/6より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が7/6より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の6/7倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。
When the conversion ratio is 7/6, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 7/6, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 7/6. Furthermore, since m is large, the motion of the image can be made smoother. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 6/7 times the period of the input image data.

変換比が8である場合は、変換比が8より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が8より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、mが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の1/8倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。
When the conversion ratio is 8, the quality of moving images can be improved more than when the conversion ratio is less than 8, and power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 8. Furthermore, since m is small, power consumption can be reduced while obtaining high image quality. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about ⅛ times the cycle of the input image data.

変換比が8/3である場合は、変換比が8/3より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が8/3より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の3/8倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。
When the conversion ratio is 8/3, it is possible to improve the quality of the moving image as compared to when the conversion ratio is less than 8/3, and it is possible to reduce power consumption and manufacturing cost compared to when the conversion ratio is greater than 8/3. Furthermore, since m is large, the motion of the image can be made smoother. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 3/8 times the cycle of the input image data.

変換比が8/5である場合は、変換比が8/5より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が8/5より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の5/8倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。
When the conversion ratio is 8/5, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 8/5, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 8/5. Furthermore, since m is large, the motion of the image can be made smoother. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 5/8 times the cycle of the input image data.

変換比が8/7である場合は、変換比が8/7より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が8/7より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の7/8倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。
When the conversion ratio is 8/7, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 8/7, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 8/7. Furthermore, since m is large, the motion of the image can be made smoother. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 7/8 times the cycle of the input image data.

変換比が9である場合は、変換比が9より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が9より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、mが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の1/9倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。
When the conversion ratio is 9, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 9, and power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 9. Furthermore, since m is small, power consumption can be reduced while obtaining high image quality. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 1/9 times the cycle of the input image data.

変換比が9/2である場合は、変換比が9/2より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が9/2より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが小さいので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素
子の応答時間が入力画像データの周期の2/9倍程度である液晶表示装置に適用すること
で、画質を向上することができる。
When the conversion ratio is 9/2, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 9/2, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 9/2. Furthermore, since m is small, power consumption can be reduced while obtaining high image quality. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 2/9 times the cycle of the input image data.

変換比が9/4である場合は、変換比が9/4より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が9/4より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の4/9倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。
When the conversion ratio is 9/4, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 9/4, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 9/4. Furthermore, since m is large, the motion of the image can be made smoother. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 4/9 times the cycle of the input image data.

変換比が9/5である場合は、変換比が9/5より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が9/5より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の5/9倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。
When the conversion ratio is 9/5, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 9/5, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 9/5. Furthermore, since m is large, the motion of the image can be made smoother. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 5/9 times the cycle of the input image data.

変換比が9/7である場合は、変換比が9/7より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が9/7より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の7/9倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。
When the conversion ratio is 9/7, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 9/7, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 9/7. Furthermore, since m is large, the motion of the image can be made smoother. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 7/9 times the cycle of the input image data.

変換比が9/8である場合は、変換比が9/8より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が9/8より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、mが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の8/9倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。
When the conversion ratio is 9/8, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 9/8, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 9/8. Furthermore, since m is large, the motion of the image can be made smoother. Furthermore, the image quality can be improved by applying to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 8/9 times the cycle of the input image data.

変換比が10である場合は、変換比が10より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、
変換比が10より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、m
が小さいので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応
答時間が入力画像データの周期の1/10倍程度である液晶表示装置に適用することで、
画質を向上することができる。
When the conversion ratio is 10, the video quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 10,
Power consumption and manufacturing costs can be reduced compared to when the conversion ratio is greater than 10. Furthermore, m
is small, so power consumption can be reduced while obtaining high image quality. Furthermore, by applying the present invention to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 1/10 times the cycle of the input image data,
Image quality can be improved.

変換比が10/3である場合は、変換比が10/3より小さい場合よりも動画の品質を向
上でき、変換比が10/3より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる
。さらに、mが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答
時間が入力画像データの周期の3/10倍程度である液晶表示装置に適用することで、画
質を向上することができる。
When the conversion ratio is 10/3, the quality of moving images can be improved more than when the conversion ratio is less than 10/3, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 10/3. Furthermore, since m is large, the motion of the image can be made smoother. Furthermore, the image quality can be improved by applying to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 3/10 times the cycle of the input image data.

変換比が10/7である場合は、変換比が10/7より小さい場合よりも動画の品質を向
上でき、変換比が10/7より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる
。さらに、mが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答
時間が入力画像データの周期の7/10倍程度である液晶表示装置に適用することで、画
質を向上することができる。
When the conversion ratio is 10/7, the quality of moving images can be improved more than when the conversion ratio is less than 10/7, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 10/7. Furthermore, since m is large, the motion of the image can be made smoother. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 7/10 times the cycle of the input image data.

変換比が10/9である場合は、変換比が10/9より小さい場合よりも動画の品質を向
上でき、変換比が10/9より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる
。さらに、mが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答
時間が入力画像データの周期の9/10倍程度である液晶表示装置に適用することで、画
質を向上することができる。
When the conversion ratio is 10/9, the moving image quality can be improved more than when the conversion ratio is less than 10/9, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the conversion ratio is more than 10/9. Furthermore, since m is large, the motion of the image can be made smoother. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 9/10 times the cycle of the input image data.

なお、nが10より大きい範囲における各々の変換比においても、同様な利点を有するの
は明らかである。
It is clear that each conversion ratio in the range where n is greater than 10 also has similar advantages.

次に、第2のステップとして、入力された画像データにしたがった画像または第1のステ
ップにおいて任意の有理数(n/m)倍にフレームレート変換された各々の画像(元画像
と呼ぶこととする)から、異なる複数の画像(サブ画像)を作成し、当該複数のサブ画像
を時間的に連続して提示する方法について説明する。こうすることによって、実際は複数
の画像を提示しているのにもかかわらず、見た目上、1つの元画像が表示されたように人
間の目に知覚させることもできる。
Next, as a second step, an image according to the input image data or each image whose frame rate has been converted to an arbitrary rational number (n/m) times in the first step (referred to as an original image) ) to create a plurality of different images (sub-images) and present the plurality of sub-images continuously in time. By doing so, it is possible to make the human eye perceive that one original image is displayed, even though a plurality of images are actually presented.

なお、ここでは、1つの元画像から作成されたサブ画像のうち、先に表示されるサブ画像
を、第1のサブ画像と呼ぶこととする。ここで、第1のサブ画像を表示するタイミングは
、第1のステップで決められた元画像を表示するタイミングと同じであるとする。一方、
その後に表示されるサブ画像を、第2のサブ画像と呼ぶこととする。第2のサブ画像を表
示するタイミングは、第1のステップで決められた元画像を表示するタイミングに関わら
ず、任意に決めることができる。なお、実際に表示させる画像は、第2のステップにおけ
る方法により元画像から作成された画像である。なお、サブ画像を作成するための元画像
も、様々な画像を用いることができる。なお、サブ画像の数は2つに限定されず、2つよ
り大きくてもよい。第2のステップにおいては、サブ画像の数をJ個(Jは2以上の整数
)と表記する。このとき、第1のステップで決められた元画像を表示するタイミングと同
じタイミングで表示されるサブ画像を、第1のサブ画像と呼び、それ以降に続いて表示さ
れるサブ画像を、表示される順番にしたがって第2のサブ画像、第3のサブ画像、・・・
、第Jのサブ画像、と呼ぶこととする。
Here, among the sub-images created from one original image, the sub-image displayed first is called the first sub-image. Here, it is assumed that the timing for displaying the first sub-image is the same as the timing for displaying the original image determined in the first step. on the other hand,
A sub-image displayed after that is called a second sub-image. The timing of displaying the second sub-image can be determined arbitrarily regardless of the timing of displaying the original image determined in the first step. Note that the image to be actually displayed is the image created from the original image by the method in the second step. Various images can be used as the original image for creating the sub-image. Note that the number of sub-images is not limited to two, and may be greater than two. In the second step, the number of sub-images is denoted as J (J is an integer equal to or greater than 2). At this time, the sub-image displayed at the same timing as the timing for displaying the original image determined in the first step is called the first sub-image, and the sub-images displayed after that are called the displayed sub-images. The second sub-image, the third sub-image, . . .
, J-th sub-image.

1つの元画像から複数のサブ画像を作成する方法としては、様々なものがあるが、主なも
のとしては次のような方法を挙げることができる。1つは、元画像をそのままサブ画像と
して用いる方法である。1つは、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法である
。1つは、動き補償によって求めた中間画像をサブ画像として用いる方法である。
There are various methods for creating a plurality of sub-images from one original image, but the main methods are as follows. One method is to use the original image as it is as a sub-image. One is a method of distributing the brightness of the original image to a plurality of sub-images. One method is to use an intermediate image obtained by motion compensation as a sub-image.

ここで、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法は、さらに複数の方法に分ける
ことができる。主なものとしては次のような方法を挙げることができる。1つは、少なく
とも1つのサブ画像を黒画像とする方法(黒挿入法と呼ぶこととする)である。1つは、
元画像の明るさを複数の範囲に分割し、当該範囲における明るさを制御するときは、全て
のサブ画像のうち唯1つのサブ画像によって行なう方法(時分割階調制御法と呼ぶことと
する)である。1つは、一方のサブ画像を、元画像のガンマ値を変更した明るい画像とし
、他方のサブ画像を、元画像のガンマ値を変更した暗い画像とする方法(ガンマ補完法と
呼ぶこととする)である。
Here, the method of distributing the brightness of the original image to a plurality of sub-images can be further divided into a plurality of methods. Main methods include the following methods. One is a method of making at least one sub-image a black image (referred to as a black insertion method). One is
When the brightness of the original image is divided into a plurality of ranges and the brightness in each range is controlled, only one sub-image out of all the sub-images is used (referred to as the time-division gradation control method). ). One sub-image is a bright image obtained by changing the gamma value of the original image, and the other sub-image is a dark image obtained by changing the gamma value of the original image (referred to as a gamma interpolation method). ).

上に挙げたいくつかの方法を、それぞれ簡単に説明する。元画像をそのままサブ画像とし
て用いる方法は、第1のサブ画像として、元画像をそのまま用いる。さらに、第2のサブ
画像として、元画像をそのまま用いる。この方法を用いると、サブ画像を新たに作成する
回路を動作させることがない、または当該回路そのものを用いる必要がなくなるため、消
費電力および製造コストを低減することができる。特に、液晶表示装置においては、第1
のステップにおいて、動き補償によって求めた中間画像を補間画像としたフレームレート
変換を行なった後にこの方法を用いることが好ましい。なぜならば、動き補償によって求
めた中間画像を補間画像とすることで、動画の動きを滑らかにしつつ、同じ画像を繰り返
し表示することで、液晶素子のダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足に起
因する、動画の尾引き、残像等の障害を低減することができるからである。
A brief description of each of the above methods is provided. In the method of using the original image as it is as the sub-image, the original image is used as it is as the first sub-image. Furthermore, the original image is used as it is as the second sub-image. By using this method, it is possible to reduce power consumption and manufacturing costs because there is no need to operate a circuit for creating a new sub-image or to use the circuit itself. In particular, in the liquid crystal display device, the first
It is preferable to use this method after performing frame rate conversion using the intermediate image obtained by motion compensation as an interpolated image in step 2). This is because, by using intermediate images obtained by motion compensation as interpolated images, the movement of moving images is smoothed, and the same image is repeatedly displayed. This is because obstacles such as trailing and afterimages can be reduced.

次に、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法における、画像の明るさおよびサ
ブ画像が表示される期間の長さの設定方法について詳細に説明する。なお、Jはサブ画像
の数を表し、2以上の整数であるとする。小文字のjは大文字のJとは区別される。jは
1以上J以下の整数であるとする。
通常のホールド駆動における画素の明るさをL、元画像データの周期をT、
第jのサブ画像における画素の明るさをL、第jのサブ画像が表示される期間の長さを
、とすると、LとTについて積をとり、これのj=1からj=Jまでの総和(L
+L+・・・+L)が、LとTの積(LT)と等しくなっていること
(明るさが不変であること)が好ましい。さらに、Tの、j=1からj=Jまでの総和
(T+T+・・・+T)が、Tと等しくなっていること(元画像の表示周期が維持
されること)が好ましい。ここで、明るさが不変であり、かつ、元画像の表示周期が維持
されることを、サブ画像分配条件と呼ぶこととする。
Next, a method for setting the brightness of the image and the length of the period during which the sub-images are displayed in the method of distributing the brightness of the original image to a plurality of sub-images will be described in detail. Note that J represents the number of sub-images and is an integer of 2 or more. A lowercase j is distinguished from an uppercase J. Assume that j is an integer of 1 or more and J or less.
L is the pixel brightness in normal hold driving, T is the period of the original image data,
Let L j be the brightness of the pixel in the j- th sub-image, and T j be the length of the period during which the j-th sub-image is displayed . sum up to j = J (L
1T1 + L2T2 +...+ LJTJ ) is preferably equal to the product of L and T (LT ) (the brightness remains unchanged). Furthermore, the sum of T j from j=1 to j=J (T 1 +T 2 + . . . +T J ) is equal to T (the display cycle of the original image is maintained). preferable. Here, the fact that the brightness is unchanged and that the display cycle of the original image is maintained is called a sub-image distribution condition.

元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、黒挿入法は、少なくとも1つの
サブ画像を黒画像とする方法である。こうすることによって、表示方法を擬似的にインパ
ルス型とすることができるため、表示方法がホールド型であることに起因する動画の品質
の低下を防ぐことができる。ここで、黒画像の挿入に伴う、表示画像の明るさの低下を防
ぐために、サブ画像分配条件に従うことが好ましい。しかし、表示画像の明るさの低下が
許容できるような状況(周囲が暗い等)である場合、ユーザによって表示画像の明るさの
低下が許容する設定になっている場合などであれば、サブ画像分配条件に従わなくてもよ
い。たとえば、1つのサブ画像は元画像と同じものとし、他のサブ画像を黒画像としても
よい。この場合は、サブ画像分配条件にしたがったときと比べて、消費電力を低減できる
。さらに、液晶表示装置においては、一方のサブ画像を、明るさの最大値に制限をつけず
に元画像の全体的な明るさを大きくしたものとするとき、バックライトの明るさを大きく
することで、サブ画像分配条件を実現してもよい。この場合は、画素に書き込む電圧値を
制御することなく、サブ画像分配条件を満足することができるため、画像処理回路の動作
を省略でき、消費電力を低減できる。
Among the methods of distributing the brightness of the original image to a plurality of sub-images, the black insertion method is a method of making at least one sub-image a black image. By doing so, the display method can be a pseudo-impulse type, so that it is possible to prevent the quality of moving images from being degraded due to the display method being of the hold type. Here, it is preferable to comply with the sub-image distribution condition in order to prevent the brightness of the displayed image from decreasing due to the insertion of the black image. However, if the situation is such that a decrease in the brightness of the displayed image is acceptable (dark surroundings, etc.), or if the user has set the brightness of the displayed image to be acceptable, the sub-image Not subject to distribution conditions. For example, one sub-image may be the same as the original image, and the other sub-image may be a black image. In this case, power consumption can be reduced compared to when sub-image distribution conditions are followed. Furthermore, in the liquid crystal display device, when one of the sub-images is made by increasing the overall brightness of the original image without limiting the maximum brightness, the brightness of the backlight can be increased. , the sub-image distribution condition may be realized. In this case, the sub-image distribution condition can be satisfied without controlling the voltage value written to the pixels, so the operation of the image processing circuit can be omitted, and power consumption can be reduced.

なお、黒挿入法は、いずれか1つのサブ画像において、全ての画素のLを0とすること
を特徴とする。こうすることにより、表示方法を擬似的にインパルス型とすることができ
るため、表示方法がホールド型であることに起因する動画の品質の低下を防ぐことができ
る。
The black insertion method is characterized by setting Lj of all pixels to 0 in any one sub-image. By doing so, the display method can be a pseudo-impulse type, so that it is possible to prevent the quality of moving images from deteriorating due to the display method being of the hold type.

元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、時分割階調制御法は、元画像の
明るさを複数の範囲に分割し、当該範囲における明るさを制御するときは、全てのサブ画
像のうち唯1つのサブ画像によって行なう方法である。こうすることによって、明るさを
低下させることなく、表示方法を擬似的にインパルス型とすることができるため、表示方
法がホールド型であることに起因する動画の品質の低下を防ぐことができる。
Among the methods of distributing the brightness of the original image to a plurality of sub-images, the time-division gradation control method divides the brightness of the original image into a plurality of ranges, and when controlling the brightness in each range, all This is a method using only one sub-image among the sub-images of . By doing so, the display method can be pseudo-impulse type without lowering the brightness, so that it is possible to prevent the quality of moving images from deteriorating due to the hold type display method.

元画像の明るさを複数の範囲に分割する方法としては、明るさの最大値(Lmax)を、
サブ画像の数だけ分割する方法がある。これは、たとえば、0からLmaxまでの明るさ
が256段階(階調0から階調255)で調節できる表示装置において、サブ画像の数を
2としたとき、階調0から階調127までを表示するときは、一方のサブ画像の明るさを
階調0から階調255の範囲で調節する一方で、他方のサブ画像の明るさを階調0とし、
階調128から階調255までを表示するときは、一方のサブ画像の明るさを階調255
とする一方で、他方のサブ画像の明るさを階調0から階調255の範囲で調節する方法で
ある。こうすることによって、元画像が表示されたように人間の目に知覚させることがで
き、かつ、擬似的にインパルス型とすることができるので、ホールド型であることに起因
する動画の品質の低下を防ぐことができる。なお、サブ画像の数は2より大きくてもよい
。たとえば、サブ画像の数を3としたときは、元画像の明るさの段階(階調0から階調2
55)を、3つに分割する。なお、元画像の明るさの段階の数とサブ画像の数によっては
、明るさの段階の数がサブ画像の数で割り切れない場合もあるが、分割後のそれぞれの明
るさの範囲に含まれる明るさの段階の数は、ちょうど同じでなくても、適宜振り分ければ
よい。
As a method of dividing the brightness of the original image into a plurality of ranges, the maximum value of brightness (L max ) is
There is a method of dividing by the number of sub-images. For example, in a display device that can adjust brightness from 0 to L max in 256 steps (gradation 0 to gradation 255), if the number of sub-images is 2, gradation 0 to gradation 127 is displayed, the brightness of one sub-image is adjusted in the range of gradation 0 to 255, while the brightness of the other sub-image is set to gradation 0,
When displaying gradation 128 to gradation 255, the brightness of one of the sub-images is set to gradation 255.
On the other hand, this method adjusts the brightness of the other sub-image within the range of 0 to 255 gradations. By doing this, the human eye can perceive the image as if the original image was displayed, and the motion image can be simulated to be of the impulse type. can be prevented. Note that the number of sub-images may be greater than two. For example, if the number of sub-images is 3, the brightness level of the original image (gradation 0 to gradation 2)
55) is divided into three. Depending on the number of brightness levels in the original image and the number of sub-images, the number of brightness levels may not be divisible by the number of sub-images. Even if the number of brightness levels is not exactly the same, it may be distributed as appropriate.

なお、時分割階調制御法においても、サブ画像分配条件を満たすことによって、明るさの
低下などがおこらず、元画像と同様な画像を表示することができるため、好ましい。
It should be noted that the time-division gradation control method is also preferable because an image similar to the original image can be displayed without a decrease in brightness by satisfying the sub-image distribution condition.

元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、ガンマ補完法は、一方のサブ画
像を、元画像のガンマ特性を変更した明るい画像とし、他方のサブ画像を、元画像のガン
マ特性を変更した暗い画像とする方法である。こうすることによって、明るさを低下させ
ることなく、表示方法を擬似的にインパルス型とすることができるため、表示方法がホー
ルド型であることに起因する動画の品質の低下を防ぐことができる。ここで、ガンマ特性
とは、明るさの段階(階調)に対する明るさの程度のことである。通常、ガンマ特性は線
形に近くなるように調整される。これは、明るさの段階である階調に対する明るさの変化
が比例するようにすれば、滑らかな階調を得ることができるからである。ガンマ補完法で
は、一方のサブ画像のガンマ特性を線形からずらして、中間の明るさ(中間調)の領域に
おいて、線形よりも明るくなるように調整する(中間調が本来よりも明るい画像となる)
。そして、他方のサブ画像のガンマ特性も線形からずらして、同じく中間調の領域におい
て、線形よりも暗くなるように調整する(中間調が本来よりも暗い画像となる)。ここで
、一方のサブ画像を線形より明るくした量と、他方のサブ画像を線形より暗くした量を、
全ての階調において概等しくすることが好ましい。こうすることで、元画像が表示された
ように人間の目に知覚させることができ、かつ、ホールド型であることに起因する動画の
品質の低下を防ぐことができる。なお、サブ画像の数は2より大きくてもよい。たとえば
、サブ画像の数を3としたときは、3つのサブ画像について、それぞれガンマ特性を調整
し、線形から明るくした量の合計と、線形から暗くした量の合計が概等しくなるようにす
ればよい。
Among methods for distributing the brightness of an original image to multiple sub-images, the gamma interpolation method makes one of the sub-images a brighter image obtained by changing the gamma characteristics of the original image, and converts the other sub-image to the gamma of the original image. This is a method of making a dark image with changed characteristics. By doing so, the display method can be pseudo-impulse type without lowering the brightness, so that it is possible to prevent the quality of moving images from deteriorating due to the hold type display method. Here, the gamma characteristic is the degree of brightness with respect to the level of brightness (gradation). Normally, the gamma characteristic is adjusted so as to be close to linear. This is because a smooth gradation can be obtained by making the change in brightness proportional to the gradation, which is the level of brightness. In the gamma interpolation method, the gamma characteristic of one of the sub-images is deviated from linear and adjusted so that it becomes brighter than linear in the intermediate brightness (halftone) area (an image in which the halftone is brighter than it should be). )
. Then, the gamma characteristic of the other sub-image is also deviated from linear, and similarly adjusted so that the halftone region becomes darker than linear (the halftone is darker than it should be). where the amount by which one sub-image is made brighter than linear and the amount by which the other sub-image is made darker than linear is
It is preferable to make all gradations substantially equal. By doing so, it is possible to perceive to the human eye as if the original image was displayed, and it is possible to prevent the quality of the moving image from deteriorating due to the hold type. Note that the number of sub-images may be greater than two. For example, if the number of sub-images is 3, adjust the gamma characteristics of each of the 3 sub-images so that the sum of the amount of lightening from linear and the sum of the amount of darkening from linear are approximately equal. good.

なお、ガンマ補完法においても、サブ画像分配条件を満たすことによって、明るさの低下
などがおこらず、元画像と同様な画像を表示することができるため、好ましい。さらに、
ガンマ補完法においては、階調に対するそれぞれのサブ画像の明るさLの変化がガンマ
曲線にしたがっているため、それぞれのサブ画像がそれ自体で階調を滑らかに表示でき、
最終的に人間の目で知覚される画像の品質も向上するという利点を有する。
It should be noted that even in the gamma interpolation method, if the sub-image distribution condition is satisfied, an image similar to the original image can be displayed without a decrease in brightness, which is preferable. moreover,
In the gamma interpolation method, since the change in the brightness Lj of each sub-image with respect to the gradation follows the gamma curve, each sub-image by itself can display the gradation smoothly.
This has the advantage that the final image quality perceived by the human eye is also improved.

動き補償によって求めた中間画像をサブ画像として用いる方法は、一方のサブ画像を、前
後の画像から動き補償によって求めた中間画像とする方法である。こうすることで、画像
の動きを滑らかにすることができるので、動画の品質を向上できる。
A method of using an intermediate image obtained by motion compensation as a sub-image is a method in which one of the sub-images is an intermediate image obtained by motion compensation from the previous and subsequent images. By doing so, the motion of the image can be smoothed, so the quality of the moving image can be improved.

次に、サブ画像を表示するタイミングと、サブ画像を作成する方法との関係について説明
する。第1のサブ画像を表示するタイミングは、第1のステップで決められた元画像を表
示するタイミングと同じであり、第2のサブ画像を表示するタイミングは、第1のステッ
プで決められた元画像を表示するタイミングに関わらず、任意に決めることができるとし
たが、第2のサブ画像を表示するタイミングにしたがって、サブ画像自体を変化させても
よい。こうすることで、第2のサブ画像を表示するタイミングを様々に変化させたとして
も、元画像が表示されたように人間の目に知覚させることができる。具体的には、第2の
サブ画像を表示するタイミングを早くした場合は、第1のサブ画像はより明るくし、第2
のサブ画像はより暗くすることができる。さらに、第2のサブ画像を表示するタイミング
を遅くした場合は、第1のサブ画像はより暗くし、第2のサブ画像はより明るくすること
ができる。これは、人間の目が知覚する明るさは、画像を表示する期間の長さによって変
わるためである。より詳細には、人間の目が知覚する明るさは、画像を表示する期間が長
いほど明るくなり、画像を表示する期間が短いほど暗くなる。すなわち、第2のサブ画像
を表示するタイミングを早くすることによって、第1のサブ画像を表示する期間の長さが
短くなり、第2のサブ画像を表示する期間の長さが長くなるため、そのままでは第1のサ
ブ画像は暗く、第2のサブ画像は明るく、人間の目に知覚されてしまう。その結果、元画
像とは異なる画像が人間の目に知覚されてしまうことになるが、これを防ぐために、第1
のサブ画像はより明るくし、第2のサブ画像はより暗くすることができる。同様に、第2
のサブ画像を表示するタイミングを遅くすることによって、第1のサブ画像を表示する期
間の長さが長くなり、第2のサブ画像を表示する期間の長さが短くなる場合は、第1のサ
ブ画像はより暗くし、第2のサブ画像はより明るくすることができる。
Next, the relationship between the timing of displaying the sub-image and the method of creating the sub-image will be described. The timing of displaying the first sub-image is the same as the timing of displaying the original image determined in the first step, and the timing of displaying the second sub-image is the same as the timing of displaying the original image determined in the first step. Although it is possible to arbitrarily determine the timing of displaying the image, the sub-image itself may be changed according to the timing of displaying the second sub-image. By doing so, even if the timing of displaying the second sub-image is changed in various ways, it is possible for the human eye to perceive the original image as if it had been displayed. Specifically, when the timing for displaying the second sub-image is advanced, the first sub-image is made brighter and the second sub-image is made brighter.
can be made darker. Furthermore, if the timing for displaying the second sub-image is delayed, the first sub-image can be made darker and the second sub-image can be made brighter. This is because the brightness perceived by the human eye varies depending on the length of the image display period. More specifically, the brightness perceived by the human eye becomes brighter as the image display period becomes longer, and becomes darker as the image display period becomes shorter. That is, by advancing the timing of displaying the second sub-image, the length of the period of displaying the first sub-image is shortened and the length of the period of displaying the second sub-image is lengthened. As they are, the first sub-image is dark and the second sub-image is bright, which are perceived by the human eye. As a result, an image different from the original image will be perceived by the human eye.
can be made lighter and the second sub-image darker. Similarly, the second
By delaying the timing of displaying the sub-image of , the length of the period of displaying the first sub-image becomes longer, and the length of the period of displaying the second sub-image becomes shorter. A sub-image can be darker and a second sub-image can be lighter.

上記の説明に基づいて、第2のステップにおける処理手順を、以下に示す。
手順1として、1つの元画像から複数のサブ画像を作成する方法を決定する。より詳細に
は、複数のサブ画像を作成する方法は、元画像をそのままサブ画像として用いる方法、元
画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法、動き補償によって求めた中間画像をサブ
画像として用いる方法、から選択することができる。
手順2として、サブ画像の数Jを決定する。なお、Jは2以上の整数である。
手順3として、第jのサブ画像における画素の明るさL、第jのサブ画像が表示される
期間の長さTを、手順1で選択した方法にしたがって決定する。手順3により、それぞ
れのサブ画像が表示される期間の長さと、それぞれのサブ画像に含まれる個々の画素の明
るさが具体的に決められる。
手順4として、手順1乃至手順3のそれぞれで決定された事項にしたがって、元画像を処
理し、実際に表示する。
手順5として、対象とする元画像を次の元画像に移す。そして、手順1に戻る。
Based on the above description, the processing procedure in the second step is shown below.
As procedure 1, a method for creating a plurality of sub-images from one original image is determined. More specifically, the method of creating a plurality of sub-images includes a method of using the original image as it is as a sub-image, a method of distributing the brightness of the original image to a plurality of sub-images, and a method of converting an intermediate image obtained by motion compensation into a sub-image. can be selected from the method used as
As procedure 2, the number J of sub-images is determined. Note that J is an integer of 2 or more.
As step 3, the pixel brightness L j in the j th sub-image and the length of time T j during which the j th sub-image is displayed are determined according to the method selected in step 1 . By procedure 3, the length of the period during which each sub-image is displayed and the brightness of each pixel included in each sub-image are specifically determined.
As step 4, the original image is processed and actually displayed according to the items determined in steps 1 to 3 respectively.
In step 5, the target original image is moved to the next original image. Then, return to step 1.

なお、第2のステップにおける手順を実行する仕組みは、装置に実装されたものであって
もよいし、装置の設計段階であらかじめ決められたものであってもよい。第2のステップ
における手順を実行する仕組みが装置に実装されていれば、状況に応じた最適な動作が行
われるように、駆動方法を切り替えることが可能となる。なお、ここでいう状況とは、画
像データの内容、装置内外の環境(温度、湿度、気圧、光、音、磁界、電界、放射線量、
高度、加速度、移動速度、等)、ユーザ設定、ソフトウエアバージョン、等を含む。一方
、第2のステップにおける手順を実行する仕組みが装置の設計段階であらかじめ決められ
たものであれば、それぞれの駆動方法に最適な駆動回路を用いることができ、さらに、仕
組みが決められていることによって、量産効果による製造コストの低減が期待できる。
Note that the mechanism for executing the procedure in the second step may be implemented in the device, or may be determined in advance at the design stage of the device. If the device is equipped with a mechanism for executing the procedure in the second step, it becomes possible to switch the driving method so that the optimum operation according to the situation is performed. The conditions here refer to the content of the image data, the environment inside and outside the device (temperature, humidity, air pressure, light, sound, magnetic field, electric field, radiation dose,
altitude, acceleration, movement speed, etc.), user settings, software version, etc. On the other hand, if the mechanism for executing the procedure in the second step is determined in advance at the design stage of the device, the optimum driving circuit can be used for each driving method, and the mechanism is already determined. As a result, a reduction in manufacturing costs can be expected due to the effect of mass production.

次に、第2のステップにおける手順によって決められる様々な駆動方法を、それぞれ、第
1のステップにおけるnおよびmの値を具体的に示して詳細に説明する。
Next, various driving methods determined by the procedure in the second step will be described in detail by specifically showing the values of n and m in the first step, respectively.

第2のステップにおける手順1において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が
選択された場合、駆動方法は次のようになる。
In procedure 1 of the second step, when the method of using the original image as it is as the sub-image is selected, the driving method is as follows.

第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、が、一定の周期Tで順次用意され、
前記周期Tは、J(Jは2以上の整数)個のサブ画像表示期間に分割され、
前記第iの画像データは、複数の画素にそれぞれ固有の明るさLを持たせることができる
データであり、
第j(jは1以上J以下の整数)のサブ画像は、それぞれ固有の明るさLを持つ画素が
複数並置されることによって構成され、第jのサブ画像表示期間Tだけ表示される画像
であり、
前記L、前記T、前記L、前記T、を、サブ画像分配条件を満たす表示装置の駆動方
法であって、
全てのjにおいて、第jのサブ画像に含まれるそれぞれの画素の明るさLが、それぞれ
の画素に対しL=Lであることを特徴とする。
ここで、一定の周期Tで順次用意される画像データとしては、第1のステップにおいて作
成された元画像データを用いることができる。すなわち、第1のステップの説明で挙げた
全ての表示パターンを、上記駆動方法と組み合わせることができる。
i-th (i is a positive integer) image data;
and the i+1th image data are sequentially prepared at a constant cycle T,
The period T is divided into J (J is an integer equal to or greater than 2) sub-image display periods,
The i-th image data is data that allows each of a plurality of pixels to have a unique brightness L,
The j-th (j is an integer of 1 or more and J or less) sub-image is formed by juxtaposing a plurality of pixels each having a unique brightness Lj , and is displayed for the j-th sub-image display period Tj. is an image,
A method of driving a display device that satisfies sub-image distribution conditions for the L, the T, the L j , and the T j , comprising:
For all j, the brightness L j of each pixel contained in the j-th sub-image is characterized by L j =L for each pixel.
Here, the original image data created in the first step can be used as the image data that is sequentially prepared at the constant cycle T. FIG. That is, all the display patterns mentioned in the explanation of the first step can be combined with the driving method described above.

そして、第2のステップにおける手順2において、サブ画像の数Jが2と決定され、手順
3において、T=T=T/2と決定された場合、上記駆動方法は、図71に示すよう
なものとなる。
図71において、横軸は時間であり、縦軸は第1のステップにおいて用いた様々なnおよ
びmについて場合分けを行なって示したものである。
Then, when the number of sub-images J is determined to be 2 in procedure 2 of the second step, and T 1 =T 2 =T/2 in procedure 3, the driving method is shown in FIG. It will be something like
In FIG. 71, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents different cases of n and m used in the first step.

たとえば、第1のステップにおいて、n=1,m=1、すなわち変換比(n/m)が1で
あるときは、図71のn=1,m=1の箇所に示すような駆動方法となる。このとき、表
示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの2倍(2倍速駆動)となる
。具体的には、たとえば、入力フレームレートが60Hzであれば、表示フレームレート
は120Hz(120Hz駆動)である。そして、ひとつの入力される画像データに対し
、画像を2回連続して表示することになる。ここで、2倍速駆動である場合は、フレーム
レートが2倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、2倍速より大きい場合より
も消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第2のステップの手順1において、
元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択されることによって、動き補償によっ
て中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することがで
きるため、消費電力および装置の製造コストを低減することができる。さらに、表示装置
がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンス
による書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特
に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と120Hz駆動を
組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を120Hzとし
つつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一(たとえば、30Hz、60Hz
、120Hz、240Hz等)とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを
、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の1/2倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。
For example, in the first step, when n=1, m=1, that is, when the conversion ratio (n/m) is 1, the driving method shown at n=1, m=1 in FIG. Become. At this time, the display frame rate is twice the frame rate of the input image data (double speed drive). Specifically, for example, if the input frame rate is 60 Hz, the display frame rate is 120 Hz (120 Hz drive). Then, an image is displayed twice in succession for one piece of input image data. Here, in the case of double-speed drive, the quality of moving images can be improved more than when the frame rate is less than double speed, and power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the frame rate is greater than double speed. Furthermore, in procedure 1 of the second step,
By selecting the method of using the original image as a sub-image as it is, the operation of the circuit that creates the intermediate image by motion compensation can be stopped or the circuit itself can be omitted from the device, so the power consumption and the manufacturing cost of the device can be reduced. Furthermore, when the display device is an active matrix type liquid crystal display device, the problem of insufficient write voltage due to dynamic capacitance can be avoided, so that a particularly remarkable image quality improvement effect can be obtained against obstacles such as trailing of moving images and afterimages. Furthermore, it is effective to combine the AC drive and the 120 Hz drive of the liquid crystal display device. That is, while setting the drive frequency of the liquid crystal display device to 120 Hz, the frequency of the AC drive is set to an integer multiple or an integer fraction (for example, 30 Hz, 60 Hz).
, 120 Hz, 240 Hz, etc.), it is possible to reduce the flicker that appears due to AC driving to a level that is not perceived by the human eye. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about half the period of the input image data.

さらに、たとえば、第1のステップにおいて、n=2,m=1、すなわち変換比(n/m
)が2であるときは、図71のn=2,m=1の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの4倍(4倍速駆動
)となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが60Hzであれば、表示フレー
ムレートは240Hz(240Hz駆動)である。そして、ひとつの入力される画像デー
タに対し、画像を4回連続して表示することになる。このとき、第1のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、4倍速
駆動である場合は、フレームレートが4倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき
、4倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第2の
ステップの手順1において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択されるこ
とによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体
を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減すること
ができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、
ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾
引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の
交流駆動と240Hz駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の
駆動周波数を240Hzとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一(た
とえば、30Hz、60Hz、120Hz、240Hz等)とすることによって、交流駆
動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さ
らに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の1/4倍程度である液晶表示装置に
適用することで、画質を向上することができる。
Further, for example, in the first step n=2, m=1, i.e. the conversion ratio (n/m
) is 2, the drive method shown at n=2, m=1 in FIG. 71 is used. At this time, the display frame rate is four times the frame rate of the input image data (quadruple speed drive). Specifically, for example, if the input frame rate is 60 Hz, the display frame rate is 240 Hz (240 Hz drive). Then, an image is displayed four times in succession for one input image data. At this time, if the interpolated image in the first step is an intermediate image obtained by motion compensation, the motion of the moving image can be smoothed, so the quality of the moving image can be significantly improved. Here, in the case of quadruple-speed drive, the quality of moving images can be improved more than when the frame rate is less than quadruple speed, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the frame rate is greater than quadruple speed. Furthermore, in the procedure 1 of the second step, by selecting the method of using the original image as a sub-image as it is, the operation of the circuit that creates the intermediate image by motion compensation can be stopped or the circuit itself can be omitted from the device. Therefore, power consumption and manufacturing cost of the device can be reduced. Furthermore, when the display device is an active matrix liquid crystal display device,
Since the problem of lack of write voltage due to dynamic capacitance can be avoided, a remarkable image quality improvement effect can be brought about, especially against obstacles such as trailing of moving images and afterimages. Furthermore, it is effective to combine the AC drive and the 240 Hz drive of the liquid crystal display device. That is, while setting the drive frequency of the liquid crystal display device to 240 Hz, the frequency of the AC drive is set to an integral multiple or a fraction of that (for example, 30 Hz, 60 Hz, 120 Hz, 240 Hz, etc.). It can be reduced to the extent that it is imperceptible to the human eye. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 1/4 times the period of the input image data.

さらに、たとえば、第1のステップにおいて、n=3,m=1、すなわち変換比(n/m
)が3であるときは、図71のn=3,m=1の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの6倍(6倍速駆動
)となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが60Hzであれば、表示フレー
ムレートは360Hz(360Hz駆動)である。そして、ひとつの入力される画像デー
タに対し、画像を6回連続して表示することになる。このとき、第1のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、6倍速
駆動である場合は、フレームレートが6倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき
、6倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第2の
ステップの手順1において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択されるこ
とによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体
を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減すること
ができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、
ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾
引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の
交流駆動と360Hz駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の
駆動周波数を360Hzとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一(た
とえば、30Hz、60Hz、120Hz、180Hz等)とすることによって、交流駆
動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さ
らに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の1/6倍程度である液晶表示装置に
適用することで、画質を向上することができる。
Further, for example, in the first step n=3, m=1, i.e. the transformation ratio (n/m
) is 3, the drive method shown at n=3, m=1 in FIG. 71 is used. At this time, the display frame rate is six times the frame rate of the input image data (sixfold speed driving). Specifically, for example, if the input frame rate is 60 Hz, the display frame rate is 360 Hz (360 Hz drive). Then, an image is displayed continuously six times for one input image data. At this time, if the interpolated image in the first step is an intermediate image obtained by motion compensation, the motion of the moving image can be smoothed, so the quality of the moving image can be significantly improved. Here, in the case of 6× speed driving, the quality of moving images can be improved more than when the frame rate is lower than 6× speed, and power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the frame rate is higher than 6× speed. Furthermore, in the procedure 1 of the second step, by selecting the method of using the original image as a sub-image as it is, the operation of the circuit that creates the intermediate image by motion compensation can be stopped or the circuit itself can be omitted from the device. Therefore, power consumption and manufacturing cost of the device can be reduced. Furthermore, when the display device is an active matrix liquid crystal display device,
Since the problem of lack of write voltage due to dynamic capacitance can be avoided, a remarkable image quality improvement effect can be brought about, especially against obstacles such as trailing of moving images and afterimages. Furthermore, it is effective to combine the AC driving and the 360 Hz driving of the liquid crystal display device. That is, by setting the drive frequency of the liquid crystal display device to 360 Hz and setting the frequency of the AC drive to an integer multiple or a fraction of that (for example, 30 Hz, 60 Hz, 120 Hz, 180 Hz, etc.), the flicker caused by the AC drive is It can be reduced to the extent that it is imperceptible to the human eye. Furthermore, the image quality can be improved by applying to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 1/6 times the period of the input image data.

さらに、たとえば、第1のステップにおいて、n=3,m=2、すなわち変換比(n/m
)が3/2であるときは、図71のn=3,m=2の箇所に示すような駆動方法となる。
このとき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの3倍(3倍速
駆動)となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが60Hzであれば、表示フ
レームレートは180Hz(180Hz駆動)である。そして、ひとつの入力される画像
データに対し、画像を3回連続して表示することになる。このとき、第1のステップにお
ける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らか
にすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、3
倍速駆動である場合は、フレームレートが3倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上
でき、3倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第
2のステップの手順1において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択され
ることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路
自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減する
ことができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合
は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画
の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装
置の交流駆動と180Hz駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装
置の駆動周波数を180Hzとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一
(たとえば、30Hz、60Hz、120Hz、180Hz等)とすることによって、交
流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる
。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の1/3倍程度である液晶表示装
置に適用することで、画質を向上することができる。
Further, for example, in the first step n=3, m=2, i.e. the transformation ratio (n/m
) is 3/2, the drive method shown at n=3, m=2 in FIG. 71 is used.
At this time, the display frame rate is three times the frame rate of the input image data (triple speed drive). Specifically, for example, if the input frame rate is 60 Hz, the display frame rate is 180 Hz (180 Hz drive). Then, an image is displayed three times in succession for one piece of input image data. At this time, if the interpolated image in the first step is an intermediate image obtained by motion compensation, the motion of the moving image can be smoothed, so the quality of the moving image can be significantly improved. where 3
In the case of double-speed drive, the quality of moving images can be improved more than when the frame rate is less than triple speed, and power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the frame rate is more than triple speed. Furthermore, in the procedure 1 of the second step, by selecting the method of using the original image as a sub-image as it is, the operation of the circuit that creates the intermediate image by motion compensation can be stopped or the circuit itself can be omitted from the apparatus. Therefore, power consumption and manufacturing cost of the device can be reduced. Furthermore, when the display device is an active matrix type liquid crystal display device, the problem of insufficient write voltage due to dynamic capacitance can be avoided, so that a particularly remarkable image quality improvement effect can be obtained against obstacles such as trailing of moving images and afterimages. Furthermore, it is also effective to combine AC driving and 180 Hz driving of the liquid crystal display device. That is, while setting the drive frequency of the liquid crystal display device to 180 Hz, the frequency of the AC drive is set to an integer multiple or a fraction of that (for example, 30 Hz, 60 Hz, 120 Hz, 180 Hz, etc.). It can be reduced to the extent that it is imperceptible to the human eye. Further, the image quality can be improved by applying to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about ⅓ times the period of the input image data.

さらに、たとえば、第1のステップにおいて、n=4,m=1、すなわち変換比(n/m
)が4であるときは、図71のn=4,m=1の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの8倍(8倍速駆動
)となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが60Hzであれば、表示フレー
ムレートは480Hz(480Hz駆動)である。そして、ひとつの入力される画像デー
タに対し、画像を8回連続して表示することになる。このとき、第1のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、8倍速
駆動である場合は、フレームレートが8倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき
、8倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第2の
ステップの手順1において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択されるこ
とによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体
を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減すること
ができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、
ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾
引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の
交流駆動と480Hz駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の
駆動周波数を480Hzとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一(た
とえば、30Hz、60Hz、120Hz、240Hz等)とすることによって、交流駆
動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さ
らに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の1/8倍程度である液晶表示装置に
適用することで、画質を向上することができる。
Further, for example, in the first step n=4, m=1, i.e. the conversion ratio (n/m
) is 4, the drive method shown at n=4 and m=1 in FIG. 71 is used. At this time, the display frame rate is eight times the frame rate of the input image data (8-fold speed drive). Specifically, for example, if the input frame rate is 60 Hz, the display frame rate is 480 Hz (480 Hz drive). Then, an image is displayed eight times consecutively for one input image data. At this time, if the interpolated image in the first step is an intermediate image obtained by motion compensation, the motion of the moving image can be smoothed, so the quality of the moving image can be significantly improved. Here, in the case of 8× speed driving, the quality of moving images can be improved more than when the frame rate is less than 8× speed, and power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the frame rate is more than 8× speed. Furthermore, in the procedure 1 of the second step, by selecting the method of using the original image as a sub-image as it is, the operation of the circuit that creates the intermediate image by motion compensation can be stopped or the circuit itself can be omitted from the device. Therefore, power consumption and manufacturing cost of the device can be reduced. Furthermore, when the display device is an active matrix liquid crystal display device,
Since the problem of lack of write voltage due to dynamic capacitance can be avoided, a remarkable image quality improvement effect can be brought about, especially against obstacles such as trailing of moving images and afterimages. Furthermore, it is effective to combine the AC drive and the 480 Hz drive of the liquid crystal display device. That is, while setting the drive frequency of the liquid crystal display device to 480 Hz, by setting the frequency of the AC drive to an integer multiple or a fraction of that (for example, 30 Hz, 60 Hz, 120 Hz, 240 Hz, etc.), the flicker caused by the AC drive is It can be reduced to the extent that it is imperceptible to the human eye. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about ⅛ times the cycle of the input image data.

さらに、たとえば、第1のステップにおいて、n=4,m=3、すなわち変換比(n/m
)が4/3であるときは、図71のn=4,m=3の箇所に示すような駆動方法となる。
このとき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの8/3倍(8
/3倍速駆動)となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが60Hzであれば
、表示フレームレートは160Hz(160Hz駆動)である。そして、3つの入力され
る画像データに対し、画像を8回連続して表示することになる。このとき、第1のステッ
プにおける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを
滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここ
で、8/3倍速駆動である場合は、フレームレートが8/3倍速より小さい場合よりも動
画の品質を向上でき、8/3倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減
できる。さらに、第2のステップの手順1において、元画像をそのままサブ画像として用
いる方法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を
停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製
造コストを低減することができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶
表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回
避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。
さらに、液晶表示装置の交流駆動と160Hz駆動を組み合わせるのも効果的である。す
なわち、液晶表示装置の駆動周波数を160Hzとしつつ、交流駆動の周波数をその整数
倍または整数分の一(たとえば、40Hz、80Hz、160Hz、320Hz等)とす
ることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低
減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の3/8倍程
度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。
Further, for example, in the first step n=4, m=3, i.e. the conversion ratio (n/m
) is 4/3, the drive method shown at n=4 and m=3 in FIG. 71 is used.
At this time, the display frame rate is 8/3 times (8
/3 times speed drive). Specifically, for example, if the input frame rate is 60 Hz, the display frame rate is 160 Hz (160 Hz drive). Then, an image is displayed eight times in succession with respect to three pieces of input image data. At this time, if the interpolated image in the first step is an intermediate image obtained by motion compensation, the motion of the moving image can be smoothed, so the quality of the moving image can be significantly improved. Here, in the case of 8/3 times speed driving, the quality of moving images can be improved more than when the frame rate is less than 8/3 times speed, and power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the frame rate is more than 8/3 times speed. Furthermore, in the procedure 1 of the second step, by selecting the method of using the original image as a sub-image as it is, the operation of the circuit that creates the intermediate image by motion compensation can be stopped or the circuit itself can be omitted from the device. Therefore, power consumption and manufacturing cost of the device can be reduced. Furthermore, when the display device is an active matrix type liquid crystal display device, the problem of insufficient write voltage due to dynamic capacitance can be avoided, so that a particularly remarkable image quality improvement effect can be obtained against obstacles such as trailing of moving images and afterimages.
Furthermore, it is also effective to combine AC driving and 160 Hz driving of the liquid crystal display device. That is, while setting the drive frequency of the liquid crystal display device to 160 Hz, the frequency of the AC drive is set to an integer multiple or a fraction of that (for example, 40 Hz, 80 Hz, 160 Hz, 320 Hz, etc.). It can be reduced to the extent that it is imperceptible to the human eye. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 3/8 times the cycle of the input image data.

さらに、たとえば、第1のステップにおいて、n=5,m=1、すなわち変換比(n/m
)が5であるときは、図71のn=5,m=1の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの10倍(10倍速
駆動)となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが60Hzであれば、表示フ
レームレートは600Hz(600Hz駆動)である。そして、ひとつの入力される画像
データに対し、画像を10回連続して表示することになる。このとき、第1のステップに
おける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑ら
かにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、
10倍速駆動である場合は、フレームレートが10倍速より小さい場合よりも動画の品質
を向上でき、10倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さ
らに、第2のステップの手順1において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が
選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または
当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを
低減することができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置で
ある場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるた
め、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液
晶表示装置の交流駆動と600Hz駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液
晶表示装置の駆動周波数を600Hzとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整
数分の一(たとえば、30Hz、60Hz、100Hz、120Hz等)とすることによ
って、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減すること
ができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の1/10倍程度である
液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。
Further, for example, in the first step n=5, m=1, i.e. the conversion ratio (n/m
) is 5, the drive method shown at n=5, m=1 in FIG. 71 is used. At this time, the display frame rate is 10 times the frame rate of the input image data (10-fold speed drive). Specifically, for example, if the input frame rate is 60 Hz, the display frame rate is 600 Hz (600 Hz drive). Then, an image is displayed ten times in succession for one input image data. At this time, if the interpolated image in the first step is an intermediate image obtained by motion compensation, the motion of the moving image can be smoothed, so the quality of the moving image can be significantly improved. here,
In the case of 10x speed drive, the quality of moving images can be improved more than when the frame rate is less than 10x speed, and power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the frame rate is more than 10x speed. Furthermore, in the procedure 1 of the second step, by selecting the method of using the original image as a sub-image as it is, the operation of the circuit that creates the intermediate image by motion compensation can be stopped or the circuit itself can be omitted from the apparatus. Therefore, power consumption and manufacturing cost of the device can be reduced. Furthermore, when the display device is an active matrix type liquid crystal display device, the problem of insufficient write voltage due to dynamic capacitance can be avoided, so that a particularly remarkable image quality improvement effect can be obtained against obstacles such as trailing of moving images and afterimages. Furthermore, it is effective to combine the AC driving and the 600 Hz driving of the liquid crystal display device. That is, by setting the drive frequency of the liquid crystal display device to 600 Hz and setting the frequency of the AC drive to an integer multiple or a fraction of that (for example, 30 Hz, 60 Hz, 100 Hz, 120 Hz, etc.), the flicker caused by the AC drive is reduced to It can be reduced to the extent that it is imperceptible to the human eye. Furthermore, the image quality can be improved by applying to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about 1/10 times the cycle of the input image data.

さらに、たとえば、第1のステップにおいて、n=5,m=2、すなわち変換比(n/m
)が5/2であるときは、図71のn=5,m=2の箇所に示すような駆動方法となる。
このとき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの5倍(5倍速
駆動)となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが60Hzであれば、表示フ
レームレートは300Hz(300Hz駆動)である。そして、1つの入力される画像デ
ータに対し、画像を5回連続して表示することになる。このとき、第1のステップにおけ
る補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかに
することができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、5倍
速駆動である場合は、フレームレートが5倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、5倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第2
のステップの手順1において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択される
ことによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自
体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減するこ
とができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は
、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の
尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置
の交流駆動と300Hz駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置
の駆動周波数を300Hzとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一(
たとえば、30Hz、50Hz、60Hz、100Hz等)とすることによって、交流駆
動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さ
らに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の1/5倍程度である液晶表示装置に
適用することで、画質を向上することができる。
Further, for example, in the first step n=5, m=2, i.e. the transformation ratio (n/m
) is 5/2, the drive method shown at n=5 and m=2 in FIG. 71 is used.
At this time, the display frame rate is five times the frame rate of the input image data (five times speed drive). Specifically, for example, if the input frame rate is 60 Hz, the display frame rate is 300 Hz (300 Hz drive). Then, an image is displayed five times in succession for one input image data. At this time, if the interpolated image in the first step is an intermediate image obtained by motion compensation, the motion of the moving image can be smoothed, so the quality of the moving image can be significantly improved. Here, in the case of quintuple-speed drive, the quality of moving images can be improved more than when the frame rate is less than quintuple speed, and power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the frame rate is more than quintuple speed. Furthermore, the second
By selecting the method of using the original image as a sub-image as it is in step 1 of step 1, the operation of the circuit that creates the intermediate image by motion compensation can be stopped or the circuit itself can be omitted from the device. Power consumption and device manufacturing costs can be reduced. Furthermore, when the display device is an active matrix type liquid crystal display device, the problem of insufficient write voltage due to dynamic capacitance can be avoided, so that a particularly remarkable image quality improvement effect can be obtained against obstacles such as trailing of moving images and afterimages. Furthermore, it is also effective to combine AC driving and 300 Hz driving of the liquid crystal display device. That is, while setting the drive frequency of the liquid crystal display device to 300 Hz, the frequency of the AC drive is set to an integer multiple or an integral fraction of the 300 Hz.
For example, by setting it to 30 Hz, 50 Hz, 60 Hz, 100 Hz, etc.), it is possible to reduce flicker that appears due to AC driving to a level that is not perceived by human eyes. Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about ⅕ times the cycle of the input image data.

このように、第2のステップにおける手順1において、元画像をそのままサブ画像として
用いる方法が選択され、
第2のステップにおける手順2において、サブ画像の数が2と決定され、
第2のステップにおける手順3において、T1=T2=T/2と決定された場合は、第1
のステップにおけるnおよびmの値によって決められる変換比のフレームレート変換に対
し、表示フレームレートをさらに2倍のフレームレートとすることができるため、動画の
品質をさらに向上させることが可能となる。さらに、当該表示フレームレートより小さい
表示フレームレートである場合よりも動画の品質を向上でき、当該表示フレームレートよ
り大きい表示フレームレートである場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。
さらに、第2のステップの手順1において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法
が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止また
は当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コスト
を低減することができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置
である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できる
ため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、
液晶表示装置の駆動周波数を大きくしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分
の一とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない
程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の(
1/(変換比の2倍))倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上するこ
とができる。
In this way, in procedure 1 of the second step, a method of using the original image as it is as a sub-image is selected,
In procedure 2 in the second step, the number of sub-images is determined to be 2,
In procedure 3 in the second step, if it is determined that T1=T2=T/2, the first
Since the display frame rate can be further doubled with respect to the frame rate conversion at the conversion ratio determined by the values of n and m in step 2, the quality of moving images can be further improved. Furthermore, it is possible to improve the quality of the moving image as compared with the display frame rate lower than the display frame rate, and reduce power consumption and manufacturing cost as compared with the display frame rate higher than the display frame rate.
Furthermore, in the procedure 1 of the second step, by selecting the method of using the original image as a sub-image as it is, the operation of the circuit that creates the intermediate image by motion compensation can be stopped or the circuit itself can be omitted from the device. Therefore, power consumption and manufacturing cost of the device can be reduced. Furthermore, when the display device is an active matrix type liquid crystal display device, the problem of shortage of write voltage due to dynamic capacitance can be avoided, so that a remarkable image quality improvement effect can be brought about against troubles such as trailing of moving images and afterimages. moreover,
By increasing the drive frequency of the liquid crystal display device and setting the frequency of the AC drive to an integer multiple or a fraction of that, the flicker that appears due to the AC drive can be reduced to a level not perceptible to the human eye. Furthermore, the response time of the liquid crystal element (
Image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device having a conversion ratio of about 1/(twice the conversion ratio).

なお、詳細な説明が省略したが、上に上げた変換比以外の場合においても、同様な利点を
有するのは明らかである。たとえば、nが10以下の範囲においては、上に挙げたものの
ほかに、
n=5,m=3、すなわち変換比(n/m)=5/3(10/3倍速駆動、200Hz)

n=5,m=4、すなわち変換比(n/m)=5/4(5/2倍速駆動、150Hz)、
n=6,m=1、すなわち変換比(n/m)=6(12倍速駆動、720Hz)、
n=6,m=5、すなわち変換比(n/m)=6/5(12/5倍速駆動、144Hz)

n=7,m=1、すなわち変換比(n/m)=7(14倍速駆動、840Hz)、
n=7,m=2、すなわち変換比(n/m)=7/2(7倍速駆動、420Hz)、
n=7,m=3、すなわち変換比(n/m)=7/3(14/3倍速駆動、280Hz)

n=7,m=4、すなわち変換比(n/m)=7/4(7/2倍速駆動、210Hz)、
n=7,m=5、すなわち変換比(n/m)=7/5(14/5倍速駆動、168Hz)

n=7,m=6、すなわち変換比(n/m)=7/6(7/3倍速駆動、140Hz)、
n=8,m=1、すなわち変換比(n/m)=8(16倍速駆動、960Hz)、
n=8,m=3、すなわち変換比(n/m)=8/3(16/3倍速駆動、320Hz)

n=8,m=5、すなわち変換比(n/m)=8/5(16/5倍速駆動、192Hz)

n=8,m=7、すなわち変換比(n/m)=8/7(16/7倍速駆動、137Hz)

n=9,m=1、すなわち変換比(n/m)=9(18倍速駆動、1080Hz)、
n=9,m=2、すなわち変換比(n/m)=9/2(9倍速駆動、540Hz)、
n=9,m=4、すなわち変換比(n/m)=9/4(9/2倍速駆動、270Hz)、
n=9,m=5、すなわち変換比(n/m)=9/5(18/5倍速駆動、216Hz)

n=9,m=7、すなわち変換比(n/m)=9/7(18/7倍速駆動、154Hz)

n=9,m=8、すなわち変換比(n/m)=9/8(9/4倍速駆動、135Hz)、
n=10,m=1、すなわち変換比(n/m)=10(20倍速駆動、1200Hz)、
n=10,m=3、すなわち変換比(n/m)=10/3(20/3倍速駆動、400H
z)、
n=10,m=7、すなわち変換比(n/m)=10/7(20/7倍速駆動、171H
z)、
n=10,m=9、すなわち変換比(n/m)=10/9(20/9倍速駆動、133H
z)、
以上の組み合わせが考えられる。なお、周波数の表記は入力フレームレートが60Hzで
あるときの例であり、その他の入力フレームレートに対しては、それぞれの変換比の2倍
を入力フレームレートと積算した値が駆動周波数となる。
Although detailed explanation is omitted, it is clear that similar advantages are obtained even in cases other than the conversion ratios mentioned above. For example, in the range where n is 10 or less, in addition to the above,
n=5, m=3, that is, conversion ratio (n/m)=5/3 (10/3 double speed drive, 200 Hz)
,
n = 5, m = 4, that is, conversion ratio (n/m) = 5/4 (5/2 double speed drive, 150 Hz),
n = 6, m = 1, that is, conversion ratio (n/m) = 6 (12x speed drive, 720 Hz),
n=6, m=5, that is, conversion ratio (n/m)=6/5 (12/5 double speed drive, 144 Hz)
,
n=7, m=1, that is, conversion ratio (n/m)=7 (14x speed drive, 840 Hz),
n = 7, m = 2, that is, conversion ratio (n/m) = 7/2 (seven times speed drive, 420 Hz),
n=7, m=3, that is, conversion ratio (n/m)=7/3 (14/3 double speed drive, 280 Hz)
,
n=7, m=4, that is, conversion ratio (n/m)=7/4 (7/2 double speed drive, 210 Hz),
n=7, m=5, that is, conversion ratio (n/m)=7/5 (14/5 double speed drive, 168 Hz)
,
n=7, m=6, that is, conversion ratio (n/m)=7/6 (7/3 double speed drive, 140 Hz),
n = 8, m = 1, that is, conversion ratio (n/m) = 8 (16x speed drive, 960 Hz),
n=8, m=3, that is, conversion ratio (n/m)=8/3 (16/3 double speed drive, 320 Hz)
,
n=8, m=5, that is, conversion ratio (n/m)=8/5 (16/5 double speed drive, 192 Hz)
,
n=8, m=7, that is, conversion ratio (n/m)=8/7 (16/7 double speed drive, 137 Hz)
,
n = 9, m = 1, that is, conversion ratio (n/m) = 9 (18x speed drive, 1080 Hz),
n=9, m=2, that is, the conversion ratio (n/m)=9/2 (9-fold speed drive, 540 Hz),
n = 9, m = 4, that is, conversion ratio (n/m) = 9/4 (9/2 double speed drive, 270 Hz),
n=9, m=5, that is, conversion ratio (n/m)=9/5 (18/5 double speed drive, 216 Hz)
,
n=9, m=7, that is, conversion ratio (n/m)=9/7 (18/7 double speed drive, 154 Hz)
,
n = 9, m = 8, that is, conversion ratio (n/m) = 9/8 (9/4 double speed drive, 135 Hz),
n=10, m=1, that is, conversion ratio (n/m)=10 (20x speed drive, 1200 Hz),
n = 10, m = 3, that is, conversion ratio (n/m) = 10/3 (20/3 double speed drive, 400H
z),
n=10, m=7, that is, conversion ratio (n/m)=10/7 (20/7 double speed drive, 171H
z),
n=10, m=9, that is, conversion ratio (n/m)=10/9 (20/9 double speed drive, 133H
z),
Combinations of the above are conceivable. Note that the notation of frequency is an example when the input frame rate is 60 Hz, and for other input frame rates, the value obtained by multiplying the input frame rate by twice the respective conversion ratio becomes the drive frequency.

なお、nが10より大きい整数である場合については、具体的なnおよびmの数字は挙げ
ないが、様々なnおよびmに対し、この、第2のステップにおける手順が適用できること
は明らかである。
It should be noted that when n is an integer greater than 10, specific numbers of n and m are not listed, but it is clear that the procedure in the second step can be applied to various n and m. .

なお、J=2とする場合、第1のステップにおける変換比が2より大きいと、特に効果的
である。なぜならば、第2のステップにおいて、サブ画像の数をJ=2のように比較的小
さくすれば、その分、第1のステップにおける変換比を大きくすることができるからであ
る。このような変換比は、nが10以下の範囲においては、3、4、5、5/2、6、7
、7/2、7/3、8、8/3、9、9/2、9/4、10、10/3、が挙げられる。
第1のステップ後の表示フレームレートがこのような値の場合、J=3以上とすることに
よって、第2のステップにおけるサブ画像の数が小さいことによる利点(消費電力および
製造コストの低減等)と、最終的な表示フレームレートが大きいことによる利点(動画の
品質向上、フリッカの低減等)を、両立させることが可能となる。
If J=2, it is particularly effective if the conversion ratio in the first step is greater than 2. This is because if the number of sub-images is relatively small, such as J=2, in the second step, the conversion ratio in the first step can be increased accordingly. Such conversion ratios are 3, 4, 5, 5/2, 6, 7
, 7/2, 7/3, 8, 8/3, 9, 9/2, 9/4, 10, 10/3.
When the display frame rate after the first step is such a value, by setting J=3 or more, there are advantages due to the small number of sub-images in the second step (reduction of power consumption and manufacturing cost, etc.). , and the advantages (improvement in moving image quality, reduction in flicker, etc.) due to a large final display frame rate can be achieved at the same time.

なお、ここでは、手順2においてサブ画像の数Jが2と決定され、手順3においてT
=T/2と決定された場合について説明したが、これに限定されないのは明らかであ
る。
Here, the number J of sub-images is determined to be 2 in procedure 2, and T 1 =
Although the case where it is determined that T 2 =T/2 has been described, it is clearly not limited to this.

たとえば、第2のステップにおける手順3において、T<Tと決定された場合は、第
1のサブ画像をより明るく、第2のサブ画像をより暗くすることができる。さらに、第2
のステップにおける手順3において、T>Tと決定された場合は、第1のサブ画像を
より暗く、第2のサブ画像をより明るくすることができる。こうすることで、元画像をき
ちんと人間の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にす
ることもできるため、動画の品質を向上できる。ただし、上記の駆動方法のように、手順
1において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択された場合は、サブ画像
の明るさを変化させずに、そのまま表示してもよい。なぜならば、この場合はサブ画像と
して用いる画像が同じであるため、サブ画像の表示タイミングに関わらず、元画像をきち
んと表示することができるからである。
For example, if in procedure 3 in the second step it was determined that T 1 <T 2 , then the first sub-image can be made brighter and the second sub-image can be made darker. Furthermore, the second
If it is determined in procedure 3 in step 2 that T 1 >T 2 , then the first sub-image can be made darker and the second sub-image can be made lighter. By doing so, the original image can be properly perceived by the human eye, and at the same time, the display can be pseudo-impulse driven, thereby improving the quality of moving images. However, if the method of using the original image as the sub-image as it is is selected in step 1 as in the driving method described above, the sub-image may be displayed as it is without changing the brightness of the sub-image. This is because the same image is used as the sub-image in this case, so the original image can be properly displayed regardless of the display timing of the sub-image.

さらに、手順2において、サブ画像の数Jが2ではなく、それ以外の値に決定されてもよ
いことは明らかである。この場合、第1のステップにおけるnおよびmの値によって決め
られる変換比のフレームレート変換に対し、表示フレームレートをさらにJ倍のフレーム
レートとすることができるため、動画の品質をさらに向上させることが可能となる。さら
に、当該表示フレームレートより小さい表示フレームレートである場合よりも動画の品質
を向上でき、当該表示フレームレートより大きい表示フレームレートである場合よりも消
費電力および製造コストを低減できる。さらに、第2のステップの手順1において、元画
像をそのままサブ画像として用いる方法が選択されることによって、動き補償によって中
間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができる
ため、消費電力および装置の製造コストを低減することができる。さらに、表示装置がア
クティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによ
る書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕
著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の駆動周波数を大きくしつつ、交流
駆動の周波数をその整数倍または整数分の一とすることによって、交流駆動によって現れ
るフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子
の応答時間が入力画像データの周期の(1/(変換比のJ倍))倍程度である液晶表示装
置に適用することで、画質を向上することができる。
Furthermore, it is clear that in procedure 2 the number of sub-images J may be determined to be other values than two. In this case, the display frame rate can be further J times higher than the frame rate conversion with the conversion ratio determined by the values of n and m in the first step, so that the quality of the moving image can be further improved. becomes possible. Furthermore, it is possible to improve the quality of the moving image as compared with the display frame rate lower than the display frame rate, and reduce power consumption and manufacturing cost as compared with the display frame rate higher than the display frame rate. Furthermore, in the procedure 1 of the second step, by selecting the method of using the original image as a sub-image as it is, the operation of the circuit that creates the intermediate image by motion compensation can be stopped or the circuit itself can be omitted from the apparatus. Therefore, power consumption and manufacturing cost of the device can be reduced. Furthermore, when the display device is an active matrix type liquid crystal display device, the problem of insufficient write voltage due to dynamic capacitance can be avoided, so that a particularly remarkable image quality improvement effect can be obtained against obstacles such as trailing of moving images and afterimages. Furthermore, by increasing the drive frequency of the liquid crystal display device and setting the frequency of the AC drive to an integral multiple or to a fraction of that, it is possible to reduce the flicker caused by the AC drive to a level not perceptible to the human eye. can. Furthermore, the image quality can be improved by applying to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is approximately (1/(J times the conversion ratio)) times the cycle of the input image data.

たとえば、J=3である場合は、特に、サブ画像の数が3より小さい場合よりも動画の品
質を向上でき、サブ画像の数が3より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減
できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の(1
/(変換比の3倍))倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上すること
ができる。
For example, when J=3, in particular, the video quality can be improved more than when the number of sub-images is less than 3, and the power consumption and manufacturing cost can be reduced more than when the number of sub-images is more than 3. have advantages. Furthermore, the response time of the liquid crystal element is (1
The image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device having a conversion ratio of approximately /(three times the conversion ratio).

さらに、たとえば、J=4である場合は、特に、サブ画像の数が4より小さい場合よりも
動画の品質を向上でき、サブ画像の数が4より大きい場合よりも消費電力および製造コス
トを低減できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周
期の(1/(変換比の4倍))倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。
Furthermore, for example, J=4, in particular, can improve video quality over sub-images less than 4, and reduce power consumption and manufacturing costs over sub-images over 4. have the advantage of being able to Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is approximately (1/(4 times the conversion ratio)) times the period of the input image data.

さらに、たとえば、J=5である場合は、特に、サブ画像の数が5より小さい場合よりも
動画の品質を向上でき、サブ画像の数が5より大きい場合よりも消費電力および製造コス
トを低減できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周
期の(1/(変換比の5倍))倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。
In addition, for example, J=5 can result in better video quality, especially when the number of sub-images is less than 5, and lower power consumption and manufacturing costs than when the number of sub-images is greater than 5. have the advantage of being able to Furthermore, the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about (1/(five times the conversion ratio)) times the period of the input image data.

さらに、Jが上に挙げたもの以外であっても、同様な利点を有する。 Moreover, J other than those listed above have similar advantages.

なお、J=3以上とする場合、第1のステップにおける変換比は様々な値をとることがで
きるが、特に、第1のステップにおける変換比が比較的小さい場合(2以下)に、J=3
以上とするのが効果的である。なぜならば、第1のステップ後の表示フレームレートが比
較的小さければ、その分、第2のステップにおいて、Jを大きくすることができるからで
ある。このような変換比は、nが10以下の範囲においては、1、2、3/2、4/3、
5/3、5/4、6/5、7/4、7/5、7/6、8/7、9/5、9/7、9/8、
10/7、10/9、が挙げられる。このうち、変換比が1、2、3/2、4/3、5/
3、5/4の場合については、図72に図示する。このように、第1のステップ後の表示
フレームレートが比較的小さな値の場合、J=3以上とすることによって、第1のステッ
プにおける表示フレームレートが小さいことによる利点(消費電力および製造コストの低
減等)と、最終的な表示フレームレートが大きいことによる利点(動画の品質向上、フリ
ッカの低減等)を、両立させることが可能となる。
When J=3 or more, the conversion ratio in the first step can take various values. Especially when the conversion ratio in the first step is relatively small (2 or less), J= 3
The above is effective. This is because if the display frame rate after the first step is relatively low, J can be increased accordingly in the second step. Such conversion ratios are 1, 2, 3/2, 4/3,
5/3, 5/4, 6/5, 7/4, 7/5, 7/6, 8/7, 9/5, 9/7, 9/8,
10/7 and 10/9. Among them, the conversion ratios are 1, 2, 3/2, 4/3, 5/
The case of 3,5/4 is illustrated in FIG. Thus, when the display frame rate after the first step is a relatively small value, by setting J=3 or more, the advantage of the small display frame rate in the first step (reduction of power consumption and manufacturing cost) is achieved. reduction, etc.) and the advantages of a large final display frame rate (improvement in moving image quality, reduction in flicker, etc.) can be made compatible.

次に、第2のステップにおける手順によって決められる駆動方法の別の例について説明す
る。
Next, another example of the driving method determined by the procedure in the second step will be described.

第2のステップにおける手順1において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方
法のうち、黒挿入法が選択された場合、駆動方法は次のようになる。
In procedure 1 of the second step, when the black insertion method is selected among the methods of distributing the brightness of the original image to a plurality of sub-images, the driving method is as follows.

第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、が、一定の周期Tで順次用意され、
前記周期Tは、J(Jは2以上の整数)個のサブ画像表示期間に分割され、
前記第iの画像データは、複数の画素にそれぞれ固有の明るさLを持たせることができる
データであり、
第j(jは1以上J以下の整数)のサブ画像は、それぞれ固有の明るさLを持つ画素が
複数並置されることによって構成され、第jのサブ画像表示期間Tだけ表示される画像
であり、
前記L、前記T、前記L、前記T、を、サブ画像分配条件を満たす表示装置の駆動方
法であって、
少なくとも1つのjにおいて、第jのサブ画像に含まれる全て画素の明るさLが、L
=0である
ことを特徴とする。
ここで、一定の周期Tで順次用意される画像データとしては、第1のステップにおいて作
成された元画像データを用いることができる。すなわち、第1のステップの説明で挙げた
全ての表示パターンを、上記駆動方法と組み合わせることができる。
i-th (i is a positive integer) image data;
and the i+1th image data are sequentially prepared at a constant cycle T,
The period T is divided into J (J is an integer equal to or greater than 2) sub-image display periods,
The i-th image data is data that allows each of a plurality of pixels to have a unique brightness L,
The j-th sub-image (j is an integer of 1 or more and J or less) is constructed by juxtaposing a plurality of pixels each having a unique brightness Lj , and is displayed for the j-th sub-image display period Tj . is an image,
A method of driving a display device that satisfies sub-image distribution conditions for the L, the T, the L j , and the T j , comprising:
In at least one j, the brightness L j of all pixels contained in the j-th sub-image is L j
=0.
Here, the original image data created in the first step can be used as the image data sequentially prepared at the constant cycle T. FIG. That is, all the display patterns mentioned in the explanation of the first step can be combined with the above driving method.

なお、上記の駆動方法は、第1のステップにおいて用いた様々なnおよびmについて、そ
れぞれ組み合わせて実施できることは明らかである。
It is clear that the above driving method can be implemented in combination with various n and m used in the first step.

そして、第2のステップにおける手順2において、サブ画像の数Jが2と決定され、手順
3において、T=T=T/2と決定された場合、上記駆動方法は、図71に示すよう
なものとなる。
図71に示す駆動方法(様々なnおよびmにおける表示タイミング)の特徴および利点は
既に述べたので、ここでは詳細な説明は省略するが、第2のステップにおける手順1にお
いて、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、黒挿入法が選択された場
合においても同様な利点を有するのは明らかである。たとえば、第1のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。さらに、表示フ
レームレートが大きい場合は、動画の品質を向上でき、表示フレームレートが小さい場合
は、消費電力および製造コストを低減できる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス
方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足
の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果を
もたらす。さらに、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に
低減することができる
Then, when the number of sub-images J is determined to be 2 in procedure 2 of the second step, and T 1 =T 2 =T/2 in procedure 3, the driving method is shown in FIG. It will be something like
Since the features and advantages of the driving method shown in FIG. 71 (display timing for various n and m) have already been described, detailed description is omitted here. Of the methods for distributing the .sub.s into a plurality of sub-images, it is clear that the black insertion method has similar advantages. For example, if the interpolated image in the first step is an intermediate image obtained by motion compensation, the motion of the moving image can be smoothed, so the quality of the moving image can be significantly improved. Furthermore, when the display frame rate is high, the quality of moving images can be improved, and when the display frame rate is low, power consumption and manufacturing costs can be reduced. Furthermore, when the display device is an active matrix type liquid crystal display device, the problem of shortage of write voltage due to dynamic capacitance can be avoided, so that a remarkable image quality improvement effect can be brought about against troubles such as trailing of moving images and afterimages. Furthermore, flicker that appears due to AC driving can be reduced to the extent that it is not perceived by the human eye.

第2のステップの手順1において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のう
ち、黒挿入法が選択されることによる特徴的な利点としては、動き補償によって中間画像
を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、
消費電力および装置の製造コストを低減することができることである。さらに、画像デー
タに含まれる階調値によらずに擬似的にインパルス型の表示方法とすることができるため
、動画の品質を向上できる。
Among the methods for distributing the brightness of the original image to a plurality of sub-images in procedure 1 of the second step, a characteristic advantage of selecting the black insertion method is that an intermediate image is created by motion compensation. Because the operation of the circuit can be stopped or the circuit itself can be omitted from the device,
It is possible to reduce the power consumption and the manufacturing cost of the device. Furthermore, since a pseudo-impulse-type display method can be used regardless of the gradation values included in the image data, the quality of moving images can be improved.

なお、ここでは、手順2においてサブ画像の数Jが2と決定され、手順3においてT
=T/2と決定された場合について説明したが、これに限定されないのは明らかであ
る。
Here, the number J of sub-images is determined to be 2 in procedure 2, and T 1 =
Although the case where it is determined that T 2 =T/2 has been described, it is clearly not limited to this.

たとえば、第2のステップにおける手順3において、T<Tと決定された場合は、第
1のサブ画像をより明るく、第2のサブ画像をより暗くすることができる。さらに、第2
のステップにおける手順3において、T>Tと決定された場合は、第1のサブ画像を
より暗く、第2のサブ画像をより明るくすることができる。こうすることで、元画像をき
ちんと人間の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にす
ることもできるため、動画の品質を向上できる。ただし、上記の駆動方法のように、手順
1において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、黒挿入法が選択さ
れた場合は、サブ画像の明るさを変化させずに、そのまま表示してもよい。なぜならば、
この場合はサブ画像の明るさを変えない場合は、元画像の全体の明るさが暗くなって表示
されるだけであるからである。すなわち、この方法を表示装置の明るさの制御に積極的に
用いることで、動画の品質を向上させつつ、明るさの制御も可能となる。
For example, if in procedure 3 in the second step it was determined that T 1 <T 2 , then the first sub-image can be made brighter and the second sub-image can be made darker. Furthermore, the second
If it is determined in procedure 3 in step 2 that T 1 >T 2 , then the first sub-image can be made darker and the second sub-image can be made lighter. By doing so, the original image can be properly perceived by the human eye, and at the same time, the display can be pseudo-impulse driven, thereby improving the quality of moving images. However, as in the above driving method, if the black insertion method is selected among the methods for distributing the brightness of the original image to a plurality of sub-images in step 1, the brightness of the sub-images is not changed. can be displayed as is. because,
This is because, in this case, if the brightness of the sub-image is not changed, the overall brightness of the original image will be darkened and displayed. That is, by positively using this method for controlling the brightness of the display device, it becomes possible to control the brightness while improving the quality of moving images.

さらに、手順2において、サブ画像の数Jが2ではなく、それ以外の値に決定されてもよ
いことは明らかである。その場合の利点は既に述べたので、ここでは詳細な説明は省略す
るが、第2のステップにおける手順1において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配
する方法のうち、黒挿入法が選択された場合においても同様な利点を有するのは明らかで
ある。たとえば、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の(1/(変換比のJ倍)
)倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。
Furthermore, it is clear that in procedure 2 the number of sub-images J may be determined to be other values than two. Since the advantages in this case have already been described, a detailed explanation is omitted here. It is clear that the selected case has similar advantages. For example, the response time of the liquid crystal element is the period of the input image data (1/(J times the conversion ratio)
), the image quality can be improved by applying it to a liquid crystal display device which is approximately twice as large.

次に、第2のステップにおける手順によって決められる駆動方法の別の例について説明す
る。
Next, another example of the driving method determined by the procedure in the second step will be described.

第2のステップにおける手順1において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方
法のうち、時分割階調制御法が選択された場合、駆動方法は次のようになる。
In procedure 1 of the second step, when the time-division gradation control method is selected among the methods of distributing the brightness of the original image to a plurality of sub-images, the driving method is as follows.

第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、が、一定の周期Tで順次用意され、
前記周期Tは、J(Jは2以上の整数)個のサブ画像表示期間に分割され、
前記第iの画像データは、複数の画素にそれぞれ固有の明るさLを持たせることができる
データであり、
前記固有の明るさLは、最大値がLmaxであり、
第j(jは1以上J以下の整数)のサブ画像は、それぞれ固有の明るさLを持つ画素が
複数並置されることによって構成され、第jのサブ画像表示期間Tだけ表示される画像
であり、
前記L、前記T、前記L、前記T、を、サブ画像分配条件を満たす表示装置の駆動方
法であって、
前記固有の明るさLを表示するにあたって、(j-1)×Lmax/JからJ×Lmax
/Jの明るさの範囲における明るさの調節は、前記J個のサブ画像表示期間のうち唯1つ
のサブ画像表示期間における明るさの調節によって行なう
ことを特徴とする。
ここで、一定の周期Tで順次用意される画像データとしては、第1のステップにおいて作
成された元画像データを用いることができる。すなわち、第1のステップの説明で挙げた
全ての表示パターンを、上記駆動方法と組み合わせることができる。
i-th (i is a positive integer) image data;
and the i+1th image data are sequentially prepared at a constant cycle T,
The period T is divided into J (J is an integer equal to or greater than 2) sub-image display periods,
The i-th image data is data that allows each of a plurality of pixels to have a unique brightness L,
The intrinsic brightness L has a maximum value of L max ,
The j-th (j is an integer of 1 or more and J or less) sub-image is formed by juxtaposing a plurality of pixels each having a unique brightness Lj , and is displayed for the j-th sub-image display period Tj. is an image,
A method of driving a display device that satisfies sub-image distribution conditions for the L, the T, the L j , and the T j , comprising:
In displaying the inherent brightness L, (j−1)×L max /J to J×L max
The brightness adjustment in the brightness range of /J is performed by adjusting the brightness in only one sub-image display period among the J sub-image display periods.
Here, the original image data created in the first step can be used as the image data that is sequentially prepared at the constant cycle T. FIG. That is, all the display patterns mentioned in the explanation of the first step can be combined with the driving method described above.

なお、上記の駆動方法は、第1のステップにおいて用いた様々なnおよびmについて、そ
れぞれ組み合わせて実施できることは明らかである。
It is obvious that the driving method described above can be implemented in combination with various n and m used in the first step.

そして、第2のステップにおける手順2において、サブ画像の数Jが2と決定され、手順
3において、T=T=T/2と決定された場合、上記駆動方法は、図71に示すよう
なものとなる。
図71に示す駆動方法(様々なnおよびmにおける表示タイミング)の特徴および利点は
既に述べたので、ここでは詳細な説明は省略するが、第2のステップにおける手順1にお
いて、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、時分割階調制御法が選択
された場合においても同様な利点を有するのは明らかである。たとえば、第1のステップ
における補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑
らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。さらに
、表示フレームレートが大きい場合は、動画の品質を向上でき、表示フレームレートが小
さい場合は、消費電力および製造コストを低減できる。さらに、表示装置がアクティブマ
トリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み
電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改
善効果をもたらす。さらに、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されな
い程度に低減することができる
Then, when the number of sub-images J is determined to be 2 in procedure 2 of the second step and T 1 =T 2 =T/2 in procedure 3, the driving method is shown in FIG. It will be something like
Since the features and advantages of the driving method shown in FIG. 71 (display timing for various n and m) have already been described, detailed description is omitted here. It is clear that the same advantages are obtained when the time-division gradation control method is selected among the methods of distributing the .times..times..times..times. For example, if the interpolated image in the first step is an intermediate image obtained by motion compensation, the motion of the moving image can be smoothed, so the quality of the moving image can be significantly improved. Furthermore, when the display frame rate is high, the quality of moving images can be improved, and when the display frame rate is low, power consumption and manufacturing costs can be reduced. Furthermore, when the display device is an active matrix type liquid crystal display device, the problem of insufficient write voltage due to dynamic capacitance can be avoided, so that a particularly remarkable image quality improvement effect can be obtained against obstacles such as trailing of moving images and afterimages. Furthermore, flicker that appears due to AC driving can be reduced to a level that is not perceived by the human eye.

第2のステップの手順1において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のう
ち、時分割階調制御法が選択されることによる特徴的な利点としては、動き補償によって
中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができ
るため、消費電力および装置の製造コストを低減することができることである。さらに、
擬似的にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質が向上でき、かつ
、表示装置の明るさが小さくなってしまうことがないため、さらに消費電力を低減できる
In procedure 1 of the second step, among the methods for distributing the brightness of the original image to a plurality of sub-images, the characteristic advantage of selecting the time-division grayscale control method is that the intermediate image is can be stopped or the circuit itself can be omitted from the device, so that the power consumption and the manufacturing cost of the device can be reduced. moreover,
Since a pseudo-impulse-type display method can be used, the quality of moving images can be improved, and the brightness of the display device does not decrease, so that power consumption can be further reduced.

なお、ここでは、手順2においてサブ画像の数Jが2と決定され、手順3においてT
=T/2と決定された場合について説明したが、これに限定されないのは明らかであ
る。
Here, the number J of sub-images is determined to be 2 in procedure 2, and T 1 =
Although the case where it is determined that T 2 =T/2 has been described, it is clearly not limited to this.

たとえば、第2のステップにおける手順3において、T<Tと決定された場合は、第
1のサブ画像をより明るく、第2のサブ画像をより暗くすることができる。さらに、第2
のステップにおける手順3において、T>Tと決定された場合は、第1のサブ画像を
より暗く、第2のサブ画像をより明るくすることができる。こうすることで、元画像をき
ちんと人間の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にす
ることもできるため、動画の品質を向上できる。こうすることで、元画像をきちんと人間
の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にすることもで
きるため、動画の品質を向上できる。
For example, if in procedure 3 in the second step it was determined that T 1 <T 2 , then the first sub-image can be made brighter and the second sub-image can be made darker. Furthermore, the second
In step 3, if it is determined that T 1 >T 2 , then the first sub-image can be made darker and the second sub-image can be made lighter. By doing so, the original image can be properly perceived by the human eye, and at the same time, the display can be pseudo-impulse driven, so that the quality of moving images can be improved. By doing so, the original image can be properly perceived by the human eye, and at the same time, the display can be pseudo-impulse driven, so that the quality of moving images can be improved.

さらに、手順2において、サブ画像の数Jが2ではなく、それ以外の値に決定されてもよ
いことは明らかである。その場合の利点は既に述べたので、ここでは詳細な説明は省略す
るが、第2のステップにおける手順1において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配
する方法のうち、時分割階調制御法が選択された場合においても同様な利点を有するのは
明らかである。たとえば、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の(1/(変換比
のJ倍))倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。
Furthermore, it is clear that in procedure 2 the number of sub-images J may be determined to be other values than two. Since the advantages of this case have already been described, a detailed explanation is omitted here. Clearly, the control strategy chosen has similar advantages. For example, the image quality can be improved by applying to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about (1/(J times the conversion ratio)) times the cycle of the input image data.

次に、第2のステップにおける手順によって決められる駆動方法の別の例について説明す
る。
Next, another example of the driving method determined by the procedure in the second step will be described.

第2のステップにおける手順1において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方
法のうち、ガンマ補完法が選択された場合、駆動方法は次のようになる。
In procedure 1 of the second step, when the gamma interpolation method is selected among the methods of distributing the brightness of the original image to a plurality of sub-images, the driving method is as follows.

第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、が、一定の周期Tで順次用意され、
前記周期Tは、J(Jは2以上の整数)個のサブ画像表示期間に分割され、
前記第iの画像データは、複数の画素にそれぞれ固有の明るさLを持たせることができる
データであり、
第j(jは1以上J以下の整数)のサブ画像は、それぞれ固有の明るさLを持つ画素が
複数並置されることによって構成され、第jのサブ画像表示期間Tだけ表示される画像
であり、
前記L、前記T、前記L、前記T、を、サブ画像分配条件を満たす表示装置の駆動方
法であって、
それぞれのサブ画像において、階調に対する明るさの変化の特性を、線形からずらし、線
形から明るい方へずらした明るさの量の合計と、線形から暗い方へずらした明るさの量の
合計が、全ての階調において概等しい
ことを特徴とする。
ここで、一定の周期Tで順次用意される画像データとしては、第1のステップにおいて作
成された元画像データを用いることができる。すなわち、第1のステップの説明で挙げた
全ての表示パターンを、上記駆動方法と組み合わせることができる。
i-th (i is a positive integer) image data;
and the i+1th image data are sequentially prepared at a constant cycle T,
The period T is divided into J (J is an integer equal to or greater than 2) sub-image display periods,
The i-th image data is data that allows each of a plurality of pixels to have a unique brightness L,
The j-th (j is an integer of 1 or more and J or less) sub-image is formed by juxtaposing a plurality of pixels each having a unique brightness Lj , and is displayed for the j-th sub-image display period Tj. is an image,
A method of driving a display device that satisfies sub-image distribution conditions for the L, the T, the L j , and the T j , comprising:
In each sub-image, the characteristics of the change in brightness with respect to gradation are calculated by shifting from linear to the sum of the amount of brightness shifted from linear to brighter and the sum of the amount of brightness shifted from linear to darker. , are approximately the same for all gradations.
Here, the original image data created in the first step can be used as the image data that is sequentially prepared at the constant cycle T. FIG. That is, all the display patterns mentioned in the explanation of the first step can be combined with the driving method described above.

なお、上記の駆動方法は、第1のステップにおいて用いた様々なnおよびmについて、そ
れぞれ組み合わせて実施できることは明らかである。
It is obvious that the driving method described above can be implemented in combination with various n and m used in the first step.

そして、第2のステップにおける手順2において、サブ画像の数Jが2と決定され、手順
3において、T=T=T/2と決定された場合、上記駆動方法は、図71に示すよう
なものとなる。
図71に示す駆動方法(様々なnおよびmにおける表示タイミング)の特徴および利点は
既に述べたので、ここでは詳細な説明は省略するが、第2のステップにおける手順1にお
いて、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、ガンマ補完法が選択され
た場合においても同様な利点を有するのは明らかである。たとえば、第1のステップにお
ける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らか
にすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。さらに、表
示フレームレートが大きい場合は、動画の品質を向上でき、表示フレームレートが小さい
場合は、消費電力および製造コストを低減できる。さらに、表示装置がアクティブマトリ
クス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧
不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効
果をもたらす。さらに、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程
度に低減することができる
Then, when the number of sub-images J is determined to be 2 in procedure 2 of the second step and T 1 =T 2 =T/2 in procedure 3, the driving method is shown in FIG. It will be something like
Since the features and advantages of the driving method shown in FIG. 71 (display timing for various n and m) have already been described, detailed description is omitted here. It is clear that the gamma interpolation method has similar advantages when the method of distributing the .times..times..times..times..times..times..times..times..times..times..times..times. For example, if the interpolated image in the first step is an intermediate image obtained by motion compensation, the motion of the moving image can be smoothed, so the quality of the moving image can be significantly improved. Furthermore, when the display frame rate is high, the quality of moving images can be improved, and when the display frame rate is low, power consumption and manufacturing costs can be reduced. Furthermore, when the display device is an active matrix type liquid crystal display device, the problem of insufficient write voltage due to dynamic capacitance can be avoided, so that a particularly remarkable image quality improvement effect can be obtained against obstacles such as trailing of moving images and afterimages. Furthermore, flicker that appears due to AC driving can be reduced to a level that is not perceived by the human eye.

第2のステップの手順1において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のう
ち、ガンマ補完法が選択されることによる特徴的な利点としては、動き補償によって中間
画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができるた
め、消費電力および装置の製造コストを低減することができることである。さらに、画像
データに含まれる階調値によらずに擬似的にインパルス型の表示方法とすることができる
ため、動画の品質を向上できる。さらに、画像データを直接ガンマ変換することによって
サブ画像を求めてもよい。この場合は、動画の動きの大きさなどによって、様々にガンマ
値を制御できる利点を有する。さらに、画像データは直接ガンマ変換せず、デジタルアナ
ログ変換回路(DAC)の参照電圧を変えることによって、ガンマ値を変化させたサブ画
像を求める構成であってもよい。この場合は、画像データを直接ガンマ変換することがな
いので、ガンマ変換を行なう回路を停止または当該回路自体を装置から省略することがで
きるため、消費電力および装置の製造コストを低減することができる。さらに、ガンマ補
完法においては、階調に対するそれぞれのサブ画像の明るさLの変化がガンマ曲線にし
たがっているため、それぞれのサブ画像がそれ自体で階調を滑らかに表示でき、最終的に
人間の目で知覚される画像の品質も向上するという利点を有する。
Among the methods for distributing the brightness of the original image to a plurality of sub-images in procedure 1 of the second step, the characteristic advantage of selecting the gamma interpolation method is that an intermediate image is created by motion compensation. Since the operation of the circuit can be stopped or the circuit itself can be omitted from the device, the power consumption and the manufacturing cost of the device can be reduced. Furthermore, since a pseudo-impulse-type display method can be used regardless of the gradation values included in the image data, the quality of moving images can be improved. Further, sub-images may be obtained by directly gamma-converting the image data. In this case, there is an advantage that the gamma value can be controlled variously depending on the magnitude of motion of the moving image. Further, the image data may not be directly gamma-converted, but may be configured to obtain sub-images with changed gamma values by changing the reference voltage of a digital-to-analog conversion circuit (DAC). In this case, since the image data is not directly gamma-converted, the circuit that performs gamma conversion can be stopped or the circuit itself can be omitted from the device, so that the power consumption and the manufacturing cost of the device can be reduced. . Furthermore, in the gamma interpolation method, since the change in brightness Lj of each sub-image with respect to gradation follows a gamma curve, each sub-image can display gradation smoothly by itself, and finally human This has the advantage that the quality of the image perceived by the human eye is also improved.

なお、ここでは、手順2においてサブ画像の数Jが2と決定され、手順3においてT
=T/2と決定された場合について説明したが、これに限定されないのは明らかであ
る。
Here, the number J of sub-images is determined to be 2 in procedure 2, and T 1 =
Although the case where it is determined that T 2 =T/2 has been described, it is clearly not limited to this.

たとえば、第2のステップにおける手順3において、T<Tと決定された場合は、第
1のサブ画像をより明るく、第2のサブ画像をより暗くすることができる。さらに、第2
のステップにおける手順3において、T>Tと決定された場合は、第1のサブ画像を
より暗く、第2のサブ画像をより明るくすることができる。こうすることで、元画像をき
ちんと人間の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にす
ることもできるため、動画の品質を向上できる。なお、上記の駆動方法のように、手順1
において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、ガンマ法が選択され
た場合は、サブ画像の明るさを変化させる場合に、ガンマ値を変化させてもよい。すなわ
ち、第2のサブ画像の表示タイミングにしたがって、ガンマ値を決めてもよい。こうする
ことで、画像全体の明るさを変化させる回路を停止または当該回路自体を装置から省略す
ることができるため、消費電力および装置の製造コストを低減することができる。
For example, if in procedure 3 in the second step it was determined that T 1 <T 2 , then the first sub-image can be made brighter and the second sub-image can be made darker. Furthermore, the second
In step 3, if it is determined that T 1 >T 2 , then the first sub-image can be made darker and the second sub-image can be made lighter. By doing so, the original image can be properly perceived by the human eye, and at the same time, the display can be pseudo-impulse driven, so that the quality of moving images can be improved. In addition, as in the above driving method, step 1
3, when the gamma method is selected among the methods of distributing the brightness of the original image to a plurality of sub-images, the gamma value may be changed when changing the brightness of the sub-images. That is, the gamma value may be determined according to the display timing of the second sub-image. By doing so, the circuit that changes the brightness of the entire image can be stopped or the circuit itself can be omitted from the device, so that the power consumption and the manufacturing cost of the device can be reduced.

さらに、手順2において、サブ画像の数Jが2ではなく、それ以外の値に決定されてもよ
いことは明らかである。その場合の利点は既に述べたので、ここでは詳細な説明は省略す
るが、第2のステップにおける手順1において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配
する方法のうち、時分割階調制御法が選択された場合においても同様な利点を有するのは
明らかである。たとえば、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の(1/(変換比
のJ倍))倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。
Furthermore, it is clear that in procedure 2 the number of sub-images J may be determined to be other values than two. Since the advantages of this case have already been described, a detailed explanation is omitted here. Clearly, the control strategy chosen has similar advantages. For example, the image quality can be improved by applying to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about (1/(J times the conversion ratio)) times the cycle of the input image data.

次に、第2のステップにおける手順によって決められる駆動方法の別の例について、詳細
に説明する。
Next, another example of the driving method determined by the procedure in the second step will be described in detail.

第2のステップにおける手順1において、動き補償によって求めた中間画像をサブ画像と
して用いる方法が選択され、
第2のステップにおける手順2において、サブ画像の数が2と決定され、
第2のステップにおける手順3において、T1=T2=T/2と決定された場合は、第2
のステップにおける手順によって決められる駆動方法は、次のようになる。
In procedure 1 of the second step, a method of using intermediate images obtained by motion compensation as sub-images is selected,
In procedure 2 in the second step, the number of sub-images is determined to be 2,
In procedure 3 in the second step, if it is determined that T1=T2=T/2, the second
The driving method determined by the procedure in step 1 is as follows.

第i(iは正の整数)の画像データと、
第i+1の画像データと、が、一定の周期Tで順次用意され、
第k(kは正の整数)の画像と、
第k+1の画像と、
第k+2の画像と、を、元画像データの周期の1/2倍の間隔で順次表示する表示装置の
駆動方法であって、
前記第kの画像は、前記第iの画像データにしたがって表示され、
前記第k+1の画像は、前記第iの画像データから前記第i+1の画像データまでの動き
を1/2倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第k+2の画像は、前記第i+1の画像データにしたがって表示される
ことを特徴とする。
ここで、一定の周期Tで順次用意される画像データとしては、第1のステップにおいて作
成された元画像データを用いることができる。すなわち、第1のステップの説明で挙げた
全ての表示パターンを、上記駆動方法と組み合わせることができる。
i-th (i is a positive integer) image data;
and the i+1th image data are sequentially prepared at a constant cycle T,
a k-th (k is a positive integer) image;
a k+1-th image;
A driving method for a display device for sequentially displaying a k+2-th image and an image at an interval of 1/2 times the period of the original image data,
the k-th image is displayed according to the i-th image data;
the k+1-th image is displayed according to image data corresponding to a motion obtained by multiplying the motion from the i-th image data to the i+1-th image data by 1/2;
The k+2-th image is displayed according to the i+1-th image data.
Here, the original image data created in the first step can be used as the image data that is sequentially prepared at the constant cycle T. FIG. That is, all the display patterns mentioned in the explanation of the first step can be combined with the driving method described above.

なお、上記の駆動方法は、第1のステップにおいて用いた様々なnおよびmについて、そ
れぞれ組み合わせて実施できることは明らかである。
It is obvious that the driving method described above can be implemented in combination with various n and m used in the first step.

第2のステップにおける手順1において、動き補償によって求めた中間画像をサブ画像と
して用いる方法が選択されることによる特徴的な利点は、第1のステップにおける手順に
おいて、動き補償によって求めた中間画像を補間画像とする場合に、第1のステップにお
いて用いた中間画像を求める方法が、第2のステップでもそのままの方法で用いることが
できる点である。すなわち、動き補償によって中間画像を求める回路を、第1のステップ
だけではなく、第2のステップでも利用することができるので、回路を有効に利用できる
ようになり、処理効率を向上できる。また、画像の動きをさらに滑らかにすることができ
るため、動画の品質をさらに向上させることができる。
A characteristic advantage of selecting the method of using the intermediate image obtained by motion compensation as a sub-image in procedure 1 of the second step is that the intermediate image obtained by motion compensation is used in procedure 1 of the first step. The point is that when an interpolated image is used, the method of obtaining the intermediate image used in the first step can be used in the second step as it is. In other words, the circuit that obtains the intermediate image by motion compensation can be used not only in the first step but also in the second step, so that the circuit can be used effectively and the processing efficiency can be improved. In addition, since the movement of images can be made smoother, the quality of moving images can be further improved.

なお、ここでは、手順2においてサブ画像の数Jが2と決定され、手順3においてT
=T/2と決定された場合について説明したが、これに限定されないのは明らかであ
る。
Here, the number J of sub-images is determined to be 2 in procedure 2, and T 1 =
Although the case where it is determined that T 2 =T/2 has been described, it is clearly not limited to this.

たとえば、第2のステップにおける手順3において、T<Tと決定された場合は、第
1のサブ画像をより明るく、第2のサブ画像をより暗くすることができる。さらに、第2
のステップにおける手順3において、T>Tと決定された場合は、第1のサブ画像を
より暗く、第2のサブ画像をより明るくすることができる。こうすることで、元画像をき
ちんと人間の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にす
ることもできるため、動画の品質を向上できる。こうすることで、元画像をきちんと人間
の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にすることもで
きるため、動画の品質を向上できる。なお、上記の駆動方法のように、手順2において、
動き補償によって求めた中間画像をサブ画像として用いる方法が選択された場合は、サブ
画像の明るさを変化させなくてもよい。なぜならば、中間状態の画像はそれ自体で画像と
して完結しているため、第2のサブ画像の表示タイミングが変化しても、人間の目に知覚
される画像としては変化しないためである。この場合は、画像全体の明るさを変化させる
回路を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装
置の製造コストを低減することができる。
For example, if in procedure 3 in the second step it was determined that T 1 <T 2 , then the first sub-image can be made brighter and the second sub-image can be made darker. Furthermore, the second
In step 3, if it is determined that T 1 >T 2 , then the first sub-image can be made darker and the second sub-image can be made lighter. By doing so, the original image can be properly perceived by the human eye, and at the same time, the display can be pseudo-impulse driven, so that the quality of moving images can be improved. By doing so, the original image can be properly perceived by the human eye, and at the same time, the display can be pseudo-impulse driven, so that the quality of moving images can be improved. In addition, as in the above driving method, in procedure 2,
If the method of using an intermediate image obtained by motion compensation as a sub-image is selected, it is not necessary to change the brightness of the sub-image. This is because the image in the intermediate state is complete as an image by itself, so even if the display timing of the second sub-image changes, the image perceived by the human eye does not change. In this case, the circuit that changes the brightness of the entire image can be stopped or the circuit itself can be omitted from the device, so power consumption and manufacturing cost of the device can be reduced.

さらに、手順2において、サブ画像の数Jが2ではなく、それ以外の値に決定されてもよ
いことは明らかである。その場合の利点は既に述べたので、ここでは詳細な説明は省略す
るが、第2のステップにおける手順1において、動き補償によって求めた中間画像をサブ
画像として用いる方法が選択された場合においても同様な利点を有するのは明らかである
。たとえば、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の(1/(変換比のJ倍))倍
程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。
Furthermore, it is clear that in procedure 2 the number of sub-images J may be determined to be other values than two. Since the advantage in that case has already been described, detailed description is omitted here. However, the same applies when the method of using the intermediate image obtained by motion compensation as a sub-image is selected in procedure 1 of the second step. Clearly, it has significant advantages. For example, the image quality can be improved by applying to a liquid crystal display device in which the response time of the liquid crystal element is about (1/(J times the conversion ratio)) times the cycle of the input image data.

次に、図73を参照して、入力フレームレートと表示フレームレートが異なる場合の、フ
レームレート変換方法の具体例について説明する。図73(A)乃至(C)に示す方法に
おいては、画像上の円形の領域がフレームによって位置が変化する領域であり、画像上の
三角形の領域がフレームによって位置がほぼ変化しない領域であるとしている。ただし、
これは説明のための例であり、表示される画像はこれに限定されない。図73(A)乃至
(C)の方法は、様々な画像に対して適用することができる。
Next, a specific example of a frame rate conversion method when the input frame rate and the display frame rate are different will be described with reference to FIG. In the method shown in FIGS. 73A to 73C, it is assumed that the circular area on the image is an area whose position changes depending on the frame, and the triangular area on the image is an area whose position hardly changes depending on the frame. there is however,
This is an example for explanation, and the displayed image is not limited to this. The methods of FIGS. 73A to 73C can be applied to various images.

図73(A)は、表示フレームレートが入力フレームレートの2倍(変換比が2)である
場合を表している。変換比が2である場合は、変換比が2より小さい場合よりも動画の品
質を向上できるという利点を有する。さらに、変換比が2である場合は、変換比が2より
大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。図73(
A)は、横軸を時間として、表示される画像の時間的な変化の様子を、模式的に表したも
のである。ここで、注目している画像のことを、第pの画像(pは正の整数)と表記する
こととする。そして、注目している画像の次に表示される画像を、第(p+1)の画像、
注目している画像の前に表示される画像を、第(p―1)の画像、というように、注目し
ている画像からどれだけ離れて表示されるかということを、便宜的に表記することとする
。そして、画像7301は第pの画像、画像7302は第(p+1)の画像、画像730
3は第(p+2)の画像、画像7304は第(p+3)の画像、画像7305は第(p+
4)の画像であるとする。期間Tinは、入力画像データの周期を表している。なお、図
73(A)は変換比が2である場合を表しているため、期間Tinは、第pの画像が表示
されてから第(p+1)の画像が表示されるまで期間の2倍の長さとなる。
FIG. 73A shows a case where the display frame rate is twice the input frame rate (the conversion ratio is 2). A conversion ratio of 2 has the advantage that the quality of moving images can be improved over a conversion ratio of less than 2. Furthermore, when the conversion ratio is 2, there is an advantage that power consumption and manufacturing cost can be reduced as compared with the case where the conversion ratio is greater than 2. Figure 73 (
A) schematically shows how the displayed image changes over time, with the horizontal axis representing time. Here, the image of interest is referred to as the p-th image (p is a positive integer). Then, the image displayed next to the focused image is the (p+1)th image,
An image displayed in front of the focused image is referred to as the (p-1)th image, and for the sake of convenience, how far it is displayed from the focused image is indicated. It is assumed that An image 7301 is the pth image, an image 7302 is the (p+1)th image, and an image 730
3 is the (p+2)th image, image 7304 is the (p+3)th image, and image 7305 is the (p+3)th image.
4) image. A period Tin represents the cycle of the input image data. Since FIG. 73A shows a case where the conversion ratio is 2, the period Tin is double the period from the display of the p-th image to the display of the (p+1)-th image. be the length.

ここで、第(p+1)の画像7302は、第pの画像7301から第(p+2)の画像7
303までの画像の変化量を検出することで、第pの画像7301および第(p+2)の
画像7303の中間状態となるように作成された画像であってもよい。図73(A)では
、フレームによって位置が変化する領域(円形の領域)と、フレームによって位置がほぼ
変化しない領域(三角形の領域)と、によって、中間状態の画像の様子を表している。す
なわち、第(p+1)の画像7302における円形の領域の位置は、第pの画像7301
における位置と、第(p+2)の画像7303における位置の中間の位置としている。つ
まり、第(p+1)の画像7302は、動き補償を行なって画像データを補間したもので
ある。このように、画像上で動きのある物体に対して動き補償を行い、画像データを補間
することによって、なめらかな表示を行なうことができる。
Here, the (p+1)th image 7302 is obtained from the pth image 7301 to the (p+2)th image 7301 .
By detecting the amount of change in the images up to 303, the image may be created so as to have an intermediate state between the p-th image 7301 and the (p+2)-th image 7303. FIG. In FIG. 73A, an area (circular area) whose position changes with the frame and an area (triangular area) whose position hardly changes with the frame represent the state of the image in the intermediate state. That is, the position of the circular area in the (p+1)-th image 7302 is the position of the p-th image 7301
and the position in the (p+2)th image 7303 . In other words, the (p+1)th image 7302 is obtained by performing motion compensation and interpolating image data. In this way, smooth display can be achieved by performing motion compensation on an object that moves on the image and interpolating the image data.

さらに、第(p+1)の画像7302は、第pの画像7301および第(p+2)の画像
7303の中間状態となるように作成された上で、画像の輝度を一定の規則で制御した画
像であってもよい。一定の規則とは、たとえば、図73(A)のように、第pの画像73
01の代表的な輝度をL、第(p+1)の画像7302の代表的な輝度をLcとしたとき
、LとLcで、L>Lcという関係があってもよい。望ましくは、0.1L<Lc<0.
8Lという関係があってもよい。さらに望ましくは、0.2L<Lc<0.5Lという関
係があってもよい。または、逆にLとLcで、L<Lcという関係があってもよい。望ま
しくは、0.1Lc<L<0.8Lcという関係があってもよい。さらに望ましくは、0
.2Lc<L<0.5Lcという関係があってもよい。このようにすることで、表示を擬
似的にインパルス型とすることができるため、目の残像を抑えることができる。
Furthermore, the (p+1)-th image 7302 is an image created so as to be in an intermediate state between the p-th image 7301 and the (p+2)-th image 7303, and the luminance of the image is controlled according to a certain rule. may A certain rule is, for example, the p-th image 73 as shown in FIG.
01 is L, and the (p+1)-th image 7302 is Lc, there may be a relationship of L>Lc between L and Lc. Desirably, 0.1L<Lc<0.
There may be a relationship of 8L. More preferably, there may be a relationship of 0.2L<Lc<0.5L. Alternatively, conversely, L and Lc may have a relationship of L<Lc. Desirably, there may be a relationship of 0.1Lc<L<0.8Lc. More preferably, 0
. There may be a relationship of 2Lc<L<0.5Lc. By doing so, the display can be pseudo-impulse type, so that the afterimage of the eyes can be suppressed.

なお、画像の代表的な輝度については、後に図74を参照して詳しく述べる。 Note that typical luminance of an image will be described later in detail with reference to FIG.

このように、動画ボケに対する2つの異なる原因(画像の動きがなめらかではないこと、
および目の残像)を同時に解決することによって、動画ボケを大幅に低減することができ
る。
Thus, there are two different causes for motion blur (image motion is not smooth,
and eye persistence), motion blur can be significantly reduced.

さらに、第(p+3)の画像7304についても、第(p+2)の画像7303および第
(p+4)の画像7305から同様な方法を用いて作成されてもよい。すなわち、第(p
+3)の画像7304は、第(p+2)の画像7303から第(p+4)の画像7305
までの画像の変化量を検出することで、第(p+2)の画像7303および第(p+4)
の画像7305の中間状態となるように作成された画像であって、さらに、画像の輝度を
一定の規則で制御した画像であってもよい。
Furthermore, the (p+3)th image 7304 may also be created from the (p+2)th image 7303 and the (p+4)th image 7305 using a similar method. That is, the (p
+3) image 7304 is the (p+2)th image 7303 to the (p+4)th image 7305
By detecting the amount of change in the image up to the (p+2)th image 7303 and the (p+4)th image 7303
It may be an image created so as to be in an intermediate state of the image 7305 of , and furthermore, an image in which the brightness of the image is controlled according to a certain rule.

図73(B)は、表示フレームレートが、入力フレームレートの3倍(変換比が3)であ
る場合を表している。図73(B)は、横軸を時間として、表示される画像の時間的な変
化の様子を、模式的に表したものである。画像7311は第pの画像、画像7312は第
(p+1)の画像、画像7313は第(p+2)の画像、画像7314は第(p+3)の
画像、画像7315は第(p+4)の画像、画像7316は第(p+5)の画像、画像7
317は第(p+6)の画像であるとする。期間Tinは、入力画像データの周期を表し
ている。なお、図73(B)は変換比が3である場合を表しているため、期間Tinは、
第pの画像が表示されてから第(p+1)の画像が表示されるまで期間の3倍の長さとな
る。
FIG. 73B shows a case where the display frame rate is three times the input frame rate (the conversion ratio is 3). FIG. 73B schematically shows how the displayed image changes over time, with the horizontal axis representing time. Image 7311 is the pth image, Image 7312 is the (p+1)th image, Image 7313 is the (p+2)th image, Image 7314 is the (p+3)th image, Image 7315 is the (p+4)th image, Image 7316 is the (p+5)th image, image 7
Assume that 317 is the (p+6)th image. A period Tin represents the cycle of the input image data. Note that since FIG. 73B shows the case where the conversion ratio is 3, the period Tin is
The period from when the p-th image is displayed to when the (p+1)-th image is displayed is three times as long as the period.

ここで、第(p+1)の画像7312および第(p+2)の画像7313は、第pの画像
7311から第(p+3)の画像7314までの画像の変化量を検出することで、第pの
画像7311および第(p+3)の画像7314の中間状態となるように作成された画像
であってもよい。図73(B)では、フレームによって位置が変化する領域(円形の領域
)と、フレームによって位置がほぼ変化しない領域(三角形の領域)と、によって、中間
状態の画像の様子を表している。すなわち、第(p+1)の画像7312および第(p+
2)の画像7313における円形の領域の位置は、第pの画像7311における位置と、
第(p+3)の画像7314における位置の中間の位置としている。具体的には、第pの
画像7311および第(p+3)の画像7314から検出した、円形の領域が移動する量
をXとしたとき、第(p+1)の画像7312における円形の領域の位置は、第pの画像
7311における位置から、(1/3)X程度変位した位置であっても良い。さらに、第
(p+2)の画像7313における円形の領域の位置は、第pの画像7311における位
置から、(2/3)X程度変位した位置であっても良い。つまり、第(p+1)の画像7
312および第(p+2)の画像7313は、動き補償を行なって画像データを補間した
ものである。このように、画像上で動きのある物体に対して動き補償を行い、画像データ
を補間することにより、なめらかな表示を行なうことができる。
Here, the (p+1)th image 7312 and the (p+2)th image 7313 are obtained by detecting the amount of change in the images from the pth image 7311 to the (p+3)th image 7314. and (p+3)-th image 7314 may be an image created so as to be in an intermediate state. In FIG. 73B, an image in an intermediate state is represented by an area (circular area) whose position changes depending on the frame and an area (triangular area) whose position hardly changes depending on the frame. That is, the (p+1)th image 7312 and the (p+1)th image 7312
2) The position of the circular area in the image 7313 is the position in the p-th image 7311,
It is the middle position between the positions in the (p+3)th image 7314 . Specifically, when the amount of movement of the circular region detected from the p-th image 7311 and the (p+3)th image 7314 is X, the position of the circular region in the (p+1)th image 7312 is It may be a position displaced by about (⅓)X from the position in the p-th image 7311 . Furthermore, the position of the circular area in the (p+2)th image 7313 may be a position displaced by about (2/3)X from the position in the pth image 7311 . That is, the (p+1)th image 7
312 and the (p+2)th image 7313 are obtained by performing motion compensation and interpolating the image data. In this way, smooth display can be achieved by performing motion compensation on an object that moves on the image and interpolating the image data.

さらに、第(p+1)の画像7312および第(p+2)の画像7313は、第pの画像
7311および第(p+3)の画像7314の中間状態となるように作成された上で、画
像の輝度を一定の規則で制御した画像であってもよい。一定の規則とは、たとえば、図7
3(B)のように、第pの画像7311の代表的な輝度をL、第(p+1)の画像731
2の代表的な輝度をLc1、第(p+2)の画像7313の代表的な輝度をLc2とした
とき、L、Lc1、Lc2において、L>Lc1またはL>Lc2またはLc1=Lc2
という関係があってもよい。望ましくは、0.1L<Lc1=Lc2<0.8Lという関
係があってもよい。さらに望ましくは、0.2L<Lc=Lc2<0.5Lという関係が
あってもよい。または、逆にL、Lc1、Lc2において、L<Lc1またはL<Lc2
またはLc1=Lc2という関係があってもよい。望ましくは、0.1Lc1=0.1L
c2<L<0.8Lc1=0.8Lc2という関係があってもよい。さらに望ましくは、
0.2Lc1=0.2Lc2<L<0.5Lc1=0.5Lc2という関係があってもよ
い。このようにすることで、表示を擬似的にインパルス型とすることができるため、目の
残像を抑えることができる。または、輝度を変化させる画像が交互に現れるようにしても
よい。こうすることで、輝度が変化する周期を短くすることができるので、フリッカを低
減することができる。
Furthermore, the (p+1)-th image 7312 and the (p+2)-th image 7313 are created so as to have an intermediate state between the p-th image 7311 and the (p+3)-th image 7314, and the brightness of the image is fixed. It may be an image controlled by the rule of A certain rule is, for example,
3(B), the representative luminance of the p-th image 7311 is L, and the (p+1)-th image 731
2 is Lc1, and the typical luminance of the (p+2)th image 7313 is Lc2.
There may be a relationship that Desirably, there may be a relationship of 0.1L<Lc1=Lc2<0.8L. More desirably, there may be a relationship of 0.2L<Lc=Lc2<0.5L. Or conversely, in L, Lc1, Lc2, L<Lc1 or L<Lc2
Alternatively, there may be a relationship of Lc1=Lc2. Desirably, 0.1Lc1=0.1L
There may be a relationship of c2<L<0.8Lc1=0.8Lc2. More preferably
There may be a relationship of 0.2Lc1=0.2Lc2<L<0.5Lc1=0.5Lc2. By doing so, the display can be pseudo-impulse type, so that the afterimage of the eyes can be suppressed. Alternatively, images with varying brightness may alternately appear. By doing so, the period in which the luminance changes can be shortened, so that flicker can be reduced.

このように、動画ボケに対する2つの異なる原因(画像の動きがなめらかではないこと、
および目の残像)を同時に解決することによって、動画ボケを大幅に低減することができ
る。
Thus, there are two different causes for motion blur (image motion is not smooth,
and eye persistence), motion blur can be significantly reduced.

さらに、第(p+4)の画像7315および第(p+5)の画像7316についても、第
(p+3)の画像7314および第(p+6)の画像7317から同様な方法を用いて作
成されてもよい。すなわち、第(p+4)の画像7315および第(p+5)の画像73
16は、第(p+3)の画像7314から第(p+6)の画像7317までの画像の変化
量を検出することで、第(p+3)の画像7314および第(p+6)の画像7317の
中間状態となるように作成された画像であって、さらに、画像の輝度を一定の規則で制御
した画像であってもよい。
Further, the (p+4)th image 7315 and the (p+5)th image 7316 may also be created from the (p+3)th image 7314 and the (p+6)th image 7317 using a similar method. That is, the (p+4)th image 7315 and the (p+5)th image 7315
16 detects the amount of change in the image from the (p+3)th image 7314 to the (p+6)th image 7317, resulting in an intermediate state between the (p+3)th image 7314 and the (p+6)th image 7317. The image may be an image created as described above, and further, an image in which the brightness of the image is controlled according to a certain rule.

なお、図73(B)の方法を用いると、表示フレームレートが大きいので、画像の動きが
目の動きによく追従できるようになり、画像の動きをなめらかに表示することができるた
め、動画ボケを大幅に低減することができる。
When the method of FIG. 73B is used, the display frame rate is high, so the movement of the image can follow the movement of the eyes well, and the movement of the image can be displayed smoothly. can be greatly reduced.

図73(C)は、表示フレームレートが、入力フレームレートの1.5倍(変換比1.5
)である場合を表している。図73(C)は、横軸を時間として、表示される画像の時間
的な変化の様子を、模式的に表したものである。画像7321は第pの画像、画像732
2は第(p+1)の画像、画像7323は第(p+2)の画像、画像7324は第(p+
3)の画像であるとする。なお、実際には表示されなくてもよいが、画像7325は入力
画像データであり、第(p+1)の画像7322および第(p+2)の画像7323が作
成されるために用いられていてもよい。期間Tinは、入力画像データの周期を表してい
る。なお、図73(C)は変換比が1.5である場合を表しているため、期間Tinは、
第pの画像が表示されてから第(p+1)の画像が表示されるまで期間の1.5倍の長さ
となる。
In FIG. 73(C), the display frame rate is 1.5 times the input frame rate (conversion ratio 1.5).
). FIG. 73C schematically shows how the displayed image changes over time, with the horizontal axis representing time. Image 7321 is the p-th image, image 732
2 is the (p+1)th image, image 7323 is the (p+2)th image, and image 7324 is the (p+1)th image.
3) is the image. Note that the image 7325 is input image data and may be used to create the (p+1)th image 7322 and the (p+2)th image 7323, although it does not have to be actually displayed. A period Tin represents the cycle of the input image data. Note that FIG. 73C shows the case where the conversion ratio is 1.5, so the period Tin is
The period from the display of the p-th image to the display of the (p+1)-th image is 1.5 times longer than the period.

ここで、第(p+1)の画像7322および第(p+2)の画像7323は、第pの画像
7321から画像7325を経由して第(p+3)の画像7324までの画像の変化量を
検出することで、第pの画像7321および第(p+3)の画像7324の中間状態とな
るように作成された画像であってもよい。図73(C)では、フレームによって位置が変
化する領域(円形の領域)と、フレームによって位置がほぼ変化しない領域(三角形の領
域)と、によって、中間状態の画像の様子を表している。すなわち、第(p+1)の画像
7322および第(p+2)の画像7323における円形の領域の位置は、第pの画像7
321における位置と、第(p+3)の画像7324における位置の中間の位置としてい
る。つまり、第(p+1)の画像7322および第(p+2)の画像7323は、動き補
償を行なって画像データを補間したものである。このように、画像上で動きのある物体に
対して動き補償を行い、画像データを補間することにより、なめらかな表示を行なうこと
ができる。
Here, the (p+1)th image 7322 and the (p+2)th image 7323 are obtained by detecting the amount of change in the image from the pth image 7321 to the (p+3)th image 7324 via the image 7325. , p-th image 7321 and (p+3)-th image 7324 . In FIG. 73C, an area (circular area) whose position changes with the frame and an area (triangular area) whose position hardly changes with the frame represent the state of the image in the intermediate state. That is, the positions of the circular regions in the (p+1)th image 7322 and the (p+2)th image 7323 are the positions of the pth image 7323
321 and the position in the (p+3)th image 7324 . That is, the (p+1)-th image 7322 and the (p+2)-th image 7323 are obtained by performing motion compensation and interpolating image data. In this way, smooth display can be achieved by performing motion compensation on an object that moves on the image and interpolating the image data.

さらに、第(p+1)の画像7322および第(p+2)の画像7323は、第pの画像
7321および第(p+3)の画像7324の中間状態となるように作成された上で、画
像の輝度を一定の規則で制御した画像であってもよい。一定の規則とは、たとえば、図7
3(C)のように、第pの画像7321の代表的な輝度をL、第(p+1)の画像732
2の代表的な輝度をLc1、第(p+2)の画像7323の代表的な輝度をLc2とした
とき、L、Lc1、Lc2において、L>Lc1またはL>Lc2またはLc1=Lc2
という関係があってもよい。望ましくは、0.1L<Lc1=Lc2<0.8Lという関
係があってもよい。さらに望ましくは、0.2L<Lc=Lc2<0.5Lという関係が
あってもよい。または、逆にL、Lc1、Lc2において、L<Lc1またはL<Lc2
またはLc1=Lc2という関係があってもよい。望ましくは、0.1Lc1=0.1L
c2<L<0.8Lc1=0.8Lc2という関係があってもよい。さらに望ましくは、
0.2Lc1=0.2Lc2<L<0.5Lc1=0.5Lc2という関係があってもよ
い。このようにすることで、表示を擬似的にインパルス型とすることができるため、目の
残像を抑えることができる。または、輝度を変化させる画像が交互に現れるようにしても
よい。こうすることで、輝度が変化する周期を短くすることができるので、フリッカを低
減することができる。
Furthermore, the (p+1)-th image 7322 and the (p+2)-th image 7323 are created so as to have an intermediate state between the p-th image 7321 and the (p+3)-th image 7324, and the brightness of the image is fixed. It may be an image controlled by the rule of A certain rule is, for example,
3(C), the representative luminance of the p-th image 7321 is L, and the (p+1)-th image 732
2 is Lc1, and the typical luminance of the (p+2)th image 7323 is Lc2.
There may be a relationship that Desirably, there may be a relationship of 0.1L<Lc1=Lc2<0.8L. More desirably, there may be a relationship of 0.2L<Lc=Lc2<0.5L. Or conversely, in L, Lc1, Lc2, L<Lc1 or L<Lc2
Alternatively, there may be a relationship of Lc1=Lc2. Desirably, 0.1Lc1=0.1L
There may be a relationship of c2<L<0.8Lc1=0.8Lc2. More preferably
There may be a relationship of 0.2Lc1=0.2Lc2<L<0.5Lc1=0.5Lc2. By doing so, the display can be pseudo-impulse type, so that the afterimage of the eyes can be suppressed. Alternatively, images with varying brightness may alternately appear. By doing so, the period in which the luminance changes can be shortened, so that flicker can be reduced.

このように、動画ボケに対する2つの異なる原因(画像の動きがなめらかではないこと、
および目の残像)を同時に解決することによって、動画ボケを大幅に低減することができ
る。
Thus, there are two different causes for motion blur (image motion is not smooth,
and eye persistence), motion blur can be significantly reduced.

なお、図73(C)の方法を用いると、表示フレームレートが小さいので、表示装置に信
号を書き込む時間を長くすることができる。そのため、表示装置のクロック周波数を小さ
くできるので、消費電力を低減することができる。また、動き補償を行なう処理速度を遅
くできるので、消費電力を低減することができる。
Note that when the method in FIG. 73C is used, the display frame rate is low, so the time for writing signals to the display device can be lengthened. Therefore, since the clock frequency of the display device can be reduced, power consumption can be reduced. Moreover, since the processing speed of motion compensation can be slowed down, power consumption can be reduced.

次に、図74を参照して、画像の代表的な輝度について説明する。図74(A)乃至(D
)に示す図は、横軸を時間として、表示される画像の時間的な変化の様子を、模式的に表
したものである。図74(E)は、ある領域内の画像の輝度を測定する方法の一例である
Next, with reference to FIG. 74, typical luminance of an image will be described. 74(A) to (D)
) schematically shows how the displayed image changes over time, with the horizontal axis representing time. FIG. 74(E) is an example of a method for measuring the luminance of an image within a certain region.

画像の輝度を測定する方法としては、画像を構成するそれぞれの画素に対し、個別に輝度
を測定する方法がある。この方法を用いると、画像の細部まで厳密に輝度を測定すること
ができる。
As a method of measuring the luminance of an image, there is a method of individually measuring the luminance of each pixel constituting the image. Using this method, it is possible to measure the brightness of the image details precisely.

ただし、画像を構成するそれぞれの画素に対し、個別に輝度を測定する方法は、非常に労
力を要するため、別の方法を用いてもよい。画像の輝度を測定する別の方法としては、画
像内のある領域に注目し、その領域の平均的な輝度を測定する方法がある。この方法によ
って、簡易に画像の輝度を測定することができる。本実施の形態においては、画像内のあ
る領域の平均的な輝度を測定する方法によって求めた輝度を、便宜的に、画像の代表的な
輝度と呼ぶこととする。
However, since the method of individually measuring the luminance of each pixel constituting an image requires a great deal of labor, another method may be used. Another method of measuring the luminance of an image is to focus on a region within the image and measure the average luminance of that region. This method makes it possible to easily measure the luminance of an image. In the present embodiment, the brightness obtained by the method of measuring the average brightness of a certain area in the image is called the representative brightness of the image for convenience.

そして、画像の代表的な輝度を求めるために、画像内のどの領域に注目するかという点に
ついて、以下で説明する。
Then, in order to obtain the representative brightness of the image, which area in the image should be focused on will be described below.

図74(A)は、画像の変化に対し、位置がほぼ変化しない領域(三角形の領域)の輝度
を、画像の代表的な輝度とする方法の例を表している。期間Tinは入力画像データの周
期、画像7401は第pの画像、画像7402は第(p+1)の画像、画像7403は第
(p+2)の画像、第1の領域7404は第pの画像7401における輝度測定領域、第
2の領域7405は第(p+1)の画像7402における輝度測定領域、第3の領域74
06は第(p+2)の画像7403における輝度測定領域を、それぞれ表している。ここ
で、第1乃至第3の領域は、装置内の空間的な位置としては、概同じであるとしてよい。
つまり、第1乃至第3の領域で画像の代表的な輝度を測定することによって、画像の代表
的な輝度の時間変化を求めることができる。
FIG. 74A shows an example of a method of using the luminance of an area (triangular area) whose position is almost unchanged with respect to image changes as the representative luminance of the image. The period Tin is the cycle of the input image data, the image 7401 is the pth image, the image 7402 is the (p+1)th image, the image 7403 is the (p+2)th image, and the first region 7404 is the luminance in the pth image 7401. The measurement area, the second area 7405, is the luminance measurement area, the third area 7405, in the (p+1)th image 7402
06 represents the luminance measurement area in the (p+2)th image 7403, respectively. Here, the first to third regions may be assumed to have substantially the same spatial position within the device.
That is, by measuring the representative luminance of the image in the first to third regions, it is possible to obtain the temporal change in the representative luminance of the image.

画像の代表的な輝度を測定することで、表示が擬似的にインパルス型となっているかどう
かを判断することができる。たとえば、第1の領域7404で測定される輝度をL、第2
の領域7405で測定される輝度をLcとしたとき、Lc<Lであれば、表示は擬似的に
インパルス型であるといえる。このようなときに、動画の品質は向上しているといえる。
By measuring the representative brightness of the image, it is possible to determine whether the display is pseudo-impulsive. For example, let the luminance measured in the first region 7404 be L, the second
When Lc is the luminance measured in the area 7405 of , it can be said that the display is pseudo-impulse type if Lc<L. In such a case, it can be said that the quality of the moving image is improved.

なお、輝度測定領域において、時間の変化に対する画像の代表的な輝度の変化量(相対輝
度)が、次のような範囲であると、画質を向上することができる。相対輝度としては、た
とえば、第1の領域7404と第2の領域7405、第2の領域7405と第3の領域7
406、第1の領域7404と第3の領域7406のそれぞれに対し、大きい方の輝度に
対する小さい方の輝度の割合とすることができる。つまり、時間の変化に対する画像の代
表的な輝度の変化量が0であるとき、相対輝度は100%となる。そして、相対輝度が8
0%以下であれば、動画の品質を向上できる。特に、相対輝度が50%以下であれば、動
画の品質を顕著に向上できる。さらに、相対輝度が10%以上であれば、消費電力を低減
し、かつフリッカを抑えることができる。特に、相対輝度が20%以上であれば、消費電
力およびフリッカを顕著に低減することができる。すなわち、相対輝度が10%以上80
%以下であれば、動画の品質を向上させ、かつ、消費電力およびフリッカを低減すること
ができる。さらに、相対輝度が20%以上50%以下であれば、動画の品質を顕著に向上
させ、かつ、消費電力およびフリッカを顕著に低減することができる。
In the luminance measurement area, the image quality can be improved if the representative luminance change amount (relative luminance) of the image with respect to time changes is within the following range. As the relative luminance, for example, the first region 7404 and the second region 7405, the second region 7405 and the third region 7405
406, for each of the first region 7404 and the third region 7406 can be the ratio of the lower luminance to the higher luminance. In other words, when the amount of change in typical luminance of an image with respect to time is 0, the relative luminance is 100%. And the relative brightness is 8
If it is 0% or less, the quality of moving images can be improved. In particular, when the relative luminance is 50% or less, the quality of moving images can be significantly improved. Furthermore, if the relative brightness is 10% or more, power consumption can be reduced and flicker can be suppressed. In particular, when the relative luminance is 20% or more, power consumption and flicker can be significantly reduced. That is, if the relative luminance is 10% or more and 80
% or less, it is possible to improve the quality of moving images and reduce power consumption and flicker. Furthermore, when the relative luminance is 20% or more and 50% or less, the quality of moving images can be significantly improved, and power consumption and flicker can be significantly reduced.

図74(B)は、タイル状に分割された領域の輝度を測定し、その平均値を画像の代表的
な輝度とする方法の例を表している。期間Tinは入力画像データの周期、画像7411
は第pの画像、画像7412は第(p+1)の画像、画像7413は第(p+2)の画像
、第1の領域7414は第pの画像7411における輝度測定領域、第2の領域7415
は第(p+1)の画像7412における輝度測定領域、第3の領域7416は第(p+2
)の画像7413における輝度測定領域を、それぞれ表している。ここで、第1乃至第3
の領域は、装置内の空間的な位置としては、概同じであるとしてよい。つまり、第1乃至
第3の領域で画像の代表的な輝度を測定することによって、画像の代表的な輝度の時間変
化を求めることができる。
FIG. 74B shows an example of a method of measuring the brightness of the regions divided into tiles and using the average value as the representative brightness of the image. The period Tin is the cycle of the input image data, and the image 7411
is the pth image, the image 7412 is the (p+1)th image, the image 7413 is the (p+2)th image, the first region 7414 is the brightness measurement region in the pth image 7411, the second region 7415
is the luminance measurement area in the (p+1)th image 7412, and the third area 7416 is the (p+2
) in the image 7413, respectively. Here, the first to third
may be assumed to be substantially the same in terms of spatial position within the device. That is, by measuring the representative luminance of the image in the first to third regions, it is possible to obtain the temporal change in the representative luminance of the image.

画像の代表的な輝度を測定することで、表示が擬似的にインパルス型となっているかどう
かを判断することができる。たとえば、第1の領域7414で測定される輝度の全ての領
域における平均値をL、第2の領域7415で測定される輝度の全ての領域における平均
値をLcとしたとき、Lc<Lであれば、表示は擬似的にインパルス型であるといえる。
このようなときに、動画の品質は向上しているといえる。
By measuring the representative brightness of the image, it is possible to determine whether the display is pseudo-impulsive. For example, if L is the average value of luminance in all regions measured in the first region 7414, and Lc is the average value of luminance in all regions measured in the second region 7415, even if Lc<L In other words, the display can be said to be pseudo-impulse.
In such a case, it can be said that the quality of the moving image is improved.

なお、輝度測定領域において、時間の変化に対する画像の代表的な輝度の変化量(相対輝
度)が、次のような範囲であると、画質を向上することができる。相対輝度としては、た
とえば、第1の領域7414と第2の領域7415、第2の領域7415と第3の領域7
416、第1の領域7414と第3の領域7416のそれぞれに対し、大きい方の輝度に
対する小さい方の輝度の割合とすることができる。つまり、時間の変化に対する画像の代
表的な輝度の変化量が0であるとき、相対輝度は100%となる。そして、相対輝度が8
0%以下であれば、動画の品質を向上できる。特に、相対輝度が50%以下であれば、動
画の品質を顕著に向上できる。さらに、相対輝度が10%以上であれば、消費電力を低減
し、かつフリッカを抑えることができる。特に、相対輝度が20%以上であれば、消費電
力およびフリッカを顕著に低減することができる。すなわち、相対輝度が10%以上80
%以下であれば、動画の品質を向上させ、かつ、消費電力およびフリッカを低減すること
ができる。さらに、相対輝度が20%以上50%以下であれば、動画の品質を顕著に向上
させ、かつ、消費電力およびフリッカを顕著に低減することができる。
In the luminance measurement area, the image quality can be improved if the representative luminance change amount (relative luminance) of the image with respect to time changes is within the following range. As the relative luminance, for example, the first region 7414 and the second region 7415, the second region 7415 and the third region 7415
416, for each of the first region 7414 and the third region 7416, can be the ratio of the lower luminance to the higher luminance. In other words, when the amount of change in typical luminance of an image with respect to time is 0, the relative luminance is 100%. And the relative brightness is 8
If it is 0% or less, the quality of moving images can be improved. In particular, when the relative luminance is 50% or less, the quality of moving images can be significantly improved. Furthermore, if the relative brightness is 10% or more, power consumption can be reduced and flicker can be suppressed. In particular, when the relative luminance is 20% or more, power consumption and flicker can be significantly reduced. That is, if the relative luminance is 10% or more and 80
% or less, it is possible to improve the quality of moving images and reduce power consumption and flicker. Furthermore, when the relative luminance is 20% or more and 50% or less, the quality of moving images can be significantly improved, and power consumption and flicker can be significantly reduced.

図74(C)は、画像の中央の領域の輝度を測定し、その平均値を画像の代表的な輝度と
する方法の例を表している。期間Tinは入力画像データの周期、画像7421は第pの
画像、画像7422は第(p+1)の画像、画像7423は第(p+2)の画像、第1の
領域7424は第pの画像7421における輝度測定領域、第2の領域7425は第(p
+1)の画像7422における輝度測定領域、第3の領域7426は第(p+2)の画像
7423における輝度測定領域を、それぞれ表している。
FIG. 74C shows an example of a method of measuring the luminance in the central area of the image and using the average value as the representative luminance of the image. The period Tin is the period of the input image data, the image 7421 is the pth image, the image 7422 is the (p+1)th image, the image 7423 is the (p+2)th image, and the first region 7424 is the luminance in the pth image 7421. The measurement area, the second area 7425, is the (p
+1) image 7422, and the third area 7426 represents the luminance measurement area in the (p+2)th image 7423, respectively.

画像の代表的な輝度を測定することで、表示が擬似的にインパルス型となっているかどう
かを判断することができる。たとえば、第1の領域7424で測定される輝度をL、第2
の領域7425で測定される輝度をLcとしたとき、Lc<Lであれば、表示は擬似的に
インパルス型であるといえる。このようなときに、動画の品質は向上しているといえる。
By measuring the representative brightness of the image, it is possible to determine whether the display is pseudo-impulsive. For example, let the luminance measured in the first region 7424 be L, the second
When Lc is the luminance measured in the area 7425 of , it can be said that the display is pseudo-impulse type if Lc<L. In such a case, it can be said that the quality of the moving image is improved.

なお、輝度測定領域において、時間の変化に対する画像の代表的な輝度の変化量(相対輝
度)が、次のような範囲であると、画質を向上することができる。相対輝度としては、た
とえば、第1の領域7424と第2の領域7425、第2の領域7425と第3の領域7
426、第1の領域7424と第3の領域7426のそれぞれに対し、大きい方の輝度に
対する小さい方の輝度の割合とすることができる。つまり、時間の変化に対する画像の代
表的な輝度の変化量が0であるとき、相対輝度は100%となる。そして、相対輝度が8
0%以下であれば、動画の品質を向上できる。特に、相対輝度が50%以下であれば、動
画の品質を顕著に向上できる。さらに、相対輝度が10%以上であれば、消費電力を低減
し、かつフリッカを抑えることができる。特に、相対輝度が20%以上であれば、消費電
力およびフリッカを顕著に低減することができる。すなわち、相対輝度が10%以上80
%以下であれば、動画の品質を向上させ、かつ、消費電力およびフリッカを低減すること
ができる。さらに、相対輝度が20%以上50%以下であれば、動画の品質を顕著に向上
させ、かつ、消費電力およびフリッカを顕著に低減することができる。
In the luminance measurement area, the image quality can be improved if the representative luminance change amount (relative luminance) of the image with respect to time changes is within the following range. As the relative luminance, for example, the first region 7424 and the second region 7425, the second region 7425 and the third region 7425
426, for each of the first region 7424 and the third region 7426, can be the ratio of the lower luminance to the higher luminance. In other words, when the amount of change in typical luminance of an image with respect to time is 0, the relative luminance is 100%. And the relative brightness is 8
If it is 0% or less, the quality of moving images can be improved. In particular, when the relative luminance is 50% or less, the quality of moving images can be significantly improved. Furthermore, if the relative brightness is 10% or more, power consumption can be reduced and flicker can be suppressed. In particular, when the relative luminance is 20% or more, power consumption and flicker can be significantly reduced. That is, if the relative luminance is 10% or more and 80
% or less, it is possible to improve the quality of moving images and reduce power consumption and flicker. Furthermore, when the relative luminance is 20% or more and 50% or less, the quality of moving images can be significantly improved, and power consumption and flicker can be significantly reduced.

図74(D)は、画像全体からサンプリングした複数の点の輝度を測定し、その平均値を
画像の代表的な輝度とする方法の例を表している。期間Tinは入力画像データの周期、
画像7431は第pの画像、画像7432は第(p+1)の画像、画像7433は第(p
+2)の画像、第1の領域7434は第pの画像7431における輝度測定領域、第2の
領域7435は第(p+1)の画像7432における輝度測定領域、第3の領域7436
は第(p+2)の画像7433における輝度測定領域を、それぞれ表している。
FIG. 74D shows an example of a method of measuring the brightness of a plurality of points sampled from the entire image and using the average value as the representative brightness of the image. the period Tin is the cycle of the input image data;
Image 7431 is the pth image, image 7432 is the (p+1)th image, image 7433 is the (p
+2), the first region 7434 is the brightness measurement region in the pth image 7431, the second region 7435 is the brightness measurement region in the (p+1)th image 7432, the third region 7436
represent the luminance measurement regions in the (p+2)th image 7433, respectively.

画像の代表的な輝度を測定することで、表示が擬似的にインパルス型となっているかどう
かを判断することができる。たとえば、第1の領域7434で測定される輝度の全ての領
域における平均値をL、第2の領域7435で測定される輝度の全ての領域における平均
値をLcとしたとき、Lc<Lであれば、表示は擬似的にインパルス型であるといえる。
このようなときに、動画の品質は向上しているといえる。
By measuring the representative brightness of the image, it is possible to determine whether the display is pseudo-impulsive. For example, if L is the average value of luminance in all regions measured in the first region 7434, and Lc is the average value of luminance in all regions measured in the second region 7435, Lc<L. In other words, the display can be said to be pseudo-impulse.
In such a case, it can be said that the quality of the moving image is improved.

なお、輝度測定領域において、時間の変化に対する画像の代表的な輝度の変化量(相対輝
度)が、次のような範囲であると、画質を向上することができる。相対輝度としては、た
とえば、第1の領域7434と第2の領域7435、第2の領域7435と第3の領域7
436、第1の領域7434と第3の領域7436のそれぞれに対し、大きい方の輝度に
対する小さい方の輝度の割合とすることができる。つまり、時間の変化に対する画像の代
表的な輝度の変化量が0であるとき、相対輝度は100%となる。そして、相対輝度が8
0%以下であれば、動画の品質を向上できる。特に、相対輝度が50%以下であれば、動
画の品質を顕著に向上できる。さらに、相対輝度が10%以上であれば、消費電力を低減
し、かつフリッカを抑えることができる。特に、相対輝度が20%以上であれば、消費電
力およびフリッカを顕著に低減することができる。すなわち、相対輝度が10%以上80
%以下であれば、動画の品質を向上させ、かつ、消費電力およびフリッカを低減すること
ができる。さらに、相対輝度が20%以上50%以下であれば、動画の品質を顕著に向上
させ、かつ、消費電力およびフリッカを顕著に低減することができる。
In the luminance measurement area, the image quality can be improved if the representative luminance change amount (relative luminance) of the image with respect to time changes is within the following range. As the relative brightness, for example, the first region 7434 and the second region 7435, the second region 7435 and the third region 7435
436, for each of the first region 7434 and the third region 7436, can be the ratio of the lower luminance to the higher luminance. In other words, when the amount of change in typical luminance of an image with respect to time is 0, the relative luminance is 100%. And the relative brightness is 8
If it is 0% or less, the quality of moving images can be improved. In particular, when the relative luminance is 50% or less, the quality of moving images can be significantly improved. Furthermore, if the relative brightness is 10% or more, power consumption can be reduced and flicker can be suppressed. In particular, when the relative luminance is 20% or more, power consumption and flicker can be significantly reduced. That is, if the relative luminance is 10% or more and 80
% or less, it is possible to improve the quality of moving images and reduce power consumption and flicker. Furthermore, when the relative luminance is 20% or more and 50% or less, the quality of moving images can be significantly improved, and power consumption and flicker can be significantly reduced.

図74(E)は、図74(A)乃至(D)に示す図における、輝度測定領域内の測定方法
を示した図である。領域7441は注目している輝度測定領域、点7442は輝度測定領
域7441内の輝度測定点である。時間分解能の高い輝度計測機器は、その測定対象範囲
が小さい場合があるため、領域7441が大きい場合は、領域全てを測定するのではなく
、図74(E)のように、領域7441内を点状で偏り無く、複数の点で測定し、その平
均値をもって領域7441の輝度であるとしてもよい。
FIG. 74(E) is a diagram showing a method of measuring the luminance measurement area in the diagrams shown in FIGS. 74(A) to (D). A region 7441 is a brightness measurement region of interest, and a point 7442 is a brightness measurement point within the brightness measurement region 7441 . A luminance measuring device with high time resolution may have a small measurement target range. The brightness of the region 7441 may be determined by measuring at a plurality of points without unevenness and averaging the values.

なお、画像がR、G、Bの3原色の組み合わせを持つ場合は、測定される輝度は、R、G
、Bを合わせた輝度であってもよいし、RおよびGを合わせた輝度、GおよびBを合わせ
た輝度、BおよびRを合わせた輝度であってもよいし、R、G、Bそれぞれの輝度であっ
てもよい。
Note that if the image has a combination of the three primary colors R, G, and B, the measured luminance is
, B may be combined, R and G may be combined, G and B may be combined, B and R may be combined, or R, G, and B may be combined. It may be luminance.

次に、入力画像データに含まれる画像の動きを検出し、中間状態の画像を作成する方法、
および入力画像データに含まれる画像の動き等に従って駆動方法を制御する方法について
説明する。
Next, a method of detecting motion of an image included in input image data and creating an image in an intermediate state,
and a method of controlling the driving method according to the motion of the image included in the input image data.

図75を参照して、入力画像データに含まれる画像の動きを検出し、中間状態の画像を作
成する方法の例について説明する。図75(A)は、表示フレームレートが、入力フレー
ムレートの2倍(変換比が2)である場合を表したものである。図75(A)は、横軸を
時間として、画像の動きを検出する方法を、模式的に表したものである。期間Tinは入
力画像データの周期、画像7501は第pの画像、画像7502は第(p+1)の画像、
画像7503は第(p+2)の画像を、それぞれ表している。また、画像中に、時間に依
存しない領域として、第1の領域7504、第2の領域7505および第3の領域750
6を設ける。
An example of a method of detecting motion of an image included in input image data and creating an image in an intermediate state will be described with reference to FIG. FIG. 75A shows a case where the display frame rate is twice the input frame rate (the conversion ratio is 2). FIG. 75A schematically shows a method of detecting motion of an image, with the horizontal axis representing time. The period Tin is the period of the input image data, the image 7501 is the pth image, the image 7502 is the (p+1)th image,
Images 7503 each represent the (p+2)th image. Also, in the image, a first region 7504, a second region 7505, and a third region 750 are shown as time-independent regions.
6 is provided.

まず、第(p+2)の画像7503においては、画像をタイル状の複数の領域に分割し、
そのうちの1つの領域である第3の領域7506内の画像データに着目する。
First, in the (p+2)th image 7503, the image is divided into a plurality of tiled regions,
Focus on the image data in the third area 7506, which is one of these areas.

次に、第pの画像7501において、第3の領域7506を中心とした第3の領域750
6よりも大きな範囲に着目する。ここで、第3の領域7506を中心とした第3の領域7
506よりも大きな範囲は、データ検索範囲である。データ検索範囲は、水平方向(X方
向)の範囲を7507、垂直方向(Y方向)の範囲を7508とする。なお、データ検索
範囲の水平方向の範囲7507および垂直方向の範囲7508は、第3の領域7506の
水平方向の範囲および垂直方向の範囲を、それぞれ15画素分程度拡大した範囲であって
もよい。
Next, in the p-th image 7501, a third region 750 centered on the third region 7506
Focus on the range larger than 6. Here, the third region 7506 centered on the third region 7506
Ranges greater than 506 are data search ranges. The data search range is 7507 in the horizontal direction (X direction) and 7508 in the vertical direction (Y direction). The horizontal range 7507 and vertical range 7508 of the data search range may be ranges obtained by expanding the horizontal range and vertical range of the third area 7506 by about 15 pixels, respectively.

そして、データ検索範囲内において、前記第3の領域7506内の画像データと最も類似
した画像データを持つ領域を検索する。検索方法は、最小二乗法などを用いることができ
る。検索の結果、最も類似した画像データを持つ領域として、第1の領域7504が導出
されたとする。
Then, within the data search range, an area having image data most similar to the image data in the third area 7506 is searched. A method of least squares or the like can be used as a search method. Assume that the first area 7504 is derived as the area having the most similar image data as a result of the search.

次に、導出された第1の領域7504と、第3の領域7506との位置の違いを表す量と
して、ベクトル7509を導出する。なお、ベクトル7509を、動きベクトルと呼ぶこ
とにする。
Next, a vector 7509 is derived as a quantity representing the positional difference between the derived first region 7504 and the third region 7506 . Note that the vector 7509 is called a motion vector.

そして、第(p+1)の画像7502においては、動きベクトル7509から求めたベク
トル7510と、第(p+2)の画像7503における第3の領域7506内の画像デー
タと、第pの画像7501における第1の領域7504内の画像データと、によって、第
2の領域7505を形成する。
In the (p+1)th image 7502, the vector 7510 obtained from the motion vector 7509, the image data in the third area 7506 in the (p+2)th image 7503, and the first A second area 7505 is formed by the image data in the area 7504 .

ここで、動きベクトル7509から求めたベクトル7510を変位ベクトルと呼ぶことに
する。変位ベクトル7510は、第2の領域7505を形成する位置を決める役割を持つ
。第2の領域7505は、第3の領域7506から変位ベクトル7510だけ離れた位置
に形成される。なお、変位ベクトル7510は、動きベクトル7509に係数(1/2)
をかけた量であってもよい。
A vector 7510 obtained from the motion vector 7509 is called a displacement vector. Displacement vector 7510 serves to determine the position to form second region 7505 . A second region 7505 is formed at a position separated from the third region 7506 by a displacement vector 7510 . Note that the displacement vector 7510 is obtained by multiplying the motion vector 7509 by a coefficient (1/2).
It may be the amount multiplied by

第(p+1)の画像7502における第2の領域7505内の画像データは、第(p+2
)の画像7503における第3の領域7506内の画像データと、第pの画像7501に
おける第1の領域7504内の画像データによって決められるとしてもよい。たとえば、
第(p+1)の画像7502における第2の領域7505内の画像データは、第(p+2
)の画像7503における第3の領域7506内の画像データと、第pの画像7501に
おける第1の領域7504内の画像データの平均値であってもよい。
The image data in the second region 7505 in the (p+1)th image 7502 is the (p+2)th
) and the image data in the first region 7504 in the p-th image 7501 . for example,
The image data in the second region 7505 in the (p+1)th image 7502 is the (p+2)th
) and the image data in the first region 7504 of the p-th image 7501 .

このようにして、第(p+2)の画像7503における第3の領域7506に対応する、
第(p+1)の画像7502における第2の領域7505を形成することができる。なお
、以上の処理を、第(p+2)の画像7503における他の領域にも行なうことで、第(
p+2)の画像7503と第pの画像7501の中間状態となる、第(p+1)の画像7
502を形成することができる。
Thus, corresponding to the third region 7506 in the (p+2)th image 7503,
A second region 7505 in the (p+1)th image 7502 can be formed. By performing the above processing on other regions in the (p+2)th image 7503, the (p+2)th
The (p+1)-th image 7503 and the p-th image 7501, which are intermediate between the p+2) image 7503 and the p-th image 7501.
502 can be formed.

図75(B)は、表示フレームレートが、入力フレームレートの3倍(変換比が3)であ
る場合を表したものである。図75(B)は、横軸を時間として、画像の動きを検出する
方法を、模式的に表したものである。期間Tinは入力画像データの周期、画像7511
は第pの画像、画像7512は第(p+1)の画像、画像7513は第(p+2)の画像
、画像7514は第(p+3)の画像を、それぞれ表している。また、画像中に、時間に
依存しない領域として、第1の領域7515、第2の領域7516、第3の領域7517
および第4の領域7518を設ける。
FIG. 75B shows a case where the display frame rate is three times the input frame rate (the conversion ratio is 3). FIG. 75B schematically shows a method of detecting motion of an image, with the horizontal axis representing time. The period Tin is the period of the input image data, and the image 7511
represents the pth image, the image 7512 represents the (p+1)th image, the image 7513 represents the (p+2)th image, and the image 7514 represents the (p+3)th image. Also, in the image, a first region 7515, a second region 7516, and a third region 7517 are shown as regions that do not depend on time.
and a fourth region 7518 are provided.

まず、第(p+3)の画像7514においては、画像をタイル状の複数の領域に分割し、
そのうちの1つの領域である第4の領域7518内の画像データに着目する。
First, in the (p+3)th image 7514, the image is divided into a plurality of tiled regions,
Focus on the image data in the fourth area 7518, which is one of these areas.

次に、第pの画像7511において、第4の領域7518を中心とした第4の領域751
8よりも大きな範囲に着目する。ここで、第4の領域7518を中心とした第4の領域7
518よりも大きな範囲は、データ検索範囲である。データ検索範囲は、水平方向(X方
向)の範囲を7519、垂直方向(Y方向)の範囲を7520とする。なお、データ検索
範囲の水平方向の範囲7519および垂直方向の範囲7520は、第4の領域7518の
水平方向の範囲および垂直方向の範囲を、それぞれ15画素分程度拡大した範囲であって
もよい。
Next, in the p-th image 7511, a fourth region 751 centered on the fourth region 7518
Focus on the range larger than 8. Here, the fourth region 7518 centered on the fourth region 7518
Ranges greater than 518 are data search ranges. The data search range is 7519 in the horizontal direction (X direction) and 7520 in the vertical direction (Y direction). The horizontal range 7519 and vertical range 7520 of the data search range may be ranges obtained by expanding the horizontal range and vertical range of the fourth area 7518 by about 15 pixels, respectively.

そして、データ検索範囲内において、前記第4の領域7518内の画像データと最も類似
した画像データを持つ領域を検索する。検索方法は、最小二乗法などを用いることができ
る。検索の結果、最も類似した画像データを持つ領域として、第1の領域7515が導出
されたとする。
Then, within the data search range, an area having image data most similar to the image data in the fourth area 7518 is searched. A method of least squares or the like can be used as a search method. Assume that the first area 7515 is derived as the area having the most similar image data as a result of the search.

次に、導出された第1の領域7515と、第4の領域7518との位置の違いを表す量と
して、ベクトル7521を導出する。なお、ベクトル7521を、動きベクトルと呼ぶこ
とにする。
Next, a vector 7521 is derived as a quantity representing the positional difference between the derived first region 7515 and the fourth region 7518 . Note that the vector 7521 is called a motion vector.

そして、第(p+1)の画像7512および、第(p+2)の画像7513においては、
動きベクトル7521から求めたベクトル7522および7523と、第(p+3)の画
像7515における第4の領域7518内の画像データと、第pの画像7511における
第1の領域7515内の画像データと、によって、第2の領域7516および第3の領域
7517を形成する。
Then, in the (p+1)th image 7512 and the (p+2)th image 7513,
With the vectors 7522 and 7523 obtained from the motion vector 7521, the image data in the fourth area 7518 in the (p+3)th image 7515, and the image data in the first area 7515 in the pth image 7511, A second region 7516 and a third region 7517 are formed.

ここで、動きベクトル7521から求めたベクトル7522を第1の変位ベクトルと呼ぶ
ことにする。また、ベクトル7523を第2の変位ベクトルと呼ぶことにする。第1の変
位ベクトル7522は、第2の領域7516を形成する位置を決める役割を持つ。第2の
領域7516は、第4の領域7518から第1の変位ベクトル7522だけ離れた位置に
形成される。なお、変位ベクトル7522は、動きベクトル7521に(1/3)をかけ
た量であってもよい。また、第2の変位ベクトル7523は、第3の領域7517を形成
する位置を決める役割を持つ。第3の領域7517は、第4の領域7518から第2の変
位ベクトル7523だけ離れた位置に形成される。なお、変位ベクトル7523は、動き
ベクトル7521に(2/3)をかけた量であってもよい。
Here, the vector 7522 obtained from the motion vector 7521 is called the first displacement vector. Also, vector 7523 is called a second displacement vector. The first displacement vector 7522 serves to determine the position that forms the second region 7516 . A second region 7516 is formed at a position spaced apart from the fourth region 7518 by a first displacement vector 7522 . Note that the displacement vector 7522 may be an amount obtained by multiplying the motion vector 7521 by (1/3). Also, the second displacement vector 7523 has a role of determining the position where the third region 7517 is formed. A third region 7517 is formed at a position separated from the fourth region 7518 by a second displacement vector 7523 . Note that the displacement vector 7523 may be the amount obtained by multiplying the motion vector 7521 by (2/3).

第(p+1)の画像7512における第2の領域7516内の画像データは、第(p+3
)の画像7514における第4の領域7518内の画像データと、第pの画像7511に
おける第1の領域7515内の画像データによって決められるとしてもよい。たとえば、
第(p+1)の画像7512における第2の領域7516内の画像データは、第(p+3
)の画像7514における第4の領域7518内の画像データと、第pの画像7511に
おける第1の領域7515内の画像データの平均値であってもよい。
The image data in the second region 7516 in the (p+1)th image 7512 is the (p+3)th
) in the fourth region 7518 of the image 7514 and the image data in the first region 7515 of the pth image 7511 . for example,
The image data in the second region 7516 in the (p+1)th image 7512 is the (p+3)th
) and the image data in the first region 7515 in the p-th image 7511 .

第(p+2)の画像7513における第3の領域7517内の画像データは、第(p+3
)の画像7514における第4の領域7518内の画像データと、第pの画像7511に
おける第1の領域7515内の画像データによって決められるとしてもよい。たとえば、
第(p+2)の画像7513における第3の領域7517内の画像データは、第(p+3
)の画像7514における第4の領域7518内の画像データと、第pの画像7511に
おける第1の領域7515内の画像データの平均値であってもよい。
The image data in the third region 7517 in the (p+2)th image 7513 is the (p+3)th
) in the fourth region 7518 of the image 7514 and the image data in the first region 7515 of the pth image 7511 . for example,
The image data in the third region 7517 in the (p+2)th image 7513 is the (p+3)th
) and the image data in the first region 7515 in the p-th image 7511 .

このようにして、第(p+3)の画像7514における第4の領域7518に対応する、
第(p+1)の画像7502における第2の領域7516、および第(p+2)の画像7
513における第3の領域7517を形成することができる。なお、以上の処理を、第(
p+3)の画像7514における他の領域にも行なうことで、第(p+3)の画像751
4と第pの画像7511の中間状態となる、第(p+1)の画像7512および第(p+
2)の画像7513を形成することができる。
Thus, corresponding to the fourth region 7518 in the (p+3)th image 7514,
The second region 7516 in the (p+1)th image 7502 and the (p+2)th image 7
A third region 7517 at 513 can be formed. Note that the above process is
(p+3)th image 751
The (p+1)th image 7512 and the (p+1)th image 7512 and the (p+
2) image 7513 can be formed.

次に、図76を参照して、入力画像データに含まれる画像の動きを検出し、中間状態の画
像を作成する回路の例について説明する。図76(A)は、表示領域に画像を表示するた
めのソースドライバ、ゲートドライバを含む周辺駆動回路と、周辺駆動回路を制御する制
御回路の接続関係を表した図である。図76(B)は、前記制御回路の詳細な回路構成の
一例を表した図である。図76(C)は、前記制御回路に含まれる画像処理回路の詳細な
回路構成の一例を表した図である。図76(D)は、前記制御回路に含まれる画像処理回
路の詳細な回路構成の別の例を表した図である。
Next, with reference to FIG. 76, an example of a circuit for detecting motion of an image included in input image data and creating an image in an intermediate state will be described. FIG. 76A is a diagram showing the connection relationship between a peripheral driver circuit including a source driver and a gate driver for displaying an image in a display area and a control circuit for controlling the peripheral driver circuit. FIG. 76B is a diagram showing an example of the detailed circuit configuration of the control circuit. FIG. 76C is a diagram showing an example of a detailed circuit configuration of an image processing circuit included in the control circuit. FIG. 76D is a diagram showing another example of the detailed circuit configuration of the image processing circuit included in the control circuit.

図76(A)のように、本実施の形態における装置は、制御回路7611と、ソースドラ
イバ7612と、ゲートドライバ7613と、表示領域7614と、を含んでいてもよい
As shown in FIG. 76A, the device in this embodiment mode may include a control circuit 7611, a source driver 7612, a gate driver 7613, and a display area 7614. FIG.

なお、制御回路7611、ソースドライバ7612およびゲートドライバ7613は、表
示領域7614が形成されている基板と同一の基板上に形成されていてもよい。
Note that the control circuit 7611, the source driver 7612, and the gate driver 7613 may be formed over the same substrate as the display region 7614 is formed.

なお、制御回路7611、ソースドライバ7612およびゲートドライバ7613は、こ
れらのうち一部が、表示領域7614が形成されている基板と同一の基板上に形成され、
その他の回路は、表示領域7614が形成されている基板とは異なる基板上に形成されて
いてもよい。たとえば、ソースドライバ7612およびゲートドライバ7613が、表示
領域7614が形成されている基板と同一の基板上に形成され、制御回路7611は異な
る基板上に外付けICとして形成されていてもよい。同様に、ゲートドライバ7613が
、表示領域7614が形成されている基板と同一の基板上に形成され、その他の回路は異
なる基板上に外付けICとして形成されていてもよい。同様に、ソースドライバ7612
、ゲートドライバ7613および制御回路7611の一部が、表示領域7614が形成さ
れている基板と同一の基板上に形成され、その他の回路は異なる基板上に外付けICとし
て形成されていてもよい。
Note that part of the control circuit 7611, the source driver 7612, and the gate driver 7613 are formed on the same substrate as the substrate on which the display region 7614 is formed.
Other circuits may be formed over a substrate different from the substrate over which the display area 7614 is formed. For example, the source driver 7612 and the gate driver 7613 may be formed on the same substrate on which the display area 7614 is formed, and the control circuit 7611 may be formed as an external IC on a different substrate. Similarly, the gate driver 7613 may be formed on the same substrate on which the display area 7614 is formed, and other circuits may be formed as external ICs on a different substrate. Similarly, the source driver 7612
, the gate driver 7613 and part of the control circuit 7611 may be formed on the same substrate as the substrate on which the display area 7614 is formed, and other circuits may be formed as external ICs on a different substrate.

制御回路7611は、外部画像信号7600と、水平同期信号7601と、垂直同期信号
7602と、が入力され、画像信号7603と、ソーススタートパルス7604と、ソー
スクロック7605と、ゲートスタートパルス7606と、ゲートクロック7607と、
が出力される構成であってもよい。
A control circuit 7611 receives an external image signal 7600, a horizontal synchronizing signal 7601, and a vertical synchronizing signal 7602, and controls an image signal 7603, a source start pulse 7604, a source clock 7605, a gate start pulse 7606, and a gate start pulse 7606. a clock 7607;
may be output.

ソースドライバ7612は、画像信号7603と、ソーススタートパルス7604と、ソ
ースクロック7605と、が入力され、画像信号7603に従った電圧または電流を表示
領域7614に出力する構成であってもよい。
The source driver 7612 may be configured to receive the image signal 7603 , the source start pulse 7604 and the source clock 7605 and output voltage or current according to the image signal 7603 to the display area 7614 .

ゲートドライバ7613は、ゲートスタートパルス7606と、ゲートクロック7607
と、が入力され、ソースドライバ7612から出力される信号を表示領域7614に書き
込むタイミングを指定する信号が出力される構成であってもよい。
A gate driver 7613 generates a gate start pulse 7606 and a gate clock 7607
, and a signal designating the timing of writing the signal output from the source driver 7612 to the display region 7614 may be output.

外部画像信号7600の周波数と、画像信号7603の周波数が異なっている場合、ソー
スドライバ7612およびゲートドライバ7613を駆動するタイミングを制御する信号
も、入力される水平同期信号7601および垂直同期信号7602とは異なる周波数を持
つことになる。そのため、画像信号7603の処理に加えて、ソースドライバ7612お
よびゲートドライバ7613を駆動するタイミングを制御する信号も処理する必要がある
。制御回路7611は、そのための機能を持った回路であってもよい。たとえば、外部画
像信号7600の周波数に対して画像信号7603の周波数が倍であった場合、制御回路
7611は、外部画像信号7600に含まれる画像信号を補間して倍の周波数の画像信号
7603を生成し、かつ、タイミングを制御する信号も倍の周波数になるように制御する
When the frequency of the external image signal 7600 and the frequency of the image signal 7603 are different, the signal for controlling the timing of driving the source driver 7612 and the gate driver 7613 is also different from the input horizontal synchronizing signal 7601 and vertical synchronizing signal 7602. will have different frequencies. Therefore, in addition to processing the image signal 7603, it is necessary to process signals for controlling the timing of driving the source driver 7612 and the gate driver 7613 as well. The control circuit 7611 may be a circuit having that function. For example, when the frequency of the image signal 7603 is double the frequency of the external image signal 7600, the control circuit 7611 interpolates the image signal included in the external image signal 7600 to generate the image signal 7603 with double the frequency. In addition, the timing control signal is also controlled to double the frequency.

また、制御回路7611は、図76(B)のように、画像処理回路7615と、タイミン
グ発生回路7616と、を含んでいてもよい。
Further, the control circuit 7611 may include an image processing circuit 7615 and a timing generation circuit 7616 as shown in FIG. 76B.

画像処理回路7615は、外部画像信号7600と、周波数制御信号7608と、が入力
され、画像信号7603が出力される構成であってもよい。
The image processing circuit 7615 may be configured to receive the external image signal 7600 and the frequency control signal 7608 and output the image signal 7603 .

タイミング発生回路7616は、水平同期信号7601と、垂直同期信号7602と、が
入力され、ソーススタートパルス7604と、ソースクロック7605と、ゲートスター
トパルス7606と、ゲートクロック7607と、周波数制御信号7608と、が出力さ
れる構成であってもよい。なお、タイミング発生回路7616は、周波数制御信号760
8の状態を指定するためのデータを保持するメモリまたはレジスタ等を含んでいてもよい
。また、タイミング発生回路7616は、外部から周波数制御信号7608の状態を指定
する信号が入力される構成であってもよい。
A timing generation circuit 7616 receives a horizontal synchronization signal 7601 and a vertical synchronization signal 7602, and generates a source start pulse 7604, a source clock 7605, a gate start pulse 7606, a gate clock 7607, a frequency control signal 7608, may be output. Note that the timing generation circuit 7616 generates the frequency control signal 760
A memory, register, or the like for holding data for designating the state of 8 may be included. Also, the timing generation circuit 7616 may be configured to receive a signal designating the state of the frequency control signal 7608 from the outside.

画像処理回路7615は、図76(C)のように、動き検出回路7620と、第1のメモ
リ7621と、第2のメモリ7622と、第3のメモリ7623と、輝度制御回路762
3と、高速処理回路7625と、を含んでいてもよい。
The image processing circuit 7615 includes a motion detection circuit 7620, a first memory 7621, a second memory 7622, a third memory 7623, and a luminance control circuit 762 as shown in FIG.
3 and a high speed processing circuit 7625.

動き検出回路7620は、複数の画像データが入力され、画像の動きが検出され、前記複
数の画像データの中間状態である画像データが出力される構成であってもよい。
The motion detection circuit 7620 may be configured to receive a plurality of image data, detect the motion of the image, and output image data in an intermediate state of the plurality of image data.

第1のメモリ7621は、外部映像信号7600が入力され、前記外部映像信号7600
を一定期間保持しつつ、動き検出回路7620と第2のメモリ7622に前記外部映像信
号7600を出力する構成であってもよい。
The first memory 7621 receives the external video signal 7600 and stores the external video signal 7600.
may be output to the motion detection circuit 7620 and the second memory 7622 while holding for a certain period of time.

第2のメモリ7622は、第1のメモリ7621から出力された画像データが入力され、
前記画像データを一定期間保持しつつ、動き検出回路7620と高速処理回路7625に
前記画像データを出力する構成であってもよい。
The image data output from the first memory 7621 is input to the second memory 7622,
The image data may be output to the motion detection circuit 7620 and the high-speed processing circuit 7625 while holding the image data for a certain period.

第3のメモリ7623は、動き検出回路7620から出力された画像データが入力され、
前記画像データを一定期間保持しつつ、輝度制御回路7624に前記画像データを出力す
る構成であってもよい。
The third memory 7623 receives the image data output from the motion detection circuit 7620,
The image data may be output to the brightness control circuit 7624 while holding the image data for a certain period.

高速処理回路7625は、第2のメモリ7622から出力された画像データと、輝度制御
回路7624から出力された画像データと、周波数制御信号7608と、が入力され、前
記画像データを、画像信号7603として出力する構成であってもよい。
The high-speed processing circuit 7625 receives the image data output from the second memory 7622, the image data output from the brightness control circuit 7624, and the frequency control signal 7608, and converts the image data into an image signal 7603. It may be configured to output.

外部画像信号7600の周波数と、画像信号7603の周波数が異なっている場合、画像
処理回路7615によって、外部画像信号7600に含まれる画像信号を補間して画像信
号7603を生成してもよい。入力された外部画像信号7600は、一旦第1のメモリ7
621に保持される。そのとき、第2のメモリ7622には、1つ前のフレームで入力さ
れた画像データが保持されている。動き検出回路7620は、第1のメモリ7621およ
び第2のメモリ7622に保持された画像データを適宜読み込み、両者の画像データの違
いから動きベクトルを検出し、さらに、中間状態の画像データを生成してもよい。生成さ
れた中間状態の画像データは、第3のメモリ7623によって保持される。
When the frequency of the external image signal 7600 and the frequency of the image signal 7603 are different, the image signal included in the external image signal 7600 may be interpolated by the image processing circuit 7615 to generate the image signal 7603 . The input external image signal 7600 is temporarily stored in the first memory 7
621. At that time, the second memory 7622 holds the image data input in the previous frame. A motion detection circuit 7620 appropriately reads the image data held in the first memory 7621 and the second memory 7622, detects a motion vector from the difference between the two image data, and further generates intermediate state image data. may The generated intermediate state image data is held by the third memory 7623 .

動き検出回路7620が中間状態の画像データを生成しているとき、高速処理回路762
5は、第2のメモリ7622に保持されている画像データを、画像信号7603として出
力する。その後、第3のメモリ7623に保持された画像データを輝度制御回路7624
を通じて画像信号7603として出力する。このとき、第2のメモリ7622および第3
のメモリ7623が更新される周波数は外部画像信号7600の周波数と同じだが、高速
処理回路7625を通じて出力される画像信号7603の周波数は、外部画像信号760
0の周波数と異なっていてもよい。具体的には、たとえば、画像信号7603の周波数は
外部画像信号7600の周波数の1.5倍、2倍、3倍が挙げられる。しかし、これに限
定されるものではなく、様々な周波数とすることができる。なお、画像信号7603の周
波数は、周波数制御信号7608によって指定されてもよい。
When motion detection circuit 7620 is generating intermediate state image data, high speed processing circuit 762
5 outputs the image data held in the second memory 7622 as an image signal 7603 . After that, the image data held in the third memory 7623 is transferred to the brightness control circuit 7624
is output as an image signal 7603 through . At this time, the second memory 7622 and the third
The frequency with which the memory 7623 of is updated is the same as the frequency of the external image signal 7600, but the frequency of the image signal 7603 output through the high-speed processing circuit 7625 is the same as that of the external image signal 760
It may be different from 0 frequency. Specifically, for example, the frequency of the image signal 7603 can be 1.5 times, 2 times, or 3 times the frequency of the external image signal 7600 . However, it is not limited to this, and various frequencies can be used. Note that the frequency of the image signal 7603 may be designated by the frequency control signal 7608 .

図76(D)に示した画像処理回路7615の構成は、図76(C)に示した画像処理回
路7615の構成に、第4のメモリ7626を加えたものである。このように、第1のメ
モリ7621から出力された画像データと、第2のメモリ7622から出力された画像デ
ータに加えて、第4のメモリ7626から出力された画像データも動き検出回路7620
に出力することで、正確に画像の動きを検出することが可能になる。
The configuration of the image processing circuit 7615 shown in FIG. 76(D) is obtained by adding a fourth memory 7626 to the configuration of the image processing circuit 7615 shown in FIG. 76(C). In this manner, in addition to the image data output from the first memory 7621 and the image data output from the second memory 7622, the image data output from the fourth memory 7626 is also detected by the motion detection circuit 7620.
By outputting to , it becomes possible to accurately detect the motion of the image.

なお、入力される画像データが、データ圧縮等のために、すでに動きベクトルを含んでい
るような場合、たとえばMPEG(Moving Picture Expert Gr
oup)の規格に基づく画像データである場合は、これを用いて中間状態の画像を補間画
像として生成すればよい。このとき、動き検出回路7620に含まれる、動きベクトルを
生成する部分は不要となる。また、画像信号7623に係るエンコードおよびデコード処
理も簡単なものとなるため、消費電力を低減できる。
If the input image data already contains motion vectors due to data compression or the like, for example, MPEG (Moving Picture Expert Gr.
oup) standard, an image in an intermediate state may be generated as an interpolated image using this. At this time, the motion vector generation part included in the motion detection circuit 7620 becomes unnecessary. In addition, since the encoding and decoding processes for the image signal 7623 are simplified, power consumption can be reduced.

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容(
一部でもよい)は、別の図で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。
In the present embodiment, descriptions have been made using various diagrams, but the contents described in each diagram (
may be part of it) shall apply, combine, or
Alternatively, replacement can be freely performed. Furthermore, in the figures described so far, more figures can be configured by combining each part with another part.

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容(一部でもよい)は、別の実施の形態の図
で述べた内容(一部でもよい)対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
Similarly, the content (may be part of) described in each drawing of this embodiment may be applied, combined, replaced, etc. with respect to the content (may be part of) described in the drawing of another embodiment. can be done freely. Furthermore, in the drawings of this embodiment, more drawings can be configured by combining each part with another embodiment.

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容(一部でもよい)を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
In addition, the present embodiment is an example of a case where the content (or part of it) described in another embodiment is embodied, an example of a slightly modified case, an example of a partially changed case, and an improved case. An example of the case,
An example of detailed description, an example of application, and an example of related parts are shown. Therefore, the contents described in other embodiments can be freely applied, combined, or replaced with this embodiment.

(実施の形態11)
本実施の形態においては、トランジスタの構造及び作製方法について説明する。
(Embodiment 11)
In this embodiment, a structure and a manufacturing method of a transistor will be described.

図48は、本発明に係る表示装置が有するトランジスタの構造の一例及びその作製方を示
す図である。図48(A)は、本発明に係る表示装置が有するトランジスタの構造の一例
を示す図である。また、図48(B)乃至(G)は、本発明に係る表示装置が有するトラ
ンジスタの作製方法の例を示す図である。
48A and 48B are diagrams showing an example of a structure of a transistor included in a display device according to the present invention and a manufacturing method thereof. FIG. 48A is a diagram showing an example of the structure of a transistor included in a display device according to the invention. 48B to 48G are diagrams showing an example of a method for manufacturing a transistor included in a display device according to the invention.

なお、本発明に係る表示装置が有するトランジスタの構造及び作製方法は、図48に示す
ものに限定されず、様々な構造及び作製方法を用いることができる。
Note that the structure and manufacturing method of the transistor included in the display device according to the present invention are not limited to those shown in FIGS. 48A and 48B, and various structures and manufacturing methods can be used.

まず、図48(A)を参照し、本発明に係る表示装置が有するトランジスタの構造の例に
ついて説明する。図48(A)は複数の異なる構造を有するトランジスタの断面図である
。ここで、図48(A)においては、複数の異なる構造を有するトランジスタを並置して
示しているが、これは本発明に係る表示装置が有するトランジスタの構造を説明するため
のものであり、実際に図48(A)のように並置されている必要はなく、必要に応じてつ
くり分けることができる。
First, an example of a structure of a transistor included in a display device according to the invention is described with reference to FIG. FIG. 48A is a cross-sectional view of transistors having a plurality of different structures. Here, in FIG. 48A, a plurality of transistors having different structures are shown side by side; 48(A), and can be made separately according to need.

次に、本発明に係る表示装置が有するトランジスタを構成する各層について説明する。 Next, each layer forming a transistor included in the display device according to the present invention will be described.

基板4011は、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基
板、石英基板、セラミック基板又はステンレスを含む金属基板等を用いることができる。
他にも、ポリエチレンテレフタレ-ト(PET)、ポリエチレンナフタレ-ト(PEN)
、ポリエ-テルサルフォン(PES)に代表されるプラスチック又はアクリル等の可撓性
を有する合成樹脂からなる基板を用いることも可能である。可撓性を有する基板を用いる
ことによって、折り曲げることが可能である表示装置を作製することが可能となる。
As the substrate 4011, a glass substrate such as barium borosilicate glass or aluminoborosilicate glass, a quartz substrate, a ceramic substrate, a metal substrate containing stainless steel, or the like can be used.
In addition, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN)
, polyethersulfone (PES), or flexible synthetic resin such as acrylic. A flexible display device can be manufactured by using a flexible substrate.

絶縁膜4012は、下地膜として機能する。この下地膜は、基板4011からNaなどの
アルカリ金属又はアルカリ土類金属が半導体素子の特性に悪影響を及ぼすのを防ぐために
設ける。絶縁膜4012としては、酸化珪素(SiOx)、窒化珪素(SiNx)、酸化
窒化珪素(SiOxNy)(x>y)、窒化酸化珪素(SiNxOy)(x>y)等の酸
素又は窒素を有する絶縁膜の単層構造若しくはこれらの積層構造で設けることができる。
例えば、絶縁膜4012を2層構造で設ける場合、1層目の絶縁膜として窒化酸化珪素膜
を設け、2層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を設けるとよい。また、絶縁膜4012を
3層構造で設ける場合、1層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を設け、2層目の絶縁膜と
して窒化酸化珪素膜を設け、3層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を設けるとよい。
The insulating film 4012 functions as a base film. This base film is provided to prevent alkali metals such as Na or alkaline earth metals from the substrate 4011 from adversely affecting the characteristics of the semiconductor element. As the insulating film 4012, an insulating film containing oxygen or nitrogen, such as silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy) (x>y), or silicon nitride oxide (SiNxOy) (x>y). A single layer structure or a laminated structure of these layers can be provided.
For example, when the insulating film 4012 is provided with a two-layer structure, a silicon nitride oxide film is preferably provided as the first insulating film, and a silicon oxynitride film is preferably provided as the second insulating film. In the case where the insulating film 4012 has a three-layer structure, a silicon oxynitride film is provided as the first insulating film, a silicon nitride oxide film is provided as the second insulating film, and an oxynitride film is provided as the third insulating film. A silicon film is preferably provided.

半導体層4013、4014、4015は、非晶質(アモルファス)半導体又はセミアモ
ルファス半導体(SAS)で形成することができる。あるいは、多結晶半導体層を用いて
も良い。SASは、非晶質と結晶構造(単結晶、多結晶を含む)の中間的な構造を有し、
自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪
みを有する結晶質な領域を含んでいる。少なくとも膜中の一部の領域には、0.5~20
nmの結晶領域を観測することができ、珪素を主成分とする場合にはラマンスペクトルが
520cm-1よりも低波数側にシフトしている。X線回折では珪素結晶格子に由来する
とされる(111)、(220)の回折ピ-クが観測される。未結合手(ダングリングボ
ンド)の補償するものとして水素又はハロゲンを少なくとも1原子%又はそれ以上含ませ
ている。SASは、材料ガスをグロ-放電分解(プラズマCVD)して形成する。材料ガ
スとしては、SiH、その他にもSi、SiHCl、SiHCl、SiC
、SiFなどを用いることが可能である。あるいは、GeFを混合させても良い
。この材料ガスをH、あるいは、HとHe、Ar、Kr、Neから選ばれた一種又は
複数種の希ガス元素で希釈してもよい。希釈率は2~1000倍の範囲。圧力は概略0.
1Pa~133Paの範囲、電源周波数は1MHz~120MHz、好ましくは13MH
z~60MHz。基板加熱温度は300℃以下でよい。膜中の不純物元素として、酸素、
窒素、炭素などの大気成分の不純物は1×1020cm-1以下とすることが望ましく、
特に、酸素濃度は5×1019/cm以下、好ましくは1×1019/cm以下とす
る。ここでは、公知の手段(スパッタ法、LPCVD法、プラズマCVD法等)を用いて
シリコン(Si)を主成分とする材料(例えばSixGe1-x等)で非晶質半導体層を
形成し、当該非晶質半導体層をレ-ザ結晶化法、RTA又はファーネスアニール炉を用い
る熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法などの公知の結晶化法によ
り結晶化させる。
The semiconductor layers 4013, 4014, and 4015 can be made of an amorphous semiconductor or a semi-amorphous semiconductor (SAS). Alternatively, a polycrystalline semiconductor layer may be used. SAS has an intermediate structure between amorphous and crystalline structures (including single crystals and polycrystals),
A semiconductor with a free-energy stable third state, containing crystalline regions with short-range order and lattice strain. 0.5 to 20 in at least some regions in the film
nm crystal regions can be observed, and when silicon is the main component, the Raman spectrum is shifted to the lower wavenumber side than 520 cm −1 . In X-ray diffraction, diffraction peaks of (111) and (220) are observed, which are believed to be derived from the silicon crystal lattice. At least 1 atomic % or more of hydrogen or halogen is contained as compensation for dangling bonds. SAS is formed by glow-discharge decomposition (plasma CVD) of a material gas. SiH 4 as material gas, Si 2 H 6 , SiH 2 Cl 2 , SiHCl 3 , SiC
l 4 , SiF 4 and the like can be used. Alternatively, GeF4 may be mixed. This material gas may be diluted with H 2 , or H 2 and one or more rare gas elements selected from He, Ar, Kr, and Ne. The dilution rate ranges from 2 to 1000 times. The pressure is approximately 0.00.
Range of 1 Pa to 133 Pa, power supply frequency of 1 MHz to 120 MHz, preferably 13 MHz
z~60MHz. The substrate heating temperature may be 300° C. or lower. As impurity elements in the film, oxygen,
Impurities of atmospheric components such as nitrogen and carbon are desirably 1×10 20 cm −1 or less,
In particular, the oxygen concentration is 5×10 19 /cm 3 or less, preferably 1×10 19 /cm 3 or less. Here, an amorphous semiconductor layer is formed using a material (for example, SixGe1-x, etc.) containing silicon (Si) as a main component by using known means (sputtering method, LPCVD method, plasma CVD method, etc.), and the amorphous semiconductor layer is formed. The crystalline semiconductor layer is crystallized by a known crystallization method such as a laser crystallization method, a thermal crystallization method using RTA or a furnace annealing furnace, or a thermal crystallization method using a metal element that promotes crystallization.

絶縁膜4016は、酸化珪素(SiOx)、窒化珪素(SiNx)、酸化窒化珪素(Si
OxNy)(x>y)、窒化酸化珪素(SiNxOy)(x>y)等の酸素又は窒素を有
する絶縁膜の単層構造、若しくはこれらの積層構造で設けることができる。
The insulating film 4016 is made of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (Si
OxNy) (x>y), silicon nitride oxide (SiNxOy) (x>y), or a single-layer structure of an insulating film containing oxygen or nitrogen, or a stacked-layer structure thereof.

ゲート電極4017は、単層の導電膜、又は二層もしくは三層の導電膜の積層構造とする
ことができる。ゲート電極4017の材料としては、公知の導電膜を用いることができる
。たとえば、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、タングステン(
W)、クロム(Cr)、シリコン(Si)などの元素の単体膜、あるいは、前記元素の窒
化膜(代表的には窒化タンタル膜、窒化タングステン膜、窒化チタン膜)、あるいは、前
記元素を組み合わせた合金膜(代表的にはMo-W合金、Mo-Ta合金)、あるいは、
前記元素のシリサイド膜(代表的にはタングステンシリサイド膜、チタンシリサイド膜)
などを用いることができる。なお、上述した単体膜、窒化膜、合金膜、シリサイド膜など
は、単層で用いてもよいし、積層して用いてもよい。
The gate electrode 4017 can have a single-layer conductive film or a laminated structure of two or three layers of conductive films. As a material for the gate electrode 4017, a known conductive film can be used. For example, tantalum (Ta), titanium (Ti), molybdenum (Mo), tungsten (
W), chromium (Cr), silicon (Si), etc., or a nitride film of said element (typically, a tantalum nitride film, a tungsten nitride film, a titanium nitride film), or a combination of said elements. alloy film (typically Mo-W alloy, Mo-Ta alloy), or
A silicide film of the element (typically, a tungsten silicide film or a titanium silicide film)
etc. can be used. Note that the above-described single film, nitride film, alloy film, silicide film, and the like may be used as a single layer, or may be used as a laminate.

絶縁膜4018は、公知の手段(スパッタ法又はプラズマCVD法等)によって、酸化珪
素(SiOx)、窒化珪素(SiNx)、酸化窒化珪素(SiOxNy)(x>y)、窒
化酸化珪素(SiNxOy)(x>y)等の酸素又は窒素を有する絶縁膜やDLC(ダイ
ヤモンドライクカ-ボン)等の炭素を含む膜の単層構造、若しくはこれらの積層構造で設
けることができる。
The insulating film 4018 is formed of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy) (x>y), silicon nitride oxide (SiNxOy) ( A single-layer structure of an insulating film containing oxygen or nitrogen such as x>y) or a film containing carbon such as DLC (diamond-like carbon), or a laminated structure of these can be provided.

絶縁膜4019は、シロキサン樹脂、あるいは、酸化珪素(SiOx)、窒化珪素(Si
Nx)、酸化窒化珪素(SiOxNy)(x>y)、窒化酸化珪素(SiNxOy)(x
>y)等の酸素又は窒素を有する絶縁膜やDLC(ダイヤモンドライクカ-ボン)等の炭
素を含む膜、あるいは、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノ-ル、ベ
ンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料、からなる単層若しくは積層構造で設けること
ができる。なお、シロキサン樹脂とは、Si-O-Si結合を含む樹脂に相当する。シロ
キサンは、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成される。置換基とし
て、少なくとも水素を含む有機基(例えばアルキル基、アリール基)が用いられる。置換
基として、フルオロ基を用いることもできる。あるいは、置換基として、少なくとも水素
を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。なお、本発明に適応できる表示装置にお
いて、絶縁膜4018を設けずにゲート電極4017を覆うように直接絶縁膜4019を
設けることも可能である。
The insulating film 4019 is made of siloxane resin, silicon oxide (SiOx), silicon nitride (Si
Nx), silicon oxynitride (SiOxNy) (x>y), silicon oxynitride (SiNxOy) (x
>y) and other insulating films containing oxygen or nitrogen, films containing carbon such as DLC (diamond-like carbon), or organic materials such as epoxy, polyimide, polyamide, polyvinylphenol, benzocyclobutene, and acrylic. , can be provided in a single layer or a laminated structure. Note that the siloxane resin corresponds to a resin containing a Si—O—Si bond. Siloxane has a skeletal structure composed of bonds of silicon (Si) and oxygen (O). As a substituent, an organic group containing at least hydrogen (for example, an alkyl group or an aryl group) is used. A fluoro group can also be used as a substituent. Alternatively, an organic group containing at least hydrogen and a fluoro group may be used as substituents. Note that in the display device to which the present invention can be applied, the insulating film 4019 can be directly provided so as to cover the gate electrode 4017 without providing the insulating film 4018 .

導電膜4023は、Al、Ni、W、Mo、Ti、Pt、Cu、Ta、Au、Mnなどの
元素の単体膜、あるいは、前記元素の窒化膜、あるいは、前記元素を組み合わせた合金膜
、あるいは、前記元素のシリサイド膜などを用いることができる。例えば、前記元素を複
数含む合金として、C及びTiを含有したAl合金、Niを含有したAl合金、C及びN
iを含有したAl合金、C及びMnを含有したAl合金等を用いることができる。また、
積層構造で設ける場合、AlをMo又はTiなどで挟み込んだ構造とすることができる。
こうすることで、Alの熱や化学反応に対する耐性を向上することができる。
The conductive film 4023 is a single film of an element such as Al, Ni, W, Mo, Ti, Pt, Cu, Ta, Au, or Mn, a nitride film of the element, an alloy film of a combination of the elements, or , a silicide film of the above element, or the like can be used. For example, as alloys containing a plurality of the elements, an Al alloy containing C and Ti, an Al alloy containing Ni, C and N
An Al alloy containing i, an Al alloy containing C and Mn, or the like can be used. again,
In the case of providing a laminated structure, a structure in which Al is sandwiched between Mo, Ti, or the like can be employed.
By doing so, the resistance of Al to heat and chemical reaction can be improved.

次に、図48(A)に示した、複数の異なる構造を有するトランジスタの断面図を参照し
て、各々の構造の特徴について説明する。
Next, features of each structure are described with reference to cross-sectional views of transistors having a plurality of different structures shown in FIG.

トランジスタ4001は、シングルドレイントランジスタであり、簡便な方法で製造でき
るため、製造コストが低く、歩留まりを高く製造できる利点がある。ここで、半導体層4
013、4015は、それぞれ不純物の濃度が異なり、半導体層4013はチャネル領域
、半導体層4015はソース領域及びドレイン領域として機能する。このように、不純物
の量を制御することで、半導体層の抵抗率を制御することができる。また、半導体層と導
電膜4023との電気的な接続状態を、オ-ミック接続に近づけることができる。なお、
不純物の量の異なる半導体層を作り分ける方法としては、ゲート電極4017をマスクと
して半導体層に不純物をド-ピングする方法を用いることができる。
Since the transistor 4001 is a single-drain transistor and can be manufactured by a simple method, it has the advantages of low manufacturing cost and high yield. Here, the semiconductor layer 4
013 and 4015 have different impurity concentrations, the semiconductor layer 4013 functions as a channel region, and the semiconductor layer 4015 functions as a source region and a drain region. By controlling the amount of impurities in this manner, the resistivity of the semiconductor layer can be controlled. In addition, the electrical connection state between the semiconductor layer and the conductive film 4023 can be brought closer to ohmic connection. note that,
As a method of separately forming semiconductor layers with different amounts of impurities, a method of doping the semiconductor layers with impurities using the gate electrode 4017 as a mask can be used.

トランジスタ4002は、ゲート電極4017に一定以上のテーパー角を有するトランジ
スタであり、簡便な方法で製造できるため、製造コストが低く、歩留まりを高く製造でき
る利点がある。半導体層4013、4014、4015は、それぞれ不純物濃度が異なり
、半導体層4013はチャネル領域、半導体層4014は低濃度ドレイン(Lightl
y Doped Drain:LDD)領域、半導体層4015はソース領域及びドレイ
ン領域として用いる。このように、不純物の量を制御することで、半導体層の抵抗率を制
御できる。また、半導体層と導電膜4023との電気的な接続状態を、オ-ミック接続に
近づけることができる。また、LDD領域を有するため、トランジスタ内部に高電界がか
かりにくく、ホットキャリアによる素子の劣化を抑制することができる。なお、不純物の
量の異なる半導体層を作り分ける方法としては、ゲート電極4017をマスクとして半導
体層に不純物をド-ピングする方法を用いることができる。トランジスタ4002は、ゲ
ート電極4017がテーパー角を有しているため、ゲート電極4017を通過して半導体
層にド-ピングされる不純物の濃度に勾配を持たせることができ、簡便にLDD領域を形
成することができる。
The transistor 4002 is a transistor in which the gate electrode 4017 has a taper angle greater than or equal to a certain value, and can be manufactured by a simple method, which has the advantage of low manufacturing cost and high yield. The semiconductor layers 4013, 4014, and 4015 have different impurity concentrations. The semiconductor layer 4013 is a channel region, and the semiconductor layer 4014 is a lightly doped drain.
y Doped Drain (LDD) region, and the semiconductor layer 4015 is used as a source region and a drain region. By controlling the amount of impurities in this manner, the resistivity of the semiconductor layer can be controlled. In addition, the electrical connection state between the semiconductor layer and the conductive film 4023 can be brought closer to ohmic connection. In addition, since the transistor has the LDD region, a high electric field is less likely to be applied to the inside of the transistor, and deterioration of the element due to hot carriers can be suppressed. As a method for separately forming semiconductor layers with different amounts of impurities, a method of doping the semiconductor layers with impurities using the gate electrode 4017 as a mask can be used. In the transistor 4002, since the gate electrode 4017 has a taper angle, the concentration of impurities that pass through the gate electrode 4017 and are doped into the semiconductor layer can have a gradient, and an LDD region can be easily formed. can do.

トランジスタ4003は、ゲート電極が少なくとも2層で構成され、下層のゲート電極4
017aが上層のゲート電極4017bよりも長い形状を有するトランジスタである。本
明細書中においては、上層のゲート電極及び下層のゲート電極の形状を、帽子型と呼ぶ。
ゲート電極の形状が帽子型であることによってフォトマスクを追加することなく、LDD
領域を形成することができる。なお、トランジスタ4003のように、LDD領域がゲー
ト電極と重なっている構造を、特にGOLD構造(Gate Overlapped L
DD)と呼ぶ。なお、ゲート電極の形状を帽子型とする方法としては、次のような方法を
用いてもよい。
The transistor 4003 has a gate electrode of at least two layers.
017a is a transistor having a shape longer than the upper gate electrode 4017b. In this specification, the shape of the upper gate electrode and the lower gate electrode is referred to as a hat shape.
Since the shape of the gate electrode is hat-shaped, LDD can be realized without adding a photomask.
Regions can be formed. Note that the structure in which the LDD region overlaps with the gate electrode as in the transistor 4003 is particularly referred to as a GOLD structure (Gate Overlapped L).
DD). As a method for making the shape of the gate electrode hat-shaped, the following method may be used.

まず、ゲート電極をパタ-ニングする際に、ドライエッチングにより、下層のゲート電極
及び上層のゲート電極をエッチングして側面に傾斜(テーパー)のある形状にする。続い
て、異方性エッチングにより上層のゲート電極の傾斜を垂直に近くなるように加工する。
これにより、断面形状が帽子型のゲート電極が形成される。その後、2回、不純物元素を
ド-ピングすることによって、チャネル領域として用いる半導体層4013、LDD領域
として用いる半導体層4014、ソ-ス電極及びドレイン電極として用いる半導体層40
15が形成される。
First, when patterning the gate electrode, the lower layer gate electrode and the upper layer gate electrode are etched by dry etching to form a tapered shape on the side surface. Subsequently, anisotropic etching is performed so that the inclination of the upper gate electrode is almost vertical.
As a result, a gate electrode having a hat-shaped cross section is formed. After that, by doping an impurity element twice, a semiconductor layer 4013 used as a channel region, a semiconductor layer 4014 used as an LDD region, and a semiconductor layer 40 used as a source electrode and a drain electrode are formed.
15 are formed.

なお、ゲート電極と重なっているLDD領域をLov領域、ゲート電極と重なっていない
LDD領域をLoff領域と呼ぶことにする。ここで、Loff領域はオフ電流値を抑え
る効果は高いが、ドレイン近傍の電界を緩和してホットキャリアによるオン電流値の劣化
を防ぐ効果は低い。一方、Lov領域はドレイン近傍の電界を緩和し、オン電流値の劣化
の防止には有効であるが、オフ電流値を抑える効果は低い。よって、種々の回路毎に、求
められる特性に応じた構造のトランジスタを作製することが好ましい。たとえば、本発明
に適応できる表示装置を表示装置として用いる場合、画素トランジスタは、オフ電流値を
抑えるために、Loff領域を有するトランジスタを用いることが好適である。一方、周
辺回路におけるトランジスタは、ドレイン近傍の電界を緩和し、オン電流値の劣化を防止
するために、Lov領域を有するトランジスタを用いることが好適である。
An LDD region that overlaps with the gate electrode is called a Lov region, and an LDD region that does not overlap with the gate electrode is called an Loff region. Here, although the Loff region has a high effect of suppressing the off-current value, it has a low effect of alleviating the electric field near the drain and preventing deterioration of the on-current value due to hot carriers. On the other hand, the Lov region relaxes the electric field in the vicinity of the drain and is effective in preventing deterioration of the on-current value, but is less effective in suppressing the off-current value. Therefore, it is preferable to manufacture a transistor having a structure corresponding to required characteristics for each of various circuits. For example, when a display device to which the present invention can be applied is used as a display device, it is preferable to use a transistor having an Loff region as a pixel transistor in order to suppress an off current value. On the other hand, the transistor in the peripheral circuit preferably has an Lov region in order to relax the electric field in the vicinity of the drain and prevent deterioration of the on-current value.

トランジスタ4004は、ゲート電極4017の側面に接して、サイドウォ-ル4021
を有するトランジスタである。サイドウォ-ル4021を有することによって、サイドウ
ォ-ル4021と重なる領域をLDD領域とすることができる。
The transistor 4004 has sidewalls 4021 in contact with the side surfaces of the gate electrode 4017 .
is a transistor having By having the sidewalls 4021, the regions overlapping with the sidewalls 4021 can be used as LDD regions.

トランジスタ4005は、半導体層にマスクを用いてド-ピングすることにより、LDD
(Loff)領域を形成したトランジスタである。こうすることにより、確実にLDD領
域を形成することができ、トランジスタのオフ電流値を低減することができる。
Transistor 4005 is LDD by doping the semiconductor layer using a mask.
This is a transistor in which a (Loff) region is formed. By doing so, the LDD region can be reliably formed, and the off current value of the transistor can be reduced.

トランジスタ4006は、半導体層にマスクを用いてド-ピングすることにより、LDD
(Lov)領域を形成したトランジスタである。こうすることにより、確実にLDD領域
を形成することができ、トランジスタのドレイン近傍の電界を緩和し、オン電流値の劣化
を低減することができる。
Transistor 4006 is LDD by doping the semiconductor layer using a mask.
(Lov) is a transistor in which a region is formed. By doing so, the LDD region can be reliably formed, the electric field in the vicinity of the drain of the transistor can be relaxed, and deterioration of the on-current value can be reduced.

次に、図48(B)乃至(G)を参照して、本発明に係る表示装置が有するトランジスタ
の作製方法の例を説明する。
Next, an example of a method for manufacturing a transistor included in a display device according to the present invention is described with reference to FIGS.

なお、本発明に係る表示装置が有するトランジスタの構造及び作製方法は、図48に示す
ものに限定されず、様々な構造及び作製方法を用いることができる。
Note that the structure and manufacturing method of the transistor included in the display device according to the present invention are not limited to those shown in FIGS. 48A and 48B, and various structures and manufacturing methods can be used.

本実施の形態においては、基板4011、絶縁膜4012、半導体層4013、4014
、4015、絶縁膜4016、絶縁膜4018や絶縁膜4019の表面に、プラズマ処理
を用いて酸化又は窒化処理を行うことにより、その表面を酸化又は窒化することができる
。このように、プラズマ処理を用いて半導体層又は絶縁膜を酸化又は窒化することによっ
て、当該半導体層又は当該絶縁膜の表面を改質し、CVD法やスパッタ法により形成した
絶縁膜と比較してより緻密な絶縁膜を形成することができ。よって、ピンホール等の欠陥
を抑制し表示装置の特性等を向上させることが可能となる。
In this embodiment mode, a substrate 4011, an insulating film 4012, and semiconductor layers 4013 and 4014 are used.
, 4015, the insulating film 4016, the insulating film 4018, and the insulating film 4019 can be oxidized or nitrided by performing oxidation or nitridation treatment using plasma treatment. Thus, by oxidizing or nitriding a semiconductor layer or an insulating film using plasma treatment, the surface of the semiconductor layer or the insulating film is modified, and compared with an insulating film formed by a CVD method or a sputtering method. A denser insulating film can be formed. Therefore, it is possible to suppress defects such as pinholes and improve the characteristics of the display device.

まず、基板4011の表面をフッ酸(HF)、アルカリ又は純水を用いて洗浄する。基板
4011は、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、
石英基板、セラミック基板又はステンレスを含む金属基板等を用いることができる。他に
も、ポリエチレンテレフタレ-ト(PET)、ポリエチレンナフタレ-ト(PEN)、ポ
リエ-テルサルフォン(PES)に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有
する合成樹脂からなる基板を用いることも可能である。なお、ここでは基板4011とし
てガラス基板を用いる場合を示す。
First, the surface of the substrate 4011 is washed with hydrofluoric acid (HF), alkali or pure water. The substrate 4011 is a glass substrate such as barium borosilicate glass or aluminoborosilicate glass.
A quartz substrate, a ceramic substrate, a metal substrate including stainless steel, or the like can be used. In addition, substrates made of plastics such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), and flexible synthetic resins such as acrylic are also available. It is also possible to use Note that the case where a glass substrate is used as the substrate 4011 is shown here.

ここで、基板4011の表面にプラズマ処理を行うことで酸化又は窒化し、基板4011
の表面に酸化膜又は窒化膜を形成してもよい(図48(B))。表面にプラズマ処理を行
うことで形成された酸化膜又は窒化膜などの絶縁膜を、以下ではプラズマ処理絶縁膜とも
記す。なお、図48(B)においては、絶縁膜4031がプラズマ処理絶縁膜である。一
般的に、ガラス又はプラスチック等の基板上に薄膜トランジスタ等の半導体素子を設けた
場合、ガラス又はプラスチック等に含まれる、Naなどのアルカリ金属又はアルカリ土類
金属等の不純物元素が半導体素子に混入することによって、半導体素子の特性に影響を及
ぼす恐れがある。しかし、ガラス又はプラスチック等からなる基板の表面を窒化すること
により、基板に含まれるNaなどの、アルカリ金属又はアルカリ土類金属等の不純物元素
が半導体素子に混入するのを防止することができる。
Here, the surface of the substrate 4011 is oxidized or nitrided by plasma treatment, and the substrate 4011 is
An oxide film or nitride film may be formed on the surface of (FIG. 48(B)). An insulating film such as an oxide film or a nitride film formed by performing plasma treatment on the surface is hereinafter also referred to as a plasma-treated insulating film. Note that in FIG. 48B, the insulating film 4031 is the plasma-treated insulating film. In general, when a semiconductor element such as a thin film transistor is provided on a substrate such as glass or plastic, impurity elements such as alkali metals such as Na or alkaline earth metals contained in the glass or plastic are mixed into the semiconductor element. This may affect the characteristics of the semiconductor device. However, by nitriding the surface of the substrate made of glass, plastic, or the like, it is possible to prevent impurity elements such as Na contained in the substrate, such as alkali metals or alkaline earth metals, from entering the semiconductor element.

なお、プラズマ処理により表面を酸化する場合には、酸素雰囲気下(例えば、酸素(O
)と希ガス(He、Ne、Ar、Kr、Xeの少なくとも一つを含む)雰囲気下、あるい
は、酸素と水素(H)と希ガス雰囲気下、あるいは、一酸化二窒素と希ガス雰囲気下)
でプラズマ処理を行う。一方、プラズマ処理により半導体層を窒化する場合には、窒素雰
囲気下(例えば、窒素(N)と希ガス(He、Ne、Ar、Kr、Xeの少なくとも一
つを含む)雰囲気下、あるいは、窒素と水素と希ガス雰囲気下、あるいは、NHと希ガ
ス雰囲気下)でプラズマ処理を行う。希ガスとしては、例えばArやArとKrを混合し
たガス等を用いることができる。そのため、プラズマ処理絶縁膜は、プラズマ処理に用い
た希ガス(He、Ne、Ar、Kr、Xeの少なくとも一つを含む)を含んでいる。たと
えば、Arを用いた場合にはプラズマ処理絶縁膜にArが含まれている。
When the surface is oxidized by plasma treatment, it should be performed in an oxygen atmosphere (for example, oxygen (O 2
) and a rare gas (including at least one of He, Ne, Ar, Kr, and Xe), or an atmosphere of oxygen and hydrogen (H 2 ) and a rare gas, or an atmosphere of dinitrogen monoxide and a rare gas )
plasma treatment. On the other hand, when the semiconductor layer is nitrided by plasma treatment, the nitrogen atmosphere (for example, nitrogen (N 2 ) and rare gas (including at least one of He, Ne, Ar, Kr, and Xe) atmosphere, or Plasma treatment is performed in a nitrogen-hydrogen-rare gas atmosphere, or NH3 and a rare-gas atmosphere). As the rare gas, for example, Ar or a mixed gas of Ar and Kr can be used. Therefore, the plasma-treated insulating film contains a rare gas (including at least one of He, Ne, Ar, Kr, and Xe) used for plasma treatment. For example, when Ar is used, the plasma-treated insulating film contains Ar.

また、プラズマ処理は、上記ガスの雰囲気中において、電子密度が1×1011cm-3
以上1×1013cm-3以下であり、プラズマの電子温度が0.5ev以上1.5eV
以下で処理することが好適である。プラズマの電子密度が高密度であり、被処理物付近で
の電子温度が低いため、被処理物に対するプラズマによる損傷を防止することができるか
らである。また、プラズマの電子密度が1×1011cm-3以上と高密度であるため、
プラズマ処理を用いて、被照射物を酸化又は窒化することよって形成される酸化物又は窒
化膜は、CVD法やスパッタ法等により形成された膜と比較して膜厚等の均一性に優れ、
且つ緻密な膜を形成することができる。あるいは、プラズマの電子温度が1eV以下と低
いため、従来のプラズマ処理や熱酸化法と比較して低温度で酸化又は窒化処理を行うこと
ができる。たとえば、ガラス基板の歪点温度よりも100度以上低い温度でプラズマ処理
を行っても十分に酸化又は窒化処理を行うことができる。なお、プラズマを形成するため
の周波数としては、マイクロ波(2.45GHz)等の高周波を用いることができる。な
お、以下に特に断らない場合は、プラズマ処理として上記条件を用いて行うものとする。
Further, the plasma treatment has an electron density of 1×10 11 cm −3 in the above gas atmosphere.
1×10 13 cm −3 or more, and the plasma electron temperature is 0.5 eV or more and 1.5 eV
It is preferred to work with: This is because the electron density of the plasma is high and the electron temperature in the vicinity of the object to be processed is low, so that the object to be processed can be prevented from being damaged by the plasma. In addition, since the electron density of the plasma is as high as 1×10 11 cm −3 or more,
An oxide or nitride film formed by oxidizing or nitriding an object to be irradiated using plasma processing has superior uniformity in film thickness, etc., compared to films formed by CVD, sputtering, or the like.
Moreover, a dense film can be formed. Alternatively, since the plasma electron temperature is as low as 1 eV or less, the oxidation or nitridation treatment can be performed at a lower temperature than in the conventional plasma treatment or thermal oxidation method. For example, even if the plasma treatment is performed at a temperature 100 degrees or more lower than the strain point temperature of the glass substrate, the oxidation or nitridation treatment can be sufficiently performed. Note that a high frequency such as a microwave (2.45 GHz) can be used as a frequency for forming plasma. Unless otherwise specified, the plasma treatment is performed under the above conditions.

なお、図48(B)においては、基板4011の表面をプラズマ処理することによってプ
ラズマ処理絶縁膜を形成する場合を示しているが、本実施の形態は、基板4011の表面
にプラズマ処理絶縁膜を形成しない場合も含む。
Note that FIG. 48B shows the case where the plasma-treated insulating film is formed by plasma-treating the surface of the substrate 4011; Including the case where it is not formed.

なお、図48(C)乃至(G)においては、被処理物の表面をプラズマ処理することによ
って形成されるプラズマ処理絶縁膜を図示しないが、本実施の形態においては、基板40
11、絶縁膜4012、半導体層4013、4014、4015、絶縁膜4016、絶縁
膜4018、又は絶縁膜4019の表面に、プラズマ処理を行なうことによって形成され
るプラズマ処理絶縁膜が存在する場合も含む。
Although FIGS. 48C to 48G do not show the plasma-treated insulating film formed by plasma-treating the surface of the object to be processed, in this embodiment, the substrate 40
11. The case where the insulating film 4012, the semiconductor layers 4013, 4014, 4015, the insulating film 4016, the insulating film 4018, or the insulating film 4019 has a plasma-treated insulating film formed by plasma treatment is also included.

次に、基板4011上に公知の手段(スパッタ法、LPCVD法、プラズマCVD法等)
を用いて絶縁膜4012を形成する(図48(C))。絶縁膜4012としては、酸化珪
素(SiOx)又は酸化窒化珪素(SiOxNy)(x>y)を用いることができる。
Next, known means (sputtering method, LPCVD method, plasma CVD method, etc.) are formed on the substrate 4011 .
is used to form an insulating film 4012 (FIG. 48(C)). As the insulating film 4012, silicon oxide (SiOx) or silicon oxynitride (SiOxNy) (x>y) can be used.

ここで、絶縁膜4012の表面にプラズマ処理を行い、絶縁膜4012を酸化又は窒化す
ることによって、絶縁膜4012の表面にプラズマ処理絶縁膜を形成してもよい。絶縁膜
4012の表面を酸化することによって、絶縁膜4012の表面を改質しピンホール等の
欠陥の少ない緻密な膜を得ることができる。また、絶縁膜4012の表面を酸化すること
によって、N原子の含有率が低いプラズマ処理絶縁膜を形成することができるため、プラ
ズマ処理絶縁膜に半導体層を設けた場合にプラズマ処理絶縁膜と半導体層界面特性が向上
する。また、プラズマ処理絶縁膜は、プラズマ処理に用いた希ガス(He、Ne、Ar、
Kr、Xeの少なくとも一つを含む)を含んでいる。なお、プラズマ処理は上述した条件
下で同様に行うことができる。
Here, a plasma-treated insulating film may be formed on the surface of the insulating film 4012 by subjecting the surface of the insulating film 4012 to plasma treatment and oxidizing or nitriding the insulating film 4012 . By oxidizing the surface of the insulating film 4012, the surface of the insulating film 4012 can be modified and a dense film with few defects such as pinholes can be obtained. Further, by oxidizing the surface of the insulating film 4012, a plasma-treated insulating film with a low N atom content can be formed. Layer interface properties are improved. In addition, the plasma processing insulating film is made of rare gas (He, Ne, Ar,
including at least one of Kr and Xe). Note that the plasma treatment can be similarly performed under the conditions described above.

次に、絶縁膜4012上に島状の半導体層4013、4014を形成する(図48(D)
)。島状の半導体層4013、4014は、絶縁膜4012上に公知の手段(スパッタ法
、LPCVD法、プラズマCVD法等)を用いてシリコン(Si)を主成分とする材料(
例えばSixGe1-x等)等を用いて非晶質半導体層を形成し、当該非晶質半導体層を
結晶化させ、半導体層を選択的にエッチングすることにより設けることができる。なお、
非晶質半導体層の結晶化は、レ-ザ結晶化法、RTA又はファーネスアニール炉を用いる
熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法又はこれら方法を組み合わせ
た方法等の公知の結晶化法により行うことができる。なお、ここでは、島状の半導体層の
端部を直角に近い形状(θ=85~100°)で設ける。あるいは、低濃度ドレイン領域
となる半導体層4014は、マスクを用いて不純物をド-ピングすることによって形成さ
れてもよい。
Next, island-shaped semiconductor layers 4013 and 4014 are formed over the insulating film 4012 (FIG. 48D).
). The island-shaped semiconductor layers 4013 and 4014 are formed on the insulating film 4012 by a known method (sputtering method, LPCVD method, plasma CVD method, etc.) using a material containing silicon (Si) as a main component (
It can be provided by forming an amorphous semiconductor layer using, for example, SixGe1-x, etc., crystallizing the amorphous semiconductor layer, and selectively etching the semiconductor layer. note that,
Crystallization of the amorphous semiconductor layer may be performed by laser crystallization, thermal crystallization using RTA or furnace annealing, thermal crystallization using a metal element that promotes crystallization, or a combination of these methods. can be carried out by the known crystallization method of Here, the end portions of the island-shaped semiconductor layers are provided in a shape close to a right angle (θ=85 to 100°). Alternatively, the semiconductor layer 4014 to be the low-concentration drain region may be formed by doping impurities using a mask.

ここで、半導体層4013、4014の表面にプラズマ処理を行い、半導体層4013、
4014の表面を酸化又は窒化することによって、半導体層4013、4014の表面に
プラズマ処理絶縁膜を形成してもよい。例えば、半導体層4013、4014としてSi
を用いた場合、プラズマ処理絶縁膜として、酸化珪素(SiOx)又は窒化珪素(SiN
x)が形成される。あるいは、プラズマ処理により半導体層4013、4014を酸化さ
せた後に、再度プラズマ処理を行うことによって窒化させてもよい。この場合、半導体層
4013、4014に接して酸化珪素(SiOx)が形成され、当該酸化珪素の表面に窒
化酸化珪素(SiNxOy)(x>y)が形成される。なお、プラズマ処理により半導体
層を酸化する場合には、酸素雰囲気下(例えば、酸素(O)と希ガス(He、Ne、A
r、Kr、Xeの少なくとも一つを含む)雰囲気下、あるいは、酸素と水素(H)と希
ガス雰囲気下又は一酸化二窒素と希ガス雰囲気下)、でプラズマ処理を行う。一方、プラ
ズマ処理により半導体層を窒化する場合には、窒素雰囲気下(例えば、窒素(N)と希
ガス(He、Ne、Ar、Kr、Xeの少なくとも一つを含む)雰囲気下、あるいは、窒
素と水素と希ガス雰囲気下又はNH3と希ガス雰囲気下)、でプラズマ処理を行う。希ガ
スとしては、例えばArを用いることができる。また、ArとKrを混合したガスを用い
てもよい。そのため、プラズマ処理絶縁膜は、プラズマ処理に用いた希ガス(He、Ne
、Ar、Kr、Xeの少なくとも一つを含む)を含んでいる。たとえば、Arを用いた場
合にはプラズマ処理絶縁膜にArが含まれている。
Here, the surfaces of the semiconductor layers 4013 and 4014 are subjected to plasma treatment, and the semiconductor layers 4013 and 4014 are
A plasma-treated insulating film may be formed on the surfaces of the semiconductor layers 4013 and 4014 by oxidizing or nitriding the surface of 4014 . For example, Si as the semiconductor layers 4013 and 4014
is used, silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiN
x) is formed. Alternatively, after the semiconductor layers 4013 and 4014 are oxidized by plasma treatment, they may be nitrided by performing plasma treatment again. In this case, silicon oxide (SiOx) is formed in contact with the semiconductor layers 4013 and 4014, and silicon nitride oxide (SiNxOy) (x>y) is formed on the surface of the silicon oxide. Note that when the semiconductor layer is oxidized by plasma treatment, an oxygen atmosphere (for example, oxygen (O 2 ) and a rare gas (He, Ne, A
The plasma treatment is performed in an atmosphere containing at least one of r, Kr, and Xe), an atmosphere of oxygen and hydrogen (H 2 ) and a rare gas, or an atmosphere of dinitrogen monoxide and a rare gas). On the other hand, when the semiconductor layer is nitrided by plasma treatment, the nitrogen atmosphere (for example, nitrogen (N 2 ) and rare gas (including at least one of He, Ne, Ar, Kr, and Xe) atmosphere, or Plasma treatment is performed in a nitrogen, hydrogen, and rare gas atmosphere or NH3 and a rare gas atmosphere). For example, Ar can be used as the rare gas. Alternatively, a mixed gas of Ar and Kr may be used. Therefore, the plasma-treated insulating film is made of the rare gas (He, Ne,
, including at least one of Ar, Kr, and Xe). For example, when Ar is used, the plasma-treated insulating film contains Ar.

次に、絶縁膜4016を形成する(図48(E))。絶縁膜4016は、公知の手段(ス
パッタ法、LPCVD法、プラズマCVD法等)を用いて、酸化珪素(SiOx)、窒化
珪素(SiNx)、酸化窒化珪素(SiOxNy)(x>y)、窒化酸化珪素(SiNx
Oy)(x>y)等の酸素又は窒素を有する絶縁膜の単層構造、又はこれらの積層構造で
設けることができる。なお、半導体層4013、4014の表面をプラズマ処理すること
により、半導体層4013、4014の表面にプラズマ処理絶縁膜を形成した場合には、
プラズマ処理絶縁膜を絶縁膜4016として用いることも可能である。
Next, an insulating film 4016 is formed (FIG. 48(E)). The insulating film 4016 is formed of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy) (x>y), oxynitride using known means (sputtering method, LPCVD method, plasma CVD method, etc.). Silicon (SiNx
It can be provided with a single-layer structure of an insulating film containing oxygen or nitrogen, such as Oy) (x>y), or a stacked-layer structure thereof. Note that when the surfaces of the semiconductor layers 4013 and 4014 are plasma-treated to form plasma-treated insulating films on the surfaces of the semiconductor layers 4013 and 4014,
A plasma-treated insulating film can also be used as the insulating film 4016 .

ここで、絶縁膜4016の表面にプラズマ処理を行い、絶縁膜4016の表面を酸化又は
窒化することによって、絶縁膜4016の表面にプラズマ処理絶縁膜を形成してもよい。
なお、プラズマ処理絶縁膜は、プラズマ処理に用いた希ガス(He、Ne、Ar、Kr、
Xeの少なくとも一つを含む)を含んでいる。また、プラズマ処理は上述した条件下で同
様に行うことができる。
Here, a plasma-treated insulating film may be formed on the surface of the insulating film 4016 by subjecting the surface of the insulating film 4016 to plasma treatment and oxidizing or nitriding the surface of the insulating film 4016 .
Note that the plasma-treated insulating film is composed of rare gases (He, Ne, Ar, Kr,
including at least one of Xe). Also, the plasma treatment can be similarly performed under the conditions described above.

あるいは、一旦酸素雰囲気下でプラズマ処理を行うことにより絶縁膜4016を酸化させ
た後に、再度窒素雰囲気下でプラズマ処理を行うことにより窒化させてもよい。このよう
に、絶縁膜4016にプラズマ処理を行い、絶縁膜4016の表面を酸化又は窒化するこ
とによって、絶縁膜4016の表面を改質し緻密な膜を形成することができる。プラズマ
処理を行うことによって得られた絶縁膜は、CVD法やスパッタ法で形成された絶縁膜と
比較して緻密でピンホール等の欠陥も少ないため、薄膜トランジスタの特性を向上させる
ことができる。
Alternatively, the insulating film 4016 may be nitrided by performing plasma treatment again in a nitrogen atmosphere after oxidizing the insulating film 4016 by once performing plasma treatment in an oxygen atmosphere. By performing plasma treatment on the insulating film 4016 and oxidizing or nitriding the surface of the insulating film 4016 in this manner, the surface of the insulating film 4016 can be modified and a dense film can be formed. An insulating film obtained by plasma treatment is denser and has fewer defects such as pinholes than an insulating film formed by a CVD method or a sputtering method, so that the characteristics of a thin film transistor can be improved.

次に、ゲート電極4017を形成する(図48(F))。ゲート電極4017は、公知の
手段(スパッタ法、LPCVD法、プラズマCVD法等)を用いて形成することができる
Next, a gate electrode 4017 is formed (FIG. 48(F)). The gate electrode 4017 can be formed using known means (sputtering method, LPCVD method, plasma CVD method, etc.).

トランジスタ4001においては、ゲート電極4017を形成した後に不純物ド-ピング
を行なうことで、ソース領域及びドレイン領域として用いる半導体層4015を形成する
ことができる。
In the transistor 4001, by performing impurity doping after forming the gate electrode 4017, the semiconductor layer 4015 used as the source region and the drain region can be formed.

トランジスタ4002においては、ゲート電極4017を形成した後に不純物ド-ピング
を行なうことで、LDD領域として用いる4014と、半導体層4013、ソース領域及
びドレイン領域として用いる半導体層4015を形成することができる。
In the transistor 4002, by performing impurity doping after forming the gate electrode 4017, a semiconductor layer 4014 used as an LDD region, a semiconductor layer 4013, and a semiconductor layer 4015 used as source and drain regions can be formed.

トランジスタ4003においては、ゲート電極4017a、4017bを形成した後に不
純物ド-ピングを行なうことで、LDD領域として用いる4014と、半導体層4013
、ソース領域及びドレイン領域として用いる半導体層4015を形成することができる。
In the transistor 4003, impurity doping is performed after gate electrodes 4017a and 4017b are formed, so that 4014 used as an LDD region and a semiconductor layer 4013 are formed.
, a semiconductor layer 4015 that is used as source and drain regions can be formed.

トランジスタ4004においては、ゲート電極4017の側面にサイドウォ-ル4021
を形成した後、不純物ド-ピングを行なうことで、LDD領域として用いる4014と、
半導体層4013、ソース領域及びドレイン領域として用いる半導体層4015を形成す
ることができる。
In the transistor 4004, sidewalls 4021 are formed on the sides of the gate electrode 4017.
4014 used as an LDD region by performing impurity doping after forming 4014;
A semiconductor layer 4013 and a semiconductor layer 4015 used as source and drain regions can be formed.

なお、サイドウォ-ル4021は、酸化珪素(SiOx)又は窒化珪素(SiNx)を用
いることができる。サイドウォ-ル4021をゲート電極4017の側面に形成する方法
としては、たとえば、ゲート電極4017を形成した後に、酸化珪素(SiOx)又は窒
化珪素(SiNx)を公知の方法で成膜した後に、異方性エッチングによって酸化珪素(
SiOx)又は窒化珪素(SiNx)膜をエッチングする方法を用いることができる。こ
うすることで、ゲート電極4017の側面にのみ酸化珪素(SiOx)又は窒化珪素(S
iNx)膜を残すことができるので、ゲート電極4017の側面にサイドウォ-ル402
1を形成することができる。
The sidewalls 4021 can be made of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx). As a method for forming the sidewalls 4021 on the side surfaces of the gate electrode 4017, for example, after forming the gate electrode 4017, silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) is formed into a film by a known method, and then an anisotropic film is formed. Silicon oxide (
SiOx) or a method of etching a silicon nitride (SiNx) film can be used. By doing so, only the side surfaces of the gate electrode 4017 are covered with silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (S).
iNx) film can be left, the sidewall 402 is formed on the side surface of the gate electrode 4017 .
1 can be formed.

トランジスタ4005においては、ゲート電極4017を覆うようにマスク4022を形
成した後、不純物ド-ピングを行なうことで、LDD(Loff)領域として用いる40
14と、半導体層4013、ソース領域及びドレイン領域として用いる半導体層4015
を形成することができる。
In the transistor 4005, after forming a mask 4022 to cover the gate electrode 4017, impurity doping is performed to form a 40 region used as an LDD (Loff) region.
14, a semiconductor layer 4013, and a semiconductor layer 4015 used as source and drain regions.
can be formed.

トランジスタ4006においては、ゲート電極4017を形成した後に不純物ド-ピング
を行なうことで、LDD(Lov)領域として用いる4014と、半導体層4013、ソ
ース領域及びドレイン領域として用いる半導体層4015を形成することができる。
In the transistor 4006, by performing impurity doping after forming the gate electrode 4017, 4014 used as an LDD (Lov) region, a semiconductor layer 4013, and a semiconductor layer 4015 used as a source region and a drain region can be formed. can.

次に、絶縁膜4018を形成する(図48(G))。絶縁膜4018は、公知の手段(ス
パッタ法やプラズマCVD法等)により、酸化珪素(SiOx)、窒化珪素(SiNx)
、酸化窒化珪素(SiOxNy)(x>y)、窒化酸化珪素(SiNxOy)(x>y)
等の酸素又は窒素を有する絶縁膜やDLC(ダイヤモンドライクカ-ボン)等の炭素を含
む膜の単層構造、又はこれらの積層構造で設けることができる。
Next, an insulating film 4018 is formed (FIG. 48(G)). The insulating film 4018 is formed of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) by known means (sputtering method, plasma CVD method, etc.).
, Silicon oxynitride (SiOxNy) (x>y), Silicon oxynitride (SiNxOy) (x>y)
A single-layer structure of an insulating film containing oxygen or nitrogen such as DLC (diamond-like carbon) or a film containing carbon such as DLC (diamond-like carbon), or a laminated structure thereof can be provided.

ここで、絶縁膜4018の表面にプラズマ処理を行い、絶縁膜4018の表面を酸化又は
窒化することによって、絶縁膜4018の表面にプラズマ処理絶縁膜を形成してもよい。
なお、プラズマ処理絶縁膜は、プラズマ処理に用いた希ガス(He、Ne、Ar、Kr、
Xeの少なくとも一つを含む)を含んでいる。また、プラズマ処理は上述した条件下で同
様に行うことができる。
Here, a plasma-treated insulating film may be formed on the surface of the insulating film 4018 by subjecting the surface of the insulating film 4018 to plasma treatment and oxidizing or nitriding the surface of the insulating film 4018 .
Note that the plasma-treated insulating film is composed of rare gases (He, Ne, Ar, Kr,
including at least one of Xe). Also, the plasma treatment can be similarly performed under the conditions described above.

次に、絶縁膜4019を形成する(図48(A))。絶縁膜4019は、公知の手段(ス
パッタ法やプラズマCVD法等)により、酸化珪素(SiOx)、窒化珪素(SiNx)
、酸化窒化珪素(SiOxNy)(x>y)、窒化酸化珪素(SiNxOy)(x>y)
等の酸素又は窒素を有する絶縁膜やDLC(ダイヤモンドライクカ-ボン)等の炭素を含
む膜を用いることができる他に、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノ
-ル、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料やシロキサン樹脂の単層構造、又はこ
れらの積層構造で設けることができる。なお、シロキサン樹脂とは、Si-O-Si結合
を含む樹脂に相当する。シロキサンは、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構
造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基(例えばアルキル基、アリ
ール基)が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いることもできる。あるいは、置
換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、プラ
ズマ処理絶縁膜には、プラズマ処理に用いた希ガス(He、Ne、Ar、Kr、Xeの少
なくとも一つを含む)が含まれており、例えばArを用いた場合にはプラズマ処理絶縁膜
中にArが含まれている。
Next, an insulating film 4019 is formed (FIG. 48A). The insulating film 4019 is formed of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) by known means (sputtering method, plasma CVD method, etc.).
, Silicon oxynitride (SiOxNy) (x>y), Silicon oxynitride (SiNxOy) (x>y)
In addition to insulating films containing oxygen or nitrogen such as DLC (diamond-like carbon) and films containing carbon such as DLC, epoxy, polyimide, polyamide, polyvinylphenol, benzocyclobutene, acrylic, etc. A single-layer structure of an organic material or a siloxane resin, or a laminated structure of these can be provided. Note that the siloxane resin corresponds to a resin containing a Si—O—Si bond. Siloxane has a skeletal structure composed of bonds of silicon (Si) and oxygen (O). As a substituent, an organic group containing at least hydrogen (for example, an alkyl group or an aryl group) is used. A fluoro group can also be used as a substituent. Alternatively, an organic group containing at least hydrogen and a fluoro group may be used as substituents. In addition, the plasma processing insulating film contains a rare gas (including at least one of He, Ne, Ar, Kr, and Xe) used for plasma processing. Ar is contained in the film.

絶縁膜4019としてポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノ-ル、ベンゾシクロブ
テン、アクリル等の有機材料やシロキサン樹脂等を用いた場合、絶縁膜4019の表面を
プラズマ処理により酸化又は窒化することにより、当該絶縁膜の表面を改質することがで
きる。表面を改質することによって、絶縁膜4019の強度が向上し開口部形成時等にお
けるクラックの発生やエッチング時の膜減り等の物理的ダメ-ジを低減することが可能と
なる。また、絶縁膜4019の表面が改質されることによって、絶縁膜4019上に導電
膜4023を形成する場合に導電膜との密着性が向上する。例えば、絶縁膜4019とし
てシロキサン樹脂を用いてプラズマ処理を用いて窒化を行った場合、シロキサン樹脂の表
面が窒化されることにより窒素又は希ガスを含むプラズマ処理絶縁膜が形成され、物理的
強度が向上する。
When an organic material such as polyimide, polyamide, polyvinylphenol, benzocyclobutene, acrylic, or the like, or a siloxane resin is used as the insulating film 4019, the surface of the insulating film 4019 is oxidized or nitrided by plasma treatment, thereby reducing the thickness of the insulating film. surface can be modified. By modifying the surface, the strength of the insulating film 4019 is improved, and it is possible to reduce physical damage such as cracking during opening formation and film reduction during etching. In addition, by modifying the surface of the insulating film 4019, adhesion to the conductive film 4023 is improved when the conductive film 4023 is formed over the insulating film 4019. FIG. For example, when a siloxane resin is used for the insulating film 4019 and nitridation is performed by plasma treatment, the surface of the siloxane resin is nitrided to form a plasma-treated insulating film containing nitrogen or a rare gas, which increases physical strength. improves.

次に、半導体層4015と電気的に接続された導電膜4023を形成するため、絶縁膜4
019、絶縁膜4018、絶縁膜4016にコンタクトホールを形成する。なお、コンタ
クトホールの形状はテーパー状であってもよく、このような形状とすることで、導電膜4
023のカバレッジを向上させることができる。
Next, an insulating film 4 is formed to form a conductive film 4023 electrically connected to the semiconductor layer 4015 .
019 , contact holes are formed in the insulating films 4018 and 4016 . The shape of the contact hole may be tapered.
023 coverage can be improved.

図49は、ボトムゲート型のトランジスタの断面構造及び容量素子の断面構造を示す。 FIG. 49 shows a cross-sectional structure of a bottom-gate transistor and a cross-sectional structure of a capacitor.

基板4101上に第1の絶縁膜(絶縁膜4102)が全面に形成されている。第1の絶縁
膜は、基板側からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トランジスタの特性が変化してし
まうことを防ぐ機能を有する。つまり、第1の絶縁膜は下地膜としての機能を有する。し
たがって、信頼性の高いトランジスタを作製することができる。なお、第1の絶縁膜とし
ては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜(SiOxNy)などの
単層、又はこれらの積層を用いることができる。
A first insulating film (insulating film 4102 ) is formed over the entire surface of the substrate 4101 . The first insulating film has a function of preventing impurities from the substrate side from affecting the semiconductor layer and changing the characteristics of the transistor. That is, the first insulating film functions as a base film. Therefore, a highly reliable transistor can be manufactured. Note that as the first insulating film, a single layer such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film (SiOxNy), or a lamination thereof can be used.

第1の絶縁膜上に、第1の導電層(導電層4103及び導電層4104)が形成されてい
る。導電層4103は、トランジスタ4120のゲート電極として機能する部分を含む。
導電層4104は、容量素子4121の第1の電極として機能する部分を含む。なお、第
1の導電層としては、Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、P
t、Si、Zn、Fe、Ba、Geなど、又はこれらの合金を用いることができる。ある
いは、これらの元素(合金も含む)の積層を用いることができる。
A first conductive layer (a conductive layer 4103 and a conductive layer 4104) is formed over the first insulating film. The conductive layer 4103 includes a portion functioning as the gate electrode of the transistor 4120 .
The conductive layer 4104 includes a portion functioning as the first electrode of the capacitor 4121 . As the first conductive layer, Ti, Mo, Ta, Cr, W, Al, Nd, Cu, Ag, Au, P
t, Si, Zn, Fe, Ba, Ge, etc., or alloys thereof can be used. Alternatively, lamination of these elements (including alloys) can be used.

少なくとも第1の導電層を覆うように、第2の絶縁膜(絶縁膜4122)が形成されてい
る。第2の絶縁膜は、ゲート絶縁膜としての機能を有する。なお、第2の絶縁膜としては
、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜(SiOxNy)などの単層
、又はこれらの積層を用いることができる。
A second insulating film (insulating film 4122) is formed to cover at least the first conductive layer. The second insulating film functions as a gate insulating film. Note that as the second insulating film, a single layer such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film (SiOxNy), or a lamination thereof can be used.

なお、半導体層に接する部分の第2の絶縁膜としては、酸化シリコン膜を用いることが望
ましい。なぜなら、半導体層と第2の絶縁膜とが接する界面におけるトラップ準位が少な
くなるからである。
Note that it is desirable to use a silicon oxide film as the second insulating film in a portion in contact with the semiconductor layer. This is because the trap level at the interface between the semiconductor layer and the second insulating film is reduced.

また、第2の絶縁膜がMoと接する場合、Moと接する部分の第2の絶縁膜としては酸化
シリコン膜を用いることが望ましい。なぜなら、酸化シリコン膜はMoを酸化させないか
らである。
Moreover, when the second insulating film is in contact with Mo, it is desirable to use a silicon oxide film as the second insulating film in the portion in contact with Mo. This is because the silicon oxide film does not oxidize Mo.

第2の絶縁膜上のうち第1の導電層と重なって形成されている部分の一部に、フォトリソ
グラフィ法、インクジェット法又は印刷法などによって、半導体層が形成されている。そ
して、半導体層の一部は、第2の絶縁膜上のうち第1の導電層と重なって形成されていな
い部分まで延長されている。半導体層は、チャネル形成領域(チャネル形成領域4110
)、LDD領域(LDD領域4108、LDD領域4109)、不純物領域(不純物領域
4105、不純物領域4106、不純物領域4107)を有している。なお、チャネル形
成領域4110は、トランジスタ4120のチャネル形成領域として機能する。LDD領
域4108及びLDD領域4109は、トランジスタ4120のLDD領域として機能す
る。なお、LDD領域4108及びLDD領域4109は必ずしも必要ではない。不純物
領域4105は、トランジスタ4120のソース領域及びドレイン領域の一方として機能
する部分を含む。不純物領域4106は、トランジスタ4120のソース領域及びドレイ
ン領域の他方として機能する部分を含む。不純物領域4107は、容量素子4121の第
2の電極として機能する部分を含む。
A semiconductor layer is formed on part of a portion of the second insulating film that overlaps with the first conductive layer by a photolithography method, an inkjet method, a printing method, or the like. A portion of the semiconductor layer extends to a portion of the second insulating film that is not formed to overlap with the first conductive layer. The semiconductor layer has a channel formation region (channel formation region 4110
), LDD regions (LDD regions 4108 and 4109), and impurity regions (impurity regions 4105, 4106 and 4107). Note that the channel formation region 4110 functions as a channel formation region of the transistor 4120 . LDD region 4108 and LDD region 4109 function as LDD regions of transistor 4120 . Note that the LDD regions 4108 and 4109 are not necessarily required. Impurity region 4105 includes a portion functioning as one of the source and drain regions of transistor 4120 . Impurity region 4106 includes a portion that functions as the other of the source and drain regions of transistor 4120 . Impurity region 4107 includes a portion functioning as a second electrode of capacitor 4121 .

全面に、第3の絶縁膜(絶縁膜4111)が形成されている。第3の絶縁膜の一部には、
選択的にコンタクトホールが形成されている。絶縁膜4111は、層間膜としての機能を
有する。第3の絶縁膜としては、無機材料(酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリ
コンなど)あるいは、低誘電率の有機化合物材料(感光性又は非感光性の有機樹脂材料)
などを用いることができる。あるいは、シロキサンを含む材料を用いることもできる。な
お、シロキサンは、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成される材料
である。置換基として、少なくとも水素を含む有機基(例えばアルキル基、アリール基)
が用いられる。あるいは、置換基としてフルオロ基を用いてもよい。あるいは、置換基と
して、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。
A third insulating film (insulating film 4111) is formed on the entire surface. A part of the third insulating film has
Contact holes are selectively formed. The insulating film 4111 functions as an interlayer film. As the third insulating film, an inorganic material (silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, etc.) or a low dielectric constant organic compound material (photosensitive or non-photosensitive organic resin material) is used.
etc. can be used. Alternatively, materials containing siloxane can be used. Note that siloxane is a material having a skeletal structure composed of a bond between silicon (Si) and oxygen (O). As a substituent, an organic group containing at least hydrogen (e.g. alkyl group, aryl group)
is used. Alternatively, a fluoro group may be used as a substituent. Alternatively, an organic group containing at least hydrogen and a fluoro group may be used as substituents.

第3の絶縁膜上に、第2の導電層(導電層4112)が形成されている。導電層4112
は、第3の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介してトランジスタ4120のソース
領域及びドレイン領域の他方と接続されている。したがって、導電層4112は、トラン
ジスタ4120のソース電極及びドレイン電極の他方として機能する部分を含む。なお、
第2の導電層としては、Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、
Pt、Si、Zn、Fe、Ba、Geなど、又はこれらの合金を用いることができる。あ
るいは、これらの元素(合金も含む)の積層を用いることができる。
A second conductive layer (a conductive layer 4112) is formed over the third insulating film. Conductive layer 4112
is connected to the other of the source region and the drain region of the transistor 4120 through a contact hole formed in the third insulating film. Therefore, the conductive layer 4112 includes a portion that functions as the other of the source and drain electrodes of the transistor 4120 . note that,
Ti, Mo, Ta, Cr, W, Al, Nd, Cu, Ag, Au,
Pt, Si, Zn, Fe, Ba, Ge, etc., or alloys thereof can be used. Alternatively, lamination of these elements (including alloys) can be used.

なお、第2の導電層が形成された後の工程として、様々な絶縁膜、又は様々な導電膜が形
成されていてもよい。
Note that various insulating films or various conductive films may be formed in a step after the formation of the second conductive layer.

次に、トランジスタの半導体層にアモルファスシリコン(a-Si:H)膜を用いた場合
のトランジスタ及び容量素子の構造について説明する。
Next, structures of a transistor and a capacitor in the case of using an amorphous silicon (a-Si:H) film for a semiconductor layer of the transistor will be described.

図50は、トップゲート型のトランジスタの断面構造及び容量素子の断面構造を示す。 FIG. 50 shows a cross-sectional structure of a top-gate transistor and a cross-sectional structure of a capacitor.

基板4201上に第1の絶縁膜(絶縁膜4202)が全面に形成されている。第1の絶縁
膜は、基板側からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トランジスタの性質が変化してし
まうことを防ぐ機能を有する。つまり、第1の絶縁膜は下地膜としての機能を有する。し
たがって、信頼性の高いトランジスタを作製することができる。なお、第1の絶縁膜とし
ては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜(SiOxNy)などの
単層、又はこれらの積層を用いることができる。
A first insulating film (insulating film 4202 ) is formed over the entire surface of the substrate 4201 . The first insulating film has a function of preventing impurities from the substrate side from affecting the semiconductor layer and changing the properties of the transistor. That is, the first insulating film functions as a base film. Therefore, a highly reliable transistor can be manufactured. Note that as the first insulating film, a single layer such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film (SiOxNy), or a lamination thereof can be used.

なお、第1の絶縁膜を必ずしも形成する必要はない。この場合は、工程数の削減を図るこ
とができる。製造コストの削減を図ることができる。構造を簡単にできるので、歩留まり
の向上を図ることができる。
Note that it is not always necessary to form the first insulating film. In this case, the number of steps can be reduced. It is possible to reduce manufacturing costs. Since the structure can be simplified, the yield can be improved.

第1の絶縁膜上に、第1の導電層(導電層4203、導電層4204及び導電層4205
)が形成されている。導電層4203は、トランジスタ4220のソ-ス電極及びドレイ
ン電極の一方の電極として機能する部分を含む。導電層4204は、トランジスタ422
0のソ-ス電極及びドレイン電極の他方の電極として機能する部分を含む。導電層420
5は、容量素子4221の第1の電極として機能する部分を含む。なお、第1の導電層と
しては、Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Si、Z
n、Fe、Ba、Geなど、又はこれらの合金を用いることができる。あるいは、これら
の元素(合金も含む)の積層を用いることができる。
A first conductive layer (a conductive layer 4203, a conductive layer 4204, and a conductive layer 4205) is formed over the first insulating film.
) is formed. The conductive layer 4203 includes a portion that functions as one of the source and drain electrodes of the transistor 4220 . The conductive layer 4204 is the transistor 422
It includes a portion that functions as the other electrode of the zero source and drain electrodes. Conductive layer 420
5 includes a portion functioning as the first electrode of the capacitor 4221 . As the first conductive layer, Ti, Mo, Ta, Cr, W, Al, Nd, Cu, Ag, Au, Pt, Si, Z
n, Fe, Ba, Ge, etc., or alloys thereof can be used. Alternatively, lamination of these elements (including alloys) can be used.

導電層4203及び導電層4204の上部に、第1の半導体層(半導体層4206及び半
導体層4207)が形成されている。半導体層4206は、ソ-ス領域とドレイン領域の
一方の電極として機能する部分を含む。半導体層4207は、ソ-ス領域とドレイン領域
の他方の電極として機能する部分を含む。なお、第1の半導体層としては、リン等を含ん
だシリコン等を用いることができる。
First semiconductor layers (semiconductor layers 4206 and 4207 ) are formed over the conductive layers 4203 and 4204 . The semiconductor layer 4206 includes portions that function as electrodes for one of the source and drain regions. The semiconductor layer 4207 includes portions that function as electrodes of the other of the source and drain regions. Silicon or the like containing phosphorus or the like can be used as the first semiconductor layer.

導電層4203と導電層4204との間であって、かつ第1の絶縁膜上に、第2の半導体
層(半導体層4208)が形成されている。そして、半導体層4208の一部は、導電層
4203上及び導電層4204上まで延長されている。半導体層4208は、トランジス
タ4220のチャネル領域として機能する部分を含む。なお、第2の半導体層としては、
アモルファスシリコン(a-Si:H)等の非結晶性を有する半導体層、又は微結晶半導
体(μ-Si:H)等の半導体層などを用いることができる。
A second semiconductor layer (semiconductor layer 4208) is formed between the conductive layers 4203 and 4204 and over the first insulating film. Part of the semiconductor layer 4208 extends over the conductive layers 4203 and 4204 . Semiconductor layer 4208 includes a portion that functions as a channel region of transistor 4220 . As the second semiconductor layer,
A non-crystalline semiconductor layer such as amorphous silicon (a-Si:H), a semiconductor layer such as microcrystalline semiconductor (μ-Si:H), or the like can be used.

少なくとも半導体層4208及び導電層4205を覆うように、第2の絶縁膜(絶縁膜4
209及び絶縁膜4210)が形成されている。第2の絶縁膜は、ゲート絶縁膜としての
機能を有する。なお、第2の絶縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化
窒化シリコン膜(SiOxNy)などの単層、又はこれらの積層を用いることができる。
A second insulating film (insulating film 4) is formed to cover at least the semiconductor layer 4208 and the conductive layer 4205.
209 and an insulating film 4210) are formed. The second insulating film functions as a gate insulating film. Note that as the second insulating film, a single layer such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film (SiOxNy), or a lamination thereof can be used.

なお、第2の半導体層に接する部分の第2の絶縁膜としては、酸化シリコン膜を用いるこ
とが望ましい。なぜなら、第2の半導体層と第2の絶縁膜とが接する界面におけるトラッ
プ準位が少なくなるからである。
Note that it is desirable to use a silicon oxide film as the second insulating film in contact with the second semiconductor layer. This is because the trap level at the interface between the second semiconductor layer and the second insulating film is reduced.

また、第2の絶縁膜がMoと接する場合、Moと接する部分の第2の絶縁膜としては酸化
シリコン膜を用いることが望ましい。なぜなら、酸化シリコン膜はMoを酸化させないか
らである。
Moreover, when the second insulating film is in contact with Mo, it is desirable to use a silicon oxide film as the second insulating film in the portion in contact with Mo. This is because the silicon oxide film does not oxidize Mo.

第2の絶縁膜上に、第2の導電層(導電層4211及び導電層4212)が形成されてい
る。導電層4211は、トランジスタ4220のゲート電極として機能する部分を含む。
導電層4212は、容量素子4221の第2の電極、又は配線としての機能を有する。な
お、第2の導電層としては、Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、A
u、Pt、Si、Zn、Fe、Ba、Geなど、又はこれらの合金を用いることができる
。あるいは、これらの元素(合金も含む)の積層を用いることができる。
A second conductive layer (a conductive layer 4211 and a conductive layer 4212) is formed over the second insulating film. The conductive layer 4211 includes a portion functioning as the gate electrode of the transistor 4220 .
The conductive layer 4212 functions as a second electrode of the capacitor 4221 or a wiring. Note that the second conductive layer includes Ti, Mo, Ta, Cr, W, Al, Nd, Cu, Ag, A
u, Pt, Si, Zn, Fe, Ba, Ge, etc., or alloys thereof can be used. Alternatively, lamination of these elements (including alloys) can be used.

なお、第2の導電層が形成された後の工程として、様々な絶縁膜、又は様々な導電膜が形
成されていてもよい。
Note that various insulating films or various conductive films may be formed in a step after the formation of the second conductive layer.

図51は、逆スタガ型(ボトムゲート型)のトランジスタの断面構造及び容量素子の断面
構造を示す。特に、図51に示すトランジスタは、チャネルエッチ型と呼ばれる構造であ
る。
FIG. 51 shows a cross-sectional structure of an inverted staggered (bottom-gate) transistor and a cross-sectional structure of a capacitor. In particular, the transistor shown in FIG. 51 has a structure called a channel-etch type.

基板4301上に第1の絶縁膜(絶縁膜4302)が全面に形成されている。第1の絶縁
膜は、基板側からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トランジスタの性質が変化してし
まうことを防ぐ機能を有する。つまり、第1の絶縁膜は下地膜としての機能を有する。し
たがって、信頼性の高いトランジスタを作製することができる。なお、第1の絶縁膜とし
ては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜(SiOxNy)などの
単層、又はこれらの積層を用いることができる。
A first insulating film (insulating film 4302 ) is formed over the entire surface of the substrate 4301 . The first insulating film has a function of preventing impurities from the substrate side from affecting the semiconductor layer and changing the properties of the transistor. That is, the first insulating film functions as a base film. Therefore, a highly reliable transistor can be manufactured. Note that as the first insulating film, a single layer such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film (SiOxNy), or a lamination thereof can be used.

なお、第1の絶縁膜を必ずしも形成する必要はない。この場合は、工程数の削減を図るこ
とができる。製造コストの削減を図ることができる。構造を簡単にできるので、歩留まり
の向上を図ることができる。
Note that it is not always necessary to form the first insulating film. In this case, the number of steps can be reduced. It is possible to reduce manufacturing costs. Since the structure can be simplified, the yield can be improved.

第1の絶縁膜上に、第1の導電層(導電層4303及び導電層4304)が形成されてい
る。導電層4303は、トランジスタ4320のゲート電極として機能する部分を含む。
導電層4304は、容量素子4321の第1の電極として機能する部分を含む。なお、第
1の導電層としては、Ti、Mo、TB、Cr、W、Bl、Nd、Cu、Bg、Bu、P
t、NA-Si、Zn、Fe、Ba、Geなど、又はこれらの合金を用いることができる
。あるいは、これらの元素(合金も含む)の積層を用いることができる。
A first conductive layer (a conductive layer 4303 and a conductive layer 4304) is formed over the first insulating film. Conductive layer 4303 includes a portion that functions as the gate electrode of transistor 4320 .
The conductive layer 4304 includes a portion functioning as the first electrode of the capacitor 4321 . The first conductive layer includes Ti, Mo, TB, Cr, W, Bl, Nd, Cu, Bg, Bu, P
t, NA—Si, Zn, Fe, Ba, Ge, etc., or alloys thereof can be used. Alternatively, lamination of these elements (including alloys) can be used.

少なくとも第1の導電層を覆うように、第2の絶縁膜(絶縁膜4302)が形成されてい
る。第2の絶縁膜は、ゲート絶縁膜としての機能を有する。なお、第2の絶縁膜としては
、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜(SiOxNy)などの単層
、又はこれらの積層を用いることができる。
A second insulating film (insulating film 4302) is formed to cover at least the first conductive layer. The second insulating film functions as a gate insulating film. Note that as the second insulating film, a single layer such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film (SiOxNy), or a lamination thereof can be used.

なお、半導体層に接する部分の第2の絶縁膜としては、酸化シリコン膜を用いることが望
ましい。なぜなら、半導体層と第2の絶縁膜とが接する界面におけるトラップ準位が少な
くなるからである。
Note that it is desirable to use a silicon oxide film as the second insulating film in a portion in contact with the semiconductor layer. This is because the trap level at the interface between the semiconductor layer and the second insulating film is reduced.

また、第2の絶縁膜がMoと接する場合、Moと接する部分の第2の絶縁膜としては酸化
シリコン膜を用いることが望ましい。なぜなら、酸化シリコン膜はMoを酸化させないか
らである。
Moreover, when the second insulating film is in contact with Mo, it is desirable to use a silicon oxide film as the second insulating film in the portion in contact with Mo. This is because the silicon oxide film does not oxidize Mo.

第2の絶縁膜上のうち第1の導電層と重なって形成されている部分の一部に、フォトリソ
グラフィ法、インクジェット法又は印刷法などによって、第1の半導体層(半導体層43
06)が形成されている。そして、半導体層4306の一部は、第2の絶縁膜上のうち第
1の導電層と重なって形成されていない部分まで延長されている。半導体層4306は、
トランジスタ4320のチャネル領域として機能する部分を含む。なお、半導体層430
6としては、アモルファスシリコン(A-Si:H)等の非結晶性を有する半導体層、又
は微結晶半導体(μ-Si:H)等の半導体層などを用いることができる。
A first semiconductor layer (semiconductor layer 43) is formed on a portion of the second insulating film overlapping with the first conductive layer by a photolithography method, an inkjet method, a printing method, or the like.
06) are formed. A portion of the semiconductor layer 4306 extends to a portion of the second insulating film which is not formed to overlap with the first conductive layer. The semiconductor layer 4306 is
A portion that functions as a channel region of the transistor 4320 is included. Note that the semiconductor layer 430
As 6, an amorphous semiconductor layer such as amorphous silicon (A-Si:H) or a semiconductor layer such as microcrystalline semiconductor (μ-Si:H) can be used.

第1の半導体層上の一部に、第2の半導体層(半導体層4307及び半導体層4308)
が形成されている。半導体層4307は、ソ-ス領域とドレイン領域の一方の電極として
機能する部分を含む。半導体層4308は、ソ-ス領域とドレイン領域の他方の電極とし
て機能する部分を含む。なお、第2の導体層としては、リン等を含んだシリコン等を用い
ることができる。
A second semiconductor layer (a semiconductor layer 4307 and a semiconductor layer 4308) is partially formed on the first semiconductor layer.
is formed. The semiconductor layer 4307 includes a portion that functions as an electrode for one of the source and drain regions. The semiconductor layer 4308 includes portions that function as electrodes for the other of the source and drain regions. Silicon containing phosphorus or the like can be used as the second conductor layer.

第2の半導体層上及び第2の絶縁膜上に、第2の導電層(導電層4309、導電層431
0及び導電層4311)が形成されている。導電層4309は、トランジスタ4320の
ソ-ス電極とドレイン電極の一方として機能する部分を含む。導電層4310は、トラン
ジスタ4320のソ-スとドレイン電極の他方として機能する部分を含む。導電層431
2は、容量素子4321の第2の電極として機能する部分を含む。なお、第2の導電層と
しては、Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Si、Z
n、Fe、Ba、Geなど、又はこれらの合金を用いることができる。あるいは、これら
の元素(合金も含む)の積層を用いることができる。
A second conductive layer (a conductive layer 4309 and a conductive layer 431 is formed over the second semiconductor layer and the second insulating film).
0 and a conductive layer 4311) are formed. Conductive layer 4309 includes portions that function as one of the source and drain electrodes of transistor 4320 . Conductive layer 4310 includes portions that function as the other of the source and drain electrodes of transistor 4320 . Conductive layer 431
2 includes a portion functioning as the second electrode of the capacitor 4321 . As the second conductive layer, Ti, Mo, Ta, Cr, W, Al, Nd, Cu, Ag, Au, Pt, Si, Z
n, Fe, Ba, Ge, etc., or alloys thereof can be used. Alternatively, lamination of these elements (including alloys) can be used.

なお、第2の導電層が形成された後の工程として、様々な絶縁膜、又は様々な導電膜が形
成されていてもよい。
Note that various insulating films or various conductive films may be formed in a step after the formation of the second conductive layer.

ここで、チャネルエッチ型のトランジスタが特徴とする工程の一例を説明する。同じマス
クを用いて、第1の半導体層及び第2の半導体層を形成することができる。具体的には、
第1の半導体層と第2の半導体層とは連続して成膜される。そして、第1の半導体層及び
第2の半導体層は、同じマスクを用いて形成される。
Here, an example of a process characterized by a channel-etched transistor is described. The same mask can be used to form the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. in particular,
The first semiconductor layer and the second semiconductor layer are deposited continuously. Then, the first semiconductor layer and the second semiconductor layer are formed using the same mask.

チャネルエッチ型のトランジスタが特徴とする工程の別の一例を説明する。新たなマスク
を用いることなく、トランジスタのチャネル領域を形成することができる。具体的には、
第2の導電層が形成された後で、第2の導電層をマスクとして用いて第2の半導体層の一
部を除去する。あるいは、第2の導電層と同じマスクを用いて第2の半導体層の一部を除
去する。そして、除去された第2の半導体層の下部に形成されている第1の半導体層がト
ランジスタのチャネル領域となる。
Another example of a process characterized by a channel-etched transistor will be described. A channel region of a transistor can be formed without using a new mask. in particular,
After the second conductive layer is formed, portions of the second semiconductor layer are removed using the second conductive layer as a mask. Alternatively, part of the second semiconductor layer is removed using the same mask as the second conductive layer. The first semiconductor layer formed under the removed second semiconductor layer becomes the channel region of the transistor.

図52は、逆スタガ型(ボトムゲート型)のトランジスタの断面構造及び容量素子の断面
構造を示す。特に、図52に示すトランジスタは、チャネル保護型(チャネルストップ型
)と呼ばれる構造である。
FIG. 52 shows a cross-sectional structure of an inverted staggered (bottom-gate) transistor and a cross-sectional structure of a capacitor. In particular, the transistor shown in FIG. 52 has a structure called a channel protection type (channel stop type).

基板4401上に第1の絶縁膜(絶縁膜4402)が全面に形成されている。第1の絶縁
膜は、基板側からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トランジスタの性質が変化してし
まうことを防ぐ機能を有する。つまり、第1の絶縁膜は下地膜としての機能を有する。し
たがって、信頼性の高いトランジスタを作製することができる。なお、第1の絶縁膜とし
ては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜(SiOxNy)などの
単層、又はこれらの積層を用いることができる。
A first insulating film (insulating film 4402 ) is formed over the entire surface of the substrate 4401 . The first insulating film has a function of preventing impurities from the substrate side from affecting the semiconductor layer and changing the properties of the transistor. That is, the first insulating film functions as a base film. Therefore, a highly reliable transistor can be manufactured. Note that as the first insulating film, a single layer such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film (SiOxNy), or a lamination thereof can be used.

なお、第1の絶縁膜を必ずしも形成する必要はない。この場合は、工程数の削減を図るこ
とができる。製造コストの削減を図ることができる。構造を簡単にできるので、歩留まり
の向上を図ることができる。
Note that it is not always necessary to form the first insulating film. In this case, the number of steps can be reduced. It is possible to reduce manufacturing costs. Since the structure can be simplified, the yield can be improved.

第1の絶縁膜上に、第1の導電層(導電層4403及び導電層4404)が形成されてい
る。導電層4403は、トランジスタ4420のゲート電極として機能する部分を含む。
導電層4404は、容量素子4421の第1の電極として機能する部分を含む。なお、第
1の導電層としては、Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、P
t、Si、Zn、Fe、Ba、Geなど、又はこれらの合金を用いることができる。ある
いは、これらの元素(合金も含む)の積層を用いることができる。
A first conductive layer (a conductive layer 4403 and a conductive layer 4404) is formed over the first insulating film. Conductive layer 4403 includes a portion that functions as the gate electrode of transistor 4420 .
The conductive layer 4404 includes a portion functioning as the first electrode of the capacitor 4421 . As the first conductive layer, Ti, Mo, Ta, Cr, W, Al, Nd, Cu, Ag, Au, P
t, Si, Zn, Fe, Ba, Ge, etc., or alloys thereof can be used. Alternatively, lamination of these elements (including alloys) can be used.

少なくとも第1の導電層を覆うように、第2の絶縁膜(絶縁膜4402)が形成されてい
る。第2の絶縁膜は、ゲート絶縁膜としての機能を有する。なお、第2の絶縁膜としては
、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜(SiOxNy)などの単層
、又はこれらの積層を用いることができる。
A second insulating film (insulating film 4402) is formed to cover at least the first conductive layer. The second insulating film functions as a gate insulating film. Note that as the second insulating film, a single layer such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film (SiOxNy), or a lamination thereof can be used.

なお、半導体層に接する部分の第2の絶縁膜としては、酸化シリコン膜を用いることが望
ましい。なぜなら、半導体層と第2の絶縁膜とが接する界面におけるトラップ準位が少な
くなるからである。
Note that it is desirable to use a silicon oxide film as the second insulating film in a portion in contact with the semiconductor layer. This is because the trap level at the interface between the semiconductor layer and the second insulating film is reduced.

また、第2の絶縁膜がMoと接する場合、Moと接する部分の第2の絶縁膜としては酸化
シリコン膜を用いることが望ましい。なぜなら、酸化シリコン膜はMoを酸化させないか
らである。
Moreover, when the second insulating film is in contact with Mo, it is desirable to use a silicon oxide film as the second insulating film in the portion in contact with Mo. This is because the silicon oxide film does not oxidize Mo.

第2の絶縁膜上のうち第1の導電層と重なって形成されている部分の一部に、フォトリソ
グラフィ法、インクジェット法又は印刷法などによって、第1の半導体層(半導体層44
06)が形成されている。そして、半導体層4406の一部は、第2の絶縁膜上のうち第
1の導電層と重なって形成されていない部分まで延長されている。半導体層4406は、
トランジスタ4420のチャネル領域として機能する部分を含む。なお、半導体層440
6としては、アモルファスシリコン(C-Si:H)等の非結晶性を有する半導体層、又
は微結晶半導体(μ-Si:H)等の半導体層などを用いることができる。
A first semiconductor layer (semiconductor layer 44) is formed on a portion of the second insulating film overlapping with the first conductive layer by a photolithography method, an inkjet method, a printing method, or the like.
06) are formed. A portion of the semiconductor layer 4406 extends to a portion of the second insulating film which is not formed to overlap with the first conductive layer. The semiconductor layer 4406 is
A portion that functions as a channel region of transistor 4420 is included. Note that the semiconductor layer 440
As 6, an amorphous semiconductor layer such as amorphous silicon (C—Si:H) or a semiconductor layer such as microcrystalline semiconductor (μ-Si:H) can be used.

第1の半導体層上の一部に、第3の絶縁膜(絶縁膜4412)が形成されている。絶縁膜
4412は、トランジスタ4420のチャネル領域がエッチングによって除去されること
を防止する機能を有する。つまり、絶縁膜4412は、チャネル保護膜(チャネルストッ
プ膜)として機能する。なお、第3の絶縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜
又は酸化窒化シリコン膜(SiOxNy)などの単層、又はこれらの積層を用いることが
できる。
A third insulating film (insulating film 4412) is formed over part of the first semiconductor layer. The insulating film 4412 has a function of preventing the channel region of the transistor 4420 from being removed by etching. That is, the insulating film 4412 functions as a channel protection film (channel stop film). Note that as the third insulating film, a single layer such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film (SiOxNy), or a lamination thereof can be used.

第1の半導体層上の一部及び第3の絶縁膜上の一部に、第2の半導体層(半導体層440
7及び半導体層4408)が形成されている。半導体層4407は、ソ-ス領域とドレイ
ン領域の一方の電極として機能する部分を含む。半導体層4408は、ソ-ス領域とドレ
イン領域の他方の電極として機能する部分を含む。なお、第2の導体層としては、リン等
を含んだシリコン等を用いることができる。
A second semiconductor layer (semiconductor layer 440
7 and a semiconductor layer 4408) are formed. The semiconductor layer 4407 includes a portion that functions as an electrode for one of the source and drain regions. The semiconductor layer 4408 includes portions that function as electrodes for the other of the source and drain regions. Silicon containing phosphorus or the like can be used as the second conductor layer.

第2の半導体層上に、第2の導電層(導電層4409、導電層4410及び導電層441
1)が形成されている。導電層4409は、トランジスタ4420のソ-ス電極とドレイ
ン電極の一方として機能する部分を含む。導電層4410は、トランジスタ4420のソ
-スとドレイン電極の他方として機能する部分を含む。導電層4411は、容量素子44
21の第2の電極として機能する部分を含む。なお、第2の導電層としては、Ti、Mo
、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Si、Zn、Fe、Ba、G
eなど、又はこれらの合金を用いることができる。あるいは、これらの元素(合金も含む
)の積層を用いることができる。
A second conductive layer (a conductive layer 4409, a conductive layer 4410, and a conductive layer 441) is formed over the second semiconductor layer.
1) is formed. Conductive layer 4409 includes portions that function as one of the source and drain electrodes of transistor 4420 . Conductive layer 4410 includes portions that function as the other of the source and drain electrodes of transistor 4420 . The conductive layer 4411 is the capacitive element 44
21 includes a portion that functions as a second electrode. As the second conductive layer, Ti, Mo
, Ta, Cr, W, Al, Nd, Cu, Ag, Au, Pt, Si, Zn, Fe, Ba, G
e, etc., or alloys thereof can be used. Alternatively, lamination of these elements (including alloys) can be used.

なお、第2の導電層が形成された後の工程として、様々な絶縁膜、又は様々な導電膜が形
成されていてもよい。
Note that various insulating films or various conductive films may be formed in a step after the formation of the second conductive layer.

ここで、チャネル保護型のトランジスタが特徴とする工程の一例を説明する。同じマスク
を用いて、第1の半導体層、第2の半導体層及び第2の導電層を形成することができる。
同時に、チャネル領域を形成することができる。具体的には、第1の半導体層を成膜し、
次に第3の絶縁膜(チャネル保護膜、チャネルストップ膜)を、マスクを用いて形成し、
次に第2の半導体層と第2の導電層とを連続して成膜する。そして、第2の導電層が成膜
された後で、第1の半導体層、第2の半導体層及び第2の導電層が同じマスクを用いて形
成される。ただし、第3の絶縁膜の下部の第1の半導体層は、第3の絶縁膜によって保護
されるのでエッチングによって除去されない。この部分(第1の半導体層のうち上部に第
3の絶縁膜が形成された部分)がチャネル領域となる。
Here, an example of a process characterized by a channel-protective transistor is described. The same mask can be used to form the first semiconductor layer, the second semiconductor layer, and the second conductive layer.
At the same time, a channel region can be formed. Specifically, a first semiconductor layer is formed,
Next, a third insulating film (channel protection film, channel stop film) is formed using a mask,
Next, a second semiconductor layer and a second conductive layer are continuously formed. Then, after the second conductive layer is deposited, the first semiconductor layer, the second semiconductor layer and the second conductive layer are formed using the same mask. However, since the first semiconductor layer under the third insulating film is protected by the third insulating film, it is not removed by etching. This portion (the portion of the first semiconductor layer over which the third insulating film is formed) becomes the channel region.

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容(
一部でもよい)は、別の図で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。
In the present embodiment, descriptions have been made using various diagrams, but the contents described in each diagram (
may be part of it) shall apply, combine, or
Alternatively, replacement can be freely performed. Furthermore, in the figures described so far, more figures can be configured by combining each part with another part.

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容(一部でもよい)は、別の実施の形態およ
び実施例の図で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関し
て、別の実施の形態および実施例の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構
成させることが出来る。
Similarly, the content (may be part of) described in each figure of this embodiment is applied or combined with the content (may be part of) described in the figures of other embodiments and examples. , or can be freely replaced. Furthermore, in the drawings of this embodiment, more drawings can be formed by combining parts of other embodiments and examples with respect to each part.

なお、本実施の形態は、他の実施の形態および実施例で述べた内容(一部でもよい)を、
具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した
場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての
一例などを示している。したがって、他の実施の形態および実施例で述べた内容は、本実
施の形態への適用、組み合わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
In this embodiment, the contents (or part of them) described in other embodiments and examples are
Example of implementation, example of slight modification, example of partial change, example of improvement, example of detailed description, example of application, example of related parts etc. Therefore, the contents described in other embodiments and examples can be freely applied to, combined with, or replaced with this embodiment.

(実施の形態12)
本実施形態においては、本発明に係る電子機器の例について説明する。
(Embodiment 12)
In this embodiment, an example of an electronic device according to the present invention will be described.

図53は表示パネル4501と、回路基板4502を組み合わせた表示パネルモジュー
ルの一形態を示している。
FIG. 53 shows one form of a display panel module in which a display panel 4501 and a circuit board 4502 are combined.

図53に示すように、表示パネル4501は画素部4503、走査線駆動回路4504
及び信号線駆動回路4505を有している。回路基板4502には、例えば、コントロー
ル回路4506や信号分割回路4507などが形成されている。なお、表示パネル450
1と回路基板4502は接続配線4508によって接続されている。接続配線4508に
はFPC等を用いることができる。
As shown in FIG. 53, a display panel 4501 includes a pixel portion 4503 and a scanning line driver circuit 4504.
and a signal line driver circuit 4505 . For example, a control circuit 4506 and a signal dividing circuit 4507 are formed on the circuit board 4502 . Note that the display panel 450
1 and the circuit board 4502 are connected by a connection wiring 4508 . FPC or the like can be used for the connection wiring 4508 .

表示パネル4501は、画素部と一部の周辺駆動回路(複数の駆動回路のうち動作周波
数の低い駆動回路)をトランジスタを用いて基板上に一体形成し、他の周辺駆動回路(複
数の駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路)をICチップ上に形成し、そのICチッ
プをCOG(Chip On Glass)で表示パネル3410に実装しても良い。あ
るいは、そのICチップをTAB(Tape Auto Bonding)やプリント基
板を用いてガラス基板と接続してもよい。また、全ての周辺駆動回路をICチップ上に形
成し、そのICチップをCOGなどで表示パネルに実装しても良い。
In the display panel 4501, a pixel portion and some peripheral driver circuits (a driver circuit with a low operating frequency among the plurality of driver circuits) are formed integrally over a substrate using transistors, and other peripheral driver circuits (a plurality of driver circuits) are formed over the substrate. (driving circuit with high operating frequency) may be formed on an IC chip, and the IC chip may be mounted on the display panel 3410 by COG (Chip On Glass). Alternatively, the IC chip may be connected to the glass substrate using TAB (Tape Auto Bonding) or a printed circuit board. Alternatively, all peripheral driving circuits may be formed on an IC chip, and the IC chip may be mounted on the display panel by COG or the like.

なお、画素部には、上述の実施の形態に記載した画素を用いる。本発明により、視野角
を向上させることができる。また、画素部を構成するトランジスタに同一導電型のトラン
ジスタやトランジスタの半導体層に非晶質半導体を用いることで低コスト化を図ることも
できる。
Note that the pixel described in the above embodiment mode is used for the pixel portion. The present invention can improve the viewing angle. In addition, cost reduction can be achieved by using a transistor of the same conductivity type as a transistor constituting a pixel portion or using an amorphous semiconductor for a semiconductor layer of the transistor.

このような表示モジュールによりテレビ受像機を完成させることができる。図54は、
テレビ受像機の主要な構成を示すブロック図である。チューナ4601は映像信号と音声
信号を受信する。映像信号は、映像信号増幅回路4602と、そこから出力される信号を
赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路4603と、その映像信
号を駆動回路の入力仕様に変換するためのコントロール回路4506により処理される。
コントロール回路4506は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号を出力する。デジタル
駆動する場合には、信号線側に信号分割回路4507を設け、入力デジタル信号をm個(
mは正の整数)に分割して供給する構成としても良い。
Such a display module can complete a television receiver. Figure 54 shows
1 is a block diagram showing the main configuration of a television receiver; FIG. A tuner 4601 receives a video signal and an audio signal. A video signal is generated by a video signal amplifier circuit 4602, a video signal processing circuit 4603 that converts the signal output therefrom into color signals corresponding to red, green, and blue, and the video signal is converted to the input specifications of the drive circuit. Processed by control circuit 4506 for conversion.
The control circuit 4506 outputs signals to the scanning line side and the signal line side, respectively. In the case of digital driving, a signal dividing circuit 4507 is provided on the signal line side, and m input digital signals (
(m is a positive integer) may be divided and supplied.

チューナ4601で受信した信号のうち、音声信号は音声信号増幅回路4604に送ら
れ、その出力は音声信号処理回路4605を経てスピーカー4606に供給される。制御
回路4607は受信局(受信周波数)や音量の制御情報を入力部4608から受け、チュ
ーナ4601や音声信号処理回路4605に信号を送出する。
Among the signals received by the tuner 4601, the audio signal is sent to the audio signal amplifier circuit 4604, and its output is supplied to the speaker 4606 via the audio signal processing circuit 4605. The control circuit 4607 receives control information on the reception station (reception frequency) and volume from the input section 4608 and sends signals to the tuner 4601 and the audio signal processing circuit 4605 .

図54とは別の形態の表示パネルモジュールを組み込んだテレビ受像器について図55(
A)に示す。図55(A)において、筐体4701内に収められた表示画面4702は、
表示パネルモジュールで形成される。なお、スピーカー4703、操作スイッチ4704
などが適宜備えられていてもよい。
FIG. 55 (see FIG. 55 (
A). In FIG. 55(A), a display screen 4702 housed in a housing 4701 is
It is formed by a display panel module. Note that a speaker 4703 and an operation switch 4704
etc. may be provided as appropriate.

図55(B)に、ワイヤレスでディスプレイのみを持ち運び可能なテレビ受像器を示す。
筐体4712にはバッテリー及び信号受信器が内蔵されており、そのバッテリーで表示部
4713又はスピーカー部4717を駆動させる。バッテリーは充電器4710で繰り返
し充電が可能となっている。充電器4710は映像信号を送受信することが可能で、その
映像信号をディスプレイの信号受信器に送信することができる。筐体4712は操作キー
4716によって制御する。あるいは、図55(B)に示す装置は、操作キー4716を
操作することによって、筐体4712から充電器4710に信号を送ることが可能である
、映像音声双方向通信装置であってもよい。あるいは、操作キー4716を操作すること
によって、筐体4712から充電器4710に信号を送り、さらに充電器4710が送信
できる信号を他の電子機器に受信させることによって、他の電子機器の通信制御も可能で
ある、汎用遠隔制御装置であってもよい。本発明を表示部4713に適用することができ
る。
FIG. 55(B) shows a television receiver in which only the display can be carried wirelessly.
A battery and a signal receiver are incorporated in the housing 4712, and the display portion 4713 or the speaker portion 4717 is driven by the battery. The battery can be repeatedly charged with a charger 4710 . The charger 4710 can send and receive video signals and can send the video signals to the display's signal receiver. The housing 4712 is controlled by operation keys 4716 . Alternatively, the device shown in FIG. 55(B) may be a video/audio two-way communication device capable of transmitting signals from housing 4712 to charger 4710 by operating operation keys 4716 . Alternatively, by operating the operation key 4716, a signal is sent from the housing 4712 to the charger 4710, and the signal that can be sent by the charger 4710 is received by the other electronic device, thereby controlling communication of the other electronic device. It may even be a universal remote control, which is possible. The invention can be applied to the display portion 4713 .

図56(A)は、表示パネル4801とプリント配線基板4802を組み合わせたモジュ
ールを示している。表示パネル4801は、複数の画素が設けられた画素部4803と、
第1の走査線駆動回路4804、第2の走査線駆動回路4805と、選択された画素にビ
デオ信号を供給する信号線駆動回路4806とを有する。
FIG. 56A shows a module in which a display panel 4801 and a printed wiring board 4802 are combined. A display panel 4801 includes a pixel portion 4803 provided with a plurality of pixels,
It has a first scanning line driver circuit 4804, a second scanning line driver circuit 4805, and a signal line driver circuit 4806 that supplies video signals to selected pixels.

プリント配線基板4802には、コントローラ4807、中央処理装置(CPU)480
8、メモリ4809、電源回路4810、音声処理回路4811及び送受信回路4812
などが備えられている。プリント配線基板4802と表示パネル4801は、フレキシブ
ル配線基板(FPC)4813により接続されている。フレキシブル配線基板(FPC)
4813には、保持容量、バッファ回路などを設け、電源電圧又は信号にノイズの発生、
及び信号の立ち上がり時間の増大を防ぐ構成としても良い。なお、コントローラ4807
、音声処理回路4811、メモリ4809、中央処理装置(CPU)4808、電源回路
4810などは、COG(Chip On Glass)方式を用いて表示パネル480
1に実装することもできる。COG方式により、プリント配線基板4802の規模を縮小
することができる。
A controller 4807 and a central processing unit (CPU) 480 are mounted on the printed wiring board 4802 .
8, memory 4809, power supply circuit 4810, audio processing circuit 4811 and transmission/reception circuit 4812
etc. is provided. The printed wiring board 4802 and the display panel 4801 are connected by a flexible wiring board (FPC) 4813 . Flexible printed circuit board (FPC)
The 4813 is provided with a holding capacitor, a buffer circuit, etc. to prevent the generation of noise in the power supply voltage or signal,
Also, it may be configured to prevent an increase in signal rise time. Note that the controller 4807
, an audio processing circuit 4811, a memory 4809, a central processing unit (CPU) 4808, a power supply circuit 4810, etc. are integrated into the display panel 480 using a COG (Chip On Glass) method.
1 can also be implemented. The COG method allows the scale of the printed wiring board 4802 to be reduced.

プリント配線基板4802に備えられたインターフェース(I/F)部4814を介して
、各種制御信号の入出力が行われる。そして、アンテナとの間の信号の送受信を行うため
のアンテナ用ポート4815が、プリント配線基板4802に設けられている。
Various control signals are input/output via an interface (I/F) section 4814 provided on the printed wiring board 4802 . An antenna port 4815 for transmitting and receiving signals to and from the antenna is provided on the printed wiring board 4802 .

図56(B)は、図56(A)に示したモジュールのブロック図を示す。このモジュール
は、メモリ4809としてVRAM4816、DRAM4817、フラッシュメモリ48
18などが含まれている。VRAM4816にはパネルに表示する画像のデータが、DR
AM4817には画像データ又は音声データが、フラッシュメモリには各種プログラムが
記憶されている。
FIG. 56(B) shows a block diagram of the module shown in FIG. 56(A). This module includes VRAM 4816, DRAM 4817 and flash memory 48 as memory 4809.
18 are included. Image data to be displayed on the panel is stored in the VRAM 4816 in the DR
Image data or audio data is stored in the AM4817, and various programs are stored in the flash memory.

電源回路4810は、表示パネル4801、コントローラ4807、中央処理装置(CP
U)4808、音声処理回路4811、メモリ4809、送受信回路4812を動作させ
る電力を供給する。ただし、パネルの仕様によっては、電源回路4810に電流源が備え
られている場合もある。
A power supply circuit 4810 includes a display panel 4801, a controller 4807, a central processing unit (CP
U) supplies power to operate 4808, audio processing circuit 4811, memory 4809, and transmission/reception circuit 4812; However, depending on the specifications of the panel, the power supply circuit 4810 may be provided with a current source.

中央処理装置(CPU)4808は、制御信号生成回路4820、デコーダ4821、レ
ジスタ4822、演算回路4823、RAM4824、中央処理装置(CPU)4808
用のインターフェース(I/F)部4819などを有している。インターフェース(I/
F)部4819を介して中央処理装置(CPU)4808に入力された各種信号は、一旦
レジスタ4822に保持された後、演算回路4823、デコーダ4821などに入力され
る。演算回路4823では、入力された信号に基づき演算を行い、各種命令を送る場所を
指定する。一方デコーダ4821に入力された信号はデコードされ、制御信号生成回路4
820に入力される。制御信号生成回路4820は入力された信号に基づき、各種命令を
含む信号を生成し、演算回路4823において指定された場所、具体的にはメモリ480
9、送受信回路4812、音声処理回路4811、コントローラ4807などに送る。
A central processing unit (CPU) 4808 includes a control signal generating circuit 4820, a decoder 4821, a register 4822, an arithmetic circuit 4823, a RAM 4824, and a central processing unit (CPU) 4808.
has an interface (I/F) unit 4819 for interface (I/
F) Various signals input to the central processing unit (CPU) 4808 via the unit 4819 are temporarily held in a register 4822 and then input to an arithmetic circuit 4823, a decoder 4821, and the like. The arithmetic circuit 4823 performs arithmetic operations based on the input signals and designates locations to which various commands are to be sent. On the other hand, the signal input to the decoder 4821 is decoded and the control signal generation circuit 4
820. Based on the input signal, the control signal generation circuit 4820 generates a signal containing various instructions, and outputs it to a location specified in the arithmetic circuit 4823, specifically the memory 480.
9. Send to transmission/reception circuit 4812, audio processing circuit 4811, controller 4807, and the like.

メモリ4809、送受信回路4812、音声処理回路4811、コントローラ4807は
、それぞれ受けた命令に従って動作する。以下その動作について簡単に説明する。
The memory 4809, transmission/reception circuit 4812, audio processing circuit 4811, and controller 4807 operate according to the received instructions. The operation will be briefly described below.

入力手段4825から入力された信号は、インターフェース(I/F)部4814を介し
てプリント配線基板4802に実装された中央処理装置(CPU)4808に送られる。
制御信号生成回路4820は、ポインティングデバイス又はキーボードなどの入力手段4
825から送られてきた信号に従い、VRAM4816に格納してある画像データを所定
のフォーマットに変換し、コントローラ4807に送付する。
A signal input from the input means 4825 is sent to a central processing unit (CPU) 4808 mounted on the printed wiring board 4802 via an interface (I/F) section 4814 .
The control signal generation circuit 4820 is connected to the input means 4 such as a pointing device or keyboard.
825, the image data stored in the VRAM 4816 is converted into a predetermined format and sent to the controller 4807. FIG.

コントローラ4807は、パネルの仕様に合わせて中央処理装置(CPU)4808から
送られてきた画像データを含む信号にデータ処理を施し、表示パネル4801に供給する
。コントローラ4807は、電源回路4810から入力された電源電圧、又は中央処理装
置(CPU)4808から入力された各種信号をもとに、Hsync信号、Vsync信
号、クロック信号CLK、交流電圧(AC Cont)、切り替え信号L/Rを生成し、
表示パネル4801に供給する。
The controller 4807 performs data processing on the signal including the image data sent from the central processing unit (CPU) 4808 according to the specifications of the panel, and supplies the processed signal to the display panel 4801 . The controller 4807 generates an Hsync signal, a Vsync signal, a clock signal CLK, an alternating current voltage (AC Cont), generating a switching signal L/R;
It is supplied to the display panel 4801 .

送受信回路4812では、アンテナ4828において電波として送受信される信号が処理
されており、具体的にはアイソレータ、バンドパスフィルタ、VCO(Voltage
Controlled Oscillator)、LPF(Low Pass Filt
er)、カプラ、バランなどの高周波回路を含んでいてもよい。送受信回路4812にお
いて送受信される信号のうち音声情報を含む信号が、中央処理装置(CPU)4808か
らの命令に従って、音声処理回路4811に送られる。
In the transmitting/receiving circuit 4812, signals transmitted and received as radio waves in the antenna 4828 are processed.
Controlled Oscillator), LPF (Low Pass Filt
er), couplers, and baluns. Of the signals transmitted and received by the transmitting/receiving circuit 4812 , a signal containing audio information is sent to the audio processing circuit 4811 according to a command from the central processing unit (CPU) 4808 .

中央処理装置(CPU)4808の命令に従って送られてきた音声情報を含む信号は、音
声処理回路4811において音声信号に復調され、スピーカー4827に送られる。マイ
ク4826から送られてきた音声信号は、音声処理回路4811において変調され、中央
処理装置(CPU)4808からの命令に従って、送受信回路4812に送られる。
A signal containing audio information sent according to an instruction from the central processing unit (CPU) 4808 is demodulated into an audio signal in an audio processing circuit 4811 and sent to a speaker 4827 . The audio signal sent from the microphone 4826 is modulated in the audio processing circuit 4811 and sent to the transmission/reception circuit 4812 according to the command from the central processing unit (CPU) 4808 .

コントローラ4807、中央処理装置(CPU)4808、電源回路4810、音声処理
回路4811、メモリ4809を、本実施形態のパッケージとして実装することができる
A controller 4807, a central processing unit (CPU) 4808, a power supply circuit 4810, an audio processing circuit 4811, and a memory 4809 can be mounted as the package of this embodiment.

勿論、本実施の形態はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをは
じめ、鉄道の駅又は空港などにおける情報表示盤、街頭における広告表示盤など特に大面
積の表示媒体として様々な用途に適用することができる。
Of course, the present embodiment is not limited to television receivers, and can be used for a variety of applications, particularly as large-area display media such as monitors for personal computers, information display boards at railway stations and airports, and advertising display boards on the street. can be applied.

次に、図57を参照して、本発明に係る携帯電話の構成例について説明する。 Next, a configuration example of the mobile phone according to the present invention will be described with reference to FIG.

表示パネル4901はハウジング4930に脱着自在に組み込まれる。ハウジング493
0は表示パネル4901のサイズに合わせて、形状又は寸法を適宜変更することができる
。表示パネル4901を固定したハウジング4930はプリント基板4931に嵌入され
モジュールとして組み立てられる。
A display panel 4901 is detachably incorporated in a housing 4930 . housing 493
0 can be changed in shape or size as appropriate according to the size of the display panel 4901 . A housing 4930 to which a display panel 4901 is fixed is fitted into a printed circuit board 4931 to be assembled as a module.

表示パネル4901はFPC4913を介してプリント基板4931に接続される。プリ
ント基板4931には、スピーカー4932、マイクロフォン4933、送受信回路49
34、CPU及びコントローラなどを含む信号処理回路4935が形成されている。この
ようなモジュールと、入力手段4936、バッテリー4937を組み合わせ、筐体493
9に収納する。表示パネル4901の画素部は筐体4939に形成された開口窓から視認
できように配置する。
The display panel 4901 is connected to the printed circuit board 4931 via the FPC 4913 . A printed circuit board 4931 includes a speaker 4932 , a microphone 4933 , and a transmission/reception circuit 49 .
34, a signal processing circuit 4935 including a CPU and a controller is formed. Combining such a module with the input means 4936 and the battery 4937, the housing 493
Store in 9. A pixel portion of the display panel 4901 is arranged so as to be visible through an opening window formed in a housing 4939 .

表示パネル4901は、画素部と一部の周辺駆動回路(複数の駆動回路のうち動作周波数
の低い駆動回路)を基板上にトランジスタを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路(複
数の駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路)をICチップ上に形成し、そのICチッ
プをCOG(Chip On Glass)で表示パネル4901に実装しても良い。あ
るいは、そのICチップをTAB(Tape Auto Bonding)又はプリント
基板を用いてガラス基板と接続してもよい。このような構成とすることで、表示装置の低
消費電力化を図り、携帯電話機の一回の充電による使用時間を長くすることができる。携
帯電話機の低コスト化を図ることができる。
In the display panel 4901, a pixel portion and some peripheral driver circuits (driver circuits with low operating frequencies among the plurality of driver circuits) are integrally formed on a substrate using transistors. A driver circuit having a high operating frequency among circuits) may be formed over an IC chip, and the IC chip may be mounted on the display panel 4901 by COG (Chip On Glass). Alternatively, the IC chip may be connected to the glass substrate using TAB (Tape Auto Bonding) or a printed circuit board. By adopting such a structure, the power consumption of the display device can be reduced, and the operating time of the mobile phone can be extended with one charge. It is possible to reduce the cost of the mobile phone.

図57に示した携帯電話は、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示する
機能を有する。カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能を有する。表示部
に表示した情報を操作又は編集する機能を有する。様々なソフトウェア(プログラム)に
よって処理を制御する機能を有する。無線通信機能を有する。無線通信機能を用いて他の
携帯電話、固定電話又は音声通信機器と通話する機能を有する。無線通信機能を用いて様
々なコンピュータネットワークに接続する機能を有する。無線通信機能を用いて様々なデ
ータの送信又は受信を行う機能を有する。着信、データの受信、又はアラームに応じてバ
イブレータが動作する機能を有する。着信、データの受信、又はアラームに応じて音が発
生する機能を有する。なお、図57に示した携帯電話が有する機能はこれに限定されず、
様々な機能を有することができる。
The mobile phone shown in FIG. 57 has a function of displaying various information (still images, moving images, text images, etc.). It has a function of displaying a calendar, date or time on the display. It has a function of operating or editing information displayed on the display unit. It has a function to control processing by various software (programs). It has a wireless communication function. It has the function of communicating with other mobile phones, fixed-line phones, or voice communication devices using wireless communication functions. It has a function to connect to various computer networks using a wireless communication function. It has a function of transmitting or receiving various data using a wireless communication function. It has a function of operating a vibrator in response to incoming calls, data reception, or alarms. It has the function of generating sound in response to incoming calls, data reception, or alarms. Note that the functions of the mobile phone shown in FIG. 57 are not limited to this,
It can have various functions.

図58で示す携帯電話機は、操作スイッチ類5004、マイクロフォン5005などが備
えられた本体(A)5001と、表示パネル(A)5008、表示パネル(B)5009
、スピーカー5006などが備えられた本体(B)5002とが、蝶番5010で開閉可
能に連結されている。表示パネル(A)5008と表示パネル(B)5009は、回路基
板5007と共に本体(B)5002の筐体5003の中に収納される。表示パネル(A
)5008及び表示パネル(B)5009の画素部は筐体5003に形成された開口窓か
ら視認できるように配置される。
The mobile phone shown in FIG. 58 includes a main body (A) 5001 equipped with operation switches 5004, a microphone 5005, and the like, a display panel (A) 5008, and a display panel (B) 5009.
, and a main body (B) 5002 provided with a speaker 5006 and the like are connected with a hinge 5010 so as to be openable and closable. The display panel (A) 5008 and the display panel (B) 5009 are housed in the housing 5003 of the main body (B) 5002 together with the circuit board 5007 . Display panel (A
) 5008 and the pixel portion of the display panel (B) 5009 are arranged so as to be visible through an opening window formed in the housing 5003 .

表示パネル(A)5008と表示パネル(B)5009は、その携帯電話機5000の機
能に応じて画素数などの仕様を適宜設定することができる。例えば、表示パネル(A)5
008を主画面とし、表示パネル(B)5009を副画面として組み合わせることができ
る。
Specifications such as the number of pixels of the display panel (A) 5008 and the display panel (B) 5009 can be appropriately set according to the functions of the mobile phone 5000 . For example, the display panel (A) 5
008 as the main screen and the display panel (B) 5009 as the sub-screen.

本実施形態に係る携帯電話機は、その機能又は用途に応じてさまざまな態様に変容し得る
。例えば、蝶番5010の部位に撮像素子を組み込んで、カメラ付きの携帯電話機として
も良い。操作スイッチ類5004、表示パネル(A)5008、表示パネル(B)500
9を一つの筐体内に納めた構成としても、上記した作用効果を奏することができる。表示
部を複数個そなえた情報表示端末に本実施形態の構成を適用しても、同様な効果を得るこ
とができる。
The mobile phone according to this embodiment can be transformed into various aspects according to its functions or uses. For example, an imaging device may be incorporated in the hinge 5010 to form a mobile phone with a camera. Operation switches 5004, display panel (A) 5008, display panel (B) 500
9 can be housed in one housing, the above effects can be obtained. Similar effects can be obtained by applying the configuration of this embodiment to an information display terminal having a plurality of display units.

図58に示した携帯電話は、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示する
機能を有する。カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能を有する。表示部
に表示した情報を操作又は編集する機能を有する。様々なソフトウェア(プログラム)に
よって処理を制御する機能を有する。無線通信機能を有する。無線通信機能を用いて他の
携帯電話、固定電話又は音声通信機器と通話する機能を有する。無線通信機能を用いて様
々なコンピュータネットワークに接続する機能を有する。無線通信機能を用いて様々なデ
ータの送信又は受信を行う機能を有する。着信、データの受信、又はアラームに応じてバ
イブレータが動作する機能を有する。着信、データの受信、又はアラームに応じて音が発
生する機能を有する。なお、図58に示した携帯電話が有する機能はこれに限定されず、
様々な機能を有することができる。
The mobile phone shown in FIG. 58 has a function of displaying various information (still images, moving images, text images, etc.). It has a function of displaying a calendar, date or time on the display. It has a function of operating or editing information displayed on the display unit. It has a function to control processing by various software (programs). It has a wireless communication function. It has the function of communicating with other mobile phones, fixed-line phones, or voice communication devices using wireless communication functions. It has a function to connect to various computer networks using a wireless communication function. It has a function of transmitting or receiving various data using a wireless communication function. It has a function of operating a vibrator in response to incoming calls, data reception, or alarms. It has the function of generating sound in response to incoming calls, data reception, or alarms. Note that the functions of the mobile phone shown in FIG. 58 are not limited to this,
It can have various functions.

本発明を様々な電子機器に適用することができる。具体的には、電子機器の表示部に適用
することができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグ
ル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディ
オコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯
電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはD
igital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画
像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。
The present invention can be applied to various electronic devices. Specifically, it can be applied to a display portion of an electronic device. Examples of such electronic devices include video cameras, digital cameras, goggle-type displays, navigation systems, sound reproduction devices (car audio, audio components, etc.), computers, game devices, personal digital assistants (mobile computers, mobile phones, portable games, etc.). machine or e-book), image playback device equipped with a recording medium (specifically D
a device equipped with a display capable of reproducing recording media such as digital versatile discs (DVDs) and displaying images thereof).

図59(A)はディスプレイであり、筐体5111、支持台5112、表示部5113等
を含む。図59(A)に示すディスプレイは、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像
など)を表示部に表示する機能を有する。なお、図59(A)に示すディスプレイが有す
る機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
FIG. 59A shows a display including a housing 5111, a support base 5112, a display portion 5113, and the like. The display shown in FIG. 59A has a function of displaying various information (still image, moving image, text image, etc.) on the display portion. Note that the function of the display illustrated in FIG. 59A is not limited to this, and can have various functions.

図59(B)はカメラであり、本体5121、表示部5122、受像部5123、操作キ
ー5124、外部接続ポート5125、シャッターボタン5126等を含む。図59(B
)に示すカメラは、静止画を撮影する機能を有する。動画を撮影する機能を有する。撮影
した画像(静止画、動画)を自動で補正する機能を有する。撮影した画像を記録媒体(外
部又はデジタルカメラに内臓)に保存する機能を有する。撮影した画像を表示部に表示す
る機能を有する。なお、図59(B)に示すカメラが有する機能はこれに限定されず、様
々な機能を有することができる。
FIG. 59B shows a camera including a main body 5121, a display portion 5122, an image receiving portion 5123, operation keys 5124, an external connection port 5125, a shutter button 5126, and the like. Figure 59 (B
) has a function of taking a still image. It has a function to shoot movies. It has a function to automatically correct captured images (still images and movies). It has a function to save captured images in a recording medium (external or internal to a digital camera). It has a function to display the captured image on the display unit. Note that the functions of the camera shown in FIG. 59B are not limited to this, and can have various functions.

図59(C)はコンピュータであり、本体5131、筐体5132、表示部5133、キ
ーボード5134、外部接続ポート5135、ポインティングデバイス5136等を含む
。図59(C)に示すコンピュータは、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)
を表示部に表示する機能を有する。様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制
御する機能を有する。無線通信又は有線通信などの通信機能を有する。通信機能を用いて
様々なコンピュータネットワークに接続する機能を有する。通信機能を用いて様々なデー
タの送信又は受信を行う機能を有する。なお、図59(C)に示すコンピュータが有する
機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
FIG. 59C shows a computer including a main body 5131, a housing 5132, a display portion 5133, a keyboard 5134, an external connection port 5135, a pointing device 5136, and the like. The computer shown in FIG. 59(C) stores various information (still images, moving images, text images, etc.)
is displayed on the display unit. It has a function to control processing by various software (programs). It has a communication function such as wireless communication or wired communication. It has the ability to connect to various computer networks using communication functions. It has a function of transmitting or receiving various data using a communication function. Note that the functions of the computer shown in FIG. 59C are not limited to this, and can have various functions.

図59(D)はモバイルコンピュータであり、本体5141、表示部5142、スイッチ
5143、操作キー5144、赤外線ポート5145等を含む。図59(D)に示すモバ
イルコンピュータは、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示部に表示す
る機能を有する。表示部にタッチパネルの機能を有する。カレンダー、日付又は時刻など
を表示する機能を表示部に有する。様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制
御する機能を有する。無線通信機能を有する。無線通信機能を用いて様々なコンピュータ
ネットワークに接続する機能を有する。無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受
信を行う機能を有する。なお、図59(D)に示すモバイルコンピュータが有する機能は
これに限定されず、様々な機能を有することができる。
FIG. 59D shows a mobile computer including a main body 5141, a display portion 5142, a switch 5143, operation keys 5144, an infrared port 5145, and the like. The mobile computer shown in FIG. 59D has a function of displaying various information (still image, moving image, text image, etc.) on the display portion. The display unit has a touch panel function. The display unit has a function of displaying a calendar, date, time, or the like. It has a function to control processing by various software (programs). It has a wireless communication function. It has a function to connect to various computer networks using a wireless communication function. It has a function of transmitting or receiving various data using a wireless communication function. Note that the functions of the mobile computer shown in FIG. 59D are not limited to this, and can have various functions.

図59(E)は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置(たとえば、DVD再生装置)で
あり、本体5151、筐体5152、表示部A5153、表示部B5154、記録媒体(
DVD等)読み込み部5155、操作キー5156、スピーカー部5157等を含む。表
示部A5153は主として画像情報を表示し、表示部B5154は主として文字情報を表
示することができる。
FIG. 59(E) shows a portable image reproducing apparatus (for example, a DVD reproducing apparatus) equipped with a recording medium.
DVD, etc.) reading unit 5155, operation keys 5156, speaker unit 5157, and the like. The display portion A5153 can mainly display image information, and the display portion B5154 can mainly display character information.

図59(F)はゴーグル型ディスプレイであり、本体5161、表示部5162、イヤホ
ン5163、支持部5164を含む。図59(F)に示すゴーグル型ディスプレイは、外
部から取得した画像(静止画、動画、テキスト画像など)を表示部に表示する機能を有す
る。なお、図59(F)に示すゴーグル型ディスプレイが有する機能はこれに限定されず
、様々な機能を有することができる。
FIG. 59F shows a goggle-type display including a main body 5161, a display portion 5162, earphones 5163, and a support portion 5164. FIG. The goggle-type display shown in FIG. 59F has a function of displaying an image (a still image, a moving image, a text image, etc.) obtained from the outside on the display portion. Note that the function of the goggle-type display shown in FIG. 59F is not limited to this, and can have various functions.

図59(G)は携帯型遊技機であり、筐体5171、表示部5172、スピーカー部51
73、操作キー5174、記憶媒体挿入部5175等を含む。本発明の表示装置を表示部
5172に用いた携帯型遊技機は、鮮やかな色彩を表現することができる。図59(G)
に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表
示部に表示する機能を有する。他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能
を有する。なお、図59(G)に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様
々な機能を有することができる。
FIG. 59G shows a portable game machine including a housing 5171, a display portion 5172, and a speaker portion 51.
73, operation keys 5174, a storage medium insertion portion 5175, and the like. A portable game machine using the display device of the present invention for the display portion 5172 can express vivid colors. Figure 59 (G)
2 has a function of reading a program or data recorded in a recording medium and displaying it on a display unit. It has a function to perform wireless communication with other portable game machines and share information. Note that the functions of the portable game machine shown in FIG. 59(G) are not limited to this, and can have various functions.

図59(H)はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、本体5181、表示部518
2、操作キー5183、スピーカー5184、シャッターボタン5185、受像部518
6、アンテナ5187等を含む。図59(H)に示すテレビ受像機付きデジタルカメラは
、静止画を撮影する機能を有する。動画を撮影する機能を有する。撮影した画像を自動で
補正する機能を有する。アンテナから様々な情報を取得する機能を有する。撮影した画像
、又はアンテナから取得した情報を保存する機能を有する。撮影した画像、又はアンテナ
から取得した情報を表示部に表示する機能を有する。なお、図59(H)に示すテレビ受
像機付きデジタルカメラが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することがで
きる。
FIG. 59H shows a digital camera with a television receiving function, which includes a main body 5181 and a display portion 518.
2. Operation keys 5183, speaker 5184, shutter button 5185, image receiving unit 518
6, including antenna 5187 and the like. The digital camera with a television receiver shown in FIG. 59(H) has a function of taking a still image. It has a function to shoot movies. It has a function to automatically correct the captured image. It has a function to acquire various information from the antenna. It has a function to save captured images or information obtained from the antenna. It has a function of displaying a captured image or information obtained from an antenna on the display unit. Note that the functions of the digital camera with television receiver shown in FIG. 59(H) are not limited to this, and can have various functions.

図59(A)乃至(E)に示したように、本発明に係る電子機器は、何らかの情報を表示
するための表示部を有することを特徴とする。本発明に係る電子機器は、データが重複し
ている場合に該データをメモリに格納することで回路の動作頻度を減少させることができ
るので、消費電力が小さく、長時間の電池駆動が可能である。
次に、本発明に係る表示装置の応用例について説明する。
As shown in FIGS. 59A to 59E, the electronic equipment according to the present invention is characterized by having a display section for displaying some information. The electronic device according to the present invention can reduce the frequency of circuit operation by storing duplicated data in the memory, so that power consumption is low and battery operation can be performed for a long time. be.
Next, application examples of the display device according to the present invention will be described.

図60に、本発明に係る表示装置を建造物と一体にして設けた例について示す。図60
は、筐体5200、表示パネル5201、スピーカー部5202等を含む建造物を示して
いる。なお、5203は、表示パネル5201を操作するためのリモコン装置である。
FIG. 60 shows an example in which the display device according to the present invention is integrated with a building. Figure 60
shows a building including a housing 5200, a display panel 5201, a speaker portion 5202, and the like. Note that 5203 is a remote controller for operating the display panel 5201 .

表示パネル5201には上記実施の形態に記載した画素が用いられている。本発明によ
り視野角特性に優れた表示品位の高い表示パネルを得ることができる。なお、また、画素
部を構成するトランジスタに同一導電型のトランジスタやトランジスタの半導体層に非晶
質半導体を用いることで低コスト化を図ることもできる。
The pixel described in the above embodiment mode is used for the display panel 5201 . According to the present invention, a display panel with excellent viewing angle characteristics and high display quality can be obtained. Further, cost reduction can be achieved by using a transistor of the same conductivity type as a transistor constituting a pixel portion or using an amorphous semiconductor for a semiconductor layer of the transistor.

図60に示す表示装置は、構造物と一体にして設けられているため、スペースを広く必
要とすることなく設置することができる。
Since the display device shown in FIG. 60 is provided integrally with the structure, it can be installed without requiring a large space.

図61に、本発明に係る表示装置を建造物と一体にして設けた他の例について示す。表
示パネル5301は、ユニットバス5302と一体にして取り付けられており、入浴者は
入浴しながら表示パネル5301の視聴が可能となる。表示パネル5301には入浴者が
操作することで情報を表示することができる。そのため、広告や娯楽手段として利用でき
る機能を有する。
FIG. 61 shows another example in which the display device according to the present invention is integrated with a building. The display panel 5301 is attached integrally with the unit bath 5302, and the bather can view the display panel 5301 while taking a bath. Information can be displayed on the display panel 5301 by being operated by the bather. Therefore, it has a function that can be used as an advertisement or entertainment means.

表示パネル5301には上記実施の形態に記載した画素が用いられている。本発明によ
り視野角特性に優れた表示品位の高い表示パネルを得ることができる。なお、また、画素
部を構成するトランジスタに同一導電型のトランジスタやトランジスタの半導体層に非晶
質半導体を用いることで低コスト化を図ることもできる。
The pixel described in the above embodiment mode is used for the display panel 5301 . According to the present invention, a display panel with excellent viewing angle characteristics and high display quality can be obtained. Further, cost reduction can be achieved by using a transistor of the same conductivity type as a transistor constituting a pixel portion or using an amorphous semiconductor for a semiconductor layer of the transistor.

なお、本発明に係る表示装置は、図61で示したユニットバス5302の側壁だけでは
なく、様々な場所と一体に設けることができる。たとえば、鏡面の一部や浴槽自体と一体
に設けられていても良い。また、表示装置の形状は、鏡面や浴槽の形状に合わせたものと
なっていてもよい。
It should be noted that the display device according to the present invention can be integrally provided not only on the side wall of the unit bus 5302 shown in FIG. 61 but also in various places. For example, it may be provided integrally with a part of the mirror surface or the bathtub itself. Further, the shape of the display device may be adapted to the mirror surface or the shape of the bathtub.

図62に、本発明に係る表示装置を、建造物と一体にして設けた他の例について示す。
図62において、表示パネル5402は柱状体5401の曲面に合わせて湾曲されている
。ここでは、柱状体5401を電柱として説明する。
FIG. 62 shows another example in which the display device according to the present invention is integrated with a building.
In FIG. 62, the display panel 5402 is curved according to the curved surface of the columnar body 5401 . Here, the columnar body 5401 will be described as a utility pole.

図62に示す表示パネル5402は、人間の視点より高い位置に設けられている。電柱
のように屋外で繰り返し林立している建造物に表示パネル5402を設置することで、不
特定多数の視認者に対し表示パネル5402を介して情報を提供することができる。その
ため、表示パネルを広告として利用することが適している。また、表示パネル5402は
、外部からの制御により同じ画像を表示させること、また瞬時に画像を切替えることが容
易であるため、極めて効率的な情報表示及び広告効果が期待できる。また、表示パネル5
402に自発光型の表示素子を設けることで、夜間であっても視認性の高い表示媒体とし
て有用であるといえる。また、表示パネル5402を電柱に設置することで表示パネル5
402の電力供給手段の確保が容易である。また、災害発生時などの非常事態の際には、
被災者に素早く正確な情報を伝達する手段ともなり得る。
A display panel 5402 shown in FIG. 62 is provided at a position higher than the human viewpoint. Information can be provided to an unspecified number of viewers through the display panel 5402 by installing the display panel 5402 on a building such as a utility pole that repeatedly stands outdoors. Therefore, it is suitable to use the display panel as an advertisement. In addition, since the display panel 5402 can easily display the same image by external control and can instantly switch images, extremely efficient information display and advertising effects can be expected. Also, the display panel 5
It can be said that providing a self-luminous display element in 402 is useful as a display medium with high visibility even at night. In addition, by installing the display panel 5402 on a utility pole, the display panel 5
It is easy to secure the power supply means 402 . In the event of an emergency such as a disaster,
It can also serve as a means of quickly transmitting accurate information to disaster victims.

表示パネル5402には上記実施の形態に記載した画素が用いられている。本発明によ
り視野角特性に優れた表示品位の高い表示パネルを得ることができる。なお、また、画素
部を構成するトランジスタに同一導電型のトランジスタやトランジスタの半導体層に非晶
質半導体を用いることで低コスト化を図ることもできる。また、フィルム状の基板に設け
られた有機トランジスタを用いても良い。
The pixel described in the above embodiment mode is used for the display panel 5402 . According to the present invention, a display panel with excellent viewing angle characteristics and high display quality can be obtained. Further, cost reduction can be achieved by using a transistor of the same conductivity type as a transistor constituting a pixel portion or using an amorphous semiconductor for a semiconductor layer of the transistor. Alternatively, an organic transistor provided over a film-like substrate may be used.

なお、本実施形態では本発明の表示装置と一体にした建造物として壁、ユニットバス、
柱状体を例示したが、他の様々な建造物にも設けることが可能である。
In this embodiment, a wall, a unit bath, and a building integrated with the display device of the present invention
Although a columnar body is illustrated, it can be provided in various other buildings.

次に、本発明に係る表示装置を、移動物と一体にして設けた例について示す。 Next, an example in which the display device according to the present invention is integrated with a moving object will be described.

図63は、本発明に係る表示装置を自動車と一体にして設けた例について示した図であ
る。表示パネル5502は、自動車の車体5501と一体にして設けられており、車体の
動作や車体内外から入力される情報をオンデマンドに表示することができる。また、表示
パネル5502はナビゲーション機能を有していてもよい。
FIG. 63 is a diagram showing an example in which a display device according to the present invention is integrated with an automobile. The display panel 5502 is provided integrally with the vehicle body 5501 of the automobile, and can display the operation of the vehicle body and information input from inside and outside the vehicle body on demand. Also, the display panel 5502 may have a navigation function.

表示パネル5502には上記実施の形態に記載した画素が用いられている。本発明によ
り視野角特性に優れた表示品位の高い表示パネルを得ることができる。なお、また、画素
部を構成するトランジスタに同一導電型のトランジスタやトランジスタの半導体層に非晶
質半導体を用いることで低コスト化を図ることもできる。
The pixel described in the above embodiment mode is used for the display panel 5502 . According to the present invention, a display panel with excellent viewing angle characteristics and high display quality can be obtained. Further, cost reduction can be achieved by using a transistor of the same conductivity type as a transistor constituting a pixel portion or using an amorphous semiconductor for a semiconductor layer of the transistor.

なお、本発明に係る表示装置は、図63で示した車体5501だけではなく、様々な場
所に設けることができる。たとえば、ガラス窓、ドア、ハンドル、シフトレバー、座席シ
ート、ルームミラー等と一体にして設けてもよい。このとき、表示パネル5502の形状
は、設置するものの形状に合わせたものとなっていてよい。
It should be noted that the display device according to the present invention can be provided not only in the vehicle body 5501 shown in FIG. 63, but also in various places. For example, it may be provided integrally with a glass window, door, steering wheel, shift lever, seat, room mirror, or the like. At this time, the shape of the display panel 5502 may be adapted to the shape of the object to be installed.

図64は、本発明に係る表示装置を列車車両と一体にして設けた例について示した図で
ある。
FIG. 64 is a diagram showing an example in which a display device according to the present invention is integrated with a train car.

図64(a)は、列車車両のドア5601のガラスに表示パネル5602を設けた例に
ついて示した図である。従来の紙による広告に比べて、広告切替えの際に必要となる人件
費がかからないという利点がある。また、表示パネル5602は、外部からの信号により
表示部で表示される画像の切り替えを瞬時に行なうことが可能であるため、たとえば電車
の乗降客の客層が入れ替わる時間帯ごとに表示パネルの画像を切り替えることができる。
このように画像の切り替えを瞬時に行うことで、より効果的な広告効果が期待できる。
FIG. 64(a) is a diagram showing an example in which a display panel 5602 is provided on the glass of a door 5601 of a train car. Compared to conventional paper advertisements, there is an advantage in that there is no labor cost required when switching advertisements. In addition, since the display panel 5602 can instantaneously switch the image displayed on the display unit in response to a signal from the outside, the image on the display panel can be changed, for example, for each time period when the passenger class of passengers on a train changes. You can switch.
By instantaneously switching images in this way, a more effective advertising effect can be expected.

図64(b)は、列車車両のドア5601のガラスの他に、ガラス窓5603及び天井
5604に表示パネル5602を設けた例について示した図である。このように、本発明
に係る表示装置は、従来では設置が困難であった場所に容易に設けることが可能であるた
め、効果的な広告効果を得ることができる。また、本発明に係る表示装置は、外部からの
信号により表示部で表示される画像の切り替えを瞬時に行なうことが可能であるため、広
告切替え時に生じていたコストや時間を削減でき、より柔軟な広告の運用および情報伝達
が可能となる。
FIG. 64(b) is a diagram showing an example in which a display panel 5602 is provided on a glass window 5603 and a ceiling 5604 in addition to the glass of the door 5601 of the train car. As described above, the display device according to the present invention can be easily installed in a place where installation was conventionally difficult, so that effective advertising effects can be obtained. In addition, the display device according to the present invention can instantaneously switch images displayed on the display unit in response to a signal from the outside. Advertisement operation and information transmission become possible.

なお、図64に示す表示パネル5602には上記実施の形態に記載した画素が用いられ
ている。本発明により視野角特性に優れた表示品位の高い表示パネルを得ることができる
。なお、また、画素部を構成するトランジスタに同一導電型のトランジスタやトランジス
タの半導体層に非晶質半導体を用いることで低コスト化を図ることもできる。
Note that the pixels described in the above embodiment modes are used for the display panel 5602 shown in FIG. According to the present invention, a display panel with excellent viewing angle characteristics and high display quality can be obtained. Further, cost reduction can be achieved by using a transistor of the same conductivity type as a transistor constituting a pixel portion or using an amorphous semiconductor for a semiconductor layer of the transistor.

また、本発明に係る表示装置は、上記に限らず、様々な場所に設けることができる。た
とえば、つり革、座席シート、てすり、床等と本発明に係る表示装置を一体にして設けて
もよい。このとき、表示パネル5602の形状は、設置するものの形状に合わせたものと
なっていてもよい。
Moreover, the display device according to the present invention is not limited to the above, and can be provided in various places. For example, a strap, a seat, a handrail, a floor, etc., and the display device according to the present invention may be provided integrally. At this time, the shape of the display panel 5602 may be adapted to the shape of the object to be installed.

図65は、本発明に係る表示装置を、旅客用飛行機と一体にして設けた例について示し
た図である。
FIG. 65 is a diagram showing an example in which the display device according to the present invention is integrated with a passenger airplane.

図65(a)は、旅客用飛行機の座席上部の天井5701に表示パネル5702を設け
たときの使用時の形状について示した図である。表示パネル5702は、ヒンジ部570
3を介して天井5701と一体にして設けられており、ヒンジ部5703の伸縮により乗
客は所望の位置での表示パネル5702の視聴が可能となる。表示パネル5702は乗客
が操作することで情報を表示することができる。そのため、広告や娯楽手段として利用で
きる機能を有する。また、図65(b)に示すように、ヒンジ部を折り曲げて天井570
1に格納することにより、離着陸時の安全に配慮することができる。なお、緊急時に表示
パネル5702の表示素子を点灯させることで、情報伝達手段および誘導灯としても利用
可能である。
FIG. 65(a) is a diagram showing the shape during use when a display panel 5702 is provided on the ceiling 5701 above the seat of a passenger airplane. Display panel 5702 includes hinge portion 570
The display panel 5702 is provided integrally with the ceiling 5701 via the hinge 5703, and the passenger can view the display panel 5702 at a desired position by expanding and contracting the hinge portion 5703. FIG. The display panel 5702 can display information by being operated by the passenger. Therefore, it has a function that can be used as an advertisement or entertainment means. Also, as shown in FIG. 65(b), the hinge portion is bent to
By storing it in 1, it is possible to consider safety during takeoff and landing. Note that by lighting the display element of the display panel 5702 in an emergency, the display panel 5702 can be used as an information transmission means and a guide light.

なお、図65に示す表示パネル5702には上記実施の形態に記載した画素が用いられ
ている。本発明により視野角特性に優れた表示品位の高い表示パネルを得ることができる
。なお、また、画素部を構成するトランジスタに同一導電型のトランジスタやトランジス
タの半導体層に非晶質半導体を用いることで低コスト化を図ることもできる。
Note that the pixel described in the above embodiment mode is used for the display panel 5702 shown in FIG. According to the present invention, a display panel with excellent viewing angle characteristics and high display quality can be obtained. Further, cost reduction can be achieved by using a transistor of the same conductivity type as a transistor constituting a pixel portion or using an amorphous semiconductor for a semiconductor layer of the transistor.

なお、本発明に係る表示装置は、図65で示した天井5701だけではなく、様々な場
所と一体に設けることができる。たとえば、座席シート、座席テーブル、肘掛、窓等と一
体にして設けてもよい。また、多数の人が同時に視聴できる大型の表示パネルを、機体の
壁に設置してもよい。このとき、表示パネル5702の形状は、設置するものの形状に合
わせたものとなっていてよい。
It should be noted that the display device according to the present invention can be provided integrally with various places in addition to the ceiling 5701 shown in FIG. For example, it may be provided integrally with a seat, a seat table, an armrest, a window, or the like. Also, a large display panel that can be viewed by many people at the same time may be installed on the wall of the fuselage. At this time, the shape of the display panel 5702 may be adapted to the shape of the object to be installed.

なお、本実施形態において、移動体として電車車両本体、自動車車体、飛行機車体につ
いて例示したがこれらに限定されず、自動二輪車、自動四輪車(自動車、バス等を含む)
、電車(モノレール、鉄道等を含む)、船舶等の様々なものを適用することができる。本
発明に係る表示装置は、外部からの信号により、移動体内における表示パネルの表示を瞬
時に切り替えることが可能であるため、移動体に本発明に係る表示装置を設置することに
より移動体を不特定多数の顧客を対象とした広告表示板、災害発生時の情報表示板等の用
途に用いることが可能となる。
In the present embodiment, a train car body, a car body, and an airplane body are exemplified as moving bodies.
, trains (including monorails, railroads, etc.), ships, and the like. Since the display device according to the present invention can instantaneously switch the display of the display panel in the moving object by a signal from the outside, the display device according to the present invention can be installed in the moving object to make the moving object invisible. It can be used for applications such as an advertisement display board for a specific number of customers and an information display board in the event of a disaster.

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容(
一部でもよい)は、別の図で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。
In the present embodiment, descriptions have been made using various diagrams, but the contents described in each diagram (
may be part of it) shall apply, combine, or
Alternatively, replacement can be freely performed. Furthermore, in the figures described so far, more figures can be configured by combining each part with another part.

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容(一部でもよい)は、別の実施の形態およ
び実施例の図で述べた内容(一部でもよい)に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関し
て、別の実施の形態および実施例の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構
成させることが出来る。
Similarly, the content (may be part of) described in each figure of this embodiment is applied or combined with the content (may be part of) described in the figures of other embodiments and examples. , or can be freely replaced. Furthermore, in the drawings of this embodiment, more drawings can be formed by combining parts of other embodiments and examples with respect to each part.

なお、本実施の形態は、他の実施の形態および実施例で述べた内容(一部でもよい)を、
具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した
場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての
一例などを示している。したがって、他の実施の形態および実施例で述べた内容は、本実
施の形態への適用、組み合わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
In this embodiment, the contents (or part of them) described in other embodiments and examples are
Example of implementation, example of slight modification, example of partial change, example of improvement, example of detailed description, example of application, example of related parts etc. Therefore, the contents described in other embodiments and examples can be freely applied to, combined with, or replaced with this embodiment.

11 ノード
30 TFT
3a 走査線
6a データ線(信号線)
100 配線
111 スイッチ
112 スイッチ
113 スイッチ
114 第1の抵抗
115 第2の抵抗
116 信号線
117 走査線
118 共通電極
119 Cs線
121 第1の液晶素子
122 第2の液晶素子
131 第1の保持容量
132 第2の保持容量
141 ノード
142 ノード
211 第1のトランジスタ
212 第2のトランジスタ
213 第3のトランジスタ
313 第3のトランジスタ
414 トランジスタ
511 信号線駆動回路
512 走査線駆動回路
513 画素部
514 画素
614 トランジスタ
800 ノード
801 ユニット
814 トランジスタ
823 液晶素子
833 保持容量
116a 信号線
117a 走査線
119a Cs線
1200 画素
1219 電位供給線
1300 信号線切り替え回路
1316 配線
1319 配線
1400 ユニット
1401 インバータ
1402 配線
1402 配線
1403 配線
1404 トランジスタ
1405 トランジスタ
1406 トランジスタ
1407 トランジスタ
1430 配線
1601 第3の保持容量
1701 第3の保持容量
1801 第3の保持容量
1802 ノード
1803 ノード
1804 トランジスタ
1901 保持容量
1902 ノード
900a サブ画素
900b サブ画素
1000a サブ画素
1000b サブ画素
1100a サブ画素
1100b サブ画素
11 node 30 TFT
3a scanning line 6a data line (signal line)
100 Wiring 111 Switch 112 Switch 113 Switch 114 First resistor 115 Second resistor 116 Signal line 117 Scanning line 118 Common electrode 119 Cs line 121 First liquid crystal element 122 Second liquid crystal element 131 First holding capacitor 132 Second 2 storage capacitor 141 node 142 node 211 first transistor 212 second transistor 213 third transistor 313 third transistor 414 transistor 511 signal line driver circuit 512 scanning line driver circuit 513 pixel portion 514 pixel 614 transistor 800 node 801 Unit 814 Transistor 823 Liquid Crystal Element 833 Holding Capacitor 116a Signal Line 117a Scanning Line 119a Cs Line 1200 Pixel 1219 Potential Supply Line 1300 Signal Line Switching Circuit 1316 Wiring 1319 Wiring 1400 Unit 1401 Inverter 1402 Wiring 1402 Wiring 1403 Wiring 1404 Transistor 1405 Transistor 1406 Transistor 1407 Transistor 1430 Wiring 1601 Third storage capacitor 1701 Third storage capacitor 1801 Third storage capacitor 1802 Node 1803 Node 1804 Transistor 1901 Storage capacitor 1902 Node 900a Sub-pixel 900b Sub-pixel 1000a Sub-pixel 1000b Sub-pixel 1100a Sub-pixel 1100b Sub-pixel

Claims (6)

画素を有し、
前記画素は、
スイッチと、
第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第1の液晶素子と、
第2の液晶素子と、を有し、
前記第1の液晶素子は、第1の画素電極を有し、
前記第2の液晶素子は、第2の画素電極を有し、
前記スイッチの一方の端子は、前記第1の画素電極と常に導通し、
前記スイッチの他方の端子は、ソース線と常に導通し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2の画素電極と常に導通し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と常に導通し、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第1の配線と常に導通し、
前記スイッチのオン・オフは、ゲート線により制御され、
前記ゲート線は、前記第1のトランジスタのゲートとして機能する領域を有し、
前記ゲート線は、前記第2のトランジスタのゲートとして機能する領域を有し、
前記第1の画素電極には、前記ソース線の電位が供給され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方には、前記ソース線の電位が供給され、
前記第2の画素電極には、前記第1のトランジスタのオン抵抗の大きさと、前記第2のトランジスタのオン抵抗の大きさと、に基づいて、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方の電位と、前記第1の配線の電位との電位差を分割して得られた電位が供給され、
前記第1のトランジスタのチャネル長に対するチャネル幅の割合は、前記第2のトランジスタのチャネル長に対するチャネル幅の割合よりも大きく、
前記第1の画素電極は、透光性を有し、
前記第2の画素電極は、透光性を有する透過型液晶表示装置。
has a pixel,
The pixels are
a switch;
a first transistor;
a second transistor;
a first liquid crystal element;
a second liquid crystal element;
The first liquid crystal element has a first pixel electrode,
The second liquid crystal element has a second pixel electrode,
one terminal of the switch is always conductive with the first pixel electrode;
the other terminal of the switch is in constant conduction with the source line;
one of the source and the drain of the first transistor is always conductive with the second pixel electrode;
one of the source or drain of the first transistor is always conductive with one of the source or drain of the second transistor;
the other of the source and the drain of the second transistor is always conductive with the first wiring;
ON/OFF of the switch is controlled by a gate line,
the gate line has a region functioning as a gate of the first transistor;
the gate line has a region functioning as a gate of the second transistor;
The potential of the source line is supplied to the first pixel electrode,
The potential of the source line is supplied to the other of the source and the drain of the first transistor,
The potential of the other of the source or the drain of the first transistor is applied to the second pixel electrode based on the magnitude of the on-resistance of the first transistor and the magnitude of the on-resistance of the second transistor. and a potential obtained by dividing the potential difference from the potential of the first wiring,
the ratio of the channel width to the channel length of the first transistor is greater than the ratio of the channel width to the channel length of the second transistor;
the first pixel electrode has translucency,
The transmissive liquid crystal display device, wherein the second pixel electrode is translucent.
画素を有し、
前記画素は、
スイッチと、
第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第1の液晶素子と、
第2の液晶素子と、を有し、
前記第1の液晶素子は、第1の画素電極を有し、
前記第2の液晶素子は、第2の画素電極を有し、
前記スイッチの一方の端子は、前記第1の画素電極と常に導通し、
前記スイッチの他方の端子は、ソース線と常に導通し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2の画素電極と常に導通し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と常に導通し、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第1の配線と常に導通し、
前記スイッチのオン・オフは、ゲート線により制御され、
前記ゲート線は、前記第1のトランジスタのゲートとして機能する領域を有し、
前記ゲート線は、前記第2のトランジスタのゲートとして機能する領域を有し、
前記スイッチがオン状態であり、前記第1のトランジスタがオン状態であり、かつ前記第2のトランジスタがオン状態であるとき、
前記第1の画素電極には、前記ソース線の電位が供給され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方には、前記ソース線の電位が供給され、
かつ前記第2の画素電極には、前記第1のトランジスタのオン抵抗の大きさと、前記第2のトランジスタのオン抵抗の大きさと、に基づいて、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方の電位と、前記第1の配線の電位との電位差を分割して得られた電位が供給され、
前記第1のトランジスタのチャネル長に対するチャネル幅の割合は、前記第2のトランジスタのチャネル長に対するチャネル幅の割合よりも大きく、
前記第1の画素電極は、透光性を有し、
前記第2の画素電極は、透光性を有する透過型液晶表示装置。
has a pixel,
The pixels are
a switch;
a first transistor;
a second transistor;
a first liquid crystal element;
a second liquid crystal element;
The first liquid crystal element has a first pixel electrode,
The second liquid crystal element has a second pixel electrode,
one terminal of the switch is always conductive with the first pixel electrode;
the other terminal of the switch is in constant conduction with the source line;
one of the source and the drain of the first transistor is always conductive with the second pixel electrode;
one of the source or drain of the first transistor is always conductive with one of the source or drain of the second transistor;
the other of the source and the drain of the second transistor is always conductive with the first wiring;
ON/OFF of the switch is controlled by a gate line,
the gate line has a region functioning as a gate of the first transistor;
the gate line has a region functioning as a gate of the second transistor;
when the switch is on, the first transistor is on, and the second transistor is on;
The potential of the source line is supplied to the first pixel electrode,
The potential of the source line is supplied to the other of the source and the drain of the first transistor,
Further, the second pixel electrode is provided with the other of the source or the drain of the first transistor based on the magnitude of the on-resistance of the first transistor and the magnitude of the on-resistance of the second transistor. a potential obtained by dividing a potential difference between the potential and the potential of the first wiring is supplied;
the ratio of the channel width to the channel length of the first transistor is greater than the ratio of the channel width to the channel length of the second transistor;
The first pixel electrode has translucency,
The transmissive liquid crystal display device, wherein the second pixel electrode is translucent.
請求項1または2において、
導電層が設けられ、
前記導電層は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方として機能する領域を有し、かつ前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方として機能する領域を有する透過型液晶表示装置。
In claim 1 or 2,
A conductive layer is provided,
The transmissive liquid crystal display device, wherein the conductive layer has a region functioning as one of the source and drain of the first transistor, and has a region functioning as one of the source and drain of the second transistor.
請求項3において、
前記導電層は、前記第2の画素電極と接する領域を有する透過型液晶表示装置。
In claim 3,
The transmissive liquid crystal display device, wherein the conductive layer has a region in contact with the second pixel electrode.
請求項1乃至4のいずれか一において、
前記第1の配線は、電位供給線として機能する透過型液晶表示装置。
In any one of claims 1 to 4,
The transmissive liquid crystal display device, wherein the first wiring functions as a potential supply line.
請求項1乃至5のいずれか一に記載の透過型液晶表示装置を有する電子機器。 An electronic device comprising the transmissive liquid crystal display device according to claim 1 .
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005010282A (en) 2003-06-17 2005-01-13 Mitsubishi Electric Corp Image display device
JP2005062882A (en) 2003-08-13 2005-03-10 Samsung Electronics Co Ltd Multi-domain liquid crystal display device and display plate used for the same
KR100492730B1 (en) 2002-12-30 2005-06-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Quad type liquid crystal display device with minimum lines
WO2006038598A1 (en) 2004-10-06 2006-04-13 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
JP2006133577A (en) 2004-11-08 2006-05-25 Sharp Corp Substrate for liquid crystal display device, and liquid crystal display device equipped with same, and method for driving the liquid crystal display device
CN1866087A (en) 2005-11-30 2006-11-22 友达光电股份有限公司 Single-gap transflective liquid crystal display panel and its optical characteristic improving method
JP2006343733A (en) 2005-06-07 2006-12-21 Au Optronics Corp Transflective liquid crystal display and improvement method for display image quality of transflective liquid crystal display
JP2007034270A (en) 2005-07-21 2007-02-08 Samsung Electronics Co Ltd Array substrate and display device having the same
US20070058123A1 (en) 2005-09-15 2007-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display
JP2007114778A (en) 2005-10-17 2007-05-10 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor display plate

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100492730B1 (en) 2002-12-30 2005-06-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Quad type liquid crystal display device with minimum lines
JP2005010282A (en) 2003-06-17 2005-01-13 Mitsubishi Electric Corp Image display device
JP2005062882A (en) 2003-08-13 2005-03-10 Samsung Electronics Co Ltd Multi-domain liquid crystal display device and display plate used for the same
WO2006038598A1 (en) 2004-10-06 2006-04-13 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
JP2006133577A (en) 2004-11-08 2006-05-25 Sharp Corp Substrate for liquid crystal display device, and liquid crystal display device equipped with same, and method for driving the liquid crystal display device
JP2006343733A (en) 2005-06-07 2006-12-21 Au Optronics Corp Transflective liquid crystal display and improvement method for display image quality of transflective liquid crystal display
JP2007034270A (en) 2005-07-21 2007-02-08 Samsung Electronics Co Ltd Array substrate and display device having the same
US20070058123A1 (en) 2005-09-15 2007-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display
JP2007114778A (en) 2005-10-17 2007-05-10 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor display plate
CN1866087A (en) 2005-11-30 2006-11-22 友达光电股份有限公司 Single-gap transflective liquid crystal display panel and its optical characteristic improving method

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