JP7211049B2 - Composite laminate - Google Patents

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Description

本発明は、複合積層体に関する。 The present invention relates to composite laminates.

金属箔と絶縁層を有する積層体は、金属箔をエッチングによって加工することによってプリント配線板として用いられる。
プリント配線板に電子部品を安定して実装するためには、実装時に生じるプリント配線板の反りの抑制が重要になる。プリント配線板の反りを抑制するためには、積層体の寸法安定性が重要になる。
寸法安定性に優れた絶縁層の材料としてガラスが挙げられる。しかし、ガラス基材と金属箔とを直接接着する場合、金属のスパッタやメッキ処理が必要でありコストと時間がかかる。ガラス基材と金属箔を容易に積層する方法として、接着層を介して積層する方法が挙げられる。例えば、ガラスフィルムと、エポキシ樹脂及び銅箔からなる銅張積層板とを積層したものが提案されている(特許文献1)。
しかし、特許文献1に記載の積層体は、電気特性が不充分であり、前記積層体を用いた半導体パッケージやプリント配線板は、高周波帯域の周波数に充分に対応できない。
A laminate having a metal foil and an insulating layer is used as a printed wiring board by etching the metal foil.
In order to stably mount an electronic component on a printed wiring board, it is important to suppress warpage of the printed wiring board that occurs during mounting. Dimensional stability of the laminate is important for suppressing warpage of the printed wiring board.
Glass is an example of an insulating layer material having excellent dimensional stability. However, when the glass base material and the metal foil are directly bonded, metal sputtering or plating is required, which is costly and time consuming. As a method for easily laminating a glass substrate and a metal foil, there is a method of laminating via an adhesive layer. For example, a laminate of a glass film and a copper-clad laminate made of epoxy resin and copper foil has been proposed (Patent Document 1).
However, the laminate described in Patent Document 1 has insufficient electrical properties, and a semiconductor package or printed wiring board using the laminate cannot sufficiently cope with frequencies in the high frequency band.

また、比誘電率及び誘電正接が小さい等の電気特性に優れたフルオロポリマーを絶縁層として用い、銅箔からなる銅張積層板と積層したものが提案されている(特許文献2)。
しかし、特許文献2に記載の積層体は、樹脂層とガラス基板との線膨張係数を揃えて寸法安定性を高めるために、フルオロポリマー層よりも厚いポリイミド層をフルオロポリマー層と積層させている。比誘電率および誘電正接が大きいポリイミドが樹脂層の大半を占めるため、電気特性は劣る。
Also, a fluoropolymer having excellent electrical properties such as a small dielectric constant and a small dielectric loss tangent is used as an insulating layer and laminated with a copper-clad laminate made of copper foil (Patent Document 2).
However, in the laminate described in Patent Document 2, a polyimide layer thicker than the fluoropolymer layer is laminated with the fluoropolymer layer in order to improve the dimensional stability by matching the linear expansion coefficients of the resin layer and the glass substrate. . Since polyimide, which has a large dielectric constant and dielectric loss tangent, occupies most of the resin layer, the electrical properties are poor.

特表2004-512667号公報Japanese Patent Publication No. 2004-512667 特開2011-011457号公報JP 2011-011457 A

絶縁層として誘電正接の小さいガラス基板を用いれば、樹脂層が無くても優れた電気特性が得られる。誘電正接の小さいガラスとして石英ガラス等が挙げられるが、誘電正接の小さなガラスは、一般には非常に高価であり使用できる状況が限定されるとともに、大きな基板の製造が困難であるなど製造上の問題もある。
誘電正接があまり小さくないガラス基板を用いても厚いフルオロポリマー層をガラス基板上に設ければ電気特性は改善できる。しかし、ガラス基板および金属層との線膨張係数の差により、ガラス基板とフルオロポリマー層との界面だけでなくフルオロポリマー層と金属層との界面でも剥離が生じやすくなる。また、寸法安定性を重視してフルオロポリマー層を薄くすると、電気特性の改善効果は限定的となる。
すなわち、本発明者らはプリント配線を支持する積層体において、積層体に真に求められる誘電特性を得るためには、使用される材料として誘電特性に優れたものを選択すればよいわけではなく、使用される材料の厚さを調整すればよいわけでもないことを見出した。
If a glass substrate with a small dielectric loss tangent is used as the insulating layer, excellent electrical properties can be obtained without the resin layer. Glass with a small dielectric loss tangent includes quartz glass, etc. However, glass with a small dielectric loss tangent is generally very expensive, limiting the situations in which it can be used, and also presents manufacturing problems such as the difficulty of manufacturing large substrates. There is also
Even if a glass substrate whose dielectric loss tangent is not so small is used, the electrical properties can be improved by providing a thick fluoropolymer layer on the glass substrate. However, due to the difference in coefficient of linear expansion between the glass substrate and the metal layer, separation is likely to occur not only at the interface between the glass substrate and the fluoropolymer layer but also at the interface between the fluoropolymer layer and the metal layer. In addition, if the fluoropolymer layer is made thinner with an emphasis on dimensional stability, the effect of improving electrical properties is limited.
That is, the inventors of the present invention have found that in order to obtain the dielectric properties that are truly required for the laminate supporting the printed wiring, it is not enough to select a material having excellent dielectric properties as the material to be used. , found that it is not necessary to adjust the thickness of the material used.

本発明は、ガラス基板とテトラフルオロエチレン系ポリマーを含む樹脂層とを絶縁層とし、寸法安定性に優れ、電気特性にも優れる複合積層体を提供する。 The present invention provides a composite laminate having excellent dimensional stability and excellent electrical properties by using a glass substrate and a resin layer containing a tetrafluoroethylene-based polymer as insulating layers.

本発明は、下記の態様を有する。
[1]ガラス基板と、前記ガラス基板の少なくとも一方の面に当接した樹脂層とを備えたガラス/樹脂積層体と、前記ガラス/樹脂積層体の樹脂層に当接した金属層と、を有する複合積層体であって、前記ガラス基板の樹脂層が当接した表面の算術平均粗さRaが1.0μm以下であり、前記樹脂層がテトラフルオロエチレン系ポリマーを含み、前記ガラス基板の厚さが50~5000μmであり、前記樹脂層の厚さが1~100μmであり、前記金属層の厚さが1~40μmである、複合積層体。
[2]下式(1)で得られ、前記ガラス基板の両面に当接した樹脂層を備えた前記ガラス/樹脂積層体の誘電特性Lが0.001~0.020である、[1]に記載の複合積層体。
誘電特性L=(tanδ1×t1+8×tanδ2×t21)/(t1+4×t21) 式(1)
(ただし、式中のtanδ1はガラス基板を構成するガラスの28GHzにおける誘電正接、t1はガラス基板の厚さ[μm]、tanδ2は樹脂層を構成する樹脂の28GHzにおける誘電正接、t21はガラス基板の両面に当接したそれぞれの樹脂層の合計の厚さ[μm]である)
[3]下式(2)で得られ、前記ガラス基板の片面に当接した樹脂層を備えた前記ガラス/樹脂積層体の誘電特性Lが0.001~0.020である、[1]に記載の複合積層体。
誘電特性L=(tanδ1×t1+55×tanδ2×t22)/(t1+11×t22) 式(2)
(ただし、式中のtanδ1はガラス基板を構成するガラスの28GHzにおける誘電正接、t1はガラス基板の厚さ[μm]、tanδ2は樹脂層を構成する樹脂の28GHzにおける誘電正接、t22はガラス基板の片面に当接した樹脂層の厚さ[μm]である)
[4]前記ガラス基板を構成するガラスの28GHzで測定したときの誘電正接が0.001~0.02である、[1]~[3]のいずれかに記載の複合積層体。
[5]前記ガラス基板の厚さが200~600μmであり、前記樹脂層の厚さが20~80μmである、[1]~[4]のいずれかに記載の複合積層体。
[6]前記樹脂層が、テトラフルオロエチレン系ポリマーの押出フィルムからなる、[1]~[5]のいずれかに記載の複合積層体。
[7]前記テトラフルオロエチレン系ポリマーが、0.1~5.0MPaの貯蔵弾性率を示す温度領域を260℃以下に有し、融点が260℃超である、[1]~[6]のいずれかに記載の複合積層体。
[8]前記テトラフルオロエチレン系ポリマーが、テトラフルオロエチレンに基づく単位と、ペルフルオロ(アルキルビニルエーテル)、ヘキサフルオロプロピレン及びフルオロアルキルエチレンからなる群から選ばれる少なくとも1種のモノマーに基づく単位とを有する、[1]~[7]のいずれかに記載の複合積層体。
[9]前記テトラフルオロエチレン系ポリマーが、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基、アミド基、アミノ基及びイソシアネート基からなる群から選ばれる少なくとも1種の官能基を有する、[1]~[8]のいずれかに記載の複合積層体。
[10]前記金属層の、樹脂層と接する側の最大高さ粗さRzが7.0μm以下である、[1]~[9]のいずれかに記載の複合積層体。
[11]前記ガラス基板と前記樹脂層との界面の剥離強度が5N/cm以上であり、前記樹脂層の比誘電率が2.0~3.5である、[1]~[10]のいずれかに記載の複合積層体。
[12]前記金属層がパターニングされている、[1]~[11]のいずれかに記載の複合積層体。
[13]アンテナである[12]に記載の複合積層体。
[14]半導体パッケージ基板である[12]に記載の複合積層体。
The present invention has the following aspects.
[1] A glass/resin laminate including a glass substrate and a resin layer in contact with at least one surface of the glass substrate; and a metal layer in contact with the resin layer of the glass/resin laminate. The composite laminate having an arithmetic mean roughness Ra of the surface of the glass substrate that is in contact with the resin layer is 1.0 μm or less, the resin layer contains a tetrafluoroethylene-based polymer, and the thickness of the glass substrate thickness is 50 to 5000 μm, the resin layer has a thickness of 1 to 100 μm, and the metal layer has a thickness of 1 to 40 μm.
[2] The dielectric property L of the glass/resin laminate obtained by the following formula (1) and provided with resin layers in contact with both surfaces of the glass substrate is 0.001 to 0.020, [1] The composite laminate according to .
Dielectric property L=(tan δ1×t1+8×tan δ2×t21)/(t1+4×t21) Equation (1)
(In the formula, tan δ1 is the dielectric loss tangent of the glass constituting the glass substrate at 28 GHz, t1 is the thickness [μm] of the glass substrate, tan δ2 is the dielectric loss tangent of the resin constituting the resin layer at 28 GHz, and t21 is the dielectric loss tangent of the glass substrate. It is the total thickness [μm] of each resin layer in contact with both surfaces)
[3] The dielectric property L of the glass/resin laminate obtained by the following formula (2) and provided with a resin layer in contact with one side of the glass substrate is 0.001 to 0.020, [1] The composite laminate according to .
Dielectric property L=(tan δ1×t1+55×tan δ2×t22)/(t1+11×t22) Equation (2)
(In the formula, tan δ1 is the dielectric loss tangent of the glass constituting the glass substrate at 28 GHz, t1 is the thickness [μm] of the glass substrate, tan δ2 is the dielectric loss tangent of the resin constituting the resin layer at 28 GHz, and t22 is the dielectric loss tangent of the glass substrate. is the thickness [μm] of the resin layer in contact with one side)
[4] The composite laminate according to any one of [1] to [3], wherein the glass constituting the glass substrate has a dielectric loss tangent of 0.001 to 0.02 when measured at 28 GHz.
[5] The composite laminate according to any one of [1] to [4], wherein the glass substrate has a thickness of 200 to 600 μm and the resin layer has a thickness of 20 to 80 μm.
[6] The composite laminate according to any one of [1] to [5], wherein the resin layer is an extruded film of a tetrafluoroethylene polymer.
[7] The tetrafluoroethylene-based polymer of [1] to [6] has a temperature range of 260° C. or less showing a storage modulus of 0.1 to 5.0 MPa and a melting point of more than 260° C. A composite laminate according to any one of the above.
[8] The tetrafluoroethylene-based polymer has units based on tetrafluoroethylene and units based on at least one monomer selected from the group consisting of perfluoro(alkyl vinyl ether), hexafluoropropylene and fluoroalkylethylene. The composite laminate according to any one of [1] to [7].
[9] The tetrafluoroethylene-based polymer has at least one functional group selected from the group consisting of a carbonyl group-containing group, a hydroxy group, an epoxy group, an amide group, an amino group and an isocyanate group, [1] to [ 8] The composite laminate according to any one of the above.
[10] The composite laminate according to any one of [1] to [9], wherein the metal layer has a maximum height roughness Rz of 7.0 μm or less on the side in contact with the resin layer.
[11] According to [1] to [10], the interface between the glass substrate and the resin layer has a peel strength of 5 N/cm or more, and the resin layer has a dielectric constant of 2.0 to 3.5. A composite laminate according to any one of the above.
[12] The composite laminate according to any one of [1] to [11], wherein the metal layer is patterned.
[13] The composite laminate according to [12], which is an antenna.
[14] The composite laminate according to [12], which is a semiconductor package substrate.

本発明の複合積層体は、寸法安定性に優れるとともに電気特性にも優れる。また、本発明の複合積層体は、容易に製造できるとともに、非常に高価なガラスを用いなくても電気特性に優れる。 The composite laminate of the present invention has excellent dimensional stability and excellent electrical properties. In addition, the composite laminate of the present invention can be easily manufactured and has excellent electrical properties without using very expensive glass.

本発明における複合積層体の一例を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing an example of a composite laminate in the present invention; FIG. 伝送損失の測定に用いたマイクロストリップラインの模式断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a microstripline used for transmission loss measurement; 伝送損失の測定に用いたコプレナーウェイブガイドの模式断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a coplanar waveguide used for transmission loss measurement.

以下の用語の定義は、本明細書及び特許請求の範囲にわたって適用される。
「算術平均粗さRa」は、JIS B 0601:2013(対応国際規格ISO 4287:1997,Amd.1:2009)に基づき測定される。算術平均粗さRaを求める際の、粗さ曲線用の基準長さlr(カットオフ値λc)は0.8mmとする。
「Ra(レーザ顕微鏡)」は、レーザ顕微鏡で測定したときの算術平均粗さRaである。Ra(レーザ顕微鏡)は、キーエンス社製のレーザ顕微鏡『VK-X』を用いて測定された値である。
「tanδ1」および「tanδ2」は、25℃、28GHzで、JIS R 1641:2007に規定されている方法に従い、空洞共振器及びベクトルネットワークアナライザを用いて測定された誘電正接の値である。
「最大高さ粗さRz」は、算術平均粗さRa同様、JIS B 0601:2013(対応国際規格ISO 4287:1997,Amd.1:2009)に基づき測定される。
「比誘電率」は、ASTM D150に準拠した変成器ブリッジ法にしたがい、温度を23℃±2℃の範囲内、相対湿度を50%±5%RHの範囲内に保持した試験環境において、絶縁破壊試験装置を用いて1MHzで求めた値である。
The following term definitions apply throughout the specification and claims.
"Arithmetic mean roughness Ra" is measured based on JIS B 0601:2013 (corresponding international standard ISO 4287:1997, Amd.1:2009). The reference length lr (cutoff value λc) for the roughness curve when obtaining the arithmetic mean roughness Ra is set to 0.8 mm.
"Ra (laser microscope)" is the arithmetic mean roughness Ra when measured with a laser microscope. Ra (laser microscope) is a value measured using a laser microscope "VK-X" manufactured by Keyence Corporation.
“tan δ1” and “tan δ2” are dielectric loss tangent values measured at 25° C. and 28 GHz using a cavity resonator and a vector network analyzer according to the method specified in JIS R 1641:2007.
The "maximum height roughness Rz" is measured based on JIS B 0601:2013 (corresponding international standard ISO 4287:1997, Amd.1:2009), like the arithmetic mean roughness Ra.
"Relative permittivity" is measured according to the transformer bridge method in accordance with ASTM D150 in a test environment where the temperature is kept within the range of 23°C ± 2°C and the relative humidity is kept within the range of 50% ± 5% RH. It is a value obtained at 1 MHz using a destructive testing device.

本発明の複合積層体は、ガラス基板の表面にテトラフルオロエチレン系ポリマー(以下、「TFE系ポリマー」とも記す。)を含む樹脂層(以下、「F樹脂層」とも記す。)を直接積層させたガラス/樹脂積層体の該F樹脂層に金属層を直接積層させた積層体である。
本発明の複合積層体の層構成としては、例えば、ガラス基板/F樹脂層/金属層、F樹脂層/ガラス基板/F樹脂層/金属層、金属層/F樹脂層/ガラス基板/F樹脂層/金属層が挙げられる。「ガラス基板/F樹脂層/金属層」とは、ガラス基板、F樹脂層、金層、がこの順に積層されていることを示し、他の層構成も同様である。
The composite laminate of the present invention is obtained by directly laminating a resin layer (hereinafter also referred to as "F resin layer") containing a tetrafluoroethylene polymer (hereinafter also referred to as "TFE polymer") on the surface of a glass substrate. It is a laminate in which a metal layer is directly laminated on the F resin layer of the glass/resin laminate.
Examples of the layer structure of the composite laminate of the present invention include glass substrate/F resin layer/metal layer, F resin layer/glass substrate/F resin layer/metal layer, and metal layer/F resin layer/glass substrate/F resin. layer/metal layer. "Glass substrate/F resin layer/metal layer" indicates that a glass substrate, an F resin layer, and a gold layer are laminated in this order, and the same applies to other layer configurations.

本発明におけるガラス基板に用いられるガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリアルミノホウケイ酸ガラスが挙げられる。目的とする特性に応じて、適宜使い分けることができる。 Examples of the glass used for the glass substrate in the present invention include soda lime glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, and alkali-free aluminoborosilicate glass. They can be properly used according to the desired characteristics.

ガラス基板としては、28GHzにおける誘電正接(以下、tanδとも記す)が0.001~0.02のガラスを用いるのが好ましい。
低損失性を求める場合には、ガラス基板としては、28GHzにおけるtanδが0.01以下のガラスを用いるのが好ましい。0.008以下であることがより好ましい。
As the glass substrate, it is preferable to use glass having a dielectric loss tangent (hereinafter also referred to as tan δ) at 28 GHz of 0.001 to 0.02.
When low loss is desired, it is preferable to use glass having a tan δ of 0.01 or less at 28 GHz as the glass substrate. It is more preferably 0.008 or less.

28GHzにおけるtanδが上記範囲となるようなガラスを用いることで、所望の高周波における低損失性を得ることができるが、具体的なガラス系としては、無アルカリアルミノホウケイ酸ガラスが好適である。このような無アルカリアルミノホウケイ酸ガラスとしては、例えば酸化物基準のモル百分率で、SiOが50~80%、Alが1~20%、Bが1~30%、R’Oが1~30%(ただしR’=Mg、Ca、Sr、Ba、Zn)、R”Oが0~0.1%以下(ただしR”=Li、Na、K)を含むガラスが挙げられる。このようなガラスのうち、R”Oの合計含有量が0.001~5%の範囲であると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちNaO/(NaO+KO)で表されるモル比が0.01~0.99の範囲であるものが好ましい。さらにAl及びBを合計含有量として1~40%の範囲で含有すると共に、Al/AlO+B)で表されるモル比が0~0.45の範囲であり、酸化物基準のモル%における成分の割合において、SiOの含有量が最大であるガラス基板がより好ましい。このようなガラス基板は国際公開第2018/051793号に記載の方法で得られる。 By using a glass having a tan δ at 28 GHz within the above range, desired low loss at high frequencies can be obtained. As a specific glass system, alkali-free aluminoborosilicate glass is suitable. Such an alkali-free aluminoborosilicate glass includes, for example, SiO 2 of 50 to 80%, Al 2 O 3 of 1 to 20%, B 2 O 3 of 1 to 30%, R 'O is 1 to 30% (where R' = Mg, Ca, Sr, Ba, Zn) and R"O is 0 to 0.1% or less (where R" = Li, Na, K). be done. Among such glasses, the total content of R″O is in the range of 0.001 to 5%, and the molar ratio of Na 2 O/(Na 2 O+K 2 O) in the alkali metal oxides is It is preferable that the ratio is in the range of 0.01 to 0.99.In addition, the total content of Al 2 O 3 and B 2 O 3 is in the range of 1 to 40%, and Al 2 O 3 /AlO 3 +B 2 O 3 ) is in the range of 0 to 0.45 and the content of SiO 2 is the largest in the ratio of components in mol % based on oxides. Such a glass substrate is obtained by the method described in WO2018/051793.

本発明におけるガラス基板は、ガラス自体のtanδが0.01以上となる安価なガラスであっても、F樹脂層を有することによりガラス基板とF樹脂層とを合わせたガラス/樹脂積層体の総合的なtanδを小さくすることができる。本発明において、ガラス自体のtanδは0.01~0.02であることも好ましい。このようなガラスとしては、ソーダライムガラスが挙げられる。 The glass substrate in the present invention is an inexpensive glass whose tan δ of the glass itself is 0.01 or more. typical tan δ can be reduced. In the present invention, it is also preferable that the tan δ of the glass itself is 0.01 to 0.02. Such glass includes soda lime glass.

ガラス基板の厚さは、50~5000μmであり、100~1000μmが好ましく、200~600μmがより好ましい。前記下限値以上であるとガラス基板が平坦性を維持し変形しにくい。前記上限値以下であるとプリント配線板を充分に薄型化できる。 The thickness of the glass substrate is 50-5000 μm, preferably 100-1000 μm, more preferably 200-600 μm. When it is at least the lower limit, the glass substrate maintains flatness and is less likely to deform. A printed wiring board can be fully thinned as it is below the said upper limit.

ガラス基板の表面の算術平均粗さRaは、1.0μm以下であり、0.5μm以下が好ましく、0.001~0.1μmがより好ましい。前記範囲の下限値以上であれば、ガラス基板の表面が充分に粗面化され、ガラス基板とF樹脂層との接着性がさらに優れる。前記範囲の上限値以下であれば、ガラス基板の機械的強度の低下が抑えられるとともに、伝送損失の悪化を抑えられる。
ガラス基板の表面のRaは、レーザー顕微鏡で測定することも好ましい。レーザ顕微鏡で測定したときの算術平均粗さRaであるRa(レーザ顕微鏡)も0.5μm以下が好ましく、0.001~0.1μmがより好ましい。好ましい理由は上記算術平均粗さRaと同様である。
The arithmetic mean roughness Ra of the surface of the glass substrate is 1.0 μm or less, preferably 0.5 μm or less, more preferably 0.001 to 0.1 μm. When it is at least the lower limit of the above range, the surface of the glass substrate is sufficiently roughened, and the adhesiveness between the glass substrate and the F resin layer is further excellent. When the thickness is equal to or less than the upper limit of the range, deterioration of the mechanical strength of the glass substrate can be suppressed, and deterioration of transmission loss can be suppressed.
It is also preferable to measure Ra of the surface of the glass substrate with a laser microscope. Ra (laser microscope), which is the arithmetic mean roughness Ra measured with a laser microscope, is also preferably 0.5 μm or less, more preferably 0.001 to 0.1 μm. The reason why it is preferable is the same as for the above arithmetic mean roughness Ra.

本発明におけるF樹脂層は、TFE系ポリマーを含む。
F樹脂層は、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて無機フィラー、TFE系ポリマー以外の樹脂、添加剤等を含んでいてもよい。
F樹脂層を構成するTFE系ポリマーとしては、28GHzにおけるtanδが0.001~0.02のポリマーを用いるのが好ましい。
F樹脂層の厚さは、1~100μmであり、20~80μmが好ましく、50~80μmがより好ましい。F樹脂層の厚さが前記下限値以上であれば、プリント配線板としての伝送特性がさらに優れる。F樹脂層の厚さが前記上限値以下であれば、複合積層体の寸法安定性が優れる。
The F resin layer in the present invention contains a TFE-based polymer.
The F resin layer may contain inorganic fillers, resins other than the TFE-based polymer, additives, and the like, if necessary, as long as the effects of the present invention are not impaired.
As the TFE-based polymer constituting the F resin layer, it is preferable to use a polymer having a tan δ of 0.001 to 0.02 at 28 GHz.
The thickness of the F resin layer is 1 to 100 μm, preferably 20 to 80 μm, more preferably 50 to 80 μm. If the thickness of the F resin layer is at least the above lower limit, the transmission characteristics as a printed wiring board are further improved. When the thickness of the F resin layer is equal to or less than the upper limit, the dimensional stability of the composite laminate is excellent.

ガラス基板の厚さに対するF樹脂層の厚さの比は、0.01~0.30が好ましく、0.05~0.20が特に好ましい。ガラス基板の厚さに対するF樹脂層の厚さの比が前記下限値以上であれば、プリント配線板としての伝送特性がさらに優れる。ガラス基板の厚さに対するF樹脂層の厚さの比が前記上限値以下であれば、複合積層体の寸法安定性が優れる。 The ratio of the thickness of the F resin layer to the thickness of the glass substrate is preferably 0.01 to 0.30, particularly preferably 0.05 to 0.20. If the ratio of the thickness of the F resin layer to the thickness of the glass substrate is equal to or greater than the above lower limit, the transmission characteristics of the printed wiring board are further improved. When the ratio of the thickness of the F resin layer to the thickness of the glass substrate is equal to or less than the upper limit, the composite laminate has excellent dimensional stability.

前記式(1)または式(2)で得られるガラス/樹脂積層体の誘電特性Lは、0.001~0.020であり、0.005~0.015が好ましい。誘電特性Lは、プリント配線を支持する積層基材の、プリント配線の伝送性能に影響を与える電気特性である。誘電特性Lがこの範囲であることにより、伝送特性に優れるとともに、寸法安定性に優れる。 The dielectric property L of the glass/resin laminate obtained by the formula (1) or (2) is 0.001 to 0.020, preferably 0.005 to 0.015. The dielectric property L is the electrical property of the laminate substrate supporting the printed wiring that affects the transmission performance of the printed wiring. When the dielectric property L is within this range, excellent transmission characteristics and excellent dimensional stability are achieved.

式(1)または式(2)で規定する誘電特性Lは伝送損失の実測値と相関している。具体的には、誘電特性Lの値が小さくなると、伝送損失の実測値も小さくなり、誘電特性に優れる。
この傾向をより明確にするために、伝送損失を測定する条件に合わせて式(1)または式(2)を適宜選択することも好ましい。
例えば、伝送損失をマイクロストリップライン(MSL)を用いて測定した場合の傾向に近づける場合、式(1)を用いることが好ましい。
また、伝送損失をコプレナーフェイブガイド(CPW)を用いて測定した場合の傾向に近づける場合、式(2)を用いることが好ましい。
The dielectric property L defined by Equation (1) or Equation (2) correlates with the measured value of transmission loss. Specifically, when the value of the dielectric property L is small, the measured value of the transmission loss is also small, and the dielectric property is excellent.
In order to make this tendency clearer, it is also preferable to appropriately select Equation (1) or Equation (2) according to the conditions for measuring transmission loss.
For example, it is preferable to use equation (1) to approximate the trend of transmission loss measured using a microstrip line (MSL).
In addition, it is preferable to use equation (2) when the transmission loss is brought closer to the tendency when measured using a coplanar wave guide (CPW).

式(1)において、誘電特性Lは0.003~0.015が好ましく、0.005~0.010がより好ましい。
式(2)において、誘電特性Lは0.005~0.015が好ましく、0.005~0.010がより好ましい。
In formula (1), the dielectric property L is preferably 0.003 to 0.015, more preferably 0.005 to 0.010.
In formula (2), the dielectric property L is preferably 0.005 to 0.015, more preferably 0.005 to 0.010.

本発明の複合積層体において、金属層の材質としては、銅、銅合金、ステンレス鋼、ニッケル、ニッケル合金(42合金も含む)、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン合金等が挙げられる。
金属層としては、金属箔からなるものが好ましく、圧延銅箔、電解銅箔等が挙げられる。金属箔の表面には、防錆層(クロメート等の酸化物皮膜等)、耐熱層等が形成されていてもよい。
In the composite laminate of the present invention, materials for the metal layer include copper, copper alloys, stainless steel, nickel, nickel alloys (including 42 alloys), aluminum, aluminum alloys, titanium, titanium alloys, and the like.
The metal layer is preferably made of metal foil, and examples thereof include rolled copper foil and electrolytic copper foil. A rust-preventive layer (an oxide film such as chromate, etc.), a heat-resistant layer, or the like may be formed on the surface of the metal foil.

金属層の厚さは、1~40μmであり、10~30μmが好ましい。
金属層の表面はシランカップリング剤により処理されていてもよく、金属層の表面の全体がシランカップリング剤により処理されていてもよく、金属層の表面の一部がシランカップリング剤により処理されていてもよい。
The thickness of the metal layer is 1-40 μm, preferably 10-30 μm.
The surface of the metal layer may be treated with a silane coupling agent, the entire surface of the metal layer may be treated with the silane coupling agent, or a portion of the surface of the metal layer may be treated with the silane coupling agent. may have been

金属層の表面の最大高さ粗さRzは、7.0μm以下が好ましく、5.0μm以下がより好ましく、3.0μm以下がさらに好ましい。この場合、F樹脂層との接着性が良好となり、伝送特性に優れたプリント配線板が得られやすい。 The maximum height roughness Rz of the surface of the metal layer is preferably 7.0 μm or less, more preferably 5.0 μm or less, and even more preferably 3.0 μm or less. In this case, the adhesiveness to the F resin layer is improved, and a printed wiring board having excellent transmission characteristics can be easily obtained.

本発明の複合積層体において、F樹脂層の比誘電率は、2.0~6.0が好ましく、2.0~3.5がより好ましく、2.0~3.0が特に好ましい。比誘電率が前記範囲の上限値以下であれば、低誘電率が求められるプリント配線板等に複合積層体を好適に使用できる。F樹脂層の比誘電率が前記範囲の下限値以上であれば、F樹脂層の電気特性に優れる。
F樹脂層は、非多孔性樹脂層であることが好ましい。非多孔性樹脂層は、電気特性及び耐酸性(エッチング耐性等)に優れる。非多孔性樹脂層は、ガラス基板との界面に空隙が存在する場合の空隙を除けば、空隙を実質的に有さない。かかる緻密な樹脂層とも言える非多孔性樹脂層としては、樹脂の溶融物からなる樹脂層が好ましい。
In the composite laminate of the present invention, the dielectric constant of the F resin layer is preferably 2.0 to 6.0, more preferably 2.0 to 3.5, and particularly preferably 2.0 to 3.0. If the dielectric constant is equal to or less than the upper limit of the above range, the composite laminate can be suitably used for printed wiring boards and the like that require a low dielectric constant. If the dielectric constant of the F resin layer is equal to or higher than the lower limit value of the above range, the electric properties of the F resin layer are excellent.
The F resin layer is preferably a non-porous resin layer. The non-porous resin layer is excellent in electrical properties and acid resistance (etching resistance, etc.). The non-porous resin layer has substantially no voids, except for voids present at the interface with the glass substrate. As such a non-porous resin layer, which can be said to be a dense resin layer, a resin layer made of a resin melt is preferable.

TFE系ポリマーは溶融成形が可能なポリマーであるのが好ましく、その融点は、260℃超が好ましく、260℃超320℃以下がより好ましく、275~320℃が特に好ましい。TFE系ポリマーの融点が前記範囲内であれば、TFE系ポリマーが、その弾性に基づく粘着性を保持しつつ焼成されて、緻密なF樹脂層をより形成しやすい。
TFE系ポリマーは、0.1~5.0MPaの貯蔵弾性率を示す温度領域を260℃以下に有することが好ましい。TFE系ポリマーが示す貯蔵弾性率は、0.2~4.4MPaであるのが好ましく、0.5~3.0MPaであるのが特に好ましい。また、TFE系ポリマーがかかる貯蔵弾性率を示す温度領域は、180~260℃が好ましく、200~260℃が特に好ましい。前記温度領域においてTFE系ポリマーが、その弾性に基づく粘着性を効果的に発現しやすい。
The TFE-based polymer is preferably a polymer that can be melt-molded, and its melting point is preferably above 260°C, more preferably above 260°C and 320°C or less, and particularly preferably from 275 to 320°C. When the melting point of the TFE-based polymer is within the above range, the TFE-based polymer can be baked while maintaining its adhesiveness based on its elasticity, and it is easier to form a dense F resin layer.
The TFE-based polymer preferably has a temperature range of 260° C. or lower in which it exhibits a storage modulus of 0.1 to 5.0 MPa. The storage elastic modulus of the TFE-based polymer is preferably 0.2-4.4 MPa, particularly preferably 0.5-3.0 MPa. The temperature range in which the TFE-based polymer exhibits such storage elastic modulus is preferably 180 to 260°C, particularly preferably 200 to 260°C. In the above temperature range, the TFE-based polymer tends to effectively exhibit tackiness based on its elasticity.

TFE系ポリマーは、テトラフルオロエチレン(以下、「TFE」とも記す。)に基づく単位(以下、「TFE単位」とも記す。)を有するポリマーである。TFE系ポリマーは、TFEのホモポリマーであってもよく、TFEと、TFEと共重合可能な他のモノマー(以下、コモノマーとも記す。)とのコポリマーであってもよい。TFE系ポリマーは、ポリマーを構成する全単位に対して、TFE単位を75~100モル%有し、コモノマーに基づく単位を0~25モル%有するのが好ましい。 A TFE-based polymer is a polymer having units (hereinafter also referred to as "TFE units") based on tetrafluoroethylene (hereinafter also referred to as "TFE"). The TFE-based polymer may be a homopolymer of TFE, or a copolymer of TFE and another monomer copolymerizable with TFE (hereinafter also referred to as a comonomer). The TFE-based polymer preferably has 75 to 100 mol % of TFE units and 0 to 25 mol % of comonomer-based units relative to the total units constituting the polymer.

TFE系ポリマーとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、TFEとエチレンのコポリマー、TFEとプロピレンのコポリマー、TFEとペルフルオロ(アルキルビニルエーテル)(以下、「PAVE」とも記す。)のコポリマー、TFEとヘキサフルオロプロピレン(以下、「HFP」とも記す。)のコポリマー、TFEとフルオロアルキルエチレン(以下、「FAE」とも記す。)のコポリマー、TFEとクロロトリフルオロエチレンのコポリマーが挙げられる。
PAVEとしては、CF=CFOCF、CF=CFOCFCF、CF=CFOCFCFCF(以下、「PPVE」とも記す。)、CF=CFOCFCFCFCF、CF=CFO(CFFが挙げられる。
FAEとしては、CH=CH(CFF、CH=CH(CFF、CH=CH(CFF、CH=CF(CFH、CH=CF(CFHが挙げられる。
Examples of TFE-based polymers include polytetrafluoroethylene, a copolymer of TFE and ethylene, a copolymer of TFE and propylene, a copolymer of TFE and perfluoro(alkyl vinyl ether) (hereinafter also referred to as "PAVE"), and TFE and hexafluoropropylene. (hereinafter also referred to as "HFP"), a copolymer of TFE and fluoroalkylethylene (hereinafter also referred to as "FAE"), and a copolymer of TFE and chlorotrifluoroethylene.
PAVE includes CF 2 =CFOCF 3 , CF 2 =CFOCF 2 CF 3 , CF 2 =CFOCF 2 CF 2 CF 3 (hereinafter also referred to as “PPVE”), CF 2 =CFOCF 2 CF 2 CF 2 CF 3 , CF2 = CFO ( CF2 )8F can be mentioned.
As FAE, CH2 =CH(CF2) 2F , CH2 =CH(CF2) 3F , CH2 =CH( CF2 ) 4F , CH2 = CF ( CF2 ) 3H , CH2 =CF ( CF2) 4H .

TFE系ポリマーの好適な態様としては、TFE単位と、PAVE、HFP及びFAEからなる群から選ばれる少なくとも1種のモノマーに基づく単位(以下、「コモノマー単位F」とも記す。)を含むポリマーも挙げられる。
前記ポリマーは、ポリマーを構成する全単位に対して、TFE単位を90~99モル%有し、コモノマー単位Fを1~10モル%有するのが好ましい。前記ポリマーは、TFE単位とコモノマー単位Fのみからなっていてもよく、さらに他の単位を含んでいてもよい。
Preferred embodiments of the TFE-based polymer also include polymers containing units based on TFE units and at least one monomer selected from the group consisting of PAVE, HFP and FAE (hereinafter also referred to as "comonomer unit F"). be done.
The polymer preferably has 90 to 99 mol % of TFE units and 1 to 10 mol % of comonomer units F relative to the total units constituting the polymer. The polymer may consist only of TFE units and comonomer units F, or may also contain other units.

TFE系ポリマーの好適な態様としては、F樹脂層とガラス基板との接着性の点から、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基、アミド基、アミノ基及びイソシアネート基からなる群から選ばれる少なくとも1種の官能基(以下、「官能基」とも記す。)を有する、TFE単位を有するポリマー(以下、「ポリマーF1」とも記す。)も挙げられる。
官能基は、TFE系ポリマー中の単位に含まれていてもよく、ポリマーF1の主鎖の末端基に含まれていてもよい。後者のポリマーとしては、官能基を、重合開始剤、連鎖移動剤等に由来する末端基として有するポリマーが挙げられる。
ポリマーF1としては、官能基を有する単位とTFE単位とを有するポリマーが好ましい。また、この場合のポリマーF1は、さらに他の単位を有するのが好ましく、コモノマー単位Fを有するのが特に好ましい。
A preferred embodiment of the TFE-based polymer is at least one selected from the group consisting of a carbonyl group-containing group, a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group, an amino group and an isocyanate group, from the viewpoint of adhesion between the F resin layer and the glass substrate. A polymer having a TFE unit (hereinafter also referred to as "polymer F1") having one type of functional group (hereinafter also referred to as "functional group") is also included.
The functional group may be contained in a unit in the TFE-based polymer, or may be contained in the terminal group of the main chain of the polymer F1. Examples of the latter polymer include polymers having functional groups as terminal groups derived from polymerization initiators, chain transfer agents, and the like.
As the polymer F1, a polymer having a unit having a functional group and a TFE unit is preferred. The polymer F1 in this case also preferably has further units, particularly preferably comonomer units F.

官能基は、F樹脂層とガラス基板との接着性の点から、カルボニル基含有基が好ましい。カルボニル基含有基としては、カーボネート基、カルボキシ基、ハロホルミル基、アルコキシカルボニル基、酸無水物残基(-C(O)OC(O)-)、脂肪酸残基等が挙げられ、カルボキシ基又は酸無水物残基が好ましい。
官能基を有する単位は、官能基を有するモノマーに基づく単位が好ましく、カルボニル基含有基を有するモノマーに基づく単位、ヒドロキシ基を有するモノマーに基づく単位、エポキシ基を有するモノマーに基づく単位又はイソシアネート基を有するモノマーに基づく単位がより好ましく、カルボニル基含有基を有するモノマーに基づく単位が特に好ましい。
The functional group is preferably a carbonyl group-containing group from the viewpoint of adhesion between the F resin layer and the glass substrate. Examples of the carbonyl group-containing group include a carbonate group, a carboxy group, a haloformyl group, an alkoxycarbonyl group, an acid anhydride residue (-C(O)OC(O)-), a fatty acid residue, and the like. Anhydride residues are preferred.
Units having a functional group are preferably units based on a monomer having a functional group, units based on a monomer having a carbonyl group-containing group, units based on a monomer having a hydroxy group, units based on a monomer having an epoxy group, or isocyanate groups units based on a monomer having a carbonyl group-containing group are more preferred, and units based on a monomer having a carbonyl group-containing group are particularly preferred.

カルボニル基含有基を有するモノマーとしては、酸無水物残基を有する環状モノマー、カルボキシ基を有するモノマー、ビニルエステル又は(メタ)アクリレートが好ましく、酸無水物残基を有する環状モノマーが特に好ましい。
前記環状モノマーとしては、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物(別称:無水ハイミック酸。以下、「NAH」とも記す。)又は無水マレイン酸が好ましい。
As the monomer having a carbonyl group-containing group, a cyclic monomer having an acid anhydride residue, a monomer having a carboxy group, a vinyl ester or (meth)acrylate is preferred, and a cyclic monomer having an acid anhydride residue is particularly preferred.
As the cyclic monomer, itaconic anhydride, citraconic anhydride, 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride (also known as hymic anhydride, hereinafter also referred to as “NAH”) or maleic anhydride is preferable.

ポリマーF1としては、官能基を有する単位とTFE単位と、PAVE単位又はHFP単位とを含むポリマーが好ましい。かかるポリマーF1の具体例としては、国際公開第2018/16644号に記載された重合体(X)が挙げられる。
ポリマーF1におけるTFE単位の割合は、ポリマーF1を構成する全単位のうち、90~99モル%が好ましい。
ポリマーF1におけるPAVE単位の割合は、ポリマーF1を構成する全単位のうち、0.5~9.97モル%が好ましい。
ポリマーF1における官能基を有する単位の割合は、ポリマーF1を構成する全単位のうち、0.01~3モル%が好ましい。
As the polymer F1, a polymer containing a unit having a functional group, a TFE unit, and a PAVE unit or an HFP unit is preferable. Specific examples of such polymer F1 include polymer (X) described in WO 2018/16644.
The proportion of TFE units in the polymer F1 is preferably 90 to 99 mol % of all units constituting the polymer F1.
The proportion of PAVE units in the polymer F1 is preferably 0.5 to 9.97 mol % of the total units constituting the polymer F1.
The proportion of units having a functional group in the polymer F1 is preferably 0.01 to 3 mol % of the total units constituting the polymer F1.

F樹脂層の表面のRaは、原子間力顕微鏡(AFM)で測定することが好ましい。AFMで測定した算術平均粗さRa(AFM)の場合、3.0nm以上が好ましく、8.0nm以上がより好ましく、12nm以上がさらに好ましい。F樹脂層の表面のRa(AFM)が前記範囲の下限値以上であれば、F樹脂層と金属層との接着性に優れる。Ra(AFM)は、1μm以下が好ましい。
F樹脂層の表面のRa(AFM)は、Oxford Instruments社製のAFMを用い、下記測定条件にて1μm範囲の表面について測定する。
プローブ:AC160TS-C3(先端R <7nm、バネ定数 26N/m)、測定モード:AC-Air、Scan Rate:1Hz。
The surface Ra of the F resin layer is preferably measured with an atomic force microscope (AFM). The arithmetic mean roughness Ra (AFM) measured by AFM is preferably 3.0 nm or more, more preferably 8.0 nm or more, and even more preferably 12 nm or more. When the surface Ra (AFM) of the F resin layer is at least the lower limit value of the above range, the adhesion between the F resin layer and the metal layer is excellent. Ra (AFM) is preferably 1 μm or less.
Ra (AFM) of the surface of the F resin layer is measured on the surface in the range of 1 μm 2 under the following measurement conditions using an AFM manufactured by Oxford Instruments.
Probe: AC160TS-C3 (tip radius <7 nm, spring constant 26 N/m), measurement mode: AC-Air, Scan Rate: 1 Hz.

本発明の複合積層体において、ガラス基材とF樹脂層との界面の剥離強度は5N/cm以上が好ましく、10N/cm以上がより好ましい。 In the composite laminate of the present invention, the peel strength at the interface between the glass substrate and the F resin layer is preferably 5 N/cm or more, more preferably 10 N/cm or more.

本発明の複合積層体の製造方法は、ガラス基材と、F樹脂層を形成しうる材料と、金属層を形成しうる材料とをこの順で積層して熱圧着する方法が挙げられる。F樹脂層を形成しうる材料としては、TFE系ポリマーを含むフィルム(以下、「F樹脂フィルム」とも記す)が挙げられる。金属層を形成しうる材料としては金属箔が挙げられる。 The method for producing the composite laminate of the present invention includes a method of laminating a glass base material, a material capable of forming an F resin layer, and a material capable of forming a metal layer in this order, followed by thermocompression bonding. Materials that can form the F resin layer include a film containing a TFE polymer (hereinafter also referred to as "F resin film"). A metal foil is mentioned as a material which can form a metal layer.

圧着時の温度は、TFE系ポリマーの融点以上であり、融点より10℃以上高い温度が好ましく、融点より20℃以上高い温度がより好ましく、融点より40℃以上高い温度がさらに好ましい。圧着時の温度は、融点より3℃高い温度を超えないことが好ましい。圧着時の温度が前記範囲内であれば、TFE系ポリマーの熱劣化を抑制しつつ、ガラス基材とF樹脂層と金属層を充分に接着できる。圧着時の温度は、熱盤の温度である。 The temperature during crimping is at least the melting point of the TFE polymer, preferably at least 10°C higher than the melting point, more preferably at least 20°C higher than the melting point, and even more preferably at least 40°C higher than the melting point. Preferably, the temperature during crimping does not exceed 3°C above the melting point. If the temperature during pressure bonding is within the above range, the glass substrate, the F resin layer and the metal layer can be sufficiently bonded while suppressing thermal deterioration of the TFE polymer. The temperature during crimping is the temperature of the hot platen.

圧着時の圧力は、0.2MPa以上が好ましく、0.5MPa以上がより好ましく、1.0MPa以上がさらに好ましい。圧着時の圧力は、10.0MPa以下が好ましい。圧着時の圧力が前記範囲内であれば、ガラス基材を破損することなく、F樹脂層と金属層とを充分に接着できる。また、ガラス基材の孔への樹脂充填も可能となる。 The pressure during crimping is preferably 0.2 MPa or higher, more preferably 0.5 MPa or higher, and even more preferably 1.0 MPa or higher. The pressure during crimping is preferably 10.0 MPa or less. If the pressure during crimping is within the above range, the F resin layer and the metal layer can be sufficiently bonded without damaging the glass substrate. In addition, it becomes possible to fill the pores of the glass substrate with the resin.

熱圧着は真空雰囲気下で行うことが好ましい。真空度は100kPa以下が好ましく、50kPa以下がより好ましく、20kPa以下がさらに好ましい。真空度が前記範囲内であれば、積層体を構成するF樹脂層、ガラス基材及び金属層のそれぞれの界面への気泡混入を抑制できると同時に、酸化による劣化も抑制できる。
また、前記真空度に到達したのちに昇温することが好ましい。前記真空度に到達する前に昇温すると、F樹脂層が軟化された状態、すなわち一定程度の流動性、密着性がある状態にて圧着されてしまい、気泡の原因となる。
Thermocompression bonding is preferably performed in a vacuum atmosphere. The degree of vacuum is preferably 100 kPa or less, more preferably 50 kPa or less, and even more preferably 20 kPa or less. If the degree of vacuum is within the above range, it is possible to suppress the inclusion of air bubbles in the respective interfaces of the F resin layer, the glass base material and the metal layer, which constitute the laminate, and at the same time suppress deterioration due to oxidation.
Moreover, it is preferable to raise the temperature after reaching the degree of vacuum. If the temperature is raised before the degree of vacuum is reached, the F resin layer is pressed in a softened state, that is, in a state in which it has a certain degree of fluidity and adhesion, which causes air bubbles.

本発明におけるガラス基板は熱圧着の前に表面処理をしてもよい。
ガラス基板の表面処理としては、ガラス基板とF樹脂層との接着性がさらに優れる点から、ウェット処理又はプラズマ処理が好ましく、ウェット処理が特に好ましい。特に、ガラス基板が孔を有する場合に、ガラス基板の表面をウェット処理することによって、孔にTFE系ポリマーが充分に入り込み、孔におけるTFE系ポリマーの欠落のない積層体を製造できる。
The glass substrate in the present invention may be surface-treated before thermocompression bonding.
As the surface treatment of the glass substrate, wet treatment or plasma treatment is preferred, and wet treatment is particularly preferred, from the viewpoint of further improving the adhesion between the glass substrate and the F resin layer. In particular, when the glass substrate has holes, by wet-treating the surface of the glass substrate, the TFE-based polymer sufficiently penetrates into the holes, and a laminate can be produced without the TFE-based polymer missing in the holes.

ウェット処理は、ガラス基板の表面にウェット処理液を接触させ、以下の効果の1つ以上を発現する処理である。効果としては、表面清浄化、表面修飾、が挙げられる。無機層に孔が形成されている場合、プラズマ処理や紫外線照射では孔の内壁面を活性化しにくいため、ウェット処理が好適に用いられる。 The wet treatment is a treatment that brings a wet treatment liquid into contact with the surface of the glass substrate and exhibits one or more of the following effects. Effects include surface cleaning and surface modification. When holes are formed in the inorganic layer, wet treatment is preferably used because the inner wall surfaces of the holes are difficult to activate by plasma treatment or ultraviolet irradiation.

表面清浄化に用いるウェット処理液は、汚れの対象(油分、フラックス、研磨剤、離型剤、微粒子等)に応じて適宜選定される。ウェット処理液は、水系ウェット処理液であってもよく、非水系ウェット処理液であってもよい。水系ウェット処理液は、中性であってもよく、アルカリ性であってもよく、酸性であってもよい。非水系ウェット処理液としては、炭化水素系ウェット処理液、フッ素系ウェット処理液、臭素系ウェット処理液、アルコール系ウェット処理液等が挙げられる。ウェット処理液は、界面活性剤等を含んでいてもよい。 The wet treatment liquid used for surface cleaning is appropriately selected according to the object of contamination (oil, flux, abrasive, release agent, fine particles, etc.). The wet processing liquid may be an aqueous wet processing liquid or a non-aqueous wet processing liquid. The aqueous wet treatment liquid may be neutral, alkaline, or acidic. Examples of non-aqueous wet treatment liquids include hydrocarbon-based wet treatment liquids, fluorine-based wet treatment liquids, bromine-based wet treatment liquids, and alcohol-based wet treatment liquids. The wet treatment liquid may contain a surfactant or the like.

表面修飾は、熱圧着の際にF樹脂層の接着性官能基と化学的に結合し得る反応性官能基(シラノール基、アミノ基、炭化水素基等)をガラス基板の表面に導入する目的で行われる。表面修飾は、ガラス基板の表面をエッチングする、ガラス基板の表面に表面処理剤を付着させる、等によって行われる。表面修飾に用いるウェット処理液としては、公知のガラスのエッチング液(アルカリ水溶液、フッ酸水溶液等)、表面処理剤(シランカップリング剤、カチオンポリマー、キレート剤等)を含む液等が挙げられる。 The purpose of the surface modification is to introduce a reactive functional group (silanol group, amino group, hydrocarbon group, etc.) that can chemically bond with the adhesive functional group of the F resin layer to the surface of the glass substrate during thermocompression bonding. done. The surface modification is performed by etching the surface of the glass substrate, attaching a surface treatment agent to the surface of the glass substrate, or the like. Wet treatment liquids used for surface modification include known glass etching liquids (alkali aqueous solution, hydrofluoric acid aqueous solution, etc.), liquids containing surface treatment agents (silane coupling agents, cationic polymers, chelating agents, etc.), and the like.

表面修飾に用いるエッチング液は、ガラス基板の材料に応じて公知のエッチング液の中から適宜選択すればよい。エッチング液としては、フッ酸、硫酸、硝酸、過塩素酸等を含む溶液、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリを含む溶液等が挙げられる。ガラス基板の材料がガラスである場合、表面の粗面化が進みすぎないpH11~14のアルカリ水溶液が好ましい。
表面修飾に用いるエッチング液は、キレート剤を含むことが好ましい。エッチング液がキレート剤を含むことによって、ウェット処理後のガラス基板の表面にキレート剤が配位し、ガラス基板とF樹脂層との接着性がさらに優れる。エッチング液中のキレート剤の割合は、0.1質量%以上が好ましい。エッチング液に用いるキレート剤としては、特開2016-60862号公報に記載のアルカリ性のキレート剤等が挙げられる。
The etchant used for surface modification may be appropriately selected from known etchants according to the material of the glass substrate. Examples of etching solutions include solutions containing hydrofluoric acid, sulfuric acid, nitric acid, perchloric acid, etc., and solutions containing alkalis such as sodium hydroxide and potassium hydroxide. When the material of the glass substrate is glass, an alkaline aqueous solution having a pH of 11 to 14 is preferable so as not to excessively roughen the surface.
The etchant used for surface modification preferably contains a chelating agent. By including the chelating agent in the etching solution, the chelating agent is coordinated to the surface of the glass substrate after the wet treatment, and the adhesion between the glass substrate and the F resin layer is further improved. The ratio of the chelating agent in the etching liquid is preferably 0.1% by mass or more. Examples of the chelating agent used in the etching solution include alkaline chelating agents described in JP-A-2016-60862.

表面修飾に用いるシランカップリング剤としては、アミノシラン、メルカプトシラン、ビニルシラン、エポキシシラン、メタクリルシラン、ウレイドシラン、アルキルシラン等が挙げられる。
表面修飾に用いるカチオンポリマーとしては、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ジシアンジアミド-ジエチレントリアミン縮合体等のアミンタイプのカチオンポリマー、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロライド、ポリ(ジメチルアミノエチルアクリレートメチルクロライド4級塩)、ポリ(ジメチルアミノエチルメタクリレートメチルクロライド4級塩)、トリメチルアンモニウムアルキルアクリルアミド重合体塩、ジメチルアミンエピクロルヒドリン縮合体塩等の4級アンモニウムタイプのカチオンポリマー等が挙げられる。
表面修飾に用いるキレート剤としては、グルコン酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、ヒドロキシエタンジホスホン酸、ニトリロトリスメチレンホスホン酸、グルコン酸、エチレンジアミン四酢酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、コハク酸、マロン酸、シュウ酸等が挙げられる。
Silane coupling agents used for surface modification include aminosilane, mercaptosilane, vinylsilane, epoxysilane, methacrylsilane, ureidosilane, and alkylsilane.
Cationic polymers used for surface modification include amine-type cationic polymers such as polyethylenimine, polyallylamine, dicyandiamide-diethylenetriamine condensate, polydiallyldimethylammonium chloride, poly(dimethylaminoethyl acrylate methyl chloride quaternary salt), poly(dimethyl quaternary ammonium type cationic polymers such as aminoethyl methacrylate methyl chloride quaternary salt), trimethylammonium alkylacrylamide polymer salt, dimethylamine epichlorohydrin condensate salt, and the like.
Chelating agents used for surface modification include gluconic acid, ethylenediaminetetramethylenephosphonic acid, diethylenetriaminepentamethylenephosphonic acid, hydroxyethanediphosphonic acid, nitrilotrismethylenephosphonic acid, gluconic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, citric acid, tartaric acid, and malic acid. , succinic acid, malonic acid, oxalic acid and the like.

TFE系ポリマーを含むフィルムは、TFE系ポリマーを含む樹脂組成物を公知の溶融成形法(押出成形法等)によってフィルム状に成形することによって製造できる。樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じてTFE系ポリマー以外の成分をさらに含んでいてもよい。TFE系ポリマー以外の成分としては、TFE系ポリマー以外の樹脂、無機フィラー、ゴム、各種添加剤等が挙げられる。
F樹脂フィルムは、液状組成物を用いたキャスト法によって製造してもよい。
A film containing a TFE-based polymer can be produced by molding a resin composition containing a TFE-based polymer into a film by a known melt-molding method (extrusion molding method, etc.). The resin composition may further contain components other than the TFE-based polymer, if necessary, as long as the effects of the present invention are not impaired. Components other than the TFE-based polymer include resins other than the TFE-based polymer, inorganic fillers, rubbers, various additives, and the like.
The F resin film may be produced by a casting method using a liquid composition.

F樹脂フィルムは熱圧着の前に表面処理をしてもよい。表面処理としては、ウェット処理、プラズマ処理(大気圧プラズマ処理、真空プラズマ処理)、コロナ処理、UVオゾン処理、エキシマ処理等が挙げられ、真空プラズマ処理が特に好ましい。 The F resin film may be subjected to surface treatment prior to thermocompression bonding. Examples of the surface treatment include wet treatment, plasma treatment (atmospheric pressure plasma treatment, vacuum plasma treatment), corona treatment, UV ozone treatment, excimer treatment, etc. Vacuum plasma treatment is particularly preferred.

真空プラズマ処理の方式としては、高周波誘導方式、容量結合型電極方式、コロナ放電電極-プラズマジェット方式、平行平板方式、リモートプラズマ方式、ICP型高密度プラズマ方式等が挙げられる。真空プラズマ処理に用いるガスとしては、酸素ガス、窒素ガス、希ガス(アルゴンガス等)、水素ガス、アンモニアガス等が挙げられ、希ガス又は窒素ガスが好ましい。ガスは、1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。例えば、アルゴンガス100体積%であってもよく、水素ガス/窒素ガスが70/30(体積比)の混合ガスでもよく、水素ガス/窒素ガス/アルゴンガスが35/15/50(体積比)の混合ガスでもよい。
真空プラズマ処理の雰囲気としては、希ガス又は窒素ガスの体積分率が50体積%以上の雰囲気が好ましく、70体積%以上の雰囲気がより好ましく、90体積%以上の雰囲気がさらに好ましく、100体積%の雰囲気が特に好ましい。希ガス又は窒素ガスの体積分率が前記範囲の下限値以上であれば、F樹脂層の表面を充分に粗面化できる。
真空プラズマ処理におけるガス流量、真空度、処理時間は、表面処理されるF樹脂層の組成や真空プラズマ処理装置の構造により適宜選択される。
Methods of vacuum plasma treatment include a high-frequency induction method, a capacitively coupled electrode method, a corona discharge electrode-plasma jet method, a parallel plate method, a remote plasma method, and an ICP type high-density plasma method. Gases used for the vacuum plasma treatment include oxygen gas, nitrogen gas, rare gases (such as argon gas), hydrogen gas, ammonia gas, etc. Rare gases and nitrogen gas are preferred. One type of gas may be used alone, or two or more types may be mixed and used. For example, argon gas may be 100% by volume, hydrogen gas/nitrogen gas may be a mixed gas of 70/30 (volume ratio), hydrogen gas/nitrogen gas/argon gas may be 35/15/50 (volume ratio). A mixed gas of
The atmosphere for vacuum plasma treatment is preferably an atmosphere with a rare gas or nitrogen gas volume fraction of 50% by volume or more, more preferably 70% by volume or more, even more preferably 90% by volume or more, and 100% by volume. atmosphere is particularly preferred. If the volume fraction of the rare gas or nitrogen gas is at least the lower limit of the above range, the surface of the F resin layer can be sufficiently roughened.
The gas flow rate, the degree of vacuum, and the treatment time in the vacuum plasma treatment are appropriately selected according to the composition of the F resin layer to be surface-treated and the structure of the vacuum plasma treatment apparatus.

本発明の複合積層体は、金属層をパターニングすることにより、アンテナや半導体パッケージング用途に用いることができる。
複合積層体表面の金属層のパターニングには、フォトリソグラフィーが好適である。フォトグラフィーでは、先ず加工対象表面上にレジスト層を形成する。レジストとしては液状のもの、フィルム状のものが使用可能である。液状レジストの場合、スピンコート等で基板表面に均一な厚さに塗布し、その後レジストに含まれる有機溶剤を蒸発させるプリベーク処理を実施する。一般に、液状レジストはポジ型(露光した部分が無くなる)、フィルムレジストはネガ型(露光した部分が残る)が多いが、それに対応したマスクパターンを準備すればどちらでも使用可能である。
The composite laminate of the present invention can be used for antennas and semiconductor packaging applications by patterning the metal layers.
Photolithography is suitable for patterning the metal layer on the surface of the composite laminate. In photography, first, a resist layer is formed on the surface to be processed. A liquid resist or a film resist can be used. In the case of a liquid resist, it is applied to the substrate surface with a uniform thickness by spin coating or the like, and then a pre-baking process is performed to evaporate the organic solvent contained in the resist. In general, most liquid resists are positive (exposed portions disappear) and film resists are negative (exposed portions remain).

次に、レジストに光を照射してマスクパターンを転写する。マスク露光は2種類に分類され、マスク上のパターンを一括で描写して基板上に投影させるマスクアライナー(一括露光装置)と、縮小投影レンズにより基板上をステップしながら投影露光されていくステッパー(分割露光装置)がある。ステッパーは、縮小投影露光であるため、微細パターニングに優れており半導体パッケージ基板等の微細回路形成に向いている。一方、マスクアライナーは微細パターニングには向いていないが、一度に大面積のパターニングが可能なので、アンテナ等の形成に向いている。 Next, the resist is irradiated with light to transfer the mask pattern. Mask exposure is classified into two types: mask aligner (single exposure device) that draws the pattern on the mask all at once and projects it onto the substrate, and stepper (stepper) that projects and exposes the substrate while stepping through a reduction projection lens. segmented exposure device). Since the stepper performs reduction projection exposure, it excels in fine patterning and is suitable for forming fine circuits such as semiconductor package substrates. On the other hand, the mask aligner is not suitable for fine patterning, but is suitable for forming antennas and the like because it can pattern a large area at once.

露光された基板を現像液に浸漬することで、レジストの感光部分を除去(ポジ型レジスト)、または未感光部分を除去(ネガ型レジスト)したものを得、それをポストベークする。
次に、レジストがパターニングされた基板のレジスト除去部の金属層をエッチングにより除去する。基板をエッチング液に漬けるウェットエッチング方式やエッチングガス中に基板を置き、イオンなどを利用するドライエッチング方式がある。
エッチング後、レジストを有機溶剤等で除去して、所望の回路が完成する。
上記は、サブトラクティブプロセスの例を示したが、極薄金属箔を用いた、モディファイドセミアディティブプロセス(MSAP)も使用可能である。
By immersing the exposed substrate in a developer, the exposed portion of the resist is removed (positive resist) or the unexposed portion is removed (negative resist), which is post-baked.
Next, the metal layer of the resist-removed portion of the substrate on which the resist is patterned is removed by etching. There are a wet etching method in which the substrate is immersed in an etchant and a dry etching method in which the substrate is placed in an etching gas and ions are used.
After etching, the resist is removed with an organic solvent or the like to complete a desired circuit.
Although the above shows an example of a subtractive process, a modified semi-additive process (MSAP) using an ultra-thin metal foil can also be used.

以下、実施例によって本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
各種測定方法を以下に示す。
EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to Examples, but the present invention is not limited to these.
Various measurement methods are shown below.

(Ra(レーザ顕微鏡))
ガラス基板の表面のRa(AFM)は、キーエンス社製のレーザ顕微鏡『VK-X』を用いて表面凹凸を計測し、算出した。
Scan Area:1000μm角。
(Ra (laser microscope))
Ra (AFM) of the surface of the glass substrate was calculated by measuring the surface unevenness using a laser microscope "VK-X" manufactured by Keyence Corporation.
Scan Area: 1000 μm square.

(TFE系ポリマーにおける各単位の割合)
NAH単位の割合は、赤外吸収スペクトル分析によって求めた。NAH単位以外の単位の割合は、溶融NMR分析及びフッ素含有量分析によって求めた。
(Proportion of each unit in TFE polymer)
The proportion of NAH units was determined by infrared absorption spectroscopy. The proportion of units other than NAH units was determined by melt NMR analysis and fluorine content analysis.

(赤外吸収スペクトル分析)
TFE系ポリマーをプレス成形して厚さ200μmのフィルムを得た。フィルムを赤外分光法によって分析して赤外吸収スペクトルを得た。赤外吸収スペクトルにおいて、TFE系ポリマー中のNAH単位の吸収ピークは1778cm-1に現れる。この吸収ピークの吸光度を測定し、NAHのモル吸光係数20810mol-1・L・cm-1を用いて、TFE系ポリマーにおけるNAH単位の割合を求めた。
(Infrared absorption spectrum analysis)
A film having a thickness of 200 μm was obtained by press-molding the TFE-based polymer. The films were analyzed by infrared spectroscopy to obtain infrared absorption spectra. In the infrared absorption spectrum, the absorption peak of NAH units in the TFE-based polymer appears at 1778 cm −1 . The absorbance of this absorption peak was measured, and the proportion of NAH units in the TFE-based polymer was determined using the NAH molar extinction coefficient of 20810 mol −1 ·L·cm −1 .

(ポリマーの貯蔵弾性率)
ISO 6721-4:1994に基づき、動的粘弾性測定装置(SIIナノテクノロジー社製、DMS6100)を用い、周波数10Hz、静的力0.98N、動的変位0.035%の条件にて、TFE系ポリマーを2℃/分の速度で20℃から昇温させ、260℃における貯蔵弾性率を測定した。
(Polymer storage modulus)
Based on ISO 6721-4: 1994, using a dynamic viscoelasticity measuring device (DMS6100 manufactured by SII Nanotechnology), frequency 10 Hz, static force 0.98 N, dynamic displacement 0.035%, TFE The system polymer was heated from 20°C at a rate of 2°C/min, and the storage elastic modulus at 260°C was measured.

(融点)
示差走査熱量計(セイコーインスツル社製、DSC-7020)を用い、TFE系ポリマーを10℃/分の速度で昇温したときの融解ピークを記録し、極大値に対応する温度(℃)を融点とした。
(melting point)
Using a differential scanning calorimeter (manufactured by Seiko Instruments Inc., DSC-7020), the melting peak of the TFE polymer was recorded when the temperature was raised at a rate of 10 ° C./min, and the temperature (° C.) corresponding to the maximum value was measured. melting point.

(MFR)
メルトインデクサー(テクノセブン社製)を用い、372℃、49N荷重下で、直径2mm、長さ8mmのノズルから10分間に流出するTFE系ポリマーの質量(g)を測定してMFRとした。
(MFR)
Using a melt indexer (manufactured by Technoseven Co., Ltd.), the mass (g) of the TFE polymer flowing out from a nozzle having a diameter of 2 mm and a length of 8 mm was measured for 10 minutes at 372° C. under a load of 49 N, and the MFR was obtained.

(比誘電率)
ASTM D 150に準拠した変成器ブリッジ法にしたがい、温度を23℃±2℃の範囲内、相対湿度を50%±5%RHの範囲内に保持した試験環境において、絶縁破壊試験装置(ヤマヨ試験機社製、YSY-243-100RHO)を用いて1MHzで求めた値を比誘電率とした。また、さらに高周波数帯では、SPDR(スプリットポスト誘電体共振器)法により、23℃±2℃、50±5%RHの範囲内の環境下にて、周波数20GHzで測定した。
(relative permittivity)
According to the transformer bridge method in accordance with ASTM D 150, a dielectric breakdown tester (Yamayo test YSY-243-100RHO (manufactured by Kisha Ltd.) was used to determine the dielectric constant at 1 MHz. Further, in a higher frequency band, measurement was performed at a frequency of 20 GHz under an environment of 23° C.±2° C. and 50±5% RH by the SPDR (split post dielectric resonator) method.

(剥離試験)
積層体から、長さ100mm、幅10mmの矩形状の試験片を切り出した。試験片の長さ方向の一端から50mmの位置までF樹脂層とガラス基材とを剥離した。試験片の長さ方向の一端から50mmの位置を中央にして、引張り試験機(オリエンテック社製)を用いて、引張り速度50mm/分で90°剥離し、最大荷重を剥離強度(N/cm)とした。
(Peeling test)
A rectangular test piece having a length of 100 mm and a width of 10 mm was cut from the laminate. The F resin layer and the glass substrate were peeled off to a position 50 mm from one end of the test piece in the longitudinal direction. Using a tensile tester (manufactured by Orientec Co., Ltd.) at a position 50 mm from one end in the length direction of the test piece in the center, 90 ° peeling at a tensile speed of 50 mm / min, maximum load Peel strength (N / cm ).

(TFE系ポリマーAの製造)
TFE、NAH(日立化成社製、無水ハイミック酸)、PPVE(AGC社製)を用いて、国際公開第2016/017801号の段落[0123]に記載の手順でTFE系ポリマーAを製造した。TFE系ポリマーAにおける各単位の割合は、NAH単位/TFE単位/PPVE単位=0.1/97.9/2.0(モル%)であった。TFE系ポリマーAの260℃における貯蔵弾性率は1.1MPaであり、融点は300℃であり、MFRは17.6g/10分であり、比誘電率は2.1(測定周波数:1MHz)であり、フッ素含有量は75質量%であり、TFE系ポリマーAの主鎖炭素数1×10個に対する接着性官能基の含有量は1000個であった。
(Production of TFE-based polymer A)
Using TFE, NAH (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., Himic Anhydride), and PPVE (manufactured by AGC), TFE-based polymer A was produced according to the procedure described in paragraph [0123] of WO 2016/017801. The ratio of each unit in TFE-based polymer A was NAH unit/TFE unit/PPVE unit=0.1/97.9/2.0 (mol %). The TFE polymer A has a storage modulus of 1.1 MPa at 260° C., a melting point of 300° C., an MFR of 17.6 g/10 min, and a dielectric constant of 2.1 (measurement frequency: 1 MHz). The fluorine content was 75% by mass, and the content of adhesive functional groups was 1000 per 1×10 6 carbon atoms in the main chain of the TFE polymer A.

(F樹脂フィルムの製造)
750mm巾のコートハンガーダイを有する65mmφ単軸押出機を用い、ダイ温度340℃でTFE系ポリマーAをフィルム状に押出成形して、厚さ50μmのF樹脂フィルム1を得た。
同様にして、厚さ60μmのF樹脂フィルム2を得た。
同様にして、厚さ62μmのF樹脂フィルム3を得た。
同様にして、厚さ25μmのF樹脂フィルム4を得た。
(Manufacture of F resin film)
Using a 65 mm diameter single screw extruder having a coat hanger die of 750 mm width, the TFE polymer A was extruded into a film at a die temperature of 340° C. to obtain an F resin film 1 having a thickness of 50 μm.
Similarly, an F resin film 2 having a thickness of 60 μm was obtained.
Similarly, an F resin film 3 having a thickness of 62 μm was obtained.
Similarly, an F resin film 4 having a thickness of 25 μm was obtained.

(例1)
ガラス基材として、ソーダライムガラス板(AGC社製、厚さ:0.3mm、tanδ:0.017)を用意した。
ガラス基材を、23℃にて、ガラス洗浄液(横浜油脂工業社製セミクリーンGE-5の原液、pH:13)に浸漬し、超音波振動を印加しながらウェット処理した。1時間浸漬した後、ガラス基材を液から引き上げた。ガラス基材を純水で充分に洗浄した後、エアブローで乾燥し、ウェット処理したガラス基材を得た。ウェット処理後のガラス基材のRa(レーザ顕微鏡)は0.1μm以下であった。
ウェット処理したガラス基材の両面に、F樹脂フィルム1(tanδ:0.001)、銅箔(三井金属鉱業社製3EC-M2S-VLP、厚さ7um、Rzは1.8μm)の順に重ねた状態で真空プレス機に投入し、真空度:10kPa、圧着時の温度:340℃、圧着時の圧力:2.0MPa、ホールド:10分間の条件で真空圧着し、複合積層体1を得た。
得られた積層体の片面にレジスト塗布、マスク露光、現像、銅エッチングを実施し、長さ25mm、幅0.72mmのマイクロストリップラインを形成した。
作製したマイクロストリップラインを用いて、周波数28GHzにおける伝送損失測定を実施した。伝送損失測定には、アンリツ社のユニバーサルテストフィクスチャ3680を使用した。
測定の結果、伝送損失は、-1.44dBであった。
また、式(1)から得られた誘電特性Lは0.0084であった。
(Example 1)
A soda lime glass plate (manufactured by AGC, thickness: 0.3 mm, tan δ: 0.017) was prepared as a glass substrate.
The glass substrate was immersed in a glass cleaning solution (undiluted solution of Semi-Clean GE-5 manufactured by Yokohama Yushi Kogyo Co., Ltd., pH: 13) at 23° C., and subjected to wet treatment while applying ultrasonic vibration. After being immersed for 1 hour, the glass substrate was pulled out of the liquid. After thoroughly washing the glass substrate with pure water, it was dried by an air blow to obtain a wet-treated glass substrate. Ra (laser microscope) of the glass substrate after the wet treatment was 0.1 μm or less.
On both sides of the wet-treated glass substrate, F resin film 1 (tan δ: 0.001) and copper foil (3EC-M2S-VLP manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., thickness 7 μm, Rz 1.8 μm) were layered in this order. The composite laminate 1 was obtained by putting it into a vacuum press machine in this state, and performing vacuum pressure bonding under the following conditions: degree of vacuum: 10 kPa, temperature during compression: 340°C, pressure during compression: 2.0 MPa, hold: 10 minutes.
One side of the obtained laminate was subjected to resist coating, mask exposure, development, and copper etching to form a microstrip line having a length of 25 mm and a width of 0.72 mm.
Transmission loss measurement at a frequency of 28 GHz was performed using the fabricated microstrip line. Anritsu Universal Test Fixture 3680 was used for transmission loss measurement.
As a result of measurement, the transmission loss was -1.44 dB.
Also, the dielectric property L obtained from the formula (1) was 0.0084.

(例2)
F樹脂フィルム1をF樹脂フィルム2(tanδ:0.001)にかえた他は例1と同様にして、複合積層体2を得た。
得られた積層体の銅箔面にレジスト塗布、マスク露光、現像、銅エッチングを実施し、長さ25mm、スリット幅0.1mm、信号線幅1.0mmのコプレナーウェーブガイドを形成した。
作製したコプレナーウェーブガイドを用いて、周波数28GHzにおける伝送損失測定を実施した。伝送損失測定には、アンリツ社のユニバーサルテストフィクスチャ3680を使用した。
測定の結果、伝送損失は、-1.10dBであった。
また、式(2)から得られた誘電特性Lは0.0875であった。
(Example 2)
Composite laminate 2 was obtained in the same manner as in Example 1, except that F resin film 1 was changed to F resin film 2 (tan δ: 0.001).
The copper foil surface of the obtained laminate was subjected to resist coating, mask exposure, development and copper etching to form a coplanar waveguide having a length of 25 mm, a slit width of 0.1 mm and a signal line width of 1.0 mm.
A transmission loss measurement was performed at a frequency of 28 GHz using the produced coplanar waveguide. Anritsu Universal Test Fixture 3680 was used for transmission loss measurement.
As a result of measurement, the transmission loss was -1.10 dB.
Also, the dielectric property L obtained from the formula (2) was 0.0875.

(例3)
ガラス基材として、無アルカリガラス板(組成比、数値はmol%、SiO:66.1、Al:11.3、B:7.8、MgO:5.1、CaO:4.5、SrO:5.2、厚さ:0.3mm、tanδ:0.0076)を用意した。
ガラス基材を、例1と同様にウェット処理、洗浄、乾燥を行い、ウェット処理したガラス基材を得た。ウェット処理後のガラス基材のRa(レーザ顕微鏡)は0.1μm以下であった。
ウェット処理したガラス基材の両面に、F樹脂フィルム3(tanδ:0.001)、銅箔(三井金属鉱業社製3EC-M2S-VLP、厚さ7um)の順に重ねた状態で真空プレス機に投入し、真空度:10kPa、圧着時の温度:340℃、圧着時の圧力:2.0MPa、ホールド:10分間の条件で真空圧着し、複合積層体3を得た。
得られた積層体の片面にレジスト塗布、マスク露光、現像、銅エッチングを実施し、長さ25mm、幅0.72mmのマイクロストリップラインを形成した。
作製したマイクロストリップラインを用いて、周波数28GHzにおける伝送損失測定を実施した。伝送損失測定には、アンリツ社のユニバーサルテストフィクスチャ3680を使用した。
測定の結果、伝送損失は、-0.85dBであった。
また、式(1)から得られた誘電特性Lは0.0041であった。
(Example 3)
As a glass substrate, an alkali-free glass plate (composition ratio, numerical values are mol%, SiO 2 : 66.1, Al 2 O 3 : 11.3, B 2 O 3 : 7.8, MgO: 5.1, CaO : 4.5, SrO: 5.2, thickness: 0.3 mm, tan δ: 0.0076).
The glass substrate was wet-treated, washed and dried in the same manner as in Example 1 to obtain a wet-treated glass substrate. Ra (laser microscope) of the glass substrate after the wet treatment was 0.1 μm or less.
On both sides of the wet-treated glass substrate, F resin film 3 (tan δ: 0.001) and copper foil (3EC-M2S-VLP manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., thickness 7 um) are stacked in this order, and placed in a vacuum press. Vacuum compression bonding was performed under the following conditions: degree of vacuum: 10 kPa, temperature during compression: 340° C., pressure during compression: 2.0 MPa, hold: 10 minutes, to obtain composite laminate 3 .
One side of the obtained laminate was subjected to resist coating, mask exposure, development, and copper etching to form a microstrip line having a length of 25 mm and a width of 0.72 mm.
Transmission loss measurement at a frequency of 28 GHz was performed using the fabricated microstrip line. Anritsu Universal Test Fixture 3680 was used for transmission loss measurement.
As a result of measurement, the transmission loss was -0.85 dB.
Also, the dielectric property L obtained from the formula (1) was 0.0041.

(例4)
ガラス基材として、ソーダライムガラス板(AGC製、厚さ:0.5mm、tanδ:0.017)を用意した。
ガラス基材を、例1と同様にウェット処理、洗浄、乾燥を行い、ウェット処理したガラス基材を得た。ウェット処理後のガラス基材のRa(レーザ顕微鏡)は0.1μm以下であった。
ウェット処理したガラス基材の片面に、F樹脂フィルム4(tanδ:0.001)、銅箔(三井金属鉱業社製3EC-M2S-VLP、厚さ7um)の順に重ねた状態で真空プレス機に投入し、真空度:10kPa、圧着時の温度:340℃、圧着時の圧力:2.0MPa、ホールド:10分間の条件で真空圧着し、複合積層体4を得た。
得られた積層体の銅箔面にレジスト塗布、マスク露光、現像、銅エッチングを実施し、スリットアンテナを形成した。
作製したスリットアンテナの周波数28GHzにおける利得および放射効率を測定した。利得および放射効率の測定には、ベクトルネットワークアナライザーを使用した。
測定の結果、アンテナ利得は、8.9dB、放射効率は、57.5%だった。
(Example 4)
A soda lime glass plate (manufactured by AGC, thickness: 0.5 mm, tan δ: 0.017) was prepared as a glass substrate.
The glass substrate was wet-treated, washed and dried in the same manner as in Example 1 to obtain a wet-treated glass substrate. Ra (laser microscope) of the glass substrate after the wet treatment was 0.1 μm or less.
On one side of the wet-treated glass substrate, F resin film 4 (tan δ: 0.001) and copper foil (3EC-M2S-VLP manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., thickness 7 um) are stacked in this order, and placed in a vacuum press. A composite laminate 4 was obtained by vacuum pressure bonding under conditions of degree of vacuum: 10 kPa, temperature during pressure bonding: 340° C., pressure during pressure bonding: 2.0 MPa, and hold: 10 minutes.
The copper foil surface of the obtained laminate was subjected to resist coating, mask exposure, development, and copper etching to form a slit antenna.
The gain and radiation efficiency of the fabricated slit antenna were measured at a frequency of 28 GHz. A vector network analyzer was used to measure gain and radiation efficiency.
As a result of measurement, the antenna gain was 8.9 dB and the radiation efficiency was 57.5%.

(比較例1)
ガラス基材として、例1と同じソーダライムガラス板を用意した。
ガラス基材を、23℃にて、ガラス洗浄液(横浜油脂工業社製セミクリーンGE-5の原液、pH:13)に浸漬し、超音波振動を印加しながら洗浄処理した。ガラス基材を純水で充分に洗浄した後、エアブローで乾燥しガラス基材を得た。
洗浄処理したガラス基材の両面に、TiおよびCuをスパッタ成膜した後に、電解めっきによりCuを7umの厚さまで成長させた。
両面にCuが形成された基板の片面にレジスト塗布、マスク露光、現像、銅エッチングを実施し、長さ25mm、幅0.72mmのマイクロストリップラインを形成した。
作製したマイクロストリップラインを用いて、周波数28GHzにおける伝送損失測定を実施した。伝送損失測定には、アンリツ社のユニバーサルテストフィクスチャ3680を使用した。
測定の結果、伝送損失は、-3.15dBであった。
(Comparative example 1)
As a glass substrate, the same soda-lime glass plate as in Example 1 was prepared.
The glass substrate was immersed in a glass cleaning solution (undiluted solution of Semi-Clean GE-5 manufactured by Yokohama Yushi Kogyo Co., Ltd., pH: 13) at 23° C., and subjected to cleaning treatment while applying ultrasonic vibration. After thoroughly washing the glass substrate with pure water, it was dried by an air blow to obtain a glass substrate.
After depositing Ti and Cu by sputtering on both surfaces of the cleaned glass substrate, Cu was grown to a thickness of 7 μm by electroplating.
A resist coating, mask exposure, development, and copper etching were performed on one side of the substrate on which Cu was formed on both sides to form a microstrip line with a length of 25 mm and a width of 0.72 mm.
Transmission loss measurement at a frequency of 28 GHz was performed using the fabricated microstrip line. Anritsu Universal Test Fixture 3680 was used for transmission loss measurement.
As a result of measurement, the transmission loss was -3.15 dB.

(比較例2)
ガラス基材として、例3と同じ無アルカリガラス板を用意した。
ガラス基材を、23℃にて、ガラス洗浄液(横浜油脂工業社製セミクリーンGE-5の原液、pH:13)に浸漬し、超音波振動を印加しながら洗浄処理した。ガラス基材を純水で充分に洗浄した後、エアブローで乾燥しガラス基材を得た。
洗浄処理したガラス基材の両面に、TiおよびCuをスパッタ成膜した後に、電解めっきによりCuを7umの厚さまで成長させた。
両面にCuが形成された基板の片面にレジスト塗布、マスク露光、現像、銅エッチングを実施し、長さ25mm、幅0.72mmのマイクロストリップラインを形成した。
作製したマイクロストリップラインを用いて、周波数28GHzにおける伝送損失測定を実施した。伝送損失測定には、アンリツ社のユニバーサルテストフィクスチャ3680を使用した。
測定の結果、伝送損失は、-1.55dBであった。
(Comparative example 2)
As a glass substrate, the same alkali-free glass plate as in Example 3 was prepared.
The glass substrate was immersed in a glass cleaning solution (undiluted solution of Semi-Clean GE-5 manufactured by Yokohama Yushi Kogyo Co., Ltd., pH: 13) at 23° C., and subjected to cleaning treatment while applying ultrasonic vibration. After thoroughly washing the glass substrate with pure water, it was dried by an air blow to obtain a glass substrate.
After depositing Ti and Cu by sputtering on both surfaces of the cleaned glass substrate, Cu was grown to a thickness of 7 μm by electroplating.
A resist coating, mask exposure, development, and copper etching were performed on one side of the substrate on which Cu was formed on both sides to form a microstrip line with a length of 25 mm and a width of 0.72 mm.
Transmission loss measurement at a frequency of 28 GHz was performed using the fabricated microstrip line. Anritsu Universal Test Fixture 3680 was used for transmission loss measurement.
As a result of measurement, the transmission loss was -1.55 dB.

(比較例3)
ガラス基材として、例1と同じソーダライムガラス板を用意した。
ガラス基材を、23℃にて、ガラス洗浄液(横浜油脂工業社製セミクリーンGE-5の原液、pH:13)に浸漬し、超音波振動を印加しながら洗浄処理した。ガラス基材を純水で充分に洗浄した後、エアブローで乾燥しガラス基材を得た。
洗浄処理したガラス基材の片面に、TiおよびCuをスパッタ成膜した後に、電解めっきによりCuを7umの厚さまで成長させた。
片面にCuが形成された基板のCu面にレジスト塗布、マスク露光、現像、銅エッチングを実施し、長さ25mm、スリット幅0.1mm、信号線幅1.0mmのコプレナーウェーブガイドを形成した。
作製したコプレナーウェーブガイドを用いて、周波数28GHzにおける伝送損失測定を実施した。伝送損失測定には、アンリツ社のユニバーサルテストフィクスチャ3680を使用した。
測定の結果、伝送損失は、-2.15dBであった。
(Comparative Example 3)
As a glass substrate, the same soda-lime glass plate as in Example 1 was prepared.
The glass substrate was immersed in a glass cleaning solution (undiluted solution of Semi-Clean GE-5 manufactured by Yokohama Yushi Kogyo Co., Ltd., pH: 13) at 23° C., and subjected to cleaning treatment while applying ultrasonic vibration. After thoroughly washing the glass substrate with pure water, it was dried by an air blow to obtain a glass substrate.
After depositing Ti and Cu by sputtering on one side of the cleaned glass substrate, Cu was grown to a thickness of 7 μm by electroplating.
A substrate having Cu formed on one side was subjected to resist coating, mask exposure, development, and copper etching to form a coplanar waveguide having a length of 25 mm, a slit width of 0.1 mm, and a signal line width of 1.0 mm. .
A transmission loss measurement was performed at a frequency of 28 GHz using the produced coplanar waveguide. Anritsu Universal Test Fixture 3680 was used for transmission loss measurement.
As a result of measurement, the transmission loss was -2.15 dB.

(比較例4)
ガラス基材として、例3と同じ無アルカリガラス板を用意した。
ガラス基材を、23℃にて、ガラス洗浄液(横浜油脂工業社製セミクリーンGE-5の原液、pH:13)に浸漬し、超音波振動を印加しながら洗浄処理した。ガラス基材を純水で充分に洗浄した後、エアブローで乾燥しガラス基材を得た。
洗浄処理したガラス基材の片面に、TiおよびCuをスパッタ成膜した後に、電解めっきによりCuを7umの厚さまで成長させた。
片面にCuが形成された基板のCu面にレジスト塗布、マスク露光、現像、銅エッチングを実施し、長さ25mm、スリット幅0.1mm、信号線幅1.0mmのコプレナーウェーブガイドを形成した。
作製したコプレナーウェーブガイドを用いて、周波数28GHzにおける伝送損失測定を実施した。伝送損失測定には、アンリツ社のユニバーサルテストフィクスチャ3680を使用した。
測定の結果、伝送損失は、-1.08dBであった。
(Comparative Example 4)
As a glass substrate, the same alkali-free glass plate as in Example 3 was prepared.
The glass substrate was immersed in a glass cleaning solution (undiluted solution of Semi-Clean GE-5 manufactured by Yokohama Yushi Kogyo Co., Ltd., pH: 13) at 23° C., and subjected to cleaning treatment while applying ultrasonic vibration. After thoroughly washing the glass substrate with pure water, it was dried by an air blow to obtain a glass substrate.
After depositing Ti and Cu by sputtering on one side of the cleaned glass substrate, Cu was grown to a thickness of 7 μm by electroplating.
A substrate having Cu formed on one side was subjected to resist coating, mask exposure, development, and copper etching to form a coplanar waveguide having a length of 25 mm, a slit width of 0.1 mm, and a signal line width of 1.0 mm. .
A transmission loss measurement was performed at a frequency of 28 GHz using the produced coplanar waveguide. Anritsu Universal Test Fixture 3680 was used for transmission loss measurement.
As a result of measurement, the transmission loss was -1.08 dB.

(比較例5)
ガラス基材として、例4と同じソーダライムガラス板を用意した。
ガラス基材を、23℃にて、ガラス洗浄液(横浜油脂工業社製セミクリーンGE-5の原液、pH:13)に浸漬し、超音波振動を印加しながら洗浄処理した。ガラス基材を純水で充分に洗浄した後、エアブローで乾燥しガラス基材を得た。
洗浄処理したガラス基材の片面に、TiおよびCuをスパッタ成膜した後に、電解めっきによりCuを7umの厚さまで成長させた。
片面にCuが形成された基板のCu面にレジスト塗布、マスク露光、現像、銅エッチングを実施し、スリットアンテナを作製した。作製したスリットアンテナの周波数28GHzにおける利得および放射効率を測定した。利得および放射効率測定には、ベクトルネットワークアナライザーを使用した。
測定の結果、アンテナ利得は、5.5dB、放射効率は、44.0%だった。
(Comparative Example 5)
As a glass substrate, the same soda-lime glass plate as in Example 4 was prepared.
The glass substrate was immersed in a glass cleaning solution (undiluted solution of Semi-Clean GE-5 manufactured by Yokohama Yushi Kogyo Co., Ltd., pH: 13) at 23° C., and subjected to cleaning treatment while applying ultrasonic vibration. After thoroughly washing the glass substrate with pure water, it was dried by an air blow to obtain a glass substrate.
After depositing Ti and Cu by sputtering on one side of the cleaned glass substrate, Cu was grown to a thickness of 7 μm by electroplating.
A slit antenna was produced by applying a resist to the Cu surface of the substrate having Cu formed on one side thereof, exposing it to a mask, developing it, and etching it to copper. The gain and radiation efficiency of the fabricated slit antenna were measured at a frequency of 28 GHz. A vector network analyzer was used for gain and radiation efficiency measurements.
As a result of measurement, the antenna gain was 5.5 dB and the radiation efficiency was 44.0%.

例1と比較例1との比較により、同じソーダライムガラスをガラス基材として用いた場合、F樹脂層を介在させることで、MSLの伝送損失を1.71dB向上させられることがわかる。
例1と比較例2との比較により、無アルカリガラスよりもtanδが悪くかつ安価なソーダライムガラスを用いても、F樹脂層を介在させることで、無アルカリガラスを用いた場合と同等のMSLにおける伝送損失を得られることがわかる。
例2と比較例3との比較により、同じソーダライムガラスをガラス基材として用いた場合、F樹脂層を介在させることで、CPWの伝送損失を1.05dB向上させられることがわかる。
例2と比較例4との比較により、無アルカリガラスよりもtanδが悪くかつ安価なソーダライムガラスを用いても、F樹脂層を介在させることで、無アルカリガラスを用いた場合と同等のCPWにおける伝送損失を得られることがわかる。
例3と比較例2との比較により、同じ無アルカリガラスを用いた場合、F樹脂層を介在させることで、MSLの伝送損失を0.71dB向上させられることがわかる。
比較例1~4は、ガラス上にCu層を形成するために、スパッタや電解めっきが必要でコストと時間がかかる。一方、例1~3では、銅箔をF樹脂層を介して真空ホットプレスするのみなので、安価で短時間で加工できる。
例4と比較例5との比較により、同じソーダライムガラスをガラス基材として用いてスリットアンテナを作製した場合、F樹脂層を介在させることで、アンテナ利得を3.4dB向上させ、放射効率を13.5%向上させられることがわかる。
A comparison between Example 1 and Comparative Example 1 shows that when the same soda-lime glass is used as the glass base material, the interposition of the F resin layer can improve the transmission loss of the MSL by 1.71 dB.
By comparing Example 1 and Comparative Example 2, even if soda lime glass, which has a lower tan δ than alkali-free glass and is inexpensive, is used, by interposing the F resin layer, the same MSL as when using alkali-free glass is obtained. It can be seen that the transmission loss at
A comparison between Example 2 and Comparative Example 3 shows that when the same soda lime glass is used as the glass base material, the transmission loss of CPW can be improved by 1.05 dB by interposing the F resin layer.
By comparing Example 2 and Comparative Example 4, even if soda-lime glass, which has a lower tan δ than alkali-free glass and is inexpensive, is used, by interposing the F resin layer, the CPW is equivalent to that when alkali-free glass is used. It can be seen that the transmission loss at
A comparison between Example 3 and Comparative Example 2 shows that when the same alkali-free glass is used, the transmission loss of MSL can be improved by 0.71 dB by interposing the F resin layer.
Comparative Examples 1 to 4 require sputtering and electrolytic plating to form a Cu layer on the glass, which is costly and time consuming. On the other hand, in Examples 1 to 3, since the copper foil is simply vacuum hot-pressed through the F resin layer, it can be processed at low cost in a short time.
By comparing Example 4 and Comparative Example 5, when a slit antenna was produced using the same soda-lime glass as the glass substrate, the interposition of the F resin layer improved the antenna gain by 3.4 dB and the radiation efficiency. It can be seen that 13.5% improvement can be achieved.

本発明の複合積層体は、アンテナや半導体パッケージ用途として有用である。 The composite laminate of the present invention is useful for antennas and semiconductor packages.

1 ガラス基板
2 樹脂層
3 金属層
4 マイクロストリップ線路
5 グランド
6 コプレナーウェイブガイド線路
7 グランド
1 glass substrate 2 resin layer 3 metal layer 4 microstrip line 5 ground 6 coplanar waveguide line 7 ground

Claims (12)

ガラス基板と、前記ガラス基板の少なくとも一方の面に当接した樹脂層とを備えたガラス/樹脂積層体と、
前記ガラス/樹脂積層体の樹脂層に当接した金属層と、を有する複合積層体であって、
前記ガラス基板の樹脂層が当接した表面の算術平均粗さRaが1.0μm以下であり、
前記樹脂層がテトラフルオロエチレン系ポリマーを含み、
前記ガラス基板の厚さが50~5000μmであり、
前記樹脂層の厚さが1~100μmであり、
前記金属層の厚さが1~40μmであり、
前記テトラフルオロエチレン系ポリマーが、テトラフルオロエチレンに基づく単位と、ペルフルオロ(アルキルビニルエーテル)、ヘキサフルオロプロピレン及びフルオロアルキルエチレンからなる群から選ばれる少なくとも1種のモノマーに基づく単位とを有し、
前記テトラフルオロエチレン系ポリマーが、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基、アミド基、アミノ基及びイソシアネート基からなる群から選ばれる少なくとも1種の官能基を有し、
前記テトラフルオロエチレン系ポリマーが、溶融成形可能なポリマーである、複合積層体。
a glass/resin laminate comprising a glass substrate and a resin layer in contact with at least one surface of the glass substrate;
and a metal layer in contact with the resin layer of the glass/resin laminate,
The surface of the glass substrate with which the resin layer abuts has an arithmetic mean roughness Ra of 1.0 μm or less,
The resin layer contains a tetrafluoroethylene-based polymer,
The glass substrate has a thickness of 50 to 5000 μm,
The resin layer has a thickness of 1 to 100 μm,
The metal layer has a thickness of 1 to 40 μm ,
The tetrafluoroethylene-based polymer has units based on tetrafluoroethylene and units based on at least one monomer selected from the group consisting of perfluoro(alkyl vinyl ether), hexafluoropropylene and fluoroalkylethylene,
The tetrafluoroethylene-based polymer has at least one functional group selected from the group consisting of a carbonyl group-containing group, a hydroxy group, an epoxy group, an amide group, an amino group and an isocyanate group,
A composite laminate , wherein the tetrafluoroethylene-based polymer is a melt-moldable polymer .
下式(1)で得られ、前記ガラス基板の両面に当接した樹脂層を備えた前記ガラス/樹脂積層体の誘電特性Lが0.001~0.020である、請求項1に記載の複合積層体。
誘電特性L=(tanδ1×t1+8×tanδ2×t21)/(t1+4×t21)
式(1)
(ただし、式中のtanδ1はガラス基板を構成するガラスの28GHzにおける誘電正接、t1はガラス基板の厚さ[μm]、tanδ2は樹脂層を構成する樹脂の28GHzにおける誘電正接、t21はガラス基板の両面に当接したそれぞれの樹脂層の合計の厚さ[μm]である)
2. The glass/resin laminate according to claim 1, wherein the dielectric property L of the glass/resin laminate obtained by the following formula (1) and provided with resin layers in contact with both surfaces of the glass substrate is 0.001 to 0.020. Composite laminate.
Dielectric property L = (tan δ1 x t1 + 8 x tan δ2 x t21)/(t1 + 4 x t21)
formula (1)
(In the formula, tan δ1 is the dielectric loss tangent of the glass constituting the glass substrate at 28 GHz, t1 is the thickness [μm] of the glass substrate, tan δ2 is the dielectric loss tangent of the resin constituting the resin layer at 28 GHz, and t21 is the dielectric loss tangent of the glass substrate. It is the total thickness [μm] of each resin layer in contact with both surfaces)
下式(2)で得られ、前記ガラス基板の片面に当接した樹脂層を備えた前記ガラス/樹脂積層体の誘電特性Lが0.001~0.020である、請求項1に記載の複合積層体。
誘電特性L=(tanδ1×t1+55×tanδ2×t22)/(t1+11×t22) 式(2)
(ただし、式中のtanδ1はガラス基板を構成するガラスの28GHzにおける誘電正接、t1はガラス基板の厚さ[μm]、tanδ2は樹脂層を構成する樹脂の28GHzにおける誘電正接、t22はガラス基板の片面に当接した樹脂層の厚さ[μm]である)
2. The glass/resin laminate according to claim 1, wherein the dielectric property L of the glass/resin laminate provided with the resin layer in contact with one side of the glass substrate, which is obtained by the following formula (2), is 0.001 to 0.020. Composite laminate.
Dielectric property L=(tan δ1×t1+55×tan δ2×t22)/(t1+11×t22) Equation (2)
(In the formula, tan δ1 is the dielectric loss tangent of the glass constituting the glass substrate at 28 GHz, t1 is the thickness [μm] of the glass substrate, tan δ2 is the dielectric loss tangent of the resin constituting the resin layer at 28 GHz, and t22 is the dielectric loss tangent of the glass substrate. is the thickness [μm] of the resin layer in contact with one side)
前記ガラス基板を構成するガラスの28GHzで測定したときの誘電正接が0.001~0.02である、請求項1~3のいずれか一項に記載の複合積層体。 The composite laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein the dielectric loss tangent of the glass constituting the glass substrate is 0.001 to 0.02 when measured at 28 GHz. 前記ガラス基板の厚さが200~600μmであり、前記樹脂層の厚さが20~80μmである、請求項1~4のいずれか一項に記載の複合積層体。 The composite laminate according to any one of claims 1 to 4, wherein the glass substrate has a thickness of 200 to 600 µm, and the resin layer has a thickness of 20 to 80 µm. 前記樹脂層が、テトラフルオロエチレン系ポリマーの押出フィルムからなる、請求項1~5のいずれか一項に記載の複合積層体。 The composite laminate according to any one of claims 1 to 5, wherein the resin layer comprises an extruded film of a tetrafluoroethylene-based polymer. 前記テトラフルオロエチレン系ポリマーが、0.1~5.0MPaの貯蔵弾性率を示す温度領域を260℃以下に有し、融点が260℃超である、請求項1~6のいずれか一項に記載の複合積層体。 The tetrafluoroethylene-based polymer according to any one of claims 1 to 6, having a temperature range of 0.1 to 5.0 MPa at 260°C or lower and a melting point of higher than 260°C. A composite laminate as described. 前記金属層の、樹脂層と接する側の最大高さ粗さRzが7.0μm以下である、請求項1~のいずれか一項に記載の複合積層体。 The composite laminate according to any one of claims 1 to 7 , wherein the metal layer has a maximum height roughness Rz of 7.0 µm or less on the side in contact with the resin layer. 前記ガラス基板と前記樹脂層との界面の剥離強度が5N/cm以上であり、前記樹脂層の比誘電率が2.0~3.5である、請求項1~のいずれか一項に記載の複合積層体。 9. The method according to any one of claims 1 to 8 , wherein the interface between the glass substrate and the resin layer has a peel strength of 5 N/cm or more, and the resin layer has a dielectric constant of 2.0 to 3.5. A composite laminate as described. 前記金属層がパターニングされている、請求項1~のいずれか一項に記載の複合積層体。 The composite laminate according to any one of claims 1 to 9 , wherein said metal layer is patterned. アンテナである請求項10に記載の複合積層体。 The composite laminate according to claim 10 , which is an antenna. 半導体パッケージ基板である請求項10に記載の複合積層体。 The composite laminate according to claim 10 , which is a semiconductor package substrate.
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